KR102517020B1 - 플라즈마 에칭 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법을 제공하고, 상기 방법은 에칭 챔버 내에서 상기 기판을 제공하는 단계 및 상기 기판 상에 주기적인 공정(cyclical process)을 수행하는 단계를 포함하고, 각각의 사이클은 상기 챔버 내로 에칭 가스(etchant gas)를 공급하고, 상기 가스를 플라즈마 안으로 에너자이징하고, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 기판 상에 에칭하는 단계; 및 탈착하는 단계를 수행하고, 상기 탈착 단계 동안, 상기 에칭 단계 동안 상기 기판 표면에 흡착된 활성종(reactive species)이 상기 기판 표면으로부터 탈착하도록 하기 위하여, 상기 에칭 챔버 내로 공급된 유일한 가스는 불활성 가스이다.

Description

플라즈마 에칭 방법{METHOD OF PLASMA ETCHING}
본 발명은 플라즈마 에칭 방법, 특히 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법에 관한 것이다.
마이크로-트렌칭(Micro-trenching)은 플라즈마 에칭된 피쳐(plasma etched features)의 측벽의 베이스에서 국소화된 에칭을 지칭하기 위해 사용되는 용어로서, 피쳐(feature)의 바닥을 가로지르는 에칭 깊이에 큰 차이를 초래할 수 있다. 에칭 이온이 지표각(grazing angle)으로 측벽에 도달할 때 마이크로-트렌칭 (micro-trenching)이 발생할 수 있다. 이러한 이온들은 측벽에서 반사되고 트렌치의 코너(corners of the trench)에 축적되어 국부적으로 높은 에칭 속도를 초래한다. 도 4는 SF6/O2/He 공정 가스를 사용하여 SiC 의 플라즈마 에칭 중 일반적인 마이크로-트렌치 구조(micro-trenched structure)를 보여준다. 마이크로 트렌칭 (micro-trenching)은 결함있는 반도체 장치들을 유발할 수 있기 때문에 바람직하지 않으며, 특히 마이크로-트렌치(micro-trenches)가 하부 전극에 도달하는 경우에 그러하다.
마이크로 트렌칭(micro-trenching)을 방지하는 일반적인 방법은 이온 에너지를 줄이기 위해 DC 자체-바이어스(DC self-bias)를 조정하거나 중합가스(예, SiF4, C4F8, CHF3)를 사용하는 것이다. 그러나, 이러한 방법들은 마이크로 트렌칭(micro-trenching)의 방지를 항상 보장하는 것이 아니며, 에칭 요건에 따라 낮은 에칭 속도 또는 선택성과 같은 이상적인 에칭 성능보다 낮아질 수 있다. 폴리머 형성 가스의 사용은 또한 챔버가 빈번한 기계적 세척을 요구하도록 에칭 챔버의 청결에 유해한 영향을 미칠 수 있다.
US 2007/0281462 는 마이크로-트렌칭(micro-trenching)의 문제를 극복하기 위한 방법을 개시하며, 여기서 제1 플라즈마 에칭 단계에 상기 제1 플라즈마 에칭 단계 동안 생성된 임의의 마이크로-트렌치(micro-trenches)를 제거하기 위한 제2 플라즈마 에칭단계가 뒤따른다.
본 발명의 목적은 플라즈마 에칭 동안 마이크로-트렌칭(micro-trenching)을 방지하거나 적어도 감소시키는 것이다.
본 발명은 이제 첨부된 도면을 참조하여 단지 일 예로서 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 제조방법에 따라 수행되는 기판의 개략도를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 순환 공정(cyclical process)의 개략도를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 따른 방법을 사용한 플라즈마-에칭된 트렌치(plasma-etched trench)의 단면을 나타낸다.
도 4는 마이크로-트렌칭(micro-trenching)이 발생한 플라즈마 에칭된 트렌치(plasma-etched trench)의 단면을 나타낸다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, (a) 에칭 챔버 내에 기판을 제공하는 단계; 및 (b) 상기 기판 상에 순환 공정(cyclical process)을 수행하는 단계를 포함하고, 상기 순환 공정(cyclical process)의 각 사이클은 i)상기 에칭 챔버로 에칭 가스(etchant gas)를 공급하고, 상기 에칭 가스를 플라즈마로 에너자이징(energising)하고, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 기판에 에칭 단계를 수행하는 단계; 및 ii) 탈착하는 단계를 포함하고, 상기 탈착 단계 동안, 상기 에칭 챔버 내로 공급되는 유일한 가스는 불활성 가스이며, 상기 에칭 단계 동안 상기 기판의 표면에 흡착된 활성종(reactive species)이 상기 기판의 표면으로부터 탈착되도록 하는 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법이 제공된다.
본 발명자들은 다음 단계 또는 사이클로 이동하기 전에 에칭 챔버로의 임의의 활성종의 흐름이 중단되고, 불활성 가스만이 소정의 시간 동안 챔버 내로 공급되는 탈착 단계를 제공함으로써, 마이크로 트렌칭(micro-trenching)이 실질적으로 감소되거나 완전히 제거될 수 있다는 것을 발견하였다. 탈착 단계는 임의의 활성종이 상기 기판의 표면으로부터 탈착되는 시간을 제공하여, 활성종의 수를 마이크로-트렌치 형성에 필요한 역치 수준 미만으로 감소시키는 것으로 추정된다.
이러한 방식으로, 보호층(passivation layer)을 생성하기 위하여, 전술한 바와 같이, 챔버 청정도에 유해한 영향을 미칠 수 있는 중합 가스 필요 없이 마이크로-트렌칭(micro-trenching )을 감소 또는 제거할 수 있다.
“화합물 반도체(compound semiconductor)"라는 용어는 둘 이상의 요소로 제조된 반도체를 지칭한다. “실리콘계 화합물 반도체(silicon-based compound semiconductor)”라는 용어는 원소들 중 하나가 실리콘인 화합물 반도체를 지칭한다.
상기 에칭 단계 동안, 상기 에칭 가스(etchant gas)는 불소 함유 가스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 에칭 가스는 설퍼헥사플루오라이드(SF6)를 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 상기 에칭 가스는 CF4 또는 C4F8 을 포함할 수 있다. 상기 불소 함유 가스는 플라즈마에 불소 라디칼 소스를 제공하고, 이는 상기 기판 표면에서 반응하여 에칭을 수행한다.
상기 에칭 단계 동안 불소 함유 가스의 유량은 약 10-50 sccm (분당 표준입방 센터미터, standard cubic centimetres per minute)일 수 있다.
각 사이클에서 상기 에칭 단계의 지속시간은 약 0.5-5 초 일 수 있다.
상기 에칭 가스는 불활성 가스, 예를 들어, 헬륨, 아르곤, 크립톤 또는 크세논(xenon)을 포함할 수 있다. 상기 에칭 단계 동안 상기 불활성 가스의 유량은 약 15-40 sccm 일 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 에칭 가스는 불소 함유 가스(예, SF6) 및 불활성 가스(예, He, Ar, Kr 또는 Xe )로 이루어지며, 즉, 상기 에칭 단계 동안 상기 에칭 챔버에 공급되는 유일한 가스는 불소 함유 가스 및 불활성 가스일 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 에칭 가스는 산소 함유 가스(예, O2 또는 O3)를 더 포함할 수 있다. 상기 산소 함유 가스의 유량은 상기 불소 함유 가스의 유량보다 적을 수 있다. 상기 산소 함유 가스는 상기 에칭 단계 동안 에칭 단계의 총 시간의 일부 및/또는 전체 사이클 수의 서브 세트에 대해서만 흐를 수 있다.
상기 탈착 단계 동안, 상기 에칭 챔버에 공급되는 상기 불활성 가스는 예를 들어, 헬륨, 아르곤, 크립톤 또는 크세논 또는 불할성 가스의 혼합물일 수 있다. 상기 탈착 단계 동안 상기 불활성 가스의 유량은 약 15-40 sccm 일 수 있다.
각 사이클에서 상기 탈착 단계의 지속 시간은 적어도 0.5초 일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 탈착 단계의 지속시간은 적어도 1초일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 탈착 단계의 지속시간은 적어도 1.5초일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 탈착 단계의 지속시간은 적어도 2초일 수 있다. 최대 지속 시간은 생산성 고려에 따라 결정되지만, 예를 들어, 약 5 초일 수 있다. 상기 탈착 단계의 지속 시간은 예를 들어, 약 0.5-5 초 일 수 있다. 탈착 단계가 짧을수록 사이클이 더 빨라지지만 탈착 단계가 너무 짧으면 마이크로 트렌칭이 복귀하거나 마이크로 트렌칭 정도가 허용되지 않을 수 있다.
상기 에칭 단계 동안 에칭되지 않을 기판의 영역들을 보호하기 위한 마스크 층(mask layer), 예를 들어, SiO2 마스크 층,은 순환 공정(cyclical process) 을 수행하기 전에 기판 상에 제공될 수 있다. 이 경우, 상기 순환 공정의 각 사이클은 다음을 추가로 포함할 수 있다.
iii. 상기 마스크 층을 강화하기 위한 마스크 강화 단계를 수행하는 단계로서, 상기 마스크 강화 단계 동안, 산소 함유 가스 및 선택적으로 불활성 가스 만이 상기 에칭 챔버로 공급되고;
상기 에칭 단계, 상기 탈착 단계 및 상기 마스크 강화 단계는 각 사이클 동안 임의의 순서로 진행될 수 있다.
상기 마스크 강화 단계는 마이크로-트렌칭(micro-trenching)을 감소시키기 위해 필수적이지 않으며 일반적으로 마이크로 트렌칭 정도에 영향을 미치지 않는다. 그러나, 마스크 강화 단계를 제공함으로써 각 사이클 동안 마이크 층의 열화가 완화될 수 있고, 이에 따라 에칭 깊이가 더 커질 수 있다.
상기 단계들이 특정 순서로 수행될 필요는 없다. 예를 들어, 일 실시예에서, 상기 에칭 단계가 먼저 수행되고, 이어서 탈착 단계가 수행되고, 이어서 마스크 강화 단계가 수행될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 에칭 단계가 먼저 수행되고, 이어서 마스크 강화 단계가 수행되고, 이어서 탈착 단계가 수행될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 상기 탈착 단계가 먼저 수행되고, 이어서 에칭 단계가 수행되고, 마스크 강화 단계가 수행될 수 있다.
상기 마스크 강화 단계 동안, 상기 산소 함유 가스는 O2 또는 O3 일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 마스크 강화 단계 동안 상기 에칭 챔버에 공급된 가스는 산소 함유 가스(예, O2 또는 O3) 및 선택적으로 불활성 가스, 예를 들어, 헬륨, 아르곤, 크립톤 또는 크세논으로 이루어질 수 있다. 상기 마스크 강화 단계 동안 불활성 가스가 공급된다면, 상기 마스크 강화 단계 동안 상기 불활성 가스의 유량은 약 15-40 sccm 일 수 있다.
상기 마스크 강화 단계 동안 상기 산소 함유 가스의 유량은 30　sccm 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 마스크 강화 단계 동안 상기 산소 함유 가스의 유량은 25　sccm 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 마스크 강화 단계 동안 상기 산소 함유 가스의 유량은 20　sccm 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 마스크 강화 단계 동안 상기 산소 함유 가스의 유량은 15　sccm 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 상기 마스크 강화 단계 동안 상기 산소 함유 가스의 유량은 약 3-12 sccm 일 수 있다.
각 사이클에서 상기 마스크 강화 단계의 지속 시간은 약 0.5-5 초일 수 있다.
본 발명의 방법은 실리콘 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법일 수 있으며, 상기 기판은 SiC로 만들어질 수 있다.
도 1은 본 발명의 방법을 사용하여 에칭된 기판 110을 나타낸다. 이 예에서 기판 110 은 실리콘 카바이드(SiC)로 만들어진다. 기판 110 의 상부에는 실리콘 다이옥사이드(SiO2) 로 만들어진 마스크 120 이 있다. 상기 에칭 공정 동안, 마스크 120 의 상기 에칭 속도는 재료의 차이로 인해 기판 110의 에칭 속도보다 낮을 것이다. 그리하여, 마스크 120는 에칭되지 않아야 하는 기판 110의 일부를 보호하기 위해 기판 110 위의 장벽으로서 작용한다. 에칭될 기판 110의 일부는 상부에 노출된 채로 남는다.
기판 110 이 플래튼(platen) 상에 지지되는 에칭 챔퍼를 포함하는 전형적인 플라즈마 에칭 장치(미도시)에서 기판 110은 에칭된다. SiC 기판을 에칭 할 수있는 예시적인 고밀도 플라즈마 에칭 툴은 SPTS Omega® Synapse ™ 일 것이다. 상기 에칭 챔버는 가스가 상기 챔버로 유입될 수 있는 가스 유입구 및 가스가 챔버를 빠져 나갈 수 있는 가스 배출구를 포함한다.
도 2는 본 발명에 따른 예시적인 순환 공정의 흐름도를 나타낸다. 이 기술된 예에서, 에칭 단계 210 가 먼저 수행되고, 이어서 마스크 강화 단계 220 가 수행되고, 이어서 탈착 단계 230 가 수행된다. 그러나, 상기 단계들이 순서대로 수행될 필요는 없으며, 임의의 순서로 재배열할 수 있다. 또한, 마스크 강화 단계 220는 마이크로-트렌칭(micro-trenching)을 감소시키거나 방지하기 위해 선택적이다. 마스크 강화 단계 220는 유리하게는 더 큰 에칭 깊이가 달성될 수 있게 한다.
표 1은 각 단계의 일반적인 파라미터를 나타낸다. 일반적인 작동 압력은 1-50　mTorr (약 0.13-6.67　Pa) 일 수 있고, 일반적인 RF 바이어스 전력(RF bias power) 은 250-1000　W 일 수 있다.
Step 210
(에칭)		 Step 220
(마스크 강화)		 Step 230
(탈착)
Time (s) 0.5-5 0.5-5 0.5-5
Coil power (W) 500-1500 500-1500 500-1500
SF6 (sccm) 10-50 0 0
O2 (sccm) 0 3-12 0
He (sccm) 15-40 15-40 15-40
에칭 단계 210 동안, SF6 및 He 의 에칭 가스 혼합물이 상기 에칭 챔버에 공급된다. 이어서, 상기 에칭 가스 혼합물은 플라즈마로 에너자이징되고, 기판 110 의 일부를 에칭하여 트렌치를 형성하기 시작하는데 사용된다. 이 예에서, 상기 에칭 단계 210 동안 O2 의 흐름이 없지만, 일 실시예에서, 상기 에칭 가스 혼합물은 O2 를 더 포함할 수 있다. 상기 에칭 단계 동안 O2 의 추가는 F* 라디칼을 증가시킬 수 있고, 따라서 유리하게 에칭 속도(etch rate)를 증가시킬 수 있다. 그러나, F* 라디칼의 증가는 또한 마이크로-트렌칭(micro-trenching )이 발생할 가능성이 높아질 것이다. 만약 상기 에칭 가스 혼합물에 O2 가 혼입된다면, 상기 O2 의 유량은 전형적으로 SF6 의 유량보다 적을 수 있다. 일 실시예에서, O2 는 에칭 단계 210 에 대한 총 시간의 일부 동안 및 / 또는 총 사이클 수의 서브 세트에 대해서만 추가 될 수 있다. 상기 에칭 단계 210 동안 O2 의 유량 및 O2 의 유량 지속 시간은 마이크로-트렌칭이 발생되지 않고 에칭 속도를 증가시키도록 최적화 될 수 있다. 마스크 강화 단계 220 동안, 상기 에칭 챔버로의 SF6 공급이 중단되고, 대신 O2 및 He 의 가스 혼합물이 에칭 챔버로 공급된다. 상기 O2 가스는 마스크 층 120 을 강화하여 트렌치가 더 큰 깊이로 에칭될 수 있도록 화합물의 형성을 장려한다. 이 단계는 마이크로-트렌칭(micro-trenching)에 큰 영향을 미치지 않으며 선택 사항이다.
탈착 단계 230 동안, 상기 에칭 챔버에 공급 된 유일한 가스는 He이다. 이 단계 동안 불활성 가스만을 공급하는 것은 기판 110 의 에칭된 표면에 흡착 된 임의의 활성 에칭 종(reactive etch species)이 표면으로부터 탈착되어 마이크로- 트렌칭 (micro-trenching)을 감소시키는 시간을 허용한다.
탈착 단계에서, He의 유량을 증가시키는 것은 마이크로-트렌칭을 감소시키는 데 큰 영향을 미치지 않는다. 탈착 단계의 단계 시간(step time)은 마이크로-트 렌칭을 감소시키는 더 중요한 요소이다. 상기 탈착 단계의 단계 시간을 증가시키는 것은 마이크로-트렌칭을 감소시키거나 마이크로-트렌칭을 없앨 수 있다; 그러나 이것은 각 주기를 수행하기 위해 전체 시간이 증가하는 비용이 든다. 2 초 이상의 탈착 단계 시간은 전형적으로 마이크로- 트렌치 프리 에칭(micro-trench free etch)을 초래한다.
단계 210, 220 및 230은 하나의 사이클을 형성하며, 이는 원하는 에칭 깊이에 도달 할 때까지 반복 될 수 있다. 예를 들어, 표 1에 나타낸 공정 파라미터를 사용하여, 약 1 ㎛의 깊이를 갖는 트렌치를 생성하기 위해 상기 공정을 20 사이클 동안 반복 할 수 있다. 마이크로-트렌칭(micro-trenching)을 줄이거나 방지하면서 본 발명을 사용하여 더 큰 에칭 깊이를 달성 할 수 있다.
도 3은 표 1의 공정 파라미터를 사용하여 본 발명에 따른 3-단계 순환 공정(3-step cyclical process)을 사용하여 플라즈마 에칭된 트렌치의 단면을 나타낸다. 상기 도시된 트렌치는 마이크로-트렌칭이 없는 것을 나타낸다.

Claims (21)

  1. 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법으로서,
    (a) 상기 기판을 에칭 챔버 내에 제공하는 단계; 및
    (b) 상기 기판에 순환 공정(cyclical process)을 수행하는 단계를 포함하며,
    상기 순환 공정의 각 사이클은:
    i) 상기 에칭 챔버 내로 에칭 가스(etchant gas)를 공급하고, 상기 에칭 가스의 연속적인 흐름 동안 상기 에칭 가스를 플라즈마로 에너자이징(energising)하며, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 기판에 에칭 단계를 수행하는 단계 - 각 사이클에서의 상기 에칭 단계의 지속 시간은 약 0.5초 내지 5초이고, 상기 에칭 단계 동안의 RF 바이어스 전력(RF bias power)은 250 W 내지 1000　W임 -; 및
    ii) 불활성 플라즈마를 이용해 탈착(desorption) 단계를 수행하는 단계 - 상기 탈착 단계 동안, 상기 에칭 챔버 내로 공급되는 유일한 가스는 불활성 가스이어서, 상기 에칭 단계 동안 상기 기판의 표면에 흡착된 활성 종(reactive species)이 상기 기판의 표면으로부터 탈착되도록 하며, 상기 탈착 단계 동안의 RF 바이어스 전력은 250 W 내지 1000　W임 -
    를 포함하는 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 가스는 불소 함유 가스를 포함하는 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 에칭 단계 동안의 상기 불소 함유 가스의 유량은 약 10 sccm 내지 50 sccm인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 불소 함유 가스는 SF6인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 가스는 불활성 가스를 더 포함하는 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 에칭 단계 동안의 상기 불활성 가스의 유량은 약 15 sccm 내지 40　sccm인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 에칭 가스 내의 상기 불활성 가스는 He인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 가스는 SF6 및 불활성 가스로 이루어진 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    각 사이클에서의 상기 탈착 단계의 지속 시간은 약 2초 내지 5초인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 탈착 단계 동안 공급되는 상기 불활성 가스는 He인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 탈착 단계 동안의 상기 불활성 가스의 유량은 약 15 sccm 내지 약 40 sccm인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    각 사이클에서의 상기 탈착 단계의 지속 시간은 약 0.5초 내지 5초인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    각 사이클에서의 상기 탈착 단계의 지속 시간은 적어도 2초인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 단계 동안 에칭되지 않는 상기 기판의 영역들을 보호하기 위한 SiO2 마스크 층이 상기 순환 공정을 수행하기 전에 상기 기판 상에 제공되고,
    상기 순환 공정의 각 사이클은:
    iii) 상기 마스크 층을 강화하기 위한 마스크 강화 단계(mask fortification step)를 수행하는 단계 - 상기 마스크 강화 단계 동안, 단지 산소 함유 가스 및 선택적으로 불활성 가스가 상기 에칭 챔버 내로 공급됨 -
    를 더 포함하며,
    상기 에칭 단계, 상기 탈착 단계 및 상기 마스크 강화 단계는 각 사이클 동안 임의의 순서로 수행될 수 있는 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 마스크 강화 단계 동안 공급되는 상기 산소 함유 가스는 O2 또는 O3인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 마스크 강화 단계 동안, 상기 에칭 챔버에 공급되는 상기 가스는 O2, 및 선택적으로 불활성 가스로 이루어진 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 마스크 강화 단계 동안의 상기 산소 함유 가스의 유량은 30 sccm 이하인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 마스크 강화 단계 동안의 상기 산소 함유 가스의 유량은 약 3 sccm 내지 12 sccm인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  19. 제14항에 있어서,
    각 사이클에서의 상기 마스크 강화 단계의 지속 시간은 약 0.5초 내지 5초인 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 SiC로 만들어진 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 순환 공정은 상기 반도체 기판의 적어도 1 ㎛를 제거하는 것인, 실리콘계 화합물 반도체 기판을 플라즈마 에칭하는 방법.
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