KR102505510B1 - 규소 함유 수지 조성물, 규소 함유 수지 필름, 실리카 필름, 발광 표시 소자 패널, 및 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

[과제] 크랙의 발생을 억제하면서, 양호하게 분산된 상태로 양자점을 포함하는 규소 함유 수지 필름 또는 실리카 필름을 형성할 수 있는 규소 함유 수지 조성물과, 양자점을 포함하는 규소 함유 수지 필름 및 실리카 필름, 및 그 제조 방법과 발광 표시 소자용의 광학 필름 및 적층체와, 상기 광학 필름 또는 상기 적층체를 포함하는 발광 표시 소자 패널과, 상기 발광 표시 소자 패널을 구비하는 발광 표시 장치와, 전술한 적층체의 제조 방법을 제공하는 것.
[해결 수단] 규소 함유 수지(A)와 양자점(B)과 용제(S)를 포함하는 규소 함유 수지 조성물에 있어서, 규소 함유 수지(A)로서 실록산 수지 및 폴리실란으로부터 선택되는 1종 이상을 이용해 특정 구조의 시클로알킬아세테이트를 용제(S)에 함유시킨다. 시클로알킬아세테이트로는 시클로헥실아세테이트가 적합하게 사용된다.

Description

규소 함유 수지 조성물, 규소 함유 수지 필름, 실리카 필름, 발광 표시 소자 패널, 및 발광 표시 장치{SILICON-CONTAINING RESIN-COMPOSITION, SILICON-CONTAINING RESIN-FILM, SILICA FILM, LIGHT-EMITTING DISPLAY-ELEMENT PANEL and LIGHT-EMITTING DISPLAY-APPARATUS}
본 발명은 규소 함유 수지 조성물, 규소 함유 수지 필름, 실리카 필름, 발광 표시 소자 패널, 및 발광 표시 장치에 관한 것이다.
종래부터, 전자를 가두기 위해서 형성된 극소의 입자(도트)가 양자점으로 칭해지며, 각종 분야에서의 적용 검토가 이루어져 왔다. 여기서, 1개 입자의 양자점의 크기는 직경 수 나노미터에서 수십 나노미터이며, 약 1만개의 원자로 구성되어 있다.
이러한 양자점은 그 사이즈를 변경함(밴드 갭을 변경함)으로써, 발광하는 형광의 색(발광 파장)을 변경(파장 변환)할 수 있다. 이 때문에, 최근 양자점에 대해서, 파장 변환 재료로서 표시 소자에 적용하는 것의 검토가 열심히 되어 오고 있다(특허문헌 1 및 2를 참조).
또, 여러 가지의 광학 발광 소자나, 표시 소자에서의 양자점을 포함하는 광학 필름의 적용도 검토되고 있다. 이러한 광학 필름으로는, 예를 들면, 폴리디메틸실록산과 같은 규소 함유 수지로 이루어진 매트릭스 중에 양자점이 분산된 광학 필름이 제안되고 있다(특허문헌 3을 참조).
예를 들면, 액정 표시 소자나 유기 EL 표시 소자 등의 광원의 발광을 이용해 화상을 표시하는 소자에 있어서, 광원이 발하는 광선을 양자점을 포함하는 광학 필름을 투과시키면, 파장 변환에 의해서 색 순도가 높은 녹색광과 적색광을 취출할 수 있기 때문에 색상의 재현 범위를 확대할 수 있다.
일본 특개 2006-216560호 공보 일본 특개 2008-112154호 공보 공개 특허 제10-2016-0004524호 공보
실록산 수지나 실리카 등의 규소 함유 재료는 내광성, 내후성, 내용제성, 내화학 약품성, 투명성 및 절연성 등의 여러 가지가 뛰어난 특성을 가지기 때문에 양자점을 포함하는 광학 필름에 있어서의 매트릭스의 재료로서 적합하다.
그렇지만, 실록산 수지나 실리카 등의 규소 함유 재료로 이루어진 매트릭스와 상기 매트릭스 중에 분산된 양자점을 포함하는 필름을 형성하는 경우, 필름의 막 두께가 두꺼우면 형성되는 필름에 크랙이 생기기 쉬운 문제가 있다.
이 때문에, 규소 함유 재료로 이루어진 매트릭스 중에 양자점을 포함하는 광학 필름을 사용하는 경우 광학 필름의 막 두께를 얇게 할 필요가 있어, 광학 필름의 설계나 광학 필름을 구비하는 각종 장치의 설계가 현저하게 제한되는 문제가 있다.
예를 들면, 어느 정도 두꺼운 광학 필름을 제조할 때에, 크랙이 없는 광학 필름을 얻기 위해서, 다수의 얇은 광학 필름을 적층할 필요가 있는 경우가 있다. 이러한 경우, 적층 조작의 번잡함에 의해서, 광학 필름의 제조 비용이 비싸다.
또, 양자점을 포함하는 광학 필름에서는, 필름에 입사하는 휘도선의 산란을 억제하기 위해서, 양자점을 양호하게 분산시켜 양자점의 입자간에 어느 정도의 거리를 확보하는 것이 바람직하다.
그러나, 규소 함유 재료로 이루어진 매트릭스 중에 양자점을 포함하는 광학 필름을 형성하는 경우, 광학 필름의 형성에 이용하는 조성물의 조성에 따라서는 양자점을 필름 중에 양호하게 분산시키는 것이 곤란한 경우가 있다.
본 발명은 상기의 과제를 감안하였다. 본 발명은 크랙의 발생을 억제하면서, 양호하게 분산된 상태로 양자점을 포함하는 규소 함유 수지 필름 또는 실리카 필름을 형성할 수 있는 규소 함유 수지 조성물과, 상기 규소 함유 수지 조성물을 이용하는 규소 함유 수지 필름 또는 실리카 필름의 제조 방법과, 양자점을 포함하는 규소 함유 수지 필름 또는 실리카 필름과 상기 규소 함유 수지 필름 및/또는 상기 실리카 필름을 포함하는 발광 표시 소자용의 광학 필름, 또는 적층체와 상기 광학 필름, 또는 상기 적층체를 포함하는 발광 표시 소자 패널과 상기 발광 표시 소자 패널을 구비하는 발광 표시 장치와, 전술한 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 규소 함유 수지(A)와 양자점(B)과 용제(S)를 포함하는 규소 함유 수지 조성물에 있어서, 규소 함유 수지(A)로서 실록산 수지 및 폴리실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 이용해 특정 구조의 시클로알킬아세테이트를 용제(S)에 함유시킴으로써 상기의 과제를 해결할 수 있다는 것을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.
본 발명의 제1의 태양은, 규소 함유 수지(A)와 양자점(B)과 용제(S)를 함유하고,
규소 함유 수지(A)가 실록산 수지 및 폴리실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며,
용제(S)가 다음 식 (S1):
[화 1]
Figure 112017129279114-pat00001
(식 (S1) 중, Rs1는 탄소 원자수 1~3의 알킬기이고, p는 1~6의 정수이며, q는 0~(p+1)의 정수이다.)
로 표시되는 시클로알킬아세테이트를 함유하는 규소 함유 수지 조성물이다.
본 발명의 제2의 태양은,
제1의 태양에 관한 규소 함유 수지 조성물로 이루어진 도포막을 형성하는 것,
도포막으로부터 용제(S)를 제거하는 것,
을 포함하는 규소 함유 수지 필름의 제조 방법이다.
본 발명의 제3의 태양은, 규소 함유 수지(A)로 이루어진 매트릭스 중에 양자점(B)이 분산되어 있고, 막 두께가 2~300㎛인 규소 함유 수지 필름이다.
본 발명의 제4의 태양은,
제1의 태양에 관한 규소 함유 수지 조성물로 이루어진 도포막을 형성하는 것,
도포막을 소성하는 것,
을 포함하는 실리카 필름의 제조 방법이다.
본 발명의 제5의 태양은, 실리카로 이루어진 매트릭스 중에 양자점(B)이 분산되어 있는 실리카 필름이다.
본 발명의 제6의 태양은, 제3의 태양에 관한 규소 함유 수지 필름, 또는 제5의 태양에 관한 실리카 필름으로 이루어진 발광 표시 소자용의 광학 필름이다.
본 발명의 제7의 태양은, 제3의 태양에 관한 규소 함유 수지 필름 및 제5의 태양에 관한 실리카 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 필름을 포함하는 적층체이다.
본 발명의 제8의 태양은, 제6의 태양에 관한 발광 표시 소자용의 광학 필름, 또는 제7의 태양에 관한 적층체를 포함하는 발광 표시 소자 패널이다.
본 발명의 제9의 태양은, 제8의 태양에 관한 발광 표시 소자 패널을 구비하는 발광 표시 장치이다.
본 발명의 제10의 태양은, 규소 함유 수지 필름 및 실리카 필름으로부터 선택되는 1 이상의 필름을 포함하는 적층체의 제조 방법으로서,
규소 함유 수지 필름을 제2의 태양에 관한 제조 방법으로 제조하는 것, 및
실리카 필름을 제4의 태양에 관한 제조 방법으로 제조하는 것,
중 적어도 한쪽을 포함하는 적층체의 제조 방법이다.
본 발명에 의하면, 크랙의 발생을 억제하면서, 양호하게 분산된 상태로 양자점을 포함하는 규소 함유 수지 필름 또는 실리카 필름을 형성할 수 있는 규소 함유 수지 조성물과, 상기 규소 함유 수지 조성물을 이용하는 규소 함유 수지 필름 또는 실리카 필름의 제조 방법과, 양자점을 포함하는 규소 함유 수지 필름 또는 실리카 필름과, 상기 규소 함유 수지 필름 및/또는 상기 실리카 필름을 포함하는 발광 표시 소자용의 광학 필름, 또는 적층체와, 상기 광학 필름, 또는 상기 적층체를 포함하는 발광 표시 소자 패널과, 상기 발광 표시 소자 패널을 구비하는 발광 표시 장치와, 전술한 적층체의 제조 방법을 제공할 수 있다.
<규소 함유 수지 조성물>
본 발명에 관한 규소 함유 수지 조성물은 규소 함유 수지(A)와 양자점(B)과 용제(S)를 함유한다.
규소 함유 수지(A)로는 실록산 수지 및 폴리실란으로부터 선택되는 1종 이상이 사용된다.
용제(S)는 다음 식 (S1)으로 표시되는 시클로알킬아세테이트를 함유한다.
[화 2]
Figure 112017129279114-pat00002
(식 (S1) 중, Rs1는 탄소 원자수 1~3의 알킬기이고, p는 1~6의 정수이며, q는 0~(p+1)의 정수이다.)
규소 함유 수지 조성물이 소정의 구조의 시클로알킬아세테이트를 함유하는 용제(S)를 포함함으로써, 규소 함유 수지 조성물을 이용해 형성되는 규소 함유 수지 필름이나 실리카 필름에서의 크랙의 발생을 억제하면서, 규소 함유 수지 필름이나 실리카 필름에 있어서, 양자점(B)을 양호하게 분산시킬 수 있다.
규소 함유 수지 조성물을 이용하여 막 두께 2~300㎛ 정도의 두꺼운 규소 함유 수지 필름이나 실리카 필름을 형성하는 경우, 특히 크랙이 발생하기 쉽다.
그러나, 본 발명에 관한 규소 함유 수지 조성물을 이용하면, 막 두께 2~300㎛ 정도의 두꺼운 규소 함유 수지 필름이나 실리카 필름을 형성하는 경우에도, 크랙의 발생을 억제하기 쉽다.
이하, 규소 함유 수지 조성물에 포함되는 필수 또는 임의의 성분에 대해 설명한다.
[규소 함유 수지(A)]
규소 함유 수지(A)로는 실록산 수지 및 폴리실란으로부터 선택되는 1종 이상이 사용된다. 이들 규소 함유 수지(A)를 포함하는 규소 함유 수지 조성물을 도포함으로써 규소 함유 수지 필름이 얻어지고, 상기 규소 함유 수지 필름이 소성됨으로써 실리카계의 막이 얻어진다. 이하, 실록산 수지 및 폴리실란에 대해서 설명한다.
(실록산 수지)
실록산 수지에 대해서, 후술하는 구조의 시클로알킬아세테이트를 함유하는 용제(S)에 가용인 수지이면, 특히 제한은 없다.
실록산 수지로는, 예를 들면 다음 식 (A1)로 표시되는 실란 화합물로부터 선택되는 적어도 1종을 가수분해 축합해 얻을 수 있는 실록산 수지가 적합하게 사용된다.
R4-nSi(OR')n…(A1)
식 (A1)에 있어서, R는 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타내고, R'는 알킬기 또는 페닐기를 나타내며, n는 2~4의 정수를 나타낸다. Si에 복수의 R가 결합하고 있는 경우, 이 복수의 R는 동일해도 상이해도 된다. 또 Si에 결합하고 있는 복수의 (OR') 기는 동일해도 상이해도 된다.
또, R로서의 알킬기는 바람직하게는 탄소 원자수 1~20의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기이며, 보다 바람직하게는 탄소 원자수 1~4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기이다.
R가 아릴기 또는 아랄킬기인 경우, 이들 기에 포함되는 아릴기는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 아릴기의 적합한 예로는 하기의 기를 들 수 있다.
[화 3]
Figure 112017129279114-pat00003
상기 식의 기 중에서는, 다음 식의 기가 바람직하다.
[화 4]
Figure 112017129279114-pat00004
상기 식 중, Ra1는 수소 원자; 수산기; 메톡시기, 에톡시기, 부톡시기, 프로폭시기 등의 알콕시기; 메틸기, 에틸기, 부틸기, 프로필기 등의 탄화수소기이다. 상기 식 중, Ra2는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기 등의 알킬렌기이다.
R가 아릴기 또는 아랄킬기인 경우의 적합한 구체예로는 벤질기, 페네틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 비페닐릴기, 플루오레닐기, 피레닐기 등을 들 수 있다.
아릴기 또는 아랄킬기에 포함되는 벤젠환의 수는 1~3개인 것이 바람직하다. 벤젠환의 수가 1~3개이면, 실록산 수지의 제조성이 양호하고, 실록산 수지의 중합도의 상승에 의해 소성시의 휘발이 억제되어 실리카 필름의 형성이 용이하다. 아릴기 또는 아랄킬기는 치환기로서 수산기를 가지고 있어도 된다.
또, R'로서의 알킬기는 바람직하게는 탄소 원자수 1~5의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기이다. R'로서의 알킬기의 탄소 원자수는 특히 가수분해 속도의 점으로부터 1 또는 2가 바람직하다.
식 (A1)에 있어서의 n가 4인 경우의 실란 화합물 (i)은 다음 식 (A2)로 표시된다.
Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d…(A2)
식 (A2) 중, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 상기 R'와 동일한 알킬기 또는 페닐기를 나타낸다.
a, b, c 및 d는 0≤a≤4, 0≤b≤4, 0≤c≤4, 0≤d≤4이고, 또한 a+b+c+d=4의 조건을 만족시키는 정수이다.
식 (A1)에 있어서의 n가 3인 경우의 실란 화합물 (ii)은 하기 식 (A3)으로 표시된다.
R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g…(A3)
식 (A3) 중, R5는 수소 원자, 상기 R와 동일한 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. R6, R7 및 R8는 각각 독립적으로 상기 R'와 동일한 알킬기 또는 페닐기를 나타낸다.
e, f 및 g는 0≤e≤3, 0≤f≤3, 0≤g≤3이고, 또한 e+f+g=3의 조건을 만족시키는 정수이다.
식 (A1)에 있어서의 n가 2인 경우의 실란 화합물 (iii)은 하기 식 (A4)로 표시된다.
R9R10Si(OR11)h(OR12)i…(A4)
식 (A4) 중, R9 및 R10는 수소 원자, 상기 R와 동일한 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다. R11 및 R12는 각각 독립적으로 상기 R'와 동일한 알킬기 또는 페닐기를 나타낸다.
h 및 i는, 0≤h≤2, 0≤i≤2이고, 또한 h+i=2의 조건을 만족시키는 정수이다.
실란 화합물 (i)의 구체예로는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란, 테트라부톡시실란, 테트라펜틸옥시실란, 테트라페닐옥시실란, 트리메톡시모노에톡시실란, 디메톡시디에톡시실란, 트리에톡시모노메톡시실란, 트리메톡시모노프로폭시실란, 모노메톡시트리부톡시실란, 모노메톡시트리펜틸옥시실란, 모노메톡시트리페닐옥시실란, 디메톡시디프로폭시실란, 트리프로폭시모노메톡시실란, 트리메톡시모노부톡시실란, 디메톡시디부톡시실란, 트리에톡시모노프로폭시실란, 디에톡시디프로폭시실란, 트리부톡시모노프로폭시실란, 디메톡시모노에톡시모노부톡시실란, 디에톡시모노메톡시모노부톡시실란, 디에톡시모노프로폭시모노부톡시실란, 디프로폭시모노메톡시모노에톡시실란, 디프로폭시모노메톡시모노부톡시실란, 디프로폭시모노에톡시모노부톡시실란, 디부톡시모노메톡시모노에톡시실란, 디부톡시모노에톡시모노프로폭시실란, 모노메톡시모노에톡시모노프로폭시모노부톡시실란 등의 테트라알콕시실란을 들 수 있고, 그 중에서도 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란이 바람직하다.
실란 화합물 (ii)의 구체예로는 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 트리프로폭시실란, 트리펜틸옥시실란, 트리페닐옥시실란, 디메톡시모노에톡시실란, 디에톡시모노메톡시실란, 디프로폭시모노메톡시실란, 디프로폭시모노에톡시실란, 디펜틸옥실모노메톡시실란, 디펜틸옥시모노에톡시실란, 디펜틸옥시모노프로폭시실란, 디페닐옥실모노메톡시실란, 디페닐옥시모노에톡시실란, 디페닐옥시모노프로폭시실란, 메톡시에톡시프로폭시실란, 모노프로폭시디메톡시실란, 모노프로폭시디에톡시실란, 모노부톡시디메톡시실란, 모노펜틸옥시디에톡시실란 및 모노페닐옥시디에톡시실란 등의 히드로실란 화합물;
메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리펜틸옥시실란, 메틸트리페닐옥시실란, 메틸모노메톡시디에톡시실란, 메틸모노메톡시디프로폭시실란, 메틸모노메톡시디펜틸옥시실란, 메틸모노메톡시디페닐옥시실란, 메틸메톡시에톡시프로폭시실란 및 메틸모노메톡시모노에톡시모노부톡시실란 등의 메틸실란 화합물;
에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리프로폭시실란, 에틸트리펜틸옥시실란, 에틸트리페닐옥시실란, 에틸모노메톡시디에톡시실란, 에틸모노메톡시디프로폭시실란, 에틸모노메톡시디펜틸옥시실란, 에틸모노메톡시디페닐옥시실란, 에틸메톡시에톡시프로폭시실란 및 에틸모노메톡시모노에톡시모노부톡시실란 등의 에틸실란 화합물;
프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 프로필트리프로폭시실란, 프로필트리펜틸옥시실란, 프로필트리페닐옥시실란, 프로필모노메톡시디에톡시실란, 프로필모노메톡시디프로폭시실란, 프로필모노메톡시디펜틸옥시실란, 프로필모노메톡시디페닐옥시실란, 프로필메톡시에톡시프로폭시실란 및 프로필모노메톡시모노에톡시모노부톡시실란 등의 프로필실란 화합물;
부틸트리메톡시실란, 부틸트리에톡시실란, 부틸트리프로폭시실란, 부틸트리펜틸옥시실란, 부틸트리페닐옥시실란, 부틸모노메톡시디에톡시실란, 부틸모노메톡시디프로폭시실란, 부틸모노메톡시디펜틸옥시실란, 부틸모노메톡시디페닐옥시실란, 부틸메톡시에톡시프로폭시실란 및 부틸모노메톡시모노에톡시모노부톡시실란 등의 부틸실란 화합물;
페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리프로폭시실란, 페닐트리펜틸옥시실란, 페닐트리페닐옥시실란, 페닐모노메톡시디에톡시실란, 페닐모노메톡시디프로폭시실란, 페닐모노메톡시디펜틸옥시실란, 페닐모노메톡시디페닐옥시실란, 페닐메톡시에톡시프로폭시실란 및 페닐모노메톡시모노에톡시모노부톡시실란 등의 페닐실란 화합물;
히드록시페닐트리메톡시실란, 히드록시페닐트리에톡시실란, 히드록시페닐트리프로폭시실란, 히드록시페닐트리펜틸옥시실란, 히드록시페닐트리페닐옥시실란, 히드록시페닐모노메톡시디에톡시실란, 히드록시페닐모노메톡시디프로폭시실란, 히드록시페닐모노메톡시디펜틸옥시실란, 히드록시페닐모노메톡시디페닐옥시실란, 히드록시페닐메톡시에톡시프로폭시실란 및 히드록시페닐모노메톡시모노에톡시모노부톡시실란 등의 히드록시페닐실란 화합물;
나프틸트리메톡시실란, 나프틸트리에톡시실란, 나프틸트리프로폭시실란, 나프틸트리펜틸옥시실란, 나프틸트리페닐옥시실란, 나프틸모노메톡시디에톡시실란, 나프틸모노메톡시디프로폭시실란, 나프틸모노메톡시디펜틸옥시실란, 나프틸모노메톡시디페닐옥시실란, 나프틸메톡시에톡시프로폭시실란 및 나프틸모노메톡시모노에톡시모노부톡시실란 등의 나프틸실란 화합물;
벤질트리메톡시실란, 벤질트리에톡시실란, 벤질트리프로폭시실란, 벤질트리펜틸옥시실란, 벤질트리페닐옥시실란, 벤질모노메톡시디에톡시실란, 벤질모노메톡시디프로폭시실란, 벤질모노메톡시디펜틸옥시실란, 벤질모노메톡시디페닐옥시실란, 벤질메톡시에톡시프로폭시실란 및 벤질모노메톡시모노에톡시모노부톡시실란 등의 벤질실란 화합물;
히드록시벤질트리메톡시실란, 히드록시벤질트리에톡시실란, 히드록시벤질트리프로폭시실란, 히드록시벤질트리펜틸옥시실란, 히드록시벤질트리페닐옥시실란, 히드록시벤질모노메톡시디에톡시실란, 히드록시벤질모노메톡시디프로폭시실란, 히드록시벤질모노메톡시디펜틸옥시실란, 히드록시벤질모노메톡시디페닐옥시실란, 히드록시벤질메톡시에톡시프로폭시실란 및 히드록시벤질모노메톡시모노에톡시모노부톡시실란 등의 히드록시벤질실란 화합물;
을 들 수 있다.
실란 화합물 (iii)의 구체예로는
디메톡시실란, 디에톡시실란, 디프로폭시실란, 디펜틸옥시실란, 디페닐옥시실란, 메톡시에톡시실란, 메톡시프로폭시실란, 메톡시펜틸옥시실란, 메톡시페닐옥시실란, 에톡시프로폭시실란, 에톡시펜틸옥시실란 및 에톡시페닐옥시실란 등의 히드로실란 화합물;
메틸디메톡시실란, 메틸메톡시에톡시실란, 메틸디에톡시실란, 메틸메톡시프로폭시실란, 메틸메톡시펜틸옥시실란, 메틸에톡시프로폭시실란, 메틸디프로폭시실란, 메틸디펜틸옥시실란, 메틸디페닐옥시실란, 메틸메톡시페닐옥시실란 등의 메틸히드로실란 화합물;
에틸디메톡시실란, 에틸메톡시에톡시실란, 에틸디에톡시실란, 에틸메톡시프로폭시실란, 에틸메톡시펜틸옥시실란, 에틸에톡시프로폭시실란, 에틸디프로폭시실란, 에틸디펜틸옥시실란, 에틸디페닐옥시실란, 에틸메톡시페닐옥시실란 등의 에틸히드로실란 화합물;
프로필디메톡시실란, 프로필메톡시에톡시실란, 프로필디에톡시실란, 프로필메톡시프로폭시실란, 프로필메톡시펜틸옥시실란, 프로필에톡시프로폭시실란, 프로필디프로폭시실란, 프로필디펜틸옥시실란, 프로필디페닐옥시실란, 프로필메톡시페닐옥시실란 등의 프로필히드로실란 화합물;
부틸디메톡시실란, 부틸메톡시에톡시실란, 부틸디에톡시실란, 부틸메톡시프로폭시실란, 부틸메톡시펜틸옥시실란, 부틸에톡시프로폭시실란, 부틸디프로폭시실란, 부틸디펜틸옥시실란, 부틸디페닐옥시실란, 부틸메톡시페닐옥시실란 등의 부틸히드로실란 화합물;
페닐디메톡시실란, 페닐메톡시에톡시실란, 페닐디에톡시실란, 페닐메톡시프로폭시실란, 페닐메톡시펜틸옥시실란, 페닐에톡시프로폭시실란, 페닐디프로폭시실란, 페닐디펜틸옥시실란, 페닐디페닐옥시실란, 페닐메톡시페닐옥시실란 등의 페닐히드로실란 화합물;
히드록시페닐디메톡시실란, 히드록시페닐메톡시에톡시실란, 히드록시페닐디에톡시실란, 히드록시페닐메톡시프로폭시실란, 히드록시페닐메톡시펜틸옥시실란, 히드록시페닐에톡시프로폭시실란, 히드록시페닐디프로폭시실란, 히드록시페닐디펜틸옥시실란, 히드록시페닐디페닐옥시실란, 히드록시페닐메톡시페닐옥시실란 등의 히드록시페닐히드로실란 화합물;
나프틸디메톡시실란, 나프틸메톡시에톡시실란, 나프틸디에톡시실란, 나프틸메톡시프로폭시실란, 나프틸메톡시펜틸옥시실란, 나프틸에톡시프로폭시실란, 나프틸디프로폭시실란, 나프틸디펜틸옥시실란, 나프틸디페닐옥시실란, 나프틸메톡시페닐옥시실란 등의 나프틸히드로실란 화합물;
벤질디메톡시실란, 벤질메톡시에톡시실란, 벤질디에톡시실란, 벤질메톡시프로폭시실란, 벤질메톡시펜틸옥시실란, 벤질에톡시프로폭시실란, 벤질디프로폭시실란, 벤질디펜틸옥시실란, 벤질디페닐옥시실란, 벤질메톡시페닐옥시실란 등의 벤질히드로실란 화합물;
히드록시벤질디메톡시실란, 히드록시벤질메톡시에톡시실란, 히드록시벤질디에톡시실란, 히드록시벤질메톡시프로폭시실란, 히드록시벤질메톡시펜틸옥시실란, 히드록시벤질에톡시프로폭시실란, 히드록시벤질디프로폭시실란, 히드록시벤질디펜틸옥시실란, 히드록시벤질디페닐옥시실란, 히드록시벤질메톡시페닐옥시실란 등의 히드록시벤질히드로실란 화합물;
디메틸디메톡시실란, 디메틸메톡시에톡시실란, 디메틸메톡시프로폭시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸디펜틸옥시실란, 디메틸디페닐옥시실란, 디메틸에톡시프로폭시실란, 디메틸디프로폭시실란 등의 디메틸실란 화합물;
디에틸디메톡시실란, 디에틸메톡시에톡시실란, 디에틸메톡시프로폭시실란, 디에틸디에톡시실란, 디에틸디펜틸옥시실란, 디에틸디페닐옥시실란, 디에틸에톡시프로폭시실란, 디에틸디프로폭시실란 등의 디에틸실란 화합물;
디프로필디메톡시실란, 디프로필메톡시에톡시실란, 디프로필메톡시프로폭시실란, 디프로필디에톡시실란, 디프로필디펜틸옥시실란, 디프로필디페닐옥시실란, 디프로필에톡시프로폭시실란, 디프로필디프로폭시실란 등의 디프로폭시실란 화합물;
디부틸디메톡시실란, 디부틸메톡시에톡시실란, 디부틸메톡시프로폭시실란, 디부틸디에톡시실란, 디부틸디펜틸옥시실란, 디부틸디페닐옥시실란, 디부틸에톡시프로폭시실란, 디부틸디프로폭시실란 등의 디부틸실란 화합물;
디페닐디메톡시실란, 디페닐메톡시에톡시실란, 디페닐메톡시프로폭시실란, 디페닐디에톡시실란, 디페닐디펜틸옥시실란, 디페닐디페닐옥시실란, 디페닐에톡시프로폭시실란, 디페닐디프로폭시실란 등의 디페닐실란 화합물;
디(히드록시페닐)디메톡시실란, 디(히드록시페닐)메톡시에톡시실란, 디(히드록시페닐)메톡시프로폭시실란, 디(히드록시페닐)디에톡시실란, 디(히드록시페닐)디펜틸옥시실란, 디(히드록시페닐)디페닐옥시실란, 디(히드록시페닐)에톡시프로폭시실란, 디(히드록시페닐)디프로폭시실란 등의 디(히드록시페닐)실란 화합물;
디나프틸디메톡시실란, 디나프틸메톡시에톡시실란, 디나프틸메톡시프로폭시실란, 디나프틸디에톡시실란, 디나프틸디펜틸옥시실란, 디나프틸디페닐옥시실란, 디나프틸에톡시프로폭시실란, 디나프틸디프로폭시실란 등의 디나프틸실란 화합물;
디벤질디메톡시실란, 디벤질메톡시에톡시실란, 디벤질메톡시프로폭시실란, 디벤질디에톡시실란, 디벤질디펜틸옥시실란, 디벤질디페닐옥시실란, 디벤질에톡시프로폭시실란, 디벤질디프로폭시실란 등의 디벤질실란 화합물;
디(히드록시벤질)디메톡시실란, 디(히드록시벤질)메톡시에톡시실란, 디(히드록시벤질)메톡시프로폭시실란, 디(히드록시벤질)디에톡시실란, 디(히드록시벤질)디펜틸옥시실란, 디(히드록시벤질)디페닐옥시실란, 디(히드록시벤질)에톡시프로폭시실란, 디(히드록시벤질)디프로폭시실란 등의 디(히드록시벤질)실란 화합물;
메틸에틸디메톡시실란, 메틸에틸메톡시에톡시실란, 메틸에틸메톡시프로폭시실란, 메틸에틸디에톡시실란, 메틸에틸디펜틸옥시실란, 메틸에틸디페닐옥시실란, 메틸에틸에톡시프로폭시실란, 메틸에틸디프로폭시실란 등의 메틸에틸실란 화합물;
메틸프로필디메톡시실란, 메틸프로필메톡시에톡시실란, 메틸프로필메톡시프로폭시실란, 메틸프로필디에톡시실란, 메틸프로필디펜틸옥시실란, 메틸프로필디페닐옥시실란, 메틸프로필에톡시프로폭시실란, 메틸프로필디프로폭시실란 등의 메틸프로필실란 화합물;
메틸부틸디메톡시실란, 메틸부틸메톡시에톡시실란, 메틸부틸메톡시프로폭시실란, 메틸부틸디에톡시실란, 메틸부틸디펜틸옥시실란, 메틸부틸디페닐옥시실란, 메틸부틸에톡시프로폭시실란, 메틸부틸디프로폭시실란 등의 메틸부틸실란 화합물;
메틸(페닐)디메톡시실란, 메틸(페닐)메톡시에톡시실란, 메틸(페닐)메톡시프로폭시실란, 메틸(페닐)디에톡시실란, 메틸(페닐)디펜틸옥시실란, 메틸(페닐)디페닐옥시실란, 메틸(페닐)에톡시프로폭시실란, 메틸(페닐)디프로폭시실란 등의 메틸(페닐)실란 화합물;
메틸(히드록시페닐)디메톡시실란, 메틸(히드록시페닐)메톡시에톡시실란, 메틸(히드록시페닐)메톡시프로폭시실란, 메틸(히드록시페닐)디에톡시실란, 메틸(히드록시페닐)디펜틸옥시실란, 메틸(히드록시페닐)디페닐옥시실란, 메틸(히드록시페닐)에톡시프로폭시실란, 메틸(히드록시페닐)디프로폭시실란 등의 메틸(히드록시페닐)실란 화합물;
메틸(나프틸)디메톡시실란, 메틸(나프틸)메톡시에톡시실란, 메틸(나프틸)메톡시프로폭시실란, 메틸(나프틸)디에톡시실란, 메틸(나프틸)디펜틸옥시실란, 메틸(나프틸)디페닐옥시실란, 메틸(나프틸)에톡시프로폭시실란, 메틸(나프틸)디프로폭시실란 등의 메틸(나프틸)실란 화합물;
메틸(벤질)디메톡시실란, 메틸(벤질)메톡시에톡시실란, 메틸(벤질)메톡시프로폭시실란, 메틸(벤질)디에톡시실란, 메틸(벤질)디펜틸옥시실란, 메틸(벤질)디페닐옥시실란, 메틸(벤질)에톡시프로폭시실란, 메틸(벤질)디프로폭시실란 등의 메틸(벤질)실란 화합물;
메틸(히드록시벤질)디메톡시실란, 메틸(히드록시벤질)메톡시에톡시실란, 메틸(히드록시벤질)메톡시프로폭시실란, 메틸(히드록시벤질)디에톡시실란, 메틸(히드록시벤질)디펜틸옥시실란, 메틸(히드록시벤질)디페닐옥시실란, 메틸(히드록시벤질)에톡시프로폭시실란, 메틸(히드록시벤질)디프로폭시실란 등의 메틸(히드록시벤질)실란 화합물;
에틸프로필디메톡시실란, 에틸프로필메톡시에톡시실란, 에틸프로필메톡시프로폭시실란, 에틸프로필디에톡시실란, 에틸프로필디펜틸옥시실란, 에틸프로필디페닐옥시실란, 에틸프로필에톡시프로폭시실란, 에틸프로필디프로폭시실란 등의 에틸프로필실란 화합물;
에틸부틸디메톡시실란, 에틸부틸메톡시에톡시실란, 에틸부틸메톡시프로폭시실란, 에틸부틸디에톡시실란, 에틸부틸디펜틸옥시실란, 에틸부틸디페닐옥시실란, 에틸부틸에톡시프로폭시실란, 에틸부틸디프로폭시실란 등의 에틸부틸실란 화합물;
에틸(페닐)디메톡시실란, 에틸(페닐)메톡시에톡시실란, 에틸(페닐)메톡시프로폭시실란, 에틸(페닐)디에톡시실란, 에틸(페닐)디펜틸옥시실란, 에틸(페닐)디페닐옥시실란, 에틸(페닐)에톡시프로폭시실란, 에틸(페닐)디프로폭시실란 등의 에틸(페닐)실란 화합물;
에틸(히드록시페닐)디메톡시실란, 에틸(히드록시페닐)메톡시에톡시실란, 에틸(히드록시페닐)메톡시프로폭시실란, 에틸(히드록시페닐)디에톡시실란, 에틸(히드록시페닐)디펜틸옥시실란, 에틸(히드록시페닐)디페닐옥시실란, 에틸(히드록시페닐)에톡시프로폭시실란, 에틸(히드록시페닐)디프로폭시실란 등의 에틸(히드록시페닐)실란 화합물;
에틸(나프틸)디메톡시실란, 에틸(나프틸)메톡시에톡시실란, 에틸(나프틸)메톡시프로폭시실란, 에틸(나프틸)디에톡시실란, 에틸(나프틸)디펜틸옥시실란, 에틸(나프틸)디페닐옥시실란, 에틸(나프틸)에톡시프로폭시실란, 에틸(나프틸)디프로폭시실란 등의 에틸(나프틸)실란 화합물;
에틸(벤질)디메톡시실란, 에틸(벤질)메톡시에톡시실란, 에틸(벤질)메톡시프로폭시실란, 에틸(벤질)디에톡시실란, 에틸(벤질)디펜틸옥시실란, 에틸(벤질)디페닐옥시실란, 에틸(벤질)에톡시프로폭시실란, 에틸(벤질)디프로폭시실란 등의 에틸(벤질)실란 화합물;
에틸(히드록시벤질)디메톡시실란, 에틸(히드록시벤질)메톡시에톡시실란, 에틸(히드록시벤질)메톡시프로폭시실란, 에틸(히드록시벤질)디에톡시실란, 에틸(히드록시벤질)디펜틸옥시실란, 에틸(히드록시벤질)디페닐옥시실란, 에틸(히드록시벤질)에톡시프로폭시실란, 에틸(히드록시벤질)디프로폭시실란 등의 에틸(히드록시벤질)실란 화합물;
프로필부틸디메톡시실란, 프로필부틸메톡시에톡시실란, 프로필부틸메톡시프로폭시실란, 프로필부틸디에톡시실란, 프로필부틸디펜틸옥시실란, 프로필부틸디페닐옥시실란, 프로필부틸에톡시프로폭시실란, 프로필부틸디프로폭시실란 등의 프로필부틸실란 화합물;
프로필(페닐)디메톡시실란, 프로필(페닐)메톡시에톡시실란, 프로필(페닐)메톡시프로폭시실란, 프로필(페닐)디에톡시실란, 프로필(페닐)디펜틸옥시실란, 프로필(페닐)디페닐옥시실란, 프로필(페닐)에톡시프로폭시실란, 프로필(페닐)디프로폭시실란 등의 프로필(페닐)실란 화합물;
프로필(히드록시페닐)디메톡시실란, 프로필(히드록시페닐)메톡시에톡시실란, 프로필(히드록시페닐)메톡시프로폭시실란, 프로필(히드록시페닐)디에톡시실란, 프로필(히드록시페닐)디펜틸옥시실란, 프로필(히드록시페닐)디페닐옥시실란, 프로필(히드록시페닐)에톡시프로폭시실란, 프로필(히드록시페닐)디프로폭시실란 등의 프로필(히드록시페닐)실란 화합물;
프로필(나프틸)디메톡시실란, 프로필(나프틸)메톡시에톡시실란, 프로필(나프틸)메톡시프로폭시실란, 프로필(나프틸)디에톡시실란, 프로필(나프틸)디펜틸옥시실란, 프로필(나프틸)디페닐옥시실란, 프로필(나프틸)에톡시프로폭시실란, 프로필(나프틸)디프로폭시실란 등의 프로필(나프틸)실란 화합물;
프로필(벤질)디메톡시실란, 프로필(벤질)메톡시에톡시실란, 프로필(벤질)메톡시프로폭시실란, 프로필(벤질)디에톡시실란, 프로필(벤질)디펜틸옥시실란, 프로필(벤질)디페닐옥시실란, 프로필(벤질)에톡시프로폭시실란, 프로필(벤질)디프로폭시실란 등의 프로필(벤질)실란 화합물;
프로필(히드록시벤질)디메톡시실란, 프로필(히드록시벤질)메톡시에톡시실란, 프로필(히드록시벤질)메톡시프로폭시실란, 프로필(히드록시벤질)디에톡시실란, 프로필(히드록시벤질)디펜틸옥시실란, 프로필(히드록시벤질)디페닐옥시실란, 프로필(히드록시벤질)에톡시프로폭시실란, 프로필(히드록시벤질)디프로폭시실란 등의 프로필(히드록시벤질)실란 화합물;
을 들 수 있다.
이상 설명한 실란 화합물을, 통상의 방법에 따라서 가수분해 축합함으로써 실록산 수지가 얻어진다.
실록산 수지의 질량 평균 분자량은 300~30000이 바람직하고, 500~10000이 보다 바람직하다. 상이한 질량 평균 분자량의 실록산 수지를 2종 이상 혼합해도 된다. 실록산 수지의 질량 평균 분자량이 이러한 범위 내인 경우, 제막성이 뛰어나고, 평탄한 규소 함유 수지 필름, 또는 실리카 필름을 형성할 수 있는 규소 함유 수지 조성물을 얻기 쉽다.
이상 설명한 실란 화합물을 가수분해 축합시켜 얻어지는 실록산 수지의 적합한 예로는 하기 식 (a-1)로 표시되는 구조 단위를 가지는 실록산 수지를 들 수 있다. 상기 실록산 수지에 있어서, 규소 원자 1개에 대한 탄소 원자의 수는 2개 이상이다.
[화 5]
Figure 112017129279114-pat00005
(식 (a-1) 중, R1는 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, R2는 수소 또는 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이며, m는 0 또는 1이다.)
R1 및 R2에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기는 전술한 식 (I)에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기와 동일하다.
상기와 같이, 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 가지는 실록산 수지를 이용함으로써, 내구성이 뛰어난 실리카 필름을 형성할 수 있고, 미소한 공간에 대한 충전이 용이한 규소 함유 수지 조성물을 얻기 쉽다.
알킬기로는, 탄소 원자수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다. 이와 같이 탄소 원자수 1~5의 알킬기를 가짐으로써, 내열성이 양호한 실리카 필름을 형성하기 쉽다.
아릴기 및 아랄킬기로는 벤질기, 페네틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 비페닐기, 플루오레닐기 및 피레닐기 등을 들 수 있다.
아릴기 및 아랄킬기로는 구체적으로는 하기의 구조를 가지는 것을 바람직하게 들 수 있다.
[화 6]
Figure 112017129279114-pat00006
상기 식 중, R3는 수소 원자; 수산기; 메톡시기, 에톡시기, 부톡시기, 프로폭시기 등의 알콕시기; 메틸기, 에틸기, 부틸기, 프로필기 등의 탄화수소기이며, R4는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기 등의 알킬렌기이다. 또한, 상기 방향족 탄화수소기는 이 방향족 탄화수소기에서의 적어도 1개의 방향환에 상기 R3를 가지고 있으면 바람직하고, 복수 가지고 있어도 된다. 복수의 R3를 가지는 경우에는 이들 R3는 동일해도 되고, 상이해도 된다.
특히 바람직한 R1로는 하기의 구조 (R1-a), 또는 구조 (R1-b)를 가지는 기가 바람직하고, 특히 (R1-b)가 바람직하다.
[화 7]
Figure 112017129279114-pat00007
식 (a-1)에 있어서, m는 0인 것이 바람직하고, 그 경우에는 실록산 수지는 실세스키옥산 골격을 가진다. 또한, 실록산 수지는 사다리 형태의 실세스키옥산인 것이 보다 바람직하다.
또한, 식 (a-1)로 표시되는 구조 단위(단위 골격)에 있어서, 규소 원자 1개에 대해서, 탄소 원자가 2개 이상 15개 이하가 되는 원자수 비를 가지고 있는 것이 바람직하다.
실록산 수지는 구조 단위 (a-1)를 2 종류 이상 가지고 있어도 된다. 또, 실록산 수지는 상이한 구조 단위 (a-1)로 이루어진 실록산 수지를 혼합한 것이어도 된다.
구조 단위 (a-1)를 2 종류 이상 가지는 실록산 수지로는, 구체적으로는 하기의 구조식 (A-1-1)~(A-1-3)로 표시되는 실록산 수지를 들 수 있다.
[화 8]
Figure 112017129279114-pat00008
[화 9]
Figure 112017129279114-pat00009
[화 10]
Figure 112017129279114-pat00010
실록산 수지로는, 예를 들면, 다음 식 (A-1-4)로 표시되는 구성 단위를 함유하는 것이어도 된다.
[화 11]
Figure 112017129279114-pat00011
식 (A-1-4) 중, R13는 그 구조 중에 (메타)아크릴기, 비닐기 및 에폭시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 가지는 유기기이다. (메타)아크릴기, 비닐기 및 에폭시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기는 Si 원자에 직접 결합하고 있어도 되고, 연결기를 통해 있어도 된다. 연결기는 예를 들면, 탄소 원자수 1~10의 직쇄여도 분기쇄여도 되는 알킬렌기 혹은 아릴렌기, 또는 이것들을 조합한 2가의 기이다. 연결기는 에테르 결합, 아미노 결합 또는 아미드 결합을 가지고 있어도 된다.
(A-1-4)로 표시되는 구성 단위는, 예를 들면 이하의 것을 들 수 있지만, 이것들로 한정되지 않는다.
[화 12]
Figure 112017129279114-pat00012
또, R13가 에폭시기를 가지는 경우, R13로서 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸기 및 2-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필기를 적합한 예로서 들 수 있다.
실록산 수지로는, 예를 들면, 다음 식 (A-1-5)로 표시되는 구성 단위를 함유하는 것이어도 된다.
[화 13]
Figure 112017129279114-pat00013
식 (A-1-5) 중, R14는 그 구조 중에 카르복시기를 적어도 1개 가지는 유기기이다. 카르복시기는 연결기를 통해서 Si 원자에 결합하고 있는 것이 바람직하고, 연결기는 예를 들면, 탄소 원자수 1~10의 직쇄여도 분기쇄여도 되는 알킬렌기, 시클로알킬렌기 혹은 아릴렌기, 또는 이것들을 조합한 2가의 기이다.
연결기는 에테르 결합, 아미노 결합, 아미드 결합 또는 비닐 결합을 가지고 있어도 되고, 아미드 결합을 가지고 있는 것이 바람직하다. R14는 예를 들면, 이하의 것을 들 수 있지만, 이것들로 한정되지 않는다. 또한, 다음 식 중 *는 식 (A-1-5) 중의 Si와 결합하는 R14의 결합손의 말단을 의미한다.
[화 14]
Figure 112017129279114-pat00014
규소 함유 수지 조성물은 후술하는 경화제(C)를 포함할 수 있다. 경화제(C)를 포함하는 규소 함유 수지 조성물에 있어서, (i) 경화제(C)가 빛 또는 열에 의해 염기 성분을 발생시키는 경화제를 포함하는 경우, (ii) 규소 함유 수지 조성물이 후술의 그 외의 성분인 광중합 개시제, 산 발생제, 혹은 염기 발생제로 이루어진 군 중 적어도 1개를 포함하는 경우, 또는 (iii) 후술하는 필름의 제조 방법에서 노광 공정을 가지는 경우, 실록산 수지는 (A-1-4)로 표시되는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다. 마찬가지로 또, (iv) 후술의 그 외의 성분인 광중합 개시제, 산 발생제 혹은 염기 발생제로 이루어진 군 중 적어도 1개(경화제(C)에 해당하는 것을 제외함)를 포함하는 경우, 실록산 수지는 (A-1-4)로 표시되는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다. 실록산 수지 중의 (A-1-4)로 표시되는 구성 단위의 함유 비율은 예를 들면, 10~80 몰%이다. 다른 구성 단위로서 추가로 식 (a-1)로 표시되는 구조 단위 및/또는 (A-1-5)로 표시되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 또, 각 식에 해당하는 구성 단위를 2종 이상 포함하고 있어도 된다.
후술하는 필름의 제조 방법에 있어서, 현상 공정을 가지는 경우, 실록산 수지는 (A-1-5)로 표시되는 구성 단위, 구조 (R1-a)를 가지는 구성 단위 및 구조 (R1-b)를 가지는 구성 단위로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다. 실록산 수지 중의 (A-1-5)로 표시되는 구성 단위, 구조 (R1-a)를 가지는 구성 단위 및 구조 (R1-b)를 가지는 구성 단위로 이루어진 군으로부터 선택되는 구성 단위의 함유 비율은, 예를 들면, 20~90 몰%이다. 이 경우, 다른 구성 단위로서 추가로 식 (a-1)로 표시되는 구조 단위 및/또는 (A-1-4)로 표시되는 구성 단위를 포함하고 있어도 되고, (A-1-4)로 표시되는 구성 단위 및 (A-1-5)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 실록산 수지인 것이 바람직하다. 또, 각 식에 해당하는 구성 단위를 2종 이상 포함하고 있어도 된다.
(폴리실란)
폴리실란의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 폴리실란은 직쇄상이어도, 분기쇄상이어도, 망목상이어도, 환상이어도 되지만, 직쇄상 또는 분기쇄상의 쇄상 구조가 바람직하다.
폴리실란은 실라놀기 및/또는 알콕시기를 함유하고 있어도 된다.
적합한 폴리실란으로는 예를 들면, 다음 식 (A5) 및 (A6)으로 표시되는 단위의 적어도 1개를 필수로 포함하며, 다음 식 (A7), (A8) 및 (A9)로 표시되는 단위로부터 선택되는 적어도 1개의 단위를 임의로 함유하는 폴리실란을 들 수 있다. 이러한 폴리실란은 실라놀기 또는 규소 원자에 결합하는 알콕시기를 함유하고 있어도 된다.
[화 15]
Figure 112017129279114-pat00015
(식 (A5), (A7) 및 (A8) 중, Ra3 및 Ra4는 수소 원자, 유기기 또는 실릴기를 나타낸다. Ra5는 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. Ra5가 알킬기인 경우, 탄소 원자수 1~4의 알킬기가 바람직하고, 메틸기 및 에틸기가 보다 바람직하다.)
Ra3 및 Ra4에 대해서, 유기기로는 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등의 탄화수소기나, 알콕시기, 알케닐옥시기, 시클로알콕시기, 시클로알케닐옥시기, 아릴옥시기, 아랄킬옥시기 등을 들 수 있다.
이들 기 중에서는 알킬기, 아릴기 및 아랄킬기가 바람직하다. 알킬기, 아릴기 및 아랄킬기의 적합한 예는, 전술한 식 (A1) 중의 R가 알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기인 경우의 예와 동일하다.
Ra3 및 Ra4가 실릴기인 경우, 실릴기로는 실릴기, 디실라닐기, 트리실라닐기 등의 Si1-10 실라닐기(Si1-6 실라닐기 등)를 들 수 있다.
폴리실란은 하기 (A10) 내지 (A13)의 유닛을 포함하는 것이 바람직하다.
[화 16]
Figure 112017129279114-pat00016
(A10) 내지 (A13) 중, Ra3 및 Ra4는 식 (A5), (A7) 및 (A8) 중에서의 Ra3 및 Ra4와 동일하다. a, b 및 c는 각각 2~1000의 정수이다.
a, b 및 c는 각각 10~500이 바람직하고, 10~100이 보다 바람직하다. 각 유닛 중의 구성 단위는 유닛 중에 랜덤으로 포함되어 있어도, 블록화된 상태로 포함되어 있어도 된다.
이상 설명한 폴리실란 중에서는 각각 규소 원자에 결합하고 있는 알킬기와 아릴기 또는 아랄킬기를 조합하여 포함하는 폴리실란 또는 알킬기만 규소 원자에 결합하고 있는 폴리실란이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 각각 규소 원자에 결합하고 있는, 메틸기와 벤질기를 조합하여 포함하는 폴리실란이나, 각각 규소 원자에 결합하고 있는, 메틸기와 페닐기를 조합하여 포함하는 폴리실란, 또는 메틸기만 규소 원자에 결합하고 있는 폴리실란이 바람직하게 사용된다.
폴리실란의 질량 평균 분자량은 300~100000이 바람직하고, 500~70000이 보다 바람직하며, 800~30000이 더욱 바람직하다. 상이한 질량 평균 분자량의 폴리실란을 2종 이상 혼합해도 된다.
규소 함유 수지 조성물 중의 규소 함유 수지(A)의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 원하는 막 두께에 따라 설정하면 된다. 제막성의 점에서는, 규소 함유 수지 조성물 중의 규소 함유 수지(A)의 함유량은 1~50 질량%가 바람직하고, 5~40 질량%가 보다 바람직하며, 10~35 질량%가 특히 바람직하다.
[양자점(B)]
규소 함유 수지 조성물은 양자점(B)을 포함한다.
양자점(B)이 양자점으로서의 기능을 나타내는 미립자인 한에 있어서, 그 구조나 그 구성 성분은 특별히 한정되지 않는다. 양자점(B)은 양자 역학에 따르는 독특한 광학 특성(후술하는 양자 가둠 효과)을 가지는 나노 스케일의 재료이며, 일반적으로 반도체 나노 입자이다. 본 명세서에 있어서, 양자점(B)은 반도체 나노 입자 표면에 추가로 발광 양자 수율을 향상시키기 위해서 피복되어 있는 것(후술의 쉘 구조를 가지는 것)이나, 양자점을 안정화시키기 위해서 표면 수식되어 있는 것도 포함한다.
양자점(B)은 밴드 갭(가전자대 및 전도대의 에너지 차이)보다도 큰 에너지의 광자를 흡수하고, 그 입자 지름에 따른 파장의 빛을 방출하는 반도체 나노 입자라고 되어 있지만, 양자점(B)의 재료에 포함되는 원소로는, 예를 들면, II족 원소(2A족, 2B족), III족 원소(특히 3A족), IV족 원소(특히 4A족), V족 원소(특히 5A족) 및 VI족 원소(특히 6A족)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 들 수 있다. 양자점(B)의 재료로서 바람직한 화합물 또는 원소로는 예를 들면, II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들 조합을 들 수 있다.
II-VI족 화합물로는 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물;을 들 수 있다.
III-V족 화합물로는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물;을 들 수 있다.
IV-VI족 화합물로는 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물;을 들 수 있다.
IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물;을 들 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물;을 들 수 있다.
양자점(B)의 구조는 1종의 화합물로 이루어진 균질 구조여도 되고, 2종 이상의 화합물로 이루어진 복합 구조여도 되지만, 상기 화합물의 발광 양자 수율을 향상시키기 위해서 양자점(B)의 구조는, 코어가 1층 이상의 쉘층으로 피복된 코어 쉘 구조인 것이 바람직하고, 코어의 재질이 되는 화합물의 입자 표면을 반도체 재료로 애피택셜에 피복한 구조인 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 코어의 재질로서 II-VI족의 CdSe를 이용했을 경우, 그 피복층(쉘)으로서 ZnS가 이용된다. 쉘은 코어의 재질과 동일한 격자 상수인 것이 바람직하고, 코어 쉘의 격자 상수의 차이가 작은 재료의 조합이 적절히 선택된다.
안전성의 점에서는, 양자점(B)이 Cd나 Pb를 구성 성분으로서 포함하지 않고, In나 Si 등을 구성 성분으로서 포함하는 것이 바람직하며, In를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
쉘층을 가지지 않는 균질 구조형의 양자점(B)의 적합한 구체예로는 AgInS2 및 Zn가 도프된 AgInS2를 들 수 있다.
코어 쉘형의 양자점(B)으로는 InP/ZnS, CuInS2/ZnS 및 (ZnS/AgInS2) 고용체/ZnS를 들 수 있다.
또한, 상기에 있어서, 코어 쉘형의 양자점(B)의 재질은 (코어의 재질)/(쉘층의 재질)로서 기재되어 있다.
또, 안전성과 발광 양자 수율의 향상의 점에서, 코어 쉘 구조의 쉘을 다층 구조로 하는 것이 바람직하고, 2층으로 하는 것이 보다 바람직하다.
코어 다층 쉘 구조의 경우, 코어의 재질로서 InP, ZnS, ZnSe로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 것이 바람직하고, InP를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 함유 비율로는 코어의 총질량 중 InP가 50~100 질량%이며, 60~99 질량%가 바람직하고, 82~95 질량%가 보다 바람직하다. 또, 코어의 총질량 가운데 ZnS 및/또는 ZnSe가 0~50 질량%이며, 1~40 질량%인 것이 바람직하고, 5~18 질량%가 보다 바람직하다.
다층 쉘 구조에 있어서의 제1의 쉘의 재질은 ZnS 및/또는 ZnSe인 것이 바람직하다. ZnS 및/또는 ZnSe의 함유 비율로는, 제1의 쉘의 전체 질량을 기준으로 하여, 예를 들면 50~100 질량%이며, 75~98 질량%가 바람직하고, 80~97 질량%가 보다 바람직하다. 제1의 쉘의 재질이 ZnS 및 ZnSe의 혼합물인 경우, 혼합비(질량비)는 특별히 한정되지 않고, 1/99~99/1이며, 바람직하게는 10/90~90/10이다.
다층 쉘 구조에 있어서, 제2의 쉘을 제1의 쉘의 표면 위에 성장시킨다. 제2의 쉘의 재질은 제1의 쉘의 재질과 동등한 것이 바람직하다(다만, 각 재질에 있어서, 코어에 대한 격자 상수의 차이가 상이하다. 즉, 각 재질에 있어서 99% 이상 동질인 것을 제외함). ZnS 및/또는 ZnSe의 함유 비율로는 제2의 쉘의 전체 질량을 기준으로 하여, 예를 들면 50~100 질량%이며, 75~98 질량%가 바람직하고, 80~97 질량%가 보다 바람직하다. 제2의 쉘의 재질이 ZnS 및 ZnSe의 혼합물인 경우, 혼합비(질량비)는 특별히 한정되지 않고, 1/99~99/1이며, 10/90~90/10이다.
다층 쉘 구조에 있어서의 제1의 쉘과 제2의 쉘은 격자 상수에 차이를 가진다.
예를 들면, 코어와 제1의 쉘 사이의 격자 상수 차이는 2~8%이며, 2~6%가 바람직하고, 3~5%가 보다 바람직하다.
또, 코어와 제2의 쉘 사이의 격자 상수 차이는 5~13%이며, 5~12%가 바람직하고, 7~10%가 보다 바람직하며, 8~10%가 더욱 바람직하다.
또, 제1의 쉘과 제2의 쉘의 격자 상수의 차이는 예를 들면, 3~9%이며, 3~7%가 바람직하고, 4~6%가 보다 바람직하다.
이들 코어 다층 쉘 구조에 의한 양자점(B)은 400~800㎚의 범위(추가로는 470~650㎚의 범위, 특히 540㎚~580㎚의 범위)의 발광 파장(emission wavelength)을 가질 수 있다.
이들 코어 다층 쉘 구조에 의한 양자점(B)으로는 예를 들면, InP/ZnS/ZnSe 및 InP/ZnSe/ZnS를 들 수 있다.
또 양자점(B)은 표면 수식되어 있어도 된다. 예를 들면, 포스핀, 포스핀 산화물, 트리알킬포스핀류 등의 인 화합물; 피리딘, 아미노알칸류, 제3급 아민류 등의 유기 질소 화합물; 메르캅토알코올, 티올, 디알킬술피드류, 디알킬술폭시드류 등의 유기 유황 화합물; 고급 지방산, 알코올류 등의 표면 수식제(유기 리간드)를 들 수 있다.
상기의 양자점(B)은 2종 이상을 조합하여 이용해도 되고, 코어(다층) 쉘형의 양자점(B)과 균질 구조형의 양자점(B)을 조합하여 이용해도 된다.
양자점(B)의 평균 입자 지름은 양자점으로서 기능할 수 있는 범위 내이면 특별히 한정되지 않고, 0.5~20㎚가 바람직하며, 1.0~15㎚가 보다 바람직하고, 2~7㎚가 더욱 바람직하다.
코어(다층) 쉘형의 양자점(B)의 경우, 코어의 사이즈는 예를 들면 0.5~10㎚이며, 2~5㎚가 바람직하다. 쉘의 평균 두께는 0.4~2㎚가 바람직하고, 0.4~1.4㎚가 보다 바람직하다. 쉘이 제1의 쉘과 제2의 쉘로 이루어진 경우, 제1의 쉘의 평균 두께는 예를 들면 0.2~1㎚이며, 0.2~0.7㎚이 바람직하다. 제2의 쉘의 평균 두께는 제1의 쉘의 평균 두께에 따르지 않고, 예를 들면 0.2~1㎚이며, 0.2~0.7㎚이 바람직하다.
이러한 범위 내의 평균 입자 지름을 가지는 양자점(B)은, 양자 가둠 효과를 발휘해 양자점으로서 양호하게 기능함과 함께, 조제가 용이하고, 안정한 형광 특성을 가진다.
또한, 양자점(B)의 평균 입자 지름은 예를 들면, 양자점(B)의 분산액을, 기판 상에 도포·건조시켜 휘발 성분을 제거한 후에, 그 표면을 투과형 전자현미경(TEM)으로 관찰함으로써 정의할 수 있다. 전형적으로는, TEM 화상의 화상 해석에 의해 얻어지는 각 입자의 원 상당 지름의 수평균 지름으로서 이 평균 입자 지름을 정의할 수 있다.
양자점(B)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 양자점(B)의 형상의 예로는 구상, 타원 구상, 원기둥상, 다각기둥상, 원반상 및 다면체상 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 취급의 용이함, 입수 용이성의 관점으로부터 구상인 것이 바람직하다.
광학 필름으로서의 특성이나 파장 변환 특성이 양호한 점으로부터, 양자점(B)은 500~600㎚의 파장역에 형광 극대를 가지는 화합물 (B1), 및 600~700㎚의 파장역에 형광 극대를 가지는 화합물 (B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 화합물 (B1) 및 화합물 (B2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어진 것이 보다 바람직하다.
양자점(B)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 주지의 여러 가지의 방법으로 제조된 양자점을 양자점(B)으로서 이용할 수 있다. 양자점(B)의 제조 방법으로는 예를 들면, 배위성의 유기용매 중에서 유기 금속 화합물을 열분해하는 방법을 채용할 수 있다.
또, 코어 쉘 구조형의 양자점(B)은 반응에 의해 균질인 코어를 형성한 후에, 분산된 코어의 존재하에 쉘층의 전구체를 반응시켜 쉘층을 형성하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또 예를 들면, 상기 코어 다층 쉘 구조를 가지는 양자점(B)은 WO2013/127662호 공보에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
또한, 시판되고 있는 여러 가지의 양자점(B)을 이용할 수도 있다.
양자점(B)의 함유량은 규소 함유 수지 조성물 전체의 질량에 대해서 예를 들면, 0.05~15 질량%이다. 양자점(B)이 쉘층을 가지는 경우, 또는 표면 수식되어 있는 경우, 1~12 질량%가 바람직하고, 3~10 질량%인 것이 보다 바람직하다. 양자점(B)이 반도체 나노 입자만의 경우(쉘층 및/또는 표면 수식제를 갖지 않는 경우)는 0.07~3 질량%가 바람직하고, 0.1~1 질량%인 것이 보다 바람직하다. 양자점(B)의 함유량을 상기의 범위로 함으로써, 광학 필름으로서의 특성이나 파장 변환 특성이 양호한 필름을 형성할 수 있는 규소 함유 수지 조성물을 얻기 쉽다.
[경화제(C)]
규소 함유 수지 조성물은 경화제(C)를 포함하고 있어도 된다. 규소 함유 수지 조성물이 경화제(C)를 포함하는 경우, N-메틸-2-피롤리돈 등의 유기용제에 의해, 용해, 팽윤, 변형하거나 변형하기 어려운 유기용제 내성이 뛰어난 실리카 필름을 형성하기 쉽다.
경화제(C)의 적합한 예로는 염산, 황산, 질산, 벤젠술폰산 및 p-톨루엔술폰산 등의 브뢴스테드 산; 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 벤질메틸아민, DBU(1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센), DCMU(3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소) 등의 유기 아민류; 3염화인, 3브롬화인, 아인산, 아인산 트리메틸, 아인산 트리에틸, 아인산 트리프로필 등의 PX3(식 중, X는 할로겐 원자, 수산기 또는 탄소 원자수 1~6의 알콕시기이다.)로 표시되는 인 화합물; 옥시3염화인, 옥시3브롬화인, 인산, 인산 트리메틸, 인산 트리에틸, 인산 트리프로필 등의 POX3(식 중, X는 할로겐 원자, 수산기 또는 탄소 원자수 1~6의 알콕시기이다.)로 표시되는 인 화합물; 5산화2인; 폴리인산이나 폴리인산 에스테르 등의 H(HPO3)aOH(식 중, a는 1 이상의 정수이다.)로 표시되는 인 화합물; 메틸디클로로포스핀, 에틸디클로로포스핀, 메톡시디클로로포스핀 등의 RC0PX2(식 중, RC0는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~30의 유기기이며, 이 유기기 중의 수소 원자는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다. X는 할로겐 원자, 수산기 또는 탄소 원자수 1~6의 알콕시기이다.)로 표시되는 인 화합물; 아인산 디메틸, 아인산 디에틸, 메틸포스폰산, 메틸포스폰산 디메틸, 메틸포스폰산 디클로라이드, 페닐포스폰산, 페닐포스폰산 디클로라이드, 벤질포스폰산 디에틸 등의 RC0POX2(식 중, RC0는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~30의 유기기이며, 이 유기기 중의 수소 원자는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다. X는 할로겐 원자, 수산기 또는 탄소 원자수 1~6의 알콕시기이다.)로 표시되는 인 화합물; 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리스(p-톨일)포스핀, 트리스(m-톨일)포스핀, 트리스(o-톨일)포스핀, 디페닐시클로헥실포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 트리스(디메톡시페닐)포스핀, 에틸트리페닐포스포늄브로마이드, 벤질트리페닐포스포늄클로라이드, 1,4-비스디페닐포스피노부탄 등의 유기 인 화합물; 3불화붕소, 3염화붕소, 붕산, 붕산 트리메틸, 붕산 트리에틸, 붕산 트리프로필, 붕산 트리부틸, 붕산 트리아밀, 붕산 트리헥실, 붕산 트리시클로펜틸, 붕산 트리시클로헥실, 붕산 트리알릴, 붕산 트리페닐, 붕산 에틸디메틸 등의 BX3(식 중, X는 할로겐 원자, 수산기 또는 탄소 원자수 1~6의 알콕시기이다.)로 표시되는 붕소 화합물; 산화붕소(B2O3); 페닐붕소산, 디이소프로폭시(메틸)보란, 메틸붕소산, 시클로헥실붕소산 등의 RC0BX2(식 중, RC0는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~30의 유기기이며, 이 유기기 중의 수소 원자는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다. X는 할로겐 원자, 수산기 또는 탄소 원자수 1~6의 알콕시기이다.)로 표시되는 붕소 화합물; 트리페닐포스핀트리페닐보란, 테트라페닐포스포늄테트라-p-톨일보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄디시아나미드, n-부틸트리페닐포스포늄디시아나미드 등의 유기 인 화합물의 복합체; 3불화붕소 등의 루이스 산의 유기 아민 착체(유기 아민으로는 예를 들면, 피페리딘); 아자비시클로운데센, 디아자비시클로운데센톨루엔술폰산염 또는 디아자비시클로운데센옥틸산염 등의 아미딘류;를 들 수 있다.
또, (A) 성분으로서 상기 폴리실란을 이용하는 경우, 상기 경화제에 가하거나 또는 단독으로, 빛 또는 열에 의해 염기 성분을 발생시키는 경화제를 이용하는 것이 바람직하다.
(열에 의해 염기 성분을 발생시키는 경화제)
열에 의해 염기 성분을 발생시키는 경화제로는, 종래부터 열 염기 발생제로서 사용되고 있는 화합물을 특별히 한정없이 이용할 수 있다.
예를 들면, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온을 열에 의해 염기 성분을 발생시키는 효과제로서 이용할 수 있다. 또한, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온은 빛의 작용에 의해서도 염기를 발생시킨다.
또, 가열에 의해 다음 식 (C1)로 표시되는 이미다졸 화합물을 발생시키는 화합물(이하, 열 이미다졸 발생제라고도 적음)도 경화제로서 바람직하게 사용된다.
[화 17]
Figure 112017129279114-pat00017
(식 (C1) 중, Rc1, Rc2 및 Rc3는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 포스피노기, 술포네이트기, 포스피닐기, 포스포네이트기 또는 유기기를 나타낸다.)
Rc1, Rc2 및 Rc3에 있어서의 유기기로는 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 등을 들 수 있다. 이 유기기는 이 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다. 이 유기기는 통상은 1가이지만, 환상 구조를 형성하는 경우 등에는 2가 이상의 유기기가 될 수 있다.
Rc1 및 Rc2는 그것들이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 추가로 포함하고 있어도 된다. 환상 구조로는 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있고, 축합환이어도 된다.
Rc1, Rc2 및 Rc3의 유기기에 포함되는 결합은 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 유기기는 산소 원자, 질소 원자, 규소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합을 포함하고 있어도 된다. 헤테로 원자를 포함하는 결합의 구체예로는 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-: R는 수소 원자 또는 유기기를 나타냄), 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합, 아조 결합 등을 들 수 있다.
Rc1, Rc2 및 Rc3의 유기기가 가져도 되는 헤테로 원자를 포함하는 결합으로는 이미다졸 화합물의 내열성의 관점으로부터, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-: R는 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타냄), 카보네이트 결합, 술포닐 결합, 술피닐 결합이 바람직하다.
Rc1, Rc2 및 Rc3의 유기기가 탄화수소기 이외의 치환기인 경우, Rc1, Rc2 및 Rc3는 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 특별히 한정되지 않는다. Rc1, Rc2 및 Rc3의 구체예로는 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술피드기, 시아노기, 이소시아노기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 티오시아네이트기, 이소티오시아네이트기, 실릴기, 실라놀기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 티오카르바모일기, 니트로기, 니트로소기, 카르복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 술피노기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포네이트기, 알킬에테르기, 알케닐에테르기, 알킬티오에테르기, 알케닐티오에테르기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기 등을 들 수 있다. 상기 치환기에 포함되는 수소 원자는 탄화수소기에 의해 치환되어 있어도 된다. 또, 상기 치환기에 포함되는 탄화수소기는 직쇄상, 분기쇄상 및 환상 중 어느 하나여도 된다.
Rc1, Rc2 및 Rc3로는 수소 원자, 탄소 원자수 1~12의 알킬기, 탄소 원자수 1~12의 아릴기, 탄소 원자수 1~12의 알콕시기 및 할로겐 원자가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다.
열 이미다졸 발생제는, 가열에 의해 상기 식 (C1)로 표시되는 이미다졸 화합물을 발생시킬 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 종래부터 여러 가지의 조성물에 배합되고 있는, 열의 작용에 의해 아민을 발생시키는 화합물(열 염기 발생제)에 대해서, 가열시에 발생하는 아민에 유래하는 골격을, 상기 식 (C1)로 표시되는 이미다졸 화합물에 유래하는 골격으로 치환함으로써, 열 이미다졸 발생제로서 사용되는 화합물을 얻을 수 있다.
적합한 열 이미다졸 발생제로는, 하기 식 (C2):
[화 18]
Figure 112017129279114-pat00018
(식 (C2) 중, Rc1, Rc2 및 Rc3는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포네이트기 또는 유기기를 나타낸다. Rc4 및 Rc5는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기 또는 유기기를 나타낸다. Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 유기기를 나타낸다. Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10는 이들 2 이상이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다.)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
식 (C2)에 있어서, Rc1, Rc2 및 Rc3는 식 (C1)에 대해 설명한 것과 동일하다.
식 (C2)에 있어서, Rc4 및 Rc5는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기 또는 유기기를 나타낸다.
Rc4 및 Rc5에 있어서의 유기기로는 Rc1, Rc2 및 Rc3에 대해 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 Rc1, Rc2 및 Rc3의 경우와 마찬가지로, 이 유기기 중에 헤테로 원자를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다.
이상의 것 중에서도, Rc4 및 Rc5로는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알케닐기, 탄소 원자수 7~16의 아릴옥시알킬기, 탄소 원자수 7~20의 아랄킬기, 시아노기를 가지는 탄소 원자수 2~11의 알킬기, 수산기를 가지는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 1~10의 알콕시기, 탄소 원자수 2~11의 아미드기, 탄소 원자수 1~10의 알킬티오기, 탄소 원자수 1~10의 아실기, 탄소 원자수 2~11의 에스테르기(-COOR, -OCOR: R는 탄화수소기를 나타냄), 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 Rc4 및 Rc5의 양쪽 모두가 수소 원자이든가, 또는 Rc4가 메틸기이며, Rc5가 수소 원자이다.
식 (C2)에 있어서, Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 메르캅토기, 술피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 술피노기, 술포기, 술포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니오기 또는 유기기를 나타낸다.
Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10에 있어서의 유기기로는 Rc1, Rc2 및 Rc3에 대해 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 Rc1 및 Rc2의 경우와 마찬가지로, 이 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다.
Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10는 이들 2 이상이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다. 환상 구조로는 헤테로 시클로알킬기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있고, 축합환이어도 된다. 예를 들면, Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10는 이들 2 이상이 결합하고, Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10가 결합하고 있는 벤젠환의 원자를 공유해 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합환을 형성해도 된다.
이상의 것 중에서도, Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10로는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알킬기, 탄소 원자수 4~13의 시클로알케닐기, 탄소 원자수 7~16의 아릴옥시알킬기, 탄소 원자수 7~20의 아랄킬기, 시아노기를 가지는 탄소 원자수 2~11의 알킬기, 수산기를 가지는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 1~10의 알콕시기, 탄소 원자수 2~11의 아미드기, 탄소 원자수 1~10의 알킬티오기, 탄소 원자수 1~10의 아실기, 탄소 원자수 2~11의 에스테르기, 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 전자 공여성기 및/또는 전자 흡인성기가 치환된 벤질기, 시아노기, 메틸티오기, 니트로기인 것이 바람직하다.
또, Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10로는 이들 2 이상이 결합하고, Rc6, Rc7, Rc8, Rc9 및 Rc10가 결합하고 있는 벤젠환의 원자를 공유해 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 인덴 등의 축합환을 형성하고 있는 경우도 바람직하다.
상기 식 (C2)로 표시되는 화합물 중에서는, 하기 식 (C3):
[화 19]
Figure 112017129279114-pat00019
(식 (C3) 중, Rc1, Rc2 및 Rc3는 식 (C1) 및 (C2)와 동일하다. Rc4~Rc9는 식 (C2)과 동일하다. Rc11는 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. Rc6 및 Rc7가 수산기가 되는 경우는 없다. Rc6, Rc7, Rc8 및 Rc9는 이들 2 이상이 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 헤테로 원자의 결합을 포함하고 있어도 된다.)로 표시되는 화합물이 바람직하다.
식 (C3)로 표시되는 화합물은 치환기 -O-Rc11를 가지기 때문에 유기용매에 대한 용해성이 뛰어나다.
식 (C3)에 있어서, Rc11는 수소 원자 또는 유기기이다. Rc11가 유기기인 경우, 유기기로는 Rc1, Rc2 및 Rc3에 대해 예시한 것을 들 수 있다. 이 유기기는 이 유기기 중에 헤테로 원자를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다. Rc11로는 수소 원자, 탄소 원자수 1~12의 알킬기 혹은 알콕시알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, t-부틸기, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기가 보다 바람직하다.
열 이미다졸 발생제로서 특히 적합한 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.
[화 20]
Figure 112017129279114-pat00020
(옥심에스테르 화합물)
옥심에스테르 화합물은 빛의 작용에 의해 분해해 염기를 발생시킨다.
적합한 옥심에스테르 화합물로는 하기 식 (C4)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
[화 21]
Figure 112017129279114-pat00021
상기 식 (C4) 중, Rc12는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기 또는 치환기를 가져도 되는 카르바졸일기를 나타낸다. m1는 0 또는 1이다. Rc13는 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 또는 치환기를 가져도 되는 카르바졸일기를 나타낸다. Rc14는 수소 원자, 탄소 원자수 1~6의 알킬기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기를 나타낸다.
Rc12가 탄소 원자수 1~10의 알킬기인 경우, 알킬기는 직쇄여도 분기쇄여도 된다. 이 경우, 알킬기의 탄소 원자수는 1~8이 바람직하고, 1~5가 보다 바람직하다.
Rc12가 치환기를 가져도 되는 페닐기인 경우, 치환기의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 페닐기가 가지고 있어도 되는 치환기의 적합한 예로는 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 아미노기, 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기 및 피페라진-1-일기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기 등을 들 수 있다. Rc12가 치환기를 가져도 되는 페닐기이며, 페닐기가 복수의 치환기를 가지는 경우, 복수의 치환기는 동일해도 상이해도 된다.
페닐기가 가지는 치환기가 알킬기인 경우, 그 탄소 원자수는 1~20이 바람직하고, 1~10이 보다 바람직하며, 1~6이 더욱 바람직하고, 1~3이 특히 바람직하며, 1이 가장 바람직하다. 또, 알킬기는 직쇄여도 분기쇄여도 된다. 페닐기가 가지는 치환기가 알킬기인 경우의 구체예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기 및 이소데실기 등을 들 수 있다. 또, 알킬기는 탄소쇄 중에 에테르 결합(-O-)을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 페닐기가 가지는 치환기로는 예를 들면, 알콕시알킬기, 알콕시알콕시알킬기를 들 수 있다. 페닐기가 가지는 치환기가 알콕시알킬기인 경우, -Rc15-O-Rc16로 표시되는 기가 바람직하다. Rc15는 탄소 원자수 1~10의 직쇄여도 분기쇄여도 되는 알킬렌기이다. Rc16는 탄소 원자수 1~10의 직쇄여도 분기쇄여도 되는 알킬기이다. Rc15의 탄소 원자수는 1~8이 바람직하고, 1~5가 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다. Rc16의 탄소 원자수는 1~8이 바람직하고, 1~5가 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하고, 1이 가장 바람직하다. 탄소쇄 중에 에테르 결합을 가지는 알킬기의 예로는 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기, 프로필옥시에톡시에틸기 및 메톡시프로필기 등을 들 수 있다.
페닐기가 가지는 치환기가 알콕시기인 경우, 그 탄소 원자수는 1~20이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하다. 또, 알콕시기는 직쇄여도 분기쇄여도 된다. 페닐기가 가지는 치환기가 알콕시기인 경우의 구체예로는 메톡시기, 에톡시기, n-프로필옥시기, 이소프로필옥시기, n-부틸옥시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, sec-펜틸옥시기, tert-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-헵틸옥시기, n-옥틸옥시기, 이소옥틸옥시기, sec-옥틸옥시기, tert-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, 이소노닐옥시기, n-데실옥시기 및 이소데실옥시기 등을 들 수 있다. 또, 알콕시기는 탄소쇄 중에 에테르 결합(-O-)을 포함하고 있어도 된다. 탄소쇄 중에 에테르 결합을 가지는 알콕시기의 예로는 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기, 2-메톡시-1-메틸에톡시기, 메톡시에톡시에톡시기, 에톡시에톡시에톡시기, 프로필옥시에톡시에톡시기 및 메톡시프로필옥시기 등을 들 수 있다.
페닐기가 가지는 치환기가 시클로알킬기 또는 시클로알콕시기인 경우, 그 탄소 원자수는 3~10이 바람직하고, 3~6이 보다 바람직하다. 페닐기가 가지는 치환기가 시클로알킬기인 경우의 구체예로는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 및 시클로옥틸기 등을 들 수 있다. 페닐기가 가지는 치환기가 시클로알콕시기인 경우의 구체예로는 시클로프로필옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헵틸옥시기 및 시클로옥틸옥시기 등을 들 수 있다.
페닐기가 가지는 치환기가 포화 지방족 아실기 또는 포화 지방족 아실옥시기인 경우, 그 탄소 원자수는 2~20이 바람직하고, 2~7이 보다 바람직하다. 페닐기가 가지는 치환기가 포화 지방족 아실기인 경우의 구체예로는 아세틸기, 프로파노일기, n-부타노일기, 2-메틸프로파노일기, n-펜타노일기, 2,2-디메틸프로파노일기, n-헥사노일기, n-헵타노일기, n-옥타노일기, n-노나노일기, n-데카노일기, n-운데카노일기, n-도데카노일기, n-트리데카노일기, n-테트라데카노일기, n-펜타데카노일기 및 n-헥사데카노일기 등을 들 수 있다. 페닐기가 가지는 치환기가 포화 지방족 아실옥시기인 경우의 구체예로는 아세틸옥시기, 프로파노일옥시기, n-부타노일옥시기, 2-메틸프로파노일옥시기, n-펜타노일옥시기, 2,2-디메틸프로파노일옥시기, n-헥사노일옥시기, n-헵타노일옥시기, n-옥타노일옥시기, n-노나노일옥시기, n-데카노일옥시기, n-운데카노일옥시기, n-도데카노일옥시기, n-트리데카노일옥시기, n-테트라데카노일옥시기, n-펜타데카노일옥시기 및 n-헥사데카노일옥시기 등을 들 수 있다.
페닐기가 가지는 치환기가 알콕시카르보닐기인 경우, 그 탄소 원자수는 2~20이 바람직하고, 2~7이 보다 바람직하다. 페닐기가 가지는 치환기가 알콕시카르보닐기인 경우의 구체예로는 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-프로필옥시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, n-부틸옥시카르보닐기, 이소부틸옥시카르보닐기, sec-부틸옥시카르보닐기, tert-부틸옥시카르보닐기, n-펜틸옥시카르보닐기, 이소펜틸옥시카르보닐기, sec-펜틸옥시카르보닐기, tert-펜틸옥시카르보닐기, n-헥실옥시카르보닐기, n-헵틸옥시카르보닐기, n-옥틸옥시카르보닐기, 이소옥틸옥시카르보닐기, sec-옥틸옥시카르보닐기, tert-옥틸옥시카르보닐기, n-노닐옥시카르보닐기, 이소노닐옥시카르보닐기, n-데실옥시카르보닐기 및 이소데실옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.
페닐기가 가지는 치환기가 페닐알킬기인 경우, 그 탄소 원자수는 7~20이 바람직하고, 7~10이 보다 바람직하다. 또 페닐기가 가지는 치환기가 나프틸알킬기인 경우, 그 탄소 원자수는 11~20이 바람직하고, 11~14가 보다 바람직하다. 페닐기가 가지는 치환기가 페닐알킬기인 경우의 구체예로는 벤질기, 2-페닐에틸기, 3-페닐프로필기 및 4-페닐부틸기를 들 수 있다. 페닐기가 가지는 치환기가 나프틸알킬기인 경우의 구체예로는 α-나프틸메틸기, β-나프틸메틸기, 2-(α-나프틸)에틸기 및 2-(β-나프틸)에틸기를 들 수 있다. 페닐기가 가지는 치환기가 페닐알킬기 또는 나프틸알킬기인 경우, 치환기는 페닐기 또는 나프틸기 상에 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.
페닐기가 가지는 치환기가 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는 1 이상의 N, S, O를 포함하는 5원 또는 6원의 단환이든가, 이러한 단환끼리, 또는 이러한 단환과 벤젠환이 축합한 헤테로시클릴기이다. 헤테로시클릴기가 축합환인 경우는 고리 수 3까지의 것으로 한다. 이러한 헤테로시클릴기를 구성하는 복소환으로는 푸란, 티오펜, 피롤, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 티아디아졸, 이소티아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 벤조푸란, 벤조티오펜, 인돌, 이소인돌, 인돌리진, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 카르바졸, 푸린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 키나졸린, 프탈라진, 신놀린 및 퀴녹살린 등을 들 수 있다. 페닐기가 가지는 치환기가 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.
페닐기가 가지는 치환기가 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기인 경우, 유기기의 적합한 예는 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬기, 탄소 원자수 2~20의 포화 지방족 아실기, 탄소 원자수 2~20의 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 7~20의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 11~20의 나프틸알킬기 및 헤테로시클릴기 등을 들 수 있다. 이들 적합한 유기기의 구체예로는 페닐기가 가지는 치환기에 대하여 상기한 것과 동일한 것을 들 수 있다. 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기의 구체예로는 메틸아미노기, 에틸아미노기, 디에틸아미노기, n-프로필아미노기, 디-n-프로필아미노기, 이소프로필아미노기, n-부틸아미노기, 디-n-부틸아미노기, n-펜틸아미노기, n-헥실아미노기, n-헵틸아미노기, n-옥틸아미노기, n-노닐아미노기, n-데실아미노기, 페닐아미노기, 나프틸아미노기, 아세틸아미노기, 프로파노일아미노기, n-부타노일아미노기, n-펜타노일아미노기, n-헥사노일아미노기, n-헵타노일아미노기, n-옥타노일아미노기, n-데카노일아미노기, 벤조일아미노기, α-나프토일아미노기, β-나프토일아미노기 및 N-아세틸-N-아세틸옥시아미노기 등을 들 수 있다.
페닐기가 가지는 치환기에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우의 치환기로는 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 알콕시기, 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실기, 탄소 원자수 2~7의 알콕시카르보닐기, 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실옥시기, 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 모노알킬아미노기, 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 디알킬아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기 등을 들 수 있다. 페닐기가 가지는 치환기에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우, 그 치환기의 수는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1~4가 바람직하다. 페닐기가 가지는 치환기에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 복수의 치환기를 가지는 경우, 복수의 치환기는 동일해도 상이해도 된다.
이상, Rc12가 치환기를 가져도 되는 페닐기인 경우의 치환기에 대해 설명했지만, 이들 치환기 중에서는 알킬기 또는 알콕시알킬기가 바람직하다.
Rc12가 치환기를 가져도 되는 페닐기인 경우, 치환기의 수와 치환기의 결합 위치는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. Rc12가 치환기를 가져도 되는 페닐기인 경우, 염기의 발생 효율이 뛰어나다는 점에서 치환기를 가져도 되는 페닐기는 치환기를 가지고 있어도 되는 o-톨일기인 것이 바람직하다.
Rc12가 치환기를 가져도 되는 카르바졸일기인 경우, 치환기의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 카르바졸일기가 탄소 원자 상에 가져도 되는 적합한 치환기의 예로는 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 탄소 원자수 1~20의 알콕시기, 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬기, 탄소 원자수 3~10의 시클로알콕시기, 탄소 원자수 2~20의 포화 지방족 아실기, 탄소 원자수 2~20의 알콕시카르보닐기, 탄소 원자수 2~20의 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 페닐티오기, 치환기를 가져도 되는 페닐카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 7~20의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프틸카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 11~20의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기, 아미노기, 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기 및 피페라진-1-일기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기 등을 들 수 있다.
Rc12가 치환기를 가져도 되는 카르바졸일기인 경우, 카르바졸일기가 질소 원자 상에 가져도 되는 적합한 치환기의 예로는 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬기, 탄소 원자수 2~20의 포화 지방족 아실기, 탄소 원자수 2~20의 알콕시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 7~20의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 11~20의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기 등을 들 수 있다. 이들 치환기 중에서는 탄소 원자수 1~20의 알킬기가 바람직하고, 탄소 원자수 1~6의 알킬기가 보다 바람직하며, 에틸기가 특히 바람직하다.
카르바졸일기가 가져도 되는 치환기의 구체예에 대해서, 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기 및 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기에 관해서는, Rc12가 치환기를 가져도 되는 페닐기인 경우의, 페닐기가 가지는 치환기의 예와 동일하다.
Rc12에 있어서, 카르바졸일기가 가지는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우의 치환기의 예로는 탄소 원자수 1~6의 알킬기; 탄소 원자수 1~6의 알콕시기; 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실기; 탄소 원자수 2~7의 알콕시카르보닐기; 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실옥시기; 페닐기; 나프틸기; 벤조일기; 나프토일기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 모노알킬아미노기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 디알킬아미노기; 모르폴린-1-일기; 피페라진-1-일기; 할로겐; 니트로기; 시아노기를 들 수 있다. 카르바졸일기가 가지는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우, 그 치환기의 수는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1~4가 바람직하다. 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 복수의 치환기를 가지는 경우, 복수의 치환기는 동일해도 상이해도 된다.
Rc13는 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기 또는 치환기를 가져도 되는 카르바졸일기이다.
Rc13가 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1~10의 알킬기인 경우, 알킬기는 직쇄여도 분기쇄여도 된다. 이 경우, 알킬기의 탄소 원자수는 1~8이 바람직하고, 1~5가 보다 바람직하다.
Rc13에 있어서, 알킬기, 페닐기 또는 카르바졸일기가 가지는 치환기는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다.
알킬기가 탄소 원자 상에 가져도 되는 적합한 치환기의 예로는 탄소 원자수 1~20의 알콕시기, 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬기, 탄소 원자수 3~10의 시클로알콕시기, 탄소 원자수 2~20의 포화 지방족 아실기, 탄소 원자수 2~20의 알콕시카르보닐기, 탄소 원자수 2~20의 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 페닐티오기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 7~20의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 11~20의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기, 아미노기, 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기 및 피페라진-1-일기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기 등을 들 수 있다.
페닐기 및 카르바졸일기가 탄소 원자 상에 가져도 되는 적합한 치환기의 예로는 알킬기가 탄소 원자 상에 가져도 되는 적합한 치환기로서 상기에서 예시한 기에 더하여 탄소 원자수 1~20의 알킬기를 들 수 있다.
알킬기, 페닐기 또는 카르바졸일기가 가져도 되는 치환기의 구체예에 대해서, 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기 및 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기에 관해서는, Rc12가 치환기를 가져도 되는 페닐기인 경우의, 페닐기가 가지는 치환기의 예와 동일하다.
Rc13에 있어서, 알킬기, 페닐기, 또는 카르바졸일기가 가지는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우의 치환기의 예로는 탄소 원자수 1~6의 알킬기; 탄소 원자수 1~6의 알콕시기; 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실기; 탄소 원자수 2~7의 알콕시카르보닐기; 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실옥시기; 페닐기; 나프틸기; 벤조일기; 나프토일기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 모노알킬아미노기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 디알킬아미노기; 모르폴린-1-일기; 피페라진-1-일기; 할로겐; 니트로기; 시아노기를 들 수 있다. 알킬기 또는 페닐기가 가지는 치환기에 포함되는 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우, 그 치환기의 수는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1~4가 바람직하다. 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 복수의 치환기를 가지는 경우, 복수의 치환기는 동일해도 상이해도 된다.
식 (C4)로 표시되는 화합물의 염기 발생 효율의 점으로부터, Rc13로는 하기 식 (C5):
[화 22]
Figure 112017129279114-pat00022
로 표시되는 기 및 하기 식 (C6):
[화 23]
Figure 112017129279114-pat00023
로 표시되는 기가 바람직하다.
식 (C5) 중, Rc17 및 Rc18는 각각 1가의 유기기이며, m2는 0 또는 1이다. 식 (C6) 중, Rc19는 1가의 유기기, 아미노기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이며, A는 S 또는 O이고, m3는 0~4의 정수이다.
식 (C5)에 있어서의 Rc17는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 여러 가지의 유기기로부터 선택할 수 있다. Rc17의 적합한 예로는 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬기, 탄소 원자수 2~20의 포화 지방족 아실기, 탄소 원자수 2~20의 알콕시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 7~20의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 11~20의 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기 등을 들 수 있다.
Rc17 중에서는, 탄소 원자수 1~20의 알킬기가 바람직하고, 탄소 원자수 1~6의 알킬기가 보다 바람직하며, 에틸기가 특히 바람직하다.
식 (C5)에 있어서의 Rc18는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 여러 가지의 유기기로부터 선택할 수 있다. Rc18로서 적합한 기의 구체예로는 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기를 들 수 있다. Rc18로서 이들 기 중에서는 치환기를 가져도 되는 페닐기 및 치환기를 가져도 되는 나프틸기가 보다 바람직하고, 2-메틸페닐기 및 나프틸기가 특히 바람직하다.
Rc17 또는 Rc18에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우의 치환기로는 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 알콕시기, 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실기, 탄소 원자수 2~7의 알콕시카르보닐기, 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실옥시기, 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 모노알킬아미노기, 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 디알킬아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기 등을 들 수 있다. Rc17 또는 Rc18에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우, 그 치환기의 수는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1~4가 바람직하다. Rc17 또는 Rc18에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 복수의 치환기를 가지는 경우, 복수의 치환기는 동일해도 상이해도 된다.
식 (C6)에 있어서의 Rc19가 유기기인 경우, Rc19는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 여러 가지의 유기기로부터 선택할 수 있다. 식 (C6)에서 Rc19가 유기기인 경우의 적합한 예로는 탄소 원자수 1~6의 알킬기; 탄소 원자수 1~6의 알콕시기; 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실기; 탄소 원자수 2~7의 알콕시카르보닐기; 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실옥시기; 페닐기; 나프틸기; 벤조일기; 나프토일기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 모노알킬아미노기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 디알킬아미노기; 모르폴린-1-일기; 피페라진-1-일기; 할로겐; 니트로기; 시아노기; 2-메틸페닐카르보닐기; 4-(피페라진-1-일)페닐카르보닐기; 4-(페닐)페닐카르보닐기를 들 수 있다.
Rc19 중에서는, 벤조일기; 나프토일기; 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기에 의해 치환된 벤조일기; 니트로기가 바람직하고, 벤조일기; 나프토일기; 2-메틸페닐카르보닐기; 4-(피페라진-1-일)페닐카르보닐기; 4-(페닐)페닐카르보닐기가 보다 바람직하다.
또, 식 (C6)에 있어서, m3, 0~3의 정수가 바람직하고, 0~2의 정수가 보다 바람직하며, 0 또는 1인 것이 특히 바람직하다. m3가 1인 경우, Rc19의 결합하는 위치는 Rc19가 결합하는 페닐기가 유황 원자와 결합하는 결합손에 대해서 파라 위치인 것이 바람직하다.
Rc14는 수소 원자, 탄소 원자수 1~6의 알킬기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기이다. 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기인 경우, 페닐기가 가지고 있어도 되는 치환기는 Rc12가 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기인 경우와 동일하다. Rc14로는 메틸기, 에틸기 또는 페닐기가 바람직하고, 메틸기 또는 페닐기가 보다 바람직하다.
상기 식 (C4)로 표시되는 옥심에스테르 화합물은 m1가 0인 경우, 예를 들면, 이하에 설명하는 방법에 의해 합성할 수 있다. 우선, Rc13-CO-Rc12로 표시되는 케톤 화합물을 히드록실아민에 의해 옥심화하여 Rc13-(C=N-OH)-Rc12로 표시되는 옥심 화합물을 얻는다. 그 다음에, 얻어진 옥심 화합물을 Rc14-CO-Hal(Hal는 할로겐을 나타냄)로 표시되는 산 할로겐화물이나, (Rc14CO)2O로 표시되는 산 무수물에 의해 아실화하여 m1가 0인 상기 식 (C4)로 표시되는 옥심에스테르 화합물을 얻을 수 있다.
또, 상기 식 (C4)로 표시되는 옥심에스테르 화합물은 m1가 1인 경우, 예를 들면, 이하에 설명하는 방법에 의해 합성할 수 있다. 우선, Rc13-CO-CH2-Rc12로 표시되는 케톤 화합물을 염산의 존재하에 아질산 에스테르와 반응시켜 Rc13-CO-(C=N-OH)-Rc12로 표시되는 옥심 화합물을 얻는다. 그 다음에, 얻어진 옥심 화합물을 Rc14-CO-Hal(Hal는 할로겐을 나타냄)로 표시되는 산 할로겐화물이나, (Rc14CO)2O로 표시되는 산 무수물에 의해 아실화하여 m1가 1인 상기 식 (C4)로 표시되는 옥심에스테르 화합물을 얻을 수 있다.
상기 식 (C4)로 표시되는 화합물로는 하기 식 (C7)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
[화 24]
Figure 112017129279114-pat00024
상기 식 (C7) 중, m1 및 Rc13는 상기와 같다. Rc20는 1가의 유기기, 아미노기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이고, m4는 0~4의 정수이며, Rc21는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~6의 알킬기이다.
상기 식 (C7) 중, Rc20는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 유기기인 경우 여러 가지의 유기기로부터 적절히 선택된다. Rc20의 적합한 예로는 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 아미노기, 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기 등을 들 수 있다. m4가 2~4의 정수인 경우, Rc20는 동일해도 상이해도 된다. 또, 치환기의 탄소 원자수에는 치환기가 추가로 가지는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않는다.
Rc20가 알킬기인 경우, 탄소 원자수 1~20이 바람직하고, 탄소 원자수 1~6이 보다 바람직하다. 또, Rc20가 알킬기인 경우, 직쇄여도 분기쇄여도 된다. Rc20가 알킬기인 경우의 구체예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기 및 이소데실기 등을 들 수 있다. 또, Rc20가 알킬기인 경우, 알킬기는 탄소쇄 중에 에테르 결합(-O-)을 포함하고 있어도 된다. 탄소쇄 중에 에테르 결합을 가지는 알킬기의 예로는 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기, 프로필옥시에톡시에틸기 및 메톡시프로필기 등을 들 수 있다.
Rc20가 알콕시기인 경우, 탄소 원자수 1~20이 바람직하고, 탄소 원자수 1~6이 보다 바람직하다. 또, Rc20가 알콕시기인 경우, 직쇄여도 분기쇄여도 된다. Rc20가 알콕시기인 경우의 구체예로는 메톡시기, 에톡시기, n-프로필옥시기, 이소프로필옥시기, n-부틸옥시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, sec-펜틸옥시기, tert-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-헵틸옥시기, n-옥틸옥시기, 이소옥틸옥시기, sec-옥틸옥시기, tert-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, 이소노닐옥시기, n-데실옥시기 및 이소데실옥시기 등을 들 수 있다. 또, Rc20가 알콕시기인 경우, 알콕시기는 탄소쇄 중에 에테르 결합(-O-)을 포함하고 있어도 된다. 탄소쇄 중에 에테르 결합을 가지는 알콕시기의 예로는 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기, 메톡시에톡시에톡시기, 에톡시에톡시에톡시기, 프로필옥시에톡시에톡시기 및 메톡시프로필옥시기 등을 들 수 있다.
Rc20가 시클로알킬기 또는 시클로알콕시기인 경우, 탄소 원자수 3~10이 바람직하고, 탄소 원자수 3~6이 보다 바람직하다. Rc20가 시클로알킬기인 경우의 구체예로는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 및 시클로옥틸기 등을 들 수 있다. Rc20가 시클로알콕시기인 경우의 구체예로는 시클로프로필옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헵틸옥시기 및 시클로옥틸옥시기 등을 들 수 있다.
Rc20가 포화 지방족 아실기 또는 포화 지방족 아실옥시기인 경우, 탄소 원자수 2~20이 바람직하고, 탄소 원자수 2~7이 보다 바람직하다. Rc20가 포화 지방족 아실기인 경우의 구체예로는 아세틸기, 프로파노일기, n-부타노일기, 2-메틸프로파노일기, n-펜타노일기, 2,2-디메틸프로파노일기, n-헥사노일기, n-헵타노일기, n-옥타노일기, n-노나노일기, n-데카노일기, n-운데카노일기, n-도데카노일기, n-트리데카노일기, n-테트라데카노일기, n-펜타데카노일기 및 n-헥사데카노일기 등을 들 수 있다. Rc20가 포화 지방족 아실옥시기인 경우의 구체예로는 아세틸옥시기, 프로파노일옥시기, n-부타노일옥시기, 2-메틸프로파노일옥시기, n-펜타노일옥시기, 2,2-디메틸프로파노일옥시기, n-헥사노일옥시기, n-헵타노일옥시기, n-옥타노일옥시기, n-노나노일옥시기, n-데카노일옥시기, n-운데카노일옥시기, n-도데카노일옥시기, n-트리데카노일옥시기, n-테트라데카노일옥시기, n-펜타데카노일옥시기 및 n-헥사데카노일옥시기 등을 들 수 있다.
Rc20가 알콕시카르보닐기인 경우, 탄소 원자수 2~20이 바람직하고, 탄소 원자수 2~7이 보다 바람직하다. Rc20가 알콕시카르보닐기인 경우의 구체예로는 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-프로필옥시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, n-부틸옥시카르보닐기, 이소부틸옥시카르보닐기, sec-부틸옥시카르보닐기, tert-부틸옥시카르보닐기, n-펜틸옥시카르보닐기, 이소펜틸옥시카르보닐기, sec-펜틸옥시카르보닐기, tert-펜틸옥시카르보닐기, n-헥실옥시카르보닐기, n-헵틸옥시카르보닐기, n-옥틸옥시카르보닐기, 이소옥틸옥시카르보닐기, sec-옥틸옥시카르보닐기, tert-옥틸옥시카르보닐기, n-노닐옥시카르보닐기, 이소노닐옥시카르보닐기, n-데실옥시카르보닐기 및 이소데실옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.
Rc20가 페닐알킬기인 경우, 탄소 원자수 7~20이 바람직하고, 탄소 원자수 7~10이 보다 바람직하다. 또 Rc20가 나프틸알킬기인 경우, 탄소 원자수 11~20이 바람직하고, 탄소 원자수 11~14가 보다 바람직하다. Rc20가 페닐알킬기인 경우의 구체예로는 벤질기, 2-페닐에틸기, 3-페닐프로필기 및 4-페닐부틸기를 들 수 있다. Rc20가 나프틸알킬기인 경우의 구체예로는 α-나프틸메틸기, β-나프틸메틸기, 2-(α-나프틸)에틸기 및 2-(β-나프틸)에틸기를 들 수 있다. Rc20가 페닐알킬기 또는 나프틸알킬기인 경우, Rc20는 페닐기 또는 나프틸기 상에 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.
Rc20가 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는 1 이상의 N, S, O를 포함하는 5원 또는 6원의 단환이든가, 이러한 단환끼리, 또는 이러한 단환과 벤젠환이 축합한 헤테로시클릴기이다. 헤테로시클릴기가 축합환인 경우는 고리 수 3까지의 것으로 한다. 이러한 헤테로시클릴기를 구성하는 복소환으로는 푸란, 티오펜, 피롤, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 티아디아졸, 이소티아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 벤조푸란, 벤조티오펜, 인돌, 이소인돌, 인돌리진, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 카르바졸, 푸린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 키나졸린, 프탈라진, 신놀린 및 퀴녹살린 등을 들 수 있다. Rc20가 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.
Rc20가 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기인 경우, 유기기의 적합한 예는 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬기, 탄소 원자수 2~20의 포화 지방족 아실기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 7~20의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 11~20의 나프틸알킬기 및 헤테로시클릴기 등을 들 수 있다. 이들 적합한 유기기의 구체예는 Rc20와 동일하다. 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기의 구체예로는 메틸아미노기, 에틸아미노기, 디에틸아미노기, n-프로필아미노기, 디-n-프로필아미노기, 이소프로필아미노기, n-부틸아미노기, 디-n-부틸아미노기, n-펜틸아미노기, n-헥실아미노기, n-헵틸아미노기, n-옥틸아미노기, n-노닐아미노기, n-데실아미노기, 페닐아미노기, 나프틸아미노기, 아세틸아미노기, 프로파노일아미노기, n-부타노일아미노기, n-펜타노일아미노기, n-헥사노일아미노기, n-헵타노일아미노기, n-옥타노일아미노기, n-데카노일아미노기, 벤조일아미노기, α-나프토일아미노기 및 β-나프토일아미노기 등을 들 수 있다.
Rc20에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우의 치환기로는 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 알콕시기, 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실기, 탄소 원자수 2~7의 알콕시카르보닐기, 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실옥시기, 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 모노알킬아미노기, 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 디알킬아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기 등을 들 수 있다. Rc20에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우, 그 치환기의 수는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1~4가 바람직하다. Rc20에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 복수의 치환기를 가지는 경우, 복수의 치환기는 동일해도 상이해도 된다.
Rc20 중에서는 화학적으로 안정하다는 점이나, 입체적인 장해가 적고, 옥심에스테르 화합물의 합성이 용이한 점 등으로부터, 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 알콕시기 및 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기가 바람직하고, 탄소 원자수 1~6의 알킬이 보다 바람직하며, 메틸기가 특히 바람직하다.
Rc20가 페닐기에 결합하는 위치는 Rc20가 결합하는 페닐기에 대하여, 페닐기와 옥심에스테르 화합물의 주골격과의 결합손의 위치를 1위로 하고, 메틸기의 위치를 2위로 하는 경우에, 4위 또는 5위가 바람직하고, 5위가 보다 바람직하다. 또, m4는 0~3의 정수가 바람직하고, 0~2의 정수가 보다 바람직하며, 0 또는 1이 특히 바람직하다.
상기 식 (C7)에 있어서의 Rc21는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~6의 알킬기이다. Rc21로는 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다.
식 (C4)로 표시되는 옥심에스테르 화합물로서 특히 적합한 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.
[화 25]
Figure 112017129279114-pat00025
다음 식 (C8)로 표시되는 화합물도 옥심에스테르 화합물로서 적합하게 사용된다.
[화 26]
Figure 112017129279114-pat00026
(Rc22는 수소 원자, 니트로기 또는 1가의 유기기이며, Rc23 및 Rc24는 각각 치환기를 가져도 되는 쇄상 알킬기, 치환기를 가져도 되는 환상 유기기 또는 수소 원자이며, Rc23와 Rc24는 서로 결합해 고리를 형성해도 되고, Rc25는 1가의 유기기이며, Rc26는 수소 원자, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1~11의 알킬기 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기이며, m6는 0~4의 정수이고, m5는 0 또는 1이다.)
식 (C8) 중, Rc22는 수소 원자, 니트로기 또는 1가의 유기기이다. Rc22는 식 (C8) 중의 플루오렌환 상에서 -(CO)m5-로 표시되는 기에 결합하는 6원 방향환과는 상이한 6원 방향환에 결합한다. 식 (C8) 중, Rc22의 플루오렌환에 대한 결합 위치는 특별히 한정되지 않는다. 식 (C8)로 표시되는 화합물이 1 이상의 Rc22를 가지는 경우, 식 (C8)로 표시되는 화합물의 합성이 용이하다는 점 등으로부터, 1 이상의 Rc22 중 하나가 플루오렌환 중의 2위에 결합하는 것이 바람직하다. Rc22가 복수인 경우, 복수의 Rc22는 동일해도 상이해도 된다.
Rc22가 유기기인 경우, Rc22는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 여러 가지의 유기기로부터 적절히 선택된다. Rc22가 유기기인 경우의 적합한 예로는 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기, 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기 및 피페라진-1-일기 등을 들 수 있다.
Rc22가 알킬기인 경우, 알킬기의 탄소 원자수는 1~20이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하다. 또, Rc22가 알킬기인 경우, 직쇄여도 분기쇄여도 된다. Rc22가 알킬기인 경우의 구체예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기 및 이소데실기 등을 들 수 있다. 또, Rc22가 알킬기인 경우, 알킬기는 탄소쇄 중에 에테르 결합(-O-)을 포함하고 있어도 된다. 탄소쇄 중에 에테르 결합을 가지는 알킬기의 예로는 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기, 프로필옥시에톡시에틸기 및 메톡시프로필기 등을 들 수 있다.
Rc22가 알콕시기인 경우, 알콕시기의 탄소 원자수는 1~20이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하다. 또, Rc22가 알콕시기인 경우, 직쇄여도 분기쇄여도 된다. Rc22가 알콕시기인 경우의 구체예로는 메톡시기, 에톡시기, n-프로필옥시기, 이소프로필옥시기, n-부틸옥시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, sec-펜틸옥시기, tert-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-헵틸옥시기, n-옥틸옥시기, 이소옥틸옥시기, sec-옥틸옥시기, tert-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, 이소노닐옥시기, n-데실옥시기 및 이소데실옥시기 등을 들 수 있다. 또, Rc22가 알콕시기인 경우, 알콕시기는 탄소쇄 중에 에테르 결합(-O-)을 포함하고 있어도 된다. 탄소쇄 중에 에테르 결합을 가지는 알콕시기의 예로는 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기, 메톡시에톡시에톡시기, 에톡시에톡시에톡시기, 프로필옥시에톡시에톡시기 및 메톡시프로필옥시기 등을 들 수 있다.
Rc22가 시클로알킬기 또는 시클로알콕시기인 경우, 시클로알킬기 또는 시클로알콕시기의 탄소 원자수는 3~10이 바람직하고, 3~6이 보다 바람직하다. Rc22가 시클로알킬기인 경우의 구체예로는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 및 시클로옥틸기 등을 들 수 있다. Rc22가 시클로알콕시기인 경우의 구체예로는 시클로프로필옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 시클로헵틸옥시기 및 시클로옥틸옥시기 등을 들 수 있다.
Rc22가 포화 지방족 아실기 또는 포화 지방족 아실옥시기인 경우, 포화 지방족 아실기 또는 포화 지방족 아실옥시기의 탄소 원자수는 2~21이 바람직하고, 2~7이 보다 바람직하다. Rc22가 포화 지방족 아실기인 경우의 구체예로는 아세틸기, 프로파노일기, n-부타노일기, 2-메틸프로파노일기, n-펜타노일기, 2,2-디메틸프로파노일기, n-헥사노일기, n-헵타노일기, n-옥타노일기, n-노나노일기, n-데카노일기, n-운데카노일기, n-도데카노일기, n-트리데카노일기, n-테트라데카노일기, n-펜타데카노일기 및 n-헥사데카노일기 등을 들 수 있다. Rc22가 포화 지방족 아실옥시기인 경우의 구체예로는 아세틸옥시기, 프로파노일옥시기, n-부타노일옥시기, 2-메틸프로파노일옥시기, n-펜타노일옥시기, 2,2-디메틸프로파노일옥시기, n-헥사노일옥시기, n-헵타노일옥시기, n-옥타노일옥시기, n-노나노일옥시기, n-데카노일옥시기, n-운데카노일옥시기, n-도데카노일옥시기, n-트리데카노일옥시기, n-테트라데카노일옥시기, n-펜타데카노일옥시기 및 n-헥사데카노일옥시기 등을 들 수 있다.
Rc22가 알콕시카르보닐기인 경우, 알콕시카르보닐기의 탄소 원자수는 2~20이 바람직하고, 2~7이 보다 바람직하다. Rc22가 알콕시카르보닐기인 경우의 구체예로는 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-프로필옥시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, n-부틸옥시카르보닐기, 이소부틸옥시카르보닐기, sec-부틸옥시카르보닐기, tert-부틸옥시카르보닐기, n-펜틸옥시카르보닐기, 이소펜틸옥시카르보닐기, sec-펜틸옥시카르보닐기, tert-펜틸옥시카르보닐기, n-헥실옥시카르보닐기, n-헵틸옥시카르보닐기, n-옥틸옥시카르보닐기, 이소옥틸옥시카르보닐기, sec-옥틸옥시카르보닐기, tert-옥틸옥시카르보닐기, n-노닐옥시카르보닐기, 이소노닐옥시카르보닐기, n-데실옥시카르보닐기 및 이소데실옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.
Rc22가 페닐알킬기인 경우, 페닐알킬기의 탄소 원자수는 7~20이 바람직하고, 7~10이 보다 바람직하다. 또, Rc22가 나프틸알킬기인 경우, 나프틸알킬기의 탄소 원자수는 11~20이 바람직하고, 11~14가 보다 바람직하다. Rc22가 페닐알킬기인 경우의 구체예로는 벤질기, 2-페닐에틸기, 3-페닐프로필기 및 4-페닐부틸기를 들 수 있다. Rc22가 나프틸알킬기인 경우의 구체예로는 α-나프틸메틸기, β-나프틸메틸기, 2-(α-나프틸)에틸기 및 2-(β-나프틸)에틸기를 들 수 있다. Rc22가 페닐알킬기 또는 나프틸알킬기인 경우, Rc22는 페닐기 또는 나프틸기 상에 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.
Rc22가 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는 1 이상의 N, S, O를 포함하는 5원 또는 6원의 단환이든가, 이러한 단환끼리, 또는 이러한 단환과 벤젠환이 축합한 헤테로시클릴기이다. 헤테로시클릴기가 축합환인 경우는 고리 수 3까지의 것으로 한다. 헤테로시클릴기는 방향족기(헤테로아릴기)여도 비방향족기여도 된다. 이러한 헤테로시클릴기를 구성하는 복소환으로는 푸란, 티오펜, 피롤, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 티아디아졸, 이소티아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 벤조푸란, 벤조티오펜, 인돌, 이소인돌, 인돌리진, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 카르바졸, 푸린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 키나졸린, 프탈라진, 신놀린, 퀴녹살린, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 피페리딘, 테트라히드로피란 및 테트라히드로푸란 등을 들 수 있다. Rc22가 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.
Rc22가 헤테로시클릴카르보닐기인 경우, 헤테로시클릴카르보닐기에 포함되는 헤테로시클릴기는 Rc22가 헤테로시클릴기인 경우와 동일하다.
Rc22가 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기인 경우, 유기기의 적합한 예는 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 탄소 원자수 3~10의 시클로알킬기, 탄소 원자수 2~21의 포화 지방족 아실기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 7~20의 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 11~20의 나프틸알킬기 및 헤테로시클릴기 등을 들 수 있다. 이들 적합한 유기기의 구체예는 Rc22와 동일하다. 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기의 구체예로는 메틸아미노기, 에틸아미노기, 디에틸아미노기, n-프로필아미노기, 디-n-프로필아미노기, 이소프로필아미노기, n-부틸아미노기, 디-n-부틸아미노기, n-펜틸아미노기, n-헥실아미노기, n-헵틸아미노기, n-옥틸아미노기, n-노닐아미노기, n-데실아미노기, 페닐아미노기, 나프틸아미노기, 아세틸아미노기, 프로파노일아미노기, n-부타노일아미노기, n-펜타노일아미노기, n-헥사노일아미노기, n-헵타노일아미노기, n-옥타노일아미노기, n-데카노일아미노기, 벤조일아미노기, α-나프토일아미노기 및 β-나프토일아미노기 등을 들 수 있다.
Rc22에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우의 치환기로는 탄소 원자수 1~6의 알킬기, 탄소 원자수 1~6의 알콕시기, 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실기, 탄소 원자수 2~7의 알콕시카르보닐기, 탄소 원자수 2~7의 포화 지방족 아실옥시기, 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 모노알킬아미노기, 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 가지는 디알킬아미노기, 모르폴린-1-일기, 피페라진-1-일기, 할로겐, 니트로기 및 시아노기 등을 들 수 있다. Rc22에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 추가로 치환기를 가지는 경우, 그 치환기의 수는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 한정되지 않지만, 1~4가 바람직하다. Rc22에 포함되는, 페닐기, 나프틸기 및 헤테로시클릴기가 복수의 치환기를 가지는 경우, 복수의 치환기는 동일해도 상이해도 된다.
이상 설명한 기 중에서도, Rc22로는 니트로기, 또는 Rc27-CO-로 표시되는 기이면, 감도가 향상되는 경향이 있어 바람직하다. Rc27는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 여러 가지의 유기기로부터 선택할 수 있다. Rc27로서 적합한 기의 예로는 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기 및 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기를 들 수 있다. Rc27로서 이들 기 중에서는 2-메틸페닐기, 티오펜-2-일기 및 α-나프틸기가 특히 바람직하다.
또, Rc22가 수소 원자인 것도 바람직하다. Rc22가 수소 원자인 경우, Rc25가 후술의 식 (C10)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
식 (C8) 중, Rc23 및 Rc24는 각각 치환기를 가져도 되는 쇄상 알킬기, 치환기를 가져도 되는 환상 유기기 또는 수소 원자이다. Rc23와 Rc24는 서로 결합해 고리를 형성해도 된다. 이들 기 중에서는, Rc23 및 Rc24로서 치환기를 가져도 되는 쇄상 알킬기가 바람직하다. Rc23 및 Rc24가 치환기를 가져도 되는 쇄상 알킬기인 경우, 쇄상 알킬기는 직쇄 알킬기여도 분기쇄 알킬기여도 된다.
Rc23 및 Rc24가 치환기를 가지지 않는 쇄상 알킬기인 경우, 쇄상 알킬기의 탄소 원자수는 1~20이 바람직하고, 1~10이 보다 바람직하며, 1~6이 특히 바람직하다. Rc23 및 Rc24가 쇄상 알킬기인 경우의 구체예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, sec-옥틸기, tert-옥틸기, n-노닐기, 이소노닐기, n-데실기 및 이소데실기 등을 들 수 있다. 또, Rc23 및 Rc24가 알킬기인 경우, 알킬기는 탄소쇄 중에 에테르 결합(-O-)을 포함하고 있어도 된다. 탄소쇄 중에 에테르 결합을 가지는 알킬기의 예로는 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기, 프로필옥시에톡시에틸기 및 메톡시프로필기 등을 들 수 있다.
Rc23 및 Rc24가 치환기를 가지는 쇄상 알킬기인 경우, 쇄상 알킬기의 탄소 원자수는 1~20이 바람직하고, 1~10이 보다 바람직하며, 1~6이 특히 바람직하다. 이 경우, 치환기의 탄소 원자수는 쇄상 알킬기의 탄소 원자수에 포함되지 않는다. 치환기를 가지는 쇄상 알킬기는 직쇄상인 것이 바람직하다.
알킬기가 가져도 되는 치환기는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 치환기의 적합한 예로는 시아노기, 할로겐 원자, 환상 유기기 및 알콕시카르보닐기를 들 수 있다. 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다. 이들 중에서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자가 바람직하다. 환상 유기기로는 시클로알킬기, 방향족 탄화수소기, 헤테로시클릴기를 들 수 있다. 시클로알킬기의 구체예로는 Rc22가 시클로알킬기인 경우의 적합한 예와 동일하다. 방향족 탄화수소기의 구체예로는 페닐기, 나프틸기, 비페닐릴기, 안트릴기 및 페난트릴기 등을 들 수 있다. 헤테로시클릴기의 구체예로는 Rc22가 헤테로시클릴기인 경우의 적합한 예와 동일하다. Rc22가 알콕시카르보닐기인 경우, 알콕시카르보닐기에 포함되는 알콕시기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 되고, 직쇄상이 바람직하다. 알콕시카르보닐기에 포함되는 알콕시기의 탄소 원자수는 1~10이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하다.
쇄상 알킬기가 치환기를 가지는 경우, 치환기의 수는 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 치환기의 수는 쇄상 알킬기의 탄소 원자수에 따라 달라진다. 치환기의 수는 전형적으로는 1~20이며, 1~10이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하다.
Rc23 및 Rc24가 환상 유기기인 경우 환상 유기기는 지환식기여도 방향족기여도 된다. 환상 유기기로는 지방족 환상 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 헤테로시클릴기를 들 수 있다. Rc23 및 Rc24가 환상 유기기인 경우에, 환상 유기기가 가져도 되는 치환기는 Rc23 및 Rc24가 쇄상 알킬기인 경우와 동일하다.
Rc23 및 Rc24가 방향족 탄화수소기인 경우, 방향족 탄화수소기는 페닐기이든가, 복수의 벤젠환이 탄소-탄소 결합을 통해서 결합해 형성되는 기이든가, 복수의 벤젠환이 축합해 형성되는 기인 것이 바람직하다. 방향족 탄화수소기가 페닐기이든가, 복수의 벤젠환이 결합 또는 축합해 형성되는 기인 경우, 방향족 탄화수소기에 포함되는 벤젠환의 고리 수는 특별히 한정되지 않고, 3 이하가 바람직하고, 2 이하가 보다 바람직하며, 1이 특히 바람직하다. 방향족 탄화수소기의 바람직한 구체예로는 페닐기, 나프틸기, 비페닐릴기, 안트릴기 및 페난트릴기 등을 들 수 있다.
Rc23 및 Rc24가 지방족 환상 탄화수소기인 경우, 지방족 환상 탄화수소기는 단환식이어도 다환식이어도 된다. 지방족 환상 탄화수소기의 탄소 원자수는 특별히 한정되지 않지만, 3~20이 바람직하고, 3~10이 보다 바람직하다. 단환식의 환상 탄화수소기의 예로는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보닐기, 트리시클로노닐기, 트리시클로데실기, 테트라시클로도데실기 및 아다만틸기 등을 들 수 있다.
Rc23 및 Rc24가 헤테로시클릴기인 경우, 헤테로시클릴기는 1 이상의 N, S, O를 포함하는 5원 또는 6원의 단환이든가, 이러한 단환끼리, 또는 이러한 단환과 벤젠환이 축합한 헤테로시클릴기이다. 헤테로시클릴기가 축합환인 경우는 고리 수 3까지의 것으로 한다. 헤테로시클릴기는 방향족기(헤테로아릴기)여도, 비방향족기여도 된다. 이러한 헤테로시클릴기를 구성하는 복소환으로는 푸란, 티오펜, 피롤, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 티아디아졸, 이소티아졸, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 벤조푸란, 벤조티오펜, 인돌, 이소인돌, 인돌리진, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 카르바졸, 푸린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 키나졸린, 프탈라진, 신놀린, 퀴녹살린, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 피페리딘, 테트라히드로피란 및 테트라히드로푸란 등을 들 수 있다.
Rc23와 Rc24는 서로 결합해 고리를 형성해도 된다. Rc23와 Rc24가 형성하는 고리로 이루어진 기는 시클로알킬리덴기인 것이 바람직하다. Rc23와 Rc24가 결합해 시클로알킬리덴기를 형성하는 경우, 시클로알킬리덴기를 구성하는 고리는 5원환~6원환인 것이 바람직하고, 5원환인 것이 보다 바람직하다.
Rc23와 Rc24가 결합해 형성하는 기가 시클로알킬리덴기인 경우, 시클로알킬리덴기는 1 이상의 다른 고리와 축합하고 있어도 된다. 시클로알킬리덴기와 축합하고 있어도 되는 고리의 예로는 벤젠환, 나프탈렌환, 시클로부탄환, 시클로펜탄환, 시클로헥산환, 시클로헵탄환, 시클로옥탄환, 푸란환, 티오펜환, 피롤환, 피리딘환, 피라진환 및 피리미딘환 등을 들 수 있다.
이상 설명한 Rc23 및 Rc24 중에서도 적합한 기의 예로는 식 -Ac1-Ac2로 표시되는 기를 들 수 있다. 식 중, Ac1는 직쇄 알킬렌기이며, Ac2는 알콕시기, 시아노기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 환상 유기기 또는 알콕시카르보닐기인 것을 들 수 있다.
Ac1의 직쇄 알킬렌기의 탄소 원자수는 1~10이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하다. Ac2가 알콕시기인 경우, 알콕시기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 되고, 직쇄상이 바람직하다. 알콕시기의 탄소 원자수는 1~10이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하다. Ac2가 할로겐 원자인 경우, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 바람직하고, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자가 보다 바람직하다. Ac2가 할로겐화 알킬기인 경우, 할로겐화 알킬기에 포함되는 할로겐 원자는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자가 바람직하고, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자가 보다 바람직하다. 할로겐화 알킬기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 되고, 직쇄상이 바람직하다. Ac2가 환상 유기기인 경우, 환상 유기기의 예는 Rc23 및 Rc24가 치환기로서 가지는 환상 유기기와 동일하다. Ac2가 알콕시카르보닐기인 경우, 알콕시카르보닐기의 예는 Rc23 및 Rc24가 치환기로서 가지는 알콕시카르보닐기와 동일하다.
Rc23 및 Rc24의 적합한 구체예로는 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기, n-헵틸기 및 n-옥틸기 등의 알킬기; 2-메톡시에틸기, 3-메톡시-n-프로필기, 4-메톡시-n-부틸기, 5-메톡시-n-펜틸기, 6-메톡시-n-헥실기, 7-메톡시-n-헵틸기, 8-메톡시-n-옥틸기, 2-에톡시에틸기, 3-에톡시-n-프로필기, 4-에톡시-n-부틸기, 5-에톡시-n-펜틸기, 6-에톡시-n-헥실기, 7-에톡시-n-헵틸기 및 8-에톡시-n-옥틸기 등의 알콕시알킬기; 2-시아노에틸기, 3-시아노-n-프로필기, 4-시아노-n-부틸기, 5-시아노-n-펜틸기, 6-시아노-n-헥실기, 7-시아노-n-헵틸기 및 8-시아노-n-옥틸기 등의 시아노알킬기; 2-페닐에틸기, 3-페닐-n-프로필기, 4-페닐-n-부틸기, 5-페닐-n-펜틸기, 6-페닐-n-헥실기, 7-페닐-n-헵틸기 및 8-페닐-n-옥틸기 등의 페닐알킬기; 2-시클로헥실에틸기, 3-시클로헥실-n-프로필기, 4-시클로헥실-n-부틸기, 5-시클로헥실-n-펜틸기, 6-시클로헥실-n-헥실기, 7-시클로헥실-n-헵틸기, 8-시클로헥실-n-옥틸기, 2-시클로펜틸에틸기, 3-시클로펜틸-n-프로필기, 4-시클로펜틸-n-부틸기, 5-시클로펜틸-n-펜틸기, 6-시클로펜틸-n-헥실기, 7-시클로펜틸-n-헵틸기 및 8-시클로펜틸-n-옥틸기 등의 시클로알킬알킬기; 2-메톡시카르보닐에틸기, 3-메톡시카르보닐-n-프로필기, 4-메톡시카르보닐-n-부틸기, 5-메톡시카르보닐-n-펜틸기, 6-메톡시카르보닐-n-헥실기, 7-메톡시카르보닐-n-헵틸기, 8-메톡시카르보닐-n-옥틸기, 2-에톡시카르보닐에틸기, 3-에톡시카르보닐-n-프로필기, 4-에톡시카르보닐-n-부틸기, 5-에톡시카르보닐-n-펜틸기, 6-에톡시카르보닐-n-헥실기, 7-에톡시카르보닐-n-헵틸기 및 8-에톡시카르보닐-n-옥틸기 등의 알콕시카르보닐알킬기; 2-클로르에틸기, 3-클로르-n-프로필기, 4-클로르-n-부틸기, 5-클로르-n-펜틸기, 6-클로르-n-헥실기, 7-클로르-n-헵틸기, 8-클로르-n-옥틸기, 2-브로모에틸기, 3-브로모-n-프로필기, 4-브로모-n-부틸기, 5-브로모-n-펜틸기, 6-브로모-n-헥실기, 7-브로모-n-헵틸기, 8-브로모-n-옥틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 및 3,3,4,4,5,5,5-헵타플루오로-n-펜틸기 등의 할로겐화 알킬기를 들 수 있다.
Rc23 및 Rc24로서 상기 중에서도 적합한 기는 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, 2-메톡시에틸기, 2-시아노에틸기, 2-페닐에틸기, 2-시클로헥실에틸기, 2-메톡시카르보닐에틸기, 2-클로로에틸기, 2-브로모에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 및 3,3,4,4,5,5,5-헵타플루오로-n-펜틸기이다.
Rc25의 적합한 유기기의 예로는 Rc22와 마찬가지로 알킬기, 알콕시기, 시클로알킬기, 시클로알콕시기, 포화 지방족 아실기, 알콕시카르보닐기, 포화 지방족 아실옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 페녹시기, 치환기를 가져도 되는 벤조일기, 치환기를 가져도 되는 페녹시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 벤조일옥시기, 치환기를 가져도 되는 페닐알킬기, 치환기를 가져도 되는 나프틸기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시기, 치환기를 가져도 되는 나프토일기, 치환기를 가져도 되는 나프톡시카르보닐기, 치환기를 가져도 되는 나프토일옥시기, 치환기를 가져도 되는 나프틸알킬기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴기, 치환기를 가져도 되는 헤테로시클릴카르보닐기, 1 또는 2의 유기기로 치환된 아미노기, 모르폴린-1-일기 및 피페라진-1-일기 등을 들 수 있다. 이들 기의 구체예는 Rc22에 대해 설명한 것과 동일하다. 또, Rc25로는 시클로알킬알킬기, 방향환 상에 치환기를 가지고 있어도 되는 페녹시알킬기, 방향환 상에 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐티오알킬기도 바람직하다. 페녹시알킬기 및 페닐티오알킬기가 가지고 있어도 되는 치환기는 Rc22에 포함되는 페닐기가 가지고 있어도 되는 치환기와 동일하다.
유기기 중에서도 Rc25로는 알킬기, 시클로알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기 또는 시클로알킬알킬기, 방향환 상에 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐티오알킬기가 바람직하다. 알킬기로는 탄소 원자수 1~20의 알킬기가 바람직하고, 탄소 원자수 1~8의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소 원자수 1~4의 알킬기가 특히 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다. 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기 중에서는 메틸페닐기가 바람직하고, 2-메틸페닐기가 보다 바람직하다. 시클로알킬알킬기에 포함되는 시클로알킬기의 탄소 원자수는 5~10이 바람직하고, 5~8이 보다 바람직하며, 5 또는 6이 특히 바람직하다. 시클로알킬알킬기에 포함되는 알킬렌기의 탄소 원자수는 1~8이 바람직하고, 1~4가 보다 바람직하며, 2가 특히 바람직하다. 시클로알킬알킬기 중에서는 시클로펜틸에틸기가 바람직하다. 방향환 상에 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐티오알킬기에 포함되는 알킬렌기의 탄소 원자수는 1~8이 바람직하고, 1~4가 보다 바람직하며, 2가 특히 바람직하다. 방향환 상에 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐티오알킬기 중에서는 2-(4-클로로페닐티오)에틸기가 바람직하다.
또, Rc25로는 -Ac3-CO-O-Ac4로 표시되는 기도 바람직하다. Ac3는 2가의 유기기이며, 2가의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 알킬렌기인 것이 바람직하다. Ac4는 1가의 유기기이며, 1가의 탄화수소기인 것이 바람직하다.
Ac3가 알킬렌기인 경우 알킬렌기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 되고, 직쇄상이 바람직하다. Ac3가 알킬렌기인 경우, 알킬렌기의 탄소 원자수는 1~10이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~4가 특히 바람직하다.
Ac4의 적합한 예로는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 7~20의 아랄킬기 및 탄소 원자수 6~20의 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. Ac4의 적합한 구체예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, 페닐기, 나프틸기, 벤질기, 페네틸기, α-나프틸메틸기 및 β-나프틸메틸기 등을 들 수 있다.
-Ac3-CO-O-Ac4로 표시되는 기의 적합한 구체예로는 2-메톡시카르보닐에틸기, 2-에톡시카르보닐에틸기, 2-n-프로필옥시카르보닐에틸기, 2-n-부틸옥시카르보닐에틸기, 2-n-펜틸옥시카르보닐에틸기, 2-n-헥실옥시카르보닐에틸기, 2-벤질옥시카르보닐에틸기, 2-페녹시카르보닐에틸기, 3-메톡시카르보닐-n-프로필기, 3-에톡시카르보닐-n-프로필기, 3-n-프로필옥시카르보닐-n-프로필기, 3-n-부틸옥시카르보닐-n-프로필기, 3-n-펜틸옥시카르보닐-n-프로필기, 3-n-헥실옥시카르보닐-n-프로필기, 3-벤질옥시카르보닐-n-프로필기 및 3-페녹시카르보닐-n-프로필기 등을 들 수 있다.
이상, Rc25에 대해 설명했지만, Rc25로는 하기 식 (C9) 또는 (C10)으로 표시되는 기가 바람직하다.
[화 27]
Figure 112017129279114-pat00027
(식 (C9) 및 (C10) 중, Rc28 및 Rc29는 각각 유기기이고, m7는 0~4의 정수이며, Rc28 및 Rc29가 벤젠환 상의 인접하는 위치에 존재하는 경우, Rc28와 Rc29가 서로 결합해 고리를 형성해도 되고, m8는 1~8의 정수이며, m9는 1~5의 정수이고, m10는 0~(m9+3)의 정수이며, Rc30는 유기기이다.)
식 (C9) 중의 Rc28 및 Rc29에 대한 유기기의 예는 Rc22와 동일하다. Rc28로는 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다. Rc28가 알킬기인 경우, 그 탄소 원자수는 1~10이 바람직하고, 1~5가 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하고, 1이 가장 바람직하다. 즉, Rc28는 메틸기인 것이 가장 바람직하다. Rc28와 Rc29가 결합해 고리를 형성하는 경우, 상기 고리는 방향족환이어도 되고, 지방족환이어도 된다. 식 (C9)로 표시되는 기로서, Rc28와 Rc29가 고리를 형성하고 있는 기의 적합한 예로는 나프탈렌-1-일기나 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-5-일기 등을 들 수 있다. 상기 식 (C9) 중, m7는 0~4의 정수이며, 0 또는 1인 것이 바람직하고, 0인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (C10) 중, Rc30는 유기기이다. 유기기로는 Rc22에 대해 설명한 유기기와 동일한 기를 들 수 있다. 유기기 중에서는 알킬기가 바람직하다. 알킬기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 된다. 알킬기의 탄소 원자수는 1~10이 바람직하고, 1~5가 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다. Rc30로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기 등이 바람직하게 예시되고, 이들 중에서도 메틸기인 것이 보다 바람직하다.
상기 식 (C10) 중, m9는 1~5의 정수이며, 1~3의 정수가 바람직하고, 1 또는 2가 보다 바람직하다. 상기 식 (C10) 중, m10는 0~(m9+3)이고, 0~3의 정수가 바람직하며, 0~2의 정수가 보다 바람직하고, 0이 특히 바람직하다. 상기 식 (C10) 중, m8는 1~8의 정수이며, 1~5의 정수가 바람직하고, 1~3의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2가 특히 바람직하다.
식 (C8) 중, Rc26는 수소 원자, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1~11의 알킬기 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기이다. Rc26가 알킬기인 경우에 가져도 되는 치환기로는 페닐기, 나프틸기 등이 바람직하게 예시된다. 또, Rc26가 아릴기인 경우에 가져도 되는 치환기로는 탄소 원자수 1~5의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등이 바람직하게 예시된다.
식 (C8) 중, Rc26로는 수소 원자, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 페닐기, 벤질기, 메틸페닐기, 나프틸기 등이 바람직하게 예시되고, 이들 중에서도 메틸기 또는 페닐기가 보다 바람직하다.
식 (C8)로 표시되는 화합물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법으로 얻을 수 있다.
식 (C8)로 표시되는 화합물의 적합한 구체예로는 이하의 화합물 1~화합물 41을 들 수 있다.
[화 28]
Figure 112017129279114-pat00028
[화 29]
Figure 112017129279114-pat00029
규소 함유 수지 조성물 중의 경화제(C)는 상이한 분류 또는 종류의 경화제를 2종 이상 포함하고 있어도 된다.
규소 함유 수지 조성물 중의 경화제(C)의 함유량은 전형적으로는 조성물 전체의 질량에 대해서 0.01~40 질량%가 바람직하고, 0.1~20 질량%가 보다 바람직하며, 1~10 질량%가 특히 바람직하다.
[니트록시 화합물(D)]
규소 함유 수지 조성물은 니트록시 화합물(D)을 포함하고 있어도 된다. 규소 함유 수지 조성물이 니트록시 화합물(D)을 포함하는 경우, 실리카 필름을 형성할 때의 소성 온도가 예를 들면, 250℃ 이하(예를 들면 200℃ 이상 250℃ 이하의 범위)의 낮은 온도여도 실리카 필름 중의 찌꺼기(실리카 필름 유래의 불순물)를 저감시킬 수 있으므로 바람직하다. 실리카 필름 중의 찌꺼기가 적으면 실리카 필름이 고온 분위기나 감압 분위기에 있는 경우에도 실리카 필름으로부터의, 필름 중의 찌꺼기 그 자체나 필름 중의 찌꺼기의 분해물에 유래하는 가스 발생이 억제된다.
니트록시 화합물(D)로는 니트록시드 라디칼로서 안정하게 존재할 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 니트록시 화합물(D)의 적합한 예로는 다음 식 (d1)로 표시되는 구조를 포함하는 화합물을 들 수 있다.
[화 30]
Figure 112017129279114-pat00030
식 (d1) 중, Rd1, Rd2, Rd3 및 Rd4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~10의 유기기이다. Rd1와 Rd2는 서로 결합해 고리를 형성해도 된다. 또, Rd3와 Rd4는 서로 결합해 고리를 형성해도 된다.
규소 함유 수지 조성물이 니트록시 화합물(D)로서 상기 식 (d1)로 표시되는 구조를 포함하는 화합물을 함유하면, 실리카 필름을 형성할 때의 소성 온도가 낮은 온도여도 실리카 필름 중의 찌꺼기를 저감시키기 쉽다.
식 (c1)에 있어서, Rc1, Rc2, Rc3 및 Rc4는 각각 독립적으로 알킬기 또는 헤테로 원자로 치환된 알킬기인 것이 바람직하다. 알킬기로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기 및 이소프로필기가 바람직하다. 헤테로 원자의 적합한 예로는 할로겐 원자, 산소 원자, 유황 원자 및 질소 원자 등을 들 수 있다.
(D) 니트록시 화합물의 적합한 구체예로는 예를 들면, 디-tert-부틸니트록시드, 디-1,1-디메틸프로필니트록시드, 디-1,2-디메틸프로필니트록시드, 디-2,2-디메틸프로필니트록시드 및 하기 식 (d2), (d3) 또는 (d4)로 표시되는 화합물이 바람직하다.
그 중에서도, 낮은 온도에서의 소성으로도 실리카 필름 중의 찌꺼기를 저감시키기 쉽다는 점에서 하기 식 (d2), (d3) 또는 (d4)로 표시되는 화합물이 보다 바람직하다.
[화 31]
Figure 112017129279114-pat00031
식 (d2), (d3) 및 (d4) 중, Rd5는 수소 원자, 탄소 원자수 1~12의 알킬기, 수산기, 아미노기, 카르복시기, 시아노기, 헤테로 원자로 치환된 알킬기 또는 에테르 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 혹은 우레탄 결합을 통해서 결합한 1가의 유기기를 나타낸다.
Rd6는 2가 또는 3가의 유기기를 나타낸다.
n1 및 n2는 1≤n1+n2≤2를 만족시키는 정수이다.
n3 및 n4는 1≤n3+n4≤2를 만족시키는 정수이다.
n5 및 n6는 1≤n5+n6≤2를 만족시키는 정수이다.
n7는 2 또는 3이다.
식 (d2)로 표시되는 화합물의 적합한 구체예로는 하기의 화합물을 들 수 있다. 하기 식 중, Rd7는 각각 독립적으로 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 방향족기 또는 치환기를 가져도 되는 지환식기를 나타낸다.
[화 32]
Figure 112017129279114-pat00032
식 (d3)로 표시되는 화합물의 적합한 구체예로는 하기의 화합물을 들 수 있다.
[화 33]
Figure 112017129279114-pat00033
식 (d4)로 표시되는 화합물의 적합한 구체예로는 하기의 화합물을 들 수 있다.
[화 34]
Figure 112017129279114-pat00034
더욱 바람직한 니트록시 화합물(D)로는 낮은 온도에서의 소성으로도 특히 실리카 필름 중의 찌꺼기를 저감시키기 쉽다는 점으로부터, 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-히드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-아미노-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-카르복시 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-시아노-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-메타크릴산-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-아크릴산-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-요오드-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 3-카르복시-2,2,5,5-테트라메틸피로리진 1-옥실 프리라디칼, 4-아세트아미드-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-(2-클로로아세트아미드)-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-히드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실벤조에이트 프리라디칼, 4-이소티오시아네이트-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼, 4-(2-요오드아세트아미드)-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼 및 4-메톡시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실 프리라디칼을 들 수 있다.
니트록시 화합물(D)은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해 이용해도 된다.
규소 함유 수지 조성물의 니트록시 화합물(D)의 함유량은 미량이어도 된다. 규소 함유 수지 조성물 중의 니트록시 화합물(D)의 함유량은 낮은 온도에서의 소성으로도 실리카 필름 중의 찌꺼기를 저감시키기 쉽다는 점으로부터, 규소 함유 수지 조성물의 용제(S) 이외의 성분의 질량의 합계에 대해서, 0.005 질량% 이상이 바람직하고, 0.009 질량% 이상이 보다 바람직하다.
또, 규소 함유 수지 조성물 중의 (C) 니트록시 화합물의 함유량은 규소 함유 수지 조성물의 용제(S) 이외의 성분의 질량의 합계에 대해서 2 질량% 이하가 바람직하고, 1 질량% 이하가 보다 바람직하다.
[산화 방지제(E)]
또, 규소 함유 수지 조성물은 산화 방지제(E)를 포함하고 있어도 된다. 산화 방지제를 포함함으로써, 발광 특성의 저하를 억제할 수 있다.
산화 방지제는 인계, 유황계 및 페놀계 산화 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는 것이 바람직하다.
인계 산화 방지제의 종류는 특별히 한정되지 않고, 구체적으로는 3,9-비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페녹시)-2,4,8,10-테트라옥사-3,9-디포스파스피로[5.5]운데칸, 디이소데실펜타에리트리톨디포스파이트, 비스(2,4-디-t-부틸페닐)펜타에리트리톨디포스파이트, 2,2'-메틸렌비스(4,6-디-t-부틸-1-페닐옥시)(2-에틸헥실옥시)포스포러스, 6-[3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로폭시]-2,4,8,10-테트라-t-부틸디벤즈[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀, 트리페닐포스파이트, 디페닐이소데실포스파이트, 페닐디이소데실포스파이트, 4,4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-t-부틸페닐디트리데실)포스파이트, 옥타데실포스파이트, 트리스(노닐페닐)포스파이트, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 10-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 10-데실옥시-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 사이클릭네오펜탄테트라일비스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 사이클릭네오펜탄테트라일비스(2,6-디-t-부틸페닐)포스파이트, 2,2-메틸렌비스(4,6-디-t-부틸페닐)옥틸포스파이트, 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 테트라키스(2,4-디-t-부틸페닐)[1,1-비페닐]-4,4'-디일비스포스포네이트, 비스[2,4-비스(1,1-디메틸에틸)-6-메틸페닐]에틸에스테르 및 포스폰산 등을 들 수 있다.
인계 산화 방지제 가운데, 내열성 및 내열 변색 방지의 측면에서 2,2'-메틸렌비스(4,6-디-t-부틸-1-페닐옥시)(2-에틸헥실옥시)포스포러스, 3,9-비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페녹시)-2,4,8,10-테트라옥사-3,9-디포스파스피로[5.5]운데칸 및 6-[3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로폭시]-2,4,8,10-테트라-t-부틸디벤즈[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀 등이 바람직하다.
인계 산화 방지제의 시판품으로는 Irgafos 168(BASF사 제), Sumilizer GP(스미토모화학사 제) 등을 들 수 있다.
유황계 산화 방지제의 종류는 특별히 한정되지 않고, 구체적으로는 2,2-비스({[3-(도데실티오)프로피오닐]옥시}메틸)-1,3-프로판디일-비스[3-(도데실티오)프로피오네이트], 2-메르캅토벤즈이미다졸, 디라우릴-3,3'-티오디프로피오네이트, 디미리스틸-3,3'-티오디프로피오네이트, 디스테아릴-3,3'-티오디프로피오네이트, 펜타에리트리틸테트라키스(3-라우릴티오프로피오네이트), 2-메르캅토벤즈이미다졸 등을 들 수 있다.
유황계 산화 방지제 가운데, 내열성 및 내열 변색 방지의 측면에서 2,2-비스({3-(도데실티오)프로피오닐}옥시)메틸)-1,3-프로판디일-비스[3-(도데실티오)프로피오네이트], 2-메르캅토벤즈이미다졸 등이 바람직하다.
유황계 산화 방지제의 시판품으로는 Irganox 1035(BASF사 제) 등을 들 수 있다.
페놀계 산화 방지제의 종류는 특별히 한정되지 않고, 구체적으로는 3,9-비스[2-3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시-1,1-디메틸에톡시]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 펜타에리트리틸·테트라키스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3',5'-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 트리에틸렌글리콜-비스[3-(3-t-부틸-5-메틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 4,4'-티오비스(6-t-부틸-3-메틸페놀), 트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-3-히드록시-2,6-디메틸벤질)-이소시아누레이트, 1,6-헥산디올비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 2,2-티오-디에틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], N,N'-헥사메틸렌비스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시히드로신남아미드), 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 2,4-비스[(옥틸티오)메틸]-O-크레졸, 1,6-헥산디올비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 4,4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-t-부틸페닐)부탄, 1,3,5-트리스(4-히드록시벤질)벤젠 및 테트라키스[메틸렌-3-(3,5'-디-t-부틸-4'-히드록시페닐프로피오네이트)]메탄 등을 들 수 있다.
페놀계 산화 방지제 가운데, 내열성 및 내열 변색 방지의 측면에서 3,9-비스[2-3-(3-t-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)프로피오닐옥시-1,1-디메틸에톡시]-2,4,8,10-테트라옥사스피로[5.5]운데칸, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3',5'-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 펜타에리트리틸·테트라키스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 트리에틸렌글리콜-비스[3-(3-t-부틸-5-메틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 4,4'-티오비스(6-t-부틸-3-메틸페놀), 트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리스(4-t-부틸-3-히드록시-2,6-디메틸벤질)-이소시아누레이트, 1,6-헥산디올비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 2,2-티오-디에틸렌비스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], N,N'-헥사메틸렌비스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시히드로신남아미드), 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠 및 2,4-비스[(옥틸티오)메틸]-O-크레졸 등이 바람직하다.
페놀계 산화 방지제의 시판품으로는 Irganox 1010(BASF사 제), ADK STAB AO-80(ADEKA사 제) 등을 들 수 있다.
산화 방지제의 함유량은 규소 함유 수지 조성물의 고형분 총중량 중, 예를 들면 0.01~30 질량%이고, 바람직하게는 0.1~10 질량%이며, 보다 바람직하게는 0.5~8 질량%이고, 더욱 바람직하게는 1~5 질량%이다. 상기 범위 내로 함으로써, 발광 특성의 저하를 억제할 수 있어 베이크(하드베이크) 공정에서의 소광 현상을 억제할 수 있다. 또, 규소 함유 수지 조성물을 이용해 인쇄법 등에 의해 패터닝하는 경우에, 형성된 패턴의 박리를 억제할 수 있다.
[용제(S)]
규소 함유 수지 조성물은 용제(S)를 함유한다. 용제(S)는 다음 식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트를 함유한다. 규소 함유 수지 조성물이 규소 함유 수지(A)와 함께 다음 식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트를 함유하는 용제(S)를 포함함으로써, 규소 함유 수지 조성물을 이용해 형성되는 규소 함유 수지 필름이나 실리카 필름에 있어서의 크랙의 발생을 억제하기 쉽다.
[화 35]
Figure 112017129279114-pat00035
(식 (S1) 중, Rs1는 탄소 원자수 1~3의 알킬기이고, p는 1~6의 정수이며, q는 0~(p+1)의 정수이다.)
식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트의 구체예로는 시클로프로필아세테이트, 시클로부틸아세테이트, 시클로펜틸아세테이트, 시클로헥실아세테이트, 시클로헵틸아세테이트 및 시클로옥틸아세테이트를 들 수 있다.
이들 중에서는 입수가 용이하고, 규소 함유 수지 필름이나 실리카 필름에 있어서의 크랙의 발생을 억제하기 쉽다는 점으로부터, 시클로옥틸아세테이트가 바람직하다.
용제(S)는 식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트를 2종 이상 조합하여 포함하고 있어도 된다.
용제(S) 중의 식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 용제(S) 중의 식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트의 함유량은 전형적으로는 예를 들면, 30 질량% 이상이며, 50 질량% 이상이 바람직하고, 70 질량% 이상이 보다 바람직하며, 90 질량% 이상이 특히 바람직하고, 100 질량%이어도 된다.
용제(S)가 식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트 이외의 용제를 포함하는 경우, 식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트 이외의 용제의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다.
용제(S)가 포함할 수 있는 식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트 이외의 용제의 예로는
메탄올, 에탄올, 프로판올, n-부탄올 등의 알코올류;
에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류;
아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸-n-아밀케톤, 메틸이소아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류;
γ-부티로락톤 등의 락톤환 함유 유기용매;
에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 가지는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 가지는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 가지는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체;
디옥산과 같은 환식 에테르류나, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 메톡시프로피온산 메틸, 에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르류;
아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 아밀벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기용제;
N,N,N',N'-테트라메틸우레아, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디에틸포름아미드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈 등의 질소 함유 유기용매;
를 들 수 있다. 이들 용제는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트 이외의 용제의 용제(S) 전체에 있어서의 비율은 예를 들면, 70 질량% 이하로 적절히 설정하면 되고, 0.01~55 질량%가 바람직하며, 1~50 질량%가 보다 바람직하다.
식 (S1)로 표시되는 시클로알킬아세테이트 이외의 용제 중에서는 프로필렌 글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), N,N,N',N'-테트라메틸우레아 및 부탄올이 바람직하다.
규소 함유 수지 조성물이 규소 함유 수지(A)로서 폴리실란을 포함하는 경우, 크랙을 억제하는 점 또는 유전율이 낮은 실리카 필름을 형성하기 쉽다는 점에서, 규소 함유 수지 조성물의 수분량은 1.0 질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.5 질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.3 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.3 질량% 미만인 것이 특히 바람직하다. 또한, 용매 중의 수분량은 칼 피셔 측정법에 의해 측정할 수 있다.
규소 함유 수지 조성물의 수분은 용제(S)에 유래하는 경우가 많다. 이 때문에, 규소 함유 수지 조성물의 수분량이 상기의 양이 되도록 용제(S)가 탈수되어 있는 것이 바람직하다.
용제(S)의 사용량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 제막성의 점으로부터, 용제(S)는 규소 함유 수지 조성물의 고형분 농도가 바람직하게는 1~50 질량%, 보다 바람직하게는 10~40 질량%가 되도록 이용된다.
[그 외의 성분]
규소 함유 수지 조성물은 규소 함유 수지(A) 및 용제(S) 이외에, 종래부터 여러 가지의 용도에 사용되고 있는 규소 함유 수지 조성물에 첨가되고 있는 여러 가지의 성분을 포함하고 있어도 된다.
그 외의 성분의 예로는 광중합 개시제, 산 발생제, 염기 발생제, 촉매, 실란 커플링제, 밀착 증강제, 분산제, 계면활성제, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 소포제, 점도 조정제 및 착색제 등을 들 수 있다.
이들 성분은 각각 통상 사용되는 양에 따라서 규소 함유 수지 조성물에 배합된다.
<규소 함유 수지 조성물의 제조 방법>
규소 함유 수지 조성물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 전형적으로는 각각 소정량의 이상 설명한 성분을 균일하게 혼합해, 고형분을 용제(S)에 용해 및 분산시킴으로써 규소 함유 수지 조성물이 제조된다. 양자점(B)보다도 사이즈가 큰 불용물을 제거하기 위해 규소 함유 수지 조성물을 원하는 공경의 필터를 이용해 여과해도 된다.
<규소 함유 수지 필름 및 실리카 필름의 제조 방법>
이하, 전술한 규소 함유 수지 조성물을 이용하는 규소 함유 수지 필름의 제조 방법과 실리카 필름의 제조 방법에 대하여 설명한다.
[규소 함유 수지 필름의 제조 방법]
규소 함유 수지 필름을 제조하는 방법으로는
전술한 규소 함유 수지 조성물로 이루어진 도포막을 형성하는 것과,
도포막으로부터 용제(S)를 제거하는 것,
을 포함하는 방법을 들 수 있다.
도포막을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 스프레이법, 스핀 코트법, 롤 코트법, 침지법, 적하법 등의 방법에 의해 규소 함유 수지 조성물을 도포하여 기판 상에 도포막이 형성된다.
도포막의 막 두께는 특별히 한정되지 않는다. 전형적으로는 도포막의 막 두께는 예를 들면, 막 두께 2㎛ 이상, 바람직하게는 5㎛ 이상의 규소 함유 수지 필름이 형성되도록 조정된다.
또, 도포막의 막 두께는 바람직하게는 막 두께 2~300㎛, 보다 바람직하게는 30~200㎛, 더욱 바람직하게는 75~150㎛의 규소 함유 수지 필름이 형성되도록 조정된다. 규소 함유 수지 조성물의 고형분 농도나 임의 성분인 첨가제를 조정함으로써 5㎛ 이상, 나아가서는 30㎛ 이상의 막 두께의 필름을 형성할 수 있다.
예를 들면, 막 두께 2~300㎛ 정도의 두꺼운 규소 함유 수지 필름을 제조하는 경우, 도포막으로부터 용제(S)를 제거할 때에 필름에 크랙이 생기기 쉽다. 그러나, 규소 함유 수지 조성물이 전술한 소정의 용제(S)를 포함함으로써, 용제(S)를 제거할 때의 크랙의 발생이 억제된다.
도포막으로부터 용제(S)를 제거하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 전형적으로는 도포막을 용제(S)의 비점에 따른 적절한 온도에서 가열하거나 도포막을 진공 조건하에 두는 방법을 들 수 있다.
규소 함유 수지 필름은 적층체나 발광 표시 소자 패널 등에 있어서 여러 가지의 기능층 상에 직접 형성되어도 되고, 금속 기판이나 유리 기판 등의 임의의 재질의 기판 상에 형성한 후, 기판으로부터 박리시켜 사용되어도 된다.
[실리카 필름의 제조 방법]
실리카 필름을 제조하는 방법으로는
전술한 규소 함유 수지 조성물을 기판 상에 도포하여 도포막을 형성하는 공정과,
형성된 도포막을 소성하는 공정
을 포함하는 방법을 들 수 있다.
규소 함유 수지 조성물이 빛의 작용에 의해 분해해 염기를 발생시키는 경화제를 포함하는 경우, 노광하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 노광하는 공정은 소성하는 공정 대신에 또는 소성하는 공정과 함께 실시해도 된다. 또, 노광하는 공정에서는 예를 들면, 형성된 도포막을 선택적으로 노광해도 되고, 선택적 노광 공정을 포함하는 경우는 현상하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 또, 예를 들면, 형성된 도포막에 대해, 인프린트 리소그래피를 실시해도 된다. 인프린트 리소그래피를 실시하는 경우는 예를 들면;
규소 함유 수지 조성물을 기판 상에 도포하여 도포막을 형성하는 공정과,
소정의 패턴의 요철 구조가 형성된 몰드를 도포막에 대해 압압하는 공정과,
노광하는 공정을 포함하는 방법을 들 수 있다.
노광하는 공정은 몰드가 도포막에 압압된 상태로 규소 함유 수지 조성물로 이루어진 도포막에 대해서 실시된다. 노광에 의한 경화 후, 상기 몰드를 박리함으로써, 몰드의 형상에 따라 패터닝된 실리카 필름을 얻을 수 있다.
또한 패터닝된 실리카 필름은 인쇄법에 의해 형성되어도 된다. 인쇄법으로는 잉크젯법, 스크린 인쇄법 등을 들 수 있다. 인쇄법에 의해 규소 함유 수지 조성물을 패턴상으로 배치한 후 노광 및/또는 가열 혹은 소성함으로써 패터닝된 실리카 필름을 얻을 수 있다.
도포막은 규소 함유 수지 필름의 제조 방법과 동일하게 하여 형성된다.
도포막의 막 두께는 특별히 한정되지 않는다. 전형적으로는 도포막의 막 두께는 예를 들면, 막 두께 2㎛ 이상, 바람직하게는 5㎛ 이상의 규소 함유 수지 필름이 형성되도록 조정된다. 또, 도포막의 막 두께는 바람직하게는 막 두께 2~300㎛, 보다 바람직하게는 30~200㎛, 더욱 바람직하게는 75~150㎛의 규소 함유 수지 필름이 형성되도록 조정된다.
기판의 재질은 소성에 견딜 수 있는 재질이면 특별히 한정되지 않는다. 기판의 재질의 적합한 예로는 금속, 실리콘, 유리 등의 무기 재료나, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 등의 내열성의 재료를 들 수 있다. 기판의 두께는 특별히 한정되지 않고, 기판은 필름이나 시트여도 된다.
도포막을 구비하는 기판은, 다음에 소성된다. 소성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 전형적으로는 전기로 등을 이용해 소성이 실시된다. 소성 온도는 전형적으로는 300℃ 이상이 바람직하고, 350℃ 이상이 보다 바람직하다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1000℃ 이하이다. 규소 함유 수지 조성물이 경화제(C) 및/또는 니트록시 화합물(D)을 포함하는 경우, 소성 온도의 하한치를 200℃로 내려도 실리카 필름 중의 찌꺼기(실리카 필름 유래의 불순물)를 저감할 수 있다. 소성 분위기는 특별히 한정되지 않고, 질소 분위기 또는 아르곤 분위기 등의 불활성 가스 분위기하, 진공하 또는 감압하여도 된다. 대기하여도 되고, 산소 농도를 적당히 조절해도 된다.
이와 같이 하여 형성되는 실리카 필름은 크랙을 갖지 않고, 양호하게 분산된 양자점(B)을 포함한다.
이상 설명한 규소 함유 수지 필름 및 실리카 필름은 양호하게 분산된 양자점(B)을 포함하기 때문에, 발광 표시 소자용의 광학 필름으로서 적합하게 사용할 수 있고, 또 발광 표시 소자에 있어서 적합하게 이용되는 적층체의 제조에 적합하게 사용할 수 있다.
<적층체>
적층체는 전술한 규소 함유 수지 필름 및 전술한 실리카 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 필름을 포함하는 적층체이다. 이러한 적층체는 양자점을 함유하는 필름만으로 이루어진 적층체여도 되고, 양자점을 함유하는 필름과 다른 기능층으로 이루어진 적층체여도 된다.
[양자점을 함유하는 필름의 적층체]
적층체로는 예를 들면, 여러 가지의 매트릭스재 중에 분산된 양자점(B)을 포함하는 필름이 2층 이상 적층되고 있고, 전술한 규소 함유 수지 필름 및 전술한 실리카 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 필름을 포함하는 적층체를 들 수 있다.
이러한 적층체는 전술한 규소 함유 수지 필름 및/또는 전술한 실리카 필름만이 적층된 적층체여도 되고, 전술한 규소 함유 수지 필름 및/또는 전술한 실리카 필름과 규소 함유 수지 및 실리카 이외의 매트릭스재에 양자점(B)이 분산된 필름이 적층된 적층체여도 된다.
규소 함유 수지 및 실리카 이외의 매트릭스재로는 에폭시 수지, 아크릴 수지(예를 들면, 폴리메틸(메타)아크릴레이트 및 폴리부틸(메타)아크릴레이트 등), 노르보르넨 수지, 폴리올레핀(예를 들면, 폴리에틸렌), 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세테이트, 폴리우레아, 폴리우레탄, 폴리에스테르 수지(예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트), 폴리카보네이트 수지 등을 들 수 있다.
양자점을 함유하는 복수의 필름을 적층해 적층체를 제조하는 경우, 인접하는 필름의 굴절률이 서로 다른 것이 바람직하다. 또, 굴절률이 높은 고굴절률 필름과 굴절률이 낮은 저굴절률 필름이 번갈아 적층되는 것이 바람직하다.
이 경우, 인접하는 필름의 굴절률의 차이는 0.4~2.0인 것이 바람직하다.
굴절률이 상이한 복수의 층이 반복하여 적층되는 경우, 광원으로부터 입사 하는 광선이 적층체를 통과할 때에 광선의 굴절에 의한 발산에 의해 입사광의 이용 효율을 높이기 쉽다.
양자점을 함유하는 필름은 광원으로부터의 입사광을 파장 변환해 적색광을 생기게 하는 양자점과, 광원으로부터의 입사광을 파장 변환해 녹색광을 생기게 하는 양자점을 포함하는 것이 바람직하다.
또, 적색광을 생기게 하는 양자점을 포함하는 필름과 녹색광을 생기게 하는 양자점을 포함하는 필름을 번갈아 적층하는 것도 바람직하다.
이러한 구성의 적층체를 발광 표시 소자 패널에 적용함으로써, 파장 변환에 의해서 색 순도가 높은 녹색광과 적색광을 취출할 수 있기 때문에 발광 표시 소자 패널을 구비하는 발광 표시 장치의 색상의 재현 범위를 확대할 수 있다.
또한, 광원으로는 전형적으로는 청색광이나 백색광을 이용할 수 있다. 이러한 광원과 상기의 적층체를 조합하여 이용함으로써, 색 순도가 높은 적색광, 녹색광 및 청색광을 취출할 수 있어 양호한 색상의 선명한 화상을 표시할 수 있다.
발광 표시 장치로는 광원의 발광을 이용해 화상을 표시하는 장치이면 특별히 한정되지 않고, 액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치 등을 들 수 있다.
이상 설명한 적층체에서는 전술한 규소 함유 수지 필름 및 전술한 실리카 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 2 이상의 필름이, 각각이 접하도록 적층되어 있는 것이 바람직하다.
또, 적층체가 전술한 규소 함유 수지 필름 및 전술한 실리카 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 2 이상의 필름만으로 구성되는 것도 바람직하다.
규소 함유 수지나 실리카가 내광성, 내후성, 내용제성, 내화학 약품성, 투명성 및 절연성 등의 여러 가지가 뛰어난 특성을 가지기 때문이다.
[양자점을 함유하는 필름과 다른 기능층을 포함하는 적층체]
양자점을 함유하는 필름인 전술한 규소 함유 수지 필름 및 전술한 실리카 필름은 다른 기능층과 적층되는 것도 바람직하다.
이하, 전술한 규소 함유 수지 필름 및 전술한 실리카 필름에 대해서, 간단하게 「양자점 함유 필름」이라고 기재하는 경우가 있다.
양자점 함유 필름은 광원으로부터의 입사광을 파장 변환해 적색광을 생기게 하는 양자점과 광원으로부터의 입사광을 파장 변환해 녹색광을 생기게 하는 양자점을 포함하는 것이 바람직하다.
또, 광원으로는 전형적으로는 청색광이나 백색광을 이용할 수 있다.
다른 기능층으로는 광선을 확산시키는 확산층, 규소 함유 수지 필름 또는 실리카 필름보다도 낮은 굴절률을 가지는 저굴절률층, 광원으로부터 입사하는 빛의 일부를 반사시키는 반사층, 광원이 발하는 빛을 적층체에 입사시키는 도광판 등을 들 수 있다.
또, 필요에 따라서 적층체 내에 공극이 마련되어도 된다. 공극은 예를 들면, 공기의 층이나 질소 등의 불활성 가스의 층이어도 된다.
확산층으로는 종래 여러 가지의 표시 장치나 광학 장치에 이용되고 있는 여러 가지의 확산층을 특별한 제한없이 이용할 수 있다. 전형적인 예로는 표면에 프리즘 등의 미세 구조가 마련된 필름, 표면에 비즈가 산포 또는 매몰된 필름 및 미립자나 광선을 산란시키도록 구조화된 계면 또는 공극 등을 내부에 포함하는 필름을 들 수 있다.
저굴절률층은 전술한 규소 함유 수지 필름 및 전술한 실리카 필름보다도 낮은 굴절률을 가지는 필름이면 특별히 한정되지 않고, 여러 가지의 재질로 이루어진 필름을 이용할 수 있다.
반사층으로는 반사성의 편광 필름, 입사광 중 일부를 반사할 수 있도록 표면에 프리즘 등의 미세 구조가 마련된 필름, 금속박, 다층 광학 필름 등을 들 수 있다. 반사층은 입사광의 30% 이상을 반사시키는 것이 바람직하고, 40% 이상을 반사시키는 것이 보다 바람직하며, 50% 이상을 반사시키는 것이 특히 바람직하다.
반사층은 양자점 함유 필름을 통과한 빛을 반사하여 반사광을 재차 양자점 함유 필름에 입사시키도록 마련되는 것이 바람직하다. 반사층으로부터 양자점 함유 필름에 입사한 빛을 확산층 등에 의해 반사층의 방향으로 재차 반사시킴으로써, 반사층을 이용하지 않는 경우보다도 양자점 함유 필름으로부터 발해지는 녹색광 및 적색광의 색 순도를 높일 수 있다.
도광판으로는 종래 여러 가지의 표시 장치나 광학 장치에 이용되고 있는 여러 가지의 도광판을 특별히 제한없이 이용할 수 있다.
양자점 함유 필름과 다른 기능층을 포함하는 적층체가 바람직한 층 구성의 전형예로는 이하의 1)~8)의 층 구성을 들 수 있다. 또한, 1)~8)의 구성의 적층체에서는 가장 왼쪽에 기재된 층에 광원이 발하는 광선을 입사시키고, 가장 오른쪽에 기재된 층으로부터 양자점 함유 필름에 의해 파장 변환된 광선을 취출한다.
통상, 적층체로부터 취출된 광선을 입사시키도록 디스플레이 패널이 마련되어져, 색 순도가 높은 적색광, 녹색광 및 청색광을 이용해 화상의 표시가 행해진다.
1) 확산층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층
2) 도광판/확산층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층
3) 저굴절률층/양자점 함유 필름/공극/반사층
4) 도광판/저굴절률층/양자점 함유 필름/공극/반사층
5) 저굴절률층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층
6) 도광판/저굴절률층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층
7) 반사층/저굴절률층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층
8) 도광판/반사층/저굴절률층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층
또한, 이상 설명한 적층체에 있어서, 규소 함유 수지 필름 및 실리카 필름은 전술한 방법에 따라서 제조되는 것이 바람직하다.
<발광 표시 소자 패널 및 발광 표시 장치>
전술한 규소 함유 수지 필름, 또는 전술한 실리카 필름으로 이루어진 광학 필름이나 전술한 적층체는 여러 가지의 발광 표시 소자 패널에 장착되어져 광원이 발하는 광선으로부터 색 순도가 높은 적색광, 녹색광 및 청색광을 취출할 목적으로 바람직하게 사용된다.
여기에서는 전술한 규소 함유 수지 필름, 또는 전술한 실리카 필름으로 이루어진 광학 필름이나 전술한 적층체의 총칭에 대해 「양자점 시트」라고 기재한다.
발광 표시 소자 패널은 전형적으로는 광원인 백라이트와 양자점 시트와 디스플레이 패널을 조합하여 포함한다.
양자점 시트가 도광판을 구비하는 경우, 전형적으로는 도광판의 측면으로 광선을 입사시키도록 광원이 마련되다. 도광판의 측면에서 입사한 광선은 양자점 시트 내를 통과해 디스플레이 패널에 입사한다.
양자점 시트가 도광판을 구비하지 않는 경우, 면 광원으로부터 양자점 시트의 주면에 광선을 입사시켜 양자점 시트 내를 통과한 광선을 디스플레이 패널에 입사시킨다.
디스플레이 패널의 종류는 양자점 시트를 통과한 광선을 이용해 화상 형성 가능하면 특별히 한정되지 않지만, 전형적으로는 액정 디스플레이 패널이다.
광원이 발하는 광선으로부터 특히 색 순도가 높은 적색광, 녹색광 및 청색광을 취출하기 쉬운 점으로부터, 양자점 시트는 전술한 적층체인 것이 바람직하다.
양자점 시트가 적층체인 경우의, 발광 표시 소자 패널이 구비하는 구성의 바람직한 조합으로는 이하 a)~h)의 조합을 들 수 있다.
하기 a)~h)에 기재된 조합에 대해서, 가장 왼쪽에 기재된 구성으로부터 기재되어 있는 순서로 쌓아 올려 발광 표시 소자 패널이 형성된다.
a) 면 광원/확산층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층/디스플레이 패널
b) 광원 부착 도광판/확산층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층/디스플레이 패널
c) 면 광원/저굴절률층/양자점 함유 필름/공극/반사층/디스플레이 패널
d) 광원 부착 도광판/저굴절률층/양자점 함유 필름/공극/반사층/디스플레이 패널
e) 면 광원/저굴절률층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층/디스플레이 패널
f) 광원 부착 도광판/저굴절률층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층/디스플레이 패널
g) 면 광원/반사층/저굴절률층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층/디스플레이 패널
h) 광원 부착 도광판/반사층/저굴절률층/양자점 함유 필름/저굴절률층/반사층/디스플레이 패널
이상 설명한 발광 표시 소자 패널을 이용함으로써, 색상의 재현 범위가 넓고, 양호한 색상이며 선명한 화상을 표시 가능한 발광 표시 장치를 제조할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되지 않는다.
실시예 및 비교예에 있어서, 이하의 규소 함유 수지 A-1~A-6을 이용했다.
A-1: 폴리페닐실록산 수지(질량 평균 분자량: 1000)
A-2: 폴리디메틸실록산 수지(질량 평균 분자량: 1000)
A-3: -Si(CH3)(Ph)-로 표시되는 단위로 이루어진 폴리실란(질량 평균 분자량: 1000, Ph는 페닐기를 나타냄)
A-4: -Si(CH3)(Ph)-로 표시되는 단위로 이루어진 폴리실란(질량 평균 분자량: 13000, Ph는 페닐기를 나타냄)
A-5: A1를 50 질량%과 A3를 50 질량% 포함하는 혼합 수지
A-6: A3를 50 질량%과 A4를 50 질량% 포함하는 혼합 수지
실시예 및 비교예에 있어서, 이하의 양자점 B-1~B-5를 이용했다.
B-1 및 B-2에 대해서는 표 1에 기재된 종류의 용제 중에 농도 1 질량%로 양자점이 분산된 분산액으로서 이용했다.
B-3 및 B-4에 대해서는 표 1에 기재된 종류의 용제 중에 농도 3 질량%로 양자점이 분산된 분산액으로서 이용했다.
B-5에 대해서는 톨루엔 중에 농도 1 질량%로 양자점이 분산된 분산액으로서 이용했다.
B-1: CdSe로 이루어진 코어가 ZnS로 이루어진 쉘층으로 피복된 양자점(발광 극대: 520㎚)
B-2: CdSe로 이루어진 코어가 ZnS로 이루어진 쉘층으로 피복된 양자점(발광 극대: 630㎚)
B-3: InP로 이루어진 코어가 ZnS로 이루어진 쉘층으로 피복된 입자에 올레일아민이 배위한 양자점(발광 극대: 530㎚)
B-4: InP로 이루어진 코어가 ZnS로 이루어진 쉘층으로 피복된 입자에 올레일아민이 배위한 양자점(발광 극대: 620㎚)
B-5: CdSe로 이루어진 코어가 ZnS로 이루어진 쉘층으로 피복된 양자점(발광 극대: 520㎚)
실시예 및 비교예에 있어서, 이하의 용제 S-1~S-6을 이용했다.
S-1: 시클로헥실아세테이트
S-2: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
S-3: 3-메톡시부틸아세테이트
S-4: 이소프로판올
S-5: 에틸디글리콜아세테이트
[실시예 1~12 및 비교예 1~4]
각각 표 1에 기재된 종류 및 양(질량부)의 규소 함유 수지와 양자점과 용제를 균일하게 혼합해 각 실시예 및 비교예의 규소 함유 수지 조성물을 얻었다.
얻어진 규소 함유 수지 조성물을 이용하여 이하의 방법에 따라서 크랙 내성과 분산 안정의 시험을 실시했다. 이들 시험 결과를 표 1에 적는다.
(크랙 내성 평가)
샘플 기판 상에 표 1의 각 규소 함유 수지 조성물을 스핀 코터를 이용해 도포하여, 막 두께 5.0㎛의 실리카 필름계 피막을 형성 가능한 막 두께의 도포막을 형성했다. 도포막을 100℃에서 2분간 프리베이크한 후, 종형 베이크 로(TS8000MB, 도쿄오카고교 주식회사 제)를 이용하여 도포막을 350℃에서 30분간 소성하여 막 두께 5.0㎛의 실리카 필름을 얻었다. 형성된 실리카 필름의 표면을 광학 현미경을 이용하여 관찰해 크랙의 유무를 확인했다. 크랙이 확인되지 않았던 경우를 양호(○)로 판정하고, 크랙이 확인되었을 경우를 불량(×)으로 판정했다. 평가 결과를 표 1에 적는다.
(분산 안정성 평가)
얻어진 규소 함유 수지 조성물 중의 양자점의 평균 입자 지름을 HORIBA사 제 동적 광산란식 입도 분포 측정 장치 LB-500을 이용해 측정했다. 측정된 평균 입자 지름을 분산 입자 지름으로 했다. 분산 입자 지름이 작을수록 양자점이 응집하지 않고 분산성이 양호한 것을 의미한다. 분산성에 대해서, 분산 입자 지름이 8㎚ 이하인 경우를 양호(○)로 판정하고, 15㎚ 넘는 경우를 불량(×)으로 판정했다. 평가 결과를 표 1에 적는다.
Figure 112017129279114-pat00036
표 1에 의하면, 규소 함유 수지 조성물이 양자점과 함께 전술한 식 (S1)로 표시되는 구조의 용제를 포함하는 경우, 크랙의 발생이 억제되고, 양자점이 양호하게 분산된 필름을 제조할 수 있다는 것을 알 수 있다.
다른 한편, 규소 함유 수지 조성물이 양자점을 포함하지만 식 (S1)로 표시되는 구조의 용제를 포함하지 않는 경우, 제조되는 필름에 대해 크랙이 발생하기 쉽고, 또 양호하게 분산된 양자점을 포함하는 필름을 형성하기 어렵다는 것을 알 수 있다.

Claims (23)

  1. 규소 함유 수지(A)와 양자점(B)과 용제(S)를 함유하고,
    상기 규소 함유 수지(A)가 폴리실란을 포함하며,
    상기 폴리실란이 하기 식 (A11)∼(A13)로 표시되는 구성단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 구성단위를 포함하고,
    Figure 112022119215546-pat00038

    (상기 식 (A11)∼(A13) 중, Ra3 및 Ra4는 수소 원자, 탄화수소기 또는 실릴기를 나타낸다. a, b 및 c는 각각 2∼1000의 정수이다.)
    상기 양자점(B)이 코어 쉘 구조를 가지며,
    상기 양자점(B)의 함유량은 규소 함유 수지 조성물 전체의 질량에 대해서, 3 질량% 이상 10 질량% 미만이고,
    상기 용제(S)가 다음 식 (S1):
    [화 1]
    Figure 112022119215546-pat00037

    (식 (S1) 중, Rs1는 탄소 원자수 1~3의 알킬기이고, p는 1~6의 정수이며, q는 0~(p+1)의 정수이다.)
    로 표시되는 시클로알킬아세테이트를 함유하는 규소 함유 수지 조성물.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 쉘의 재질이 ZnS 및 ZnSe로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 규소 함유 수지 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    경화제(C)를 더 함유하는 규소 함유 수지 조성물.
  5. 청구항 1에 기재된 규소 함유 수지 조성물로 이루어진 도포막을 형성하는 것과,
    상기 도포막으로부터 용제(S)를 제거하는 것,
    을 포함하는 규소 함유 수지 필름의 제조 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 규소 함유 수지 필름의 막 두께가 2~300㎛인 규소 함유 수지 필름의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 기재된 규소 함유 수지 조성물로 이루어진 도포막을 형성하는 것과,
    상기 도포막을 소성하는 것,
    을 포함하는 실리카 필름의 제조 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 실리카 필름의 막 두께가 2~300㎛인 실리카 필름의 제조 방법.
  11. 폴리실란을 포함하는 규소 함유 수지(A)와 양자점(B)를 포함하는 규소 함유 수지 조성물의 소성물로서의 실리카로 이루어진 매트릭스 중에 양자점(B)이 분산되어 있는 실리카 필름으로서,
    상기 폴리실란이 하기 식 (A11)∼(A13)로 표시되는 구성단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 구성단위를 포함하고,
    Figure 112022119215546-pat00039

    (상기 식 (A11)∼(A13) 중, Ra3 및 Ra4는 수소 원자, 탄화수소기 또는 실릴기를 나타낸다. a, b 및 c는 각각 2∼1000의 정수이다.)
    상기 양자점(B)이 코어 쉘 구조를 가지고,
    상기 양자점(B)의 함유량은 규소 함유 수지 조성물 전체의 질량에 대해서, 3 질량% 이상 10 질량% 미만인, 실리카 필름.
  12. 삭제
  13. 청구항 11에 있어서,
    막 두께가 2~300㎛인 실리카 필름.
  14. 청구항 11에 기재된 실리카 필름으로 이루어진 발광 표시 소자용의 광학 필름.
  15. 1 이상의 청구항 11에 기재된 실리카 필름을 포함하는 적층체.
  16. 청구항 15에 있어서,
    2 이상의 상기 실리카 필름이, 각각이 접하도록 적층되어 있는 적층체.
  17. 청구항 14에 기재된 발광 표시 소자용의 광학 필름을 포함하는 발광 표시 소자 패널.
  18. 청구항 15에 기재된 적층체를 포함하는 발광 표시 소자 패널.
  19. 청구항 16에 기재된 적층체를 포함하는 발광 표시 소자 패널.
  20. 청구항 17에 기재된 발광 표시 소자 패널을 구비하는 발광 표시 장치.
  21. 청구항 18에 기재된 발광 표시 소자 패널을 구비하는 발광 표시 장치.
  22. 청구항 19에 기재된 발광 표시 소자 패널을 구비하는 발광 표시 장치.
  23. 규소 함유 수지 필름 및 실리카 필름으로부터 선택되는 1 이상의 필름을 포함하는 적층체의 제조 방법으로서,
    청구항 1에 기재된 규소 함유 수지 조성물로 이루어지는 도포막을 형성하는 것과, 상기 도포막으로부터 용제(S)를 제거하는 것을 포함하는 규소 함유 수지 필름의 제조 방법으로 상기 규소 함유 수지 필름을 제조하는 것, 및
    청구항 1에 기재된 규소 함유 수지 조성물로 이루어지는 도포막을 형성하는 것과, 상기 도포막을 소성하는 것을 포함하는 실리카 필름의 제조 방법으로 상기 실리카 필름을 제조하는 것,
    중 적어도 한쪽을 포함하는 적층체의 제조 방법.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102554285B1 (ko) * 2017-02-03 2023-07-10 동우 화인켐 주식회사 양자점 분산액, 자발광 감광성 수지 조성물, 컬러필터 및 화상표시장치
CN109535836B (zh) * 2018-10-16 2021-12-31 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点墨水及量子点彩膜
JP2020066727A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
CN112912462A (zh) * 2018-10-26 2021-06-04 住友化学株式会社 粒子、组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器
JP6549778B1 (ja) * 2018-10-26 2019-07-24 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
KR102391483B1 (ko) * 2018-11-23 2022-04-27 주식회사 엘지화학 전사용 적층 필름
JP7099355B2 (ja) * 2019-02-18 2022-07-12 信越化学工業株式会社 熱硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
KR20210025159A (ko) * 2019-08-26 2021-03-09 삼성디스플레이 주식회사 양자점 조성물, 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN110757975A (zh) * 2019-11-07 2020-02-07 洪泽双友玻璃制品有限公司 一种玻璃制品用不易檫除的印刷工艺
KR102394522B1 (ko) * 2020-06-23 2022-05-06 엔씨케이 주식회사 박막 봉지용 조성물
CN113999558B (zh) 2020-07-28 2022-06-07 台湾扬昕股份有限公司 量子点组合物、色彩转换膜及背光模块

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015217359A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 無機微粒子分散体の製造方法、無機微粒子分散体、塗膜、および積層体

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100619379B1 (ko) * 2003-06-27 2006-09-05 삼성전자주식회사 발광소자용 양자점 실리케이트 박막의 제조방법
KR100682928B1 (ko) 2005-02-03 2007-02-15 삼성전자주식회사 양자점 화합물을 포함하는 에너지 변환막 및 양자점 박막
GB2442505A (en) 2006-10-04 2008-04-09 Sharp Kk A display with a primary light source for illuminating a nanophosphor re-emission material
JP5083520B2 (ja) * 2007-07-17 2012-11-28 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物、液晶表示用スペーサーおよび液晶表示素子
CN101649114B (zh) * 2008-08-12 2012-02-29 中国科学院理化技术研究所 含纳米ZnO量子点的硅树脂复合材料及其制法和用途
JP2011123331A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ
JP5540519B2 (ja) * 2009-02-13 2014-07-02 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 カラーフィルタ用着色組成物及びカラーフィルタ
CN101906298B (zh) * 2010-08-13 2013-02-13 济南大学 一种含有表面等离子体荧光增强的纳米复合结构的薄膜及其制备方法
KR101463602B1 (ko) * 2012-07-03 2014-11-20 주식회사 엘엠에스 캡슐화된 양자점 및 이를 이용한 장치
CN103728837B (zh) * 2013-12-30 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 感光树脂组合物及用感光树脂组合物制备量子点图案的方法
KR20160004524A (ko) 2014-07-03 2016-01-13 한화첨단소재 주식회사 양자점 기반 나노구조체 및 이를 포함하는 광학필름
CN104388089B (zh) * 2014-11-04 2017-06-06 深圳Tcl新技术有限公司 一种杂化钙钛矿量子点材料的制备方法
CN105348550B (zh) * 2015-11-20 2018-07-06 西安交通大学 一种具有温敏特性的pdms薄膜的制备方法
JP6764782B2 (ja) * 2016-12-28 2020-10-07 東京応化工業株式会社 ポリシランの製造方法及びこれに用いる活性金属マグネシウム成分の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015217359A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 無機微粒子分散体の製造方法、無機微粒子分散体、塗膜、および積層体

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