JP2020068365A - 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ - Google Patents

Abstract

【課題】水蒸気に対する耐久性が高い、発光性の半導体材料を含む組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイの提供。【解決手段】（１）：発光性の半導体材料と（２）：−Ｒ３１ＳＨ基を有するシリコーンとを含み、前記（１）がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物である組成物（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである）。【選択図】図１

Description

本発明は、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイに関する。

近年、発光材料として、高い量子収率を有する発光性の半導体材料に対する関心が高まっている。一方、発光材料には安定性が求められており、発光性の半導体材料を含む組成物として、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシランで被覆されている発光性の半導体材料を含む組成物が報告されている（非特許文献１）。

Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１６， ２８， ｐ．１００８８−１００９４

しかしながら、上記非特許文献１に記載のような発光性の半導体材料を含む組成物は、必ずしも水蒸気に対する耐久性が十分ではない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、水蒸気に対する耐久性が高い、発光性の半導体材料を含む組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することを課題とする。

上記課題を解決するため、本発明は、以下の態様を有する。
［１］ 下記（１）と、下記（２）と、を含む組成物。
（１）：発光性の半導体材料
（２）：−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーン
（上記−Ｒ^３１ＳＨ基中、Ｒ^３１は置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基である。）
［２］ 前記（１）がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物である、［１］に記載の組成物。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
［３］ さらに下記（５）を含む［１］又は［２］に記載の組成物。
（５）：アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、下記式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び下記式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物又はイオン

（式（Ｘ１）中、Ｒ^１８〜Ｒ^２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ⁻はカウンターアニオンを表す。
式（Ｘ２）中、Ａ^１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２２は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ３）中、Ａ^２及びＡ^３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ４）中、Ａ^４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２５は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ５）中、Ａ^５〜Ａ^７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２６〜Ｒ^２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ６）中、Ａ^８〜Ａ^１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２９〜Ｒ^３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
Ｒ^１８〜Ｒ^３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）
［４］ さらに下記（３）、下記（４）、及び下記（４−１）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、［１］〜［３］のいずれか１に記載の組成物。
（３）：溶媒
（４）：重合性化合物
（４−１）：重合体
［５］ ［１］〜［４］のいずれか１に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
［６］ ［５］に記載のフィルムを含む積層構造体。
［７］ ［６］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［８］ ［６］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。

本発明によれば、水蒸気に対する耐久性が高い、発光性の半導体材料を含む組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することができる。

本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。

＜組成物＞
本実施形態の組成物に含まれる（１）の半導体材料は、発光性を有する。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ〜７５０ｎｍであってもよく、３００ｎｍ〜７００ｎｍであってもよい。

本実施形態の組成物は、下記（１）、及び下記（２）と、を含む。
（１）：発光性の半導体材料
（２）：−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーン

上記−Ｒ^３１ＳＨ基中、Ｒ^３１は置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基である。

本実施形態の組成物は（１）半導体材料と（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとを含む組成物であればよく、（１）半導体材料及び（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーン以外の成分をさらに含んでいてもよい。

本実施形態の組成物は、（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとを含み、さらに下記（３）、下記（４）、及び下記（４−１）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでいてもよい。
（３）：溶媒
（４）：重合性化合物
（４−１）：重合体

以下の説明においては、（３）溶媒、（４）重合性化合物、（４−１）重合体を総称して「分散媒」と称することがある。本実施形態の組成物は、これらの分散媒に分散していてもよい。

本明細書において「分散している」とは、（１）半導体材料が、分散媒に浮遊している状態、又は（１）半導体材料が、分散媒に懸濁している状態のことを指す。（１）半導体材料が分散媒に分散している場合、（１）半導体材料の一部は沈降していてもよい。

組成物において、組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、特に限定されるものではない。（１）半導体材料の分散性を向上させる観点、及び耐久性を向上させる観点から、組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、９９．９９質量％以下であることが好ましく、９９．９質量％以下であることがより好ましく、９９質量％以下であることがさらに好ましい。

また、耐久性を向上させる観点から、組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、０．１質量％以上であることが好ましく、１質量％以上であることがより好ましく、１０質量％以上であることがさらに好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましく、９０質量％以上であることがもっとも好ましい。

上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

上記上限値及び下限値の組み合わせの一例としては、０．１〜９９．９９質量％、１〜９９．９質量％、１〜９９質量％、１０〜９９質量％、２０〜９９質量％、５０〜９９質量％、９０〜９９質量％が挙げられる。

本実施形態の組成物は、さらに下記（５）を含んでいてもよい。なお、下記（５）の詳細については後述する。
（５）：アンモニウムイオン、アンモニウム塩、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、前記式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び前記式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種の化合物又はイオン

以下の説明では、上記（５）のことを「（５）表面修飾剤」と称する。

組成物において、組成物の総質量に対する（１）半導体材料の含有割合は、特に限定されるものではない。発光性の半導体材料を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、組成物の総質量に対する（１）半導体材料の含有割合は、５０質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．３質量％以下であることがさらに好ましい。また、良好な発光強度を得る観点から、組成物の総質量に対する（１）半導体材料の含有割合は、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。

上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

上記上限値及び下限値の組み合わせの一例としては、０．０００１〜５０質量％、０．０００５〜１質量％、０．００１〜０．３質量％が挙げられる。

組成物の総質量に対する（１）半導体材料の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）半導体材料の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。

組成物において、組成物の総質量に対する（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンの含有割合は、特に限定されるものではない。（１）半導体材料の分散性を向上させる観点、及び耐久性を向上させる観点から、組成物の総質量に対する（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンの含有割合は、３０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、７．５質量％以下であることがさらに好ましい。また、耐久性を向上させる観点から、組成物の総質量に対する（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンの含有割合は、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。

上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

上記上限値及び下限値の組み合わせの一例としては、０．００１〜３０質量％、０．００１〜１０質量％、０．１〜７．５質量％が挙げられる。

組成物の総質量に対する（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンの含有割合が上記範囲内である組成物は、耐久性の観点で好ましい。

組成物において、組成物の総質量に対する（５）表面修飾剤の含有割合は、特に限定されるものではない。耐久性向上の観点から、組成物の総質量に対する（５）表面修飾剤の含有割合は、３０質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることがさらに好ましい。また、熱耐久性を向上させる観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。

上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。

上記上限値及び下限値の組み合わせの一例としては、０．０００１〜３０質量％、０．００１〜１質量％、０．０１〜０．１質量％が挙げられる。

組成物の総質量に対する（５）表面修飾剤の含有割合が上記範囲内である組成物は、熱耐久性に優れる点で好ましい。

本実施形態の組成物は、上述の（１）〜（５）以外のその他の成分を有していてもよい。例えば、本実施形態の組成物は、若干の不純物、（１）半導体材料を構成する元素からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤をさらに含んでいてもよい。

本実施形態の組成物における、若干の不純物、（１）半導体材料を構成する元素からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤の合計含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。

以下、本実施形態の組成物に含まれる（１）半導体材料、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーン、（３）溶媒、（４）重合性化合物、（４−１）重合体、（５）表面修飾剤について説明を行う。

＜＜（１）半導体材料＞＞
本実施形態の組成物に含まれる（１）半導体材料としては、下記（ｉ）〜（ｖｉｉｉ）を挙げることができる。
（ｉ）ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｉｉ）ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｉｉｉ）ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｉｖ）ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｖ）ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｖｉ）ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｖｉｉ）遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体を含む半導体材料
（ｖｉｉｉ）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体材料

＜（ｉ）ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、周期表の第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体と、周期表の第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体とを挙げることができる。
なお、本明細書において、「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。

以下の説明では、第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ−１）」、第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ−２）」と称することがある。

化合物半導体（ｉ−１）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、又はＢａＴｅが挙げられる。

また、化合物半導体（ｉ−１）としては、
（ｉ−１−１）第２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−１−２）第２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−１−３）第２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

化合物半導体（ｉ−２）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、又はＨｇＴｅが挙げられる。

また、化合物半導体（ｉ−２）としては、
（ｉ−２−１）第１２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−２−２）第１２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ−２−３）第１２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第２族元素、第１２族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｉｉ）ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素と、第１５族元素とを含む。

ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｚｎ_３Ｐ_２、Ｚｎ_３Ａｓ_２、Ｃｄ_３Ｐ_２、Ｃｄ_３Ａｓ_２、Ｃｄ_３Ｎ_２、又はＺｎ_３Ｎ_２が挙げられる。

また、ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉ−１）第１２族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ−２）第１２族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ−３）第１２族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｉｉｉ）ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１５族元素とを含む。

ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、又はＢＮが挙げられる。

また、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉｉ−１）第１３族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉｉ−２）第１３族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉｉ−３）第１３族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｉｖ）ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１４族元素とを含む。

ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｂ_４Ｃ_３、Ａｌ_４Ｃ_３、Ｇａ_４Ｃ_３が挙げられる。

また、ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体としては、
（ｉｖ−１）第１３族元素を１種類、第１４族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ−２）第１３族元素を２種類、第１４族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ−３）第１３族元素を２種類、第１４族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１４族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｖ）ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１６族元素とを含む。

ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ａｌ_２Ｓ_３、Ａｌ_２Ｓｅ_３、Ａｌ_２Ｔｅ_３、Ｇａ_２Ｓ_３、Ｇａ_２Ｓｅ_３、Ｇａ_２Ｔｅ_３、ＧａＴｅ、Ｉｎ_２Ｓ_３、Ｉｎ_２Ｓｅ_３、Ｉｎ_２Ｔｅ_３、又はＩｎＴｅが挙げられる。

また、ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖ−１）第１３族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ−２）第１３族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ−３）第１３族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｖｉ）ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素と、第１６族元素とを含む。

ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、又はＳｎＴｅが挙げられる。

また、ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖｉ−１）第１４族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ−２）第１４族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ−３）第１４族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

＜（ｖｉｉ）遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体を含む半導体材料＞
遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、遷移金属元素と、ｐ−ブロック元素とを含む。「ｐ−ブロック元素」とは、周期表の第１３族から第１８族に属する元素である。

遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＮｉＳ、ＣｒＳが挙げられる。

また、遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体としては、
（ｖｉｉ−１）遷移金属元素を１種類、ｐ−ブロック元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉｉ−２）遷移金属元素を２種類、ｐ−ブロック元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉｉ−３）遷移金属元素を２種類、ｐ−ブロック元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。

遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、遷移金属元素、及びｐ−ブロック元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。

上述の三元系の化合物半導体や四元系の化合物半導体の具体例としては、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＣｕＩｎＳ_２、又はＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。

本実施形態の組成物においては、上述の化合物半導体の中でも、第１２族元素であるＣｄを含む化合物半導体、及び第１３族元素であるＩｎを含む化合物半導体が好ましい。また、本実施形態の組成物においては、上述の化合物半導体の中でも、ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体、及びＩｎとＰとを含む化合物半導体が好ましい。

ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＣｄＳｅが特に好ましい。

ＩｎとＰとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＩｎＰが特に好ましい。

＜（ｖｉｉｉ）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体材料＞
ペロブスカイト構造を有する化合物半導体は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する。以下の説明においては、ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を、単に「ペロブスカイト化合物」と称することがある。

Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。

Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元構造（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ_{（３＋δ）}で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ_２ＢＸ_{（４＋δ）}で表される。

ここで、δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、−０．７以上０．７以下である。例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、ペロブスカイト化合物が電気的に中性となるようにδを選択することができる。ペロブスカイト化合物が電気的に中性とは、ペロブスカイト化合物の電荷が０であることを意味する。

ペロブスカイト化合物は、Ｂを中心とし、頂点をＸとする八面体を含む。八面体は、ＢＸ_６で表される。
ペロブスカイト化合物が３次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ_６は、八面体（ＢＸ_６）において頂点に位置する１つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ_６）で共有することで、３次元ネットワークを構成する。

ペロブスカイト化合物が２次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ_６は、八面体（ＢＸ_６）において頂点に位置する２つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ_６）で共有することで八面体の稜線を共有し、２次元的に連なった層を構成する。ペロブスカイト化合物では、２次元的に連なったＢＸ_６からなる層と、Ａからなる層と、が交互に積層された構造を有する。

本明細書において、ペロブスカイト化合物の結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。

ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１２〜１８°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される。又は２θ＝１８〜２５°の位置に(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認される。

ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、２θ＝１３〜１６°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００１）に由来するピークが確認される、又は２θ＝２０〜２３°の位置に、(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認されることが好ましい。

ペロブスカイト化合物が２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１〜１０°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認される。また、２θ＝２〜８°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認されることが好ましい。

ペロブスカイト化合物は、３次元構造を有することが好ましい。

（構成成分Ａ）
ペロブスカイト化合物を構成するＡは、１価の陽イオンである。Ａとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。

（有機アンモニウムイオン）
Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。

式（Ａ３）中、Ｒ^６〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ^６〜Ｒ^９は、少なくとも１つがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ^６〜Ｒ^９の全てが同時に水素原子となることはない。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。

Ｒ^６〜Ｒ^９がアルキル基である場合、炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。

Ｒ^６〜Ｒ^９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。

ペロブスカイト化合物が、Ａとして上記式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンを含む場合、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数は少ないとよい。また、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数は小さいとよい。これにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。

式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましい。また、式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ^６〜Ｒ^９のうちの１つが炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ^６〜Ｒ^９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。

Ｒ^６〜Ｒ^９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。

Ｒ^６〜Ｒ^９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ^６〜Ｒ^９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられる。一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。

Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ_２Ｈ_５ＮＨ_３ ^＋（エチルアンモニウムイオンともいう。）又はＣ_３Ｈ_７ＮＨ_３ ^＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋又はＣ_２Ｈ_５ＮＨ_３ ^＋であることより好ましく、ＣＨ_３ＮＨ_３ ^＋であることがさらに好ましい。

Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ^１０Ｒ^１１Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ^１２Ｒ^１３）^＋・・・（Ａ４）

式（Ａ４）中、Ｒ^１０〜Ｒ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基と同じ基が挙げられる。
Ｒ^１０〜Ｒ^１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基と同じ基が挙げられる。

Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。

式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。

アミジニウムイオンにおいて、Ｒ^１０〜Ｒ^１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ^１０が炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ^１１〜Ｒ^１３が水素原子であることがより好ましい。

ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は３次元構造を有する。

ペロブスカイト化合物において、Ａが炭素原子数４以上の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数４以上のアミジニウムイオンである場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造及び擬似２次元（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）構造のいずれか一方または両方を有する。この場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造または疑似２次元構造を、結晶の一部または全体に有することができる。
２次元のペロブスカイト型結晶構造が複数積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．ＰＢｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８−９０７など）。

ペロブスカイト化合物中のＡは、セシウムイオン又はアミジニウムイオンが好ましい。

（構成成分Ｂ）
ペロブスカイト化合物を構成するＢは、１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、及びスズからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましく、鉛がさらに好ましい。

（構成成分Ｘ）
ペロブスカイト化合物を構成するＸは、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンであってよい。

ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオンを挙げることができる。Ｘは、臭化物イオン又はヨウ化物イオンを含むことが好ましく、臭化物イオンを含むことがより好ましく、臭化物イオン及びヨウ化物イオンを含むことがさらに好ましい。

Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。
Ｘは、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせであることが好ましい。

Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができる。

Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。

また、Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。

ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０〜７００ｎｍであり、５００〜６００ｎｍであることが好ましく、５２０〜５８０ｎｍであることがより好ましい。

Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。

また、Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。

ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０〜８００ｎｍであり、５３０〜７５０ｎｍであることが好ましく、５４０〜７３０ｎｍであることがより好ましい。

Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。

また、Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。

ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００〜６００ｎｍであり、３１０〜５８０ｎｍであることが好ましく、３３０〜５５０ｎｍであることがより好ましい。

（３次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
ＡＢＸ_{（３＋δ）}で表される３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＣｌ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＩ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＢｒ_３、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＣｌ_３、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＩ_３を挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃａ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｓｒ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｂａ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｄｙ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣｓＰｂＣｌ_３、ＣｓＰｂＩ_３、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ）}（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ａｌ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（３＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ_３ＮＨ_３Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｚｎ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｍｇ_ａＢｒ_３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（３−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。

上述した３次元構造のペロブスカイト化合物の中でも、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣｓＰｂＢｒ_{（３−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＢｒ_３がより好ましく、（Ｈ_２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ_２）ＰｂＢｒ_３がさらに好ましい。

（２次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＣｌ_４、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＩ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＣｌ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＩ_４、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）を挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ）}（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｎａ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｌｉ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｒｂ_ａＢｒ_{（４＋δ−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_４も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２ＰｂＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ_７Ｈ_１５ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｚｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｇ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｃｏ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ_４Ｈ_９ＮＨ_３）_２Ｐｂ_{（１−ａ）}Ｍｎ_ａＢｒ_{（４−ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。

（半導体材料の粒径）
組成物に含まれる、（１）半導体材料が粒子状である場合、粒子状の（１）半導体材料（以下、半導体粒子と称する）の平均粒径は、本発明の効果を有する限り、特に限定されない。半導体粒子の平均粒径は、良好に結晶構造を維持させることができるため、１ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

また、半導体粒子の平均粒径は、半導体材料が沈降しにくくなるため、また所望の発光特性を維持しやすくなるため、１０μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、「発光特性」とは、発光性の半導体粒子に励起光を照射して得られる変換光の量子収率、発光強度、色純度などの光学物性を指す。色純度は、変換光のスペクトルの半値幅で評価することができる。

半導体粒子の平均粒径の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
例えば、半導体粒子の平均粒径は、１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

本明細書において、半導体粒子の平均粒径は、例えば、透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう。）、又は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう。）により測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、半導体粒子を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。

半導体の粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、本発明の効果を有する限り、特に限定されない。良好に結晶構造を維持させることができるため、３ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子のメディアン径は、４ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

また、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、半導体材料が沈降しにくくなるため、また所望の発光特性を維持しやすくなるため、５μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子のメディアン径は、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
例えば、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、３ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、４ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

本明細書において、半導体粒子の粒度分布は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を観察し、最大フェレー径の分布から、メディアン径（Ｄ５０）を求めることができる。

本実施形態においては、上述の（１）半導体材料を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
＜（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーン＞
（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンは、シリコーンの主鎖に含まれるケイ素原子に−Ｒ^３１ＳＨ基が結合したシリコーンである。
上記−Ｒ^３１ＳＨ基中、Ｒ^３１は置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基である。
本明細書において、「シリコーン」とは、シロキサン結合を主鎖として有し、側鎖に有機基がつながった構造を有する化合物を意味する。

また、組成物が後述の（５）表面修飾剤を含む場合、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンは、（５）表面修飾剤に被覆された（１）半導体材料をコアとしてシェル構造を形成することが好ましい。具体的には、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンは、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆している（５）表面修飾剤の表面の少なくとも一部を被覆していることが好ましく、（５）表面修飾剤が被覆していない（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆していてもよい。

本実施形態において、（１）半導体材料又は（５）表面修飾剤の表面の少なくとも一部を被覆する（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンは、例えば、組成物をＳＥＭ、又はＴＥＭなどを用いて観察することによって被覆状態を確認することができる。さらに、ＳＥＭ、又はＴＥＭを用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）測定によって、詳細な元素分布を解析することができる。

（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとしては、例えば、下記の式（Ｂ）で表されるシリコーンであることが好ましい。

Ｒ^３１は、置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基である。Ｒ^３２は、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基であり、複数あるＲ^３２はそれぞれ同一であってもよいし、全て異なっていてもよいし、一部のみ同一であってもよい。ｍは特に制限はないが、好ましくは１０〜１０００００の整数である。ｎは特に制限はないが、好ましくは１〜１０００００の整数である。ｍ＋ｎは特に制限はないが、好ましくは１１〜２０００００ の整数である。

Ｒ^３１で表されるヒドロカルビレン基は、直鎖状、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ^３１で表されるヒドロカルビレン基は、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、アラルキレン基等が例として挙げられる。
Ｒ^３１で表されるヒドロカルビレン基の炭素原子数は、通常２０〜２０００００であり、１００〜１０００００であることが好ましく、１０００〜９００００であることがより好ましい。なお、炭素原子数は置換基の炭素原子数を含めた数である。
Ｒ^３１で表されるヒドロカルビレン基が有する置換基としては、炭化水素基、アミノ基、シアノ基、メルカプト基、ニトロ基、ハロゲノ基等が例として挙げられる。

Ｒ^３２で表されるヒドロカルビル基は、アルキル基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基が例として挙げられる。上記の中でもＲ^３２はアルキル基であることが好ましい。
Ｒ^３２で表されるヒドロカルビル基の炭素原子数は、特に制限はないが２０以下であることが好ましく、１０以下であることがより好ましい。なお、炭素原子数は置換基の炭素原子数を含めた数である。
Ｒ^３２で表されるヒドロカルビル基が有する置換基としては、炭化水素基、アミノ基、シアノ基、メルカプト基、ニトロ基、ハロゲノ基等が例として挙げられる。

Ｒ^３２のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、エチル基、プロピル基であることが好ましく、メチル基、エチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。

ｍは１０〜２００００であることが好ましく、１０〜１００００であることがより好ましい。ｎは１〜７００００であることが好ましく、１〜３００００であることがより好ましい。また、ｍ＋ｎは１００〜１０００００であることが好ましく、１０００〜１００００であることがより好ましい。

本実施形態においては、上述の（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンを１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜＜（５）表面修飾剤＞＞
（５）表面修飾剤は、アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種化合物又はイオンである。
中でも、表面修飾剤は、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン及びカルボキシレート塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を形成材料とすることが好ましく、アミン、及びカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンであることがより好ましい。

（５）表面修飾剤は、本実施形態の組成物中において、（１）半導体材料の表面に位置し、（１）半導体材料の表面修飾剤（キャッピング配位子ともいう）として作用する。より具体的には、（５）表面修飾剤は、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆していることが好ましい。（５）表面修飾剤が、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆することにより、（１）半導体材料の耐久性が向上する。

本実施形態において、（１）半導体材料の表面の少なくとも一部を被覆する（５）表面修飾剤は、例えば、組成物をＳＥＭ、又はＴＥＭなどを用いて観察することによって確認することができる。さらに、ＳＥＭ、又はＴＥＭを用いたＥＤＸ測定によって、詳細な元素分布を解析することができる。

＜アンモニウムイオン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩＞
表面修飾剤であるアンモニウムイオン及び第１級〜第４級アンモニウムカチオンは、下記式（Ａ１）で表される。表面修飾剤であるアンモニウム塩は、下記式（Ａ１）で表されるイオンを含む塩である。

式（Ａ１）で表されるイオンにおいて、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。

Ｒ^１〜Ｒ^４で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。

Ｒ^１〜Ｒ^４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ^１〜Ｒ^４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１〜Ｒ^４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ^１〜Ｒ^４は、炭素原子数８〜２０のアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^４のアルケニル基としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示した前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。

Ｒ^１〜Ｒ^４のアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。

式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンが塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無い。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。

式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ−オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。

＜アミン＞
表面修飾剤であるアミンとしては、下記式（Ａ１１）で表すことができる。

上記式（Ａ１１）において、Ｒ^１〜Ｒ^３は、上記式（Ａ１）が有するＲ^１〜Ｒ^３と同じ基を表す。ただし、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち少なくとも１つは１価の炭化水素基である。

表面修飾剤であるアミンとしては、第１級〜第３級アミンのいずれであってもよいが、第１級アミン及び第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。

表面修飾剤であるアミンとしては、オレイルアミンが好ましい。

＜カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩＞
表面修飾剤であるカルボキシレートイオンは、下記式（Ａ２）で表される。表面修飾剤であるカルボキシレート塩は、下記式（Ａ２）で表されるイオンを含む塩である。
Ｒ^５―ＣＯ_２ ⁻・・・（Ａ２）

表面修飾剤であるカルボン酸は、上記（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンにプロトン（Ｈ^＋）が結合したカルボン酸が挙げられる。

式（Ａ２）で表されるイオンにおいて、Ｒ^５は、一価の炭化水素基を表す。Ｒ^５で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。

Ｒ^５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^５で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。

Ｒ^５で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^５で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。

Ｒ^５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。

Ｒ^５のアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ^５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ^４において例示したアルケニル基が挙げられる。

式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。

カルボキレートアニオンが塩を形成する場合、カウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。

表面修飾剤であるカルボン酸としては、オレイン酸が好ましい。

＜式（Ｘ１）で表される化合物＞

式（Ｘ１）で表される化合物（塩）において、Ｒ^１８〜Ｒ^２１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基は、置換基としてアルキル基を有することが好ましい。Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基の炭素原子数は、通常６〜３０であり、６〜２０であることが好ましく、６〜１０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表される基は、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基の具体例としては、フェニル基、ベンジル基、トリル基、ｏ−キシリル基等が挙げられる。

Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子で置換した化合物の化学的安定性が高いため、置換するハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ１）で表される化合物において、Ｍ⁻はカウンターアニオンを表す。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。

式（Ｘ１）で表される化合物の具体例としては、テトラエチルホスホニウムクロリド、テトラエチルホスホニウムブロミド、テトラエチルホスホニウムヨージド；テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムヨージド：テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムヨージド；テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムクロリド、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムヨージド；トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド；トリブチルドデシルホスホニウムブロミド；トリブチルヘキサデシルホスホニウムクロリド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムヨージドが挙げられる。

組成物の耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ１）で表される化合物としてはトリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミドが好ましく、トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミドがより好ましい。

＜式（Ｘ２）で表される化合物、式（Ｘ２）で表される化合物の塩＞

式（Ｘ２）で表される化合物において、Ａ^１は単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ２）で表される化合物において、Ｒ^２２は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。

Ｒ^２２で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２２で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２２で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２２で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２２で表される基は、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２２で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２２で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２２で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２２で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ２−１）で表される。

式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２−１）の対となる陽イオン性基としては、例えば、アンモニウム塩が挙げられる。

式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２−１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、特に制限は無いがＮａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋等の一価のイオンが挙げられる。

式（Ｘ２）で表される化合物、及び式（Ｘ２）で表される化合物の塩としては、りん酸フェニル、りん酸フェニル二ナトリウム水和物、１−ナフチルりん酸二ナトリウム水和物、１−ナフチルりん酸一ナトリウム一水和物、ラウリルリン酸、ラウリルリン酸ナトリウム、オレイルリン酸、ベンズヒドリルホスホン酸、デシルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、ベンゼンホスホン酸、フェニルホスホン酸二ナトリウム水和物、フェネチルホスホン酸、プロピルホスホン酸、ウンデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、シンナミルホスホン酸、１−ヘキサンスルホン酸ナトリウムが挙げられる。

組成物の耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ２）で表される化合物としては、オレイルリン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、がより好ましく、オクタデシルホスホン酸がさらに好ましい。

＜式（Ｘ３）で表される化合物、式（３）で表される化合物の塩＞

式（Ｘ３）で表される化合物において、Ａ^２及びＡ^３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ３）で表される化合物において、Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２３及びＲ^２４で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ３−１）で表される。

式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３−１）の対となる陽イオン性基としては、例えば、アンモニウム塩が挙げられる。

式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３−１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、特に制限は無いがＮａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋等の一価のイオンが挙げられる。

式（Ｘ３）で表される化合物の塩としては、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシル、りん酸ジフェニルが挙げられる。

組成物の耐久性が高まることが期待できるため、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシルが好ましく、ジフェニルホスフィン酸がより好ましい。

＜式（Ｘ４）で表される化合物、式（Ｘ４）で表される化合物の塩＞

式（Ｘ４）で表される化合物において、Ａ^４は単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ４）で表される化合物において、Ｒ^２５で表される基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。

Ｒ^２５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２５で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２５で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２５で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２５で表される基は、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２５で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２５で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２５で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２５で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ４−１）で表される。

式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４−１）の対となる陽イオン性基としては、例えば、アンモニウム塩が挙げられる。

式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４−１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、特に制限は無いがＮａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋等の一価のイオンが挙げられる。

式（Ｘ４）で表される化合物の塩としては、１−オクタンスルホン酸ナトリウム、１−デカンスルホン酸ナトリウム、１−ドデカンスルホン酸ナトリウム、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、ミリスチル硫酸ナトリウム、ラウレス硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが挙げられる。

組成物の耐久性が高まることが期待できるため、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが好ましく、ドデシル硫酸ナトリウムがより好ましい。

＜式（Ｘ５）で表される化合物＞

式（Ｘ５）で表される化合物において、Ａ^５〜Ａ^７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ５）で表される化合物において、Ｒ^２６〜Ｒ^２８はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表す。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、６〜２０であることが好ましく、１２〜１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、６〜２０であることが好ましく、１２〜１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基の具体例としては、ヘキセニル基、オクテニル基、デセニル基、ドデセニル基、テトラデセニル基、ヘキサデセニル基、オクタデセニル基、イコセニル基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基の具体例としては、ヘキシニル基、オクチニル基、デシニル基、ドデシニル基、テトラデシニル基、ヘキサデシニル基、オクタデシニル基、イコシニル基が挙げられる。

Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ５）で表される化合物としては、亜りん酸トリオレイル、亜りん酸トリブチル、亜りん酸トリエチル、亜りん酸トリヘキシル、亜りん酸トリイソデシル、亜りん酸トリメチル、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ−ｎ−オクチルホスフィン、トリフェニルホスフィンが挙げられる。

組成物の耐久性が高まることが期待できるため、亜りん酸トリオレイル、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、亜りん酸トリヘキシルが好ましく、亜りん酸トリオレイルがより好ましい。

＜式（Ｘ６）で表される化合物＞

式（Ｘ６）で表される化合物において、Ａ^８〜Ａ^１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。

式（Ｘ６）で表される化合物において、Ｒ^２９〜Ｒ^３１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表す。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアリール基としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルケニル基としては、Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキニル基としては、Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基と同じ基を採用することができる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ^６〜Ｒ^９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ^１８〜Ｒ^２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルケニル基の具体例としては、Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルケニル基において例示したアルケニル基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表されるアルキニル基の具体例としては、Ｒ^２６〜Ｒ^２８で表されるアルキニル基において例示したアルキニル基が挙げられる。

Ｒ^２９〜Ｒ^３１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。

式（Ｘ６）で表される化合物としては、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、メチル（ジフェニル）ホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、トリ−ｐ−トリルホスフィンオキシド、シクロヘキシルジフェニルホスフィンオキシド、りん酸トリメチル、りん酸トリブチル、りん酸トリアミル、りん酸トリス（２−ブトキシエチル）、りん酸トリフェニル、りん酸トリ−ｐ−クレジル、りん酸トリ−ｍ−クレジル、りん酸トリ−ｏ−クレジルが挙げられる。

組成物の耐久性が高まることが期待できるため、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシドが好ましく、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドがより好ましい。

上述した表面修飾剤の中では、アンモニウム塩、アンモニウムイオン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンが好ましい。

アンモニウム塩、アンモニウムイオンの中では、オレイルアミン塩、オレイルアンモニウムイオンがより好ましい。

カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンの中では、オレイン酸塩、オレイン酸カチオンがより好ましい。

本実施形態においては、上述の（５）表面修飾剤を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜＜（３）溶媒＞＞
本実施形態の組成物が有する（３）溶媒は、（１）半導体材料を分散させることができる媒体であれば特に限定されない。本実施形態の組成物が有する溶媒は、（１）半導体材料を溶解し難いものが好ましい。

本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態である物質のことをいう。但し、溶媒には、後述する重合性化合物及び重合体は含まない。

溶媒としては、下記（ａ）〜（ｋ）を挙げることができる。
（ａ）：エステル
（ｂ）：ケトン
（ｃ）：エーテル
（ｄ）：アルコール
（ｅ）：グリコールエーテル
（ｆ）：アミド基を有する有機溶媒
（ｇ）：ニトリル基を有する有機溶媒
（ｈ）：カーボネート基を有する有機溶媒
（ｉ）：ハロゲン化炭化水素
（ｊ）：炭化水素
（ｋ）：ジメチルスルホキシド

（ａ）エステルとしては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等を挙げることができる。

（ｂ）ケトンとしては、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等を挙げることができる。

（ｃ）エーテルとしては、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等を挙げることができる。

（ｄ）アルコールとしては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等を挙げることができる。

（ｅ）グリコールエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。

（ｆ）アミド基を有する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。

（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒としては、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等を挙げることができる。

（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。

（ｉ）ハロゲン化炭化水素としては、塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。

（ｊ）炭化水素としては、ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、１−オクタデセン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。

これらの溶媒の中でも、（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素及び（ｊ）炭化水素は、極性が低く、（１）半導体材料を溶解し難いと考えられるため好ましい。

さらに、本実施形態の組成物に用いる溶媒としては、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素がより好ましい。

本実施形態の組成物においては、上述の溶媒を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜＜（４）重合性化合物＞＞
本実施形態の組成物が有する（４）重合性化合物は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の（１）半導体材料を溶解し難いものが好ましい。

本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体化合物（モノマー）を意味する。例えば、重合性化合物は、１気圧、２５℃において液体状態であるモノマーを挙げることができる。

例えば、室温、常圧下において組成物を製造する場合、重合性化合物としては、特に制限は無い。重合性化合物としては、例えば、スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル等の公知の重合性化合物が挙げられる。中でも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。

本実施形態の組成物においては、重合性化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

本実施形態の組成物において、全ての（４）重合性化合物に対する、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。

＜＜（４−１）重合体＞＞
本実施形態の組成物に含まれる重合体は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の（１）半導体材料の溶解度が低い重合体が好ましい。

例えば、室温、常圧下において組成物を製造する場合、重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の公知の重合体が挙げられる。中でも、重合体としては、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位のいずれか一方又は両方を含む。

本実施形態の組成物において、（４−１）重合体に含まれる全ての構成単位に対する、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位の合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０％ｍｏｌ以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく１００ｍｏｌ％であってもよい。

（４−１）重合体の重量平均分子量は、１００〜１２０００００であることが好ましく、１０００〜８０００００であることがより好ましく、５０００〜１５００００であることがさらに好ましい。

本明細書において「重量平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。

本実施形態においては、上述の（４−１）重合体を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

＜各成分の配合比について＞
実施形態の組成物において、（１）半導体材料と（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとの配合比は、（１）半導体材料及び（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンの種類等に応じて、適宜定めることができる。

本実施形態の組成物において、（１）半導体材料と、（５）表面修飾剤との配合比は、（１）半導体材料による発光作用が良好に発揮される程度であればよく、組成物を構成する成分の種類等に応じて、適宜定めることができる。
本実施形態の組成物において、（１）半導体材料と、（５）表面修飾剤とのモル比［（１）半導体材料／（５）表面修飾剤］は、０．０００１〜１０００であってもよく、０．０１〜１００であってもよい。
（１）半導体材料と、（５）表面修飾剤との配合比に係る範囲が上記範囲内である樹脂組成物は、（１）半導体材料の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。

＜組成物の製造方法＞
以下、本発明における組成物の製造方法に関し、実施形態を示して説明する。なお、本実施形態の組成物は、以下の実施形態の組成物の製造方法によって製造されるものに限定されるものではない。

＜（１）半導体材料の製造方法＞
（（ｉ）〜（ｖｉｉ）の半導体材料の製造方法）
（ｉ）〜（ｖｉｉ）の半導体材料は、半導体材料を構成する元素の単体又は半導体材料を構成する元素の化合物と、脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法で製造することができる。

半導体材料を構成する元素を含む化合物の例としては、特に制限はないが、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。

脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。

炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、不飽和脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基を挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の飽和脂肪族炭化水素基としては、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などを挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の不飽和脂肪族炭化水素基としては、オレイル基を挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などを挙げることができる。

炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、及び不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。

含窒素化合物としては、アミン類やアミド類を挙げることができる。
含酸素化合物としては、脂肪酸類を挙げることができる。

このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましい。このような含窒素化合物としては、例えばｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。

こうした脂溶性溶媒は、合成により生じる半導体材料の表面に結合可能である。脂溶性溶媒が半導体材料の表面に結合する際の結合としては、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。

上記混合液の加熱温度は、使用する原料（単体や化合物）の種類によって適宜設定すればよい。混合液の加熱温度は、例えば、１３０〜３００℃が好ましく、２４０〜３００℃がより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると結晶構造が単一化しやすいため好ましい。加熱温度が上記上限値以下であると、生じる半導体材料の結晶構造が崩壊しにくく、目的物が得られやすいため好ましい。

混合液の加熱時間は、使用する原料（単体や化合物）の種類、加熱温度によって適宜設定すればよい。混合液の加熱時間は、例えば、数秒間〜数時間が好ましく、１〜６０分間がより好ましい。

上述の半導体材料の製造方法においては、加熱後の混合液を冷却することにより、目的物である半導体材料を含む沈殿物が得られる。沈殿物を分離して適宜洗浄することで、目的物である半導体材料が得られる。

沈殿物を分離した上澄み液については、合成した半導体材料が不溶又は難溶な溶媒を添加し、上澄み液における半導体材料の溶解度を低下させて沈殿物を生じさせ、上澄み液に含まれる半導体材料を回収してもよい。「半導体材料が不溶又は難溶な溶媒」としては、例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなどを挙げることができる。

上述の半導体材料の製造方法においては、分離した沈殿物を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ−ブタノールなど）に入れて半導体材料を含む溶液としてもよい。

（（ｖｉｉｉ）の半導体材料の製造方法）
（ｖｉｉｉ）の半導体材料の製造方法は、既知文献（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ． ２０１５， １５， ３６９２−３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３−４５４２）を参考に、以下に述べる方法によって製造することができる。

（第１の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。

第２溶媒は、ペロブスカイト化合物に対する溶解度が第１溶媒よりも低い溶媒である。なお、溶解度とは、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。

第１溶媒及び第２溶媒としては、上述の（ａ）〜（ｋ）として挙げる有機溶媒の群から選ばれる少なくとも２種を挙げることができる。

例えば、室温（１０℃〜３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第１溶媒としては、上述の（ｄ）アルコール、（ｅ）グリコールエーテル、（ｆ）アミド基を有する有機溶媒、（ｋ）ジメチルスルホキシドを挙げることができる。

また、室温（１０℃〜３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第２溶媒としては、上述の（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素を挙げることができる。

以下、第１の製造方法を具体的に説明する。
まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ、溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。

次いで、得られた溶液と第２溶媒とを混合する。溶液と、第２溶媒とを混合する工程は、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えることとしてもよく、（ＩＩ）第２溶媒を溶液に加えることとしてもよい。第１の製造方法で生じるペロブスカイト化合物の粒子が溶液中に分散しやすいため、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えるとよい。

溶液と第２溶媒とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら溶液と第２溶媒とを混合するとよい。

溶液と第２溶媒とを混合する工程において、溶液と第２溶媒との温度には特に制限は無い。得られるペロブスカイト化合物が析出し易いため、−２０℃〜４０℃の範囲であることが好ましく、−５℃〜３０℃の範囲であることがより好ましい。溶液の温度及び第２溶媒の温度は、同じであってもよく、異なっていてもよい。

第１溶媒と第２溶媒との溶解度の差は１００μｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇであることが好ましく、１ｍｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇであることがより好ましい。

第１溶媒と第２溶媒との組み合わせとして、第１溶媒がＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、第２溶媒がハロゲン化炭化水素や炭化水素であると好ましい。第１溶媒と第２溶媒とがこれらの溶媒の組み合わせであると、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で混合する工程を行う場合に、第１溶媒と第２溶媒との溶解度の差を１００μｇ／溶媒１００ｇ〜９０ｇ／溶媒１００ｇに制御しやすいため好ましい。

溶液と第２溶媒とを混合することにより、得られる混合液においてはペロブスカイト化合物の溶解度が低下し、ペロブスカイト化合物が析出する。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。

得られたペロブスカイト化合物を含む分散液について固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、ろ過、溶媒の蒸発による濃縮などが挙げられる。固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物のみを回収することができる。

なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。

表面修飾剤を加える工程は、溶液と第２溶媒とを混合する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第１溶媒に添加してもよく、溶液に添加してもよく、第２溶媒に添加してもよい。また、表面修飾剤は、第１溶媒、及び第２溶媒の両方に添加してもよい。

また、上述した製造方法においては、溶液と第２溶媒とを混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。

（第２の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。

以下、第２の製造方法を具体的に説明する。

まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
本工程は、高温の第３溶媒に各化合物を加えて溶解させ溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、第３溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得ることとしてもよい。

第３溶媒としては、原料であるＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物と、及びＸ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第３溶媒としては、例えば、上述の第１溶媒、第２溶媒が挙げられる。

「高温」とは、各原料が溶解する温度の溶媒であればよい。例えば、高温の第３溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。

次いで、得られた溶液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。

高温の溶液を冷却することで、溶液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。

得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。

なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。

表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第３溶媒に添加してもよく、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物のうち少なくとも１種を含む溶液に添加してもよい。

また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。

（第３の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解させた第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む化合物を溶解させた第２溶液を得る工程と、第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。

以下、第３の製造方法を具体的に説明する。

まず、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを高温の第４溶媒に溶解させ第１溶液を得る。

第４溶媒としては、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第４溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。

「高温」とは、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とが溶解する温度であればよい。例えば、高温の第４溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。

また、Ｘ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを第５溶媒に溶解させ第２溶液を得る。

第５溶媒としては、Ｘ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第５溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。

次いで、得られた第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る。第１溶液と第２溶液とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら第１溶液と第２溶液とを混合するとよい。

次いで、得られた混合液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。

混合液を冷却することで、混合液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。

得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。

なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。

表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第４溶媒、第５溶媒、第１溶液、第２溶液、混合液のいずれに添加してもよい。

また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。

＜＜組成物の製造方法１＞＞
以下、得られる組成物の性状を理解しやすくするため、組成物の製造方法１で得られる組成物を「液状組成物」と称する。

本実施形態の液状組成物は、（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと、（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と混合することで製造することができる。

（１）半導体材料及び（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンのいずれか一方又は両方と（４）重合性化合物とを混合する際には、撹拌しながら行うことが好ましい。

（１）半導体材料及び（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンのいずれか一方又は両方と（４）重合性化合物とを混合する際、混合時の温度には特に制限は無いが、（１）半導体材料及び（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンのいずれか一方又は両方が均一に混合しやすいため、０℃〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０℃〜８０℃の範囲であることがより好ましい。

その他、液状組成物の製造方法は、下記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｃ１）：（４）重合性化合物に（１）半導体材料を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとを混合する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｃ２）：（４）重合性化合物に（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンを分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体材料を混合する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｃ３）：（４）重合性化合物に（１）半導体材料及び（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンを分散させ分散体を得る工程と、を含む製造方法。

上記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法のステップ１において、各分散体を得る工程では、（４）重合性化合物を、（１）半導体材料と（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとのいずれか一方又は両方に滴下してもよく、（１）半導体材料と（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとのいずれか一方又は両方を（４）重合性化合物に滴下してもよい。

均一に分散しやすいため、（１）半導体材料と（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとのいずれか一方又は両方を（４）重合性化合物に滴下することが好ましい。

上記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法において、各混合する工程では、（１）半導体材料又は（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンを分散体に滴下してもよいし、分散体を（１）半導体材料又は（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンに滴下してもよい。
均一に分散しやすいため、（１）半導体材料又は（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンを分散体に滴下することが好ましい。

（４）重合性化合物には、（４−１）重合体が溶解していてもよい。
また、製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）において、（４）重合性化合物の代わりに、溶媒に溶解させた（４−１）重合体を用いてもよい。

（４−１）重合体を溶解させる溶媒は、（４−１）重合体を溶解しうる溶媒であれば特に限定されない。溶媒としては、（１）半導体材料を溶解し難いものが好ましい。
（４−１）重合体が溶解している溶媒としては、例えば、上述の第３溶媒とおなじ溶媒が挙げられる。

中でも第２溶媒は極性が低く、（１）半導体材料を溶解し難いと考えられるため好ましい。

第２溶媒の中でも、ハロゲン化炭化水素、及び炭化水素がより好ましい。

本実施形態の液状組成物の製造方法は、下記（ｃ４）の製造方法であってもよい。
製造方法（ｃ４）：（１）半導体材料を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、分散液と（４）重合性化合物とを混合し混合液を得る工程と、混合液と（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとを混合する工程と、を含む製造方法。

＜＜組成物の製造方法２＞＞
本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと、（４）重合性化合物とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法を挙げることができる。

また、本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと、（３）溶媒に溶解している（４−１）重合体とを混合する工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法も挙げることができる。

上述の製造方法に含まれる混合する工程には、上述の組成物の製造方法と同様の混合方法を用いることができる。

組成物の製造方法は、例えば、下記（ｄ１）〜（ｄ６）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｄ１）：（４）重合性化合物に、（１）半導体材料を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと（５）表面修飾剤とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程とを含む製造方法。

製造方法（ｄ２）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）半導体材料を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと（５）表面修飾剤とを混合する工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ３）：（４）重合性化合物に、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと（５）表面修飾剤とを分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体材料とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ４）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと（５）表面修飾剤とを分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）半導体材料とを混合する工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ５）：（４）重合性化合物に、（１）半導体材料と（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと（５）表面修飾剤との混合物を分散させる工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ６）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）半導体材料と（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと（５）表面修飾剤との混合物を分散させる工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ２）、（ｄ４）、（ｄ６）に含まれる、（３）溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥や加熱によって（３）溶媒を蒸発させる工程であってもよい。

（３）溶媒を除去する工程では、例えば、０〜３００℃で、１分間〜７日間乾燥させることで、（３）溶媒を除去することができる。

製造方法（ｄ１）、（ｄ３）、（ｄ５）に含まれる、（４）重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることで行うことができる。

例えばラジカル重合の場合は、（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと、（４）重合性化合物との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応を進行させることができる。

ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。

光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。

＜＜組成物の製造方法３＞＞
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記（ｄ７）の製造方法も採用することができる。

製造方法（ｄ７）：（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと、（４−１）重合体とを溶融混練する工程を含む製造方法。

製造方法（ｄ８）：（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと、（４−１）重合体と、（５）表面修飾剤とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ９）：（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとを含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と（４−１）重合体とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ１０）：（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンと、（５）表面修飾剤を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と（４−１）重合体とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ１１）：（１）半導体材料と、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーンとを含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と、（５）表面修飾剤と、（４−１）重合体とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｄ７）〜（ｄ１１）の溶融混練する工程では、（４−１）重合体と他の材料との混合物を溶融混練してもよく、溶融した（４−１）重合体に他の材料を添加してもよい。「他の材料」とは、（４−１）重合体の他に各製造方法で用いる材料を指し、具体的には（１）半導体材料、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーン、（５）表面修飾剤を指す。

製造方法（ｄ７）〜（ｄ１１）において（４−１）重合体を溶融混練する方法としては、重合体の混練方法として公知の方法を採用することができる。例えば、単軸押出機、又は二軸押出機を用いた押出加工を採用することができる。

製造方法（ｄ９）及び（ｄ１１）の液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ｃ１）〜（ｃ４）を採用することができる。

製造方法（ｄ９）〜（ｄ１１）の固形分を取り出す工程は、例えば加熱、減圧、送風及びこれらの組み合わせにより、液状組成物から液状組成物を構成する（３）溶媒及び（４）重合性化合物を除去することで行う。

≪ペロブスカイト化合物の測定≫
本実施形態の組成物に含まれるペロブスカイト化合物の量は、誘導結合プラズマ質量分析計ＩＣＰ−ＭＳ（例えば、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ）、及びイオンクロマトグラフ（例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いて測定することができる。
ペロブスカイト化合物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の良溶媒を用いて溶解した後に測定を行う。

≪発光強度の測定≫
本実施形態の組成物の発光強度は、蛍光高度計（例えば、日本分光製、ＦＴ−６５００）を用いて、励起光４３０ｎｍ、感度Ｈｉｇｈで測定する。

実施形態の組成物は、上記の測定方法により測定された発光強度が、１０以上であってもよく、１００以上であってもよく、２００以上であってもよく、３００以上であってもよい。

≪水蒸気に対する耐久性の評価≫
本実施形態の組成物を、厚み１００μｍ、１ｃｍ×１ｃｍとして、６５℃の温度、９５％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に置き、水蒸気に対する耐久性試験を行う。試験前後に発光強度を測定し、以下の式を用いて維持率を評価する。
維持率（％）＝（Ｘ’日間の水蒸気に対する耐久性試験後の発光強度）／（水蒸気に対する耐久性試験前の発光強度）×１００

実施形態の組成物は、上記の測定方法において、２日間の水蒸気に対する耐久性試験後の維持率が、３０％以上であってもよく、４０％以上であってもよく、８０％以上であってもよく、８２％以上であってもよく、８３％以上であってもよい。組成物の熱耐久性の作用が高いことから、維持率は高いほうがよい。

＜＜フィルム＞＞
本実施形態に係るフィルムは、上述の組成物を形成材料とする。例えば、本実施形態に係るフィルムは、（１）半導体材料、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーン、及び（４−１）重合体を含み、（１）半導体材料、（２）−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーン、及び（４−１）重合体の合計がフィルム全体の９０質量％以上である。

フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、一方向に延在する平面視帯状の形状を意味する。平面視帯状の形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。

フィルムの厚みは、０．０１μｍ〜１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ〜１０ｍｍであってもよく、１μｍ〜１ｍｍであってもよい。

本明細書において前記フィルムの厚みは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向のおもて面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の３点においてフィルムの厚みを測定し、３点の測定値の平均値を、フィルムの厚みとする。

フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の組成物が用いられていてもよい。

＜＜積層構造体＞＞
本実施形態に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。

積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。

（基板）
基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよい。基板は、光透過性を有するものが好ましい。光透過性を有する基板を有する積層構造体では、（１）半導体材料が発した光を取り出しやすいため好ましい。

基板の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。

図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。

本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、封止層２２が、フィルム１０の第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。

（バリア層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護する観点から、バリア層を含んでいてもよい。

バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。バリア層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラス膜などの公知のバリア層を用いることができる。

（光散乱層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。

＜＜発光装置＞＞
本実施形態に係る発光装置は、本実施形態のフィルム又は積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、光源の光射出方向に設置したフィルム又は積層構造体に照射することで、フィルム又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。

発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。

本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、第１の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。

（光源）
本実施形態の発光装置を構成する光源としては、（１）半導体材料の吸収波長帯に含まれる光を射出する光源を用いる。例えば、上述のフィルム、又は積層構造体中の半導体材料を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を用いることができる。

（光反射部材）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光反射部材を有する発光装置は、光源の光を効率的にフィルム、又は積層構造体に向かって照射することができる。

光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであってもよい。反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。

（輝度強化部）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいてもよい。

（プリズムシート）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。

プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。

発光装置を後述のディスプレイに用いる場合、プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。

（導光板）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側と視認側とのいずれか一方又は両方にプリズム形状等が形成された導光板など、任意の適切な導光板を用いることができる。

（要素間の媒体材料層）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層（要素間の媒体材料層）が挙げられる。

要素間の媒体材料層に含まれる１つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は上記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。

本実施形態の発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、以下の（Ｅ１）〜（Ｅ４）の各構成を挙げることができる。

構成（Ｅ１）：本実施形態の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）。

構成（Ｅ２）：本実施形態の組成物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）。

構成（Ｅ３）：本実施形態の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）。

構成（Ｅ４）：本実施形態の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト。

また、本実施形態に係る発光装置の具体例としては、本実施形態の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。

＜＜ディスプレイ＞＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。

本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、第１の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。

（液晶パネル）
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。

（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、一対の基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。

（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。

＜＜組成物の用途＞＞
本実施形態の組成物の用途としては、以下のような用途を挙げることができる。

＜ＬＥＤ＞
本実施形態の組成物は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）の発光層の材料として用いることができる。

本実施形態の組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本実施形態の組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面にｐ型輸送層を積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる（１）及び（２）の粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。

＜太陽電池＞
本実施形態の組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。

前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本実施形態の組成物を含む活性層、２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ （Ｓｐｉｒｏ−ＭｅＯＴＡＤ）などのホール輸送層、及び銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。

酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び逆電子移動を抑制する機能を有する。

多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。

活性層に含まれる、本実施形態の組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。

＜センサー＞
本実施形態の組成物は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料として利用することができる。

＜＜フィルムの製造方法＞＞
フィルムの製造方法は、例えば、下記（ｅ１）〜（ｅ３）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｅ１）：液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含むフィルムの製造方法。

製造方法（ｅ２）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含むフィルムの製造方法。

製造方法（ｅ３）：上述の製造方法（ｄ１）〜（ｄ６）で得られた組成物を成形加工するフィルムの製造方法。

上記製造方法（ｅ１）（ｅ２）で製造したフィルムは、製造位置から剥離して用いてもよい。

＜＜積層構造体の製造方法＞＞
積層構造体の製造方法は、例えば、下記（ｆ１）〜（ｆ３）の製造方法が挙げられる。

製造方法（ｆ１）：液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法。

製造方法（ｆ２）：フィルムを基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法。

製造方法（ｆ３）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。

製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ｃ１）〜（ｃ５）を採用することができる。

製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を基板上に塗工する工程は、特に制限は無いが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法などの、公知の塗布、塗工方法を用いることができる。

製造方法（ｆ１）における（３）溶媒を除去する工程は、上述した製造方法（ｄ２）、（ｄ４）、（ｄ６）に含まれる（３）溶媒を除去する工程と同様の工程とすることができる。

製造方法（ｆ３）における（４）重合性化合物を重合させる工程は、上述した製造方法（ｄ１）（ｄ３）（ｄ５）に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と同様の工程とすることができる。

製造方法（ｆ２）におけるフィルムを基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。

接着剤は、（１）半導体材料を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。

積層構造体の製造方法は、得られた積層構造体に、さらに任意のフィルムを張り合わせる工程を含んでいてもよい。

張り合わせる任意のフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。

フィルムを張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。

上述の接着剤は、（１）半導体材料を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。

＜＜発光装置の製造方法＞＞
例えば、上述の光源と、光源から射出される光の光路上に上述のフィルム、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。

なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（ペロブスカイト化合物の濃度測定）
実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物におけるペロブスカイト化合物の濃度は下記の方法により測定した。

まず、後述の方法で得られた（１）半導体材料を、精秤したトルエンに再分散させることで分散液を得た。次いで、得られた分散液に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを添加することでペロブスカイト化合物を溶解させた。

その後、ＩＣＰ−ＭＳ（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ）を用いて分散液に含まれるＣｓ及びＰｂを定量した。また、イオンクロマトグラフ（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いて分散液に含まれるＢｒ及びＩを定量した。各測定値の合計から分散液に含まれるペロブスカイト化合物の質量を求め、ペロブスカイト化合物の質量とトルエン量とから分散液濃度を求めた。

（発光強度測定）
実施例１〜３及び比較例１で得られた組成物の発光強度を、蛍光光度計（日本分光製、商品名ＦＴ−６５００、励起光４３０ｎｍ、感度Ｈｉｇｈ）を用いて測定した。

（耐熱耐湿性評価）
実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物を６５℃の温度、９５％湿度で一定にした恒温恒湿槽中に置き、２日間保管し、試験後の発光強度を測定して、下記の式を用いて維持率を求めた。こうして求めた維持率が高いほど水蒸気に対する耐久性が高いと評価できる。
維持率（％）＝（２日間の水蒸気に対する耐久性試験後の発光強度）／（水蒸気に対する耐久性試験前の発光強度）×１００

（透過型電子顕微鏡による（１）半導体材料の観察）
（１）半導体材料は透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）を用いて観察した。観察用の試料は、組成物から支持膜付きグリッドに（１）半導体材料を採取することで得た。観察条件は、加速電圧を２００ｋＶとした。

得られた電子顕微鏡写真に写る半導体材料の像を、２本の平行線で挟んだときの平行線の間隔をフェレー径として求めた。２０個の半導体材料のフェレー径の算術平均値を求め、平均のフェレー径を求めた。

［実施例１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。

臭化鉛（ＰｂＢｒ_２）０．１１０ｇ、及びヨウ化鉛（ＰｂＩ_２）０．２０８ｇを１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛‐ヨウ化鉛分散液を調製した。

臭化鉛‐ヨウ化鉛分散液を１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、分散液を得た。

次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間遠心分離し、沈殿物を分離することで、沈殿物のペロブスカイト化合物を得た。ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液を得た。

ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、１５００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。

溶媒を自然乾燥させて回収した化合物のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。

ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均のフェレー径は１９ｎｍであった。

次いで上述の分散液にメルカプト変性シリコーン（ＫＦ−２００１、信越化学株式会社製：２５℃における比重 ０．９８ｇ／ｃｍ^３）を１００μＬ混合した。

次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるように、メタクリル樹脂とトルエンとを混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。

上記のペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液０．３ｇと、上記の重合体が溶解した溶液１．８２６ｇと混合した後、１．１２８ｇをガラスシャーレ（φ３．２ｃｍ）にキャストした。

さらに、トルエンを自然乾燥で蒸発させ、ペロブスカイト化合物の濃度が５００μｇ／ｍＬの組成物を得た。組成物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。

組成物の発光強度を評価すると、３７６であった。水蒸気に対する耐久性試験後の発光強度の維持率は、８３．３％であった。結果を表１に示す。

［実施例２］
メルカプト変性シリコーン（ＫＦ−２００１、信越化学株式会社製：２５℃における比重 ０．９８ｇ／ｃｍ^３）の添加量を３００μＬとした以外は、実施例１と同様の方法で組成物を合成した。
組成物の発光強度を評価すると、３０４であった。水蒸気に対する耐久性試験後の発光強度の発光強度の維持率は、８０．１％であった。

［実施例３］
メルカプト変性シリコーン（ＫＦ−２００１、信越化学株式会社製：０．９８ｇ／ｃｍ^３）に代えて、メルカプト変性シリコーン（ＫＦ−２００４、信越化学株式会社製：２５℃における比重 ０．９７ｇ／ｃｍ^３）を使用した以外は、実施例１と同様の方法で組成物を合成した。
組成物の発光強度を評価すると、１９２であった。水蒸気に対する耐久性試験後の発光強度の発光強度の維持率は、３３．５％であった。

［比較例１］
メルカプト変性シリコーンを添加しなかった以外は、実施例１と同様の方法で組成物を合成した。
組成物の発光強度を評価すると、６．５７であった。水蒸気に対する耐久性試験後の発光強度の発光強度の維持率は、２２．９％であった。

上記の結果から、本発明を適用した実施例１〜３に係る組成物は、本発明を適用しない比較例１の組成物と比べて、初期の発光強度が高く、かつ、優れた水蒸気に対する耐久性を有していることが確認できた。

［参考例１］
実施例１〜３に記載の組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例２］
実施例１〜３に記載の組成物をシート化する事でフィルムを得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例３］
実施例１〜３に記載の組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例４］
実施例１〜３に記載の組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。

［参考例５］
実施例１〜３に記載の組成物をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。

［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１〜３に記載の組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２’−，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ （Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。

［参考例７］
実施例１〜３に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから組成物に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。

［参考例８］
実施例１〜３に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができる。得られた組成物を光電変換層の一部とすることで、光を検知する検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料を製造する。光電変換素子材料は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーに用いられる。

本発明によれば、水蒸気に対する耐久性が高い、発光性の半導体材料を含む組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することが可能となる。
したがって、本発明の組成物、前記組成物を用いたフィルム、前記フィルムを用いた積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。

１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims (8)

1. 下記（１）と、下記（２）と、を含む組成物。
   （１）：発光性の半導体材料
   （２）：−Ｒ^３１ＳＨ基を有するシリコーン
   （上記−Ｒ^３１ＳＨ基中、Ｒ^３１は置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基である。）
2. 前記（１）がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物である、請求項１に記載の組成物。
   （Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
   Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
   Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
3. さらに下記（５）を含む請求項１又は２に記載の組成物。
   （５）：アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、下記式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び下記式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物又はイオン
   

   

   

   

   

   

   

   （式（Ｘ１）中、Ｒ^１８〜Ｒ^２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ⁻はカウンターアニオンを表す。
   式（Ｘ２）中、Ａ^１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２２は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
   式（Ｘ３）中、Ａ^２及びＡ^３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２３及びＲ^２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
   式（Ｘ４）中、Ａ^４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２５は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
   式（Ｘ５）中、Ａ^５〜Ａ^７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２６〜Ｒ^２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
   式（Ｘ６）中、Ａ^８〜Ａ^１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ^２９〜Ｒ^３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
   Ｒ^１８〜Ｒ^３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）
4. さらに下記（３）、下記（４）、及び下記（４−１）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
   （３）：溶媒
   （４）：重合性化合物
   （４−１）：重合体
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
6. 請求項５に記載のフィルムを含む積層構造体。
7. 請求項６に記載の積層構造体を備える発光装置。
8. 請求項６に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。

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