JP7340373B2 - 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ - Google Patents

組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ Download PDF

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Description

本発明は、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイに関する。
近年、発光材料として、高い量子収率を有する発光性の半導体材料に対する関心が高まっている。例えば、２種類の無機発光性粒子を含む組成物が報告されている（非特許文献１）。
Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２０１６，２８，ｐ.２９０２－２９０６
非特許文献１に開示された組成物を発光材料として用いる場合、発光強度が低下しにくいことが求められる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、発光強度が低下しにくい、発光性を有する組成物を提供することを目的とする。また、当該組成物を用いて形成されるフィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイを提供することを併せて目的とする。
すなわち、本発明の実施形態は、下記［１］～［９］の発明を包含する。
［１］下記（１）及び下記（２）と、さらに下記（３）、下記（４）、及び下記（４－１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、発光性を有する組成物であって、下記（１）に含まれるＢに対する下記（２）に含まれる窒素原子のモル比が０を超え０．５５以下である組成物。
（１）：Ａ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のイオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（２）：ＣｌＮｍＨｎで表される化合物、ＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオン又はＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオンの塩（ｌ、ｍ及びｎは、それぞれ独立に整数を表す。）
（３）：溶媒
（４）：重合性化合物
（４－１）：重合体
［２］下記（１）、下記（２）及び下記（１０）を含み、下記（１）に含まれるＢに対する下記（２）に含まれる窒素原子のモル比が０を超え０．５５以下であり、下記（２）に含まれる窒素原子の質量と下記（１０）の質量との比（窒素原子／（１０））が、０．５以下である、発光性を有する組成物。
（１）：Ａ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のイオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（２）：ＣｌＮｍＨｎで表される化合物、ＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオン又はＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオンの塩（ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ独立に整数を表す。）
（１０）：発光性の半導体材料
［３］さらに下記（６）を含む、［１］又は［２］に記載の組成物。
（６）：シラザン、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物の改質体、ケイ酸ナトリウム、及びケイ酸ナトリウムの改質体からなる群より選択される１種以上の化合物。
Figure 0007340373000001
 （式（Ｃ１）中、Ｙ５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｙ５が酸素原子の場合、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
Ｙ５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ３０は炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ３１は水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ２）中、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
ａは１～３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ３１又はＲ３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）
Figure 0007340373000002
 （式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）中、ＡＣは２価の炭化水素基であり、Ｙ１５は酸素原子又は硫黄原子である。
Ｒ１２２及びＲ１２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２４は、炭素原子数１～２０のアルキル基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２５及びＲ１２６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表す。
Ｒ１２２～Ｒ１２６で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。）
［４］さらに、下記（５）を含む、［１］～［３］のいずれか１つに記載の組成物。
（５）：アンモニウムイオン、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）～（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）～（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオン。
Figure 0007340373000003
Figure 0007340373000004
Figure 0007340373000005
Figure 0007340373000006
Figure 0007340373000007
Figure 0007340373000008
 （式（Ｘ１）中、Ｒ１８～Ｒ２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ－はカウンターアニオンを表す。
式（Ｘ２）中、Ａ１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２２は、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ３）中、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ４）中、Ａ４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２５は、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ５）中、Ａ５～Ａ７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２６～Ｒ２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は炭素原子数２～２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ６）中、Ａ８～Ａ１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２９～Ｒ３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は炭素原子数２～２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
Ｒ１８～Ｒ３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）
［５］前記（５）が下記（５－１）である［４］に記載の組成物。
（５－１）：アンモニウムイオン、アンモニウム塩、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、及びカルボキシレート塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオン。
［６］［１］～［５］のいずれか１つに記載の組成物を形成材料とするフィルム。
［７］［６］に記載のフィルムを含む積層構造体。
［８］［７］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［９］［７］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
本発明によれば、発光強度が低下しにくい、発光性を有する組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイを提供することができる。
本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。
以下、実施形態を示して本発明を詳細に説明する。
＜組成物＞
本実施形態は、発光性を有する組成物である。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ～８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ～７５０ｎｍであってもよく、３００ｎｍ～７００ｎｍであってもよい。
＜（１）、（２）並びに（３）、（４）、及び（４－１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む組成物＞
本実施形態の組成物の第１の態様は、下記（１）及び下記（２）と、さらに下記（３）、下記（４）、及び下記（４－１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、発光性を有する組成物であって、下記（１）に含まれるＢに対する下記（２）に含まれる窒素原子のモル比が０を超え０．５５である。
（１）：Ａ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のイオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（２）：ＣｌＮｍＨｎで表される化合物、ＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオン又はＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオンの塩（ｌ、ｍ及びｎは、それぞれ独立に整数を表す。）
（３）：溶媒
（４）：重合性化合物
（４－１）：重合体
上記他の態様は、下記（１）及び下記（２）と、さらに下記（３）、下記（４）、及び下記（４－１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む発光性を有する組成物であって、下記（２）に含まれる窒素原子の含有量が、該組成物の全量に対して７６００質量ｐｐｍ以下である組成物である。
（１）：Ａ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物。
（２）：ＣｌＮｍＨｎで表される化合物、ＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオン又はＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオンの塩（ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ独立に整数を表す。）
（３）：溶媒
（４）：重合性化合物
（４－１）：重合体
本実施形態の組成物は、上記（１）及び上記（２）と、さらに上記（３）、上記（４）、及び上記（４－１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む発光性を有する組成物であって、組成物全体に対する上記（２）に含まれる窒素原子の含有量が、該組成物の全量に対して７６００質量ｐｐｍ以下である組成物であることが好ましい。
以下、本実施形態の組成物を構成する各成分について説明する。
以下において、（１）を、（１）ペロブスカイト化合物と記載する場合がある。（２）を（２）アミン化合物群と記載する場合がある。
以下の説明においては、（３）溶媒、（４）重合性化合物、及び（４－１）重合体を総称して「分散媒」と称することがある。本実施形態の組成物は、これらの分散媒に分散していてもよい。
本明細書において「分散している」とは、（１）ペロブスカイト化合物が、分散媒に浮遊している状態、又は（１）ペロブスカイト化合物が、分散媒に懸濁している状態のことを指す。（１）ペロブスカイト化合物が分散媒に分散している場合、（１）ペロブスカイト化合物の一部は沈降していてもよい。
≪（１）ペロブスカイト化合物≫
ペロブスカイト化合物は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する。以下の説明においては、ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を、単に「ペロブスカイト化合物」と称することがある。
Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。ＢはＸの八面体配位をとることができる金属カチオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元（ｑｕａｓｉ－２Ｄ）構造のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される。
ここで、δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、－０．７以上０．７以下である。例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、ペロブスカイト化合物が電気的に中性となるようにδを選択することができる。ペロブスカイト化合物が電気的に中性とは、ペロブスカイト化合物の電荷が０であることを意味する。
ペロブスカイト化合物は、Ｂを中心とし、頂点をＸとする八面体を含む。八面体は、ＢＸ６で表される。
ペロブスカイト化合物が３次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する１つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで、３次元ネットワークを構成する。
ペロブスカイト化合物が２次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する２つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで八面体の稜線を共有し、２次元的に連なった層を構成する。ペロブスカイト化合物では、２次元的に連なったＢＸ６からなる層と、Ａからなる層と、が交互に積層された構造を有する。
本明細書において、ペロブスカイト化合物の結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。
ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１２～１８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される。又は２θ＝１８～２５°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認される。
ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、２θ＝１３～１６°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される、又は２θ＝２０～２３°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認されることが好ましい。
ペロブスカイト化合物が２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１～１０°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認される。また、２θ＝２～８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認されることが好ましい。
ペロブスカイト化合物は、３次元構造を有することが好ましい。
（構成成分Ａ）
ペロブスカイト化合物を構成するＡは、１価の陽イオンである。Ａとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。
（有機アンモニウムイオン）
Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。
Figure 0007340373000009
式（Ａ３）中、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ６～Ｒ９は、少なくとも１つがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ６～Ｒ９の全てが同時に水素原子となることはない。
Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ６～Ｒ９がアルキル基である場合、炭素原子数は、それぞれ独立に通常１～２０であり、１～４であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。
Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３～３０であり、３～１１であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ６～Ｒ９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
ペロブスカイト化合物が、Ａとして上記式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンを含む場合、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数は少ないとよい。また、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数は小さいとよい。これにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１～４であることが好ましい。また、式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６～Ｒ９のうちの１つが炭素原子数１～３のアルキル基であり、Ｒ６～Ｒ９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。
Ｒ６～Ｒ９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒ６～Ｒ９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられる。一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。
Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ３ＮＨ３ ＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ２Ｈ５ＮＨ３ ＋（エチルアンモニウムイオンともいう。）又はＣ３Ｈ７ＮＨ３ ＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋又はＣ２Ｈ５ＮＨ３ ＋であることより好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋であることがさらに好ましい。
（アミジニウムイオン）
Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ１０Ｒ１１Ｎ＝ＣＨ－ＮＲ１２Ｒ１３）＋・・・（Ａ４）
式（Ａ４）中、Ｒ１０～Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。
Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１～２０であり、１～４であることが好ましく、１～３であることがより好ましい。
Ｒ１０～Ｒ１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。
Ｒ１０～Ｒ１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３～３０であり、３～１１であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１０～Ｒ１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９において例示したアルキル基と同じ基が挙げられる。
Ｒ１０～Ｒ１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基と同じ基が挙げられる。
Ｒ１０～Ｒ１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。
式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
アミジニウムイオンにおいて、Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１～４であることが好ましく、Ｒ１０が炭素原子数１のアルキル基であり、Ｒ１１～Ｒ１３が水素原子であることがさらに好ましい。
ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は３次元構造を有する。
ペロブスカイト化合物において、Ａが炭素原子数４以上の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数４以上のアミジニウムイオンである場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造及び擬似２次元（ｑｕａｓｉ－２Ｄ）構造のいずれか一方又は両方を有する。この場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造又は疑似２次元構造を、結晶の一部又は全体に有することができる。
２次元のペロブスカイト型結晶構造が複数積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．ＰＢｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８－９０７など）。
ペロブスカイト化合物中のＡは、セシウムイオン、アミジニウムイオン又はホルムアミニジウムが好ましい。
（構成成分Ｂ）
ペロブスカイト化合物を構成するＢは、１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、及びスズからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましく、鉛がさらに好ましい。
（構成成分Ｘ）
ペロブスカイト化合物を構成するＸは、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンであってよい。
ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオンを挙げることができる。Ｘは、臭化物イオンであることが好ましい。
Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。
Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができる。
Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
また、Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０～７００ｎｍであり、５００～６００ｎｍであることが好ましく、５２０～５８０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
また、Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０～８００ｎｍであり、５３０～７５０ｎｍであることが好ましく、５４０～７３０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
また、Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００～６００ｎｍであり、３１０～５８０ｎｍであることが好ましく、３３０～５５０ｎｍであることがより好ましい。
（３次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
ＡＢＸ（３＋δ）で表される３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＢｒ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＣｌ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＩ３を挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＳｒａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＢａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＤｙａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
上述した３次元構造のペロブスカイト化合物の中でも、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がより好ましく、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がさらに好ましい。
（２次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＣｌ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＣｌ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）を挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
（（１）ペロブスカイト化合物の粒径）
（１）ペロブスカイト化合物の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、１ｎｍ以上であることが好ましい。半導体材料の平均粒径は、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
また、ペロブスカイト化合物の平均粒径は、所望の発光特性を維持しやすくなるため、１０μｍ以下であることが好ましい。ペロブスカイト化合物の平均粒径は、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、「発光特性」とは、ペロブスカイト化合物に励起光を照射して得られる変換光の量子収率、発光強度、色純度などの光学物性を指す。色純度は、変換光のスペクトルの半値幅で評価することができる。
ペロブスカイト化合物の平均粒径の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
例えば、ペロブスカイト化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本明細書において、ペロブスカイト化合物の平均粒径は、例えば透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう）、又は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう）より測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個のペロブスカイト化合物の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、ペロブスカイト化合物を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。
（１）ペロブスカイト化合物のメディアン径（Ｄ５０）は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、３ｎｍ以上であることが好ましい。ペロブスカイト化合物のメディアン径は、４ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
また、ペロブスカイト化合物のメディアン径（Ｄ５０）は、所望の発光特性を維持しやすくなるため、５μｍ以下であることが好ましい。ペロブスカイト化合物のメディアン径は、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
ペロブスカイト化合物のメディアン径（Ｄ５０）の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
例えば、ペロブスカイト化合物のメディアン径（Ｄ５０）は、３ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、４ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本明細書において、ペロブスカイト化合物の粒度分布は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体材料の最大フェレー径を観察し、最大フェレー径の分布から、メディアン径（Ｄ５０）を求めることができる。
本実施形態において、ペロブスカイト化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
≪（２）アミン化合物群≫
（２）は、ＣｌＮｍＨｎで表される化合物、ＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオン又はＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオンの塩（ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ独立に整数を表す。）である。本実施形態における（２）アミン化合物群としては、メチルアンモニウム、エチルアンモニウムイオンまたはプロピルアンモニウムイオン、又は式（Ａ４－１）であらわされるアミジニウムイオンが挙げられる。ただし、本実施形態の組成物において、前記（１）ペロブスカイト化合物と（２）アミン化合物群とは異なる。
（Ｒ１０Ｒ１１Ｎ＝ＣＨ－ＮＲ１２Ｒ１３）＋・・・（Ａ４－１）
式（Ａ４－１）中、Ｒ１０～Ｒ１３は、上記式（Ａ４）におけるＲ１０～Ｒ１３と同様である。それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、または置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。
本実施形態の組成物の第１の態様は、（１）ペロブスカイト化合物に含まれるBに対する（２）アミン化合物群中に含まれる窒素原子のモル比は、（１）ペロブスカイト化合物の発光特性の観点から、０．５以下であることが好ましく、０．４以下であることがより好ましく、０．３以下であることがさらに好ましく、また、０．０１以上であってもよく、０．０３以上であってもよく、０．０６以上であってもよく、０．１以上であることが好ましく、０．１３以上であることがより好ましく、０．１６以上であることが更に好ましく、０．２０以上であることが特に好ましく、０．２３以上であることがより特に好ましく、０．２５以上であることが更に特に好ましい。
上記の上限値および下限値は任意に組み合わせることができるが、０．０１以上０．５以下であってもよく、０．０２以上０．４以下であってもよく、０．０３以上０．３以下であってもよく、０．０６以上０．３以下であってもよく、０．１０以上０．３以下であることが好ましく、０．１３以上０．３以下であることがより好ましく、０．１６以上０．３以下であることが特に好ましく、０．２０以上０．３以下であることが更に好ましく、０．２３以上０．３以下であることがより特に好ましく、０．２５以上０．３以下であることが更に特に好ましい。
前記モル比がこの範囲であることにより、組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物の発光スペクトル強度の低下を抑制でき、また、組成物が（１０）発光性の半導体材料を含む場合、組成物に含まれる（１０）発光性の半導体材料の発光スペクトルの最大発光強度を与えるピークの半値幅が増加することを抑制できるため、組成物を用いて形成されるフィルムを発光材料とする発光装置の発光色純度が高くなる。
上記他の態様は、（２）アミン化合物群中に含まれる窒素原子の含有量が７６００質量ｐｐｍ以下であり、５０００質量ｐｐｍ以下が好ましく、２０００質量ｐｐｍ以下がより好ましく、１０００質量ｐｐｍ以下がさらに好ましく、３００質量ｐｐｍ以下が特に好ましい。
（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の含有量としては、０．１質量ｐｐｍ以上であり、（１）ペロブスカイト化合物の発光特性を維持する観点から１質量ｐｐｍ以上であることが好ましく、４質量ｐｐｍ以上であることがより好ましく、１０質量ｐｐｍ以上であることがさらに好ましく、２０質量ｐｐｍ以上であることが最も好ましく、４０質量ｐｐｍ以上が殊更好ましい。
本実施形態の組成物は、（２）アミン化合物群の含有量が上記上限値以下である、換言すれば不純物の含有量が少ない組成物であることを特徴としている。不純物が少ないことにより、例えば、インジウムリン等の半導体材料と併用した場合に、発光強度の低下を抑制できる。
本実施形態の組成物は、（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の含有量が上記下限値以上程度に含まれていてもよい。（２）アミン化合物群中に窒素原子が微量含まれていると、（１）ペロブスカイト化合物の表面修飾剤として作用し、組成物中の（１）ペロブスカイト化合物の分散性が良好となる。
（２）アミン化合物群として、具体的には（１）ペロブスカイト化合物の製造工程において発生する製造残渣、任意成分として含まれる（５）表面処理剤に含まれる化合物の残渣が挙げられる。
本実施形態の組成物がアミン化合物群を含む場合には、上述したアミン化合物群のうち、１種のみ含まれていてもよく、２種以上が含まれていてもよい。
本実施形態の組成物に含まれる（２）アミン化合物群の含有量を低減させる場合、例えば、原料である（１）ペロブスカイト化合物を洗浄して予め除去すること、組成物の希釈等の方法を用いて行うことができる。
（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量は、ＸＰＳ、ＩＣＰ又はガスクロマトグラフ等を用いることで測定することができる。
例えば、（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量は下記の方法により算出できる。
まず、本実施形態の組成物のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）測定により、組成物に含まれるペロブスカイト中のＰｂの物質量（単位：モル）とアミン化合物群中の窒素原子の物質量（単位：モル）との比（窒素原子／Ｐｂ（モル比））を算出する。
ＸＰＳ測定は、ペロブスカイトを含む組成物をガラス基板にキャストし、乾燥した後に行うことが好ましい。
次に、あらかじめＩＣＰ－ＭＳ測定により得られた組成物に含まれるペロブスカイト中のＰｂの含有量（μｇ／ｇ）から、下記の式によりアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量を算出する。
アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量（μｇ／ｇ）＝Ｐｂ（μｇ／ｇ：ＩＣＰ測定値）÷Ｐｂ（ｇ／ｍｏｌ）×窒素原子／Ｐｂ（ＸＰＳ測定値：窒素原子とＰｂモル比）×窒素原子（ｇ/ｍｏｌ）
例えば、（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量は下記の方法によっても算出できる。
まず、本実施形態の組成物のＧＣ－ＭＳ測定により、組成物全量に含まれる組成物中のアミン化合物群の質量を測定した後、窒素原子の質量を算出する。
測定条件を下記に示す。
組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量（μｇ／ｇ）＝組成物中のアミン化合物群の質量（ＧＣ－ＭＳ測定値、μｇ／ｇ）÷組成物中のアミン化合物群の分子量（ｇ／ｍｏｌ）×窒素原子（ｇ／ｍｏｌ）×組成物中のアミン化合物群の１分子中に含まれる窒素原子の数
≪分散媒≫
本実施形態の組成物は、下記（３）、（４）及び（４－１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む。
（３）：溶媒
（４）：重合性化合物
（４－１）：重合体
（３）溶媒
溶媒は、（１）ペロブスカイト化合物を分散させることができる媒体であれば特に限定されないが、（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態である物質のことをいう。但し、溶媒には、後述する重合性化合物及び重合体を含まない。
本明細書において「分散している」とは、（１）ペロブスカイト化合物が、溶媒、重合性化合物、重合体等に浮遊あるいは懸濁している状態のことをいい、一部は沈降していてもよい。
溶媒としては、下記（ａ）～（ｋ）を挙げることができる。
（ａ）エステル
（ｂ）ケトン
（ｃ）エーテル
（ｄ）アルコール
（ｅ）グリコールエーテル
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒
（ｉ）ハロゲン化炭化水素
（ｊ）炭化水素
（ｋ）ジメチルスルホキシド
（ａ）エステルとしては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等を挙げることができる。
（ｂ）ケトンとしては、γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、アセトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等を挙げることができる。
（ｃ）エーテルとしては、ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等を挙げることができる。
（ｄ）アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－メチル－２－ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２－フルオロエタノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、２，２，３，３－テトラフルオロ－１－プロパノール等を挙げることができる。
（ｅ）グリコールエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒としては、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等を挙げることができる。
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。
（ｉ）ハロゲン化炭化水素としては、塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。
（ｊ）炭化水素としては、ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、１－オクタデセン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
これらの溶媒の中でも、（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、及び（ｊ）炭化水素は、極性が低く、（１）ペロイブスカイト化合物を溶解し難いと考えられるため好ましい。
本実施形態の組成物においては、上述の溶媒を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（４）重合性化合物
本実施形態の組成物が有する重合性化合物は、本実施形態の組成物を製造する温度において、（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体化合物（モノマー）を意味する。例えば、重合性化合物は、１気圧、２５℃において液体状態であるモノマーを挙げることができる。
例えば、室温、常圧下において製造する場合、重合性化合物としては、特に制限は無い。重合性化合物としては、例えば、スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル等の公知の重合性化合物が挙げられる。なかでも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。
本実施形態の組成物においては、重合性化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の組成物において、全ての（４）重合性化合物に対する、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。
（４－１）重合体
本実施形態の組成物に含まれる重合体は、本実施形態の組成物を製造する温度において、（１）ペロブスカイト化合物の溶解度が低い重合体が好ましい。
例えば、室温、常圧下において製造する場合、重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位のいずれか一方又は両方を含む。
本実施形態の組成物において、（４－１）重合体に含まれる全ての構成単位に対する、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位の合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。
（４－１）重合体の重量平均分子量は、１００～１２０００００であることが好ましく、１０００～８０００００であることがより好ましく、５０００～１５００００であることがさらに好ましい。
本実施形態の組成物においては、重合体を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本明細書において「重量平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
＜各成分の配合比について＞
本実施形態の組成物において、組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、特に限定されるものではない。
上記含有割合は、濃度消光を防ぐ観点から、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。
また、上記含有割合は、良好な量子収率を得る観点から、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、通常０．０００２～９０質量％である。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、０．００１～４０質量％であることが好ましく、０．００２～１０質量％であることがより好ましく、０．０１～３質量％であることがさらに好ましい。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
また、上記組成物において、（１）ペロブスカイト化合物と分散媒の合計含有割合は、組成物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
上記組成物において、（１）ペロブスカイト化合物に対する分散媒の質量比［（１）ペロブスカイト化合物／（分散媒）］は、０．００００１～１０であってもよく、０．０００１～２であってもよく、０．０００５～１であってもよい。
（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒と、の配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、良好に発光する点で好ましい。
本実施形態の組成物は、上述の（１）ペロブスカイト化合物、（３）溶媒と、（４）重合性化合物、（４－１）重合体以外の成分（以下、「その他の成分」と称する。）を有していてもよい。
その他の成分としては、例えば、若干の不純物、（１）ペロブスカイト化合物を構成する元素成分からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤が挙げられる。
その他の成分の含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
本実施形態の組成物に含まれる（４－１）重合体としては、上述した（４－１）重合体を採用することができる。
本実施形態の組成物において、（１）ペロブスカイト化合物は、（４－１）重合体に分散していることが好ましい。
上記組成物において、（１）ペロブスカイト化合物と、（４－１）重合体との配合比は、（１）ペロブスカイト化合物による発光作用が良好に発揮される程度であればよい。上記配合比は、（１）ペロブスカイト化合物、（４－１）重合体の種類に応じて、適宜定めることができる。
上記組成物において、組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物子の含有割合は、特に限定されるものではない。上記含有割合は、濃度消光を防ぐことができるため、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。
また、上記含有割合は、良好な量子収率を得ることができるため、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、通常、０．０００１～３０質量％である。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、０．０００１～１０質量％であることが好ましく、０．０００５～１０質量％であることがより好ましく、０．００１～３質量％であることがさらに好ましい。
上記組成物において、（１）ペロブスカイト化合物に対する、（４－１）重合体の質量比［（１）ペロブスカイト化合物／（４－１）重合体］は、０．００００１～１０であってもよく、０．０００１～２であってもよく、０．０００５～１であってもよい。
（１）ペロブスカイト化合物と、（４－１）重合体との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、良好に発光する点で好ましい。
本実施形態の組成物は、例えば、（１）ペロブスカイト化合物及び（４－１）重合体の合計量が、組成物全体に対して９０質量％以上である。（１）ペロブスカイト化合物及び（４－１）重合体の合計量は、組成物全体に対して９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
本実施形態の組成物は、上述のその他の成分と同様の成分を含んでいてもよい。
その他の成分の含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
≪（１）、（２）及び（１０）を含む組成物≫
本実施形態の組成物の第２の態様は、下記（１）、下記（２）及び下記（１０）を含み、下記（１）に含まれるＢに対する下記（２）に含まれる窒素原子のモル比が０を超え０．５５以下であり、下記（２）に含まれる窒素原子の質量と下記（１０）の質量との比（窒素原子／（１０））が、０．５以下である、発光性を有する組成物である。
（１）：Ａ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のイオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（２）：ＣｌＮｍＨｎで表される化合物、ＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオン又はＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオンの塩（ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ独立に整数を表す。）
（１０）：発光性の半導体材料
本実施形態の組成物の第２の態様では、（１）ペロブスカイト化合物に含まれるＢに対する（２）アミン化合物群中に含まれる窒素原子のモル比は、本実施形態の組成物の第１の形態と同様であり、同様の範囲が好ましい。
上記他の態様は、下記（１）、（２）及び（１０）を含み、下記（２）に含まれる窒素原子の質量と（１０）の質量との比（窒素原子／（１０））比が、０．５以下である。
（１）：Ａ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のイオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（２）：ＣｌＮｍＨｎで表される化合物、ＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオン又はＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオンの塩（ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ独立に整数を表す。）
（１０）：発光性の半導体材料
（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群に関する記載は前記同様である。
（１０）成分の発光性の半導体材料について説明する。以下において、（１０）を（１０）半導体材料と記載することがある。
≪（１０）半導体材料≫
本実施形態の組成物に含まれる発光性の半導体材料としては、下記（ｉ）～（ｖｉｉ）を挙げることができる。
（ｉ）ＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｉｉ）ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｉｉｉ）ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｉｖ）ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｖ）ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｖｉ）ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料
（ｖｉｉ）遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体を含む半導体材料
＜（ｉ）ＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体としては、周期表の第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体と、周期表の第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体とを挙げることができる。
なお、本明細書において、「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。
以下の説明では、第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ－１）」、第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ－２）」と称することがある。
化合物半導体（ｉ－１）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、又はＢａＴｅが挙げられる。
また、化合物半導体（ｉ－１）としては、
（ｉ－１－１）第２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ－１－２）第２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉ－１－３）第２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
化合物半導体（ｉ－２）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、又はＨｇＴｅが挙げられる。
また、化合物半導体（ｉ－２）としては、
（ｉ－２－１）第１２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（ｉ－２－２）第１２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（ｉ－２－３）第１２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
ＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体は、第２族元素、第１２族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｉｉ）ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素と、第１５族元素とを含む。
ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｚｎ３Ｐ２、Ｚｎ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｐ２、Ｃｄ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｎ２、又はＺｎ３Ｎ２が挙げられる。
また、ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉ－１）第１２族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ－２）第１２族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｉ－３）第１２族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
ＩＩ族－Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｉｉｉ）ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１５族元素とを含む。
ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、又はＢＮが挙げられる。
また、ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体としては、
（ｉｉｉ－１）第１３族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（ｉｉｉ－２）第１３族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（ｉｉｉ－３）第１３族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
ＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｉｖ）ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１４族元素とを含む。
ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｂ４Ｃ３、Ａｌ４Ｃ３、Ｇａ４Ｃ３が挙げられる。
また、ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体としては、
（ｉｖ－１）第１３族元素を１種類、第１４族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ－２）第１３族元素を２種類、第１４族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｉｖ－３）第１３族元素を２種類、第１４族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１４族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｖ）ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１６族元素とを含む。
ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ａｌ２Ｓ３、Ａｌ２Ｓｅ３、Ａｌ２Ｔｅ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｔｅ３、ＧａＴｅ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、又はＩｎＴｅが挙げられる。
また、ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖ－１）第１３族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ－２）第１３族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖ－３）第１３族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｖｉ）ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体を含む半導体材料＞
ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素と、第１６族元素とを含む。
ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、又はＳｎＴｅが挙げられる。
また、ＩＶ族－ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖｉ－１）第１４族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ－２）第１４族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体
（ｖｉ－３）第１４族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体
であってもよい。
ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｖｉｉ）遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体を含む半導体材料＞
遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体は、遷移金属元素と、ｐ－ブロック元素とを含む。「ｐ－ブロック元素」とは、周期表の第１３族から第１８族に属する元素である。
遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＮｉＳ、ＣｒＳが挙げられる。
また、遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体としては、
（ｖｉｉ－１）遷移金属元素を１種類、ｐ－ブロック元素を２種類含む三元系の化合物半導体、
（ｖｉｉ－２）遷移金属元素を２種類、ｐ－ブロック元素を１種類含む三元系の化合物半導体、
（ｖｉｉ－３）遷移金属元素を２種類、ｐ－ブロック元素を２種類含む四元系の化合物半導体、であってもよい。
遷移金属－ｐ－ブロック化合物半導体は、遷移金属元素、及びｐ－ブロック元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
上述の三元系の化合物半導体や四元系の化合物半導体の具体例としては、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＣｕＩｎＳ２、又はＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。
本実施形態においては、上述の化合物半導体の中でも、第１２族元素であるＣｄを含む化合物半導体、及び第１３族元素であるＩｎを含む化合物半導体が好ましい。また、本実施形態においては、上述の化合物半導体の中でも、ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体、及びＩｎとＰとを含む化合物半導体が好ましい。
ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＣｄＳｅが特に好ましい。
ＩｎとＰとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＩｎＰが特に好ましい。
本実施形態においては、Ｃｄを含む半導体材料又はＩｎを含む半導体材料が好ましく、ＣｄＳｅ又はＩｎＰがより好ましい。
本実施形態の組成物の第２の態様は、（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量と（１０）半導体材料との質量比（窒素原子／（１０））が０．５以下であり、０．３以下が好ましく、０．１以下がより好ましく、０．０５以下がさらに好ましく、０．００１以下がさらに好ましく、０．００５以下が特に好ましい。
（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量／（１０）の質量比の下限値の例としては、０．００００００１であり、（１）ペロブスカイト化合物の発光特性を維持する観点から０．０００００１が好ましく、０．００００１がより好ましく、０．０００１がさらに好ましい。
上記第２の態様において、組成物中の（１０）発光性の半導体材料（μｇ）と、（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量（μｇ）の質量比は下記の式で算出できる。
（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量（μｇ）／（１０）発光性の半導体材料の質量（μｇ）＝組成物中の窒素原子の質量（μｇ）／半導体材料の質量（μｇ）
組成物中の窒素原子の質量（μｇ）は、下記の方法により算出した。
（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量（μｇ／ｇ）×組成物の質量（ｇ）
≪（６）改質体群≫
本実施形態の組成物は、任意成分として（６）改質体群を含むことが好ましい。
（６）改質体群は、シラザン、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物の改質体、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウムの改質体からなる群より選択される１種以上の化合物である。中でも、耐久性向上の観点から、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物の改質体、及びケイ酸ナトリウムの改質体からなる群より選択される１種以上の化合物であることが好ましく、シラザン改質体であることがより好ましい。
組成物中、（６）改質体群は、（５）表面修飾剤により表面の少なくとも一部が覆われた（１）半導体材料をコアとしてシェル構造を形成することが好ましい。具体的には、（６）改質体群は（１）半導体材料の表面を被覆している（５）表面修飾剤と重なり、（５）表面修飾剤の表面を被覆していることが好ましく、（５）表面修飾剤が被覆していない（１）半導体材料の表面に被覆していてもよい。
本実施形態において、（１）半導体材料又は（５）表面修飾剤の表面を被覆する（６）改質体群は、例えば、組成物をＳＥＭ、又はＴＥＭなどを用いて観察することによって確認することができる。さらに、ＳＥＭ、又はＴＥＭを用いたＥＤＸ測定によって、詳細な元素分布を解析することができる。
本明細書において「改質」とは、Ｓｉ－Ｎ結合、Ｓｉ－ＳＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）又はＳｉ－ＯＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）を有するケイ素化合物が加水分解し、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を有するケイ素化合物が生成することをいう。Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合は、分子間の縮合反応で生成してもよく、分子内の縮合反応で生成してもよい。
本明細書において「改質体」とは、Ｓｉ－Ｎ結合、Ｓｉ－ＳＲ結合又はＳｉ－ＯＲ結合を有するケイ素化合物を改質することにより得られた化合物をいう。
（１．シラザン）
シラザンは、Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ結合を有する化合物である。シラザンは、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。
シラザンは、低分子シラザンであっても、高分子シラザンであってもよい。本明細書では、高分子シラザンをポリシラザンと記載することがある。
本明細書において「低分子」とは、数平均分子量が６００未満であることを意味する。
また、本明細書において「高分子」とは、数平均分子量が６００以上２０００以下であることを意味する。
本明細書において「数平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
（１－１．低分子シラザン）
シラザンとしては、例えば、低分子シラザンである下記式（Ｂ１）で表されるジシラザンであることが好ましい。
Figure 0007340373000010
式（Ｂ１）中、Ｒ１４及びＲ１５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルケニル基、炭素原子数３～２０のシクロアルキル基、炭素原子数６～２０のアリール基、又は炭素原子数１～２０のアルキルシリル基を表す。
Ｒ１４及びＲ１５は、アミノ基などの置換基を有していてもよい。複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
式（Ｂ１）で表される低分子シラザンとしては、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシラザン、１，３－ジフェニルテトラメチルジシラザン、及び１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。
（１－２．低分子シラザン）
シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ２）で表される低分子シラザンも好ましい。
Figure 0007340373000011
式（Ｂ２）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
式（Ｂ２）中、ｎ１は１以上２０以下の整数を表す。ｎ１は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
式（Ｂ２）で表される低分子シラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、２，２，４，４，６，６－ヘキサメチルシクロトリシラザン、及び２，４，６－トリメチル－２，４，６－トリビニルシクロトリシラザンが挙げられる。
低分子のシラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、及び１，３－ジフェニルテトラメチルジシラザンが好ましく、オクタメチルシクロテトラシラザンがより好ましい。
（１－３．高分子シラザン）
シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ３）で表される高分子シラザン（ポリシラザン）が好ましい。
ポリシラザンは、Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ結合を有する高分子化合物である。式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位は、一種であっても、複数種であってもよい。
Figure 0007340373000012
式（Ｂ３）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。
式（Ｂ３）中、＊は、結合手を表す。分子鎖末端の窒素原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。
分子鎖末端のＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ｍは、２以上１００００以下の整数を表す。
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、Ｒ１４、及びＲ１５のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンでもよい。
また、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、少なくとも１つのＲ１５が水素原子以外の基であるオルガノポリシラザンであってもよい。用途に応じて、適宜にパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。
（１－４．高分子シラザン）
シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンも好ましい。
ポリシラザンは、分子内の一部に環構造を有していてもよく、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を有していてもよい。
Figure 0007340373000013
式（Ｂ４）中、＊は、結合手を表す。
式（Ｂ４）の結合手は、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、又は式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手と結合していてもよい。
また、ポリシラザンが、分子内に複数の式（Ｂ４）で表される構造を含む場合、式（Ｂ４）で表される構造の結合手は、他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手と直接結合していてもよい。
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していない窒素原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。
ｎ２は、１以上１００００以下の整数を表す。ｎ２は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
一般的なポリシラザンは、例えば、直鎖構造と、６員環、又は８員環等の環構造とが存在した構造、すなわち上記（Ｂ３）（Ｂ４）で表される構造を有する。一般的なポリシラザンの分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で６００～２０００程度（ポリスチレン換算）であり、分子量によって液体又は固体の物質でありうる。
ポリシラザンは、市販品を使用してもよく、市販品としては、ＮＮ１２０－１０、ＮＮ１２０－２０、ＮＡＸ１２０－２０、ＮＮ１１０、ＮＡＸ１２０、ＮＡＸ１１０、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）並びに、ＡＺＮＮ－１２０－２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標）１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１８００、及びＤｕｒａｚａｎｅ１０３３（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。
ポリシラザンは、好ましくはＡＺＮＮ－１２０－２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅであり、より好ましくはＤｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅである。
式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１～１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０～９８％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
なお、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、後述する測定値を用いて、（（Ｓｉ（モル）－（ＳｉＮ結合中のＮ（モル））／Ｓｉ（モル）×１００で求められる。改質反応を考慮すると、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」とは、「改質処理にて生じるシロキサン結合に含まれるケイ素原子の割合」を意味する。
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１～１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０～９８％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１～９９％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０～９７％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
改質体中のＳｉ原子数、ＳｉＮ結合の数は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定することができる。
改質体について、上述の方法による測定値を用いて求められる「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、０．１～９９％であることが好ましく、１０～９９％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
シラザンの改質体としては、特に制限は無いが、分散性を向上させ、凝集を抑制できる観点からオルガノポリシラザンの改質体が好ましい。
オルガノポリシラザンとしては、例えば、式（Ｂ３）で表され、Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルケニル基、炭素原子数３～２０のシクロアルキル基、炭素原子数６～２０のアリール基、又は炭素原子数１～２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。
また、オルガノポリシラザンとしては、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、当該Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルケニル基、炭素原子数３～２０のシクロアルキル基、炭素原子数６～２０のアリール基、又は炭素原子数１～２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。
オルガノポリシラザンは、式（Ｂ３）で表されＲ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基であるオルガノポリシラザン、又は、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、当該Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基であるポリシラザンであることが好ましい。
（２．式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物）
本実施形態においては、下記式（Ｃ１）で表される化合物、下記式（Ｃ２）で表される化合物であってもよい。
Figure 0007340373000014
式（Ｃ１）において、Ｙ５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｙ５が酸素原子の場合、Ｒ３０、Ｒ３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
Ｙ５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ３０は炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ３１は水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
Ｒ３２は、水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ２）において、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、ａは１～３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ３１又はＲ３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
Ｒ３０及びＲ３１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５が酸素原子である場合、Ｒ３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、１～２０であることが好ましい。また、Ｒ３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、１～３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５が単結合、又は硫黄原子である場合、Ｒ３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５は、改質が素早く進行することから、酸素原子が好ましい。
式（Ｃ２）で表される化合物において、Ｒ３０及びＲ３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、それぞれ独立に１～２０であることが好ましい。また、Ｒ３０及びＲ３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に１～３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
式（Ｃ１）で表される化合物、及び式（Ｃ２）で表される化合物ともに、Ｒ３１で表されるアルキル基の炭素原子数は、１～５であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表される基において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるシクロアルキル基にある水素原子が、それぞれ独立に、アルキル基で置換されている場合、シクロアルキル基の炭素原子数は、４以上である。シクロアルキル基にある水素原子が置換されてもよいアルキル基は、炭素原子数が１～２７である。
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表される基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表される不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましく、炭素原子数８～２０のアルケニル基であることがより好ましい。
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルケニル基としては、Ｒ６～Ｒ９で表される基において例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ－Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示できる。アルケニル基において、二重結合の位置は限定されない。
このようなアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３－ブテニル基、２－ブテニル基、２－ペンテニル基、２－ヘキセニル基、２－ノネニル基、２－ドデセニル基、９－オクタデセニル基が挙げられる。
Ｒ３０及びＲ３２は、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
Ｒ３１は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
Ｒ３１で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基が上述の炭素原子数であると、式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物が加水分解されやすく、改質体を生じやすい。そのため、式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、及び式（Ｃ２）で表される化合物の改質体が半導体材料の表面を覆いやすい。その結果、（１）ペロブスカイト化合物が劣化しにくく、耐久性が高い組成物が得られると考えられる。
式（Ｃ１）で表される化合物としては、具体的に、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、エトキシトリエチルシラン、メトキシトリメチルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、トリメチルエトキシシラン、３－クロロプロピルジメトキシメチルシラン、（３－クロロプロピル）ジエトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジメトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジエトキシ（メチル）シラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシ（メチル）フェニルシラン、ジメトキシ（メチル）（３，３，３－トリフルオロプロピル）シラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、（３－ブロモプロピル）トリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、（クロロメチル）トリエトキシシラン、（クロロメチル）トリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、トリエトキシエチルシラン、デシルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（メチル）シラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ－１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３－トリフルオロプロピル）シラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－パーフルオロオクチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
なかでも、トリメトキシフェニルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ－１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－トリデカフルオロ－ｎ－オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３－トリフルオロプロピル）シラン、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランが好ましく、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランがより好ましく、テトラメトキシシランがもっとも好ましい。
さらに、前記式（Ｃ１）で表される化合物としては、ドデシルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシランでもよい。
（３．式（Ａ５－５１）で表される化合物、式（Ａ５－５２）で表される化合物）
本実施形態においては、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物、式（Ａ５－５２）で表される化合物であってもよい。
Figure 0007340373000015
式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）において、ＡＣは２価の炭化水素基、Ｙ１５は酸素原子又は硫黄原子である。
式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）において、Ｒ１２２及びＲ１２３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）において、Ｒ１２４は、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）において、Ｒ１２５及びＲ１２６は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ１２２～Ｒ１２６がアルキル基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
Ｒ１２２～Ｒ１２６がシクロアルキル基である場合、シクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１２２～Ｒ１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
Ｒ１２２～Ｒ１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。
Ｒ１２２～Ｒ１２６のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ１２２～Ｒ１２６のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ１２５及びＲ１２６のアルコキシ基としては、Ｒ６～Ｒ９に例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が酸素原子に結合した１価の基が例示できる。
Ｒ１２５及びＲ１２６がアルコキシ基である場合、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられ、好ましくはメトキシ基である。
ＡＣで表される２価の炭化水素基は、炭化水素化合物から２個の水素原子を除去した基であればよく、当該炭化水素化合物は、脂肪族炭化水素であってもよく、芳香族炭化水素であってもよく、飽和脂肪族炭化水素であってもよい。Ａがアルキレン基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素原子数は、通常１～１００であり、１～２０であることが好ましく、１～５であることがより好ましい。
式（Ａ５－５１）で表される化合物としては、トリメトキシ［３－（メチルアミノ）プロピル］シラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルジメトキシメチルシラン、３－アミノプロピルジエトキシメチルシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシランが好ましい。
また、式（Ａ５－５１）で表される化合物としては、Ｒ１２２及び１２３が水素原子であり、Ｒ１２４がアルキル基であり、Ｒ１２５及びＲ１２６がアルコキシ基である化合物が好ましい。例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシランがより好ましい。
式（Ａ５－５１）で表される化合物としては、３－アミノプロピルトリメトキシシランがさらに好ましい。
式（Ａ５－５２）で表される化合物としては、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリエトキシシランがさらに好ましい。
（ケイ酸ナトリウム改質体）
シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物としては、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＯ３）の改質体であってもよい。ケイ酸ナトリウムは、酸で処理することにより加水分解が進行し、改質される。
本実施形態の組成物は、（１）、（２）並びに、（３）、（４）、及び（４－１）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、（１）に含まれるＢ対する（２）に含まれる窒素原子のモル比が０を超え０．５５以下である発光性を有する組成物であって、さらに（６）を含む発光性を有する組成物であることが好ましい。
≪（５）表面処理剤≫
本実施形態の組成物は、任意成分として（５）表面処理剤を含むことが好ましい。
（５）表面修飾剤は、アンモニウムイオン、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）～（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）～（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種以上の化合物又はイオンを含む。
中でも、表面修飾剤は、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン及びカルボキシレート塩からなる群より選ばれる少なくとも一種含むことが好ましく、アミン、及びカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことがより好ましい。
本実施形態において、（５）表面処理剤から選ばれる化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
表面修飾剤は、後述する製造方法で（１）ペロブスカイト化合物を製造する際に、（１）ペロブスカイト化合物の表面に吸着して、（１）ペロブスカイト化合物を組成物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。
＜アンモニウムイオン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩＞
表面修飾剤であるアンモニウムイオン、第１級～第４級アンモニウムカチオンは、下記式（Ａ１）で表される。表面修飾剤であるアンモニウム塩は、下記式（Ａ１）で表されるイオンを含む塩である。
Figure 0007340373000016
式（Ａ１）で表されるイオンにおいて、Ｒ１～Ｒ４は、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。
Ｒ１～Ｒ４で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。
Ｒ１～Ｒ４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ１～Ｒ４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１～Ｒ４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ１～Ｒ４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
Ｒ１～Ｒ４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。
不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ１～Ｒ４は、炭素原子数８～２０のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ１～Ｒ４のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ１～Ｒ４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ１～Ｒ４のアルケニル基としては、Ｒ６～Ｒ９において例示した前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ－Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。
Ｒ１～Ｒ４のアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３－ブテニル基、２－ブテニル基、２－ペンテニル基、２－ヘキセニル基、２－ノネニル基、２－ドデセニル基、９－オクタデセニル基が挙げられる。
式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンが塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無い。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。
式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ－オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。
＜アミン＞
表面修飾剤であるアミンとしては、下記式（Ａ１１）で表すことができる。
Figure 0007340373000017
上記式（Ａ１１）において、Ｒ１～Ｒ３は、上記式（Ａ１）が有するＲ１～Ｒ３と同じ基を表す。ただし、Ｒ１～Ｒ３のうち少なくとも１つは１価の炭化水素基である。
表面修飾剤であるアミンとしては、第１級～第３級アミンのいずれであってもよいが、第１級アミン及び第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。
表面修飾剤であるアミンとしては、オレイルアミンが好ましい。
＜カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩＞
表面修飾剤であるカルボキシレートイオンは、下記式（Ａ２）で表される。表面修飾剤であるカルボキシレート塩は、下記式（Ａ２）で表されるイオンを含む塩である。
Ｒ５－ＣＯ２ －・・・（Ａ２）
表面修飾剤であるカルボン酸は、上記（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンにプロトン（Ｈ＋）が結合したカルボン酸が挙げられる。
式（Ａ２）で表されるイオンにおいて、Ｒ５は、一価の炭化水素基を表す。Ｒ５で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。
Ｒ５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
Ｒ５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
Ｒ５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。
Ｒ５のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ４において例示したアルケニル基が挙げられる。
式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。
カルボキレートアニオンが塩を形成する場合、カウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。
表面修飾剤であるカルボン酸としては、オレイン酸が好ましい。
＜式（Ｘ１）で表される化合物＞
Figure 0007340373000018
式（Ｘ１）で表される化合物（塩）において、Ｒ１８～Ｒ２１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基を表す。
Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基は、置換基としてアルキル基を有することが好ましい。Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基の炭素原子数は、通常６～３０であり、６～２０であることが好ましく、６～１０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１８～Ｒ２１で表される基は、アルキル基であることが好ましい。
Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基の具体例としては、フェニル基、ベンジル基、トリル基、ｏ－キシリル基等が挙げられる。
Ｒ１８～Ｒ２１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子で置換した化合物の化学的安定性が高いため、置換するハロゲン原子としてはフッ素原子が好ましい。
式（Ｘ１）で表される化合物において、Ｍ－はカウンターアニオンを表す。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。
式（Ｘ１）で表される化合物の具体例としては、テトラエチルホスホニウムクロリド、テトラエチルホスホニウムブロミド、テトラエチルホスホニウムヨージド；テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムヨージド：テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムヨージド；テトラ－ｎ－オクチルホスホニウムクロリド、テトラ－ｎ－オクチルホスホニウムブロミド、テトラ－ｎ－オクチルホスホニウムヨージド；トリブチル－ｎ－オクチルホスホニウムブロミド；トリブチルドデシルホスホニウムブロミド；トリブチルヘキサデシルホスホニウムクロリド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムヨージドが挙げられる。
（１）ペロブスカイト化合物の熱耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ１）で表される化合物としてはトリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチル－ｎ－オクチルホスホニウムブロミドが好ましく、トリブチル－ｎ－オクチルホスホニウムブロミドがより好ましい。
＜式（Ｘ２）で表される化合物、式（Ｘ２）で表される化合物の塩＞
Figure 0007340373000019
式（Ｘ２）で表される化合物において、Ａ１は単結合又は酸素原子を表す。
式（Ｘ２）で表される化合物において、Ｒ２２は、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基を表す。
Ｒ２２で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
Ｒ２２で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２２で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２２で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２２で表される基は、アルキル基であることが好ましい。
Ｒ２２で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ２２で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ２２で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。
Ｒ２２で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ２－１）で表される。
Figure 0007340373000020
式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２－１）対となる陽イオン性基としては、例えば、アンモニウム塩が挙げられる。
式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２－１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、特に制限は無いがＮａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋等の一価のイオンが挙げられる。
式（Ｘ２）で表される化合物、及び式（Ｘ２）で表される化合物の塩としては、りん酸フェニル、りん酸フェニル二ナトリウム水和物、１－ナフチルりん酸二ナトリウム水和物、１－ナフチルりん酸一ナトリウム一水和物、ラウリルリン酸、ラウリルリン酸ナトリウム、オレイルリン酸、ベンズヒドリルホスホン酸、デシルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ－オクチルホスホン酸、ベンゼンホスホン酸、フェニルホスホン酸二ナトリウム水和物、フェネチルホスホン酸、プロピルホスホン酸、ウンデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、シンナミルホスホン酸、１－ヘキサンスルホン酸ナトリウムが挙げられる。
（１）ペロブスカイト化合物の熱耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ２）で表される化合物としては、オレイルリン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ－オクチルホスホン酸、がより好ましく、オクタデシルホスホン酸がさらに好ましい。
＜式（Ｘ３）で表される化合物、式（Ｘ３）で表される化合物の塩＞
Figure 0007340373000021
式（Ｘ３）で表される化合物において、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。
式（Ｘ３）で表される化合物において、Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基を表す。
Ｒ２３及びＲ２４で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
Ｒ２３及びＲ２４で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２３及びＲ２４で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２３及びＲ２４で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。
Ｒ２３及びＲ２４で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ２３及びＲ２４で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ２３及びＲ２４で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。
Ｒ２３及びＲ２４で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ３－１）で表される。
Figure 0007340373000022
式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３－１）対となる陽イオン性基としては、例えば、アンモニウム塩が挙げられる。
式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３－１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、特に制限は無いがＮａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋等の一価のイオンが挙げられる。
式（Ｘ３）で表される化合物の塩としては、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシル、りん酸ジフェニルが挙げられる。
（１）ペロブスカイト化合物の熱耐久性が高まることが期待できるため、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシルが好ましく、ジフェニルホスフィン酸がより好ましい。
＜式（Ｘ４）で表される化合物、式（Ｘ４）で表される化合物の塩＞
Figure 0007340373000023
式（Ｘ４）で表される化合物において、Ａ４は単結合又は酸素原子を表す。
式（Ｘ４）で表される化合物において、Ｒ２５で表される基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基を表す。
Ｒ２５で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２５で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２５で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２５で表される基は、アルキル基であることが好ましい。
Ｒ２５で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ２５で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ２５で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。
Ｒ２５で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ４－１）で表される。
Figure 0007340373000024
式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４－１）の対となる陽イオン性基としては、例えば、アンモニウム塩が挙げられる。
式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４－１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、特に制限は無いがＮａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋等の一価のイオンが挙げられる。
式（Ｘ４）で表される化合物の塩としては、１－オクタンスルホン酸ナトリウム、１－デカンスルホン酸ナトリウム、１－ドデカンスルホン酸ナトリウム、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、ミリスチル硫酸ナトリウム、ラウレス硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが挙げられる。
（１）ペロブスカイト化合物の熱耐久性が高まることが期待できるため、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが好ましく、ドデシル硫酸ナトリウムがより好ましい。
＜式（Ｘ５）で表される化合物＞
Figure 0007340373000025
式（Ｘ５）で表される化合物において、Ａ５～Ａ７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。
式（Ｘ５）で表される化合物において、Ｒ２６～Ｒ２８はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２～２０のアルキニル基を表す。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルケニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルケニル基の炭素原子数は、通常２～２０であり、６～２０であることが好ましく、１２～１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキニル基の炭素原子数は、通常２～２０であり、６～２０であることが好ましく、１２～１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ２６～Ｒ２８で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルケニル基の具体例としては、ヘキセニル基、オクテニル基、デセニル基、ドデセニル基、テトラデセニル基、ヘキサデセニル基、オクタデセニル基、イコセニル基が挙げられる。
Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキニル基の具体例としては、ヘキシニル基、オクチニル基、デシニル基、ドデシニル基、テトラデシニル基、ヘキサデシニル基、オクタデシニル基、イコシニル基が挙げられる。
Ｒ２６～Ｒ２８で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
式（Ｘ５）で表される化合物としては、亜りん酸トリオレイル、亜りん酸トリブチル、亜りん酸トリエチル、亜りん酸トリヘキシル、亜りん酸トリイソデシル、亜りん酸トリメチル、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ－ｎ－オクチルホスフィン、トリフェニルホスフィンが挙げられる。
（１）ペロブスカイト化合物の熱耐久性が高まることが期待できるため、亜りん酸トリオレイル、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、亜りん酸トリヘキシルが好ましく、亜りん酸トリオレイルがより好ましい。
＜式（Ｘ６）で表される化合物＞
Figure 0007340373000026
式（Ｘ６）で表される化合物において、Ａ８～Ａ１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。
式（Ｘ６）で表される化合物において、Ｒ２９～Ｒ３１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６～３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２～２０のアルキニル基を表す。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアリール基としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルケニル基としては、Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルケニル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルキニル基としては、Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキニル基と同じ基を採用することができる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアリール基の具体例としては、Ｒ１８～Ｒ２１で表されるアリール基において例示したアリール基が挙げられる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルケニル基の具体例としては、Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルケニル基において例示したアルケニル基が挙げられる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表されるアルキニル基の具体例としては、Ｒ２６～Ｒ２８で表されるアルキニル基において例示したアルキニル基が挙げられる。
Ｒ２９～Ｒ３１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
式（Ｘ６）で表される化合物としては、トリ－ｎ－オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、メチル（ジフェニル）ホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、トリ－ｐ－トリルホスフィンオキシド、シクロヘキシルジフェニルホスフィンオキシド、りん酸トリメチル、りん酸トリブチル、りん酸トリアミル、りん酸トリス（２－ブトキシエチル）、りん酸トリフェニル、りん酸トリ－ｐ－クレジル、りん酸トリ－ｍ－クレジル、りん酸トリ－ｏ－クレジルが挙げられる。
（１）ペロブスカイト化合物の熱耐久性が高まることが期待できるため、トリ－ｎ－オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシドが好ましく、トリ－ｎ－オクチルホスフィンオキシドがより好ましい。
上述した表面修飾剤の中では、アンモニウム塩、アンモニウムイオン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンが好ましい。
アンモニウム塩、アンモニウムイオンの中では、オレイルアミン塩、オレイルアンモニウムイオンがより好ましい。
カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンの中では、オレイン酸塩、オレイン酸カチオンがより好ましい。
＜各成分の配合比について＞
本実施形態の組成物において、（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、分散媒、（１０）半導体材料、任意の（５）表面処理剤、（６）改質体群の配合比は、各成分の種類等に応じて、適宜定めることができる。
以下に説明する組成物の各成分の配合比は、組成物全量に対する（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量が７６００質量ｐｐｍ以下であれば特に限定されない。また、（１０）半導体材料を含む場合には、（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量と（１０）半導体材料との質量比（窒素原子／（１０））が、０．５以下であれば特に限定されない。
・（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群及び分散媒を含む組成物
（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群及び分散媒を含む組成物の配合比の一例は、前記（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒との質量比［（１）／（分散媒）］は、０．００００１～１０が好ましく、０．０００１～２がより好ましく、０．０００５～１がさらに好ましく、０．００１～０．０５がさらに好ましく、０．００１２～０．００５が最も好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
本実施形態の組成物において、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（５）改質体群のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１～２０００であってもよく、０．０１～５００であってもよい。
本実施形態の組成物において、（５）改質体群が、式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるシラザン、及びその改質体である場合、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（５）改質体群のＳｉとのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、１～１０００であってもよく、１０～５００であってもよく、２０～３００であってもよい。
本実施形態の組成物において、（５）改質体群が、式（Ｂ３）で表される構造を有するポリシラザンである場合、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（５）改質体群のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１～２０００であってもよく、０．０１～２０００であってもよく、０．１～１０００であってもよく、１～５００であってもよく、２～３００であってもよい。
（１）ペロブスカイト化合物と（５）改質体群との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（５）改質体群による、耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。
上記ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、以下のような方法で求めることができる。
ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）（単位：モル）は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ）によって、Ｂ成分である金属の質量を測定し、測定値を物質量に換算して求める。
改質体のＳｉ元素の物質量（Ｓｉ）は、用いた改質体の原料化合物の質量を物質量に換算した値と、単位質量の原料化合物に含まれるＳｉ量（物質量）とから求める。原料化合物の単位質量とは、原料化合物が低分子化合物であれば原料化合物の分子量であり、原料化合物が高分子化合物であれば原料化合物の繰り返し単位の分子量である。
Ｓｉ元素の物質量（Ｓｉ）と、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）とから、モル比［Ｓｉ／Ｂ］を算出することができる。
・（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群及び（１０）半導体材料含む組成物
（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群及び（１０）半導体材料含む組成物の配合比の一例は、前記（１）ペロブスカイト化合物と、（１０）半導体材料との質量比［（１）／（１０）］は、０．００００１～１０が好ましく、０．０００１～２がよりに好ましく、０．０００５～１がさらに好ましく、０．００１～０．５がさらに好ましく、０．００５～０．１がさらに好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物と、（１０）半導体材料との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
・（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、分散媒及び（６）改質体群を含む組成物
（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、分散媒及び（６）改質体群を含む組成物の配合比の一例は、前記（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒及び（６）改質体群の合計量との質量比［（１）／（分散媒）＋（６）］は、０．００００１～１０が好ましく、０．０００１～２がより好ましく、０．０００５～１がさらに好ましく、０．００１～０．０５がさらに好ましく、０．００１２～０．０３が最も好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒及び（６）改質体群の合計量との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
・（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、（１０）半導体材料及び（６）改質体群を含む組成物
（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、（１０）半導体材料及び（６）改質体群を含む組成物の配合比の一例は、前記（１）と、（１０）及び（６）の合計量との質量比［（１）／（１０）＋（６）］は、０．００００１～１０が好ましく、０．０００１～２がよりに好ましく、０．０００５～１がさらに好ましく、０．００１～０．５がさらに好ましく、０．００５～０．１がさらに好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物と、（１０）半導体材料及び（６）改質体群の合計量との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
・（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、分散媒
及び（５）表面処理剤を含む組成物
（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、分散媒及び（５）表面処理剤を含む組成物の各成分の配合比の一例は、前記（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒及び（５）表面処理剤の合計量との質量比［（１）／（分散媒）＋（５）］は、０．００００１～１０が好ましく、０．０００１～２がより好ましく、０．０００５～１がさらに好ましく、０．００１～０．０５がさらに好ましく、０．００１２～０．００５が最も好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒及び（５）表面処理剤の合計量との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
・（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、分散媒、（６）改質体群及び（５）表面処理剤を含む組成物
（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、分散媒、（６）改質体群及び（５）表面処理剤を含む組成物の配合比の一例は、前記（１）ペロブスカイト化合物と、（３）溶媒、（６）改質体群、（５）表面処理剤の合計量との質量比［（１）／（分散媒）＋（６）＋（５）］は、０．００００１～１０が好ましく、０．０００１～２がより好ましく、０．０００５～１がさらに好ましく、０．００１～０．０５がさらに好ましく、０．００１２～０．０３が最も好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒、（６）改質体群、（５）表面処理剤の合計量との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
・（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、（１０）半導体材料及び（５）表面処理剤を含む組成物
（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、（１０）半導体材料及び（５）表面処理剤を含む組成物の配合比の一例は、前記（１）ペロブスカイト化合物と、（１０）半導体材料及び（５）表面処理剤の合計量との質量比［（１）／（１０）＋（５）］は、（１０）の劣化を抑制する観点から、０．００００１～１００が好ましく、０．０００１～２０がよりに好ましく、０．０００５～１０がさらに好ましく、０．００１～５がさらに好ましく、０．００５～３がさらに好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物と、（１０）半導体材料及び（５）表面処理剤の合計量との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
・（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、（１０）半導体材料、（６）改質体群及び（５）表面処理剤を含む組成物
（１）ペロブスカイト化合物、（２）アミン化合物群、（１０）半導体材料、（６）改質体群及び（５）表面処理剤を含む組成物の各成分の配合比の一例は、前記（１）ペロブスカイト化合物と、（１０）半導体材料、（６）改質体群及び（５）表面処理剤の合計量との質量比［（１）／（１０）＋（５）＋（６）］は、（１０）の劣化を抑制する観点から、０．００００１～１００が好ましく、０．０００１～２０がよりに好ましく、０．０００５～１０がさらに好ましく、０．００１～５がさらに好ましく、０．００５～３がさらに好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物と、（１０）半導体材料、（６）改質体群及び（５）表面処理剤の合計量との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
上述した各組成物において、組成物の総質量に対し、（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、特に限定されるものではない。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、通常、０．０００１～３０質量％である。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、０．０００１～１０質量％であることが好ましく、０．０００５～５質量％であることがより好ましく、０．００１～３質量％であることがさらに好ましい。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
上述の組成物において、分散媒は（３）溶媒を単独で用いてもよく、（４）重合性化合物を単独で用いてもよく、（４－１）重合体を単独で用いてもよい。
２種以上を組み合わせる場合には、（３）溶媒と（４）重合性化合物との組み合わせ、（３）溶媒と（４－１）重合体との組み合わせ、又は溶媒と（４）重合性化合物と（４－１）重合体との組み合わせが好ましい。上述の（３）溶媒の配合量は、２種以上混合して用いる場合には合計量を意味する。
＜組成物の製造方法＞
以下、本発明における組成物の製造方法に関し、実施形態を示して説明する。前記製造方法によれば、本発明に係る実施形態の組成物を製造可能である。なお、本発明の組成物は、以下の実施形態の組成物の製造方法によって製造されるものに限定されるものではない。
＜（１）ペロブスカイト化合物の製造方法＞
（第１の製造方法）
（１）ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
第２溶媒は、ペロブスカイト化合物に対する溶解度が第１溶媒よりも低い溶媒である。
なお、溶解度とは、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。
第１溶媒及び第２溶媒としては、上述の（ａ）～（ｋ）として挙げる有機溶媒の群から選ばれる少なくとも２種を挙げることができる。
例えば、室温（１０℃～３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第１溶媒としては、上述の（ｄ）アルコール、（ｅ）グリコールエーテル、（ｆ）アミド基を有する有機溶媒、（ｋ）ジメチルスルホキシドを挙げることができる。
また、室温（１０℃～３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第２溶媒としては、上述の（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素を挙げることができる。
以下、第１の製造方法を具体的に説明する。
まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ、溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
次いで、得られた溶液と第２溶媒とを混合する。溶液と、第２溶媒とを混合する工程は、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えることとしてもよく、（ＩＩ）第２溶媒を溶液に加えることとしてもよい。第１の製造方法で生じるペロブスカイト化合物が溶液中に分散しやすいため、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えるとよい。
溶液と第２溶媒とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら溶液と第２溶媒とを混合するとよい。
溶液と第２溶媒とを混合する工程において、溶液と第２溶媒との温度には特に制限は無い。得られるペロブスカイト化合物が析出し易いため、－２０℃～４０℃の範囲であることが好ましく、－５℃～３０℃の範囲であることがより好ましい。溶液の温度及び第２溶媒の温度は、同じであってもよく、異なっていてもよい。
第１溶媒と第２溶媒との溶解度の差は１００μｇ／溶媒１００ｇ～９０ｇ／溶媒１００ｇであることが好ましく、１ｍｇ／溶媒１００ｇ～９０ｇ／溶媒１００ｇであることがより好ましい。
第１溶媒と第２溶媒との組み合わせとして、第１溶媒がＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、第２溶媒がハロゲン化炭化水素や炭化水素であると好ましい。第１溶媒と第２溶媒とがこれらの溶媒の組み合わせであると、例えば、室温（１０℃～３０℃）で混合する工程を行う場合に、第１溶媒と第２溶媒との溶解度の差を１００μｇ／溶媒１００ｇ～９０ｇ／溶媒１００ｇに制御しやすいため好ましい。
溶液と第２溶媒とを混合することにより、得られる混合液においてはペロブスカイト化合物の溶解度が低下し、ペロブスカイト化合物が析出する。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液について固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、ろ過、溶媒の蒸発による濃縮などが挙げられる。固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物のみを回収することができる。
なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
表面修飾剤を加える工程は、溶液と第２溶媒とを混合する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第１溶媒に添加してもよく、溶液に添加してもよく、第２溶媒に添加してもよい。また、表面修飾剤は、第１溶媒、及び第２溶媒の両方に添加してもよい。
また、上述した製造方法においては、溶液と第２溶媒とを混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。
（第２の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
以下、第２の製造方法を具体的に説明する。
まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
本工程は、高温の第３溶媒に各化合物を加えて溶解させ溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、第３溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得ることとしてもよい。
第３溶媒としては、原料であるＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物と、Ｘ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第３溶媒としては、例えば、上述の第１溶媒、第２溶媒が挙げられる。
「高温」とは、各原料が溶解する温度の溶媒であればよい。例えば、高温の第３溶媒の温度として、６０～６００℃であることが好ましく、８０～４００℃であることがより好ましい。
次いで、得られた溶液を冷却する。
冷却する温度としては、－２０～５０℃が好ましく、－１０～３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１～１５００℃／分が好ましく、１０～１５０℃／分がより好ましい。
高温の溶液を冷却することで、溶液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。
なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第３溶媒に添加してもよく、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物及びＸ成分を含む化合物のうち少なくとも１種を含む溶液に添加してもよい。
また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。
（第３の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解させた第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む化合物を溶解させた第２溶液を得る工程と、第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
以下、第３の製造方法を具体的に説明する。
まず、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを高温の第４溶媒に溶解させ第１溶液を得る。
第４溶媒としては、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第４溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。
「高温」とは、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とが溶解する温度であればよい。例えば、高温の第４溶媒の温度として、６０～６００℃であることが好ましく、８０～４００℃であることがより好ましい。
また、Ｘ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを第５溶媒に溶解させ第２溶液を得る。
第５溶媒としては、Ｘ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。
具体的には、第５溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。
次いで、得られた第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る。第１溶液と第２溶液とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら第１溶液と第２溶液とを混合するとよい。
次いで、得られた混合液を冷却する。
冷却する温度としては、－２０～５０℃が好ましく、－１０～３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１～１５００℃／分が好ましく、１０～１５０℃／分がより好ましい。
混合液を冷却することで、混合液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。
なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第４溶媒、第５溶媒、第１溶液、第２溶液、混合液のいずれに添加してもよい。
また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。
＜（１０）半導体材料の製造方法＞
（１０）半導体材料、すなわち上述した（ｉ）～（ｖｉｉ）の半導体材料は、半導体材料を構成する元素の単体又は半導体材料を構成する元素の化合物と、脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法で製造することができる。
半導体材料を構成する元素を含む化合物の例としては、特に制限は無いが、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。
脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。
炭素原子数４～２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、不飽和脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基を挙げることができる。
炭素原子数４～２０の飽和脂肪族炭化水素基としては、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｎ－ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などを挙げることができる。
炭素原子数４～２０の不飽和脂肪族炭化水素基としては、オレイル基を挙げることができる。
炭素原子数４～２０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。
炭素原子数４～２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などを挙げることができる。
炭素原子数４～２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、及び不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。
含窒素化合物としては、アミン類やアミド類を挙げることができる。
含酸素化合物としては、脂肪酸類を挙げることができる。
このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましい。このような含窒素化合物としては、例えばｎ－ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ－ペンチルアミン、ｎ－ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。
こうした脂溶性溶媒は、合成により生じる半導体材料の表面に結合可能である。脂溶性溶媒が半導体材料の表面に結合する際の結合としては、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。
上記混合液の加熱温度は、使用する原料（単体や化合物）の種類によって適宜設定すればよい。混合液の加熱温度は、例えば、１３０～３００℃が好ましく、２４０～３００℃がより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると結晶構造が単一化しやすいため好ましい。加熱温度が上記上限値以下であると、生じる半導体材料の結晶構造が崩壊しにくく、目的物が得られやすいため好ましい。
混合液の加熱時間は、使用する原料（単体や化合物）の種類、加熱温度によって適宜設定すればよい。混合液の加熱時間は、例えば、数秒間～数時間が好ましく、１～６０分間がより好ましい。
上述の半導体材料の製造方法においては、加熱後の混合液を冷却することにより、目的物である半導体材料を含む沈殿物が得られる。沈殿物を分離して適宜洗浄することで、目的物である半導体材料が得られる。
沈殿物を分離した上澄み液については、合成した半導体材料が不溶又は難溶な溶媒を添加し、上澄み液における半導体材料の溶解度を低下させて沈殿物を生じさせ、上澄み液に含まれる半導体材料を回収してもよい。「半導体材料が不溶又は難溶な溶媒」としては、例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなどを挙げることができる。
上述の半導体材料の製造方法においては、分離した沈殿物を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ－ブタノールなど）に入れて半導体材料を含む溶液としてもよい。
＜＜組成物の製造方法１＞＞
以下、得られる組成物の性状を理解しやすくするため、組成物の製造方法１で得られる組成物を「液状組成物」と称する。
本実施形態の液状組成物は、（１）ペロブスカイト化合物と、（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方または両方とを混合する工程と、含む製造方法により製造できる。
（１）ペロブスカイト化合物と、（３）溶媒と、を混合する際には、撹拌しながら行うことが好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物、及び（４）重合性化合物を混合する際、混合時の温度には特に制限は無い。（１）ペロブスカイト化合物が均一に混合しやすいため、０℃～１００℃の範囲であることが好ましく、１０℃～８０℃の範囲であることがより好ましい。
上述したように、（１）ペロブスカイト化合物には、（１）ペロブスカイト化合物の製造工程において使用する原料の残渣として（２）アミン化合物群が含まれることがある。
組成物の製造方法１では、使用する（１）ペロブスカイト化合物について、予め（２）アミン化合物群の含有量を低減させる工程を有していてもよい。（２）アミン化合物群の含有量を低減させる工程の具体的方法としては、（１）ペロブスカイト化合物の洗浄を挙げることができる。
また、上述したように、任意成分として加える（５）表面修飾剤が、（２）アミン化合物群としてふるまうこともある。具体的には、組成物中に、（１）ペロブスカイト化合物の表面を適切に覆い、（１）ペロブスカイト化合物を分散させるために必要とする量を超える表面修飾剤が含まれる場合には、（５）表面修飾剤が（２）アミン化合物群としてふるまうと考えられる。
そのため、後述する各製造方法は、得られる組成物中の（２）アミン化合物群の濃度を調製するため、得られた組成物に含まれる（２）アミン化合物群の濃度を調製する工程を含んでもよい。（２）アミン化合物群の濃度を調整する工程の具体的方法としては、得られた組成物を分散媒により希釈する方法が挙げられる。
（（３）溶媒を含む液状組成物の製造方法）
本実施形態の組成物が（５）表面処理剤を含む場合、組成物の製造方法としては、下記製造方法（ａ１）であってもよく、製造方法（ａ２）であってもよい。
製造方法（ａ１）：（１）ペロブスカイト化合物と、（３）溶媒とを混合する工程と、得られた混合物と（５）表面処理剤とを混合する工程と、を含む組成物の製造方法。
製造方法（ａ２）：（１）ペロブスカイト化合物と（５）表面処理剤を混合する工程と、得られた混合物と（３）溶媒とを混合する工程と、を含む組成物の製造方法。
製造方法（ａ１）（ａ２）で用いる（３）溶媒は、上述した（１）ペロブスカイト化合物を溶解しにくいものが好ましい。このような（３）溶媒を用いると、製造方法（ａ１）で得られる混合物、製造方法（ａ１）（ａ２）で得られる組成物は、分散液となる。
本実施形態の組成物が（６）改質体群を含む場合、組成物の製造方法としては、下記（６Ａ）を用いる製造方法（ａ３）であってもよく、製造方法（ａ４）であってもよい。
（６Ａ）：シラザン、式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物、式（Ａ５－５１）で表される化合物、式（Ａ５－５２）で表される化合物、及びケイ酸ナトリウムからなる群より選択される１種以上の化合物
以下の説明では上記（６Ａ）のことを、「（６Ａ）原料化合物」と称する。（６Ａ）原料化合物は、改質処理を施すことにより（６）改質体群となる。
製造方法（ａ３）：（１）ペロブスカイト化合物と（３）溶媒とを混合する工程と、得られた混合物、（５）表面処理剤及び（６Ａ）原料化合物を混合する工程と、得られた混合物に改質処理を施す工程と、を含む組成物の製造方法。
製造方法（ａ４）：（１）ペロブスカイト化合物、（５）表面処理剤及び（６Ａ）原料化合物を混合する工程と、得られた混合物と（３）溶媒とを混合する工程と、得られた混合物に改質処理を施す工程と、を含む組成物の製造方法。
（３）溶媒には、（４－１）重合体が溶解又は分散していてもよい。
上述の製造方法に含まれる混合する工程では、撹拌を行うことが分散性を高める観点から好ましい。
上述の製造方法に含まれる混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０℃以上１００℃以下の範囲であることが好ましく、１０℃以上８０℃以下の範囲であることがより好ましい。
組成物の製造方法は、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を向上させる観点から、製造方法（ａ１）、又は製造方法（ａ３）であることが好ましい。
（改質処理を施す方法）
改質処理の方法は、（６Ａ）原料化合物に対し紫外線を照射する方法、及び（６Ａ）原料化合物と水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法が挙げられる。以下の説明では、（６Ａ）原料化合物と水蒸気とを反応させる処理のことを、「加湿処理」と称することがある。
中でも、改質処理を施すことが、（１）ペロブスカイト化合物の近傍により強固な保護領域を形成する観点から好ましい。
紫外線を照射する方法で用いられる紫外線の波長は、通常１０～４００ｎｍであり、１０～３５０ｎｍが好ましく、１００～１８０ｎｍがより好ましい。紫外線の発生させる光源としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶレーザー光等が挙げられる。
加湿処理を施す場合、例えば、後述する温度、及び湿度条件下で一定の時間、組成物を静置してもよく、撹拌してもよい。
加湿処理における温度は、十分に改質が進行する温度であればよい。加湿処理における温度は、例えば、５～１５０℃であることが好ましく、１０～１００℃であることがより好ましく、１５～８０℃であることがさらに好ましい。
加湿処理における湿度は、組成物中の（６Ａ）原料化合物に十分に水分が供給される湿度であればよい。加湿処理における湿度は、例えば３０％～１００％であることが好ましく、４０％～９５％であることがより好ましく、６０％～９０％であることがさらに好ましい。
加湿処理に要する時間は、十分に改質が進行する時間であればよい。加湿処理に要する時間は、例えば、１０分以上１週間以下であることが好ましく、１時間以上５日以下であることがより好ましく、２時間以上３日以下であることがさらに好ましい。
組成物に含まれる（６Ａ）原料化合物の分散性を高める観点から、撹拌することが好ましい。
加湿処理における水の供給は、水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させることによってもよく、水蒸気を含む雰囲気中で撹拌することで、界面から水分を供給してもよい。
水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させる場合、得られる組成物の耐久性が向上するため、水蒸気を含むガス流量は、０．０１Ｌ／分以上１００Ｌ／分以下が好ましく、０．１Ｌ／分以上１０Ｌ／分以下がより好ましく、０．１５Ｌ／分以上５Ｌ／分がさらに好ましい。水蒸気を含むガスとしては、例えば飽和量の水蒸気を含む窒素を挙げることができる。
本実施形態の組成物の製造方法において（５）表面処理剤、（３）溶媒及び（６）改質体群は、上述した（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で混合させてもよい。例えば、下記製造方法（ａ５）であってもよく、下記製造方法（ａ６）であってもよい。
製造方法（ａ５）：ペロブスカイト化合物を構成するＢ成分を含む化合物、Ｘ成分を含む化合物、及びＡ成分を含む化合物と、（５）表面処理剤と、（６）改質体群とを第１溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
第１溶媒、第２溶媒は、上述した溶媒と同じである。
製造方法（ａ６）：ペロブスカイト化合物を構成するＢ成分を含む化合物、Ｘ成分を含む化合物、及びＡ成分を含む化合物と、（５）表面処理剤と、（６）改質体群とを高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
第３溶媒は、上述した溶媒と同じである。
これらの製造方法に含まれる各工程の条件は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の製造方法における第１の製造方法、及び第２の製造方法で条件と同様である。
また、本実施形態の組成物が（１０）半導体材料を含む場合、上述の製造方法（ａ１）～（ａ４）において、適宜「（１０）半導体材料を混合する工程」を設定するとよい。
具体的には、製造方法（ａ１）においては、混合物と（５）表面処理剤とを混合する工程の後に、（１０）半導体材料を混合する工程を設定するとよい。
製造方法（ａ２）においては、混合物と（３）溶媒とを混合する工程の後に、（１０）半導体材料を混合する工程を設定するとよい。
製造方法（ａ３）においては、混合物と（５）表面処理剤とを混合する工程の後、改質処理を施す工程の後に、（１０）半導体材料を混合する工程を設定するとよい。
製造方法（ａ４）においては、混合物と（３）溶媒とを混合する工程の後、改質処理を施す工程の後に、（１０）半導体材料を混合する工程を設定するとよい。
（（４）重合性化合物を含む液状組成物の製造方法）
（１）ペロブスカイト化合物、（４）重合性化合物、（５）表面処理剤、及び（６）改質体群を含む組成物の製造方法は、例えば、下記製造方法（ｃ１）～（ｃ３）が挙げられる。
製造方法（ｃ１）：（４）重合性化合物に（１）ペロブスカイト化合物を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（５）表面処理剤と（６）改質体群とを混合する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｃ２）：（４）重合性化合物に（５）表面処理剤と（６）改質体群とを分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）ペロブスカイト化合物とを混合する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｃ３）：（４）重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物と（５）表面処理剤と（６）改質体群との混合物を分散させる工程とを含む製造方法。
製造方法（ｃ１）～（ｃ３）において、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を高める観点から製造方法（ｃ１）であることが好ましい。
製造方法（ｃ１）～（ｃ３）において、各分散体を得る工程では、（４）重合性化合物を、各材料に滴下してもよいし、各材料を（４）重合性化合物に滴下してよい。
均一に分散しやすいため、（１）ペロブスカイト化合物、（５）表面処理剤、（６）改質体群の少なくとも一つを（４）重合性化合物に滴下することが好ましい。
製造方法（ｃ１）～（ｃ３）において、各混合する工程では、分散体を各材料に滴下してもよいし、各材料を分散体に滴下してもよい。
均一に分散しやすいため、（１）ペロブスカイト化合物、（５）表面処理剤、（６）改質体群の少なくとも一つを分散体に滴下することが好ましい。
（４）重合性化合物には、（３）溶媒と（４－１）重合体との少なくともいずれか一方が溶解又は分散していてもよい。
（４－１）重合体を溶解又は分散させる溶媒は、特に限定されない。溶媒としては、（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
（４－１）重合体が溶解している溶媒としては、例えば、上述の第３溶媒とおなじ溶媒が挙げられる。
中でも第２溶媒は極性が低く、（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いと考えられるため好ましい。
第２溶媒の中でも、炭化水素がより好ましい。
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記製造方法（ｃ４）であってもよく、製造方法（ｃ５）であってもよい。
製造方法（ｃ４）：（１）ペロブスカイト化合物を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、得られた分散液に、（４）重合性化合物と（４－１）重合体との少なくとも一方を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液と（５）表面処理剤と（６）改質体群とを混合する工程と、を有する、組成物の製造方法。
製造方法（ｃ５）：（１）ペロブスカイト化合物を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、得られた分散液と（５）表面処理剤と（６Ａ）原料化合物とを混合し、混合液を得る工程と、得られた混合液に改質処理を施し（６）改質体群を含む混合液を得る工程と、得られた混合液と（３）溶媒とを混合する工程とを有する、組成物の製造方法。
本実施形態の組成物が（１０）半導体材料を含む場合、上述の製造方法（ｃ１）～（ｃ５）において、適宜「（１０）半導体材料を混合する工程」を設定するとよい。
具体的には、製造方法（ｃ１）（ｃ２）（ｃ４）（ｃ５）においては、混合する工程の後に、（１０）半導体材料を混合する工程を設定するとよい。
製造方法（ｃ３）においては、分散させる工程の後に、（１０）半導体材料を混合する工程を設定するとよい。
＜＜組成物の製造方法２＞＞
本実施形態の液状組成物は、（１）ペロブスカイト化合物と（４）重合性化合物とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、含む製造方法により製造できる。
例えば、本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）ペロブスカイト化合物と、（５）表面処理剤と、（４）重合性化合物と、（６）改質体群とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法を挙げることができる。
組成物の製造方法２で得られる組成物は、（１）ペロブスカイト化合物、（５）表面処理剤、（４－１）重合体、（６）改質体群の合計が組成物全体の９０質量％以上であることが好ましい。
また、本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）ペロブスカイト化合物と、（５）表面処理剤と、（３）溶媒に溶解している（４－１）重合体と、（６）改質体群とを混合する工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法も挙げることができる。
上述の製造方法に含まれる混合する工程には、上述の組成物の製造方法１で示した方法と同様の混合方法を用いることができる。
組成物の製造方法は、例えば、下記（ｄ１）～（ｄ６）の製造方法が挙げられる。
製造方法（ｄ１）：（４）重合性化合物に（１）ペロブスカイト化合物を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（５）表面処理剤と（６）改質体群とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ２）：（４－１）重合体を溶解させた（３）溶媒に（１）ペロブスカイト化合物を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（５）表面処理剤と（６）改質体群とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ３）：（４）重合性化合物に（５）表面処理剤と（６）改質体群とを分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）ペロブスカイト化合物とを混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ４）：（４－１）重合体を溶解させた（３）溶媒に（５）表面処理剤と（６）改質体群とを分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）ペロブスカイト化合物とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ５）：（４）重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物と（５）表面処理剤と（６）改質体群との混合物を分散させる工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ６）：（４－１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）ペロブスカイト化合物と（５）表面処理剤と（６）改質体群との混合物を分散させる工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ２）、（ｄ４）及び（ｄ６）に含まれる、（３）溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥であってもよいし、加熱によって（３）溶媒を蒸発させる工程であってもよい。
（３）溶媒を除去する工程では、例えば、０℃以上３００℃以下で、１分間以上７日間以下乾燥させることで、（３）溶媒を除去することができる。
製造方法（ｄ１）、（ｄ３）及び（ｄ５）に含まれる、（４）重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることで行うことができる。
例えばラジカル重合の場合は、（１）ペロブスカイト化合物と、（５）表面処理剤と、（４）重合性化合物と、（６）改質体群との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応を進行させることができる。
ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。
上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。
本実施形態の組成物が（１０）半導体材料を含む場合、上述の製造方法（ｄ１）～（ｄ６）において、適宜「（１０）半導体材料を混合する工程」を設定するとよい。
具体的には、製造方法（ｄ１）～（ｄ４）においては、混合する工程の後、（１０）半導体材料を混合する工程を設定するとよい。
製造方法（ｄ５）（ｄ６）においては、分散させる工程の後、（１０）半導体材料を混合する工程を設定するとよい。
＜＜組成物の製造方法３＞＞
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記（ｄ７）～（ｄ１１）の製造方法も採用することができる。
製造方法（ｄ７）：（１）ペロブスカイト化合物と、（５）表面処理剤と、（４－１）重合体とを溶融混練する工程と含む製造方法。
製造方法（ｄ８）：（１）ペロブスカイト化合物と、（５）表面処理剤と、（４－１）重合体と、（６Ａ）原料化合物とを溶融混練する工程と、（４－１）重合体が溶融した状態で改質処理を施す工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ９）：（１）ペロブスカイト化合物と、（５）表面処理剤とを含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と（４－１）重合体とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ１０）：（１）ペロブスカイト化合物と、（５）表面処理剤と、（６）改質体群を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と（４－１）重合体とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ１１）：（１）ペロブスカイト化合物と、（５）表面処理剤とを含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と、（６）改質体群と、（４－１）重合体とを溶融混練する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ７）～（ｄ１１）の溶融混練する工程では、（４－１）重合体と他の材料との混合物を溶融混練してもよく、溶融した（４－１）重合体に他の材料を添加してもよい。「他の材料」とは、（４－１）重合体の他に各製造方法で用いる材料を指し、具体的には（１）ペロブスカイト化合物、（５）表面処理剤、（６Ａ）原料化合物及び（６）改質体群を指す。
製造方法（ｄ１１）の溶融混練する工程で添加する（６）改質体群は、（６Ａ）原料化合物を改質処理することで得られる。
製造方法（ｄ７）～（ｄ１１）において（４－１）重合体を溶融混練する方法としては、重合体の混練方法として公知の方法を採用することができる。例えば、単軸押出機、又は二軸押出機を用いた押出加工を採用することができる。
製造方法（ｄ８）の改質処理を施す工程は、上述した方法を採用することができる。
製造方法（ｄ９）及び（ｄ１１）の液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ａ１）又は（ａ２）を採用することができる。
製造方法（ｄ１０）の液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ａ３）又は（ａ４）を採用することができる。
製造方法（ｄ９）～（ｄ１１）の固形分を取り出す工程は、例えば加熱、減圧、送風及びこれらの組み合わせにより、液状組成物から液状組成物を構成する（３）溶媒及び（４）重合性化合物を除去することで行う。
本実施形態の組成物が（１０）半導体材料を含む場合、上述の製造方法（ｄ７）～（ｄ１１）において、適宜「（１０）半導体材料を混合する工程」を設定するとよい。
具体的には、製造方法（ｄ７）（ｄ８）においては、（１）ペロブスカイト化合物と共に（１０）半導体材料と（４－１）重合体とを溶融混練するとよい。
製造方法（ｄ９）～（ｄ１１）においては、液状組成物を製造する工程に（１０）半導体材料を混合する工程を含めてもよく、（１）ペロブスカイト化合物と共に（１０）半導体材料と（４－１）重合体とを溶融混練してもよい。
≪発光性の半導体材料の測定≫
本発明の組成物に含まれる発光性の半導体材料の量は乾燥質量法によって固形分濃度（質量％）を算出する。
≪ペロブスカイト化合物の固形分濃度測定≫
本実施形態の組成物におけるペロブスカイト化合物の固形分濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液を乾燥させた後に、残存した質量を測定して下記の式に当てはめて算出する。
固形分濃度（質量％）＝乾燥後の質量÷乾燥前の質量×１００
≪発光強度の測定≫
発光強度は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。
＜＜フィルム＞＞
本実施形態に係るフィルムは、上述の組成物を形成材料とする。例えば、本実施形態に係るフィルムは、（１）ペロブスカイト化合物及び（４－１）重合体を含み、（１）ペロブスカイト化合物及び（４－１）重合体の合計がフィルム全体の９０質量％以上である。
フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、一方向に延在する平面視帯状の形状を意味する。平面視帯状の形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。
フィルムの厚みは、０．０１μｍ～１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ～１０ｍｍであってもよく、１μｍ～１ｍｍであってもよい。
本明細書においてフィルムの厚みは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向のおもて面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の３点においてフィルムの厚みを測定し、３点の測定値の平均値を、フィルムの厚みとする。
フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の組成物が用いられていてもよい。
フィルムは、例えば、後述の積層構造体の製造方法（ｅ１）～（ｅ３）により、基板上に形成されたフィルムを得ることができる。また、フィルムは基板から剥がして得ることができる。
＜＜積層構造体＞＞
本実施形態に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。
積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。
（基板）
基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよい。基板は、光透過性を有するものが好ましい。光透過性を有する基板を有する積層構造体では、（１）ペロブスカイト化合物が発した光を取り出しやすいため好ましい。
基板の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。
図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。
本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、封止層２２が、フィルム１０の第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。
（バリア層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護する観点から、バリア層を含んでいてもよい。
バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。バリア層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラス膜などの公知のバリア層を用いることができる。
（光散乱層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。
＜＜発光装置＞＞
本実施形態に係る発光装置は、本実施形態のフィルム又は積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、光源の光射出方向に設置したフィルム又は積層構造体に照射することで、フィルム又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。
発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。
本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、第１の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。
（光源）
本実施形態の発光装置を構成する光源としては、（１）ペロブスカイト化合物の吸収波長帯に含まれる光を射出する光源を用いる。例えば、上述のフィルム、又は積層構造体中の半導体材料を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を用いることができる。
（光反射部材）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光反射部材を有する発光装置は、光源の光を効率的にフィルム、又は積層構造体に向かって照射することができる。
光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであってもよい。反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。
（輝度強化部）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいてもよい。
（プリズムシート）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。
プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。
発光装置を後述のディスプレイに用いる場合、プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。
（導光板）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側と視認側とのいずれか一方又は両方にプリズム形状等が形成された導光板など、任意の適切な導光板が用いることができる。
（要素間の媒体材料層）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層（要素間の媒体材料層）が挙げられる。
要素間の媒体材料層に含まれる１つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は上記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。
本実施形態の発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、以下の（Ｅ１）～（Ｅ４）の各構成を挙げることができる。
構成（Ｅ１）：本実施形態の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）。
構成（Ｅ２）：本実施形態の組成物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）。
構成（Ｅ３）：本実施形態の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）。
構成（Ｅ４）：本実施形態の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト。
また、本実施形態に係る発光装置の具体例としては、本実施形態の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。
＜＜ディスプレイ＞＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、第１の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。
（液晶パネル）
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。
（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、一対の基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。
（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。
＜＜組成物の用途＞＞
本実施形態の組成物の用途としては、以下のような用途を挙げることができる。
＜ＬＥＤ＞
本実施形態の組成物は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）の発光層の材料として用いることができる。
本実施形態の組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本実施形態の組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面にｐ型輸送層を積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。
＜太陽電池＞
本実施形態の組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本発明の組成物を含む活性層、２，２’，７，７’－ｔｅｔｒａｋｉｓ（Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－ｐ－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）－９，９’－ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ－ＭｅＯＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。
活性層に含まれる、本実施形態の組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。
＜センサー＞
本実施形態の組成物は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料として利用することができる。
＜＜フィルムの製造方法＞＞
フィルムの製造方法は、例えば、下記（ｅ１）～（ｅ３）の製造方法が挙げられる。
製造方法（ｅ１）：液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含むフィルムの製造方法。
製造方法（ｅ２）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含むフィルムの製造方法。
製造方法（ｅ３）：上述の製造方法（ｄ１）～（ｄ６）で得られた組成物を成形加工するフィルムの製造方法。
上記製造方法（ｅ１）（ｅ２）で製造したフィルムは、製造位置から剥離して用いてもよい。
＜＜積層構造体の製造方法＞＞
積層構造体の製造方法は、例えば、下記（ｆ１）～（ｆ３）の製造方法が挙げられる。
製造方法（ｆ１）：液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法。
製造方法（ｆ２）：フィルムを基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法。
製造方法（ｆ３）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ｃ１）～（ｃ５）を採用することができる。
製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を基板上に塗工する工程は、特に制限は無いが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法などの、公知の塗布、塗工方法を用いることができる。
製造方法（ｆ１）における（３）溶媒を除去する工程は、上述した製造方法（ｄ２）、（ｄ４）、（ｄ６）に含まれる（３）溶媒を除去する工程と同様の工程とすることができる。
製造方法（ｆ３）における（４）重合性化合物を重合させる工程は、上述した製造方法（ｄ１）（ｄ３）（ｄ５）に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と同様の工程とすることができる。
製造方法（ｆ２）におけるフィルムを基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。
接着剤は、（１）ペロブスカイト化合物、及び（１０）半導体材料を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
積層構造体の製造方法は、得られた積層構造体に、さらに任意のフィルムを張り合わせる工程を含んでいてもよい。
張り合わせる任意のフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。
フィルムを張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。
上述の接着剤は、（１）ペロブスカイト化合物、及び（１０）半導体材料を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
＜＜発光装置の製造方法＞＞
例えば、上述の光源と、光源から射出される光の光路上に上述のフィルム、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（ペロブスカイト化合物の固形分濃度測定）
実験例１～４、実施例１～４、及び比較例１、２で得られた組成物におけるペロブスカイト化合物の固形分濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液を１０５℃で３時間乾燥させた後に、残存した質量を測定して下記の式に当てはめて算出した。
固形分濃度（質量％）＝乾燥後の質量÷乾燥前の質量×１００
（発光強度測定）
実験例１～４、実施例１～４、及び比較例１、２で得られた組成物の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。発光性の半導体材料由来の発光強度は半導体材料由来の発光ピークの頂点となる波長の強度を用いた。
（組成物中のペロブスカイト化合物の濃度測定）
実験例１～４、実施例１～４、及び比較例１、２で得られた組成物における（１）ペロブスカイト化合物の濃度は下記の方法により測定した。
まず、再分散させることで得られたペロブスカイト化合物および溶媒を含む分散液に、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを添加することでペロブスカイト化合物を溶解させた。
その後、ＩＣＰ－ＭＳ（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ）、でＰｂ、Ｃｓを、イオンクロマトグラフ（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いてＢｒを測定し、合計することで算出した。
（（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量の算出方法１）
実験例１～４、実施例１、２、及び比較例１、２で得られた組成物のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）測定により、組成物全量に含まれるペロブスカイト中のＰｂのモルと組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子のモルとの比（窒素原子／Ｐｂ（モル比））を算出した。測定条件を下記に示す。ＸＰＳ測定は、ペロブスカイトを含む組成物０．０５ｍＬを１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板にキャスト、乾燥した後に行った。また、上述のＩＣＰ－ＭＳ測定により得られた組成物に含まれるペロブスカイト中のＰｂの含有量（μｇ／ｇ）から下記の式で組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量を算出した。
組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量（μｇ／ｇ）＝Ｐｂ（μｇ／ｇ：ＩＣＰ測定値）÷Ｐｂ（ｇ／ｍｏｌ）×窒素原子／Ｐｂ（ＸＰＳ測定値：窒素原子とＰｂモル比）×窒素原子（ｇ／ｍｏｌ）
・測定条件
Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ、アルバック・ファイ株式会社製。
ＡｌＫα線光電子取り出し角４５度、アパーチャー直径を１００μｍ、表面汚染炭化水素のＣ１ｓに帰属されるピークを２８４．６ｅＶとして帯電補正の基準として使用。
（（２）アミン化合物群に含まれる窒素原子の質量の算出方法２）
実施例３～４で得られた組成物のＧＣ－ＭＳ測定により、組成物全量に含まれる組成物中のアミン化合物群の質量を測定した後、窒素原子の質量を算出した。
測定条件を下記に示す。
ＧＣ―ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ ６８９０Ｎ カラムＲｔｘ－５ａｍｉｎｅ ３０ｍ長、０．２５ｍｍφ、膜厚１μｍ、加熱５０℃で１ｍｉｎ保持後、２０℃／ｍｉｎで３００℃まで昇温して、５ｍｉｎ保持、注入口３００℃、検出器３１５℃、注入量１μＬ、スプリット比：１０：１）
組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量（μｇ／ｇ）＝組成物中のアミン化合物群の質量（ＧＣ－ＭＳ測定値、μｇ／ｇ）÷組成物中のアミン化合物群の分子量（ｇ／ｍｏｌ）×窒素原子（ｇ／ｍｏｌ）×組成物中のアミン化合物群の１分子中に含まれる窒素原子の数
（発光性の半導体材料とのアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量比の算出方法）
実験例１～４、実施例１～４、及び比較例１、２で得られた組成物中の発光性の半導体材料（μｇ）と組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量（μｇ）の質量比は下記の式で算出した。窒素原子の質量／半導体材料の質量（μｇ／μｇ）＝組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量（μｇ）÷半導体材料の質量（μｇ）
（ペロブスカイト化合物に含まれるＢに対するアミン化合物群に含まれる窒素原子のモル比の算出方法１）
実施例１～２、及び比較例１、２で得られた組成物のペロブスカイト化合物に含まれるＰｂに対するアミン化合物群に含まれる窒素原子のモル比の算出方法は上述のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）測定により、算出した。
（ペロブスカイト化合物に含まれるＢに対するアミン化合物群に含まれる窒素原子のモル比の算出方法２）
実施例３～４で得られた組成物のペロブスカイト化合物に含まれるＰｂに対するアミン化合物群に含まれる窒素原子のモル比の算出方法は、上述のＧＣ－ＭＳ測定により得られた組成物に含まれる組成物中のアミン化合物群の含有量を算出した。
また、上述のＩＣＰ－ＭＳ測定により得られた組成物に含まれるペロブスカイト中のＰｂの含有量（μｇ／ｇ）から下記の式で組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量を算出した。
ペロブスカイト化合物に含まれるＰｂに対するアミン化合物群に含まれる窒素原子のモル比＝組成物中のアミン化合物群の質量（ＧＣ－ＭＳ測定値、μｇ／ｇ）÷組成物中のアミン化合物群の分子量（ｇ／ｍｏｌ）×組成物中のアミン化合物群の１分子中に含まれる窒素原子の数÷Ｐｂ（μｇ／ｇ：ＩＣＰ測定値）×Ｐｂ（ｇ／ｍｏｌ）
（組成物中の発光性の半導体材料の発光スペクトル変化の評価）
実施例１～４、及び比較例１、２で得られた組成物中の発光性の半導体材料について、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。
半導体材料由来の発光スペクトルの最大発光強度を与えるピーク（ピークＡ）の混合１時間後の半値幅の増加量を下記式により算出した。
（ピークＡの半値幅の増加量）＝（混合１時間後のピークＡの半値幅）－（混合直後のピークＡの半値幅）
組成物中の発光性の半導体材料のピークＡの半値幅の増加量が－０．２以上、１．０３以下であることが、組成物をディスプレイとして使用した際の色域低下抑制の観点から、発光性の組成物として良好である。
（組成物中のペロブスカイト化合物の発光強度の評価）
実施例１～４、及び比較例１、２で得られた組成物中のペロブスカイト化合物について、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。ペロブスカイト化合物由来の発光強度はペロブスカイト化合物由来の発光ピークの頂点となる波長の強度を用いた。
ペロブスカイト化合物由来の発光スペクトルの最大発光強度を与えるピーク（ピークＢ）の混合直後と混合１時間後の発光強度比を下記式により算出した。
（混合直後と混合１時間後のピークＢの発光強度比）
＝（混合１時間後のピークＢの発光強度）／（混合直後のピークＢの発光強度）
組成物中のペロブスカイト化合物の発光スペクトルにおいて、混合直後と混合１時間後のピークＢの発光強度比が０．５以上、１．０以下であることが、発光材料として使用する際の発光強度を維持する観点から、発光性の組成物として良好である。
（耐久性の評価）
実験例１～４、実施例１～４、及び比較例１、２で得られた組成物を、半導体材料と混合した後に攪拌した。１時間後にサンプルを分取して、トルエンで希釈した後に、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で発光スペクトルを測定した。
耐久性の指標として、［（１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値で評価した。
（組成物の合成）
［実験例１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１－オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛（ＰｂＢｒ２）０．２７６ｇを１－オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、およびオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。
臭化鉛分散液を１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、分散液を得た。
次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間遠心分離し、沈殿物を分離することで、沈殿物のペロブスカイト化合物を得た。ペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させ、ペロブスカイト分散液を得た。
得られたペロブスカイト分散液１をＩＣＰ－ＭＳ、およびイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、１５０００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素原子の含有量は、ＸＰＳによって測定した窒素原子／ＰｂとＩＣＰ－ＭＳによって測定したＰｂ量から算出し、２９０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
０．１ｍＬの市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）と、得られた０．２５ｍＬペロブスカイト分散液とを混合し、分散液組成物を得た。分散液組成物は、アミン化合物群由来の窒素原子の含有量が２０７ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であり、分散液組成物中の発光性の半導体材料とアミン化合物群中の窒素原子の質量比は０．０１４５であった。
耐久試験の結果［（１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．３６であった。
発光スペクトルの測定は、アミン化合物群由来の窒素原子量が２０７ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
［実験例２］
実験例１と同様の方法で得た０．２５ｍＬペロブスカイト分散液１と、市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）を０．２５ｍＬ混合し、アミン化合物群由来の窒素原子量が１４５ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰと、ペロブスカイトを含む分散液組成物を得た。分散液組成物中の発光性の半導体材料とアミン化合物群中の窒素原子の質量比は０．００５８であった。
耐久試験の結果［（１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．４０であった。
発光スペクトルの測定は、アミン化合物群由来の窒素原子の含有量が１４５ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
［実験例３］
実験例１と同様の方法で得た０．２５ｍＬペロブスカイト分散液１と、市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料子の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）を０．５ｍＬ、混合して、アミン化合物群由来のＮ量が９７ｐｐｍ（μｇ／ｇ）である分散液組成物を得た。
分散液組成物中の発光性の半導体材料とアミン化合物群中のＮの質量比は０．００２９０であった。組成物中の発光性の半導体材料とＩＣＰ－ＭＳにより測定したペロブスカイト中の鉛原子の質量比は０．０７１５であった。
耐久試験の結果［１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．４９であった。
［（１時間後の半導体材料由来の発光の半値幅）－（半導体材料混合直後の半導体材料由来の半値幅）］の値は１．０４ｎｍであった。
［（１時間後のペロブスカイト化合物由来の発光の発光強度）／（半導体材料混合直後のペロブスカイト化合物由来の発光強度）］の値は１．０であった。
発光スペクトルの測定は、アミン化合物群由来のＮ量が９７ｐｐｍであるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
（組成物の合成）
［実験例４］
実験例１と同様の方法で得たペロブスカイト分散液１を、０．２５ｍＬを分取してオレイルアミン１０μＬと混合した。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素原子の含有量は、ＸＰＳによって測定した窒素原子／ＰｂとＩＣＰ－ＭＳによって測定した鉛量から算出し、２１８８ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）を０．１ｍＬ、上述のペロブスカイトと溶媒と、アミン化合物群を含む分散液組成物に添加して、アミン化合物群由来の窒素原子量が１５７９ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物を得た。
組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量と、発光性の半導体材料中の窒素原子の質量比（窒素原子／（１０））は０．１１であった。
耐久試験の結果［（１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．３０であった。
発光スペクトルの測定は、アミン化合物群由来の窒素原子量が１５７９ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
（組成物の合成）
［実施例１］
実験例１と同様の方法で得たペロブスカイト分散液１を１００００ｒｐｍ、５分間遠心分離し、沈殿物を分離した後に、沈殿を酢酸エチル５ｍＬ、及びトルエン１５ｍＬの混合溶液に分散させた後に、１００００ｒｐｍ、５分間遠心分離し、沈殿物を洗浄した。洗浄を３回することで、沈殿物のペロブスカイト化合物を得た後、トルエンに再分散させた。
ＩＣＰ－ＭＳ、およびイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、１５０００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。上述のペロブスカイトを含む分散液０．０５ｍｌを分取した。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量とＰｂのモル比（Ｎ／Ｐｂ）は、ＸＰＳによって測定し、０．３であった。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量は、ＸＰＳによって測定したＮ／ＰｂとＩＣＰ－ＭＳによって測定したＰｂ量から算出し、１４５ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）を０．１ｍＬ、上述のペロブスカイトと溶媒と、アミン化合物群を含む分散液組成物に添加して、アミン化合物群由来の窒素原子量が４８ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物を得た。組成物中の発光性の半導体材料とアミン化合物群中の窒素原子の質量比は０．００１４５であった。組成物中の発光性の半導体材料とＩＣＰ－ＭＳにより測定したペロブスカイト中の鉛原子の質量比は０．０７１５であった。
耐久試験の結果［（１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．６８であった。
［（１時間後の半導体材料由来の発光の半値幅）－（半導体材料混合直後の半導体材料由来の半値幅）］の値は０．９０ｎｍであった。
［（１時間後のペロブスカイト化合物由来の発光の発光強度）／（半導体材料混合直後のペロブスカイト化合物由来の発光強度）］の値は１．０であった。
発光スペクトルの測定は、アミン化合物群由来の窒素原子量が４８ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
（組成物の合成）
［実施例２］
実施例１と同様の方法で得た洗浄したペロブスカイト化合物をトルエンに再分散させ、ペロブスカイト化合物を含む分散液を得た。ＩＣＰ－ＭＳ、およびイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、１５０００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量とＰｂのモル比（Ｎ／Ｐｂ）は、ＸＰＳによって測定し、０．３であった。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量は、ＸＰＳによって測定したＮ／ＰｂとＩＣＰ－ＭＳによって測定したＰｂ量から算出し、１４５ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
上述の分散液にポリシラザン（ＡＺＮＮ－１２０－２０、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）を添加した後、１時間マグネチックスターラーで攪拌させて反応を行った。ＩＣＰ－ＭＳによって測定したＰｂ量、Ｓｉ量から算出したＳｉ／Ｐｂ（モル比）は１５．９であった。
市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）を０．５ｍＬ、上述のペロブスカイトと溶媒と、アミン化合物群を含む分散液組成物０．２５ｍＬに添加して、アミン化合物群由来の窒素原子量が４８ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物を得た。組成物中の発光性の半導体材料とアミン化合物群中の窒素原子の質量比は０．００１４５であった。組成物中の発光性の半導体材料とＩＣＰ－ＭＳにより測定したペロブスカイト中の鉛原子の質量比は０．０７１５であった。
耐久試験の結果［（１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．９２であった。
［（１時間後の半導体材料由来の発光の半値幅）－（半導体材料混合直後の半導体材料由来の半値幅）］の値は０．５７ｎｍであった。
［（１時間後のペロブスカイト化合物由来の発光の発光強度）／（半導体材料混合直後のペロブスカイト化合物由来の発光強度）］の値は０．８７であった。
発光スペクトルの測定は、アミン化合物群由来の窒素原子量が４８ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
（組成物の合成）
［実施例３］
オレイルアミン２５ｍＬ、及びエタノール２００ｍＬを混合した後、氷冷しながら攪拌しながら臭化水素酸集溶液（４８％）を１７．１２ｍＬ添加した後、減圧乾燥して沈殿を得た。沈殿はジエチルエーテルを用いて洗浄した後、減圧乾燥して臭化オレイルアンモニウムを得た。
臭化オレイルアンモニウム２１ｇに対して、トルエン２００ｍＬを混合して臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を調製した。
酢酸鉛・３水和物１．５２ｇと、ホルムアミジン酢酸塩１．５６ｇ、１－オクタデセンの溶媒１６０ｍＬと、オレイン酸４０ｍＬとを混合した。攪拌して、窒素を流しながら１３０℃でまで加熱した後、上述の臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を５３．４ｍＬ添加した。添加後溶液を室温まで降温し、分散液を得た。
分散液に対してトルエン４０ｍＬ、及び酢酸エチル４０ｍＬを混合した溶液をろ過で固液分離した後、ろ過上の固形分をトルエン４０ｍＬ、及び酢酸エチル４０ｍＬの混合した溶液で２回流して洗浄した後、ろ過上の固形分をトルエンで分散し、ペロブスカイト化合物を含む分散液を得た。
上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量は、ＧＣ－ＭＳによって測定し、Ｐｂ量はＩＣＰ－ＭＳによって測定した。得られた測定値から窒素量とＰｂ量のモル比（Ｎ／Ｐｂ）を算出したところ、０．１６であった。
述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量は、ＧＣ－ＭＳによって測定し、７８．６ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）を０．５ｍＬ、上述のペロブスカイトと溶媒と、アミン化合物群を含む分散液組成物０．２５ｍｌに添加して、アミン化合物群由来の窒素原子量が２６．２ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物を得た。組成物中の発光性の半導体材料とアミン化合物群中の窒素原子の質量比は０．０００７８６であった。組成物中の発光性の半導体材料とＩＣＰ－ＭＳにより測定したペロブスカイト中の鉛原子の質量比は０．０７１５であった。
耐久試験の結果［（１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．７５であった。
［（１時間後の半導体材料由来の発光の半値幅）－（半導体材料混合直後の半導体材料由来の半値幅）］の値は０．５９ｎｍであった。
［（１時間後のペロブスカイト化合物由来の発光の発光強度）／（半導体材料混合直後のペロブスカイト化合物由来の発光強度）］の値は０．７５であった。
発光スペクトルの測定は、アミン化合物群由来の窒素原子量が２６．２ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
（組成物の合成）
［実施例４］
実施例３と同様の方法で、ペロブスカイトを含む分散液を得た。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量は、ＧＣ－ＭＳによって測定し、Ｐｂ量はＩＣＰ－ＭＳによって測定した。得られた測定値から窒素量とＰｂ量のモル比（Ｎ／Ｐｂ）を算出したところ、０．１６であった。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量は、ＧＣ－ＭＳによって測定し、７８．６ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。上述の分散液にポリシラザン（ＡＺＮＮ－１２０－２０、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）を添加した後、１時間マグネチックスターラーで攪拌させて反応を行った。ＩＣＰ－ＭＳによって測定したＰｂ量、Ｓｉ量から算出したＳｉ／Ｐｂ（モル比）は１５．９であった。
市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）を０．５ｍＬ、上述のペロブスカイトと溶媒と、アミン化合物群を含む分散液組成物０．２５ｍｌに添加して、アミン化合物群由来の窒素原子量が２６．２ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物を得た。組成物中の発光性の半導体材料とアミン化合物群中の窒素原子の質量比は０．０００７８６であった。組成物中の発光性の半導体材料とＩＣＰ－ＭＳにより測定したペロブスカイト中の鉛原子の質量比は０．０７１５であった。
耐久試験の結果［（１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．８２であった。
［（１時間後の半導体材料由来の発光の半値幅）－（半導体材料混合直後の半導体材料由来の半値幅）］の値は、－０．１６ｎｍであった。
［（１時間後のペロブスカイト化合物由来の発光の発光強度）／（半導体材料混合直後のペロブスカイト化合物由来の発光強度）］の値は０．８０であった。
発光スペクトルの測定は、アミン化合物群由来の窒素原子量が２６．２ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
（組成物の合成）
［比較例１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１－オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛（ＰｂＢｒ２）０．２７６ｇを１－オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、およびオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。
臭化鉛分散液を１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、分散液を得た。
次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間遠心分離し、沈殿物を分離することで、沈殿物のペロブスカイト化合物を得た。
ＩＣＰ－ＭＳ、およびイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、１５０００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。上述のペロブスカイトを含む分散液を、０．２５ｍＬを分取してオレイルアミン５０μＬと混合した。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量とＰｂのモル比（Ｎ／Ｐｂ）は、ＸＰＳによって測定し、２１．１であった。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量は、ＸＰＳによって測定した窒素原子／ＰｂとＩＣＰ－ＭＳによって測定した鉛量から算出し、８５７３ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）を０．１ｍＬ、上述のペロブスカイトと溶媒と、アミン化合物群を含む分散液組成物に添加して、アミン化合物群由来の窒素原子量が７６１０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物を得た。組成物中のアミン化合物群に含まれる窒素原子の質量と、発光性の半導体材料中の窒素原子の質量比（窒素原子／（１０））は０．５３であった。
［（１時間後のペロブスカイト化合物由来の発光の発光強度）／（半導体材料混合直後のペロブスカイト化合物由来の発光強度）］の値は１．０であった。
耐久試験の結果［（１時間後の半導体材料子由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．２８であった。
発光スペクトルの測定は、アミン化合物群由来の窒素原子量が７６１０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であるＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物とアミン化合物群と、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
（組成物の合成）
［比較例２］
臭化鉛１９４．４ｍｇ、臭化セシウム１０９．８ｍｇをジメチルスルホキシドと混合して、２ｇの溶液を調製した。マグネチックスターラーで攪拌しながら、上述のジメチルスルホキシド溶液１．３ｇと、トルエン８．７ｇと混合して１時間反応させることで、ペロブスカイト化合物を含む分散液を得た。
上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量は、ＧＣ－ＭＳによって測定し、０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。上述のペロブスカイトを含む分散液に含まれるアミン化合物群由来の窒素量とＰｂのモル比（Ｎ／Ｐｂ）は、ＧＣ－ＭＳによって測定し、算出したアミン化合物群由来の窒素量、及びＩＣＰ－ＭＳによって測定したＰｂ量から算出し、０であった。
市販のＩｎＰ／ＺｎＳのトルエン分散液（発光性の半導体材料の固形分濃度５％：発光波長６３０ｎｍ）を０．５ｍＬ、上述のペロブスカイトと溶媒を含む分散液組成物０．２５ｍｌに添加して、ＩｎＰとペロブスカイトを含む分散液組成物と、溶媒を含む分散液組成物を得た。組成物中の発光性の半導体材料とアミン化合物群中の窒素原子の質量比は０であった。組成物中の発光性の半導体材料とペロブスカイト中の鉛原子の質量比は０．０７１５であった。
耐久試験の結果［（１時間後の半導体材料由来の発光強度）／（半導体材料混合直後の半導体材料由来の発光強度）］の値は０．８４であった。
［（１時間後の半導体材料由来の発光の半値幅）－（半導体材料混合直後の半導体材料由来の半値幅）の］値は１．２９ｎｍであった。
［（１時間後のペロブスカイト化合物由来の発光の発光強度）／（半導体材料混合直後のペロブスカイト化合物由来の発光強度）］の値は０であった。
発光スペクトルの測定は、ＩｎＰとペロブスカイト、溶媒を含む分散液組成物をトルエン２．２５ｍＬと混合して希釈した後に、そこからさらに０．０１ｍＬ分取してトルエン２．９９ｍＬを混合した溶液を測定した。
［参考例１］
実験例１～４及び実施例１～４に記載の組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例２］
実験例１～４及び実施例１～４に記載の組成物をシート化する事で樹脂組成物を得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例３］
実験例１～４及び実施例１～４に記載の組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例４］
実験例１～４及び実施例１～４に記載の組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例５］
実験例１～４及び実施例１～４に記載の組成物をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。
［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実験例１～４及び実施例１～４に記載の組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２－，７，７－ｔｅｔｒａｋｉｓ－（Ｎ，Ｎ－ｄｉ－ｐ－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）９，９－ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ （Ｓｐｉｒｏ－ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。
［参考例７］
実験例１～４及び実施例１～４に記載の組成物の、溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから組成物に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
［参考例８］
実験例１～４及び実施例１～４に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができる。得られた組成物を光電変換層の一部とすることで、光を検知する検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料を製造する。光電変換素子材料は、Ｘ線撮像装置およびＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部および虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーに用いられる。
１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims (7)

  1. 下記（１）、下記（２）及び下記（１０）を含み、下記（１）に含まれるＢに対する下記（２）に含まれる窒素原子のモル比が０を超え０．５５以下であり、下記（２）に含まれる窒素原子の質量と下記（１０）の質量との比（窒素原子／（１０））が、０．５以下であり、
    さらに下記（６）を含む、組成物。
    （１）：Ａ、Ｂ、及びＸを成分とするペロブスカイト化合物。
    （Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
    Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のイオンである。
    Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
    （２）：ＣｌＮｍＨｎで表される化合物、ＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオン又はＣｌＮｍＨｎで表される化合物のイオンの塩（ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ独立に整数を表す。）
    （１０）：発光性の半導体材料
    （６）：シラザン、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物、下記式（Ａ５－５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物、下記式（Ａ５－５２）で表される化合物の改質体、ケイ酸ナトリウム、及びケイ酸ナトリウムの改質体からなる群より選択される１種以上の化合物。
    Figure 0007340373000027
     （式（Ｃ１）中、Ｙ ５ は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
    Ｙ ５ が酸素原子の場合、Ｒ ３０ 及びＲ ３１ は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
    Ｙ ５ が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ ３０ は炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ ３１ は水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
    式（Ｃ２）中、Ｒ ３０ 、Ｒ ３１ 及びＲ ３２ は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１～２０のアルキル基、炭素原子数が３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２～２０の不飽和炭化水素基を表す。
    式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
    Ｒ ３０ 、Ｒ ３１ 及びＲ ３２ で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
    ａは１～３の整数である。
    ａが２又は３のとき、複数存在するＹ ５ は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
    ａが２又は３のとき、複数存在するＲ ３０ は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
    ａが１又は２のとき、複数存在するＲ ３１ 又はＲ ３２ は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）
    Figure 0007340373000028
     （式（Ａ５－５１）及び式（Ａ５－５２）中、Ａ Ｃ は２価の炭化水素基であり、Ｙ １５ は酸素原子又は硫黄原子である。
    Ｒ １２２ 及びＲ １２３ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ １２４ は、炭素原子数１～２０のアルキル基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ １２５ 及びＲ １２６ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３～３０のシクロアルキル基を表す。
    Ｒ １２２ ～Ｒ １２６ で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。）
  2. さらに、下記（５）を含む、請求項１に記載の組成物。
    （５）：アンモニウムイオン、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）～（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）～（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオン。
    Figure 0007340373000029
    Figure 0007340373000030
    Figure 0007340373000031
    Figure 0007340373000032
    Figure 0007340373000033
    Figure 0007340373000034
     （式（Ｘ１）中、Ｒ１８～Ｒ２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ－はカウンターアニオンを表す。
    式（Ｘ２）中、Ａ１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２２は、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
    式（Ｘ３）中、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
    式（Ｘ４）中、Ａ４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２５は、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６～３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
    式（Ｘ５）中、Ａ５～Ａ７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２６～Ｒ２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は炭素原子数２～２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
    式（Ｘ６）中、Ａ８～Ａ１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２９～Ｒ３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、又は炭素原子数２～２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。 Ｒ１８～Ｒ３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）
  3. 前記（５）が下記（５－１）である請求項２に記載の組成物。
    （５－１）：アンモニウムイオン、アンモニウム塩、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、及びカルボキシレート塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオン。
  4. 請求項１～３のいずれか１項に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
  5. 請求項４に記載のフィルムを含む積層構造体。
  6. 請求項５に記載の積層構造体を備える発光装置。
  7. 請求項５に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
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