WO2018168638A1 - ペロブスカイト化合物を含む混合物 - Google Patents

ペロブスカイト化合物を含む混合物 Download PDF

Info

Publication number
WO2018168638A1
WO2018168638A1 PCT/JP2018/008969 JP2018008969W WO2018168638A1 WO 2018168638 A1 WO2018168638 A1 WO 2018168638A1 JP 2018008969 W JP2018008969 W JP 2018008969W WO 2018168638 A1 WO2018168638 A1 WO 2018168638A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
compound
mixture
group
perovskite
mass
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/008969
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
翔太 内藤
酒谷　能彰
Original Assignee
住友化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友化学株式会社 filed Critical 住友化学株式会社
Priority to US16/491,800 priority Critical patent/US11268023B2/en
Priority to JP2018569183A priority patent/JP6600759B2/ja
Priority to CN201880017418.XA priority patent/CN110392724B/zh
Priority to KR1020197026151A priority patent/KR102569673B1/ko
Priority to EP18767507.9A priority patent/EP3597723A4/en
Publication of WO2018168638A1 publication Critical patent/WO2018168638A1/ja
Priority to US17/590,295 priority patent/US11739264B2/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/615—Halogenides
    • C09K11/616—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C09K11/626—Halogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C09K11/626—Halogenides
    • C09K11/628—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C09K11/701—Chalcogenides
    • C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Definitions

  • the present invention relates to a mixture comprising a perovskite compound.
  • Non-Patent Document 1 An LED backlight comprising a blue LED and a composition containing two kinds of compounds having different emission wavelengths has been developed.
  • interest in perovskite compounds has increased as a compound having a light emitting property contained in the composition.
  • a composition containing a perovskite compound a composition formed by laminating two layers each containing a different perovskite compound has been reported (Non-Patent Document 1).
  • Non-Patent Document 1 since the laminated composition described in Non-Patent Document 1 requires a process for forming a plurality of layers, it cannot always be said that productivity is sufficient. Thus, when a mixture of two types of perovskite compounds having different emission wavelengths was produced, a problem was found that the two types of intrinsic emission peaks of each perovskite compound become one.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a mixture containing a perovskite compound having two types of emission peaks and high productivity.
  • a mixture comprising (1) and (2).
  • a luminescent perovskite compound having A, B, and X as constituent components (A is a component located at each vertex of a hexahedron centered on B in a perovskite crystal structure, It is a valent cation.
  • X represents a component located at each vertex of an octahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and is one or more anions selected from the group consisting of halide ions and thiocyanate ions.
  • B is a component located at the center of a hexahedron that arranges A at the apex and an octahedron that arranges X at the apex in the perovskite crystal structure, and is a metal ion.
  • the indium compound having a light-emitting property or the cadmium compound having a light-emitting property [2] The mixture according to [1], further including at least one of (3) and (4).
  • Solvent (4) Polymerizable compound or polymer [3] The mixture according to [1] or [2], further comprising (5).
  • a luminescent perovskite compound having A, B, and X as constituent components (A is a component located at each vertex of a hexahedron centered on B in a perovskite crystal structure, It is a valent cation.
  • X represents a component located at each vertex of an octahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and is one or more anions selected from the group consisting of halide ions and thiocyanate ions.
  • B is a component located at the center of a hexahedron that arranges A at the apex and an octahedron that arranges X at the apex in the perovskite crystal structure, and is a metal ion.
  • a film comprising a mixture of at least one compound [6] [4] or [5] selected from the group consisting of ammonia, amine, carboxylic acid, and salts or ions thereof.
  • a laminated structure including the film according to [6].
  • a light emitting device comprising the laminated structure according to [7].
  • a display comprising the laminated structure according to [7].
  • a mixture containing a perovskite compound having two kinds of emission peaks and high productivity can be provided.
  • the mixture of this embodiment has luminescent properties.
  • Luminescent refers to the property of emitting light.
  • the light emitting property is preferably a property of emitting light by excitation of electrons, and more preferably a property of emitting light by excitation of electrons by excitation light.
  • the wavelength of the excitation light may be, for example, 200 nm to 800 nm, 250 nm to 750 nm, or 300 nm to 700 nm.
  • the mixture of the present embodiment includes (1) and (2).
  • a luminescent perovskite compound having A, B, and X as constituent components (A is a component located at each vertex of a hexahedron centered on B in a perovskite crystal structure, It is a valent cation.
  • X represents a component located at each vertex of an octahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and is one or more anions selected from the group consisting of halide ions and thiocyanate ions.
  • (1) perovskite compound having A, B and X as constituent components is referred to as “(1) perovskite compound”. is there.
  • the mixture of this embodiment should just be a composition in which (1) and (2) are mixed, and may contain components other than (1) and (2).
  • the mixture of the present embodiment may further include at least one of (3) and (4).
  • (1) and (2) may be dispersed in at least one of (3) or (4).
  • (3) Solvent (4) Polymerizable compound, polymer
  • the mixture of this embodiment may further contain (5).
  • the mixture of this embodiment further includes (5), for example, at least a part of (1) may be covered with (5).
  • (1) at least partially coated with (5) is replaced with “(5) at least one compound selected from the group consisting of ammonia, amines, carboxylic acids, and salts or ions thereof.
  • (5) perovskite compound is included in the mixture of this embodiment.
  • the mixture of the present embodiment may have other components other than the above (1) to (5).
  • other components for example, a compound having an amorphous structure composed of some impurities and elemental components constituting (1) or (2), a polymerization initiator, and a protective layer of the compound (2) are formed.
  • Inorganic compounds for the purpose The content ratio of the other components is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and still more preferably 1% by mass or less with respect to the total mass of the mixture.
  • a luminescent perovskite compound having A, B, and X as constituent components (A is a component located at each vertex of a hexahedron centered on B in a perovskite crystal structure, It is a valent cation.
  • X represents a component located at each vertex of an octahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and is one or more anions selected from the group consisting of halide ions and thiocyanate ions.
  • B is a component located at the center of a hexahedron that arranges A at the apex and an octahedron that arranges X at the apex in the perovskite crystal structure, and is a metal ion.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is not particularly limited. From the viewpoint of making it difficult to condense (1) and preventing concentration quenching, it is preferably 50% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, and even more preferably 1% by mass or less. Further, from the viewpoint of obtaining good emission intensity, it is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.0005% by mass or more, and further preferably 0.001% by mass or more. The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined. The content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is usually 0.0001 to 50% by mass.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.0005 to 1% by mass, and 0.001 to 1% by mass. Is more preferable.
  • the mixture in which the range related to the blending of (1) is within the above range is preferable in that the aggregation of (1) hardly occurs and the light emitting property is also exhibited well.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is not particularly limited. From the viewpoint of making (2) difficult to aggregate and from the viewpoint of preventing concentration quenching, it is preferably 50% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and even more preferably 3% by mass or less. Further, from the viewpoint of obtaining good emission intensity, it is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.0005% by mass or more, and further preferably 0.001% by mass or more. The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined. The content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is usually 0.0001 to 50% by mass.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0001 to 1% by mass, more preferably 0.0005 to 5% by mass, and 0.001 to 0.3% by mass. More preferably it is.
  • the mixture in which the range related to the blending of (2) is within the above range is preferable in that the aggregation of (2) hardly occurs and the light emitting property is also satisfactorily exhibited.
  • the total content ratio of (1) and (2) with respect to the total mass of the mixture is particularly Although not limited, it is preferably 95% by mass or less and more preferably 10% by mass or less from the viewpoint of making it difficult to condense (1) and (2) and preventing concentration quenching. It is more preferably 5% by mass or less, and from the viewpoint of obtaining good emission intensity, it is preferably 0.0005% by mass or more, more preferably 0.001% by mass or more, and More preferably, it is 005 mass% or more.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the total content of (1) and (2) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0005 to 95% by mass, more preferably 0.005 to 10% by mass, and 0.001 to More preferably, it is 5 mass%.
  • a mixture in which the range relating to the blending ratio of (1) and (2) is within the above range is preferable in that the light emitting property is satisfactorily exhibited.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • One total content ratio may be 90% by mass or more, 95% by mass or more, 99% by mass or more, and 100% by mass with respect to the total mass of the mixture. May be.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is particularly limited.
  • it is preferably 50% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, and 1% by mass or less.
  • it is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.0005% by mass or more, and 0.001% by mass or more. More preferably it is.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is usually 0.0001 to 50% by mass.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.0005 to 1% by mass, and 0.001 to 1% by mass. More preferably.
  • the mixture in which the range related to the blending of (1) is within the above range is preferable in that the aggregation of (1) hardly occurs and the light emitting property is also exhibited well.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is particularly limited. However, it is preferably 50% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and more preferably 3% by mass or less from the viewpoint of making (2) difficult to aggregate and preventing concentration quenching. Further, from the viewpoint of obtaining good emission intensity, it is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.0005% by mass or more, and 0.001% by mass or more. More preferably it is. The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the entire mixture is usually 0.0001 to 50% by mass.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0001 to 1% by mass, more preferably 0.0005 to 5% by mass, and 0.001 to 0.3% by mass. More preferably.
  • the mixture in which the range related to the blending of (2) is within the above range is preferable in that the aggregation of (2) hardly occurs and the light emitting property is also satisfactorily exhibited.
  • the sum of (1) and (2) with respect to the total mass of the mixture is not particularly limited, but is preferably 95% by mass or less from the viewpoint of making it difficult to condense (1) and (2) and preventing concentration quenching, and 10% by mass or less. More preferably, it is more preferably 5% by mass or less, and from the viewpoint of obtaining good emission intensity, it is preferably 0.0005% by mass or more, and 0.001% by mass or more. Is more preferable, and it is further more preferable that it is 0.005 mass% or more.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the total content of (1) and (2) with respect to the total mass of the entire mixture is preferably 0.0005 to 95% by mass, more preferably 0.005 to 10% by mass, and 0.001 More preferably, it is ⁇ 5% by mass.
  • a mixture in which the range relating to the blending ratio of (1) and (2) is within the above range is preferable in that the light emitting property is satisfactorily exhibited.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • (1), (2), (5), and at least one of (3) or (4) (1), (2), (3) and The total content of at least one of (4) may be 90% by mass or more, 95% by mass or more, or 99% by mass or more with respect to the total mass of the mixture, It may be 100% by mass.
  • Embodiment of this invention is a mixture containing (1), (2), and (4 '), Comprising: The total content rate of (1), (2) and (4') is in the total mass of the said mixture.
  • the mixture which is 90 mass% or more with respect may be sufficient.
  • (1) and (2) may be dispersed in (4 ′).
  • (4 ′) is a polymer.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is not particularly limited, but (1) is aggregated. From the viewpoint of making it difficult and preventing concentration quenching, it is preferably 50% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, further preferably 1% by mass or less, and good emission intensity. From the viewpoint of obtaining the above, it is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.0005% by mass or more, and further preferably 0.001% by mass or more. The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is usually 0.0001 to 50% by mass.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.0005 to 1% by mass, and 0.001 to 1% by mass. Is more preferable.
  • the mixture in which the range related to the blending of (1) is within the above range is preferable in that the light emitting property is satisfactorily exhibited.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is not particularly limited, but (2) is condensed. From the viewpoint of obstructing and preventing concentration quenching, it is preferably 50% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, further preferably 3% by mass or less, and good emission intensity. From the viewpoint of obtaining the above, it is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.0005% by mass or more, and further preferably 0.001% by mass or more. The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is usually 0.0001 to 50% by mass.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0001 to 5% by mass, more preferably 0.0005 to 1% by mass, and 0.001 to 3% by mass. Is more preferable.
  • the mixture in which the range related to the blending of (2) is within the above range is preferable in that the light emitting property is satisfactorily exhibited.
  • the total content of (1) and (2) with respect to the total mass of the mixture is not particularly limited, From the viewpoint of making (1) and (2) difficult to condense and from the viewpoint of preventing concentration quenching, it is preferably 95% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, and 5% by mass or less. Further, from the viewpoint of obtaining good emission intensity, it is preferably 0.0005% by mass or more, more preferably 0.001% by mass or more, and 0.005% by mass or more. Further preferred.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the total content of (1) and (2) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0005 to 95% by mass, more preferably 0.005 to 10% by mass, and 0.001 to More preferably, it is 5 mass%.
  • a mixture in which the range relating to the blending ratio of (1) and (2) is within the above range is preferable in that the light emitting property is satisfactorily exhibited.
  • An embodiment of the present invention is a mixture comprising (1), (2), (5), and (4 ′), the sum of (1), (2), (5), and (4 ′)
  • the mixture whose content rate is 90 mass% or more with respect to the total mass of the said mixture may be sufficient.
  • (1), (2), and (5) may be dispersed in (4 ′).
  • (4 ′) is a polymer.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the entire mixture is not particularly limited, From the viewpoint of making (1) difficult to aggregate and from the viewpoint of preventing concentration quenching, it is preferably 50% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, and even more preferably 1% by mass or less. Further, from the viewpoint of obtaining good emission intensity, it is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.0005% by mass or more, and further preferably 0.001% by mass or more. The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is usually 0.0001 to 50% by mass.
  • the content ratio of (1) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.0005 to 1% by mass, and 0.001 to 1% by mass. More preferably.
  • the mixture in which the range related to the blending of (1) is within the above range is preferable in that the light emitting property is satisfactorily exhibited.
  • the content ratio of (2) with respect to the entire total mass of the mixture is not particularly limited, From the viewpoint of making (2) difficult to condense and from the viewpoint of preventing concentration quenching, it is preferably 50% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and even more preferably 3% by mass or less. Further, from the viewpoint of obtaining good emission intensity, it is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.0005% by mass or more, and further preferably 0.001% by mass or more. The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is usually 0.0001 to 50% by mass.
  • the content ratio of (2) with respect to the total mass of the mixture is preferably 0.0001 to 5% by mass, more preferably 0.0005 to 1% by mass, and 0.001 to 3% by mass. More preferably.
  • the mixture in which the range related to the blending of (2) is within the above range is preferable in that the light emitting property is satisfactorily exhibited.
  • the total content of (1) and (2) with respect to the total mass of the mixture is particularly limited. Although not intended, it is preferably 95% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass from the viewpoint of making it difficult to condense (1) and (2) and preventing concentration quenching. % Or less, and from the viewpoint of obtaining good emission intensity, it is preferably 0.0005% by mass or more, more preferably 0.001% by mass or more, and 0.005% by mass. More preferably, it is the above. The above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the total content of (1) and (2) with respect to the total mass of the entire mixture is preferably 0.0005 to 95% by mass, more preferably 0.005 to 10% by mass, and 0.001 More preferably, it is ⁇ 5% by mass.
  • a mixture in which the range relating to the blending ratio of (1) and (2) is within the above range is preferable in that the light emitting property is satisfactorily exhibited.
  • the perovskite compound is a compound having a perovskite crystal structure having A, B, and X as constituent components.
  • A is a component located at each vertex of a hexahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and is a monovalent cation.
  • X represents a component located at each vertex of an octahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and is one or more anions selected from the group consisting of halide ions and thiocyanate ions.
  • B is a component located at the center of a hexahedron that arranges A at the apex and an octahedron that arranges X at the apex in the perovskite crystal structure, and is a metal ion.
  • the perovskite compound having A, B, and X as constituent components is not particularly limited, and may be a compound having any of a three-dimensional structure, a two-dimensional structure, and a pseudo two-dimensional structure.
  • the composition formula of the perovskite compound is represented by ABX (3 + ⁇ ) .
  • the composition formula of the perovskite compound is represented by A 2 BX (4 + ⁇ ) .
  • ⁇ is a number that can be appropriately changed according to the charge balance of B, and is from ⁇ 0.7 to 0.7.
  • the three-dimensional structure has a three-dimensional network of vertex-sharing octahedrons represented by BX 6 with B as the center and vertex as X.
  • the octahedral pair represented by BX 6 having B as the center and the vertex as X shares the four vertices X on the same plane, thereby BX 6 connected two-dimensionally.
  • stacked alternately is formed.
  • B is a metal cation capable of taking X octahedral coordination.
  • the perovskite crystal structure can be confirmed by an X-ray diffraction pattern.
  • a peak derived from (hkl) (110) is confirmed at the position of °.
  • the perovskite compound is preferably a perovskite compound represented by the following general formula (1).
  • A is a component located at each vertex of a hexahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and is a monovalent cation.
  • X represents a component located at each vertex of an octahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and is one or more anions selected from the group consisting of halide ions and thiocyanate ions.
  • B is a component located at the center of a hexahedron that arranges A at the apex and an octahedron that arranges X at the apex in the perovskite crystal structure, and is a metal ion.
  • A is a component located at each vertex of a hexahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and is a monovalent cation.
  • the monovalent cation include cesium ion, organic ammonium ion, or amidinium ion.
  • the perovskite compound when A is a cesium ion, an organic ammonium ion having 3 or less carbon atoms, or an amidinium ion having 3 or less carbon atoms, the perovskite compound is generally represented by ABX (3 + ⁇ ). It has a three-dimensional structure.
  • A is preferably a cesium ion or an organic ammonium ion.
  • organic ammonium ion of A examples include a cation represented by the following general formula (A3).
  • R 6 to R 9 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group which may have an amino group as a substituent, or a cyclo which may have an amino group as a substituent. Represents an alkyl group. However, not all of R 6 to R 9 are hydrogen atoms.
  • the alkyl groups represented by R 6 to R 9 may be each independently linear or branched, and may have an amino group as a substituent.
  • the number of carbon atoms is usually usually 1 to 20, preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, and more preferably 1. Is more preferable.
  • the cycloalkyl groups represented by R 6 to R 9 may each independently have an alkyl group as a substituent, or may have an amino group.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkyl group represented by R 6 to R 9 is usually usually 3 to 30, preferably 3 to 11, and more preferably 3 to 8.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the groups represented by R 6 to R 9 are each independently preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
  • a compound having a structure can be obtained.
  • the alkyl group or cycloalkyl group has 4 or more carbon atoms, a compound having a two-dimensional and / or pseudo two-dimensional (quasi-2D) perovskite crystal structure in part or in whole can be obtained.
  • the total number of carbon atoms contained in the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 6 to R 9 is preferably 1 to 4, and one of R 6 to R 9 is 1 to 3 carbon atoms. More preferably, three of R 6 to R 9 are hydrogen atoms.
  • Examples of the alkyl group of R 6 to R 9 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, and an isopentyl group.
  • the cycloalkyl group of R 6 ⁇ R 9, include those independently R 6 ⁇ exemplified alkyl group having 3 or more carbon atoms in the alkyl group R 9 is to form a ring, as an example, a cyclopropyl group And cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclononyl, cyclodecyl, norbornyl, isobornyl, 1-adamantyl, 2-adamantyl, tricyclodecyl and the like.
  • CH 3 NH 3 + (also referred to as methylammonium ion), C 2 H 5 NH 3 + (also referred to as ethylammonium ion), or C 3 H 7 NH 3 + (propyl) It is also preferably an ammonium ion.), More preferably CH 3 NH 3 + or C 2 H 5 NH 3 + , and still more preferably CH 3 NH 3 + .
  • R 10 to R 13 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group which may have an amino group as a substituent, or a cyclo which may have an amino group as a substituent. Represents an alkyl group.
  • the alkyl groups represented by R 10 to R 13 may be each independently linear or branched, and may have an amino group as a substituent.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 10 to R 13 is usually usually 1 to 20, preferably 1 to 4, and more preferably 1 to 3.
  • the cycloalkyl groups represented by R 10 to R 13 may each independently have an alkyl group or an amino group as a substituent.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkyl group represented by R 10 to R 13 is usually usually 3 to 30, preferably 3 to 11, and more preferably 3 to 8.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • alkyl group for R 10 to R 13 include the alkyl groups exemplified for R 6 to R 9 each independently.
  • Specific examples of the cycloalkyl group represented by R 10 to R 13 include the cycloalkyl groups exemplified as R 6 to R 9 .
  • the groups represented by R 10 to R 13 are each independently preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
  • a perovskite compound having a three-dimensional structure with high emission intensity is obtained.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group or cycloalkyl group is 4 or more, a compound having a two-dimensional and / or pseudo two-dimensional (quasi-2D) perovskite crystal structure in part or in whole can be obtained.
  • the total number of carbon atoms contained in the alkyl group and cycloalkyl group represented by R 10 to R 13 is preferably 1 to 4, and R 10 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. R 11 to R 13 are more preferably hydrogen atoms.
  • B is a component located in the center of a hexahedron in which A is arranged at the apex and an octahedron in which X is arranged at the apex in the perovskite crystal structure, and represents a metal ion.
  • the B component metal ion may be an ion composed of one or more selected from the group consisting of a monovalent metal ion, a divalent metal ion, and a trivalent metal ion.
  • B preferably contains a divalent metal ion, and more preferably contains one or more metal ions selected from the group consisting of lead and tin.
  • X represents a component located at each vertex of an octahedron centered on B in the perovskite crystal structure, and one or more anions selected from the group consisting of halide ions and thiocyanate ions
  • X may be one or more anions selected from the group consisting of chloride ions, bromide ions, fluoride ions, iodide ions, and thiocyanate ions.
  • X can be appropriately selected according to the desired emission wavelength.
  • X can contain bromide ions.
  • the content ratio of the halide ions can be appropriately selected depending on the emission wavelength.
  • a combination of bromide ions and chloride ions, or a combination of bromide ions and iodide ions can be used.
  • perovskite compound having a three-dimensional perovskite crystal structure represented by ABX (3 + ⁇ ) include CH 3 NH 3 PbBr 3 , CH 3 NH 3 PbCl 3 , and CH 3 NH.
  • One aspect of the present invention is a perovskite compound having a three-dimensional perovskite type crystal structure represented by ABX (3 + ⁇ ).
  • CsPbBr 3 , CsPbBr (3-y) I y ( 0 ⁇ y ⁇ 3) is preferred.
  • a perovskite compound is represented by A 2 BX (4 + ⁇ ) , specific examples of the compound having a perovskite crystal structure of a two-dimensional structure, (C 4 H 9 NH 3 ) 2 PbBr 4 , (C 4 H 9 NH 3 ) 2 PbCl 4 , (C 4 H 9 NH 3 ) 2 PbI 4 , (C 7 H 15 NH 3 ) 2 PbBr 4 , (C 7 H 15 NH 3 ) 2 PbCl 4 , (C 7 H 15 NH 3 ) 2 PbI 4 , (C 4 H 9 NH 3 ) 2 Pb (1-a) Li a Br (4 + ⁇ ) (0 ⁇ a ⁇ 0.
  • the average particle size of the perovskite compound contained in the mixture is not particularly limited, but from the viewpoint of maintaining a good crystal structure, the average particle size is preferably 1 nm or more, and preferably 2 nm or more. More preferably, it is more preferably 3 nm or more, and from the viewpoint of making the perovskite compound difficult to settle, the average particle size is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less, and 500 nm or less. Is more preferable.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the average particle size of the perovskite compound contained in the mixture is not particularly limited, but the average particle size is 1 nm or more and 10 ⁇ m or less from the viewpoint of making the perovskite compound difficult to settle and maintaining a good crystal structure. It is preferably 2 nm or more and 1 ⁇ m or less, more preferably 3 nm or more and 500 nm or less.
  • the average particle diameter of the perovskite compound contained in the mixture can be measured by, for example, a transmission electron microscope (hereinafter also referred to as TEM) or a scanning electron microscope (hereinafter also referred to as SEM).
  • the average particle diameter can be requested.
  • the “maximum ferret diameter” means the maximum distance between two parallel straight lines sandwiching the perovskite compound on the TEM or SEM image.
  • the median diameter (D50) of the perovskite compound contained in the mixture is not particularly limited, but the median diameter (D50) is preferably 2 nm or more from the viewpoint of maintaining a good crystal structure. Is more preferably 4 nm or more, and from the viewpoint of making the perovskite compound according to the present invention difficult to settle, the median diameter (D50) is preferably 5 ⁇ m or less, and is 500 nm or less. It is more preferable that the thickness is 100 nm or less.
  • the median diameter (D50) is preferably 2 nm to 5 ⁇ m, more preferably 3 nm to 500 nm, and more preferably 4 nm to 100 nm. More preferably.
  • the particle size distribution of the perovskite compound contained in the mixture can be measured by, for example, TEM or SEM. Specifically, the maximum ferret diameter of 20 perovskite compounds contained in the mixture is observed by TEM or SEM, and the median diameter (D50) can be obtained from their distribution.
  • the perovskite compound is an illuminant capable of emitting fluorescence in the visible light wavelength region.
  • X is a bromide ion
  • it is usually 480 nm or more, preferably 500 nm or more, more preferably 520 nm or more, and usually 700 nm or less, preferably Can emit fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of 600 nm or less, more preferably 580 nm or less.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the fluorescence peak emitted is usually 480 to 700 nm, preferably 500 to 600 nm, more preferably 520 to 580 nm. preferable.
  • X is an iodide ion, it is usually a peak of intensity in a wavelength range of 520 nm or more, preferably 530 nm or more, more preferably 540 nm or more, and usually 800 nm or less, preferably 750 nm or less, more preferably 730 nm or less.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the fluorescence peak emitted is usually 520 to 800 nm, preferably 530 to 750 nm, and preferably 540 to 730 nm. More preferred.
  • X is a chloride ion, it is usually at least 300 nm, preferably 310 nm or more, more preferably 330 nm or more, and usually 600 nm or less, preferably 580 nm or less, more preferably 550 nm or less in the range of the maximum intensity peak. There can be some fluorescence.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the fluorescence peak emitted is usually 300 to 600 nm, preferably 310 to 580 nm, and preferably 330 to 550 nm. More preferred.
  • Indium compound having luminescent property or cadmium compound having luminescent property As an indium compound, for example, III-V group indium compounds, Examples include III-VI group indium compounds, and I-III-VI group indium compounds.
  • the indium compound a III-V group indium compound is preferable, and an indium compound containing a phosphorus element in the V group is preferable.
  • Examples of cadmium compounds include: Examples include II-VI group cadmium compounds and II-V group cadmium compounds.
  • the indium compound does not contain a cadmium element, and the cadmium compound does not contain an indium element.
  • the indium compound and the cadmium compound are preferably a semiconductor containing an indium compound and a semiconductor containing a cadmium compound, respectively.
  • the average particle size of the indium compound or cadmium compound contained in the mixture of the present invention is not particularly limited, but from the viewpoint of showing good light emission, the cadmium compound has an average particle size of 1.0 nm or more. Preferably, it is 1.1 nm or more, more preferably 1.2 nm or more, more preferably 100 nm or less, more preferably 10 nm or less, and more preferably 8 nm or less. More preferably.
  • the average particle size is preferably 0.8 nm or more, more preferably 1.0 nm or more, further preferably 1.1 nm or more, and preferably 30 nm or less,
  • the thickness is more preferably 10 nm or less, and further preferably 4 nm or less.
  • the above upper limit value and lower limit value can be arbitrarily combined.
  • the average particle size of the cadmium compound contained in the mixture is preferably 1.0 nm to 100 nm, more preferably 1.1 nm to 10 nm, and more preferably 1.2 nm to 8 nm. More preferably it is.
  • the average particle size of the indium compound contained in the mixture is preferably 0.8 nm to 30 nm, more preferably 1.0 nm to 10 nm, and 1.1 nm to 4 nm. More preferably.
  • the average particle diameter of the cadmium compound and the indium compound contained in the mixture can be measured by, for example, TEM or SEM. Specifically, by observing the maximum ferret diameter of 20 cadmium compounds or indium compounds contained in the mixture by TEM or SEM, and calculating the average maximum ferret diameter that is an average value thereof, The average particle diameter can be determined.
  • the group III-V indium compound is a compound containing a group III element and a group V element, and is a compound containing at least an indium element.
  • group III means group 13 of the periodic table
  • group V means group 15 of the periodic table (the same applies hereinafter).
  • periodic table means a long-period type periodic table.
  • the group III-V indium compound may be a binary system, a ternary system, or a quaternary system.
  • the binary III-V group indium compound may be a compound containing an indium element (first element) and a group V element (second element).
  • InN, InP, InAs, and InSb may be used. Can be mentioned.
  • the ternary III-V group indium compound may be a compound containing an indium element (first element) and two types of elements selected from group V (second element), and one type is an indium element. It may be a compound containing two types of elements selected from Group III (first element) and one type of element selected from Group V (second element). Examples of the ternary III-V group indium compound include InPN, InPAs, InPSb, InGaP, and the like.
  • the quaternary III-V group indium compound includes two types of elements selected from group III (first element), one type of indium element, and two types of elements selected from group V (second element). A compound.
  • Examples of the quaternary III-V group indium compound include InGaPN, InGaPAs, and InGaPSb.
  • a semiconductor containing a group III-V indium compound may contain a doping element other than elements in groups 13 and 15 of the periodic table (but excluding cadmium elements).
  • the group III-VI indium compound is a compound containing a group III element and a group VI element, and is a compound containing at least an indium element.
  • Group VI means Group 16 of the periodic table (the same applies hereinafter).
  • the III-VI group indium compound may be a binary system, a ternary system, or a quaternary system.
  • the binary III-VI group indium compound may be a compound containing an indium element (first element) and a group VI element (second element). For example, In 2 S 3 , In 2 Se 3 , And In 2 Te 3 .
  • the ternary III-VI group indium compound may be a compound containing indium element (first element) and two kinds of elements selected from group VI (second element), and one kind is indium element. It may be a compound containing two types of elements selected from Group III (first element) and one type of element selected from Group VI (second element). Examples of the ternary III-VI group indium compound include InGaS 3 , InGaSe 3 , InGaTe 3, In 2 SSe 2 , and In 2 TeSe 2 .
  • the quaternary III-VI group indium compound includes two types of elements selected from group III (first element), one of which is an indium element, and two types of elements selected from group VI (second element). A compound.
  • Examples of the quaternary III-VI group indium compound include InGaSSe 2 , InGaSeTe 2 , and InGaSTe 2 .
  • a semiconductor containing a group III-VI indium compound may contain a doping element other than elements in groups 13 and 16 of the periodic table (except for elements of cadmium).
  • the group I-III-VI indium compound is a compound containing a group I element, a group III element, and a group VI element, and is a compound containing at least an indium element.
  • Group I means Group 11 of the periodic table (the same applies hereinafter).
  • the I-III-VI group indium compound may be a ternary system or a quaternary system.
  • the ternary I-III-VI group indium compound includes an element selected from group I (first element), an indium element (second element), and an element selected from group VI (third element).
  • An example of the ternary I-III-VI group indium compound is CuInS 2 .
  • the semiconductor containing the group I-III-VI group indium compound may contain an element other than the 11th group, the 13th group, and the 16th group of the periodic table (but excluding the cadmium element) as a doping element.
  • InP, CuInS 2 , InNP, and GaInNP are preferable from the viewpoint of obtaining sufficient light emission intensity, and InP and CuInS 2 are more preferable.
  • the II-VI group cadmium compound is a compound containing a group II element and a group VI element, and is a compound containing at least a cadmium element.
  • Group II means Group 2 or Group 12 of the periodic table (the same applies hereinafter).
  • the II-VI group cadmium compound may be a binary system, a ternary system, or a quaternary system.
  • the binary II-VI cadmium compound may be a compound containing a cadmium element (first element) and a group 16 element (second element), and examples thereof include CdS, CdSe, and CdTe. .
  • the ternary II-VI group cadmium compound may be a compound containing a cadmium element (first element) and two kinds of elements selected from group VI (second element), one of which is a cadmium element. It may be a compound containing two types of elements selected from Group II (first element) and one type of element selected from Group VI (second element).
  • Examples of the ternary II-VI group cadmium compounds include CdSeS, CdSeTe, CdSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgSe, CdHgSe, and CdHgTe.
  • the quaternary II-VI group cadmium compound includes two types of elements selected from group II (first element) and one type selected from group VI (second element) as one type of cadmium element.
  • Examples of the quaternary II-VI group cadmium compounds include CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, and CdHgSTe.
  • a semiconductor containing a II-VI group cadmium compound may contain an element other than Groups 2, 12, and 16 of the periodic table (but excluding an indium element) as a doping element.
  • the II-V group cadmium compound is a compound containing a group II element and a group V element, and is a compound containing at least a cadmium element.
  • the II-V group cadmium compound may be a binary system, a ternary system, or a quaternary system.
  • the binary II-V group cadmium compound may be a compound containing a cadmium element (first element) and a group V element (second element). For example, Cd 3 P 2 , Cd 3 As 2 , And Cd 3 N 2 .
  • the ternary II-V group cadmium compound may be a compound containing a cadmium element (first element) and two types of elements selected from group V (second element), and one type is a cadmium element. It may be a compound containing two types of elements selected from Group II (first element) and one type of element selected from Group V (second element).
  • Examples of the ternary II-V group cadmium compounds include Cd 3 PN, Cd 3 PAs, or Cd 3 AsN, Cd 2 ZnP 2 , Cd 2 ZnAs 2 , and Cd 2 ZnN 2 .
  • a quaternary II-V group cadmium compound includes two elements selected from group II (first element) and one element selected from group V (second element) having one type of cadmium element.
  • Examples of the quaternary II-V group cadmium compounds include CdZnPN, CdZnPAs, Cd 2 ZnAsN, and the like.
  • a semiconductor containing a II-V group cadmium compound may contain an element other than Groups 2, 12, and 15 of the periodic table (except for an indium element) as a doping element.
  • the cadmium compound is preferably CdS, CdSe, ZnCdS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, ZnCdSSe, CdZnSeS, CdZnSeTe, and CdZnSte.
  • CdZnS, CdZnSe, ZnCdSSe, and CdZnSeS are more preferable, CdS, CdSe, ZnCdS, ZnCdSSSe, and CdZnSeS are more preferable, and CdSe and CdZnSeS are particularly preferable.
  • the (2) indium compound or cadmium compound contained in the mixture may have an inorganic protective layer on the particle surface in order to improve the emission intensity or durability.
  • the inorganic protective layer may be two or more layers, or may be a single layer.
  • the inorganic material that can form the inorganic protective layer include, but are not limited to, (2) a semiconductor having a band gap larger than that of the indium compound or cadmium compound in the mixture.
  • the inorganic protective layer is formed of a known inorganic material such as ZnS.
  • An indium compound or a cadmium compound is a light emitter that can emit fluorescence in a visible light wavelength region.
  • the indium compound is usually in a wavelength region of 300 nm or more, preferably 310 nm or more, more preferably 330 nm or more, and is usually 600 nm or less, preferably 580 nm or less, more preferably 550 nm or less. It is possible to emit fluorescence having a maximum peak of emission intensity in the range of the wavelength region.
  • the emission intensity when the average particle size is 1 nm or more and less than 2 nm, the emission intensity has a maximum peak in the wavelength range of usually 300 nm to 600 nm, preferably 310 nm to 580 nm, more preferably 330 nm to 550 nm. It can emit fluorescence.
  • the indium compound has a wavelength region of usually 480 nm or more, preferably 500 nm or more, more preferably 520 nm or more, and is usually 700 nm or less, preferably 600 nm or less, more preferably 580 nm or less.
  • the indium compound when the average particle size is 2 nm or more and less than 3 nm, the indium compound usually has a maximum emission intensity peak in the wavelength range of 480 nm to 700 nm, preferably 500 nm to 600 nm, more preferably 520 nm to 580 nm. It can emit fluorescence.
  • an indium compound when the average particle size is 3 nm or more, it is usually in the wavelength range of 520 nm or more, preferably 530 nm or more, more preferably 540 nm or more, and usually 800 nm or less, preferably 750 nm or less, more preferably 730 nm or less. It can emit fluorescence with a maximum peak of intensity. That is, in the case of an indium compound, when the average particle size is 3 nm or more, it emits fluorescence having a maximum intensity peak in a wavelength range of usually 520 nm to 800 nm, preferably 540 nm to 750 nm, more preferably 540 nm to 730 nm. be able to.
  • the cadmium compound is usually in a wavelength region of 300 nm or more, preferably 310 nm or more, more preferably 330 nm or more, and is usually 600 nm or less, preferably 580 nm or less, more preferably 550 nm or less. It is possible to emit fluorescence having a maximum peak of emission intensity in the range of the wavelength region.
  • the cadmium compound when the average particle size is 1 nm or more and less than 3 nm, the cadmium compound usually has a maximum peak of emission intensity in the wavelength range of 300 nm to 600 nm, preferably 310 nm to 580 nm, more preferably 330 nm to 550 nm. Some fluorescence can be emitted.
  • the cadmium compound is usually in a wavelength region of 480 nm or more, preferably 500 nm or more, more preferably 520 nm or more, and usually 700 nm or less, preferably 600 nm or less, more preferably 580 nm or less.
  • the cadmium compound when the average particle diameter is 3 nm or more and less than 6 nm, the cadmium compound usually has a maximum peak of emission intensity in the wavelength range of 480 nm to 700 nm, preferably 500 nm to 600 nm, more preferably 520 nm to 580 nm. Some fluorescence can be emitted.
  • the cadmium compound When the average particle size is 6 nm or more, the cadmium compound has a wavelength region of usually 520 nm or more, preferably 530 nm or more, more preferably 540 nm or more, and usually 800 nm or less, preferably 750 nm or less, more preferably 730 nm or less. It is possible to emit fluorescence having a maximum peak of emission intensity in the range of the region. That is, when the average particle diameter is 6 nm or more, the cadmium compound is usually a fluorescent light having a maximum peak of emission intensity in the wavelength range of 520 nm to 800 nm, preferably 530 nm to 750 nm, more preferably 540 nm to 730 nm. Can be issued.
  • solvent is not particularly limited as long as it is a medium that can disperse (1) and (2), and a solvent that is difficult to dissolve (1) and (2) is preferable.
  • the “solvent” refers to a substance that takes a liquid state at 1 atm and 25 ° C. (except for a polymerizable compound and a polymer).
  • “dispersed” means a state in which a perovskite compound, an indium compound, a cadmium compound, etc. are suspended or suspended in a solvent, a polymerizable compound, a polymer, etc. You may do it.
  • the solvent examples include esters such as methyl formate, ethyl formate, propyl formate, pentyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, and pentyl acetate; ⁇ -butyrolactone, acetone, dimethyl ketone, diisobutyl ketone, cyclopentanone, Ketones such as cyclohexanone and methylcyclohexanone; diethyl ether, methyl-tert-butyl ether, diisopropyl ether, dimethoxymethane, dimethoxyethane, 1,4-dioxane, 1,3-dioxolane, 4-methyldioxolane, tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, anisole, Ethers such as phenetole; methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, 2-
  • esters such as methyl formate, ethyl formate, propyl formate, pentyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, pentyl acetate; ⁇ -butyrolactone, acetone, dimethyl ketone, diisobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, methyl Ketones such as cyclohexanone; diethyl ether, methyl-tert-butyl ether, diisopropyl ether, dimethoxymethane, dimethoxyethane, 1,4-dioxane, 1,3-dioxolane, 4-methyldioxolane, tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, anisole, phenetole, etc.
  • Organic solvents having a nitrile group such as ether, acetonitrile, isobutyronitrile, propionitrile, methoxyacetonitrile; Organic solvents having carbonate groups such as tylene carbonate and propylene carbonate; organic solvents having halogenated hydrocarbon groups such as methylene chloride and chloroform; hydrocarbons such as n-pentane, cyclohexane, n-hexane, benzene, toluene and xylene
  • An organic solvent having a group is preferable because it has low polarity and is unlikely to dissolve (1) and (2), and is preferably an organic solvent having a halogenated hydrocarbon group such as methylene chloride or chloroform; n-pentane, An organic solvent having a hydrocarbon group such as cyclohexane, n-hexane, benzene, toluene, xylene is more preferable.
  • the polymerizable compound contained in the mixture of the present embodiment is not particularly limited, and may be one type or two or more types.
  • the polymerizable compound is preferably a polymerizable compound having low solubility in (1) and (2) at the temperature at which the mixture of the present embodiment is produced.
  • the “polymerizable compound” means a monomer compound having a polymerizable group.
  • the polymerizable compound when producing at room temperature and normal pressure, the polymerizable compound is not particularly limited, and examples thereof include known polymerizable compounds such as styrene and methyl methacrylate.
  • any one or both of the acrylic acid ester and methacrylic acid ester which are the monomer components of an acrylic resin are preferable.
  • the polymer contained in the mixture of the present embodiment is not particularly limited, and may be one type or two or more types.
  • the polymer is preferably a polymer having low solubility in (1) and (2) at the temperature at which the mixture of this embodiment is produced.
  • Examples thereof include known polymers such as polystyrene, methacrylic resin, silicone, and cycloolefin polymer.
  • silicone, a cycloolefin polymer, and an acrylic resin are preferable from a viewpoint of higher transparency and taking out emitted light efficiently.
  • Acrylic resin contains the structural unit derived from any one or both of acrylic acid ester and methacrylic acid ester.
  • the acrylic acid ester and / or the methacrylic acid ester and the structural units derived therefrom are expressed in mol% with respect to all the structural units contained in the polymerizable compound or polymer of (4). In this case, it may be 10% or more, 30% or more, 50% or more, 80% or more, or 100% with respect to the total structural unit. Also good.
  • the mixture of this embodiment can be ammonia, amine, carboxylic acid, and these compounds.
  • Ammonia, amines and carboxylic acids and their salts or ions usually act as capping ligands.
  • the capping ligand is a compound having an action of adsorbing on the surface of (1) or (2) and stably dispersing (1) or (2) in the mixture.
  • an ion or salt (ammonium salt or the like) of ammonia or amine an ammonium cation represented by the general formula (A1) described later and an ammonium salt containing the ammonium cation can be given.
  • the carboxylic acid ion or salt include a carboxylate anion represented by the general formula (A2) described later and a carboxylate containing the carboxylate anion.
  • the mixture of this embodiment may contain any one of ammonium salt etc., carboxylate, etc., and may contain both.
  • R 1 to R 3 each represent a hydrogen atom
  • R 4 represents a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group.
  • R 4 is preferably a monovalent hydrocarbon group.
  • the monovalent hydrocarbon group may be a saturated hydrocarbon group (that is, an alkyl group or a cycloalkyl group) or an unsaturated hydrocarbon group.
  • the alkyl group represented by R 4 may be linear or branched.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 4 is usually 1 to 20, preferably 5 to 20, and more preferably 8 to 20.
  • the cycloalkyl group represented by R 4 may have an alkyl group as a substituent.
  • the number of carbon atoms in the cycloalkyl group is usually 3 to 30, preferably 3 to 20, and more preferably 3 to 11.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the unsaturated hydrocarbon group for R 4 may be linear or branched.
  • the number of carbon atoms of the unsaturated hydrocarbon group represented by R 4 is usually 2 to 20, preferably 5 to 20, and more preferably 8 to 20.
  • R 4 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an unsaturated hydrocarbon group.
  • unsaturated hydrocarbon group an alkenyl group is preferable.
  • R 4 is preferably an alkenyl group having 8 to 20 carbon atoms.
  • alkyl group for R 4 examples include the alkyl groups exemplified for R 6 to R 9 .
  • Specific examples of the cycloalkyl group represented by R 4 include the cycloalkyl groups exemplified for R 6 to R 9 .
  • alkenyl group for R 4 an alkyl group exemplified for R 6 to R 9 in which a single bond (C—C) between any one carbon atom is substituted with a double bond (C ⁇ C) And the position of the double bond is not limited.
  • Preferred examples of such an alkenyl group include ethenyl group, propenyl group, 3-butenyl group, 2-butenyl group, 2-pentenyl group, 2-hexenyl group, 2-nonenyl group, 2-dodecenyl group, 9 -Octadecenyl group.
  • the counter anion is not particularly limited, but preferable examples include Br ⁇ , Cl ⁇ , I ⁇ and F ⁇ halide ions, and carboxylate ions.
  • Preferred examples of the ammonium salt having an ammonium cation represented by the general formula (A1) and a counter anion include n-octyl ammonium salt and oleyl ammonium salt.
  • carboxylates containing a carboxylate anion represented by the following general formula (A2).
  • R 5 represents a monovalent hydrocarbon group.
  • the monovalent hydrocarbon group may be a saturated hydrocarbon group (that is, an alkyl group or a cycloalkyl group) or an unsaturated hydrocarbon group.
  • the alkyl group represented by R 5 may be linear or branched.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group represented by R 5 is usually 1 to 20, preferably 5 to 20, and more preferably 8 to 20.
  • the cycloalkyl group represented by R 5 may have an alkyl group as a substituent.
  • the number of carbon atoms in the cycloalkyl group is usually 3 to 30, preferably 3 to 20, and more preferably 3 to 11.
  • the number of carbon atoms includes the number of carbon atoms of the substituent.
  • the unsaturated hydrocarbon group for R 5 may be linear or branched.
  • the number of carbon atoms of the unsaturated hydrocarbon group for R 5 is usually 2 to 20, preferably 5 to 20, and more preferably 8 to 20.
  • R 5 is preferably an alkyl group or an unsaturated hydrocarbon group.
  • unsaturated hydrocarbon group an alkenyl group is preferable.
  • alkyl group R 5 examples include alkyl groups exemplified in R 6 ⁇ R 9.
  • Specific examples of the cycloalkyl group represented by R 5 include the cycloalkyl groups exemplified for R 6 to R 9 .
  • Specific examples of the alkenyl group for R 5 include the alkenyl groups exemplified for R 1 to R 4 .
  • the carboxylate anion represented by the general formula (A2) is preferably an oleate anion.
  • the counter cation of the carboxylate anion represented by the general formula (A2) is not particularly limited, and preferred examples include an alkali metal cation, an alkaline earth metal cation, and an ammonium cation.
  • the blending ratio of (1) and (2) only needs to be such that two emission peaks can be confirmed, and is appropriately determined according to the types of (1) and (2). be able to.
  • (1) the molar ratio of the metal ion of the B component of the perovskite compound and (2) the indium element of the indium compound or the cadmium compound cadmium element [(indium or cadmium) / ( B)] may be 0.001 to 1000, 0.01 to 500, or 0.01 to 300.
  • the molar ratio of the metal ion of the B component of the perovskite compound and the cadmium element of the cadmium compound [(cadmium) / (B)] may be 0.03 to 200, 0.05 to 100, or 0.1 to 50.
  • a mixture in which the blending ratio of (1) and (2) is within the above range is preferable in that two emission spectra can be clearly confirmed.
  • the indium compound or cadmium compound when the indium compound or cadmium compound is an indium compound, the molar ratio between the metal ion of the B component of the perovskite compound and the indium element of the indium compound [(indium) / (B)], 0.01 to 200, 0.1 to 100, or 2 to 70.
  • a mixture in which the blending ratio of (1) and (2) is within the above range is preferable in that two emission spectra can be clearly confirmed.
  • the blending ratio of (1) to (3) and / or (4) is ( It is sufficient that the light-emitting action of 1) is satisfactorily exhibited, and can be appropriately determined according to the types (1) to (4).
  • the mass of (1) and any one or both of (3) and (4) may be 0.00001 to 10, may be 0.0001 to 1, may be 0.0005 to It may be 0.1.
  • the mixture in which the range relating to the blending ratio of (1) and any one or both of (3) and (4) is within the above range is less likely to cause aggregation in (1) and also exhibits good light emission. This is preferable.
  • the combination of the emission spectra of (1) and (2) only needs to be such that two emission peaks can be confirmed, and the type of halide ion of the X component in (1) and ( It can be appropriately determined according to the particle size of 2).
  • the absolute value of the difference in wavelength is preferably 30 nm or more, more preferably 50 nm or more, and even more preferably 100 nm or more.
  • the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is preferably 80% or less of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks, more preferably 50% or less, More preferably, it is 30% or less.
  • the absolute value of the wavelength difference is 30 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 80 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the indium compound or the cadmium compound is an indium compound
  • the indium compound The average particle size of is preferably 1 nm or more and less than 2 nm, or 3 nm or more, and more preferably 3 nm or more.
  • the average particle diameter of the indium compound is preferably 3 nm or more and 10 nm or less.
  • the absolute value of the wavelength difference is 30 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 80 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the cadmium compound is, for example, (1) when the halide ion of the X component of the perovskite compound is a bromide ion and (2) the indium compound or the cadmium compound is a cadmium compound.
  • the average particle size of is preferably 1 nm or more and less than 3 nm, or 6 nm or more, and more preferably 6 nm or more.
  • the average particle size of the cadmium compound is preferably 6 nm or more and 20 nm or less.
  • the absolute value of the wavelength difference is 30 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 80 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the halide ion of the X component of the perovskite compound contains an iodide ion and (2) the indium compound or the cadmium compound is an indium compound, indium
  • the average particle size of the compound is preferably 1 nm or more and less than 3 nm, and more preferably 2 nm or more and less than 3 nm.
  • the absolute value of the wavelength difference is 30 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 80 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the halide ion of the X component of the perovskite compound includes an iodide ion and (2) the indium compound or the cadmium compound is a cadmium compound, the cadmium
  • the average particle size of the compound is preferably 1 nm or more and less than 6 nm, and more preferably 3 nm or more and less than 6 nm.
  • the absolute value of the difference in wavelength is 50 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 50 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the indium compound or the cadmium compound is an indium compound
  • the indium compound The average particle size of is preferably 1 nm or more and less than 1.8 nm, or 3.2 nm or more, and more preferably 3.2 nm or more.
  • the average particle diameter of the indium compound is preferably 3.2 nm or more and 10 nm or less.
  • the absolute value of the difference in wavelength is 50 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 50 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the cadmium compound is, for example, (1) when the halide ion of the X component of the perovskite compound is a bromide ion and (2) the indium compound or the cadmium compound is a cadmium compound.
  • the average particle size of is preferably 1 nm or more and less than 2.3 nm, or 6.3 nm or more, and more preferably 6.3 nm or more.
  • the cadmium compound preferably has an average particle diameter of 6.3 nm to 20 nm.
  • the absolute value of the difference in wavelength is 50 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 50 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the halide ion of the X component of the perovskite compound contains an iodide ion and (2) the indium compound or the cadmium compound is an indium compound, indium
  • the average particle size of the compound is preferably 1 nm or more and less than 2.8 nm, and more preferably 2 nm or more and less than 2.8 nm.
  • the absolute value of the difference in wavelength is 50 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 50 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the halide ion of the X component of the perovskite compound includes an iodide ion and (2) the indium compound or the cadmium compound is a cadmium compound, the cadmium
  • the average particle size of the compound is preferably 1 nm or more and less than 5.7 nm, and more preferably 3 nm or more and less than 5.7 nm.
  • the absolute value of the wavelength difference is 100 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 30 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the indium compound or the cadmium compound is an indium compound
  • the indium compound The average particle size of is preferably 1 nm or more and less than 1.7 nm, or 3.3 nm or more, and more preferably 3.3 nm or more.
  • the indium compound preferably has an average particle size of 3.3 nm to 10 nm.
  • the absolute value of the wavelength difference is 100 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 30 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the cadmium compound is, for example, (1) when the halide ion of the X component of the perovskite compound is a bromide ion and (2) the indium compound or the cadmium compound is a cadmium compound.
  • the average particle size of is preferably 1 nm or more and less than 2.4 nm, or 6.4 nm or more, and more preferably 6.4 nm or more.
  • the cadmium compound preferably has an average particle size of 6.4 nm to 20 nm.
  • the absolute value of the wavelength difference is 100 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 30 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the halide ion of the X component of the perovskite compound contains an iodide ion and (2) the indium compound or the cadmium compound is an indium compound, indium
  • the average particle size of the compound is preferably 1 nm or more and less than 2.7 nm, more preferably 2 nm or more and less than 2.7 nm.
  • the absolute value of the wavelength difference is 100 nm or more, and the minimum emission intensity in the wavelength region between the two emission peaks is 30 of the emission intensity of the higher emission peak of the two emission peaks.
  • the halide ion of the X component of the perovskite compound includes an iodide ion and (2) the indium compound or the cadmium compound is a cadmium compound, the cadmium
  • the average particle size of the compound is preferably 1 nm or more and less than 5.6 nm, and more preferably 3 nm or more and less than 5.6 nm.
  • the film according to the present invention is a mixture containing (1), (2), and (4 ′) described above, and the total content of (1), (2), and (4 ′) is the total of the mixture. It is a film which consists of a mixture which is 90 mass% or more with respect to mass.
  • the mixture may contain (5).
  • the film shape is not particularly limited, and may be a sheet shape, a bar shape or the like.
  • the “bar-shaped shape” means, for example, a shape having anisotropy. Examples of the shape having anisotropy include plate-like shapes having different lengths on each side.
  • the thickness of the film may be 0.01 ⁇ m to 1000 mm, 0.1 ⁇ m to 10 mm, or 1 ⁇ m to 1 mm. In this specification, the thickness of the film can be obtained by measuring at any three points with a micrometer and calculating the average value.
  • the film may be a single layer or a multilayer. In the case of multiple layers, the same type of mixture of embodiments may be used for each layer, or a mixture of embodiments of different types may be used.
  • the film can be obtained as a film formed on a substrate by, for example, the manufacturing methods (i) to (iV) of the manufacturing method of a laminated structure described later.
  • the film can be obtained by peeling off the substrate.
  • the laminated structure according to the present invention is It has a some layer and at least one layer is the above-mentioned film.
  • examples of the layer other than the above-described film include arbitrary layers such as a substrate, a barrier layer, and a light scattering layer.
  • the shape of the laminated film is not particularly limited, and may be any shape such as a sheet shape or a bar shape.
  • the layer that the laminated structure according to the present invention may have is not particularly limited, but includes a substrate.
  • the substrate is not particularly limited and may be a film. From the viewpoint of extracting light during light emission, a transparent one is preferable.
  • a plastic such as polyethylene terephthalate or a known material such as glass can be used.
  • the above-described film may be provided on the substrate.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the laminated structure of the present embodiment.
  • the film 10 of the present embodiment is provided between the first substrate 20 and the second substrate 21.
  • the film 10 is sealed with a sealing layer 22.
  • One aspect of the present invention includes a first substrate 20, a second substrate 21, a film 10 according to the present embodiment located between the first substrate 20 and the second substrate 21, and sealing.
  • barrier layer Although there is no restriction
  • a barrier layer may be included.
  • the barrier layer is not particularly limited, but is preferably a transparent barrier layer from the viewpoint of extracting emitted light.
  • a known barrier layer such as a polymer such as polyethylene terephthalate or a glass film can be applied.
  • Light scattering layer Although there is no restriction
  • the light scattering layer is not particularly limited, but a transparent light scattering layer is preferable from the viewpoint of extracting emitted light.
  • a light scattering layer such as silica particles or a known light scattering layer such as an amplification diffusion film is applied. I can do it.
  • the light-emitting device according to the present invention can be obtained by combining the light source with the mixture of the embodiment of the present invention or the laminated structure described above.
  • a light-emitting device is a device that emits light from a light source emitted from a light source and emits light by irradiating the mixture or the layered structure installed in a subsequent stage.
  • the laminated structure in the light emitting device may include layers such as a reflection film, a diffusion film, a brightness enhancement portion, a prism sheet, a light guide plate, and a medium material layer between elements.
  • One aspect of the present invention is the light emitting device 2 in which the prism sheet 50, the light guide plate 60, the first laminated structure 1a, and the light source 30 are laminated in this order.
  • the light source constituting the light emitting device according to the present invention is not particularly limited. However, from the viewpoint of emitting (1) and (2) in the above-described mixture or laminated structure, a light source having an emission wavelength of 600 nm or less.
  • a known light source such as a light emitting diode (LED) such as a blue light emitting diode, a laser, or an EL can be used.
  • the light-emitting device is not particularly limited, but may include a light reflecting member for irradiating light from a light source toward the mixture or the laminated structure.
  • the reflective film is not particularly limited, but may include any suitable known material such as a reflector, a film of reflective particles, a reflective metal film, or a reflector.
  • the light emitting device is not particularly limited, but may include a diffusion film for diffusing light from a light source or light emitted from the mixture.
  • the diffusion film may include any diffusion film known in the art, such as an amplification diffusion film.
  • the light-emitting device which concerns on this invention can contain the brightness
  • the prism sheet typically has a base material portion and a prism portion. In addition, you may abbreviate
  • the prism sheet can be bonded to an adjacent member via any appropriate adhesive layer (for example, an adhesive layer or an adhesive layer).
  • the prism sheet includes a plurality of unit prisms that are convex on the opposite side (rear side) to the viewing side. By disposing the convex portion of the prism sheet toward the back side, the light transmitted through the prism sheet is easily collected.
  • the convex part of the prism sheet is arranged toward the back side, the light that is reflected without entering the prism sheet is reduced and the brightness is high compared to the case where the convex part is arranged toward the viewing side. Can be obtained.
  • Light guide plate Any appropriate light guide plate may be used as the light guide plate.
  • a light guide plate in which a lens pattern is formed on the back side and a light guide plate in which a prism shape or the like is formed on the back side and / or the viewing side are used so that light from the lateral direction can be deflected in the thickness direction. .
  • the light emitting device is not particularly limited, but may include a layer made of one or more medium materials on an optical path between adjacent elements (layers).
  • One or more media may include vacuum, air, gas, optical material, adhesive, optical adhesive, glass, polymer, solid, liquid, gel, curable material, optical coupling material, index matching or index mismatch material , Refractive index gradient material, cladding or anti-cladding material, spacer, silica gel, brightness enhancing material, scattering or diffusing material, reflective or anti-reflective material, wavelength selective material, wavelength selective anti-reflective material, color filter, or said Any suitable material known in the art may be included, including but not limited to any suitable material.
  • the light-emitting device includes, for example, those provided with wavelength conversion materials for EL displays and liquid crystal displays.
  • (E1) The mixture of the present invention is put in a glass tube or the like and sealed, and is disposed between the blue light emitting diode as a light source and the light guide plate so as to be along the end face (side surface) of the light guide plate.
  • Backlight that converts light into green or red light (on-edge backlight)
  • E2 A blue light-emitting diode in which the mixture of the present invention is formed into a sheet, and the film sealed with two barrier films is placed on the light guide plate and placed on the end face (side surface) of the light guide plate
  • E3 A backlight (on-chip type backlight) that disperses the mixture of the present invention in a resin or the like and is installed in the vicinity of the light emitting portion of the blue light emitting diode to convert the emitted blue light into green light or red light.
  • E4 a backlight in which the mixture of the present invention is dispersed in a resist and placed on a color filter to convert blue light emitted from a light source into green light or red light.
  • the mixture of the embodiment of the present invention is molded and disposed after the blue light emitting diode as the light source, and the blue light is converted into green light or red light. Illumination that emits white light.
  • the display 3 of this embodiment includes a liquid crystal panel 40 and the light-emitting device 2 described above in this order from the viewing side.
  • the light emitting device 2 includes a second laminated structure 1b and a light source 30.
  • the first laminated structure 1a described above further includes a prism sheet 50 and a light guide plate 60.
  • the liquid crystal panel typically includes a liquid crystal cell, a viewing side polarizing plate disposed on the viewing side of the liquid crystal cell, and a back side polarizing plate disposed on the back side of the liquid crystal cell.
  • the display may further include any appropriate other member.
  • One aspect of the present invention is the liquid crystal display 3 in which the liquid crystal panel 40, the prism sheet 50, the light guide plate 60, the first laminated structure 1a, and the light source 30 are laminated in this order.
  • the liquid crystal panel typically includes a liquid crystal cell, a viewing side polarizing plate disposed on the viewing side of the liquid crystal cell, and a back side polarizing plate disposed on the back side of the liquid crystal cell.
  • the viewing-side polarizing plate and the back-side polarizing plate can be arranged so that their absorption axes are substantially orthogonal or parallel.
  • the liquid crystal cell includes a pair of substrates and a liquid crystal layer as a display medium sandwiched between the substrates.
  • a color filter and a black matrix are provided on one substrate, a switching element that controls the electro-optical characteristics of the liquid crystal on the other substrate, and a scanning line that supplies a gate signal to the switching element.
  • a signal line for supplying a source signal, a pixel electrode, and a counter electrode are provided.
  • the distance between the substrates (cell gap) can be controlled by a spacer or the like.
  • an alignment film made of polyimide can be provided on the side of the substrate in contact with the liquid crystal layer.
  • the polarizing plate typically includes a polarizer and protective layers disposed on both sides of the polarizer.
  • the polarizer is typically an absorptive polarizer. Any appropriate polarizer is used as the polarizer.
  • dichroic substances such as iodine and dichroic dyes are adsorbed on hydrophilic polymer films such as polyvinyl alcohol films, partially formalized polyvinyl alcohol films, and ethylene / vinyl acetate copolymer partially saponified films.
  • polyene-based oriented films such as a uniaxially stretched product, a polyvinyl alcohol dehydrated product and a polyvinyl chloride dehydrochlorinated product.
  • a polarizer obtained by adsorbing a dichroic substance such as iodine on a polyvinyl alcohol film and uniaxially stretching is particularly preferable because of its high polarization dichroic ratio.
  • the mixture of the present invention can be used, for example, as a material for a light emitting layer of an LED.
  • an LED including the mixture of the present invention for example, the mixture of the present invention and conductive particles such as ZnS are mixed and laminated into a film shape, an n-type transport layer is laminated on one side, and a p-type transport layer is placed on the other side.
  • the electric charge is canceled out by passing a current. The method of emitting light is mentioned.
  • the mixture of the present invention can be used as an electron transporting material contained in the active layer of a solar cell.
  • the configuration of the solar cell is not particularly limited.
  • a fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate for example, a fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate, a titanium oxide dense layer, a porous aluminum oxide layer, an active layer containing the mixture of the present invention, 2, 2 ′ , 7,7′-tetrakis- (N, N′-di-p-methoxyphenylamine) -9,9′-spirobifluorene (Spiro-OMeTAD) and the like, and a silver (Ag) electrode in this order
  • FTO fluorine-doped tin oxide
  • titanium oxide dense layer for example, a titanium oxide dense layer, a porous aluminum oxide layer, an active layer containing the mixture of the present invention, 2, 2 ′ , 7,7′-tetrakis- (N, N′
  • the titanium oxide dense layer has an electron transport function, an effect of suppressing FTO roughness, and a function of suppressing reverse electron transfer.
  • the porous aluminum oxide layer has a function of improving the light absorption efficiency.
  • the mixture of the present invention contained in the active layer plays a role of charge separation and electron transport.
  • the perovskite compound according to the present invention can be obtained by referring to known documents (Nano Lett. 2015, 15, 3692-3696, ACSano, 2015, 9, 4533-4542). It can be manufactured by the method of the first embodiment or the second embodiment.
  • a perovskite compound comprising (5) at least one compound selected from the group consisting of ammonia, an amine, a carboxylic acid, and salts or ions thereof. It may be produced by adding in any of the steps included in the form or the first embodiment, or may be produced by mixing the obtained perovskite compound (5). From the viewpoint of improving the dispersibility of (1) and (2), it is preferable to produce by adding in any step included in the method for producing (1) perovskite compound.
  • Second Embodiment of Method for Producing Perovskite Compound For example, as a method for producing a perovskite compound according to the present invention, Dissolving B component, X component, and A component in a solvent to obtain a solution; There is a production method including a step of mixing the obtained solution and a solvent in which the solubility of the perovskite compound is lower than the solvent used in the step of obtaining the solution.
  • Dissolving a compound containing a B component and an X component and a compound containing an A component or an A component and an X component in a solvent to obtain a solution There is a production method including a step of mixing the obtained solution and a solvent in which the solubility of the perovskite compound is lower than the solvent used in the step of obtaining the solution.
  • the step of dissolving the compound containing the B component and the X component and the compound containing the A component or the A component and the X component in a solvent to obtain a solution, the obtained solution, and the solubility of the perovskite compound in the solvent are as follows:
  • a production method including a step of mixing a solvent lower than the solvent used in the step of obtaining a solution will be described.
  • solubility means the solubility in the temperature which performs the process to mix.
  • the production method preferably includes a step of adding a capping ligand from the viewpoint of stably dispersing the perovskite compound.
  • the capping ligand is preferably added before the mixing step, and the capping ligand may be added to a solution in which the A component, the B component, and the X component are dissolved.
  • the solvent may be added to a solvent having a lower solubility than the solvent used in the step of obtaining the solution, and the solubility of the A component, the B component, and the X component, and the solubility of the perovskite compound in the solvent may be increased. You may add to both the solvent lower than the solvent used at the process to obtain.
  • the manufacturing method preferably includes a step of removing coarse particles by a method such as centrifugation or filtration after the mixing step.
  • the size of the coarse particles removed by the removing step is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 1 ⁇ m or more, and further preferably 500 nm or more.
  • the above-mentioned step of mixing the solution with a solvent whose solubility in the solvent of the perovskite compound is lower than the solvent used in the step of obtaining the solution (I)
  • the step may be a step in which the solution of the perovskite compound is dropped in a solvent lower than the solvent used in the step of obtaining the solution, (II)
  • the solution may be a step of dropping a solvent whose solubility in the solvent of the perovskite compound is lower than the solvent used in the step of obtaining the solution, but is preferably (I) from the viewpoint of enhancing dispersibility. . When dropping, it is preferable to stir from the viewpoint of improving dispersibility.
  • the temperature in the step of mixing the solution with a solvent in which the solubility of the perovskite compound in the solvent is lower than the solvent used in the step of obtaining the solution is preferably in the range of ⁇ 20 to 40 ° C., more preferably in the range of ⁇ 5 to 30 ° C.
  • the two types of solvents having different solubility in the solvent of the perovskite compound used in the production method are not particularly limited.
  • a solvent having high solubility in the perovskite compound is preferable.
  • the step is performed at room temperature (10 ° C. to 30 ° C.), methanol, ethanol, -Propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, tert-butanol, 1-pentanol, 2-methyl-2-butanol, methoxypropanol, diacetone alcohol, cyclohexanol, 2-fluoroethanol, 2,2 , 2-trifluoroethanol, 2,2,3,3-tetrafluoro-1-propanol, etc .; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoe Ether acetate, glycol ethers such as triethylene glycol dimethyl ether; and dimethyl sulfoxide; N, N- dimethylform
  • the solvent used in the mixing step included in the production method is preferably a solvent having low perovskite compound solubility in the solvent.
  • the difference in solubility is preferably (100 ⁇ g / solvent 100 g) to (90 g / solvent 100 g), more preferably (1 mg / solvent 100 g) to (90 g / solvent 100 g). preferable. From the viewpoint of setting the difference in solubility to (100 ⁇ g / solvent 100 g) to (90 g / solvent 100 g), for example, when the step of mixing at room temperature (10 ° C.
  • the solvent used in the step of obtaining the solution is N , N-dimethylacetamide or other organic solvent or dimethyl sulfoxide, and the solvent used in the mixing step is an organic solvent having a halogenated hydrocarbon group such as methylene chloride or chloroform; n-pentane, cyclohexane, n
  • An organic solvent having a hydrocarbon group such as hexane, benzene, toluene or xylene is preferred.
  • the perovskite compound When the perovskite compound is taken out from the obtained dispersion containing the perovskite compound, only the perovskite compound can be recovered by solid-liquid separation.
  • the solid-liquid separation method include a method such as filtration and a method utilizing evaporation of a solvent.
  • the production method of the perovskite compound is Adding a B component, an X component, and an A component to a high-temperature solvent and dissolving them to obtain a solution;
  • the manufacturing method including the process of cooling the obtained solution may be sufficient. More specifically, Production comprising adding a compound containing B component and X component, and adding A component or compound containing A component and X component to a high temperature solvent to obtain a solution, and cooling the obtained solution A method is mentioned.
  • the perovskite compound according to the present invention can be produced by precipitating the perovskite compound according to the present invention based on the difference in solubility due to the temperature difference.
  • the production method preferably includes a step of adding a capping ligand from the viewpoint of stably dispersing the perovskite compound.
  • the manufacturing method preferably includes a step of removing coarse particles by a technique such as centrifugation or filtration after the cooling step.
  • the size of the coarse particles removed by the removal step is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 1 ⁇ m or more, and further preferably 500 nm or more.
  • the high-temperature solvent may be a solvent having a temperature at which the compound containing the B component and the X component and the A component or the compound containing the A component and the X component are dissolved.
  • a solvent is preferable, and a solvent at 80 to 400 ° C. is more preferable.
  • the cooling temperature is preferably ⁇ 20 to 50 ° C., more preferably ⁇ 10 to 30 ° C.
  • the cooling rate is preferably from 0.1 to 1500 ° C./min, and more preferably from 10 to 150 ° C./min.
  • the solvent used in the production method is not particularly limited as long as it is a solvent that can dissolve the compound containing the B component and the X component and the component A or the compound containing the A component and the X component.
  • Examples of a method for extracting the perovskite compound from the obtained dispersion containing the perovskite compound include a method for recovering only the perovskite compound by performing solid-liquid separation.
  • Examples of the solid-liquid separation method include a method such as filtration and a method utilizing evaporation of a solvent.
  • Examples of the simple substance of the element constituting the indium compound or cadmium compound or the compound thereof are not particularly limited, and examples thereof include metals, oxides, acetates, organometallic compounds, halides, and nitrates.
  • the fat-soluble solvent examples include a nitrogen-containing compound having a hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms and an oxygen-containing compound having a hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms.
  • the hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms include saturated aliphatic hydrocarbon groups such as n-butyl group, isobutyl group, n-pentyl group, octyl group, decyl group, dodecyl group, hexadecyl group and octadecyl group; An unsaturated aliphatic hydrocarbon group such as a group; an alicyclic hydrocarbon group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group; an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a benzyl group, a naphthyl group, and a naphthylmethyl group.
  • a saturated aliphatic hydrocarbon group and an unsaturated aliphatic hydrocarbon group are preferred.
  • the nitrogen-containing compound include amines and amides
  • examples of the oxygen-containing compound include fatty acids.
  • nitrogen-containing compounds having a hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms are preferred.
  • n-butylamine, isobutylamine, n-pentylamine, n-hexylamine, octylamine, decylamine, Alkylamines such as dodecylamine, hexadecylamine and octadecylamine, and alkenylamines such as oleylamine are preferred.
  • the fat-soluble solvent can be bonded to the formed particle surface of (2), and the bonding mode is, for example, a chemical bond such as a covalent bond, an ionic bond, a coordination bond, a hydrogen bond, or a van der Waals bond. Can be mentioned.
  • the heating temperature of the mixed solution may be appropriately set depending on the simple substance or the compound to be used, but is preferably set in the range of 130 to 300 ° C, more preferably in the range of 240 to 300 ° C. . It is preferable for the heating temperature to be equal to or higher than the lower limit because the crystal structure (2) obtained is easily unified. Further, the heating time may be appropriately set according to the simple substance to be used, the kind of the compound, and the heating temperature, but it is usually preferably set within the range of several seconds to several hours, and is set within the range of 1 to 60 minutes. Is more preferable.
  • an indium compound or cadmium compound In the method of producing an indium compound or cadmium compound, after cooling the mixed liquid after heating, it is separated into a supernatant and a precipitate, and the separated precipitate is put in an organic solvent (eg, chloroform, toluene, hexane, n-butanol, etc.). Alternatively, a solution containing an indium compound or a cadmium compound may be used. Alternatively, after cooling the mixed liquid after heating, it is separated into a supernatant liquid and a precipitate, and a solvent (for example, methanol, ethanol, acetone, acetonitrile, etc.) in which nanoparticles are insoluble or hardly soluble is added to the separated supernatant liquid for precipitation. It is good also as a solution which collects the said deposit, collects the said deposit, puts in the above-mentioned organic solvent, and contains an indium compound or a cadmium compound.
  • an organic solvent
  • (1) and the manufacturing method of the mixture containing (2) As a manufacturing method of the mixture containing (1) and (2), (A) (1) The manufacturing method including the process of mixing a perovskite compound and (2) an indium compound or a cadmium compound is mentioned. It is preferable to stir when mixing from the viewpoint of more uniformly mixing (1) and (2).
  • Method for producing a mixture containing (2) and (3) For example, as a method for producing a mixture containing (1), (2) and (3), (B) A manufacturing method including a step of mixing (1) a perovskite compound, (2) an indium compound or a cadmium compound, and (3) a solvent.
  • the temperature is not particularly limited, but is preferably in the range of 0 to 100 ° C., more preferably in the range of 10 to 80 ° C. from the viewpoint of uniform mixing.
  • step (b) for example, (B1) (1) After mixing the perovskite compound and (3) the solvent, (2) a step of mixing an indium compound or a cadmium compound may be used, (B2) (1) After mixing a perovskite compound and (2) an indium compound or a cadmium compound, (3) a step of mixing a solvent may be used. From the viewpoint of improving the dispersibility of (1) and (2), the step (b) is preferably the step (b1).
  • (5) may be added at any step included in the above-described method for producing a perovskite compound (1), and the method for producing a mixture comprising the above-mentioned (1), (2), and (3). It may be added in any of the steps involved.
  • (5) is preferably added at any step included in the method for producing a perovskite compound (1) from the viewpoint of enhancing the dispersibility of (1).
  • the temperature is not particularly limited, but is preferably in the range of 0 to 100 ° C., more preferably in the range of 10 to 80 ° C. from the viewpoint of uniform mixing.
  • the step of mixing the perovskite compound, (2) the indium compound or cadmium compound, and (4) the polymerizable compound or polymer may be performed while stirring.
  • the temperature is not particularly limited, but is preferably in the range of 0 to 100 ° C., more preferably in the range of 10 to 80 ° C. from the viewpoint of uniform mixing.
  • the production method of (c) is, for example, (C1) (4) A step of dispersing a perovskite compound in a polymerizable compound or a polymer to obtain a dispersion, and a step of mixing the obtained dispersion with (2) an indium compound or a cadmium compound.
  • a manufacturing method including (C2) (4) A step of obtaining a dispersion by dispersing (2) an indium compound or a cadmium compound in a polymerizable compound or polymer, mixing the obtained dispersion, and (1) a perovskite compound And a manufacturing method including a process of (C3) (4) A polymerizable method or a production method including a step of dispersing (1) a perovskite compound, and (2) an indium compound or a cadmium compound in a polymer, (C4) (1) mixing a perovskite compound, and (3) a solvent, and (1) obtaining a dispersion containing the perovskite compound; (2) mixing indium compound or cadmium compound and (3) solvent, and (2) obtaining a dispersion containing indium compound or cadmium compound; (4) A manufacturing method comprising a step of mixing a polymerizable compound or polymer, (1) a dispersion containing a perovskite compound, and (2) a dispersion containing
  • (4) may be added dropwise to (1) and / or (2), or (1) and / or (2) may be added dropwise to (4). From the viewpoint of improving dispersibility, it is preferable to add (1) and / or (2) dropwise to (4).
  • (3) may be added dropwise to (1) or (2), or (1) or (2) is added dropwise to (3). You can do it. From the viewpoint of enhancing dispersibility, it is preferable to add (1) or (2) dropwise to (3).
  • (1) or (2) may be added dropwise to the dispersion, or the dispersion is added dropwise to (1) or (2). May be. From the viewpoint of improving dispersibility, it is preferable to add (1) or (2) dropwise to the dispersion.
  • the polymer may be a polymer dissolved in a solvent.
  • the solvent in which the above polymer is dissolved is not particularly limited as long as it is a solvent that can dissolve the polymer (resin), but it is difficult to dissolve the compound (1) or (2) according to the present invention. Those are preferred.
  • the solvent in which the above polymer is dissolved include, for example, esters such as methyl formate, ethyl formate, propyl formate, pentyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, pentyl acetate; ⁇ -butyrolactone, N-methyl -2-pyrrolidone, acetone, dimethyl ketone, diisobutyl ketone, ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, methylcyclohexanone; diethyl ether, methyl-tert-butyl ether, diisopropyl ether, dimethoxymethane, dimethoxyethane, 1,4-dioxane, 1 , 3-
  • esters such as methyl formate, ethyl formate, propyl formate, pentyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, pentyl acetate; ⁇ -butyrolactone, acetone, dimethyl ketone, diisobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, methylcyclohexanone Ketones such as diethyl ether, methyl-tert-butyl ether, diisopropyl ether, dimethoxymethane, dimethoxyethane, 1,4-dioxane, 1,3-dioxolane, 4-methyldioxolane, tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, anisole, phenetol , An organic solvent having a nitrile group such as acetonitrile, isobutyronitrile, propionitrile, methoxyaceton
  • (5) may be added at any step included in the above-described method for producing a perovskite compound (1), and the method for producing a mixture comprising the above-mentioned (1), (2), and (4). It may be added in any of the steps involved.
  • (5) is preferably added at any step included in the production method of (1) from the viewpoint of enhancing the dispersibility of (1).
  • (3) a solvent may be used, and for example, (1) including (5) is (3) ), A dispersion in which (2) is dispersed in (3), and a mixture of (4), the mixture of this embodiment can be obtained.
  • a method for producing a mixture comprising (1), (2) and (4 ′), wherein the sum of (1), (2) and (4 ′) is 90% by mass or more (1), ( As a method for producing a mixture including 2) and (4 ′), wherein the sum of (1), (2), and (4 ′) is 90% by mass or more, for example, (1) a step of mixing a perovskite compound, (2) an indium compound or a cadmium compound, and a polymerizable compound; A step of polymerizing a polymerizable compound, and a production method comprising: (1) a step of mixing a perovskite compound, (2) an indium compound or a cadmium compound, and a polymer dissolved in a solvent; And a step of removing the solvent.
  • the manufacturing method is, for example, (C1-1) (1) a step of dispersing a perovskite compound in a polymerizable compound to obtain a dispersion, a step of mixing the obtained dispersion and (2) an indium compound or a cadmium compound, and polymerization And a step of polymerizing the compound, (C1-2) (1) A step of dispersing a perovskite compound in a polymer dissolved in a solvent to obtain a dispersion, and mixing the obtained dispersion and (2) an indium compound or a cadmium compound A production method comprising a step and a step of removing the solvent, (C2-1) Dispersing (2) an indium compound or a cadmium compound in a polymerizable compound to obtain a dispersion, a step of mixing the obtained dispersion, and (1) a perovskite compound,
  • (C3-2) A production method comprising a step of dispersing a mixture of (1) a perovskite compound and (2) an indium compound or a cadmium compound in a polymer dissolved in a solvent, and a step of removing the solvent.
  • (C4-1) (1) a step of mixing a perovskite compound and (3) a solvent to obtain a dispersion containing (1) a perovskite compound, (2) an indium compound or a cadmium compound, and (3) a solvent.
  • It may be a production method including a step of mixing a dispersion containing, and a step of removing a solvent, (C4-2) (1) a step of mixing a perovskite compound and (3) a solvent to obtain a dispersion containing (1) a perovskite compound, (2) an indium compound or a cadmium compound, and (3) a solvent.
  • the step of removing the solvent included in the production method may be a step of standing at room temperature and natural drying, or a step of evaporating the solvent by vacuum drying or heating using a vacuum dryer. Also good.
  • the solvent can be removed by drying at 0 to 300 ° C. for 1 minute to 7 days.
  • the step of polymerizing the polymerizable compound included in the production method can be performed by appropriately using a known polymerization reaction such as radical polymerization.
  • a polymerization reaction is caused by adding a radical polymerization initiator to a mixture of (1) perovskite compound and (2) indium compound or cadmium compound and polymerizable compound to generate radicals.
  • the radical polymerization initiator is not particularly limited, and examples thereof include a photo radical polymerization initiator.
  • the photo radical polymerization initiator include bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide.
  • the manufacturing method of the mixture which is 90 mass% or more with respect to (1), (2), (5), and a mixture containing (4 '), Comprising: (1), (2), (5), and ( The method for producing a mixture in which the total of 4 ′) is 90% by mass or more with respect to the total mass of the mixture is, for example, selected from the group consisting of (5) ammonia, amine, carboxylic acid, and salts or ions thereof.
  • a method similar to the method for producing a mixture having a total of 90% by mass or more based on the total mass of the mixture can be used.
  • (5) may be added in any step included in the above-described method for producing a perovskite compound (1), and a method for producing a mixture comprising the above-mentioned (1), (2), and (4 ′) It may be added in any of the steps included in. (5) is preferably added in any step included in the method for producing the perovskite compound (1) from the viewpoint of enhancing the dispersibility of the (1) perovskite compound.
  • Concentration measurement of components of perovskite compound and concentration of perovskite compound based on it The concentration of the component of the perovskite compound ( ⁇ g / g) with respect to the total mass of the mixture of the present invention was determined using PB, Cs, etc. A component and B component are measured and X components, such as Br, are measured using an ion chromatograph (for example, Integration made by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd.). The concentration of the perovskite compound is determined from the total amount of each constituent described above. Each measurement is performed using a solution of a good solvent such as N, N-dimethylformamide and a perovskite compound.
  • a good solvent such as N, N-dimethylformamide and a perovskite compound.
  • Concentration measurement of constituent elements of indium compound or cadmium compound and concentration of indium compound or cadmium compound based thereon >> The concentration ( ⁇ g / g) of the constituent element of the indium compound or cadmium compound contained in the mixture according to the present invention is determined using Cd, Se, In, P and Zn are measured, and S and the like are measured using ICP-AES (for example, ICPS-8100 / manufactured by Shimadzu Corporation). The concentration of the indium compound or cadmium compound is determined from the total amount of each of the constituent elements described above.
  • the emission spectrum of the mixture according to the present invention is measured using an absolute PL quantum yield measuring apparatus (for example, product name C9920-02, manufactured by Hamamatsu Photonics) at an excitation light of 450 nm, at room temperature, and in the atmosphere.
  • an absolute PL quantum yield measuring apparatus for example, product name C9920-02, manufactured by Hamamatsu Photonics
  • ⁇ Method for producing laminated structure> As a manufacturing method of the laminated structure, for example, (I) (1) mixing a perovskite compound, (2) an indium compound or a cadmium compound, and (3) a solvent, and (4 ′) a polymer; A step of coating the obtained mixture on a substrate; A step of removing the solvent, and a method for producing a laminated structure comprising: (Ii) (1) mixing a perovskite compound, (2) an indium compound, or a cadmium compound, and a polymer dissolved in a solvent; Coating the resulting mixture on a substrate; A step of removing the solvent, and a method for producing a laminated structure comprising: (Iii) A mixture containing (1), (2) and (4 ′), wherein the sum of (1), (2) and (4 ′) is 90% by mass or more based on the total mass of the mixture Or a method for producing a laminated structure including a step of bonding the mixture to a substrate, (1) Perovskit
  • Any adhesive can be used in the step of bonding to the substrate included in the manufacturing method (iii).
  • the adhesive is not particularly limited as long as it does not dissolve the compounds (1) and (2), and a known adhesive can be used.
  • the manufacturing method of the laminated structure may be a manufacturing method including a step of further bonding an arbitrary film to the laminated structure obtained in (i) to (iv).
  • the film to be bonded include a reflection film and a diffusion film.
  • Any adhesive can be used in the step of laminating the films.
  • the above-described adhesive is not particularly limited as long as it does not dissolve the compounds (1) and (2), and a known adhesive can be used.
  • ⁇ Method for manufacturing light emitting device> the manufacturing method including the above-mentioned light source and the process of installing the above-mentioned mixture or laminated structure on the optical path of the latter stage from a light source is mentioned.
  • Example 1 Cesium carbonate 0.814 g, 1-octadecene solvent 40 mL, and oleic acid 2.5 mL were mixed. The mixture was stirred with a magnetic stirrer and heated at 150 ° C. for 1 hour while flowing nitrogen to prepare a cesium carbonate solution. 0.276 g of lead bromide (PbBr 2 ) was mixed with 20 mL of 1-octadecene solvent. After stirring with a magnetic stirrer and flowing nitrogen for 1 hour at 120 ° C., 2 mL of oleic acid and 2 mL of oleylamine were added. After raising the temperature to 160 ° C., 1.6 mL of the above cesium carbonate solution was added.
  • PbBr 2 lead bromide
  • the reaction vessel was immersed in ice water to lower the temperature to room temperature to obtain a dispersion.
  • the dispersion was separated by centrifugation at 10,000 rpm for 5 minutes to obtain a perovskite compound (P1) as a precipitate.
  • XRD X-ray diffraction measurement device
  • X′pert PRO MPD X-ray diffraction measurement device
  • the average ferret diameter (average particle diameter) of the perovskite compound (P1) observed with TEM was 11 nm.
  • TEM manufactured by JEOL Ltd., JEM-2200FS
  • the concentration of the perovskite compound measured by ICP-MS and ion chromatography was 200 ppm ( ⁇ g / g).
  • the emission peak of the emission spectrum measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus was 523 nm.
  • 0.5 mL of InP / ZnS dispersion (Aldrich: 776785-5 ML) was dispersed in 2 mL of toluene to obtain a dispersion containing the indium compound (I1).
  • InP / ZnS means an InP quantum dot coated with ZnS (the same applies hereinafter).
  • the concentration of InP / ZnS measured by ICP-MS was 110 ppm ( ⁇ g / g) in terms of InP and 690 ppm ( ⁇ g / g) in terms of InP / ZnS.
  • the emission peak of the emission spectrum measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus was 649 nm.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, which were 520 nm and 648 nm, respectively.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, which were 520 nm and 648 nm, respectively.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, which were 520 nm and 646 nm, respectively.
  • Example 4 In the same manner as in Example 1, a perovskite compound (P1) was obtained as a precipitate. After the obtained perovskite compound (P1) was dispersed in 5 mL of toluene, 50 ⁇ L of the dispersion was separated and redispersed in 5 mL of toluene to obtain a dispersion containing the perovskite compound. The concentration of the perovskite compound measured by ICP-MS and ion chromatography was 200 ppm ( ⁇ g / g).
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). The emission peak was 523 nm.
  • a dispersion of InP / ZnS (Aldrich: 776785-5ML) was prepared and used as a dispersion containing the indium compound (I1).
  • the concentration of InP / ZnS measured by ICP-MS was 540 ppm ( ⁇ g / g) in terms of InP and 3400 ppm ( ⁇ g / g) in terms of InP / ZnS.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, which were 523 nm and 643 nm, respectively.
  • Example 6 Cesium carbonate 0.814 g, 1-octadecene solvent 40 mL, and oleic acid 2.5 mL were mixed. The mixture was stirred with a magnetic stirrer and heated at 150 ° C. for 1 hour while flowing nitrogen to prepare a cesium carbonate solution. 0.110 g of lead bromide (PbBr 2 ) and 0.208 g of lead iodide (PbI 2 ) were mixed with 20 mL of 1-octadecene solvent. After stirring with a magnetic stirrer and flowing nitrogen for 1 hour at 120 ° C., 2 mL of oleic acid and 2 mL of oleylamine were added.
  • PbBr 2 lead bromide
  • PbI 2 lead iodide
  • the average ferret diameter (average particle diameter) of the perovskite compound (P2) observed with TEM was 19 nm.
  • the perovskite compound (P2) was dispersed in 5 mL of toluene 25 ⁇ L of the dispersion was collected and redispersed in 2.5 mL of toluene to obtain a dispersion containing the perovskite compound (P2).
  • the concentration of the perovskite compound measured by ICP-MS and ion chromatography was 200 ppm ( ⁇ g / g).
  • the emission peak of the emission spectrum measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus was 638 nm.
  • 0.5 mL of InP / ZnS dispersion Aldrich: 777750-5ML was dispersed in 2 mL of toluene to obtain a dispersion containing the indium compound (I2).
  • the concentration of the perovskite compound measured by ICP-MS was 140 ppm ( ⁇ g / g) in terms of InP and 840 ppm ( ⁇ g / g) in terms of InP / ZnS.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air).
  • the emission peak was 530 nm.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, which were 529 nm and 635 nm, respectively.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, and the emission peaks were 529 nm and 632 nm, respectively.
  • Example 8 In the same manner as in Example 1, a dispersion containing the perovskite compound (P1) and a dispersion containing the indium compound (I1) were obtained. Next, after being mixed with toluene so that the methacrylic resin (PMMA, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Sumipex methacrylic resin, MH, molecular weight of about 120,000, specific gravity 1.2 g / ml) becomes 16.5% by mass, By heating for 3 hours, a solution in which the polymer was dissolved was obtained.
  • PMMA manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Sumipex methacrylic resin, MH, molecular weight of about 120,000, specific gravity 1.2 g / ml
  • Example 9 In the same manner as in Example 6, a dispersion containing the perovskite compound (P2) and a dispersion containing the indium compound (I2) were obtained. Next, after being mixed with toluene so that the methacrylic resin (PMMA, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Sumipex methacrylic resin, MH, molecular weight of about 120,000, specific gravity 1.2 g / ml) becomes 16.5% by mass, By heating for 3 hours, a solution in which the polymer was dissolved was obtained.
  • PMMA manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Sumipex methacrylic resin, MH, molecular weight of about 120,000, specific gravity 1.2 g / ml
  • Example 10 In the same manner as in Example 1, a perovskite compound (P1) was obtained as a precipitate. After the obtained perovskite compound (P1) was dispersed in 5 mL of toluene, 50 ⁇ L of the dispersion was separated and redispersed in 5 mL of toluene to obtain a dispersion containing the perovskite compound. The concentration of the perovskite compound measured by ICP-MS and ion chromatography was 200 ppm ( ⁇ g / g).
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). The emission peak was 523 nm.
  • CdSe / ZnS Aldrich: 790206-25MG was prepared and dispersed in toluene to obtain a dispersion containing the cadmium compound (C1).
  • the concentration of CdSe / ZnS measured by ICP-AES was 680 ppm ( ⁇ g / g) in terms of CdSe and 880 ppm ( ⁇ g / g) in terms of CdSe / ZnS.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air).
  • the emission peak was 630 nm.
  • the methacrylic resin PMMA, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Sumipex methacrylic resin, MH, molecular weight of about 120,000, specific gravity 1.2 g / ml
  • Example 11 In the same manner as in Example 6, a perovskite compound (P2) was obtained as a precipitate. After the obtained perovskite compound (P2) was dispersed in 5 mL of toluene, 50 ⁇ L of the dispersion was collected and redispersed in 5 mL of toluene to obtain a dispersion containing the perovskite compound. The concentration of the perovskite compound measured by ICP-MS and ion chromatography was 200 ppm ( ⁇ g / g).
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). The emission peak was 638 nm.
  • CdSe / ZnS Aldrich: 748056-25MG
  • the concentration of CdSe / ZnS measured by ICP-AES was 440 ppm ( ⁇ g / g) in terms of CdSe and 870 ppm ( ⁇ g / g) in terms of CdSe / ZnS.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air).
  • the emission peak was 566 nm.
  • the methacrylic resin PMMA, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., Sumipex methacrylic resin, MH, molecular weight of about 120,000, specific gravity 1.2 g / ml
  • COP cycloolefin polymer resin
  • a composition in which the perovskite compound and the indium compound were dispersed in the resin was obtained.
  • the composition was cut into a size of 100 ⁇ m ⁇ 1 cm ⁇ 1 cm.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, which were 517 nm and 648 nm, respectively.
  • a composition in which the perovskite compound and the indium compound were dispersed in the resin was obtained.
  • the composition was cut into a size of 100 ⁇ m ⁇ 1 cm ⁇ 1 cm.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, which were 517 nm and 668 nm, respectively.
  • a composition in which the perovskite compound and the indium compound were dispersed in the resin was obtained.
  • the composition was cut into a size of 100 ⁇ m ⁇ 1 cm ⁇ 1 cm.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, which were 517 nm and 651 nm, respectively.
  • a composition in which the perovskite compound and the indium compound were dispersed in the resin was obtained.
  • the composition was cut into a size of 100 ⁇ m ⁇ 1 cm ⁇ 1 cm.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). In the emission spectrum, there were two emission peaks, which were 517 nm and 662 nm, respectively.
  • a dispersion containing the perovskite compound (P1) was obtained in the same manner as in Example 1.
  • a dispersion containing a perovskite compound (P2) was obtained in the same manner as in Example 4.
  • a solution in which 2.5 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P1) and 0.2 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P2) were mixed was prepared.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). There was one emission peak, which was 529 nm.
  • Comparative Example 2 A mixture was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that 2.5 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P1) and 0.5 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P2) were mixed.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). There was one emission peak, which was 530 nm.
  • Comparative Example 3 A mixture was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that 1.5 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P1) and 1.5 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P2) were mixed.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). There was one emission peak, which was 570 nm.
  • Comparative Example 4 A mixture was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that 1.0 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P1) and 2.5 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P2) were mixed.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). There was one emission peak, which was 582 nm.
  • Comparative Example 5 A mixture was obtained in the same manner as in Comparative Example 1, except that 0.5 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P1) and 2.5 mL of the dispersion containing the perovskite compound (P2) were mixed.
  • the emission spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measurement apparatus (manufactured by Hamamatsu Photonics, trade name: C9920-02, excitation light: 450 nm, room temperature, in air). There was one emission peak, which was 603 nm.
  • the concentration of the perovskite compound in the dispersions or mixtures obtained in the Examples and Comparative Examples is such that N, N-dimethylformamide is added to the dispersion containing the perovskite compound and the solvent obtained by redispersion, respectively.
  • the perovskite compound was dissolved and then measured using ICP-MS (ELAN DRCII, manufactured by PerkinElmer) and an ion chromatograph.
  • the concentration of the indium compound in the dispersions or mixtures obtained in the examples was determined by changing the indium compound obtained by redispersion from ICP-AES (IRIS ADVANTAGE / manufactured by Japan Jarrell Ash and ICPS-8100 / (Manufactured by Shimadzu Corporation).
  • the concentration of the cadmium compound in the dispersions or mixtures obtained in the examples was determined by changing the cadmium compound obtained by redispersion from ICP-AES (IRIS ADVANTAGE / manufactured by Japan Jarrell Ash and ICPS-8100 / (Manufactured by Shimadzu Corporation).
  • Table 1 below shows the composition and emission peak (nm) of the mixtures of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 6.
  • indium / Pb represents a molar ratio obtained by dividing the amount of indium element by the amount of Pb ions (B component of the perovskite compound).
  • FIG. 3 shows the results of Examples 1 to 3
  • FIG. 4 shows the results of Examples 6 to 7, and
  • FIG. 5 shows the results of Comparative Examples 1 to 6.
  • Table 2 below describes the composition of the mixtures of Examples 10 and 11 and the emission peak (nm).
  • “Cadmium / Pb” represents a molar ratio obtained by dividing the amount of the cadmium element by the amount of Pb ions (B component of the perovskite compound).
  • Table 3 shows the composition of the mixtures of Examples 12 to 15 and the emission peak (nm).
  • indium / Pb represents a molar ratio obtained by dividing the amount of indium element by the amount of Pb ions (B component of the perovskite compound).
  • a resin mixture can be obtained by forming the mixture described in Examples 8 to 15 into a sheet, and a sealed film sandwiched between two barrier films is placed on the light guide plate.
  • the backlight which can convert the blue light irradiated to the said sheet
  • the wavelength conversion material can be obtained by mixing the mixture described in Examples 1 to 7 and the resist and then removing the solvent.
  • a backlight capable of converting the blue light of the light source into green light or red light by placing the obtained wavelength conversion material between the blue light emitting diode as the light source and the light guide plate or after the OLED as the light source. To manufacture.
  • a titanium oxide dense layer is laminated on the surface of a fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate, a porous aluminum oxide layer is laminated thereon, and the mixture described in Examples 1 to 15 is laminated thereon.
  • FTO fluorine-doped tin oxide
  • a porous aluminum oxide layer is laminated thereon, and the mixture described in Examples 1 to 15 is laminated thereon.
  • 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (N, N′-di-p-methoxyphenylamine) -9,9′-spirobifluorene (Spiro-OMeTAD), etc. are stacked, and a silver (Ag) layer is stacked thereon to produce a solar cell.
  • the resin mixture containing the mixture according to the present invention can be obtained by mixing the mixture described in Examples 1 to 7 and the resin, and then removing the solvent to form the resin mixture, which is installed in the subsequent stage of the blue light emitting diode. By doing so, laser diode illumination that emits white light by converting blue light emitted from the blue light emitting diode to the resin molding into green light or red light is manufactured.
  • a mixture containing a perovskite compound having two kinds of emission peaks and high productivity a film made of the mixture, a laminated structure containing the mixture, and a display using the mixture. It becomes possible. Therefore, the mixture of the present invention, the film made of the mixture, the laminated structure containing the mixture, and the display using the mixture can be suitably used in light emitting applications.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本発明は、（１）と、（２）とを含む混合物に関する。（１）は、Ａ、Ｂ、及びＸを成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物であり、（２）は発光性を有するインジウム化合物、又は、発光性を有するカドミウム化合物であり、Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンであり、Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上のイオンであり、そしてＢは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。

Description

ペロブスカイト化合物を含む混合物
　本発明は、ペロブスカイト化合物を含む混合物に関する。
　本願は、２０１７年３月１３日に、日本に出願された特願２０１７－０４７０３４号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　青色ＬＥＤと、異なる発光波長を有する２種類の化合物を含む組成物とを備えるＬＥＤバックライトが開発されている。近年、前記組成物に含まれる発光性を有する化合物として、ペロブスカイト化合物に対する関心が高まっている。
　例えば、ペロブスカイト化合物を含む組成物として、異なるペロブスカイト化合物をそれぞれ含む、２つの層が積層されてなる組成物が報告されている（非特許文献１）。
Xiaoming Li，Ye Wu，Shengli Zhang，Bo Cai，Yu Gu，Jizhong Song，Haibo Zeng，Advanced Functional Materials，26，p.2435－2445（2016）
　しかしながら、上記非特許文献１に記載された積層されてなる組成物は、複数の層を形成するための工程が必要となることから、必ずしも生産性が十分とはいえない。
　そこで、異なる発光波長を有する２種類のペロブスカイト化合物の混合物を製造したところ、それぞれのペロブスカイト化合物が有する２種類の固有の発光ピークが１つになるという課題が見出された。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、２種類の発光ピークを有し、生産性の高い、ペロブスカイト化合物を含む混合物を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。
　すなわち、本発明の実施形態は、下記［１］～［９］の発明を包含する。
［１］　（１）と、（２）とを含む混合物。
　（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
　（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
［２］　さらに、（３）、又は（４）の少なくとも一方を含む、［１］に記載の混合物。
（３）溶媒
（４）重合性化合物、又は重合体
［３］　さらに、（５）を含む、［１］、又は［２］に記載の混合物。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
［４］　（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有割合が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物。
　（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
　（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
　（４’）重合体
［５］　さらに、（５）を含む、［４］に記載の混合物。
　（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
［６］［４］、又は［５］に記載の混合物からなるフィルム。
［７］［６］に記載のフィルムを含む積層構造体。
［８］［７］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［９］［７］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
　本発明によれば、２種類の発光ピークを有し、生産性の高い、ペロブスカイト化合物を含む混合物を提供することができる。
本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。 実施例１～３において取得された混合物の発光スペクトルの結果を示すグラフである。 実施例６～７において取得された混合物の発光スペクトルの結果を示すグラフである。 比較例１～６において取得された混合物の発光スペクトルの結果を示すグラフである。
　以下、実施形態を示して本発明を詳細に説明する。
＜混合物＞
　本実施形態の混合物は、発光性を有する。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ～８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ～７５０ｎｍであってもよく、３００ｎｍ～７００ｎｍであってもよい。
　本実施形態の混合物は、（１）、及び（２）を含む。
　（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
　（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
　以下、「（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物」を、「（１）ペロブスカイト化合物」と呼ぶことがある。
　本実施形態の混合物は、（１）と（２）とが混在している組成物であればよく、（１）及び（２）以外の成分を含んでいてもよい。
　例えば、本実施形態の混合物は、（３）、又は（４）の少なくとも一方をさらに含んでいてもよい。（３）、又は（４）の少なくとも一方をさらに含む実施形態において、（１）、及び（２）は、（３）、又は（４）の少なくとも一方に分散していてもよい。
　（３）溶媒
　（４）重合性化合物、重合体
　本実施形態の混合物は、さらに（５）を含んでいてもよい。
　（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
　本実施形態の混合物が（５）をさらに含む場合、例えば、（１）の少なくとも一部が（５）に被覆されている形態であってよい。以下、少なくとも一部が（５）で被覆されている（１）を、「（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物、を含む（１）ペロブスカイト化合物」と呼ぶことがある。
　本実施形態の混合物は、上述の（１）～（５）以外のその他の成分を有していてもよい。
　その他の成分としては、例えば、若干の不純物、並びに（１）、又は（２）を構成する元素成分からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤、及び（２）の化合物の保護層を形成するための無機化合物が挙げられる。
　その他の成分の含有割合は、混合物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
　本発明者らが鋭意検討した結果、
　（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）と、
　（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物と
を含む混合物において、（１）及び（２）に由来する、２つの発光波長のピークをそのまま独立して有することができることを見出した。
　（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、通常、０．０００１～５０質量％である。
　混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、０．０００１～２質量％であることが好ましく、０．０００５～１質量％であることがより好ましく、０．００１～１質量％であることがさらに好ましい。
　（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
　（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（２）を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、通常、０．０００１～５０質量％である。
　混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、０．０００１～１質量％であることが好ましく、０．０００５～５質量％であることがより好ましく、０．００１～０．３質量％であることがさらに好ましい。
　（２）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（２）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
　前記（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）及び（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、９５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、０．０００５～９５質量％であることが好ましく、０．００５～１０質量％であることがより好ましく、０．００１～５質量％であることがさらに好ましい。
　（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　また、（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、（１）と、（２）と、（３）及び（４）の少なくとも一方の合計含有割合は、前記混合物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
　（１）と、（２）と、（５）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、通常、０．０００１～５０質量％である。
　混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、０．０００１～２質量％であることが好ましく、０．０００５～１質量％であることがより好ましく、０．００１～１質量％であることがさらに好ましい。
　（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
　（１）と、（２）と、（５）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（２）を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物全体の総質量に対する（２）の含有割合は、通常、０．０００１～５０質量％である。
　混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、０．０００１～１質量％であることが好ましく、０．０００５～５質量％であることがより好ましく、０．００１～０．３質量％であることがさらに好ましい。
　（２）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（２）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
　前記当該（１）と、（２）と、（５）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）及び（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、９５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物全体の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、０．０００５～９５質量％であることが好ましく、０．００５～１０質量％であることがより好ましく、０．００１～５質量％であることがさらに好ましい。
　（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　また、（１）と、（２）と、（５）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、（１）と、（２）と、（３）及び（４）の少なくとも一方の合計含有割合は、前記混合物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
　本発明の実施形態は、（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有割合が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物であってもよい。
　前記（１）、（２）、及び（４’）を含む実施形態において、（１）、及び（２）は、（４’）に分散していてもよい。
　（４’）は重合体である。
　前記（１）、（２）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物の総質量対する（１）の含有割合は、通常、０．０００１～５０質量％である。
　混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、０．０００１～２質量％であることが好ましく、０．０００５～１質量％であることがより好ましく、０．００１～１質量％であることがさらに好ましい。
　（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
　前記（１）、（２）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、通常、０．０００１～５０質量％である。
　混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、０．０００１～５質量％であることが好ましく、０．０００５～１質量％であることがより好ましく、０．００１～３質量％であることがさらに好ましい。
　（２）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
　前記（１）、（２）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）及び（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、９５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、０．０００５～９５質量％であることが好ましく、０．００５～１０質量％であることがより好ましく、０．００１～５質量％であることがさらに好ましい。
　（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
　本発明の実施形態は、（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）、（５）、及び（４’）の合計含有割合が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物であってもよい。
　前記当該（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む実施形態において、（１）、（２）、及び（５）は、（４’）に分散していてもよい。
　（４’）は重合体である。
　前記当該（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物全体の総質量に対する（１）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、通常、０．０００１～５０質量％である。
　混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、０．０００１～２質量％であることが好ましく、０．０００５～１質量％であることがより好ましく、０．００１～１質量％であることがさらに好ましい。
　（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
　前記当該（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、通常、０．０００１～５０質量％である。
　混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、０．０００１～５質量％であることが好ましく、０．０００５～１質量％であることがより好ましく、０．００１～３質量％であることがさらに好ましい。
　（２）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
　前記当該（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）及び（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、９５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物全体の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、０．０００５～９５質量％であることが好ましく、０．００５～１０質量％であることがより好ましく、０．００１～５質量％であることがさらに好ましい。
　（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
　以下、本実施形態の混合物に含まれる化合物等について説明する。
（１）発光性を有するペロブスカイト化合物
　ペロブスカイト化合物は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物である。
　Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。
　Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元構造のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
　３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される。
　２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される。
　δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、－０．７以上０．７以下である。
　例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、前記化合物が電気的に中性（すなわち前記化合物の電荷が０）となるようにδを選択することができる。
　上記３次元構造の場合、Ｂを中心とし、頂点をＸとする、ＢＸ６で表される頂点共有八面体の三次元ネットワークを有する。
　上記２次元構造の場合、Ｂを中心とし、頂点をＸとする、ＢＸ６で表される八面対が同一平面の４つの頂点のＸを共有することにより、２次元的に連なったＢＸ６からなる層とＡからなる層が交互に積層された構造を形成する。
　ＢはＸの八面体配位をとることができる金属カチオンである。
　本明細書において、ペロブスカイト型結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。
　前記３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の場合、Ｘ線回折パターンにおいて、通常、２θ＝１２～１８°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピーク、又は２θ＝１８～２５°の位置に(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認される。２θ＝１３～１６°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００１）に由来するピークが、又は２θ＝２０～２３°の位置に、(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認されることがより好ましい。
　前記２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の場合、Ｘ線回折パターンにおいて、通常、２θ＝１～１０°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認され、２θ＝２～８°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認されることがより好ましい。
　ペロブスカイト化合物は、下記一般式（１）で表されるペロブスカイト化合物であることが好ましい。
　ＡＢＸ（３＋δ）　（－０．７≦δ≦０．７）　…（１）
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
〔Ａ〕
　Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
　１価の陽イオンとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される、３次元構造を有する。
　化合物中、Ａはセシウムイオン、又は有機アンモニウムイオンが好ましい。
　Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記一般式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　一般式（Ａ３）中、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ６～Ｒ９の全てが水素原子となることはない。
　Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、置換基としてアミノ基を有していてもよい。
　Ｒ６～Ｒ９がアルキル基である場合、炭素原子数は、それぞれ独立に通常１～２０であり、１～４であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
　Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアルキル基を有していてもよく、アミノ基を有していてもよい。
　Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３～３０であり、３～１１であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
　Ｒ６～Ｒ９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
　一般式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を得ることができる。
　アルキル基又はシクロアルキル基の炭素原子数が４以上の場合、２次元、及び／又は擬似二次元（ｑｕａｓｉ―２Ｄ）のペロブスカイト型の結晶構造を一部あるいは全体に有する化合物を得ることができる。２次元のペロブスカイト型結晶構造が無限大に積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．Ｐ．Ｂｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８－９０７など）。
　Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１～４であることが好ましく、Ｒ６～Ｒ９のうちの１つが炭素原子数１～３のアルキル基であり、Ｒ６～Ｒ９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。
　Ｒ６～Ｒ９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
　Ｒ６～Ｒ９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられ、一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。
　Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ３ＮＨ３ ＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ２Ｈ５ＮＨ３ ＋（エチルアンモニウムイオンともいう。） 又はＣ３Ｈ７ＮＨ３ ＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋ 又はＣ２Ｈ５ＮＨ３ ＋であることより好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋であることがさらに好ましい。
　Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記一般式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ１０Ｒ１１Ｎ＝ＣＨ－ＮＲ１２Ｒ１３）＋・・・（Ａ４）
　一般式（Ａ４）中、Ｒ１０～Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、置換基としてアミノ基を有していてもよい。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１～２０であり、１～４であることが好ましく、１～３であることがより好ましい。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アルキル基を有していてもよく、アミノ基を有していてもよい。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３～３０であり、３～１１であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ１０～Ｒ１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
　Ｒ１０～Ｒ１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
　Ｒ１０～Ｒ１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。
　一般式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
　アルキル基又はシクロアルキル基の炭素原子数が４以上の場合、２次元、及び／又は擬似二次元（ｑｕａｓｉ―２Ｄ）のペロブスカイト型結晶構造を一部あるいは全体に有する化合物を得ることができる。また、Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１～４であることが好ましく、Ｒ１０が炭素原子数１～３のアルキル基であり、Ｒ１１～Ｒ１３が水素原子であることがより好ましい。
〔Ｂ〕
　ペロブスカイト化合物において、Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンを表す。Ｂ成分の金属イオンは１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上からなるイオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、及びスズからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましい。
〔Ｘ〕
　ペロブスカイト化合物において、Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンを表す。Ｘは、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンであってよい。
　Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができるが、例えばＸは臭化物イオンを含むことができる。
　Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、前記ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。
　ペロブスカイト化合物であって、ＡＢＸ（３＋δ）で表される、３次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物の具体例としては、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２) ＰｂＢｒ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２) ＰｂＣｌ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２)ＰｂＩ３、
　ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＳｒａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＢａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＤｙａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、
　ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、
　ＣｓＰｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、
　ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、
　（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２) Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２) Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２)Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２)Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、
　ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、
　ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、
　ＣｓＰｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、
　ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、
　（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）等が好ましいものとして挙げられる。
　本発明の一つの側面としては、ペロブスカイト化合物であって、ＡＢＸ（３＋δ）で表される、３次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物としてはＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）が好ましい。
　ペロブスカイト化合物であって、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される、２次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物の具体例としては、
(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＣｌ４、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＩ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＣｌ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＩ４、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、
　(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、
　(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、
　(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、
　(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、
　(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜４）、
　(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、
　(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、
　(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、
　(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）等が好ましいものとして挙げられる。
　混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させる観点から、平均粒径が１ｎｍ以上であることが好ましく、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、ペロブスカイト化合物を沈降させにくくする観点から、平均粒径が１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物の平均粒径は、特に限定されるものではないが、ペロブスカイト化合物を沈降させにくくする観点、及び良好に結晶構造を維持させる観点から、平均粒径が１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　本明細書において、混合物に含まれるペロブスカイト化合物の平均粒径は、例えば透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう。）、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう。）により測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、前記混合物中に含まれる２０個のペロブスカイト化合物の最大フェレー径を観察し、それらの平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、前記平均粒径を求めることができる。本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、ペロブスカイト化合物を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。
　混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物のメディアン径（Ｄ５０）は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させる観点から、メディアン径（Ｄ５０）が２ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましく、４ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、本発明に係るペロブスカイト化合物を沈降させにくくする観点から、メディアン径（Ｄ５０）が５μｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　本発明の別の側面としては、混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物の粒度分布においてメディアン径（Ｄ５０）が２ｎｍ～５μｍであることが好ましく、３ｎｍ～５００ｎｍであることがより好ましく、４ｎｍ～１００ｎｍであることがさらに好ましい。
　本明細書において、混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物の粒度分布は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、前記混合物中に含まれる、２０個のペロブスカイト化合物の最大フェレー径を観察し、それらの分布から、前記メディアン径（Ｄ５０）を求めることができる。
≪発光スペクトル≫
　ペロブスカイト化合物は、可視光波長領域に蛍光を発することができる発光体であり、Ｘが臭化物イオンの場合は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上、また、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０～７００ｎｍであり、５００～６００ｎｍであることが好ましく、５２０～５８０ｎｍであることがより好ましい。
　Ｘがヨウ化物イオンの場合は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上、また、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０～８００ｎｍであり、５３０～７５０ｎｍであることが好ましく、５４０～７３０ｎｍであることがより好ましい。
　Ｘが塩化物イオンの場合は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上、また、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００～６００ｎｍであり、３１０～５８０ｎｍであることが好ましく、３３０～５５０ｎｍであることがより好ましい。
（２）発光性を有するインジウム化合物、又は、発光性を有するカドミウム化合物
　インジウム化合物としては、例えば、
　ＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物、
　ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物、及び
　Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物が挙げられる。
　インジウム化合物としては、ＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物が好ましく、Ｖ族にリン元素を含むインジウム化合物が好ましい。
　カドミウム化合物としては、例えば、
　ＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物、及び
　ＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物が挙げられる。
　インジウム化合物は、カドミウム元素を含まず、カドミウム化合物は、インジウム元素を含まない。
　インジウム化合物、及び、カドミウム化合物は、それぞれインジウム化合物を含む半導体、及び、カドミウム化合物を含む半導体であることが好ましい。
　本発明の混合物に含まれる、インジウム化合物、又は、カドミウム化合物の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好な発光を示す観点から、カドミウム化合物では平均粒径が１．０ｎｍ以上であることが好ましく、１．１ｎｍ以上であることがより好ましく、１．２ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、１００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましく、８ｎｍ以下であることがさらに好ましい。またインジウム化合物では平均粒径が０．８ｎｍ以上であることが好ましく、１．０ｎｍ以上であることがより好ましく、１．１ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、３０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましく、４ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
　本発明の別の側面としては、混合物に含まれる、カドミウム化合物の平均粒径が１．０ｎｍ～１００ｎｍであることが好ましく、１．１ｎｍ～１０ｎｍであることがより好ましく、１．２ｎｍ～８ｎｍであることがさらに好ましい。
　本発明のさらに別の側面としては、混合物に含まれる、インジウム化合物の平均粒径が０．８ｎｍ～３０ｎｍであることが好ましく、１．０ｎｍ～１０ｎｍであることがより好ましく、１．１ｎｍ～４ｎｍであることがさらに好ましい。
　本明細書において、混合物に含まれる、カドミウム化合物、及びインジウム化合物の平均粒径は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、前記混合物中に含まれる２０個のカドミウム化合物、又はインジウム化合物の最大フェレー径を観察し、それらの平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、前記平均粒径を求めることができる。
　（ＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物）
　ＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物は、ＩＩＩ族元素と、Ｖ族元素とを含む化合物であって、少なくともインジウム元素を含む化合物である。
　ここで、ＩＩＩ族とは、周期表の１３族を意味し、Ｖ族とは、周期表の１５族を意味する（以下同様である。）。
　なお、本明細書において「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。
　ＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物は、二元系であってもよく、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
　二元系のＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物は、インジウム元素（第１元素）と、Ｖ族の元素（第２元素）とを含む化合物であればよく、例えば、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、及びＩｎＳｂが挙げられる。
　三元系のＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物は、インジウム元素（第１元素）と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物であってよく、１種類をインジウム元素とするＩＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む化合物であってもよい。
　三元系のＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物としては、例えば、ＩｎＰＮ、ＩｎＰＡｓ、及びＩｎＰＳｂ、ＩｎＧａＰ等が挙げられる。
　四元系のＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物は、１種類をインジウム元素とするＩＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物である。
　四元系のＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物としては、例えば、ＩｎＧａＰＮ、ＩｎＧａＰＡｓ、及びＩｎＧａＰＳｂ等が挙げられる。
　ＩＩＩ－Ｖ族インジウム化合物を含む半導体は、周期表の１３族、及び１５族の以外の元素（ただしカドミウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
　（ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物）
　ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物は、ＩＩＩ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物であって、少なくともインジウム元素を含む化合物である。
　ここで、ＶＩ族とは、周期表の１６族を意味する（以下同様である。）。
　ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物は、二元系であってもよく、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
　二元系のＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物は、インジウム元素（第１元素）と、ＶＩ族の元素（第２元素）とを含む化合物であればよく、例えば、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、及びＩｎ２Ｔｅ３が挙げられる。
　三元系のＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物は、インジウム元素（第１元素）と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物であってよく、１種類をインジウム元素とするＩＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む化合物であってもよい。
三元系のＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物としては、例えば、ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３、ＩｎＧａＴｅ３、Ｉｎ２ＳＳｅ２、Ｉｎ２ＴｅＳｅ２が挙げられる。
　四元系のＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物は、１種類をインジウム元素とするＩＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物である。
　四元系のＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物としては、例えば、ＩｎＧａＳＳｅ２、ＩｎＧａＳｅＴｅ２、ＩｎＧａＳＴｅ２が挙げられる。
　ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物を含む半導体は、周期表の１３族、及び１６族の以外の元素（ただしカドミウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
　（Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物）
　Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物は、Ｉ族元素と、ＩＩＩ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物であって、少なくともインジウム元素を含む化合物である。
　ここで、Ｉ族とは、周期表の１１族を意味する（以下同様である。）。
　Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物は、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
　三元系のＩ－ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物は、Ｉ族から選ばれる元素（第１元素）と、インジウム元素（第２元素）と、ＶＩ族から選ばれる元素（第３元素）とを含む化合物である。
　三元系のＩ－ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳ２が挙げられる。
　Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族インジウム化合物を含む半導体は、周期表の１１族、１３族、及び１６族の以外の元素（ただしカドミウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
　十分な発光強度を得られる観点から、インジウム化合物はＩｎＰ、ＣｕＩｎＳ２、ＩｎＮＰ、及びＧａＩｎＮＰが好ましく、ＩｎＰ及びＣｕＩｎＳ２がより好ましい。
（ＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物）
　ＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物は、ＩＩ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物であって、少なくともカドミウム元素を含む化合物である。
　ここで、ＩＩ族は、周期表の２族又は１２族を意味する（以下同様である。）。
　ＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物は、二元系であってもよく、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
　二元系のＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物は、カドミウム元素（第１元素）と、１６族の元素（第２元素）とを含む化合物であればよく、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、及びＣｄＴｅが挙げられる。
　三元系のＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物は、カドミウム元素（第１元素）と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物であってよく、１種類をカドミウム元素とするＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む化合物であってもよい。
　三元系のＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物としては、例えば、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、が挙げられる。
　四元系のＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物は、１種類をカドミウム元素とするＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物である。
　四元系のＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物としては、例えば、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、が挙げられる。
　ＩＩ－ＶＩ族カドミウム化合物を含む半導体は、周期表の２族、１２族、及び１６族の以外の元素（ただしインジウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
　（ＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物）
　ＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物は、ＩＩ族元素と、Ｖ族元素とを含む化合物であって、少なくともカドミウム元素を含む化合物である。
　ＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物は、二元系であってもよく、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
　二元系のＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物は、カドミウム元素（第１元素）と、Ｖ族の元素（第２元素）とを含む化合物であればよく、例えば、Ｃｄ３Ｐ２、Ｃｄ３Ａｓ２、及びＣｄ３Ｎ２が挙げられる。
　三元系のＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物は、カドミウム元素（第１元素）と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物であってよく、１種類をカドミウム元素とするＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む化合物であってもよい。
　三元系のＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物としては、例えば、Ｃｄ３ＰＮ、Ｃｄ３ＰＡｓ、又はＣｄ３ＡｓＮ、Ｃｄ２ＺｎＰ２、Ｃｄ２ＺｎＡｓ２、及びＣｄ２ＺｎＮ２等が挙げられる。
　四元系のＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物は、１種類をカドミウム元素とするＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物である。
　四元系のＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物としては、例えば、ＣｄＺｎＰＮ、ＣｄＺｎＰＡｓ、又はＣｄ２ＺｎＡｓＮ等が挙げられる。
　ＩＩ－Ｖ族カドミウム化合物を含む半導体は、周期表の２族、１２族、及び１５族の以外の元素（ただしインジウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
　十分な発光強度を得られる観点から、カドミウム化合物はＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、及びＣｄＺｎＳＴｅが好ましく、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、及びＣｄＺｎＳｅＳがより好ましく、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳがさらに好ましく、ＣｄＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳが特に好ましい。
　混合物に含まれる、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物は、発光強度、又は耐久性を向上させるために粒子表面に無機保護層を有していてもよい。
　無機保護層は、２層以上であっても良いし、１層であってもよい。
　無機保護層を形成しうる無機材料としては、例えば、混合物中の（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物よりもバンドギャップが大きい半導体が挙げられるが、これに限定されるものでない。 
　例えば、無機保護層はＺｎＳなどの公知の無機材料で形成される。
　≪発光スペクトル≫
　インジウム化合物、又はカドミウム化合物は、可視光波長領域に蛍光を発することができる発光体である。
　インジウム化合物は、平均粒径が１ｎｍ以上２ｎｍ未満の場合、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長領域であって、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長領域の範囲に発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　すなわち、インジウム化合物は、平均粒径が１ｎｍ以上２ｎｍ未満の場合、通常３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは３１０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下、より好ましくは３３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域の範囲に発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　インジウム化合物は、平均粒径が２ｎｍ以上３ｎｍ未満の場合、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長領域であって、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長領域の範囲に発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　すなわち、インジウム化合物は、平均粒径が２ｎｍ以上３ｎｍ未満の場合、通常４８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、より好ましくは５２０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長領域の範囲に発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　インジウム化合物の場合、平均粒径が３ｎｍ以上では、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上、また、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長領域の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　すなわち、インジウム化合物の場合、平均粒径が３ｎｍ以上では、通常５２０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、好ましくは５４０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、より好ましくは５４０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の波長領域の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　カドミウム化合物は、平均粒径が１ｎｍ以上３ｎｍ未満の場合、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長領域であって、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　すなわち、カドミウム化合物は、平均粒径が１ｎｍ以上３ｎｍ未満の場合、通常３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは３１０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下、より好ましくは３３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　カドミウム化合物は、平均粒径が３ｎｍ以上６ｎｍ未満の場合、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長領域であって、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　すなわち、カドミウム化合物は、平均粒径が３ｎｍ以上６ｎｍ未満の場合、通常４８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、より好ましくは５２０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　カドミウム化合物は、平均粒径が６ｎｍ以上の場合、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長領域であって、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
　すなわち、カドミウム化合物は、平均粒径が６ｎｍ以上の場合、通常５２０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、好ましくは５３０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、より好ましくは５４０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
（３）溶媒
　溶媒は、（１）、及び（２）を分散させることができる媒体であれば特に限定されず、（１）、及び（２）を溶解し難いものが好ましい。
　本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態をとる物質のことをいう（但し、重合性化合物、及び重合体を除く）。
　本明細書において「分散している」とは、ペロブスカイト化合物、インジウム化合物、カドミウム化合物等が、溶媒、重合性化合物、重合体等に浮遊あるいは懸濁している状態のことをいい、一部は沈降していてもよい。
　溶媒としては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ－ブチロラクトン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－メチル－２－ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２－フルオロエタノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、２，２，３，３－テトラフルオロ－１－プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ‐メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、及びＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、及びメトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、及びプロピレンカーボネート等の炭化水素基を有する有機溶媒；塩化メチレン、及びクロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、及びキシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
　これらの中でもメチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ－ブチロラクトン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒は、極性が低く、（１）、及び（２）を溶解し難いと考えられるため好ましく、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒がより好ましい。
（４）重合性化合物、又は重合体
　本実施形態の混合物に含まれる重合性化合物は、特に限定されるものではなく、１種類であっても２種類以上であってもよい。重合性化合物としては、本実施形態の混合物を製造する温度において、（１）、及び（２）の溶解度が低い重合性化合物が好ましい。
　本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体の化合物を意味する。
　例えば、室温、常圧下において製造する場合、前記重合性化合物としては、特に制限は無いが、例えば、スチレン、メタクリル酸メチル、等の公知の重合性化合物が挙げられる。なかでも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体成分であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。
　本実施形態の混合物に含まれる重合体は、特に限定されるものではなく、１種類であっても２種類以上であってもよい。重合体としては、本実施形態の混合物を製造する温度において、（１）、及び（２）の溶解度が低い重合体好ましい。
　例えば、ポリスチレン、メタクリル樹脂、シリコーン、シクロオレフィンポリマー等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、より透明度が高く、発光した光を効率よく取り出す観点から、シリコーン、シクロオレフィンポリマー、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方に由来する構成単位を含む。
　本実施形態の混合物において、（４）の重合性化合物、又は重合体に含まれる全ての構成単位に対し、アクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステル及びそれらに由来する構成単位は、モル％で表した場合、全構成単位に対して１０％以上であってもよく、３０％以上であってもよく、５０％以上であってもよく、８０％以上であってもよく、１００％であってもよい。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
　本実施形態の混合物は、アンモニア、アミン、及びカルボン酸並びに、これらの化合物がとり得る形態として、これらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含んでいてもよい。
　すなわち、本実施形態の混合物は、アンモニア、アミン、カルボン酸、アンモニアの塩、アミンの塩、カルボン酸の塩、アンモニアのイオン、アミンのイオン、及びカルボン酸のイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含んでいてもよい。
　アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンは、通常、キャッピング配位子として作用する。キャッピング配位子とは、（１）、又は（２）の表面に吸着して、（１）、又は（２）を混合物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。
　アンモニア、又はアミンの、イオン若しくは塩（アンモニウム塩等）としては、後述する一般式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、それを含むアンモニウム塩が挙げられる。
　カルボン酸のイオン又は塩（カルボン酸塩等）としては、後述する一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンと、それを含むカルボン酸塩が挙げられる。
　本実施形態の混合物は、アンモニウム塩等、及びカルボン酸塩等のいずれか一方を含んでいてもよく、両方を含んでいてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　一般式（Ａ１）中、Ｒ１～Ｒ３は、水素原子を表し、Ｒ４は、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。Ｒ４は、１価の炭化水素基であることが好ましい。１価の炭化水素基は、飽和炭化水素基（すなわちアルキル基、又はシクロアルキル基）であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
　Ｒ４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　Ｒ４で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
　Ｒ４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　Ｒ４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ４は、炭素原子数８～２０のアルケニル基であることが好ましい。
　Ｒ４のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
　Ｒ４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
　Ｒ４のアルケニル基としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ－Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。
　このようなアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３－ブテニル基、２－ブテニル基、２－ペンテニル基、２－ヘキセニル基、２－ノネニル基、２－ドデセニル基、９－オクタデセニル基が挙げられる。
　塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無いがＢｒ―、Ｃｌ―、Ｉ―、Ｆ―のハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい例として挙げられる。
　一般式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ－オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。
　カルボン酸塩としては、下記一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンを含むカルボン酸塩が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　一般式（Ａ２）中、Ｒ５は、１価の炭化水素基を表す。１価の炭化水素基は、飽和炭化水素基（すなわちアルキル基、又はシクロアルキル基）であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
　Ｒ５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。Ｒ５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　Ｒ５で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
　Ｒ５の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
　Ｒ５の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
　Ｒ５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。
　Ｒ５のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
　Ｒ５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
　Ｒ５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ１～Ｒ４において例示したアルケニル基が挙げられる。
　一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。
　塩を形成する場合、一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンのカウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。
＜各成分の配合比について＞
　本実施形態の混合物において、（１）と（２）との配合比は、２つの発光ピークを確認できる程度であればよく、（１）、及び（２）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
　本実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分の金属イオンと、（２）インジウム化合物のインジウム元素又は、カドミウム化合物カドミウム元素とのモル比［（インジウム、又は、カドミウム）／（Ｂ）］は、０．００１～１０００であってもよく、０．０１～５００であってもよく、０．０１～３００であってもよい。
　本実施形態の混合物において、（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物が、カドミウム化合物である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分の金属イオンと、カドミウム化合物のカドミウムの元素とのモル比［（カドミウム）／（Ｂ）］、は、０．０３～２００であってもよく、０．０５～１００であってもよく、０．１～５０であってもよい。
　（１）と（２）との配合比が上記範囲内である混合物は、２つの発光スペクトルがはっきりと確認できる点で好ましい。
　本実施形態の混合物において、（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物が、インジウム化合物である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分の金属イオンと、インジウム化合物のインジウムの元素とのモル比［（インジウム）／（Ｂ）］、０．０１～２００であってもよく、０．１～１００であってもよく、２～７０であってもよい。
　（１）と（２）との配合比が上記範囲内である混合物は、２つの発光スペクトルがはっきりと確認できる点で好ましい。
　（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、（１）と、（３）及び／又は（４）との配合比は、（１）による発光作用が良好に発揮される程度であればよく、（１）～（４）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
　（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、（１）と、（３）及び（４）のいずれか一方又は両方との質量比［（１）／（（３）及び（４）のいずれか一方又は両方）］は、０．００００１～１０であってもよく、０．０００１～１であってもよく、０．０００５～０．１であってもよい。
　（１）と、（３）及び（４）のいずれか一方又は両方との配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
　本実施形態の混合物において、（１）と（２）との発光スペクトルの組み合わせは、２つの発光ピークを確認できる程度であればよく、（１）のＸ成分のハロゲン化物イオンの種類、及び（２）の粒径等に応じて、適宜定めることができる。
　例えば、確認される２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値は、３０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下であることが好ましく、５０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、３０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上２ｎｍ未満、又は３ｎｍ以上が好ましく、３ｎｍ以上がより好ましい。
　本発明の別の側面としては、前記インジウム化合物の平均粒径は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、３０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上３ｎｍ未満、又は６ｎｍ以上が好ましく、６ｎｍ以上がより好ましい。
　本発明の別の側面としては、前記カドミウム化合物の平均粒径は、６ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、３０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上３ｎｍ未満が好ましく、２ｎｍ以上３ｎｍ未満がより好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、３０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上６ｎｍ未満が好ましく、３ｎｍ以上６ｎｍ未満がより好ましい。 
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、５０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の５０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上１．８ｎｍ未満、又は３．２ｎｍ以上が好ましく、３．２ｎｍ以上がより好ましい。
　本発明の別の側面としては、前記インジウム化合物の平均粒径は、３．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、５０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の５０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上２．３ｎｍ未満、又は６．３ｎｍ以上が好ましく、６．３ｎｍ以上がより好ましい。
　本発明の別の側面としては、前記カドミウム化合物の平均粒径は、６．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、５０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の５０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上２．８ｎｍ未満が好ましく、２ｎｍ以上２．８ｎｍ未満がより好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、５０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の５０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上５．７ｎｍ未満が好ましく、３ｎｍ以上５．７ｎｍ未満がより好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、１００ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の３０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上１．７ｎｍ未満、又は３．３ｎｍ以上が好ましく、３．３ｎｍ以上がより好ましい。
　本発明の別の側面としては、前記インジウム化合物の平均粒径は、３．３ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、１００ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の３０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上２．４ｎｍ未満、又は６．４ｎｍ以上が好ましく、６．４ｎｍ以上がより好ましい。
　本発明の別の側面としては、前記カドミウム化合物の平均粒径は、６．４ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、１００ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の３０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上２．７ｎｍ未満が好ましく、２ｎｍ以上２．７ｎｍ未満がより好ましい。
　２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、１００ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の３０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上５．６ｎｍ未満が好ましく、３ｎｍ以上５．６ｎｍ未満がより好ましい。
　＜フィルム＞
　本発明に係るフィルムは、上述した、（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有割合が混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物からなるフィルムである。前記混合物は、（５）を含んでいてもよい。
　（１）ペロブスカイト化合物
　（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物
　（４’）重合体
　（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
　フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、異方性を有する形状を意味する。異方性を有する形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。
　フィルムの厚みは、０．０１μｍ～１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ～１０ｍｍであってもよく、１μｍ～１ｍｍであってもよい。
　本明細書において前記フィルムの厚みは、マイクロメータにより任意の３点において測定し、その平均値を算出することにより得ることができる。
　フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の実施形態の混合物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の実施形態の混合物が用いられていてもよい。
　フィルムは、例えば、後述の積層構造体の製造方法の（ｉ）～（ｉＶ）の製造方法により、基板上に形成されたフィルムとして得ることができる。また、フィルムは基板から剥がして得ることができる。 
　＜積層構造体＞
　本発明に係る積層構造体は、
　複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。
　積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
　積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。
（基板）
　本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、基板が挙げられる。
　基板は特に限定されず、フィルムであってもよい。発光時に光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。基板としては、例えばポリエチレンテレフタレートなどのプラスチックや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
　例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。
　図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。
　本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、前記封止層が、前記フィルム１０の前記第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。
（バリア層）
　本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の混合物を保護するため、バリア層を含んでいても良い。
　バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出すと言う観点から透明なバリア層が好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマー、ガラス膜などの公知のバリア層を適用する事ができる。
（光散乱層）
　本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を効率的に吸収される観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
　光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出すという観点から透明な光散乱層が好ましく、例えば、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を適用する事ができる。
＜発光装置＞
　本発明に係わる発光装置は、本発明の実施形態の混合物又は前述の積層構造体と、光源とを合せることで得る事ができる。発光装置は、光源から発光した光を、後段に設置した混合物又は積層構造体に照射する事で、混合物又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。前記発光装置における積層構造体は、反射フィルム、拡散フィルム、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層などの層を含んでいてもよい。
　本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。
（光源）
　本発明に係る発光装置を構成する光源は、特に制限は無いが、前述の混合物、又は積層構造体中の（１）及び（２）を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましく、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を使用する事ができる。
（反射フィルム）
　本発明に係る発光装置は、特に制限は無いが、光源の光を前記混合物、又は前記積層構造体に向かって照射するための光反射部材を含むことができる。
　反射フィルムは、特に制限は無いが、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルム、又は反射体等、任意の好適な公知材料を含み得る。
（拡散フィルム）
　本発明に係る発光装置は、特に制限は無いが、光源の光、又は前記混合物から発した光を拡散させるための、拡散フィルムを含むことができる。拡散フィルムは、増幅拡散フィルム等の、前記技術分野で既知の任意の拡散フィルムを含んでもよい。
（輝度強化部）
　本発明に係る発光装置は、特に制限は無いが、光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す、輝度強化部を含むことができる。
（プリズムシート）
　プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。 プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせられ得る。プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。
（導光板）
　導光板としては、任意の適切な導光板が用いられ得る。例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側及び／又は視認側にプリズム形状等が形成された導光板が用いられる。
（要素間の媒体材料層）
　本発明に係わる発光装置は、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層を含んでいてもよい。１つ以上の媒体には、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は前記技術分野で既知の他の好適な媒体、が含まれるが、これらに限定されない、任意の好適な材料が含まれてもよい。
　本発明に係る発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
　具体的には、
　（Ｅ１）本発明の混合物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）、
　（Ｅ２）本発明の混合物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）、
　（Ｅ３）本発明の混合物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）、及び
　（Ｅ４）本発明の混合物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライトが挙げられる。
　また、本発明に係る発光装置の具体例としては、本発明の実施形態の混合物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。
＜ディスプレイ＞
　図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
　本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。
＜液晶パネル＞
　上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。
（液晶セル）
　液晶セルは、一対の基板と、前記基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。
（偏光板）
　偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には吸収型偏光子である。
　上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。
　本発明の混合物の用途としては、例えば、レーザーダイオード用の波長変換材料が挙げられる。
＜ＬＥＤ＞
　本発明の混合物は、例えば、ＬＥＤの発光層の材料として用いることができる。
　本発明の混合物を含むＬＥＤとしては、例えば、本発明の混合物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の混合物に含まれる（１）及び（２）の粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。
＜太陽電池＞
　本発明の混合物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
　前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本発明の混合物を含む活性層、２，２’，７，７’－ｔｅｔｒａｋｉｓ－（Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－ｐ－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）－９，９’－ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ－ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
　酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
　多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する
　活性層に含まれる、本発明の混合物は、電荷分離及び電子輸送の役割を果たす。
＜混合物の製造方法＞
　以下、上述の混合物の製造方法に関し、実施形態を示して説明する。前記製造方法によれば、本発明に係る実施形態の混合物を製造可能である。なお、本発明の混合物は、以下の実施形態の混合物の製造方法によって製造されるものに限定されるものではない。
　（１）ペロブスカイト化合物の製造方法
　本発明に係るペロブスカイト化合物は、既知文献（Ｎａｎｏ　Ｌｅｔｔ．　２０１５，　１５，　３６９２－３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３－４５４２）を参考に、例えば、以下に述べる第１実施形態又は第２実施形態の方法によって製造することができる。
　また、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物、を含む（１）ペロブスカイト化合物は、（５）を、後述する第１実施形態又は第１実施形態に含まれるいずれかの工程で添加することによって製造してもよいし、得られた（１）ペロブスカイト化合物と、（５）とを混合することによって製造してもよい。
　（１）、及び（２）の分散性を高める観点からは、（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することによって製造することが好ましい。
（ペロブスカイト化合物の製造方法の第１実施形態）
　例えば、本発明に係るペロブスカイト化合物の製造方法としては、
　Ｂ成分、Ｘ成分、及びＡ成分を溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、
　得られた溶液と、ペロブスカイト化合物の溶解度が溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
　より具体的には、
　Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶媒に溶解させ、溶液を得る工程と、
　得られた溶液と、ペロブスカイト化合物の溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
　以下、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶媒に溶解させ、溶液を得る工程と、得られた溶液と、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程とを含む製造方法について説明する。
　なお、溶解度とは、混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。
　前記製造方法は、ペロブスカイト化合物を安定して分散できる観点から、キャッピング配位子を加える工程を含んでいることが好ましい。キャッピング配位子は、前述の混合する工程の前に添加する事が好ましく、Ａ成分、Ｂ成分、及びＸ成分を溶解させた溶液にキャッピング配位子を添加してもよいし、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒に添加してもよく、Ａ成分、Ｂ成分、及びＸ成分を溶解させた溶液、及びペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒の両方に添加してもよい。
　前記製造方法は、前述の混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいることが好ましい。前記除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。
　前述の、溶液と、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程は、
（Ｉ）溶液を、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒に滴下する工程であってもよく、
（ＩＩ）溶液に、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒を滴下する工程であってもよいが、分散性を高める観点から（Ｉ）であることが好ましい。
　滴下する際には攪拌を行う事が分散性を高める観点から好ましい。
　溶液と、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程において、温度には特に制限は無いが、ペロブスカイト化合物の析出し易さを確保する観点から、－２０～４０℃の範囲であることが好ましく、－５～３０℃の範囲であることがより好ましい。
　前記製造方法で用いるペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度の異なる２種類の溶媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－メチル－２－ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２－フルオロエタノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、２，２，３，３－テトラフルオロ－１－プロパノール等のアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ－ブチロラクトン、Ｎ‐メチル－２－ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒からなる群より選ばれる２種の溶媒が挙げられる。
　前記製造方法に含まれる、溶液を得る工程で用いる溶媒としてはペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が高い溶媒が好ましく、例えば、室温（１０℃～３０℃）で前記工程をおこなう場合、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－メチル－２－ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２－フルオロエタノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、２，２，３，３－テトラフルオロ－１－プロパノール等のアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシドが挙げられる。
　前記製造方法に含まれる、混合する工程で用いる溶媒としては、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が低い溶媒が好ましく、例えば、室温（１０℃～３０℃）で前記工程をおこなう場合、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒が挙げられる。
　溶解度の異なる２種類の溶媒において、溶解度の差は（１００μｇ／溶媒１００ｇ）～（９０ｇ／溶媒１００ｇ）であることが好ましく、（１ｍｇ／溶媒１００ｇ）～（９０ｇ／溶媒１００ｇ）であることがより好ましい。溶解度の差を（１００μｇ／溶媒１００ｇ）～（９０ｇ／溶媒１００ｇ）にする観点から、例えば、室温（１０℃～３０℃）で混合する工程をおこなう場合、溶液を得る工程で用いる溶媒が、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、混合する工程で用いる溶媒が塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒であることが好ましい。
　得られたペロブスカイト化合物を含む分散液から、ペロブスカイト化合物を取り出す場合は、固液分離を行うことでペロブスカイト化合物のみを回収する事ができる。
　前述の固液分離方法は、ろ過などの方法や、溶媒の蒸発を利用した方法などが挙げられる。
（ペロブスカイト化合物の製造方法の第２実施形態）
　ペロブスカイト化合物の製造方法は、
　Ｂ成分、Ｘ成分及びＡ成分を高温の溶媒に添加して溶解させ溶液を得る工程と、
　得られた溶液を冷却する工程とを含む製造方法であってもよい。
　より具体的には、
　Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを高温の溶媒に添加して溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
　前記製造方法では、温度の差による溶解度の差によって本発明に係るペロブスカイト化合物を析出させ、本発明に係るペロブスカイト化合物を製造することができる。
　前記製造方法は、ペロブスカイト化合物を安定して分散できる観点から、キャッピング配位子を加える工程を含んでいることが好ましい。
　前記製造方法は、冷却する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。上記除去工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。
　ここで、高温の溶媒とは、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とが、溶解する温度の溶媒であればよく、例えば、６０～６００℃の溶媒であることが好ましく、８０～４００℃の溶媒であることがより好ましい。
　冷却する温度としては、－２０～５０℃であることが好ましく、－１０～３０℃であることがより好ましい。
　冷却速度としては、０．１～１５００℃／分であることが好ましく、１０～１５０℃／分であることがより好ましい。
　前記製造方法に用いる溶媒としては、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶解しうる溶媒であれば、特に限定されるものではないが、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ－ブチロラクトン、Ｎ‐メチル－２－ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－メチル－２－ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２－フルオロエタノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、２，２，３，３－テトラフルオロ－１－プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド、１－オクタデセンが挙げられる。
　得られたペロブスカイト化合物を含む分散液から、ペロブスカイト化合物を取り出す方法としては、固液分離を行うことでペロブスカイト化合物のみを回収する方法が挙げられる。
　固液分離方法は、ろ過などの方法や、溶媒の蒸発を利用した方法などが挙げられる。
　（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物の製造方法
　インジウム化合物、又はカドミウム化合物は、市販品を用いてもよいが、公知の製造方法により製造してもよい。公知の製造方法としては、例えば、インジウム化合物、又はカドミウム化合物を構成する元素の単体又はその化合物と脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法が挙げられる。
　インジウム化合物、又はカドミウム化合物を構成する元素の単体又はその化合物の例としては、特に制限は無いが、金属、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。
　脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。
　炭素原子数４～２０の炭化水素基としては、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｎ－ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などの飽和脂肪族炭化水素基；オレイル基などの不飽和脂肪族炭化水素基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの脂環式炭化水素基；フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などの芳香族炭化水素基などが挙げられ、このうち飽和脂肪族炭化水素基や不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。
　含窒素化合物としてはアミン類やアミド類が挙げられ、含酸素化合物としては脂肪酸類などが挙げられる。
　このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましく、例えばｎ－ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ－ペンチルアミン、ｎ－ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。前記脂溶性溶媒は、形成された（２）の粒子表面に結合可能であり、その結合の様式は、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。
　混合液の加熱温度は、使用する単体や化合物の種類によって適宜設定すればよいが、例えば、１３０～３００℃の範囲で設定することが好ましく、２４０～３００℃の範囲で設定することがより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると、得られる（２）の結晶構造が単一化しやすいため好ましい。また、加熱時間も、使用する単体や化合物の種類、加熱温度によって適宜設定すればよいが、通常は数秒間～数時間の範囲で設定するのが好ましく、１～６０分間の範囲で設定するのがより好ましい。
　インジウム化合物、又はカドミウム化合物の製法において、加熱後の混合液を冷却したあと上澄み液と沈殿物に分離し、分離した沈殿物を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ－ブタノールなど）に入れてインジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む溶液としてもよい。あるいは、加熱後の混合液を冷却したあと上澄み液と沈殿物に分離し、分離した上澄み液にナノ粒子が不溶又は難溶な溶媒（例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなど）を添加して沈殿物を発生させ、前記沈殿物を集めて前述の有機溶媒に入れてインジウム化合物、又は、カドミウム化合物を含む溶液としてもよい。
　（１）、及び（２）を含む混合物の製造方法
　（１）、及び（２）を含む混合物の製造方法としては、
　（ａ）　（１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合する工程を含む製造方法が挙げられる。
　混合する際には攪拌を行うことが、（１）及び（２）をより均一に混合する観点から好ましい。
　（１）、（２）、及び（３）を含む混合物の製造方法
　例えば、（１）、（２）、及び（３）を含む混合物の製造方法としては、
　（ｂ）　（１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物と、（３）溶媒とを混合する工程を含む製造方法が挙げられる。
　混合する際には攪拌を行うことが、（１）及び（２）の分散性を高める観点から好ましい。
　混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０～１００℃の範囲であることが好ましく、１０～８０℃の範囲であることがより好ましい。
　前記工程（ｂ）は、例えば、
　（ｂ１）　（１）ペロブスカイト化合物と（３）溶媒とを混合した後に、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を混合する工程でもよいし、
　（ｂ２）　（１）ペロブスカイト化合物と（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合した後に、（３）溶媒を混合する工程でもよい。
　（１）、及び（２）の分散性を向上させる観点から、工程（ｂ）は、工程（ｂ１）であることが好ましい。
　（１）、（２）、（３）、及び（５）を含む混合物の製造方法
　（１）、（２）、（３）及び（５）を含む混合物の製造方法としては、例えば、
　（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を添加する以外は、既に説明した、（１）、（２）及び（３）を含む混合物の製造方法と同様の方法とすることができる。
　（５）は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよく、上述の（１）、（２）、及び（３）を含む混合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよい。
　（５）は、（１）の分散性を高める観点から、（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することが好ましい。
　混合する際には攪拌を行うことが、（１）、（２）の分散性を高める観点から好ましい。
　（１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、（３）溶媒、及び（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０～１００℃の範囲であることが好ましく、１０～８０℃の範囲であることがより好ましい。
　（１）、（２）、及び（４）を含む混合物の製造方法
　（１）、（２）、及び（４）を含む混合物の製造方法としては、
（ｃ）　（１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（４）重合性化合物、又は重合体を混合する工程を含む製造方法が挙げられる。
　（１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（４）重合性化合物、又は重合体を混合する工程は、攪拌しながら行うことが（１）ペロブスカイト化合物の分散性を高める観点から好ましい。
　混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０～１００℃の範囲であることが好ましく、１０～８０℃の範囲であることがより好ましい。
　（ｃ）の製造方法は、例えば、
　（ｃ１）　（４）重合性化合物、又は重合体に（１）ペロブスカイト化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合する工程とを含む製造方法であってもよく、
　（ｃ２）　（４）重合性化合物、又は重合体に（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）ペロブスカイト化合物とを混合する工程とを含む製造方法であってもよく、
　（ｃ３）　（４）重合性化合物、又は重合体に（１）ペロブスカイト化合物、及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を分散させる工程を含む製造方法であってもよく、
（ｃ４）　（１）ペロブスカイト化合物、及び（３）溶媒を混合し、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体を得る工程と、
　（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（３）溶媒を混合し、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む分散体を得る工程と、
　（４）重合性化合物、又は重合体と、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体、及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む分散体とを混合する工程とを含む製造方法であってもよい。
　（ｃ１）～（ｃ３）の製造方法に含まれる各分散体を得る工程においては、（４）を、（１）及び／又は（２）に滴下してもよいし、（１）及び／又は（２）を（４）に滴下してよい。
　分散性を高める観点からは、（１）及び／又は（２）を（４）に滴下することが好ましい。
　（ｃ４）の製造方法に含まれる分散体を得る工程においては、（３）を、（１）又は（２）に滴下してもよいし、（１）又は（２）を（３）に滴下してよい。
　分散性を高める観点からは、（１）又は（２）を（３）に滴下することが好ましい。
　（ｃ１）～（ｃ２）の製造方法に含まれる各混合する工程においては、（１）又は（２）を分散体に滴下してもよいし、分散体を（１）又は（２）に滴下してもよい。
　分散性を高める観点からは、（１）又は（２）を分散体に滴下することが好ましい。
　（４）として、重合体を採用する場合、重合体は、溶媒に溶解している重合体であってもよい。
　上述の重合体が溶解している溶媒は、重合体（樹脂）を溶解しうる溶媒であれば特に限定されないが、上述の本発明に係る（１）又は、（２）の化合物を溶解し難いものが好ましい。
　上述の重合体が溶解している溶媒としては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ－ブチロラクトン、Ｎ‐メチル－２－ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－メチル－２－ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２－フルオロエタノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、２，２，３，３－テトラフルオロ－１－プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシドが挙げられる。
　中でもメチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル類；γ－ブチロラクトン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒は極性が低く、本発明に係るペロブスカイト化合物を溶解し難いと考えられるため好ましく、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒がより好ましい。
　（１）、（２）、（４）、及び（５）を含む混合物の製造方法
　（１）、（２）、（４）、及び（５）を含む混合物の製造方法としては、例えば、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を添加する以外は、既に説明した、（１）、（２）及び（４）を含む混合物の製造方法と同様の方法とすることができる。
　（５）は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよく、上述の（１）、（２）、及び（４）を含む混合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよい。
　（５）は、（１）の分散性を高める観点から、（１）の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することが好ましい。
　（１）、（２）、（４）、及び（５）を含む混合物の製造方法において、（３）溶媒を用いてもよく、これにより、例えば、（５）を含む（１）が（３）に分散している分散体と、（２）が（３）に分散している分散体と、（４）との混合物として、本実施形態の混合物を得ることができる。
　（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計が９０質量％以上である混合物の製造方法
　（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）、及び（４’）の合計が９０質量％以上である混合物の製造方法としては、例えば、
　（１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物と、重合性化合物とを混合する工程と、
重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法、並びに、
　（１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物と、溶媒に溶解している重合体とを混合する工程と、
溶媒を除去する工程と、を含む製造方法が挙げられる。
　前記製造方法に含まれる、混合する工程には、既に説明した、（１）、（２）及び（４）を含む混合物の製造方法と同様の混合方法を用いることができる。
　前記製造方法は、例えば、
　（ｃ１－１）　重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合する工程と、重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法であってもよく、
　（ｃ１－２）　溶媒に溶解している重合体に、（１）ペロブスカイト化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法であってもよく、
　（ｃ２－１）　重合性化合物に、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）ペロブスカイト化合物とを混合する工程と、重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法であってもよく、
　（ｃ２－２）　溶媒に溶解している重合体に、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）ペロブスカイト化合物とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法であってもよく、
　（ｃ３－１）　重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物の混合物を分散させる工程と、重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法であってもよく、
　（ｃ３－２）　溶媒に溶解している重合体に、（１）ペロブスカイト化合物及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物の混合物を分散させる工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法であってもよく、
　（ｃ４－１）　（１）ペロブスカイト化合物、及び（３）溶媒を混合し、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体を得る工程と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（３）溶媒を混合し、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む分散体を得る工程と、（４）重合性化合物、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体、及び（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物を含む分散体を混合する工程と、溶媒を除去する工程とを含む製造方法でもあってよく、
　（ｃ４－２）　（１）ペロブスカイト化合物、及び（３）溶媒を混合し、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体を得る工程と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（３）溶媒を混合し、（２）インジウム化合物を含む分散体を得る工程と、溶媒に溶解している重合体、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体、及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む分散体を混合する工程と、重合性化合物を重合させる工程とを含む製造方法でもあってよい。
　前記製造方法に含まれる、溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥や加熱によって溶媒を蒸発させる工程であってもよい。
　例えば、０～３００℃で、１分間～７日間乾燥させることで、溶媒を除去することができる。
　前記製造方法に含まれる、重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることでおこなうことができる。
　例えばラジカル重合の場合は、（１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物と、重合性化合物との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応が進行させることができる。
　ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
　上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide等が挙げられる。
　（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）、（５）、及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物の製造方法
　（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）、（５）、及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物の製造方法は、例えば、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物、を添加する以外は、既に説明した、（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物の製造方法と同様の方法とすることができる。
　（５）は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよく、上述の（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよい。
　（５）は、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を高める観点から、（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することが好ましい。
＜＜ペロブスカイト化合物の構成成分の濃度測定とそれに基づくペロブスカイト化合物の濃度＞＞
　本発明の混合物の総質量に対するペロブスカイト化合物の構成成分の濃度（μｇ／ｇ）は、誘導結合プラズマ質量分析計ＩＣＰ－ＭＳ（例えば、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ　ＤＲＣＩＩ）を用いてＰｂ、及びＣｓ等のＡ成分及びＢ成分を測定し、イオンクロマトグラフ（例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いて、Ｂｒ等のＸ成分を測定する。ペロブスカイト化合物の濃度は、上述の各構成成分の合計量から求める。
　それぞれの測定は、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等の良溶媒とペロブスカイト化合物との溶液を用いて行う。
＜＜インジウム化合物、又はカドミウム化合物の構成元素の濃度測定とそれに基づくインジウム化合物、又はカドミウム化合物の濃度＞＞
　本発明に係る混合物に含まれるインジウム化合物、又はカドミウム化合物の構成元素の濃度（μｇ／ｇ）は、ＩＣＰ－ＡＥＳ（例えば、ＩＲＩＳ　ＡＤＶＡＮＴＡＧＥ／日本ジャーレル・アッシュ製）を用いてＣｄ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｐ、及びＺｎ等を測定し、及びＩＣＰ－ＡＥＳ（例えば、ＩＣＰＳ－８１００／島津製作所製）を用いて、Ｓ等を測定する。インジウム化合物、又はカドミウム化合物の濃度は、上述の各構成元素の合計量から求める。
≪発光スペクトルの測定≫
　本発明に係る混合物の発光スペクトルは、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。
＜積層構造体の製造方法＞
　積層構造体の製造方法としては、例えば、
（ｉ）　（１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、並びに（３）溶媒、及び（４’）重合体を混合する工程と、
　得られた混合物を基板に塗工する工程と、
　溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法であってもよく、
（ｉｉ）　（１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、並びに溶媒に溶解している重合体を混合する工程と、
　得られた混合物を基板上に塗工する工程と、
　溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法であってもよく、
（ｉｉｉ）　（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物を、基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法であってもよく、
　（１）ペロブスカイト化合物
　（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物
　（４’）重合体
（ｉｖ）　（１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物、並びに、重合性化合物を混合する工程と、
　得られた混合物を基板上に塗工する工程と、
　重合性化合物を重合させる工程とを含む製造方法であってもよい。 
　（ｉ）の製造方法に含まれる、混合する工程、及び、溶媒を除去する工程、
　（ｉｉ）の製造方法に含まれる、混合する工程、及び、溶媒を除去する工程、
　（ｉｖ）の製造方法に含まれる、混合する工程、及び、重合性化合物を重合させる工程は、
それぞれ、既に説明した、（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物の製造方法
に含まれる工程と同様の工程とすることができる。
　（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｖ）の製造方法に含まれる、基板上に塗工する工程は、特に制限はないが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法等の、公知の塗布方法を用いることができる。
　（ｉｉｉ）の製造方法に含まれる、基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いる事ができる。
　接着剤は、（１）、及び（２）の化合物を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
　積層構造体の製造方法は、（ｉ）～（ｉｖ）で得られた積層構造体に、さらに、任意のフィルムを張り合わせる工程を含む製造方法であってもよい。
　張り合わせるフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。
　フィルムを張り合わせる工程では任意の接着剤を用いる事ができる。
　上述の接着剤は、（１）、及び（２）の化合物を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
＜発光装置の製造方法＞
　例えば、前述の光源と、光源から後段の光路上に前述の混合物、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。
　なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
　以下、実施例及び比較例に基づいて本発明の実施形態をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
　炭酸セシウム０．８１４ｇと、１－オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
　臭化鉛（ＰｂＢｒ２）０．２７６ｇを１－オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加した。１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、分散液を得た。
　次いで、分散液を、１００００ｒｐｍ、５分間の遠心分離により分離させ、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ１）を得た。
　ペロブスカイト化合物（Ｐ１）のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に(ｈｋｌ)＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
　ＴＥＭ（日本電子株式会社製、ＪＥＭ－２２００ＦＳ）で観察したペロブスカイト化合物（Ｐ１）の平均のフェレー径（平均粒子径）は１１ｎｍであった。
　得られたペロブスカイト化合物（Ｐ１）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液２５μＬを分取して、トルエン２．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液を得た。
　ＩＣＰ－ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した発光スペクトルの発光ピークは５２３ｎｍであった。
　次いで、ＩｎＰ／ＺｎＳの分散液（アルドリッチ社：７７６７８５－５ＭＬ）０．５ｍＬをトルエン２ｍＬに分散させて、インジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。　ＩｎＰ／ＺｎＳは、ＺｎＳで被覆されているＩｎＰの量子ドットを意味する（以下、同様である）。
　ＩＣＰ－ＭＳによって測定したＩｎＰ／ＺｎＳの濃度は、ＩｎＰ換算で１１０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＩｎＰ／ＺｎＳ換算で６９０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した発光スペクトルの発光ピークは６４９ｎｍであった。
　さらに、ペロブスカイト化合物を含む分散液０．２ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合した溶液を調製し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝２９の混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２０ｎｍ、及び６４８ｎｍであった。
［実施例２］
　ペロブスカイト化合物を含む分散液０．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比をＩｎ／Ｐｂ＝１２とした以外は、実施例１と同様の方法で混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２０ｎｍ、及び６４８ｎｍであった。
［実施例３］
　ペロブスカイト化合物を含む分散液１ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比をＩｎ／Ｐｂ＝５．８とした以外は、実施例１と同様の方法で混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２０ｎｍ、及び６４６ｎｍであった。
［実施例４］
　実施例１と同様の方法で、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ１）を得た。
　得られたペロブスカイト化合物（Ｐ１）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５０μＬを分取して、トルエン５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物を含む分散液を得た。
　ＩＣＰ－ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは５２３ｎｍであった。
　次いで、ＩｎＰ／ＺｎＳの分散液（アルドリッチ社：７７６７８５－５ＭＬ）を用意し、インジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液とした。ＩＣＰ－ＭＳによって測定したＩｎＰ／ＺｎＳの濃度は、ＩｎＰ換算で５４０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＩｎＰ／ＺｎＳ換算で３４００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは６４９ｎｍであった。
　さらに、ペロブスカイト化合物を含む分散液５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液１０μＬとを混合した溶液を調製し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝０．０２３の混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２３ｎｍ、及び６４２ｎｍであった。
［実施例５］
　ペロブスカイト化合物を含む分散液５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液３０μＬとを混合し、モル比をＩｎ／Ｐｂ＝０．０７０とした以外は実施例４と同様の方法で混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２３ｎｍ、及び６４３ｎｍであった。
［実施例６］
　炭酸セシウム０．８１４ｇと１－オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
　臭化鉛（ＰｂＢｒ２）０．１１０ｇ、及びヨウ化鉛（ＰｂＩ２）０．２０８ｇを１－オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加した。１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、分散液を得た。
　次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間の遠心分離により分離させ、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ２）を得た。
　ペロブスカイト化合物（Ｐ２）のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に(ｈｋｌ)＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
　ＴＥＭ（日本電子株式会社製、ＪＥＭ－２２００ＦＳ）で観察したペロブスカイト化合物（Ｐ２）の平均のフェレー径（平均粒子径）は１９ｎｍであった。
　ペロブスカイト化合物（Ｐ２）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液２５μＬを分取して、トルエン２．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液を得た。
　ＩＣＰ－ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した発光スペクトルの発光ピークは６３８ｎｍであった。
　次いで、ＩｎＰ／ＺｎＳの分散液（アルドリッチ社：７７６７５０－５ＭＬ）０．５ｍＬをトルエン２ｍＬに分散させて、インジウム化合物（Ｉ２）を含む分散液を得た。
　ＩＣＰ－ＭＳによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、ＩｎＰ換算で１４０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＩｎＰ／ＺｎＳ換算で８４０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは５３０ｎｍであった。
　さらに、ペロブスカイト化合物を含む分散液０．２ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合した溶液を調製し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝６６の混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２９ｎｍ、及び６３５ｎｍであった。
［実施例７］
　ペロブスカイト化合物を含む分散液０．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比をＩｎ／Ｐｂ＝２６とした以外は実施例６と同様の方法で混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ発光ピークは５２９ｎｍ、及び６３２ｎｍであった。
［実施例８］
　実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
　次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
　さらに、重合体が溶解した溶液０．９１３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液１ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝５．８となるようにした。
　溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した混合物を得た。混合物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２３ｎｍ、及び６５０ｎｍであった。
［実施例９］
　実施例６と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ２）を含む分散液を得た。
　次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
　さらに、重合体が溶解した溶液０．９１３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液０．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝２６となるようにした。
　溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物が樹脂中に分散した混合物を得た。混合物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが２本存在し、それぞれ５３１ｎｍ、及び６４１ｎｍであった。
［実施例１０］
　実施例１と同様の方法で、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ１）を得た。
　得られたペロブスカイト化合物（Ｐ１）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５０μＬを分取して、トルエン５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物を含む分散液を得た。
　ＩＣＰ－ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは５２３ｎｍであった。
　次いで、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ（アルドリッチ社：７９０２０６－２５ＭＧ）を用意し、トルエンに分散させることでカドミウム化合物（Ｃ１）を含む分散液とした。
　ＩＣＰ－ＡＥＳによって測定したＣｄＳｅ／ＺｎＳの濃度は、ＣｄＳｅ換算で６８０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ換算で８８０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは６３０ｎｍであった。
　次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
　さらに、重合体が溶解した溶液０．９１３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液１．５ｍＬと、カドミウム化合物を含む分散液１．５ｍＬとを混合し、モル比がＣｄ／Ｐｂ＝３．９となるようにした。
　溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、カドミウム化合物とが樹脂中に分散した混合物を得た。混合物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６３１ｎｍであった。
［実施例１１］
　実施例６と同様の方法で、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ２）を得た。
　得られたペロブスカイト化合物（Ｐ２）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５０μＬを分取して、トルエン５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物を含む分散液を得た。
　ＩＣＰ－ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは６３８ｎｍであった。
　次いで、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ（アルドリッチ社：７４８０５６－２５ＭＧ）を用意し、トルエンに分散させることでカドミウム化合物（Ｃ２）を含む分散液とした。
　ＩＣＰ－ＡＥＳによって測定したＣｄＳｅ／ＺｎＳの濃度は、ＣｄＳｅ換算で４４０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ換算で８７０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは５６６ｎｍであった。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
　さらに、重合体が溶解した溶液０．９１３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液１．５ｍＬと、カドミウム化合物を含む分散液１．５ｍＬとを混合し、モル比がＣｄ／Ｐｂ＝３．１となるようにした。
　溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、カドミウム化合物とが樹脂中に分散した混合物を得た。混合物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５６４ｎｍ、及び６３０ｎｍであった。
［実施例１２］
　実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
　次いで、シクロオレフィンポリマー樹脂（以下、ＣＯＰともいう。）が２０質量％となるようにシクロヘキサンに溶解した重合体が溶解した溶液を用意した。
　さらに、重合体が溶解した溶液０．７５ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝２．３となるようにした。
　溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した組成物を得た。組成物は１００μｍ×１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６４８ｎｍであった。
［実施例１３］
　実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
　次いで、ＣＯＰが２０質量％となるようにシクロヘキサンに溶解した重合体が溶解した溶液を用意した。
　さらに、重合体が溶解した溶液０．７５ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝４．６となるようにした。
　溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した組成物を得た。組成物は１００μｍ×１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６６８ｎｍであった。
［実施例１４］
　実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
　次いで、シリコーン樹脂が溶解している重合体が溶解した溶液を用意した（KR255：信越化学工業社製, トルエン溶媒, 50ｗｔ％）
　さらに、重合体が溶解した溶液０．３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝２．３となるようにした。
　溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した組成物を得た。組成物は１００μｍ×１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６５１ｎｍであった。
［実施例１５］
　実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
　次いで、シリコーン樹脂が溶解している重合体が溶解した溶液を用意した（KR255：信越化学工業社製, トルエン溶媒, 50ｗｔ％）。
　さらに、重合体が溶解した溶液０．３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝４．６となるようにした。
　溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した組成物を得た。組成物は１００μｍ×１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６６２ｎｍであった。
［比較例１］
　実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液を得た。
　実施例４と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液を得た。
　次いで、上述のペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液２．５ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液０．２ｍＬとを混合した溶液を調製した。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、５２９ｎｍであった。
［比較例２］
　ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液２．５ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液０．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、５３０ｎｍであった。
［比較例３］
　ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液１．５ｍＬと、ペロブスカイト化合物を含む分散液（Ｐ２）１．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、５７０ｎｍであった。
［比較例４］
　ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液１．０ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液２．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、５８２ｎｍであった。
［比較例５］
　ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液０．５ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液２．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、６０３ｎｍであった。
［比較例６］
　ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液０．２ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液２．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、６３７ｎｍであった。
（ペロブスカイト化合物の濃度測定）
　実施例及び比較例で得られた分散液、又は混合物におけるペロブスカイト化合物の濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液に、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを添加することでペロブスカイト化合物を溶解させた後、ＩＣＰ－ＭＳ（ＥＬＡＮ　ＤＲＣＩＩ、パーキンエルマー製）、及びイオンクロマトグラフを用いて測定した。
（インジウム化合物の濃度測定）
　実施例で得られた分散液、又は混合物におけるインジウム化合物の濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたインジウム化合物を、ＩＣＰ－ＡＥＳ（ＩＲＩＳ ＡＤＶＡＮＴＡＧＥ／日本ジャーレル・アッシュ製、及びＩＣＰＳ－８１００／島津製作所製）を用いて測定した。
（カドミウム化合物の濃度測定）
　実施例で得られた分散液、又は混合物におけるカドミウム化合物の濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたカドミウム化合物を、ＩＣＰ－ＡＥＳ（ＩＲＩＳ ＡＤＶＡＮＴＡＧＥ／日本ジャーレル・アッシュ製、及びＩＣＰＳ－８１００／島津製作所製）を用いて測定した。
（発光スペクトル測定）
　実施例１～１５、及び比較例１～６で得られた混合物の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０－０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した。
　以下の表１に、実施例１～９、比較例１～６の混合物の構成と、発光ピーク（ｎｍ）を記載する。表１中、「インジウム／Ｐｂ」は、インジウム元素の量をＰｂイオン（ペロブスカイト化合物のＢ成分）の量で除したモル比を表す。
　図３に、実施例１～３の結果を、図４に実施例６～７の結果を、図５に比較例１～６の結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　以下の表２に、実施例１０及び１１の混合物の構成と、発光ピーク（ｎｍ）を記載する。表２中、「カドミウム／Ｐｂ」は、カドミウム元素の量をＰｂイオン（ペロブスカイト化合物のＢ成分）の量で除したモル比を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　以下の表３に、実施例１２～１５の混合物の構成と、発光ピーク（ｎｍ）を記載する。表３中、「インジウム／Ｐｂ」は、インジウム元素の量をＰｂイオン（ペロブスカイト化合物のＢ成分）の量で除したモル比を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　上記の結果から、本発明を適用した実施例１～１５に係る混合物は、本発明を適用しない比較例１～６の混合物と比して、２つの発光ピークを有していることが確認できた。
［参考例１］
　実施例８～１５に記載の混合物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例２］
　実施例８～１５に記載の混合物をシート化する事で樹脂混合物を得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例３］
　実施例８～１５に記載の混合物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例４］
　実施例１～７に記載の混合物とレジストとを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例５］
　実施例１～７に記載の混合物とＺｎＳなどの導電性粒子とを混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の半導体微粒子中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。
［参考例６］
　フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１～１５に記載の混合物を積層し、必要に応じて溶媒を除去した後にその上から２，２’，７，７’－ｔｅｔｒａｋｉｓ－（Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－ｐ－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）－９，９’－ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ－ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。
［参考例７］
　実施例１～７に記載の混合物と樹脂とを混合した後に、溶媒を除去して成形する事で本発明に係る混合物を含む樹脂混合物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから前記樹脂成形体に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
［参考例８］
　実施例８～１５に記載の混合物を青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから前記樹脂成形体に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
　本発明によれば、２種類の発光ピークを有し、生産性の高い、ペロブスカイト化合物を含む混合物、前記混合物からなるフィルム、前記混合物を含む積層構造体、及び前記混合物を用いたディスプレイを提供することが可能となる。
　したがって、本発明の混合物、前記混合物からなるフィルム、前記混合物を含む積層構造体、及び前記混合物を用いたディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。
１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims (9)

  1. 　（１）と、（２）とを含む混合物。
    　（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
    （Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
    　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
    　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
    　（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
  2. 　さらに、（３）、又は（４）の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の混合物。
    （３）溶媒
    （４）重合性化合物、又は重合体
  3. 　さらに、（５）を含む、請求項１、又は２に記載の混合物。
    （５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
  4. 　（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有割合が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物。
    　（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
    　（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
    　Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
    　Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
    　（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
    　（４’）重合体
  5. 　さらに、（５）を含む、請求項４に記載の混合物。
    　（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
  6. 　請求項４、又は５に記載の混合物からなるフィルム。
  7. 　請求項６に記載のフィルムを含む積層構造体。
  8. 　請求項７に記載の積層構造体を備える発光装置。
  9. 　請求項７に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
PCT/JP2018/008969 2017-03-13 2018-03-08 ペロブスカイト化合物を含む混合物 WO2018168638A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/491,800 US11268023B2 (en) 2017-03-13 2018-03-08 Mixture containing perovskite compound
JP2018569183A JP6600759B2 (ja) 2017-03-13 2018-03-08 ペロブスカイト化合物を含む混合物
CN201880017418.XA CN110392724B (zh) 2017-03-13 2018-03-08 含钙钛矿化合物的混合物
KR1020197026151A KR102569673B1 (ko) 2017-03-13 2018-03-08 페로브스카이트 화합물을 포함하는 혼합물
EP18767507.9A EP3597723A4 (en) 2017-03-13 2018-03-08 MIXTURE CONTAINING PEROVSKITE COMPOUND
US17/590,295 US11739264B2 (en) 2017-03-13 2022-02-01 Mixture containing perovskite compound

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017047034 2017-03-13
JP2017-047034 2017-03-13

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/491,800 A-371-Of-International US11268023B2 (en) 2017-03-13 2018-03-08 Mixture containing perovskite compound
US17/590,295 Continuation US11739264B2 (en) 2017-03-13 2022-02-01 Mixture containing perovskite compound

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018168638A1 true WO2018168638A1 (ja) 2018-09-20

Family

ID=63522069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/008969 WO2018168638A1 (ja) 2017-03-13 2018-03-08 ペロブスカイト化合物を含む混合物

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11268023B2 (ja)
EP (1) EP3597723A4 (ja)
JP (1) JP6600759B2 (ja)
KR (1) KR102569673B1 (ja)
CN (1) CN110392724B (ja)
TW (1) TWI770136B (ja)
WO (1) WO2018168638A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019039174A1 (ja) * 2017-08-24 2019-02-28 国立大学法人九州大学 ホスト材料、膜および有機発光素子
WO2020085514A1 (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP2020066726A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP2020066568A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP2020070425A (ja) * 2018-10-26 2020-05-07 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
CN112912444A (zh) * 2018-10-26 2021-06-04 住友化学株式会社 组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器
CN112955475A (zh) * 2018-10-31 2021-06-11 住友化学株式会社 固化性组合物、膜、层叠体及显示装置
US20210395533A1 (en) * 2018-10-31 2021-12-23 Sumitomo Chemical Company, Limited Curable composition, film, laminated body, and display apparatus
KR20230044357A (ko) 2020-07-30 2023-04-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 표시 장치
WO2023085061A1 (ja) * 2021-11-09 2023-05-19 住友化学株式会社 樹脂膜及び表示装置
WO2024078624A1 (zh) * 2022-10-13 2024-04-18 上海交通大学 荧光复合颗粒及其制备方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102569673B1 (ko) * 2017-03-13 2023-08-24 수미토모 케미칼 컴퍼니 리미티드 페로브스카이트 화합물을 포함하는 혼합물
KR102601869B1 (ko) * 2017-07-28 2023-11-15 수미토모 케미칼 컴퍼니 리미티드 조성물, 필름, 적층 구조체, 발광 장치 및 디스플레이
KR102401044B1 (ko) * 2020-09-02 2022-05-23 동국대학교 산학협력단 세슘 납 할라이드 페로브스카이트 입자의 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016518468A (ja) * 2013-03-14 2016-06-23 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 多層コーティングされた量子ドットビーズ
JP2016145269A (ja) * 2015-02-06 2016-08-12 富士フイルム株式会社 重合性組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
WO2016189869A1 (ja) * 2015-05-28 2016-12-01 富士フイルム株式会社 量子ドット含有組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
JP2017047034A (ja) 2015-09-03 2017-03-09 株式会社ユニバーサルエンターテインメント ゲーミングマシン
US20170186922A1 (en) * 2015-12-29 2017-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same
WO2017195062A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 King Abdullah University Of Science And Technology Multifunctional light, data device, or combination and systems
US20180047928A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008227330A (ja) 2007-03-15 2008-09-25 Canon Inc 発光素子
CN103728837B (zh) * 2013-12-30 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 感光树脂组合物及用感光树脂组合物制备量子点图案的方法
EP3136450B1 (en) * 2014-04-28 2021-06-09 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Perovskite solar cell and manufacturing method therefor
KR101746296B1 (ko) * 2014-11-06 2017-06-21 포항공과대학교 산학협력단 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노결정입자 발광체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 발광소자
JP2016132638A (ja) 2015-01-19 2016-07-25 三菱化学株式会社 有機無機ペロブスカイト化合物、発光体、半導体材料、電子デバイス及び太陽電池
TWI741978B (zh) * 2015-03-31 2021-10-11 日商住友化學股份有限公司 光學積層體及液晶顯示裝置
GB201513272D0 (en) 2015-07-28 2015-09-09 Isis Innovation Luminescent material
CN105038408B (zh) 2015-08-14 2020-01-07 广州华睿光电材料有限公司 印刷油墨及应用其印刷而成的电子器件
CN105062193B (zh) 2015-08-14 2020-01-31 广州华睿光电材料有限公司 印刷油墨组合物及电子器件
CN105742462B (zh) * 2016-03-30 2018-12-07 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种紫外光与多量子点组合的高色域白光实现方式
CN105870302B (zh) 2016-03-30 2019-01-29 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种高色域白光量子点led的封装方法
CN107542130A (zh) * 2016-06-29 2018-01-05 向鑫璐 厨余垃圾清理器
CN106449908B (zh) 2016-11-30 2018-10-26 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种基于量子点荧光膜的led灯珠的封装方法
KR102569673B1 (ko) * 2017-03-13 2023-08-24 수미토모 케미칼 컴퍼니 리미티드 페로브스카이트 화합물을 포함하는 혼합물

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016518468A (ja) * 2013-03-14 2016-06-23 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 多層コーティングされた量子ドットビーズ
JP2016145269A (ja) * 2015-02-06 2016-08-12 富士フイルム株式会社 重合性組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
WO2016189869A1 (ja) * 2015-05-28 2016-12-01 富士フイルム株式会社 量子ドット含有組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
JP2017047034A (ja) 2015-09-03 2017-03-09 株式会社ユニバーサルエンターテインメント ゲーミングマシン
US20170186922A1 (en) * 2015-12-29 2017-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same
WO2017195062A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 King Abdullah University Of Science And Technology Multifunctional light, data device, or combination and systems
US20180047928A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ACSNANO, vol. 9, 2015, pages 4533 - 4542
DIRIN, D. N. ET AL.: "Lead Halide Perovskites and Other Metal Halide Complexes As Inorganic Capping Ligands for Colloidal Nanocrystals", JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, vol. 136, no. 8, 2014, pages 6550 - 6553, XP055541423, ISSN: 0002-7863 *
NANO LETT., vol. 15, 2015, pages 3692 - 3696
P. P. BOIX ET AL., J. PHYS. CHEM. LETT., vol. 6, 2015, pages 898 - 907
PALAZON , FRANCISCO ET AL.: "Polymer-Free Films of Inorganic Halide Perovskite Nanocrystals as UV-to-White Color- Conversion Layers in LEDs", CHEMISTRY OF MATERIALS, vol. 28, no. 9, 19 April 2016 (2016-04-19), pages 2902 - 2906, XP055555852, ISSN: 1520-5002 *
XIAOMING LIYE WUSHENGLI ZHANGBO CAIYU GUJIZHONG SONGHAIBO ZENG, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, vol. 26, 2016, pages 2435 - 2445

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11476435B2 (en) 2017-08-24 2022-10-18 Kyushu University, National University Corporation Film and organic light-emitting device containing perovskite-type compound and organic light-emitting material
WO2019039174A1 (ja) * 2017-08-24 2019-02-28 国立大学法人九州大学 ホスト材料、膜および有機発光素子
JPWO2019039174A1 (ja) * 2017-08-24 2020-10-01 国立大学法人九州大学 ホスト材料、膜および有機発光素子
WO2020085516A1 (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP2020066568A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP2020070425A (ja) * 2018-10-26 2020-05-07 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP2020066726A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
CN112912444A (zh) * 2018-10-26 2021-06-04 住友化学株式会社 组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器
CN112912464A (zh) * 2018-10-26 2021-06-04 住友化学株式会社 组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器
US11981844B2 (en) 2018-10-26 2024-05-14 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition, film, laminated structure, light-emitting device and display
WO2020085514A1 (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
CN112912464B (zh) * 2018-10-26 2023-12-29 住友化学株式会社 组合物、膜、层叠结构体、发光装置和显示器
JP7340373B2 (ja) 2018-10-26 2023-09-07 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP7133437B2 (ja) 2018-10-26 2022-09-08 住友化学株式会社 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
US20210380820A1 (en) * 2018-10-31 2021-12-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Curable composition, film, laminated body, and display apparatus
CN112955475B (zh) * 2018-10-31 2023-06-06 住友化学株式会社 固化性组合物、膜、层叠体及显示装置
EP3875493A4 (en) * 2018-10-31 2022-08-17 Sumitomo Chemical Company, Limited CURABLE RESIN COMPOSITION, FILM, LAMINATE AND DISPLAY DEVICE
US20210395533A1 (en) * 2018-10-31 2021-12-23 Sumitomo Chemical Company, Limited Curable composition, film, laminated body, and display apparatus
CN112955475A (zh) * 2018-10-31 2021-06-11 住友化学株式会社 固化性组合物、膜、层叠体及显示装置
KR20230044357A (ko) 2020-07-30 2023-04-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 표시 장치
WO2023085061A1 (ja) * 2021-11-09 2023-05-19 住友化学株式会社 樹脂膜及び表示装置
WO2024078624A1 (zh) * 2022-10-13 2024-04-18 上海交通大学 荧光复合颗粒及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210122976A1 (en) 2021-04-29
TWI770136B (zh) 2022-07-11
US11268023B2 (en) 2022-03-08
CN110392724B (zh) 2023-07-25
KR102569673B1 (ko) 2023-08-24
KR20190127714A (ko) 2019-11-13
US11739264B2 (en) 2023-08-29
US20220259499A1 (en) 2022-08-18
JPWO2018168638A1 (ja) 2019-06-27
CN110392724A (zh) 2019-10-29
JP6600759B2 (ja) 2019-10-30
EP3597723A1 (en) 2020-01-22
TW201903126A (zh) 2019-01-16
EP3597723A4 (en) 2020-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6600759B2 (ja) ペロブスカイト化合物を含む混合物
JP6830965B2 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイ
JP7133741B1 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
JP6612477B2 (ja) フィルム
JP6830964B2 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、ディスプレイ、及び組成物の製造方法
WO2018117141A1 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイ
WO2020085363A1 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ
WO2018117132A1 (ja) 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、及びディスプレイ
WO2020179579A1 (ja) 化合物、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、ディスプレイ及び化合物の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18767507

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018569183

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197026151

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018767507

Country of ref document: EP

Effective date: 20191014