JP6600759B2 - ペロブスカイト化合物を含む混合物 - Google Patents

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Description

本発明は、ペロブスカイト化合物を含む混合物に関する。
本願は、２０１７年３月１３日に、日本に出願された特願２０１７−０４７０３４号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
青色ＬＥＤと、異なる発光波長を有する２種類の化合物を含む組成物とを備えるＬＥＤバックライトが開発されている。近年、前記組成物に含まれる発光性を有する化合物として、ペロブスカイト化合物に対する関心が高まっている。
例えば、ペロブスカイト化合物を含む組成物として、異なるペロブスカイト化合物をそれぞれ含む、２つの層が積層されてなる組成物が報告されている（非特許文献１）。
Xiaoming Li，Ye Wu，Shengli Zhang，Bo Cai，Yu Gu，Jizhong Song，Haibo Zeng，Advanced Functional Materials，26，p.2435−2445（2016）
しかしながら、上記非特許文献１に記載された積層されてなる組成物は、複数の層を形成するための工程が必要となることから、必ずしも生産性が十分とはいえない。
そこで、異なる発光波長を有する２種類のペロブスカイト化合物の混合物を製造したところ、それぞれのペロブスカイト化合物が有する２種類の固有の発光ピークが１つになるという課題が見出された。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、２種類の発光ピークを有し、生産性の高い、ペロブスカイト化合物を含む混合物を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。
すなわち、本発明の実施形態は、下記［１］〜［９］の発明を包含する。
［１］ （１）と、（２）とを含む混合物。
（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
［２］ さらに、（３）、又は（４）の少なくとも一方を含む、［１］に記載の混合物。
（３）溶媒
（４）重合性化合物、又は重合体
［３］ さらに、（５）を含む、［１］、又は［２］に記載の混合物。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
［４］ （１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有割合が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物。
（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
（４’）重合体
［５］ さらに、（５）を含む、［４］に記載の混合物。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
［６］［４］、又は［５］に記載の混合物からなるフィルム。
［７］［６］に記載のフィルムを含む積層構造体。
［８］［７］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［９］［７］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
本発明によれば、２種類の発光ピークを有し、生産性の高い、ペロブスカイト化合物を含む混合物を提供することができる。
本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。 実施例１〜３において取得された混合物の発光スペクトルの結果を示すグラフである。 実施例６〜７において取得された混合物の発光スペクトルの結果を示すグラフである。 比較例１〜６において取得された混合物の発光スペクトルの結果を示すグラフである。
以下、実施形態を示して本発明を詳細に説明する。
＜混合物＞
本実施形態の混合物は、発光性を有する。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ〜７５０ｎｍであってもよく、３００ｎｍ〜７００ｎｍであってもよい。
本実施形態の混合物は、（１）、及び（２）を含む。
（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
以下、「（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物」を、「（１）ペロブスカイト化合物」と呼ぶことがある。
本実施形態の混合物は、（１）と（２）とが混在している組成物であればよく、（１）及び（２）以外の成分を含んでいてもよい。
例えば、本実施形態の混合物は、（３）、又は（４）の少なくとも一方をさらに含んでいてもよい。（３）、又は（４）の少なくとも一方をさらに含む実施形態において、（１）、及び（２）は、（３）、又は（４）の少なくとも一方に分散していてもよい。
（３）溶媒
（４）重合性化合物、重合体
本実施形態の混合物は、さらに（５）を含んでいてもよい。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
本実施形態の混合物が（５）をさらに含む場合、例えば、（１）の少なくとも一部が（５）に被覆されている形態であってよい。以下、少なくとも一部が（５）で被覆されている（１）を、「（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物、を含む（１）ペロブスカイト化合物」と呼ぶことがある。
本実施形態の混合物は、上述の（１）〜（５）以外のその他の成分を有していてもよい。
その他の成分としては、例えば、若干の不純物、並びに（１）、又は（２）を構成する元素成分からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤、及び（２）の化合物の保護層を形成するための無機化合物が挙げられる。
その他の成分の含有割合は、混合物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
本発明者らが鋭意検討した結果、
（１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）と、
（２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物と
を含む混合物において、（１）及び（２）に由来する、２つの発光波長のピークをそのまま独立して有することができることを見出した。
（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、０．０００１〜２質量％であることが好ましく、０．０００５〜１質量％であることがより好ましく、０．００１〜１質量％であることがさらに好ましい。
（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（２）を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、０．０００１〜１質量％であることが好ましく、０．０００５〜５質量％であることがより好ましく、０．００１〜０．３質量％であることがさらに好ましい。
（２）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（２）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
前記（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）及び（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、９５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、０．０００５〜９５質量％であることが好ましく、０．００５〜１０質量％であることがより好ましく、０．００１〜５質量％であることがさらに好ましい。
（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
また、（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、（１）と、（２）と、（３）及び（４）の少なくとも一方の合計含有割合は、前記混合物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
（１）と、（２）と、（５）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、０．０００１〜２質量％であることが好ましく、０．０００５〜１質量％であることがより好ましく、０．００１〜１質量％であることがさらに好ましい。
（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
（１）と、（２）と、（５）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（２）を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物全体の総質量に対する（２）の含有割合は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、０．０００１〜１質量％であることが好ましく、０．０００５〜５質量％であることがより好ましく、０．００１〜０．３質量％であることがさらに好ましい。
（２）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（２）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
前記当該（１）と、（２）と、（５）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）及び（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、９５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物全体の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、０．０００５〜９５質量％であることが好ましく、０．００５〜１０質量％であることがより好ましく、０．００１〜５質量％であることがさらに好ましい。
（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
また、（１）と、（２）と、（５）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、（１）と、（２）と、（３）及び（４）の少なくとも一方の合計含有割合は、前記混合物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
本発明の実施形態は、（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有割合が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物であってもよい。
前記（１）、（２）、及び（４’）を含む実施形態において、（１）、及び（２）は、（４’）に分散していてもよい。
（４’）は重合体である。
前記（１）、（２）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物の総質量対する（１）の含有割合は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
混合物の総質量に対する（１）の含有割合は、０．０００１〜２質量％であることが好ましく、０．０００５〜１質量％であることがより好ましく、０．００１〜１質量％であることがさらに好ましい。
（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
前記（１）、（２）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
混合物の総質量に対する（２）の含有割合は、０．０００１〜５質量％であることが好ましく、０．０００５〜１質量％であることがより好ましく、０．００１〜３質量％であることがさらに好ましい。
（２）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
前記（１）、（２）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）及び（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、９５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、０．０００５〜９５質量％であることが好ましく、０．００５〜１０質量％であることがより好ましく、０．００１〜５質量％であることがさらに好ましい。
（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
本発明の実施形態は、（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）、（５）、及び（４’）の合計含有割合が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物であってもよい。
前記当該（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む実施形態において、（１）、（２）、及び（５）は、（４’）に分散していてもよい。
（４’）は重合体である。
前記当該（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物全体の総質量に対する（１）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）を凝集させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
混合物の総質量全体に対する（１）の含有割合は、０．０００１〜２質量％であることが好ましく、０．０００５〜１質量％であることがより好ましく、０．００１〜１質量％であることがさらに好ましい。
（１）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
前記当該（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、特に限定されるものではないが、（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．０００５質量％以上であることがより好ましく、０．００１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、通常、０．０００１〜５０質量％である。
混合物の総質量全体に対する（２）の含有割合は、０．０００１〜５質量％であることが好ましく、０．０００５〜１質量％であることがより好ましく、０．００１〜３質量％であることがさらに好ましい。
（２）の配合に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
前記当該（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む実施形態の混合物において、混合物の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、特に限定されるものではないが、（１）及び（２）を凝縮させにくくする観点、及び濃度消光を防ぐ観点から、９５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることがさらに好ましく、また、良好な発光強度を得る観点から、０．０００５質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物全体の総質量に対する（１）及び（２）の合計の含有割合は、０．０００５〜９５質量％であることが好ましく、０．００５〜１０質量％であることがより好ましく、０．００１〜５質量％であることがさらに好ましい。
（１）及び（２）の配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、発光性が良好に発揮される点で好ましい。
以下、本実施形態の混合物に含まれる化合物等について説明する。
（１）発光性を有するペロブスカイト化合物
ペロブスカイト化合物は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物である。
Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。
Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元構造のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される。
δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、−０．７以上０．７以下である。
例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、前記化合物が電気的に中性（すなわち前記化合物の電荷が０）となるようにδを選択することができる。
上記３次元構造の場合、Ｂを中心とし、頂点をＸとする、ＢＸ６で表される頂点共有八面体の三次元ネットワークを有する。
上記２次元構造の場合、Ｂを中心とし、頂点をＸとする、ＢＸ６で表される八面対が同一平面の４つの頂点のＸを共有することにより、２次元的に連なったＢＸ６からなる層とＡからなる層が交互に積層された構造を形成する。
ＢはＸの八面体配位をとることができる金属カチオンである。
本明細書において、ペロブスカイト型結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。
前記３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の場合、Ｘ線回折パターンにおいて、通常、２θ＝１２〜１８°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピーク、又は２θ＝１８〜２５°の位置に(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認される。２θ＝１３〜１６°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００１）に由来するピークが、又は２θ＝２０〜２３°の位置に、(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認されることがより好ましい。
前記２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物の場合、Ｘ線回折パターンにおいて、通常、２θ＝１〜１０°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認され、２θ＝２〜８°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認されることがより好ましい。
ペロブスカイト化合物は、下記一般式（１）で表されるペロブスカイト化合物であることが好ましい。
ＡＢＸ（３＋δ） （−０．７≦δ≦０．７） …（１）
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
〔Ａ〕
Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
１価の陽イオンとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される、３次元構造を有する。
化合物中、Ａはセシウムイオン、又は有機アンモニウムイオンが好ましい。
Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記一般式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。
Figure 0006600759
一般式（Ａ３）中、Ｒ６〜Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ６〜Ｒ９の全てが水素原子となることはない。
Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ６〜Ｒ９がアルキル基である場合、炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
Ｒ６〜Ｒ９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアルキル基を有していてもよく、アミノ基を有していてもよい。
Ｒ６〜Ｒ９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
Ｒ６〜Ｒ９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
一般式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を得ることができる。
アルキル基又はシクロアルキル基の炭素原子数が４以上の場合、２次元、及び／又は擬似二次元（ｑｕａｓｉ―２Ｄ）のペロブスカイト型の結晶構造を一部あるいは全体に有する化合物を得ることができる。２次元のペロブスカイト型結晶構造が無限大に積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．Ｐ．Ｂｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８−９０７など）。
Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ６〜Ｒ９のうちの１つが炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ６〜Ｒ９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。
Ｒ６〜Ｒ９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒ６〜Ｒ９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ６〜Ｒ９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられ、一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。
Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ３ＮＨ３ ＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ２Ｈ５ＮＨ３ ＋（エチルアンモニウムイオンともいう。） 又はＣ３Ｈ７ＮＨ３ ＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋ 又はＣ２Ｈ５ＮＨ３ ＋であることより好ましく、ＣＨ３ＮＨ３ ＋であることがさらに好ましい。
Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記一般式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ１０Ｒ１１Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ１２Ｒ１３）＋・・・（Ａ４）
一般式（Ａ４）中、Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アルキル基を有していてもよく、アミノ基を有していてもよい。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１０〜Ｒ１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ１０〜Ｒ１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ１０〜Ｒ１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。
一般式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
アルキル基又はシクロアルキル基の炭素原子数が４以上の場合、２次元、及び／又は擬似二次元（ｑｕａｓｉ―２Ｄ）のペロブスカイト型結晶構造を一部あるいは全体に有する化合物を得ることができる。また、Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ１０が炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ１１〜Ｒ１３が水素原子であることがより好ましい。
〔Ｂ〕
ペロブスカイト化合物において、Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンを表す。Ｂ成分の金属イオンは１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上からなるイオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、及びスズからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましい。
〔Ｘ〕
ペロブスカイト化合物において、Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンを表す。Ｘは、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンであってよい。
Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができるが、例えばＸは臭化物イオンを含むことができる。
Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、前記ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。
ペロブスカイト化合物であって、ＡＢＸ（３＋δ）で表される、３次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物の具体例としては、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２) ＰｂＢｒ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２) ＰｂＣｌ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２)ＰｂＩ３、
ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＳｒａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＢａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＤｙａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０≦δ≦０．７）、
ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、
ＣｓＰｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、
ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、
（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２) Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２) Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２)Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２)Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０, ０＜ｙ＜３）、
ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、
ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、
ＣｓＰｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、
ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、
（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）等が好ましいものとして挙げられる。
本発明の一つの側面としては、ペロブスカイト化合物であって、ＡＢＸ（３＋δ）で表される、３次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物としてはＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）が好ましい。
ペロブスカイト化合物であって、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される、２次元構造のペロブスカイト型の結晶構造を有する化合物の具体例としては、
(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＣｌ４、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＩ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＣｌ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＩ４、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、
(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、
(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、
(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、
(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２ＰｂＢｒ４、
(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２ＰｂＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜４）、
(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、
(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、(Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、
(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（４-ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、
(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、(Ｃ４Ｈ９ＮＨ３)２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（４-ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）等が好ましいものとして挙げられる。
混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させる観点から、平均粒径が１ｎｍ以上であることが好ましく、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、ペロブスカイト化合物を沈降させにくくする観点から、平均粒径が１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物の平均粒径は、特に限定されるものではないが、ペロブスカイト化合物を沈降させにくくする観点、及び良好に結晶構造を維持させる観点から、平均粒径が１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本明細書において、混合物に含まれるペロブスカイト化合物の平均粒径は、例えば透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう。）、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう。）により測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、前記混合物中に含まれる２０個のペロブスカイト化合物の最大フェレー径を観察し、それらの平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、前記平均粒径を求めることができる。本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、ペロブスカイト化合物を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。
混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物のメディアン径（Ｄ５０）は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させる観点から、メディアン径（Ｄ５０）が２ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましく、４ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、本発明に係るペロブスカイト化合物を沈降させにくくする観点から、メディアン径（Ｄ５０）が５μｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本発明の別の側面としては、混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物の粒度分布においてメディアン径（Ｄ５０）が２ｎｍ〜５μｍであることが好ましく、３ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、４ｎｍ〜１００ｎｍであることがさらに好ましい。
本明細書において、混合物に含まれる、ペロブスカイト化合物の粒度分布は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、前記混合物中に含まれる、２０個のペロブスカイト化合物の最大フェレー径を観察し、それらの分布から、前記メディアン径（Ｄ５０）を求めることができる。
≪発光スペクトル≫
ペロブスカイト化合物は、可視光波長領域に蛍光を発することができる発光体であり、Ｘが臭化物イオンの場合は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上、また、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０〜７００ｎｍであり、５００〜６００ｎｍであることが好ましく、５２０〜５８０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘがヨウ化物イオンの場合は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上、また、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０〜８００ｎｍであり、５３０〜７５０ｎｍであることが好ましく、５４０〜７３０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘが塩化物イオンの場合は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上、また、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００〜６００ｎｍであり、３１０〜５８０ｎｍであることが好ましく、３３０〜５５０ｎｍであることがより好ましい。
（２）発光性を有するインジウム化合物、又は、発光性を有するカドミウム化合物
インジウム化合物としては、例えば、
ＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物、
ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物、及び
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物が挙げられる。
インジウム化合物としては、ＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物が好ましく、Ｖ族にリン元素を含むインジウム化合物が好ましい。
カドミウム化合物としては、例えば、
ＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物、及び
ＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物が挙げられる。
インジウム化合物は、カドミウム元素を含まず、カドミウム化合物は、インジウム元素を含まない。
インジウム化合物、及び、カドミウム化合物は、それぞれインジウム化合物を含む半導体、及び、カドミウム化合物を含む半導体であることが好ましい。
本発明の混合物に含まれる、インジウム化合物、又は、カドミウム化合物の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好な発光を示す観点から、カドミウム化合物では平均粒径が１．０ｎｍ以上であることが好ましく、１．１ｎｍ以上であることがより好ましく、１．２ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、１００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましく、８ｎｍ以下であることがさらに好ましい。またインジウム化合物では平均粒径が０．８ｎｍ以上であることが好ましく、１．０ｎｍ以上であることがより好ましく、１．１ｎｍ以上であることがさらに好ましく、また、３０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましく、４ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本発明の別の側面としては、混合物に含まれる、カドミウム化合物の平均粒径が１．０ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、１．１ｎｍ〜１０ｎｍであることがより好ましく、１．２ｎｍ〜８ｎｍであることがさらに好ましい。
本発明のさらに別の側面としては、混合物に含まれる、インジウム化合物の平均粒径が０．８ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましく、１．０ｎｍ〜１０ｎｍであることがより好ましく、１．１ｎｍ〜４ｎｍであることがさらに好ましい。
本明細書において、混合物に含まれる、カドミウム化合物、及びインジウム化合物の平均粒径は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、前記混合物中に含まれる２０個のカドミウム化合物、又はインジウム化合物の最大フェレー径を観察し、それらの平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、前記平均粒径を求めることができる。
（ＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物）
ＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物は、ＩＩＩ族元素と、Ｖ族元素とを含む化合物であって、少なくともインジウム元素を含む化合物である。
ここで、ＩＩＩ族とは、周期表の１３族を意味し、Ｖ族とは、周期表の１５族を意味する（以下同様である。）。
なお、本明細書において「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。
ＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物は、二元系であってもよく、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
二元系のＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物は、インジウム元素（第１元素）と、Ｖ族の元素（第２元素）とを含む化合物であればよく、例えば、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、及びＩｎＳｂが挙げられる。
三元系のＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物は、インジウム元素（第１元素）と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物であってよく、１種類をインジウム元素とするＩＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む化合物であってもよい。
三元系のＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物としては、例えば、ＩｎＰＮ、ＩｎＰＡｓ、及びＩｎＰＳｂ、ＩｎＧａＰ等が挙げられる。
四元系のＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物は、１種類をインジウム元素とするＩＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物である。
四元系のＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物としては、例えば、ＩｎＧａＰＮ、ＩｎＧａＰＡｓ、及びＩｎＧａＰＳｂ等が挙げられる。
ＩＩＩ−Ｖ族インジウム化合物を含む半導体は、周期表の１３族、及び１５族の以外の元素（ただしカドミウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
（ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物）
ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物は、ＩＩＩ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物であって、少なくともインジウム元素を含む化合物である。
ここで、ＶＩ族とは、周期表の１６族を意味する（以下同様である。）。
ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物は、二元系であってもよく、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
二元系のＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物は、インジウム元素（第１元素）と、ＶＩ族の元素（第２元素）とを含む化合物であればよく、例えば、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、及びＩｎ２Ｔｅ３が挙げられる。
三元系のＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物は、インジウム元素（第１元素）と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物であってよく、１種類をインジウム元素とするＩＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む化合物であってもよい。
三元系のＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物としては、例えば、ＩｎＧａＳ３、ＩｎＧａＳｅ３、ＩｎＧａＴｅ３、Ｉｎ２ＳＳｅ２、Ｉｎ２ＴｅＳｅ２が挙げられる。
四元系のＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物は、１種類をインジウム元素とするＩＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物である。
四元系のＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物としては、例えば、ＩｎＧａＳＳｅ２、ＩｎＧａＳｅＴｅ２、ＩｎＧａＳＴｅ２が挙げられる。
ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物を含む半導体は、周期表の１３族、及び１６族の以外の元素（ただしカドミウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
（Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物）
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物は、Ｉ族元素と、ＩＩＩ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物であって、少なくともインジウム元素を含む化合物である。
ここで、Ｉ族とは、周期表の１１族を意味する（以下同様である。）。
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物は、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
三元系のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物は、Ｉ族から選ばれる元素（第１元素）と、インジウム元素（第２元素）と、ＶＩ族から選ばれる元素（第３元素）とを含む化合物である。
三元系のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳ２が挙げられる。
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族インジウム化合物を含む半導体は、周期表の１１族、１３族、及び１６族の以外の元素（ただしカドミウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
十分な発光強度を得られる観点から、インジウム化合物はＩｎＰ、ＣｕＩｎＳ２、ＩｎＮＰ、及びＧａＩｎＮＰが好ましく、ＩｎＰ及びＣｕＩｎＳ２がより好ましい。
（ＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物）
ＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物は、ＩＩ族元素と、ＶＩ族元素とを含む化合物であって、少なくともカドミウム元素を含む化合物である。
ここで、ＩＩ族は、周期表の２族又は１２族を意味する（以下同様である。）。
ＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物は、二元系であってもよく、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
二元系のＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物は、カドミウム元素（第１元素）と、１６族の元素（第２元素）とを含む化合物であればよく、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、及びＣｄＴｅが挙げられる。
三元系のＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物は、カドミウム元素（第１元素）と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物であってよく、１種類をカドミウム元素とするＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む化合物であってもよい。
三元系のＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物としては、例えば、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、が挙げられる。
四元系のＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物は、１種類をカドミウム元素とするＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、ＶＩ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物である。
四元系のＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物としては、例えば、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、が挙げられる。
ＩＩ−ＶＩ族カドミウム化合物を含む半導体は、周期表の２族、１２族、及び１６族の以外の元素（ただしインジウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
（ＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物）
ＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物は、ＩＩ族元素と、Ｖ族元素とを含む化合物であって、少なくともカドミウム元素を含む化合物である。
ＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物は、二元系であってもよく、三元系であってもよく、四元系であってもよい。
二元系のＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物は、カドミウム元素（第１元素）と、Ｖ族の元素（第２元素）とを含む化合物であればよく、例えば、Ｃｄ３Ｐ２、Ｃｄ３Ａｓ２、及びＣｄ３Ｎ２が挙げられる。
三元系のＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物は、カドミウム元素（第１元素）と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物であってよく、１種類をカドミウム元素とするＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）１種類とを含む化合物であってもよい。
三元系のＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物としては、例えば、Ｃｄ３ＰＮ、Ｃｄ３ＰＡｓ、又はＣｄ３ＡｓＮ、Ｃｄ２ＺｎＰ２、Ｃｄ２ＺｎＡｓ２、及びＣｄ２ＺｎＮ２等が挙げられる。
四元系のＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物は、１種類をカドミウム元素とするＩＩ族から選ばれる元素（第１元素）２種類と、Ｖ族から選ばれる元素（第２元素）２種類とを含む化合物である。
四元系のＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物としては、例えば、ＣｄＺｎＰＮ、ＣｄＺｎＰＡｓ、又はＣｄ２ＺｎＡｓＮ等が挙げられる。
ＩＩ−Ｖ族カドミウム化合物を含む半導体は、周期表の２族、１２族、及び１５族の以外の元素（ただしインジウムの元素を除く）をドープ元素として含んでいてもよい。
十分な発光強度を得られる観点から、カドミウム化合物はＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、及びＣｄＺｎＳＴｅが好ましく、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、及びＣｄＺｎＳｅＳがより好ましく、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳがさらに好ましく、ＣｄＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳが特に好ましい。
混合物に含まれる、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物は、発光強度、又は耐久性を向上させるために粒子表面に無機保護層を有していてもよい。
無機保護層は、２層以上であっても良いし、１層であってもよい。
無機保護層を形成しうる無機材料としては、例えば、混合物中の（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物よりもバンドギャップが大きい半導体が挙げられるが、これに限定されるものでない。
例えば、無機保護層はＺｎＳなどの公知の無機材料で形成される。
≪発光スペクトル≫
インジウム化合物、又はカドミウム化合物は、可視光波長領域に蛍光を発することができる発光体である。
インジウム化合物は、平均粒径が１ｎｍ以上２ｎｍ未満の場合、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長領域であって、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長領域の範囲に発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
すなわち、インジウム化合物は、平均粒径が１ｎｍ以上２ｎｍ未満の場合、通常３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは３１０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下、より好ましくは３３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域の範囲に発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
インジウム化合物は、平均粒径が２ｎｍ以上３ｎｍ未満の場合、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長領域であって、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長領域の範囲に発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
すなわち、インジウム化合物は、平均粒径が２ｎｍ以上３ｎｍ未満の場合、通常４８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、より好ましくは５２０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長領域の範囲に発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
インジウム化合物の場合、平均粒径が３ｎｍ以上では、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上、また、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長領域の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
すなわち、インジウム化合物の場合、平均粒径が３ｎｍ以上では、通常５２０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、好ましくは５４０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、より好ましくは５４０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の波長領域の範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
カドミウム化合物は、平均粒径が１ｎｍ以上３ｎｍ未満の場合、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長領域であって、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
すなわち、カドミウム化合物は、平均粒径が１ｎｍ以上３ｎｍ未満の場合、通常３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは３１０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下、より好ましくは３３０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
カドミウム化合物は、平均粒径が３ｎｍ以上６ｎｍ未満の場合、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長領域であって、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
すなわち、カドミウム化合物は、平均粒径が３ｎｍ以上６ｎｍ未満の場合、通常４８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、より好ましくは５２０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
カドミウム化合物は、平均粒径が６ｎｍ以上の場合、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長領域であって、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
すなわち、カドミウム化合物は、平均粒径が６ｎｍ以上の場合、通常５２０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、好ましくは５３０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、より好ましくは５４０ｎｍ以上７３０ｎｍ以下の波長領域の範囲に、発光強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
（３）溶媒
溶媒は、（１）、及び（２）を分散させることができる媒体であれば特に限定されず、（１）、及び（２）を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態をとる物質のことをいう（但し、重合性化合物、及び重合体を除く）。
本明細書において「分散している」とは、ペロブスカイト化合物、インジウム化合物、カドミウム化合物等が、溶媒、重合性化合物、重合体等に浮遊あるいは懸濁している状態のことをいい、一部は沈降していてもよい。
溶媒としては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ‐メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、及びメトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、及びプロピレンカーボネート等の炭化水素基を有する有機溶媒；塩化メチレン、及びクロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、及びキシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
これらの中でもメチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒は、極性が低く、（１）、及び（２）を溶解し難いと考えられるため好ましく、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒がより好ましい。
（４）重合性化合物、又は重合体
本実施形態の混合物に含まれる重合性化合物は、特に限定されるものではなく、１種類であっても２種類以上であってもよい。重合性化合物としては、本実施形態の混合物を製造する温度において、（１）、及び（２）の溶解度が低い重合性化合物が好ましい。
本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体の化合物を意味する。
例えば、室温、常圧下において製造する場合、前記重合性化合物としては、特に制限は無いが、例えば、スチレン、メタクリル酸メチル、等の公知の重合性化合物が挙げられる。なかでも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体成分であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。
本実施形態の混合物に含まれる重合体は、特に限定されるものではなく、１種類であっても２種類以上であってもよい。重合体としては、本実施形態の混合物を製造する温度において、（１）、及び（２）の溶解度が低い重合体好ましい。
例えば、ポリスチレン、メタクリル樹脂、シリコーン、シクロオレフィンポリマー等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、より透明度が高く、発光した光を効率よく取り出す観点から、シリコーン、シクロオレフィンポリマー、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方に由来する構成単位を含む。
本実施形態の混合物において、（４）の重合性化合物、又は重合体に含まれる全ての構成単位に対し、アクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステル及びそれらに由来する構成単位は、モル％で表した場合、全構成単位に対して１０％以上であってもよく、３０％以上であってもよく、５０％以上であってもよく、８０％以上であってもよく、１００％であってもよい。
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
本実施形態の混合物は、アンモニア、アミン、及びカルボン酸並びに、これらの化合物がとり得る形態として、これらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含んでいてもよい。
すなわち、本実施形態の混合物は、アンモニア、アミン、カルボン酸、アンモニアの塩、アミンの塩、カルボン酸の塩、アンモニアのイオン、アミンのイオン、及びカルボン酸のイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含んでいてもよい。
アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンは、通常、キャッピング配位子として作用する。キャッピング配位子とは、（１）、又は（２）の表面に吸着して、（１）、又は（２）を混合物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。
アンモニア、又はアミンの、イオン若しくは塩（アンモニウム塩等）としては、後述する一般式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、それを含むアンモニウム塩が挙げられる。
カルボン酸のイオン又は塩（カルボン酸塩等）としては、後述する一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンと、それを含むカルボン酸塩が挙げられる。
本実施形態の混合物は、アンモニウム塩等、及びカルボン酸塩等のいずれか一方を含んでいてもよく、両方を含んでいてもよい。
Figure 0006600759
一般式（Ａ１）中、Ｒ１〜Ｒ３は、水素原子を表し、Ｒ４は、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。Ｒ４は、１価の炭化水素基であることが好ましい。１価の炭化水素基は、飽和炭化水素基（すなわちアルキル基、又はシクロアルキル基）であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
Ｒ４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
Ｒ４で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
Ｒ４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ４は、炭素原子数８〜２０のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ４のアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ４のアルケニル基としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。
このようなアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。
塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無いがＢｒ―、Ｃｌ―、Ｉ―、Ｆ―のハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい例として挙げられる。
一般式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ−オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。
カルボン酸塩としては、下記一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンを含むカルボン酸塩が挙げられる。
Figure 0006600759
一般式（Ａ２）中、Ｒ５は、１価の炭化水素基を表す。１価の炭化水素基は、飽和炭化水素基（すなわちアルキル基、又はシクロアルキル基）であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
Ｒ５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。Ｒ５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
Ｒ５で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
Ｒ５の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ５の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
Ｒ５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。
Ｒ５のアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ１〜Ｒ４において例示したアルケニル基が挙げられる。
一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。
塩を形成する場合、一般式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンのカウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。
＜各成分の配合比について＞
本実施形態の混合物において、（１）と（２）との配合比は、２つの発光ピークを確認できる程度であればよく、（１）、及び（２）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
本実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分の金属イオンと、（２）インジウム化合物のインジウム元素又は、カドミウム化合物カドミウム元素とのモル比［（インジウム、又は、カドミウム）／（Ｂ）］は、０．００１〜１０００であってもよく、０．０１〜５００であってもよく、０．０１〜３００であってもよい。
本実施形態の混合物において、（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物が、カドミウム化合物である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分の金属イオンと、カドミウム化合物のカドミウムの元素とのモル比［（カドミウム）／（Ｂ）］、は、０．０３〜２００であってもよく、０．０５〜１００であってもよく、０．１〜５０であってもよい。
（１）と（２）との配合比が上記範囲内である混合物は、２つの発光スペクトルがはっきりと確認できる点で好ましい。
本実施形態の混合物において、（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物が、インジウム化合物である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分の金属イオンと、インジウム化合物のインジウムの元素とのモル比［（インジウム）／（Ｂ）］、０．０１〜２００であってもよく、０．１〜１００であってもよく、２〜７０であってもよい。
（１）と（２）との配合比が上記範囲内である混合物は、２つの発光スペクトルがはっきりと確認できる点で好ましい。
（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、（１）と、（３）及び／又は（４）との配合比は、（１）による発光作用が良好に発揮される程度であればよく、（１）〜（４）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
（１）と、（２）と、（３）又は（４）の少なくとも一方とを含む実施形態の混合物において、（１）と、（３）及び（４）のいずれか一方又は両方との質量比［（１）／（（３）及び（４）のいずれか一方又は両方）］は、０．００００１〜１０であってもよく、０．０００１〜１であってもよく、０．０００５〜０．１であってもよい。
（１）と、（３）及び（４）のいずれか一方又は両方との配合比に係る範囲が上記範囲内である混合物は、（１）の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
本実施形態の混合物において、（１）と（２）との発光スペクトルの組み合わせは、２つの発光ピークを確認できる程度であればよく、（１）のＸ成分のハロゲン化物イオンの種類、及び（２）の粒径等に応じて、適宜定めることができる。
例えば、確認される２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値は、３０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下であることが好ましく、５０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、３０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上２ｎｍ未満、又は３ｎｍ以上が好ましく、３ｎｍ以上がより好ましい。
本発明の別の側面としては、前記インジウム化合物の平均粒径は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、３０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上３ｎｍ未満、又は６ｎｍ以上が好ましく、６ｎｍ以上がより好ましい。
本発明の別の側面としては、前記カドミウム化合物の平均粒径は、６ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、３０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上３ｎｍ未満が好ましく、２ｎｍ以上３ｎｍ未満がより好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、３０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の８０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上６ｎｍ未満が好ましく、３ｎｍ以上６ｎｍ未満がより好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、５０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の５０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上１．８ｎｍ未満、又は３．２ｎｍ以上が好ましく、３．２ｎｍ以上がより好ましい。
本発明の別の側面としては、前記インジウム化合物の平均粒径は、３．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、５０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の５０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上２．３ｎｍ未満、又は６．３ｎｍ以上が好ましく、６．３ｎｍ以上がより好ましい。
本発明の別の側面としては、前記カドミウム化合物の平均粒径は、６．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、５０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の５０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上２．８ｎｍ未満が好ましく、２ｎｍ以上２．８ｎｍ未満がより好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、５０ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の５０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上５．７ｎｍ未満が好ましく、３ｎｍ以上５．７ｎｍ未満がより好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、１００ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の３０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上１．７ｎｍ未満、又は３．３ｎｍ以上が好ましく、３．３ｎｍ以上がより好ましい。
本発明の別の側面としては、前記インジウム化合物の平均粒径は、３．３ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、１００ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の３０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンが臭化物イオンであり、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径は、１ｎｍ以上２．４ｎｍ未満、又は６．４ｎｍ以上が好ましく、６．４ｎｍ以上がより好ましい。
本発明の別の側面としては、前記カドミウム化合物の平均粒径は、６．４ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、１００ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の３０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がインジウム化合物である場合は、インジウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上２．７ｎｍ未満が好ましく、２ｎｍ以上２．７ｎｍ未満がより好ましい。
２つの発光ピークについて、波長の差の絶対値が、１００ｎｍ以上であって、２つの発光ピークの間の波長領域における最小発光強度が、２つの発光ピークのうちより高い発光ピークの発光強度の３０％以下である、実施形態の混合物において、例えば、（１）ペロブスカイト化合物のＸ成分のハロゲン化物イオンにヨウ化物イオンを含み、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物がカドミウム化合物である場合は、カドミウム化合物の平均粒径が１ｎｍ以上５．６ｎｍ未満が好ましく、３ｎｍ以上５．６ｎｍ未満がより好ましい。
＜フィルム＞
本発明に係るフィルムは、上述した、（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有割合が混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物からなるフィルムである。前記混合物は、（５）を含んでいてもよい。
（１）ペロブスカイト化合物
（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物
（４’）重合体
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、異方性を有する形状を意味する。異方性を有する形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。
フィルムの厚みは、０．０１μｍ〜１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ〜１０ｍｍであってもよく、１μｍ〜１ｍｍであってもよい。
本明細書において前記フィルムの厚みは、マイクロメータにより任意の３点において測定し、その平均値を算出することにより得ることができる。
フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の実施形態の混合物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の実施形態の混合物が用いられていてもよい。
フィルムは、例えば、後述の積層構造体の製造方法の（ｉ）〜（ｉＶ）の製造方法により、基板上に形成されたフィルムとして得ることができる。また、フィルムは基板から剥がして得ることができる。
＜積層構造体＞
本発明に係る積層構造体は、
複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。
積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。
（基板）
本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、基板が挙げられる。
基板は特に限定されず、フィルムであってもよい。発光時に光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。基板としては、例えばポリエチレンテレフタレートなどのプラスチックや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。
図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。
本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、前記封止層が、前記フィルム１０の前記第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。
（バリア層）
本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の混合物を保護するため、バリア層を含んでいても良い。
バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出すと言う観点から透明なバリア層が好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマー、ガラス膜などの公知のバリア層を適用する事ができる。
（光散乱層）
本発明に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を効率的に吸収される観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出すという観点から透明な光散乱層が好ましく、例えば、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を適用する事ができる。
＜発光装置＞
本発明に係わる発光装置は、本発明の実施形態の混合物又は前述の積層構造体と、光源とを合せることで得る事ができる。発光装置は、光源から発光した光を、後段に設置した混合物又は積層構造体に照射する事で、混合物又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。前記発光装置における積層構造体は、反射フィルム、拡散フィルム、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層などの層を含んでいてもよい。
本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。
（光源）
本発明に係る発光装置を構成する光源は、特に制限は無いが、前述の混合物、又は積層構造体中の（１）及び（２）を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましく、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を使用する事ができる。
（反射フィルム）
本発明に係る発光装置は、特に制限は無いが、光源の光を前記混合物、又は前記積層構造体に向かって照射するための光反射部材を含むことができる。
反射フィルムは、特に制限は無いが、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルム、又は反射体等、任意の好適な公知材料を含み得る。
（拡散フィルム）
本発明に係る発光装置は、特に制限は無いが、光源の光、又は前記混合物から発した光を拡散させるための、拡散フィルムを含むことができる。拡散フィルムは、増幅拡散フィルム等の、前記技術分野で既知の任意の拡散フィルムを含んでもよい。
（輝度強化部）
本発明に係る発光装置は、特に制限は無いが、光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す、輝度強化部を含むことができる。
（プリズムシート）
プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。 プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせられ得る。プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。
（導光板）
導光板としては、任意の適切な導光板が用いられ得る。例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側及び／又は視認側にプリズム形状等が形成された導光板が用いられる。
（要素間の媒体材料層）
本発明に係わる発光装置は、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層を含んでいてもよい。１つ以上の媒体には、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は前記技術分野で既知の他の好適な媒体、が含まれるが、これらに限定されない、任意の好適な材料が含まれてもよい。
本発明に係る発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、
（Ｅ１）本発明の混合物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）、
（Ｅ２）本発明の混合物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）、
（Ｅ３）本発明の混合物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）、及び
（Ｅ４）本発明の混合物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライトが挙げられる。
また、本発明に係る発光装置の具体例としては、本発明の実施形態の混合物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。
＜ディスプレイ＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。
＜液晶パネル＞
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。
（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、前記基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。
（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には吸収型偏光子である。
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。
本発明の混合物の用途としては、例えば、レーザーダイオード用の波長変換材料が挙げられる。
＜ＬＥＤ＞
本発明の混合物は、例えば、ＬＥＤの発光層の材料として用いることができる。
本発明の混合物を含むＬＥＤとしては、例えば、本発明の混合物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の混合物に含まれる（１）及び（２）の粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。
＜太陽電池＞
本発明の混合物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本発明の混合物を含む活性層、２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する
活性層に含まれる、本発明の混合物は、電荷分離及び電子輸送の役割を果たす。
＜混合物の製造方法＞
以下、上述の混合物の製造方法に関し、実施形態を示して説明する。前記製造方法によれば、本発明に係る実施形態の混合物を製造可能である。なお、本発明の混合物は、以下の実施形態の混合物の製造方法によって製造されるものに限定されるものではない。
（１）ペロブスカイト化合物の製造方法
本発明に係るペロブスカイト化合物は、既知文献（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ． ２０１５， １５， ３６９２−３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３−４５４２）を参考に、例えば、以下に述べる第１実施形態又は第２実施形態の方法によって製造することができる。
また、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物、を含む（１）ペロブスカイト化合物は、（５）を、後述する第１実施形態又は第１実施形態に含まれるいずれかの工程で添加することによって製造してもよいし、得られた（１）ペロブスカイト化合物と、（５）とを混合することによって製造してもよい。
（１）、及び（２）の分散性を高める観点からは、（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することによって製造することが好ましい。
（ペロブスカイト化合物の製造方法の第１実施形態）
例えば、本発明に係るペロブスカイト化合物の製造方法としては、
Ｂ成分、Ｘ成分、及びＡ成分を溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、
得られた溶液と、ペロブスカイト化合物の溶解度が溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
より具体的には、
Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶媒に溶解させ、溶液を得る工程と、
得られた溶液と、ペロブスカイト化合物の溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
以下、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶媒に溶解させ、溶液を得る工程と、得られた溶液と、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程とを含む製造方法について説明する。
なお、溶解度とは、混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。
前記製造方法は、ペロブスカイト化合物を安定して分散できる観点から、キャッピング配位子を加える工程を含んでいることが好ましい。キャッピング配位子は、前述の混合する工程の前に添加する事が好ましく、Ａ成分、Ｂ成分、及びＸ成分を溶解させた溶液にキャッピング配位子を添加してもよいし、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒に添加してもよく、Ａ成分、Ｂ成分、及びＸ成分を溶解させた溶液、及びペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒の両方に添加してもよい。
前記製造方法は、前述の混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいることが好ましい。前記除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。
前述の、溶液と、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程は、
（Ｉ）溶液を、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒に滴下する工程であってもよく、
（ＩＩ）溶液に、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒を滴下する工程であってもよいが、分散性を高める観点から（Ｉ）であることが好ましい。
滴下する際には攪拌を行う事が分散性を高める観点から好ましい。
溶液と、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が、溶液を得る工程で用いた溶媒よりも低い溶媒とを混合する工程において、温度には特に制限は無いが、ペロブスカイト化合物の析出し易さを確保する観点から、−２０〜４０℃の範囲であることが好ましく、−５〜３０℃の範囲であることがより好ましい。
前記製造方法で用いるペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度の異なる２種類の溶媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ‐メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒からなる群より選ばれる２種の溶媒が挙げられる。
前記製造方法に含まれる、溶液を得る工程で用いる溶媒としてはペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が高い溶媒が好ましく、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で前記工程をおこなう場合、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシドが挙げられる。
前記製造方法に含まれる、混合する工程で用いる溶媒としては、ペロブスカイト化合物の溶媒に対する溶解度が低い溶媒が好ましく、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で前記工程をおこなう場合、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒が挙げられる。
溶解度の異なる２種類の溶媒において、溶解度の差は（１００μｇ／溶媒１００ｇ）〜（９０ｇ／溶媒１００ｇ）であることが好ましく、（１ｍｇ／溶媒１００ｇ）〜（９０ｇ／溶媒１００ｇ）であることがより好ましい。溶解度の差を（１００μｇ／溶媒１００ｇ）〜（９０ｇ／溶媒１００ｇ）にする観点から、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で混合する工程をおこなう場合、溶液を得る工程で用いる溶媒が、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、混合する工程で用いる溶媒が塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒であることが好ましい。
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液から、ペロブスカイト化合物を取り出す場合は、固液分離を行うことでペロブスカイト化合物のみを回収する事ができる。
前述の固液分離方法は、ろ過などの方法や、溶媒の蒸発を利用した方法などが挙げられる。
（ペロブスカイト化合物の製造方法の第２実施形態）
ペロブスカイト化合物の製造方法は、
Ｂ成分、Ｘ成分及びＡ成分を高温の溶媒に添加して溶解させ溶液を得る工程と、
得られた溶液を冷却する工程とを含む製造方法であってもよい。
より具体的には、
Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを高温の溶媒に添加して溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
前記製造方法では、温度の差による溶解度の差によって本発明に係るペロブスカイト化合物を析出させ、本発明に係るペロブスカイト化合物を製造することができる。
前記製造方法は、ペロブスカイト化合物を安定して分散できる観点から、キャッピング配位子を加える工程を含んでいることが好ましい。
前記製造方法は、冷却する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。上記除去工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。
ここで、高温の溶媒とは、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とが、溶解する温度の溶媒であればよく、例えば、６０〜６００℃の溶媒であることが好ましく、８０〜４００℃の溶媒であることがより好ましい。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃であることが好ましく、−１０〜３０℃であることがより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分であることが好ましく、１０〜１５０℃／分であることがより好ましい。
前記製造方法に用いる溶媒としては、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分又はＡ成分及びＸ成分を含む化合物とを溶解しうる溶媒であれば、特に限定されるものではないが、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ‐メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシド、１−オクタデセンが挙げられる。
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液から、ペロブスカイト化合物を取り出す方法としては、固液分離を行うことでペロブスカイト化合物のみを回収する方法が挙げられる。
固液分離方法は、ろ過などの方法や、溶媒の蒸発を利用した方法などが挙げられる。
（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物の製造方法
インジウム化合物、又はカドミウム化合物は、市販品を用いてもよいが、公知の製造方法により製造してもよい。公知の製造方法としては、例えば、インジウム化合物、又はカドミウム化合物を構成する元素の単体又はその化合物と脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法が挙げられる。
インジウム化合物、又はカドミウム化合物を構成する元素の単体又はその化合物の例としては、特に制限は無いが、金属、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。
脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。
炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などの飽和脂肪族炭化水素基；オレイル基などの不飽和脂肪族炭化水素基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの脂環式炭化水素基；フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などの芳香族炭化水素基などが挙げられ、このうち飽和脂肪族炭化水素基や不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。
含窒素化合物としてはアミン類やアミド類が挙げられ、含酸素化合物としては脂肪酸類などが挙げられる。
このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましく、例えばｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。前記脂溶性溶媒は、形成された（２）の粒子表面に結合可能であり、その結合の様式は、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。
混合液の加熱温度は、使用する単体や化合物の種類によって適宜設定すればよいが、例えば、１３０〜３００℃の範囲で設定することが好ましく、２４０〜３００℃の範囲で設定することがより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると、得られる（２）の結晶構造が単一化しやすいため好ましい。また、加熱時間も、使用する単体や化合物の種類、加熱温度によって適宜設定すればよいが、通常は数秒間〜数時間の範囲で設定するのが好ましく、１〜６０分間の範囲で設定するのがより好ましい。
インジウム化合物、又はカドミウム化合物の製法において、加熱後の混合液を冷却したあと上澄み液と沈殿物に分離し、分離した沈殿物を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ−ブタノールなど）に入れてインジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む溶液としてもよい。あるいは、加熱後の混合液を冷却したあと上澄み液と沈殿物に分離し、分離した上澄み液にナノ粒子が不溶又は難溶な溶媒（例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなど）を添加して沈殿物を発生させ、前記沈殿物を集めて前述の有機溶媒に入れてインジウム化合物、又は、カドミウム化合物を含む溶液としてもよい。
（１）、及び（２）を含む混合物の製造方法
（１）、及び（２）を含む混合物の製造方法としては、
（ａ） （１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合する工程を含む製造方法が挙げられる。
混合する際には攪拌を行うことが、（１）及び（２）をより均一に混合する観点から好ましい。
（１）、（２）、及び（３）を含む混合物の製造方法
例えば、（１）、（２）、及び（３）を含む混合物の製造方法としては、
（ｂ） （１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物と、（３）溶媒とを混合する工程を含む製造方法が挙げられる。
混合する際には攪拌を行うことが、（１）及び（２）の分散性を高める観点から好ましい。
混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０〜８０℃の範囲であることがより好ましい。
前記工程（ｂ）は、例えば、
（ｂ１） （１）ペロブスカイト化合物と（３）溶媒とを混合した後に、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を混合する工程でもよいし、
（ｂ２） （１）ペロブスカイト化合物と（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合した後に、（３）溶媒を混合する工程でもよい。
（１）、及び（２）の分散性を向上させる観点から、工程（ｂ）は、工程（ｂ１）であることが好ましい。
（１）、（２）、（３）、及び（５）を含む混合物の製造方法
（１）、（２）、（３）及び（５）を含む混合物の製造方法としては、例えば、
（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を添加する以外は、既に説明した、（１）、（２）及び（３）を含む混合物の製造方法と同様の方法とすることができる。
（５）は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよく、上述の（１）、（２）、及び（３）を含む混合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよい。
（５）は、（１）の分散性を高める観点から、（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することが好ましい。
混合する際には攪拌を行うことが、（１）、（２）の分散性を高める観点から好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、（３）溶媒、及び（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０〜８０℃の範囲であることがより好ましい。
（１）、（２）、及び（４）を含む混合物の製造方法
（１）、（２）、及び（４）を含む混合物の製造方法としては、
（ｃ） （１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（４）重合性化合物、又は重合体を混合する工程を含む製造方法が挙げられる。
（１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（４）重合性化合物、又は重合体を混合する工程は、攪拌しながら行うことが（１）ペロブスカイト化合物の分散性を高める観点から好ましい。
混合する工程において、温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０〜８０℃の範囲であることがより好ましい。
（ｃ）の製造方法は、例えば、
（ｃ１） （４）重合性化合物、又は重合体に（１）ペロブスカイト化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合する工程とを含む製造方法であってもよく、
（ｃ２） （４）重合性化合物、又は重合体に（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）ペロブスカイト化合物とを混合する工程とを含む製造方法であってもよく、
（ｃ３） （４）重合性化合物、又は重合体に（１）ペロブスカイト化合物、及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を分散させる工程を含む製造方法であってもよく、
（ｃ４） （１）ペロブスカイト化合物、及び（３）溶媒を混合し、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体を得る工程と、
（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（３）溶媒を混合し、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む分散体を得る工程と、
（４）重合性化合物、又は重合体と、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体、及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む分散体とを混合する工程とを含む製造方法であってもよい。
（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法に含まれる各分散体を得る工程においては、（４）を、（１）及び／又は（２）に滴下してもよいし、（１）及び／又は（２）を（４）に滴下してよい。
分散性を高める観点からは、（１）及び／又は（２）を（４）に滴下することが好ましい。
（ｃ４）の製造方法に含まれる分散体を得る工程においては、（３）を、（１）又は（２）に滴下してもよいし、（１）又は（２）を（３）に滴下してよい。
分散性を高める観点からは、（１）又は（２）を（３）に滴下することが好ましい。
（ｃ１）〜（ｃ２）の製造方法に含まれる各混合する工程においては、（１）又は（２）を分散体に滴下してもよいし、分散体を（１）又は（２）に滴下してもよい。
分散性を高める観点からは、（１）又は（２）を分散体に滴下することが好ましい。
（４）として、重合体を採用する場合、重合体は、溶媒に溶解している重合体であってもよい。
上述の重合体が溶解している溶媒は、重合体（樹脂）を溶解しうる溶媒であれば特に限定されないが、上述の本発明に係る（１）又は、（２）の化合物を溶解し難いものが好ましい。
上述の重合体が溶解している溶媒としては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル；γ−ブチロラクトン、Ｎ‐メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル；メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のアルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒；アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート基を有する有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒；ジメチルスルホキシドが挙げられる。
中でもメチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等のエステル類；γ−ブチロラクトン、アセトン、ジメチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン；ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等のエーテル、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル基を有する有機溶媒；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系有機溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒は極性が低く、本発明に係るペロブスカイト化合物を溶解し難いと考えられるため好ましく、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化した炭化水素基を有する有機溶媒；ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素基を有する有機溶媒がより好ましい。
（１）、（２）、（４）、及び（５）を含む混合物の製造方法
（１）、（２）、（４）、及び（５）を含む混合物の製造方法としては、例えば、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を添加する以外は、既に説明した、（１）、（２）及び（４）を含む混合物の製造方法と同様の方法とすることができる。
（５）は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよく、上述の（１）、（２）、及び（４）を含む混合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよい。
（５）は、（１）の分散性を高める観点から、（１）の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することが好ましい。
（１）、（２）、（４）、及び（５）を含む混合物の製造方法において、（３）溶媒を用いてもよく、これにより、例えば、（５）を含む（１）が（３）に分散している分散体と、（２）が（３）に分散している分散体と、（４）との混合物として、本実施形態の混合物を得ることができる。
（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計が９０質量％以上である混合物の製造方法
（１）、（２）、及び（４’）を含み、（１）、（２）、及び（４’）の合計が９０質量％以上である混合物の製造方法としては、例えば、
（１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物と、重合性化合物とを混合する工程と、
重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法、並びに、
（１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物と、溶媒に溶解している重合体とを混合する工程と、
溶媒を除去する工程と、を含む製造方法が挙げられる。
前記製造方法に含まれる、混合する工程には、既に説明した、（１）、（２）及び（４）を含む混合物の製造方法と同様の混合方法を用いることができる。
前記製造方法は、例えば、
（ｃ１−１） 重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合する工程と、重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｃ１−２） 溶媒に溶解している重合体に、（１）ペロブスカイト化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｃ２−１） 重合性化合物に、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）ペロブスカイト化合物とを混合する工程と、重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｃ２−２） 溶媒に溶解している重合体に、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）ペロブスカイト化合物とを混合する工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｃ３−１） 重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物の混合物を分散させる工程と、重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｃ３−２） 溶媒に溶解している重合体に、（１）ペロブスカイト化合物及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物の混合物を分散させる工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法であってもよく、
（ｃ４−１） （１）ペロブスカイト化合物、及び（３）溶媒を混合し、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体を得る工程と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（３）溶媒を混合し、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む分散体を得る工程と、（４）重合性化合物、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体、及び（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物を含む分散体を混合する工程と、溶媒を除去する工程とを含む製造方法でもあってよく、
（ｃ４−２） （１）ペロブスカイト化合物、及び（３）溶媒を混合し、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体を得る工程と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、及び（３）溶媒を混合し、（２）インジウム化合物を含む分散体を得る工程と、溶媒に溶解している重合体、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散体、及び（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物を含む分散体を混合する工程と、重合性化合物を重合させる工程とを含む製造方法でもあってよい。
前記製造方法に含まれる、溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥や加熱によって溶媒を蒸発させる工程であってもよい。
例えば、０〜３００℃で、１分間〜７日間乾燥させることで、溶媒を除去することができる。
前記製造方法に含まれる、重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることでおこなうことができる。
例えばラジカル重合の場合は、（１）ペロブスカイト化合物と、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物と、重合性化合物との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応が進行させることができる。
ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide等が挙げられる。
（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）、（５）、及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物の製造方法
（１）、（２）、（５）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）、（５）、及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物の製造方法は、例えば、（５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物、を添加する以外は、既に説明した、（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物の製造方法と同様の方法とすることができる。
（５）は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよく、上述の（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加してもよい。
（５）は、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を高める観点から、（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で添加することが好ましい。
＜＜ペロブスカイト化合物の構成成分の濃度測定とそれに基づくペロブスカイト化合物の濃度＞＞
本発明の混合物の総質量に対するペロブスカイト化合物の構成成分の濃度（μｇ／ｇ）は、誘導結合プラズマ質量分析計ＩＣＰ−ＭＳ（例えば、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ）を用いてＰｂ、及びＣｓ等のＡ成分及びＢ成分を測定し、イオンクロマトグラフ（例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いて、Ｂｒ等のＸ成分を測定する。ペロブスカイト化合物の濃度は、上述の各構成成分の合計量から求める。
それぞれの測定は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の良溶媒とペロブスカイト化合物との溶液を用いて行う。
＜＜インジウム化合物、又はカドミウム化合物の構成元素の濃度測定とそれに基づくインジウム化合物、又はカドミウム化合物の濃度＞＞
本発明に係る混合物に含まれるインジウム化合物、又はカドミウム化合物の構成元素の濃度（μｇ／ｇ）は、ＩＣＰ−ＡＥＳ（例えば、ＩＲＩＳ ＡＤＶＡＮＴＡＧＥ／日本ジャーレル・アッシュ製）を用いてＣｄ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｐ、及びＺｎ等を測定し、及びＩＣＰ−ＡＥＳ（例えば、ＩＣＰＳ−８１００／島津製作所製）を用いて、Ｓ等を測定する。インジウム化合物、又はカドミウム化合物の濃度は、上述の各構成元素の合計量から求める。
≪発光スペクトルの測定≫
本発明に係る混合物の発光スペクトルは、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。
＜積層構造体の製造方法＞
積層構造体の製造方法としては、例えば、
（ｉ） （１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、並びに（３）溶媒、及び（４’）重合体を混合する工程と、
得られた混合物を基板に塗工する工程と、
溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法であってもよく、
（ｉｉ） （１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又はカドミウム化合物、並びに溶媒に溶解している重合体を混合する工程と、
得られた混合物を基板上に塗工する工程と、
溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法であってもよく、
（ｉｉｉ） （１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物を、基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法であってもよく、
（１）ペロブスカイト化合物
（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物
（４’）重合体
（ｉｖ） （１）ペロブスカイト化合物、（２）インジウム化合物、又は、カドミウム化合物、並びに、重合性化合物を混合する工程と、
得られた混合物を基板上に塗工する工程と、
重合性化合物を重合させる工程とを含む製造方法であってもよい。
（ｉ）の製造方法に含まれる、混合する工程、及び、溶媒を除去する工程、
（ｉｉ）の製造方法に含まれる、混合する工程、及び、溶媒を除去する工程、
（ｉｖ）の製造方法に含まれる、混合する工程、及び、重合性化合物を重合させる工程は、
それぞれ、既に説明した、（１）、（２）、及び（４’）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物の製造方法
に含まれる工程と同様の工程とすることができる。
（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｖ）の製造方法に含まれる、基板上に塗工する工程は、特に制限はないが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法等の、公知の塗布方法を用いることができる。
（ｉｉｉ）の製造方法に含まれる、基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いる事ができる。
接着剤は、（１）、及び（２）の化合物を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
積層構造体の製造方法は、（ｉ）〜（ｉｖ）で得られた積層構造体に、さらに、任意のフィルムを張り合わせる工程を含む製造方法であってもよい。
張り合わせるフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。
フィルムを張り合わせる工程では任意の接着剤を用いる事ができる。
上述の接着剤は、（１）、及び（２）の化合物を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
＜発光装置の製造方法＞
例えば、前述の光源と、光源から後段の光路上に前述の混合物、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。
なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明の実施形態をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。以下において、実施例１〜７，１２〜１５は参考例１〜７，１２〜１５とする。
［実施例１］
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛（ＰｂＢｒ２）０．２７６ｇを１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加した。１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、分散液を得た。
次いで、分散液を、１００００ｒｐｍ、５分間の遠心分離により分離させ、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ１）を得た。
ペロブスカイト化合物（Ｐ１）のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に(ｈｋｌ)＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭ（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）で観察したペロブスカイト化合物（Ｐ１）の平均のフェレー径（平均粒子径）は１１ｎｍであった。
得られたペロブスカイト化合物（Ｐ１）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液２５μＬを分取して、トルエン２．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した発光スペクトルの発光ピークは５２３ｎｍであった。
次いで、ＩｎＰ／ＺｎＳの分散液（アルドリッチ社：７７６７８５−５ＭＬ）０．５ｍＬをトルエン２ｍＬに分散させて、インジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。 ＩｎＰ／ＺｎＳは、ＺｎＳで被覆されているＩｎＰの量子ドットを意味する（以下、同様である）。
ＩＣＰ−ＭＳによって測定したＩｎＰ／ＺｎＳの濃度は、ＩｎＰ換算で１１０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＩｎＰ／ＺｎＳ換算で６９０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した発光スペクトルの発光ピークは６４９ｎｍであった。
さらに、ペロブスカイト化合物を含む分散液０．２ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合した溶液を調製し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝２９の混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２０ｎｍ、及び６４８ｎｍであった。
［実施例２］
ペロブスカイト化合物を含む分散液０．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比をＩｎ／Ｐｂ＝１２とした以外は、実施例１と同様の方法で混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２０ｎｍ、及び６４８ｎｍであった。
［実施例３］
ペロブスカイト化合物を含む分散液１ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比をＩｎ／Ｐｂ＝５．８とした以外は、実施例１と同様の方法で混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２０ｎｍ、及び６４６ｎｍであった。
［実施例４］
実施例１と同様の方法で、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ１）を得た。
得られたペロブスカイト化合物（Ｐ１）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５０μＬを分取して、トルエン５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物を含む分散液を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは５２３ｎｍであった。
次いで、ＩｎＰ／ＺｎＳの分散液（アルドリッチ社：７７６７８５−５ＭＬ）を用意し、インジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液とした。ＩＣＰ−ＭＳによって測定したＩｎＰ／ＺｎＳの濃度は、ＩｎＰ換算で５４０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＩｎＰ／ＺｎＳ換算で３４００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは６４９ｎｍであった。
さらに、ペロブスカイト化合物を含む分散液５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液１０μＬとを混合した溶液を調製し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝０．０２３の混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２３ｎｍ、及び６４２ｎｍであった。
［実施例５］
ペロブスカイト化合物を含む分散液５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液３０μＬとを混合し、モル比をＩｎ／Ｐｂ＝０．０７０とした以外は実施例４と同様の方法で混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２３ｎｍ、及び６４３ｎｍであった。
［実施例６］
炭酸セシウム０．８１４ｇと１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。マグネチックスターラーで攪拌して、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して炭酸セシウム溶液を調製した。
臭化鉛（ＰｂＢｒ２）０．１１０ｇ、及びヨウ化鉛（ＰｂＩ２）０．２０８ｇを１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬと混合した。マグネチックスターラーで攪拌して窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加した。１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで降温し、分散液を得た。
次いで、分散液を１００００ｒｐｍ、５分間の遠心分離により分離させ、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ２）を得た。
ペロブスカイト化合物（Ｐ２）のＸ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、Ｃｕ Ｋα線、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、２θ＝１４°の位置に(ｈｋｌ)＝（００１）由来のピークを有しており、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有していることを確認した。
ＴＥＭ（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）で観察したペロブスカイト化合物（Ｐ２）の平均のフェレー径（平均粒子径）は１９ｎｍであった。
ペロブスカイト化合物（Ｐ２）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液２５μＬを分取して、トルエン２．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した発光スペクトルの発光ピークは６３８ｎｍであった。
次いで、ＩｎＰ／ＺｎＳの分散液（アルドリッチ社：７７６７５０−５ＭＬ）０．５ｍＬをトルエン２ｍＬに分散させて、インジウム化合物（Ｉ２）を含む分散液を得た。
ＩＣＰ−ＭＳによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、ＩｎＰ換算で１４０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＩｎＰ／ＺｎＳ換算で８４０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは５３０ｎｍであった。
さらに、ペロブスカイト化合物を含む分散液０．２ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合した溶液を調製し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝６６の混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２９ｎｍ、及び６３５ｎｍであった。
［実施例７］
ペロブスカイト化合物を含む分散液０．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比をＩｎ／Ｐｂ＝２６とした以外は実施例６と同様の方法で混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ発光ピークは５２９ｎｍ、及び６３２ｎｍであった。
［実施例８］
実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
さらに、重合体が溶解した溶液０．９１３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液１ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝５．８となるようにした。
溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した混合物を得た。混合物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５２３ｎｍ、及び６５０ｎｍであった。
［実施例９］
実施例６と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ２）を含む分散液を得た。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
さらに、重合体が溶解した溶液０．９１３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液０．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝２６となるようにした。
溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物が樹脂中に分散した混合物を得た。混合物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが２本存在し、それぞれ５３１ｎｍ、及び６４１ｎｍであった。
［実施例１０］
実施例１と同様の方法で、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ１）を得た。
得られたペロブスカイト化合物（Ｐ１）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５０μＬを分取して、トルエン５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物を含む分散液を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは５２３ｎｍであった。
次いで、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ（アルドリッチ社：７９０２０６−２５ＭＧ）を用意し、トルエンに分散させることでカドミウム化合物（Ｃ１）を含む分散液とした。
ＩＣＰ−ＡＥＳによって測定したＣｄＳｅ／ＺｎＳの濃度は、ＣｄＳｅ換算で６８０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ換算で８８０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは６３０ｎｍであった。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
さらに、重合体が溶解した溶液０．９１３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液１．５ｍＬと、カドミウム化合物を含む分散液１．５ｍＬとを混合し、モル比がＣｄ／Ｐｂ＝３．９となるようにした。
溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、カドミウム化合物とが樹脂中に分散した混合物を得た。混合物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６３１ｎｍであった。
［実施例１１］
実施例６と同様の方法で、沈殿物としてペロブスカイト化合物（Ｐ２）を得た。
得られたペロブスカイト化合物（Ｐ２）をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５０μＬを分取して、トルエン５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物を含む分散液を得た。
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは６３８ｎｍであった。
次いで、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ（アルドリッチ社：７４８０５６−２５ＭＧ）を用意し、トルエンに分散させることでカドミウム化合物（Ｃ２）を含む分散液とした。
ＩＣＰ−ＡＥＳによって測定したＣｄＳｅ／ＺｎＳの濃度は、ＣｄＳｅ換算で４４０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ換算で８７０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークは５６６ｎｍであった。
次いで、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ、住友化学社製、スミペックス・メタクリル樹脂、ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）が１６．５質量％となるようにトルエンと混合した後、６０℃、３時間加熱して、重合体が溶解した溶液を得た。
さらに、重合体が溶解した溶液０．９１３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液１．５ｍＬと、カドミウム化合物を含む分散液１．５ｍＬとを混合し、モル比がＣｄ／Ｐｂ＝３．１となるようにした。
溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、カドミウム化合物とが樹脂中に分散した混合物を得た。混合物は１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５６４ｎｍ、及び６３０ｎｍであった。
［実施例１２］
実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
次いで、シクロオレフィンポリマー樹脂（以下、ＣＯＰともいう。）が２０質量％となるようにシクロヘキサンに溶解した重合体が溶解した溶液を用意した。
さらに、重合体が溶解した溶液０．７５ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝２．３となるようにした。
溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した組成物を得た。組成物は１００μｍ×１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６４８ｎｍであった。
［実施例１３］
実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
次いで、ＣＯＰが２０質量％となるようにシクロヘキサンに溶解した重合体が溶解した溶液を用意した。
さらに、重合体が溶解した溶液０．７５ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝４．６となるようにした。
溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した組成物を得た。組成物は１００μｍ×１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６６８ｎｍであった。
［実施例１４］
実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
次いで、シリコーン樹脂が溶解している重合体が溶解した溶液を用意した（KR255：信越化学工業社製, トルエン溶媒, 50ｗｔ％）
さらに、重合体が溶解した溶液０．３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液２．５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝２．３となるようにした。
溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した組成物を得た。組成物は１００μｍ×１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６５１ｎｍであった。
［実施例１５］
実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液、及びインジウム化合物（Ｉ１）を含む分散液を得た。
次いで、シリコーン樹脂が溶解している重合体が溶解した溶液を用意した（KR255：信越化学工業社製, トルエン溶媒, 50ｗｔ％）。
さらに、重合体が溶解した溶液０．３ｇと、ペロブスカイト化合物を含む分散液２．５ｍＬと、インジウム化合物を含む分散液５ｍＬとを混合し、モル比がＩｎ／Ｐｂ＝４．６となるようにした。
溶媒を自然乾燥で蒸発させることで、ペロブスカイト化合物と、インジウム化合物とが樹脂中に分散した組成物を得た。組成物は１００μｍ×１ｃｍ×１ｃｍのサイズに切断した。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光スペクトルにおいては、発光ピークが２本存在し、それぞれ５１７ｎｍ、及び６６２ｎｍであった。
［比較例１］
実施例１と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液を得た。
実施例４と同様の方法で、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液を得た。
次いで、上述のペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液２．５ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液０．２ｍＬとを混合した溶液を調製した。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、５２９ｎｍであった。
［比較例２］
ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液２．５ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液０．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、５３０ｎｍであった。
［比較例３］
ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液１．５ｍＬと、ペロブスカイト化合物を含む分散液（Ｐ２）１．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、５７０ｎｍであった。
［比較例４］
ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液１．０ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液２．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、５８２ｎｍであった。
［比較例５］
ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液０．５ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液２．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、６０３ｎｍであった。
［比較例６］
ペロブスカイト化合物（Ｐ１）を含む分散液０．２ｍＬと、ペロブスカイト化合物（Ｐ２）を含む分散液２．５ｍＬとを混合した以外は、比較例１と同様の方法で混合物を得た。
絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて発光スペクトルを測定した。発光ピークが１本存在し、６３７ｎｍであった。
（ペロブスカイト化合物の濃度測定）
実施例及び比較例で得られた分散液、又は混合物におけるペロブスカイト化合物の濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを添加することでペロブスカイト化合物を溶解させた後、ＩＣＰ−ＭＳ（ＥＬＡＮ ＤＲＣＩＩ、パーキンエルマー製）、及びイオンクロマトグラフを用いて測定した。
（インジウム化合物の濃度測定）
実施例で得られた分散液、又は混合物におけるインジウム化合物の濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたインジウム化合物を、ＩＣＰ−ＡＥＳ（ＩＲＩＳ ＡＤＶＡＮＴＡＧＥ／日本ジャーレル・アッシュ製、及びＩＣＰＳ−８１００／島津製作所製）を用いて測定した。
（カドミウム化合物の濃度測定）
実施例で得られた分散液、又は混合物におけるカドミウム化合物の濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたカドミウム化合物を、ＩＣＰ−ＡＥＳ（ＩＲＩＳ ＡＤＶＡＮＴＡＧＥ／日本ジャーレル・アッシュ製、及びＩＣＰＳ−８１００／島津製作所製）を用いて測定した。
（発光スペクトル測定）
実施例１〜１５、及び比較例１〜６で得られた混合物の発光スペクトルを、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、商品名Ｃ９９２０−０２、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下）を用いて測定した。
以下の表１に、実施例１〜９、比較例１〜６の混合物の構成と、発光ピーク（ｎｍ）を記載する。表１中、「インジウム／Ｐｂ」は、インジウム元素の量をＰｂイオン（ペロブスカイト化合物のＢ成分）の量で除したモル比を表す。
図３に、実施例１〜３の結果を、図４に実施例６〜７の結果を、図５に比較例１〜６の結果を示す。
Figure 0006600759
以下の表２に、実施例１０及び１１の混合物の構成と、発光ピーク（ｎｍ）を記載する。表２中、「カドミウム／Ｐｂ」は、カドミウム元素の量をＰｂイオン（ペロブスカイト化合物のＢ成分）の量で除したモル比を表す。
Figure 0006600759
以下の表３に、実施例１２〜１５の混合物の構成と、発光ピーク（ｎｍ）を記載する。表３中、「インジウム／Ｐｂ」は、インジウム元素の量をＰｂイオン（ペロブスカイト化合物のＢ成分）の量で除したモル比を表す。
Figure 0006600759
上記の結果から、本発明を適用した実施例１〜１５に係る混合物は、本発明を適用しない比較例１〜６の混合物と比して、２つの発光ピークを有していることが確認できた。
［参考例１］
実施例８〜１５に記載の混合物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例２］
実施例８〜１５に記載の混合物をシート化する事で樹脂混合物を得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例３］
実施例８〜１５に記載の混合物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例４］
実施例１〜７に記載の混合物とレジストとを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例５］
実施例１〜７に記載の混合物とＺｎＳなどの導電性粒子とを混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の半導体微粒子中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。
［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１〜１５に記載の混合物を積層し、必要に応じて溶媒を除去した後にその上から２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。
［参考例７］
実施例１〜７に記載の混合物と樹脂とを混合した後に、溶媒を除去して成形する事で本発明に係る混合物を含む樹脂混合物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから前記樹脂成形体に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
［参考例８］
実施例８〜１５に記載の混合物を青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから前記樹脂成形体に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
本発明によれば、２種類の発光ピークを有し、生産性の高い、ペロブスカイト化合物を含む混合物、前記混合物からなるフィルム、前記混合物を含む積層構造体、及び前記混合物を用いたディスプレイを提供することが可能となる。
したがって、本発明の混合物、前記混合物からなるフィルム、前記混合物を含む積層構造体、及び前記混合物を用いたディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。
１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims (7)

  1. （１）、（２）、（４）及び（５）を含む混合物。
    （１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
    （Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
    Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
    Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
    （２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
    （４）アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、又はアクリル系樹脂
    （５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
  2. さらに、（３）を含む、請求項１に記載の混合物。
    （３）溶媒
  3. （１）、（２）、（４’）及び（５）を含む混合物であって、（１）、（２）及び（４’）の合計含有割合が前記混合物の総質量に対して９０質量％以上である混合物。
    （１）Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とする、発光性を有するペロブスカイト化合物
    （Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
    Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる１種以上の陰イオンである。
    Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造においてＡを頂点に配置する６面体及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
    （２）発光性を有するインジウム化合物、又は発光性を有するカドミウム化合物
    （４’）アクリル系樹脂
    （５）アンモニア、アミン、及びカルボン酸、並びにこれらの塩又はイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物
  4. 請求項３に記載の混合物からなるフィルム。
  5. 請求項４に記載のフィルムを含む積層構造体。
  6. 請求項５に記載の積層構造体を備える発光装置。
  7. 請求項５に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
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