JP7470532B2 - 化合物、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、ディスプレイ及び化合物の製造方法 - Google Patents

化合物、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、ディスプレイ及び化合物の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、化合物、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置、ディスプレイ及び化合物の製造方法に関する。
発光材料として、発光性の半導体化合物が注目されている。色純度の高い発光材料を製造するため、発光性の半導体化合物は、その発光スペクトルの半値幅がより狭く急峻な発光ピークとなることが求められている。
Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１６， ２８， ｐ．１００８８－１００９４
上述の発光性の半導体化合物として、例えば、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物が報告されている（非特許文献１）。しかしながら、非特許文献１に記載のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物は、発光スペクトルの半値幅が広く、色純度の向上が期待できるものではない。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、発光スペクトルの半値幅が狭い、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物、前記化合物を含む組成物、前記組成物を形成材料とするフィルム、前記フィルムを含む積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置、ディスプレイ、及び化合物の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意検討した結果、以下の本発明に至った。
本発明は下記の［１］～［１０］を包含する。
［１］ Ｘ線回折パターンにおいて、面のミラー指数（００１）のピークの半値幅が０．１０以上、０．６０未満であり、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分であって、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
［２］ 請求項１に記載の化合物と、下記（２－１）、下記（２－１）の改質体、下記（２－２）及び下記（２－２）の改質体からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物と、を含む組成物。
（２－１）シラザン
（２－２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物
［３］ ［１］に記載の化合物と、下記（３）、下記（４）及び下記（５）からなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含む組成物。
（３）溶媒
（４）重合性化合物
（５）重合体
［４］ 更に、下記（３）、下記（４）及び下記（５）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む［２］に記載の組成物。
（３）溶媒
（４）重合性化合物
（５）重合体
［５］ ［１］に記載の化合物を含むフィルム。
［６］ ［２］～［４］のいずれか一項に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
［７］ ［５］又は［６］に記載のフィルムを含む積層構造体。
［８］ ［７］に記載の積層構造体を備える発光装置。
［９］ ［７］に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
［１０］ 金属元素Ｍの単体及び金属元素Ｍを含む化合物のいずれか一方又は両方を含有する原料と水とを混合する工程と、前記水の存在下で前記原料を反応させる工程と、を含む半導体化合物の製造方法であって、前記原料に含まれる金属元素Ｍの質量ＷＭに対する、前記水の質量ＷＷの比である（ＷＷ／ＷＭ）が０．０５～１００である、Ｘ線回折パターンにおいて、面のミラー指数（００１）のピークの半値幅が０．１０以上、０．６０未満である金属元素Ｍを含む半導体化合物の製造方法。
本発明によれば、発光スペクトルの半値幅が狭い、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物、前記化合物を含む組成物、前記組成物を形成材料とするフィルム、前記フィルムを含む積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することができる。
また、本発明によれば、発光スペクトルの半値幅が狭い、化合物の製造方法を提供することができる。
本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。
以下、実施形態を示して本発明を詳細に説明する。
＜ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物＞
本実施形態の化合物はＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物（以下、「ペロブスカイト化合物」、「（１）ペロブスカイト化合物」、又は単に「（１）」ともいう。）である。
Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。ＢはＸの八面体配位をとることができる金属カチオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分であって、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物の構造としては、３次元構造、２次元構造、疑似２次元（ｑｕａｓｉ－２Ｄ）構造のいずれの構造であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される。
ここで、δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、－０．７以上０．７以下である。例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、ペロブスカイト化合物が電気的に中性となるようにδを選択することができる。ペロブスカイト化合物が電気的に中性とは、ペロブスカイト化合物の電荷が０であることを意味する。
ペロブスカイト化合物は、Ｂを中心とし、頂点をＸとする八面体を含む。八面体は、ＢＸ６で表される。
ペロブスカイト化合物が３次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する１つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで、３次元ネットワークを構成する。
ペロブスカイト化合物が２次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する２つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで八面体の稜線を共有し、２次元的に連なった層を構成する。ペロブスカイト化合物では、２次元的に連なったＢＸ６からなる層と、Ａからなる層と、が交互に積層された構造を有する。
本明細書において、ペロブスカイト化合物の結晶構造は、Ｘ線回折（以下、ＸＲＤともいう）パターンにより確認することができる。更に、複数のペロブスカイト化合物で構成されるペロブスカイト化合物の混合物中のペロブスカイト化合物それぞれの結晶分布もまたＸＲＤにより確認することができる。
ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、ペロブスカイト化合物の面のミラー指数（ｈｋｌ）は、２θ＝１２～１８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される。又は２θ＝１８～２５°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認される。
ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、ペロブスカイト化合物の面のミラー指数（ｈｋｌ）は、２θ＝１３～１６°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される、又は２θ＝２０～２３°の位置に、（ｈｋｌ）＝（１１０）に由来するピークが確認されることが好ましい。
ペロブスカイト化合物が２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、ペロブスカイト化合物の面のミラー指数（ｈｋｌ）は、２θ＝１～１０°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認される。また、２θ＝２～８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００２）由来のピークが確認されることが好ましい。
ペロブスカイト化合物は、３次元構造を有することが好ましい。
ＸＲＤによって測定したＸ線回折パターンにおいて、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物の（ｈｋｌ）＝（００１）のピークの半値幅は０．１０（ｄｅｇ）以上、０．６０（ｄｅｇ）未満である。前記半値幅は、０．１５（ｄｅｇ）以上、０．５０（ｄｅｇ）以下が好ましく、０．２０（ｄｅｇ）以上、０．３０（ｄｅｇ）以下がより好ましく、０．２０（ｄｅｇ）以上、０．２５（ｄｅｇ）以下がさらに好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物の（ｈｋｌ）＝（００１）のピークの半値幅が０．１５以上であると、ペロブスカイト化合物の結晶が安定的に形成される。また、前記ピークの半値幅が０．２０以上であると、上記効果に加え、励起光の吸収率が向上する。
（１）ペロブスカイト化合物の（ｈｋｌ）＝（００１）のピークの半値幅が０．６０未満であると、発光波長の半値幅が狭くなる。
（１）ペロブスカイト化合物の（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅は、ＸＲＤパターン（ＣｕＫα線）より、統合粉末Ｘ線解析ソフトウェア ＰＤＸＬ（リガク社製）を用いて算出することができる。
本実施形態のペロブスカイト化合物及び後述の製造方法で製造される半導体化合物の（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅は、具体的には、以下のようにして確認することが出来る。
本実施形態のペロブスカイト化合物又は後述の製造方法で製造される半導体化合物を含む分散液組成物を洗浄した無反射板に０．０５ｍＬ滴下し、自然乾燥させる。ＣｕＫαを線源とし、かつ回折角２θの測定範囲を５°以上６０°以下とする粉末Ｘ線回折測定を行い、（ｈｋｌ）＝（００１）に対応するピークを決定する。さらに、上述の解析ソフトを用いて、決定した（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅を算出する。
（構成成分Ａ）
ペロブスカイト化合物を構成するＡは、１価の陽イオンである。Ａとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。
（有機アンモニウムイオン）
Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。
Figure 0007470532000001
式（Ａ３）中、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ６～Ｒ９は、少なくとも１つがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ６～Ｒ９の全てが同時に水素原子となることはない。
Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１～２０であり、１～４であることが好ましく、１～３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ６～Ｒ９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３～３０であり、３～１１であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ６～Ｒ９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
ペロブスカイト化合物が、Ａとして上記式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンを含む場合、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数は少ないとよい。また、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数は小さいとよい。これにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６～Ｒ９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子の合計数は１～４であることが好ましい。また、式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６～Ｒ９のうちの１つが炭素原子数１～３のアルキル基であり、Ｒ６～Ｒ９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。
Ｒ６～Ｒ９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒ６～Ｒ９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられる。一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。
Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ３ＮＨ３ ＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ２Ｈ５ＮＨ３ ＋（エチルアンモニウムイオンともいう。）又はＣ３Ｈ７ＮＨ３ ＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、メチルアンモニウムイオン又はエチルアンモニウムイオンであることより好ましく、メチルアンモニウムイオンであることがさらに好ましい。
（アミジニウムイオン）
Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ１０Ｒ１１Ｎ＝ＣＨ－ＮＲ１２Ｒ１３）＋・・・（Ａ４）
式（Ａ４）中、Ｒ１０～Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。
Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１～２０であり、１～４であることが好ましく、１～３であることがより好ましい。
Ｒ１０～Ｒ１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。
Ｒ１０～Ｒ１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３～３０であり、３～１１であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１０～Ｒ１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９において例示したアルキル基と同じ基が挙げられる。
Ｒ１０～Ｒ１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基と同じ基が挙げられる。
Ｒ１０～Ｒ１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。
式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
アミジニウムイオンにおいて、Ｒ１０～Ｒ１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子の合計数は１～４であることが好ましく、Ｒ１０が炭素原子数１のアルキル基であり、Ｒ１１～Ｒ１３が水素原子であることがさらに好ましい。
ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は３次元構造を有する。
ペロブスカイト化合物において、Ａが炭素原子数４以上の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数４以上のアミジニウムイオンである場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造及び擬似２次元（ｑｕａｓｉ－２Ｄ）構造のいずれか一方又は両方を有する。この場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造又は疑似２次元構造を、結晶の一部又は全体に有することができる。
２次元のペロブスカイト型結晶構造が複数積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．ＰＢｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８－９０７など）。
ペロブスカイト化合物中のＡは、セシウムイオン、又はアミジニウムイオンが好ましいく、アミジニウムイオンがより好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物において、Ａを１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（構成成分Ｂ）
ペロブスカイト化合物を構成するＢは、１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛イオン、スズイオン、アンチモンイオン、ビスマスイオン、及びインジウムイオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましく、鉛イオン又はスズイオンがさらに好ましく、鉛イオンが特に好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物において、Ｂを１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（構成成分Ｘ）
ペロブスカイト化合物を構成するＸは、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンであってよい。
ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオンを挙げることができる。Ｘは、臭化物イオンであることが好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物において、Ｘを１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンを含む場合、ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。
Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができる。
Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
また、Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０～７００ｎｍであり、５００～６００ｎｍであることが好ましく、５２０～５８０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
また、Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０～８００ｎｍであり、５３０～７５０ｎｍであることが好ましく、５４０～７３０ｎｍであることがより好ましい。
Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
また、Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００～６００ｎｍであり、３１０～５８０ｎｍであることが好ましく、３３０～５５０ｎｍであることがより好ましい。
（３次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
ＡＢＸ（３＋δ）で表される３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＢｒ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＣｌ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＩ３を挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＳｒａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＢａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＤｙａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，－０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（３＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（３－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
上述した３次元構造のペロブスカイト化合物の中でも、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ（３－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がより好ましく、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がさらに好ましい。
（２次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＣｌ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＣｌ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）を挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、－０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（４－ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＺｎａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｇａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＣｏａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１－ａ）ＭｎａＢｒ（４－ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
＜（１）ペロブスカイト化合物の粒径＞
（１）ペロブスカイト化合物の平均粒径は、１３．５ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下であることが好ましい。
分散液中において（１）ペロブスカイト化合物が安定的に分散できる観点から、（１）ペロブスカイト化合物の平均粒径は１５．０ｎｍ以上であることが好ましく、１７．０ｎｍ以上であることがより好ましく、１８．０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、発光強度が高い（１）ペロブスカイト化合物を得る観点から、（１）ペロブスカイト化合物の平均粒径は８０．０ｎｍ以下であることが好ましく、２５．０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２．０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本明細書において、（１）ペロブスカイト化合物の平均粒径は、例えば透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう。）、又は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう。）により測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、無作為に選んだ３０個以上の（１）ペロブスカイト化合物の立方体もしくは直方体形状をした粒子の最も長い辺の長さを測定し、測定値の算術平均値を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を観察する方法としては、例えば、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散液組成物をＳＥＭ、又はＴＥＭなどを用いて観察する方法が挙げられる。さらに、ＳＥＭ、またはＴＥＭを用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）測定によって、詳細な元素分布を解析することができる。空間分解能が高い観点から、ＴＥＭで観察する方法が好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物をＴＥＭで観察する方法としては、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散液組成物をＴＥＭ専用の支持膜付きグリッドにキャストし、自然乾燥させたものを用いる方法が挙げられる。
（１）ペロブスカイト化合物の平均粒径を解析する方法としては、ＴＥＭ像をコンピュータに取り込み、画像解析ソフトを用いて解析する方法が挙げられる。
まず、前記ＴＥＭ像をコンピュータに取り込み、画像解析ソフトを用いて二値化処理を行う。（１）ペロブスカイト化合物を黒色とし、それ以外を白色として変換した二値化処理済み画像を得る。このとき、ＴＥＭ－ＥＤＸ測定で得られた元素マッピング像と比較し、（１）ペロブスカイト化合物に由来する成分が検出されている部分が黒色に変換されていることを確認する。齟齬が見られた場合は、二値化処理を行う閾値の調整を行う。前記二値化処理済み画像について、画像解析ソフトを用いて、（１）ペロブスカイト化合物の平均粒径を測定する。画像解析ソフトは、Ｉｍａｇｅ ＪやＰｈｏｔｏｓｈｏｐ等を適宜選択することができる。
本実施形態の他の態様においては、（１）ペロブスカイト化合物は、前記ペロブスカイト結晶構造をもつ化合物が複数集まったペロブスカイト混合物である。前記ペロブスカイト混合物は、１種または２種以上のペロブスカイト結晶構造をもつ化合物で構成されている。よって、前記ペロブスカイト混合物は、１種または２種以上の１価の構成成分Ａである陽イオン、構成成分Ｂである金属イオン、及び構成成分Ｘである陰イオンで構成されている。
＜組成物１＞
本実施形態の組成物１は、上述の（１）ペロブスカイト化合物と、下記（２－１）、下記（２－１）の改質体、下記（２－２）及び下記（２－２）の改質体からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物とを含む。
（２－１）シラザン
（２－２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物
本明細書においては、前記（２－１）、前記（２－１）の改質体、前記（２－２）及び前記（２－２）の改質体からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物を「（２）表面保護剤」と総称することがある。
本実施形態の組成物１は、上述の（１）ペロブスカイト化合物と、前記（２－１）及び前記（２－１）の改質体からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物と、を含むことが好ましい。
本実施形態の組成物１は、更に下記（３）、下記（４）及び下記（５）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含んでいてもよい。
（３）溶媒
（４）重合性化合物
（５）重合体
＜組成物２＞
本実施形態の組成物２は、上述の（１）ペロブスカイト化合物と、前記（３）、前記（４）及び前記（５）からなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含む。
以下の説明においては、（３）溶媒、（４）重合性化合物、（５）重合体を「分散媒」と総称することがある。本実施形態の組成物１及び組成物２において（１）ペロブスカイト化合物は、これらの分散媒に分散していてもよい。
本明細書において「分散している」とは、（１）ペロブスカイト化合物が分散媒に浮遊している状態、又は（１）ペロブスカイト化合物が分散媒に懸濁している状態のことを指す。（１）ペロブスカイト化合物が分散媒に分散している場合、（１）ペロブスカイト化合物の一部は沈降していてもよい。
本実施形態の組成物１及び組成物２は、さらに下記（６）を含んでいてもよい。なお、下記（６）の詳細については後述する。
（６）表面修飾剤
本実施形態の組成物１及び組成物２は、前記（１）～前記（６）以外のその他の成分を有していてもよい。例えば、本実施形態の組成物は、本発明の効果が損なわれない程度の若干の不純物、（１）ペロブスカイト化合物を構成する元素からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤をさらに含んでいてもよい。
以下、本実施形態の組成物に含まれる前記（２）～前記（６）について説明を行う。
＜（２）表面保護剤＞
本実施形態の組成物１は（１）ペロブスカイト化合物の（２）表面保護剤として、（２－１）シラザン、前記（２－１）の改質体、（２－２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物、及び前記（２－２）の改質体からからなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物を含む。
本実施形態の組成物１は、（２）表面保護剤が（１）ペロブスカイト化合物の表面を覆うことによって、量子収率の向上、発光波長を短波長化するという効果が得られる。
＜（２－１）シラザン＞
（２－１）シラザンは、Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ結合を有する化合物である。シラザンは、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。
シラザンは、低分子シラザンであっても、高分子シラザンであってもよい。本明細書では、高分子シラザンをポリシラザンと記載することがある。
本明細書において「低分子」とは、数平均分子量が６００未満であることを意味する。また、本明細書において「高分子」とは、数平均分子量が６００以上２００００以下であることを意味する。
本明細書において「数平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
（２－１－１．低分子シラザン）
低分子シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ１）で表されるジシラザンであることが好ましい。
Figure 0007470532000002
式（Ｂ１）中、Ｒ１４及びＲ１５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルケニル基、炭素原子数３～２０のシクロアルキル基、炭素原子数６～２０のアリール基、又は炭素原子数１～２０のアルキルシリル基を表す。
Ｒ１４及びＲ１５は、アミノ基などの置換基を有していてもよい。複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
式（Ｂ１）で表される低分子シラザンとしては、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシラザン、１，３－ジフェニルテトラメチルジシラザン、及び１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。
（２－１－２．低分子シラザン）
低分子シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ２）で表される低分子シラザンも好ましい。
Figure 0007470532000003
式（Ｂ２）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
式（Ｂ２）中、ｎ１は１以上２０以下の整数を表す。ｎ１は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
式（Ｂ２）で表される低分子シラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、２，２，４，４，６，６－ヘキサメチルシクロトリシラザン、及び２，４，６－トリメチル－２，４，６－トリビニルシクロトリシラザンが挙げられる。
低分子のシラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、及び１，３－ジフェニルテトラメチルジシラザンが好ましく、オクタメチルシクロテトラシラザンがより好ましい。
（２－１－３．高分子シラザン）
高分子シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ３）で表される高分子シラザン（ポリシラザン）が好ましい。
ポリシラザンは、Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ結合を有する高分子化合物である。式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位は、一種であっても、複数種であってもよい。
Figure 0007470532000004
式（Ｂ３）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。
式（Ｂ３）中、＊は、結合手を表す。分子鎖末端のＮ原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。
分子鎖末端のＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ｍは、２以上１００００以下の整数を表す。
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、Ｒ１４、及びＲ１５のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンでもよい。
また、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、少なくとも１つのＲ１５が水素原子以外の基であるオルガノポリシラザンであってもよい。用途に応じて、適宜にパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。
（１）の分散性を向上させ、凝集を抑制する効果が高まる観点から、本実施形態の組成物は、式（Ｂ３）で表されるオルガノポリシラザンを含むことが好ましい。
式（Ｂ３）で表されるオルガノポリシラザンとしては、Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルケニル基、炭素原子数３～２０のシクロアルキル基、炭素原子数６～２０のアリール基、又は炭素原子数１～２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。
その中でも、式（Ｂ３）で表され、Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基であるオルガノポリシラザンが好ましい。
（２－１－４．高分子シラザン）
高分子シラザンとしては、例えば、下記式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンも好ましい。
ポリシラザンは、分子内の一部に環構造を有していてもよく、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を有していてもよい。
Figure 0007470532000005
式（Ｂ４）中、＊は、結合手を表す。
式（Ｂ４）の結合手は、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、又は式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手と結合していてもよい。
また、ポリシラザンが、分子内に複数の式（Ｂ４）で表される構造を含む場合、式（Ｂ４）で表される構造の結合手は、他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手と直接結合していてもよい。
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＮ原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。
ｎ２は、１以上１００００以下の整数を表す。ｎ２は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
（１）の分散性を向上させ、凝集を抑制する効果が高まる観点から、本実施形態の組成物は、式（Ｂ４）で表される構造を有するオルガノポリシラザンを含むことが好ましい。
式（Ｂ４）で表される構造を有するオルガノポリシラザンとしては、少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、当該Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つが、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数１～２０のアルケニル基、炭素原子数３～２０のシクロアルキル基、炭素原子数６～２０のアリール基、又は炭素原子数１～２０のアルキルシリル基であるオルガノポリシラザンであってもよい。
その中でも、式（Ｂ４）で表される構造を含み、少なくとも１つの結合手がＲ１４又はＲ１５と結合し、当該Ｒ１４及びＲ１５の少なくとも１つがメチル基であるポリシラザンであることが好ましい。
一般的なポリシラザンは、例えば、直鎖構造と、６員環、又は８員環等の環構造とが存在した構造、すなわち前記式（Ｂ３）、前記式（Ｂ４）で表される構造を有する。一般的なポリシラザンの分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で６００～２００００程度（ポリスチレン換算）であり、分子量によって液体又は固体の物質でありうる。
ポリシラザンは、市販品を使用してもよく、市販品としては、ＮＮ１２０－１０、ＮＮ１２０－２０、ＮＡＸ１２０－２０、ＮＮ１１０、ＮＡＸ１２０、ＮＡＸ１１０、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）並びに、ＡＺＮＮ－１２０－２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標）１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１８００、及びＤｕｒａｚａｎｅ１０３３（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。
ポリシラザンは、好ましくはＡＺＮＮ－１２０－２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｒａｐｉｄ Ｃｕｒｅであり、より好ましくはＤｕｒａｚａｎｅ１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅである。
＜（２－１）シラザンの改質体＞
本明細書において「改質」とは、Ｓｉ－Ｎ結合、Ｓｉ－ＳＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）又はＳｉ－ＯＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）を有するケイ素化合物が加水分解し、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を有するケイ素化合物が生成することをいう。Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合は、分子間の縮合反応で生成してもよく、分子内の縮合反応で生成してもよい。
本明細書において「改質体」とは、Ｓｉ－Ｎ結合、Ｓｉ－ＳＲ結合又はＳｉ－ＯＲ結合を有するケイ素化合物を改質することにより得られた化合物をいう。
（２－１）の改質体としては、前記式（Ｂ１）で表されるジシラザンの改質体、前記式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体、前記式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体、前記式（Ｂ４）で表される構造を分子内に有するポリシラザンの改質体であることが好ましい。
式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体について、式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体に含まれる全てのケイ素原子に対して窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１～１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０～９８％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
なお、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、後述する測定値を用いて、（（Ｓｉ（モル））－（Ｓｉ－Ｎ結合中のＮ（モル）））／Ｓｉ（モル）×１００で求められる。改質反応を考慮すると、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」とは、「改質処理にて生じるシロキサン結合に含まれるケイ素原子の割合」を意味する。
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体について、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体に含まれる全てのケイ素原子に対して窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１～１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０～９８％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体について、式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体に含まれる全てのケイ素原子に対して窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は０．１～９９％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０～９７％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
改質体中のＳｉ原子数、Ｓｉ－Ｎ結合の数は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定することができる。
改質体について、上述の方法による測定値を用いて求められる、全てのケイ素原子に対する「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、０．１～９９％であることが好ましく、１０～９９％であることがより好ましく、３０～９５％であることがさらに好ましい。
＜（２－２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物＞
本実施形態の組成物１は、（２－２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物を含んでいてもよい。以下、（２－２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物を「（２－２）ケイ素化合物」と総称することがある。
（２－２）ケイ素化合物としては、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）シラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリエトキシシランが例として挙げられる。
中でも、（１）の耐久性の観点から、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシランが好ましく、トリメトキシフェニルシランがより好ましい。
＜（２－２）ケイ素化合物の改質体＞
（２－２）ケイ素化合物の改質体は、上述の（２－２）ケイ素化合物を改質することにより得られる化合物をいう。「改質」に関しては、（２－１）シラザンの改質体における説明と同様である。
本実施形態の組成物１において、上述の（２）表面保護剤を１種のみ有していてもよく、２種以上を併用してもよい。
＜（６）表面修飾剤＞
本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物の表面は表面修飾剤層により覆われていてもよい。表面修飾剤層は、（１）ペロブスカイト化合物と（２）表面保護剤との間に位置していてもよい。
なお、表面修飾剤層が（１）ペロブスカイト化合物の「表面」を覆うとは、表面修飾剤層が（１）ペロブスカイト化合物に直接接して覆うことの他、表面修飾剤層が（１）ペロブスカイト化合物の表面に形成された他の層の表面に直接接して形成され、（１）ペロブスカイト化合物の表面に直接接することなく覆うことも含む。
＜表面修飾剤層＞
表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、及びカルボキシレート塩からなる群より選ばれる少なくとも一種のイオン又は化合物を形成材料とする。
中でも、表面修飾剤層は、アミン、及びカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を形成材料とすることが好ましい。
以下、表面修飾剤層の形成材料を「（６）表面修飾剤」と称することがある。
表面修飾剤は、後述する製造方法で本実施形態の組成物を製造する際に、（１）ペロブスカイト化合物の表面を覆い、（１）ペロブスカイト化合物を組成物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。
＜アンモニウムイオン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩＞
（６）表面修飾剤であるアンモニウムイオン、及び第１級～第４級アンモニウムカチオンは、下記式（Ａ１）で表される。（６）表面修飾剤であるアンモニウム塩は、下記式（Ａ１）で表されるイオンを含む塩である。
Figure 0007470532000006
式（Ａ１）で表されるイオンにおいて、Ｒ１～Ｒ４は、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。
Ｒ１～Ｒ４で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。
Ｒ１～Ｒ４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ１～Ｒ４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
Ｒ１～Ｒ４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ１～Ｒ４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
Ｒ１～Ｒ４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ１～Ｒ４は、炭素原子数８～２０のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ１～Ｒ４のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ１～Ｒ４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ１～Ｒ４のアルケニル基としては、Ｒ６～Ｒ９において例示した前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ－Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。
Ｒ１～Ｒ４のアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３－ブテニル基、２－ブテニル基、２－ペンテニル基、２－ヘキセニル基、２－ノネニル基、２－ドデセニル基、９－オクタデセニル基が挙げられる。
式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンが塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無い。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。
式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ－オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。
＜アミン＞
表面修飾剤であるアミンとしては、下記式（Ａ１１）で表すことができる。
Figure 0007470532000007
上記式（Ａ１１）において、Ｒ１～Ｒ３は、上記式（Ａ１）が有するＲ１～Ｒ３と同じ基を表す。ただし、Ｒ１～Ｒ３のうち少なくとも１つは１価の炭化水素基である。
表面修飾剤であるアミンとしては、第１級～第３級アミンのいずれであってもよいが、第１級アミン及び第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。
表面修飾剤であるアミンとしては、オレイルアミンが好ましい。
＜カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩＞
表面修飾剤であるカルボキシレートイオンは、下記式（Ａ２）で表される。表面修飾剤であるカルボキシレート塩は、下記式（Ａ２）で表されるイオンを含む塩である。
Ｒ５－ＣＯ２ －・・・（Ａ２）
表面修飾剤であるカルボン酸は、上記（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンにプロトン（Ｈ＋）が結合したカルボン酸が挙げられる。
式（Ａ２）で表されるイオンにおいて、Ｒ５は、一価の炭化水素基を表す。Ｒ５で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。
Ｒ５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
Ｒ５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３～３０であり、３～２０であることが好ましく、３～１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２～２０であり、５～２０であることが好ましく、８～２０であることがより好ましい。
Ｒ５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。
Ｒ５のアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６～Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ１～Ｒ４において例示したアルケニル基が挙げられる。
式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。
カルボキレートアニオンが塩を形成する場合、カウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。
表面修飾剤であるカルボン酸としては、オレイン酸が好ましい。
上述した表面修飾剤の中では、アンモニウム塩、アンモニウムイオン、第１級～第４級アンモニウムカチオン、カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンが好ましい。
アンモニウム塩、アンモニウムイオンの中では、オレイルアミン塩、オレイルアンモニウムイオンがより好ましい。
カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンの中では、オレイン酸塩、オレイン酸アニオンがより好ましい。
本実施形態の組成物１及び組成物２において、上述の（６）表面修飾剤を１種のみ有していてもよく、２種以上を併用してもよい。
＜（３）溶媒＞
本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を分散させることができる媒体であれば特に限定されない。本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態である物質のことをいう。ただし、溶媒には、後述する重合性化合物は含まれない。
溶媒としては、下記（ａ）～（ｋ）を挙げることができる。
（ａ）エステル
（ｂ）ケトン
（ｃ）エーテル
（ｄ）アルコール
（ｅ）グリコールエーテル
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒
（ｉ）ハロゲン化炭化水素
（ｊ）炭化水素
（ｋ）ジメチルスルホキシド
（ａ）エステルとしては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等を挙げることができる。
（ｂ）ケトンとしては、γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、アセトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等を挙げることができる。
（ｃ）エーテルとしては、ジエチルエーテル、メチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキソラン、４－メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等を挙げることができる。
（ｄ）アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－メチル－２－ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２－フルオロエタノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、２，２，３，３－テトラフルオロ－１－プロパノール等を挙げることができる。
（ｅ）グリコールエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒としては、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等を挙げることができる。
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。
（ｉ）ハロゲン化炭化水素としては、塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。
（ｊ）炭化水素としては、ｎ－ペンタン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、１－オクタデセン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
これらの溶媒の中でも、（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素及び（ｊ）炭化水素は、極性が低く、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いと考えられるため好ましい。
さらに、本実施形態の組成物に用いる溶媒としては、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素がより好ましい。
本実施形態の組成物１及び組成物２においては、上述の溶媒を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
＜（４）重合性化合物＞
本実施形態の組成物が有する重合性化合物は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体化合物（モノマー）を意味する。例えば、重合性化合物は、１気圧、２５℃において液体状態であるモノマーを挙げることができる。
例えば、常温、常圧下において製造する場合、重合性化合物としては、特に制限は無い。重合性化合物としては、例えば、スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル等の公知の重合性化合物が挙げられる。なかでも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。
本実施形態の組成物１及び組成物２においては、重合性化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の組成物において、全ての（４）重合性化合物に対する、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。
＜（５）重合体＞
本実施形態の組成物に含まれる重合体は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物の溶解度が低い重合体が好ましい。
例えば、常温、常圧下において製造する場合、重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位のいずれか一方又は両方を含む。
本実施形態の組成物において、（５）重合体に含まれる全ての構成単位に対する、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位の合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。
（５）重合体の重量平均分子量は、１００～１２０００００であることが好ましく、１０００～８０００００であることがより好ましく、５０００～１５００００であることがさらに好ましい。
本明細書において「重量平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
本実施形態の組成物１及び組成物２において、上述の（５）重合体を１種のみ有していてもよく、２種以上を併用してもよい。
＜組成物中の各成分の含有量＞
本実施形態の組成物１及び組成物２において、組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、特に限定されるものではない。
上記含有割合は、濃度消光を防ぐ観点から、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。
また、上記含有割合は、良好な量子収率を得る観点から、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、通常０．０００２～９０質量％である。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合は、０．００１～４０質量％であることが好ましく、０．００２～１０質量％であることがより好ましく、０．０１～３質量％であることがさらに好ましい。
組成物の総質量に対する（１）ペロブスカイト化合物の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
本実施形態の組成物１において、組成物の総質量に対する（２）表面保護剤の含有割合は、特に限定されるものではない。
上記含有割合は、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を向上させる観点、及び耐久性を向上させる観点から、３０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、７．５質量％以下であることがさらに好ましい。
また、上記含有割合は、耐久性を向上させる観点から、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する（２）表面保護剤の含有割合は、通常０．００１～３０質量％である。
組成物の総質量に対する（２）表面保護剤の含有割合は、０．００１～３０質量％であることが好ましく、０．００１～１０質量％であることがより好ましく、０．１～７．５質量％であることがさらに好ましい。
本実施形態の組成物１及び組成物２において、組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、特に限定されるものではない。
上記含有割合は、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を向上させる観点、及び耐久性を向上させる観点から、９９．９９質量％以下であることが好ましく、９９．９質量％以下であることがより好ましく、９９質量％以下であることがさらに好ましい。
また、上記含有割合は、耐久性を向上させる観点から、０．１質量％以上であることが好ましく、１質量％以上であることがより好ましく、１０質量％以上であることがさらに好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましく、９０質量％以上であることがもっとも好ましい。
上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、通常０．１～９９．９９質量％である。
組成物の総質量に対する分散媒の含有割合は、１～９９質量％であることが好ましく、１０～９９質量％であることがより好ましく、２０～９９質量％であることがさらに好ましく、５０～９９質量％であることが特に好ましく、９０～９９質量％であることが最も好ましい。
また、上記組成物において、（１）ペロブスカイト化合物、（２）表面保護剤及び分散媒の合計含有割合は、組成物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
本実施形態の組成物１及び組成物２において、組成物の総質量に対する（６）表面修飾剤の含有割合は、特に限定されるものではない。
上記含有割合は、耐久性向上の観点から、３０質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることがさらに好ましい。
また、上記含有割合は、熱耐久性を向上させる観点から、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。
上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組成物の総質量に対する（６）表面修飾剤の含有割合は、通常０．０００１～３０質量％である。
組成物の総質量に対する（６）表面修飾剤の含有割合は、０．００１～１質量％であることが好ましく、０．０１～０．１質量％であることがより好ましい。
組成物の総質量に対する（６）表面修飾剤の含有割合が上記範囲内である組成物は、熱耐久性に優れる点で好ましい。
本実施形態の組成物における、若干の不純物、（１）ペロブスカイト化合物を構成する元素からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤の合計含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
＜各成分の配合比＞
本実施形態の組成物１及び２において、分散媒に対する（１）ペロブスカイト化合物の質量比［（１）ペロブスカイト化合物／分散媒］は、０．００００１～１０であってもよく、０．０００１～５であってもよく、０．０００５～３であってもよい。
（１）ペロブスカイト化合物と、分散媒との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（１）ペロブスカイト化合物の凝集が生じ難く、良好に発光する点で好ましい。
本実施形態の組成物１において、（１）ペロブスカイト化合物と（２）表面保護剤との配合比は、（１）、（２）の種類等に応じて、適宜定めることができる。
本実施形態の組成物１において、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２）表面保護剤のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１～２００であってもよく、０．０１～５０であってもよい。
本実施形態の組成物１において、（２）表面保護剤が、式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるシラザンの改質体である場合、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２－１）シラザンの改質体のＳｉとのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１～１００であってもよく、０．００１～５０であってもよく、１～２０であってもよい。
本実施形態の組成物１において、（２）表面保護剤が、式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンである場合、（１）ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２－１）シラザンの改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１～１００であってもよく、０．０１～１００であってもよく、０．１～１００であってもよく、１～５０であってもよく、１～２０であってもよい。
（１）ペロブスカイト化合物と（２）表面保護剤との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、（２）表面保護剤による、水蒸気に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。
上記ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２）表面保護剤のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、以下のような方法で求めることができる。
ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンのモル数（Ｂ）は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ）によって、ペロブスカイト化合物に含まれるＢ成分である金属の質量を算出したのち、モルに換算することによって求める。また、（２）表面保護剤のＳｉ元素のモル数（Ｓｉ）は、用いた（２）表面保護剤の質量からモル換算することによって求める。
このときの、（２）表面保護剤のＳｉ元素のモル数（Ｓｉ）とペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンのモル数（Ｂ）の比が、［Ｓｉ／Ｂ］である。
本実施形態の組成物において、十分に量子収率を向上させる観点から、（１）ペロブスカイト化合物の質量に対して（２）表面保護剤の質量は、好ましくは１．１質量部以上であり、より好ましくは１．５質量部以上であり、さらに好ましくは１．８質量部以上である。また、（１）ペロブスカイト化合物の質量に対して（２）表面保護剤の質量は、好ましくは１０質量部以下であり、より好ましくは４．９質量部以下であり、さらに好ましくは２．５質量部以下である。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
本実施形態の半導体化合物の製造方法によると、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物及びＸ線回折パターンにおいて、面のミラー指数（００１）のピークの半値幅が０．１０以上、０．６０未満である金属元素Ｍを含む半導体化合物を製造することができる。
＜半導体化合物の製造方法＞
本実施形態の半導体化合物の製造方法は、金属元素Ｍの単体及び金属元素Ｍを含む化合物のいずれか一方又は両方を含有する原料と水とを混合する工程と、前記水の存在下で前記原料を反応させる工程と、を含む。また、前記原料に含まれる金属元素Ｍの質量ＷＭに対する前記水の質量ＷＷの比である（ＷＷ／ＷＭ）が０．０５～１００である。
金属元素Ｍの単体及び金属元素Ｍを含む化合物のいずれか一方又は両方を含有する原料を反応させ生成する半導体化合物の結晶化を行う工程において水が存在すると、生成した半導体化合物の結晶の一部が溶解し、その後半導体化合物の再結晶が進むことにより、半導体化合物の結晶性が向上する。
＜金属元素Ｍ＞
本実施形態の半導体化合物の製造方法に含まれる金属元素Ｍとしては、周期表の第２族～１４族の金属元素が例として挙げられる。周期表の第２～１４族の金属元素としては特に限定されないが、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂが挙げられる。
本実施形態の半導体化合物は、前記金属元素Ｍ以外に周期表の第１３～１７族の非金属元素を含んでいてもよい。周期表第１３～１７族の非金属元素としては特に限定されないが、例えば、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆ，Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、又はＳが挙げられる。
本実施形態の製造方法よって製造される半導体化合物としては、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物、及び下記（ｉ）～（ｖｉｉ）の半導体化合物を挙げることができる。
（ｉ）ＩＩ族－ＶＩ族化合物を含む半導体化合物
（ｉｉ）ＩＩ族－Ｖ族化合物を含む半導体化合物
（ｉｉｉ）ＩＩＩ族－Ｖ族化合物を含む半導体化合物
（ｉｖ）ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物を含む半導体化合物
（ｖ）ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物を含む半導体化合物
（ｖｉ）ＩＶ族－ＶＩ族化合物を含む半導体化合物
（ｖｉｉ）遷移金属－ｐ－ブロック化合物を含む半導体化合物
＜（ｉ）ＩＩ族－ＶＩ族化合物を含む半導体化合物＞
ＩＩ族－ＶＩ族化合物を含む半導体化合物としては、周期表の第２族元素と第１６族元素とを含む化合物を含む半導体化合物と、周期表の第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物を含む半導体化合物とを挙げることができる。
なお、本明細書において、「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。
以下の説明では、第２族元素と第１６族元素とを含む化合物を含む半導体化合物を「半導体化合物（ｉ－１）」、第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物を含む半導体化合物を「半導体化合物（ｉ－２）」と称することがある。
半導体化合物（ｉ－１）のうち、二元系の半導体化合物としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、又はＢａＴｅが挙げられる。
また、半導体化合物（ｉ－１）としては、
（ｉ－１－１）第２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の半導体化合物
（ｉ－１－２）第２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の半導体化合物
（ｉ－１－３）第２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の半導体化合物
であってもよい。
半導体化合物（ｉ－２）のうち、二元系の半導体化合物としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、又はＨｇＴｅが挙げられる。
また、半導体化合物（ｉ－２）としては、
（ｉ－２－１）第１２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の半導体化合物
（ｉ－２－２）第１２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の半導体化合物
（ｉ－２－３）第１２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の半導体化合物
であってもよい。
ＩＩ族－ＶＩ族半導体化合物は、第２族元素、第１２族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｉｉ）ＩＩ族－Ｖ族化合物を含む半導体化合物＞
ＩＩ族－Ｖ族半導体化合物は、第１２族元素と、第１５族元素とを含む。
ＩＩ族－Ｖ族半導体化合物のうち、二元系の半導体化合物としては、例えば、Ｚｎ３Ｐ２、Ｚｎ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｐ２、Ｃｄ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｎ２、又はＺｎ３Ｎ２が挙げられる。
また、ＩＩ族－Ｖ族半導体化合物としては、
（ｉｉ－１）第１２族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の半導体化合物
（ｉｉ－２）第１２族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の半導体化合物
（ｉｉ－３）第１２族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の半導体化合物
であってもよい。
ＩＩ族－Ｖ族半導体化合物は、第１２族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｉｉｉ）ＩＩＩ族－Ｖ族化合物を含む半導体化合物＞
ＩＩＩ族－Ｖ族半導体化合物は、第１３族元素と、第１５族元素とを含む。
ＩＩＩ族－Ｖ族半導体化合物のうち、二元系の半導体化合物としては、例えば、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、又はＡｌＮが挙げられる。
また、ＩＩＩ族－Ｖ族半導体化合物としては、
（ｉｉｉ－１）第１３族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の半導体化合物
（ｉｉｉ－２）第１３族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の半導体化合物
（ｉｉｉ－３）第１３族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の半導体化合物
であってもよい。
ＩＩＩ族－Ｖ族半導体化合物は、第１３族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｉｖ）ＩＩＩ族－ＩＶ族化合物を含む半導体化合物＞
ＩＩＩ族－ＩＶ族半導体化合物は、第１３族元素と、第１４族元素とを含む。
ＩＩＩ族－ＩＶ族半導体化合物のうち、二元系の半導体化合物としては、例えば、Ａｌ４Ｃ３、Ｇａ４Ｃ３が挙げられる。
また、ＩＩＩ族－ＩＶ族半導体化合物としては、
（ｉｖ－１）第１３族元素を１種類、第１４族元素を２種類含む三元系の半導体化合物
（ｉｖ－２）第１３族元素を２種類、第１４族元素を１種類含む三元系の半導体化合物
（ｉｖ－３）第１３族元素を２種類、第１４族元素を２種類含む四元系の半導体化合物
であってもよい。
ＩＩＩ族－ＩＶ族半導体化合物は、第１３族元素、及び第１４族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｖ）ＩＩＩ族－ＶＩ族化合物を含む半導体化合物＞
ＩＩＩ族－ＶＩ族半導体化合物は、第１３族元素と、第１６族元素とを含む。
ＩＩＩ族－ＶＩ族半導体化合物のうち、二元系の半導体化合物としては、例えば、Ａｌ２Ｓ３、Ａｌ２Ｓｅ３、Ａｌ２Ｔｅ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｔｅ３、ＧａＴｅ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、又はＩｎＴｅが挙げられる。
また、ＩＩＩ族－ＶＩ族半導体化合物としては、
（ｖ－１）第１３族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の半導体化合物
（ｖ－２）第１３族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の半導体化合物
（ｖ－３）第１３族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の半導体化合物
であってもよい。
ＩＩＩ族－ＶＩ族半導体化合物は、第１３族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｖｉ）ＩＶ族－ＶＩ族化合物を含む半導体化合物＞
ＩＶ族－ＶＩ族半導体化合物は、第１４族元素と、第１６族元素とを含む。
ＩＶ族－ＶＩ族半導体化合物のうち、二元系の半導体化合物としては、例えば、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、又はＳｎＴｅが挙げられる。
また、ＩＶ族－ＶＩ族半導体化合物としては、
（ｖｉ－１）第１４族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の半導体化合物
（ｖｉ－２）第１４族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の半導体化合物
（ｖｉ－３）第１４族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の半導体化合物
であってもよい。
ＩＶ族－ＶＩ族半導体化合物は、第１４族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
＜（ｖｉｉ）遷移金属－ｐ－ブロック化合物を含む半導体化合物＞
遷移金属－ｐ－ブロック半導体化合物は、遷移金属元素と、ｐ－ブロック元素とを含む。「ｐ－ブロック元素」とは、周期表の第１３族から第１８族に属する元素である。
遷移金属－ｐ－ブロック半導体化合物のうち、二元系の半導体化合物としては、例えば、ＮｉＳ、ＣｒＳが挙げられる。
また、遷移金属－ｐ－ブロック半導体化合物としては、
（ｖｉｉ－１）遷移金属元素を１種類、ｐ－ブロック元素を２種類含む三元系の半導体化合物
（ｖｉｉ－２）遷移金属元素を２種類、ｐ－ブロック元素を１種類含む三元系の半導体化合物
（ｖｉｉ－３）遷移金属元素を２種類、ｐ－ブロック元素を２種類含む四元系の半導体化合物
であってもよい。
遷移金属－ｐ－ブロック半導体化合物は、遷移金属元素、及びｐ－ブロック元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
上述の三元系の半導体化合物や四元系の半導体化合物の具体例としては、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＣｕＩｎＳ２、又はＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。
本実施形態の半導体化合物としては、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物、第１２族元素であるＣｄを含む半導体化合物、及び第１３族元素であるＩｎを含む半導体化合物が好ましい。また、本実施形態の化合物としては、（１）ペロブスカイト化合物、ＣｄとＳｅとを含む半導体化合物、及びＩｎとＰとを含む半導体化合物がより好ましい。
ＣｄとＳｅとを含む半導体化合物は、二元系の半導体化合物、三元系の半導体化合物、四元系の半導体化合物のいずれも好ましい。中でも、二元系の半導体化合物であるＣｄＳｅが特に好ましい。
ＩｎとＰとを含む半導体化合物は、二元系の半導体化合物、三元系の半導体化合物、四元系の半導体化合物のいずれも好ましい。中でも、二元系の半導体化合物であるＩｎＰが特に好ましい。
＜本実施形態の半導体化合物の製造方法によって製造される半導体化合物の粒径＞
本実施形態の半導体化合物の製造方法によって製造される半導体化合物の好ましい平均粒径は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の平均粒径と同様である。
本明細書において、本実施形態の半導体化合物の製造方法によって製造される半導体化合物の平均粒径は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の平均粒径の測定と同様の方法によって測定することができる。
本実施形態の半導体化合物の製造には、金属元素Ｍの単体及び金属元素Ｍを含む化合物のいずれか一方又は両方を含有する原料が使用される（以下、金属元素Ｍの単体及び金属元素Ｍを含む化合物のいずれか一方又は両方を含有する原料を「金属元素Ｍを含む原料」ということがある。）。半導体化合物が非金属元素を含むときは、前記原料にさらに非金属元素を含む化合物を使用することが好ましい（以下、非金属元素を含む化合物を「非金属元素を含む原料化合物」ということがある。）。
＜金属元素Ｍの単体＞
金属元素Ｍの単体としては特に制限はないが、上述の金属元素Ｍの単体等が挙げられる。
＜金属元素Ｍを含む化合物＞
金属元素Ｍを含む化合物としては特に制限はないが、上述の金属元素Ｍを含む酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。
本実施形態の半導体化合物の製造において、上述の金属元素Ｍの単体を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の半導体化合物の製造において、上述の金属元素Ｍを含む化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
＜非金属元素を含む化合物＞
非金属元素を含む原料化合物としては、特に制限はないが、半導体化合物に含まれる非金属元素を含む化合物を使用することができる。本実施形態においては、上述の周期表第１３～１７族の非金属元素を含む化合物を制限なく使用することができる。
本実施形態の半導体化合物の製造において、上述の非金属元素を含む原料化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（（ｉ）～（ｖｉｉ）の半導体化合物の製造方法）
（ｉ）～（ｖｉｉ）の半導体化合物は、半導体化合物を構成する金属元素Ｍを含む原料と、脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法で製造することができる。また、前記混合液には、必要に応じて、半導体化合物を構成する非金属元素を含む化合物を添加することが好ましい。
脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。
炭素原子数４～２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、不飽和脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基を挙げることができる。
炭素原子数４～２０の飽和脂肪族炭化水素基としては、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｎ－ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などを挙げることができる。
炭素原子数４～２０の不飽和脂肪族炭化水素基としては、オレイル基を挙げることができる。
炭素原子数４～２０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。
炭素原子数４～２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などを挙げることができる。
炭素原子数４～２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、及び不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。
含窒素化合物としては、アミン類やアミド類を挙げることができる。
含酸素化合物としては、脂肪酸類を挙げることができる。
このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４～２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましい。このような含窒素化合物としては、例えばｎ－ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ－ペンチルアミン、ｎ－ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。
こうした脂溶性溶媒は、合成により生じる半導体化合物の表面に結合可能である。脂溶性溶媒が半導体化合物の表面に結合する際の結合としては、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。
上記混合液の加熱温度は、使用する原料（単体や化合物）の種類によって適宜設定すればよい。混合液の温度は、通常、室温～３００℃である。例えば、１３０～３００℃が好ましく、２４０～３００℃がより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると結晶構造が単一化しやすいため好ましい。加熱温度が上記上限値以下であると、生じる半導体化合物の結晶構造が崩壊しにくく、目的物が得られやすいため好ましい。
混合液の加熱時間は、使用する原料（単体や化合物）の種類、加熱温度によって適宜設定すればよい。混合液の加熱時間は、例えば、数秒間～数時間が好ましく、１～６０分間がより好ましい。
上述の半導体化合物の製造方法においては、加熱後の混合液を冷却することにより、目的物である半導体化合物を含む沈殿物が得られる。沈殿物を分離して適宜洗浄することで、目的物である半導体化合物が得られる。
沈殿物を分離した上澄み液については、合成した半導体化合物が不溶又は難溶な溶媒を添加し、上澄み液における半導体化合物の溶解度を低下させて沈殿物を生じさせ、上澄み液に含まれる半導体化合物を回収してもよい。「半導体化合物が不溶又は難溶な溶媒」としては、例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなどを挙げることができる。
上述の半導体化合物の製造方法においては、分離した沈殿物を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ－ブタノールなど）に入れて半導体化合物を含む溶液としてもよい。
本実施形態の半導体化合物の製造方法は、金属元素Ｍの単体及び金属元素Ｍを含む化合物のいずれか一方又は両方を含有する原料と水とを混合する工程を含む。当該工程は、水に上述の加熱前の溶液を添加してもよく、上述の加熱前の溶液及び加熱中の溶液のいずれか一方又は両方に水を添加してもよい。中でも、上述の加熱前の溶液及び加熱中の溶液のいずれか一方又は両方に水を添加することが好ましい。なお、加熱中の溶液に水を添加する場合、添加時の溶液の温度が１５５℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましく、１４０℃以下であることがさらに好ましい。
添加する水分量は、金属元素Ｍを含む原料に含まれる金属元素Ｍの質量ＷＭに対する、前記添加した水の質量ＷＷの比である（ＷＷ／ＷＭ）が０．０５～１００となるようにする。金属元素Ｍは（１）ペロブスカイト化合物を構成するＢの金属元素であってもよい。（ＷＷ／ＷＭ）は０．０５～３．０であることが好ましく、０．５０～３．０であることがより好ましく、１．０～２．２であることがさらに好ましく、１．１～２．０であることが特に好ましい。（ＷＷ／ＷＭ）が前記範囲内であれば、得られる半導体化合物のＸ線パターンにおける（ｈｋｌ）＝（００１）のピークの半値幅を所定の範囲にすることが可能となる。
金属元素Ｍを含む原料において、前記金属元素Ｍの単体、又は金属元素Ｍを含む化合物を複数使用する場合、前記ＷＭは、使用した全ての前記金属元素Ｍの単体の質量の和と使用した全ての金属元素Ｍを含む化合物中の金属元素Ｍの質量の和を合計することで得ることができる。また、水を複数回に分けて添加する場合、前記ＷＷは添加した全ての水の質量を採用することができる。
本実施形態の他の態様において、金属元素Ｍが（１）ペロブスカイト化合物を構成するＢの金属元素である場合、ＷＭは、（１）ペロブスカイト化合物に含まれる、鉛、スズ、アンチモン、ビスマス、及びインジウムの合計質量であってもよい。
有機溶媒中への水の溶解を促進する観点から、水を添加する溶液中にはイオン性の化合物を含むことが好ましい。イオン性の化合物としては、アンモニウム化合物、またはハロゲン化物が好ましい。
溶媒中への水の溶解を促進する観点から、水を含む溶液の調製は室温で混合することが好ましい。
反応後に不要になった水を除去して劣化を抑制する観点から、不活性ガスを流通させながら反応させることが好ましい。
本明細書において、溶液中の水分量は、微量水分測定装置（ＡＱ－２０００、平沼産業社製、ケトン系電解液Ｈｙｄｒａｎａｌ－Ｃｏｕｌｏｍａｔ ＡＫ）を用いて測定することができる。
＜（１）ペロブスカイト化合物の製造方法＞
（１）ペロブスカイト化合物の製造方法は、既知文献（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ． ２０１５， １５， ３６９２－３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３－４５４２）を参考に、以下に述べる方法によって製造することができる。
（第１の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＢ成分、Ｘ成分、及びＡ成分を高温の上述の（３）溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
以下、第１の製造方法を具体的に説明する。
まず、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分を含む化合物とを高温の（３）溶媒に溶解させ溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
本工程は、高温の（３）溶媒に各化合物を加えて溶解させ溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得ることとしてもよい。第１の製造方法においては、溶液は、（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで得ることが好ましい。
（３）溶媒としては、原料であるＢ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が好ましい。
「高温」とは、各原料が溶解する温度の溶媒であればよい。例えば、高温の（３）溶媒の温度として、６０～６００℃であることが好ましく、８０～４００℃であることがより好ましい。
（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得る場合、昇温後の保持温度としては例えば、８０～１５０℃であることが好ましく、１２０～１４０℃であることがより好ましい。
第１の製造方法においては、前記昇温前又は昇温中の溶液に水を添加することが好ましい。
前記昇温中の溶液に水を添加する場合、添加時の溶液の温度は１５５℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましく、１４０℃以下であることがさらに好ましい。
添加する水分量は、金属元素Ｍを含む原料に含まれる金属元素Ｍの質量ＷＭに対する、前記添加した水の質量ＷＷの比である（ＷＷ／ＷＭ）が０．０５～１００となるようにする。（ＷＷ／ＷＭ）は０．０５～３．０であることが好ましく、０．５～３．０であることがより好ましく、１．０～２．２であることがさらに好ましく、１．１～２．０であることが特に好ましい。（ＷＷ／ＷＭ）が前記範囲内であれば、得られる（１）ペロブスカイト化合物のＸ線パターンにおける（ｈｋｌ）＝（００１）のピークの半値幅を所定の範囲にすることが可能となる。
金属元素Ｍを含む原料において、金属元素Ｍの単体、又は金属元素Ｍを含む化合物を複数使用する場合、前記ＷＭは、使用した全ての金属元素Ｍの単体の質量の和と使用した全ての金属元素Ｍを含む化合物中の金属元素Ｍの質量の和を合計することで得ることができる。また、水を複数回に分けて添加する場合、前記ＷＷは添加した全ての水の質量を採用することができる。
なお、本実施形態では、前記Ｂ成分が金属元素Ｍである。
有機溶媒中への水の溶解を促進する観点から、水を添加する溶液中にはイオン性の化合物を含むことが好ましい。イオン性の化合物としては、アンモニウム化合物、またはハロゲン化物が好ましい。
溶媒中への水の溶解を促進する観点から、水を含む溶液の調製は室温で混合することが好ましい。
反応後に不要になった水を除去して劣化を抑制する観点から、不活性ガスを流通させながら反応させることが好ましい。
次いで、得られた溶液を冷却する。
冷却する温度としては、－２０～５０℃が好ましく、－１０～３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１～１５００℃／分が好ましく、１０～１５０℃／分がより好ましい。
高温の溶液を冷却することで、溶液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液について固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、ろ過、溶媒の蒸発による濃縮などが挙げられる。固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物のみを回収することができる。
なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の（６）表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
（６）表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、（６）表面修飾剤は、（３）溶媒に添加してもよく、Ｂ成分及びＸ成分を含む化合物と、Ａ成分を含む化合物とを溶解した溶液に添加してもよい。
また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいることが好ましい。除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ超、より好ましくは１μｍ超、さらに好ましくは５００ｎｍ超である。
（第２の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分、Ｂ成分を含む第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む第２溶液を得る工程と、第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
以下、第２の製造方法を具体的に説明する。
まず、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを高温の第２溶媒に溶解させ第１溶液を得る。
本工程は、高温の（３）溶媒に各化合物を加えて溶解させ第１溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで第１溶液を得ることとしてもよい。第２の製造方法においては、第１溶液は、（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで得ることが好ましい。
（３）溶媒としては、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が好ましい。
「高温」とは、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とが溶解する温度であればよい。例えば、高温の（３）溶媒の温度として、６０～６００℃であることが好ましく、８０～４００℃であることがより好ましい。
（３）溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで第１溶液を得る場合、昇温後の保持温度としては例えば、８０～１５０℃であることが好ましく、１２０～１４０℃であることがより好ましい。
また、Ｘ成分を含む化合物を上述の（３）溶媒に溶解させ第２溶液を得る。Ｘ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを（３）溶媒に溶解させ第２溶液を得てもよい。
（３）溶媒としては、Ｘ成分を含む化合物を溶解することができる溶媒が挙げられる。
次いで、得られた第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る。第１溶液と第２溶液とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら第１溶液と第２溶液とを混合するとよい。
第２の製造方法においては、前記昇温前又は昇温中の前記第１溶液及び前記第２溶液のいずれか一方又は両方に水を添加してもよく、前記第１溶液と前記第２溶液との混合液に水を添加してもよいが、前記昇温前又は昇温中の前記第１溶液及び前記第２溶液のいずれか一方又は両方に水を添加することが好ましく、前記第２溶液に添加することがより好ましい。
前記昇温中の第１溶液に水を添加する場合、添加時の溶液の温度は１５５℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましく、１４０℃以下であることがさらに好ましい。
前記第２溶液に水を添加する場合、混合の際の前記第１溶液の温度は１５５℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましく、１４０℃以下であることがさらに好ましい。
前記第１溶液と前記第２溶液との混合液に水を添加する場合、添加時の混合液の温度は１５５℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましく、１４０℃以下であることがさらに好ましい。
添加する水分量は、金属元素Ｍを含む原料に含まれる金属元素Ｍの質量ＷＭに対する、前記添加した水の質量ＷＷの比である（ＷＷ／ＷＭ）が０．０５～１００となるようにする。金属元素Ｍは（１）ペロブスカイト化合物を構成するＢの金属元素であってもよい。（ＷＷ／ＷＭ）は０．０５～３．０であることが好ましく、０．５～３．０であることがより好ましく、１．０～２．２であることがさらに好ましく、１．１～２．０であることが特に好ましい。（ＷＷ／ＷＭ）が前記範囲内であれば、得られる（１）ペロブスカイト化合物のＸ線パターンにおける（ｈｋｌ）＝（００１）のピークの半値幅を所定の範囲にすることが可能となる。
金属元素Ｍを含む原料において、金属元素Ｍの単体、又は金属元素Ｍを含む化合物を複数使用する場合、前記ＷＭは、使用した全ての金属元素Ｍの単体の質量の和と使用した全ての金属元素Ｍを含む化合物中の金属元素Ｍの質量の和を合計することで得ることができる。また、水を複数回に分けて添加する場合、前記ＷＷは添加した全ての水の質量を採用することができる。
本実施形態の他の態様において、前記ＷＭは、（１）ペロブスカイト化合物に含まれる、鉛、スズ、アンチモン、ビスマス、及びインジウムの合計質量であってもよい。
有機溶媒中への水の溶解を促進する観点から、水を添加する溶液中にはイオン性の化合物を含むことが好ましい。イオン性の化合物としては、アンモニウム化合物、またはハロゲン化物が好ましい。
溶媒中への水の溶解を促進する観点から、水を含む溶液の調製は室温で混合することが好ましい。
反応後に不要になった水を除去して劣化を抑制する観点から、不活性ガスを流通させながら反応させることが好ましい。
次いで、得られた混合液を冷却する。
冷却する温度としては、－２０～５０℃が好ましく、－１０～３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１～１５００℃／分が好ましく、１０～１５０℃／分がより好ましい。
混合液を冷却することで、混合液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。
なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の（６）表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
（６）表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、（６）表面修飾剤は、（３）溶媒、第１溶液、第２溶液、混合液のいずれに添加してもよい。
また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。
＜組成物１の製造方法１＞
以下、得られる組成物の性状を理解しやすくするため、組成物１の製造方法１で得られる組成物を「組成物１－１」と称する。組成物１－１は液状の組成物である。
本実施形態の組成物１－１は、（１）ペロブスカイト化合物及び（２）表面保護剤に、さらに（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と混合することで製造することができる。
（１）ペロブスカイト化合物及び（２）表面保護剤と、（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と、を混合する際には、撹拌しながら行うことが好ましい。
（１）ペロブスカイト化合物及び（２）表面保護剤と、（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方とを混合する際、混合時の温度には特に制限は無い。（１）ペロブスカイト化合物及び（２）表面保護剤が均一に混合しやすいため、混合時の温度は、０℃～１００℃の範囲であることが好ましく、１０℃～８０℃の範囲であることがより好ましい。
（（３）溶媒を含む組成物１－１の製造方法）
（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、（３）溶媒と、を含む組成物の製造方法としては、例えば、下記製造方法（ａ１）であってもよく、下記製造方法（ａ２）であってもよい。
製造方法（ａ１）：（１）ペロブスカイト化合物と、（３）溶媒と、を混合する工程と、得られた混合物と、（２）表面保護剤と、を混合する工程と、を含む組成物の製造方法。
製造方法（ａ２）：（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、を混合する工程と、得られた混合物と、（３）溶媒と、を混合する工程と、を含む組成物の製造方法。
製造方法（ａ１）、（ａ２）で用いる（３）溶媒は、（１）ペロブスカイト化合物を溶解しにくいものが好ましい。このような（３）溶媒を用いると、製造方法（ａ１）で得られる混合物、及び製造方法（ａ１）、（ａ２）で得られる組成物は、分散液となる。
本実施形態の組成物が（２）表面保護剤として、前記（２－１）シラザンの改質体及び前記（２－２）ケイ素化合物の改質体のいずれか一方又は両方を含む場合、組成物の製造方法としては、下記製造方法（ａ３）であってもよく、下記製造方法（ａ４）であってもよい。
製造方法（ａ３）：（１）ペロブスカイト化合物と、（３）溶媒と、を混合する工程と、得られた混合物と、前記（２－１）シラザン及び前記（２－２）ケイ素化合物のいずれか一方又は両方と、を混合する工程と、得られた混合物に改質処理を施す工程と、を含む組成物の製造方法。
製造方法（ａ４）：（１）ペロブスカイト化合物と、前記（２－１）シラザン及び前記（２－２）ケイ素化合物のいずれか一方又は両方と、を混合する工程と、得られた混合物と、（３）溶媒と、を混合する工程と、得られた混合物に改質処理を施す工程と、を含む組成物の製造方法。
（３）溶媒には、（５）重合体が溶解又は分散していてもよい。
上述の製造方法に含まれる混合する工程では、撹拌を行うことが分散性を高める観点から好ましい。
上述の製造方法に含まれる混合する工程において、混合可能であれば温度には特に制限は無いが、均一に混合する観点から、０℃以上１００℃以下の範囲であることが好ましく、１０℃以上８０℃以下の範囲であることがより好ましい。
組成物の製造方法は、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を向上させる観点から、製造方法（ａ１）、又は製造方法（ａ３）であることが好ましい。
（改質処理を施す方法）
改質処理の方法は、前記（２－１）シラザン及び前記（２－２）ケイ素化合物に対し紫外線を照射する方法、及び前記（２－１）シラザン及び前記（２－２）ケイ素化合物と水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法が挙げられる。以下の説明では、前記（２－１）シラザン及び前記（２－２）ケイ素化合物と水蒸気とを反応させる処理のことを、「加湿処理」と称することがある。
紫外線を照射する方法で用いられる紫外線の波長は、通常１０～４００ｎｍであり、１０～３５０ｎｍが好ましく、１００～１８０ｎｍがより好ましい。紫外線の発生させる光源としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶレーザー光等が挙げられる。
中でも、加湿処理を施すことが、（１）ペロブスカイト化合物の近傍により強固な保護領域を形成する観点から好ましい。
加湿処理を施す場合、例えば、後述する温度、及び湿度条件下で一定の時間、組成物を静置してもよく、同条件下、一定の時間撹拌してもよい。
加湿処理における温度は、十分に改質が進行する温度であればよい。加湿処理における温度は、例えば、５～１５０℃であることが好ましく、１０～１００℃であることがより好ましく、１５～８０℃であることがさらに好ましい。
加湿処理における湿度は、組成物中の前記（２－１）及び前記（２－２）に十分に水分が供給される湿度であればよい。加湿処理における湿度は、例えば３０％～１００％であることが好ましく、４０％～９５％であることがより好ましく、６０％～９０％であることがさらに好ましい。
加湿処理に要する時間は、十分に改質が進行する時間であればよい。加湿処理に要する時間は、例えば、１０分間以上１週間以下であることが好ましく、１時間以上５日間以下であることがより好ましく、２時間以上３日間以下であることがさらに好ましい。
組成物に含まれる前記（２－１）及び前記（２－２）の分散性を高める観点から、撹拌することが好ましい。
加湿処理における水の供給は、水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させることによってもよく、水蒸気を含む雰囲気中で撹拌することで、界面から水分を供給してもよい。
水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させる場合、得られる組成物の耐久性が向上するため、水蒸気を含むガス流量は、０．０１Ｌ／分以上１００Ｌ／分以下が好ましく、０．１Ｌ／分以上１０Ｌ／分以下がより好ましく、０．１５Ｌ／分以上５Ｌ／分以下がさらに好ましい。水蒸気を含むガスとしては、例えば飽和量の水蒸気を含む窒素を挙げることができる。
本実施形態の組成物の製造方法において（２）表面保護剤、及び（３）溶媒は、上述した（１）ペロブスカイト化合物の製造方法に含まれるいずれかの工程で混合させてもよい。例えば、下記製造方法（ａ５）、（ａ６）であってもよい。
製造方法（ａ５）：ペロブスカイト化合物を構成するＢ成分を含む化合物と、Ｘ成分を含む化合物と、Ａ成分を含む化合物と、（２）表面保護剤と、を高温の（３）溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ａ６）：ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物と、を高温の（３）溶媒に溶解させ第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む化合物を（３）溶媒に溶解させ第２溶液を得る工程と、第１溶液と、第２溶液と、を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法。
製造方法（ａ６）において、（２）表面保護剤は、第１溶液及び第２溶液のいずれか一方又は両方に溶解させる。
これらの製造方法に含まれる各工程の条件は、上述の（１）ペロブスカイト化合物の製造方法における第１の製造方法、及び第２の製造方法の条件と同様である。
（（４）重合性化合物を含む組成物１－２の製造方法）
（１）ペロブスカイト化合物、（２）表面保護剤、及び（４）重合性化合物を含む組成物の製造方法は、例えば、下記製造方法（ｃ１）～（ｃ３）が挙げられる。
製造方法（ｃ１）：（４）重合性化合物に（１）ペロブスカイト化合物を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２）表面保護剤と、を混合する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｃ２）：（４）重合性化合物に（２）表面保護剤を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）ペロブスカイト化合物と、を混合する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｃ３）：（４）重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物と（２）表面保護剤との混合物を分散させる工程を含む製造方法。
製造方法（ｃ１）～（ｃ３）において、（１）ペロブスカイト化合物の分散性を高める観点から製造方法（ｃ１）であることが好ましい。
製造方法（ｃ１）～（ｃ３）において、各分散体を得る工程では、（４）重合性化合物を、各材料に滴下してもよいし、各材料を（４）重合性化合物に滴下してよい。
均一に分散しやすいため、（１）ペロブスカイト化合物、（２）表面保護剤の少なくとも一つを（４）重合性化合物に滴下することが好ましい。
製造方法（ｃ１）～（ｃ３）において、各混合する工程では、分散体を各材料に滴下してもよいし、各材料を分散体に滴下してもよい。
均一に分散しやすいため、（１）ペロブスカイト化合物、（２）表面保護剤の少なくとも一つを分散体に滴下することが好ましい。
（４）重合性化合物には、（３）溶媒と（５）重合体との少なくともいずれか一方が溶解又は分散していてもよい。
（５）重合体を溶解又は分散させる溶媒は、特に限定されない。溶媒としては、（１）ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
（５）重合体が溶解している溶媒としては、例えば、上述の（３）溶媒が挙げられる。
（３）溶媒の中でも、ハロゲン化炭化水素、及び炭化水素がより好ましい。
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記製造方法（ｃ４）であってもよく、製造方法（ｃ５）であってもよい。
製造方法（ｃ４）：（１）ペロブスカイト化合物を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、得られた分散液に、（４）重合性化合物と、（５）重合体と、を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液と、（２）表面保護剤と、を混合する工程とを有する、組成物の製造方法。
製造方法（ｃ５）：（１）ペロブスカイト化合物を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、得られた分散液と、前記（２－１）シラザン及び前記（２－２）ケイ素化合物のいずれか一方又は両方と、を混合し、混合液を得る工程と、得られた混合液に改質処理を施し前記（２－１）シラザンの改質体及び前記（２－２）ケイ素化合物の改質体のいずれか一方又は両方を含む混合液を得る工程と、得られた混合液と、（３）溶媒と、を混合する工程とを有する、組成物の製造方法。
組成物１の製造方法１において、（６）表面修飾剤を使用するときは、（２）表面保護剤とともに添加することができる。
＜組成物１の製造方法２＞
本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、（４）重合性化合物と、を混合する工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法を挙げることができる。
組成物１の製造方法２で得られる組成物は、（１）ペロブスカイト化合物、（２）表面保護剤、（５）重合体の合計が組成物全体の９０質量％以上であることが好ましい。
また、本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、（３）溶媒に溶解している（５）重合体とを混合する工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法も挙げることができる。
上述の製造方法に含まれる混合する工程には、上述の組成物１の製造方法１で示した方法と同様の混合方法を用いることができる。
組成物の製造方法は、例えば、下記（ｄ１）、（ｄ２）の製造方法が挙げられる。
製造方法（ｄ１）：（４）重合性化合物に、（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、を分散させる工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
分散させる工程において、（４）重合性化合物に（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、を加える順番には制限がない。（１）ペロブスカイト化合物が先であってもよく、（２）表面保護剤が先であってもよく、（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、を同時に加えてもよい。
製造方法（ｄ２）：（５）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、を分散させる工程と、溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
分散させる工程において、（５）重合体を溶解させた（３）溶媒に（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、を加える順番には制限がない。（１）ペロブスカイト化合物が先であってもよく、（２）表面保護剤が先であってもよく、（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、を同時に加えてもよい。
製造方法（ｄ２）に含まれる、（３）溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥であってもよいし、加熱によって（３）溶媒を蒸発させる工程であってもよい。
（３）溶媒を除去する工程では、例えば、０℃以上３００℃以下で、１分間以上７日間以下乾燥させることで、（３）溶媒を除去することができる。
製造方法（ｄ１）に含まれる、（４）重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることで行うことができる。
例えばラジカル重合の場合は、（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、（４）重合性化合物との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応を進行させることができる。
ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。
上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。
組成物１の製造方法２において、（６）表面修飾剤を使用するときは、（２）表面保護剤とともに添加することができる。
＜組成物１の製造方法３＞
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記（ｄ３）～（ｄ６）の製造方法も採用することができる。
製造方法（ｄ３）：（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、（５）重合体と、を溶融混練する工程を含む製造方法。
製造方法（ｄ４）：（１）ペロブスカイト化合物と、前記（２－１）シラザン及び前記（２－２）ケイ素化合物のいずれか一方又は両方と、（５）重合体と、を溶融混練する工程と、（５）重合体が溶融した状態で加湿処理を施す工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ５）：（１）ペロブスカイト化合物と、（２）表面保護剤と、を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と、（５）重合体と、を溶融混練する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ６）：（２）表面保護剤を含まず、（１）ペロブスカイト化合物を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物から固形分を取り出す工程と、得られた固形分と、（２）表面保護剤と、（５）重合体と、を溶融混練する工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｄ３）～（ｄ６）において（５）重合体を溶融混練する方法としては、重合体の混練方法として公知の方法を採用することができる。例えば、単軸押出機、又は二軸押出機を用いた押出加工を採用することができる。
製造方法（ｄ４）の加湿処理を施す工程は、上述した方法を採用することができる。
製造方法（ｄ５）及び（ｄ６）の液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ａ１）又は（ａ２）を採用することができる。製造方法（ｄ６）の液状組成物を製造する工程においては、上述の製造方法（ａ１）又は（ａ２）において（２）表面保護剤を添加しなければよい。
製造方法（ｄ５）の液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ａ３）又は（ａ４）を採用することができる。
製造方法（ｄ５）、（ｄ６）の固形分を取り出す工程は、例えば加熱、減圧、送風及びこれらの組み合わせにより、液状組成物から液状組成物を構成する（３）溶媒及び（４）重合性化合物を除去することで行う。
組成物の製造方法３において、（６）表面修飾剤を使用するときは、（２）表面保護剤とともに添加することができる。
＜組成物２の製造方法＞
本実施形態の組成物２は、（２）表面保護剤の添加、改質処理を行わない以外は、上述の組成物１の製造方法１～３と同様に製造することができる。
上述の組成物の製造方法において、改質処理を施した後の組成物にハロゲンイオンを含む溶液を添加すると、（１）ペロブスカイト化合物中のＸと前記ハロゲンイオンとの交換反応が起き、（１）ペロブスカイト化合物の最大発光波長の値を調整することができる。
（１）ペロブスカイト化合物の表面に前記（２）表面保護剤からなる表面保護層を形成した後に、さらにシロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層を形成してもよい。
本明細書において、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」とは、有機基とケイ素元素を含み、前記有機基の全てが改質処理（加水分解）により脱離する有機基である化合物の改質体及び有機基を有さないケイ素元素を含む化合物の改質体を意味する。
シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物としては、例えば、前記式（Ｂ１）において、複数あるＲ１５の全てが水素原子であるジシラザンの改質体、前記式（Ｂ２）において、複数あるＲ１５の全てが水素原子である低分子シラザンの改質体、上記式（Ｂ３）において、複数あるＲ１５の全てが水素原子である高分子シラザンの改質体、上述した式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンにおいて、複数あるＲ１５の全てが水素原子である高分子シラザンの改質体、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＯ３）の改質体が挙げられる。
＜組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物の含有量の測定＞
本実施形態の組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物は乾燥質量法によって固形分濃度（質量％）を算出することができる。乾燥質量法の詳細については、実施例において説明する。
＜発光スペクトルの半値幅、吸収率、発光波長の測定＞
本発明の（１）ペロブスカイト化合物の発光スペクトルの半値幅、吸収率、発光波長は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定する。発光波長は最も発光強度の高い値の波長を用いる。
本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物の励起光の吸収率は、０．２以上、１未満が好ましく、０．３以上、０．９未満がより好ましく、０．６以上、０．９未満がさらに好ましい。
＜フィルム＞
本発明に係るフィルムは、本実施形態の（１）ペロブスカイト化合物を含む。
本実施形態に係るフィルムは、上述の組成物を形成材料とする。例えば、本実施形態に係るフィルムは、（１）ペロブスカイト化合物及び（５）重合体を含み、（１）ペロブスカイト化合物及び（５）重合体の合計がフィルム全体の９０質量％以上である。
フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、一方向に延在する平面視帯状の形状を意味する。平面視帯状の形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。
フィルムの厚みは、０．０１μｍ～１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ～１０ｍｍであってもよく、１μｍ～１ｍｍであってもよい。
本明細書においてフィルムの厚みは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向のおもて面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の３点においてフィルムの厚みを測定し、３点の測定値の平均値を、フィルムの厚みとする。
フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の実施形態の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の実施形態の組成物が用いられていてもよい。
フィルムは、例えば、後述の積層構造体の製造方法により、基板上に形成されたフィルムを得ることができる。また、フィルムは基板から剥がして得ることができる。
＜積層構造体＞
本実施形態に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。
積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。
（基板）
基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよい。基板は、光透過性を有するものが好ましい。光透過性を有する基板を有する積層構造体では、（１）ペロブスカイト化合物が発した光を取り出しやすいため好ましい。
基板の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。
図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。
本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、封止層２２が、フィルム１０の第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。
（バリア層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護する観点から、バリア層を含んでいてもよい。
バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。バリア層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラス膜などの公知のバリア層を用いることができる。
（光散乱層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。
＜発光装置＞
本発明に係る発光装置は、本発明の実施形態の化合物、組成物又は前記積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、後段に設置した化合物、組成物又は積層構造体に照射することで、化合物、組成物又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。前記発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。
本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。
（光源）
本発明に係る発光装置を構成する光源は、特に制限は無いが、前述の化合物、前述の組成物、又は積層構造体中の（１）ペロブスカイト化合物を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を用いることができる。
（光反射部材）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光源の光を前述の化合物、組成物、又は積層構造体に向かって照射する観点から、光反射部材を含んでいても良い。光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであっても良い。
反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。
（輝度強化部）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいても良い。
（プリズムシート）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。
（導光板）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側及び／又は視認側にプリズム形状等が形成された導光板などの任意の適切な導光板が用いることができる。
（要素間の媒体材料層）
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層（要素間の媒体材料層）が挙げられる。
要素間の媒体材料層に含まれる１つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は前記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。
本発明に係る発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、
（Ｅ１）本発明の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）、
（Ｅ２）本発明の組成物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）、
（Ｅ３）本発明の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）、及び
（Ｅ４）本発明の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト
が挙げられる。
また、本発明に係る発光装置の具体例としては、本発明の実施形態の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。
＜ディスプレイ＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、前記第一の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。
（液晶パネル）
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。
（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、前記基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。
（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。
本実施形態の化合物又は組成物の用途としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）用の波長変換材料が挙げられる。
＜ＬＥＤ＞
本実施形態の化合物又は組成物は、例えば、ＬＥＤの発光層の材料として用いることができる。
本実施形態の化合物又は組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本実施形態の化合物又は組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面にｐ型輸送層を積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる（１）ペロブスカイト化合物の粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。
＜太陽電池＞
本実施形態の化合物又は組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本実施形態の化合物又は組成物を含む活性層、２，２’，７，７’－ｔｅｔｒａｋｉｓ（Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－ｐ－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）－９，９’－ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ－ＭｅＯＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。
活性層に含まれる、本実施形態の化合物又は組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。
＜フィルムの製造方法＞
フィルムの製造方法は、例えば、下記（ｅ１）～（ｅ３）の製造方法が挙げられる。
製造方法（ｅ１）：液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含むフィルムの製造方法。
製造方法（ｅ２）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含むフィルムの製造方法。
製造方法（ｅ３）：上述の製造方法（ｄ１）、（ｄ２）で得られた組成物を成形加工するフィルムの製造方法。
＜積層構造体の製造方法＞
積層構造体の製造方法は、例えば、下記（ｆ１）～（ｆ３）の製造方法が挙げられる。
製造方法（ｆ１）：液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法。
製造方法（ｆ２）：フィルムを基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法。
製造方法（ｆ３）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ｃ１）～（ｃ４）を採用することができる。
製造方法（ｆ１）、（ｆ３）における液状組成物を基板上に塗工する工程は、特に制限は無いが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法などの、公知の塗布、塗工方法を用いることができる。
製造方法（ｆ１）における（３）溶媒を除去する工程は、上述した製造方法（ｄ２）に含まれる（３）溶媒を除去する工程と同様の工程とすることができる。
製造方法（ｆ３）における（４）重合性化合物を重合させる工程は、上述した製造方法（ｄ１）に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と同様の工程とすることができる。
製造方法（ｆ２）におけるフィルムを基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。
接着剤は、（１）ペロブスカイト化合物を溶解しないものであれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
積層構造体の製造方法は、得られた積層構造体に、さらに任意のフィルムを張り合わせる工程を含んでいてもよい。
張り合わせる任意のフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。
フィルムを張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。
上述の接着剤は、本実施形態の化合物を溶解しないものであれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
＜発光装置の製造方法＞
例えば、前述の光源と、光源から後段の光路上に前述の化合物、前述の組成物、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。
なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
＜センサー＞
本実施形態の化合物又は組成物は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料として利用することができる。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（（１）ペロブスカイト化合物の固形分濃度測定）
実施例５で得られた組成物におけるペロブスカイト化合物の固形分濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液を１０５℃で３時間乾燥させた後に、残存した質量を測定して下記式１に当てはめて算出した。
固形分濃度（質量％）＝乾燥後の質量÷乾燥前の質量×１００・・・式１
（添加水の質量ＭＷの測定）
添加水の質量ＭＷは、微量水分測定装置（ＡＱ－２０００、平沼産業社製、ケトン系電解液Ｈｙｄｒａｎａｌ－Ｃｏｕｌｏｍａｔ ＡＫ）を用いて測定した。
（発光スペクトルの半値幅、吸収率、及び発光波長の測定）
実施例１～５、及び比較例１で得られた化合物の発光スペクトルの半値幅、及び発光波長を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０－０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。
（（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅測定）
実施例１～５、及び比較例１で得られた化合物をＸ線構造回折（ＸＲＤ、ＣｕＫα線＝１．５４５８λ、Ｘ’ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ、スペクトリス社製）によって測定したのち、（ｈｋｌ）＝（００１）のピークの半値幅を測定した。（ｈｋｌ）＝（００１）のピークの半値幅は、統合粉末Ｘ線解析ソフトウェア ＰＤＸＬ（リガク社製）を用いて算出した。
（平均粒径測定）
実施例１～５、及び比較例１で得られた化合物を透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、ＪＥＭ－２２００ＦＳ）で観察した。実施例１～５、及び比較例１で得られた化合物をそれぞれ含む組成物をＴＥＭ専用の支持膜付きグリッドにキャストし、自然乾燥させたものを、加速電圧を２００ｋＶとして観察を行った。また、観察した視野では、エネルギー分散型Ｘ線分析（日本電子株式会社製、ＪＥＤ－２３００）も行い、元素マッピング像を得た。
実施例１～５、及び比較例１で得られたペロブスカイト化合物の平均粒径は、画像解析ソフトＩｍａｇｅ Ｊを用いて算出した。各組成物のＴＥＭ像中の、実施例１～５、及び比較例１で得られた化合物それぞれを黒色とし、それ以外を白色として変換した二値化処理済み画像を得た。このとき、ＴＥＭ－ＥＤＸ測定で得られた元素マッピング像と比較し、実施例１～５、及び比較例１で得られたペロブスカイト化合物それぞれに由来する成分が検出されている位置を黒色に変換できていることを確認した。前記二値化処理済み画像について、ペロブスカイト化合物のサイズを測定した。
平均粒径は無作為に選んだ３００個のペロブスカイト化合物の立方体もしくは直方体をした粒子の最も長い辺の長さの平均から算出した。
［実施例１］
オレイルアミン２５ｍＬ、及びエタノール２００ｍＬを混合した後、氷冷しながら攪拌し、臭化水素酸溶液（４８％）を１７．１２ｍＬ添加した後、減圧乾燥して沈殿を得た。沈殿はジエチルエーテルを用いて洗浄した後、減圧乾燥して臭化オレイルアンモニウムを得た。
臭化オレイルアンモニウム２１ｇに対して、トルエン２００ｍＬを混合した後、後述の酢酸鉛・３水和物（金属元素Ｍとして鉛を含む原料）中の鉛の質量（ｇ）に対し、水(ｇ)／鉛（ｇ）が、０．５８となるように臭化オレイルアンモニウムを含む溶液に水を添加して、臭化オレイルアンモニウムを含む溶液５３．４ｍＬを調製した。
酢酸鉛・３水和物１．５２ｇと、ホルムアミジン酢酸塩１．５６ｇ、１－オクタデセンの溶媒１６０ｍＬと、オレイン酸４０ｍＬとを混合した。攪拌して、窒素を流しながら１３０℃まで加熱した後、上述の臭化オレイルアンモニウム、及び水を含む溶液を５３．４ｍＬ添加した。添加後溶液を室温まで降温し、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散液１を得た。
分散液１．５０μＬに対してトルエン３．９５ｍＬを混合した溶液の発光特性を評価すると、発光スペクトルの半値幅が２０．９３ｎｍであり、励起光の吸収率は０．６５であり、発光波長が５４１ｎｍであった。
２００ｍＬの上記分散液１に対してトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬを混合した溶液をろ過で固液分離した。その後、ろ過上の固形分をトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬの混合溶液を２回流して洗浄し、ろ過した。これにより、（１）ペロブスカイト化合物を得た。
得られた（１）ペロブスカイト化合物をトルエン１００ｍLで分散し、分散液２を得た。分散液２を５０μL無反射板にキャスト・乾燥した後、ＸＲＤ測定した所、ＸＲＤスペクトルは２θ＝１４～１５°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。測定した（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅は０．２７２であった。測定結果より、回収した（１）ペロブスカイト化合物は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物であることを確認した。ＴＥＭによって測定した平均粒径は１４．６ｎｍであった。
［実施例２］
ペロブスカイト化合物の製造工程における臭化オレイルアンモニウムを含む溶液の水分量を、酢酸鉛・３水和物（金属元素Ｍとして鉛を含む原料）中の鉛の質量（ｇ）に対し、水(ｇ)／鉛（ｇ）を、１．１３とした以外は、実施例１と同様の方法で分散液を得た。（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅は、０．２３２であった。また、発光スペクトルの半値幅は、２０．６８ｎｍであり、励起光の吸収率は０．７２であり、発光波長が５４１ｎｍであった。ＴＥＭによって測定した平均粒径は２１．６ｎｍであった。
［実施例３］
ペロブスカイト化合物の製造工程における臭化オレイルアンモニウムを含む溶液の水分量を、酢酸鉛・３水和物（金属元素Ｍとして鉛を含む原料）中の鉛の質量（ｇ）に対し、水(ｇ)／鉛（ｇ）がを１．６９とした以外は、実施例１と同様の方法で分散液を得た。（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅は、０．２１３であった。また、発光スペクトルの半値幅は、２０．１５ｎｍであり、励起光の吸収率は０．６５であり、発光波長が５４２ｎｍであった。ＴＥＭによって測定した平均粒径は１８．４ｎｍであった。
［実施例４］
ペロブスカイト化合物の製造工程における臭化オレイルアンモニウムを含む溶液の水分量を、酢酸鉛・３水和物（金属元素Ｍとして鉛を含む原料）中の鉛の質量（ｇ）に対し、水(ｇ)／鉛（ｇ）を、２．２５とした以外は、実施例１と同様の方法で分散液を得た。（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅は、０．１５０であった。また、発光スペクトルの半値幅は、２０．１６ｎｍであり、励起光の吸収率は０．２９であり、発光波長が５３９ｎｍであった。ＴＥＭによって測定した平均粒径は２６．６ｎｍであった。
［実施例５］
オレイルアミン２５ｍＬ、及びエタノール２００ｍＬを混合した後、氷冷しながら攪拌しながら臭化水素酸溶液（４８％）を１７．１２ｍＬ添加した後、減圧乾燥して沈殿を得た。沈殿はジエチルエーテルを用いて洗浄した後、減圧乾燥して臭化オレイルアンモニウムを得た。
臭化オレイルアンモニウム２１ｇに対して、トルエン２００ｍＬを混合した後、後述の酢酸鉛・３水和物（金属元素Ｍとして鉛を含む原料）中の鉛の質量（ｇ）に対し、水(ｇ)／鉛（ｇ）が、１．６９となるように臭化オレイルアンモニウムを含む溶液に水を添加して、臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を調製した。
酢酸鉛・３水和物１．５２ｇと、ホルムアミジン酢酸塩１．５６ｇ、１－オクタデセンの溶媒１６０ｍＬと、オレイン酸４０ｍＬとを混合した。攪拌して、窒素を流しながら１３０℃まで加熱した後、上述の臭化オレイルアンモニウム及び水を含む溶液を５３．４ｍＬ添加した。添加後溶液を室温まで降温し、（１）ペロブスカイト化合物を含む分散液３を得た。ＴＥＭによって測定した平均粒径は１８．４ｎｍであった。
２００ｍＬの上記分散液３に対してトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬを混合した溶液をろ過で固液分離した。その後、ろ過上の固形分をトルエン１００ｍＬ、及びアセトニトリル５０ｍＬの混合溶液を２回流して洗浄し、ろ過した。これにより、（１）ペロブスカイト化合物を得た。
得られた（１）ペロブスカイト化合物をトルエン１００ｍLで分散し、分散液４を得た。分散液４を５０μL無反射板にキャスト・乾燥した後、ＸＲＤ測定した所、ＸＲＤスペクトルは２θ＝１４～１５°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。測定した（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅は０．２１３であった。測定結果より、回収した（１）ペロブスカイト化合物は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物であることを確認した。
前記ペロブスカイト化合物をキシレンと混合して、固形分濃度が０．９質量％となるように１８５ｍＬの分散液５を調製した。ここに、オルガノポリシラザン（１５００ Ｓｌｏｗ Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ， メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）を、分散液５中の１質量部のペロブスカイト化合物に対し、２質量部加えた。上述の方法で発光スペクトルの半値幅を測定すると、２０．６０ｎｍであり、発光波長は５３８ｎｍであった。
［比較例１］
ペロブスカイト化合物の製造工程における臭化オレイルアンモニウムを含む溶液の水分量を、酢酸鉛・３水和物（金属元素Ｍとして鉛を含む原料）中の鉛の質量（ｇ）に対し、水(ｇ)／鉛（ｇ）を０．０４６とした以外は、実施例１と同様の方法で分散液を得た。なお、上述の水は、意図的に加えたものではなく、原料に含まれていた水分由来の水である。
上述の方法で（ｈｋｌ）＝（００１）の半値幅を算出すると０．６００であった。上述の方法で発光スペクトルの半値幅を測定すると、２４．３０ｎｍであり、励起光の吸収率は０．６４であり、発光波長は５３５ｎｍであった。ＴＥＭによって測定した平均粒径は１３．１ｎｍであった。
実施例１～５、比較例１の結果を表１に示す。
Figure 0007470532000008
上記の結果から、本発明を適用した実施例１～５のペロブスカイト化合物は、本発明を適用しない比較例１のペロブスカイト化合物と比べて、発光スペクトルの半値幅が狭いことが確認できた。
［参考例１］
実施例１～５に記載の化合物、又は組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例２］
実施例１～５に記載の化合物、又は組成物をシート化する事で樹脂組成物を得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例３］
実施例１～５に記載の化合物、又は組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例４］
実施例１～５に記載の化合物、又は組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
［参考例５］
実施例１～５に記載の化合物、又は組成物をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。
［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１～５に記載の化合物、又は組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２’，７，７’－ｔｅｔｒａｋｉｓ－（Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－ｐ－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）－９，９’－ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ－ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。
［参考例７］
実施例１～５に記載の化合物、又は組成物の、溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから組成物に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
［参考例８］
実施例１～５に記載の化合物、又は組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができる。得られた組成物を光電変換層の一部とすることで、光を検知する検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料を製造する。光電変換素子材料は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーに用いられる。
本発明によれば、発光スペクトルの半値幅が狭いペロブスカイト型結晶構造を有する化合物、前記化合物を含む組成物、前記組成物を形成材料とするフィルム、前記フィルムを含む積層構造体、前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイを提供することが可能となる。
したがって、本発明のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物、前記化合物を含む組成物、前記組成物を形成材料とするフィルム、前記フィルムを含む積層構造体、及び前記前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。
１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板

Claims (14)

  1. Ｘ線回折パターンにおいて、面のミラー指数（００１）のピークの半値幅が０．１０以上、０．６０未満であり、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物。
    （Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする６面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンであり、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は下記式（Ａ４）で表される炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである。
    （Ｒ １０ Ｒ １１ Ｎ＝ＣＨ－ＮＲ １２ Ｒ １３ ） ＋ ・・・（Ａ４）
    前記式（Ａ４）中、Ｒ １０ ～Ｒ １３ は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。
    Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする８面体の各頂点に位置する成分であって、ハロゲン化物イオンである。
    Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する６面体、及びＸを頂点に配置する８面体の中心に位置する成分であって、鉛イオンである。）
  2. 前記Ａは、メチルアンモニウムイオン又は（Ｈ ２ Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ ２ ） ＋ で表されるアミジニウムイオンである、請求項１に記載の化合物。
  3. 前記Ａは、（Ｈ ２ Ｎ＝ＣＨ－ＮＨ ２ ） ＋ で表されるアミジニウムイオンである、請求項１又は２に記載の化合物。
  4. 前記Ｘは、塩化物イオン、臭化物イオン、又はフッ化物イオンである、請求項１～３のいずれか一項に記載の化合物。
  5. 前記Ｘは、臭化物イオンである、請求項１～４のいずれか一項に記載の化合物。
  6. 請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物と、下記（２－１）、下記（２－１）の改質体、下記（２－２）及び下記（２－２）の改質体からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物と、を含む組成物。
    （２－１）シラザン
    （２－２）アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有するケイ素化合物
  7. 請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物と、下記（３）、下記（４）及び下記（５）からなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含む組成物。
    （３）溶媒
    （４）重合性化合物
    （５）重合体
  8. 更に、下記（３）、下記（４）及び下記（５）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む請求項６に記載の組成物。
    （３）溶媒
    （４）重合性化合物
    （５）重合体
  9. 請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物を含むフィルム。
  10. 請求項６～８のいずれか一項に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
  11. 請求項９又は１０に記載のフィルムを含む積層構造体。
  12. 請求項１１に記載の積層構造体を備える発光装置。
  13. 請求項１１に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
  14. 請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物の製造方法であって、
    前記Ａ及び前記Ｂを含む第１溶液を得る工程と、
    前記Ｘを含む第２溶液を得る工程と、
    前記第１溶液及び前記第２溶液を混合して混合液を得る工程と、
    得られた混合液を冷却する工程と、を含み、
    前記混合液は、水を含み、
    Ｂの質量ＷＭに対する、前記水の質量ＷＷの比である（ＷＷ／ＷＭ）が０．０５～１００である、化合物の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104388089B (zh) * 2014-11-04 2017-06-06 深圳Tcl新技术有限公司 一种杂化钙钛矿量子点材料的制备方法
CN104861958B (zh) * 2015-05-14 2017-02-15 北京理工大学 一种钙钛矿/聚合物复合发光材料及其制备方法
JP6870432B2 (ja) * 2016-03-31 2021-05-12 三菱ケミカル株式会社 複合金属酸化物粒子、並びに、これを用いた分散液、ハイブリッド複合粒子、ハイブリッド複合材及び光学材料
JP6332522B1 (ja) * 2017-05-17 2018-05-30 住友化学株式会社 組成物、および組成物の製造方法
TWI766999B (zh) * 2017-05-17 2022-06-11 日商住友化學股份有限公司 膜
CN107603614B (zh) * 2017-09-12 2019-05-21 华中科技大学 一种金属卤化物钙钛矿量子点的制备方法
CN107954902A (zh) * 2017-12-13 2018-04-24 合肥工业大学 一种宽光谱的有机-无机杂化钙钛矿量子点荧光材料及其制备方法
CN108258157A (zh) * 2018-01-22 2018-07-06 苏州大学 钙钛矿量子点及其合成方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Advanced Materials，2016年，28，10088-10094
Chemistry of Materials，2017年，29，8433-8439
Journal of the American Chemical Society，2016年，138，14202-14205
Physical Review Materials，2018年，2，116003，ISSN 2475-9953
The Journal of Physical Chemistry Letters，2017年，8，6041-6047

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