TWI759391B - 含矽樹脂組成物、含矽樹脂薄膜、二氧化矽薄膜、發光顯示元件面板及發光顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明的課題為提供一種抑制破裂的發生，並且可以良好分散的狀態形成包含量子點之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜之含矽樹脂組成物、與包含量子點之含矽樹脂薄膜及二氧化矽薄膜以及其製造方法、與發光顯示元件用之光學薄膜及層合體、與包含該光學薄膜或該層合體之發光顯示元件面板、與具備該發光顯示元件面板之發光顯示裝置、與前述之層合體之製造方法。 　　作為解決手段為在包含含矽樹脂(A)、與量子點(B)、與溶劑(S)之含矽樹脂組成物，作為含矽樹脂(A)，係使用選自矽氧烷樹脂及聚矽烷中之1種以上，將特定構造之環烷基乙酸酯含有在溶劑(S)。作為環烷基乙酸酯，適合使用環己基乙酸酯。

Description

含矽樹脂組成物、含矽樹脂薄膜、二氧化矽薄膜、發光顯示元件面板及發光顯示裝置

[0001] 本發明係關於含矽樹脂組成物、含矽樹脂薄膜、二氧化矽薄膜、發光顯示元件面板及發光顯示裝置。

[0002] 較以往，為了封入電子所形成之極小的粒(點)被稱為量子點，已被研究於各種領域的適用。於此，1粒量子點的大小為直徑數奈米至數10奈米，以約1萬個原子構成。 　　[0003] 該量子點藉由變更其尺寸(改變帶隙(Band gap))，可變換發光之螢光的顏色(發光波長)(波長變換)。因此，近年來針對量子點，作為波長變換材料，適用在顯示元件已被努力研究(參照專利文獻1及2)。 　　[0004] 又，亦正研究各種光學發光元件或包含在顯示元件之量子點的光學薄膜的適用。作為該光學薄膜，例如提案有於由如聚二甲基矽氧烷之含矽樹脂所構造之基質中分散量子點之光學薄膜(參照專利文獻3)。 　　例如，在使用液晶顯示元件或有機EL顯示元件等之光源的發光，顯示圖像之元件，將光源所發出之光線透過包含量子點之光學薄膜時，由於可藉由波長變換取出色純度高之綠色光與紅色光，可擴大色相之再現範圍。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0005] 　　[專利文獻1]日本特開2006-216560號公報 　　[專利文獻2]日本特開2008-112154號公報 　　[專利文獻3]韓國公開特許第10-2016-0004524號公報

[發明欲解決之課題] 　　[0006] 矽氧烷樹脂或二氧化矽等之含矽材料由於具有耐光性、耐候性、耐溶劑性、耐化學藥品性、透明性及絕緣性等之各種優異之特性，適合作為在包含量子點之光學薄膜的基質之材料。 　　然而，形成包含由矽氧烷樹脂或二氧化矽等之含矽材料所構成之基質、與分散於該基質中之量子點的薄膜時，有薄膜的膜厚較厚時，容易於所形成之薄膜產生破裂的問題。 　　[0007] 因此，使用於由含矽材料所構成之基質中包含量子點之光學薄膜時，有必要薄化光學薄膜的膜厚，有顯示限制光學薄膜的設計或具備光學薄膜之各種裝置的設計的問題。 　　例如，於製造有某程度厚之光學薄膜時，為了得到無破裂之光學薄膜，有必要層合多數較薄之光學薄膜的情況。該情況下，因層合的操作煩雜，導致光學薄膜之製造成本高。 　　[0008] 又，於包含量子點之光學薄膜，為了抑制入射在薄膜之亮度線的散射，期望使量子點良好地分散，於量子點之粒子間確保有某程度的距離。 　　惟，於由含矽材料所構成之基質中形成包含量子點之光學薄膜時，有藉由光學薄膜的形成所使用之組成物的組成，使量子點良好分散於薄膜中有困難的情況。 　　[0009] 本發明係鑑於上述之課題而完成者。本發明以提供一種抑制破裂的發生，並且可以良好分散的狀態形成包含量子點之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜之含矽樹脂組成物、與使用該含矽樹脂組成物之矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜之製造方法、與包含量子點之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜、與包含該含矽樹脂薄膜及/或該二氧化矽薄膜之發光顯示元件用之光學薄膜或層合體、與包含該光學薄膜或該層合體之發光顯示元件面板、與具備該發光顯示元件面板之發光顯示裝置、與前述之層合體之製造方法作為目的。 [用以解決課題之手段] 　　[0010] 本發明者們，發現藉由在包含含矽樹脂(A)、與量子點(B)、與溶劑(S)之含矽樹脂組成物，作為含矽樹脂(A)，係使用選自由矽氧烷樹脂及聚矽烷所構成之群組中之1種以上，將特定構造之環烷基乙酸酯含有在溶劑(S)，可解決上述之課題，而終至完成本發明。具體而言，本發明係提供以下者。 　　[0011] 本發明之第1態樣，為一種含矽樹脂組成物，其係含有含矽樹脂(A)、與量子點(B)、與溶劑(S)，其特徵為含矽樹脂(A)為選自由矽氧烷樹脂及聚矽烷所構成之群組中之1種以上， 　　溶劑(S)為含有下式(S1)表示之環烷基乙酸酯，

(式(S1)中，R^s1 為碳原子數1～3之烷基，p為1～6之整數，q為0～(p+1)之整數)。 　　[0012] 本發明之第2態樣，為一種含矽樹脂薄膜之製造方法，其係包含： 　　形成由第1態樣之該含矽樹脂組成物所構成之塗佈膜、與 　　從塗佈膜去除溶劑(S)。 　　[0013] 本發明之第3態樣，為一種含矽樹脂薄膜，其係於由含矽樹脂(A)所構成之基質中，分散量子點(B)，膜厚為2～300μm。 　　[0014] 本發明之第4態樣，為一種二氧化矽薄膜之製造方法，其係包含： 　　形成由第1態樣之該含矽樹脂組成物所構成之塗佈膜、與 　　燒成塗佈膜。 　　[0015] 本發明之第5態樣，為一種二氧化矽薄膜，其係於由二氧化矽所構成之基質中，分散量子點(B)。 　　[0016] 本發明之第6態樣，為一種發光顯示元件用之光學薄膜，其係由第3態樣之該含矽樹脂薄膜或由第5態樣之該二氧化矽薄膜所構成。 　　[0017] 本發明之第7態樣，為一種層合體，其係包含選自第3態樣之該含矽樹脂薄膜及第5態樣之該二氧化矽薄膜所構成之群組中之1個以上的薄膜。 　　[0018] 本發明之第8態樣，為一種發光顯示元件面板，其係包含第6態樣之該發光顯示元件用之光學薄膜或第7態樣之該層合體。 　　[0019] 本發明之第9態樣，為一種發光顯示裝置，其係具備第8態樣之該發光顯示元件面板。 　　[0020] 本發明之第10之態樣，為一種層合體之製造方法，其係包含選自含矽樹脂薄膜及二氧化矽薄膜中之1個以上的薄膜之層合體之製造方法，其特徵為包含將含矽樹脂薄膜以第2態樣之該製造方法製造及將二氧化矽薄膜以第4之態樣之該製造方法製造中之至少一種。 [發明的效果] 　　[0021] 根據本發明，可提供一種抑制破裂的發生，並且可以良好分散的狀態形成包含量子點之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜之含矽樹脂組成物、與使用該含矽樹脂組成物之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜之製造方法、與包含量子點之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜、與包含該含矽樹脂薄膜及/或該二氧化矽薄膜之發光顯示元件用之光學薄膜或層合體、與包含該光學薄膜或該層合體之發光顯示元件面板、與具備該發光顯示元件面板之發光顯示裝置、與前述之層合體之製造方法。

[0022] ＜含矽樹脂組成物＞ 　　於本發明該含矽樹脂組成物係含有含矽樹脂(A)、與量子點(B)、與溶劑(S)。 　　作為含矽樹脂(A)，係使用選自矽氧烷樹脂及聚矽烷中之1種以上。 　　溶劑(S)含有下式(S1)表示之環烷基乙酸酯。

(式(S1)中，R^s1 為碳原子數1～3之烷基，p為1～6之整數，q為0～(p+1)之整數)。 　　[0023] 含矽樹脂組成物係藉由包含含有預定構造之環烷基乙酸酯的溶劑(S)，可抑制在使用含矽樹脂組成物所形成之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜之破裂的發生，並且在含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜，可使量子點(B)良好地分散。 　　[0024] 使用含矽樹脂組成物，形成膜厚2～300μm左右厚度之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜時，特別容易產生破裂。 　　惟，於本發明使用該含矽樹脂組成物時，即使是形成膜厚2～300μm左右厚度之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜的情況下，亦容易抑制破裂的發生。 　　[0025] 以下，針對含矽樹脂組成物所包含之必須或任意之成分進行說明。 　　[0026] [含矽樹脂(A)] 　　作為含矽樹脂(A)，係使用選自矽氧烷樹脂及聚矽烷中之1種以上。藉由塗佈包含此等之含矽樹脂(A)之含矽樹脂組成物，而得到含矽樹脂薄膜，藉由燒成該含矽樹脂薄膜，而得到二氧化矽系之膜。以下，針對矽氧烷樹脂及聚矽烷進行說明。 　　[0027] (矽氧烷樹脂) 　　針對矽氧烷樹脂，若為可溶於含有後述構造之環烷基乙酸酯的溶劑(S)之樹脂，則並未特別限制。 　　作為矽氧烷樹脂，適合使用例如水解縮合選自下式(A1)表示之矽烷化合物中之至少一種所得之矽氧烷樹脂。

[0028] 在式(A1)，R表示氫原子、烷基、芳基或芳烷基，R’表示烷基或苯基，n表示2～4之整數。於Si鍵結複數個R時，該複數個R可為相同，亦可為相異。又，鍵結於Si之複數個(OR’)基可為相同，亦可為相異。 　　[0029] 又，作為R之烷基，較佳為碳原子數1～20之直鏈狀或分支狀的烷基，更佳為碳原子數1～4之直鏈狀或分支狀的烷基。 　　[0030] R為芳基或芳烷基時，此等之基所包含之芳基於不阻礙本發明目的的範圍，並未被特別限定。作為芳基之適合的例，可列舉下述之基。 　　[0031]

[0032] 於上述式之基當中，較佳為下式之基。

[0033] 上述式中，R^a1 為氫原子；羥基；甲氧基、乙氧基、丁氧基、丙氧基等之烷氧基；甲基、乙基、丁基、丙基等之烴基。上述式中R^a2 為亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等之伸烷基。 　　[0034] 作為R為芳基或芳烷基時之適合的具體例，可列舉苄基、苯乙基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基、芘基等。 　　[0035] 芳基或芳烷基所包含之苯環數較佳為1～3個。苯環數為1～3個時，矽氧烷樹脂之製造性良好，藉由矽氧烷樹脂之聚合度的上昇抑制燒成時之揮發，二氧化矽薄膜的形成為容易。芳基或芳烷基可具有羥基作為取代基。 　　[0036] 又，作為R’之烷基較佳為碳原子數1～5之直鏈狀或分支狀之烷基。作為R’之烷基之碳原子數，尤其是從水解速度的點來看，較佳為1或2。 　　在式(A1)之n為4時之矽烷化合物(i)係以下式(A2)表示。

[0037] 式(A2)中，R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 分別獨立與上述R’同樣表示烷基或苯基。 　　[0038] a、b、c及d為0≦a≦4、0≦b≦4、0≦c≦4、0≦d≦4，且為滿足a+b+c+d=4之條件的整數。 　　[0039] 在式(A1)之n為3時之矽烷化合物(ii)係以下述式(A3)表示。

[0040] 式(A3)中，R⁵ 表示氫原子、與上述R相同表示烷基、芳基或芳烷基。R⁶ 、R⁷ 及R⁸ 分別獨立與上述R’同樣表示烷基或苯基。 　　[0041] e、f及g為0≦e≦3、0≦f≦3、0≦g≦3，且為滿足e+f+g=3之條件的整數。 　　[0042] 在式(A1)之n為2時之矽烷化合物(iii)係以下述式(A4)表示。

[0043] 式(A4)中，R⁹ 及R¹⁰ 表示氫原子、與上述R相同表示烷基、芳基或芳烷基。R¹¹ 及R¹² 分別獨立與上述R’同樣表示烷基或苯基。 　　[0044] h及i為0≦h≦2、0≦i≦2，且為滿足h+i=2之條件的整數。 　　[0045] 作為矽烷化合物(i)之具體例，可列舉四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、四戊基氧基矽烷、四苯基氧基矽烷、三甲氧基單乙氧基矽烷、二甲氧基二乙氧基矽烷、三乙氧基單甲氧基矽烷、三甲氧基單丙氧基矽烷、單甲氧基三丁氧基矽烷、單甲氧基三戊基氧基矽烷、單甲氧基三苯基氧基矽烷、二甲氧基二丙氧基矽烷、三丙氧基單甲氧基矽烷、三甲氧基單丁氧基矽烷、二甲氧基二丁氧基矽烷、三乙氧基單丙氧基矽烷、二乙氧基二丙氧基矽烷、三丁氧基單丙氧基矽烷、二甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷、二乙氧基單甲氧基單丁氧基矽烷、二乙氧基單丙氧基單丁氧基矽烷、二丙氧基單甲氧基單乙氧基矽烷、二丙氧基單甲氧基單丁氧基矽烷、二丙氧基單乙氧基單丁氧基矽烷、二丁氧基單甲氧基單乙氧基矽烷、二丁氧基單乙氧基單丙氧基矽烷、單甲氧基單乙氧基單丙氧基單丁氧基矽烷等之四烷氧基矽烷，其中，較佳為四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷。 　　[0046] 作為矽烷化合物(ii)之具體例，可列舉 　　三甲氧基矽烷、三乙氧基矽烷、三丙氧基矽烷、三戊基氧基矽烷、三苯基氧基矽烷、二甲氧基單乙氧基矽烷、二乙氧基單甲氧基矽烷、二丙氧基單甲氧基矽烷、二丙氧基單乙氧基矽烷、二戊基氧基(Oxyl)單甲氧基矽烷、二戊基氧基單乙氧基矽烷、二戊基氧基單丙氧基矽烷、二苯基氧基(Oxyl)單甲氧基矽烷、二苯基氧基單乙氧基矽烷、二苯基氧基單丙氧基矽烷、甲氧基乙氧基丙氧基矽烷、單丙氧基二甲氧基矽烷、單丙氧基二乙氧基矽烷、單丁氧基二甲氧基矽烷、單戊基氧基二乙氧基矽烷及單苯基氧基二乙氧基矽烷等之氫矽烷化合物； 　　甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三戊基氧基矽烷、甲基三苯基氧基矽烷、甲基單甲氧基二乙氧基矽烷、甲基單甲氧基二丙氧基矽烷、甲基單甲氧基二戊基氧基矽烷、甲基單甲氧基二苯基氧基矽烷、甲基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷及甲基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷等之甲基矽烷化合物； 　　乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、乙基三戊基氧基矽烷、乙基三苯基氧基矽烷、乙基單甲氧基二乙氧基矽烷、乙基單甲氧基二丙氧基矽烷、乙基單甲氧基二戊基氧基矽烷、乙基單甲氧基二苯基氧基矽烷、乙基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷及乙基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷等之乙基矽烷化合物； 　　丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丙基三丙氧基矽烷、丙基三戊基氧基矽烷及丙基三苯基氧基矽烷、丙基單甲氧基二乙氧基矽烷、丙基單甲氧基二丙氧基矽烷、丙基單甲氧基二戊基氧基矽烷、丙基單甲氧基二苯基氧基矽烷、丙基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷及丙基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷等之丙基矽烷化合物； 　　丁基三甲氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、丁基三丙氧基矽烷、丁基三戊基氧基矽烷、丁基三苯基氧基矽烷、丁基單甲氧基二乙氧基矽烷、丁基單甲氧基二丙氧基矽烷、丁基單甲氧基二戊基氧基矽烷、丁基單甲氧基二苯基氧基矽烷、丁基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷及丁基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷等之丁基矽烷化合物； 　　苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、苯基三戊基氧基矽烷、苯基三苯基氧基矽烷、苯基單甲氧基二乙氧基矽烷、苯基單甲氧基二丙氧基矽烷、苯基單甲氧基二戊基氧基矽烷、苯基單甲氧基二苯基氧基矽烷、苯基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷及苯基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷等之苯基矽烷化合物； 　　羥基苯基三甲氧基矽烷、羥基苯基三乙氧基矽烷、羥基苯基三丙氧基矽烷、羥基苯基三戊基氧基矽烷、羥基苯基三苯基氧基矽烷、羥基苯基單甲氧基二乙氧基矽烷、羥基苯基單甲氧基二丙氧基矽烷、羥基苯基單甲氧基二戊基氧基矽烷、羥基苯基單甲氧基二苯基氧基矽烷、羥基苯基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷及羥基苯基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷等之羥基苯基矽烷化合物； 　　萘基三甲氧基矽烷、萘基三乙氧基矽烷、萘基三丙氧基矽烷、萘基三戊基氧基矽烷、萘基三苯基氧基矽烷、萘基單甲氧基二乙氧基矽烷、萘基單甲氧基二丙氧基矽烷、萘基單甲氧基二戊基氧基矽烷、萘基單甲氧基二苯基氧基矽烷、萘基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷及萘基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷等之萘基矽烷化合物； 　　苄基三甲氧基矽烷、苄基三乙氧基矽烷、苄基三丙氧基矽烷、苄基三戊基氧基矽烷、苄基三苯基氧基矽烷、苄基單甲氧基二乙氧基矽烷、苄基單甲氧基二丙氧基矽烷、苄基單甲氧基二戊基氧基矽烷、苄基單甲氧基二苯基氧基矽烷、苄基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷及苄基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷等之苄基矽烷化合物； 　　羥基苄基三甲氧基矽烷、羥基苄基三乙氧基矽烷、羥基苄基三丙氧基矽烷、羥基苄基三戊基氧基矽烷、羥基苄基三苯基氧基矽烷、羥基苄基單甲氧基二乙氧基矽烷、羥基苄基單甲氧基二丙氧基矽烷、羥基苄基單甲氧基二戊基氧基矽烷、羥基苄基單甲氧基二苯基氧基矽烷、羥基苄基甲氧基乙氧基丙氧基矽烷及羥基苄基單甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷等之羥基苄基矽烷化合物。 　　[0047] 作為矽烷化合物(iii)之具體例，可列舉 　　二甲氧基矽烷、二乙氧基矽烷、二丙氧基矽烷、二戊基氧基矽烷、二苯基氧基矽烷、甲氧基乙氧基矽烷、甲氧基丙氧基矽烷、甲氧基戊基氧基矽烷、甲氧基苯基氧基矽烷、乙氧基丙氧基矽烷、乙氧基戊基氧基矽烷及乙氧基苯基氧基矽烷等之氫矽烷化合物； 　　甲基二甲氧基矽烷、甲基甲氧基乙氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、甲基甲氧基丙氧基矽烷、甲基甲氧基戊基氧基矽烷、甲基乙氧基丙氧基矽烷、甲基二丙氧基矽烷、甲基二戊基氧基矽烷、甲基二苯基氧基矽烷、甲基甲氧基苯基氧基矽烷等之甲基氫矽烷化合物； 　　乙基二甲氧基矽烷、乙基甲氧基乙氧基矽烷、乙基二乙氧基矽烷、乙基甲氧基丙氧基矽烷、乙基甲氧基戊基氧基矽烷、乙基乙氧基丙氧基矽烷、乙基二丙氧基矽烷、乙基二戊基氧基矽烷、乙基二苯基氧基矽烷、乙基甲氧基苯基氧基矽烷等之乙基氫矽烷化合物； 　　丙基二甲氧基矽烷、丙基甲氧基乙氧基矽烷、丙基二乙氧基矽烷、丙基甲氧基丙氧基矽烷、丙基甲氧基戊基氧基矽烷、丙基乙氧基丙氧基矽烷、丙基二丙氧基矽烷、丙基二戊基氧基矽烷、丙基二苯基氧基矽烷、丙基甲氧基苯基氧基矽烷等之丙基氫矽烷化合物； 　　丁基二甲氧基矽烷、丁基甲氧基乙氧基矽烷、丁基二乙氧基矽烷、丁基甲氧基丙氧基矽烷、丁基甲氧基戊基氧基矽烷、丁基乙氧基丙氧基矽烷、丁基二丙氧基矽烷、丁基二戊基氧基矽烷、丁基二苯基氧基矽烷、丁基甲氧基苯基氧基矽烷等之丁基氫矽烷化合物； 　　苯基二甲氧基矽烷、苯基甲氧基乙氧基矽烷、苯基二乙氧基矽烷、苯基甲氧基丙氧基矽烷、苯基甲氧基戊基氧基矽烷、苯基乙氧基丙氧基矽烷、苯基二丙氧基矽烷、苯基二戊基氧基矽烷、苯基二苯基氧基矽烷、苯基甲氧基苯基氧基矽烷等之苯基氫矽烷化合物； 　　羥基苯基二甲氧基矽烷、羥基苯基甲氧基乙氧基矽烷、羥基苯基二乙氧基矽烷、羥基苯基甲氧基丙氧基矽烷、羥基苯基甲氧基戊基氧基矽烷、羥基苯基乙氧基丙氧基矽烷、羥基苯基二丙氧基矽烷、羥基苯基二戊基氧基矽烷、羥基苯基二苯基氧基矽烷、羥基苯基甲氧基苯基氧基矽烷等之羥基苯基氫矽烷化合物； 　　萘基二甲氧基矽烷、萘基甲氧基乙氧基矽烷、萘基二乙氧基矽烷、萘基甲氧基丙氧基矽烷、萘基甲氧基戊基氧基矽烷、萘基乙氧基丙氧基矽烷、萘基二丙氧基矽烷、萘基二戊基氧基矽烷、萘基二苯基氧基矽烷、萘基甲氧基苯基氧基矽烷等之萘基氫矽烷化合物； 　　苄基二甲氧基矽烷、苄基甲氧基乙氧基矽烷、苄基二乙氧基矽烷、苄基甲氧基丙氧基矽烷、苄基甲氧基戊基氧基矽烷、苄基乙氧基丙氧基矽烷、苄基二丙氧基矽烷、苄基二戊基氧基矽烷、苄基二苯基氧基矽烷、苄基甲氧基苯基氧基矽烷等之苄基氫矽烷化合物； 　　羥基苄基二甲氧基矽烷、羥基苄基甲氧基乙氧基矽烷、羥基苄基二乙氧基矽烷、羥基苄基甲氧基丙氧基矽烷、羥基苄基甲氧基戊基氧基矽烷、羥基苄基乙氧基丙氧基矽烷、羥基苄基二丙氧基矽烷、羥基苄基二戊基氧基矽烷、羥基苄基二苯基氧基矽烷、羥基苄基甲氧基苯基氧基矽烷等之羥基苄基氫矽烷化合物； 　　二甲基二甲氧基矽烷、二甲基甲氧基乙氧基矽烷、二甲基甲氧基丙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二戊基氧基矽烷、二甲基二苯基氧基矽烷、二甲基乙氧基丙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷等之二甲基矽烷化合物； 　　二乙基二甲氧基矽烷、二乙基甲氧基乙氧基矽烷、二乙基甲氧基丙氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二戊基氧基矽烷、二乙基二苯基氧基矽烷、二乙基乙氧基丙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽烷等之二乙基矽烷化合物； 　　二丙基二甲氧基矽烷、二丙基甲氧基乙氧基矽烷、二丙基甲氧基丙氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二戊基氧基矽烷、二丙基二苯基氧基矽烷、二丙基乙氧基丙氧基矽烷、二丙基二丙氧基矽烷等之二丙氧基矽烷化合物； 　　二丁基二甲氧基矽烷、二丁基甲氧基乙氧基矽烷、二丁基甲氧基丙氧基矽烷、二丁基二乙氧基矽烷、二丁基二戊基氧基矽烷、二丁基二苯基氧基矽烷、二丁基乙氧基丙氧基矽烷、二丁基二丙氧基矽烷等之二丁基矽烷化合物； 　　二苯基二甲氧基矽烷、二苯基甲氧基乙氧基矽烷、二苯基甲氧基丙氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二戊基氧基矽烷、二苯基二苯基氧基矽烷、二苯基乙氧基丙氧基矽烷、二苯基二丙氧基矽烷等之二苯基矽烷化合物； 　　二(羥基苯基)二甲氧基矽烷、二(羥基苯基)甲氧基乙氧基矽烷、二(羥基苯基)甲氧基丙氧基矽烷、二(羥基苯基)二乙氧基矽烷、二(羥基苯基)二戊基氧基矽烷、二(羥基苯基)二苯基氧基矽烷、二(羥基苯基)乙氧基丙氧基矽烷、二(羥基苯基)二丙氧基矽烷等之二(羥基苯基)矽烷化合物； 　　二萘基二甲氧基矽烷、二萘基甲氧基乙氧基矽烷、二萘基甲氧基丙氧基矽烷、二萘基二乙氧基矽烷、二萘基二戊基氧基矽烷、二萘基二苯基氧基矽烷、二萘基乙氧基丙氧基矽烷、二萘基二丙氧基矽烷等之二萘基矽烷化合物； 　　二苄基二甲氧基矽烷、二苄基甲氧基乙氧基矽烷、二苄基甲氧基丙氧基矽烷、二苄基二乙氧基矽烷、二苄基二戊基氧基矽烷、二苄基二苯基氧基矽烷、二苄基乙氧基丙氧基矽烷、二苄基二丙氧基矽烷等之二苄基矽烷化合物； 　　二(羥基苄基)二甲氧基矽烷、二(羥基苄基)甲氧基乙氧基矽烷、二(羥基苄基)甲氧基丙氧基矽烷、二(羥基苄基)二乙氧基矽烷、二(羥基苄基)二戊基氧基矽烷、二(羥基苄基)二苯基氧基矽烷、二(羥基苄基)乙氧基丙氧基矽烷、二(羥基苄基)二丙氧基矽烷等之二(羥基苄基)矽烷化合物； 　　甲基乙基二甲氧基矽烷、甲基乙基甲氧基乙氧基矽烷、甲基乙基甲氧基丙氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、甲基乙基二戊基氧基矽烷、甲基乙基二苯基氧基矽烷、甲基乙基乙氧基丙氧基矽烷、甲基乙基二丙氧基矽烷等之甲基乙基矽烷化合物； 　　甲基丙基二甲氧基矽烷、甲基丙基甲氧基乙氧基矽烷、甲基丙基甲氧基丙氧基矽烷、甲基丙基二乙氧基矽烷、甲基丙基二戊基氧基矽烷、甲基丙基二苯基氧基矽烷、甲基丙基乙氧基丙氧基矽烷、甲基丙基二丙氧基矽烷等之甲基丙基矽烷化合物； 　　甲基丁基二甲氧基矽烷、甲基丁基甲氧基乙氧基矽烷、甲基丁基甲氧基丙氧基矽烷、甲基丁基二乙氧基矽烷、甲基丁基二戊基氧基矽烷、甲基丁基二苯基氧基矽烷、甲基丁基乙氧基丙氧基矽烷、甲基丁基二丙氧基矽烷等之甲基丁基矽烷化合物； 　　甲基(苯基)二甲氧基矽烷、甲基(苯基)甲氧基乙氧基矽烷、甲基(苯基)甲氧基丙氧基矽烷、甲基(苯基)二乙氧基矽烷、甲基(苯基)二戊基氧基矽烷、甲基(苯基)二苯基氧基矽烷、甲基(苯基)乙氧基丙氧基矽烷、甲基(苯基)二丙氧基矽烷等之甲基(苯基)矽烷化合物； 　　甲基(羥基苯基)二甲氧基矽烷、甲基(羥基苯基)甲氧基乙氧基矽烷、甲基(羥基苯基)甲氧基丙氧基矽烷、甲基(羥基苯基)二乙氧基矽烷、甲基(羥基苯基)二戊基氧基矽烷、甲基(羥基苯基)二苯基氧基矽烷、甲基(羥基苯基)乙氧基丙氧基矽烷、甲基(羥基苯基)二丙氧基矽烷等之甲基(羥基苯基)矽烷化合物； 　　甲基(萘基)二甲氧基矽烷、甲基(萘基)甲氧基乙氧基矽烷、甲基(萘基)甲氧基丙氧基矽烷、甲基(萘基)二乙氧基矽烷、甲基(萘基)二戊基氧基矽烷、甲基(萘基)二苯基氧基矽烷、甲基(萘基)乙氧基丙氧基矽烷、甲基(萘基)二丙氧基矽烷等之甲基(萘基)矽烷化合物； 　　甲基(苄基)二甲氧基矽烷、甲基(苄基)甲氧基乙氧基矽烷、甲基(苄基)甲氧基丙氧基矽烷、甲基(苄基)二乙氧基矽烷、甲基(苄基)二戊基氧基矽烷、甲基(苄基)二苯基氧基矽烷、甲基(苄基)乙氧基丙氧基矽烷、甲基(苄基)二丙氧基矽烷等之甲基(苄基)矽烷化合物； 　　甲基(羥基苄基)二甲氧基矽烷、甲基(羥基苄基)甲氧基乙氧基矽烷、甲基(羥基苄基)甲氧基丙氧基矽烷、甲基(羥基苄基)二乙氧基矽烷、甲基(羥基苄基)二戊基氧基矽烷、甲基(羥基苄基)二苯基氧基矽烷、甲基(羥基苄基)乙氧基丙氧基矽烷、甲基(羥基苄基)二丙氧基矽烷等之甲基(羥基苄基)矽烷化合物； 　　乙基丙基二甲氧基矽烷、乙基丙基甲氧基乙氧基矽烷、乙基丙基甲氧基丙氧基矽烷、乙基丙基二乙氧基矽烷、乙基丙基二戊基氧基矽烷、乙基丙基二苯基氧基矽烷、乙基丙基乙氧基丙氧基矽烷、乙基丙基二丙氧基矽烷等之乙基丙基矽烷化合物； 　　乙基丁基二甲氧基矽烷、乙基丁基甲氧基乙氧基矽烷、乙基丁基甲氧基丙氧基矽烷、乙基丁基二乙氧基矽烷、乙基丁基二戊基氧基矽烷、乙基丁基二苯基氧基矽烷、乙基丁基乙氧基丙氧基矽烷、乙基丁基二丙氧基矽烷等之乙基丁基矽烷化合物； 　　乙基(苯基)二甲氧基矽烷、乙基(苯基)甲氧基乙氧基矽烷、乙基(苯基)甲氧基丙氧基矽烷、乙基(苯基)二乙氧基矽烷、乙基(苯基)二戊基氧基矽烷、乙基(苯基)二苯基氧基矽烷、乙基(苯基)乙氧基丙氧基矽烷、乙基(苯基)二丙氧基矽烷等之乙基(苯基)矽烷化合物； 　　乙基(羥基苯基)二甲氧基矽烷、乙基(羥基苯基)甲氧基乙氧基矽烷、乙基(羥基苯基)甲氧基丙氧基矽烷、乙基(羥基苯基)二乙氧基矽烷、乙基(羥基苯基)二戊基氧基矽烷、乙基(羥基苯基)二苯基氧基矽烷、乙基(羥基苯基)乙氧基丙氧基矽烷、乙基(羥基苯基)二丙氧基矽烷等之乙基(羥基苯基)矽烷化合物； 　　乙基(萘基)二甲氧基矽烷、乙基(萘基)甲氧基乙氧基矽烷、乙基(萘基)甲氧基丙氧基矽烷、乙基(萘基)二乙氧基矽烷、乙基(萘基)二戊基氧基矽烷、乙基(萘基)二苯基氧基矽烷、乙基(萘基)乙氧基丙氧基矽烷、乙基(萘基)二丙氧基矽烷等之乙基(萘基)矽烷化合物； 　　乙基(苄基)二甲氧基矽烷、乙基(苄基)甲氧基乙氧基矽烷、乙基(苄基)甲氧基丙氧基矽烷、乙基(苄基)二乙氧基矽烷、乙基(苄基)二戊基氧基矽烷、乙基(苄基)二苯基氧基矽烷、乙基(苄基)乙氧基丙氧基矽烷、乙基(苄基)二丙氧基矽烷等之乙基(苄基)矽烷化合物； 　　乙基(羥基苄基)二甲氧基矽烷、乙基(羥基苄基)甲氧基乙氧基矽烷、乙基(羥基苄基)甲氧基丙氧基矽烷、乙基(羥基苄基)二乙氧基矽烷、乙基(羥基苄基)二戊基氧基矽烷、乙基(羥基苄基)二苯基氧基矽烷、乙基(羥基苄基)乙氧基丙氧基矽烷、乙基(羥基苄基)二丙氧基矽烷等之乙基(羥基苄基)矽烷化合物； 　　丙基丁基二甲氧基矽烷、丙基丁基甲氧基乙氧基矽烷、丙基丁基甲氧基丙氧基矽烷、丙基丁基二乙氧基矽烷、丙基丁基二戊基氧基矽烷、丙基丁基二苯基氧基矽烷、丙基丁基乙氧基丙氧基矽烷、丙基丁基二丙氧基矽烷等之丙基丁基矽烷化合物； 　　丙基(苯基)二甲氧基矽烷、丙基(苯基)甲氧基乙氧基矽烷、丙基(苯基)甲氧基丙氧基矽烷、丙基(苯基)二乙氧基矽烷、丙基(苯基)二戊基氧基矽烷、丙基(苯基)二苯基氧基矽烷、丙基(苯基)乙氧基丙氧基矽烷、丙基(苯基)二丙氧基矽烷等之丙基(苯基)矽烷化合物； 　　丙基(羥基苯基)二甲氧基矽烷、丙基(羥基苯基)甲氧基乙氧基矽烷、丙基(羥基苯基)甲氧基丙氧基矽烷、丙基(羥基苯基)二乙氧基矽烷、丙基(羥基苯基)二戊基氧基矽烷、丙基(羥基苯基)二苯基氧基矽烷、丙基(羥基苯基)乙氧基丙氧基矽烷、丙基(羥基苯基)二丙氧基矽烷等之丙基(羥基苯基)矽烷化合物； 　　丙基(萘基)二甲氧基矽烷、丙基(萘基)甲氧基乙氧基矽烷、丙基(萘基)甲氧基丙氧基矽烷、丙基(萘基)二乙氧基矽烷、丙基(萘基)二戊基氧基矽烷、丙基(萘基)二苯基氧基矽烷、丙基(萘基)乙氧基丙氧基矽烷、丙基(萘基)二丙氧基矽烷等之丙基(萘基)矽烷化合物； 　　丙基(苄基)二甲氧基矽烷、丙基(苄基)甲氧基乙氧基矽烷、丙基(苄基)甲氧基丙氧基矽烷、丙基(苄基)二乙氧基矽烷、丙基(苄基)二戊基氧基矽烷、丙基(苄基)二苯基氧基矽烷、丙基(苄基)乙氧基丙氧基矽烷、丙基(苄基)二丙氧基矽烷等之丙基(苄基)矽烷化合物； 　　丙基(羥基苄基)二甲氧基矽烷、丙基(羥基苄基)甲氧基乙氧基矽烷、丙基(羥基苄基)甲氧基丙氧基矽烷、丙基(羥基苄基)二乙氧基矽烷、丙基(羥基苄基)二戊基氧基矽烷、丙基(羥基苄基)二苯基氧基矽烷、丙基(羥基苄基)乙氧基丙氧基矽烷、丙基(羥基苄基)二丙氧基矽烷等之丙基(羥基苄基)矽烷化合物。 　　[0048] 藉由將以上說明之矽烷化合物依常法進行水解縮合，而得到矽氧烷樹脂。 　　矽氧烷樹脂的質量平均分子量較佳為300～30000，更佳為500～10000。可混合2種以上不同質量平均分子量之矽氧烷樹脂。矽氧烷樹脂之質量平均分子量為該範圍內時，容易得到製膜性優異，可形成平坦之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜之含矽樹脂組成物。 　　[0049] 作為水解縮合以上說明之矽烷化合物所得之矽氧烷樹脂的適合之例，可列舉具有下述式(a-1)表示之構造單位的矽氧烷樹脂。在該矽氧烷樹脂，碳原子之數相對於矽原子1個為2個以上。

(式(a-1)中，R¹ 為烷基、芳基或芳烷基，R² 為氫或烷基、芳基或芳烷基，m為0或1)。 　　[0050] 在R¹ 及R² 之烷基、芳基或芳烷基係與在前述之式(I)之烷基、芳基或芳烷基相同。 　　如上述，藉由使用具有烷基、芳基或芳烷基之矽氧烷樹脂，可形成耐久性優異之二氧化矽薄膜，容易得到對微小空間的填充容易之含矽樹脂組成物。 　　[0051] 作為烷基，較佳為碳原子數1～5之烷基，可列舉甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、tert-丁基等。如此藉由具有碳原子數1～5之烷基，容易形成耐熱性良好之二氧化矽薄膜。 　　作為芳基及芳烷基，可列舉苄基、苯乙基、苯基、萘基、蒽基、菲基、聯苯基、茀基及芘基等。 　　[0052] 作為芳基及芳烷基，具體而言，較佳可列舉具有下述之構造者。

[0053] 上述式中，R³ 為氫原子；羥基；甲氧基、乙氧基、丁氧基、丙氧基等之烷氧基；甲基、乙基、丁基、丙基等之烴基，R⁴ 為亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等之伸烷基。尚，上述芳香族烴基可於在該芳香族烴基中之至少一個芳香環，具有上述R³ ，亦可具有複數個。具有複數個R³ 時，此等之R³ 可為相同，亦可為相異。 　　[0054] 作為特佳之R¹ ，較佳為具有下述之構造(R¹ -a)或構造(R¹ -b)之基，特佳為(R¹ -b)。

[0055] 在式(a-1)，較佳為m為0，該情況下，矽氧烷樹脂係具有半矽氧烷骨架。進而，矽氧烷樹脂更佳為階梯型之半矽氧烷。 　　[0056] 進而，在式(a-1)表示之構造單位(單位骨架)，相對於矽原子1個，較佳為碳原子為具有成為2個以上15個以下之原子數比。 　　[0057] 矽氧烷樹脂可具有2種類以上構造單位(a-1)。又，矽氧烷樹脂可為混合由不同構造單位(a-1)所構成之矽氧烷樹脂者。 　　作為具有2種類以上構造單位(a-1)之矽氧烷樹脂，具體而言，可列舉下述之構造式(A-1-1)～(A-1-3)表示之矽氧烷樹脂。

[0058] 作為矽氧烷樹脂，例如可為含有下式(A-1-4)表示之構成單位者。

式(A-1-4)中，R¹³ 係於其構造中具有選自由(甲基)丙烯醯基、乙烯基及環氧基所構成之群組中之至少一種的基之有機基。選自由(甲基)丙烯醯基、乙烯基及環氧基所構成之群組中之至少一種的基，可直接與Si原子鍵結，亦可透過連結基鍵結。連結基例如為碳原子數1～10之可為直鏈亦可為分支鏈之伸烷基或伸芳基，或組合此等之2價基。連結基可具有醚鍵、胺基鍵或醯胺鍵。 　　[0059] (A-1-4)表示之構成單位，例如雖可列舉以下者，但並非被限定於此等。

[0060] 又，R¹³ 為具有環氧基時，作為R¹³ ，列舉2-(3,4-環氧環己基)乙基及2-(3,4-環氧環己基)丙基作為適合之例。 　　[0061] 作為矽氧烷樹脂，例如可為含有下式(A-1-5)表示之構成單位者。

[0062] 式(A-1-5)中，R¹⁴ 係於其構造中至少具有一個羧基之有機基。羧基較佳為透過連結基與Si原子鍵結，連結基例如為碳原子數1～10之可為直鏈亦可為分支鏈之伸烷基、環伸烷基或伸芳基，或組合此等之2價基。 　　連結基可具有醚鍵、胺基鍵、醯胺鍵或乙烯鍵，較佳為具有醯胺鍵。R¹⁴ ，例如雖可列舉以下者，但並非被限定於此等。尚，下式中*係意指與式(A-1-5)中之Si鍵結之R¹⁴ 之鍵結部的末端。

[0063] 含矽樹脂組成物可包含後述之硬化劑(C)。在包含硬化劑(C)之含矽樹脂組成物，(i)在硬化劑(C)包含藉由光或熱產生鹼成分之硬化劑時，(ii)在含矽樹脂組成物包含後述之其他成分之光聚合起始劑、酸產生劑或鹼產生劑所構成之群組中之至少一個時，或(iii)在後述之薄膜之製造方法具有曝光步驟時，矽氧烷樹脂較佳為含有(A-1-4)表示之構成單位。同樣，又，(iv)在包含由後述之其他成分之光聚合起始劑、酸產生劑或鹼產生劑所構成之群組中之至少一個(排除相當於硬化劑(C)者)時，矽氧烷樹脂較佳為含有(A-1-4)表示之構成單位。矽氧烷樹脂中之(A-1-4)表示之構成單位的含有比例，例如為10～80莫耳%。作為其他構成單位，可進一步包含式(a-1)表示之構造單位及/或(A-1-5)表示之構成單位。又，可包含2種以上相當於各式之構成單位。 　　[0064] 在後述之薄膜之製造方法，具有顯影步驟時，矽氧烷樹脂較佳為含有選自由(A-1-5)表示之構成單位、具有構造(R¹ -a)之構成單位及具有構造(R¹ -b)之構成單位所構成之群組中之1種以上的構成單位。選自由矽氧烷樹脂中之(A-1-5)表示之構成單位、具有構造(R¹ -a)之構成單位及具有構造(R¹ -b)之構成單位所構成之群組中之構成單位的含有比例，例如為20～90莫耳%。此情況下，作為其他構成單位，可進一步包含式(a-1)表示之構造單位及/或(A-1-4)表示之構成單位，較佳為包含(A-1-4)表示之構成單位及(A-1-5)表示之構成單位的矽氧烷樹脂。又，可包含2種以上相當於各式之構成單位。 　　[0065] (聚矽烷) 　　聚矽烷的構造並未被特別限定。聚矽烷雖可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀，亦可為網目狀，亦可為環狀，但較佳為直鏈狀或分支鏈狀之鏈狀構造。 　　聚矽烷可含有矽醇基及/或烷氧基。 　　作為適合之聚矽烷，例如可列舉必須包含下式(A5)及(A6)表示之單位中之至少一個，且任意含有選自下式(A7)、(A8)及(A9)表示之單位中之至少一個的單位之聚矽烷。該聚矽烷可含有矽醇基或與矽原子鍵結之烷氧基。 　　[0066]

(式(A5)、(A7)及(A8)中，R^a3 及R^a4 表示氫原子、有機基或甲矽烷基；R^a5 表示氫原子或烷基；R^a5 為烷基時，較佳為碳原子數1～4之烷基，更佳為甲基及乙基)。 　　[0067] 針對R^a3 及R^a4 ，作為有機基，可列舉烷基、烯基、環烷基、環烯基、芳基、芳烷基等之烴基或烷氧基、烯基氧基、環烷氧基、環烯基氧基、芳基氧基、芳烷基氧基等。 　　於此等之基當中，較佳為烷基、芳基及芳烷基。烷基、芳基及芳烷基的適合之例係與前述之式(A1)中之R為烷基、芳基或芳烷基時之例相同。 　　[0068] R^a3 及R^a4 為甲矽烷基時，作為甲矽烷基，可列舉甲矽烷基、二矽烷基(silanyl)、三矽烷基(silanyl)等之Si_1-10 矽烷基(silanyl)(Si_1-6 矽烷基(silanyl)等)。 　　聚矽烷較佳為包含下述(A10)至(A13)的單元。

(A10)至(A13)中，R^a3 及R^a4 係與在式(A5)、(A7)及(A8)中之R^a3 及R^a4 相同。a、b及c分別為2～1000之整數。 　　a、b及c分別較佳為10～500，更佳為10～100。各單元中之構成單位，可於單元中包含無規，亦可以經嵌段化之狀態包含。 　　[0069] 於經以上說明之聚矽烷當中，較佳為分別與矽原子鍵結之包含組合烷基、與芳基或芳烷基之聚矽烷或僅烷基與矽原子鍵結之聚矽烷。更具體而言，優選使用分別與矽原子鍵結之包含組合甲基、與苄基之聚矽烷，或分別與矽原子鍵結之包含組合甲基、與苯基之聚矽烷或僅甲基與矽原子鍵結之聚矽烷。 　　[0070] 聚矽烷之質量平均分子量較佳為300～100000，更佳為500～70000，再更佳為800～30000。可混合2種以上不同質量平均分子量之聚矽烷。 　　[0071] 含矽樹脂組成物中之含矽樹脂(A)的含量並未特別限定，因應所期望膜厚來設定即可。從製膜性的點來看，含矽樹脂組成物中之含矽樹脂(A)的含量較佳為1～50質量%，更佳為5～40質量%，特佳為10～35質量%。 　　[0072] [量子點(B)] 　　含矽樹脂組成物包含量子點(B)。 　　量子點(B)只要為能發揮作為量子點之機能的微粒子，其構造或其構成成分並未被特別限定。量子點(B)為依照量子力學具有獨特光學特性(後述之量子封閉效果)之奈米級的材料，一般為半導體奈米粒子。在本說明書，量子點(B)亦包含於半導體奈米粒子表面進一步為了提昇發光量子收率而被覆者(具有後述之殼構造者)，或為了安定化量子點而表面修飾者。 　　[0073] 量子點(B)雖吸收較帶隙(價電子帶及傳導帶之能量差)更大之能量的光子，而成為釋出因應其粒子徑之波長的光之半導體奈米粒子，但作為量子點(B)之材料所包含之元素，例如可列舉選自由II族元素(2A族、2B族)、III族元素(尤其是3A族)、IV族元素(尤其是4A族)、V族元素(尤其是5A族)及VI族元素(尤其是6A族)所構成之群組中之1種以上。作為量子點(B)之材料較佳之化合物或元素，例如可列舉II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及此等之組合。 　　[0074] 作為II-VI族化合物，可列舉選自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及此等之混合物所構成之群組中之至少一種的化合物；選自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及此等之混合物所構成之群組中之至少一種的化合物；及選自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及此等之混合物所構成之群組中之至少一種的化合物。 　　[0075] 作為III-V族化合物，可列舉選自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及此等之混合物中之至少一種的化合物；選自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP及此等之混合物中之至少一種的化合物；及選自GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及此等之混合物中之至少一種的化合物。 　　[0076] 作為IV-VI族化合物，可列舉選自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及此等之混合物中之至少一種的化合物；選自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及此等之混合物中之至少一種的化合物；及選自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及此等之混合物中之至少一種的化合物。 　　[0077] 作為IV族元素，可列舉選自Si、Ge及此等之混合物中之至少一種的化合物。作為IV族化合物，可列舉選自SiC、SiGe及此等之混合物中之至少一種的化合物。 　　[0078] 量子點(B)之構造雖可為由1種之化合物所構成之均質構造，亦可為由2種以上之化合物所構成之複合構造，但為了提昇上述化合物之發光量子收率，量子點(B)的構造，較佳為芯為以1層以上之殼層被覆之芯-殼構造，更佳為將作為芯的材質之化合物的粒子表面以半導體材料被覆在磊晶(Epitaxial)之構造。例如作為芯之材質，使用II-VI族之CdSe時，作為該被覆層(殼)，係使用ZnS。殼較佳為與芯的材質相同之格子定數，適當選擇芯-殼之格子定數的差較小之材料的組合。 　　[0079] 從安全性的點來看，量子點(B)未包含Cd或Pb作為構成成分，較佳為包含In或Si等作為構成成分，更佳為包含In。 　　[0080] 作為未具有殼層之均質構造型的量子點(B)之適合的具體例，可列舉AgInS₂ 及被摻雜Zn之AgInS₂ 。 　　作為芯-殼型之量子點(B)，可列舉InP/ZnS、CuInS₂ /ZnS及(ZnS/AgInS₂ )固溶體/ZnS。 　　尚，在上述，記載有芯-殼型之量子點(B)的材質係作為(芯之材質)/(殼層之材質)。 　　[0081] 又，以提昇安全性與發光量子收率的點來看，較佳為將芯-殼構造的殼成為多層構造，更佳為成為2層。 　　為芯-多層殼構造時，作為芯之材質，較佳為選自由InP、ZnS、ZnSe所構成之群組中之至少一種的化合物，更佳為包含InP。作為含有比例，芯的總質量當中，InP為50～100質量%，較佳為60～99質量%，更佳為82～95質量%。又，芯的總質量當中，ZnS及/或ZnSe為0～50質量%，較佳為1～40質量%，更佳為5～18質量%。 　　[0082] 在多層殼構造之第1殼的材質較佳為ZnS及/或ZnSe。作為ZnS及/或ZnSe之含有比例，將第1殼的全質量作為基準，例如為50～100質量%，較佳為75～98質量%，更佳為80～97質量%。第1殼的材質為ZnS及ZnSe的混合物時，混合比(質量比)並未特別限定，為1/99～99/1，較佳為10/90～90/10。 　　[0083] 在多層殼構造，使第2殼成長於第1殼的表面上。第2殼的材質較佳為與第1殼的材質為同等(惟，在各材質，對於芯之格子定數的差不同。亦即，在各材質，排除99%以上同質者)。作為ZnS及/或ZnSe之含有比例，將第2殼的全質量作為基準，例如為50～100質量%，較佳為75～98質量%，更佳為80～97質量%。第2殼的材質為ZnS及ZnSe的混合物時，混合比(質量比)並未特別限定，為1/99～99/1，為10/90～90/10。 　　[0084] 在多層殼構造之第1殼與第2殼於格子定數具有差異。 　　例如，芯與第1殼之間的格子定數差為2～8%，較佳為2～6%，更佳為3～5%。 　　又，芯與第2殼之間的格子定數差為5～13%，較佳為5～12%，更佳為7～10%，再更佳為8～10%。 　　[0085] 又，第1殼與第2殼之格子定數的差，例如為3～9%，較佳為3～7%，更佳為4～6%。 　　[0086] 藉由此等之芯-多層殼構造之量子點(B)可具有400～800nm的範圍(進而為470～650nm的範圍，尤其是540nm～580nm的範圍)之發光波長(emission wavelength)。 　　[0087] 作為藉由此等之芯-多層殼構造之量子點(B)，例如可列舉InP/ZnS/ZnSe及InP/ZnSe/ZnS。 　　[0088] 又，量子點(B)可被表面修飾。例如可列舉膦、膦氧化物、三烷基膦類等之磷化合物；吡啶、胺基烷烴類、第3級胺類等之有機氮化合物；巰基醇、硫醇、二烷基硫化物類、二烷基亞碸類等之有機硫化合物；高級脂肪酸、醇類等之表面修飾劑(有機配位子)。 　　[0089] 上述之量子點(B)可組合2種以上使用，可組合芯-(多層)殼型之量子點(B)、與均質構造型之量子點(B)使用。 　　[0090] 若量子點(B)之平均粒子徑為可作為量子點進行機能的範圍內，則並未特別限定，較佳為0.5～20nm，更佳為1.0～15nm，再更佳為2～7nm。 　　為芯-(多層)殼型之量子點(B)時，芯的尺寸例如為0.5～10nm，較佳為2～5nm。殼之平均厚度較佳為0.4～2nm，更佳為0.4～1.4nm。殼為由第1殼與第2殼所構成時，第1殼之平均厚度例如為0.2～1nm，較佳為0.2～0.7。第2殼之平均厚度無論第1殼之平均厚度如何，例如為0.2～1nm，較佳為0.2～0.7。 　　[0091] 具有該範圍內之平均粒子徑的量子點(B)發揮量子封閉效果，作為量子點進行良好機能的同時，調製容易，具有安定之螢光特性。 　　尚，量子點(B)之平均粒子徑，例如可藉由將量子點(B)之分散液塗佈･乾燥於基板上，去除揮發成分後，將其表面以透過型電子顯微鏡(TEM)觀察，來定義。通常情況下，作為藉由TEM圖像之圖像解析所得之各粒子的等效圓直徑之數平均徑，可定義其平均粒子徑。 　　[0092] 量子點(B)的形狀並未被特別限定。作為量子點(B)的形狀之例，可列舉球狀、橢圓球狀、圓柱狀、多角柱狀、圓盤狀及多面體狀等。 　　此等當中，從操作的容易性、取得容易性的觀點來看，較佳為球狀。 　　[0093] 從作為光學薄膜之特性或波長變換特性良好的點來看，量子點(B)較佳為包含選自由於500～600nm的波長區域具有螢光極大之化合物(B1)及於600～700nm的波長區域具有螢光極大之化合物(B2)所構成之群組中之1種以上，更佳為選自由化合物(B1)及化合物(B2)所構成之群組中之1種以上所構成。 　　[0094] 量子點(B)之製造方法並未被特別限定。可將以周知之各種方法製造之量子點作為量子點(B)使用。作為量子點(B)之製造方法，例如可採用於配位性之有機溶劑中熱分解有機金屬化合物之方法。 　　又，芯-殼構造型之量子點(B)，可藉由由反應形成均質之芯後，於經分散之芯的存在下，使殼層之前驅物進行反應，而形成殼層之方法製得。又，例如具有上述芯-多層殼構造之量子點(B)可藉由WO2013/127662號公報所記載之方法製得。 　　尚，亦可使用市售之各種量子點(B)。 　　[0095] 量子點(B)的含量相對於含矽樹脂組成物全體的質量，例如為0.05～15質量%。量子點(B)具有殼層時，或被表面修飾時，較佳為1～12質量%，更佳為3～10質量%。量子點(B)僅為半導體奈米粒子時(不具有殼層及/或表面修飾劑時)，較佳為0.07～3質量%，更佳為0.1～1質量%。藉由將量子點(B)的含量成為上述的範圍，可輕易得到可形成作為光學薄膜之特性或波長變換特性良好之薄膜的含矽樹脂組成物。 　　[0096] [硬化劑(C)] 　　含矽樹脂組成物可包含硬化劑(C)。含矽樹脂組成物包含硬化劑(C)時，藉由N-甲基-2-吡咯啶酮等之有機溶劑，不易溶解、膨潤、變形，容易形成有機溶劑耐性優異之二氧化矽薄膜。 　　[0097] 作為硬化劑(C)之適合的例，可列舉鹽酸、硫酸、硝酸、苯磺酸及p-甲苯磺酸等之布氏酸(Bronsted acid)；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑等之咪唑類；2,4,6-參(二甲基胺基甲基)酚、苄基甲基胺、DBU(1,8-二氮雜聯環[5.4.0]-7-十一碳烯)、DCMU(3-(3,4-二氯苯基)-1,1-二甲基尿素)等之有機胺類；三氯化磷、三溴化磷、亞磷酸、亞磷酸三甲酯、亞磷酸三乙酯、亞磷酸三丙酯等之PX₃ (式中，X為鹵素原子、羥基或碳原子數1～6之烷氧基)表示之磷化合物；氧基三氯化磷、氧基三溴化磷、磷酸、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丙酯等之POX₃ (式中，X為鹵素原子、羥基或碳原子數1～6之烷氧基)表示之磷化合物；五氧化二磷；聚磷酸或聚磷酸酯等之H(HPO₃ )_a OH(式中，a為1以上之整數)表示之磷化合物；甲基二氯膦、乙基二氯膦、甲氧基二氯膦等之R^C0 PX₂ (式中，R^C0 為氫原子或碳原子數1～30之有機基，該有機基中之氫原子可被鹵素原子取代。X為鹵素原子、羥基或碳原子數1～6之烷氧基)表示之磷化合物；亞磷酸二甲酯、亞磷酸二乙酯、甲基膦酸、甲基膦酸二甲酯、甲基膦酸二氯化物、苯基膦酸、苯基膦酸二氯化物、苄基膦酸二乙酯等之R^C0 POX₂ (式中，R^C0 為氫原子或碳原子數1～30之有機基，該有機基中之氫原子可被鹵素原子取代。X為鹵素原子、羥基或碳原子數1～6之烷氧基)表示之磷化合物；三丁基膦、三苯基膦、參(p-甲苯基)膦、參(m-甲苯基)膦、參(o-甲苯基)膦、二苯基環己基膦、三環己基膦、參(二甲氧基苯基)膦、乙基三苯基溴化鏻、苄基三苯基氯化鏻、1,4-雙二苯基膦基丁烷等之有機磷化合物；三氟化硼、三氯化硼、硼酸、硼酸三甲酯、硼酸三乙酯、硼酸三丙酯、硼酸三丁酯、硼酸三戊酯、硼酸三己酯、硼酸三環戊酯、硼酸三環己酯、硼酸三烯丙酯、硼酸三苯酯、硼酸乙基二甲酯等之BX₃ (式中，X為鹵素原子、羥基或碳原子數1～6之烷氧基)表示之硼化合物；氧化硼(B₂ O₃ )；苯基硼酸、二異丙氧基(甲基)硼烷、甲基硼酸、環己基硼酸等之R^C0 BX₂ (式中，R^C0 為氫原子或碳原子數1～30之有機基，該有機基中之氫原子可被鹵素原子取代。X為鹵素原子、羥基或碳原子數1～6之烷氧基)表示之硼化合物；三苯基膦三苯基硼烷、四苯基鏻四-p-甲苯硼酸酯、四苯基鏻四苯基硼酸酯、四苯基鏻硫氰酸酯、四苯基鏻二氰胺、n-丁基三苯基鏻二氰胺等之有機磷化合物的複合體；三氟化硼等之路易斯酸之有機胺錯合物(作為有機胺，例如有哌啶)；氮雜聯環十一碳烯、二氮雜聯環十一碳烯甲苯磺酸鹽或二氮雜聯環十一碳烯辛酸鹽等之脒類。 　　[0098] 又，使用上述聚矽烷作為(A)成時，除了上述硬化劑，較佳為或單獨使用，或使用藉由光或熱產生鹼成分之硬化劑。 　　[0099] (藉由熱產生鹼成分之硬化劑) 　　作為藉由熱產生鹼成分之硬化劑，可不特別限定使用自以往即作為熱鹼產生劑使用之化合物。 　　例如可將2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮作為藉由熱產生鹼成分之效果劑使用。尚，2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮亦可藉由光之作用來產生鹼。 　　[0100] 又，藉由加熱產生下式(C1)表示之咪唑化合物之化合物(以下亦記為熱咪唑產生劑)亦優選作為硬化劑使用。

(式(C1)中，R^c1 、R^c2 及R^c3 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、羥基、巰基、硫化物基、甲矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、膦基、磺酸根基、氧膦基(phosphinyl)、膦醯根基(Phosphonato)或有機基)。 　　[0101] 作為在R^c1 、R^c2 及R^c3 之有機基，可列舉烷基、烯基、環烷基、環烯基、芳基、芳烷基等。此有機基可於該有機基中包含雜原子等之烴基以外之鍵結或取代基。又，此有機基可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀之任一種。此有機基雖通常為1價，但形成環狀構造的情況等，可成為2價以上之有機基。 　　[0102] R^c1 及R^c2 可鍵結該等而形成環狀構造，可進一步包含雜原子之鍵結。作為環狀構造，可列舉雜環烷基、雜芳基等，亦可為縮合環。 　　[0103] R^c1 、R^c2 及R^c3 之有機基所包含之鍵結，只要不損害本發明的效果，則並未特別限定，有機基可包含氧原子、氮原子、矽原子等之包含雜原子之鍵結。作為包含雜原子之鍵結的具體例，可列舉醚鍵、硫醚鍵、羰基鍵、硫羰基鍵、酯鍵、醯胺鍵、胺基甲酸酯鍵、亞胺鍵 (-N=C(-R)-、-C(=NR)-：R表示氫原子或有機基)、碳酸酯鍵、磺醯基鍵、亞磺醯基鍵、偶氮鍵等。 　　[0104] 作為包含R^c1 、R^c2 及R^c3 之可具有有機基之雜原子的鍵結，從咪唑化合物之耐熱性的觀點來看，較佳為醚鍵、硫醚鍵、羰基鍵、硫羰基鍵、酯鍵、醯胺鍵、胺基甲酸酯鍵、亞胺鍵(-N=C(-R)-、-C(=NR)-：R表示氫原子或1價之有機基)、碳酸酯鍵、磺醯基鍵、亞磺醯基鍵。 　　[0105] R^c1 、R^c2 及R^c3 之有機基為烴基以外之取代基時，R^c1 、R^c2 及R^c3 只要不損害本發明的效果，則並未被特別限定。作為R^c1 、R^c2 及R^c3 之具體例，可列舉鹵素原子、羥基、巰基、硫化物基、氰基、異氰基、氰氧基(cyanato)、異氰氧基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基、甲矽烷基、矽醇基、烷氧基、烷氧基羰基、胺甲醯基、硫代胺甲醯基、硝基、亞硝基、羧酸酯基、醯基、醯基氧基、亞磺酸基、磺酸根基、膦基、氧膦基(phosphinyl)、膦醯根基、烷基醚基、烯基醚基、烷硫基醚基、烯硫基醚基、芳基醚基、芳硫基醚基等。上述取代基所包含之氫原子可被烴基取代。又，上述取代基所包含之烴基可為直鏈狀、分支鏈狀及環狀之任一種。 　　[0106] 作為R^c1 、R^c2 及R^c3 ，較佳為氫原子、碳原子數1～12之烷基、碳原子數1～12之芳基、碳原子數1～12之烷氧基及鹵素原子，更佳為氫原子。 　　[0107] 熱咪唑產生劑若為可藉由加熱產生上述式(C1)表示之咪唑化合物的化合物，則並未被特別限定。對於自以往摻合在各種組成物，藉由熱之作用產生胺之化合物(熱鹼產生劑)，藉由將源自加熱時所產生之胺的骨架，取代成源自上述式(C1)表示之咪唑化合物之骨架，而得到作為熱咪唑產生劑使用之化合物。 　　[0108] 作為適合之熱咪唑產生劑，可列舉下述式(C2)表示之化合物，

(式(C2)中，R^c1 、R^c2 及R^c3 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、羥基、巰基、硫化物基、甲矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯根基或有機基。R^c4 及R^c5 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、羥基、巰基、硫化物基、甲矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、膦醯根基或有機基。R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、羥基、巰基、硫化物基、甲矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、膦醯根基、胺基、銨基或有機基。R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 可鍵結該等之2個以上而形成環狀構造，可包含雜原子之鍵結)。 　　[0109] 在式(C2)，R^c1 、R^c2 及R^c3 係與對於式(C1)進行說明者相同。 　　[0110] 在式(C2)，R^c4 及R^c5 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、羥基、巰基、硫化物基、甲矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、膦醯根基或有機基。 　　[0111] 作為在R^c4 及R^c5 之有機基，可列舉針對R^c1 、R^c2 及R^c3 所例示者。此有機基係與R^c1 、R^c2 及R^c3 的情況相同，可於該有機基中包含雜原子。又，此有機基可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀之任一種。 　　[0112] 以上當中，作為R^c4 及R^c5 ，較佳為分別獨立為氫原子、碳原子數1～10之烷基、碳原子數4～13之環烷基、碳原子數4～13之環烯基、碳原子數7～16之芳基氧基烷基、碳原子數7～20之芳烷基、具有氰基之碳原子數2～11之烷基、具有羥基之碳原子數1～10之烷基、碳原子數1～10之烷氧基、碳原子數2～11之醯胺基、碳原子數1～10之烷硫基、碳原子數1～10之醯基、碳原子數2～11之酯基(-COOR、-OCOR：R表示烴基)、碳原子數6～20之芳基、取代供電子基及/或吸電子基之碳原子數6～20之芳基、取代供電子基及/或吸電子基之苄基、氰基、甲硫基。更佳為R^c4 及R^c5 之雙方為氫原子，或R^c4 為甲基，R^c5 為氫原子。 　　[0113] 在式(C2)，R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 分別獨立表示氫原子、鹵素原子、羥基、巰基、硫化物基、甲矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、膦醯根基、胺基、銨基或有機基。 　　[0114] 作為在R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 之有機基，可列舉在R^c1 、R^c2 及R^c3 所例示者。此有機基係與R^c1 及R^c2 的情況相同，可於該有機基中包含雜原子等之烴基以外之鍵結或取代基。又，此有機基可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀之任一種。 　　[0115] R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 可鍵結該等之2個以上而形成環狀構造，可包含雜原子之鍵結。作為環狀構造，可列舉雜環烷基、雜芳基等，亦可為縮合環。例如，R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 可鍵結該等之2個以上，共有鍵結R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 之苯環的原子，而形成萘、蒽、菲、茚等之縮合環。 　　[0116] 以上當中，作為R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 ，較佳為分別獨立為氫原子、碳原子數1～10之烷基、碳原子數4～13之環烷基、碳原子數4～13之環烯基、碳原子數7～16之芳基氧基烷基、碳原子數7～20之芳烷基、具有氰基之碳原子數2～11之烷基、具有羥基之碳原子數1～10之烷基、碳原子數1～10之烷氧基、碳原子數2～11之醯胺基、碳原子數1～10之烷硫基、碳原子數1～10之醯基、碳原子數2～11之酯基、碳原子數6～20之芳基、取代供電子基及/或吸電子基之碳原子數6～20之芳基、取代供電子基及/或吸電子基之苄基、氰基、甲硫基、硝基。 　　[0117] 又，作為R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 ，可鍵結該等之2個以上，共有鍵結R^c6 、R^c7 、R^c8 、R^c9 及R^c10 之苯環的原子，而形成萘、蒽、菲、茚等之縮合環的情況亦佳。 　　[0118] 於上述式(C2)表示之化合物當中，較佳為下述式(C3)表示之化合物，

(式(C3)中，R^c1 、R^c2 及R^c3 係與式(C1)及(C2)同義。R^c4 ～R^c9 係與式(C2)同義。R^c11 表示氫原子或有機基。R^c6 及R^c7 不會成為羥基。R^c6 、R^c7 、R^c8 及R^c9 可鍵結該等之2個以上而形成環狀構造，可包含雜原子之鍵結)。 　　[0119] 式(C3)表示之化合物由於具有取代基-O-R^c11 ，故對於有機溶劑之溶解性優異。 　　[0120] 在式(C3)，R^c11 為氫原子或有機基。R^c11 為有機基時，作為有機基，可列舉在R^c1 、R^c2 及R^c3 所例示者。此有機基可於該有機基中包含雜原子。又，此有機基可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀之任一種。作為R^c11 ，較佳為氫原子、碳原子數1～12之烷基或烷氧基烷基，更佳為甲基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、i-丁基、t-丁基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、甲氧基乙基、乙氧基乙基、丙氧基甲基、丁氧基甲基。 　　[0121] 將作為熱咪唑產生劑特別適合之化合物的具體例示於以下。

[0122] (肟酯化合物) 　　肟酯化合物係藉由光之作用進行分解而產生鹼。作為適合之肟酯化合物，可列舉下述式(C4)表示之化合物。

[0123] 上述式(C4)中，R^c12 表示碳原子數1～10之烷基、可具有取代基之苯基或可具有取代基之咔唑基。m1為0或1。R^c13 表示可具有取代基之碳原子數1～10之烷基、可具有取代基之苯基或可具有取代基之咔唑基。R^c14 表示氫原子、碳原子數1～6之烷基或可具有取代基之苯基。 　　[0124] R^c12 為碳原子數1～10之烷基時，烷基可為直鏈亦可為分支鏈。此情況下，烷基之碳原子數較佳為1～8，更佳為1～5。 　　[0125] R^c12 為可具有取代基之苯基時，取代基的種類於不阻礙本發明目的的範圍，並未被特別限定。作為可具有苯基之取代基的適合之例，可列舉烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、飽和脂肪族醯基、烷氧基羰基、飽和脂肪族醯基氧基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯氧基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之苯氧基羰基、可具有取代基之苯甲醯基氧基、可具有取代基之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘氧基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之萘氧基羰基、可具有取代基之萘甲醯基氧基、可具有取代基之萘基烷基、可具有取代基之雜環基、胺基、被1或2之有機基取代之胺基、嗎啉-1-基及哌嗪-1-基、鹵素、硝基及氰基等。R^c12 為可具有取代基之苯基，苯基為具有複數個取代基時，複數個取代基可為相同，亦可為相異。 　　[0126] 苯基所具有之取代基為烷基時，其碳原子數較佳為1～20，更佳為1～10，再更佳為1～6，特佳為1～3，最佳為1。又，烷基可為直鏈，亦可為分支鏈。作為苯基所具有之取代基為烷基時之具體例，可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、sec-戊基、tert-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、異辛基、sec-辛基、tert-辛基、n-壬基、異壬基、n-癸基及異癸基等。又，烷基可於碳鏈中包含醚鍵(-O-)。此情況下，作為苯基所具有之取代基，例如可列舉烷氧基烷基、烷氧基烷氧基烷基。苯基所具有之取代基為烷氧基烷基時，較佳為-R^c15 -O-R^c16 表示之基。R^c15 為碳原子數1～10之可為直鏈亦可為分支鏈之伸烷基。R^c16 為碳原子數1～10之可為直鏈亦可為分支鏈之烷基。R^c15 之碳原子數較佳為1～8，更佳為1～5，特佳為1～3。R^c16 之碳原子數較佳為1～8，更佳為1～5，特佳為1～3，最佳為1。作為於碳鏈中具有醚鍵之烷基之例，可列舉甲氧基乙基、乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、乙氧基乙氧基乙基、丙基氧基乙氧基乙基及甲氧基丙基等。 　　[0127] 苯基所具有之取代基為烷氧基時，其碳原子數較佳為1～20，更佳為1～6。又，烷氧基可為直鏈，亦可為分支鏈。作為苯基所具有之取代基為烷氧基時之具體例，可列舉甲氧基、乙氧基、n-丙基氧基、異丙基氧基、n-丁基氧基、異丁基氧基、sec-丁基氧基、tert-丁基氧基、n-戊基氧基、異戊基氧基、sec-戊基氧基、tert-戊基氧基、n-己基氧基、n-庚基氧基、n-辛基氧基、異辛基氧基、sec-辛基氧基、tert-辛基氧基、n-壬基氧基、異壬基氧基、n-癸基氧基及異癸基氧基等。又，烷氧基可於碳鏈中包含醚鍵(-O-)。作為於碳鏈中具有醚鍵之烷氧基之例，可列舉甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基、2-甲氧基-1-甲基乙氧基、甲氧基乙氧基乙氧基、乙氧基乙氧基乙氧基、丙基氧基乙氧基乙氧基及甲氧基丙基氧基等。 　　[0128] 苯基所具有之取代基為環烷基或環烷氧基時，其碳原子數較佳為3～10，更佳為3～6。作為苯基所具有之取代基為環烷基時之具體例，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基及環辛基等。作為苯基所具有之取代基為環烷氧基時之具體例，可列舉環丙基氧基、環丁基氧基、環戊基氧基、環己基氧基、環庚基氧基及環辛基氧基等。 　　[0129] 苯基所具有之取代基為飽和脂肪族醯基或飽和脂肪族醯基氧基時，其碳原子數較佳為2～20，更佳為2～7。作為苯基所具有之取代基為飽和脂肪族醯基時之具體例，可列舉乙醯基、丙醯基、n-丁醯基、2-甲基丙醯基、n-戊醯基、2,2-二甲基丙醯基、n-己醯基、n-庚醯基、n-辛醯基、n-壬醯基、n-癸醯基、n-十一烷醯基、n-十二烷醯基、n-十三烷醯基、n-十四烷醯基、n-十五烷醯基及n-十六烷醯基等。作為苯基所具有之取代基為飽和脂肪族醯基氧基時之具體例，可列舉乙醯基氧基、丙醯基氧基、n-丁醯基氧基、2-甲基丙醯基氧基、n-戊醯基氧基、2,2-二甲基丙醯基氧基、n-己醯基氧基、n-庚醯基氧基、n-辛醯基氧基、n-壬醯基氧基、n-癸醯基氧基、n-十一烷醯基氧基、n-十二烷醯基氧基、n-十三烷醯基氧基、n-十四烷醯基氧基、n-十五烷醯基氧基及n-十六烷醯基氧基等。 　　[0130] 苯基所具有之取代基為烷氧基羰基時，其碳原子數較佳為2～20，更佳為2～7。作為苯基所具有之取代基為烷氧基羰基時之具體例，可列舉甲氧基羰基、乙氧基羰基、n-丙基氧基羰基、異丙基氧基羰基、n-丁基氧基羰基、異丁基氧基羰基、sec-丁基氧基羰基、tert-丁基氧基羰基、n-戊基氧基羰基、異戊基氧基羰基、sec-戊基氧基羰基、tert-戊基氧基羰基、n-己基氧基羰基、n-庚基氧基羰基、n-辛基氧基羰基、異辛基氧基羰基、sec-辛基氧基羰基、tert-辛基氧基羰基、n-壬基氧基羰基、異壬基氧基羰基、n-癸基氧基羰基及異癸基氧基羰基等。 　　[0131] 苯基所具有之取代基為苯基烷基時，其碳原子數較佳為7～20，更佳為7～10。又苯基所具有之取代基為萘基烷基時，其碳原子數較佳為11～20，更佳為11～14。作為苯基所具有之取代基為苯基烷基時之具體例，可列舉苄基、2-苯基乙基、3-苯基丙基及4-苯基丁基。作為苯基所具有之取代基為萘基烷基時之具體例，可列舉α-萘基甲基、β-萘基甲基、2-(α-萘基)乙基及2-(β-萘基)乙基。苯基所具有之取代基為苯基烷基或萘基烷基時，取代基可於苯基或萘基上進一步具有取代基。 　　[0132] 苯基所具有之取代基為雜環基時，雜環基為包含1個以上之N、S、O之5員或6員單環，或縮合該單環彼此或該單環與苯環之雜環基。雜環基為縮合環時，成為環數至3為止者。作為構成該雜環基之雜環，可列舉呋喃、噻吩、吡咯、噁唑、異噁唑、噻唑、噻二唑、異噻唑、咪唑、吡唑、三唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、異吲哚、吲嗪(indolizine)、苯并咪唑、苯并三唑、苯并噁唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、喹唑啉、酞嗪(Phthalazine)、噌啉及喹喔啉等。苯基所具有之取代基為雜環基時，雜環基可進一步具有取代基。 　　[0133] 苯基所具有之取代基為被1或2之有機基取代之胺基時，有機基的適合之例，可列舉碳原子數1～20之烷基、碳原子數3～10之環烷基、碳原子數2～20之飽和脂肪族醯基、碳原子數2～20之飽和脂肪族醯基氧基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之碳原子數7～20之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之碳原子數11～20之萘基烷基及雜環基等。作為此等之適合有機基之具體例，針對苯基所具有之取代基，可列舉與上述者相同者。作為被1或2之有機基取代之胺基之具體例，可列舉甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、n-丙基胺基、二-n-丙基胺基、異丙基胺基、n-丁基胺基、二-n-丁基胺基、n-戊基胺基、n-己基胺基、n-庚基胺基、n-辛基胺基、n-壬基胺基、n-癸基胺基、苯基胺基、萘基胺基、乙醯基胺基、丙醯基胺基、n-丁醯基胺基、n-戊醯基胺基、n-己醯基胺基、n-庚醯基胺基、n-辛醯基胺基、n-癸醯基胺基、苯甲醯基胺基、α-萘甲醯基胺基、β-萘甲醯基胺基及N-乙醯基-N-乙醯基氧基胺基等。 　　[0134] 作為苯基所具有之取代基所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時之取代基，可列舉碳原子數1～6之烷基、碳原子數1～6之烷氧基、碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基、碳原子數2～7之烷氧基羰基、碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基氧基、具有碳原子數1～6之烷基之單烷基胺基、具有碳原子數1～6之烷基之二烷基胺基、嗎啉-1-基、哌嗪-1-基、鹵素、硝基及氰基等。苯基所具有之取代基所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時，其取代基之數於不阻礙本發明目的的範圍，雖並未限定，但較佳為1～4。苯基所具有之取代基所包含之苯基、萘基及雜環基為具有複數個取代基時，複數個取代基可為相同，亦可為相異。 　　[0135] 以上，雖針對R^c12 為可具有取代基之苯基時之取代基進行說明，但於此等之取代基當中，較佳為烷基或烷氧基烷基。 　　[0136] R^c12 為可具有取代基之苯基時取代基之數、與取代基之鍵結位置，於不阻礙本發明目的的範圍，並未被特別限定。R^c12 為可具有取代基之苯基時，以鹼之發生效率優異的點來看，可具有取代基之苯基較佳為可具有取代基之o-甲苯基。 　　[0137] R^c12 為可具有取代基之咔唑基時，取代基的種類於不阻礙本發明目的的範圍，並未被特別限定。作為咔唑基為可具有於碳原子上之適合的取代基之例，可列舉碳原子數1～20之烷基、碳原子數1～20之烷氧基、碳原子數3～10之環烷基、碳原子數3～10之環烷氧基、碳原子數2～20之飽和脂肪族醯基、碳原子數2～20之烷氧基羰基、碳原子數2～20之飽和脂肪族醯基氧基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯氧基、可具有取代基之苯硫基、可具有取代基之苯基羰基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之苯氧基羰基、可具有取代基之苯甲醯基氧基、可具有取代基之碳原子數7～20之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘氧基、可具有取代基之萘基羰基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之萘氧基羰基、可具有取代基之萘甲醯基氧基、可具有取代基之碳原子數11～20之萘基烷基、可具有取代基之雜環基、可具有取代基之雜環基羰基、胺基、被1或2之有機基取代之胺基、嗎啉-1-基及哌嗪-1-基、鹵素、硝基及氰基等。 　　[0138] R^c12 為可具有取代基之咔唑基時，作為咔唑基為可具有於氮原子上之適合的取代基之例，可列舉碳原子數1～20之烷基、碳原子數3～10之環烷基、碳原子數2～20之飽和脂肪族醯基、碳原子數2～20之烷氧基羰基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之苯氧基羰基、可具有取代基之碳原子數7～20之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之萘氧基羰基、可具有取代基之碳原子數11～20之萘基烷基、可具有取代基之雜環基及可具有取代基之雜環基羰基等。於此等之取代基當中，較佳為碳原子數1～20之烷基，更佳為碳原子數1～6之烷基，特佳為乙基。 　　[0139] 針對可具有咔唑基之取代基之具體例，關於烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、飽和脂肪族醯基、烷氧基羰基、飽和脂肪族醯基氧基、可具有取代基之苯基烷基、可具有取代基之萘基烷基、可具有取代基之雜環基及被1或2之有機基取代之胺基，係與R^c12 為可具有取代基之苯基時之苯基所具有之取代基的例相同。 　　[0140] 作為在R^c12 ，咔唑基所具有之取代基所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時之取代基之例，可列舉碳原子數1～6之烷基；碳原子數1～6之烷氧基；碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基；碳原子數2～7之烷氧基羰基；碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基氧基；苯基；萘基；苯甲醯基；萘甲醯基；藉由選自由碳原子數1～6之烷基、嗎啉-1-基、哌嗪-1-基及苯基所構成之群組中之基所取代之苯甲醯基；具有碳原子數1～6之烷基之單烷基胺基；具有碳原子數1～6之烷基之二烷基胺基；嗎啉-1-基；哌嗪-1-基；鹵素；硝基；氰基。咔唑基所具有之取代基所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時，其取代基之數於不阻礙本發明目的的範圍，雖並未限定，但較佳為1～4。苯基、萘基及雜環基為具有複數個取代基時，複數個取代基可為相同，亦可為相異。 　　[0141] R^c13 為可具有取代基之碳原子數1～10之烷基、可具有取代基之苯基或可具有取代基之咔唑基。 　　[0142] R^c13 為可具有取代基之碳原子數1～10之烷基時，烷基可為直鏈亦可為分支鏈。此情況下，烷基之碳原子數較佳為1～8，更佳為1～5。 　　[0143] 在R^c13 ，烷基、苯基或咔唑基所具有之取代基於不阻礙本發明目的的範圍，並未被特別限定。 　　作為烷基於碳原子上可具有之適合的取代基之例，可列舉碳原子數1～20之烷氧基、碳原子數3～10之環烷基、碳原子數3～10之環烷氧基、碳原子數2～20之飽和脂肪族醯基、碳原子數2～20之烷氧基羰基、碳原子數2～20之飽和脂肪族醯基氧基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯氧基、可具有取代基之苯硫基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之苯氧基羰基、可具有取代基之苯甲醯基氧基、可具有取代基之碳原子數7～20之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘氧基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之萘氧基羰基、可具有取代基之萘甲醯基氧基、可具有取代基之碳原子數11～20之萘基烷基、可具有取代基之雜環基、可具有取代基之雜環基羰基、胺基、被1或2之有機基取代之胺基、嗎啉-1-基及哌嗪-1-基、鹵素、硝基及氰基等。 　　作為苯基及咔唑基於碳原子上可具有之適合的取代基之例，作為烷基於碳原子上可具有之適合的取代基，除了於上述例示之基之外，可列舉碳原子數1～20之烷基。 　　[0144] 針對可具有烷基、苯基或咔唑基之取代基的具體例，關於烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、飽和脂肪族醯基、烷氧基羰基、飽和脂肪族醯基氧基、可具有取代基之苯基烷基、可具有取代基之萘基烷基、可具有取代基之雜環基及被1或2之有機基取代之胺基，係與R^c12 為可具有取代基之苯基時之苯基所具有之取代基之例相同。 　　[0145] 作為在R^c13 ，烷基、苯基或咔唑基所具有之取代基所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時之取代基之例，可列舉碳原子數1～6之烷基；碳原子數1～6之烷氧基；碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基；碳原子數2～7之烷氧基羰基；碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基氧基；苯基；萘基；苯甲醯基；萘甲醯基；藉由選自由碳原子數1～6之烷基、嗎啉-1-基、哌嗪-1-基及苯基所構成之群組中之基所取代之苯甲醯基；具有碳原子數1～6之烷基之單烷基胺基；具有碳原子數1～6之烷基之二烷基胺基；嗎啉-1-基；哌嗪-1-基；鹵素；硝基；氰基。烷基或苯基所具有之取代基所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時，其取代基數於不阻礙本發明目的的範圍，雖並未限定，但較佳為1～4。苯基、萘基及雜環基具有複數個取代基時，複數個取代基可為相同，亦可為相異。 　　[0146] 從式(C4)表示之化合物的鹼發生效率的點來看，作為R^c13 ，較佳為下述式(C5)表示之基及

下述式(C6)表示之基，

。 　　[0147] 式(C5)中，R^c17 及R^c18 分別為1價之有機基，m2為0或1。式(C6)中，R^c19 為選自由1價之有機基、胺基、鹵素、硝基及氰基所構成之群組中之基，A為S或O，m3為0～4之整數。 　　[0148] 在式(C5)之R^c17 於不阻礙本發明目的的範圍，可選自各種有機基。作為R^c17 之適合的例，可列舉碳原子數1～20之烷基、碳原子數3～10之環烷基、碳原子數2～20之飽和脂肪族醯基、碳原子數2～20之烷氧基羰基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之苯氧基羰基、可具有取代基之碳原子數7～20之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之萘氧基羰基、可具有取代基之碳原子數11～20之萘基烷基、可具有取代基之雜環基及可具有取代基之雜環基羰基等。 　　[0149] 於R^c17 當中，較佳為碳原子數1～20之烷基，更佳為碳原子數1～6之烷基，特佳為乙基。 　　[0150] 在式(C5)之R^c18 於不阻礙本發明目的的範圍，並未特別限定，可選自各種有機基。作為適合作為R^c18 之基之具體例，可列舉碳原子數1～20之烷基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之萘基及可具有取代基之雜環基。作為R^c18 ，於此等之基當中，更佳為可具有取代基之苯基及可具有取代基之萘基，特佳為2-甲基苯基及萘基。 　　[0151] 作為R^c17 或R^c18 所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時之取代基，可列舉碳原子數1～6之烷基、碳原子數1～6之烷氧基、碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基、碳原子數2～7之烷氧基羰基、碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基氧基、具有碳原子數1～6之烷基之單烷基胺基、具有碳原子數1～6之烷基之二烷基胺基、嗎啉-1-基、哌嗪-1-基、鹵素、硝基及氰基等。R^c17 或R^c18 所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時，其取代基之數於不阻礙本發明目的的範圍，雖並未限定，但較佳為1～4。R^c17 或R^c18 所包含之苯基、萘基及雜環基為具有複數個取代基時，複數個取代基可為相同，亦可為相異。 　　[0152] 在式(C6)之R^c19 為有機基時，R^c19 於不阻礙本發明目的的範圍，可選自各種有機基。作為在式(C6)，R^c19 為有機基時之適合之例，可列舉碳原子數1～6之烷基；碳原子數1～6之烷氧基；碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基；碳原子數2～7之烷氧基羰基；碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基氧基；苯基；萘基；苯甲醯基；萘甲醯基；選自由碳原子數1～6之烷基、嗎啉-1-基、哌嗪-1-基及苯基所構成之群組中之基所取代之苯甲醯基；具有碳原子數1～6之烷基之單烷基胺基；具有碳原子數1～6之烷基之二烷基胺基；嗎啉-1-基；哌嗪-1-基；鹵素；硝基；氰基；2-甲基苯基羰基；4-(哌嗪-1-基)苯基羰基；4-(苯基)苯基羰基。 　　[0153] 於R^c19 當中，較佳為苯甲醯基；萘甲醯基；藉由選自由碳原子數1～6之烷基、嗎啉-1-基、哌嗪-1-基及苯基所構成之群組中之基所取代之苯甲醯基；硝基，更佳為苯甲醯基；萘甲醯基；2-甲基苯基羰基；4-(哌嗪-1-基)苯基羰基；4-(苯基)苯基羰基。 　　[0154] 又，在式(C6)，m3較佳為0～3之整數，更佳為0～2之整數，特佳為0或1。m3為1時，R^c19 之鍵結的位置，較佳為相對於R^c19 所鍵結之苯基與硫原子鍵結之鍵結部，為對位。 　　[0155] R^c14 為氫原子、碳原子數1～6之烷基或可具有取代基之苯基。為可具有取代基之苯基時，可具有苯基之取代基係與R^c12 為可具有取代基之苯基時相同。作為R^c14 ，較佳為甲基、乙基或苯基，更佳為甲基或苯基。 　　[0156] 上述式(C4)表示之肟酯化合物係m1為0時，例如可藉由以下所說明之方法合成。首先，將R^c13 -CO-R^c12 表示之酮化合物藉由羥基胺進行肟化，而得到R^c13 -(C=N-OH)-R^c12 表示之肟化合物。其次，將所得之肟化合物藉由R^c14 -CO-Hal(Hal表示鹵素)表示之酸鹵化物或(R^c14 CO)₂ O表示之酸酐進行醯基化，而得到m1為0之上述式(C4)表示之肟酯化合物。 　　[0157] 又，上述式(C4)表示之肟酯化合物係m1為1時，例如可藉由以下所說明之方法合成。首先，將R^c13 -CO-CH₂ -R^c12 表示之酮化合物於鹽酸的存在下，使其與亞硝酸酯進行反應，而得到R^c13 -CO-(C=N-OH)-R^c12 表示之肟化合物。其次，將所得之肟化合物藉由R^c14 -CO-Hal(Hal表示鹵素)表示之酸鹵化物或(R^c14 CO)₂ O表示之酸酐進行醯基化，而得到m1為1之上述式(C4)表示之肟酯化合物。 　　[0158] 作為上述式(C4)表示之化合物，可列舉下述式(C7)表示之化合物。

[0159] 上述式(C7)中，m1及R^c13 係如上述。R^c20 為選自由1價之有機基、胺基、鹵素、硝基及氰基所構成之群組中之基，m4為0～4之整數，R^c21 為氫原子或碳原子數1～6之烷基。 　　[0160] 上述式(C7)中，R^c20 於不阻礙本發明目的的範圍，並未特別限定，為有機基時，可適當選自各種有機基。作為R^c20 之適合的例，可列舉烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、飽和脂肪族醯基、烷氧基羰基、飽和脂肪族醯基氧基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯氧基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之苯氧基羰基、可具有取代基之苯甲醯基氧基、可具有取代基之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘氧基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之萘氧基羰基、可具有取代基之萘甲醯基氧基、可具有取代基之萘基烷基、可具有取代基之雜環基、胺基、被1或2之有機基取代之胺基、嗎啉-1-基、哌嗪-1-基、鹵素、硝基及氰基等。m4為2～4之整數時，R^c20 可為相同，亦可為相異。又，取代基之碳原子數中不包含進一步具有取代基之取代基的碳原子數。 　　[0161] R^c20 為烷基時，較佳為碳原子數1～20，更佳為碳原子數1～6。又，R^c20 為烷基時，可為直鏈，亦可為分支鏈。作為R^c20 為烷基時之具體例，可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、sec-戊基、tert-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、異辛基、sec-辛基、tert-辛基、n-壬基、異壬基、n-癸基及異癸基等。又，R^c20 為烷基時，烷基可於碳鏈中包含醚鍵(-O-)。作為於碳鏈中具有醚鍵之烷基之例，可列舉甲氧基乙基、乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、乙氧基乙氧基乙基、丙基氧基乙氧基乙基及甲氧基丙基等。 　　[0162] R^c20 為烷氧基時，較佳為碳原子數1～20，更佳為碳原子數1～6。又，R^c20 為烷氧基時，可為直鏈，亦可為分支鏈。作為R^c20 為烷氧基時之具體例，可列舉甲氧基、乙氧基、n-丙基氧基、異丙基氧基、n-丁基氧基、異丁基氧基、sec-丁基氧基、tert-丁基氧基、n-戊基氧基、異戊基氧基、sec-戊基氧基、tert-戊基氧基、n-己基氧基、n-庚基氧基、n-辛基氧基、異辛基氧基、sec-辛基氧基、tert-辛基氧基、n-壬基氧基、異壬基氧基、n-癸基氧基及異癸基氧基等。又，R^c20 為烷氧基時，烷氧基可於碳鏈中包含醚鍵(-O-)。作為於碳鏈中具有醚鍵的烷氧基之例，可列舉甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基、甲氧基乙氧基乙氧基、乙氧基乙氧基乙氧基、丙基氧基乙氧基乙氧基及甲氧基丙基氧基等。 　　[0163] R^c20 為環烷基或環烷氧基，較佳為碳原子數3～10，更佳為碳原子數3～6。作為R^c20 為環烷基時之具體例，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基及環辛基等。作為R^c20 為環烷氧基時之具體例，可列舉環丙基氧基、環丁基氧基、環戊基氧基、環己基氧基、環庚基氧基及環辛基氧基等。 　　[0164] R^c20 為飽和脂肪族醯基或飽和脂肪族醯基氧基時，較佳為碳原子數2～20，更佳為碳原子數2～7。作為R^c20 為飽和脂肪族醯基時之具體例，可列舉乙醯基、丙醯基、n-丁醯基、2-甲基丙醯基、n-戊醯基、2,2-二甲基丙醯基、n-己醯基、n-庚醯基、n-辛醯基、n-壬醯基、n-癸醯基、n-十一烷醯基、n-十二烷醯基、n-十三烷醯基、n-十四烷醯基、n-十五烷醯基及n-十六烷醯基等。作為R^c20 為飽和脂肪族醯基氧基時之具體例，可列舉乙醯基氧基、丙醯基氧基、n-丁醯基氧基、2-甲基丙醯基氧基、n-戊醯基氧基、2,2-二甲基丙醯基氧基、n-己醯基氧基、n-庚醯基氧基、n-辛醯基氧基、n-壬醯基氧基、n-癸醯基氧基、n-十一烷醯基氧基、n-十二烷醯基氧基、n-十三烷醯基氧基、n-十四烷醯基氧基、n-十五烷醯基氧基及n-十六烷醯基氧基等。 　　[0165] R^c20 為烷氧基羰基時，較佳為碳原子數2～20，更佳為碳原子數2～7。作為R^c20 為烷氧基羰基時之具體例，可列舉甲氧基羰基、乙氧基羰基、n-丙基氧基羰基、異丙基氧基羰基、n-丁基氧基羰基、異丁基氧基羰基、sec-丁基氧基羰基、tert-丁基氧基羰基、n-戊基氧基羰基、異戊基氧基羰基、sec-戊基氧基羰基、tert-戊基氧基羰基、n-己基氧基羰基、n-庚基氧基羰基、n-辛基氧基羰基、異辛基氧基羰基、sec-辛基氧基羰基、tert-辛基氧基羰基、n-壬基氧基羰基、異壬基氧基羰基、n-癸基氧基羰基及異癸基氧基羰基等。 　　[0166] R^c20 為苯基烷基時，較佳為碳原子數7～20，更佳為碳原子數7～10。又R^c20 為萘基烷基時，較佳為碳原子數11～20，更佳為碳原子數11～14。作為R^c20 為苯基烷基時之具體例，可列舉苄基、2-苯基乙基、3-苯基丙基及4-苯基丁基。作為R^c20 為萘基烷基時之具體例，可列舉α-萘基甲基、β-萘基甲基、2-(α-萘基)乙基及2-(β-萘基)乙基。R^c20 為苯基烷基或萘基烷基時，R^c20 可於苯基或萘基上進一步具有取代基。 　　[0167] R^c20 為雜環基時，雜環基為包含1個以上之N、S、O之5員或6員單環，或縮合該單環彼此或該單環與苯環之雜環基。雜環基為縮合環時，成為環數至3為止者。作為構成該雜環基之雜環，可列舉呋喃、噻吩、吡咯、噁唑、異噁唑、噻唑、噻二唑、異噻唑、咪唑、吡唑、三唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、異吲哚、吲嗪、苯并咪唑、苯并三唑、苯并噁唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉及喹喔啉等。R^c20 為雜環基時，雜環基可進一步具有取代基。 　　[0168] R^c20 為被1或2之有機基取代之胺基時，有機基的適合之例，可列舉碳原子數1～20之烷基、碳原子數3～10之環烷基、碳原子數2～20之飽和脂肪族醯基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之碳原子數7～20之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之碳原子數11～20之萘基烷基及雜環基等。此等之適合之有機基之具體例係與R^c20 相同。作為被1或2之有機基取代之胺基之具體例，可列舉甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、n-丙基胺基、二-n-丙基胺基、異丙基胺基、n-丁基胺基、二-n-丁基胺基、n-戊基胺基、n-己基胺基、n-庚基胺基、n-辛基胺基、n-壬基胺基、n-癸基胺基、苯基胺基、萘基胺基、乙醯基胺基、丙醯基胺基、n-丁醯基胺基、n-戊醯基胺基、n-己醯基胺基、n-庚醯基胺基、n-辛醯基胺基、n-癸醯基胺基、苯甲醯基胺基、α-萘甲醯基胺基及β-萘甲醯基胺基等。 　　[0169] 作為R^c20 所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時之取代基，可列舉碳原子數1～6之烷基、碳原子數1～6之烷氧基、碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基、碳原子數2～7之烷氧基羰基、碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基氧基、具有碳原子數1～6之烷基之單烷基胺基、具有碳原子數1～6之烷基之二烷基胺基、嗎啉-1-基、哌嗪-1-基、鹵素、硝基及氰基等。R^c20 所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時，其取代基之數於不阻礙本發明目的的範圍，雖並未限定，但較佳為1～4。R^c20 所包含之苯基、萘基及雜環基為具有複數個取代基時，複數個取代基可為相同，亦可為相異。 　　[0170] R^c20 當中，由於化學性安定，或立體性障礙少，肟酯化合物的合成容易等，較佳為選自由碳原子數1～6之烷基、碳原子數1～6之烷氧基及碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基所構成之群組中之基，更佳為碳原子數1～6之烷基，特佳為甲基。 　　[0171] R^c20 與苯基鍵結之位置對於R^c20 所鍵結之苯基，將苯基與肟酯化合物之主骨架的鍵結部之位置定為1位，將甲基的位置定為2位時，較佳為4位或5位，更佳為5位。又，m4較佳為0～3之整數，更佳為0～2之整數，特佳為0或1。 　　[0172] 在上述式(C7)之R^c21 為氫原子或碳原子數1～6之烷基。作為R^c21 ，較佳為甲基或乙基，更佳為甲基。 　　[0173] 將作為式(C4)表示之肟酯化合物特別適合之化合物的具體例示於以下。

[0174] 下式(C8)表示之化合物亦適合作為肟酯化合物使用。

(R^c22 為氫原子、硝基或1價之有機基，R^c23 及R^c24 分別為可具有取代基之鏈狀烷基、可具有取代基之環狀有機基或氫原子，R^c23 與R^c24 可彼此鍵結形成環，R^c25 為1價之有機基，R^c26 為氫原子、可具有取代基之碳原子數1～11之烷基或可具有取代基之芳基，m6為0～4之整數，m5為0或1)。 　　[0175] 式(C8)中，R^c22 為氫原子、硝基或1價之有機基。R^c22 係於式(C8)中之茀環上，與-(CO)_m5 -表示之基所鍵結之6員芳香環不同之6員芳香環鍵結。式(C8)中，相對於R^c22 之茀環的鍵結位置並未被特別限定。式(C8)表示之化合物為具有1個以上之R^c22 時，由於式(C8)表示之化合物的合成容易等，故較佳為1個以上之R^c22 當中之1個與茀環中之2位鍵結。R^c22 為複數時，複數個R^c22 可為相同，亦可為相異。 　　[0176] R^c22 為有機基時，R^c22 於不阻礙本發明目的的範圍，並未特別限定，可適當選自各種有機基。作為R^c22 為有機基時之適合的例，可列舉烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、飽和脂肪族醯基、烷氧基羰基、飽和脂肪族醯基氧基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯氧基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之苯氧基羰基、可具有取代基之苯甲醯基氧基、可具有取代基之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘氧基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之萘氧基羰基、可具有取代基之萘甲醯基氧基、可具有取代基之萘基烷基、可具有取代基之雜環基、可具有取代基之雜環基羰基、被1或2之有機基取代之胺基、嗎啉-1-基及哌嗪-1-基等。 　　[0177] R^c22 為烷基時，烷基之碳原子數較佳為1～20，更佳為1～6。又，R^c22 為烷基時，可為直鏈，亦可為分支鏈。作為R^c22 為烷基時之具體例，可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、sec-戊基、tert-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、異辛基、sec-辛基、tert-辛基、n-壬基、異壬基、n-癸基及異癸基等。又，R^c22 為烷基時，烷基可於碳鏈中包含醚鍵(-O-)。作為於碳鏈中具有醚鍵的烷基之例，可列舉甲氧基乙基、乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、乙氧基乙氧基乙基、丙基氧基乙氧基乙基及甲氧基丙基等。 　　[0178] R^c22 為烷氧基時，烷氧基之碳原子數較佳為1～20，更佳為1～6。又，R^c22 為烷氧基時，可為直鏈，亦可為分支鏈。作為R^c22 為烷氧基時之具體例，可列舉甲氧基、乙氧基、n-丙基氧基、異丙基氧基、n-丁基氧基、異丁基氧基、sec-丁基氧基、tert-丁基氧基、n-戊基氧基、異戊基氧基、sec-戊基氧基、tert-戊基氧基、n-己基氧基、n-庚基氧基、n-辛基氧基、異辛基氧基、sec-辛基氧基、tert-辛基氧基、n-壬基氧基、異壬基氧基、n-癸基氧基及異癸基氧基等。又，R^c22 為烷氧基時，烷氧基可於碳鏈中包含醚鍵(-O-)。作為於碳鏈中具有醚鍵的烷氧基之例，可列舉甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基、甲氧基乙氧基乙氧基、乙氧基乙氧基乙氧基、丙基氧基乙氧基乙氧基及甲氧基丙基氧基等。 　　[0179] R^c22 為環烷基或環烷氧基，環烷基或環烷氧基之碳原子數較佳為3～10，更佳為3～6。作為R^c22 為環烷基時之具體例，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基及環辛基等。作為R^c22 為環烷氧基時之具體例，可列舉環丙基氧基、環丁基氧基、環戊基氧基、環己基氧基、環庚基氧基及環辛基氧基等。 　　[0180] R^c22 為飽和脂肪族醯基或飽和脂肪族醯基氧基時，飽和脂肪族醯基或飽和脂肪族醯基氧基之碳原子數較佳為2～21，更佳為2～7。作為R^c22 為飽和脂肪族醯基時之具體例，可列舉乙醯基、丙醯基、n-丁醯基、2-甲基丙醯基、n-戊醯基、2,2-二甲基丙醯基、n-己醯基、n-庚醯基、n-辛醯基、n-壬醯基、n-癸醯基、n-十一烷醯基、n-十二烷醯基、n-十三烷醯基、n-十四烷醯基、n-十五烷醯基及n-十六烷醯基等。作為R^c22 為飽和脂肪族醯基氧基時之具體例，可列舉乙醯基氧基、丙醯基氧基、n-丁醯基氧基、2-甲基丙醯基氧基、n-戊醯基氧基、2,2-二甲基丙醯基氧基、n-己醯基氧基、n-庚醯基氧基、n-辛醯基氧基、n-壬醯基氧基、n-癸醯基氧基、n-十一烷醯基氧基、n-十二烷醯基氧基、n-十三烷醯基氧基、n-十四烷醯基氧基、n-十五烷醯基氧基及n-十六烷醯基氧基等。 　　[0181] R^c22 為烷氧基羰基時，烷氧基羰基之碳原子數較佳為2～20，更佳為2～7。作為R^c22 為烷氧基羰基時之具體例，可列舉甲氧基羰基、乙氧基羰基、n-丙基氧基羰基、異丙基氧基羰基、n-丁基氧基羰基、異丁基氧基羰基、sec-丁基氧基羰基、tert-丁基氧基羰基、n-戊基氧基羰基、異戊基氧基羰基、sec-戊基氧基羰基、tert-戊基氧基羰基、n-己基氧基羰基、n-庚基氧基羰基、n-辛基氧基羰基、異辛基氧基羰基、sec-辛基氧基羰基、tert-辛基氧基羰基、n-壬基氧基羰基、異壬基氧基羰基、n-癸基氧基羰基及異癸基氧基羰基等。 　　[0182] R^c22 為苯基烷基時，苯基烷基之碳原子數較佳為7～20，更佳為7～10。又，R^c22 為萘基烷基時，萘基烷基之碳原子數較佳為11～20，更佳為11～14。作為R^c22 為苯基烷基時之具體例，可列舉苄基、2-苯基乙基、3-苯基丙基及4-苯基丁基。作為R^c22 為萘基烷基時之具體例，可列舉α-萘基甲基、β-萘基甲基、2-(α-萘基)乙基及2-(β-萘基)乙基。R^c22 為苯基烷基或萘基烷基時，R^c22 可於苯基或萘基上進一步具有取代基。 　　[0183] R^c22 為雜環基時，雜環基為包含1個以上之N、S、O之5員或6員單環，或縮合該單環彼此或該單環與苯環之雜環基。雜環基為縮合環時，成為環數至3為止者。雜環基可為芳香族基(雜芳基)，亦可為非芳香族基。作為構成該雜環基之雜環，可列舉呋喃、噻吩、吡咯、噁唑、異噁唑、噻唑、噻二唑、異噻唑、咪唑、吡唑、三唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、異吲哚、吲嗪、苯并咪唑、苯并三唑、苯并噁唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、喹喔啉、哌啶、哌嗪、嗎啉、哌啶、四氫吡喃及四氫呋喃等。R^c22 為雜環基時，雜環基可進一步具有取代基。 　　[0184] R^c22 為雜環基羰基時，雜環基羰基所包含之雜環基係與R^c22 為雜環基時相同。 　　[0185] R^c22 為被1或2之有機基取代之胺基時，有機基的適合之例，可列舉碳原子數1～20之烷基、碳原子數3～10之環烷基、碳原子數2～21之飽和脂肪族醯基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之碳原子數7～20之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之碳原子數11～20之萘基烷基及雜環基等。此等之適合的有機基之具體例係與R^c22 相同。作為被1或2之有機基取代之胺基之具體例，可列舉甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、n-丙基胺基、二-n-丙基胺基、異丙基胺基、n-丁基胺基、二-n-丁基胺基、n-戊基胺基、n-己基胺基、n-庚基胺基、n-辛基胺基、n-壬基胺基、n-癸基胺基、苯基胺基、萘基胺基、乙醯基胺基、丙醯基胺基、n-丁醯基胺基、n-戊醯基胺基、n-己醯基胺基、n-庚醯基胺基、n-辛醯基胺基、n-癸醯基胺基、苯甲醯基胺基、α-萘甲醯基胺基及β-萘甲醯基胺基等。 　　[0186] 作為R^c22 所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時之取代基，可列舉碳原子數1～6之烷基、碳原子數1～6之烷氧基、碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基、碳原子數2～7之烷氧基羰基、碳原子數2～7之飽和脂肪族醯基氧基、具有碳原子數1～6之烷基之單烷基胺基、具有碳原子數1～6之烷基之二烷基胺基、嗎啉-1-基、哌嗪-1-基、鹵素、硝基及氰基等。R^c22 所包含之苯基、萘基及雜環基為進一步具有取代基時，其取代基之數於不阻礙本發明目的的範圍，雖並未限定，但較佳為1～4。R^c22 所包含之苯基、萘基及雜環基為具有複數個取代基時，複數個取代基可為相同，亦可為相異。 　　[0187] 以上說明之基當中，作為R^c22 ，為硝基或R^c27 -CO-表示之基時，有提昇感度的傾向故較佳。R^c27 於不阻礙本發明目的的範圍，並未特別限定，可選自各種有機基。作為適合作為R^c27 之基之例，可列舉碳原子數1～20之烷基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之萘基及可具有取代基之雜環基。作為R^c27 ，於此等之基當中，特佳為2-甲基苯基、噻吩-2-基及α-萘基。 　　又，R^c22 為氫原子亦佳。R^c22 為氫原子時，較佳為R^c25 為後述之式(C10)表示之基。 　　[0188] 式(C8)中，R^c23 及R^c24 分別為可具有取代基之鏈狀烷基、可具有取代基之環狀有機基或氫原子。R^c23 與R^c24 可彼此鍵結而形成環。於此等之基當中，作為R^c23 及R^c24 ，較佳為可具有取代基之鏈狀烷基。R^c23 及R^c24 為可具有取代基之鏈狀烷基時，鏈狀烷基可為直鏈烷基亦可為分支鏈烷基。 　　[0189] R^c23 及R^c24 為不具有取代基之鏈狀烷基時，鏈狀烷基之碳原子數較佳為1～20，更佳為1～10，特佳為1～6。作為R^c23 及R^c24 為鏈狀烷基時之具體例，可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、sec-戊基、tert-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、異辛基、sec-辛基、tert-辛基、n-壬基、異壬基、n-癸基及異癸基等。又，R^c23 及R^c24 為烷基時，烷基可於碳鏈中包含醚鍵(-O-)。作為於碳鏈中具有醚鍵的烷基之例，可列舉甲氧基乙基、乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、乙氧基乙氧基乙基、丙基氧基乙氧基乙基及甲氧基丙基等。 　　[0190] R^c23 及R^c24 為具有取代基之鏈狀烷基時，鏈狀烷基之碳原子數較佳為1～20，更佳為1～10，特佳為1～6。此情況下，取代基之碳原子數未包含在鏈狀烷基之碳原子數。具有取代基之鏈狀烷基較佳為直鏈狀。 　　可具有烷基之取代基，於不阻礙本發明目的的範圍，並未被特別限定。作為取代基之適合之例，可列舉氰基、鹵素原子、環狀有機基及烷氧基羰基。作為鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。於此等當中，較佳為氟原子、氯原子、溴原子。作為環狀有機基，可列舉環烷基、芳香族烴基、雜環基。作為環烷基之具體例，係與R^c22 為環烷基時的適合之例相同。作為芳香族烴基之具體例，可列舉苯基、萘基、聯苯基、蒽基及菲基等。作為雜環基之具體例，係與R^c22 為雜環基的適合之例相同。R^c22 為烷氧基羰基時，烷氧基羰基所包含之烷氧基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀，較佳為直鏈狀。烷氧基羰基所包含之烷氧基之碳原子數較佳為1～10，更佳為1～6。 　　[0191] 鏈狀烷基為具有取代基時，取代基之數並未被特別限定。較佳為取代基之數因應鏈狀烷基之碳原子數而變化。取代基之數通常情況下為1～20，較佳為1～10，更佳為1～6。 　　[0192] R^c23 及R^c24 為環狀有機基時，環狀有機基可為脂環式基，亦可為芳香族基。作為環狀有機基，可列舉脂肪族環狀烴基、芳香族烴基、雜環基。R^c23 及R^c24 為環狀有機基時，可具有環狀有機基之取代基係與R^c23 及R^c24 為鏈狀烷基時相同。 　　[0193] R^c23 及R^c24 為芳香族烴基時，較佳為芳香族烴基為苯基，或為複數個苯環透過碳-碳鍵進行鍵結所形成之基，或為縮合複數個苯環所形成之基。芳香族烴基為苯基，或為鍵結或縮合複數個苯環所形成之基時，芳香族烴基所包含之苯環的環數並未特別限定，較佳為3以下，更佳為2以下，特佳為1。作為芳香族烴基較佳之具體例，可列舉苯基、萘基、聯苯基、蒽基及菲基等。 　　[0194] R^c23 及R^c24 為脂肪族環狀烴基時，脂肪族環狀烴基可為單環式亦可為多環式。脂肪族環狀烴基之碳原子數雖並未被特別限定，但較佳為3～20，更佳為3～10。作為單環式之環狀烴基之例，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、降冰片基、異冰片基、三環壬基、三環癸基、四環十二烷基及金剛烷基等。 　　[0195] R^c23 及R^c24 為雜環基時，雜環基為包含1個以上之N、S、O之5員或6員單環，或縮合該單環彼此或該單環與苯環之雜環基。雜環基為縮合環時，成為環數至3為止者。雜環基可為芳香族基(雜芳基)，亦可為非芳香族基。作為構成該雜環基之雜環，可列舉呋喃、噻吩、吡咯、噁唑、異噁唑、噻唑、噻二唑、異噻唑、咪唑、吡唑、三唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、異吲哚、吲嗪、苯并咪唑、苯并三唑、苯并噁唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、喹喔啉、哌啶、哌嗪、嗎啉、哌啶、四氫吡喃及四氫呋喃等。 　　[0196] R^c23 與R^c24 可彼此鍵結而形成環。由R^c23 與R^c24 所形成之環所構成之基，較佳為環烷叉基。R^c23 與R^c24 鍵結形成環烷叉基時，構成環烷叉基之環較佳為5員環～6員環，更佳為5員環。 　　[0197] R^c23 與R^c24 鍵結所形成之基為環烷叉基時，環烷叉基可與1個以上之其他環進行縮合。作為可與環烷叉基縮合之環的例，可列舉苯環、萘環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、呋喃環、噻吩環、吡咯環、吡啶環、吡嗪環及嘧啶環等。 　　[0198] 以上說明之R^c23 及R^c24 當中，作為適合之基之例，可列舉式-A^c1 -A^c2 表示之基。式中，A^c1 為直鏈伸烷基，A^c2 可列舉烷氧基、氰基、鹵素原子、鹵素化烷基、環狀有機基或烷氧基羰基。 　　[0199] A^c1 之直鏈伸烷基之碳原子數較佳為1～10，更佳為1～6。A^c2 為烷氧基時，烷氧基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀，較佳為直鏈狀。烷氧基之碳原子數較佳為1～10，更佳為1～6。A^c2 為鹵素原子時，較佳為氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，更佳為氟原子、氯原子、溴原子。A^c2 為鹵素化烷基時，鹵素化烷基所包含之鹵素原子較佳為氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，更佳為氟原子、氯原子、溴原子。鹵素化烷基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀，較佳為直鏈狀。A^c2 為環狀有機基時，環狀有機基之例，係與R^c23 及R^c24 作為取代基所具有之環狀有機基相同。A^c2 為烷氧基羰基時，烷氧基羰基之例係與R^c23 及R^c24 作為取代基所具有之烷氧基羰基相同。 　　[0200] 作為R^c23 及R^c24 之適合的具體例，可列舉乙基、n-丙基、n-丁基、n-己基、n-庚基及n-辛基等之烷基；2-甲氧基乙基、3-甲氧基-n-丙基、4-甲氧基-n-丁基、5-甲氧基-n-戊基、6-甲氧基-n-己基、7-甲氧基-n-庚基、8-甲氧基-n-辛基、2-乙氧基乙基、3-乙氧基-n-丙基、4-乙氧基-n-丁基、5-乙氧基-n-戊基、6-乙氧基-n-己基、7-乙氧基-n-庚基及8-乙氧基-n-辛基等之烷氧基烷基；2-氰基乙基、3-氰基-n-丙基、4-氰基-n-丁基、5-氰基-n-戊基、6-氰基-n-己基、7-氰基-n-庚基及8-氰基-n-辛基等之氰基烷基；2-苯基乙基、3-苯基-n-丙基、4-苯基-n-丁基、5-苯基-n-戊基、6-苯基-n-己基、7-苯基-n-庚基及8-苯基-n-辛基等之苯基烷基；2-環己基乙基、3-環己基-n-丙基、4-環己基-n-丁基、5-環己基-n-戊基、6-環己基-n-己基、7-環己基-n-庚基、8-環己基-n-辛基、2-環戊基乙基、3-環戊基-n-丙基、4-環戊基-n-丁基、5-環戊基-n-戊基、6-環戊基-n-己基、7-環戊基-n-庚基及8-環戊基-n-辛基等之環烷基烷基；2-甲氧基羰基乙基、3-甲氧基羰基-n-丙基、4-甲氧基羰基-n-丁基、5-甲氧基羰基-n-戊基、6-甲氧基羰基-n-己基、7-甲氧基羰基-n-庚基、8-甲氧基羰基-n-辛基、2-乙氧基羰基乙基、3-乙氧基羰基-n-丙基、4-乙氧基羰基-n-丁基、5-乙氧基羰基-n-戊基、6-乙氧基羰基-n-己基、7-乙氧基羰基-n-庚基及8-乙氧基羰基-n-辛基等之烷氧基羰基烷基；2-氯乙基、3-氯-n-丙基、4-氯-n-丁基、5-氯-n-戊基、6-氯-n-己基、7-氯-n-庚基、8-氯-n-辛基、2-溴乙基、3-溴-n-丙基、4-溴-n-丁基、5-溴-n-戊基、6-溴-n-己基、7-溴-n-庚基、8-溴-n-辛基、3,3,3-三氟丙基及3,3,4,4,5,5,5-七氟-n-戊基等之鹵素化烷基。 　　[0201] 作為R^c23 及R^c24 ，上述當中，適合之基為乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基、2-甲氧基乙基、2-氰基乙基、2-苯基乙基、2-環己基乙基、2-甲氧基羰基乙基、2-氯乙基、2-溴乙基、3,3,3-三氟丙基及3,3,4,4,5,5,5-七氟-n-戊基。 　　[0202] 作為R^c25 之適合的有機基之例，與R^c22 相同，可列舉烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、飽和脂肪族醯基、烷氧基羰基、飽和脂肪族醯基氧基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之苯氧基、可具有取代基之苯甲醯基、可具有取代基之苯氧基羰基、可具有取代基之苯甲醯基氧基、可具有取代基之苯基烷基、可具有取代基之萘基、可具有取代基之萘氧基、可具有取代基之萘甲醯基、可具有取代基之萘氧基羰基、可具有取代基之萘甲醯基氧基、可具有取代基之萘基烷基、可具有取代基之雜環基、可具有取代基之雜環基羰基、被1或2之有機基取代之胺基、嗎啉-1-基及哌嗪-1-基等。此等之基之具體例係與針對R^c22 所說明者相同。又，作為R^c25 ，環烷基烷基、可於芳香環上具有取代基之苯氧基烷基、可於芳香環上具有取代基之苯硫基烷基亦佳。可具有苯氧基烷基及苯硫基烷基之取代基係與可具有R^c22 所包含之苯基的取代基相同。 　　[0203] 有機基當中，作為R^c25 ，較佳為烷基、環烷基、可具有取代基之苯基或環烷基烷基、可於芳香環上具有取代基之苯硫基烷基。作為烷基，較佳為碳原子數1～20之烷基，更佳為碳原子數1～8之烷基，特佳為碳原子數1～4之烷基，最佳為甲基。於可具有取代基之苯基當中，較佳為甲基苯基，更佳為2-甲基苯基。環烷基烷基所包含之環烷基之碳原子數較佳為5～10，更佳為5～8，特佳為5或6。環烷基烷基所包含之伸烷基之碳原子數較佳為1～8，更佳為1～4，特佳為2。於環烷基烷基當中，較佳為環戊基乙基。可於芳香環上具有取代基之苯硫基烷基所包含之伸烷基之碳原子數較佳為1～8，更佳為1～4，特佳為2。於可於芳香環上具有取代基之苯硫基烷基當中，較佳為2-(4-氯苯硫基)乙基。 　　[0204] 又，作為R^c25 ，-A^c3 -CO-O-A^c4 表示之基亦佳。A^c3 為2價之有機基，較佳為2價之烴基，較佳為伸烷基。A^c4 為1價之有機基，較佳為1價之烴基。 　　[0205] A^c3 為伸烷基，伸烷基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀，較佳為直鏈狀。A^c3 為伸烷基，伸烷基之碳原子數較佳為1～10，更佳為1～6，特佳為1～4。 　　[0206] 作為A^c4 之適合的例，可列舉碳原子數1～10之烷基、碳原子數7～20之芳烷基及碳原子數6～20之芳香族烴基。作為A^c4 之適合的具體例，可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、n-己基、苯基、萘基、苄基、苯乙基、α-萘基甲基及β-萘基甲基等。 　　[0207] 作為-A^c3 -CO-O-A^c4 表示之基的適合之具體例，可列舉2-甲氧基羰基乙基、2-乙氧基羰基乙基、2-n-丙基氧基羰基乙基、2-n-丁基氧基羰基乙基、2-n-戊基氧基羰基乙基、2-n-己基氧基羰基乙基、2-苄基氧基羰基乙基、2-苯氧基羰基乙基、3-甲氧基羰基-n-丙基、3-乙氧基羰基-n-丙基、3-n-丙基氧基羰基-n-丙基、3-n-丁基氧基羰基-n-丙基、3-n-戊基氧基羰基-n-丙基、3-n-己基氧基羰基-n-丙基、3-苄基氧基羰基-n-丙基及3-苯氧基羰基-n-丙基等。 　　[0208] 以上，雖針對R^c25 進行說明，但作為R^c25 ，較佳為下述式(C9)或(C10)表示之基。

(式(C9)及(C10)中，R^c28 及R^c29 分別為有機基，m7為0～4之整數，R^c28 及R^c29 為存在於與苯環上相鄰的位置時，R^c28 與R^c29 可彼此鍵結而形成環，m8為1～8之整數，m9為1～5之整數，m10為0～(m9+3)之整數，R^c30 為有機基)。 　　[0209] 針對式(C9)中之R^c28 及R^c29 的有機基之例係與R^c22 相同。作為R^c28 ，較佳為烷基或苯基。R^c28 為烷基時，其碳原子數較佳為1～10，更佳為1～5，特佳為1～3，最佳為1。亦即最佳為R^c28 為甲基。R^c28 與R^c29 鍵結形成環時，該環可為芳香族環，亦可為脂肪族環。作為式(C9)表示之基，且R^c28 與R^c29 形成環之基的適合之例，可列舉萘-1-基或1,2,3,4-四氫萘-5-基等。上述式(C9)中，m7為0～4之整數，較佳為0或1，更佳為0。 　　[0210] 上述式(C10)中，R^c30 為有機基。作為有機基，可列舉與針對R^c22 說明之有機基相同之基。有機基當中，較佳為烷基。烷基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀。烷基之碳原子數較佳為1～10，更佳為1～5，特佳為1～3。作為R^c30 ，較佳為例示甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基等，此等當中，更佳為甲基。 　　[0211] 上述式(C10)中，m9為1～5之整數，較佳為1～3之整數，更佳為1或2。上述式(C10)中，m10為0～(m9+3)，較佳為0～3之整數，更佳為0～2之整數，特佳為0。上述式(C10)中，m8為1～8之整數，較佳為1～5之整數，更佳為1～3之整數，特佳為1或2。 　　[0212] 式(C8)中，R^c26 為氫原子、可具有取代基之碳原子數1～11之烷基或可具有取代基之芳基。作為R^c26 為烷基時可具有之取代基，較佳為例示苯基、萘基等。又，作為R^c26 為芳基時可具有之取代基，較佳為例示碳原子數1～5之烷基、烷氧基、鹵素原子等。 　　[0213] 式(C8)中，作為R^c26 ，較佳為例示有氫原子、甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、苯基、苄基、甲基苯基、萘基等，此等當中，更佳為甲基或苯基。 　　[0214] 式(C8)表示之化合物之製造方法並未特別限定，可用周知之方法獲得。 　　[0215] 作為式(C8)表示之化合物之適合的具體例，可列舉以下之化合物1～化合物41。

[0216]

[0217] 含矽樹脂組成物中之硬化劑(C)可包含2種以上不同分類或種類之硬化劑。 　　含矽樹脂組成物中之硬化劑(C)的含量通常情況下，相對於組成物全體的質量，較佳為0.01～40質量%，更佳為0.1～20質量%，特佳為1～10質量%。 　　[0218] [硝醯基化合物(D)] 　　含矽樹脂組成物可包含硝醯基化合物(D)。含矽樹脂組成物為包含硝醯基化合物(D)時，形成二氧化矽薄膜時之燒成溫度，例如由於即使為250℃以下(例如200℃以上250℃以下的範圍)的較低溫度，亦可減低二氧化矽薄膜中之殘渣(源自二氧化矽薄膜之雜質)故較佳。二氧化矽薄膜中之殘渣少時，即使二氧化矽薄膜被放在高溫環境或減壓環境的情況下，抑制來自二氧化矽薄膜之源自薄膜中之殘渣本身或薄膜中之殘渣的分解物之氣體發生。 　　[0219] 作為硝醯基化合物(D)，若為可作為氮氧化物自由基(Nitroxide radical)安定存在之化合物，則並未被特別限定。作為硝醯基化合物(D)之適合的例，可列舉包含下式(d1)表示之構造之化合物。

[0220] 式(d1)中，R^d1 、R^d2 、R^d3 及R^d4 分別獨立為氫原子或碳原子數1～10之有機基。R^d1 與R^d2 可彼此鍵結而形成環。又，R^d3 與R^d4 可彼此鍵結而形成環。 　　含矽樹脂組成物作為硝醯基化合物(D)，含有包含上述式(d1)表示之構造的化合物時，即使形成二氧化矽薄膜時之燒成溫度為較低溫度，亦可輕易減低二氧化矽薄膜中之殘渣。 　　在式(c1)，較佳為R^c1 、R^c2 、R^c3 及R^c4 分別獨立為烷基或被雜原子取代之烷基。作為烷基，較佳為甲基、乙基、n-丙基及異丙基。作為雜原子之適合的例，可列舉鹵素原子、氧原子、硫原子及氮原子等。 　　[0221] 作為(D)硝醯基化合物之適合的具體例，例如較佳為二-tert-丁基氮氧化物、二-1,1-二甲基丙基氮氧化物、二-1,2-二甲基丙基氮氧化物、二-2,2-二甲基丙基氮氧化物及下述式(d2)、(d3)或(d4)表示之化合物。 　　其中，以即使於以較低之溫度的燒成，亦可輕易減低二氧化矽薄膜中之殘渣的點來看，更佳為下述式(d2)、(d3)或(d4)表示之化合物。 　　[0222]

[0223] 式(d2)、(d3)及(d4)中，R^d5 表示氫原子、碳原子數1～12之烷基、羥基、胺基、羧基、氰基、以雜原子取代之烷基，或透過醚鍵、酯鍵、醯胺鍵或胺基甲酸酯鍵鍵結之1價有機基。 　　R^d6 表示2價或3價之有機基。 　　n1及n2為滿足1≦n1+n2≦2整數。 　　n3及n4為滿足1≦n3+n4≦2之整數。 　　n5及n6為滿足1≦n5+n6≦2之整數。 　　n7為2或3。 　　[0224] 作為式(d2)表示之化合物之適合的具體例，可列舉下述之化合物。下述式中，R^d7 分別獨立表示可具有取代基之碳原子數1～20之烷基、可具有取代基之芳香族基或可具有取代基之脂環式基。

[0225] 作為式(d3)表示之化合物之適合的具體例，可列舉下述之化合物。

[0226] 作為式(d4)表示之化合物之適合的具體例，可列舉下述之化合物。

[0227] 作為再更佳之硝醯基化合物(D)，由於即使於以較低之溫度的燒成，尤其是亦可輕易減低二氧化矽薄膜中之殘渣，可列舉2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基(Free Radical)、4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-胺基-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-羧基-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-氰基-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-甲基丙烯酸-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-丙烯酸-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-氧代(Oxo)-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、3-羧基-2,2,5,5-四甲基吡咯啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-乙醯胺-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-(2-氯乙醯胺)-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl)苯甲酸鹽 自由基、4-異硫氰酸酯-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基、4-(2-碘乙醯胺)-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基及4-甲氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶1-氧基(Oxyl) 自由基。 　　硝醯基化合物(D)可單獨使用，亦可組合2種以上使用。 　　[0228] 含矽樹脂組成物之硝醯基化合物(D)的含量可為微量。含矽樹脂組成物中之硝醯基化合物(D)的含量由於即使於以較低之溫度的燒成，亦可輕易減低二氧化矽薄膜中之殘渣，相對於含矽樹脂組成物之溶劑(S)以外之成分之質量的合計，較佳為0.005質量%以上，更佳為0.009質量%以上。 　　又，含矽樹脂組成物中之(C)硝醯基化合物的含量，相對於含矽樹脂組成物之溶劑(S)以外之成分之質量的合計，較佳為2質量%以下，更佳為1質量%以下。 　　[0229] [抗氧化劑(E)] 　　又，含矽樹脂組成物可包含抗氧化劑(E)。藉由包含抗氧化劑，可抑制發光特性的降低。 　　抗氧化劑較佳為包含選自由磷系、硫系及酚系抗氧化劑所構成之群組中之至少一個。 　　[0230] 磷系抗氧化劑的種類並未特別限定，具體而言，可列舉3,9-雙(2,6-二-tert-丁基-4-甲基苯氧基)-2,4,8,10-四氧雜-3,9-二磷雜(Phospha)螺環[5.5]十一烷、二異癸基季戊四醇二亞磷酸酯、雙(2,4-二-t-丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯、2,2’-亞甲基雙(4,6-二-t-丁基-1-苯基氧基)(2-乙基己基氧基)磷、6-[3-(3-t-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四-t-丁基二苯并(Benz)[d,f][1,3,2]二氧磷呯、三苯基亞磷酸酯、二苯基異癸基亞磷酸酯、苯基二異癸基亞磷酸酯、4,4’-丁烯基-雙(3-甲基-6-t-丁基苯基二十三烷基)亞磷酸酯、十八烷基亞磷酸酯、參(壬基苯基)亞磷酸酯、9,10-二氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、10-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)-9,10-二氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、10-癸基氧基-9,10-二氫-9-氧雜-10-磷菲-10-氧化物、參(2,4-二-t-丁基苯基)亞磷酸酯、循環式新戊烷四基雙(2,4-二-t-丁基苯基)亞磷酸酯、循環式新戊烷四基雙(2,6-二-t-丁基苯基)亞磷酸酯、2,2-亞甲基雙(4,6-二-t-丁基苯基)辛基亞磷酸酯、參(2,4-二-t-丁基苯基)亞磷酸酯、肆(2,4-二-t-丁基苯基)[1,1-聯苯基]-4,4’-二基雙膦酸酯、雙[2,4-雙(1,1-二甲基乙基)-6-甲基苯基]乙酯及膦酸等。 　　[0231] 磷系抗氧化劑當中，以耐熱性及防止耐熱變色的側面來看，較佳為2,2’-亞甲基雙(4,6-二-t-丁基-1-苯基氧基)(2-乙基己基氧基)磷、3,9-雙(2,6-二-tert-丁基-4-甲基苯氧基)-2,4,8,10-四氧雜-3,9-二磷雜(Phospha)螺環[5.5]十一烷及6-[3-(3-t-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四-t-丁基二苯并(Benz)[d,f][1,3,2]二氧磷呯等。 　　[0232] 作為磷系抗氧化劑之市售品，可列舉Irgafos 168(BASF公司製)、Sumilizer GP(住友化學公司製)等。 　　[0233] 硫系抗氧化劑的種類並未特別限定，具體而言，可列舉2,2-雙({[3-(十二烷硫基)丙醯基]氧基}甲基)-1,3-丙烷二基-雙[3-(十二烷硫基)丙酸酯]、2-巰基苯并(Benz)咪唑、二月桂基-3,3’-硫代二丙酸酯、二肉荳蔻基-3,3’-硫代二丙酸酯、二硬脂基-3,3’-硫代二丙酸酯、季戊四醇-肆(3-月桂硫基丙酸酯)、2-巰基苯并(Benz)咪唑等。 　　[0234] 硫系抗氧化劑當中，以耐熱性及防止耐熱變色的側面來看，較佳為2,2-雙({3-(十二烷硫基)丙醯基}氧基)甲基)1,3-丙烷二基-雙[3-(十二烷硫基)丙酸酯]、2-巰基苯并(Benz)咪唑等。 　　[0235] 作為硫系抗氧化劑之市售品，可列舉Irganox 1035(BASF公司製)等。 　　[0236] 酚系抗氧化劑的種類並未特別限定，具體而言，可列舉3,9-雙[2-[3-(3-t-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯基氧基]-1,1-二甲基乙氧基]-2,4,8,10-四氧雜螺環[5.5]十一烷、季戊四醇･肆[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3’,5’-二-t-丁基-4-羥基苄基)苯、三乙二醇-雙[3-(3-t-丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯]、4,4’-硫雙(6-t-丁基-3-甲基酚)、參-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)-異氰脲酸酯、1,3,5-參(4-t-丁基-3-羥基-2,6-二甲基苄基)-異氰脲酸酯、1,6-己烷二醇-雙[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,2-硫-二伸乙基雙[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、N,N’-六亞甲基雙(3,5-二-t-丁基-4-羥基-氫肉桂醯胺)、1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)苯、2,4-雙[(辛硫基)甲基]-O-甲酚、1,6-己烷二醇-雙-[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、十八烷基-[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-t-丁基酚)、4,4’-丁烯基-雙(3-甲基-6-t-丁基酚)、1,1,3-參(2-甲基-4-羥基-5-t-丁基苯基)丁烷、1,3,5-參(4-羥基苄基)苯及肆[亞甲基-3-(3,5’-二-t-丁基-4’-羥基苯基丙酸酯)]甲烷等。 　　[0237] 酚系抗氧化劑當中，以耐熱性及防止耐熱變色的側面來看，較佳為3,9-雙[2-[3-(3-t-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯基氧基]-1,1-二甲基乙氧基]-2,4,8,10-四氧雜螺環[5.5]十一烷、1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3’,5’-二-t-丁基-4-羥基苄基)苯、季戊四醇･肆[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、三乙二醇-雙[3-(3-t-丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯]、4,4’-硫雙(6-t-丁基-3-甲基酚)、參-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)-異氰脲酸酯、1,3,5-參(4-t-丁基-3-羥基-2,6-二甲基苄基)-異氰脲酸酯、1,6-己烷二醇-雙[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,2-硫-二伸乙基雙[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、N,N’-六亞甲基雙(3,5-二-t-丁基-4-羥基-氫肉桂醯胺)、1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)苯及2,4-雙[(辛硫基)甲基]-O-甲酚等。 　　[0238] 作為酚系抗氧化劑之市售品，可列舉Irganox 1010(BASF公司製)、ADK STAB AO-80(ADEKA公司製)等。 　　[0239] 抗氧化劑的含量，含矽樹脂組成物之固形分總重量中，例如為0.01～30質量%，較佳為0.1～10質量%，更佳為0.5～8質量%，再更佳為1～5質量%。藉由成為上述範圍內，可抑制發光特性的降低，可抑制在烘烤(硬烤)步驟之消光現象。又，使用含矽樹脂組成物藉由印刷法等進行圖型化時，可抑制形成之圖型的剝離。 　　[0240] [溶劑(S)] 　　含矽樹脂組成物係含有溶劑(S)。溶劑(S)含有下式(S1)表示之環烷基乙酸酯。含矽樹脂組成物藉由包含與含矽樹脂(A)一起含有下式(S1)表示之環烷基乙酸酯之溶劑(S)，容易抑制在使用含矽樹脂組成物所形成之含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜之破裂的發生。

(式(S1)中，R^s1 為碳原子數1～3之烷基，p為1～6之整數，q為0～(p+1)之整數)。 　　[0241] 作為式(S1)表示之環烷基乙酸酯之具體例，可列舉環丙基乙酸酯、環丁基乙酸酯、環戊基乙酸酯、環己基乙酸酯、環庚基乙酸酯及環辛基乙酸酯。 　　於此等當中，由於取得容易，容易抑制在含矽樹脂薄膜或二氧化矽薄膜之破裂的發生，故較佳為環辛基乙酸酯。 　　溶劑(S)可包含組合2種以上之式(S1)表示之環烷基乙酸酯。 　　[0242] 溶劑(S)中之式(S1)表示之環烷基乙酸酯的含量，於不阻礙本發明目的的範圍，並未被特別限定。溶劑(S)中之式(S1)表示之環烷基乙酸酯的含量通常情況下，例如為30質量%以上，較佳為50質量%以上，更佳為70質量%以上，特佳為90質量%以上，亦可為100質量%。 　　[0243] 溶劑(S)為包含式(S1)表示之環烷基乙酸酯以外之溶劑時，式(S1)表示之環烷基乙酸酯以外之溶劑的種類於不阻礙本發明目的的範圍，並未被特別限定。 　　[0244] 作為可包含溶劑(S)之式(S1)表示之環烷基乙酸酯以外的溶劑之例，可列舉 　　甲醇、乙醇、丙醇、n-丁醇等之醇類； 　　乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類； 　　丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類； 　　γ-丁內酯等之含有內酯環之有機溶劑； 　　乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵之化合物、前述多元醇類或具有前述酯鍵之化合物的單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等之單烷基醚或單苯基醚等之具有醚鍵之化合物等之多元醇類的衍生物； 　　如二噁烷之環式醚類或乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類； 　　苯甲醚、乙基苄基醚、甲酚基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯(Cymene)、均三甲苯等之芳香族系有機溶劑； 　　N,N,N’,N’-四甲基脲、N,N,2-三甲基丙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、N-甲基吡咯啶酮、N-乙基吡咯啶酮等之含有氮之有機溶劑。此等之溶劑可組合2種以上使用。 　　式(S1)表示之環烷基乙酸酯以外之溶劑在溶劑(S)全體之比例，例如適當設定為70質量%以下即可，較佳為0.01～55質量%，更佳為1～50質量%。 　　[0245] 式(S1)表示之環烷基乙酸酯以外之溶劑中，較佳為丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME)、N,N,N’,N’-四甲基脲及丁醇。 　　[0246] 以含矽樹脂組成物作為含矽樹脂(A)，包含聚矽烷時，抑制破裂的點或容易形成介電率低之二氧化矽薄膜的點來看，含矽樹脂組成物的水分量較佳為1.0質量%以下，更佳為0.5質量%以下，再更佳為0.3質量%以下，特佳為未滿0.3質量%。尚，溶劑中之水分量可藉由卡爾費休測定法測定。 　　含矽樹脂組成物的水分源自溶劑(S)的情況較多。因此，較佳為以含矽樹脂組成物的水分量成為上述之量的方式，來脫水溶劑(S)。 　　[0247] 溶劑(S)的使用量於不阻礙本發明目的的範圍，並未被特別限定。從製膜性的點來看，溶劑(S)係以含矽樹脂組成物之固形分濃度成為較佳為1～50質量%，更佳為10～40質量%的方式使用。 　　[0248] [其他成分] 　　含矽樹脂組成物除了含矽樹脂(A)及溶劑(S)以外，可包含添加在自以往被使用在各種用途之含矽樹脂組成物的各種成分。 　　作為其他成分之例，可列舉光聚合起始劑、酸產生劑、鹼產生劑、觸媒、矽烷偶合劑、密著增強劑、分散劑、界面活性劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、消泡劑、黏度調整劑及著色劑等。 　　此等之成分分別依通常所使用的量，摻合在含矽樹脂組成物。 　　[0249] ＜含矽樹脂組成物之製造方法＞ 　　含矽樹脂組成物之製造方法並未被特別限定。通常情況下，藉由分別均勻混合預定量之以上說明的成分，使固形分溶解及分散於溶劑(S)，來製造含矽樹脂組成物。為了去除較量子點(B)尺寸更大之不溶物，可將含矽樹脂組成物使用所期望孔徑之過濾器進行過濾。 　　[0250] ＜含矽樹脂薄膜及二氧化矽薄膜之製造方法＞ 　　以下，針對使用前述之含矽樹脂組成物之含矽樹脂薄膜之製造方法、與二氧化矽薄膜之製造方法進行說明。 　　[0251] [含矽樹脂薄膜之製造方法] 　　作為製造含矽樹脂薄膜之方法，可列舉包含 　　形成由前述之含矽樹脂組成物所構成之塗佈膜、與 　　從塗佈膜去除溶劑(S)之方法。 　　[0252] 形成塗佈膜之方法並未被特別限定。例如藉由噴霧法、旋塗法、滾塗法、浸漬法、滴下法等之方法，塗佈含矽樹脂組成物，於基板上形成塗佈膜。 　　塗佈膜的膜厚並未被特別限定。通常情況下，塗佈膜的膜厚，例如以形成膜厚2μm以上，較佳為5μm以上之含矽樹脂薄膜的方式調整。又，塗佈膜的膜厚以形成較佳為膜厚2～300μm，更佳為30～200μm，再更佳為75～150μm之含矽樹脂薄膜的方式調整。藉由調整含矽樹脂組成物之固形分濃度或任意成分之添加劑，可形成5μm以上進而為30μm以上的膜厚之薄膜。 　　[0253] 例如，製造膜厚2～300μm左右厚度之含矽樹脂薄膜時，從塗佈膜去除溶劑(S)時，容易於薄膜產生破裂。惟，含矽樹脂組成物藉由包含前述之預定溶劑(S)，抑制去除溶劑(S)時之破裂的發生。 　　[0254] 從塗佈膜去除溶劑(S)之方法並未被特別限定。通常情況下，可列舉將塗佈膜以因應溶劑(S)之沸點的適當溫度進行加熱，或將塗佈膜放置在真空條件下之方法。 　　[0255] 含矽樹脂薄膜在層合體或發光顯示元件面板等可直接形成於各種機能層上，形成於金屬基板或玻璃基板等之任意材質的基板上後，可從基板剝離來使用。 　　[0256] [二氧化矽薄膜之製造方法] 　　作為製造二氧化矽薄膜之方法，可列舉包含： 　　將前述之含矽樹脂組成物塗佈於基板上，形成塗佈膜之步驟、與 　　燒成經形成之塗佈膜之步驟之方法。 　　含矽樹脂組成物包含藉由光之作用進行分解而產生鹼之硬化劑時，較佳為包含曝光之步驟。曝光之步驟可取代燒成之步驟或與燒成之步驟一起進行。又，於曝光之步驟，例如可選擇性曝光經形成之塗佈膜，包含選擇性曝光步驟時，亦可包含顯影之步驟。又，例如可對於經形成之塗佈膜，進行壓印微影。進行壓印微影時，例如，可列舉包含： 　　將含矽樹脂組成物塗佈於基板上，形成塗佈膜之步驟、與 　　將形成預定圖型之凹凸構造的模組對於塗佈膜進行按壓之步驟、與 　　曝光之步驟之方法。 　　曝光之步驟，係以模組按壓在塗佈膜的狀態，對於由含矽樹脂組成物所構成之塗佈膜進行。藉由曝光之硬化後，藉由剝離前述模組，可得到因應模組的形狀之經圖型化之二氧化矽薄膜。 　　又，經圖型化之二氧化矽薄膜，可藉由印刷法形成。作為印刷法，可列舉噴墨法、絲網印刷法等。藉由印刷法將含矽樹脂組成物配置成圖型狀後，藉由進行曝光及／或加熱或是燒成，可得到經圖型化之二氧化矽薄膜。 　　[0257] 塗佈膜係與含矽樹脂薄膜之製造方法同樣進行而形成。 　　塗佈膜的膜厚並未被特別限定。通常情況下，塗佈膜的膜厚，例如以形成膜厚2μm以上，較佳為5μm以上之含矽樹脂薄膜的方式調整。又，塗佈膜的膜厚，以形成較佳為膜厚2～300μm，更佳為30～200μm，再更佳為75～150μm之含矽樹脂薄膜的方式調整。 　　[0258] 基板的材質若為耐得住燒成之材質，則並未被特別限定。作為基板之材質的適合之例，可列舉金屬、矽、玻璃等之無機材料，或聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等之耐熱性的材料。基板的厚度並未特別限定，基板可為薄膜或薄片。 　　[0259] 具備塗佈膜之基板係用以下進行燒成。燒成方法雖並未被特別限定，但通常情況下，係使用電氣爐等進行燒成。燒成溫度通常情況下，較佳為300℃以上，更佳為350℃以上。上限雖並未被特別限定，但例如為1000℃以下。含矽樹脂組成物包含硬化劑(C)及/或硝醯基化合物(D)時，即使將燒成溫度的下限值下降至200℃，亦可減低二氧化矽薄膜中之殘渣(源自二氧化矽薄膜之雜質)。燒成環境並未特別限定，可為氮環境或氬環境等之惰性氣體環境下、真空下或減壓下。可為大氣下，且可適當控制氧濃度。 　　[0260] 如此進行所形成之二氧化矽薄膜不具有破裂，且包含經良好分散之量子點(B)。 　　[0261] 以上說明之含矽樹脂薄膜及二氧化矽薄膜由於包含經良好分散之量子點(B)，故可適合作為發光顯示元件用之光學薄膜使用，又，可適合使用在發光顯示元件所適合使用之層合體的製造。 　　[0262] ＜層合體＞ 　　層合體為包含選自由前述之含矽樹脂薄膜及前述之二氧化矽薄膜所構成之群組中之1個以上之薄膜的層合體。該層合體可為由僅含有量子點之薄膜所構成之層合體，亦可為由含有量子點之薄膜、與其他機能層所構成之層合體。 　　[0263] [含有量子點之薄膜的層合體] 　　作為層合體，例如可列舉包含分散於各種基質材中之量子點(B)的薄膜已層合2層以上，包含選自由前述之含矽樹脂薄膜及前述之二氧化矽薄膜所構成之群組中之1個以上之薄膜的層合體。 　　該層合體可為僅層合前述之含矽樹脂薄膜及/或前述之二氧化矽薄膜之層合體，亦可為層合前述之含矽樹脂薄膜及/或前述之二氧化矽薄膜、與於含矽樹脂及二氧化矽以外之基質材分散量子點(B)之薄膜的層合體。 　　[0264] 作為含矽樹脂及二氧化矽以外之基質材，可列舉環氧樹脂、丙烯酸樹脂(例如聚甲基(甲基)丙烯酸酯及聚丁基(甲基)丙烯酸酯等)、降莰烯樹脂、聚烯烴(例如聚伸乙基)、聚乙烯丁醛、聚乙烯乙酸酯、聚脲、聚胺基甲酸酯、聚酯樹脂(例如聚對苯二甲酸乙二酯)、聚碳酸酯樹脂等。 　　[0265] 層合含有量子點之複數個薄膜來製造層合體時，較佳為相鄰之薄膜的折射率不同。又，較佳為折射率高之高折射率薄膜、與折射率低之低折射率薄膜相互層合。 　　此情況下，相鄰之薄膜的折射率的差較佳為0.4～2.0。 　　重複層合折射率不同之複數個層時，從光源入射之光線通過層合體時，藉由由光線之折射之發散，容易提高入射光之利用效率。 　　[0266] 含有量子點之薄膜，較佳為包含波長變換來自光源之入射光，而產生紅色光之量子點、與波長變換來自光源之入射光，而產生綠色光之量子點。 　　又，相互層合包含產生紅色光之量子點的薄膜、與包含產生綠色光之量子點的薄膜亦佳。 　　由於可藉由將如此構成之層合體適用在發光顯示元件面板，藉波長變換取出色純度高之綠色光與紅色光，擴大具備發光顯示元件面板之發光顯示裝置之色相的再現範圍。 　　尚，作為光源，通常情況下，可利用藍色光或白色光。藉由組合該光源、與上述之層合體使用，可取出色純度高之紅色光、綠色光及藍色光，可顯示良好之色相鮮明的圖像。 　　[0267] 作為發光顯示裝置，若為使用光源之發光顯示圖像的裝置，則並未特別限定，可列舉液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等。 　　[0268] 於以上說明之層合體，較佳為選自由前述之含矽樹脂薄膜及前述之二氧化矽薄膜所構成之群組中之2個以上之薄膜，以分別接觸的方式層合。 　　又，層合體僅由選自由前述之含矽樹脂薄膜及前述之二氧化矽薄膜所構成之群組中之2個以上薄膜所構成亦較佳。 　　係因為含矽樹脂或二氧化矽具有耐光性、耐候性、耐溶劑性、耐化學藥品性、透明性及絕緣性等之各種優異的特性。 　　[0269] [含有量子點之薄膜、與包含其他機能層之層合體] 　　含有量子點之薄膜即前述之含矽樹脂薄膜及前述之二氧化矽薄膜，與其他機能層層合亦較佳。 　　以下，針對前述之含矽樹脂薄膜及前述之二氧化矽薄膜，有單記載為「含有量子點之薄膜」的情況。 　　含有量子點之薄膜，較佳為包含波長變換來自光源之入射光，而產生紅色光之量子點、與波長變換來自光源之入射光，而產生綠色光之量子點。 　　又，作為光源，通常情況下，可利用藍色光或白色光。 　　[0270] 作為其他機能層，可列舉使光線擴散之擴散層、含矽樹脂薄膜，或具有較二氧化矽薄膜更低之折射率的低折射率層、使從光源入射之光的一部分反射之反射層、將光源所發出之光入射至層合體之導光板等。 　　又，如有必要，可於層合體內設置空隙。空隙，例如可為空氣之層或氮等之惰性氣體之層。 　　[0271] 作為擴散層，並未特別限制可使用以往各種顯示裝置或光學裝置所使用之各種擴散層。作為典型之例，可列舉於表面設置棱鏡等之微細構造的薄膜、於表面散布或埋沒珠粒之薄膜及內部包含於將以使微粒子或光線散射的方式進行構造化的界面或空隙等之薄膜。 　　[0272] 低折射率層若為具有較前述之含矽樹脂薄膜及前述之二氧化矽薄膜更低之折射率的薄膜，則並未特別限定，可使用由各種材質所構成之薄膜。 　　[0273] 作為反射層，可列舉反射性之偏光薄膜、以可反射入射光當中之一部分的方式，於表面設置棱鏡等之微細構造的薄膜、金屬箔、多層光學薄膜等。反射層較佳為使入射光之30%以上反射，更佳為使40%以上反射，特佳為使50%以上反射。 　　反射層較佳為反射通過含有量子點之薄膜之光，將反射光再度以入射於含有量子點之薄膜的方式設置。藉由將從反射層入射至含有量子點之薄膜之光由擴散層等，對反射層之方向使其再度反射，較未使用反射層時，可提高從含有量子點之薄膜所發出之綠色光及紅色光的色純度。 　　[0274] 作為導光板，並未特別限制可使用以往各種顯示裝置或光學裝置所使用之各種導光板。 　　[0275] 作為包含含有量子點之薄膜、與其他機能層之層合體的較佳之層構成的典型例，可列舉以下之1)～8)的層構成。尚，於1)～8)構成之層合體，於最左所記載之層使光源所發出之光線入射，從最右所記載之層由含有量子點之薄膜取出經波長變換之光線。 　　通常，以使從層合體取出之光線入射的方式來設置顯示器面板，並利用與色準高之紅色光、綠色光及藍色光，來進行圖像之顯示。 　　1)擴散層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層 　　2)導光板/擴散層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層 　　3)低折射率層/含有量子點之薄膜/空隙/反射層 　　4)導光板/低折射率層/含有量子點之薄膜/空隙/反射層 　　5)低折射率層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層 　　6)導光板/低折射率層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層 　　7)反射層/低折射率層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層 　　8)導光板/反射層/低折射率層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層 　　[0276] 尚，在以上說明之層合體，含矽樹脂薄膜及二氧化矽薄膜較佳為依前述之方法製造。 　　[0277] ＜發光顯示元件面板及發光顯示裝置＞ 　　由前述之含矽樹脂薄膜或前述之二氧化矽薄膜所構成之光學薄膜，或前述之層合體，係以組入各種發光顯示元件面板，且從光源所發出之光線取出色純度高之紅色光、綠色光及藍色光為目的優選使用。 　　於此，針對由前述之含矽樹脂薄膜或前述之二氧化矽薄膜所構成之光學薄膜，或前述之層合體的總稱，記載為「量子點片」。 　　[0278] 發光顯示元件面板，通常情況下，係包含組合光源之背光、與量子點片、與顯示器面板。 　　量子點片具備導光板時，通常情況下，於導光板的側面以使光線入射的方式設置光源。從導光板的側面入射之光線通過量子點片內，入射在顯示器面板。 　　量子點片不具備導光板時，從面光源於量子點片的主面使光線入射，將通過量子點片內之光線入射在顯示器面板。 　　顯示器面板的種類雖若為使用通過量子點片之光線，可形成圖像，則並未被特別限定，但通常情況下，為液晶顯示器面板。 　　[0279] 由於從光源所發出之光線容易取出尤其是色純度高之紅色光、綠色光及藍色光，故量子點片較佳為前述之層合體。 　　作為量子點片為層合體時之發光顯示元件面板所具備之構成的較佳組合，可列舉以下a)～h)之組合。 　　針對下述a)～h)所記載之組合，從最左所記載之構成，記載之順序堆積起來，而形成發光顯示元件面板。 　　a)面光源/擴散層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層/顯示器面板 　　b)附光源之導光板/擴散層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層/顯示器面板 　　c)面光源/低折射率層/含有量子點之薄膜/空隙/反射層/顯示器面板 　　d)附光源之導光板/低折射率層/含有量子點之薄膜/空隙/反射層/顯示器面板 　　e)面光源/低折射率層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層/顯示器面板 　　f)附光源之導光板/低折射率層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層/顯示器面板 　　g)面光源/反射層/低折射率層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層/顯示器面板 　　h)附光源之導光板/反射層/低折射率層/含有量子點之薄膜/低折射率層/反射層/顯示器面板 　　[0280] 藉由使用以上說明之發光顯示元件面板，可製造色相之再現範圍廣泛，為良好之色相且可顯示鮮明圖像之發光顯示裝置。 [實施例] 　　[0281] 以下，雖將本發明由實施例進一步詳細說明，但本發明並非被限定於此等之實施例。 　　[0282] 在實施例及比較例，使用以下之含矽樹脂A-1～A-6。 　　A-1：聚苯基矽氧烷樹脂(質量平均分子量：1000) 　　A-2：聚二甲基矽氧烷樹脂(質量平均分子量：1000) 　　A-3：由-Si(CH₃ )(Ph)-表示之單位所構成之聚矽烷(質量平均分子量：1000、Ph表示苯基) 　　A-4：由-Si(CH₃ )(Ph)-表示之單位所構成之聚矽烷(質量平均分子量：13000、Ph表示苯基) 　　A-5：包含50質量%之A1、與50質量%之A3的混合樹脂 　　A-6：包含50質量%之A3、與50質量%之A4的混合樹脂 　　[0283] 在實施例及比較例，使用以下之量子點B-1～B-5。 　　對於B-1及B-2，於表1所記載的種類之溶劑中以濃度1質量%作為分散量子點之分散液使用。 　　對於B-3及B-4，於表1所記載的種類之溶劑中以濃度3質量%作為分散量子點之分散液使用。 　　對於B-5，於甲苯中以濃度1質量%作為分散量子點之分散液使用。 　　B-1：由CdSe所構成之芯為被由ZnS所構成之殼層被覆的量子點(發光極大：520nm) 　　B-2：由CdSe所構成之芯為被由ZnS所構成之殼層被覆的量子點(發光極大：630nm) 　　B-3：由InP所構成之芯為於被由ZnS所構成之殼層被覆的粒子，配位油胺之量子點(發光極大530nm) 　　B-4：由InP所構成之芯為於被由ZnS所構成之殼層被覆的粒子，配位油胺之量子點(發光極大620nm) 　　B-5：由CdSe所構成之芯為被由ZnS所構成之殼層被覆的量子點(發光極大：520nm) 　　[0284] 在實施例及比較例，使用以下之溶劑S-1～S-6。 　　S-1：環己基乙酸酯 　　S-2：丙二醇單甲基醚乙酸酯 　　S-3：3-甲氧基丁基乙酸酯 　　S-4：異丙醇 　　S-5：乙基二甘醇乙酸酯 　　[0285] [實施例1～12及比較例1～4] 　　分別均勻混合表1所記載的種類及量(質量份)的含矽樹脂、與量子點、與溶劑，而得到各實施例及比較例之含矽樹脂組成物。 　　使用所得之含矽樹脂組成物，依以下之方法，進行破裂耐性、與分散安定的試驗。將此等之試驗結果記於表1。 　　[0286] (破裂耐性評估) 　　於樣品基板上，將表1之各含矽樹脂組成物使用旋轉塗佈機進行塗佈，形成可形成膜厚5.0μm之二氧化矽薄膜系被膜之膜厚的塗佈膜。將塗佈膜於100℃進行預烘烤2分鐘後，使用縱型烘烤爐(TS8000MB、東京應化工業股份有限公司製)，將塗佈膜於350℃燒成30分鐘，而得到膜厚5.0μm之二氧化矽薄膜。將經形成之二氧化矽薄膜的表面使用光學顯微鏡進行觀察，確認破裂的有無。將未確認有破裂的情況判定為良好(○)，將確認破裂的情況判定為不佳(×)。將評估結果記於表1。 　　[0287] (分散安定性評估) 　　將所得之含矽樹脂組成物中之量子點的平均粒子徑使用HORIBA公司製動態光散射式粒度分布測定裝置LB-500測定。將經測定之平均粒子徑作為分散粒子徑。分散粒子徑越小，係意指量子點無法凝集分散性良好。對於分散性，將分散粒子徑為8nm以下的情況判定為良好(○)，將超過15nm的情況判定為不佳(×)。將評估結果記於表1。 　　[0288]

[0289] 根據表1，瞭解到含矽樹脂組成物包含量子點並包含前述之式(S1)表示之構造的溶劑時，可製造抑制破裂的發生，量子點良好分散之薄膜。 　　另外，瞭解到含矽樹脂組成物雖包含量子點但未包含式(S1)表示之構造的溶劑時，在所製造之薄膜容易發生破裂，又難以形成包含良好分散之量子點的薄膜。

Claims (17)

1. 一種含矽樹脂組成物，其係含有含矽樹脂(A)、與量子點(B)、與溶劑(S)，其特徵為前述含矽樹脂(A)為選自由矽氧烷樹脂及聚矽烷所構成之群組中之1種以上，前述溶劑(S)為含有下式(S1)表示之環烷基乙酸酯的含矽樹脂組成物，

   

   (式(S1)中，R^s1為碳原子數1~3之烷基，p為1~6之整數，q為0~(p+1)之整數)相對於前述含矽樹脂組成物全質量，含矽樹脂(A)的含量為1~50質量%，量子點(B)的含量為0.05~15質量%，溶劑(S)的含量為，使去除含矽樹脂組成物的溶劑(S)後之固形分濃度成為1~50質量%的量，溶劑(S)中之式(S1)表示之環烷基乙酸酯的含量為30質量%以上100質量%以下。
2. 如請求項1之含矽樹脂組成物，其中，前述含矽樹脂(A)係選自由矽氧烷樹脂及聚矽烷所構成之群組中之1種以上， 前述矽氧烷樹脂係水解縮合選自下式(A1)表示之矽烷化合物中之至少一種所得之矽氧烷樹脂，R_4-nSi(OR’)_n．．．(A1)(在上述式(A1)，R表示氫原子、碳原子數1、2或3的烷基烷基、芳基或芳烷基，R’表示碳原子數1、2或3的烷基或苯基，前述芳基、前述芳烷基及前述苯基可具有亦可不具有取代基，前述取代基為羥基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、甲基、乙基或丙基，n表示2~4之整數，於Si鍵結複數個R時，該複數個R可為相同，亦可為相異；又，鍵結於Si之複數個(OR’)基可為相同，亦可為相異)。
3. 如請求項1或2之含矽樹脂組成物，其係進一步含有硬化劑(C)。
4. 一種含矽樹脂薄膜之製造方法，其係包含：形成由如請求項1~3中任一項所記載之含矽樹脂組成物所構成之塗佈膜、與從前述塗佈膜去除溶劑(S)。
5. 如請求項4之含矽樹脂薄膜之製造方法，其中，前述含矽樹脂薄膜的膜厚為2~300μm。
6. 一種含矽樹脂薄膜，其係藉由如請求項4所記載之製 造方法所製造之含矽樹脂薄膜，其特徵為於由含矽樹脂(A)所構成之基質中，分散有量子點(B)，膜厚為2~300μm。
7. 一種二氧化矽薄膜之製造方法，其係包含：形成由如請求項1~3中任一項所記載之含矽樹脂組成物所構成之塗佈膜、與以300~1000℃燒成前述塗佈膜。
8. 如請求項7之二氧化矽薄膜之製造方法，其中，前述二氧化矽薄膜的膜厚為2~300μm。
9. 一種二氧化矽薄膜，其係藉由如請求項7所記載之製造方法所製造之二氧化矽薄膜，其特徵為於由二氧化矽所構成之基質中，分散量子點(B)而成。
10. 如請求項9之二氧化矽薄膜，其中，膜厚為2~300μm。
11. 一種發光顯示元件用之光學薄膜，其係由如請求項6所記載之含矽樹脂薄膜，或如請求項9或10所記載之二氧化矽薄膜所構成。
12. 一種層合體，其係包含選自由如請求項6所記載之含 矽樹脂薄膜及如請求項9或10所記載之二氧化矽薄膜所構成之群組中之1個以上的薄膜。
13. 如請求項12之層合體，其中，選自由前述之含矽樹脂薄膜及前述之二氧化矽薄膜所構成之群組中之2個以上的薄膜，係以分別接觸的方式層合。
14. 一種發光顯示元件面板，其係包含如請求項11所記載之發光顯示元件用之光學薄膜或如請求項12或13所記載之層合體。
15. 一種發光顯示裝置，其係具備如請求項14所記載之發光顯示面板。
16. 一種層合體之製造方法，其係包含選自含矽樹脂薄膜及二氧化矽薄膜中之1個以上的薄膜之層合體之製造方法，其特徵為包含將前述含矽樹脂薄膜以如請求項4或5所記載之製造方法製造及將前述二氧化矽薄膜以如請求項7或8所記載之製造方法製造中之至少一種。
17. 一種用以發光顯示元件之光學薄膜的應用，前述光學薄膜係由如請求項6所記載之含矽樹脂薄膜或如請求項9或10所記載之二氧化矽薄膜所構成。