KR20190110925A - 광변환 수지 조성물, 광변환 유리기재 및 이를 이용한 화상표시장치 - Google Patents

광변환 수지 조성물, 광변환 유리기재 및 이를 이용한 화상표시장치 Download PDF

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KR20190110925A
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김정식
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Abstract

본 발명은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 2종 이상의 비카드뮴계 양자점, 산란입자, 알칼리 가용성 수지, 열경화제 및 용제를 포함하고, 상기 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를 포함함으로써, 도막 표면경도, 탄성회복율 및 밀착력이 우수하며, 아웃가스 발생량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 분산성 및 광학특성 또한 우수한 광변환 수지 조성물, 광변환 유리기재 및 이를 이용한 화상표시장치에 관한 것이다.

Description

광변환 수지 조성물, 광변환 유리기재 및 이를 이용한 화상표시장치{A LIGHT CONVERTING RESIN COMPOSITION, A LIGHT CONVERTING GLASS UNIT AND A DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 광변환 수지 조성물, 광변환 유리기재 및 이를 이용한 화상표시장치에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Diode, LED)를 백라이트유닛(Back Light Unit, BLU)으로 사용하는 LCD(LiquidCrystal Display) TV에서 LED BLU는 빛을 실제로 발하는 부분으로써 LCD TV에서 가장 중요한 부분 중에 하나이다.
백색의 LED BLU를 형성하는 방법으로는 통상 적색(Red, R), 녹색(Green, G) 및 청색(Blue, B) LED 칩을 조합하여 백색의 LED BLU를 형성하거나, 청색 LED칩과 넓은 반치폭의 발광파장을 가진 황색(Yellow, Y) 형광체의 조합을 이용하여 백색을 구현하고 있다.
하지만, 적색, 녹색, 청색의 LED 칩을 조합하는 경우에는 LED 칩의 개수 및 복잡한 공정에 따라 제조비용이 높은 문제가 있고, 청색 LED칩에 황색 형광체를 조합하는 경우에는, 녹색 및 적색의 파장구분이 되지 않아 색순도가 떨어지고, 이에 따른 색재현성 저하의 문제가 있다.
이와 관련하여 대한민국 등록특허 제10-1690624호는 고분자 수지에 복수의 비카드뮴계 양자점이 분산되며, 일면 또는 양면이 패턴화된 고분자 레진층; 상기 고분자 레진층의 일 면에 형성된 제1배리어필름; 및 상기 고분자 레진층의 또다른 일 면에 형성된 제2배리어필름;을 포함하고, 상기 고분자 레진층의 하부면은 프리즘 패턴화 또는 렌즈 패턴화된 것이며, 상기 고분자 레진층의 하부면이 프리즘 패턴화인 경우 상기 프리즘 패턴의 피치는 20 내지 70㎛이고, 꼭지각도는 95 내지 120°이며, 상기 패턴의 단면은 삼각형이고, 상기 고분자 레진층의 하부면이 렌즈패턴화인 경우 상기 렌즈패턴의 피치는 20 내지 70㎛이고, 피치 대 높이의 비율은 4 : 1 내지 10 : 1이며, 상기 패턴의 단면은 반원형인 광학시트를 제공하고 있다.
대한민국 등록특허 제10-1628065호는 양자점; 및 상기 양자점의 표면에 배치되고, 특정 화학식으로 나타내는 아미노실록산계 리간드를 포함하는 발광 복합체를 제공하고 있다.
그러나, 상기 종래기술들은 양자점이 포함된 발광층 이외에 배리어층, 기재층 등 구조가 복잡한 광학필름일 뿐만 아니라, 이에 따른 양자점의 발광휘도 저하가 발생하게 되며, 제조공정 중 너무 높은 온도로 필름 제작 시 양자점이 소광하는 문제점이 발생한다. 또한, 상기 종래기술들은 광학필름 형태로 가공하기 위해 낮은 공정온도에서 진행함에 따라 장기 신뢰성에 문제가 있다.
대한민국 등록특허 제10-1690624호(2016.12.22. 코오롱인더스트리 주식회사) 대한민국 등록특허 제10-1628065호(2016.06.01. 주식회사 엘엠에스)
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 특정 열경화제를 포함함으로써, 유리기재 위에 코팅층 형성온도를 100 내지 250℃에서 보다 효과적으로 가공 할 수 있으며, 기존의 복잡한 구조의 광학시트를 사용한 화상표시장치에 비해 도막 표면 경도, 탄성회복율, 밀착력이 우수하며, 아웃가스 발생량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 신규 리간드를 도입한 양자점을 포함함으로써 우수한 분산성 및 광학특성이 향상된 광변환 수지 조성물, 광변환 유리기재 및 이를 이용한 화상표시장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 2종 이상의 비카드뮴계 양자점, 산란입자, 알칼리 가용성 수지, 열경화제 및 용제를 포함하고, 상기 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 특정 열경화제를 포함함으로써,코팅층의 형성 온도를 100 내지 250℃에서 효과적으로 가공할 수 있으며, 도막 표면경도, 탄성회복율 및 밀착력이 우수하며, 아웃가스 발생량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 신규 리간드가 도입된 양자점을 포함함으로써 분산성 및 광학특성이 우수한 효과가 있다.
상기 광변환 수지 조성물로 제조된 광변환 유리기재 및 이를 이용한 화상 표시 장치는 구조가 간단하며, 신뢰성이 우수한 효과가 있다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본발명에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본발명에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
< 광변환 수지 조성물>
본 발명의 광변환 수지 조성물은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 2종 이상의 비카드뮴계 양자점, 산란입자, 알칼리 가용성 수지, 열경화제 및 용제를 포함하고, 상기 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를 포함함으로써, 도막의 포면 경도, 탄성회복율 및 밀착력이 우수하며 아웃가스 발생량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 신규 리간드가 도입된 양자점을 포함함으로써 분산성 및 광학특성이 우수한 효과가 있다.
양자점
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 2종 이상의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광변환 수지 조성물에 포함되는 양자점은 나노 크기의 반도체 물질이다. 원자가 분자를 이루고, 분자는 클러스터(cluster)라고 하는 작은 분자들의 집합체를 구성하여 나노 입자를 이루는데, 이러한 나노 입자들이 특히 반도체의 특성을 띠고 있을 때 이를 양자점이라고 한다. 이러한 양자점은 외부에서 에너지를 받아 들뜬 상태에 이르면, 자체적으로 에너지 밴드 갭에 해당하는 에너지를 방출하는 특성을 가지고 있다. 요컨대, 본 발명의 광변환 수지 조성물은 이러한 양자점을 포함함으로써,입사된 청색광원을 통해 녹색광 및 적색광으로의 광변환이 가능하다.
상기 양자점은 광에 의한 자극으로 발광할 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 않으나 비카드뮴인 것이 보다 바람직하다. 예컨대, III-V족 반도체 화합물, IV-VI족 반도체 화합물, 및 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 III-V족 반도체 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 IV-VI족 반도체 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수있다.
상기 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물은 Si, Ge, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 원소 화합물; 및 SiC, SiGe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 양자점은 균질한(homogeneous) 단일 구조; 코어-쉘(core-shell) 구조, 그래디언트(gradient) 구조 등과 같은 이중 구조; 또는 이들의 혼합 구조일 수 있다. 예를 들어 상기 코어-쉘(core-shell)의 이중 구조에서, 각각의 코어(core)와 쉘(shell)을 이루는 물질은 상기 언급된 서로 다른 반도체 화합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 코어는GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 쉘은 ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 본 발명의 코어-쉘 구조의 양자점은 InP/ZnS,InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS 로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 습식 화학 공정(wet chemical process), 유기금속 화학증착 공정(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) 또는 분자선 에피텍시 공정(MBE, molecular beam epitaxy)에 의해 합성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 양자점은 표면에 배치되는 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하며, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(상기 화학식 1에서,
R1은 하기 화학식 1-1로 표시되며,
R2는 수소원자, 머캅토(
Figure pat00002
), 카르복실산(
Figure pat00003
), 디티오아세트산(
Figure pat00004
), 인산(
Figure pat00005
), 아민(
Figure pat00006
) 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기이고,
n은 2 내지 100의 정수이다)
[화학식 1-1]
Figure pat00007
(상기 화학식 1-1에서,
R3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
R4는 하기 화학식 1-2로 표시되며,
*은 결합손을 의미한다)
[화학식 1-2]
Figure pat00008
(상기 화학식 1-2에서,
R5는 산소원자 또는 황원자이며,
R6는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
R7는 머캅토(
Figure pat00009
), 카르복실산(
Figure pat00010
), 디티오아세트산(
Figure pat00011
), 인산(
Figure pat00012
), 아민(
Figure pat00013
)으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
m은 0 내지 1의 정수이고, l은 0 내지 10의 정수이며,
*은 결합손을 의미한다).
구체적으로 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00014
(상기 화학식 2에서,
R2는 머캅토(
Figure pat00015
), 카르복실산(
Figure pat00016
), 디티오아세트산(
Figure pat00017
), 인산(
Figure pat00018
), 아민(
Figure pat00019
), 탄소수 1 내지 20의 직쇄의 알킬기 및 탄소수 3 내지 20의 분지쇄의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
o는 0 내지 5의 정수, p는 0 내지 1의 정수, q는 2 내지 50의 정수이다).
이와 같이, 본 발명의 폴리에틸렌 글리콜계 리간드가 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 경우 분산성 및 광특성이 보다 향상되는 이점이 있다.
본 발명에서 '알킬기'란, 별 다른 설명이 없는 한 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등을 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 보다 구체적으로, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산(2-(2-Methoxyethoxy)acetic acid, WAKO사), 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산 (2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid, WAKO사), 숙신산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸] 에스터(Succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸] 에스터(Malonic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 글루타르산 모노-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에틸} 에스터(Pentanedioic acid mono-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethyl} ester), {2-[2-(2-에틸-헥실옥시)-에톡시]-에톡시}-아세트산({2-[2-(2-Ethyl-hexyloxy)-ethoxy]-ethoxy}-acetic acid), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스터(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl]ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스터(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-이소부톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터(Malonic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 아디프산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터(Hexanedioic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 2-옥소-아디프산 6-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에틸) 에스터(2-Oxo-hexanedioic acid 6-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl) ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), O-(숙시닐)-O′'-메틸폴리에틸렌글리콜 2′(O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′'000, Aldrich사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), {2-[2-(카르복시메톡시)에톡시]에톡시}아세트산({2-[2-(carboxymethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid, WAKO사), 2-[2-(벤질옥시)에톡시]아세트산(2-[2-(Benzyloxy)ethoxy]acetic acid), (2-카르복시메톡시-에톡시)-아세트산((2-Carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사)를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명의 양자점은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함함으로써, 톨루엔, 헥산, 클로로포름과 같이 휘발성이 큰 용제가 아닌, 컬러필터 양산라인에서 사용되고 있는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 같은 용제를 사용함에도 양자점의 분산 특성이 양호한 효과가 있다.
본 발명의 광변환 수지 조성물은 전술한 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점 이외의 양자점을 더 포함할 수도 있는데, 이 경우 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점의 함량은 함께 포함되는 리간드를 포함하지 않는 양자점 전체 100중량부를 기준으로 5 내지 150중량부, 바람직하게는 10 내지 100중량부로 포함될 수 있다. 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점이 상기 함량 범위 미만으로 포함되는 경우 양자점의 분산특성이 저하될 수 있으며, 상기 범위를 초과하는 경우 도막의 경화 특성이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 양자점은 입사된 청색광원을 이용하여, 녹색광 및 적색광으로의 광변환을 위해 발광중심파장이 서로 다른 2종 또는 그 이상의 양자점을 포함 할 수 있다. 구체적으로, 상기 양자점은 색재현성 구현에 보다 효과적인 발광중심파장 범위가 510nm 내지 540nm인 녹색 양자점; 및 발광중심파장 범위가 610nm 내지 630nm인 적색 양자점;을 포함하는 것일 수 있으며, 이 경우 청색광을 녹색광 또는 적색광으로 변환하기에 보다 유리한 이점이 있다.
이때, 상기 2종 이상의 양자점의 발광중심파장의 차이는 70nm 이상일 수 있다. 이와 같이 발광중심파장이 서로 다른 2종 이상의 양자점을 사용하는 경우 색재현성을 보다 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 비카드뮴계 양자점은 광변환 수지 조성물의 고형분 100중량부에 대하여 1 내지 40중량부, 바람직하게는 2 내지 20중량부로 포함될 수 있다. 상기 양자점이 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 효율이 우수하고, 코팅층의 신뢰성이 우수한 이점이 있다. 상기 비카드뮴계 양자점이 상기 범위 미만으로 포함되는 경우 녹색광 및 적색광의 광변환 효율이 미비할 수 있고, 상기 범위를 초과하는 경우 상대적으로 청색광의 방출이 저하되어 색재현성이 떨어지는 문제가 발생될 수 있다.
산란입자
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 산란입자를 포함한다.
상기 산란입자는 통상의 무기 재료를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 평균입경이 50 내지 1000nm인 금속산화물을 포함할 수 있다.
상기 금속산화물은 Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, Ce, Ta, In 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 산화물일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
구체적으로 상기 금속산화물은 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종이 가능하다. 필요한 경우 아크릴레이트 등의 불포화 결합을 갖는 화합물로 표면 처리된 재질도 사용 가능하다.
다만, 본 발명에 따른 광변환 수지 조성물이 산란입자를 포함할 경우 상기산란입자를 통해 양자점에서 방출된 광의 경로를 증가시켜 광변환 코팅층에서의 전체적인 광효율을 높일 수 있어 바람직하다.
상기 산란입자는 50 내지 1000nm의 평균입경을 가질 수 있으며, 바람직하기로 100 내지 500nm 범위인 것을 사용한다. 이때 입자 크기가 너무 작으면 양자점으로부터 방출된 빛의 충분한 산란 효과를 기대할 수 없고, 이와 반대로 너무 큰 경우에는 조성물 내에 가라 앉거나 균일한 품질의 자발광층 표면을 얻을 수 없으므로, 상기 범위 내에서 적절히 조절하여 사용한다.
상기 산란입자는 상기 광변환 수지 조성물의 전체 고형분 100 중량부에 대하여 0.5 내지 20중량부, 바람직하게는 1 내지 15중량부, 보다 바람직하게는 1 내지 10중량부로 포함될 수 있다.
상기 산란입자가 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 세기 증가 효과가 극대화될 수 있어 바람직하다. 상기 산란입자가 상기 범위 미만으로 포함될 경우 얻고자 하는 발광 세기의 확보가 다소 어려울 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우 청색 조사광의 투과도가 현저히 저하되어 색재현성에 문제가 발생할 수 있으므로, 상기 범위 내에서 적절하게 사용하는 것이 바람직하다.
알칼리 가용성 수지
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지를 포함한다.
상기 알칼리 가용성 수지로는 해당 적용 기술 분야에서 사용되는 다양한 중합체 중에서 선택할 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지는 산가나 수산기를 함유하는 수지이면 특별히 한정하지 않으나, 형상이나 패턴 단차, 기판과의 밀착성 및 내용제성 관점에서 에폭시(메타)아크릴레이트계 수지, 아크릴계 수지, 카르복실기 함유 (지환식)에폭시기계 수지, 노볼락계 수지, 폴리비닐페놀계 수지 등을 들 수 있지만 그 중에서도 에폭시(메타)아크릴레이트계 수지나 (지환식)에폭시기계 수지가 더 효과적일 수 있다. (지환식)에폭시기가 포함된 바인더 수지는 경시 변화가 적으면서 내약품성, 전기적 특성 등 신뢰성 향상이 가능하여 더욱 바람직하다.
또한, 상기 알칼리 가용성 수지의 분자량은 중량평균분자량이 3,000 내지 40,000인 범위 내의 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 5,000에서 20,000 범위가 좋을 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지의 분자량이 상기 범위 이내일 경우에는 막형성능과 신뢰성, 현상성의 밸런스가 우수한 경향이 있다. 또한, 상기 알칼리 가용성 수지의 산가는 고형분 기준으로 50내지 200 mg·KOH/g의 범위가 바람직하며, 상기 바인더 수지의 산가가 상기 범위 이내일 경우에는 알칼리 현상에 대한 현상성이 우수하고, 잔사 발생이 억제되고, 패턴의 밀착성이 향상되는 이점이 있다.
본발명에서 "산가"란, 아크릴계 중합체 1g을 중화하는데 필요한 수산화칼륨의 양(mg)으로서 측정되는 값이며, 통상적으로 수산화칼륨 수용액을 사용하여 적정함으로써 구할 수 있다.
상기 알칼리 가용성 수지는 상기 광변환 수지 조성물 전체 100중량부에 대하여 1 내지 80 중량부, 바람직하게는 5 내지 70 중량부, 더욱 바람직하게는 2 내지 70 중량부로 포함될 수 있다.
상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위 내로 포함될 경우 현상액에서의 용해성이 충분하여 패턴형성이 용이하며, 현상시에 노광부의 화소 부분의 막 감소가 방지되어 비화소 부분의 누락성이 양호해지므로 바람직하다. 상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위 미만으로 포함될 경우 비화소 부분이 다소 누락될 수 있으며, 상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위를 초과하여 포함될 경우 현상액에서의 용해성이 다소 저하되어 패턴형성이 다소 어려울 수 있다.
열경화제
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 열경화제를 포함한다.
상기 열경화제는 도막의 표면 경도 및 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 고온 공정에서의 탄성회복율이 우수해지며, 아웃가스(outgas) 발생량을 최소화하여 패널 작동 시 발생할 수 있는 잔상에 이로운 장점이 있다.
본 발명의 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 함으로써, 특히 실란변성 에폭시 수지를 사용하는 경우보다 경시안정성 확보에 유리한 이점이 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 다관능 지환족 에폭시 수지는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00020
(상기 화학식 3에서,
R8은 C1 내지 C10 알킬기이고,
a, b 및 c는 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이다).
[화학식 4]
Figure pat00021
본 발명에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
상기 다관능 지환족 에폭시 수지의 시판품으로는 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤의「CEL-2021」, 지환식 고형 에폭시 수지「EHPE-3150」, 에폭시화 폴리부타디엔「PB3600」, 가요성 지방환 에폭시 화합물「CEL-2081」, 락톤 변성 에폭시 수지「PCL-G」 등이 사용될 수 있다. 또, 이외에도 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤의 「세록사이드2000」, 「에폴리드 GT-3000」, 「GT-4000」등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 다관능 지환족 에폭시 수지를 사용함으로써, 도막의 표면 경도 및 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 고온 공정에서의 탄성회복율이 우수해지며, 아웃가스(outgas) 발생량을 최소화하여 패널 작동 시 발생할 수 있는 잔상에 이로운 장점이 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 노볼락 에폭시 수지는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00022
(상기 화학식 5에서,
v는 1 내지 20의 정수이다).
상기 노볼락 에폭시 수지의 시판품으로는 스미 에폭시 ESCN 195XL (스미토모 카가쿠 고교㈜제조) 등이 사용될 수 있으나 역시 이에 한정되지 않는다.
상기 노볼락 에폭시 수지를 사용함으로써, 도막의 표면 경도 및 밀착성이 우수할 뿐만 아니라, 고온 공정에서의 탄성회복율이 우수해지며, 아웃가스(outgas) 발생량을 최소화하여 패널 작동 시 발생할 수 있는 잔상에 이로운 장점이 있다.
상기 열경화제는 상기 광변환 수지 조성물 고형분 100중량%에 대하여 0.1 내지 40중량%, 바람직하게는 0.5 내지 35중량%, 보다 바람직하게는 5 내지 30중량%로 포함될 수 있다.
상기 열경화제가 상기 범위를 만족하는 경우에는 도막의 경도를 향상시켜 도막 표면경도 및 밀착력이 우수할 뿐만 아니라, 고온 공정에서의 탄성회복율이 우수해지며, 아웃가스 발생량을 최소화하여 패널 작동 시 발생할 수 있는 잔상에 이로운 장점이 있다. 반면에, 상기 열경화제가 상기 범위를 벗어날 경우에는 도막 표면경도가 저하될 수 있고, 밀착력이 저하되어 크랙(Crack)이 발생할 수 있으며, 고온 공정에서의 탄성회복율이 저하되어 표면 주름이 발생 할 가능성이 있다. 또한 아웃가스의 발생량이 증가하면 패널 작동 시 잔상의 발생 위험성이 있다.
용제
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 용제를 포함한다.
상기 용제는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있으며, 특히 비점이 100 내지 240℃인 용제가 전체 용제 대비 50% 이상 포함되는 경우, 흐름특성이 우수해져 코팅얼룩 및 건조이물이 발생하지 않아, 코팅이물이 없는 양호한 광변환 유리기재를 제공할 수 있다.
상기 비점이 100℃ 미만인 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 건조 속도가 빨라 Vacuum Dry 공정시 도막표면에 얼룩이 발생하여 불량을 야기할 수 있는 반면, 비점이 240℃를 초과하는 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 Vacuum Dry 공정시 소요시간(Tack-time)이 길어지는 문제를 야기할 수 있다. 그러므로 전체 용제의 50% 이상의 용제는 비점이 100 내지 240℃인 용제를 사용 하는 것이 적절하다.
상기 용제의 구체적인 예로는 에테르류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 알코올류, 에스테르류 및 아미드류 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 구체적으로 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 부탄올, 헥산올, 시클로헥산올 및 3-에톡시프로피온산 에틸, 1,3-부틸렌글라이콜디아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌 글리콜 디아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 메톡시부틸아세테이트, 에틸렌글리콜 및 γ-부티롤락톤등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 내지 2종 이상일 수 있다.
본 발명의 광변환 수지 조성물 중의 용제의 함량은 상기 광변환 수지 조성물 100중량%에 대하여 5 내지 90중량%, 바람직하게는 30 내지 80중량%로 포함 될 수 있다. 상기 용제가 상기 범위 내로 포함되면 롤 코터, 스핀 코터, 슬릿 앤드 스핀 코터, 슬릿 코터(다이 코터라고도 하는 경우가 있음), 잉크젯 등의 도포 장치로 도포했을 때 도포성이 양호해질 수 있다.
< 광변환 유리기재>
본 발명에 따른 광변환 유리기재는 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 상기 광변환 유리기재는 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함함으로써, 유리 기재 위에 코팅층 형성 온도가 100 내지 250℃에서 보다 효과적으로 가공할 수 있으며, 기존의 복잡한 구조에 비해 휘도 및 장기 신뢰성이 우수할 수 있다.
상기 광변환 적층기재는 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 고분자 기판일 수 있으며, 상기 고분자 기판은 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 또는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 등일 수 있다.
상기 광변환 적층 기재는 상기 광변환 수지 조성물을 도포하고 소정의 패턴으로 노광, 현상 및 열경화하여 형성 될 수 있다.
<화상표시장치>
본 발명에 따른 화상표시장치는 전술한 광변환 유리기재를 포함한다. 상기 화상 표시 장치는 구체적으로, 액정 디스플레이(액정표시장치; LCD), 유기 EL 디스플레이(유기 EL 표시장치), 액정 프로젝터, 게임기용 표시장치, 휴대전화 등의 휴대단말용 표시장치, 디지털 카메라용 표시장치, 카 네비게이션용 표시장치 등의 표시장치 등을 들 수 있으며, 특히 컬러 표시장치가 적합하다.
상기 화상표시장치는 상기 광변환 유리기재를 구비한 것을 제외하고는 본 발명의 기술 분야에서 당 업자에게 알려진 구성을 더 포함할 수 있으며, 즉, 본 발명은 본 발명의 광변환 유리기재를 적용할 수 있는 화상표시장치를 포함한다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세히 설명한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지는 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.
산란입자 분산액의 제조
제조예 1: 산란입자 분산액 S-1의 제조
산란 입자로서 입경 150nm인 TiO2(훈츠만사 TTO-55(C)) 70.0중량부, 분산제로서 DISPERBYK-2001 (BYK사 제조) 4.0중량부, 용매로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 26중량부를 비드밀에 의해 12시간 동안 혼합/분산하여 산란입자 분산액 S-1을 제조하였다.
합성예 1: 양자점의 합성
합성예1 -1: Green 양자점의 합성(A-1)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 1분간 반응시켰다.
이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 혼합 용액 2ml를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP/ZnSe 코어 쉘 2ml를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득하여, 클로로포름에 분산시켰다.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대 발광피크는 515nm 였으며, 양자점용액 5mL를 원심분리튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 분리된 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.5g의 O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′'000(Aldrich사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 얻어진 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최종적으로 얻어진 양자점의 최대 발광 피크는 515nm였다.
합성예1 -2: Green 양자점의 합성(A-2)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 1.5분간 반응시켰다.
이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 혼합용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8 mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP/ZnSe 코어-쉘 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 피크는 526nm 였으며, 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 분리된 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.50g의 (2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최종적으로 얻어진 양자점의 최대발광파장은 536nm였다.
합성예1 -3: Red 양자점의 합성(A-3)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다.
아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 혼합용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP/ZnSe 코어-쉘2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대 발광피크는 628nm였으며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 분리된 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소 분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 이 때, PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최종적으로 얻어진 양자점의 최대발광파장은 628nm 였다.
합성예 1-4: Red 양자점 합성(A-4)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 4.5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다.
아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 혼합용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP/ZnSe 코어-쉘 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대 발광피크는 616nm이며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. 이 때 PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최종적으로 얻어진 양자점의 최대발광파장은 616nm 였다.
합성예2 : 알칼리가용성수지 (C)
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 로트 및 질소 도입관을 구비한 플라스크를 준비하고, 한편, N-벤질말레이미드 45중량부, 메타크릴산 45중량부, 트리사이클로데실 메타크릴레이트 10중량부, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 4중량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(이하, PGMEA) 40중량부를 투입후 교반 혼합하여 모노머 적하 로트를 준비하고, n-도데칸티올 6중량부, PGMEA 24중량부를 넣고 교반 혼합하여 연쇄 이동제 적하 로트를 준비했다. 이후 플라스크에 PGMEA 395중량부를 도입하고 플라스크내 분위기를 공기에서 질소로 한 후 교반하면서 플라스크의 온도를 90℃까지 승온했다. 이어서 모노머 및 연쇄 이동제를 적하 로트로부터 적하를 개시했다. 적하는 90℃를 유지하면서 각각 2시간 동안 진행하고 1시간 후에 110℃로 승온하여 3시간 유지한 뒤, 가스 도입관을 도입시켜, 산소/질소=5/95(v/v) 혼합 가스의 버블링을 개시했다. 이어서, 글리시딜메타크릴레이트 10중량부, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀) 0.4중량부, 트리에틸아민 0.8중량부를 플라스크 내에 투입하여 110℃에서 8시간 반응을 계속하고, 그 후 실온까지 냉각하면서 고형분 29.1중량%, 중량평균분자량 32,000, 산가가 114㎎KOH/g인 알칼리 가용성 수지를 얻었다.
실시예 1 내지 10 및 비교예 1: 광변환 수지 조성물의 제조
하기 표 1의 성분 및 함량(중량%)을 사용하여 실시예 및 비교예에 따른 광변환 수지 조성물을 제조하였다.
양자점 산란입자 알칼리 가용성 수지 열경화제 용제
A-1 A-2 A-3 A-4 A-5 A-6 S-1 C D-1 D-2 D-3 E
실시예 1 8.0 - 0.7 - - - 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
실시예 2 8.0 - - 0.7 - - 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
실시예 3 - 8.0 0.7 - - - 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
실시예 4 - 8.0 - 0.7 - - 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
실시예 5 8.0 - 0.7 - - - 0.7 27.2 2.33 - - 61.07
실시예 6 8.0 - - 0.7 - - 0.7 27.2 6.21 12.43 - 44.76
실시예 7 8.0 - 0.7 - - - 0.7 27.2 12.43 6.21 - 44.76
실시예 8 8.0 - - 0.7 - - 0.7 27.2 18.64 - - 44.76
실시예 9 - 8.0 0.7 - - - 0.7 27.2 2.33 - - 61.07
실시예 10 - 8.0 - 0.7 - - 0.7 27.2 6.21 12.43 - 44.76
실시예 11 - 8.0 0.7 - - - 0.7 27.2 12.43 6.21 - 44.76
실시예 12 - 8.0 - 0.7 - - 0.7 27.2 18.64 - - 44.76
비교예 1 8.0 - - - 0.7 - 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
비교예 2 8.0 - - - - 0.7 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
비교예 3 - 8.0 - - 0.7 - 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
비교예 4 - 8.0 - - - 0.7 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
비교예 5 8.0 - - - 0.7 - 0.7 27.2 9.32 - 9.32 44.76
비교예 6 8.0 - - - - 0.7 0.7 27.2 9.32 - 9.32 44.76
비교예 7 - 8.0 - - 0.7 - 0.7 27.2 9.32 - 9.32 44.76
비교예 8 - 8.0 - - - 0.7 0.7 27.2 9.32 - 9.32 44.76
비교예 9 - - - - 5.4 3.3 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
비교예 10 - - - - 4.8 3.9 0.7 27.2 9.32 9.32 - 44.76
비교예 11 8.0 - 0.7 - - - 0.7 27.2 - - 10.49 52.92
비교예 12 8.0 - 0.7 - - - 0.7 27.2 9.32 - 9.32 44.76
비교예 13 8.0 - 0.7 - - - 0.7 27.2 - 9.32 9.32 44.76
비교예 14 8.0 - 0.7 - - - 0.7 27.2 - - - 63.4
A-1: 합성예 1-1의 양자점
A-2: 합성예 1-2의 양자점
A-3: 합성예 1-3의 양자점
A-4: 합성예 1-4의 양자점
A-5: InP/ZnS olelyamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 560nm, 반치폭 80nm, Aldrich 사)
A-6: InP/ZnS olelyamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 590nm, 반치폭 80nm, Aldrich 사)
S-1: 제조예 1의 산란입자
C: 합성예 2의 알칼리 가용성 수지
D-1: CEL-2021(다이셀 가가꾸고교가부시끼가이샤제조)
D-2: 스미 에폭시 ESCN 195XL -(스미토모 카가쿠 고교㈜제조)
D-3: 컴포세란 E-101(아라카와 화학 공업(주) 제조)
E: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
* 비교예의 경우 리간드에 포함된 톨루엔 용제를 감압제거 후 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 제거된 톨루엔 용제의 양만큼 보충하였다.
실험예
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 아래와 같이 광변환 코팅층을 제조하였으며, 이때의 도막 휘도, 색재현성, 표면경도, 탄성회복율, 밀착력, 아웃가스(outgas) 발생량 및 경시변화율을 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
(1) 광변환 코팅층 제조
실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 코팅막을 제조하였다. 즉, 상기 각각의 광변환 수지 조성물을 스핀 코팅법으로 5cm × 5cm 유리 기판 위에 도포한 다음, 가열판 위에 놓고 100℃의 온도에서 10분간 유지하여 박막을 형성 시킨 후 180℃의 가열 오븐에서 30분 동안 가열하여 광변환 코팅층을 제조하였다. 상기에서 제조된 광변환 수지막의 두께는 양자점의 함량에 따라 8.0㎛의 두께로 제작하였다.
(2) 휘도
상기 (1)에서 제조된 코팅막을 Blue 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社)상부에 위치시킨 후 휘도측정기(CAS140CT Spectrometer, Instrument systems 社)를 이용하여, Blue광 조사 시 측정 휘도를 측정하였으며, 그 평가 결과는 하기 표 2에 기재하였다.
(3) 색재현성
상기 (1)에서 제조된 코팅막을 Blue 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社)상부에 위치시키고, 그 위에 Red, Green, Blue가 패턴된 컬러필터기판(UN65, 삼성전자 TV Color filter 사용)을 위치시킨 후 색도측정기(OSP-200, Olympus 社)를 이용하여, Red, Green, Blue의 색좌표를 측정하여, 이때 표현되는 색재현 영역을 NTSC 색영역 대비 면적비를 계산하였으며,그 평가 결과는 하기 표 2에 기재하였다.
(4) 도막 표면경도
상기 (1)에서 제조된 코팅막의 경화도를 경도계(HM500; Fischer사 제품)를 사용하여 150℃ 고온에서 측정하였다. 이때 얻어진 결과는 하기 표 2에 나타내었다. 이때 도막 표면경도는 하기 기준으로 평가하였다.
<평가 기준>
○: 표면경도 50 이상
△: 표면경도 30 내지 50 미만
×: 표면경도 30 미만
(5) 탄성회복율
상기 (1)에서 제조된 코팅막의 탄성회복율은 Fisher 경도계(fisherscope HM-2000, fisher社)을 이용하였으며, 상기 (1)에서 제조된 코팅막에 50mN까지 Force를 가해서 측정하고 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
<평가기준>
○: 우수, 탄성회복율 60 이상
△: 부족, 탄성회복율 30 내지 50 미만
×: 악화, 탄성회복율 30 미만
(6) 밀착력
상기 (1)에서 제조된 코팅막의 밀착력 평가는 TQC사의 Cross Cut Adhesion Test CC1000을 사용하여 표면에 1mm 간격으로 가로, 세로 방향으로 각각 11줄의 선을 그어 총 100개의 격자가 생기도록 커팅을 진행하였으며, TQC사의 Tape를 사용하여 커팅한 표면의 밀착력을 평가하였다. 이 때 밀착력은 하기 기준으로 평가하였으며 얻어진 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
<평가기준>
○: 90개 이상의 패턴을 유지
△: 60 내지 89개의 패턴을 유지
× : 9 내지 59개의 패턴을 유지
(7) 아웃가스( outgas ) 발생량
상기 (1)에서 제조된 박막 기판을 Py-GC/FID를 통해 230℃에서 30분 열분해하여 포집된 화합물을 분석하였다.
이때, 아웃가스 발생량은 하기 기준으로 평가하였으며, 얻어진 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
<평가기준>
비교예 1의 값을 100% 기준으로 하여 백분율로 표시하였으며, 그 값이 낮을수록 우수하다.
( 8)경시변화율
상기 (1)의 도막 제작을 위해, 제조된 광변환 수지 조성물을 조제한 날의 초기점도와 상온에서 1개월간 보관한 후의 점도를 측정하여 경시변화 여부를 확인하였다. 점도계(도기산교샤제 [TV-35 점도계])를 이용하여, 25℃에 있어서 회전수 50rpm의 조건으로 측정하였다.
이때, 경시 변화율은 하기 기준으로 평가하였으며, 얻어진 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
<평가기준>
상온에서의 점도변화율은 102% 이내를 기준으로 하였고, 102%이하는 경시변화 안정성이 있는 것으로 나타내었다.
[광변환 수지조성물 점도변화율] = (경시점도/초기점도) ×100
휘도
(nit)		 색재현성
(NTSC 대비 %)		 도막 경도 탄성
회복율		 밀착력 아웃가스
(%)		 헤이즈 경시 변화율
(%, 1개월 후)
실시예 1 3867 98.7 ○ ○ ○ 14 1.2 100.3
실시예 2 3913 99.2 ○ ○ ○ 12 0.9 100.5
실시예 3 3835 99.6 ○ ○ ○ 11 0.8 100.2
실시예 4 3920 99.5 ○ ○ ○ 16 1.0 100.3
실시예 5 3880 98.8 ○ ○ ○ 13 1.1 100.1
실시예 6 3864 98.8 ○ ○ ○ 11 1.2 100.1
실시예 7 3890 98.9 ○ ○ ○ 10 1.1 100.2
실시예 8 3888 98.9 ○ ○ ○ 12 1.3 100.2
실시예 9 3856 99.2 ○ ○ ○ 10 1.2 100.3
실시예 10 3912 99.2 ○ ○ ○ 11 1.0 100.3
실시예 11 3846 99.1 ○ ○ ○ 12 1.1 100.2
실시예 12 3913 99.1 ○ ○ ○ 13 0.9 100.1
비교예 1 2423 65.2 ○ ○ ○ 16 8.7 110.0
비교예 2 2510 64.3 ○ ○ ○ 15 11.3 115.4
비교예 3 2362 64.1 ○ ○ ○ 14 12.1 113.0
비교예 4 2371 62.2 ○ ○ ○ 17 16 114.8
비교예 5 1921 56.3 ○ ○ ○ 13 22 150.3
비교예 6 1832 55.1 ○ ○ ○ 16 21 149.5
비교예 7 1853 54.3 ○ ○ ○ 15 19 143.6
비교예 8 1735 52.1 ○ ○ ○ 17 22 147.2
비교예 9 2016 63.1 ○ ○ ○ 11 18.3 123.0
비교예 10 2100 62.2 ○ ○ ○ 13 13.1 120.2
비교예 11 1823 60.1 ○ ○ ○ 15 23 146.2
비교예 12 2410 66.2 ○ ○ ○ 16 12.1 130.3
비교예 13 2365 59.3 ○ ○ ○ 13 15.3 128.2
비교예 14 3915 98.4 × × × 190 1.2 100.3
상기 표 2를 참조하면, 본 발명에서 제시하는 구성을 모두 만족하는 실시예 1 내지 12의 경우, 본 발명에서 제시하는 구성을 어느 하나라도 만족하지 못하는 비교예 1 내지 14의 경우보다 휘도, 색재현성, 헤이즈 등의 광학 특성은 물론 도막 경도, 탄성회복율, 밀착력, 아웃가스 발생 방지, 경시 변화율의 면에서 보다 우수한 효과를 보이는 것을 확인할 수 있었다.
구체적으로, 본 발명에서 제시하는 양자점의 구성을 만족하지 못하는 비교예 1 내지 10의 경우 액상 분산성이 불량하여 양자점의 양자 효율이 저하됨으로써, 휘도 및 색재현성이 저하되고, 헤이즈가 증가하는 등 광학 특성이 좋지 못한 것을 확인할 수 있었으며, 열경화제로서 실란변성 에폭시 수지를 포함하는 비교예 5 내지 8 및 비교예 11 내지 13의 경우 경시변화율이 좋지 못한 것을 확인할 수 있었다. 특히, 열경화제를 전혀 포함하지 않는 비교예 14의 경우 도막경도, 탄성회복율, 밀착력이 모두 좋지 못한 것을 확인할 수 있었다.

Claims (16)

  1. 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 2종 이상의 비카드뮴계 양자점, 산란입자, 알칼리 가용성 수지, 열경화제 및 용제를 포함하고,
    상기 열경화제는 다관능 지환족 에폭시 수지 또는 노볼락 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00023

    (상기 화학식 1에서,
    R1은 하기 화학식 1-1로 표시되며,
    R2는 수소원자, 머캅토(
    Figure pat00024
    ), 카르복실산(
    Figure pat00025
    ), 디티오아세트산(
    Figure pat00026
    ), 인산(
    Figure pat00027
    ), 아민(
    Figure pat00028
    ) 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기이고,
    n은 2 내지 100의 정수이다)
    [화학식 1-1]
    Figure pat00029

    (상기 화학식 1-1에서,
    R3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
    R4는 하기 화학식 1-2로 표시되며,
    *은 결합손을 의미한다)
    [화학식 1-2]
    Figure pat00030

    (상기 화학식 1-2에서,
    R5는 산소원자 또는 황원자이며,
    R6는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
    R7는 머캅토(
    Figure pat00031
    ), 카르복실산(
    Figure pat00032
    ), 디티오아세트산(
    Figure pat00033
    ), 인산(
    Figure pat00034
    ), 아민(
    Figure pat00035
    )으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    m은 0 내지 1의 정수이고, l은 0 내지 10의 정수이며,
    *은 결합손을 의미한다).
  3. 제2항에 있어서,
    상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure pat00036

    (상기 화학식 2에서,
    R2는 머캅토(
    Figure pat00037
    ), 카르복실산(
    Figure pat00038
    ), 디티오아세트산(
    Figure pat00039
    ), 인산(
    Figure pat00040
    ), 아민(
    Figure pat00041
    ), 탄소수 1 내지 20의 직쇄의 알킬기 및 탄소수 3 내지 20의 분지쇄의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    o는 0 내지 5의 정수, p는 0 내지 1의 정수, q는 2 내지 50 의 정수이다).
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다관능 지환족 에폭시 수지는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
    [화학식 3]
    Figure pat00042

    (상기 화학식 3에서,
    R8은 C1 내지 C10 알킬기이고,
    a, b 및 c는 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수이다).
    [화학식 4]
    Figure pat00043
  5. 제1항에 있어서,
    상기 노볼락 에폭시 수지는 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
    [화학식 5]
    Figure pat00044

    (상기 화학식 5에서,
    v는 1 내지 20의 정수이다).
  6. 제1항에 있어서,
    상기 열경화제는 이를 포함하는 광변환 수지 조성물 중 고형분 전체 100중량%에 대하여, 0.1 내지 40중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은
    GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 코어; 및
    ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 쉘;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은 InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS로 이루어진 군에서 선택되는 1종이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은 발광중심파장 범위가 510nm 내지 540nm인 녹색 양자점; 및 발광중심파장 범위가 610nm 내지 630nm인 적색 양자점;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 양자점은 발광중심파장이 서로 70nm 이상 차이가 나는 2종 이상의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 2-(2-메톡시에톡시)아세트산, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산, 숙신산모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸] 에스터, 말론산모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸] 에스터, 글루타르산모노-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에틸} 에스터, {2-[2-(2-에틸-헥실옥시)-에톡시]-에톡시}-아세트산, 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스터, 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터, 말론산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-이소부톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터, 아디프산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터, 2-옥소-아디프 산 6-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에틸) 에스터, 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스터, O-(숙시닐)-O′'-메틸폴리에틸렌글리콜 2′000, (2-부톡시-에톡시)-아세트산, 카르복시-EG6-운데칸티올 및 (2-카르복시메톡시-에톡시)-아세트산로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 산란입자는 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 용제는 비점이 100 내지 240℃인 용제가 전체 용제 대비 50% 이상으로 포함되는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 용제는 상기 광변환 수지 조성물 100 중량%에 대하여 5내지 90중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함하는 광변환 유리기재.
  16. 제15항에 따른 광변환 유리기재를 포함하는 화상표시장치.
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