KR102498444B1 - 폐메모리 카드로부터 금 회수방법 - Google Patents
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Abstract
폐메모리 카드로부터 효율적으로 금을 회수하는 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 폐메모리 카드로부터 금 회수방법은 (a) 폐메모리 카드에 포함된 플라스틱 보드와 칩(IC)을 분리하는 단계; (b) 상기 분리된 플라스틱 보드에 남아있는 금속을 박리하고, 상기 분리된 칩에서 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하는 단계; (c) 상기 박리된 금속과 상기 유가금속을 혼합한 후, 염산과 질산을 첨가하여 열처리하는 단계; (d) 상기 가열된 결과물에 요소, 하이드라진, 염산, 질산 및 아황산나트륨을 첨가하여 금을 분리하는 단계; 및 (e) 상기 분리된 금을 용융시킨 후 냉각시켜, 금을 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 폐메모리 카드로부터 금 회수방법은 (a) 폐메모리 카드에 포함된 플라스틱 보드와 칩(IC)을 분리하는 단계; (b) 상기 분리된 플라스틱 보드에 남아있는 금속을 박리하고, 상기 분리된 칩에서 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하는 단계; (c) 상기 박리된 금속과 상기 유가금속을 혼합한 후, 염산과 질산을 첨가하여 열처리하는 단계; (d) 상기 가열된 결과물에 요소, 하이드라진, 염산, 질산 및 아황산나트륨을 첨가하여 금을 분리하는 단계; 및 (e) 상기 분리된 금을 용융시킨 후 냉각시켜, 금을 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 폐메모리 카드로부터 효율적으로 금을 회수하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 인쇄회로기판 및 IC 반도체소자 등의 전자 스크랩 폐기물은 그 성분이 전체 성분 중 폴리에칠렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리에스터(Polyester) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate)로 되는 약 30%의 플라스틱과, 실리카, 알루미나, 알칼리-알카리토산화물 등 난용성 산화물이 약 40%정도로 포함된다.
그리고 구리(Cu), 철(Fe), 닉켈(Ni), 주석(Sn), 납(Pb), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 등과 같은 일반 금속과 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 등과 같은 귀금속 약 30%가 혼재하여 포함된다.
또한, 이러한 전자 스크랩 중 인쇄회로기판에도 그 표면에 프린트된 인쇄회로망, 에지콘넥터(edge connectors) 및 이에 배치된 집적회로인 IC, 트랜지스터 등의 반도체소자가 있다. 이러한 표면에는 유가 귀금속이 존재하는 형태가 Cu로 된 핀이나 단자, 박판에 코팅된 Au 및 Pb, Au bonding wires, Ni 또는 Fe에 코팅되어 있는 Au 및 Ag 페이스트, 백금족 금속을 함유하고 있는 혼합 금속, 합금 등과 같은 다양한 형태로 비교적 많은 양의 유가금속이 포함되어 있다.
이들은 상당한 고가의 금속이나 귀금속으로 분류되기 때문에, 이들을 유효하게 회수하여 재활용하기 위한 기술이 활발히 제안되고 있다.
본 발명의 목적은 폐메모리 카드로부터 효율적으로 금을 회수하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 폐메모리 카드로부터 금 회수방법은 (a) 폐메모리 카드에 포함된 플라스틱 보드와 칩(IC)을 분리하는 단계; (b) 상기 분리된 플라스틱 보드에 남아있는 금속을 박리하고, 상기 분리된 칩에서 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하는 단계; (c) 상기 박리된 금속과 상기 유가금속을 혼합한 후, 염산과 질산을 첨가하여 열처리하는 단계; (d) 상기 가열된 결과물에 요소, 하이드라진, 염산, 질산 및 아황산나트륨을 첨가하여 금을 분리하는 단계; 및 (e) 상기 분리된 금을 용융시킨 후 냉각시켜, 금을 회수하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 (b) 단계에서, 상기 분리된 플라스틱 보드에 남아있는 금속을 박리하는 단계는 (b1) 상기 분리된 플라스틱 보드에 물과 시안화나트륨을 첨가한 후 70 ~ 80℃에서 알칼리성 박리제와 염을 첨가하는 단계; (b2) 상기 알칼리성 박리제와 염이 첨가된 혼합물을 물로 수세하는 단계; (b3) 상기 수세된 결과물에 시안화나트륨을 첨가한 후 70 ~ 80℃에서 아연말을 첨가하여 교반하는 단계; 및 (b4) 상기 교반된 결과물을 여과한후, 염산을 첨가하여 환원하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 (b) 단계에서, 상기 분리된 칩에서 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하는 단계는 (b5) 상기 분리된 칩에 물과 질산을 첨가한 후, 생성된 침전물을 물로 세척하는 단계; (b6) 세척된 침전물을 1000 ~ 2000℃에서 열처리한 후, 분쇄 및 세척하여 안티몬을 제거하고 유가금속을 수득하는 단계; 및 (b7) 상기 유가금속에 물과 질산을 첨가하고 70 ~ 90℃에서 열처리하여 불순물을 제거한 후, 여과하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 (c) 단계에서, 열처리는 80 ~ 100℃에서 수행될 수 있다.
상기 (d) 상기 가열된 결과물에 요소, 하이드라진, 염산, 질산 및 아황산나트륨을 첨가하여 금을 분리하는 단계는 (d1) 상기 가열된 결과물에 요소를 첨가한 후, 하이드라진을 첨가하여 90 ~ 110℃로 열처리하고, 여과하는 단계; (d2) 상기 여과된 결과물에 염산과 질산을 첨가한 후, 80 ~ 100℃에서 열처리하는 단계; (d3) 상기 열처리된 결과물을 여과한 후, 요소를 첨가하고, 70 ~ 80℃에서 열처리하는 단계; (d4) 상기 열처리된 결과물에 아황산나트륨을 첨가한 후 여과하여 금을 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 (e) 단계에서, 상기 분리된 금을 1000 ~ 1500℃에서 용융시킬 수 있다.
본 발명에 따른 폐메모리 카드로부터 금 회수방법은 각 단계에서 알칼리성 박리제와, 시안화나트륨, 아연말, 왕수를 순차적으로 사용함으로써, 보다 효율적으로 고순도의 금을 회수하는 효과가 있다.
상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.
도 1은 본 발명에 따른 폐메모리 카드로부터 금 회수방법을 나타낸 순서도이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.
이하에서 구성요소의 "상부 (또는 하부)" 또는 구성요소의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 배치된다는 것은, 임의의 구성이 상기 구성요소의 상면 (또는 하면)에 접하여 배치되는 것뿐만 아니라, 상기 구성요소와 상기 구성요소 상에 (또는 하에) 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성이 개재될 수 있음을 의미할 수 있다.
또한 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 상기 구성요소들은 서로 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있는 것으로 이해되어야 할 것이다.
이하에서는, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 폐메모리 카드로부터 금 회수방법을 설명하도록 한다.
본 발명의 폐메모리 카드는 메모리 카드로서 사용되거나, 신제품, 불량품, 재활용된 메모리 카드라면 제한없이 포함될 수 있다. 메모리 카드는 스마트폰이나 다양한 디지털 기기에서 여러 형태로 사용되고 있으며, RAM(random access memory), DDR(double data rate) 등을 포함할 수 있다. 또한 메모리 카드는 플라스틱 기판과 칩(IC)을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 폐메모리 카드로부터 금 회수방법을 나타낸 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 폐메모리 카드로부터 금 회수방법은 (a) 폐메모리 카드에 포함된 플라스틱 보드와 칩(IC)을 분리하는 단계, (b) 상기 분리된 플라스틱 보드에 남아있는 금속을 박리하고, 상기 분리된 칩에서 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하는 단계, (c) 상기 박리된 금속과 상기 유가금속을 혼합한 후, 염산과 질산을 첨가하여 열처리하는 단계, (d) 상기 가열된 결과물에 요소, 하이드라진, 염산, 질산 및 아황산나트륨을 첨가하여 금을 분리하는 단계, 및 (e) 상기 분리된 금을 용융시킨 후 냉각시켜, 금을 회수하는 단계를 포함할 수 있다.
구체적으로, 에어해머를 이용하여 폐메모리 카드에서 플라스틱 보드와 칩(IC)을 분리할 수 있다.
분리된 플라스틱 보드에는 일부 금속이 부착되어 있는데, 최종 단계에서 고순도의 금을 회수하기 위해서는 플라스틱 보드로부터 부착된 금속을 박리하는 것이 바람직하다. 또한 칩(IC)에는 유가금속과 안티몬 등이 부착되어 있는데, 마찬가지로, 최종 단계에서 고순도의 금을 회수하기 위해서는 칩(IC)으로부터 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하는 것이 바람직하다.
상기 유가금속은 금, 은, 니켈, 팔라듐, 구리, 철, 주석, 납, 백금 및 아연 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 (b) 단계에서, 분리된 플라스틱 보드에 남아있는 금속을 박리하는 단계는 (b1) 티타늄 용기에 상기 분리된 플라스틱 보드에 물과 시안화나트륨을 첨가한 후 70 ~ 80℃에서 알칼리성 박리제와 염을 첨가하는 단계, (b2) 상기 알칼리성 박리제와 염이 첨가된 혼합물을 물로 수세하는 단계, (b3) 상기 수세된 결과물에 시안화나트륨을 첨가한 후 70 ~ 80℃에서 아연말을 첨가하여 교반하는 단계, 및 (b4) 상기 교반된 결과물을 여과한후, 염산을 첨가하여 환원하는 단계를 포함할 수 있다.
(b1) 단계에서 물은 플라스틱 보드 10kg에 대하여, 0.9 ~ 1.1L가 첨가될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 시안화나트륨은 플라스틱 보드 10kg에 대하여, 90 ~ 110g 첨가될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
알칼리성 박리제는 수산화칼륨(Potassium hydroxide, 농도 6 ~ 10%)의 분말 타입 또는 액상 타입을 포함할 수 있고, 예를 들어 AU78 제품을 사용할 수 있다.
알칼리성 박리제는 플라스틱 보드 10kg에 대하여, 9 ~ 11g 첨가될 수 있으며, 이 범위를 만족함으로써 플라스틱 보드에 남아있는 금속을 박리하기가 더욱 용이한 효과가 있다.
염은 레지스트 염, 니트로벤젠 설폰산, 3-니트로벤젠산 나트륨 염 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
염은 플라스틱 보드 10kg에 대하여, 4 ~ 6g 첨가될 수 있으며, 알칼리성 박리제와 함께 금속의 박리 효과를 더욱 높일 수 있다.
(b2) 단계에서 분리된 금속, 알칼리성 박리제 및 염이 혼합된 혼합물을 물로 여러 번 수세 작업하여 용액은 제거하고, 분리된 플라스틱 보드만 남겨둘 수 있다.
(b3) 단계에서, 시안화나트륨은 플라스틱 보드 10kg에 대하여, 90 ~ 110g 첨가될 수 있으며, (b1) 단계에서의 시안화나트륨의 첨가량과 동일한 양으로 첨가될 수 있다. 환원제로서 아연말은 분말상태의 아연이며, 아연말은 플라스틱 보드 10kg에 대하여, 18 ~ 24g을 첨가할 수 있고, 바람직하게는 19 ~ 22g을 첨가할 수 있다. 아연말의 첨가량이 18 ~ 24g을 만족하는 경우 충분한 환원성을 나타낼 수 있다. 또한 아연말을 첨가한 후, 교반 작업을 2 ~ 3시간 동안 수행할 수 있다.
(b4) 단계에서, 물, 시안화나트륨, 아연말과 반응한 금속은 분말 형태일 수 있으며, 이러한 금속을 여과지를 이용하여 여과함에 따라 금속 표면에 띠는 알칼리 성질을 제거할 수 있다. 그리고 염산은 플라스틱 보드 10kg에 대하여, 450 ~ 550ml를 첨가할 수 있고, 바람직하게는 480 ~ 520ml를 첨가할 수 있다. 염산의 첨가량이 450 ~ 550ml을 만족하는 경우 충분한 환원성을 나타낼 수 있다.
(b) 단계의 분리된 칩에서 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하기 위해, (b5) 단계에서 분리된 칩 1kg에 대하여, 물 480 ~ 520ml과 질산 80 ~ 120ml를 첨가할 수 있다. 물과 질산을 첨가하고 교반하면, 약 3시간 후에 침전물이 형성될 수 있다. 그리고 생성된 침전물을 물로 여러 번 세척할 수 있다.
(b6) 단계에서 세척된 침전물을 1000 ~ 2000℃에서 15 ~ 20분 동안 열처리한 후, 분쇄 및 세척하여 안티몬을 제거하고 유가금속을 수득할 수 있다.
열처리는 세척된 침전물이 백색 상태로 변화할 때까지 수행되는 것이 바람직하다. 분쇄는 분쇄기를 통해 완전히 분쇄함에 따라, 침전물의 크기가 수십 ㎛, 수십 nm가 되도록 미세화할 수 있다. 세척은 물로 여러 번 세척함에 따라, 유가금속과 안티몬을 서로 분리하여 안티몬을 제거할 수 있다.
(b7) 단계에서, 티타늄 용기에 분리된 유가금속, 물과 질산을 첨가하고 70 ~ 90℃에서 20 ~ 40분 동안 열처리하여 불순물을 제거한 후, 여과하는 단계를 포함할 수 있다.
(b7) 단계에서 칩 1kg에 대하여, 물 480 ~ 520ml 및 질산 80 ~ 120ml를 첨가할 수 있으며, 물과 질산이 첨가량이 이 범위를 만족함으로써, 불순물 제거 효율이 우수한 효과가 있다. 여과는 여과지에 수세하는 방식으로 여러 번 수행될 수 있다.
(c) 단계는 왕수에 금속과 유가금속을 용해하는 단계이며, 염산과 질산의 비율을 3 ~ 4 : 1의 부피비(ml)로 첨가할 수 있고, 바람직하게는 3.1 ~ 3.5 : 1의 부피비로 첨가할 수 있다.
(c) 단계에서, 금속과 유가금속의 용해도를 높이기 위해, 열처리는 80 ~ 100℃에서 20 ~ 40분 동안 수행될 수 있다. 그리고 여과지에 수세하는 방식이 여러 번 수행될 수 있다.
(d) 상기 가열된 결과물에 요소, 하이드라진, 염산, 질산 및 아황산나트륨을 첨가하여 금을 분리하는 단계는 (d1) 가열된 결과물에 요소를 첨가한 후, 하이드라진을 첨가하여 90 ~ 110℃에서 20 ~ 40분 동안 열처리하고, 여과하는 단계, (d2) 여과된 결과물에 염산과 질산을 첨가한 후, 80 ~ 100℃에서 열처리하는 단계, (d3) 열처리된 결과물을 여과한 후, 금과 요소와 반응이 없을 때까지 요소를 첨가하고, 70 ~ 80℃에서 열처리하는 단계, 및 (d4) 열처리된 결과물에 하얀 거품 반응이 생길 때까지 아황산나트륨을 첨가한 후, 여과하여 금을 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
(d1) 단계에서 요소는 왕수와 요소의 반응이 없을 때까지 첨가할 수 있다.
금을 침전시키기 위해 (d1) 단계에서 1차로 하이드라진을 첨가할 수 있고, (d4) 단계에서 2차로 아황산나트륨을 첨가할 수 있다.
하이드라진(NH2NH2)은 질소와 수소의 화합물이며, 하이드라진은 수화 하이드라진을 사용할 수도 있다. (d1) 단계에서 하이드라진은 플라스틱 보드 10kg 또는 칩 1kg에 대하여, 480 ~ 520ml를 첨가할 수 있다.
(d2) 단계에서 플라스틱 보드 10kg 또는 칩 1kg에 대하여, 염산 480 ~ 520ml와 질산 140 ~ 160ml을 첨가할 수 있다. 염산과 질산의 첨가량이 이 범위를 만족함으로써, 금 침전물이 생성되는데 용이한 효과가 있다. 이 후 여과지에 수세하는 방식으로 여러 번 수행하여, 금에 존재하는 불순물을 1차로 제거할 수 있다. 그리고 (d4) 단계 이후에는, 리트머스지에 중성이 확인될 때까지 분리된 금을 수세 작업할 수 있다.
(e) 단계에서, 상기 분리된 금을 1000 ~ 1500℃에서 용융시킨 후, 용융된 금을 틀에 넣고 굳혀 고순도의 금을 회수할 수 있다.
회수된 고순도의 금은 디스플레이 등과 같은 전자산업 분야, 쥬얼리 분야 등에도 이용될 수 있다.
이처럼, 본 발명의 금 회수 방법을 통해 고순도의 금을 안정적으로 회수할 수 있으며, 경제성을 높여 자원의 효율적 이용을 도모할 수 있다.
이와 같이 폐메모리 카드로부터 금 회수방법에 대하여 그 구체적인 실시예를 살펴보면 다음과 같다.
1. 금 회수방법
하기 플라스틱 보드 10kg 중 금속 성분(Au, Ag, Pd, Pt, Fe)은 5kg에 해당하였고, 칩(IC) 1kg 중 금속 성분(Au, Ag, Pd, Pt, Fe)은 620g에 해당하였다.
실시예 1
1단계: 에어해머를 이용하여, 폐메모리 카드에 포함된 플라스틱 보드 10kg과 칩(IC) 1kg을 분리하였다. 티타늄 용기에 분리된 플라스틱 보드 10kg, 물 1L과 시안화나트륨 100g을 첨가한 후 80℃에서 알칼리성 박리제(수산화칼륨; 농도 8%) 10g과 3-니트로벤젠산 나트륨 염 5g을 첨가하였다. 이후 보드를 물 500ml로 2번 수세한 후, 수세된 결과물에 시안화나트륨 100g을 첨가하고, 80℃에서 아연말 20g을 첨가하여 2시간 동안 교반하였다. 교반된 결과물을 여과하여 알칼리 성질을 없애고, 염산 500ml을 첨가하여 환원하였다(A).
2단계: 분리된 칩 1kg에서 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하기 위해, 분리된 칩 1kg에 물 500ml와 질산 100ml를 첨가하고 3시간 후 침전물이 생성되었다. 생성된 침전물을 물로 5번 세척하였고, 세척된 침전물이 백색 상태가 될 때까지 1000℃에서 20분 동안 열처리하였다. 분쇄 후, 거름망에 놓고 물로 5번 세척하여 안티몬을 제거하고 유가금속을 수득하였다. 티타늄 용기에 유가금속, 물 500ml와 질산 100ml를 첨가하고 80℃에서 30분 동안 열처리하여 불순물을 제거한 후, 5번 수세하는 방식으로 여과하였다(B).
3단계: (A)에서 박리된 금속과 (B)에서 수득한 유가금속을 혼합한 후, 염산 500ml와 질산 150ml를 첨가하여 100℃에서 30분 동안 열처리하여 용해시킨 후, 여과지에 5번 수세하였다.
4단계: 이어서, 가열된 결과물에 반응이 없을 때까지 요소를 첨가한 후, 하이드라진 500ml를 첨가하여 110℃에서 30분 동안 열처리하고, 5번 수세 방식으로 여과하였다. 여과된 결과물에 염산 500ml와 질산 150ml를 첨가한 후, 100℃에서 30분 동안 열처리하였다. 열처리된 결과물을 수세 방식으로 여과하여 불순물을 제거한 후, 반응이 없을 때까지 요소를 첨가하고, 80℃에서 열처리하였다. 열처리된 결과물에 하얀 거품 반응이 있을 때까지 아황산나트륨을 첨가한 후 여과하여 금을 분리하였다. 그리고 리트머스지에 중성이 확인될 때까지 수세 작업하였다.
5단계: 마지막으로, 분리된 금을 1000℃에서 용융시킨 후 냉각시켜, 고순도의 금을 94% 회수율로 회수하였다.
실시예 2
2단계에서 유가금속을 수득하기 위해, 분리된 칩 1kg에 물 520ml와 질산 120ml를 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로, 고순도의 금을 92% 회수율로 회수하였다.
실시예 3
3단계에서 염산 525ml와 질산 150ml(3.5:1 비율)를 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로, 고순도의 금을 95% 회수율로 회수하였다.
실시예 4
4단계에서 하이드라진 520ml를 첨가하고, 여과된 결과물에 염산 480ml와 질산 140ml를 첨가한 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로, 고순도의 금을 96% 회수율로 회수하였다.
실시예 5
1단계에서 70℃에서 알칼리성 박리제를 첨가하고, 70℃에서 아연말을 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로, 고순도의 금을 96% 회수율로 회수하였다.
실시예 6
4단계에서 하이드라진을 첨가하여 90℃에서 열처리하고, 염산과 질산을 첨가한 후, 80℃에서 열처리하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로, 고순도의 금을 96% 회수율로 회수하였다.
실시예 7
2단계에서 유가금속을 수득하기 위해, 분리된 칩 1kg에 물 420ml와 질산 200ml를 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로, 금을 75% 회수율로 회수하였다.
실시예 8
3단계에서 염산 400ml와 질산 200ml(2:1 비율)를 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로, 금을 78% 회수율로 회수하였다.
실시예 9
4단계에서 하이드라진 300ml를 첨가하고, 여과된 결과물에 염산 400ml와 질산 200ml를 첨가한 첨가하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로, 금을 77% 회수율로 회수하였다.
실시예 10
1단계에서 60℃에서 알칼리성 박리제를 첨가하고, 60℃에서 아연말을 첨가하며, 4단계에서 하이드라진을 첨가하여 80℃에서 열처리하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로, 고순도의 금을 70% 회수율로 회수하였다.
2. 물성 평가 방법 및 그 결과
회수율 결과 및 회수된 Au 순도는 유도결합플라즈마 질량분석기(ICP-MS, Thermo사 Xseries II)를 이용하여 측정하였다.
[표 1]
이처럼, 본 발명의 실시예들 결과를 참조하면, 실시예 1 내지 6은 금 회수율이 상대적으로 높고, 고순도의 결과를 보여준다. 반면, 염산, 질산, 하이드로진 양을 벗어난 실시예 7 내지 10의 결과를 참고하면, 금 회수율과 순도가 상대적으로 낮은 결과를 보여준다.
이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시 예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.
Claims (6)
- (a) 폐메모리 카드에 포함된 플라스틱 보드와 칩(IC)을 분리하는 단계;
(b) 상기 분리된 플라스틱 보드에 남아있는 금속을 박리하고, 상기 분리된 칩에서 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하는 단계;
(c) 상기 박리된 금속과 상기 유가금속을 혼합한 후, 염산과 질산을 3 ~ 4 : 1의 부피비(ml)로 첨가하여 80 ~ 100℃에서 열처리하는 단계;
(d) 상기 열처리된 결과물에 요소, 하이드라진, 염산, 질산 및 아황산나트륨을 첨가하여 금을 분리하는 단계; 및
(e) 상기 분리된 금을 용융시킨 후 냉각시켜, 금을 회수하는 단계를 포함하고,
상기 (b) 단계에서, 상기 분리된 플라스틱 보드에 남아있는 금속을 박리하는 단계는
(b1) 상기 분리된 플라스틱 보드에 물과 시안화나트륨을 첨가한 후 70 ~ 80℃에서 알칼리성 박리제와 염을 첨가하는 단계;
(b2) 상기 알칼리성 박리제와 염이 첨가된 혼합물을 물로 수세하는 단계;
(b3) 상기 수세된 결과물에 시안화나트륨을 첨가한 후 70 ~ 80℃에서 아연말을 첨가하여 교반하는 단계; 및
(b4) 상기 교반된 결과물을 여과한후, 염산을 첨가하여 환원하는 단계를 포함하며,
상기 (b) 단계에서, 상기 분리된 칩에서 안티몬을 제거하여 유가금속을 수득하는 단계는
(b5) 상기 분리된 칩 1kg에 대하여, 물 480 ~ 520ml와 질산 80 ~ 120ml를 첨가한 후, 생성된 침전물을 물로 세척하는 단계;
(b6) 세척된 침전물을 1000 ~ 2000℃에서 열처리한 후, 분쇄 및 세척하여 안티몬을 제거하고 유가금속을 수득하는 단계; 및
(b7) 상기 유가금속에 물과 질산을 첨가하고 70 ~ 90℃에서 열처리하여 불순물을 제거한 후, 여과하는 단계를 포함하는 금 회수방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (d) 상기 열처리된 결과물에 요소, 하이드라진, 염산, 질산 및 아황산나트륨을 첨가하여 금을 분리하는 단계는
(d1) 상기 (c) 단계에서 열처리된 결과물에 요소를 첨가한 후, 하이드라진을 첨가하여 90 ~ 110℃로 열처리하고, 여과하는 단계;
(d2) 상기 여과된 결과물에 염산과 질산을 첨가한 후, 80 ~ 100℃에서 열처리하는 단계;
(d3) 상기 (d2) 단계에서 열처리된 결과물을 여과한 후, 요소를 첨가하고, 70 ~ 80℃에서 열처리하는 단계; 및
(d4) 상기 (d3) 단계에서 열처리된 결과물에 아황산나트륨을 첨가한 후 여과하여 금을 분리하는 단계를 포함하는 금 회수방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (e) 단계에서, 상기 분리된 금을 1000 ~ 1500℃에서 용융시키는 금 회수방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013544964A (ja) * | 2010-10-12 | 2013-12-19 | シェンジェン・ジーイーエム・ハイ−テク カンパニーリミテッド | 電子廃棄物から貴金属を回収する方法及び設備本出願は、２０１０年１０月１２日に中国特許局に提出された出願番号２０１０１０５０６１３４．２、発明名称「貴金属電子廃棄物から貴金属を回収する方法及び設備」の中国特許出願の優先権を要求し、その全ての内容は引用によって本出願に結合される。 |
| JP2014051737A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-03-20 | Nisso Kinzoku Kagaku Kk | 貴金属の回収方法 |
| KR20170019246A (ko) * | 2015-08-11 | 2017-02-21 | 주식회사 엔코 | Led 또는 전자제품 폐기물로부터 유가금속의 회수 방법 |
| JP2017506702A (ja) * | 2014-02-26 | 2017-03-09 | グリーン リヨン グループ, インコーポレーテッドGreene Lyon Group, Inc. | スクラップからの金および／または銀の回収 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013544964A (ja) * | 2010-10-12 | 2013-12-19 | シェンジェン・ジーイーエム・ハイ−テク カンパニーリミテッド | 電子廃棄物から貴金属を回収する方法及び設備本出願は、２０１０年１０月１２日に中国特許局に提出された出願番号２０１０１０５０６１３４．２、発明名称「貴金属電子廃棄物から貴金属を回収する方法及び設備」の中国特許出願の優先権を要求し、その全ての内容は引用によって本出願に結合される。 |
| JP2014051737A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-03-20 | Nisso Kinzoku Kagaku Kk | 貴金属の回収方法 |
| JP2017506702A (ja) * | 2014-02-26 | 2017-03-09 | グリーン リヨン グループ, インコーポレーテッドGreene Lyon Group, Inc. | スクラップからの金および／または銀の回収 |
| KR20170019246A (ko) * | 2015-08-11 | 2017-02-21 | 주식회사 엔코 | Led 또는 전자제품 폐기물로부터 유가금속의 회수 방법 |
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