CN103509951B - 一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺 - Google Patents

一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺 Download PDF

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Abstract

本发明的目的是提供一种污染极小、工艺操作简单易懂、环保的废电路板芯片、集成块提取金银工艺，包括如下步骤：A、除电子脚；B、浸出银铜及贱金属；C、提取银；D、滤渣浸出金；E、还原金；本发明的原材料主要是回收电子厂淘汰的、报废的及废电路板上面的芯片、集成块里面的金银，金银主要是以硅晶体金丝引线、厚膜金浆料、含金合金或纯金丝等其它金属存在于芯片中。本发明采用污染极小的湿法工艺，工艺操作简单易懂，操作中产生的少量氮氧化物采用碱吸收以达到环保目的。

Description

一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺
技术领域
本发明涉及一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺。
背景技术
众所周知，含金废料中金的回收关键是必须设法使金与绝大部分其它物料(包括各种有机物质、贱金属物质和金以外的其它贵金属物质)分开。而目前含金废料的回收工艺常采用火法工艺，火法工艺因污染太大，已被淘汰。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种污染极小、工艺操作简单易懂、环保的废电路板芯片、集成块提取金银工艺。
本发明的一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺，其特征在于，包括如下步骤：
A、除电子脚：取废电路板芯片、集成块，并按固液比1∶2放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡，除掉芯片集成块外面的电子脚，以电子脚溶解掉为止，然后用清水冲洗干净芯片、集成块，用粉碎机粉碎至80目，再放碳化炉里，在400℃的温度下碳化10-30分钟，冷却至黑粉变白色，因芯片、集成块基本都是用固态环氧树脂封装的，只有破坏掉环氧树脂，才有利于金的浸出。
B、浸出银铜及贱金属：把碳化过的芯片粉料倒在密闭反应容器中，按固液比为1∶3放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡出铜银，室温搅拌反应，搅拌速率为300r/min，时间1-2小时(操作中产生的少量氮氧化物气体，采用碱吸收法处理)，然后过滤，得到含银、铜的溶液，滤渣含金；
C、提取银：向含银、铜溶液里滴加氯化钠饱合溶液，并搅拌，产生白色絮状氯化银沉淀，反复滴加搅拌至没有白色絮状氯化银沉淀为止，再加入0.1％的絮凝剂搅拌，以便形成大颗粒加速沉淀，静置60分钟，倒出液体(液体加铁粉置换出铜)，白色沉淀即为氯化银，反复冲洗氯化银至PH值＝6-7，倒干水分，再加入银的置换液，然后加热微沸并搅拌，氯化银生成灰色颗粒，再冲洗两遍颗粒并滤干水分，用坩埚加助熔剂，在温度为1100℃的条件下熔炼得纯度99.9％的白银；
D、滤渣浸出金：把滤渣按固液比1∶2放入配好的溶金液中，溶金液是由0.2份(体积份数)高锰酸钾、2份(体积份数)氯化钠、50份(体积份数)盐酸、15份(体积份数)硝酸和水混合而成，在温度80-90℃的条件下，搅拌1一2小时，搅拌速率为300r/min，(操作中产生的少量氮氧化物气体，采用碱吸收法处理)，冷确30-40℃度，然后过滤，液体含金；
E、还原金：调节含金液体的PH值为1-1.5，保持温度在45℃，然后再向液体里边搅拌边加入保护碱30g/L，搅拌1分种，再加入亚硫酸氢钠50g/L，边加边搅拌，至水变黑，搅拌5分种，再加入0.1％的絮凝剂，再搅拌5分钟，以便形成大颗粒金加速沉淀，静置1小时，倒出上清液，沉淀的金粉水洗PH＝7，倒掉水分，在含金粉的容器内再加入4mol/L的硝酸，硝酸液体没过金粉就可，加温微沸，金粉成红褐色颗粒，水洗两遍无酸，过滤掉水份，金粉放坩埚里加助熔剂，在温度1200℃的条件下熔炼出99.9％的黄金。
与现有技术相比本发明的有益效果为：本发明的原材料主要是回收电子厂淘汰的、报废的及废电路板上面的芯片、集成块里面的金银，金银主要是以硅晶体金丝引线、厚膜金浆料、含金合金或纯金丝等其它金属存在于芯片中。
本发明的废电路板芯片、集成块提取金银工艺，采用污染极小的湿法工艺，工艺操作简单易懂，操作中产生的少量氮氧化物采用碱吸收以达到环保目的。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺，包括如下步骤：
A、除电子脚：取废电路板芯片、集成块，并按固液比1∶2放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡，除掉芯片集成块外面的电子脚，以电子脚溶解掉为止，然后用清水冲洗干净芯片、集成块，用粉碎机粉碎至80目，再放碳化炉里，在400℃的温度下碳化10-30分钟，冷却至黑粉变白色，因芯片、集成块基本都是用固态环氧树脂封装的，只有破坏掉环氧树脂，才有利于金的浸出。
B、浸出银铜及贱金属：把碳化过的芯片粉料倒在密闭反应容器中，按固液比为1∶3放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡出铜银，室温搅拌反应，搅拌速率为300r/min，时间1-2小时(操作中产生的少量氮氧化物气体，采用碱吸收法处理)，然后过滤，得到含银、铜的溶液，滤渣含金；
C、提取银：向含银、铜溶液里滴加氯化钠饱合溶液，并搅拌，产生白色絮状氯化银沉淀，反复滴加搅拌至没有白色絮状氯化银沉淀为止，再加入0.1％的絮凝剂搅拌，以便形成大颗粒加速沉淀，静置60分钟，倒出液体(液体加铁粉置换出铜)，白色沉淀即为氯化银，反复冲洗氯化银至PH值＝6-7，倒干水分，再加入银的置换液，然后加热微沸并搅拌，氯化银生成灰色颗粒，再冲洗两遍颗粒并滤干水分，用坩埚加助熔剂，在温度为1100℃的条件下熔炼得纯度99.9％的白银；
D、滤渣浸出金：把滤渣按固液比1∶2放入配好的溶金液中，溶金液是由0.2份(体积份数)高锰酸钾、2份(体积份数)氯化钠、50份(体积份数)盐酸、15份(体积份数)硝酸和水混合而成，在温度80-90℃的条件下，搅拌1-2小时，搅拌速率为300r/min，(操作中产生的少量氮氧化物气体，采用碱吸收法处理)，冷确30-40℃度，然后过滤，液体含金；
E、还原金：调节含金液体的PH值为1-1.5，保持温度在45℃，然后再向液体里边搅拌边加入保护碱30g/L，搅拌1分种，再加入亚硫酸氢钠50g/L，边加边搅拌，至水变黑，搅拌5分种，再加入0.1％的絮凝剂，再搅拌5分钟，以便形成大颗粒金加速沉淀，静置1小时，倒出上清液，沉淀的金粉水洗PH＝7，倒掉水分，在含金粉的容器内再加入4mol/L的硝酸，硝酸液体没过金粉就可，加温微沸，金粉成红褐色颗粒，水洗两遍无酸，过滤掉水份，金粉放坩埚里加助熔剂，在温度1200℃的条件下熔炼出99.9％的黄金。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

Claims (2)

1.一种废电路板芯片、集成块提取金银工艺，其特征在于，包括如下步骤：
A、除电子脚：取废电路板芯片、集成块，并按固液比1∶2放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡，除掉芯片集成块外面的电子脚，以电子脚溶解掉为止，然后用清水冲洗干净芯片、集成块，用粉碎机粉碎至80目，再放碳化炉里，在400℃的温度下碳化10-30分钟，冷却至黑粉变白色；
B、浸出银铜及贱金属：把碳化过的芯片粉料倒在密闭反应容器中，按固液比为1∶3放入4mol/L的硝酸溶液中浸泡出铜银，室温搅拌反应，搅拌速率为300r/min，时间1-2小时，然后过滤，得到含银、铜的溶液，滤渣含金；
C、提取银：向含银、铜溶液里滴加氯化钠饱合溶液，并搅拌，产生白色絮状氯化银沉淀，反复滴加搅拌至没有白色絮状氯化银沉淀为止，再加入0.1％的絮凝剂搅拌，以便形成大颗粒加速沉淀，静置60分钟，倒出液体，白色沉淀即为氯化银，反复冲洗氯化银至PH值＝6-7，倒干水分，再加入银的置换液，然后加热微沸并搅拌，氯化银生成灰色颗粒，再冲洗两遍颗粒并滤干水分，用坩埚加助熔剂，在温度为1100℃的条件下熔炼得纯度99.9％的白银；
D、滤渣浸出金：把滤渣按固液比1∶2放入配好的溶金液中，在温度80-90℃的条件下，搅拌1-2小时，搅拌速率为300r/min，冷 却30-40℃，然后过滤，液体含金；
E、还原金：调节含金液体的PH值为1-1.5，保持温度在45℃，然后再向液体里边搅拌边加入保护碱30g/L，搅拌1分种，再加入亚硫酸氢钠50g/L，边加边搅拌，至水变黑，搅拌5分种，再加入0.1％的絮凝剂，再搅拌5分钟，以便形成大颗粒金加速沉淀，静置1小时，倒出上清液，沉淀的金粉水洗PH＝7，倒掉水分，在含金粉的容器内再加入4mol/L的硝酸，硝酸液体没过金粉就可，加温微沸，金粉成红褐色颗粒，水洗两遍无酸，过滤掉水份，金粉放坩埚里加助熔剂，在温度1200℃的条件下熔炼出99.9％的黄金。
2.根据权利要求1所述的废电路板芯片、集成块提取金银工艺，其特征在于：所述步骤D中，溶金液是由0.2份(体积份数)高锰酸钾、2份(体积份数)氯化钠、50份(体积份数)盐酸、15份(体积份数)硝酸和水混合而成。
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