KR102493550B1 - 접착제 조성물, 및 접속 구조체의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

(과제) 광을 조사하여 경화시킬 때에 광이 직접 닿지 않는 부분에 있어서도 높은 반응률이 얻어져, 우수한 접착성을 얻을 수 있는 접착제 조성물 및 접속 구조체의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 라디칼 중합성 화합물과, 광 라디칼 중합 개시제와, 형광체를 함유하고, 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 형광체의 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하인 접착제 조성물을 사용한다. 형광체가 발광함으로써, 광이 직접 닿지 않는 부분의 광 라디칼 중합 개시제가 라디칼을 발생하기 때문에, 광이 직접 닿지 않는 부분에 있어서도 높은 반응률이 얻어져, 우수한 접착성을 얻을 수 있다.

Description

접착제 조성물, 및 접속 구조체의 제조 방법 {ADHESIVE COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTION STRUCTURE}
본 발명은, 예를 들어 회로 부재를 접속시키는 접착제 조성물, 및 접속 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 LCD (Liquid Crystal Display) 패널의 협 (狹) 프레임화, 유리 기판의 박형화가 도모되고 있기 때문에, COG (Chip on Glass) 실장시에 유리 기판에 휨이 발생하여, COG 실장부 주변의 액정 화면에 색 불균일이 발생하는 경우가 있다. 이 색 불균일의 발생 원인은 실장시의 IC (Integrated Circuit) 와 유리 기판의 열 팽창량의 차이이기 때문에, 실장 온도의 저온화가 요망되고 있다. 저온화 실장으로서, 예를 들어 특허문헌 1 에서는, 자외선을 이용하는 방법이 제안되어 있다.
그러나, 유리 기판 상의 단자 상의 부분은 자외선이 도달하기 어려워, 경화 반응이 충분히 진행되지 않기 때문에, 우수한 접착성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
특허문헌 1 : 일본 공개특허공보 2004-336063호
본 발명은 이러한 종래의 실정을 감안하여 제안된 것으로, 광을 조사하여 경화시킬 때에 광이 직접 닿지 않는 부분에 있어서도 높은 반응률이 얻어져, 우수한 접착성을 얻을 수 있는 접착제 조성물 및 접속 구조체의 제조 방법을 제공한다.
발명자는 예의 검토한 결과, 라디칼 중합형의 접착제 조성물에 형광체를 첨가함으로써, 광이 직접 닿지 않는 부분의 반응률을 향상시켜, 우수한 접속성이 얻어지는 것을 알아내었다.
즉, 본 발명에 관한 접착제 조성물은, 라디칼 중합성 화합물과, 광 라디칼 중합 개시제와, 형광체를 함유하고, 상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 접속 구조체의 제조 방법은, 제 1 지지 기판 상에 제 1 단자가 형성된 제 1 회로 부재와 제 2 지지 기판 상에 제 2 단자가 형성된 제 2 회로 부재를, 라디칼 중합성 화합물과 광 라디칼 중합 개시제와 형광체를 함유하고, 상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하인 접착제 조성물을 개재시켜 압착하면서 광 조사하여, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 접속하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 접착제 조성물에 첨가된 형광체가 광 조사에 의해 발광함으로써, 광이 직접 닿지 않는 부분의 광 라디칼 중합 개시제도 라디칼을 발생하기 때문에, 광이 직접 닿지 않는 부분에 있어서도 높은 반응률이 얻어져, 우수한 접착성을 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 도면을 참조하면서 하기 순서대로 상세히 설명한다.
1. 접착제 조성물
2. 접속 구조체의 제조 방법
3. 실시예
<1. 접착제 조성물>
본 실시형태에 관한 접착제 조성물은, 라디칼 중합성 화합물과, 광 라디칼 중합 개시제와, 형광체를 함유하고, 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 형광체의 형광 피크 파장 (발광 피크 파장) 의 차가 100 ㎚ 이하이다. 접착제 조성물의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 필름 형상으로 성형하여 접착 필름으로 하는 것을 바람직한 형태로서 들 수 있다.
라디칼 중합성 화합물로는, 접착제 등의 분야에서 사용되고 있는 (메트)아크릴레이트로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 또, 본 명세서에 있어서 (메트)아크릴레이트란, 아크릴산에스테르 (아크릴레이트) 와 메타크릴산에스테르 (메타크릴레이트) 를 포함하는 의미이다.
라디칼 중합성 화합물의 구체예로는, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 라우릴아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트트리아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴아크릴레이트, o-프탈산디글리시딜에테르아크릴레이트, 에톡시화비스페놀 A 디메타크릴레이트, 비스페놀 A 형 에폭시아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 및 이들에 상당하는 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트 등이 바람직하게 사용된다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 토아 합성 (주) 의 상품명「M-215」, 신나카무라 화학 (주) 의 상품명「DCP」 등을 들 수 있다.
광 라디칼 중합 개시제는, 공지된 광 라디칼 중합 개시제 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 광 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 알킬페논계 광 중합 개시제, 아실포스핀옥사이드계 광 중합 개시제, 티타노센계 광 중합 개시제 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.
광 라디칼 중합 개시제의 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 (IRGACURE819, BASF 재팬 (주), 흡수 피크 파장 : 370 ㎚), 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 (IRGACURE369, BASF 재팬 (주), 흡수 피크 파장 : 320 ㎚), 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 (IRGACURE379, BASF 재팬 (주), 흡수 피크 파장 : 320 ㎚), 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)] (IRGACUREOXE01, BASF 재팬 (주), 흡수 피크 파장 : 360 ㎚), 2-히드록시-2-시클로헥실아세토페논 (IRGACURE184, BASF 재팬 (주), 흡수 피크 파장 : 240 ㎚), α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논 (DAROCUR1173, BASF 재팬 (주)), 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 (IRGACURE651, BASF 재팬 (주)), 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤 (DAROCUR2959, BASF 재팬 (주)), 2-히드록시-1-{4-[2-히드록시-2-메틸-프로피오닐]-벤질}페닐}-2-메틸-프로판-1-온 (이르가큐어 (IRGACURE) 127, BASF 재팬 (주)) 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.
형광체로는, 예를 들어, 안트라센 유도체, 쿠마린 유도체, 아졸 유도체, 티오펜 유도체, 카르바졸 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 피리딘 유도체, 포르피린 유도체, 플루오렌 유도체, 페난트롤린 유도체, 피렌 유도체 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 안트라센 유도체, 쿠마린 유도체 등이 바람직하게 사용된다.
형광체의 첨가량은, 광 라디칼 중합 개시제 1 질량부에 대하여 0.01 질량부 이상 1 질량부 이하인 것이 바람직하다. 형광체의 첨가량이 지나치게 적으면 광이 직접 닿지 않는 부분의 반응률이 낮아지고, 형광체의 첨가량이 지나치게 많으면 광 라디칼 중합 개시제의 라디칼 발생을 방해할 우려가 있다.
전술한 광 라디칼 중합 개시제 및 형광체는, 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 형광체의 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하인 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 형광체의 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하임으로써, 형광체의 발광 파장역에 있어서, 광 라디칼 중합 개시제가 경화에 충분한 양의 라디칼을 발생시킬 수 있기 때문에, 광이 직접 닿지 않는 부분에 있어서도 높은 반응률을 얻을 수 있다.
또한, 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 형광체의 여기 피크 파장의 차는 100 ㎚ 이하인 것이 바람직하지만, 보다 바람직하게는 60 ㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 20 ㎚ 이하이다. 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 형광체의 여기 피크 파장의 차가 작음으로써, 수명이 긴 LED 램프의 사용에 의해, 광이 직접 닿지 않는 부분의 경화가 가능해진다.
또한, 형광체는, 300 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하의 여기 피크 파장 및 350 ㎚ 이상 450 ㎚ 이하의 형광 피크 파장을 갖는 것이 바람직하다. 300 ㎚ 이상의 장파장역은 투과성이 우수하기 때문에, 300 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하의 여기 피크 파장을 가짐으로써, 접착제 내부에 존재하는 형광체도 발광시킬 수 있다. 또한, 350 ㎚ 이상 450 ㎚ 이하의 형광 피크 파장을 가짐으로써, 광이 직접 닿지 않는 부분에 존재하는 광 라디칼 중합 개시제를 여기시킬 수 있다. 이러한 형광체의 구체예로는, 안트라센 (여기 피크 파장 : 375 ㎚, 형광 피크 파장 : 400 ㎚), 7-히드록시-4-메틸쿠마린 (여기 피크 파장 : 325 ㎚, 형광 피크 파장 : 380 ㎚) 등을 들 수 있다.
또한, 접착제 조성물에 배합하는 다른 첨가물로서, 필요에 따라 막형성 수지, 실란 커플링제, 아크릴 고무, 각종 아크릴 모노머 등의 희석용 모노머, 충전제, 연화제, 착색제, 난연화제, 틱소트로피제 등을 배합해도 된다. 또, 도전성 필러를 첨가함으로써 도전성 접착제로 해도 된다.
막형성 수지로는, 예를 들어 평균 분자량이 10000 이상의 고분자량 수지에 상당하고, 필름 형성성의 관점에서 10000 ∼ 80000 정도의 평균 분자량인 것이 바람직하다. 막형성 수지로는, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 부티랄 수지 등의 각종 수지를 들 수 있으며, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 막형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지를 알맞게 사용하는 것이 바람직하다.
실란 커플링제로는, 에폭시계, 메타크릴록시계, 아미노계, 비닐계, 메르캅토계, 술피드계, 우레이도계 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 유리, 플라스틱에 대한 접착성 향상의 관점에서, 에폭시계의 실란 커플링제를 바람직하게 사용할 수 있다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 신에츠 화학 공업 (주) 의 상품명「KBM-403」 (3-글리시독시프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.
도전성 필러로는, 예를 들어, 니켈, 철, 구리, 알루미늄, 주석, 납, 크롬, 코발트, 은, 금 등의 각종 금속이나 금속 합금의 입자, 금속 산화물, 카본, 그라파이트, 유리, 세라믹, 플라스틱 등의 입자의 표면에 금속을 코팅한 것, 이들 입자의 표면에 추가로 절연 박막을 코팅한 것 등을 들 수 있다. 수지 입자의 표면에 금속을 코팅한 것인 경우, 수지 입자로는, 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 아크릴로니트릴·스티렌 (AS) 수지, 벤조구아나민 수지, 디비닐벤젠계 수지, 스티렌계 수지 등의 입자를 사용할 수 있다.
<2. 접속 구조체의 제조 방법>
본 실시형태에 관한 접속 구조체의 제조 방법은, 제 1 지지 기판 상에 제 1 단자가 형성된 제 1 회로 부재와 제 2 지지 기판 상에 제 2 단자가 형성된 제 2 회로 부재를, 라디칼 중합성 화합물과 광 라디칼 중합 개시제와 형광체를 함유하고, 상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 형광 피크 파장 (발광 피크 파장) 의 차가 100 ㎚ 이하인 접착제 조성물을 개재시켜 압착하면서 광 조사하여, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 접속한다.
제 1 회로 부재 및 제 2 회로 부재는 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 제 1 회로 부재로는, 예를 들어, LCD (Liquid Crystal Display) 패널 용도, 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP) 용도 등의 유리 기판, 프린트 배선판 (PWB) 등을 들 수 있다. 또한, 제 2 회로 부재로는, 예를 들어, IC (Integrated Circuit), COF (Chip On Film) 등의 플렉시블 기판 (FPC : Flexible Printed Circuits), 테이프 캐리어 패키지 (TCP) 기판 등을 들 수 있다.
전술한 접착제 조성물을 사용하여 제 1 회로 부재의 제 1 단자와 제 2 회로 부재의 제 2 단자를 접속하는 경우, 예를 들어 히트 툴 등의 압착 툴을 사용하여, 제 2 회로 부재를 가압하면서 자외선을 조사함으로써 실시된다. 여기서, 소정 온도는, 압착시에 있어서의 접착제 조성물의 온도를 말한다. 또한, 소정 온도는, 80 ℃ 이상 160 ℃ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 압착 툴에 의해 가열 가압을 시작한 후, 수 초 후에 자외선을 조사하는 것이 바람직하다. 이로써, 제 1 단자와 제 2 단자의 사이로부터 접착제 조성물을 배제하고, 단자 사이에서 충분한 접점을 확보한 후, 접착제 조성물을 경화시킬 수 있기 때문에, 우수한 도통 저항을 얻을 수 있다.
자외선 조사기로는 특별히 한정되지 않지만, 투과성이 우수한 300 ㎚ 이상의 장파장역의 자외선을 방사하는 것이 바람직하다. 자외선 조사기로는, 300 ㎚ ∼ 500 ㎚ 에 피크 파장을 갖는 LED 램프, 365 ㎚ 를 주파장으로 하고, 254 ㎚, 303 ㎚, 313 ㎚ 의 자외선을 방사하는 수은 램프, 메탈할라이드 등을 들 수 있으며, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다. 예를 들어, 형광체 여기용의 램프와, 광 라디칼 중합 개시제용의 램프를 설치해도 된다.
또한, 압착 툴과 제 2 회로 부재 사이에 완충재를 끼워 장착하고 압착해도 된다. 완충재를 사이에 장착함으로써, 가압 편차를 저감할 수 있는 것과 함께, 압착 툴이 더러워지는 것을 방지할 수 있다. 압착 툴로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있으며, 가압 대상보다 대면적인 가압 부재를 사용하여 가압을 1 회에 실시해도 되고, 또한 가압 대상보다 소면적인 가압 부재를 사용하여 가압을 수 회로 나눠 실시해도 된다. 압착 툴의 선단 형상으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어, 평면상, 곡면상 등을 들 수 있다. 또, 선단 형상이 곡면상인 경우, 곡면상을 따라서 가압하는 것이 바람직하다.
실시예
<3. 실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, 형광체를 함유하는 접착 필름을 사용하여 유리 기판과 IC 를 접속하고, 접속 구조체를 제작하였다. 그리고, 접속 구조체의 다이 전단 강도 및 차광부의 반응률에 관해서 평가하였다. 또, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[접착 필름의 제작]
하기로부터 원하는 재료를 배합한 조성물을 PET 필름에 도포하고, 건조시켜, 두께 20 ㎛ 의 접착 필름을 제작하였다.
페녹시 수지 : YP50, 신닛테츠 스미킨 화학 (주)
이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트 : M-215, 토아 합성(주)
트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트 : DCP, 신나카무라 화학 (주)
실란 커플링제 : KBM-403, 신에츠 화학 공업 (주)
형광체 A (여기 피크 파장 : 375 ㎚, 형광 피크 파장 : 400 ㎚) : 안트라센, 와코 쥰야쿠 공업 (주)
형광체 B (여기 피크 파장 : 325 ㎚, 형광 피크 파장 : 380 ㎚) : 7-히드록시-4-메틸쿠마린, 와코 쥰야쿠 공업 (주)
광 라디칼 중합 개시제 A (흡수 피크 파장 : 370 ㎚) : IRGACURE819, BASF 재팬 (주)
광 라디칼 중합 개시제 B (흡수 피크 파장 : 240 ㎚) : IRGACURE184, BASF 재팬 (주)
광 라디칼 중합 개시제 C (흡수 피크 파장 : 320 ㎚) : IRGACURE369, BASF 재팬 (주)
광 라디칼 중합 개시제 D (흡수 피크 파장 : 320 ㎚) : IRGACURE379, BASF 재팬 (주)
광 라디칼 중합 개시제 E (흡수 피크 파장 : 360 ㎚) : IRGACUREOXE01, BASF 재팬 (주)
[접속 구조체의 제작]
두께 0.5 ㎜ 의 유리 표면에 Al 단자를 형성한 평가용의 유리 기판을 준비하였다. 또한, 외형 1.8 ㎜×20 ㎜ 의 IC (범프 높이 : 15 ㎛) 를 준비하였다. 두께 20 ㎛ 의 접착 필름을 유리 기판에 부착하고, 그 위에 IC 를 탑재한 후, 히트 툴로 100 ℃-80 ㎫-5 sec 의 조건으로 가압하면서 유리 기판측에서부터 UV 를 조사하여, 접속 구조체를 제작하였다. UV 의 조사는, 365 ㎚ 를 주파장으로 하고, 254 ㎚, 303 ㎚, 313 ㎚ 의 자외선을 방사하는 수은 램프를 사용하여, 조도 50 mW/㎠ 로 가열 가압 개시로부터 2 초 후에 시작하여, 조사 개시로부터 3 초 후에 조사를 종료하였다.
[다이 전단 강도의 측정]
IC/접착 필름/유리 기판의 다이 전단 강도를 측정하였다. 다이 전단 강도는, IC 를 전단 툴로 옆에서부터 수평 방향으로 눌러, IC 와 유리 기판의 접합면이 파단되었을 때의 강도를 측정하였다. 툴 속도는 100 ㎛/sec 으로 하였다.
[차광부의 반응률의 측정]
접속 구조체로부터 IC 를 벗겨내고, 단자 상의 차광부로부터 접착 필름의 샘플링을 실시하여, HPLC 분석 장치를 사용해서 측정하였다. 샘플 0.005 ㎎ 을 아세토니트릴에 용해하고, 이것을 분리 칼럼 (10 ㎝, 40 ℃) 에 주입하여, 크로마토그램을 얻었다. 분석 조건은 다음과 같이 하였다.
아세토니트릴 상온 추출 - HPLC/DAD 법
추출 : 아세토니트릴 40 ㎕
기기 : UPLC (Waters 사 제조), Method : Hannouritu
그래디언트 조건 : A 60 ％, B 40 ％ (1 분간 유지) → 5 분 후에 A 1 ％, B 99 ％ (6 분간 유지), A 는 물, B 는 아세토니트릴
해석 파장 : 210 - 400 ㎚
얻어진 크로마토그램으로부터 아크릴 모노머의 측정 강도를 구하고, 미리 작성한 아크릴 모노머의 측정 강도와 반응률의 관계선으로부터 차광부의 반응률을 산출하였다.
<비교예 1>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 A 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 10 kgf 미만이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 3 ％ 였다.
<비교예 2>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.5 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 B 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 22 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 12 ％ 였다.
<실시예 1>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.01 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 A 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 102 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 80 ％ 였다.
<실시예 2>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.05 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 A 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 103 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 82 ％ 였다.
<실시예 3>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.1 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 A 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 101 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 88 ％ 였다.
<실시예 4>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.5 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 A 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 105 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 91 ％ 였다.
<실시예 5>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.5 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 A 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 105 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 90 ％ 였다.
<실시예 6>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 1 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 A 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 100 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 89 ％ 였다.
<실시예 7>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.5 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 C 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 111 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 81 ％ 였다.
<실시예 8>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.5 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 D 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 107 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 84 ％ 였다.
<실시예 9>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.5 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 E를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 100 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 83 ％ 였다.
<실시예 10>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 B 를 0.5 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 A 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 105 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 85 ％ 였다.
<실시예 11>
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지를 50 질량부, 이소시아누르산 EO 변성 디아크릴레이트를 50 질량부, 실란 커플링제를 1 질량부, 형광체 A 를 0.001 질량부, 광 라디칼 중합 개시제 A 를 1 질량부 배합하여, 접착 필름을 제작하였다. 이 접착 필름을 사용하여 제작한 접속 구조체의 다이 전단 강도는 36 kgf 이고, 단자 상의 차광부의 반응률은 34 ％ 였다.
Figure 112016009392510-pat00001
비교예 1 과 같이 형광체를 첨가하지 않은 경우, 단자 상의 차광부의 반응률이 낮고, 다이 전단 강도도 낮았다. 또한, 비교예 2 와 같이 흡수 피크 파장과 형광 피크 파장이 100 ㎚ 이상 떨어져 있는 경우에도, 단자 상의 차광부의 반응률이 낮고, 다이 전단 강도도 낮았다.
한편, 실시예 1 ∼ 11 과 같이 흡수 피크 파장과 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하인 경우, 단자상의 차광부에 있어서 반응률이 높고, 다이 전단 강도도 높았다. 또한, 실시예 1 ∼ 4, 6 과 같이 형광체의 첨가량을 광 라디칼 중합 개시제 1 질량부에 대하여 0.01 질량부 이상 1 질량부 이하로 함으로써, 단자 상의 차광부에 있어서 높은 반응률을 얻는 수 있고, 높은 다이 전단 강도를 얻을 수 있었다. 또한, 실시예 11 과 같이 형광체가 극소량인 경우라도, 흡수 피크 파장과 형광 피크 파장이 100 ㎚ 이상 떨어져 있는 비교예 2 와 비교하여 단자 상의 차광부의 반응률이 높고, 다이 전단 강도도 높아, 본 발명의 효과가 확인되었다.

Claims (8)

  1. 라디칼 중합성 화합물과, 광 라디칼 중합 개시제와, 안트라센 유도체 또는 쿠마린 유도체인 형광체를 함유하고,
    상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하이고,
    상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 여기 피크 파장의 차가 20 ㎚ 이하인 접착제 조성물.
  2. 다관능 (메트)아크릴레이트로 이루어지는 라디칼 중합성 화합물과, 광 라디칼 중합 개시제와, 형광체를 함유하고,
    상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하인 접착제 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 형광체가, 안트라센 유도체 또는 쿠마린 유도체인 접착제 조성물.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 여기 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하인 접착제 조성물.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 형광체가, 300 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하의 여기 피크 파장 및 350 ㎚ 이상 450 ㎚ 이하의 형광 피크 파장을 갖는 접착제 조성물.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 형광체의 첨가량이, 상기 광 라디칼 중합 개시제 1 질량부에 대하여 0.01 질량부 이상 1 질량부 이하인 접착제 조성물.
  7. 제 1 지지 기판 상에 제 1 단자가 형성된 제 1 회로 부재와 제 2 지지 기판 상에 제 2 단자가 형성된 제 2 회로 부재를, 라디칼 중합성 화합물과, 광 라디칼 중합 개시제와, 안트라센 유도체 또는 쿠마린 유도체인 형광체를 함유하고, 상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하이고, 상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 여기 피크 파장의 차가 20 ㎚ 이하인 접착제 조성물을 개재시켜 압착하면서 광 조사하여, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 접속하는 접속 구조체의 제조 방법.
  8. 제 1 지지 기판 상에 제 1 단자가 형성된 제 1 회로 부재와 제 2 지지 기판 상에 제 2 단자가 형성된 제 2 회로 부재를, 다관능 (메트)아크릴레이트로 이루어지는 라디칼 중합성 화합물과, 광 라디칼 중합 개시제와, 형광체를 함유하고, 상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 피크 파장과 상기 형광체의 형광 피크 파장의 차가 100 ㎚ 이하인 접착제 조성물을 개재시켜 압착하면서 광 조사하여, 상기 제 1 단자와 상기 제 2 단자를 접속하는 접속 구조체의 제조 방법.

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