KR102483669B1 - 도금 장치, 도금 방법 및 기판 홀더 - Google Patents

도금 장치, 도금 방법 및 기판 홀더 Download PDF

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Abstract

본 발명의 과제는 다각형 기판에 도금되는 막의 면내 균일성을 향상시키는 것이다.
애노드를 보유 지지하도록 구성되는 애노드 홀더와, 다각형 기판을 보유 지지하도록 구성되는 기판 홀더와, 상기 애노드 홀더 및 상기 기판 홀더를 수용하고, 상기 애노드 및 상기 기판을 도금액에 침지하기 위한 도금조와, 상기 애노드와 상기 기판 사이에 흐르는 전류를 제어하기 위한 제어 장치를 갖는다. 상기 기판 홀더는 상기 다각형 기판의 각 변을 따라 배치되는 복수의 급전 부재를 갖는다. 상기 제어 장치는 상기 복수의 급전 부재에 적어도 2개의 다른 값의 전류가 동시에 공급되도록, 전류를 제어할 수 있게 구성된다.

Description

도금 장치, 도금 방법 및 기판 홀더 {PLATING APPARATUS, PLATING METHOD, AND SUBSTRATE HOLDER}
본 발명은 도금 장치, 도금 방법 및 기판 홀더에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에 형성된 미세한 배선용 홈, 홀, 또는 레지스트 개구부에 배선을 형성하거나, 기판의 표면에 패키지의 전극 등과 전기적으로 접속하는 범프(돌기 형상 전극)를 형성하는 일이 행해지고 있다. 이 배선 및 범프를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 전해 도금법, 증착법, 인쇄법, 볼 범프법 등이 알려져 있다. 반도체 칩의 I/O수의 증가, 미세 피치화에 수반하여, 미세화가 가능하고 성능이 비교적 안정된 전해 도금법이 많이 사용되게 되었다.
전해 도금법으로 배선 또는 범프를 형성하는 경우, 기판 상의 배선용 홈, 홀, 또는 레지스트 개구부에 설치되는 배리어 메탈의 표면에 전기 저항이 낮은 시드층(급전층)이 형성된다. 이 시드층의 표면에 있어서, 도금막이 성장한다.
일반적으로, 도금되는 기판은 그 주연부에 전기 접점을 갖는다. 이로 인해, 기판의 중앙부에는 도금액의 전기 저항값과 기판의 중앙부로부터 전기 접점까지의 시드층의 전기 저항값의 합성 저항에 대응하는 전류가 흐른다. 한편, 기판의 주연부(전기 접점 근방)에는 도금액의 전기 저항값에 거의 대응하는 전류가 흐른다. 즉, 기판의 중앙부에는 기판의 중앙부로부터 전기 접점까지의 시드층의 전기 저항값만큼, 전류가 흐르기 어렵다. 기판의 주연부에 전류가 집중되는 이 현상은 터미널 이펙트라고 불린다.
또한, 전해 도금법으로 도금되는 기판의 형상으로서는, 원형의 기판이나, 사각형의 기판이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
원형 기판에 있어서는, 원형 기판의 중앙부로부터 기판의 주연부까지의 거리가, 기판의 전체 주위에 걸쳐서 동일하다. 이로 인해, 원형 기판에 도금할 때의 터미널 이펙트는 기판의 전체 주위에 걸쳐서 거의 마찬가지로 발생한다. 따라서, 원형 기판에 도금을 한 경우는, 기판의 중심부에 있어서의 도금 속도가 기판의 주연부에 비해 저하되고, 기판의 중심부에 있어서의 도금막의 막 두께가 기판의 주연부에 있어서의 도금막보다도 얇아진다. 종래에는, 터미널 이펙트에 의한 막 두께의 면내 균일성 저하를 억제하기 위해, 원형 기판의 주연부로부터 균등하게 전류를 공급하면서, 예를 들어 특허문헌 3에 개시되어 있는 바와 같은 조정판을 사용하여, 원형 기판에 가해지는 전장(電場)을 조절하는 일이 행해지고 있었다.
일본 특허 공개 평09-125294호 공보 일본 특허 공고 평03-029876호 공보 일본 특허 공개 제2005-029863호 공보
그러나, 다각형 기판에 있어서는, 다각형 기판의 중앙부로부터 다각형 기판의 주연부까지의 거리가, 위치에 따라 다르다. 즉, 다각형 기판의 변의 중앙부(정점 사이의 중앙부)는 기판의 중심부로부터의 거리가 비교적 짧고, 다각형 기판의 정점 부근은 기판의 중심부와의 거리가 비교적 길어진다. 이로 인해, 다각형 기판에 도금할 때의 터미널 이펙트는 기판의 전체 주위에 걸쳐서 불균일하게 발생한다.
본 발명자들은 다각형 기판으로의 도금 방법 및 도금 장치를 검토하는 데 있어서, 전해 도금의 진전에 수반하는 다각형 기판 상의 전류 밀도 분포의 변화를 검토하였다. 도 21a 내지 도 21d는 다각형 기판의 일례인 사각형 기판에 도금을 했을 때의, 도금의 진전에 수반하는 전류 밀도 분포의 변화를 도시하는 개략도이다. 도 21a는 도금 초기의 사각형 기판의 전류 밀도 분포를 도시한다. 도 21a에 도시한 바와 같이, 사각형 기판 S1의 중심부 C1에서는 터미널 이펙트에 의해 전기 저항값이 주연부에 비해 높으므로, 전류 밀도가 가장 작다. 도 21a에 도시하는 단계에서는, 사각형 기판 S1의 변 중앙 영역(A1)은 사각형 기판 S1의 중심부 C1로부터의 거리가 비교적 짧으므로, 변 중앙 영역(A1)에 있어서의 전기 저항값이 코너부 영역(A2)에 비해 낮아진다. 이로 인해, 변 중앙 영역(A1)에, 전장이 비교적 집중되여 전류 밀도가 높아진다. 한편, 사각형 기판 S1의 정점 부근의 코너부 영역(A2) 및 변 중앙 영역(A1)과 코너부 영역(A2) 사이에 위치하는 중간 영역(A3)에서는 변 중앙 영역(A1)에 비해 중심부 C1로부터의 거리가 길기 때문에, 변 중앙 영역(A1)에 비해 전기 저항값이 높아진다. 이로 인해, 도 21a에 도시하는 단계에서는, 코너부 영역(A2) 및 중간 영역(A3)에는 변 중앙 영역(A1)만큼 전장이 집중되지는 않는다.
도금이 진행되면, 도 21b에 도시한 바와 같이, 중심부 C1로부터의 거리가 비교적 긴 코너부 A2에도 전장이 집중되기 시작한다. 한편, 변 중앙 영역(A1) 및 중간 영역(A3)에 있어서의 전류 밀도는 도 21a에 도시한 변 중앙 영역(A1) 및 중간 영역(A3)에 있어서의 전류 밀도에 비해, 작게 되어 있다. 이들은 도금이 진행되고, 막 두께가 커짐에 따라, 터미널 이펙트의 영향이 서서히 작아지고 있기 때문이다.
더욱 도금이 진행되고, 막 두께가 커지는 것에 의해, 도 21c에 도시한 바와 같이, 변 중앙 영역(A1)의 전장의 집중이 완화된다. 이로 인해, 변 중앙 영역(A1)의 전류 밀도와 중간 영역(A3)의 전류 밀도의 차는 도 21a 및 도 21b에 비해 작게 되어 있다. 한편, 코너부 영역(A2)으로의 전장의 집중은 도금이 진행되어도 그다지 변화가 없다.
더욱 도금이 진행되면, 도 21d에 도시한 바와 같이, 변 중앙 영역(A1)의 전류 밀도와 중간 영역(A3)의 전류 밀도의 차는 거의 없어진다. 한편, 코너부 영역(A2)에는 계속해서 전장 집중이 일어나고 있다.
도 21a 내지 도 21d에 관련하여 설명한 바와 같이, 사각형 기판 S1의 변 중앙 영역(A1)에서는, 도금의 초기 단계에서는 전장이 집중되고, 도금이 진행됨에 따라 전류 밀도가 작아진다. 이에 비해, 사각형 기판 S1의 중간 영역(A3)에서는, 도금의 초기 단계에 있어서는 변 중앙 영역(A1)보다도 전류 밀도는 작고, 도금이 진행됨에 따라 변 중앙 영역(A1)과의 차가 작아진다. 따라서, 변 중앙 영역(A1)은 중간 영역(A3)보다도 도금의 막 두께가 커지는 경향이 있다.
한편, 사각형 기판 S1의 코너부 영역(A2)에는, 도금 초기 단계에서는 전장의 집중은 다소 작지만, 도금의 초기 단계부터 종료 시까지 일관하여 전장이 계속해서 집중된다. 이로 인해, 코너부 영역(A2)은 변 중앙 영역(A1) 및 중간 영역(A3)에 비해 막 두께가 커지는 경향이 있다.
이상과 같이, 다각형 기판에 있어서의 터미널 이펙트는 기판의 주연부의 위치에 따라 다르므로, 기판의 주연부에 있어서 전류 밀도 분포의 불균일이 발생한다. 이로 인해, 원형 기판에 비해, 다각형 기판에 도금되는 막의 면내 균일성이 나쁘다는 과제를 본 발명자들은 알아내었다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이고, 그 목적의 하나는 다각형 기판에 도금되는 막의 면내 균일성을 향상시키는 것이다.
본 발명의 제1 형태에 의하면, 도금 장치가 제공된다. 이 도금 장치는, 애노드를 보유 지지하도록 구성되는 애노드 홀더와, 다각형 기판을 보유 지지하도록 구성되는 기판 홀더와, 상기 애노드 홀더 및 상기 기판 홀더를 수용하고, 상기 애노드 및 상기 기판을 도금액에 침지하기 위한 도금조와, 상기 애노드와 상기 기판 사이에 흐르는 전류를 제어하기 위한 제어 장치를 갖는다. 상기 기판 홀더는, 상기 다각형 기판의 각 변을 따라 배치되는 복수의 급전 부재를 갖는다. 상기 제어 장치는 상기 복수의 급전 부재에 적어도 2개의 다른 값의 전류가 동시에 공급되도록, 전류를 제어할 수 있게 구성된다.
본 발명의 제2 형태에 의하면, 상기 도금 장치의 제1 형태에 있어서, 상기 급전 부재는, 상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 접촉 가능한 제1 급전 부재와, 상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 접촉 가능한 제2 급전 부재 및/또는 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 접촉 가능한 제3 급전 부재를 포함하고, 상기 제어 장치는 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재 및/또는 상기 제3 급전 부재에 각각 다른 값의 전류를 공급하도록, 전류를 제어할 수 있게 구성된다.
본 발명의 제3 형태에 의하면, 상기 도금 장치의 제2 형태에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제2 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 커지도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된다.
본 발명의 제4 형태에 의하면, 상기 도금 장치의 제2 또는 제3 형태에 있어서, 상기 제어 장치는, 도금 개시 시에 제1 값의 전류가 상기 제1 급전 부재에 공급되고, 그 후 상기 제1 값보다도 큰 제2 값의 전류가 상기 제1 급전 부재에 공급되도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된다.
본 발명의 제5 형태에 의하면, 상기 도금 장치의 제4 형태에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류가, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 단계적으로 증가하도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된다.
본 발명의 제6 형태에 의하면, 상기 도금 장치의 제4 형태에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류가, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 연속적으로 증가하도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된다.
본 발명의 제7 형태에 의하면, 상기 도금 장치의 제2 형태 내지 제6 형태 중 어느 하나에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제3 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 작아지도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된다.
본 발명의 제8 형태에 의하면, 상기 도금 장치의 제2 형태 내지 제7 형태 중 어느 하나에 있어서, 상기 제3 급전 부재는 상기 다각형 기판의 변의 교점 이외의 영역에 접촉하도록 구성된다.
본 발명의 제9 형태에 의하면, 애노드와 다각형 기판 사이에 전류를 흘려서 상기 다각형 기판에 도금하는 방법이 제공된다. 이 방법은 상기 다각형 기판의 각 변을 따라 복수의 급전 부재를 접촉시키는 공정과, 상기 애노드와, 상기 다각형 기판을 도금액에 침지하는 공정과, 상기 복수의 급전 부재에, 적어도 2개의 다른 값의 전류를 동시에 공급하는 공정을 갖는다.
본 발명의 제10 형태에 의하면, 상기 도금 방법의 제9 형태에 있어서, 상기 복수의 급전 부재를 접촉시키는 공정은, 상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 제1 급전 부재를 접촉시키는 공정과, 상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 제2 급전 부재를 접촉시키고, 또한/또는 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 제3 급전 부재를 접촉시키는 공정을 포함하고, 상기 전류를 공급하는 공정은 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재 및/또는 상기 제3 급전 부재에 각각 다른 값의 전류를 공급하는 공정을 포함한다.
본 발명의 제11 형태에 의하면, 상기 도금 방법의 제10 형태에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제2 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 커지도록, 상기 제1 급전 부재 및 상기 제2 급전 부재에 전류를 공급하는 공정을 포함한다.
본 발명의 제12 형태에 의하면, 상기 도금 방법의 제10 또는 제11 형태에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 도금 개시 시에 제1 값의 전류를 상기 제1 급전 부재에 공급하고, 그 후 상기 제1 값보다도 큰 제2 값의 전류를 상기 제1 급전 부재에 공급하는 공정을 포함한다.
본 발명의 제13 형태에 의하면, 상기 도금 방법의 제12 형태에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류를, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 단계적으로 증가시키는 공정을 포함한다.
본 발명의 제14 형태에 의하면, 상기 도금 방법의 제12 형태에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류를, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 연속적으로 증가시키는 공정을 포함한다.
본 발명의 제15 형태에 의하면, 상기 도금 방법의 제10 형태 내지 제14 형태 중 어느 하나에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제3 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 작아지도록, 상기 제1 급전 부재 및 상기 제3 급전 부재에 전류를 공급하는 공정을 포함한다.
본 발명의 제16 형태에 의하면, 상기 도금 방법의 제10 형태 내지 제15 형태 중 어느 하나에 있어서, 상기 다각형 기판의 상기 코너부 영역에 제3 급전 부재를 접촉시키는 공정은, 상기 제3 급전 부재를 상기 다각형 기판의 변의 교점 이외의 영역에 접촉시키는 공정을 포함한다.
본 발명의 제17 형태에 의하면, 다각형 기판을 보유 지지하기 위한 기판 홀더가 제공된다. 기판 홀더는 상기 다각형 기판을 보유 지지하기 위한 기판 지지면과, 상기 기판 지지면에 보유 지지된 상기 다각형 기판에 급전하기 위한 복수의 급전 부재를 갖고, 상기 급전 부재는 상기 다각형 기판과 접촉 가능하게 구성되는 접점부를 갖고, 상기 접점부는 상기 다각형 기판의 변을 따르도록, 대략 직선 형상으로 정렬된다.
본 발명의 제18 형태에 의하면, 상기 기판 홀더의 제17 형태에 있어서, 기판 홀더는, 상기 급전 부재에 전류를 공급하기 위한 전원과 전기적으로 접속되는 외부 접점부와, 상기 외부 접점부와, 상기 급전 부재를 접속하는 접속 유닛을 갖고, 상기 급전 부재는, 상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 접촉 가능한 제1 급전 부재와, 상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 접촉 가능한 제2 급전 부재 및/또는 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 접촉 가능한 제3 급전 부재를 포함하고, 상기 접속 유닛은, 상기 외부 접점부로부터, 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재 및/또는 제3 급전 부재에 각각 접속되는, 서로 전기적으로 독립된 복수의 접속 유닛을 갖는다.
본 발명의 제19 형태에 의하면, 상기 기판 홀더의 제18 형태에 있어서, 상기 외부 접점부는, 상기 제1 급전 부재와 상기 접속 유닛을 통해 접속되는 복수의 제1 외부 접점부와, 상기 제2 급전 부재와 상기 접속 유닛을 통해 접속되는 복수의 제2 외부 접점부 및/또는 상기 제3 급전 부재와 상기 접속 유닛을 통해 접속되는 복수의 제3 외부 접점부를 갖고, 상기 접속 유닛은, 상기 복수의 제1 외부 접점부에 각각 접속되는 복수의 제1 접점 배선과, 상기 복수의 제1 접점 배선과 접속되는 제1 플레이트와, 상기 제1 플레이트와 상기 제1 급전 부재를 전기적으로 접속하는 제1 급전 배선과, 상기 복수의 제2 외부 접점부에 각각 접속되는 복수의 제2 접점 배선, 상기 복수의 제2 접점 배선과 접속되는 제2 플레이트 및 상기 제2 플레이트와 상기 제2 급전 부재를 전기적으로 접속하는 제2 급전 배선, 및/또는, 상기 복수의 제3 외부 접점부에 각각 접속되는 복수의 제3 접점 배선, 상기 복수의 제3 접점 배선과 접속되는 제3 플레이트 및 상기 제3 플레이트와 상기 제3 급전 부재를 전기적으로 접속하는 제3 급전 배선을 갖는다.
본 발명의 제20 형태에 의하면, 상기 기판 홀더의 제17 형태 내지 제19 형태 중 어느 하나에 있어서, 상기 제3 급전 부재는 상기 다각형 기판의 변의 교점 이외의 영역에 접촉하도록 구성된다.
본 발명에 따르면, 다각형 기판에 도금되는 막의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태의 전해 도금 장치의 전체 배치도.
도 2는 도금 장치에 구비되어 있는 도금 유닛의 개략 측단면도(종단면도).
도 3은 도금 유닛에서 사용되는 본 실시 형태에 따른 기판 홀더의 사시도.
도 4는 기판 홀더의 보유 지지면을 도시하는 평면도.
도 5는 제2 보유 지지 부재의 이면측의 정면도.
도 6은 기판 홀더에 설치되는 외부 접점부의 정면도.
도 7은 보유 지지면의 내부에 설치되는 플레이트를 도시하는 평면도.
도 8은 기판 홀더의 다른 실시 형태를 도시하는 사시도.
도 9는 기판과 급전 부재의 위치 관계를 도시하는 개략도.
도 10은 회로 A, 회로 B 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 11은 회로 A, 회로 B 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 12는 회로 A, 회로 B 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 13은 회로 A, 회로 B 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 14는 회로 A, 회로 B 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 15는 기판과 급전 부재의 위치 관계를 도시하는 개략도.
도 16은 회로 A 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 17은 회로 A 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 18은 회로 A 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 19는 회로 A 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 20은 회로 A 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프.
도 21a는 다각형 기판의 일례인 사각형 기판에 도금을 했을 때의, 도금의 진전에 수반하는 전류 밀도 분포의 변화를 도시하는 개략도.
도 21b는 다각형 기판의 일례인 사각형 기판에 도금을 했을 때의, 도금의 진전에 수반하는 전류 밀도 분포의 변화를 도시하는 개략도.
도 21c는 다각형 기판의 일례인 사각형 기판에 도금을 했을 때의, 도금의 진전에 수반하는 전류 밀도 분포의 변화를 도시하는 개략도.
도 21d는 다각형 기판의 일례인 사각형 기판에 도금을 했을 때의, 도금의 진전에 수반하는 전류 밀도 분포의 변화를 도시하는 개략도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 이하에서 설명하는 도면에 있어서, 동일하거나 또는 상당하는 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하여 중복된 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 도금 장치의 전체 배치도를 도시한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 이 도금 장치는 반도체 웨이퍼 등의 기판을 수납한 카세트(100)를 탑재하는 2대의 카세트 테이블(102)과, 기판의 기준면(오리엔테이션 플랫)이나 노치 등의 위치를 소정의 방향에 맞추는 얼라이너(104)와, 도금 처리 후의 기판을 고속 회전시켜 건조시키는 스핀 린스 드라이어(106)를 갖는다. 스핀 린스 드라이어(106)의 근처에는 기판 홀더(30)를 적재하여 기판의 착탈을 행하는 기판 착탈부(120)가 설치되어 있다. 이들 유닛(100, 104, 106, 120)의 중앙에는 이들 유닛 사이에서 기판을 반송하는 반송용 로봇으로 이루어지는 기판 반송 장치(122)가 배치되어 있다.
기판 착탈부(120), 기판 홀더(30)의 보관 및 일시 가배치를 행하는 스토커(124), 기판을 순수에 침지시키는 프리웨트조(126), 기판의 표면에 형성한 시드층 등의 도전층의 표면의 산화막을 에칭 제거하는 프리소크조(128), 프리소크 후의 기판을 기판 홀더(30)와 함께 세정액(순수 등)으로 세정하는 제1 세정조(130a), 세정 후의 기판의 배수를 행하는 블로우조(132), 도금 후의 기판을 기판 홀더(30)와 함께 세정액으로 세정하는 제2 세정조(130b) 및 도금 유닛(10)은 이 순서로 도금 장치에 배치되어 있다.
이 도금 유닛(10)은 오버플로우조(136)의 내부에 복수의 도금조(14)를 수납하여 구성되어 있다. 각 도금조(14)는 내부에 1개의 기판을 수납하고, 내부에 보유 지지한 도금액 중에 기판을 침지시켜 기판 표면에 구리 도금 등의 도금을 실시하도록 되어 있다.
도금 장치는 이들의 각 기기의 측방에 위치하고, 이들 각 기기 사이에서 기판 홀더(30)를 기판과 함께 반송하는, 예를 들어 리니어 모터 방식을 채용한 기판 홀더 반송 장치(140)를 갖는다. 이 기판 홀더 반송 장치(140)는 기판 착탈부(120), 스토커(124), 프리웨트조(126), 프리소크조(128), 제1 세정조(130a) 및 블로우조(132) 사이에서 기판을 반송하는 제1 트랜스포터(142)와, 제1 세정조(130a), 제2 세정조(130b), 블로우조(132) 및 도금 유닛(10) 사이에서 기판을 반송하는 제2 트랜스포터(144)를 갖고 있다. 도금 장치는 제2 트랜스포터(144)를 구비하지 않고, 제1 트랜스포터(142)만을 구비하도록 해도 된다.
이 기판 홀더 반송 장치(140)의 오버플로우조(136)를 사이에 둔 반대측에는, 각 도금조(14)의 내부에 위치하고 도금조(14) 내의 도금액을 교반하는 교반봉으로서의 패들(16)(도 2 참조)을 구동하는 패들 구동 장치(146)가 배치되어 있다.
기판 착탈부(120)는 레일(150)을 따라 횡방향으로 슬라이드 가능한 평판 형상의 적재 플레이트(152)를 구비하고 있다. 2개의 기판 홀더(30)는 이 적재 플레이트(152)에 수평 상태로 병렬로 적재되고, 한쪽의 기판 홀더(30)와 기판 반송 장치(122) 사이에서 기판의 전달이 행해진 후, 적재 플레이트(152)가 횡방향으로 슬라이드되고, 다른 쪽의 기판 홀더(30)와 기판 반송 장치(122) 사이에서 기판의 전달이 행해진다.
도 2는 도 1에 도시하는 도금 장치에 구비되어 있는 도금 유닛의 개략 측단면도(종단면도)이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 도금 유닛(10)은 도금액, 기판 홀더(30) 및 애노드 홀더(13)를 수용하도록 구성된 도금조(14)와, 오버플로우조(도시하지 않음)를 갖는다. 기판 홀더(30)는 다각형의 기판(Wf)을 보유 지지하도록 구성되고, 애노드 홀더(13)는 금속 표면을 갖는 애노드(12)를 보유 지지하도록 구성된다.
도금 유닛(10)은 복수(본 실시 형태에서는 3개)의 전원(15A, 15B, 15C)과, 전원(15A, 15B, 15C)을 각각 독립 제어하기 위한 제어 장치(17)를 더 갖는다. 전원(15A, 15B, 15C)은 각각 애노드(12)와 기판(Wf)에 전기적으로 접속되고, 애노드(12)와 기판(Wf) 사이에 전류를 흘리도록 구성된다. 제어 장치(17)는 전원(15A, 15B, 15C)을 제어함으로써, 기판 홀더(30)에 설치되는 후술하는 제1 급전 부재(41A, 41B, 41C)에 각각 다른 값의 전류가 공급되도록, 전류를 제어한다.
도금 유닛(10)은 기판(Wf)과 애노드(12) 사이의 전장을 조정하기 위한 조정판(20)과, 도금액을 교반하기 위한 패들(16)을 갖는다. 조정판(20)은 기판 홀더(30)와 애노드(12) 사이에 배치된다. 구체적으로는, 조정판(20)의 하단부가, 도금조(14)의 바닥면에 설치된 한 쌍의 볼록 부재(24) 사이에 삽입되고, 조정판(20)이 도금조(14)에 대해 고정된다. 패들(16)은 기판 홀더(30)와 조정판(20) 사이에 배치된다.
조정판(20)은 대략 중앙부에 기판(Wf)의 형상에 대응하는 개구(21)를 갖는다. 조정판(20)이 도금조(14)에 수용된 상태에서, 기판(Wf)과 애노드(12)에 전압이 인가되면, 애노드(12)로부터의 전류가, 개구(21)를 통과하여, 기판(Wf)에 흐른다. 바꿔 말하면, 조정판(20)은 애노드(12)와 기판(Wf) 사이에 형성되는 전장의 일부를 차폐한다.
도 3은 도 2에 도시한 도금 유닛(10)에서 사용되는 본 실시 형태에 따른 기판 홀더(30)의 사시도이고, 도 4는 기판 홀더(30)의 보유 지지면을 도시하는 평면도이다. 기판 홀더(30)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 예를 들어 염화비닐제이고 평판 형상인 제1 보유 지지 부재(31)와, 이 제1 보유 지지 부재(31)에 설치된 제2 보유 지지 부재(32)를 갖는다. 제2 보유 지지 부재(32)는 기판(Wf)을 제1 보유 지지 부재(31)에 밀어 붙이도록, 제1 보유 지지 부재(31)에 착탈 가능하게 설치된다.
기판 홀더(30)의 제1 보유 지지 부재(31)의 대략 중앙부에는, 기판(Wf)(도시의 예에서는 사각형)을 적재하여 보유 지지하기 위한 보유 지지면(34)(기판 지지면의 일례에 상당함)이 설치되어 있다(도 4 참조). 즉, 도 3에 도시하는 제2 보유 지지 부재(32)를 제1 보유 지지 부재(31)로부터 제거하고, 기판(Wf)을 제거하면, 보유 지지면(34)이 제1 보유 지지 부재(31)의 일부로서 나타난다. 제1 보유 지지 부재(31)의 보유 지지면(34)의 주위에는 내측으로 돌출되는 돌출부를 갖는 역L자 형상의 클램퍼(33)가 원주 형상으로 등간격으로 설치되어 있다.
기판 홀더(30)의 제1 보유 지지 부재(31)의 단부에는 기판 홀더(30)를 반송하거나 현수 지지할 때의 지지부가 되는 한 쌍의 생략 L자 형상의 아암(35)이 연결되어 있다. 예를 들어, 도 1에 도시한 스토커(124) 내에 있어서, 스토커(124)의 주위벽 상면에 아암(35)을 걸리게 함으로써, 기판 홀더(30)가 수직으로 현수 지지된다. 또한, 이 현수 지지된 기판 홀더(30)의 아암(35)을 기판 홀더 반송 장치(140)의 제1 트랜스포터(142) 또는 제2 트랜스포터(144)로 파지하여 기판 홀더(30)가 반송된다. 또한, 프리웨트조(126), 프리소크조(128), 세정조(130a, 130b), 블로우조(132) 및 도금조(134) 내에 있어서도, 기판 홀더(30)는 아암(35)을 통해 그들의 주위벽에 현수 지지된다.
또한, 아암(35)의 한쪽에는 도 1에 도시한 전원(15A, 15B, 15C)과 전기적으로 접속되는 외부 접점부(37)가 설치되어 있다. 이 외부 접점부(37)는 후술하는 복수의 접속 유닛을 통해 보유 지지면(34)의 외주에 설치된 복수의 도전체(38A, 38B, 38C)(도 4 참조)와 전기적으로 접속되어 있다.
제2 보유 지지 부재(32)는 기판(Wf)이 노출되는 대략 사각형의 개구(40)를 갖는 시일 홀더(32a)를 갖는다. 시일 홀더(32a)의 외주부에는 시일 홀더(32a)를 제1 보유 지지 부재(54)에 가압하여 고정하기 위한 가압 링(32b)이 회전 가능하게 장착되어 있다. 가압 링(32b)은 그 외주부에 있어서 외측으로 돌출되는 복수의 돌조부(39)를 갖는다. 돌조부(39)의 상면과 클램퍼(33)의 내측 돌출부의 하면은 회전 방향을 따라 서로 역방향으로 경사지는 테이퍼면을 갖는다.
기판을 보유 지지할 때는, 먼저, 제2 보유 지지 부재(32)를 제거한 상태에서, 제1 보유 지지 부재(31)의 보유 지지면(34)(도 4 참조)에 기판(Wf)을 적재하고, 제2 보유 지지 부재(32)를 제1 보유 지지 부재(31)에 장착한다. 계속해서, 가압 링(32b)을 시계 방향으로 회전시키고, 가압 링(32b)의 돌조부(39)를 클램퍼(33)의 내측 돌출부의 내부(하측)로 미끄러져 들어가게 한다. 이에 의해, 돌조부(39)와 클램퍼(33)에 각각 설치된 테이퍼면을 통해, 제1 보유 지지 부재(31)와 제2 보유 지지 부재(32)가 서로 체결되어 로크되고, 기판(Wf)이 보유 지지된다. 기판(Wf)의 보유 지지를 해제할 때는, 제1 보유 지지 부재(31)와 제2 보유 지지 부재(32)가 로크된 상태에 있어서, 가압 링(32b)을 반시계 방향으로 회전시킨다. 이에 의해, 가압 링(32b)의 돌조부(39)가 역L자 형상의 클램퍼(33)로부터 제거되고, 기판(Wf)의 보유 지지가 해제된다.
이어서, 도 3에 도시한 제2 보유 지지 부재(32)에 대해 상세하게 설명한다. 도 5는 제2 보유 지지 부재(32)의 이면측의 정면도이다. 여기서, 이면측이란, 도 3에 도시되는 제2 보유 지지 부재(32)의 면을 표면측으로 했을 때의 이면측을 의미한다. 도 5에 도시한 바와 같이, 제2 보유 지지 부재(32)는 개구(40)의 주위를 따라 배치되는 복수의 급전 부재(41)를 갖는다. 제2 보유 지지 부재(32)가 제1 보유 지지 부재(31)에 장착되었을 때, 개구(40)는 기판(Wf)의 각 변과 대략 일치하도록 배치되므로, 이때, 급전 부재(41)는 기판(Wf)의 각 변을 따라, 기판(Wf) 상에 배치되게 된다.
급전 부재(41)는 기판(Wf)의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 접촉 가능한 제1 급전 부재(41A)와, 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 접촉 가능한 제2 급전 부재(41B)와, 중간 영역보다도 기판(Wf)의 코너부에 근접한 코너부 영역에 접촉 가능한 제3 급전 부재(41C)를 포함한다. 제1 급전 부재(41A)는 도 4에 도시한 도전체(38A)와 접촉하도록 구성되는 제1 다리부(42A)와, 기판(Wf)의 변 중앙 영역에 접촉하도록 구성되는 제1 접점부(43A)를 갖는다. 제2 급전 부재(41B)는 도 4에 도시한 도전체(38B)와 접촉하도록 구성되는 제2 다리부(42B)와, 기판(Wf)의 중간 영역에 접촉하도록 구성되는 제2 접점부(43B)를 갖는다. 제3 급전 부재(41C)는 도 4에 도시한 도전체(38C)와 접촉하도록 구성되는 제3 다리부(42C)와, 기판(Wf)의 코너부 영역에 접촉하도록 구성되는 제3 접점부(43C)를 갖는다. 본 실시 형태에 따른 기판 홀더(30)는 다각형의 기판(Wf)을 보유 지지하도록 구성되므로, 제1 접점부(43A)와, 제2 접점부(43B)와, 제3 접점부(43C)는 기판(Wf)의 각 변을 따라 대략 직선 형상으로 정렬된다.
제1 급전 부재(41A), 제2 급전 부재(41B) 및 제3 급전 부재(41C)에는 도 1에 도시한 전원(15A, 15B, 15C)으로부터, 도 3에 도시한 외부 접점부(37), 후술하는 복수의 접속 유닛, 도 4에 도시한 복수의 도전체(38A, 38B, 38C)를 통해, 전류가 공급된다. 제1 급전 부재(41A), 제2 급전 부재(41B) 및 제3 급전 부재(41C)에 공급된 전류는 제1 접점부(43A), 제2 접점부(43B) 및 제3 접점부(43C)로부터 기판(Wf)에 각각 공급된다.
제3 급전 부재(41C)는 기판(Wf)의 코너부 영역에 접촉하도록 구성되는 한편, 기판(Wf)의 코너(변의 교점) 상에는 접촉하지 않는다. 보다 바람직하게는, 제3 급전 부재(41C)는 기판(Wf)의 코너(변의 교점) 근방에는 접촉하지 않도록 배치된다. 여기서, 기판(Wf)의 코너 근방이란, 도 21a 내지 도 21d에 도시한 전장이 집중되기 쉬운 영역을 말하고, 예를 들어 코너(변의 교점)로부터 1변의 길이의 20％의 길이 이내의 범위가 되는 영역을 말한다. 구체적으로는, 예를 들어 기판(Wf)의 코너(변의 교점)로부터 약 1.5㎝의 범위라고 말할 때도 있고, 약 1.0㎝의 범위를 말할 때도 있다. 도 21a 내지 도 21d에 관련하여 설명한 바와 같이, 다각형 기판(Wf)의 코너부 근방은 전장이 집중되는 경향이 있다. 이로 인해, 본 실시 형태의 기판 홀더(30)에서는 제3 급전 부재(41C)가, 기판(Wf)의 코너 이외의 영역에 접촉하도록 구성함으로써, 전장이 집중되기 쉬운 영역에 전류가 흐르기 어렵게 할 수 있다. 바람직하게는, 기판(Wf)의 코너로부터, 기판(Wf)의 1변의 길이의 20％에 상당하는 길이 이내의 범위에 대해서는, 기판(Wf)과 급전 부재(41)가 접촉하지 않는 영역을 형성하면 된다. 여기서, 급전 부재(41)가 기판(Wf)과 접촉하지 않는 영역을, 코너로부터 20％를 초과한 영역으로 하는 경우, 즉, 급전 부재(41)와 기판(Wf)의 접촉부의 코너로부터의 거리가 지나치게 커질 때는, 코너부 부근의 전장 집중이 완화되기 때문에 코너부 부근의 도금막 두께의 집중은 저감된다. 한편, 이 경우, 변 중앙 영역의 도금막 두께는 증가되어 버리므로, 도금막 두께의 균일성을 확보할 수 없게 될 우려가 발생해 버린다.
이어서, 도 3에 도시한 외부 접점부(37)에 대해 상세하게 설명한다. 도 6은 기판 홀더(30)에 설치되는 외부 접점부(37)의 정면도이다. 도 6에 있어서는, 기판 홀더(30)의 아암(35) 부근이 확대되어 있고, 아암(35)이 투과하여 도시되어 있다. 기판 홀더(30)의 외부 접점부(37)는 한 쌍의 제1 외부 접점부(37A, 37A)와, 한 쌍의 제2 외부 접점부(37B, 37B)와, 한 쌍의 제3 외부 접점부(37C, 37C)와, 한 쌍의 제4 외부 접점부(37D, 37D)를 갖는다. 도 6에 있어서는, 각각의 외부 접점부(37) 중, 한쪽만이 도시되어 있다. 제1 외부 접점부(37A)와, 제2 외부 접점부(37B)와, 제3 외부 접점부(37C)와, 제4 외부 접점부(37D)는 서로 전기적으로 독립되어 있고, 각각 다른 전류를 흘릴 수 있다.
기판 홀더(30)는 제1 외부 접점부(37A, 37A)의 각각에 접속되는 한 쌍의 제1 접점 배선(45A, 45A)과, 제2 외부 접점부(37B, 37B)의 각각에 접속되는 한 쌍의 제2 접점 배선(45B, 45B)과, 제3 외부 접점부(37C, 37C)의 각각에 접속되는 한 쌍의 제3 접점 배선(45C, 45C)과, 제4 외부 접점부(37D, 37D)의 각각에 접속되는 한 쌍의 제4 접점 배선(45D, 45D)을 갖는다. 도 6에 있어서는, 각각의 접점 배선 중, 한쪽만이 도시되어 있다. 제1 접점 배선(45A)과, 제2 접점 배선(45B)과, 제3 접점 배선(45C)과, 제4 접점 배선(45D)은 서로 전기적으로 독립되어 있고, 각각 다른 전류를 흘릴 수 있다.
도 7은 도 4에 도시한 보유 지지면(34)의 내부에 설치되는 플레이트를 도시하는 평면도이다. 기판 홀더(30)는 한 쌍의 제1 접점 배선(45A)에 접속되는 제1 플레이트(46A)와, 한 쌍의 제2 접점 배선(45B)에 접속되는 제2 플레이트(46B)와, 한 쌍의 제3 접점 배선(45C)에 접속되는 제3 플레이트(46C)와, 한 쌍의 제4 접점 배선(45D)에 접속되는 제4 플레이트(46D)를 갖는다. 제1 플레이트(46A)와, 제2 플레이트(46B)와, 제3 플레이트(46C)와, 제4 플레이트(46D)는 서로 전기적으로 독립되어 있고, 각각 다른 전류를 흘릴 수 있다.
제1 플레이트(46A)에는 도 4에 도시한 도전체(38A)를 통해 제1 플레이트(46A)와 제1 급전 부재(41A)를 전기적으로 접속하는 제1 급전 배선(47A)이 접속된다. 제2 플레이트(46B)에는 도 4에 도시한 도전체(38B)를 통해 제2 플레이트(46B)와 제2 급전 부재(41B)를 전기적으로 접속하는 제2 급전 배선(47B)이 접속된다. 제3 플레이트(46C)에는 도 4에 도시한 도전체(38C)를 통해 제3 플레이트(46C)와 제3 급전 부재(41C)를 전기적으로 접속하는 제3 급전 배선(47C)이 접속된다. 제4 플레이트(46D)에는 제4 급전 배선(47D)이 접속된다. 본 실시 형태에 있어서는, 제4 외부 접점부(37D, 37D)와, 제4 접점 배선(45D, 45D)과, 제4 플레이트(46D)와, 제4 급전 배선(47D)은 예비의 전류 공급 수단이고, 기판에 전류를 공급하도록 구성되어 있지 않다. 필요에 따라, 제4 급전 배선(47D)을 급전 부재(41) 중 어느 하나에 접속할 수도 있다. 제1 급전 배선(47A)과, 제2 급전 배선(47B)과, 제3 급전 배선(47C)과, 제4 급전 배선(47D)은 서로 전기적으로 독립되어 있고, 각각 다른 전류를 흘릴 수 있다.
도 6 및 도 7에 도시한, 제1 접점 배선(45A), 제1 플레이트(46A) 및 제1 급전 배선(47A)은 제1 외부 접점부(37A)와 제1 급전 부재(41A)를 전기적으로 접속하는 제1 접속 유닛을 구성한다. 또한, 제2 접점 배선(45B), 제2 플레이트(46B) 및 제2 급전 배선(47B)은 제2 외부 접점부(37B)와 제2 급전 부재(41B)를 전기적으로 접속하는 제2 접속 유닛을 구성한다. 마찬가지로, 제3 접점 배선(45C), 제3 플레이트(46C) 및 제3 급전 배선(47C)은 제3 외부 접점부(37C)와 제3 급전 부재(41C)를 전기적으로 접속하는 제3 접속 유닛을 구성한다. 각 접속 유닛은 서로 전기적으로 독립되어 있고, 각각 다른 전류를 흘릴 수 있다.
도 7에 도시한 바와 같이, 제1 플레이트(46A)에는 2개의 제1 접점 배선(45A)이 접속된다. 이에 의해, 2개의 제1 외부 접점부(37A, 37A) 사이에 전기 저항의 차가 있는 경우에도, 2개의 제1 접점 배선(45A)으로부터의 전류가 1개의 제1 플레이트(46A)에 흐르는 것에 의해, 그 전기 저항의 차에 기인하는 2개의 제1 접점 배선(45A)의 전류값의 차를 해소할 수 있다. 제2 플레이트(46B), 제3 플레이트(46C) 및 제4 플레이트(46D)도 동일한 효과를 갖는다.
도 7에 도시하는 실시 형태에서는, 제1 급전 배선(47A)과, 제2 급전 배선(47B)과, 제3 급전 배선(47C)과, 제4 급전 배선(47D)은 각각 1개만이 도시되어 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 급전 부재(41)의 수에 따라, 적절히 배선의 수를 증가시키거나, 배선을 분기시킬 수도 있다.
이상에서 설명한 것 같이, 본 실시 형태에 따른 기판 홀더(30)는 제1 접점부(43A)와, 제2 접점부(43B)와, 제3 접점부(43C)는 기판(Wf)의 변을 따라 대략 직선 형상으로 정렬되므로, 다각형의 기판(Wf)을 보유 지지하고, 기판(Wf)에 전류를 공급할 수 있다.
또한, 기판 홀더(30)는 외부 접점부(37)로부터, 제1 접속 유닛, 제2 접속 유닛 및 제3 접속 유닛을 통해, 제1 급전 부재(41A), 제2 급전 부재(41B) 및 제3 급전 부재(41C)에 각각 다른 값의 전류를 공급할 수 있다. 이로 인해, 후술하는 바와 같이, 기판(Wf)의 주연부에 발생하는 불균일한 터미널 이펙트에 따라, 기판(Wf)의 변 중앙 영역, 중간 영역 및 코너부 영역에 다른 값의 전류를 흘릴 수 있고, 기판(Wf)에 형성되는 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 기판 홀더(30)는 한 쌍의 제1 외부 접점부(37A, 37A)와, 한 쌍의 제2 외부 접점부(37B, 37B)와, 한 쌍의 제3 외부 접점부(37C, 37C)와, 한 쌍의 제4 외부 접점부(37D, 37D)를 갖는 것으로 하고 있지만, 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 각각의 외부 접점부(37)는 하나씩 설치되어도 된다. 또한, 기판 홀더(30)는 제1 외부 접점부(37A), 제2 외부 접점부(37B)와, 제3 외부 접점부(37C)와, 제4 외부 접점부(37D) 중 적어도 하나의 임의의 외부 접점부만을 갖도록 구성되어도 된다. 마찬가지로, 기판 홀더(30)는 제1 접속 유닛, 제2 접속 유닛 및 제3 접속 유닛 중 적어도 하나의 임의의 접속 유닛을 갖도록 구성되어도 된다.
도 8은 기판 홀더(30)의 다른 실시 형태를 도시하는 사시도이다. 도시한 기판 홀더(30)는 도 3에 도시한 기판 홀더(30)에 비해, 보유 지지되는 기판(Wf)의 방향이 다르다. 도시한 바와 같이, 이 기판 홀더(30)는 기판 홀더(30)가 도 2에 도시한 도금조(14)에 현수된 상태에서 기판(Wf)의 코너가 연직 하방에 위치하도록, 기판(Wf)을 보유 지지한다. 이에 의해, 기판 홀더(30)가 도금조(14)로부터 인상되었을 때에, 기판(Wf) 등에 부착된 도금액이 대략 사각형의 개구(40)의 테두리를 따라 하방으로 이동하고, 개구(40)의 하방의 코너부로부터 도금액을 빠르게 제거할 수 있다. 따라서, 기판 홀더(30)를 도금조(14)로부터 인상하여 다음 공정으로 반출할 때에는, 도금조(14) 상에서 빠르게 도금액을 배수할 수 있으므로, 드리핑 등의 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 2에 도시한 도금 유닛(10)에 있어서, 기판(Wf)에 도금을 하는 프로세스에 대해 설명한다. 도 21a 내지 도 21d에 관련하여 설명한 바와 같이, 다각형 기판(Wf)에는 주연부를 따라 불균일한 터미널 이펙트가 발생한다. 이로 인해, 본 발명의 도금 장치에서는 다각형 기판의 각 변을 따라 배치되는 복수의 급전 부재(41)를 갖는 기판 홀더(30)를 사용하여, 제어 장치(17)가 복수의 급전 부재(41) 중 다른 급전 부재에 적어도 2개의 다른 값의 전류를 동시에 공급하도록 구성된다. 이에 의해, 다각형 기판(Wf)의 불균일한 터미널 이펙트에 따라, 다각형 기판(Wf)의 주연부에 적절한 값의 전류를 흘릴 수 있다. 이하에 설명하는 복수의 프로세스로서는, 예시적으로, 3개의 다른 값의 전류를 기판(Wf)에 동시에 흘리는 프로세스(도 9 내지 도 14)와, 2개의 다른 값의 전류를 기판(Wf)에 동시에 흘리는 프로세스(도 15 내지 도 20)가 설명된다. 그러나, 이들의 예로 한정되지 않고, 본 발명의 도금 장치는 4 이상의 다른 값의 전류를 기판(Wf)에 동시에 흘리도록 할 수도 있다. 이 경우에는, 전기 접점에 전류를 흘리기 위한 전원, 외부 접점부(37) 및 접속 유닛(접점 배선, 플레이트 및 급전 배선)의 수가 적절히 조절될 수 있다. 이와 같이, 불균일한 터미널 이펙트에 따라, 기판(Wf)에 국소적으로 다른 값의 전류를 동시에 흘림으로써, 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 9는 기판(Wf)과 급전 부재(41)의 위치 관계를 도시하는 개략도이다. 도 9에 도시하는 예에서는, 기판(Wf)은 사각형이고, 그 4변을 따라 급전 부재(41)가 배치된다. 급전 부재(41)는, 도 5에 관련하여 설명한 바와 같이, 기판(Wf)의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 접촉 가능한 제1 급전 부재(41A)와, 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 접촉 가능한 제2 급전 부재(41B)와, 중간 영역보다도 기판(Wf)의 코너부에 근접한 코너부 영역에 접촉 가능한 제3 급전 부재(41C)를 포함한다.
제1 급전 부재(41A)는 도 2에 도시한 전원(15A)과 전기적으로 접속되고, 전원(15A)에 의해 전압이 인가된다. 여기서, 제1 급전 부재(41A)와 전원(15A)을 포함하는 회로를 회로 A라고 한다. 제2 급전 부재(41B)는 도 2에 도시한 전원(15B)과 전기적으로 접속되고, 전원(15B)에 의해 전압이 인가된다. 여기서, 제2 급전 부재(41B)와 전원(15B)을 포함하는 회로를 회로 B라고 한다. 제3 급전 부재(41C)는 도 2에 도시한 전원(15C)과 전기적으로 접속되고, 전원(15C)에 의해 전압이 인가된다. 여기서, 제3 급전 부재(41C)와 전원(15C)을 포함하는 회로를 회로 C라고 한다.
이어서, 전원(15A, 15B, 15C)이, 회로 A, 회로 B 및 회로 C에 흘리는 전류의 레시피예에 대해 설명한다. 도 10 내지 도 14는 회로 A, 회로 B 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프이다. 각 그래프에 있어서, 횡축은 도금 시간(％)을 나타내고, 종축은 1접점당의 평균 전류값(A)을 나타낸다. 또한, 전원(15A, 15B, 15C)은 도 10 내지 도 14에 도시되는 전류가 회로 A, 회로 B 및 회로 C에 흐르도록, 도 2에 도시한 제어 장치(17)에 의해 제어된다.
도 10에 도시하는 예에서는, 회로 A에는 약 8A, 회로 B에는 약 10A, 회로 C에는 약 1A의 정전류가, 도금 프로세스 전체에 걸쳐서 흐른다. 즉, 회로 A, 회로 B 및 회로 C에는 각각 다른 값의 전류가 흐르도록, 전원(15A, 15B, 15C)이 제어된다.
도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 기판(Wf)의 변 중앙 영역(A1)에는 터미널 이펙트에 의해, 사각형 기판 S1의 변 중앙 영역(A1)에서는, 도금의 초기 단계에서는 전장이 집중되고, 도금이 진행됨에 따라 전류 밀도가 작아진다. 이에 비해, 사각형 기판 S1의 중간 영역(A3)에서는, 도금의 초기 단계에 있어서는 변 중앙 영역(A1)보다도 전류 밀도는 작고, 도금이 진행됨에 따라 변 중앙 영역(A1)과의 차가 작아진다. 따라서, 변 중앙 영역(A1)은 중간 영역(A3)보다도 도금의 막 두께가 커지는 경향이 있다. 한편, 사각형 기판 S1의 코너부 영역(A2)에는 도금의 초기 단계부터 종료 시까지, 전장이 계속해서 집중된다. 이로 인해, 코너부 영역(A2)은 변 중앙 영역(A1) 및 중간 영역(A3)에 비해 막 두께가 커지는 경향이 있다.
이로 인해, 도 10에 도시하는 예에서는, 가장 막 두께가 커지는 경향이 있는 코너부 영역에 접촉하는 제3 급전 부재(41C)(회로 C)에 공급하는 전류의 값을, 다른 회로에 비해 작게 하고 있다. 한편, 중간 영역보다도 전장이 집중되기 쉬운 변 중앙 영역에 접촉하는 제1 급전 부재(41A)(회로 A)에 공급하는 전류의 값을, 회로 B에 비해 작게 하고 있다. 바꿔 말하면, 기판(Wf)의 주연부 중에서 가장 전장이 집중되기 어려운 중간 영역에 접촉하는 제2 급전 부재(41B)(회로 B)에 공급하는 전류의 값을, 다른 회로에 비해 크게 하고 있다.
도 10에 도시한 바와 같이 전원(15A, 15B, 15C)을 제어함으로써, 다각형 기판(Wf)의 터미널 이펙트 및/또는 도금조 구조에 기인하는 전장의 불균일에 의해 발생하는 막 두께의 면내 균일성 악화를 보상하고, 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 11에 도시하는 예에서는, 회로 A에는 도금 시간 50％까지는 약 4A이고 도금 시간 50％부터는 약 8A의 전류가, 회로 B에는 도금 프로세스 전체에 걸쳐서 약 10A의 전류가, 회로 C에는 도금 시간 50％까지는 약 2A이고 도금 시간 50％부터는 약 1A의 전류가 흐른다. 또한, 도 11에서는 각 회로의 전류를 전환하는 타이밍을, 도금 시간 50％로 하고 있지만, 예를 들어 도금 시간 40％, 또는 도금 시간 60％ 등의 다른 수치를 선택할 수도 있다. 여기서, 「도금 시간」이란, (도금 시간)＝100×(경과 시간)/(도금이 완료될 때까지 필요로 하는 시간)으로 계산되는 수치(단위: ％)를 말한다. 따라서, 도금 시간 50％란, 도금이 완료될 때까지 필요로 하는 시간 중, 절반의 시간이 경과한 시점을 말한다.
도 11에 도시하는 예에서는, 도 10에 도시하는 예에 비해, 회로 A 및 회로 C에 흐르는 전류의 값을 도금 도중에 변경하고 있는 점이 다르다. 즉, 회로 A에 흐르는 전류의 값을, 도금 도중에 단계적으로 증가시키고 있다. 도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 기판의 변 중앙 영역(A1)에는 터미널 이펙트에 의해, 사각형 기판 S1의 변 중앙 영역(A1)에서는, 도금의 초기 단계에서는 전장이 집중되고, 도금이 진행됨에 따라 전류 밀도가 작아진다. 이로 인해, 전장이 집중되는 도금의 초기 단계에서는 전류의 값을 비교적 작게 하고, 전류 밀도가 작아지는 도금의 도중 단계에서 전류의 값을 비교적 크게 하고 있다. 이와 같이, 터미널 이펙트에 따라 전류값을 변화시키고 있으므로, 정전류를 계속해서 흘리는 도 10의 예에 비해, 보다 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 11에 도시하는 예에서는 회로 C에 흐르는 전류의 값을, 도금 도중에 감소시키고 있다. 도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 기판의 코너부 영역(A2)에는 도금의 초기 단계부터 종료 시까지 일관하여 전장이 계속해서 집중되지만, 도금 초기 단계에서는 전장의 집중은 다소 작다. 이로 인해, 도금의 초기 단계에서는 전류의 값을 비교적 크게 하고, 전장의 집중이 커지는 도금의 도중 단계에서 전류의 값을 비교적 작게 한다. 이와 같이, 터미널 이펙트의 변화에 따라 전류값을 변화시키고 있으므로, 정전류를 계속해서 흘리는 도 10의 예에 비해, 보다 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 12에 도시하는 예에서는, 회로 A에는 도금 시간 50％까지는 약 4A이고 도금 시간 50％부터는 약 8A의 전류가, 회로 B에는 도금 프로세스 전체에 걸쳐서 약 10A의 전류가, 회로 C에는 도금 시간 50％까지는 0A이고 도금 시간 50％부터는 약 1A의 전류가 흐른다.
도 12에 도시하는 예에서는, 도 11에 도시하는 예에 비해, 도금 시간 50％까지는 회로 C에 전류가 흐르지 않는 점이 다르다. 도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 기판의 코너부 영역(A2)은 변 중앙 영역(A1) 및 중간 영역(A3)에 비해 막 두께가 커지는 경향이 있다. 이로 인해, 도 12에 도시하는 예에서는, 도금 프로세스 중에 회로 C에 전류가 흐르지 않는 시간을 형성함으로써, 코너부 영역(A2)의 막 두께의 증가를 억제할 수 있다. 또한, 도 12에서는, 회로의 전류를 전환하는 타이밍을, 도금 시간 50％로 하고 있지만, 예를 들어 도금 시간 40％, 또는 도금 시간 60％ 등의 다른 수치를 선택할 수도 있다.
도 13에 도시하는 예에서는, 회로 A에는 도금 시간 30％까지는 약 2A, 도금 시간 30％부터 50％까지는 약 4A, 도금 시간 50％부터는 약 8A의 전류가 흐른다. 또한, 회로 B에는 도금 프로세스 전체에 걸쳐서 약 10A의 전류가, 회로 C에는 도금 시간 50％까지는 0A이고 도금 시간 50％부터는 약 1A의 전류가 흐른다.
도 13에 도시하는 예에서는, 도 12에 도시하는 예에 비해, 도금 프로세스가 진행됨에 따라, 회로 A에 흐르는 전류의 값이 다단계로 증가하는 점이 다르다. 도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 변 중앙 영역(A1)에 있어서의 터미널 이펙트는 서서히 변화된다. 즉, 변 중앙 영역(A1)의 전장은 서서히 변화된다. 이로 인해, 도 13에 도시하는 예에서는, 터미널 이펙트의 변화에 따라 회로 A에 흐르는 전류의 값을 다단계로 증가시키고 있으므로, 회로 A에 흐르는 전류의 값이 1단계에서 변화되는 도 12의 예에 비해, 보다 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 도 13에서는 회로 A에 약 8A의 전류가 흐르도록 전류를 전환하는 타이밍을, 도금 시간 50％로 하고 있지만, 예를 들어 도금 시간 40％, 또는 도금 시간 60％ 등의 다른 수치를 선택할 수도 있다.
회로 A의 전류의 값을 다단계로 변화시키는 것과 마찬가지로, 필요에 따라 회로 B 및 회로 C의 전류의 값도 다단계로 변화시켜도 된다. 또한, 회로 A, 회로 B 및 회로 C의 전류의 값을, 다단계가 아니라, 1차 함수와 같이 연속적으로 변화시켜도 된다. 또한, 도 14에 도시하는 예와 같이, 펄스 전류를 회로 A, 회로 B 및 회로 C의 전류에 흘려도 된다.
이상, 사각형의 기판(Wf)에 도금을 하는 프로세스에 대해 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 삼각형, 또는 오각형 이상의 기판(Wf)에도 동일한 프로세스로 도금을 할 수 있다.
이어서, 기판(Wf)에 도금을 하는 다른 프로세스에 대해 설명한다. 도 15는 기판(Wf)과 급전 부재(41)의 위치 관계를 도시하는 개략도이다. 도 15에 도시하는 예에서는, 기판(Wf)은 육각형이고, 그 6변을 따라 급전 부재(41)가 배치된다.
도 15에 도시하는 급전 부재(41)는 기판(Wf)의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 접촉 가능한 제1 급전 부재(41A)와, 기판(Wf)의 코너부에 근접한 코너부 영역에 접촉 가능한 제3 급전 부재(41C)를 포함한다. 즉, 도 5에 도시한 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 접촉 가능한 제2 급전 부재(41B)에 대응하는 급전 부재가 존재하지 않는다.
제1 급전 부재(41A)는 도 2에 도시한 전원(15A)과 전기적으로 접속되고, 전원(15A)에 의해 전압이 인가된다. 여기서, 제1 급전 부재(41A)와 전원(15A)을 포함하는 회로를 회로 A라고 한다. 제3 급전 부재(41C)는 도 2에 도시한 전원(15C)과 전기적으로 접속되고, 전원(15C)에 의해 전압이 인가된다. 여기서, 제3 급전 부재(41C)와 전원(15C)을 포함하는 회로를 회로 C라고 한다.
이어서, 전원(15A, 15C)이 회로 A 및 회로 C에 흘리는 전류의 레시피예에 대해 설명한다. 도 16 내지 도 20은 회로 A 및 회로 C에 흐르는 전류의 레시피예를 도시하는 그래프이다. 각 그래프에 있어서, 횡축은 도금 시간(％)을 나타내고, 종축은 전류 레시피(A)를 나타낸다. 또한, 전원(15A, 15C)은 도 16 내지 도 20에 도시되는 전류가 회로 A 및 회로 C에 흐르도록, 도 2에 도시한 제어 장치(17)에 의해 제어된다.
도 16에 도시하는 예에서는, 회로 A에는 약 8A, 회로 C에는 약 1A의 정전류가 도금 프로세스 전체에 걸쳐서 흐른다. 즉, 회로 A 및 회로 C에는 각각 다른 값의 전류가 흐르도록, 전원(15A, 15B, 15C)이 제어된다.
도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 사각형 기판 S1의 변 중앙 영역(A1)에서는 터미널 이펙트에 의해 도금의 초기 단계에서 전장이 집중되고, 도금이 진행됨에 따라 전류 밀도가 작아진다. 한편, 사각형 기판 S1의 코너부 영역(A2)에는 도금의 초기 단계부터 종료 시까지, 전장이 계속해서 집중된다. 이로 인해, 코너부 영역(A2)은 변 중앙 영역(A1)에 비해 막 두께가 커지는 경향이 있다.
이로 인해, 도 16에 도시하는 예에서는 가장 막 두께가 커지는 경향이 있는 코너부 영역에 접촉하는 제3 급전 부재(41C)(회로 C)에 공급하는 전류의 값을, 회로 A에 비해 작게 하고 있다.
도 16에 도시한 바와 같이 전원(15A, 15C)을 제어함으로써, 다각형 기판(Wf)의 터미널 이펙트 및 도금조 구조에 기인하는 전장의 불균일에 의해 발생하는 막 두께의 면내 균일성의 악화를 보상하고, 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 17에 도시하는 예에서는, 회로 A에는 도금 시간 50％까지는 약 4A이고 도금 시간 50％부터는 약 8A의 전류가, 회로 C에는 도금 시간 50％까지는 약 2A이고 도금 시간 50％부터는 약 1A의 전류가 흐른다.
도 17에 도시하는 예에서는, 도 16에 도시하는 예에 비해, 회로 A 및 회로 C에 흐르는 전류의 값을 도금 도중에 변경하고 있는 점이 다르다. 즉, 회로 A에 흐르는 전류의 값을, 도금 도중에 단계적으로 증가시키고 있다. 도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 사각형 기판 S1의 변 중앙 영역(A1)에서는, 터미널 이펙트에 의해 도금의 초기 단계에서 전장이 집중되고, 도금이 진행됨에 따라 전류 밀도가 작아진다. 이로 인해, 전장이 집중되는 도금의 초기 단계에서는 전류의 값을 비교적 작게 하고, 전류 밀도가 작아지는 도금의 도중 단계에서 전류의 값을 비교적 크게 하고 있다. 터미널 이펙트에 따라 전류값을 변화시키고 있으므로, 정전류를 계속해서 흘리는 도 16의 예에 비해, 보다 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 17에 도시하는 예에서는, 회로 C에 흐르는 전류의 값을, 도금 도중에 감소시키고 있다. 도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 기판의 코너부 영역(A2)에는 도금의 초기 단계부터 종료 시까지 일관되게 전장이 계속해서 집중되지만, 도금 초기 단계에서는 전장의 집중은 다소 작다. 이로 인해, 도금의 초기 단계에서는 전류의 값을 비교적 크게 하고, 전장의 집중이 커지는 도금의 도중 단계에서 전류의 값을 비교적 작게 한다. 터미널 이펙트의 변화에 따라 전류값을 변화시키고 있으므로, 정전류를 계속해서 흘리는 도 16의 예에 비해, 보다 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 18에 도시하는 예에서는, 회로 A에는 도금 시간 50％까지는 약 4A이고 도금 시간 50％부터는 약 8A의 전류가, 회로 C에는 도금 시간 50％까지는 0A이고 도금 시간 50％부터는 약 1A의 전류가 흐른다.
도 18에 도시하는 예에서는, 도 17에 도시하는 예에 비해, 도금 시간 50％까지는 회로 C에 전류가 흐르지 않는 점이 다르다. 도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 기판의 코너부 영역(A2)은 변 중앙 영역(A1) 및 중간 영역(A3)에 비해 막 두께가 커지는 경향이 있다. 이로 인해, 도 18에 도시하는 예에서는 도금 프로세스 중에 회로 C에 전류가 흐르지 않는 시간을 형성함으로써, 코너부 영역(A2)의 막 두께의 증가를 억제할 수 있다.
도 19에 도시하는 예에서는, 회로 A에는 도금 시간 30％까지는 약 2A, 도금 시간 30％부터 50％까지는 약 4A, 도금 시간 50％부터는 약 8A의 전류가 흐른다. 또한, 회로 C에는 도금 시간 50％까지는 0A이고 도금 시간 50％부터는 약 1A의 전류가 흐른다.
도 19에 도시하는 예에서는, 도 18에 도시하는 예에 비해, 도금 프로세스가 진행됨에 따라, 회로 A에 흐르는 전류의 값이 다단계로 증가하는 점이 다르다. 도 21a 내지 도 21c에 관련하여 설명한 바와 같이, 변 중앙 영역(A1)에 있어서의 터미널 이펙트는 서서히 변화된다. 즉, 변 중앙 영역(A1)의 전장은 서서히 변화된다. 이로 인해, 도 19에 도시하는 예에서는, 터미널 이펙트의 변화에 따라 회로 A에 흐르는 전류의 값을 다단계로 증가시키고 있으므로, 회로 A에 흐르는 전류의 값이 1단계로 변화되는 도 18의 예에 비해, 보다 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
회로 A의 전류의 값을 다단계로 변화시키는 것과 마찬가지로, 필요에 따라 회로 C의 전류의 값도 다단계로 변화시켜도 된다. 또한, 회로 A 및 회로 C의 전류의 값을 다단계가 아니라, 1차 함수와 같이 연속적으로 변화시켜도 된다. 또한, 도 20에 도시하는 예와 같이, 펄스 전류를 회로 A 및 회로 C의 전류에 흘려도 된다.
도 15 내지 도 20에 도시한 예에서는, 기판 홀더(30)가, 제1 급전 부재(41A)와 제3 급전 부재(41C)를 갖는 것으로서 설명되어 있다. 그러나, 기판 홀더(30)는 제1 급전 부재(41A)와 제2 급전 부재(41B)를 구비하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우의 회로 A 및 회로 B에 흐르는 전류는 도 10 내지 도 14에 도시한 회로 A 및 회로 B에 흐르는 전류와 마찬가지로 할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명하였지만, 상술한 발명의 실시 형태는 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이고, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않고, 변경, 개량될 수 있음과 함께, 본 발명에는 그 등가물이 포함되는 것은 물론이다. 또한, 상술한 과제의 적어도 일부를 해결할 수 있는 범위, 또는 효과의 적어도 일부를 발휘하는 범위에 있어서, 특허 청구의 범위 및 명세서에 기재된 각 구성 요소의 임의의 조합, 또는 생략이 가능하다.
10 : 도금 유닛
15A, 15B, 15C : 전원
17 : 제어 장치
30 : 기판 홀더
34 : 보유 지지면
37 : 외부 접점부
37A : 제1 외부 접점부
37B : 제2 외부 접점부
37C : 제3 외부 접점부
41 : 급전 부재
41A : 제1 급전 부재
41B : 제2 급전 부재
41C : 제3 급전 부재
43A : 제1 접점부
43B : 제2 접점부
43C : 제3 접점부
45A : 제1 접점 배선
45B : 제2 접점 배선
45C : 제3 접점 배선
46A : 제1 플레이트
46B : 제2 플레이트
46C : 제3 플레이트
47A : 제1 급전 배선
47B : 제2 급전 배선
47C : 제3 급전 배선
A1 : 변 중앙 영역
A2 : 코너부 영역
A3 : 중간 영역
Wf : 다각형 기판

Claims (36)

  1. 애노드를 보유 지지하도록 구성되는 애노드 홀더와,
    다각형 기판을 보유 지지하도록 구성되는 기판 홀더와,
    상기 애노드 홀더 및 상기 기판 홀더를 수용하고, 상기 애노드 및 상기 기판을 도금액에 침지하기 위한 도금조와,
    상기 애노드와 상기 기판 사이에 흐르는 전류를 제어하기 위한 제어 장치를 갖고,
    상기 기판 홀더는, 상기 다각형 기판의 변을 따라 배치되는 복수의 급전 부재를 갖고,
    상기 제어 장치는, 상기 다각형 기판의 주연부에 전류가 집중되는 터미널 이펙트가 상기 다각형 기판의 전체 주위에 걸쳐서 균일하게 발생하도록 하기 위해, 상기 다각형 기판의 변을 따라 배치되는 상기 복수의 급전 부재에 적어도 2개의 다른 값의 전류가 동시에 공급되도록, 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 급전 부재는, 상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 접촉 가능한 제1 급전 부재와, 상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 접촉 가능한 제2 급전 부재 또는 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 접촉 가능한 제3 급전 부재를 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재 또는 상기 제3 급전 부재에, 각각 다른 값의 전류를 공급하도록, 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 급전 부재는, 상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 접촉 가능한 제1 급전 부재와, 상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 접촉 가능한 제2 급전 부재 및 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 접촉 가능한 제3 급전 부재를 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재와, 상기 제3 급전 부재에, 각각 다른 값의 전류를 공급하도록, 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제2 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 커지도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제어 장치는, 도금 개시 시에 제1 값의 전류가 상기 제1 급전 부재에 공급되고, 그 후 상기 제1 값보다도 큰 제2 값의 전류가 상기 제1 급전 부재에 공급되도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류가, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 단계적으로 증가하도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류가, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 연속적으로 증가하도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제3 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 작아지도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  9. 제2항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 급전 부재는, 상기 다각형 기판의 변의 교점 이외의 영역에 접촉하도록 구성되는, 도금 장치.
  10. 애노드와 다각형 기판 사이에 전류를 흘려서 상기 다각형 기판에 도금하는 방법이며,
    상기 다각형 기판의 변을 따라 복수의 급전 부재를 접촉시키는 공정과,
    상기 애노드와, 상기 다각형 기판을 도금액에 침지하는 공정과,
    상기 다각형 기판의 주연부에 전류가 집중되는 터미널 이펙트가 상기 다각형 기판의 전체 주위에 걸쳐서 균일하게 발생하도록 하기 위해, 상기 다각형 기판의 변을 따라 배치되는 상기 복수의 급전 부재에, 적어도 2개의 다른 값의 전류를 동시에 공급하는 공정을 갖는 도금 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 복수의 급전 부재를 접촉시키는 공정은,
    상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 제1 급전 부재를 접촉시키는 공정과,
    상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 제2 급전 부재를 접촉시키거나, 또는 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 제3 급전 부재를 접촉시키는 공정을 포함하고,
    상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재 또는 상기 제3 급전 부재에, 각각 다른 값의 전류를 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 복수의 급전 부재를 접촉시키는 공정은,
    상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 제1 급전 부재를 접촉시키는 공정과,
    상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 제2 급전 부재를 접촉시키고, 또한 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 제3 급전 부재를 접촉시키는 공정을 포함하고,
    상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재와, 상기 제3 급전 부재에, 각각 다른 값의 전류를 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제2 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 커지도록, 상기 제1 급전 부재 및 상기 제2 급전 부재에 전류를 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 도금 개시 시에 제1 값의 전류를 상기 제1 급전 부재에 공급하고, 그 후 상기 제1 값보다도 큰 제2 값의 전류를 상기 제1 급전 부재에 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류를, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 단계적으로 증가시키는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류를, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 연속적으로 증가시키는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제3 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 작아지도록, 상기 제1 급전 부재 및 상기 제3 급전 부재에 전류를 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 다각형 기판의 상기 코너부에 근접하는 영역에 제3 급전 부재를 접촉시키는 공정은, 상기 제3 급전 부재를 상기 다각형 기판의 변의 교점 이외의 영역에 접촉시키는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  19. 애노드를 보유 지지하도록 구성되는 애노드 홀더와,
    다각형 기판을 보유 지지하도록 구성되는 기판 홀더와,
    상기 애노드 홀더 및 상기 기판 홀더를 수용하고, 상기 애노드 및 상기 기판을 도금액에 침지하기 위한 도금조와,
    상기 애노드와 상기 기판 사이에 흐르는 전류를 제어하기 위한 제어 장치를 갖고,
    상기 기판 홀더는, 상기 다각형 기판의 변을 따라 직선 형상으로 배치되는 복수의 급전 부재를 갖고,
    상기 제어 장치는, 상기 다각형 기판의 주연부에 전류가 집중되는 터미널 이펙트가 상기 다각형 기판의 전체 주위에 걸쳐서 균일하게 발생하도록 하기 위해, 상기 다각형 기판의 변을 따라 직선 형상으로 배치되는 상기 복수의 급전 부재에 적어도 2개의 다른 값의 전류가 공급되도록, 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 급전 부재는, 상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 접촉 가능한 제1 급전 부재와, 상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 접촉 가능한 제2 급전 부재 또는 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 접촉 가능한 제3 급전 부재를 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재 또는 상기 제3 급전 부재에, 각각 다른 값의 전류를 공급하도록, 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 급전 부재는, 상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 접촉 가능한 제1 급전 부재와, 상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 접촉 가능한 제2 급전 부재 및 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 접촉 가능한 제3 급전 부재를 포함하고,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재와, 상기 제3 급전 부재에, 각각 다른 값의 전류를 공급하도록, 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제2 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 커지도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  23. 제20항에 있어서, 상기 제어 장치는, 도금 개시 시에 제1 값의 전류가 상기 제1 급전 부재에 공급되고, 그 후 상기 제1 값보다도 큰 제2 값의 전류가 상기 제1 급전 부재에 공급되도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류가, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 단계적으로 증가하도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  25. 제23항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류가, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 연속적으로 증가하도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  26. 제20항에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 제3 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 작아지도록, 상기 전류를 제어할 수 있게 구성된, 도금 장치.
  27. 제20항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 급전 부재는, 상기 다각형 기판의 변의 교점 이외의 영역에 접촉하도록 구성되는, 도금 장치.
  28. 애노드와 다각형 기판 사이에 전류를 흘려서 상기 다각형 기판에 도금하는 방법이며,
    상기 다각형 기판의 변에 직선 형상을 따라 복수의 급전 부재를 접촉시키는 공정과,
    상기 애노드와, 상기 다각형 기판을 도금액에 침지하는 공정과,
    상기 다각형 기판의 주연부에 전류가 집중되는 터미널 이펙트가 상기 다각형 기판의 전체 주위에 걸쳐서 균일하게 발생하도록 하기 위해, 상기 다각형 기판의 변을 따라 직선 형상으로 배치되는 상기 복수의 급전 부재에, 적어도 2개의 다른 값의 전류를 공급하는 공정을 갖는 도금 방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 복수의 급전 부재를 접촉시키는 공정은,
    상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 제1 급전 부재를 접촉시키는 공정과,
    상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 제2 급전 부재를 접촉시키거나, 또는 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 제3 급전 부재를 접촉시키는 공정을 포함하고,
    상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재 또는 상기 제3 급전 부재에, 각각 다른 값의 전류를 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  30. 제28항에 있어서, 상기 복수의 급전 부재를 접촉시키는 공정은,
    상기 다각형 기판의 변의 중앙부를 포함하는 변 중앙 영역에 제1 급전 부재를 접촉시키는 공정과,
    상기 변 중앙 영역에 인접하는 중간 영역에 제2 급전 부재를 접촉시키고, 또한 상기 중간 영역보다도 상기 다각형 기판의 코너부에 근접하는 영역에 제3 급전 부재를 접촉시키는 공정을 포함하고,
    상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재와, 상기 제2 급전 부재와, 상기 제3 급전 부재에, 각각 다른 값의 전류를 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제2 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 커지도록, 상기 제1 급전 부재 및 상기 제2 급전 부재에 전류를 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  32. 제29항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 도금 개시 시에 제1 값의 전류를 상기 제1 급전 부재에 공급하고, 그 후 상기 제1 값보다도 큰 제2 값의 전류를 상기 제1 급전 부재에 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류를, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 단계적으로 증가시키는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  34. 제32항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류를, 상기 제1 값으로부터 상기 제2 값으로 연속적으로 증가시키는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  35. 제29항에 있어서, 상기 전류를 공급하는 공정은, 상기 제3 급전 부재에 흐르는 전류의 값이, 상기 제1 급전 부재에 흐르는 전류의 값보다도 작아지도록, 상기 제1 급전 부재 및 상기 제3 급전 부재에 전류를 공급하는 공정을 포함하는, 도금 방법.
  36. 제29항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다각형 기판의 상기 코너부에 근접하는 영역에 제3 급전 부재를 접촉시키는 공정은, 상기 제3 급전 부재를 상기 다각형 기판의 변의 교점 이외의 영역에 접촉시키는 공정을 포함하는, 도금 방법.
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