KR102382343B1 - 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치와, 그 장치를 갖는 챔버 - Google Patents

반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치와, 그 장치를 갖는 챔버 Download PDF

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Abstract

반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치(fall-proof apparatus)가 제공된다. 상기 낙하방지 장치는, 캐리어(101)와 연결하는 노즐(102); 상기 캐리어(101) 상에 고정하는 메가소닉/울트라소닉 장치(megasonic/ultrasonic device)(105); 및 상기 메가소닉/울트라소닉 장치(105)가 느슨하여 낙하하는지의 여부를 결정하도록 상기 메가소닉/울트라소닉 장치(105)와 상기 캐리어(101) 사이의 거리를 검출하는 센서(104)를 포함한다. 상기 메가소닉/울트라소닉 장치는 세정 공정 동안에 상기 노즐과 함께 작동한다. 또한, 상기 낙하방지 장치를 갖는 챔버가 제공된다.

Description

반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치와, 그 장치를 갖는 챔버{A FALL-PROOF APPARATUS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A CHAMBER WITH THE APPARATUS}
본 발명은 일반적으로 낙하방지 장치와, 상기 낙하방지 장치를 갖는 챔버에 관한 것이다. 더욱 상세하게, 반도체 장치 상에 메가소닉/울트라소닉 장치를 적용함으로써 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치에 관한 것이다.
과학 및 기술의 발전으로, 반도체 세정 공정은 나날이 성장하고 있다. 종래의 기계식 세정 공정과는 달리, 다수의 진보한 첨단 기술의 세정 장치 및 장비는 반도체 제조 및 처리 시장에서 그 존재를 실감하게 한다. 최선책 중 하나로서, 메가소닉/울트라소닉 장치를 갖는 장치 및 장비가 크게 추천된다.
메가소닉/울트라소닉 장치는 진보한 첨단 기술의 세정 장치 및 장비를 위한 핵심 유닛이다. 메가소닉/울트라소닉 장치는 항상 노즐과 함께 작동한다. 세정 공정 동안에, 고주파수 진동 영향 및 화학 반응 하에서, 메가소닉/울트라소닉파에 의해 유도되는 세정액의 분자는 매우 높은 속도로 반도체 장치의 표면과 계속하여 충돌하고, 그에 의해 입자 및 작은 오염물이 제거되어 세정액 내에 분해될 수 있다.
진보한 첨단 기술의 세정 장치 및 장비를 위한 핵심 유닛 중 하나로서, 메가소닉/울트라소닉 장치는 대형이고 중량이 클 수 있다. 일반적으로, 메가소닉/울트라소닉 장치는 캐리어 상에 고정되어, 캐리어와 함께 세정액 내로 이동한다. 세정 공정 동안에, 메가소닉/울트라소닉 장치는 반도체 장치 위에 위치되어, 반도체 장치를 향해 메가소닉/울트라소닉파를 보낸다. 장기간 사용을 통해, 메가소닉/울트라소닉 장치가 캐리어와 확고하게 고정되지 않거나, 또는 메가소닉/울트라소닉 장치와 캐리어 사이의 고정이 느슨하게 되면, 메가소닉/울트라소닉 장치는 낙하하여 아래의 반도체 장치를 조각으로 부술 것이다. 한편, 메가소닉/울트라소닉 장치는 세정 공정 동안에 계속하여 이동하여, 메가소닉/울트라소닉 장치가 낙하하는 위험을 증가시킨다. 알려진 바와 같이, 반도체 장치는 수천 달러 이상의 비용이 든다. 따라서, 이러한 사고가 잘 제어되지 않으면, 제조사 및 공급자에게 큰 비용이 될 것이다.
더욱이, 장기간 사용 후에, 입자 및 작은 오염물이 메가소닉/울트라소닉 장치 또는 다른 유닛 상에 생성될 수 있다. 따라서, 메가소닉/울트라소닉 장치는 챔버 내에서 종종 세정될 필요가 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치(fall-proof apparatus)가 제공된다. 상기 낙하방지 장치는, 캐리어와 연결하는 노즐; 상기 캐리어 상에 고정하며, 세정 공정 동안에 상기 노즐과 함께 작동하는 메가소닉/울트라소닉 장치(megasonic/ultrasonic device); 및 상기 메가소닉/울트라소닉 장치가 느슨하여 낙하하는지의 여부를 결정하도록 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리를 검출하는 센서를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 챔버가 제공된다. 상기 챔버는, 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치로서, 캐리어와 연결하는 노즐; 상기 캐리어 상에 고정하며, 세정 공정 동안에 상기 노즐과 함께 작동하는 메가소닉/울트라소닉 장치; 및 상기 메가소닉/울트라소닉 장치가 느슨하여 낙하하는지의 여부를 결정하도록 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리를 검출하는 센서를 포함하는, 상기 낙하방지 장치; 상기 반도체 장치를 보유하고 회전시키기 위한 척; 상기 반도체 장치 위로 전후 방향으로 스윙하고, 상기 반도체 장치를 세정하도록 화학 액체 또는 가스를 분무하는 스윙-분무 헤드(swing-spray head); 및 상기 스윙-분무 헤드 또는 상기 메가소닉/울트라소닉 장치를 플러싱 또는 세정하기 위한 적어도 2개의 트레이를 포함한다.
본 발명은 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치를 제공한다. 더욱이, 상기 낙하방지 장치를 갖는 챔버도 본 발명에 제공된다. 첨부한 도면과 함께 취해진 하기의 상세한 설명으로부터 다른 목적 및 특징이 명백해질 것이다. 그러나, 도면은 단지 예시를 위해 제공되며, 본 발명의 제한에 대한 정의로서 의도되지 않는다.
도 1a-1b는 반도체 장치를 세정하기 위한 일 예시적인 낙하방지 장치를 도시한 도면,
도 2a-2b는 반도체 장치를 세정하기 위한 일 예시적인 낙하방지 장치의 저면도,
도 3은 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치의 일 예시적인 메가소닉/울트라소닉 장치를 도시한 도면,
도 4는 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치의 일 예시적인 센서를 도시한 도면,
도 5a-5b는 본 발명의 일 예시적인 챔버를 도시한 도면,
도 6은 챔버의 일 예시적인 트레이를 도시한 도면,
도 7은 챔버의 반도체 장치를 세정하기 위한 일 예시적인 낙하방지 장치를 도시한 도면,
도 8은 챔버의 일 예시적인 메가소닉/울트라소닉 장치를 도시한 도면,
도 9는 챔버의 일 예시적인 센서를 도시한 도면.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 기술한다. 기술된 본 발명의 실시예는 하기의 상세한 설명에 개시된 정확한 형태로 본 발명을 제한하지 않는다.
도 1a-1b는 반도체 장치를 세정하기 위한 일 예시적인 낙하방지 장치를 도시한다. 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치는 캐리어(101)와 연결하는 노즐(102); 캐리어(101) 상에 고정하며, 세정 공정 동안에 노즐(102)과 함께 작동하는 메가소닉/울트라소닉 장치(105); 및 메가소닉/울트라소닉 장치(105)가 느슨하여 낙하하는지의 여부를 결정하도록 메가소닉/울트라소닉 장치(105)와 캐리어(101) 사이의 거리를 검출하는 센서(104)를 포함한다. 또한, 낙하방지 장치는, 낙하방지 장치를 이동하게 구동하는 스윙 아암(103)을 포함한다.
도 2a-2b는 반도체 장치를 세정하기 위한 일 예시적인 낙하방지 장치의 저면도를 도시한다. 도 2a를 참조하면, 메가소닉/울트라소닉 장치(105)가 팬(fan) 형상이므로, 둥근 반도체 장치에 맞춰질 수 있음을 알 수 있다. 그리고, 도 2b를 참조하면, 반도체 장치를 세정하기 위한 일 예시적인 낙하방지 장치가 도시되며, 이러한 낙하방지 장치의 메가소닉/울트라소닉 장치(105)는 제거되어 있다. 따라서, 센서(104)가 캐리어(101) 상에 고정되어, 메가소닉/울트라소닉 장치(105)와 캐리어(101) 사이에 위치됨을 알 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 센서의 출력, 예컨대 센서 판독은 메가소닉/울트라소닉 장치(105)와 캐리어(101) 사이의 거리에 비례한다. 또한, 메가소닉/울트라소닉 장치(105)와 캐리어(101) 사이의 거리가 최소이면, 센서의 출력, 예컨대 센서 판독은 "0"이다. 일 실시예에서, 센서(104)는 0.01mm의 정확도 또는 더 높은 정확도를 갖는다.
일 실시예에서, 낙하방지 장치는 센서(104)와 연결하는 자동 알람을 더 포함한다. 자동 알람은 센서의 출력이 프리셋 임계값(preset threshold)을 초과하면 트리거(trigger)될 것이며, 이는 작업자에게 메가소닉/울트라소닉 장치(105)를 고정하도록 다시 알려줄 수 있다. 이러한 수단에 의해, 메가소닉/울트라소닉 장치(105)는 반도체 장치를 아래로 부서지게 낙하하는 가능성을 낮출 것이다.
도 3은 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치의 일 예시적인 메가소닉/울트라소닉 장치를 도시한다. 일 실시예에서, 메가소닉/울트라소닉 장치(105)는, 메가소닉/울트라소닉 장치(105)와 캐리어(101) 사이의 거리를 조절할 수 있는 적어도 한 쌍의 나사와 너트에 의해 캐리어(101)의 하측부 상에 고정된다. 일 실시예에서, 메가소닉/울트라소닉 장치(105) 상에 삼각형 방식으로 분포된 3쌍의 나사 및 너트(108)가 있다. 메가소닉/울트라소닉 장치(105)와 캐리어(101) 사이의 거리는 적어도 한 쌍의 나사와 너트(108)를 느슨하게 하거나 또는 조임으로써 조절될 수 있다. 센서(104)는 나사와 너트(108)의 손실에 의해 야기되는 메가소닉/울트라소닉 장치(105)의 위치 변경을 검출하는데 이용된다. 모든 3쌍의 나사와 너트 중 일부의 손실은 메가소닉/울트라소닉 장치(105)의 위치 변경을 야기할 수 있다. 센서(104)는 메가소닉/울트라소닉 장치(105)와 캐리어(101) 사이의 거리를 검출하고, 그 거리는 센서(104)의 출력으로 나타내며 나사와 너트를 조절하기 위한 기준으로서 이용된다. 즉, 적어도 한 쌍의 나사와 너트는 센서의 출력에 따라서 느슨해지거나 또는 조여진다. 또한, 세정 공정에서, 세정액이 노즐(102)로부터 반도체 장치로 흘러나와서, 메가소닉/울트라소닉 장치(105)는 세정액 내에 침지되어 메가소닉/울트라소닉파를 생성하기 위해 이용된다.
도 4는 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치의 일 예시적인 센서를 도시한다. 도 4를 참조하면, 일 실시예에서, 센서(104)는 측정 단부(106)와 고정 단부(107)를 포함하는 압력 센서이며, 상기 고정 단부(107)는 캐리어(101) 상에 고정되고, 상기 측정 단부(106)는 리트랙터블(retractable)하며 메가소닉/울트라소닉 장치(105) 의해 견고하게 눌러진다. 압력 센서는 메가소닉/울트라소닉 장치(105)가 느슨해져 낙하하는지의 여부를 판단하도록 측정 단부(106)의 팽창량을 검출한다.
또 다른 실시예에서, 센서(104)는 광센서이다. 광센서는 메가소닉/울트라소닉 장치(105)를 향해 광신호를 방출하여, 광신호의 왕복을 위해 취해진 시간을 연산하도록 반사된 광신호를 수용한다. 이러한 수단에 의해, 캐리어(101)와 메가소닉/울트라소닉 장치(105) 사이의 거리가 검출될 수 있다.
일 실시예에서, 센서(104)는 전기 센서이다. 전기 센서는 전기 변수의 변화를 모니터링함으로써 캐리어(101)와 메가소닉/울트라소닉 장치(105) 사이의 거리를 검출할 수 있다.
도 5a-도 9를 참조하면, 본 발명의 챔버가 제공된다.
도 5a-5b는 본 발명의 일 예시적인 챔버를 도시한다.
도 5a-5b를 참조하면, 상기 챔버는 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치(500)를 포함하며, 상기 낙하방지 장치(500)는 캐리어(501)와 연결하는 노즐(502); 캐리어(501) 상에 고정하며, 세정 공정 동안에 노즐(502)과 함께 작동하는 메가소닉/울트라소닉 장치(505); 및 메가소닉/울트라소닉 장치(505)가 느슨하여 낙하하는지의 여부를 결정하도록 메가소닉/울트라소닉 장치(505)와 캐리어(501) 사이의 거리를 검출하는 센서(504)를 포함하는, 상기 낙하방지 장치; 반도체 장치(510)를 보유하고 회전시키기 위한 척(509); 반도체 장치(510) 위로 전후 방향으로 스윙하고, 반도체 장치(510)를 세정하도록 화학 액체 또는 가스를 분무하는 스윙-분무 헤드(512); 및 스윙-분무 헤드(512) 또는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 플러싱 또는 세정하기 위한 적어도 2개의 트레이(513)를 포함한다. 낙하방지 장치(500)는 스윙 아암(503)과 수직방향 액추에이터(508)를 더 포함한다. 스윙 아암(503)은 낙하방지 장치(500)가 이동하게 구동한다. 그리고, 수직방향 액추에이터(508)는 낙하방지 장치(500)가 상하 이동하게 구동한다. 척(509)은 세정 공정 동안에 반도체 장치(510)가 회전하게 구동한다. 그리고, 몇 개의 클램핑 요소(511)는 반도체 장치(510)가 이동하는 것을 방지하기 위해 척(509) 상에 그리고 반도체 장치(510) 둘레에 분포된다.
세정 공정 동안에, 스윙-분무 헤드(512)는 반도체 장치(510) 위에 있는 작동 위치 내에서 전후 방향으로 스윙하여, 반도체 장치(510) 상에 화학 액체를 우선 분무한다. 그 후, 스윙-분무 헤드(512)가 아이들 위치로 구동되는 한편, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 작동 위치로 구동된다. 노즐(502)은 반도체 장치(510) 상에 화학 액체의 분무를 작동 위치에서 계속하고, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 수직방향 액추에이터(508)에 의해 아래로 구동되어 반도체 장치(505)를 세정하기 위한 메가소닉/울트라소닉파를 생성하도록 화학 액체 내에 침지된다. 메가소닉/울트라소닉파는 화학 액체 내에서 전파하여 진동하는 한편, 척(509)은 세정 공정 동안에 반도체 장치(510)를 회전하게 구동한다. 이러한 수단에 의해, 반도체 장치(510)는 세정 공정에서 세정될 수 있다.
당업자에게 알려진 바와 같이, 장기간 사용 후에, 입자 및 작은 오염물이 메가소닉/울트라소닉 장치(505)와 노즐(502) 상에 생성될 수 있다. 따라서, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)와 노즐(502)은 그 아이들 시간 동안에 챔버 내에사 자주 세정될 필요가 있다. 이에 따라, 스윙-분무 헤드(512) 또는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 플러싱 또는 세정하기 위한 적어도 2개의 트레이(513)가 챔버 내에 제공된다.
도 5a를 참조하면, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)가 작동하고 있는 한편, 스윙-분무 헤드(512)는 제2 아이들 위치에 머무르고 있고, 스윙-분무 헤드(512)는 트레이(513a) 위에 유지하는 것을 알 수 있다.
도 5b를 참조하면, 스윙-분무 헤드(512)가 작동하고 있는 한편, 스윙 아암(503)은 제1 아이들 위치에 머무르고 있고, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 트레이(513b) 위에 유지하는 것을 알 수 있다.
적어도 2개의 트레이(513), 즉 트레이(513a)와 트레이(513b)의 형상은 스윙-분무 헤드(512)와 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 매칭하도록 서로 상이할 수 있다. 도 6을 참조하면, 본 챔버의 일 예시적인 트레이(513)가 제공된다. 트레이(513)는 내부 트레이(516)와 외부 트레이(515)를 포함하며, 상기 내부 트레이(516)는 상기 외부 트레이(515) 내에 배치되어 외부 트레이(515)보다 더 낮은 측벽을 갖는다. 내부 트레이(516)와 외부 트레이(515) 양자는 드레인 출구(517)를 각각 갖는다. 또한, 트레이(513)는 스윙-분무 헤드(512) 또는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 액체 토출에 의해 플러싱 또는 세정하기 위한 토출 헤드(518)를 갖는다.
일부 경우에, 스윙-분무 헤드(512)와 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 세정 공정을 시작하기 전에 플러싱될 필요가 있다. 스윙-분무 헤드(512)와 메가소닉/울트라소닉 장치(505)로부터 분무된 화학 액체가 세정 공정의 시작시에 공정 요건을 만족할 수 없기 때문에, 몇몇의 기술적 변수, 예컨대 온도, 유량 등이 매우 안정되지 않아서, 세정 공정을 시작하기 전에 스윙-분무 헤드(512)와 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 플러싱할 필요가 있다.
스윙-분무 헤드(512)와 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 플러싱하기 위해, 스윙-분무 헤드(512) 또는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 하나의 트레이(513)의 상부로 유도되어, 일정 시간 동안에 트레이(513) 내에 화학 액체를 분무한다. 또한, 노즐(502)과 스윙-분무 헤드(512)는 상대 기술적 변수를 검출하도록 모니터링 시스템에 연결된다. 스윙-분무 헤드(512)와 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 화학 액체가 공정 요건을 만족할 때까지 작동 위치로 다시 유도될 것이다. 일부 경우에, 스윙 아암(503)이 굴곡하고 있으면, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)와 반도체 장치(510) 사이의 거리는 세정 공정 동안에 너무 근접하여, 반도체 장치(510)를 부술 수 있다. 따라서, 적어도 한 쌍의 변환기(transducers)(514)가 트레이(513b)의 양측부 상에 수평방향으로 배치되어, 광신호를 송수신함으로써 스윙 아암(503)이 굴곡하고 있는지의 여부를 검출한다. 일 실시예에서, 변환기(514)는 레이저 변환기이다. 스윙 아암(503)이 아이들 위치로 돌아간 후에, 적어도 한 쌍의 변환기(514)가 광신호를 수신할 수 없다면, 이는 스윙 아암(503)이 굴곡하고 있어서 교체 또는 보수될 필요가 있음을 의미한다. 이와는 달리, 적어도 한 쌍의 변환기(514)가 정상적으로 광신호를 수신할 수 있다면, 이는 스윙 아암(503)이 수평방향임을 의미한다.
스윙-분무 헤드(512)와 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 세정하기 위해, 스윙-분무 헤드(512) 또는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 하나의 트레이(513)의 상부로 유도된다. 토출 헤드(518)는 스윙-분무 헤드(512) 또는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 세정하기 위해 스윙-분무 헤드(512) 또는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 향해 세정액을 분무한다. 그리고, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 수직방향 액추에이터(508)에 의해 아래로 이동되게 구동되어 세정액 내에 침지한다. 따라서, 입자 및 오염물이 이러한 액체 토출에 의해 제거될 것이다. 일 실시예에서, 세정액은 DIW이다. 도 6을 참조하면, 토출 헤드(518)는 내부 트레이(516) 내에 있고, 내부 트레이(516)는 외부 트레이(515)보다 낮은 측벽을 가짐을 알 수 있다. 따라서, 내부 트레이(516)가 세정액으로 충전되면, 초과된 세정액은 외부 트레이(515) 내로 넘쳐 흐를 것이다. 이러한 수단에 의해, 내부 트레이(516) 내의 세정액은 깨끗하게 유지되어 작동되며, 이는 스윙-분무 헤드(512) 또는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 세정하게 한다. 또한, 내부 트레이(516)와 외부 트레이(515) 양자는 세정액을 흘려보내기 위한 드레인 출구(517)를 각각 갖는다.
도 7은 챔버의 반도체 장치를 세정하기 위한 일 예시적인 낙하방지 장치를 도시한다. 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치는, 캐리어(501)와 연결하는 노즐(502); 캐리어(501) 상에 고정하며, 세정 공정 동안에 노즐(502)과 함께 작동하는 메가소닉/울트라소닉 장치(505); 및 메가소닉/울트라소닉 장치(505)가 느슨하여 낙하하는지의 여부를 결정하도록 메가소닉/울트라소닉 장치(505)와 캐리어(501) 사이의 거리를 검출하는 센서(504)를 포함한다. 또한, 낙하방지 장치는, 낙하방지 장치를 이동하게 구동하는 스윙 아암(503)을 포함한다. 일 실시예에서, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 팬 형상이므로, 둥근 반도체 장치(510)에 맞춰질 수 있다. 센서(504)는 캐리어(501) 상에 고정되어, 메가소닉/울트라소닉 장치와 캐리어(501) 사이에 위치된다.
본 발명의 일 실시예에서, 센서의 출력, 예컨대 센서 판독은 메가소닉/울트라소닉 장치(505)와 캐리어(501) 사이의 거리에 비례한다. 또한, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)와 캐리어(501) 사이의 거리가 최소이면, 센서의 출력, 예컨대 센서 판독은 "0"이다. 일 실시예에서, 센서(504)는 0.01mm의 정확도 또는 더 높은 정확도를 갖는다.
일 실시예에서, 낙하방지 장치는 센서(504)와 연결하는 자동 알람을 더 포함한다. 자동 알람은 센서의 출력이 프리셋 임계값을 초과하면 트리거될 것이며, 이는 작업자에게 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 고정하도록 다시 알려줄 수 있다. 이러한 수단에 의해, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 반도체 장치를 아래로 부서지게 낙하하는 가능성을 낮출 것이다.
도 8은 챔버의 일 예시적인 메가소닉/울트라소닉 장치를 도시한다. 일 실시예에서, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는, 메가소닉/울트라소닉 장치와 캐리어 사이의 거리를 조절할 수 있는 적어도 한 쌍의 나사와 너트에 의해 캐리어(501)의 하측부 상에 고정된다. 일 실시예에서, 메가소닉/울트라소닉 장치(505) 상에 삼각형 방식으로 분포된 3쌍의 나사 및 너트(519)가 있다. 메가소닉/울트라소닉 장치(505)와 캐리어(501) 사이의 거리는 적어도 한 쌍의 나사와 너트(519)를 느슨하게 하거나 또는 조임으로써 조절될 수 있다. 센서(504)는 나사와 너트(519)의 손실에 의해 야기되는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)의 위치 변경을 검출하는데 이용된다. 모든 3쌍의 나사와 너트 중 일부의 손실은 메가소닉/울트라소닉 장치(505)의 위치 변경을 야기할 수 있다. 센서(504)는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)와 캐리어(501) 사이의 거리를 검출하고, 그 거리는 센서(504)의 출력으로 나타내며 나사와 너트를 조절하기 위한 기준으로서 이용된다. 즉, 적어도 한 쌍의 나사와 너트는 센서의 출력에 따라서 느슨해지거나 또는 조여진다. 또한, 세정 공정에서, 세정액이 노즐(502)로부터 반도체 장치로 흘러나와서, 메가소닉/울트라소닉 장치(505)는 세정액 내에 침지되어 메가소닉/울트라소닉파를 생성하기 위해 이용된다.
도 9는 챔버의 일 예시적인 센서를 도시한다. 도 9를 참조하면, 일 실시예에서, 센서(504)는 측정 단부(506)와 고정 단부(507)를 포함하는 압력 센서이며, 상기 고정 단부(507)는 캐리어(501) 상에 고정되고, 상기 측정 단부(506)는 리트랙터블하며 메가소닉/울트라소닉 장치(505) 의해 견고하게 눌러진다. 압력 센서는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)가 느슨해져 낙하하는지의 여부를 판단하도록 측정 단부(506)의 팽창량을 검출한다.
또 다른 실시예에서, 센서(504)는 광센서이다. 광센서는 메가소닉/울트라소닉 장치(505)를 향해 광신호를 방출하여, 광신호의 왕복을 위해 취해진 시간을 연산하도록 반사된 광신호를 수용한다. 이러한 수단에 의해, 캐리어(501)와 메가소닉/울트라소닉 장치(505) 사이의 거리가 검출될 수 있다.
일 실시예에서, 센서(504)는 전기 센서이다. 전기 센서는 전기 변수의 변화를 모니터링함으로써 캐리어(501)와 메가소닉/울트라소닉 장치(505) 사이의 거리를 검출할 수 있다.
본 발명이 특정한 실시예, 예 및 적용에 관해 기술되었지만, 본 발명으로부터 벗어나지 않고서 각종 수정 및 변경이 이루어질 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (26)

  1. 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치(fall-proof apparatus)에 있어서,
    캐리어와 연결하는 노즐;
    상기 캐리어 상에 고정하며, 세정 공정 동안에 상기 노즐과 함께 작동하는 메가소닉/울트라소닉 장치(megasonic/ultrasonic device); 및
    상기 메가소닉/울트라소닉 장치가 느슨하여 낙하하는지의 여부를 결정하도록 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리를 검출하는 센서
    를 포함하는,
    낙하방지 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 메가소닉/울트라소닉 장치는 적어도 한 쌍의 나사와 너트에 의해 상기 캐리어 상에 고정되고, 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리는 상기 적어도 한 쌍의 나사와 너트를 느슨하게 하거나 또는 조임으로써 조절되는,
    낙하방지 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 센서는 압력 센서, 광센서 또는 전기 센서 중 하나인,
    낙하방지 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 센서의 출력은 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리에 비례하는,
    낙하방지 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 센서의 출력은 센서 판독(sensor reading)이고, 상기 센서 판독은 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리가 최소이면 "0"인,
    낙하방지 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 센서는 0.01mm의 정확도 또는 더 높은 정확도를 갖는,
    낙하방지 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 낙하방지 장치는 상기 센서와 연결하는 자동 알람을 더 포함하는,
    낙하방지 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 자동 알람은 상기 센서의 출력이 프리셋 임계값(preset threshold)을 초과하면 트리거(trigger)되는,
    낙하방지 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 낙하방지 장치는, 상기 낙하방지 장치를 이동하게 구동하는 스윙 아암(swing arm)을 더 포함하는,
    낙하방지 장치.
  10. 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치(fall-proof apparatus)로서, 캐리어와 연결하는 노즐; 상기 캐리어 상에 고정하며, 세정 공정 동안에 상기 노즐과 함께 작동하는 메가소닉/울트라소닉 장치(megasonic/ultrasonic device); 및 상기 메가소닉/울트라소닉 장치가 느슨하여 낙하하는지의 여부를 결정하도록 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리를 검출하는 센서를 포함하는, 상기 낙하방지 장치;
    상기 반도체 장치를 보유하고 회전시키기 위한 척;
    상기 반도체 장치 위로 전후 방향으로 스윙하고, 상기 반도체 장치를 세정하도록 화학 액체 또는 가스를 분무하는 스윙-분무 헤드(swing-spray head); 및
    상기 스윙-분무 헤드 또는 상기 메가소닉/울트라소닉 장치를 플러싱 또는 세정하기 위한 적어도 2개의 트레이
    를 포함하는,
    챔버.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 메가소닉/울트라소닉 장치는 적어도 한 쌍의 나사와 너트에 의해 상기 캐리어 상에 고정되고, 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리는 상기 적어도 한 쌍의 나사와 너트를 느슨하게 하거나 또는 조임으로써 조절되는,
    챔버.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 센서는 압력 센서, 광센서 또는 전기 센서 중 하나인,
    챔버.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 센서의 출력은 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리에 비례하는,
    챔버.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 센서의 출력은 센서 판독(sensor reading)이고, 상기 센서 판독은 상기 메가소닉/울트라소닉 장치와 상기 캐리어 사이의 거리가 최소이면 "0"인,
    챔버.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 낙하방지 장치는, 상기 낙하방지 장치를 이동하게 구동하는 스윙 아암(swing arm)을 더 포함하는,
    챔버.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 스윙 아암은 아이들 시간(idle time) 동안에 제1 아이들 위치(first idle position)에 머물고, 상기 적어도 2개의 트레이 중 하나 위에 상기 메가소닉/울트라소닉 장치를 유지하는,
    챔버.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 스윙-분무 헤드는 아이들 시간 동안에 제2 아이들 위치(second idle position)에 머물고, 상기 적어도 2개의 트레이 중 하나 위에 상기 스윙-분무 헤드를 유지하는,
    챔버.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 트레이 각각은 내부 트레이와 외부 트레이를 포함하며, 상기 내부 트레이는 상기 외부 트레이 내에 배치되어 상기 외부 트레이보다 더 낮은 측벽을 갖는,
    챔버.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 내부 트레이와 상기 외부 트레이 양자는 드레인 출구를 각각 갖는,
    챔버.
  20. 제10항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 트레이 각각은 상기 스윙-분무 헤드 또는 상기 메가소닉/울트라소닉 장치를 액체 토출에 의해 플러싱 또는 세정하기 위한 토출 헤드(ejection head)를 갖는,
    챔버.
  21. 제10항에 있어서,
    상기 낙하방지 장치는, 상기 낙하방지 장치가 상하 이동하게 구동하는 수직방향 액추에이터를 더 포함하는,
    챔버.
  22. 제10항에 있어서,
    상기 센서는 0.01mm의 정확도 또는 더 높은 정확도를 갖는,
    챔버.
  23. 제10항에 있어서,
    상기 낙하방지 장치는 상기 센서와 연결하는 자동 알람을 더 포함하는,
    챔버.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 자동 알람은 상기 센서의 출력이 프리셋 임계값을 초과하면 트리거(trigger)되는,
    챔버.
  25. 삭제
  26. 제14항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 스윙 아암이 굴곡하는지의 여부를 검출하도록 적어도 한 쌍의 변환기(transducers)를 더 포함하는,
    챔버.

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109158236B (zh) * 2018-08-20 2023-11-07 华电电力科学研究院有限公司 一种热电厂燃机压气机清洗用高压喷头及清洗方法
US20220351962A1 (en) * 2019-11-01 2022-11-03 Acm Research (Shanghai) Inc. Substrate cleaning method and apparatus
CN117299666A (zh) * 2022-06-23 2023-12-29 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 基板处理设备

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4064885A (en) * 1976-10-26 1977-12-27 Branson Ultrasonics Corporation Apparatus for cleaning workpieces by ultrasonic energy
US4326553A (en) * 1980-08-28 1982-04-27 Rca Corporation Megasonic jet cleaner apparatus
US5368054A (en) * 1993-12-17 1994-11-29 International Business Machines Corporation Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus
US5745946A (en) * 1994-07-15 1998-05-05 Ontrak Systems, Inc. Substrate processing system
US5950643A (en) * 1995-09-06 1999-09-14 Miyazaki; Takeshiro Wafer processing system
US5980647A (en) * 1997-07-15 1999-11-09 International Business Machines Corporation Metal removal cleaning process and apparatus
US6260562B1 (en) * 1997-10-20 2001-07-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus and method
JP3333733B2 (ja) * 1998-02-20 2002-10-15 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP2001044467A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 集積型薄膜太陽電池の洗浄装置
US6495463B2 (en) * 1999-09-28 2002-12-17 Strasbaugh Method for chemical mechanical polishing
US6539952B2 (en) * 2000-04-25 2003-04-01 Solid State Equipment Corp. Megasonic treatment apparatus
JP2001334221A (ja) * 2000-05-26 2001-12-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
US6730176B2 (en) * 2001-07-09 2004-05-04 Birol Kuyel Single wafer megasonic cleaner method, system, and apparatus
US6848455B1 (en) * 2002-04-22 2005-02-01 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species
US7185661B2 (en) * 2002-05-06 2007-03-06 Akrion Technologies, Inc. Reciprocating megasonic probe
JP2003340386A (ja) * 2002-05-23 2003-12-02 Toshiba Corp 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
KR101422964B1 (ko) * 2004-06-09 2014-07-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20070175502A1 (en) * 2004-07-30 2007-08-02 I.P. Foundry, Inc. Apparatus and method for delivering acoustic energy through a liquid stream to a target object for disruptive surface cleaning or treating effects
KR101369197B1 (ko) * 2006-01-20 2014-03-27 아크리온 테크놀로지즈 인코포레이티드 평평한 물품을 처리하는 음향 에너지 시스템, 방법 및 장치
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2007290111A (ja) * 2006-03-29 2007-11-08 Ebara Corp 研磨方法および研磨装置
JP4700570B2 (ja) * 2006-07-14 2011-06-15 株式会社新川 ボンディング装置並びにボンディングツール先端部の洗浄方法及びプログラム
KR100800174B1 (ko) * 2006-10-20 2008-02-01 한국기계연구원 메가소닉 세정모듈
US8052797B2 (en) * 2006-10-24 2011-11-08 Asahi Glass Company, Limited Method for removing foreign matter from substrate surface
US8327861B2 (en) * 2006-12-19 2012-12-11 Lam Research Corporation Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
TWI421933B (zh) * 2007-05-16 2014-01-01 Lam Res Corp 板狀物件之超音波濕式處理的裝置與方法
US7913561B2 (en) * 2008-02-05 2011-03-29 Olympus Medical Systems Corp. Ultrasonic wave vibrating apparatus
KR100964871B1 (ko) * 2008-07-07 2010-06-23 세메스 주식회사 패드 컨디셔닝 유닛 및 이를 구비한 매엽식 기판 연마 장치
SG174616A1 (en) * 2009-03-31 2011-11-28 Acm Res Shanghai Inc Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
EP2270838B1 (en) * 2009-07-02 2019-06-12 IMEC vzw Method and apparatus for controlling optimal operation of acoustic cleaning
US9044794B2 (en) * 2009-12-31 2015-06-02 Lam Research Ag Ultrasonic cleaning fluid, method and apparatus
US9721754B2 (en) * 2011-04-26 2017-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Method and apparatus for processing a substrate with a focused particle beam
CN202290654U (zh) * 2011-10-10 2012-07-04 北京七星华创电子股份有限公司 兆声波清洗头及具有该清洗头的兆声波清洗系统
US9385020B2 (en) * 2011-12-19 2016-07-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method
US9821348B2 (en) * 2013-10-22 2017-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for water edge exposure and backside cleaning
JP6386769B2 (ja) * 2014-04-16 2018-09-05 株式会社荏原製作所 基板乾燥装置、制御プログラム、及び基板乾燥方法

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