KR102256950B1 - 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

높은 방현성을 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판을 적절하게 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 유리 평판(10)의 일 주면(10b) 상에, 유리 평판(10)보다도 유리 전이 온도(Tg)가 높은 안티글레어막(11)을 성막하여, 안티글레어막을 구비한 유리 평판(12)을 제작하는 성막 공정을 행한다. 안티글레어막을 구비한 유리 평판(12)을 가열하면서 변형시켜, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 제작하는 변형 공정을 행한다.

Description

안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법 {METHOD FOR MANUFACTURING CURVED GLASS PLATE PROVIDED WITH ANTI-GLARE FILM}
본 발명은, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 터치 센서의 전방면판으로서, 안티글레어막을 구비한 유리판을 배치하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1을 참조). 안티글레어막을 구비한 유리판을 터치 센서의 전방면판으로서 사용함으로써, 배경의 표면 반사를 억제하고, 시인성을 향상시킬 수 있다. 또한, 전방면판을 유리판에 의해 구성함으로써, 고강도의 전방면판을 얻을 수 있다.
국제 공개 제2009/025289호 공보
그런데, 디자인성의 관점에서, 만곡된 디스플레이 상에 만곡된 터치 센서를 배치하고 싶다고 하는 요망이 있다. 또한, 시인성을 보다 향상시키는 관점에서, 만곡된 터치 센서가 요망되고 있다. 시인성이 우수하고, 만곡된 터치 센서를 실현하기 위해서는, 높은 방현성을 갖는 만곡된 전방면판이 필요하다.
본 발명의 주목적은, 높은 방현성을 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판을 적절하게 제조할 수 있는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 관한 제1 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에서는, 유리 평판의 일 주면 상에, 유리 평판보다도 유리 전이 온도(Tg)가 높은 안티글레어막을 성막하여, 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 제작하는 성막 공정을 행한다. 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 가열하면서 변형시켜, 안티글레어막 부착 유리 곡판을 제작하는 변형 공정을 행한다. 본 발명에 관한 제1 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에서는, 변형 전의 유리 평판 상에 안티글레어막을 성막한다. 이로 인해, 균일성이 우수한 안티글레어막을 형성할 수 있다. 또한, 안티글레어막의 유리 전이 온도(Tg)가, 유리 평판의 유리 전이 온도(Tg)보다도 높으므로, 변형 공정에 있어서 안티글레어막이 변형되거나 하는 것을 억제할 수 있다. 예를 들어, 표면 조도의 균일성이 높은 안티글레어막을 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 관한 제1 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에 따르면, 높은 방현성을 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판을 적절하게 제조할 수 있다.
또한, 안티글레어막은, 통상, 유리 전이 온도(Tg)가 높을수록 내찰상성이 우수하다. 따라서, 본 발명에 관한 제1 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에 따르면, 내찰상성이 우수한 안티글레어막 부착 유리 곡판을 적절하게 제조할 수 있다.
본 발명에 관한 제1 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에서는, 안티글레어막이 산화규소를 포함하는 것이 바람직하다. 산화규소를 포함하는 안티글레어막은, 유리 전이 온도(Tg)가 높기 때문이다.
본 발명에 관한 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에서는, 유리 평판의 일 주면 상에, 산화규소를 포함하는 안티글레어막을 성막하여, 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 제작하는 성막 공정을 행한다. 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 가열하면서 변형시켜, 안티글레어막 부착 유리 곡판을 제작하는 변형 공정을 행한다. 본 발명에 관한 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에서는, 변형 전의 유리 평판 상에 안티글레어막을 성막한다. 이로 인해, 균일성이 우수한 안티글레어막을 형성할 수 있다. 또한, 안티글레어막이 산화규소를 포함하고 있고, 안티글레어막의 유리 전이 온도(Tg)가 높으므로, 변형 공정에 있어서 안티글레어막이 변형되거나 하는 것을 억제할 수 있다. 예를 들어, 표면 조도의 균일성이 높은 안티글레어막을 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 관한 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에 따르면, 높은 방현성을 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판을 적절하게 제조할 수 있다.
또한, 산화규소를 포함하는 안티글레어막은, 내찰상성이 우수하다. 따라서, 본 발명에 관한 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에 따르면, 내찰상성이 우수한 안티글레어막 부착 유리 곡판을 적절하게 제조할 수 있다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법은, 안티글레어막 부착 유리 곡판을 강화하는 강화 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다. 강화 공정을 행함으로써, 더욱 높은 강도를 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판을 제조할 수 있다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법은, 강화 공정에 있어서, 안티글레어막 부착 유리 곡판을 물리 강화해도 된다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법은, 변형 공정에 있어서 가열된 안티글레어막 부착 유리 곡판을 냉각함으로써, 물리 강화를 행해도 된다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법은, 성막 공정에 있어서, 도포액을 유리 평판의 일 주면 상에 도포함으로써, 안티글레어막을 형성해도 된다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법은, 변형 공정에 있어서, 도포된 도포액을 소성해도 된다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법은, 성막 공정에 있어서, 도포된 도포액을 가열하고, 변형 공정에 있어서, 성막 공정에 있어서의 가열 온도 이상의 온도에까지 가열해도 된다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법은, 변형 공정에 있어서, 곡면 형상의 성형면을 구비하는 성형형 상에, 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 배치한 상태에서 가열하여 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 연화 변형시킴으로써 안티글레어막 부착 유리 곡판을 얻어도 된다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법은, 변형 공정에 있어서, 안티글레어막이 성형면과 대향하도록 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 배치하는 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법의 각각에서는, 성막 공정에 있어서, 유리 평판의 타 주면 상에도 안티글레어막을 성막해도 된다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법의 각각에서는, 안티글레어막의 두께가 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 제1 또는 제2 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법의 각각에서는, 변형 공정에 있어서, 안티글레어막 부착 유리 곡판이 하나의 방향에 있어서 곡률을 가짐과 함께, 하나의 방향에 대해 경사진 다른 방향에 있어서도 곡률을 갖도록 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 변형시켜도 된다.
본 발명에 따르면, 높은 방현성을 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판을 적절하게 제조할 수 있는 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 있어서의 안티글레어막을 구비한 유리 평판의 모식적 단면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 있어서의 변형 공정을 설명하기 위한 모식적 단면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 모식적 단면도이다.
도 5는 제2 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 제3 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 제4 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다.
도 8은 제5 실시 형태에 있어서의 변형 공정을 설명하기 위한 모식적 단면도이다.
도 9는 제5 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 모식적 단면도이다.
이하, 본 발명을 실시한 바람직한 형태의 일례에 대해 설명한다. 단, 하기의 실시 형태는, 단순한 예시이다. 본 발명은 하기의 실시 형태에 전혀 한정되지 않는다.
또한, 실시 형태 등에 있어서 참조하는 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능을 갖는 부재는 동일한 부호로 참조하는 것으로 한다. 또한, 실시 형태 등에 있어서 참조하는 도면은, 모식적으로 기재된 것이다. 도면에 묘화된 물체의 치수의 비율 등은, 현실의 물체의 치수의 비율 등과는 다른 경우가 있다. 도면 상호간에 있어서도, 물체의 치수 비율 등이 다른 경우가 있다. 구체적인 물체의 치수 비율 등은, 이하의 설명을 참작하여 판단되어야 한다.
(제1 실시 형태)
본 실시 형태에서는, 강화된 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법에 대해 설명한다. 본 실시 형태에 있어서 제조되는 강화된 안티글레어막 부착 유리 곡판의 용도는 특별히 한정되지 않는다. 본 실시 형태에 있어서 제조되는 강화된 안티글레어막 부착 유리 곡판은, 예를 들어 터치 패널, 차량의 인스트루먼트 패널 등에 적절하게 사용할 수 있다.
우선, 도 1에 도시하는 유리 평판(10)을 준비한다. 유리 평판(10)은, 제1 주면(10a)과, 제2 주면(10b)을 갖는다.
유리 평판(10)은, 어떠한 유리로 이루어지는 것이어도 된다. 유리 평판(10)을 물리 강화하는 경우에는, 유리 평판(10)으로서, 열팽창 계수가 50×10－7/℃ 이상인 유리 평판을 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 열팽창 계수가 50×10－7/℃∼120×10－7/℃인 유리 평판을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 유리 평판(10)을 화학 강화하는 경우에는, 유리 조성으로서, 질량％로, 알칼리 금속 산화물을 3％∼25％ 포함하는 유리 평판을 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, Li2O＋Na2O를 3％∼25％ 포함하는 유리 평판을 사용하는 것이 바람직하다.
유리 평판(10)의 두께는, 특별히 한정되지 않는다. 유리 평판(10)의 두께는, 예를 들어 0.3㎜∼15㎜ 정도로 할 수 있다.
다음으로, 유리 평판(10)의 제2 주면(10b) 상에, 안티글레어막(11)을 성막함으로써 안티글레어막을 구비한 유리 평판(12)을 형성한다(스텝 S1:성막 공정). 안티글레어막(11)의 성막 방법은 특별히 한정되지 않는다. 안티글레어막(11)은, 예를 들어 스퍼터링법이나 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition:CVD)법 등에 의해 형성할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 안티글레어막(11)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 유리 평판(10)의 제2 주면(10b) 상에 도포액을 도포하고(스텝 S10:도포 공정), 건조시킴으로써 도포층을 형성하고, 그 도포층을 소성함으로써 형성한다(스텝 S11:소성 공정). 따라서, 본 실시 형태에서는, 성막 공정(스텝 S1)은, 스텝 S10과, 스텝 S11을 갖는다.
도포액을 도포하고, 건조시킴으로써 도포층을 형성하고, 그 도포층을 소성함으로써, 유리 전이 온도(Tg)가 높은 안티글레어막(11)을 용이하게 제조할 수 있다.
성막 공정(스텝 S1)의 다음에, 안티글레어막을 구비한 유리 평판(12)을 냉각하는 냉각 공정(스텝 S21)을 행한다.
안티글레어막(11)은, 비정질을 포함한다. 안티글레어막(11)은, 비정질에 의해서만 구성되어 있어도 되고, 비정질과 결정을 포함하고 있어도 된다. 그렇지만, 안티글레어막(11)은, 비정질에 의해서만 구성되어 있는 것이 바람직하다. 안티글레어막(11)은, 비정질을 포함하므로, 유리 전이 온도(Tg)를 갖는다. 안티글레어막(11)의 유리 전이 온도(Tg)는, 유리 평판(10)의 유리 전이 온도(Tg)보다도 높다.
안티글레어막(11)의 재질은, 안티글레어막(11)의 유리 전이 온도(Tg)가 유리 평판(10)의 유리 전이 온도(Tg)보다도 높아지는 것인 한에 있어서 특별히 한정되지 않는다. 안티글레어막(11)은, 예를 들어 산화규소를 포함하고 있어도 된다. 안티글레어막(11)은, 산화규소막에 의해 구성되어 있어도 된다.
안티글레어막(11)의 두께는, 예를 들어 안티글레어막(11)에 요구되는 광학 특성 등의 특성에 따라 적절히 설정할 수 있다. 안티글레어막(11)의 두께는, 1.5㎛ 이하로 할 수 있다.
다음으로, 안티글레어막을 구비한 유리 평판(12)을 가열하면서 변형시킨다(변형 공정:스텝 S3). 구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 우선, 성형형(13)의 성형면(13a) 상에, 안티글레어막을 구비한 유리 평판(12)을 배치한다. 성형면(13a)은, 곡면 형상이다. 성형면(13a)은, 예를 들어 구면 형상, 타구면 형상, 포물면 형상 등이어도 된다. 그 상태에서 안티글레어막을 구비한 유리 평판(12)을 가열하고(가열 공정:스텝 S31), 성형면(13a)을 따른 형상으로 변형시킨다(변형 가공 공정:스텝 S32). 이에 의해, 도 4에 도시하는 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 제작한다.
이 변형 공정(스텝 S3)에 있어서는, 안티글레어막(11)이 성형면(13a)과 대향하도록 안티글레어막을 구비한 유리 평판(12)을 성형면(13a) 상에 배치하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 유리 전이 온도(Tg)가 상대적으로 높은 안티글레어막(11)이 성형면(13a)과 접촉하고, 유리 전이 온도(Tg)가 상대적으로 낮은 유리 평판(10)이 성형면(13a)과 접촉하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 성형면(13a)에 대해 유리 평판(10)이 눌어 붙는 것을 적절하게 방지할 수 있다.
또한, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)의 형상은, 특별히 한정되지 않는다. 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)은, 예를 들어 하나의 방향에 있어서 곡률을 가짐과 함께, 하나의 방향과는 상이한 다른 방향에 있어서도 곡률을 갖는 형상을 갖고 있어도 된다. 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)은, 예를 들어 구면 형상, 타구면 형상, 포물면 형상 등이어도 되고, 제1 평면부와 제2 평면부와, 제1 및 제2 평면부를 접속하는 만곡부를 갖고 있어도 된다.
스텝 S3의 변형 공정을 행한 후에, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 냉각하는 냉각 공정(스텝 S41)을 행한다.
다음으로, 도 2에 나타내는 바와 같이, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 강화하는 강화 공정(스텝 S5)을 행한다. 강화 공정(스텝 S5)에 있어서는, 구체적으로는, 우선, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 가열하는 가열 공정(스텝 S51)을 행한 후에, 강화 가공 공정(스텝 S52)을 행한다. 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)의 강화 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 스텝 S52의 강화 가공 공정에 있어서, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을, 이온 교환에 의해 화학 강화해도 되고, 물리 강화해도 된다. 본 실시 형태에서는, 구체적으로는, 스텝 S52의 강화 가공 공정에 있어서, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 물리 강화한다. 즉, 스텝 S52의 강화 공정에 있어서, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 급냉함으로써 물리 강화한다.
또한, 물리 강화는, 열 강화라고도 하고, 가열된 유리재를 급냉함으로써 유리재의 표면에 압축 응력층을 형성함으로써 강화하는 것을 의미한다. 물리 강화에는, 풍냉 강화, 액냉 강화 등이 포함된다. 물리 강화는, 화학 강화에 비해 생산성이 우수하다. 이로 인해, 강화 공정(스텝 S5)에 있어서, 물리 강화를 행하는 것이 바람직하다.
스텝 S5의 강화 공정 후에, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 실온까지 냉각하는 냉각 공정(스텝 S61)을 행한다.
그런데, 유리판을 강화할 때에는, 유리판의 강화 방법에 관계없이, 일반적으로 유리판을 가열할 필요가 있다. 이로 인해, 예를 들어 에칭 등에 의해 형성된 유리판의 표층의 요철층에 의해 안티글레어층을 구성하는 경우에는, 강화 전에 안티글레어층을 형성하면, 강화 공정에 있어서 안티글레어층이 변형되고, 안티글레어 효과가 낮아질 우려가 있다. 또한, 안티글레어막을 유리판 상에 형성하는 경우에도 마찬가지로, 가열을 수반하는 변형 공정에 있어서 변형되는 것을 우려하여, 강화 후에 안티글레어막을 형성하는 것이 일반적이다. 또한, 유리 평판으로부터 강화 유리 곡판을 제작하는 경우, 강화 공정에 있어서의 가열 온도보다도, 변형 공정에 있어서의 가열 온도의 쪽이 높다. 따라서, 강화 공정 후에 변형 공정을 행하면, 유리판의 강화가 해제된다. 이상의 내용으로부터, 안티글레어막 부착 유리 곡판을 제작하려고 하면, 통상은, 우선, 변형 공정을 행하고, 그 후, 강화 공정, 안티글레어막의 성막 공정을 이 순서로 행한다. 그러나, 곡면 상에 안티글레어막을 형성한 경우에는, 안티글레어막의 방현 특성이 중앙부와 주연부에서 다르다. 이로 인해, 중앙부 및 주연부의 양쪽에 있어서 높은 방현 특성을 실현하는 것은 곤란하다.
본 실시 형태에서는, 유리 평판(10)보다도 유리 전이 온도(Tg)가 높은 안티글레어막(11)을 형성한다. 이로 인해, 이 안티글레어막(11)은, 변형 공정이나 강화 공정에 있어서 변형되기 어렵다. 따라서, 유리 평판(10) 상에 안티글레어막(11)을 형성한 후에, 변형 공정 및 강화 공정을 행할 수 있다. 따라서, 중앙부와 주연부의 양쪽에 있어서 높은 방현 특성을 갖는 안티글레어막(11)을 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 제작할 수 있다.
또한, 유리 곡판(15)은 강화되어 있으므로, 높은 강도를 갖는다. 유리 평판(10)보다도 유리 전이 온도(Tg)가 높은 무기 안티글레어막은 고강도이며, 또한 우수한 내찰상성을 갖는다. 이상으로부터, 본 실시 형태의 제조 방법에 따르면, 높은 방현성을 갖고, 고강도이며 또한 내찰상성이 우수한 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 제조할 수 있다.
또한, 강화 공정을 행한 후에 안티글레어막을 형성하는 것도 생각된다. 그러나 안티글레어막의 소성 공정에 있어서의 가열 온도를 높게 하면 강화가 해제되어 버린다. 따라서, 이 경우에는, 안티글레어막의 소성 공정에 있어서의 가열 온도를 낮게 해야 한다. 따라서, 고강도이며 내찰상성이 우수한 안티글레어막의 형성이 곤란하다. 본 실시 형태에서는, 안티글레어막(11)을 형성한 후에 강화 공정을 행한다. 따라서, 안티글레어막(11)을 고온에서 소성 가능하다. 따라서, 고강도이며 내찰상성이 우수한 안티글레어막(11)을 형성할 수 있다.
보다 우수한 내찰상성을 실현하는 관점에서는, 안티글레어막(11)이 산화규소를 포함하는 것이 바람직하고, 산화규소막에 의해 구성되어 있는 것이 보다 바람직하다.
보다 높은 방현성을 실현하는 관점에서는, 소성 공정에 있어서의 가열 온도를, 200℃ 이상 안티글레어막(11)의 연화점(Ts) 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 변형 공정 및 강화 공정의 각각에 있어서의 가열 온도를, 안티글레어막(11)의 연화점(Ts) 이하로 하는 것이 바람직하고, 유리 전이 온도(Tg) 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 유리 전이 온도(Tg)보다도 100℃ 낮은 온도 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.
그런데, 예를 들어 안티글레어막(11)이 지나치게 두꺼우면, 강화 공정에 있어서 형성되는 압축 응력층의 압축 응력 깊이(DOL)나 압축 응력층에 있어서의 압축 응력(CS)이, 제1 주면(10a)측과 제2 주면(10b)측에서 다른 경우가 있다. 그 경우에는, 압축 응력(CS)에 의해 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)이 원하지 않게 변형되고, 높은 형상 정밀도를 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 제조하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 이로 인해, 안티글레어막(11)의 두께는, 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.0㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 단, 안티글레어막(11)이 지나치게 얇으면, 충분히 우수한 방현 효과가 얻어지지 않게 되는 경우가 있다. 따라서, 안티글레어막(11)의 두께는, 0.3㎛ 이상인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태의 다른 예에 대해 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 제1 실시 형태와 실질적으로 공통의 기능을 갖는 부재를 공통의 부호로 참조하고, 설명을 생략한다.
(제2 실시 형태)
도 5는 제2 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 제2 실시 형태에서는, 도포 공정(스텝 S10) 후에, 도포층의 가소성을 행한다(가소성 공정:스텝 S12). 그 후, 스텝 S13에 있어서 냉각한 후에, 스텝 S14에 있어서, 가소성 시의 가열 온도보다도 높은 온도까지 가열함으로써 소성을 행한다. 이와 같이 함으로써, 스텝 S14에 있어서 안티글레어막(11)을 고온소성할 수 있다. 따라서, 보다 고강도의 안티글레어막(11)을 성막할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 스텝 S14 후에, 냉각 공정을 행하는 일 없이, 스텝 S32의 변형 공정을 행한다. 이로 인해, 스텝 S14와 스텝 S32 사이에 가열 공정을 마련할 필요가 반드시 있는 것은 아니다.
(제3 실시 형태)
도 6은 제3 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 제3 실시 형태에서는, 스텝 S10의 도포 공정에 이어, 도포액에 포함되는 유기 성분을 제거하는 탈지 공정(스텝 S12a)을 행한다. 그리고, 스텝 S12a 후에, 스텝 S13에 있어서 냉각한 후에, 스텝 S14에 있어서 소성을 행한다. 이 경우, 스텝 S12a에 있어서의 가열 온도는 상기 스텝 S12에 있어서의 가열 온도보다 낮아진다. 이로 인해, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)의 제조에 필요로 하는 에너지를 저감시킬 수 있다. 따라서, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)의 제조 비용을 저감시킬 수 있다.
(제4 실시 형태)
도 7은 제4 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 공정을 나타내는 흐름도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 스텝 S10의 도포 공정에 이어, 가열에 의한 소성 공정(스텝 S14)을 행한다. 그 후, 냉각하는 일 없이, 그대로, 또는 더욱 가열하고, 스텝 S32의 변형 공정을 행한다. 그 후, 냉각하는 일 없이, 스텝 S52의 강화 가공 공정을 행한다. 이와 같이 함으로써, 가열 공정을 행하는 횟수를 줄일 수 있다. 따라서, 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 적은 공정으로, 용이하고 또한 저렴하게 제조할 수 있다.
(제5 실시 형태)
도 8은 제5 실시 형태에 있어서의 변형 공정을 설명하기 위한 모식적 단면도이다. 도 9는 제5 실시 형태에 있어서의 안티글레어막 부착 유리 곡판의 모식적 단면도이다.
도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 제5 실시 형태에서는, 유리 평판(10)의 제2 주면(10b) 상에 안티글레어막(11)을 형성함과 함께, 제1 주면(10a) 상에도 안티글레어막(16)을 형성한다. 이와 같이 함으로써, 더욱 우수한 방현성을 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 제조할 수 있다.
또한, 강화 공정에 있어서 제1 주면(10a)측에 형성되는 압축 응력층과, 제2 주면(10b)측에 형성되는 압축 응력층 사이에 있어서의, 압축 응력 깊이(DOL) 및 압축 응력(CS)의 각각의 차를 작게 할 수 있다. 따라서, 보다 높은 형상 정밀도를 갖는 안티글레어막 부착 유리 곡판(14)을 제조할 수 있다.
(제6 실시 형태)
상기 실시 형태에서는, 성막 공정(S1), 변형 공정(S3) 및 강화 공정(S5)을 행하는 예에 대해 설명하였다. 예를 들어, 성막 공정(S1), 변형 공정(S3) 및 강화 공정(S5)에 더하여, 새로운 막을 인쇄하는 인쇄 공정을 행해도 된다. 구체적으로는, 예를 들어 표시 패널의 커버 부재의 주연부의 차광막(블랙 마스크)이나, 장식을 위한 장식막을 인쇄하는 인쇄 공정을 행해도 된다.
이하, 제6 실시 형태에서는, 차광막을 인쇄하는 인쇄 공정을 행하는 예에 대해 설명한다. 인쇄 공정은, 예를 들어 이하의 요령으로 행할 수 있다. 우선, Fe-Co-Cr계의 흑색 무기 안료와, 실리콘 수지를 혼합하고, 페이스트를 조제한다. 이 페이스트를 유리 평판(10)의 제1 주면(10a) 상의 주연부에 스크린 인쇄법을 사용하여 인쇄한다. 다음으로, 인쇄된 도막을 건조시키고, 100℃∼500℃의 온도에서 1시간 열처리함으로써, 차광막(무기 안료막)을 형성할 수 있다. 차광막의 두께는, 예를 들어 10㎛로 할 수 있다. 차광막은, 안티글레어막(11)과 동일한 면 상에 형성해도 되지만, 안티글레어막(11)과는 반대측의 면 상에 형성하는 것이 보다 바람직하다.
차광막의 400㎚∼700㎚에 있어서의 광의 평균 투과율은, 0.3％ 미만인 것이 바람직하다.
사용하는 안료는, 유기 안료와 무기 안료 중 어느 쪽이어도 되지만, 내열성이 우수한 무기 안료가 보다 바람직하다.
무기 안료의 구체예로서는, 예를 들어 TiO2, ZrO2, ZrSiO4 등의 백색 안료, Co-Al-Zn계, Co-Al-Si계, Co-Al-Ti계 등의 청색 안료, Co-Al-Cr계, Co-Ni-Ti-Zn계 등의 녹색 안료, Ti-Sb-Cr계, Ti-Ni계의 황색 안료, Co-Si계 등의 적색 안료, Ti-Fe-Zn계, Fe-Zn계, Fe-Ni-Cr계, Zn-Fe-Cr-Al계 등의 갈색 안료, Fe-Mn계, Fe-Co-Cr계, Fe-Mn-Al계, Cu-Cr계, Cu-Cr-Fe계, Cu-Cr-Mn계 등의 흑색 안료 등을 들 수 있다. 이들 무기 안료를 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 특히, TiO2, ZrO2, ZrSiO4 등의 유리 조성에 포함되는 성분이면, 재용융해도 유리에 착색하지 않고, 재활용하는 것이 가능하다.
인쇄 도료는, 예를 들어 실리콘 수지 외에 내열성이 높은 수지인 폴리이미드계 수지, (방향족)폴리아미드계 수지, 불소계 수지 등을 실리콘 수지와 혼합함으로써 조제할 수 있다.
인쇄 공정은, 예를 들어 성막 공정(S1), 변형 공정(S3) 및 강화 공정(S5)을 행하기 전에 행해도 된다[인쇄 공정→성막 공정(S1)→변형 공정(S3)→강화 공정(S5)].
인쇄 공정은, 예를 들어 성막 공정(S1)과 변형 공정(S3) 사이에 행해도 된다[성막 공정(S1)→인쇄 공정→변형 공정(S3)→강화 공정(S5)].
인쇄 공정은, 예를 들어 변형 공정(S3)과 강화 공정(S5) 사이에 행해도 된다[성막 공정(S1)→변형 공정(S3)→인쇄 공정→강화 공정(S5)].
(변형예)
제1 실시 형태 및 제4 실시 형태에서는, 강화 공정(스텝 S5)을 행하는 예에 대해 설명하였다. 단, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 및 제4 실시 형태의 각각에 있어서, 강화 공정(스텝 S5)을 생략해도 된다.
(실시예)
제1 실시 형태에 있어서 설명한 도 2에 나타내는 흐름도에 따라, 안티글레어막 부착 유리 곡판을 제작하였다. 구체적으로는, 이하의 요령으로 안티글레어막 부착 유리 곡판을 제작하였다.
스텝 S10(도포): 유리 평판[니혼 덴끼 가라스 가부시끼가이샤제 T2X1(미강화 유리 평판), 100㎜×270㎜×0.55㎜] 상에, SiO2를 포함하는 액을 스프레이법에 의해 도포하였다.
스텝 S11(소성): 다음으로, SiO2를 포함하는 액을 도포한 유리 평판을 180℃에서 소성하였다.
스텝 S21(냉각): 스텝 S11에 있어서 소성한 유리 평판을 방냉하고, 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 제작하였다.
스텝 S31(가열): 구면 형상의 성형형의 성형면 상에, 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 배치하고, 대기 분위기하에서 800℃까지 가열하였다.
스텝 S32(변형 가공): 스텝 S31에 있어서 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 가열함으로써 연화시키고, 자중에 의해 성형면을 따른 형상으로 변형시켰다.
스텝 S41(냉각): 스텝 S32에 있어서 변형시킨 안티글레어막을 구비한 유리판을 방냉함으로써 안티글레어막 부착 유리 곡판을 제작하였다.
스텝 S51(가열): 안티글레어막 부착 유리 곡판을 대기 분위기하에서 450℃까지 가열하였다.
스텝 S52(강화): 스텝 S51에 있어서 가열한 안티글레어막 부착 유리 곡판을, 450℃의 KNO3 용융염 중에 3시간 침지함으로써 화학 강화하였다.
스텝 S61(냉각): 스텝 S52에 있어서 화학 강화한 안티글레어막을 구비한 유리 강화 곡판을 방냉하였다.
이상의 공정을 행함으로써, 안티글레어막의 표면 조도의 균일성이 높고, 방현성이 우수한 안티글레어막을 구비한 유리 강화 곡판을 제작할 수 있었다.
10 : 유리 평판
10a : 제1 주면
10b : 제2 주면
11 : 안티글레어막
12 : 안티글레어막을 구비한 유리 평판
13 : 성형형
13a : 성형면
14 : 안티글레어막 부착 유리 곡판
15 : 유리 곡판
16 : 안티글레어막
S1 : 성막 공정
S10 : 도포 공정
S11 : 소성 공정
S12 : 가소성 공정
S12a : 탈지 공정
S13 : 냉각 공정
S14 : 가열 소성 공정
S21 : 냉각 공정
S3 : 변형 공정
S31 : 가열 공정
S32 : 변형 가공 공정
S41 : 냉각 공정
S5 : 강화 공정
S51 : 가열 공정
S52 : 강화 가공 공정
S61 : 냉각 공정

Claims (15)

  1. 유리 평판의 일 주면 상에, 상기 유리 평판보다도 유리 전이 온도(Tg)가 높은 안티글레어막을 성막하여, 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 제작하는 성막 공정과,
    상기 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 가열하면서 변형시켜, 안티글레어막 부착 유리 곡판을 제작하는 변형 공정과,
    상기 안티글레어막 부착 유리 곡판을 화학 강화하는 강화 공정을 구비하고,
    상기 성막 공정에 있어서, 도포액을 상기 유리 평판의 일 주면 상에 도포하고, 건조시키는 것에 의해 도포층을 형성함으로써, 상기 안티글레어막을 형성하는, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 안티글레어막이 산화규소를 포함하는, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
  3. 유리 평판의 일 주면 상에, 산화규소를 포함하는 안티글레어막을 성막하여, 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 제작하는 성막 공정과,
    상기 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 가열하면서 변형시켜, 안티글레어막 부착 유리 곡판을 제작하는 변형 공정과,
    상기 안티글레어막 부착 유리 곡판을 화학 강화하는 강화 공정을 구비하고,
    상기 성막 공정에 있어서, 도포액을 상기 유리 평판의 일 주면 상에 도포하고, 건조시키는 것에 의해 도포층을 형성함으로써, 상기 안티글레어막을 형성하는, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변형 공정에 있어서, 상기 도포층을 소성하는, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성막 공정에 있어서, 상기 도포층을 가열하고,
    상기 변형 공정에 있어서, 상기 성막 공정에 있어서의 가열 온도 이상의 온도에까지 가열하는, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변형 공정에 있어서, 곡면 형상의 성형면을 구비하는 성형형 상에, 상기 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 배치한 상태에서 가열하여 상기 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 연화 변형시킴으로써 상기 안티글레어막 부착 유리 곡판을 얻는, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 변형 공정에 있어서, 상기 안티글레어막이 상기 성형면과 대향하도록 상기 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 배치하는, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성막 공정에 있어서, 상기 유리 평판의 타 주면 상에도 안티글레어막을 성막하는, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안티글레어막의 두께가 1.5㎛ 이하인, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변형 공정에 있어서, 상기 안티글레어막 부착 유리 곡판이 하나의 방향에 있어서 곡률을 가짐과 함께, 상기 하나의 방향에 대해 경사진 다른 방향에 있어서도 곡률을 갖도록 상기 안티글레어막을 구비한 유리 평판을 변형시키는, 안티글레어막 부착 유리 곡판의 제조 방법.
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