KR102248764B1

KR102248764B1 - 반사 방지 적층막, 반사 방지 적층막의 형성 방법, 및 안경형 디스플레이

Info

Publication number: KR102248764B1
Application number: KR1020180154430A
Authority: KR
Inventors: 준 하타케야마
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2017-12-05
Filing date: 2018-12-04
Publication date: 2021-05-04
Also published as: US20190170906A1; TW201927546A; TWI723303B; KR20190066592A; US10901120B2; JP7165029B2; JP2019101418A

Abstract

본 발명은, 광에 대하여 저반사가 되는 반사 방지 효과를 얻을 수 있는 반사 방지 적층막, 그 제조 방법, 및 안경형 디스플레이를 제공하는 것을 목적으로 한다.
투명한 반사 방지 적층막으로서, 제1 굴절률을 갖는 제1 재료로 이루어진 제1 막 상에, 상기 제1 재료로 이루어진 막에 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 재료로 이루어진 패턴이 형성된 제1 막보다 낮은 굴절률을 갖는 제2 막이 적층되고, 상기 제2 막 상에, 상기 제2 막보다 상기 패턴의 면적이 큰 막 및/또는 상기 제2 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 재료로 이루어진 패턴이 형성된 막이 1층 이상 적층되어 있음으로써, 상기 반사 방지 적층막의 상기 제1 막으로부터 상방향으로 막의 굴절률이 순차적으로 작아지는 것인 반사 방지 적층막.

Description

반사 방지 적층막, 반사 방지 적층막의 형성 방법, 및 안경형 디스플레이{ANTIREFLECTIVE LAMINATION FILM, METHOD OF FORMING ANTIREFLECTIVE LAMINATION FILM, AND EYEGLASS TYPE DISPLAY}

본 발명은, 반사 방지 적층막, 그 제조 방법, 및 반사 방지 적층막을 이용한 안경형 디스플레이에 관한 것이다.

가상현실(VR)용 기구의 개발이 진행되고 있다. 고글 타입의 VR을 착용하여, 영화를 감상할 수 있고, 멀리 떨어진 사람끼리 마치 옆에 있는 것처럼 대화할 수도 있다(특허문헌 1). 과거 SF 영화에서 보여준 시공을 뛰어 넘는 듯한 영상을 가까이 체험할 수 있게 되었다.

고도의 가상 현실감을 얻기 위해, 고글의 경량화나 박막화를 위한 검토가 행해지고 있다. 또한, 고글 그 자체를 보다 경량의 안경 타입으로 할 필요가 있으며, 안경도 쓰지 않고 VR을 체험할 수 있는 구조도 필요하게 되었다. 공간에 상을 형성하는 기술로서 홀로그래피가 알려져 있다. 이것을 이용하면 고글이나 안경 없이 VR을 체험할 수 있다. 간섭성이 높은 코히어런트한 레이저 간섭의 홀로그래피에 의해 공간 상을 형성하지만, 최근 레이저의 경량 소형화, 저가격화, 고품질화, 고강도화에 따라 홀로그래피가 친숙해졌다. 광을 전파시키는 층으로부터 수직 방향으로 광을 꺼내고, 홀로그래피를 사용하여 이것을 투영하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 2). 이것은, 안경의 수평 방향으로 광을 전파시켜, 이것을 회절에 의해 수직인 눈의 방향으로 화상을 투영하는 구조이다.

홀로그래피는, 회절하기 위한 패턴의 정밀도와 해상도의 변화에 따라 화상의 해상도나 콘트라스트가 변화된다. 현시점에서는, 화상의 해상도와 콘트라스트는 액정이나 유기 EL 디스플레이 쪽이 훨씬 양호하다.

헤드 마운트 디스플레이를, 경량의 안경 타입의 디스플레이로 할 수 있다면 대폭적인 경량화가 가능해진다. 이 경우, 아주 얇고 경사 입사인 광을 투영하기 위한 기술, 아주 가까운 물체에 초점을 맞추기 위한 박형의 렌즈 구성, 작은 각도의 광을 반사시키지 않고 투영하기 위한 고성능의 반사 방지막 재료가 필요해진다.

디스플레이의 눈 측에 반사 방지막을 형성하는 것은 오래전부터 제안되어 왔다(특허문헌 3). 이것에 의해, 디스플레이로부터 투영된 화상을, 강도의 손실 없이 고콘트라스트의 상태에서 볼 수 있다. 반사 방지막으로서, 다층의 반사 방지막이 유효하다는 것도 기재되어 있다(특허문헌 4). 다양한 파장의 가시광과, 다양한 각도의 광에 대하여 반사 방지를 행하기 위해서는, 다층의 반사 방지막이 유리하다.

나방의 눈(모스아이) 구조를 갖는 반사 방지막이 제안되어 있다(특허문헌 5). 파장보다 미세하고, 선단이 가늘고 기판면이 굵은 고굴절률의 밀집된 필러(pillar)를 형성하여, 선단에서는 굴절률이 낮고, 기판면에서는 굴절률이 높아지는 상태가 된다. 마치 다층의 반사 방지막의 경우와 동일한 효과를 모스아이 구조에 의해 얻을 수 있다. 그러나, 필러 사이에 먼지가 부착되거나, 필러가 꺾이거나 하면 반사 방지 기능이 저하되는 결점을 갖는다.

일본 특허 공개 평성 제6-236432호 공보 미국 특허 2013/0021392A1 일본 특허 공개 평성 제5-215908호 공보 일본 특허 공개 평성 제5-264802호 공보 일본 특허 공개 제2004-77632호 공보

그래서 본 발명은 상기 사정을 감안하여, 광에 대하여 저반사가 되는 반사 방지 효과를 얻을 수 있는 반사 방지 적층막, 그 제조 방법, 및 안경형 디스플레이를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 달성하기 위해, 본 발명에서는, 투명한 반사 방지 적층막으로서, 제1 굴절률을 갖는 제1 재료로 이루어진 제1 막 상에, 상기 제1 재료로 이루어진 막에 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 재료로 이루어진 패턴이 형성된 제1 막보다 낮은 굴절률을 갖는 제2 막이 적층되고, 상기 제2 막 상에, 상기 제2 막보다 상기 패턴의 면적이 큰 막 및/또는 상기 제2 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 재료로 이루어진 패턴이 형성된 막이 1층 이상 적층되어 있음으로써, 상기 반사 방지 적층막의 상기 제1 막으로부터 상방향으로 막의 굴절률이 순차적으로 작아지는 것인 반사 방지 적층막을 제공한다.

본 발명과 같은 반사 방지 적층막이라면, 광에 대하여 저반사가 되는 반사 방지 효과를 얻을 수 있는 반사 방지 적층막이 된다.

또한, 상기 패턴의 패턴 사이즈가 200 nm 이하인 것이 바람직하다.

패턴이 이러한 패턴 사이즈인 반사 방지 적층막이라면, 미산란(Mie-scattering)의 발생을 억제할 수 있기 때문에, 바람직하다.

또한, 상기 막의 파장 590∼610 nm의 가시광에서의 굴절률이, 가장 저굴절률인 막은 1.35 이하, 상기 제1 막은 1.65 이상인 것이 바람직하다.

이러한 막이 적층된 반사 방지 적층막이라면, 광에 대하여 보다 저반사가 되는 반사 방지 효과를 얻을 수 있는 반사 방지 적층막이 된다.

또한, 파장 400 nm∼800 nm의 가시광에서의 투과율이 80% 이상인 것이 바람직하다.

이러한 투과율의 반사 방지 적층막이라면, 보다 고휘도이고 보다 고콘트라스트인 광을 볼 수 있는 경량이고 박형인 안경형의 헤드 마운트 디스플레이에 적합하게 이용할 수 있다.

또한, 상기 제1 재료 및/또는 상기 제2 재료가 포토레지스트 재료인 것이 바람직하다.

또한, 상기 제1 재료 및/또는 상기 제2 재료가 비감광성인 것으로 할 수도 있다.

이러한 제1 재료 및/또는 제2 재료라면, 보다 용이하게 패턴을 형성할 수 있는 반사 방지 적층막이 된다.

또한, 본 발명에서는, 상기 반사 방지 적층막의 형성 방법으로서, 상기 패턴의 형성에 있어서, 광 리소그래피를 이용하는 반사 방지 적층막의 형성 방법을 제공한다.

또한, 상기 패턴의 형성에 있어서, 광 리소그래피 및 에칭을 이용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 반사 방지 적층막의 형성 방법으로서, 상기 패턴의 형성에 있어서, 임프린트법을 이용하는 반사 방지 적층막의 형성 방법을 제공한다.

본 발명의 반사 방지 적층막은, 예컨대 이러한 형성 방법에 의해 형성할 수 있다.

또한, 본 발명에서는, 안경형 디스플레이로서, 상기 안경형 디스플레이의 안구 측의 기판 상에 액정, 유기 EL, 및 마이크로 LED로부터 선택되는 자기 발광형 디스플레이가 설치되고, 상기 자기 발광형 디스플레이의 안구 측에 초점을 연결하기 위한 볼록 렌즈가 설치되며, 상기 볼록 렌즈의 표면에 상기 반사 방지 적층막이 형성되어 있는 것인 안경형 디스플레이를 제공한다.

본 발명과 같은 안경형 디스플레이라면, 고휘도이고 고콘트라스트인 광을 볼 수 있는 경량이고 박형인 안경형 헤드 마운트 디스플레이로서 적합하게 이용할 수 있다.

이상과 같이, 본 발명의 반사 방지 적층막이라면, 고굴절률의 막으로부터 저굴절률의 막으로 다단계로 굴절률을 변화시킬 수 있고, 굴절률의 변화율이나 막 수를 자유롭게 조정할 수 있는 반사 방지 적층막이 된다. 이것에 의해, 특히 얕은 입사광에 있어서도 가시광에 대하여 저반사의 반사 방지 효과를 얻을 수 있기 때문에, 고굴절률 렌즈와 조합함으로써, 눈 근처에 설치된 액정, 유기 EL, 마이크로 LED 등으로부터 발생된 광을, 고콘트라스트이고 고휘도인 상태에서 볼 수 있다. 또한, 본 발명의 반사 방지 적층막의 형성 방법이라면, 용이하게 본 발명의 반사 방지 적층막을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 반사 방지 적층막을 이용한 안경형 디스플레이라면, 종래의 헤드 마운트 디스플레이를 대폭 경량 또한 박형으로 한 안경 타입의 디스플레이를 실현할 수 있다.

도 1은 본 발명의 반사 방지 적층막의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 반사 방지 적층막의, 2번째 층의 제1 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 반사 방지 적층막의, 2번째 층의 제2 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 반사 방지 적층막의, 2번째 층의 제1 재료로 이루어진 패턴과 제2 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
도 5는 본 발명의 반사 방지 적층막의, 3번째 층의 제1 재료로 이루어진 패턴과 제2 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
도 6은 본 발명의 반사 방지 적층막의, 4번째 층의 제1 재료로 이루어진 패턴과 제2 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명의 반사 방지 적층막의, 5번째 층의 제1 재료로 이루어진 패턴과 제2 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
도 8은 본 발명의 반사 방지 적층막의, 6번째 층의 제1 재료로 이루어진 패턴과 제2 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
도 9는 본 발명의 반사 방지 적층막의, 제1 재료로 이루어진 패턴과 제2 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 상면 관찰도이다.
도 10은 본 발명의 반사 방지 적층막의, 제1 재료로 이루어진 패턴과 제2 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 상면 관찰도이다.
도 11은 본 발명의 안경형 디스플레이를 장착한 경우의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.
도 12는 실시예에 있어서의 본 발명의 반사 방지 적층막의 광 투과성을 측정하는 방법을 나타낸 개략 단면도이다.

전술한 바와 같이, 우수한 반사 방지 효과를 얻기 위해서, 공기측(눈측)에 저굴절률의 막, 반대의 광을 발생시키는 측에 고굴절률의 막, 그 사이에 서서히 굴절률이 변화되는 다층막을 설치하면, 우수한 반사 방지 효과를 발휘하는 것이 알려져 있다. 그러나, 굴절률은 물질이 가지고 있는 고유의 값이기 때문에, 굴절률을 서서히 변화시킨다고 하는 것은, 각각 상이한 굴절률의 재료의 막을 적층해야만 했기 때문에, 굴절률의 조정이 곤란하였다. 또한, 고굴절률의 재료와 저굴절률의 재료를 블렌드하고, 그 블렌드 비율을 바꾸면서 적층하는 막의 굴절률을 바꾸는 방법도 생각할 수 있지만, 고굴절률의 재료와 저굴절률의 재료는 극성이 크게 다른 것이 많기 때문에, 블렌드하더라도 혼합되지 않아, 이것도 일반적이지 않다. 반사 방지막으로서 전술한 모스아이 패턴을 형성하는 것도 생각할 수 있지만, 모스아이 패턴을 형성할 수 있는 1.65 이상의 고굴절률의 재료로 패턴을 형성하는 것은 곤란하다고 하는 문제가 있다.

본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, 동일 막 중에 고굴절률의 패턴과 저굴절률의 패턴을 공존시킨 막과, 패턴의 비율을 변경한 막을 3층 이상 적층시킨 것을 반사 방지 적층막으로 함으로써, 적층한 막의 굴절률이 막마다 순차적으로 변화되는 반사 방지 적층막이 되어, 우수한 반사 방지 효과를 얻을 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.

즉, 본 발명은, 투명한 반사 방지 적층막으로서, 제1 굴절률을 갖는 제1 재료로 이루어진 제1 막 상에, 상기 제1 재료로 이루어진 막에 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 재료로 이루어진 패턴이 형성된 제1 막보다 낮은 굴절률을 갖는 제2 막이 적층되고, 상기 제2 막 상에, 상기 제2 막보다 상기 패턴의 면적이 큰 막 및/또는 상기 제2 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 재료로 이루어진 패턴이 형성된 막이 1층 이상 적층되어 있음으로써, 상기 반사 방지 적층막의 상기 제1 막으로부터 상방향으로 막의 굴절률이 순차적으로 작아지는 것인 반사 방지 적층막이다.

이하, 본 발명에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

<반사 방지 적층막>

본 발명에서는, 투명한 반사 방지 적층막으로서, 제1 굴절률을 갖는 제1 재료로 이루어진 제1 막 상에, 상기 제1 재료로 이루어진 막에 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 재료로 이루어진 패턴이 형성된 제1 막보다 낮은 굴절률을 갖는 제2 막이 적층되고, 상기 제2 막 상에, 상기 제2 막보다 상기 패턴의 면적이 큰 막 및/또는 상기 제2 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 재료로 이루어진 패턴이 형성된 막이 1층 이상 적층되어 있음으로써, 상기 반사 방지 적층막의 상기 제1 막으로부터 상방향으로 막의 굴절률이 순차적으로 작아지는 것인 반사 방지 적층막을 제공한다.

본 발명의 반사 방지 적층막의 일례를 나타낸 개략 단면도를 도 1에 도시한다. 도 1의 반사 방지 적층막(101)은, 제1 막(11)∼제7 막(17)의 7층의 막이 적층된 적층막이다. 제1 막(11)은, 제1 굴절률을 갖는 제1 재료(21)로 이루어진 막이다. 제2 막(12)은, 제1 재료(21)로 이루어진 막에, 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 재료(22)로 이루어진 패턴이 형성된 막이다. 제2 막(12)은, 막 전체로서는 제1 막(11)보다 낮은 굴절률을 갖는다. 제3 막(13)은, 제1 재료(21)로 이루어진 막에, 제2 재료(22)로 이루어진 패턴이 형성된 막이지만, 패턴 밀도가 제2 막(12)보다도 높기(패턴 면적이 크기) 때문에, 막 전체로서는 제2 막(12)보다 낮은 굴절률을 갖는다. 제4 막(14)∼제6 막(16)에 대해서도 마찬가지로, 순차적으로 제2 재료(22)로 이루어진 패턴의 밀도가 높아지기 때문에, 순차적으로 막의 굴절률이 작아진다. 제7 막(17)은 제2 재료(22)만으로 이루어진 막이다(이 제7 막은, 본 발명에서는 제2 재료에 의한 패턴 면적(제2 재료의 피복 면적)이 100%인 막으로 함).

미산란을 일으키지 않기 때문에, 패턴의 치수가 가시광의 파장보다 작은 것이 바람직하다. 패턴의 치수로는, 보다 바람직하게는 파장의 1/2 이하이며, 가시광 중에서 가장 단파장인 것은 약 400 nm이기 때문에, 패턴 치수는 200 nm 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 nm 이하이다.

1층의 막 두께는 5 nm 이상, 500 nm 이하인 것이 바람직하고, 전층을 합한 막 두께는 100 nm 이상, 10 마이크론 이하인 것이 바람직하다. 적층하는 층의 수는 3층 이상이면 좋고, 바람직하게는 4층 이상, 보다 바람직하게는 5층 이상이다. 층수의 상한은 없지만, 많으면 많을수록 반사 방지막 효과가 높아지는 것이 아니라, 많은 쪽이 이것을 제작하는 프로세스가 길어져서 비용이 상승하기 때문에, 최대의 막 수는 20층 이하가 바람직하다.

보다 높은 반사 방지 효과를 얻기 위해, 파장 590∼610 nm의 가시광에서의 가장 저굴절률인 막의 굴절률이 1.35 이하, 제1 막의 굴절률이 1.65 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 가장 저굴절률인 막의 굴절률이 1.3 이하, 제1 막의 굴절률이 1.7 이상이며, 더욱 바람직하게는 가장 저굴절률인 막의 굴절률이 1.25 이하, 제1 막의 굴절률이 1.75 이상이다. 제1 막과 가장 저굴절률인 막 사이에 적층된 막은, 제1 막으로부터 상방향으로, 순차적으로 굴절률이 작아진다.

막의 패턴으로는, 순차적으로 적층한 막의 굴절률이 변화되도록, 도 1에 도시된 바와 같이, 고굴절률측은 제1 재료로 이루어진 패턴의 밀도가 높고, 저굴절률측은 제2 재료로 이루어진 패턴이 고밀도가 되는 것이 바람직하다. 또한, 제2 재료보다도 낮은 굴절률을 갖는 재료로 패턴이 형성된, 보다 굴절률이 낮은 막이 적층되어 있어도 좋다.

제1 재료로는, 특별히 한정되지 않지만, 산화티탄, 산화지르코늄, 산화하프늄, 산화주석 등을 들 수 있다. 또한, 이들 산화물의 나노 파티클을 분산시킨 막을 들 수도 있다. 또한, 축합 방향족 고리, 브롬, 요오드, 황을 함유하는 화합물이나 고분자 화합물과 같은 고굴절률의 유기물을 들 수도 있다. CVD나 스퍼터링으로 제작한 산화티탄의 굴절률은 2.4, 산화지르코늄은 2.0이며, 스핀 코트로 제작한 산화티탄막의 굴절률은 1.9∼2.0이다.

스핀 코팅으로 제작할 수 있는 고굴절률의 유기 화합물막으로는, 축합 방향족 고리를 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들을 적용한 포토리소그래피 프로세스용의 가교 가능한 하층막 재료로서, 일본 특허 공개 제2005-250434호 공보에 기재된 아세나프틸렌 공중합, 일본 특허 공개 제2007-171895호 공보에 기재된 히드록시비닐나프탈렌 공중합을 들 수 있다.

폴리아세나프틸렌의 호모폴리머의 굴절률은 1.68이다. 라디칼 중합 등의 중합으로 얻어진 축합 방향족기를 갖는 고분자 화합물은, 고굴절률 또한 고투명이다. 노볼락 수지도 고굴절률이지만, 청색 영역의 가시광에 흡수 말단이 연장되어 있기 때문에 이 파장 영역의 투명성이 낮아, 본 발명의 용도로는 바람직하지 못하다. 플루오렌비스나프톨의 노볼락 수지는, 1.7의 굴절률을 갖지만, 청색 영역에 흡수를 갖는다. 또한, 풀러렌도 고굴절률이지만, 가시광 전역에 흡수를 갖기 때문에 바람직하지 못하다.

제2 재료로는, 특별히 한정되지 않지만, 불소계 폴리머를 들 수 있다. 테플론(등록상표)계 폴리머의 가시광 영역에서의 굴절률은 1.35이다. 플루오로알킬기가 펜던트된 메타크릴레이트의 굴절률은 1.42 부근이다. 예컨대, 일본 특허 공개 제2008-257188호 공보에는 플루오로알코올기를 갖는 저굴절률이며 가교 가능한 하층막이 기재되어 있다. 또한 저굴절률인 재료로는, 다공성 실리카막을 들 수 있다. 구멍의 사이즈를 크게 하거나 비율을 증가시킴으로써 굴절률이 낮아져, 굴절률 1.25 부근으로까지 낮출 수 있다.

제1 재료 및 제2 재료를 포함하는 본 발명의 반사 방지 적층막에 포함되는 재료가 포토레지스트 재료의 것이라면, 후술과 같이, 노광과 현상에 의해 패턴을 형성할 수 있다.

고굴절률의 축합 방향족 고리를 갖는 포토레지스트 재료로는, 축합 방향족 고리의 산 불안정 기를 갖는 레지스트 화합물이, 일본 특허 공개 제2010-237662호 공보, 일본 특허 공개 제2010-237661호 공보, 일본 특허 공개 제2011-150103호 공보, 일본 특허 공개 제2011-138107호 공보, 일본 특허 공개 제2011-141471호 공보에 예시되어 있다. 일본 특허 공개 제2002-119659호 공보에 기재된 아세나프틸렌, 일본 특허 공개 제2014-119659호 공보에 기재된 비닐페로센, 일본 특허 공개 제2002-107933호 공보의 히드록시비닐나프탈렌, 일본 특허 공개 제2007-114728호 공보의 히드록시나프탈렌메타크릴레이트 등도 고굴절률의 유닛을 갖는다. 또한, 일본 특허 공개 평성 제5-204157호 공보에 기재된 브롬이나 요오드로 치환된 히드록시스티렌도 고굴절률의 유닛이다.

저굴절률의 포토레지스트 재료로는, 파장 157 nm의 엑시머 레이저를 이용하는 F₂ 리소그래피용으로 개발된 불소 함유 레지스트 재료를 들 수 있다. 이들 레지스트 재료는, 일본 특허 공개 제2001-302728호 공보, 일본 특허 공개 제2001-233917호 공보, 일본 특허 공개 제2003-89708호 공보에 기재되어 있다.

또한, 제1 재료 및 제2 재료를 포함하는 본 발명의 반사 방지 적층막에 포함되는 재료가 비감광성의 것이어도 좋다. 그 경우, 후술과 같이, 에칭에 의해 패턴을 형성할 수 있다.

본 발명의 미세 패턴 형성에 의한 다단계 굴절률 변화의 반사 방지 적층막은, 액정, 유기 EL, 마이크로 LED 등의 디스플레이로부터 발하는 화상을, 고휘도, 고콘트라스트로 비스듬히 발광할 수 있다. 디스플레이 측으로부터 발해지는 광이 디스플레이 측으로 되돌아가는 반사를 방지할 뿐만 아니라, 디스플레이의 반대측으로부터 비스듬히 입사하는 광의 반사를 막는 것도 가능하다.

<반사 방지 적층막의 형성 방법>

또한, 본 발명에서는, 전술한 반사 방지 적층막의 형성 방법으로서, 패턴의 형성에 있어서, 광 리소그래피, 에칭, 임프린트법을 이용하는 반사 방지 적층막의 형성 방법을 제공한다.

도 2는 본 발명의 반사 방지 적층막의, 2번째 층의 제2 재료로 이루어진 패턴을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 단면도이다. 제2 막(12)의 형성 방법으로는, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 막(11) 상에 제1 재료로 이루어진 패턴(31)을 먼저 형성하는 방법을 들 수 있다. 제1 막(11) 상에 제1 재료로 이루어진 막을 스핀 코트로 형성하는 경우는, 제1 재료 용액을 디스펜스했을 때에 아래의 제1 막(11)을 용해시키지 않을 필요가 있다. 이 때문에, 가장 아래의 제1 막(11)을 용제에 용해되지 않도록 해 둘 필요가 있다. 용제 불용으로 하기 위해서는, 광이나 열에 의해 제1 막(11)을 가교시켜 두는 방법이나, 표면을 화학적 처리함으로써 불용화시키는 방법이 있다. 광에 의해 불용화시키는 방법은, 예컨대 파장 146 nm, 172 nm, 193 nm 등의 UV 광을 조사함으로써 가교시키는 방법을 들 수 있다. 열에 의해 불용화시키는 방법은, 열산 발생제와 가교제를 첨가해 두고, 이것을 가열에 의해 가교시키는 방법을 들 수 있다. 후술하는 하층막에 적용할 수도 있다.

제1 재료로 이루어진 패턴(31)의 형성은, 고굴절률의 포토레지스트 재료를 이용한 경우는, 노광과 현상에 의해 이것을 행할 수 있다. 고굴절률의 하층막 재료를 이용한 경우는, 그 위에 규소 함유 중간층, 그 위에 포토레지스트막을 형성한 트라이 레이어로 하고, 노광과 현상에 의해 포토레지스트 패턴을 형성하며, 이것을 중간층, 다음에는 하층막에 전사하여 도 2에 기재된 제1 재료로 이루어진 패턴(31)을 형성한다. 제1 재료로 이루어진 패턴(31)을 형성한 후에 제2 재료의 스핀 코트에 의해 도 4와 같이 제2 재료를 매립한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1 막(11) 상에 제2 재료로 이루어진 패턴(32)을 먼저 형성할 수도 있다. 이것도 전술한 제1 재료로 이루어진 패턴(31)을 형성하는 경우와 마찬가지로, 저굴절률의 포토레지스트 재료를 이용한 경우는, 노광과 현상에 의해 이것을 행할 수 있다. 저굴절률의 하층막을 이용한 경우는, 그 위에 규소 함유 중간층, 혹은 유기 반사 방지막, 혹은 하층막과 규소 함유 중간막, 그 위에 포토레지스트막을 형성하여, 노광과 현상에 의해 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이것을 최종적으로 하층막에 전사하여 도 3에 기재된 제2 재료로 이루어진 패턴(32)을 형성한다. 제2 재료로 이루어진 패턴(32)을 형성한 후에 제1 재료의 스핀 코트에 의해 도 4와 같이 제1 재료를 매립한다.

도 2 또는 도 3에 기재된 제1 재료로 이루어진 패턴(31) 또는 제2 재료로 이루어진 패턴(32)을 형성하기 위해, 나노 임프린트 리소그래피를 사용할 수도 있다. 용액을 적하하여, 패턴이 형성되어 있는 투명한 스탬퍼 마스크를 압착시켜 광조사에 의해 경화시킨다. 혹은 패턴이 형성되어 있는 스탬퍼 마스크를 압착시켜 열에 의해 경화시킨다.

제1 재료로 이루어진 패턴(31) 또는 제2 재료로 이루어진 패턴(32)을 스퍼터링이나 CVD(chemical vapor deposition)에 의해 형성할 수도 있다. 이 경우는 스핀 코트법과 같은 평탄화가 곤란하기 때문에, 예컨대 제1 재료로 이루어진 패턴(31) 상에 제2 재료로 이루어진 막을 CVD나 스퍼터링에 의해 형성한 후에 CMP(chemical mechanical polishing)에 의해 평탄화하는 것이 바람직하다.

스핀 코트 또는 CVD, 스퍼터링에 의해 제1 재료로 이루어진 막 또는 제2 재료로 이루어진 막을 형성하고, 그 위에 포토레지스트막을 형성하며, 노광과 현상에 의해 패턴을 형성하고, 드라이 에칭에 의해 제1 재료로 이루어진 막 또는 제2 재료로 이루어진 막에 패턴을 전사할 수도 있다.

또한, 전술한 반사 방지 적층막의 설명에서 기재한, 고굴절률 혹은 저굴절률의 포토레지스트 재료를 이용하면, 노광과 현상에 의해 패턴을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기한 드라이 에칭이 필요 없게 된다. 단, 예컨대 제1 재료로 이루어진 패턴(31)을 형성하고, 그 위에 제2 재료의 용액을 도포하는 경우, 제1 재료로 이루어진 패턴(31)이 제2 재료의 용액의 용제에 용해되지 않도록 하기 위해, 제2 재료의 용액이 제1 재료로 이루어진 패턴(31)을 용해시키지 않는 용제를 이용하거나, 제1 재료로 이루어진 패턴(31)을 유기 용제에 불용화시키기 위한 동결 공정을 행하는 것이 바람직하다.

레지스트 패턴을 용해시키지 않는 용제로는, 알코올계 용제, 에테르계 용제, 탄화수소계 용제, 불소계 용제를 들 수 있고, 이들 용제에 제2 재료를 용해시키는 것이 바람직하다. 제2 재료가 레지스트 패턴의 스페이스 부분을 매립할 뿐만 아니라 패턴 상부까지 덮어 이것이 가교됨으로써, 그 위에 포토레지스트 용액을 도포했을 때에 레지스트 패턴이 용해되는 것을 막을 수 있다.

3번째 층 이후도, 전술한 방법과 동일하게 하여 형성할 수 있다. 도 5∼도 8은, 각각 3번째 층∼6번째 층을 형성한 후의 일례를 나타낸 개략 단면도이다.

제1 재료로 이루어진 패턴(31) 또는 제2 재료로 이루어진 패턴(32)을 위쪽에서 관찰한 레이아웃은, 도 9에 도시된 종횡의 배열이어도, 도 10에 도시된 배열이어도, 그 이외의 배열이어도 상관 없지만, 패턴의 피치가 동일하고, 패턴의 사이즈가 동일한 것이 바람직하다. 패턴의 사이즈와 피치가 각각 동일해짐으로써, 막의 굴절률이 균일해지기 때문에, 바람직하다.

이러한 본 발명의 반사 방지 적층막의 작성 방법이라면, 고굴절률의 막으로부터 저굴절률의 막으로 다단계로 굴절률을 변화시킬 수 있고, 굴절률의 변화율이나 막 수를 자유롭게 조정할 수 있는 반사 방지 적층막을 용이하게 형성할 수 있다.

<안경형 디스플레이>

또한, 본 발명에서는, 안경형 디스플레이로서, 상기 안경형 디스플레이의 안구 측의 기판 상에 액정, 유기 EL, 및 마이크로 LED로부터 선택되는 자기 발광형 디스플레이가 설치되고, 상기 자기 발광형 디스플레이의 안구 측에 초점을 연결하기 위한 볼록 렌즈가 설치되며, 상기 볼록 렌즈의 표면에 상기 본 발명의 반사 방지 적층막이 형성되어 있는 안경형 디스플레이를 제공한다.

도 11은 본 발명의 안경형 디스플레이를 장착한 경우의 일례를 나타낸 개략 단면도이다. 안경 기판(1)의 안구 측에 자기 발광형 디스플레이(2)를 갖는다. 자기 발광형 디스플레이(2)는, 액정, 유기 EL, 또는 마이크로 LED 중 어느 하나이다. 자기 발광형 디스플레이(2)의 안구 측에, 볼록 렌즈(3)를 갖는다. 볼록 렌즈(3)는, 자기 발광형 디스플레이(2)로부터 발해지는 광의 초점을 눈(5)으로 연결하기 위한 것이다. 볼록 렌즈(3)의 안구 측에, 본 발명의 반사 방지 적층막(101)을 갖는다. 반사 방지 적층막(101)은, 전술로 설명한 바와 같다.

이러한 본 발명의 안경형 디스플레이라면, 종래의 헤드 마운트 디스플레이를 대폭 경량 또한 박형으로 한 안경 타입의 디스플레이를 실현할 수 있다.

실시예

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하였으나, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

제1 재료로서, 하기 라디칼 중합에 의해 얻어진 6-히드록시비닐나프탈렌과 아세나프틸렌의 고굴절률 폴리머 1을 준비하였다.

6-히드록시비닐나프탈렌:아세나프틸렌=40:60

중량 평균 분자량(Mw)=7,500

분자량 분포(Mw/Mn)=1.97

그 밖의 제1 재료로서, 하기 라디칼 중합에 의해 얻어진 4-히드록시-2,3,5,6-테트라브로모벤젠메타크릴레이트-2-일의 호모폴리머의 고굴절률 폴리머 2를 준비하였다.

4-히드록시-2,3,5,6-테트라브로모벤젠메타크릴레이트-2-일=100

중량 평균 분자량(Mw)=8,600

분자량 분포(Mw/Mn)=1.74

그 밖의 제1 재료로서, 하기 라디칼 중합에 의해 얻어진 4-히드록시-3,5-디요오도스티렌의 호모폴리머의 고굴절률 폴리머 3을 준비하였다.

4-히드록시-3,5-디요오도스티렌=100

중량 평균 분자량(Mw)=6,300

분자량 분포(Mw/Mn)=1.66

제2 재료로서, 하기 라디칼 중합에 의해 얻어진 아크릴산2-히드록시-3,3,3-트리플루오로-2-(트리플루오로메틸)프로필과 글리시딜메타크릴레이트의 저굴절률 폴리머 1을 준비하였다.

아크릴산2-히드록시-3,3,3-트리플루오로-2-(트리플루오로메틸)프로필:글리시딜메타크릴레이트=80:20

중량 평균 분자량(Mw)=8,100

분자량 분포(Mw/Mn)=1.73

산 발생제: AG1(하기 구조식 참조)

가교제: CR1(하기 구조식 참조)

유기 용제: PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), CyH(시클로헥사논)

고굴절률 폴리머, 저굴절률 폴리머, 가교제, 열산 발생제, 용제를 표 1의 조성으로 블렌드하고, 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코트하고, 200℃에서 60초간 베이크하여 가교시켜, 200 nm 막 두께의 막(UDL-1, UDL-2, UDL-3, UDL-2-1, UDL-2-2)을 형성하였다. UDL-1, UDL-2, UDL-3, UDL-2-1의 굴절률을 분광 엘립소메트리로 측정하였다. 결과를 표 1에 기재한다.

고굴절률 폴리머 1의 패턴을 형성하고, 그 위에 저굴절률 폴리머 1을 도포하여 매립하는 것을 반복하는 프로세스에 의해 본 발명의 반사 방지막을 형성하였다. 매립용의 재료로는, 레지스트 패턴 상부의 오버버든(overburden)의 막 두께를 얇게 해야 하기 때문에, 용제 비율이 높은 조성물을 이용하였다.

막 두께 10 ㎛의 폴리이미드막이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에, 상기와 동일한 스핀 코트법과 베이크 조건으로 200 nm 막 두께의 UDL-1 막을 형성하였다. 그 위에 동일한 조건으로 200 nm 막 두께의 UDL-1 막을 형성하고, 그 위에 신에츠카가쿠고교 제조의 규소 함유 하드마스크 재료(SHB-A940)를 도포하고, 200℃에서 60초간 베이크하여 40 nm 막 두께의 하드 마스크층을 형성하고, 그 위에 신에츠카가쿠고교 제조 KrF 레지스트(SEPR-772)를 도포하고, 100℃에서 60초간 베이크하여 200 nm 막 두께의 레지스트층을 형성하였다. 이것을 니콘 제조 KrF 엑시머 레이저 스캐너 S-206D(NA 0.82, 윤대 조명(annular illumination)), 6% 하프톤 위상 시프트 마스크를 사용하여, 도 9에 도시된 레이아웃의 피치 800 nm, 사이즈 150 nm의 홀을 형성하였다. 프론계 가스를 이용한 드라이 에칭에 의해, 레지스트 패턴을 규소 함유 하드 마스크막에 전사하고, 산소계 가스를 이용하여 규소 함유 하드 마스크 패턴을 위쪽의 UDL-1 막에 전사시켜, 프론계 가스에 의한 드라이 에칭에 의해 규소 함유 하드 마스크 패턴을 제거하고, 도 2에 도시된 단면의 패턴을 얻었다. 그 위에 매립용의 UDL-2-2를 도포, 베이크하여, 도 4에 도시된 단면의 막을 얻었다.

그 위에 상기와 마찬가지로 UDL-1, 규소 함유 하드 마스크 재료(SHB-A940), KrF 레지스트(SEPR-772)를 형성하고, 니콘 제조 KrF 엑시머 레이저 스캐너 S-206D(NA 0.82, 윤대 조명), 6% 하프톤 위상 시프트 마스크를 사용하여, 도 5의 레이아웃의 피치 550 nm, 사이즈 150 nm의 홀을 형성하였다. 레지스트 패턴을 규소 함유 하드 마스크막에 전사하고, 규소 함유 하드 마스크 패턴을 UDL-1에 전사시켜, 프론계 가스에 의한 드라이 에칭에 의해 규소 함유 하드 마스크 패턴을 제거하고, UDL-2-2를 도포, 베이크하여, 도 5에 도시된 단면의 막을 얻었다.

그 위에 상기와 마찬가지로 UDL-1, 규소 함유 하드 마스크 재료(SHB-A940), KrF 레지스트(SEPR-772)를 형성하고, 니콘 제조 KrF 엑시머 레이저 스캐너 S-206D(NA 0.82, 윤대 조명), 6% 하프톤 위상 시프트 마스크를 사용하여, 도 6의 레이아웃의 피치 300 nm, 사이즈 150 nm의 홀을 형성하였다. 레지스트 패턴을 규소 함유 하드 마스크막에 전사하고, 규소 함유 하드 마스크 패턴을 UDL-1에 전사시켜, 프론계 가스에 의한 드라이 에칭에 의해 규소 함유 하드 마스크 패턴을 제거하고, UDL-2-2를 도포, 베이크하여, 도 6에 도시된 단면의 막을 얻었다.

그 위에 상기와 마찬가지로 UDL-1, 규소 함유 하드 마스크 재료(SHB-A940), KrF 레지스트(SEPR-772)를 형성하고, 니콘 제조 KrF 엑시머 레이저 스캐너 S-206D(NA 0.82, 윤대 조명), 6% 하프톤 위상 시프트 마스크를 사용하여, 도 7의 레이아웃의 피치 550 nm, 사이즈 150 nm의 도트를 형성하였다. 레지스트 패턴을 규소 함유 하드 마스크막에 전사하고, 규소 함유 하드 마스크 패턴을 UDL-1에 전사시켜, 프론계 가스에 의한 드라이 에칭에 의해 규소 함유 하드 마스크 패턴을 제거하고, UDL-2-2를 도포, 베이크하여, 도 7에 도시된 단면의 막을 얻었다.

그 위에 상기와 마찬가지로 UDL-1, 규소 함유 하드 마스크 재료(SHB-A940), KrF 레지스트(SEPR-772)를 형성하고, 니콘 제조 KrF 엑시머 레이저 스캐너 S-206D(NA 0.82, 윤대 조명), 6% 하프톤 위상 시프트 마스크를 사용하여, 도 8의 레이아웃의 피치 800 nm, 사이즈 150 nm의 도트를 형성하였다. 레지스트 패턴을 규소 함유 하드 마스크 막에 전사하고, 규소 함유 하드 마스크 패턴을 UDL-1에 전사시켜, 프론계 가스에 의한 드라이 에칭에 의해 규소 함유 하드 마스크 패턴을 제거하고, UDL-2-2를 도포, 베이크하여, 도 8에 도시된 단면의 막을 얻었다.

그 위에 상기와 마찬가지로 UDL-2-1을 도포, 베이크하여, 도 1에 도시된 단면의 막을 얻었다. 이것을 실시예 1의 적층막으로 하였다.

도 1에 도시된 1번째 층, 4번째 층, 7번째 층의 3층만을 형성한 것 이외에는 상기 방법과 동일하게, 적층막을 얻었다. 이것을 실시예 2의 적층막으로 하였다.

비교예 1로는, 막 두께 10 ㎛의 폴리이미드막이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에, 상기와 동일한 스핀 코트법과 베이크 조건으로 200 nm 막 두께의 UDL-1 막을 형성하고, 그 위에 막 두께 200 nm의 UDL-2-1의 막을 형성한 것을 이용하였다.

비교예 2로는, 막 두께 10 ㎛의 폴리이미드막이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에, 상기와 동일한 스핀 코트법과 베이크 조건으로 200 nm 막 두께의 UDL-1 막만을 형성한 것을 이용하였다.

비교예 3으로는, 막 두께 10 ㎛의 폴리이미드막이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에, 상기와 동일한 스핀 코트법과 베이크 조건으로 200 nm 막 두께의 UDL-2-1 막만을 형성한 것을 이용하였다.

비교예 4로는, 막 두께 10 ㎛의 폴리이미드막이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에 아무런 막도 형성하지 않은 것을 이용하였다.

상기와 동일한 방법으로, 실리콘 웨이퍼 상에, 도 1에 도시된 2번째 층에서 6번째 층까지의 패턴을 구비한 막 단독을 제작하여, 각각의 굴절률을 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.

도 12에 도시된 바와 같이, 폴리이미드막이 형성된 상기 반사 방지 적층막(101)을 실리콘 웨이퍼로부터 박리하여, 합성 석영 기판(102)에 부착하였다. 합성 석영 기판(102)의 반사 방지 적층막(101)이 형성되어 있지 않은 쪽 면의 차광막(103)에 폭 1 mm의 슬릿을 형성하여 여기를 점광원으로 하고, 백색 1200 루멘의 형광등 타입의 LED 조명(104)을 부착하여 이것을 조사하고, 반사 방지 적층막(101) 상에서 이것의 각도 60도에 있어서의 광 조도를 측정하였다. 마찬가지로 비교예 1∼4에 대해서도 측정하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.

표 3에 나타낸 바와 같이, 실시예 1, 2에서 형성한 본 발명의 반사 방지 적층막은, 투과한 광의 조도가 높았다. 한편, 비교예 1∼4에서는, 본 발명의 반사 방지 적층막보다도, 투과한 광의 조도가 낮았다.

이상의 것으로부터, 본 발명의 반사 방지 적층막이라면, 광에 대하여 저반사가 되는 반사 방지 효과를 얻을 수 있는 것이 분명해졌다.

또한, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시로서, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이더라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

1: 안경 기판
2: 자기 발광형 디스플레이
3: 볼록 렌즈
5: 눈
101: 반사 방지 적층막
11: 제1 막
12: 제2 막
13: 제3 막
14: 제4 막
15: 제5 막
16: 제6 막
17: 제7 막
21: 제1 재료
22: 제2 재료
W: 제1 재료로 이루어진 패턴의 사이즈
W': 제2 재료로 이루어진 패턴의 사이즈
31: 제1 재료로 이루어진 패턴
32: 제2 재료로 이루어진 패턴
102: 합성 석영 기판
103: 차광막
104: LED 조명

Claims

투명한 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막으로서, 제1 굴절률을 갖는 제1 재료로 이루어진 제1 막 상에, 상기 제1 재료로 이루어진 막에 상기 제1 굴절률보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 재료로 이루어진 패턴이 형성된 제1 막보다 낮은 굴절률을 갖는 제2 막이 적층되고, 상기 제2 막 상에, 상기 제2 막보다 상기 제2 재료로 이루어진 패턴의 면적이 큰 막 및 상기 제2 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 재료로 이루어진 패턴이 형성된 막 중 적어도 하나가 1층 이상 적층되어 있음으로써, 상기 반사 방지 적층막의 상기 제1 막으로부터 상방향으로 막의 굴절률이 순차적으로 작아지는 것인 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막으로서,
적층하는 층의 수는 4층 이상인 것이고, 또한, 상기 제2 재료로 이루어진 패턴이 도트형의 패턴 및 홀형의 패턴 중 적어도 하나를 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제1항에 있어서, 상기 패턴의 패턴 사이즈가 200 nm 이하인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제1항에 있어서, 상기 막의 파장 590∼610 nm의 가시광에서의 굴절률이, 가장 저굴절률인 막은 1.35 이하, 상기 제1 막은 1.65 이상인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제2항에 있어서, 상기 막의 파장 590∼610 nm의 가시광에서의 굴절률이, 가장 저굴절률인 막은 1.35 이하, 상기 제1 막은 1.65 이상인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제1항에 있어서, 파장 400 nm∼800 nm의 가시광에서의 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제2항에 있어서, 파장 400 nm∼800 nm의 가시광에서의 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제3항에 있어서, 파장 400 nm∼800 nm의 가시광에서의 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제4항에 있어서, 파장 400 nm∼800 nm의 가시광에서의 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제1항에 있어서, 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료 중 적어도 하나가 포토레지스트 재료인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제2항에 있어서, 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료 중 적어도 하나가 포토레지스트 재료인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제3항에 있어서, 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료 중 적어도 하나가 포토레지스트 재료인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제4항에 있어서, 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료 중 적어도 하나가 포토레지스트 재료인 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제1항에 있어서, 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료 중 적어도 하나가 비감광성의 것임을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제2항에 있어서, 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료 중 적어도 하나가 비감광성의 것임을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제3항에 있어서, 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료 중 적어도 하나가 비감광성의 것임을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제4항에 있어서, 상기 제1 재료 및 상기 제2 재료 중 적어도 하나가 비감광성의 것임을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 기재된 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막의 형성 방법으로서, 상기 패턴의 형성에 있어서, 광 리소그래피를 이용하는 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막의 형성 방법.
제17항에 있어서, 상기 패턴의 형성에 있어서, 광 리소그래피 및 에칭을 이용하는 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막의 형성 방법.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 기재된 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막의 형성 방법으로서, 상기 패턴의 형성에 있어서, 임프린트법을 이용하는 것을 특징으로 하는 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막의 형성 방법.
안경형 디스플레이로서, 상기 안경형 디스플레이의 안구 측의 기판 상에 액정, 유기 EL, 및 마이크로 LED로부터 선택되는 자기 발광형 디스플레이가 설치되고, 상기 자기 발광형 디스플레이의 안구 측에 초점을 연결하기 위한 볼록 렌즈가 설치되며, 상기 볼록 렌즈의 표면에 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 기재된 안경형 디스플레이용 반사 방지 적층막이 형성되어 있는 것임을 특징으로 하는 안경형 디스플레이.