KR102148507B1 - 리튬 전극 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 리튬 전극의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 리튬 전극 제조시 기재 상에 리튬 금속을 보호할 수 있는 보호층을 먼저 형성하고, 상기 보호층 상에 리튬 금속을 증착시킨 후, 증착된 리튬 금속층을 집전체로 전사함으로써 얇고 균일한 두께의 리튬 전극을 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 리튬 전극을 사용한 리튬 이차전지의 에너지 밀도가 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 리튬 전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근까지, 음극으로 리튬을 사용하는 고에너지 밀도 전지를 개발하는데 있어 상당한 관심이 있어 왔다. 예를 들어, 비-전기 활성 재료의 존재로 음극의 중량 및 부피를 증가시켜서 전지의 에너지 밀도를 감소시키는 리튬 삽입된 탄소 음극, 및 니켈 또는 카드뮴 전극을 갖는 다른 전기화학 시스템과 비교하여, 리튬 금속은 저중량 및 고용량 특성을 갖기 때문에, 전기화학 전지의 음극 활물질로서 매우 관심을 끌고 있다. 리튬 금속 음극, 또는 리튬 금속을 주로 포함하는 음극은, 리튬-이온, 니켈 금속 수소화물 또는 니켈-카드뮴 전지와 같은 전지보다는 경량화되고 고에너지 밀도를 갖는 전지를 구성할 기회를 제공한다. 이러한 특징들은 프리미엄이 낮은 가중치로 지불되는, 휴대폰 및 랩-탑 컴퓨터와 같은 휴대용 전자 디바이스용 전지에 대해 매우 바람직하다.
종래의 리튬 이온전지는 음극에 그라파이트, 양극에 LCO(Lithium Cobalt Oxide)를 사용하여 700 wh/l 수준의 에너지 밀도를 가지고 있다. 하지만, 최근 높은 에너지 밀도를 필요로 하는 분야가 확대되고 있어, 리튬 이온전지의 에너지 밀도를 증가 시켜야 할 필요성이 지속적으로 제기되고 있다. 예를 들어, 전기자동차의 1회 충전 시 주행거리를 500 km 이상으로 늘리기 위해서도 에너지 밀도의 증가가 필요 하다.
리튬 이온전지의 에너지 밀도를 높이기 위하여 리튬 전극의 사용이 증가하고 있다. 그러나, 리튬 금속은 반응성이 크고 취급하기 어려운 금속으로서 공정에서 다루기가 어려운 문제가 있다.
이에 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 리튬 금속을 이용한 전극을 제조하기 위한 다양한 시도들이 있어왔다.
예를 들어, 대한민국 등록특허 제0635684호는 유리 보호층이 있는 리튬 전극의 형성방법에 관한 것으로, 이형제층이 증착된 기질(PET) 상에 보호층을 형성하고, 상기 보호층 상에 리튬을 증착시킨 후, 상기 리튬 상에 전류 콜렉터를 증착하여 리튬 전극을 제조하는 방법을 제시하고 있으나, 리튬의 증착 과정에서 리튬의 표면이 노출되어 산화층(native layer)의 두께가 증가하여 전지의 수명 특성을 악영향을 미치게 될 수 있다.
따라서, 리튬 전극 제조 시, 수분 및 외기로부터 리튬을 보호하여 산화층의 형성을 최소화함으로서 얇고 균일한 두께의 리튬 전극을 제조하는 방법에 대한 기술 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
본 발명자들은 상기 문제점을 해결하기 위해 다각적으로 연구를 수행한 결과, 리튬 전극 제조시 기재 상에 리튬 금속을 보호할 수 있는 보호층을 먼저 형성하고, 상기 보호층 상에 리튬 금속을 증착시킨 후, Cu 집전체로 전사함으로써 얇고 균일한 두께의 리튬 전극을 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 리튬 전극을 사용한 리튬 이차전지의 에너지 밀도가 향상된 것을 확인하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 산화층의 형성이 최소화 되어, 균일하고 얇은 두께를 가지는 리튬 전극을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 제조 공정 중에 수분 및 외기에 대한 리튬 금속의 노출을 방지하여, 리튬 금속 표면에 산화층의 형성을 최소화 함으로써 균일하고 얇은 두께를 가지는 리튬 전극의 제조방법을 제조하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, (S1) 기재 상에 리튬 금속 보호용 고분자를 코팅하여 보호층을 형성하는 단계;
(S2) 상기 보호층 상에 리튬 금속을 증착하여 리튬 금속층을 형성하는 단계; 및
(S3) 상기 리튬 금속층을 집전체로 전사하는 단계;를 포함하는 리튬 전극의 제조방법을 제공한다.
상기 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리메틸메타크릴산(poly(methylmethacrylate), PMMA), TAC(cellulose tri-acetate), 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리에틸렌(Polyethylene) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 기재는 적어도 일면에 이형층이 형성된 것일 수 있다.
상기 이형층은 Si, 멜라민 및 불소로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 기재의 적어도 일면에 올리고머 이동 방지막이 코팅된 것일 수 있다.
상기 증착은 진공 증착법(evaporation deposition), 화학 증착법(chemical vapor deposition) 화학기상증착 (CVD, chemical vapor deposition), 및 물리 증착법(physical vapor depositio) 중에서 선택되는 방법에 의해 실시될 수 있다.
상기 리튬 금속층의 두께는 5 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다.
상기 보호층은 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride), PVDF-HFP 코폴리머(Poly Vinylidene Fluoride- hexafluoroethylne copolymer), 사이클로 올레핀 폴리머(Cyclo olefin polymer), 사이클로 올레핀 코폴리머(Cyclo olefin copolymer) 및 SBR-CMC (Styrene Butadiene Rubber - Carboxymethyl Cellulose)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 집전체는 구리, 알루미늄, 니켈, 티탄, 소성탄소 및 스테인리스스틸로 이루어진 군에서 선택되는 1종일 수 있다.
상기 리튬 전극은 집전체; 상기 집전체 상에 형성된 리튬 금속층; 및 상기 리튬 금속층 상에 형성된 보호층을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 리튬 전극을 제조하기 위하여 리튬 금속 보호층 상에 리튬 금속을 증착시킨 후 집전체에 전사시키는 방법을 사용하여, 집전체, 리튬 금속층 및 보호층이 순차적으로 적층된 리튬 전극을 제조할 수 있다.
또한, 상기 보호층에 의해 제조 공정 중 리튬 금속이 수분 또는 외기와 같은 외부 환경에 노출되는 것을 방지하여, 리튬 금속의 표면에 산화층(native layer)이 형성되는 것을 최소화함으로써 얇고 균일한 두께를 가지는 리튬 전극을 제조할 수 있다.
또한, 집전체 상에 직접적으로 리튬 금속을 증착하지 않고, 전사에 의해 집전체 상에 리튬 금속층을 형성하는 방법을 사용하므로, 증착 공정 중에 파단되기 쉬운 집전체의 문제점을 보완할 수 있고, 이에 따라 다양한 종류의 집전체를 사용하여 리튬 전극을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 리튬 전극 제조공정 중 집전체에 전사하기 전 리튬 전극 적층체를 나타낸 모식도이다.
이하, 본 발명에 대한 이해를 돕기 위하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서 및 청구범위에서 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
리튬 전극의 제조방법
본 발명은 전지의 에너지 밀도를 증가시킬 수 있는 리튬 전극의 제조방법에 관한 것으로, (S1) 기재 상에 리튬 금속 보호용 고분자를 코팅하여 보호층을 형성하는 단계; (S2) 상기 보호층 상에 리튬 금속을 증착하여 리튬 금속층을 형성하는 단계; 및 (S3) 상기 리튬 금속층을 집전체로 전사하는 단계;를 포함하는 리튬 전극의 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 리튬 전극 제조공정 중 집전체에 전사하기 전 리튬 전극 적층체를 나타낸 모식도이다.
도 1을 참조하면, 리튬 전극은 양면에 이형층(10a, 10b)이 형성된 기재(10) 상에 보호층(20) 및 리튬 금속층(30)을 순차적으로 형성한 후, 집전체(미도시)에 전사할 수 있다.
이하, 각 단계별로 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
(S1) 단계
(S1) 단계에서는 기재 상에 리튬 금속 보호용 고분자를 코팅하여 리튬 금속 보호용 보호층을 형성할 수 있다.
상기 기재는 리튬 금속을 증착시키는 단계에서의 높은 온도와 같은 공정 조건을 견뎌낼 수 있고, 증착된 리튬 금속층을 집전체로 전사하기 위한 권취 공정 중 리튬 금속층이 집전체가 아닌 기재 상으로 전사되는 역박리 문제를 방지할 수 있는 특징을 가지는 것일 수 있다.
예를 들어, 상기 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리메틸메타크릴산(poly(methylmethacrylate), PMMA), TAC(cellulose tri-acetate), 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리에틸렌(Polyethylene) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
또한, 상기 기재는 적어도 일면에 이형층이 형성된 것일 수 있으며, 바람직하게는 양면에 이형층이 형성된 것일 수 있다. 상기 이형층으로 인하여 증착된 리튬 금속층을 집전체로 전사하기 위한 권취 공정 중 리튬 금속층이 집전체가 아닌 기재 상으로 전사되는 역박리 문제를 방지할 수 있고, 또한, 리튬 금속층을 집전체 상에 전사시킨 후 기재를 용이하게 분리시킬 수 있다.
상기 이형층은 Si, 멜라민 및 불소로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 이형층은 코팅법에 의해 형성될 수 있으며, 예컨대, 상기 코팅법은 딥코팅(dip coating), 분사코팅(spray coating), 스핀코팅(spin coating), 다이코팅(die coating), 및 롤코팅(roll coating)으로 이루어진 군에서 선택되는 방법일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 당업계에서 코팅층을 형성하기 위해 사용할 수 있는 코팅법을 다양하게 사용할 수 있다.
또한, 상기 기재는 적어도 일면에 올리고머 이동 방지막(Oligomer Block Coating)을 포함할 수 있다. 이때, 올리고머 이동 방지막이란 기재 내에 중합되지 않고 잔여한 올리고머가 기재 외부로 빠져나와 리튬을 오염시키는 올리고머 이동을 방지하기 위한 차단막을 의미한다.
예를 들어, PET 필름 내부에 중합되지 않은 올리고머가 존재할 수 있으며, 이들 올리고머가 PET 필름 외부로 이동하여 리튬을 오염시킬 수 있으므로 이를 방지하기 위하여 PET 필름의 적어도 일면에 올리고머 이동 방지막이 형성될 수 있다.
또한, 상기 기재는 올리고머 함량이 낮을수록, 기재에서 올리고머가 빠져나오는 문제점을 방지할 수 있어 유리할 수 있다.
(S2) 단계
(S2) 단계에서는 상기 보호층 상에 리튬 금속을 증착하여 리튬 금속층을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층은 리튬 전극을 제조하는 일련의 공정에서 수분이나 외기와 같은 외부 환경으로부터 리튬 금속을 보호하여 표면 산화막(native layer)의 형성을 최소화할 수 있다.
따라서, 상기 보호층을 형성하는 물질은 높은 수분차단성능을 가지고, 전해액에 대해 안정성을 가지며, 전해액 함습율이 높고, 산화·환원 안정성을 우수하여야 한다.
예컨대, 상기 보호층은 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride), PVDF-HFP 코폴리머(Poly Vinylidene Fluoride- hexafluoroethylne copolymer), 사이클로 올레핀 폴리머(Cyclo olefin polymer), 사이클로 올레핀 코폴리머(Cyclo olefin copolymer) 및 SBR-CMC (Styrene Butadiene Rubber - Carboxymethyl Cellulose)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고분자를 포함할 수 있다.
상기 보호층은 두께가 0.1 ㎛ 내지 1.0 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 0.3 ㎛ 내지 0.8 ㎛, 보다 바람직하게는 0.4 ㎛ 내지 0.6 ㎛ 일 수 있으며, 상기 보호층의 두께가 상기 범위 미만이면 리튬 금속을 수분이나 외기로부터 노출하는 기능을 저하될 수 있고, 상기 범위 초과이면 제조되는 리튬 전극이 두꺼워질 수 있다.
상기 보호층을 형성하기 위한 코팅액은 전술한 바와 같은 고분자를 용매에 용해시켜 제조할 수 있으며, 이때, 코팅액의 농도는 1% 내지 20%, 바람직하게는 3% 내지 10%, 보다 바람직하게는 4% 내지 8%일 수 있다. 상기 코팅액의 농도가 상기 범위 미만이면 점도가 매우 낮아 코팅 공정이 진행되기 어렵고, 상기 범위 초과이면, 점도가 높아 목표한 수준의 코팅 두께로 코팅층을 형성하기 어려울 수 있다. 이때, 상기 코팅액을 형성하기 위한 용매로는 NMP (N-methyl-2- pyrrolidone), DMF (Dimethyl Formamide), DMAc (Dimethyl Acetamide), Tetramethyl Urea, DMSO (Dimethyl Sulfoxide) 및 트리에틸 포스페이트(Triethyl Phosphate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나, 특히 NMP를 사용할 경우, 전술한 바와 같은 보호층 형성용 고분자의 용해도가 높고 코팅공정에 의해 보호층을 형성하기에 유리할 수 있다.
또한, 상기 보호층을 형성하기 위한 코팅법으로는 딥코팅(dip coating), 분사코팅(spray coating), 스핀코팅(spin coating), 다이코팅(die coating), 롤코팅(roll coating), 슬롯다이 코팅(Slot-die coating), 바 코팅(Bar coating), 그라비아 코팅(Gravure coating), 콤마 코팅(Comma coating), 커튼 코팅(Curtain coating) 및 마이크로 그라비아 코팅(Micro-Gravure coating)으로 이루어진 군에서 선택되는 방법일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 당업계에서 코팅층을 형성하기 위해 사용할 수 있는 코팅법을 다양하게 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 증착에 의해 상기 보호층 상에 형성된 리튬 금속층은 두께가 5 ㎛ 내지 25 ㎛, 바람직하게는 10 ㎛ 내지 20 ㎛, 보다 바람직하게는 13 ㎛ 내지 18 ㎛ 일 수 있다. 상기 리튬 금속층의 두께는 용도에 따라 달라질 수 있으며, 리튬 금속만을 전극, 예컨대 음극재로 사용할 경우, 리튬 금속층의 두께는 20 ㎛ 내지 25 ㎛ 수준일 경우 충분하나, 실리콘 옥사이드(Silicone Oxide) 재질의 음극에서 발생하는 비가역을 보상하기 위한 소재로 리튬 금속을 사용할 경우 리튬 금속층의 두께는 5 ㎛ 내지 15 ㎛ 정도일 수 있다. 상기 리튬 금속층의 두께가 상기 범위 미만이면 전지의 용량과 수명 특성이 저하될 수 있고, 상기 범위 초과이면 제조되는 리튬 전극의 두께가 두꺼워져 상용화에 불리할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 리튬 금속을 증착하기 위한 증착 방법으로는 진공 증착법(evaporation deposition), 화학 증착법(chemical vapor deposition) 화학기상증착 (CVD, chemical vapor deposition), 및 물리 증착법(physical vapor depositio) 중에서 선택될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 당업계에서 사용되는 증착법을 다양하게 사용할 수 있다.
(S3) 단계
(S3) 단계에서는, 상기 리튬 금속층을 집전체로 전사할 수 있다. 이때 전사는 상기 기재, 보호층 및 리튬 금속층이 순차적으로 적층된 구조체를 권취한 후, 롤 프레스와 같은 장치를 이용하여 집전체 상에 상기 리튬 금속층이 전사되도록 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 집전체는 구리, 알루미늄, 니켈, 티탄, 소성탄소 및 스테인리스스틸로 이루어진 군에서 선택되는 1종일 수 있다.
집전체 상에 리튬 금속을 직접 증착하게 될 경우, 특히, 구리 집전체에 리튬 금속을 직접 증착하게 될 경우는 구리 집전체가 쉽게 파단되는 문제점이 있으나, 본 발명은 리튬 금속층을 형성한 뒤, 형성된 리튬 금속층 자체를 집전체 상에 전사하여 리튬 전극을 제조하므로, 다양한 집전체를 사용하여 리튬 전극을 제조할 수 있다.
전술한 바와 같은 리튬 전극의 제조방법에 따르면, 리튬 전극을 제조하기 위하여 리튬 금속 보호층 상에 리튬 금속을 증착시킨 후 집전체에 전사시키는 방법을 사용하여, 집전체, 리튬 금속층 및 보호층이 순차적으로 적층된 리튬 전극을 제조할 수 있다.
또한, 상기 보호층에 의해 제조 공정 중 리튬 금속이 수분 또는 외기와 같은 외부 환경에 노출되는 것을 방지하여, 리튬 금속의 표면에 산화층(native layer)이 형성되는 것을 최소화함으로써 얇고 균일한 두께를 가지는 리튬 전극을 제조할 수 있다.
또한, 집전체 상에 직접적으로 리튬 금속을 증착하지 않고, 전사에 의해 집전체 상에 리튬 금속층을 형성하는 방법을 사용하므로, 증착 공정 중에 파단되기 쉬운 집전체의 문제점을 보완할 수 있고, 이에 따라 다양한 종류의 집전체를 사용하여 리튬 전극을 제조할 수 있다.
또한, 이와 같이 제조된 리튬 전극은 얇은 두께를 가지면서도 두께의 균일도가 우수하여 전지에 적용시 에너지 밀도를 크게 향상시킬 수 있다.
이하 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변경 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예
1: 리튬 전극의 제조
기재로서 양면에 이형층이 형성된 이형 PET 필름(SKC Haas社制 RX12G 50㎛)을 준비하였다.
상기 기재의 일면에 리튬 금속 보호를 위한 보호층을 형성하기 위한 코팅액으로서 PVDF-HFP 코팅액을 준비하였다. 상기 PVDF-HFP 코팅액은 NMP 용매에 PVDF-HFP(Arkema社制 LBG Grade)를 용해시켜 5% 용액이 되도록 하였다.
Micro-Gravure 코터(coater)를 이용하여 상기 PVDF-HFP 코팅액을 상기 이형 PET 필름의 일면에 2 ㎛의 두께로 코팅하여 PVDF-HFP 보호층을 형성하였다.
600 ℃ 온도에서 진공 증착법(Evaporation Deposition)에 의해, 상기 보호층 상에 리튬 금속을 증착시켜, 두께 20 ㎛인 리튬 금속층을 형성하고, 상기 이형 PET 필름, PVDF-HFP 보호층 및 리튬 금속층이 순차적을 적층된 구조체를 1 m/min의 속도로 권취 하였다.
그 후, 롤 프레스 장비(Calendering machine CLP-1015, CIS社)를 이용하여 상기 리튬 금속층을 Cu 집전체 상으로 전사시켜, Cu 집전체, 리튬 금속층 및 PVDF-HFP 보호층이 순차적으로 적층된 리튬 전극을 제조하였다.
실시예
2: 리튬 전극의 제조
실시예 1과 동일하게 실시하되, 보호층 형성용 고분자로서 PVDF-HFP 대신 PVDF를 이용하여 PVDF 보호층을 형성하였다.
비교예
1:
집전체
상에 직접 증착에 의해 리튬 전극 제조
Cu 집전체 상에 리튬 금속을 직접 증착하여 리튬 금속층을 형성한 후, 상기 리튬 금속층 상에 PVDF-HFP 코팅액을 도포하여 리튬 전극을 제조하였다. 이때, 증착 공정은 600 ℃ 온도에서 진공 증착법(Evaporation Deposition)에 의해 실시하여 두께 12 ㎛ 인 리튬 금속층을 형성하였으며, 상기 PVDF-HFP 코팅액은 NMP 용매에 PVDF-HFP(Arkema社制 LBG Grade)를 용해시켜 5% 용액이 되도록 하여 제조하여 스핀 코팅에 의해 상기 리튬 금속층 상에 PVDF-HFP 보호층을 형성하였다.
비교예 2: 압연에 의한 리튬 전극 제조
리튬 금속층으로서, 압연에 의해 제조된 리튬 금속(Honzo社, 일본)을 준비하였다.
상기 리튬금속층 상에 PVDF-HFP 코팅액을 도포하여 리튬 전극을 제조하였다. 이때, 상기 PVDF-HFP 코팅액은 NMP 용매에 PVDF-HFP(Arkema社制 LBG Grade)를 용해시켜 5% 용액이 되도록 하여 제조하고, 스핀 코팅에 의해 상기 리튬 금속층 상에 PVDF-HFP 보호층을 형성하여, Cu 집전체, 리튬 금속층 및 PVDF-HFP 보호층이 순차적으로 적층된 리튬 전극을 제조하였다.
비교예
3: 전해도금에 의한 리튬 전극 제조
테트라하이드로푸란(THF)에 용해시킨 2M 염화리튬(2M Cl in THF) 용액에 20㎛ 두께의 구리 호일(2㎝ x 2㎝)을 주전극으로, 백금 선(Pt wire)을 상대전극으로, 마그네슘 호일을 기준전극으로 하여 침지하였다.
그 후 5mA로 1 시간 동안 도금 반응을 진행시켜 구리 호일 상에 리튬 금속층을 형성하였다.
상기 리튬금속층 상에 PVDF-HFP 코팅액을 도포하여 리튬 전극을 제조하였다. 이때, 상기 PVDF-HFP 코팅액은 NMP 용매에 PVDF-HFP(Arkema社制 LBG Grade)를 용해시켜 5% 용액이 되도록 하여 제조하여, 스핀 코팅에 의해 상기 리튬 금속층 상에 PVDF-HFP 보호층을 형성하여, 리튬 전극을 제조하였다.
실험예
1: 제조된 리튬 전극의 비교
실시예 1, 2의 경우 정상적인 리튬 전극이 제조된 것을 확인하였다.
반면, 비교예 1의 경우 Cu 집전체 상에 직접 증착 공정을 실시함으로 인하여 링클(Wrinkle) 현상이 발생할 것을 확인하였다. 링클 현상이란 접히고 찢어지는 현상으로 두께가 얇은 Cu 집전체 상에 직접 증착 공정을 실시함으로 인하여 이와 같은 현상이 나타난 것을 알 수 있다.
실험예
2 : 사이클 성능 비교
실시예1 과 비교예 2,3에서 각각 제조된 리튬 전극을 음극으로 적용한 Hohsen 2032 코인셀을 제조하여 사이클 성능을 비교해 보았다. 양극은 LNF사의 LF-X20N을 사용하였고, 전해액은 FEC(fluoroethylene carbonate)와 DMC(dimethyl carbonate)를 2:8 vol% 비율로 혼합한 용액에 LiPF6 1M, VC(vinylene carbonate)를 1wt% 첨가한 것을 사용하였다. 분리막은 SK innovation사의 LC2001을 사용하였다. 충전 조건은 4.25V CC/CV 조건에서 진행하였으며, 방전은 3.0V CC 조건에서 진행하였다. 충전과 방전시의 C-rate는 각각 0.2C, 0.5C 였다.
Cycle 수 (n) | 음극 효율 [%] | |
실시예 1 | 260 | 99.27 |
비교예 2 | 150 | 98.98 |
비교예 3 | 150 | 98.71 |
상기 표에서 Cycle 수는 초기 방전용량 대비, 방전용량의 비율이 80% 수준으로 떨어졌을 때의 Cycle 수를 기준으로 하였다. 그리고 음극 효율의 계산식은 하기 식 1과 같다.
[식 1]
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
10: 기재
10a,10b: 이형층
20: 보호층
30: 리튬 금속층
10a,10b: 이형층
20: 보호층
30: 리튬 금속층
Claims (10)
- (S1) 양면에 이형층이 형성된 기재 상에 리튬 금속 보호용 고분자를 코팅하여 보호층을 형성하는 단계;
(S2) 상기 보호층 상에 리튬 금속을 증착하여 리튬 금속층을 형성하는 단계; 및
(S3) 상기 기재, 보호층 및 리튬 금속층이 순차적으로 적층되어 형성된 구조체를 권취한 후, 롤 프레스를 이용하여 상기 구조체의 리튬 금속층이 집전체 상에 형성되도록 상기 구조체를 집전체로 전사하는 단계;를 포함하는 리튬 전극의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리메틸메타크릴산(poly(methylmethacrylate), PMMA), TAC(cellulose tri-acetate), 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리에틸렌(Polyethylene) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 리튬 전극의 제조방법. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 이형층은 Si, 멜라민 및 불소로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 리튬 전극의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 기재의 적어도 일면에 올리고머 이동 방지막이 코팅된 리튬 전극의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 증착은 진공 증착법(evaporation deposition), 화학기상증착 (CVD, chemical vapor deposition), 및 물리 증착법(physical vapor deposition) 중에서 선택되는 방법에 의해 실시되는 리튬 전극의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 리튬 금속층의 두께는 5 ㎛ 내지 50 ㎛인 리튬 전극의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 보호층은 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride), PVDF-HFP 코폴리머(Poly Vinylidene Fluoride- hexafluoroethylne copolymer), 사이클로 올레핀 폴리머(Cyclo olefin polymer), 사이클로 올레핀 코폴리머(Cyclo olefin copolymer) 및 SBR-CMC (Styrene Butadiene Rubber - Carboxymethyl Cellulose)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 리튬 전극의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 집전체는 구리, 알루미늄, 니켈, 티탄, 소성탄소 및 스테인리스스틸로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 리튬 전극의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 리튬 전극은 집전체; 상기 집전체 상에 형성된 리튬 금속층; 및 상기 리튬 금속층 상에 형성된 보호층을 포함하는 리튬 전극의 제조방법.
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