KR102138012B1 - 팬-아웃 반도체 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 서로 전기적으로 연결된 복수의 배선층을 포함하며 바닥면에 스타퍼층이 배치된 리세스부를 갖는 프레임, 접속패드를 가지며 비활성면이 스타퍼층과 마주하도록 리세스부에 배치된 반도체칩, 프레임과 반도체칩의 적어도 일부를 덮으며 리세스부의 적어도 일부를 채우는 봉합재, 및 프레임과 반도체칩의 활성면 상에 배치되며 재배선층을 포함하는 연결부재를 포함하며, 프레임의 최상측에 경사진 측면을 갖는 연결구조체 또는 더미구조체가 배치된, 팬-아웃 반도체 패키지에 관한 것이다.

Description

팬-아웃 반도체 패키지{FAN-OUT SEMICONDUCTOR PACKAGE}
본 개시는 반도체 패키지, 예를 들면, 전기연결구조체를 반도체칩이 배치된 영역 외로도 확장할 수 있는 팬-아웃 반도체 패키지에 관한 것이다.
최근 반도체칩에 관한 기술 개발의 주요한 추세 중의 하나는 부품의 크기를 축소하는 것이며, 이에 패키지 분야에서도 소형 반도체칩 등의 수요 급증에 따라 소형의 크기를 가지면서 다수의 핀을 구현하는 것이 요구되고 있다.
이에 부합하기 위하여 제안된 반도체 패키지 기술 중의 하나가 팬-아웃 반도체 패키지이다. 팬-아웃 패키지는 접속단자를 반도체칩이 배치된 영역 외로도 재배선하여, 소형의 크기를 가지면서도 다수의 핀을 구현할 수 있게 해준다.
본 개시의 여러 목적 중 하나는 블라인드 형태의 리세스부를 갖는 프레임을 도입하여 반도체칩을 배치하며, 이에 따라서 그라인딩 공정을 이용할 때 프레임의 배선 및/또는 반도체칩의 접속패드를 재배선층과 전기적으로 연결하는 연결구조체의 잔존 두께를 측정할 수 있는 팬-아웃 반도체 패키지를 제공하는 것이다.
본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 하나는 프레임의 최상측에 경사진 측면을 갖는 더미구조체 또는 연결구조체를 배치하는 것이다.
예를 들면, 일례에 따른 팬-아웃 반도체 패키지는 서로 전기적으로 연결된 복수의 배선층 및 상기 복수의 배선층 중 최상측 배선층과 동일 레벨에 배치된 더미층을 포함하며 바닥면에 스타퍼층이 배치된 리세스부를 갖는 프레임, 접속패드가 배치된 활성면 및 상기 활성면의 반대측인 비활성면을 가지며 상기 비활성면이 상기 스타퍼층과 마주하도록 상기 리세스부에 배치된 반도체칩, 상기 접속패드 상에 배치된 제1연결구조체, 상기 최상측 배선층 상에 배치된 제2연결구조체, 상기 더미층 상에 배치된 더미구조체, 상기 프레임과 상기 반도체칩과 상기 제1연결구조체와 상기 제2연결구조체와 상기 더미구조체 각각의 적어도 일부를 덮으며 상기 리세스부의 적어도 일부를 채우는 봉합재, 및 상기 프레임 및 상기 반도체칩의 활성면 상에 배치되며 상기 제1 및 제2금속범프와 전기적으로 연결된 재배선층을 포함하는 연결부재를 포함하며, 상기 더미구조체는 경사진 측면을 갖는 것일 수 있다.
예를 들면, 다른 일례에 따른 팬-아웃 반도체 패키지는 서로 전기적으로 연결된 복수의 배선층을 포함하며 바닥면에 스타퍼층이 배치된 리세스부를 갖는 프레임, 접속패드가 배치된 활성면 및 상기 활성면의 반대측인 비활성면을 가지며 상기 비활성면이 상기 스타퍼층과 마주하도록 상기 리세스부에 배치된 반도체칩, 상기 접속패드 상에 배치된 제1연결구조체, 상기 복수의 배선층 중 최상측 배선층 중 적어도 하나의 패턴 상에 배치된 제2연결구조체, 상기 복수의 배선층 중 최상측 배선층 중 적어도 다른 하나의 패턴 상에 배치된 제3연결구조체, 상기 프레임과 상기 반도체칩과 상기 제1 내지 제3연결구조체 각각의 적어도 일부를 덮으며 상기 리세스부의 적어도 일부를 채우는 봉합재, 및 상기 프레임 및 상기 반도체칩의 활성면 상에 배치되며 상기 제1 및 제2금속범프와 전기적으로 연결된 재배선층을 포함하는 연결부재를 포함하며, 상기 제3연결구조체는 상기 제2연결구조체 보다 측면의 기울기가 큰 것일 수 있다.
본 개시의 여러 효과 중 일 효과로서 블라인드 형태의 리세스부를 갖는 프레임을 도입하여 반도체칩을 배치하며, 이에 따라서 그라인딩 공정을 이용할 때 프레임의 배선 및/또는 반도체칩의 접속패드를 재배선층과 전기적으로 연결하는 연결구조체의 잔존 두께를 측정할 수 있는 팬-아웃 반도체 패키지를 제공할 수 있다. 이 경우, 그라인딩 공정의 조건의 셋업이 용이하며, 오버 그라인딩으로 인한 불량율을 줄일 수 있고, 나아가 고가의 측정장비를 생략할 수 있다.
도 1은 전자기기 시스템의 예를 개략적으로 나타내는 블록도다.
도 2는 전자기기의 일례를 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 3은 팬-인 반도체 패키지의 패키징 전후를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 4는 팬-인 반도체 패키지의 패키징 과정을 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 5는 팬-인 반도체 패키지가 BGA 기판 상에 실장되어 최종적으로 전자기기의 메인보드에 실장된 경우를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 6은 팬-인 반도체 패키지가 BGA 기판 내에 내장되어 최종적으로 전자기기의 메인보드에 실장된 경우를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 7은 팬-아웃 반도체 패키지의 개략적은 모습을 나타낸 단면도다.
도 8은 팬-아웃 반도체 패키지가 전자기기의 메인보드에 실장된 경우를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 9는 팬-아웃 반도체 패키지의 일례를 대략 나타낸 단면도다.
도 10은 도 9의 팬-아웃 반도체 패키지의 개략적인 Ⅰ-Ⅰ' 절단 평면도다.
도 11 내지 도 17은 도 9의 팬-아웃 반도체 패키지의 제조 과정을 개략적으로 나타낸 공정도다.
도 18은 팬-아웃 반도체 패키지의 다른 일례를 대략 나타낸 단면도다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 대해 설명한다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장되거나 축소될 수 있다.
전자기기
도 1은 전자기기 시스템의 예를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도면을 참조하면, 전자기기(1000)는 메인보드(1010)를 수용한다. 메인보드(1010)에는 칩 관련부품(1020), 네트워크 관련부품(1030), 및 기타부품(1040) 등이 물리적 및/또는 전기적으로 연결되어 있다. 이들은 후술하는 다른 부품과도 결합되어 다양한 신호라인(1090)을 형성한다.
칩 관련부품(1020)으로는 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리 칩; 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 어플리케이션 프로세서 칩; 아날로그-디지털 컨버터, ASIC(application-specific IC) 등의 로직 칩 등이 포함되며, 이에 한정되는 것은 아니고, 이 외에도 기타 다른 형태의 칩 관련 부품이 포함될 수 있음은 물론이다. 또한, 이들 부품(1020)이 서로 조합될 수 있음은 물론이다.
네트워크 관련부품(1030)으로는, Wi-Fi(IEEE 802.11 패밀리 등), WiMAX(IEEE 802.16 패밀리 등), IEEE 802.20, LTE(long term evolution), Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE, GSM, GPS, GPRS, CDMA, TDMA, DECT, Bluetooth, 3G, 4G, 5G 및 그 이후의 것으로 지정된 임의의 다른 무선 및 유선 프로토콜들이 포함되며, 이에 한정되는 것은 아니고, 이 외에도 기타 다른 다수의 무선 또는 유선 표준들이나 프로토콜들 중의 임의의 것이 포함될 수 있다. 또한, 네트워크 관련부품(1030)이 칩 관련 부품(1020)과 더불어 서로 조합될 수 있음은 물론이다.
기타부품(1040)으로는, 고주파 인덕터, 페라이트 인덕터, 파워 인덕터, 페라이트 비즈, LTCC(low Temperature Co-Firing Ceramics), EMI(Electro Magnetic Interference) filter, MLCC(Multi-Layer Ceramic Condenser) 등이 포함되며, 이에 한정되는 것은 아니고, 이 외에도 기타 다른 다양한 용도를 위하여 사용되는 수동부품 등이 포함될 수 있다. 또한, 기타부품(1040)이 칩 관련 부품(1020) 및/또는 네트워크 관련 부품(1030)과 더불어 서로 조합될 수 있음은 물론이다.
전자기기(1000)의 종류에 따라, 전자기기(1000)는 메인보드(1010)에 물리적 및/또는 전기적으로 연결되거나 그렇지 않을 수도 있는 다른 부품을 포함할 수 있다. 다른 부품의 예를 들면, 카메라(1050), 안테나(1060), 디스플레이(1070), 배터리(1080), 오디오 코덱(미도시), 비디오 코덱(미도시), 전력 증폭기(미도시), 나침반(미도시), 가속도계(미도시), 자이로스코프(미도시), 스피커(미도시), 대량 저장 장치(예컨대, 하드디스크 드라이브)(미도시), CD(compact disk)(미도시), 및 DVD(digital versatile disk)(미도시) 등이 있으며, 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 이 외에도 전자기기(1000)의 종류에 따라 다양한 용도를 위하여 사용되는 기타 부품 등이 포함될 수 있음은 물론이다.
전자기기(1000)는, 스마트 폰(smart phone), 개인용 정보 단말기(personal digital assistant), 디지털 비디오 카메라(digital video camera), 디지털 스틸 카메라(digital still camera), 네트워크 시스템(network system), 컴퓨터(computer), 모니터(monitor), 태블릿(tablet), 랩탑(laptop), 넷북(netbook), 텔레비전(television), 비디오 게임(video game), 스마트 워치(smart watch), 오토모티브(Automotive) 등일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 외에도 데이터를 처리하는 임의의 다른 전자기기일 수 있음은 물론이다.
도 2는 전자기기의 일례를 개략적으로 나타낸 사시도다.
도면을 참조하면, 반도체 패키지는 상술한 바와 같은 다양한 전자기기에 다양한 용도로써 적용된다. 예를 들면, 스마트 폰(1100)의 바디(1101) 내부에는 마더보드(1110)가 수용되어 있으며, 마더보드(1110)에는 다양한 부품(1120) 들이 물리적 및/또는 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 카메라(1130)와 같이 마더보드(1110)에 물리적 및/또는 전기적으로 연결되거나 그렇지 않을 수도 있는 다른 부품이 바디(1101) 내에 수용되어 있다. 부품(1120) 중 일부는 칩 관련부품일 수 있으며, 예를 들면, 반도체 패키지(1121)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자기기는 반드시 스마트 폰(1100)에 한정되는 것은 아니며, 상술한 바와 같이 다른 전자기기일 수도 있음은 물론이다.
반도체 패키지
일반적으로 반도체칩은 수많은 미세 전기 회로가 집적되어 있으나 그 자체로는 반도체 완성품으로서의 역할을 할 수 없으며, 외부의 물리적 또는 화학적 충격에 의해 손상될 가능성이 존재한다. 그래서 반도체칩 자체를 그대로 사용하지 않고 반도체칩을 패키징하여 패키지 상태로 전자기기 등에 사용하고 있다.
반도체 패키징이 필요한 이유는, 전기적인 연결이라는 관점에서 볼 때, 반도체칩과 전자기기의 메인보드의 회로 폭에 차이가 있기 때문이다. 구체적으로, 반도체칩의 경우, 접속패드의 크기와 접속패드간의 간격이 매우 미세한 반면 전자기기에 사용되는 메인보드의 경우, 부품 실장 패드의 크기 및 부품 실장 패드의 간격이 반도체칩의 스케일보다 훨씬 크다. 따라서, 반도체칩을 이러한 메인보드 상에 바로 장착하기 어려우며 상호간의 회로 폭 차이를 완충시켜 줄 수 있는 패키징 기술이 요구되는 것이다.
이러한 패키징 기술에 의하여 제조되는 반도체 패키지는 구조 및 용도에 따라서 팬-인 반도체 패키지(Fan-in semiconductor package)와 팬-아웃 반도체 패키지(Fan-out semiconductor package)로 구분될 수 있다.
이하에서는, 도면을 참조하여 팬-인 반도체 패키지와 팬-아웃 반도체 패키지에 대하여 보다 자세히 알아보도록 한다.
(팬-인 반도체 패키지)
도 3은 팬-인 반도체 패키지의 패키징 전후를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 4는 팬-인 반도체 패키지의 패키징 과정을 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 반도체칩(2220)은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 등을 포함하는 바디(2221), 바디(2221)의 일면 상에 형성된 알루미늄(Al) 등의 금속물질을 포함하는 접속패드(2222), 및 바디(2221)의 일면 상에 형성되며 접속패드(2222)의 적어도 일부를 덮는 산화막 또는 질화막 등의 패시베이션막(2223)을 포함하는, 예를 들면, 베어(Bare) 상태의 집적회로(IC)일 수 있다. 이때, 접속패드(2222)는 매우 작기 때문에, 집적회로(IC)는 전자기기의 메인보드 등은 물론, 중간 레벨의 인쇄회로기판(PCB)에도 실장 되기 어렵다.
이에, 접속패드(2222)를 재배선하기 위하여 반도체칩(2220) 상에 반도체칩(2220)의 사이즈에 맞춰 연결부재(2240)를 형성한다. 연결부재(2240)는 반도체칩(2220) 상에 감광성 절연수지(PID)와 같은 절연물질로 절연층(2241)을 형성하고, 접속패드(2222)를 오픈시키는 비아홀(2243h)을 형성한 후, 배선패턴 (2242) 및 비아(2243)를 형성하여 형성할 수 있다. 그 후, 연결부재(2240)를 보호하는 패시베이션층(2250)을 형성하고, 개구부(2251)를 형성한 후, 언더범프금속층(2260) 등을 형성한다. 즉, 일련의 과정을 통하여, 예를 들면, 반도체칩(2220), 연결부재(2240), 패시베이션층(2250), 및 언더범프금속층(2260)을 포함하는 팬-인 반도체 패키지(2200)가 제조된다.
이와 같이, 팬-인 반도체 패키지는 반도체칩의 접속패드, 예컨대 I/O(Input / Output) 단자를 모두 소자 안쪽에 배치시킨 패키지형태이며, 팬-인 반도체 패키지는 전기적 특성이 좋으며 저렴하게 생산할 수 있다. 따라서, 스마트폰에 들어가는 많은 소자들이 팬-인 반도체 패키지 형태로 제작되고 있으며, 구체적으로는 소형이면서도 빠른 신호 전달을 구현하는 방향으로 개발이 이루어지고 있다.
다만, 팬-인 반도체 패키지는 I/O 단자를 모두 반도체칩 안쪽에 배치해야 하는바 공간적인 제약이 많다. 따라서, 이러한 구조는 많은 수의 I/O 단자를 갖는 반도체칩이나 크기가 작은 반도체칩에 적용하는데 어려운 점이 있다. 또한, 이러한 취약점으로 인하여 전자기기의 메인보드에 팬-인 반도체 패키지가 직접 실장 되어 사용될 수 없다. 반도체칩의 I/O 단자를 재배선 공정으로 그 크기와 간격을 확대하였다 하더라도, 전자기기 메인보드에 직접 실장 될 수 있을 정도의 크기와 간격을 갖는 것은 아니기 때문이다.
도 5는 팬-인 반도체 패키지가 BGA 기판 상에 실장되어 최종적으로 전자기기의 메인보드에 실장된 경우를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 6은 팬-인 반도체 패키지가 BGA 기판 내에 내장되어 최종적으로 전자기기의 메인보드에 실장된 경우를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 팬-인 반도체 패키지(2200)는 반도체칩(2220)의 접속패드들(2222), 즉 I/O 단자들이 BGA 기판(2301)을 통하여 다시 한 번 재배선되며, 최종적으로는 BGA 기판(2301) 상에 팬-인 반도체 패키지(2200)가 실장된 상태로 전자기기의 메인보드(2500)에 실장될 수 있다. 이때, 솔더볼(2270) 등은 언더필 수지(2280) 등으로 고정될 수 있으며, 외측은 몰딩재(2290) 등으로 커버될 수 있다. 또는, 팬-인 반도체 패키지(2200)는 별도의 BGA 기판(2302) 내에 내장(Embedded) 될 수 도 있으며, 내장된 상태로 BGA 기판(2302)에 의하여 반도체칩(2220)의 접속패드들(2222), 즉 I/O 단자들이 다시 한 번 재배선되고, 최종적으로 전자기기의 메인보드(2500)에 실장될 수 있다.
이와 같이, 팬-인 반도체 패키지는 전자기기의 메인보드에 직접 실장 되어 사용되기 어렵기 때문에, 별도의 BGA 기판 상에 실장된 후 다시 패키징 공정을 거쳐 전자기기 메인보드에 실장되거나, 또는 BGA 기판 내에 내장된 채로 전자기기 메인보드에 실장되어 사용되고 있다.
(팬-아웃 반도체 패키지)
도 7은 팬-아웃 반도체 패키지의 개략적은 모습을 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 팬-아웃 반도체 패키지(2100)는, 예를 들면, 반도체칩(2120)의 외측이 봉합재(2130)로 보호되며, 반도체칩(2120)의 접속패드(2122)가 연결부재(2140)에 의하여 반도체칩(2120)의 바깥쪽까지 재배선된다. 이때, 연결부재(2140) 상에는 패시베이션층(2202)이 더 형성될 수 있으며, 패시베이션층(2202)의 개구부에는 언더범프금속층(2160)이 더 형성될 수 있다. 언더범프금속층(2160) 상에는 솔더볼(2170)이 더 형성될 수 있다. 반도체칩(2120)은 바디(2121), 접속패드(2122), 패시베이션막(미도시) 등을 포함하는 집적회로(IC)일 수 있다. 연결부재(2140)는 절연층(2141), 절연층(2241) 상에 형성된 재배선층(2142), 접속패드(2122)와 재배선층(2142) 등을 전기적으로 연결하는 비아(2143)를 포함할 수 있다.
이와 같이, 팬-아웃 반도체 패키지는 반도체칩 상에 형성된 연결부재를 통하여 반도체칩의 바깥쪽에 까지 I/O 단자를 재배선하여 배치시킨 형태이다. 상술한 바와 같이, 팬-인 반도체 패키지는 반도체칩의 I/O 단자를 모두 반도체칩 안쪽에 배치시켜야 하고 이에 소자 사이즈가 작아지면 볼 크기와 피치를 줄여야 하므로 표준화된 볼 레이아웃을 사용할 수 없다. 반면, 팬-아웃 반도체 패키지는 이와 같이 반도체칩 상에 형성된 연결부재를 통하여 반도체칩의 바깥쪽에 까지 I/O 단자를 재배선하여 배치시킨 형태인바 반도체칩의 크기가 작아지더라도 표준화된 볼 레이아웃을 그대로 사용할 수 있는바, 후술하는 바와 같이 전자기기의 메인보드에 별도의 BGA 기판 없이도 실장될 수 있다.
도 8은 팬-아웃 반도체 패키지가 전자기기의 메인보드에 실장된 경우를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 팬-아웃 반도체 패키지(2100)는 솔더볼(2170) 등을 통하여 전자기기의 메인보드(2500)에 실장될 수 있다. 즉, 상술한 바와 같이, 팬-아웃 반도체 패키지(2100)는 반도체칩(2120) 상에 반도체칩(2120)의 사이즈를 벗어나는 팬-아웃 영역까지 접속패드(2122)를 재배선할 수 있는 연결부재(2140)를 형성하기 때문에, 표준화된 볼 레이아웃을 그대로 사용할 수 있으며, 그 결과 별도의 BGA 기판 등 없이도 전자기기의 메인보드(2500)에 실장 될 수 있다.
이와 같이, 팬-아웃 반도체 패키지는 별도의 BGA 기판 없이도 전자기기의 메인보드에 실장 될 수 있기 때문에, BGA 기판을 이용하는 팬-인 반도체 패키지 대비 두께를 얇게 구현할 수 있는바 소형화 및 박형화가 가능하다. 또한, 열 특성과 전기적 특성이 우수하여 모바일 제품에 특히 적합하다. 또한, 인쇄회로기판(PCB)을 이용하는 일반적인 POP(Package on Package) 타입 보다 더 컴팩트하게 구현할 수 있고, 휨 현상 발생으로 인한 문제를 해결할 수 있다.
한편, 팬-아웃 반도체 패키지는 이와 같이 반도체칩을 전자기기의 메인보드 등에 실장하기 위하여, 그리고 외부의 충격으로부터 반도체칩을 보호하기 위한 패키지 기술을 의미하는 것으로, 이와는 스케일, 용도 등이 상이하며, 팬-인 반도체 패키지가 내장되는 BGA 기판 등의 인쇄회로기판(PCB)과는 다른 개념이다.
이하에서는, 블라인드 형태의 리세스부를 갖는 프레임을 도입하여 반도체칩을 배치하며, 이에 따라서 그라인딩 공정을 이용할 때 프레임의 배선 및/또는 반도체칩의 접속패드를 재배선층과 전기적으로 연결하는 연결구조체의 잔존 두께를 측정할 수 있는 팬-아웃 반도체 패키지에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 9는 팬-아웃 반도체 패키지의 일례를 대략 나타낸 단면도다.
도 10은 도 9의 팬-아웃 반도체 패키지의 개략적인 Ⅰ-Ⅰ' 절단 평면도다.
도면을 참조하면, 일례에 따른 팬-아웃 반도체 패키지(100A)는 복수의 절연층(111a, 111b, 111c)과 복수의 배선층(112a, 112b, 112c, 112d)과 복수의 접속비아층(113a, 113b, 113c)과 복수의 배선층(112a, 112b, 112c, 112d) 중 최상측 배선층(112d)과 동일 레벨에 배치된 더미층(112dM)을 포함하며 바닥면에 스타퍼층(112aM)이 배치된 리세스부(110H)를 갖는 프레임(110), 접속패드(120P)가 배치된 활성면 및 활성면의 반대측인 비활성면을 가지며 비활성면이 스타퍼층(112aM)을 마주하도록 리세스부(110H)에 배치된 반도체칩(120), 접속패드(120P) 상에 배치된 제1연결구조체(120B), 프레임(110)의 최상측 배선층(112d) 상에 배치된 제2연결구조체(112B), 및 더미층(112dM) 상에 배치된 더미구조체(112T), 프레임(110)과 반도체칩(120)과 제1연결구조체(120B)와 제2연결구조체(112B)와 더미구조체(112T) 각각의 적어도 일부를 덮으며 리세스부(110H)의 적어도 일부를 채우는 봉합재(130), 및 프레임(110) 및 반도체칩(120)의 활성면 상에 배치되며 제1 및 제2금속제1 및 제2연결구조체(120B, 112B)와 전기적으로 연결된 재배선층(142a, 142b, 142c)을 포함하는 연결부재(140)를 포함한다. 이때, 더미구조체(112T)는 경사진 측면을 갖는다.
한편, 블라인드 형태의 리세스부를 갖는 프레임을 도입하고 리세스부에 반도체칩을 배치한 후 봉합하고 연결부재를 그 위에 형성하기 위해서는, 반도체칩의 접속패드 상에 금속 포스트 등을 미리 형성하여 두는 것이 필요하며, 이 경우 재배선층을 포함하는 연결부재 형성을 위한 편평한 면을 만들기 위하여 그라인딩 공정이 요구된다. 이는, 금속 포스트의 높이 단차를 일정하게 만들어줄 필요가 있기 때문이다. 다만, 그라인딩 가공시에는 금속 포스트의 잔존 두께를 확인하는 것이 필요하며, 이를 위해서 고가의 측정 장비가 요구되는 문제가 있다. 또한, 고가의 측정 장비를 사용하는 경우라도 세팅을 잘못하는 경우, 오버 그라운딩으로 인해 불량이 발생할 수 있다는 문제가 있다.
반면, 일례에 따른 팬-아웃 반도체 패키지(100A)는 금속 포스트 등의 연결구조체(120B, 112B)와 함께, 이들과 함께 그라인딩 공정 과정에서 두께가 얇아지는 경사진 측면을 갖는 더미구조체(112T)를 포함하며, 더미구조체(112T)는 이와 같이 테이퍼진 형태이기 때문에 그라인딩 공정 과정에서 더미구조체(112T)의 잔존 두께에 따라 탑뷰에 따른 디멘션이 계속하여 변경된다. 예컨대, 더미구조체(112T)는 역삼각형 구조를 가질 수 있으며, 따라서 그라인딩 과정에서 두께가 얇아질 수록 탑뷰에 따른 디멘션이 작아질 수 있다. 따라서, 미리 더미구조체(112T)의 두께에 따른 디멘션을 레퍼런스로 확보해두는 경우, 고가의 측정 장비 없이도 또한 복잡한 셋팅 없이도 유사 레벨에 위치하는 연결구조체(120B, 112B)의 잔존 두께를 확인할 수 있다.
이하, 일례에 따른 팬-아웃 반도체 패키지(100A)에 포함되는 각각의 구성에 대하여 보다 자세히 설명한다.
프레임(110)은 구체적인 재료에 따라 패키지(100A)의 강성을 보다 개선시킬 수 있으며, 봉합재(130)의 두께 균일성 확보 등의 역할을 수행할 수 있다. 또한, 프레임(110)은 배선층(112a, 112b, 112c, 112d)과 접속비아층(113a, 113b, 113c)을 포함하는바 상하 전기적 연결부재로의 역할을 수행할 수도 있다. 또한, 프레임(110)은 반도체칩(120)의 비활성면보다 하측에 배치되는 제3배선층(112c)을 포함하는바, 별도의 백사이드 배선층의 형성 공정 없이도 반도체칩(120)을 위한 백사이드 배선층을 제공할 수 있다. 즉, 배선층(112a, 112b, 112c, 112d) 중 적어도 하나는 스타퍼층(112aM) 보다 하측에 배치된다.
프레임(110)은 스타퍼층(112aM)을 스타퍼로 이용하여 형성된 블라인드 형태의 리세스부(110H)를 가지며, 반도체칩(120)은 스타퍼층(112aM)에 비활성면이 다이부착필름(DAF: Die Attach Film)과 같은 공지의 접착부재(125) 등을 매개로 부착된다. 리세스부(110H)는 후술하는 바와 같이 샌드 블라스트 공정을 통하여 형성될 수 있으며, 이 경우 단면 형상이 테이퍼 형상일 수 있다. 즉, 리세스부(110H)의 벽면은 스타퍼층(112aM)을 기준으로 소정의 기울기, 즉 경사를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체칩(120)의 얼라인 공정이 보다 수월할 수 있는바, 수율이 높아질 수 있다.
프레임(110)은 코어 절연층(111a), 코어 절연층(111a)의 하면 및 상면에 각각 배치된 제1배선층(112a) 및 제2배선층(112b), 코어 절연층(111a)의 하측에 배치되어 제1배선층(112a)을 덮는 제1빌드업 절연층(111b), 제1빌드업 절연층(111b) 상에 배치된 제3배선층(112c), 코어 절연층(111a)의 상측에 배치되어 제2배선층(112b)을 덮는 제2빌드업 절연층(111c), 및 제2빌드업 절연층(111c) 상에 배치된 제4배선층(112d)과 더미층(112dM)을 포함한다. 또한, 코어 절연층(111a)을 관통하며 제1 및 제2배선층(112a, 112b)을 전기적으로 연결하는 제1접속비아층(113a), 제1빌드업 절연층(111b)을 관통하며 제1 및 제3배선층(112a, 112c)을 전기적으로 연결하는 제2접속비아층(113b), 및 제2빌드업 절연층(111c)을 관통하며 제2 및 제4배선층(112b, 112d)을 전기적으로 연결하는 제3접속비아층(113c)을 포함한다.
프레임(110)의 제1 내지 제4배선층(112a, 112b, 112c, 112d)은 서로 전기적으로 연결되며, 각각 반도체칩(120)의 접속패드(120P)와 전기적으로 연결된다. 리세스부(110H)는 코어 절연층(111a) 및 제2빌드업 절연층(111c)을 관통하되 제1빌드업 절연층(111b)은 관통하지 않는다. 스타퍼층(112aM)은 코어 절연층(111a)의 하면에 배치되어 제1빌드업 절연층(111b)으로 덮인다. 제1빌드업 절연층(111b)과 제2빌드업 절연층(111c), 그리고 이들에 형성된 배선층들(112c, 112)과 접속비아층들(113b, 113c)은 도면에 도시한 것 보다 많은 수로 구성될 수도 있음은 물론이다. 이들은 코어 절연층(111a)을 기준으로 대략 대칭 형태를 가질 수 있다.
스타퍼층(112aM)은 구리(Cu) 등의 메탈을 포함하는 금속층일 수 있다. 또는, 메탈 보다 샌드 블라스트에 대한 에칭율이 작은 물질을 포함할 수도 있다. 예컨대, 드라이 필름 포토레지스트를 사용할 수도 있다. 스타퍼층(112aM)이 금속층인 경우 스타퍼층(112aM) 자체를 그라운드로 이용할 수도 있으며, 이 경우 스타퍼층(112aM)은 배선층(112a, 112b, 112c, 112) 중 적어도 하나의 배선층의 그라운드와 전기적으로 연결될 수 있다. 스타퍼층(112aM)은 하면이 상기 제1빌드업 절연층(111b)으로 덮이되 상면의 적어도 일부가 리세스부(110H)에 의하여 노출된다. 스타퍼층(112aM)은 리세스부(110H)에 의하여 코어 절연층(111a)으로부터 노출된 영역의 두께가 리세스부(110H)에 의하여 코어 절연층(111a)으로부터 노출되지 않는 테두리 영역의 두께보다 얇을 수 있다. 이는 샌드 블라스트 공정 과정에서 노출된 영역 역시 일부 제거될 수 있기 때문이다.
각각의 절연층(111a, 111b, 111c)의 재료로는 절연물질이 사용될 수 있는데, 이때 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들 수지가 무기필러와 혼합되거나, 또는 무기필러와 함께 유리섬유(Glass Fiber, Glass Cloth, Glass Fabric) 등의 심재에 함침된 수지, 예를 들면, 프리프레그(prepreg), ABF(Ajinomoto Build-up Film), FR-4, BT(Bismaleimide Triazine) 등이 사용될 수 있다. 유리섬유 등을 포함하는 프리프레그와 같은 강성이 높은 자재를 사용하면, 프레임(110)을 패키지(100A)의 워피지 제어를 위한 지지부재로도 활용 할 수 있다.
코어 절연층(111a)은 제1빌드업 절연층(111b) 및 제2빌드업 절연층(111c)보다 두께가 두꺼울 수 있다. 코어 절연층(111a)은 기본적으로 강성 유지를 위하여 상대적으로 두꺼울 수 있으며, 제1빌드업 절연층(111b) 및 제2빌드업 절연층(111c)은 더 많은 수의 배선층(112c, 112d)을 형성하기 위하여 도입된 것일 수 있다. 코어 절연층(111a)은 제1빌드업 절연층(111b) 및 제2빌드업 절연층(111c)과 상이한 절연물질 포함할 수 있다. 예를 들면, 코어 절연층(111a)은 두께가 상대적으로 두꺼운 동박적층판(CCL)을 통해서 도입될 수 있으며, 제1빌드업 절연층(111b)과 제2빌드업 절연층(111c)은 상대적으로 두께가 얇은 프리프레그나 ABF 등을 통해서도입될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유사한 관점에서, 코어 절연층(111a)을 관통하는 제1접속비아층(113a)은 제1 및 제2빌드업 절연층(111b, 111c)을 관통하는 제2 및 제3접속비아층(113b, 113c)보다 직경이 클 수 있다.
각각의 배선층(112a, 112b, 112c, 112d)은 재배선층(142a, 142b, 142c)과 함께 반도체칩(120)의 접속패드(120P)를 재배선할 수 있다. 배선층(112a, 112b, 112c, 112d) 각각의 형성물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등의 금속물질을 사용할 수 있다. 배선층(112a, 112b, 112c, 112d)은 해당 층의 설계 디자인에 따라 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 그라운드(GrouND: GND) 패턴, 파워(PoWeR: PWR) 패턴, 신호(Signal: S) 패턴 등을 포함할 수 있다. 여기서, 신호(S) 패턴은 그라운드(GND) 패턴, 파워(PWR) 패턴 등을 제외한 각종 신호, 예를 들면, 데이터 신호 등을 포함한다. 또한, 각종 패드패턴을 포함할 수 있다.
각각의 배선층(112a, 112b, 112c, 112d)의 두께는 연결부재(140)의 각각의 재배선층(142a, 142b, 142c)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 프레임(110)은 반도체칩(120) 이상의 두께를 가질 수 있는바, 배선층(112a, 112b, 112c, 112d) 역시 보다 큰 사이즈로 형성할 수 있다. 반면, 연결부재(140)의 재배선층(142a, 142b, 142c)은 박형화를 위하여 보다 상대적으로 작은 사이즈로 형성할 수 있다.
더미층(112dM)은 더미구조체(112T)를 도입하기 위하여 프레임(110)의 최상측에 배치된다. 더미층(112dM)은 프레임(110)의 최상측 배선층(112d)과 동시에 형성되어, 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 더미층(112dM)의 형성물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등의 금속물질을 사용할 수 있다. 즉, 더미층(112dM)은 금속층일 수 있다. 즉, 패드패턴 형태의 금속층일 수 있다. 필요에 따라서, 더미층(112dM)은 그라운드로 기능할 수 있다. 이 경우, 더미층(112dM)과 더미구조체(112T)는 프레임(110)의 배선층(112a, 112b, 112c, 112d) 중 적어도 하나의 그라운드와 전기적으로 연결될 수 있다.
각각의 접속비아층(113a, 113b, 113c)은 서로 다른 층에 형성된 배선층(112a, 112b, 112c, 112d)을 전기적으로 연결시키며, 그 결과 프레임(110) 내에 전기적 경로를 형성시킨다. 접속비아층(113a, 113b, 113c) 역시 형성물질로는 금속물질을 사용할 수 있다. 접속비아층(113a, 113b, 113c)은 금속물질로 완전히 충전될 수 있으며, 또는 금속물질이 비아 홀의 벽면을 따라 형성된 것일 수도 있다. 제1접속비아층(113a)은 원기둥 단면 형상이나 모래시계 단면 형상을 가질 수 있고, 제2 및 제3접속비아층(113b, 113c)는 테이퍼 단면 형상을 가질 수 있다. 이때, 제2 및 제3접속비아층(113b, 113c)는 코어 절연층(111a)을 기준으로 서로 반대 방향의 테이퍼 단면 형상을 가질 수 있다.
한편, 제2접속비아층(113b) 중 적어도 하나는 스타퍼층(112aM)과 연결될 수 있으며, 제3배선층(112c) 중 판 형태의 파워 및/또는 그라운드 패턴과 연결될 수 있다. 즉, 스타퍼층(112aM)과 제3배선층(112c) 중 판 형태의 파워 및/또는 그라운드 패턴을 연결할 수 있다. 이때, 스타퍼층(112aM)은 금속층일 수 있고, 파워 및/또는 그라운드 패턴로 기능할 수 있다. 이를 통하여, 반도체칩(120)의 비활성면을 통하여 방출되는 열을 패키지(100A) 하부로 용이하게 방출시킬 수 있다.
반도체칩(120)은 소자 수백 내지 수백만 개 이상이 하나의 칩 안에 집적화된 집적회로(IC: Integrated Circuit)일 수 있다. 반도체칩(120)은, 예를 들면, 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 필드 프로그램어블 게이트 어레이(FPGA), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 프로세서칩, 구체적으로는 어플리케이션 프로세서(AP: Application Processor)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 그 외에도 기타 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리나, 아날로그-디지털 컨버터, 또는 ASIC(application-specific IC) 등의 로직 등일 수도 있다.
반도체칩(120)은 액티브 웨이퍼를 기반으로 형성된 것일 수 있다. 바디를 이루는 모재로는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs) 등이 사용될 수 있다. 바디에는 다양한 회로가 형성되어 있을 수 있다. 바디의 활성면에 배치되는 접속패드(120P)는 반도체칩(120)을 다른 구성요소와 전기적으로 연결시키기 위한 것으로, 형성물질로는 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등의 금속물질을 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 바디(의 활성면 상에는 접속패드(120P)를 노출시키는 산화막 또는 질화막 등의 패시베이션막(미도시)이 형성될 수 있으며, 패시베이션막(미도시)은 산화막과 질화막의 이중층일 수도 있다. 패시베이션막(미도시)은 접속패드(120P)의 적어도 일부를 노출시키는 개구부(미도시)를 가질 수 있다. 기타 필요한 위치에 절연막(미도시) 등이 더 배치될 수도 있다. 반도체칩(120)은 베어 다이(Bare Die)일 수 있으며, 또는 활성면에 절연층(미도시)과 재배선층(미도시)과 범프(미도시) 등이 형성된 패키지드 다이(Packaged Die)일 수도 있다.
제1연결구조체(120B)는 반도체칩(120)의 접속패드(120P)를 연결부재(140)의 재배선층(142a, 142b, 142c)과 전기적으로 연결시키기 위하여 도입된다. 제1연결구조체(120B)는 금속 포스트(Metal Post) 또는 금속 기둥(Metal Pillar), 예컨대 구리 포스트 또는 구리 기둥일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1연결구조체(120B)는 대략 수직한 측면을 가질 수 있다. 제1연결구조체(120B)의 개수는 특별히 한정되지 않으며, 접속패드(120P)의 개수에 따라서 다양하게 적용될 수 있다. 제1연결구조체(120B)는 연결부재(140)의 제1-1접속비아(143a1)를 통해서 제1재배선층(142a)과 연결된다.
제2연결구조체(112B)는 프레임(110)의 최상측 배선층(112d)을 연결부재(140)의 재배선층(142a, 142b, 142c)과 전기적으로 연결시키기 위하여 도입된다. 제2연결구조체(112B) 역시 금속 포스트(Metal Post), 예컨대 구리 포스트일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2연결구조체(112B)도 대략 수직한 측면을 가질 수 있다. 제2연결구조체(112B)의 개수도 특별히 한정되지 않으며, 최상측 배선층(112d)의 패턴의 설계에 따라서 다양하게 적용될 수 있다. 제2연결구조체(112B)는 연결부재(140)의 제1-2접속비아(143a2)를 통해서 제1재배선층(142a)과 연결된다.
더미구조체(112T)는 프레임(110)의 최상측에 배치된 더미층(112dM) 상에 배치된다. 더미층(112dM)과 더미구조체(112T)는 프레임(110)의 최외곽에 배치되며, 이를 통해서 프레임(110)의 설계에 최소한의 영향을 미친다. 더미구조체(112T)는 적어도 제1 및 제2연결구조체(120B, 112B)와 전기적으로 절연될 수 있다. 더미구조체(112T)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등의 금속물질을 포함할 수 있다. 더미구조체(112T)는 경사진 측면을 가진다. 더미구조체(112T)는 상면의 폭이 하면의 폭보다 큰 것이 더미구조체(112T) 형성이나 그라인딩 과정에서의 잔존 두께 측정 관점에서 보다 바람직하다. 예컨대, 더미구조체(112T)는 역사다리 단면 형상을 가질 수 있다. 더미구조체(112T)의 상면은 연결부재(140)의 절연물질과 접할 수 있다. 예컨대, 더미구조체(112T)의 상면은 제1절연층(141a)으로 덮일 수 있다.
더미구조체(112T)는 더미층(112dM)의 표면과 봉합재(130)와 접하는 더미구조체(112T)의 측면에 배치된 시드층(112Ta)과, 시드층(112Ta) 상에 배치되어 시드층(112Ta) 사이의 공간을 채우는 도체층(112Tb)을 포함할 수 있다. 예컨대, 더미구조체(112T)는 봉합재(130)에 더미층(112dM)의 표면을 노출시키는 딥 비아홀을 형성한 후, 더미층(112dM)의 표면과 딥 비아홀의 벽면에 스퍼터 등으로 시드층(112Ta)을 형성하고, 이를 기초로 도금으로 딥 비아홀을 채워 도체층(112Tb)을 형성하는 방법으로 형성될 수 있다. 시드층(112Ta)은 구리(Cu)층의 단일 층이거나, 티타늄(Ti)/구리(Cu)와 같은 이중 층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도체층(112Tb)은 구리(Cu)층과 같은 단일 층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
봉합재(130)는 프레임(110), 반도체칩(120), 제1 및 제2연결구조체(120B, 112B), 및 더미구조체(112T) 각각의 적어도 일부를 덮으며, 리세스부(110H)의 적어도 일부를 채운다. 봉합재(130)의 재료는 특별히 한정되는 않는다. 예를 들면, 절연물질이 사용될 수 있는데, 이때 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들 수지가 무기필러와 혼합되거나, 또는 무기필러와 함께 유리섬유(Glass Fiber, Glass Cloth, Glass Fabric) 등의 심재에 함침된 수지, 예를 들면, 프리프레그(prepreg), ABF(Ajinomoto Build-up Film), FR-4, BT(Bismaleimide Triazine) 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라서는, 감광성 절연(Photo Imagable Encapsulant: PIE) 수지를 사용할 수도 있다.
봉합재(130)는 제1 및 제2연결구조체(120B, 112B)와 더미구조체(112T) 각각의 상면이 봉합재(130)의 상면으로부터 노출되도록 이들을 매립한다. 이때, 제1 및 제2연결구조체(120B, 112B)와 더미구조체(112T) 각각의 상면은 봉합재(130)의 상면과 실질적으로 동일한 평면에 존재할 수 있다. 즉, 이들은 서로 코플래너(coplanar) 할 수 있다. 이는 후술하는 공정에서 알 수있듯이, 동시에 그라인딩 가공 되기 때문이다. 이러한 관점에서, 제2연결구조체(112B)는 더미구조체(112T)와 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다.
연결부재(140)는 반도체칩(120)의 접속패드(120P)를 재배선할 수 있으며, 프레임(110)의 배선층(112a, 112b, 112c, 112d)을 반도체칩(120)의 접속패드(120P)와 전기적으로 연결할 수 있다. 연결부재(140)를 통해 다양한 기능을 갖는 수십 수백만 개의 접속패드(120P)가 재배선 될 수 있으며, 전기연결구조체(170)를 통하여 그 기능에 맞춰 외부에 물리적 및/또는 전기적으로 연결될 수 있다.
연결부재(140)는 프레임(110)과 봉합재(130)와 반도체칩(120)의 활성면 상에 배치된 제1절연층(141a), 제1절연층(141a) 상에 배치된 제1재배선층(142a), 제1절연층(141a)을 관통하며 제1재배선층(142a)을 연결구조체(120B, 112B)와 전기적으로 연결하는 제1접속비아(143a1, 143a2), 제1절연층(141a) 상에 배치되어 제1재배선층(142a)을 덮는 제2절연층(141b), 제2절연층(141b) 상에 배치된 제2재배선층(142b), 제2절연층(141b)을 관통하며 제1 및 제2재배선층(142a, 142b)을 전기적으로 연결하는 제2접속비아(143b), 제2절연층(111b) 상에 배치되어 제2재배선층(142b)을 덮는 제3절연층(141c), 제3절연층(141c) 상에 배치된 제3재배선층(142c), 제3절연층(141c)을 관통하며 제2 및 제3재배선층(142b, 142c)을 전기적으로 연결하는 제3접속비아(143c)를 포함한다. 연결부재(140)의 절연층과 재배선층과 비아층은 보다 많은 수의 층으로, 또는 보다 적은 수의 층으로 구성될 수 있다.
절연층(141a, 141b, 141c)의 물질로는 절연물질이 사용될 수 있는데, 이때 절연물질로는 상술한 바와 같은 절연물질 외에도 PID 수지와 같은 감광성 절연물질을 사용할 수도 있다. 즉, 절연층(141a, 141b, 141c)은 각각 감광성 절연층일 수 있다. 절연층(141a, 141b, 141c)이 감광성의 성질을 갖는 경우, 절연층(141a, 141b, 141c)을 보다 얇게 형성할 수 있으며, 보다 용이하게 접속비아(143a1, 143a2, 143b, 143c)의 파인 피치를 달성할 수 있다. 절연층(141a, 141b, 141c)은 각각 절연수지 및 무기필러를 포함하는 감광성 절연층일 수 있다. 절연층(141a, 141b, 141c)이 다층인 경우, 이들의 물질은 서로 동일할 수 있고, 필요에 따라서는 서로 상이할 수도 있다. 절연층(141a, 141b, 141c)이 다층인 경우, 이들은 공정에 따라 일체화 되어 이들 자체로는 경계가 불분명할 수도 있다.
재배선층(142a, 142b, 142c)은 실질적으로 접속패드(120P)를 재배선하는 역할을 수행할 수 있으며, 형성물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등의 금속물질을 사용할 수 있다. 재배선층(142a, 142b, 142c)은 해당 층의 설계 디자인에 따라 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 그라운드(GrouND: GND) 패턴, 파워(PoWeR: PWR) 패턴, 신호(Signal: S) 패턴 등을 포함할 수 있다. 여기서, 신호(S) 패턴은 그라운드(GND) 패턴, 파워(PWR) 패턴 등을 제외한 각종 신호, 예를 들면, 데이터 신호 등을 포함한다. 또한, 각종 패드패턴을 포함할 수 있다.
접속비아(143a1, 143a2, 143b, 143c)는 서로 다른 층에 형성된 재배선층(142a, 142b, 142c), 연결구조체(120B, 112B) 등을 전기적으로 연결시키며, 그 결과 패키지(100A) 내에 전기적 경로를 형성시킨다. 접속비아(143a1, 143a2, 143b, 143c)는 신호용 비아, 그라운드용 비아, 파워용 비아 등으로 기능할 수 있다. 접속비아(143a1, 143a2, 143b, 143c)의 형성 물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등의 금속물질을 사용할 수 있다. 접속비아(143a1, 143a2, 143b, 143c)는 금속물질로 충전된 필드 타입 수 있으며, 또는 금속물질이 비아홀의 벽을 따라 형성된 컨포멀 타입일 수도 있다. 또한, 테이퍼 단면 형상 등을 가질 수 있다. 제1-1접속비아(143a1)의 높이는 제1-2접속비아(143a2) 높이와 실질적으로 동일할 수 있다.
제1패시베이션층(151)은 부가적인 구성으로 연결부재(140)를 외부의 물리적 화학적 손상 등으로부터 보호할 수 있다. 제1패시베이션층(151)은 연결부재(140)의 최상측 재배선층(142c)의 적어도 일부를 노출시키는 개구부(151h)를 가질 수 있다. 이러한 개구부(151h)는 제1패시베이션층(151)에 수십 내지 수백만 개 형성될 수 있다. 제1패시베이션층(151)의 재료는 특별히 한정되는 않는다. 예를 들면, 절연물질이 사용될 수 있는데, 이때 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들 수지가 무기필러와 혼합되거나, 또는 무기필러와 함께 유리섬유(Glass Fiber, Glass Cloth, Glass Fabric) 등의 심재에 함침된 수지, 예를 들면, 프리프레그(prepreg), ABF(Ajinomoto Build-up Film), FR-4, BT(Bismaleimide Triazine) 등이 사용될 수 있다. 또는, 다른 공지의 솔더레지스트(Solder Resist)가 사용될 수도 있다.
제2패시베이션층(152)은 부가적인 구성으로 프레임(110)을 외부의 물리적 화학적 손상 등으로부터 보호할 수 있다. 제2패시베이션층(152)은 프레임(110)의 최하측 배선층(112c)의 적어도 일부를 노출시키는 개구부(152h)를 가질 수 있다. 이러한 개구부(152h)는 제2패시베이션층(152)에 수십 내지 수백만 개 형성될 수 있다. 제2패시베이션층(152)의 재료는 특별히 한정되는 않는다. 예를 들면, 절연물질이 사용될 수 있는데, 이때 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들 수지가 무기필러와 혼합되거나, 또는 무기필러와 함께 유리섬유(Glass Fiber, Glass Cloth, Glass Fabric) 등의 심재에 함침된 수지, 예를 들면, 프리프레그(prepreg), ABF(Ajinomoto Build-up Film), FR-4, BT(Bismaleimide Triazine) 등이 사용될 수 있다. 또는, 다른 공지의 솔더레지스트(Solder Resist)가 사용될 수도 있다.
언더범프금속층(160)은 부가적인 구성으로 전기연결구조체(170)의 접속 신뢰성을 향상시켜주며, 그 결과 패키지(100)의 보드 레벨 신뢰성을 개선해준다. 언더범프금속층(160)은 제1패시베이션층(151)의 개구부(151h)를 통하여 노출된 연결부재(140)의 최상측 재배선층(142c)과 연결된다. 언더범프금속층(160)은 제1패시베이션층(151)의 개구부(151h)에 공지의 금속물질, 즉 금속을 이용하여 공지의 메탈화(Metallization) 방법으로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전기연결구조체(170)는 부가적인 구성으로 팬-아웃 반도체 패키지(100)를 외부와 물리적 및/또는 전기적으로 연결시킨다. 예를 들면, 팬-아웃 반도체 패키지(100A)는 전기연결구조체(170)를 통하여 전자기기의 메인보드에 실장될 수 있다. 전기연결구조체(170)는 저융점 금속, 예를 들면, 주석(Sn)을 포함하는 재료, 보다 구체적으로는 솔더(solder) 등으로 형성될 수 있으나, 이는 일례에 불과하며 재질이 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 전기연결구조체(170)는 랜드(land), 볼(ball), 핀(pin) 등일 수 있다. 전기연결구조체(170)는 다중층 또는 단일층으로 형성될 수 있다. 다중층으로 형성되는 경우에는 구리 필라(Cu pillar) 및 솔더를 포함할 수 있으며, 단일층으로 형성되는 경우에는 주석-은 솔더나 구리를 포함할 수 있으나, 역시 이는 일례에 불과하며 이에 한정되는 것은 아니다.
전기연결구조체(170)의 개수, 간격, 배치 형태 등은 특별히 한정되지 않으며, 통상의 기술자에게 있어서 설계 사항에 따라 충분히 변형이 가능하다. 예를 들면, 전기연결구조체(170)의 수는 접속패드(120P)의 수에 따라서 수십 내지 수천 개일 수 있으며, 그 이상 또는 그 이하의 수를 가질 수도 있다. 전기연결구조체(170)가 솔더볼인 경우, 전기연결구조체(170)는 언더범프금속층(160)의 제1패시베이션층(151)의 일면 상으로 연장되어 형성된 측면을 덮을 수 있으며, 접속 신뢰성이 더욱 우수할 수 있다.
전기연결구조체(170) 중 적어도 하나는 팬-아웃 영역에 배치된다. 팬-아웃 영역이란 반도체칩(120)이 배치된 영역을 벗어나는 영역을 의미한다. 팬-아웃(fan-out) 패키지는 팬-인(fan-in) 패키지에 비하여 신뢰성이 우수하고, 다수의 I/O 단자 구현이 가능하며, 3D 인터코넥션(3D interconnection)이 용이하다. 또한, BGA(Ball Grid Array) 패키지, LGA(Land Grid Array) 패키지 등과 비교하여 패키지 두께를 얇게 제조할 수 있으며, 가격 경쟁력이 우수하다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 필요에 따라서는 리세스부(110H)의 벽면에 방열 및/또는 전자파 차폐 목적으로 금속박막을 형성할 수 있다. 또한, 필요에 따라서는 리세스부(110H) 내에 서로 동일하거나 상이한 기능을 수행하는 복수의 반도체칩(120)을 배치할 수도 있다. 또한, 필요에 따라서는 리세스부(110H) 내에 별도의 수동부품, 예컨대 인덕터나 커패시터 등을 배치할 수도 있다. 또한, 필요에 따라서는 제1 및 제2패시베이션층(151, 152) 표면 상에 수동부품, 예컨대 인덕터나 커패시터 등을 포함하는 표면실장(SMT) 부품을 배치할 수도 있다.
도 11 내지 도 17은 도 9의 팬-아웃 반도체 패키지의 제조 과정을 개략적으로 나타낸 공정도다.
도 11을 참조하면, 먼저, 동박적층판(CCL: Copper Clad Laminated) 등을 이용하여 코어 절연층(111a)을 준비하고, 코어 절연층(111a)에 공지의 도금 공정을 이용하여 제1 및 제2배선층(112a, 112b)과 스타퍼층(112aM)과 제1접속비아층(113a)을 형성한다. 제1접속비아층(113a)을 위한 비아홀은 기계적 드릴 및/또는 레이저 드릴 등을 이용하여 형성할 수 있다. 다음으로, 코어 절연층(111a)의 양면에 제1 및 제2빌드업 절연층(111b, 111c)을 형성한다. 제1 및 제2빌드업 절연층(111b, 111c)은 프리프레그나 ABF 등을 라미네이션하고 경화하는 방법으로 형성할 수 있다. 다음으로, 제1 및 제2빌드업 절연층(111b, 111c)에 각각 공지의 도금 공정을 이용하여 제3 및 제4배선층(112c, 112d)과 더미층(112dM)과 제2 및 제3접속비아층(113b, 113c)을 형성한다. 제2 및 제3접속비아층(113b, 113c)을 위한 비아홀 역시 기계적 드릴 및/또는 레이저 드릴 등을 이용하여 형성할 수 있다. 일련의 과정으로 준비된 프레임(110)의 최상측 배선층(112d) 상에 구리 포스트나 구리 기둥과 같은 제2연결구조체(112B)를 형성한다. 한편, 공정에 따라서, 제2연결구조채(112B)는 리세스부(110H)를 형성한 후에 형성할 수도 있다. 또한, 프레임(110)의 하측에 제2패시베이션층(152)을 부착하고, 제2패시베이션층(152) 상에 절연층(201)과 금속층(202)을 포함하는 캐리어 필름(200)을 부착한다.
도 12를 참조하면, 포토레지스트 필름(270)을 프레임(110) 상에 적층한다. 다음으로, 포토레지스트 필름(270)에 노광 및 현상으로 더미층(112dM)의 표면의 적어도 일부를 노출시키는 딥 비아홀(112Th)을 형성하고, 도금으로 딥 비아홀(112Th)의 적어도 일부를 채우는 더미구조체(112T)를 형성한다. 더미구조체(112T)는 더미층(112dM)의 표면과 딥 비아홀(112Th)의 벽면에 스퍼터 등으로 시드층(112Ta)을 형성하고, 이를 기초로 도금으로 딥 비아홀(112Th)을 채워 도체층(112Tb)을 형성하는 방법으로 형성될 수 있다. 더미구조체(112T)는 제2연결구조체(112B)와 대략 유사한 높이를 가지도록 형성함이 바람직하다. 다음으로, 불필요한 시드층(112Ta) 등을 에칭으로 제거하고, 포토레지스트 필름(270)을 박리한다.
도 13을 참조하면, 다음으로, DFR과 같은 드라이 필름(250)을 프레임(110)의 상측에 부착한다. 또한, 샌드 블라스트 등을 이용하여 코어 절연층(111a)과 제2빌드업 절연층(111c)을 관통하는 리세스부(110H)를 형성한다. 이때 스타퍼층(112aM)은 스타퍼(stopper)로 기능하다. 형성된 리세스부(110H)는 샌드 블라스트 공법에 의하여 테이퍼 단면 형상을 가질 수 있다. 리세스부(110H)를 형성한 후에는 드라이 필름(250)을 제거한다. 한편, 공정에 따라서, 더미구조체(112T)와 제2연결구조채(112B)는 리세스부(110H)를 형성한 후에 형성할 수도 있다.
도 14를 참조하면, 다음으로, 비활성면을 스타퍼층(112aM)에 부착하여 반도체칩(120)을 리세스부(110H)에 배치한다. 부착에는 다이부착필름(DAF)과 같은 공지의 접착부재(125)를 이용할 수 있다. 한편, 반도체칩(120)은 접속패드(120P) 상에 구리 포스트나 구리 기둥과 같은 제1연결구조체(120B)가 형성된 상태로 부착될 수 있다. 또는, 부착 후에 반도체칩(120)의 접속패드(120P) 상에 구리 포스트나 구리 기둥과 같은 제1연결구조체(120B)를 형성할 수도 있다. 다음으로, 봉합재(130)를 이용하여 프레임(110)과 반도체칩(120)과 제1 및 제2연결구조체(120B, 112B)와 더미구조체(112T) 각각의 적어도 일부를 덮으며, 리세스부(110H)의 적어도 일부를 채운다. 봉합재(130)는 ABF 등을 라미네이션한 후 경화하는 방법으로 형성할 수 있다.
도 15를 참조하면, 한편, 더미구조체(112T)는 테이퍼진 형태이기 때문에 도 14의 두께 위치(a, b, c)에 따라서 도면에서와 같이 디멘션이 변경될 수 있다. 예컨대, 더미구조체(112T)는 역삼각형 구조를 가질 수 있으며, 두께가 얇아질 수록 디멘션이 작아질 수 있다. 따라서, 미리 더미구조체(112T)의 두께에 따른 디멘션을 레퍼런스로 확보해두는 경우, 고가의 측정 장비 없이도 또한 복잡한 셋팅 없이도 유사 레벨에 위치하는 연결구조체(120B, 112B)의 잔존 두께를 확인할 수 있다.
도 16을 참조하면, 다음으로, 제1 및 제2연결구조체(120B, 112B)와 더미구조체(112T)의 상면이 노출되도록 봉합재(130)를 그라인딩 가공한다. 그라인딩에 의하여 봉합재(130)의 상면이 편평해지며, 제1 및 제2연결구조체(120B, 112B)와 더미구조체(112T)의 상면이 봉합재(130)의 상면으로부터 노출되게 된다.
도 17을 참조하면, 다음으로, 봉합재(130) 상에 PID를 도포 및 경화하여 제1절연층(141a)을 형성하고, 도금 공정으로 제1재배선층(142a) 및 제1접속비아(143a1, 143a2)를 형성한다. 비아홀은 노광 및 현상을 이용하는 포토리소그래피 법으로 형성할 수 있다. 계속하여, 제2 및 제3절연층(141b, 141c)과 제2 및 제3재배선층(142b, 142c)과 제2 및 제3접속비아(143b, 143c)를 설계에 따라서 보다 많은 층수로 형성한다. 일련의 과정으로 연결부재(140)가 형성된다. 다음으로, 연결부재(140) 상에 제1패시베이션층(151)을 ABF 등을 라미네이션한 후 경화하여 형성하고, 캐리어 필름(200)은 제거한다. 다음으로, 공지의 메탈화 방법으로 언더범프금속층(160)을 형성하고, 솔더볼 등을 이용한 리플로우 공정 등으로 전기연결구조체(170)를 형성한다. 일련의 과정으로 상술한 팬-아웃 반도체 패키지(100A)가 제조될 수 있다.
도 18은 팬-아웃 반도체 패키지의 다른 일례를 대략 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 팬-아웃 반도체 패키지(100B)는 상술한 일례에 따른 팬-아웃 반도체 패키지(100A)에 있어서 프레임(110)의 최외곽에 더미층(112dM)과 더미구조체(112T)가 배치되는 것 대신에 프레임(110)의 최상측 배선층(112d) 상에 배치된 연결구조체(112B1, 112B2) 중 적어도 하나(112B2)를 테이퍼진 형상, 즉 경사진 측면을 갖도록 구현한다. 예컨대, 프레임(110)의 최상측 배선층(112d) 중 적어도 하나의 패턴 상에 배치된 제2연결구조체(112B1)는 구리 포스트나 구리 기둥과 같은 방법으로 형성되는바 형성이 용이하고 전기적 연결에 최적화된 대략 수직한 측면을 가지도록 구현하며, 이와 함께 최상측 배선층(112d) 중 적어도 다른 하나의 패턴 상에 배치된 제3전기연결구조체(112B2)는 잔존 두께 확인이 가능한 경사진 측면을 가지도록 구현한다. 즉, 제3연결구조체(112B2)가 제2연결구조체(112B1) 보다 측면의 기울기가 크다. 즉, 양자의 장점을 적절히 조합하는 구조를 가진다. 한편, 테이퍼진 연결구조체(112B2)는 최상측 배선층(112d)의 어느 패턴의 표면과 봉합재(130)와 접하는 테이퍼진 연결구조체(112B2)의 측면에 배치된 시드층(112B2a)과, 시드층(112B2a) 상에 배치되어 시드층(112B2a) 사이의 공간을 채우는 도체층(112B2b)을 포함할 수 있다. 시드층(112B2a)은 구리(Cu)층의 단일 층이거나, 티타늄(Ti)/구리(Cu)와 같은 이중 층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도체층(112B2b)은 구리(Cu)층과 같은 단일 층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.그 외에 다른 설명은 도 9 내지 도 17을 통하여 설명한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
본 개시에서 동일 평면상이라는 표현은 완전히 동일한 레벨에 위치하는 것뿐만 아니라, 그라인딩 공정 등의 결과로 실질적으로 동일한 레벨에 위치하는 것을 의미하다.
본 개시에서 하측, 하부, 하면 등은 편의상 도면의 단면을 기준으로 아래 방향을 의미하는 것으로 사용하였고, 상측, 상부, 상면 등은 그 반대 방향으로 사용하였다. 다만, 이는 설명의 편의상 방향을 정의한 것으로, 특허청구범위의 권리범위가 이러한 방향에 대한 기재에 의하여 특별히 한정되는 것이 아님은 물론이다.
본 개시에서 연결된다는 의미는 직접 연결된 것뿐만 아니라, 접착제 층 등을 통하여 간접적으로 연결된 것을 포함하는 개념이다. 또한, 전기적으로 연결된다는 의미는 물리적으로 연결된 경우와 연결되지 않은 경우를 모두 포함하는 개념이다. 또한, 제1, 제2 등의 표현은 한 구성요소와 다른 구성요소를 구분 짓기 위해 사용되는 것으로, 해당 구성요소들의 순서 및/또는 중요도 등을 한정하지 않는다. 경우에 따라서는 권리범위를 벗어나지 않으면서, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수도 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수도 있다.
본 개시에서 사용된 일례 라는 표현은 서로 동일한 실시 예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일례들은 다른 일례의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일례에서 설명된 사항이 다른 일례에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일례에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일례에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어는 단지 일례를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

Claims (16)

  1. 서로 전기적으로 연결된 복수의 배선층 및 상기 복수의 배선층 중 최상측 배선층과 동일 레벨에 배치된 더미층을 포함하며, 바닥면에 스타퍼층이 배치된 리세스부를 갖는 프레임;
    접속패드가 배치된 활성면 및 상기 활성면의 반대측인 비활성면을 가지며, 상기 비활성면이 상기 스타퍼층과 마주하도록 상기 리세스부에 배치된 반도체칩;
    상기 접속패드 상에 배치된 제1연결구조체;
    상기 최상측 배선층 상에 배치된 제2연결구조체;
    상기 더미층 상에 배치된 더미구조체;
    상기 프레임, 상기 반도체칩, 상기 제1연결구조체, 상기 제2연결구조체, 및 상기 더미구조체 각각의 적어도 일부를 덮으며, 상기 리세스부의 적어도 일부를 채우는 봉합재; 및
    상기 프레임 및 상기 반도체칩의 활성면 상에 배치되며, 상기 봉합재의 상면에 배치된 절연층과, 상기 제1 및 제2연결구조체와 전기적으로 연결된 상기 절연층 상의 재배선층과, 상기 절연층을 관통하여 상기 재배선층과 상기 제1 및 제2연결구조체를 각각 연결하는 제1 및 제2 접속비아를 포함하는 연결부재; 를 포함하며,
    상기 제1 및 제2연결구조체는 각각 금속 포스트(Metal Post)이고,
    상기 제1 및 제2연결구조체와 상기 더미구조체 각각의 상면은 상기 봉합재의 상기 상면과 동일한 평면 상에 위치하고,
    상기 제1 및 제2 접속비아는 상기 제1 및 제2연결구조체 각각의 상기 상면과 직접 접하고,
    상기 더미구조체는 경사진 측면을 갖는,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 더미구조체는 상기 제1 및 제2연결구조체와 전기적으로 절연된,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 더미구조체의 상면은 상기 연결부재의 졀연물질과 접하는,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 더미층 및 상기 더미구조체는 상기 프레임의 최외곽에 배치된,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 더미층 및 상기 더미구조체는 각각 금속물질을 포함하는,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  6. 삭제
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 배선층 중 적어도 하나의 배선층은 그라운드를 포함하며,
    상기 더미층 및 상기 더미구조체는 상기 그라운드와 전기적으로 연결된,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2연결구조체와 상기 더미구조체는 각각의 상면이 상기 봉합재로부터 노출되도록 상기 봉합재에 매립된,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 프레임은 코어 절연층, 상기 코어 절연층의 하측에 배치된 한층 이상의 제1빌드업 절연층, 상기 코어 절연층의 상측에 배치된 한층 이상의 제2빌드업 절연층, 상기 코어 절연층을 관통하는 제1접속비아층, 상기 제1빌드업 절연층을 관통하는 한층 이상의 제2접속비아층, 및 상기 제2빌드업 절연층을 관통하는 한층 이상의 제3접속비아층을 포함하며,
    상기 복수의 배선층은 상기 코어 절연층과 상기 제1 및 제2빌드업 절연층에 배치되어 상기 제1 내지 제3접속비아층을 통하여 서로 전기적으로 연결되며,
    상기 코어 절연층은 상기 제1 및 제2빌드업 절연층 각각 보다 두께가 두껍고,
    상기 제2접속비아층의 접속비아와 상기 제3접속비아층의 접속비아는 서로 반대 방향으로 테이퍼진,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 리세스부의 벽면은 경사지며,
    상기 반도체칩의 비활성면은 상기 스타퍼층에 접착부재를 통하여 부착된,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 스타퍼층은 금속층이며,
    상기 복수의 배선층 중 적어도 하나의 배선층은 그라운드를 포함하며,
    상기 금속층은 상기 그라운드와 전기적으로 연결된,
    팬-아웃 반도체 패키지.
  15. 삭제
  16. 삭제
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