KR102115873B1 - 백라이트 회로, 전자 장치, 및 백라이트 조절 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 액정 표시 장치 분야에 관한 것으로, 백라이트 회로, 전자 장치, 및 백라이트 조절 방법을 제공한다. 백라이트 회로는 백라이트 전원 칩과 조절 가능한 저항 회로를 포함한다. 백라이트 전원 칩은 기준 전류를 설정하도록 구성된 설정 핀, 입력 핀, 및 출력 핀을 포함하고, 조절 가능한 저항 회로의 일단이 설정 핀에 연결되고; 조절 가능한 저항 회로는 제어단을 더 포함하며 - 여기서, 제어단은 스위칭 신호를 수신하고, 스위칭 신호에 따라, 설정 핀에 연결된 저항 가지를 제1 저항 가지에서 제2 저항 가지로 스위칭하도록 구성됨 -; 백라이트 전원 칩은 기준 전류에 기초하여 그리고 입력 핀에 의해 수신된 PWM 신호의 듀티 사이클에 따라 구동 전류를 생성하고, 출력 핀을 이용하여 구동 전류를 출력하도록 구성된다. 본 발명의 실시예에서, 백라이트 세기가 더 낮은 휘도 또는 더 높은 휘도에 도달할 수 있도록, 백라이트 전원 내의 기준 전류가 서로 다른 저항 가지를 이용하여 변경됨으로써 더 큰 전류 값 조절 범위에서 구동 전류를 출력한다.

Description

백라이트 회로, 전자 장치, 및 백라이트 조절 방법
본 발명의 실시예는 액정 표시 장치 분야에 관한 것으로, 상세하게는 백라이트 회로, 전자 장치, 및 백라이트 조절 방법에 관한 것이다.
스마트폰과 태블릿 컴퓨터과 같은 전자 장치는 디스플레이 컴포넌트로서 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD)를 사용한다.
LCD는 백라이트 회로에 의해 제공되는 백라이트만을 사용하여 정상적인 표시를 수행할 수 있다. 백라이트 회로는 백라이트 컨트롤러에 의해 제어된다. 백라이트 회로는 백라이트 전원 칩과 백라이트 전원 칩에 연결된 백라이트 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)을 포함한다. 동작 과정에서, 백라이트 전원 공급 칩은 백라이트 컨트롤러에 의해 송신된 펄스폭 변조(Pulse-Width Modulation, PWM) 신호를 수신한다. 백라이트 전원 칩은 펄스폭 변조 신호에 따라 구동 전류를 백라이트 LED에 출력한다. 백라이트 LED는 구동 전류에 따라 백라이트를 방출한다. 구동 전류의 크기와 백라이트 강도는 양의 상관 관계에 있다. 즉, 구동 전류가 크다는 것은 백라이트 강도가 세다는 것을 나타내고, 구동 전류가 작다는 것은 백라이트 강도가 약하다는 것을 나타낸다.
백라이트 전원 공급 칩의 하드웨어 성능에 의해 제한되기 때문에, 백라이트 전원 공급 칩에 의해 출력되는 구동 전류의 크기는 제한된 범위 내에 있다. 결과적으로, 백라이트 LED에 의해 출력되는 백라이트 휘도도 제한된 휘도 범위 내에 있다. 다시 말해, 백라이트 LED에 의해 출력되는 가장 낮은 휘도 또는 가장 높은 휘도는 설계시 개발자가 기대한 이상적 휘도가 아니거나 또는 백라이트 LED에 의해 실제로 출력될 수 있는 제한적인 휘도가 아니다.
백라이트 전원 칩이 상기 백라이트 전원 칩의 제한된 하드웨어 성능으로 인해 제한된 전류 값 조절 범위에서만 구동 전류를 출력할 수 있기 때문에 백라이트 LED에 의해 출력된 휘도가 제한된 휘도 범위 내에 있는 문제를 해결하기 위해, 본 발명의 실시예는 백라이트 회로, 전자 장치, 및 백라이트 조절 방법을 제공한다. 이 기술적 해결책은 다음과 같다.
제1 양태에 따르면, 본 발명의 일 실시예는 백라이트 회로를 제공한다. 상기 백라이트 회로는 백라이트 전원 칩과 조절 가능한 저항 회로를 포함하고; 상기 백라이트 전원 칩은 기준 전류를 설정하도록 구성된 설정 핀, 입력 핀, 및 출력 핀을 포함하며; 상기 조절 가능한 저항 회로의 일단이 상기 설정 핀에 연결되고, 상기 조절 가능한 저항 회로의 타단이 접지되며, 상기 조절 가능한 저항 회로는 제1 저항 가지와 제2 저항 가지를 포함하고, 상기 제1 저항 가지와 상기 제2 저항 가지는 서로 다른 기준 전류를 생성하는 데 사용되는 서로 다른 저항 값을 가지고 있으며; 상기 조절 가능한 저항 회로는 제어단을 포함하고 - 여기서, 상기 제어단은 스위칭 신호를 수신하고, 상기 스위칭 신호에 따라, 상기 설정 핀에 연결되는 저항 가지를 상기 제1 저항 가지와 상기 제2 저항 가지 사이에서 스위칭하도록 구성됨 -; 상기 백라이트 전원 칩은 상기 기준 전류에 기초하여 그리고 상기 입력 핀에 의해 수신되는 펄스폭 변조(pulse-width modulation, PWM) 신호의 듀티 사이클에 따라 구동 전류를 생성하고, 상기 출력 핀을 이용하여 상기 구동 전류를 출력하도록 구성되며, 상기 구동 전류는 발광하도록 백라이트 소스를 구동하는 데 사용된다.
제1 양태에서 제공된 백라이트 회로에서, 백라이트 전원 칩의 설정 핀이 조절 가능한 저항 회로에 연결되고, 상기 조절 가능한 저항 회로 스위치는 스위칭 신호에 따라, 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지를 상기 제1 저항 가지와 제2 저항 가지 사이에서 스위칭하여 상기 백라이트 전원 칩 내의 기준 전류를 변경함으로써, 전류 값 구동 전류의 조절 범위를 변경하는데, 상기 구동 전류가 상기 기준 전류에 기초하여 생성되기 때문이다. 이를 통해, 상기 백라이트 전원 칩의 제한된 하드웨어 성능으로 인해 상기 백라이트 전원 칩이 제한된 전류 값 조절 범위에서만 구동 전류를 출력할 수 있기 때문에 백라이트 소스에 의해 출력되는 휘도가 제한된 휘도 범위 내에 있는 문제를 해결하고, 백라이트 세기가 더 낮은 휘도 또는 더 높은 휘도에 도달할 수 있도록, 서로 다른 저항 가지를 이용하여 백라이트 전원 내의 기준 전류를 변경하여 더 큰 전류 값 조절 범위에서 구동 전류를 출력한다.
제1 양태의 가능한 제1 구현에서, 상기 조절 가능한 저항 회로는 셀렉터 스위치와 적어도 2개의 저항 가지를 포함하고, 상기 적어도 2개의 저항 가지 중 하나가 상기 제1 저항 가지이며, 상기 적어도 2개의 저항 가지 중 다른 하나가 상기 제2 저항 가지이고; 상기 셀렉터 스위치는 상기 제어단과 선택단을 포함하며; 상기 선택단은, 상기 제어단에 의해 수신된 상기 스위칭 신호에 따라, 상기 설정 핀에 연결되는 저항 가지를 상기 제1 저항 가지와 상기 제2 저항 가지 사이에서 스위칭하도록 구성된다. 이 구현에서, 3개의 저항 가지, 또는 4개의 저항 가지, 또는 훨씬 더 많은 수의 저항 가지가 상기 조절 가능한 저항 회로에 구현될 수 있도록, 셀렉터 스위치와 적어도 2개의 저항 가지가 상기 조절 가능한 저항 회로 내에 배치되어 구동 전류에 대한 더 큰 전류 값 조절 범위를 구현한다.
제1 양태의 가능한 제1 구현을 참조하여, 가능한 제2 구현에서, 상기 조절 가능한 저항 회로는 직렬로 연결된 제1 저항과 제2 저항을 포함하고; 상기 제1 저항과 상기 제2 저항은 상기 제1 저항 가지를 형성하고, 상기 제2 저항은 상기 제2 저항 가지를 형성하거나; 또는 상기 제1 저항과 상기 제2 저항은 상기 제2 저항 가지를 형성하고, 상기 제2 저항은 상기 제1 저항 가지를 형성한다. 이 구현에서, 회로가 단순한 형태를 가지면서 또한 회로 기판 상에서 용이하게 설계되어 생성될 수 있도록, 상기 조절 가능한 저항 회로 내에서는 저항 가지가 직렬 회로를 이용하여 구현된다.
제1 양태의 가능한 제1 구현을 참조하여, 가능한 제3 구현에서, 상기 조절 가능한 저항 회로는 병렬로 연결된 제3 저항과 제4 저항을 포함하고, 상기 제3 저항은 상기 제1 저항 가지를 형성하고, 상기 제4 저항은 상기 제2 저항 가지를 형성한다. 이 구현에서, 단순한 형태를 가지면서 또한 회로 기판 상에서 용이하게 설계되어 생성될 수 있도록, 상기 조절 가능한 저항 회로 내에서는 저항 가지가 병렬 회로를 이용하여 구현된다.
제1 양태, 또는 제1 양태의 가능한 제1 구현, 또는 제1 양태의 가능한 제2 구현, 또는 제1 양태의 가능한 제3 구현을 참조하여, 가능한 제5 구현에서, 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지가 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지와 다른 경우, 상기 스위칭 신호는 백라이트 컨트롤러에 의해 송신되고; 상기 예상 휘도 값은 상기 백라이트 소스에 의해 방출되는 예상 백라이트 휘도를 나타내는 데 사용된다.
제2 양태에 따르면, 본 발명의 일 실시예는 전자 장치를 제공한다. 상기 전자 장치는 백라이트 컨트롤러, 메모리, 및 제1 양태 또는 제1 양태의 어느 가능한 구현에서 제공되는 백라이트 회로와 백라이트를 포함하고, 상기 메모리는 상기 백라이트 컨트롤러에 연결되며, 상기 메모리는 상기 백라이트 컨트롤러의 실행 가능한 프로그램을 저장하고;
상기 백라이트 컨트롤러는 상기 백라이트 회로의 입력 핀에 연결되어 PWM 신호를 상기 백라이트 전원 칩에 송신하도록 구성되고; 상기 백라이트 컨트롤러는 상기 백라이트 회로 내의 제어단에 연결되어 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로에 송신하도록 구성되며;
상기 백라이트 회로 내 상기 백라이트 전원 칩의 출력 핀이 상기 백라이트 소스에 연결되고, 상기 백라이트 소스는 구동 전류에 따라 백라이트를 방출하도록 구성된다.
제2 양태의 가능한 제1 구현에서, 상기 백라이트 컨트롤러는 중앙처리장치(Central Processing Unit, CPU)이거나, 또는 상기 백라이트 컨트롤러(220)는 그래픽 처리장치(Graphics Processing Unit, GPU)이거나, 또는 상기 백라이트 컨트롤러(220)는 LCD 드라이버 집적 회로(Driver integrated circuit, Drive IC)이다.
제2 양태의 가능한 제2 구현에서, 상기 백라이트 컨트롤러는 상기 메모리 내의 명령을 실행하도록 구성되고, 상기 백라이트 컨트롤러는 상기 명령을 실행함으로써 다음의 제3 양태, 또는 제3 양태의 어느 가능한 구현에서 제공되는 백라이트 조절 방법을 구현한다.
제3 양태에 따르면, 본 발명의 일 실시예는 제2 양태에 따른 전자 장치의 백라이트 컨트롤러에 적용되는 백라이트 조절 방법을 제공한다. 상기 백라이트 조절 방법은, 상기 백라이트 컨트롤러가 예상 휘도 값을 획득하는 단계 - 상기 예상 휘도 값은 상기 백라이트 소스에 의해 방출되는 예상 백라이트 휘도를 나타내는 데 사용됨 -; 상기 백라이트 컨트롤러가 상기 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지를 결정하는 단계 - 상기 저항 가지는 상기 제1 저항 가지 또는 상기 제2 저항 가지 중 하나임 -; 상기 예상 휘도 값에 대응하는 상기 저항 가지가 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지와 다른 경우, 상기 백라이트 컨트롤러가 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신하는 단계; 및 상기 백라이트 컨트롤러가 PWM 신호를 상기 백라이트 전원 칩에 송신하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 PWM 신호의 듀티 사이클은 상기 예상 휘도 값에 대응하고 있고, 상기 백라이트 전원 칩은 상기 기준 전류에 기초하여 그리고 상기 PWM 신호의 듀티 사이클에 따라 구동 전류를 생성하고, 상기 구동 전류를 상기 백라이트 소스에 송신하도록 구성되며, 상기 백라이트 소스는 상기 구동 전류에 따라 백라이트를 방출하도록 구성된다.
제3 양태에서 제공된 백라이트 조절 방법에 따르면, 백라이트 컨트롤러가 예상 휘도 값을 획득하고; 상기 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지가 설정 핀에 연결된 저항 가지와 다른 경우, 스위칭 신호를 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신한다. 상기 조절 가능한 저항 회로는 상기 스위칭 신호에 따라, 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지를 제1 저항 가지와 제2 저항 가지 사이에서 스위칭하여 백라이트 전원 칩 내의 기준 전류를 변경함으로써, 상기 구동 전류의 전류 값 조절 범위를 변경하는데, 왜냐하면 구동 전류가 상기 기준 전류에 기초하여 생성되기 때문이다. 이를 통해, 상기 백라이트 전원 칩의 제한된 하드웨어 성능으로 인해 상기 백라이트 전원 칩이 제한된 전류 값 조절 범위에서만 구동 전류를 출력할 수 있기 때문에 백라이트 소스에 의해 출력되는 휘도가 제한된 휘도 범위 내에 있는 문제를 해결하고, 백라이트 세기가 더 낮은 휘도 또는 더 높은 휘도에 도달할 수 있도록, 서로 다른 저항 가지를 이용하여 백라이트 전원 내의 기준 전류를 변경함으로써 더 큰 전류 값 조절 범위에서 구동 전류를 출력한다.
제3 양태의 가능한 제1 구현에서, 상기 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신하기 전에, 상기 백라이트 조절 방법은, 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지가 상기 제1 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 크면, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클1까지 점진적으로 증가시키는 단계 - 상기 최대 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결되는 경우의 최대 듀티 사이클임 -; 또는 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지가 상기 제1 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 작으면, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클1까지 점진적으로 감소시키는 단계 - 상기 최소 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 최소 듀티 사이클임 -; 또는 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지가 상기 제2 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 크면, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클2까지 점진적으로 감소시키는 단계 - 상기 최소 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최소 듀티 사이클임 -; 또는 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지가 상기 제2 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 작으면, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클2까지 점진적으로 증가시키는 단계를 더 포함한다. 여기서, 상기 최대 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최대 듀티 사이클이다. 이 구현에서, 상기 스위칭 신호가 송신되기 전에 상기 PWM 신호가 점진적으로 변화하고 또한 상기 백라이트 휘도가 갑자기 변경되지 않으며, 따라서 백라이트 휘도 플리커링(flickering)을 방지한다.
제3 양태의 가능한 제2 구현에서, 상기 PWM 신호를 상기 백라이트 전원 칩에 송신하는 단계 - 상기 PWM 신호의 듀티 사이클은 상기 예상 휘도 값에 대응하고 있음 -는, 상기 예상 휘도 값에 대응하는 상기 듀티 사이클을 질의하는 단계; 및 스위칭 이후 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지가 상기 제2 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 큰 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클2에서 상기 듀티 사이클까지 점진적으로 증가시키는 단계 - 상기 최소 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최소 듀티 사이클임 -; 또는 스위칭 이후 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지가 상기 제2 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 작은 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클2에서 상기 듀티 사이클로 점진적으로 감소시키는 단계 - 상기 최대 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최대 듀티 사이클임 -; 또는 스위칭 이후 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지가 상기 제1 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 큰 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클1에서 상기 듀티 사이클까지 점진적으로 감소시키는 단계 - 상기 최대 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결되는 경우의 최대 듀티 사이클임 -; 또는 스위칭 이후 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지가 제1 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 작은 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 최소 듀티 사이클1을 상기 듀티 사이클까지 점진적으로 증가시키는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 최소 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 최소 듀티 사이클이다. 이 구현에서, 상기 스위칭 신호가 송신된 후 상기 PWM 신호가 점진적으로 변화하고 또한 상기 백라이트 휘도가 갑자기 변경되지 않음으로써 백라이트 휘도 플리커링을 방지한다.
모든 전술한 양태 또는 모든 양태의 모든 가능한 구현을 참조하여, 가능한 일 구현에서, 상기 제1 저항 가지의 저항 값(R1)과 상기 제2 저항 가지의 저항 값(R2)은,
R1 ≥ R2 x 최대 듀티 사이클2/최소 듀티 사이클1인 조건; 또는
R1 ≤ R2 x 최소 듀티 사이클1/최대 듀티 사이클2인 조건을 만족한다.
여기서, 상기 최소 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 상기 최소 듀티 사이클이고, 상기 최대 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 상기 최대 듀티 사이클이며, 상기 최소 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결된 경우의 상기 최소 듀티 사이클이고, 상기 최대 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결된 경우의 상기 최대 듀티 사이클이다. 이 구현에서, 제1 저항 가지에 대응하는 전류 값 조절 범위와 상기 제2 저항 가지에 대응하는 전류 값 조절 범위가 연속적인 전류 값 조절 범위로 결합됨으로써 더 큰 변화 범위를 가진 전류 값 조절 범위를 구현할 수 있도록, R1 = R2 x 최대 듀티 사이클2/최소 듀티 사이클1이라고 가정하거나 또는 R1 = R2 x 최소 듀티 사이클1/최대 듀티 사이클2이라고 가정한다. 더 큰 변경 범위를 가진 전류 값 조절 범위에 따르면, 제1 저항 가지와 제2 저항 가지 사이에서 스위칭이 수행되는 경우에는 플리커링이 없다.
이하, 본 발명의 실시예의 기술적 해결책을 더 명확하게 설명하기 위해, 실시예를 설명하는 데 필요한 첨부 도면에 대해 간략히 설명한다. 명백히, 다음의 설명에서 첨부 도면은 본 발명의 일부 실시예를 나타낼 뿐이며, 당업자라면 창의적인 노력 없이도 첨부 도면으로부터 다른 도면을 도출해낼 수 있을 것이다.
도 1은 기존의 전자 장치를 개략적으로 나타낸 구조도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 개략적으로 나타낸 구조도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 조절 가능한 저항 회로를 개략적으로 나타낸 구조도이다.
도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 조절 가능한 저항 회로를 개략적으로 나타낸 구조도이다.
도 3c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 조절 가능한 저항 회로를 개략적으로 나타낸 구조도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 개략적으로 나타낸 구조도이다.
도 5는 도 4에 도시된 전자 장치가 백라이트 조절을 수행하는 경우를 개략적으로 나타낸 원리 다이어그램이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 조절 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 조절 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 조절 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 조절 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 조절 방법을 나타낸 흐름도이다.
이하, 본 발명의 목적, 기술적 해결책, 및 이점을 보다 명확하게 하기 위하여, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 더 상세하게 설명한다.
도 1을 참조하면, 도 1은 기존의 전자 장치(100)를 개략적으로 나타낸 구조도이다. 전자 장치(100)는 백라이트 컨트롤러(120), 메모리(140), 백라이트 전원 칩(160), 및 백라이트 소스(180)를 포함한다.
백라이트 컨트롤러(120)는 중앙처리장치(Central Processing Unit, CPU)일 수 있거나, 또는 백라이트 컨트롤러(120)는 그래픽 처리장치(Graphics Processing Unit, GPU)일 수 있거나, 또는 백라이트 컨트롤러(120)는 LCD 드라이버 집적 회로(Driver integrated circuit, Drive IC)일 수 있다.
메모리(140)는 백라이트 컨트롤러(120)의 실행 가능한 명령을 저장한다. 메모리(140)는 임의의 타입의 휘발성 저장 장치와 비휘발성 저장 장치 또는 이들의 조합, 예컨대 정적 램(Static Random Access Memory, SRAM), 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPROM), 이피롬 (Erasable Programmable Read Only Memory, EPROM), 피롬(Programmable Read-Only Memory, PROM), 읽기 전용 메모리(Read Only Memory, ROM), 마그네틱 메모리, 플래시 메모리, 자기 디스크, 또는 광 디스크에 의해 구현될 수 있다.
백라이트 전원 칩(160)은 PWM 신호에 기초하여 구동 전류를 출력하는 집적 회로 칩이다. 백라이트 전원 칩(160)은 입력 핀(IN), 설정 핀(ISET), 및 출력 핀(OUT)을 포함한다. 백라이트 전원 칩(160)의 내부에는 기준 전류 소스 회로(162)가 포함되어 있다.
입력 핀(IN)은 백라이트 컨트롤러(120)에 연결된다.
설정 핀(ISET)은 백라이트 전원 칩(160) 내부에서 기준 전류 소스 회로(162)에 연결된다. 설정 핀(ISET)은 백라이트 전원 칩(160) 외부에서 저항(RISET)의 일단에 추가로 연결되고, 저항(RISET)의 타단은 접지된다.
기준 전류 소스 회로(162)는 기준 전류(IFB_full)를 제공하도록 구성되고, 기준 전류를 계산하는 수식은 다음과 같다.
IFB_full = VISET_full/RISET x KISET_full (수식 1)
VISET_full은 전압 값이 고정되어 변하지 않는 기준 전압이다. KISET_full은 고정된 파라미터이고, KISET_full은 기준 전류 소스 회로(162) 내 전자 엘리먼트의 전기적 성능에 의해 결정된다. 명백히, VISET_full, RISET, 및 KISET_full이라는 3개의 파라미터 모두가 고정된 값이므로, 기준 전류 소스 회로(162)에 의해 제공되는 기준 전류의 전류 값도 또한 고정된 값이다.
또한, 백라이트 전원 칩(160)의 하나의 핀이 전원(VBAT)에 연결되고, 다른 핀은 접지된다.
백라이트 소스(180)는 일반적으로 백라이트 LED이다. 백라이트 소스(180)의 일단이 전원(VBAT)에 연결되고, 타단은 백라이트 전원 칩(160)의 입력 핀(OUT)에 연결된다.
동작 중에, 백라이트 컨트롤러(140)는 사전 설정된 백라이트 제어 정책에 따라 예상 휘도 값(expected luminance value)을 생성한다. 예상 휘도 값은 백라이트 컨트롤러(120)에 의해 예상되는 휘도로서, 백라이트 소스(180)에 의해 방출되는 백라이트 휘도이다. 예를 들어, 사전 설정된 백라이트 제어 정책은, 주변광의 휘도가 어두워지는 경우 예상 휘도 값이 감소되고, 주변광의 휘도 밝아지는 경우 예상 휘도 값이 증가되는 것이다.
예상 휘도 값은 일반적으로 9 비트 또는 11 비트의 2진수로 표현되고, 백라이트 레지스터(Reg_Iset)에 저장된다. 본 실시예에서는, 9 비트를 이용하는 표현을 예로 들어 설명한다. 예상 휘도 값이 000000000, 즉 10진수 표기법으로 0이거나; 또는 예상 휘도 값이 111111111, 즉 10진수 표기법으로 511이다. 예상 휘도 값은 휘도 레벨이나 휘도 탭 위치의 표현 방식일 뿐, 실제 물리량의 휘도 값과 동일하지 않다는 것을 유의해야 한다.
백라이트 컨트롤러(140)는 미리 저장된 "예상 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블로부터 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클을 질의한다. "예상 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블은 메모리(140)에 저장된다. 표 1은 "예상 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블을 예로서 도시한다. 읽기 및 이해가 용이하도록, 다음의 설명에서는 모든 예상 휘도 값이 십진수 표기법으로 표현되어 있다.
(표 1)
Figure 112018066675845-pct00001
명백히, 예상 휘도 값의 값 범위가 [0, 511]이고 또한 듀티 사이클의 값 범위가 [1%, 100%]이기 때문에, 2개의 인접한 예상 휘도 값 사이의 듀티 사이클의 조절 스텝이 대략 0.19%이다. 백라이트 컨트롤러(140)는 듀티 사이클을 만족하는 PWM 신호를 백라이트 전원 칩(160)의 입력 핀에 송신한다. 예를 들어, 예상 휘도 값이 4이며, 백라이트 컨트롤러(140)는 듀티 사이클이 1.76%인 PWM 신호를 백라이트 전원 칩(160)의 입력 핀에 송신한다.
PWM 신호를 수신한 후, 백라이트 전원 칩(160)은 기준 전류에 기초하여 그리고 PWM 신호의 듀티 사이클에 따라 구동 전류를 생성한다. 구동 전류의 크기와 PWM 신호의 듀티 사이클은 직접적인 비례 관계에 있다. 구동 전류의 전류 값을 계산하기 위한 공식은 다음과 같다.
IFBX = IFB_full x Duty (수식 2)
IFB_full는 기준 전류이고, Duty는 듀티 사이클이다.
예를 들어, PWM 신호의 듀티 사이클이 1%이고 또한 기준 전류가 20 mA이면, 구동 전류 = 20 mA x 1% = 0.2 mA이다. 다른 예를 들면, PWM 신호의 듀티 사이클이 100%이고 또한 기준 전류가 20 mA이면, 구동 전류 = 20 mA x 100% = 20 mA이다.
백라이트 전원 칩(160)의 물리적 성능에 의해 제한되므로, 백라이트 전원 칩(160)에 의해 수신될 수 있는 최소 듀티 사이클이 1%이고; 따라서, 백라이트 전원 칩(160)에 의해 출력될 수 있는 최소 구동 전류가 1% x 기준 전류와 대략 동일하고, 최대 구동 전류가 100% x 기준 전류와 대략 동일하다. 즉, 구동 전류의 전류 값 조절 범위가 [1% x IFB_full, 100% x IFB_full]이다. 표 1의 예를 참조하면, 전류 값 조절 범위가 [2 mA, 20 mA]이다. 명백히, 전류 값 조절 범위가 상대적으로 제한되어 있다.
구동 전류의 전류 값 조절 범위가 상대적으로 제한되어 있으므로, 일부 어두운 조건에서는, 백라이트 소스(180)를 구동하기 위해 최소 구동 전류가 사용되더라도, 백라이트 소스(180)에 의해 방출되는 백라이트가 여전히 꽤 강해서 사용자의 눈을 부시게 한다. 마찬가지로, 일부 밝은 조건에서는, 백라이트 소스(180)를 구동하기 위해 최대 구동 전류가 사용되더라도, 백라이트 소스(180)에 의해 방출되는 백라이트가 여전히 너무 약해서 액정 디스플레이 상에 표시되는 콘텐츠를 분명하게 볼 수 없다.
또한, 전류 값 조절 범위의 최대 조절 스텝이 512개의 단계이고, 2개의 인접한 백라이트 휘도 값들 간의 구동 전류의 전류 값의 변화가 대략 0.19% x 기준 전류이다.
전술한 수식 2에 따르면, 구동 전류의 전류 값이 기준 전류와 관련되어 있음을 알 수 있다. 더 작은 전류 값을 가진 구동 전류 또는 더 큰 전류 값을 가진 구동 전류를 얻기 위해, 본 발명의 일 실시예는 기준 전류를 변화시키는 것에 기초하여 더 큰 전류 값 범위를 가진 구동 전류를 얻는 기술적 해결책를 제공한다. 또한, 전술한 수식 1을 참조하면, 기준 전류가 변경될 필요가 있으면, 저항 RISET의 저항 값이 변경될 수 있다는 것을 알 수 있다. 전술한 아이디어에 기초하여, 다음의 실시예가 제공된다.
도 2를 참조하면, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(200)를 개략적으로 나타낸 구조도이다. 전자 장치(200)는 백라이트 컨트롤러(220), 메모리(240), 백라이트 전원 칩(260), 조절 가능한 저항 회로(270), 및 백라이트 소스(280)를 포함한다.
백라이트 컨트롤러(220)는 중앙처리장치(Central Processing Unit, CPU)일 수 있거나, 또는 백라이트 컨트롤러(220)는 그래픽 처리장치(Graphics Processing Unit, GPU)일 수 있거나, 또는 백라이트 컨트롤러(220)는 LCD 드라이버 집적 회로(driver integrated circuit, Drive IC)일 수 있다.
메모리(240)는 백라이트 컨트롤러(220)의 실행 가능한 명령을 저장한다. 메모리(240)는 임의의 타입의 휘발성 저장 장치와 비휘발성 저장 장치 또는 이들의 조합, 예컨대 정적 램(Static Random Access Memory, SRAM), 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPROM), 이피롬(Erasable Programmable Read Only Memory, EPROM), 피롬(programmable ROM, PROM), 읽기 전용 메모리(Read Only Memory, ROM), 마그네틱 메모리, 플래시 메모리, 자기 디스크, 또는 광 디스크에 의해 구현될 수 있다.
백라이트 전원 칩(260)은 입력 핀(IN), 기준 전류를 설정하도록 구성된 설정 핀(ISET), 및 출력 핀(OUT)을 포함한다. 백라이트 전원 칩(260)의 내부에는 기준 전류 소스 회로(262)가 더 포함된다.
입력 핀(IN)은 백라이트 컨트롤러(220)에 연결된다. 동작 중에, 백라이트 컨트롤러(220)는 PWM 신호를 입력 핀(IN)에 송신하도록 구성된다.
조절 가능한 저항 회로(270)의 일단이 설정 핀(ISET)에 연결되고, 조절 가능한 저항 회로(270)의 타단이 접지된다. 조절 가능한 저항 회로(270)는 제1 저항 가지(272)와 제2 저항 가지(274)를 포함한다. 제1 저항 가지(272)의 저항 값이 제2 저항 가지(274)의 저항 값과는 다르다. 도 2에는 제1 저항 가지(272)와 제2 저항 가지(274)를 도시되어 있지만, 저항 가지의 수를 제한하지 않는다는 것을 유의해야 한다. 예를 들어, 도 3a는 다른 저항 가지를 포함하는 복수의 저항 가지를 추가로 도시하고 있다.
조절 가능한 저항 회로(270)는 제어단(C1)을 포함한다. 제어단(C1)은 백라이트 컨트롤러(220)에 연결된다. 구동 전류의 조절 범위가 변경될 필요가 있는 경우, 백라이트 컨트롤러(220)는 스위칭 신호를 제어단(C1)에 송신하도록 구성된다.
제어단(C1)은 스위칭 신호를 수신하고, 스위칭 신호에 따라, 설정 핀(ISET)에 연결된 저항 가지를 제1 저항 가지(272)에서 제2 저항 가지(274)로 스위칭하도록 구성된다. 백라이트 전원 칩(260)은 기준 전류 소스 회로(262)를 포함하고, 기준 전류 소스 회로(262)는 기준 전류를 제공하도록 구성된다. 설정 핀(ISET)에 연결된 저항 가지의 저항 값이 변경되면, 백라이트 전원 칩(260) 내의 기준 전류의 전류 값도 또한 변경된다. 기준 전류의 크기와 설정 핀(ISET)에 연결된 저항 가지의 저항 값은 반비례 관계에 있다.
백라이트 전원 칩(220)의 출력 핀(OUT)은 백라이트 소스(460)의 일단에 연결된다. 백라이트 소스(460)는 일반적으로 백라이트 LED이다. 선택적으로, 백라이트 소스(460)의 타단이 전원(VBAT)에 연결된다.
선택적으로, 백라이트 전원 칩(260)과 조절 가능한 저항 회로(270)는 전자 장치의 메인 보드 상에서 통합되어 있을 수 있다. 백라이트 컨트롤러(220), 메모리(240), 및 다른 전자 장치는 일반적으로 메인 보드 상에 배치된다. 백라이트 전원 칩(260)은 메인 보드 상에 배치되는 집적 회로 칩이다. 백라이트 전원 칩(260)은 메인 보드 상의 도전선(conductive line)을 이용하여 조절 가능한 저항 회로(270)에 전기적으로 연결된다.
선택적으로, 다른 실시예에서는 설정 핀(ISET)이 다른 명칭, 예를 들어 풀 스케일 설정 핀(full scale set pin)을 가지고 있을 수 있지만, 모든 설정 핀은 기준 전류를 설정하도록 구성된 핀이다. 본 실시예에서는 세트 핀(ISET)의 명칭에 대해 구체적으로 제한하지 않는다.
도 3a를 참조하면, 도 3a는 예로서 조절 가능한 저항 회로(270)를 개략적으로 나타낸 구조도를 도시하고 있다. 조절 가능한 저항 회로(270)는 셀렉터 스위치(271), 제1 저항 가지(272), 및 제2 저항 가지(274)를 포함한다.
셀렉터 스위치(271)는 제어단(C1)과 선택단(C2)을 포함한다.
제어단(C1)은 백라이트 컨트롤러(220)에 연결하도록 구성된다.
선택단(C2)는 제어단(C1)에 의해 수신된 스위칭 신호에 따라, 설정 핀(ISET)과 제1 저항 가지(272) 또는 제2 저항 가지(272) 중 하나를 연결하도록 구성된다.
선택적으로, 밝은 조건에서, 백라이트 전원 칩(220) 내의 기준 전류의 전류 값이 더 큰 전류 값일 수 있도록, 선택단(C2)은 제어단(C1)에 의해 수신된 스위칭 신호에 따라, 설정 핀(ISET)과 더 작은 저항 값을 가진 저항 가지를 연결함으로써, 동일한 듀티 사이클 조건에서 더 큰 구동 전류를 출력하고, 더 높은 백라이트 휘도를 얻는다. 어두운 조건에서, 백라이트 전원 칩(270) 내의 기준 전류의 전류 값이 더 작은 전류 값일 수 있도록, 선택단(C2)은 제어단(C1)에 의해 수신된 스위칭 신호에 따라, 설정 핀(ISET)과 더 큰 저항 값을 가진 저항 가지를 연결함으로써, 동일한 듀티 사이클 조건에서 더 작은 구동 전류를 출력하고, 더 낮은 백라이트 휘도를 얻는다.
선택적으로, 제어단(C1)은 범용 입력/출력(General Purpose Input Output, GPIO)을 만족하는 제어단(C1)이다.
선택적으로, 조절 가능한 저항 회로(270)에는 2개의 저항 가지가 있다. 하지만, 실시예 요구사항에 따라 3개, 또는 4개, 또는 그 이상의 저항 가지가 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 조절 가능한 저항 회로(270) 내 저항 가지의 개수를 제한하지 않는다.
선택적으로, 조절 가능한 저항 회로(270)는 통합된 가변 저항을 이용하여 구현된다.
선택적으로, 조절 가능한 저항 회로(270) 내의 저항 가지는 직렬 회로 또는 병렬 회로를 이용하여 구현된다.
예를 들어, 도 3b를 참조하면, 도 3b는 직렬 회로를 이용하여 구현된 조절 가능한 저항 회로(270)를 개략적으로 나타낸 구조도이다. 조절 가능한 저항 회로(270)는 셀렉터 스위치(271), 및 직렬로 연결된 제1 저항(RISET1)과 제2 저항(RISET2)을 포함한다.
제1 저항(RISET1)과 제2 저항(RISET2)은 제2 저항 가지(274)를 형성하고, 제2 저항(RISET2)은 제1 저항 가지(272)를 형성한다.
제2 저항(RISET2)의 일단이 설정 핀(ISET)에 연결되고, 제2 저항(RISET2)의 타단이 제1 저항(RISET1)의 일단에 연결되며, 제1 저항(RISET1)의 타단은 접지된다. 제어단(C1)에 의해 수신된 스위칭 신호에 따라, 셀렉터 스위치(271) 내의 선택단(C2)이 비활성화되는 경우, 설정 핀(ISET)은 제2 저항 가지(274)에 연결되고; 셀렉터 스위치(271) 내의 선택단(C2)이 활성화되는 경우, 설정 핀(ISET)은 제1 저항 가지(272)에 연결된다.
예를 들어, 도 3c를 참조하면, 도 3c는 병렬 회로를 이용하여 구현된 조절 가능한 저항 회로(270)를 개략적으로 나타낸 구조도이다. 조절 가능한 저항 회로(270)는 셀렉터 스위치(271), 및 병렬로 연결된 제3 저항(RISET1)과 제4 저항(RISET2)를 포함한다.
제3 저항(RISET1)은 제1 저항 가지(272)를 형성하고, 제4 저항(RISET2)은 제2 저항 가지(274)를 형성한다. 제3 저항(RISET1)과 제4 저항(RISET2)은 다른 저항 값을 가지고 있다.
제3 저항(RISET1)의 일단과 제4 저항(RISET2)의 일단이 접지된다. 제3 저항(RISET1)의 타단과 제4 저항(RISET2)의 타단이 셀렉터 스위치(271)의 선택단(C2)을 이용하여 설정 핀(ISET)에 연결된다. 제어단(C1)에 의해 수신된 스위칭 신호에 따라, 셀렉터 스위치(271) 내의 선택단이 제3 저항(RISET1)에 연결되는 경우, 설정 핀(ISET)은 제1 저항 가지(272)에 연결되고; 셀렉터 스위치(271) 내의 선택단이 제4 저항(RISET2)에 연결되는 경우, 설정 핀(ISET)은 제2 저항 가지(274)에 연결된다.
당업자라면 조절 가능한 저항 회로(270)의 복수의 구현예가 있다는 것을 예측할 수 있다. 본 실시예는 일례로서 조절 가능한 저항 회로(270)의 2가지 구현만을 나타낼 뿐이며, 조절 가능한 저항 회로(270)의 구체적인 구현에 대해 제한하지 않는다.
수식 2에 따르면, 듀티 사이클의 값 범위가 변경되지 않는 경우, 기준 전류의 전류 값이 변경된 후, 구동 전류의 전류 값 조절 범위가 도 1에 도시된 하나의 전류 값 조절 범위([최소 듀티 사이클 x IFB_full, 최대 듀티 사이클 x IFB_full])에서 2개의 전류 값 조절 범위([최소 듀티 사이클1 x I1, 최대 듀티 사이클1 x I1] 및 [최소 듀티 사이클2 x I2, 최대 듀티 사이클2 x I2]로 증가된다는 것을 알 수 있다. I1은 설정 핀(ISET)이 제1 저항 가지(272)에 연결된 경우의 기준 전류이고, I2는 설정 핀(ISET)이 제2 저항 가지(274) 에 연결된 경우의 기준 전류이다.
제1 저항 가지(272)의 저항 값이 R1이고, 제2 저항 가지(274)의 저항 값이 R2라는 것이 추정된다.
전류 값 조절 범위([최소 듀티 사이클1 x I1, 최대 듀티 사이클1 x I1])에 있는 최대 구동 전류가 전류 값 조절 범위([최소 듀티 사이클2 x I2, 최대 듀티 사이클2 x I2])에 있는 최소 구동 전류보다 작거나 같다는 것, 즉 최대 듀티 사이클1 x I1 = 최소 듀티 사이클2 x I2라는 것을 보장하기 위해, 수식 1을 참조하면, R1과 R2는,
R1 ≥ R2 x 최대 듀티 사이클2/최소 듀티 사이클1인 조건을 만족할 필요가 있다.
대안적으로, 전류 값 조절 범위([최소 듀티 사이클1 x I1, 최대 듀티 사이클1 x I1])에 있는 최소 구동 전류가 전류 값 조절 범위([최소 듀티 사이클2 x I2, 최대 듀티 사이클2 x I2])에 있는 최대 구동 전류보다 크거나 같다는 것, 즉 최소 듀티 사이클1 x I1 = 최대 듀티 사이클2 x I2라는 것을 보장하기 위해, 수식 1을 참조하면, R1과 R2는,
R1 ≤ R2 x 최소 듀티 사이클1/최대 듀티 사이클2인 조건을 만족할 필요가 있다.
최소 듀티 사이클1과 최소 듀티 사이클2가 일반적으로 동일하고 또한 이들 모두가 1%라는 것을 유의해야 한다. 하지만, 가능한 일 실시예에서, 최소 듀티 사이클1과 최소 듀티 사이클2가 서로 다를 수 있다. 예를 들어 최소 듀티 사이클1 = 10%이고, 최소 듀티 사이클2 = 1%이다. 마찬가지로, 최대 듀티 사이클1과 최대 듀티 사이클2는 일반적으로 동일하며, 이들 모두가 100%이다. 하지만, 가능한 일 실시예에서, 최대 듀티 사이클1과 최대 듀티 사이클2가 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 최대 듀티 사이클1 = 100%이고, 최대 듀티 사이클2 = 90%이다. 본 실시예에서는 이에 대해 제한하지 않는다. 본 실시예에서는, 최소 듀티 사이클1과 최소 듀티 사이클2가 동일하고 또한 이들 모두가 1%이고, 최대 듀티 사이클1과 최대 듀티 사이클2가 일반적으로 동일하고 또한 이들 모두가 100%인 예를 이용하여 설명한다.
본 실시예에서, R1 = R2 x 최대 듀티 사이클2/최소 듀티 사이클1인 예가 설명을 위해 사용된다. VISET_full = 1.229 V이고, KISET_full = 1030이며, R1 = 6340 K이고, R2 = 63.4 K이라는 것이 추정된다. 제1 저항 가지(272)에 대응하는 전류 값 조절 범위가 [0.002 mA, 0.2 mA]이고, 제2 저항 가지(274)에 대응하는 전류 값 조절 범위가 [0.2 mA, 20 mA]이다.
조절 가능한 저항 회로(270) 내 2개의 저항 가지를 이용하여 백라이트 조절을 수행하기 위하여, 메모리(240)는 3개의 대응관계 테이블을 저장할 수 있다. 3개의 대응관계 테이블은 각각 예상 휘도 값과 하위 테이블 휘도 값 사이의 요약 대응관계 테이블(summary correspondence table), 제1 "하위 테이블 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블, 및 제2 "하위 테이블 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블이다. 제1 "하위 테이블 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블은 줄여서 제1 대응관계 테이블이라고도 할 수 있다. 제2 "하위 테이블 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블은 줄여서 제2 대응관계 테이블이라고도 할 수 있다. 대응관계 테이블은 대응관계만을 기술하기 위해 사용되며, 대응관계 테이블의 제시 형태가 테이블에 한정되지 않음을 쉽게 이해할 수 있다. 또한, 이해 및 설명이 용이하도록, 본 실시예에서는 3개의 대응관계 테이블이 사용된다. 이것은 테이블의 개수를 제한하는 것이 아니며, 3개의 대응관계 테이블도 하나의 테이블로 통합될 수 있다.
예상 휘도 값과 하위 테이블 휘도 값 사이의 요약 대응관계 테이블은 줄여서 요약 테이블이라고도 할 수 있다. 요약 테이블에서의 예상 휘도 값의 값 범위 중 일부 범위에 있는 예상 휘도 값이 제1 대응관계 테이블에서의 하위 테이블 휘도 값에 대응하고 있다. 즉, 값 범위 중 일부 범위에 있는 예상 휘도 값이 제1 저항 가지에 대응하고 있다. 요약 테이블에서의 예상 휘도 값의 값 범위 중 다른 일부 범위에 있는 예상 휘도 값이 제2 대응관계 테이블에서의 하위 테이블 휘도 값에 대응하고 있다. 즉, 값 범위의 다른 일부 범위에 있는 예상 휘도 값이 제2 저항 가지에 대응하고 있다. 예를 들어, 표 2는 요약 테이블을 나타낸다.
(표 2)
Figure 112018066675845-pct00002
표 2에서, 예상 휘도 값이 0부터 255까지인 경우, 예상 휘도 값은 제1 저항 가지에 대응하고 있다. 이때, 제1 대응관계 테이블 내의 예상 휘도 값과 하위 테이블 휘도 값 사이의 대응관계는, 하위 테이블 휘도 값 = 예상 휘도 값/255 x 511를 반올림한 값이다. 예상 휘도 값이 256부터 511까지인 경우, 예상 휘도 값은 제2 저항 가지에 대응하고 있다. 이때, 제2 대응관계 테이블에서의 예상 휘도 값과 하위 테이블 휘도 값 사이의 대응관계는, 하위 테이블 휘도 값 = (예상 휘도 값 - 256)/255 x 511을 반올림한 값이다.
제1 대응관계 테이블은 설정 핀(ISET)의 백라이트 전원 칩(260)이 제1 저항 가지에 연결된 경우에 실제로 사용되는 "하위 테이블 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블이다. 예를 들어, 표 3은 제1 대응관계 테이블을 나타낸다:
(표 3)
Figure 112018066675845-pct00003
제2 "예상 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블은 줄여서 제2 대응관계 테이블라고도 할 수 있다. 제2 대응관계 테이블은 백라이트 전원 칩(220)의 설정 핀이 제2 저항 가지에 연결된 경우에 사용될 필요가 있는 "예상 휘도 값-듀티 사이클" 대응관계 테이블이다. 예를 들어, 표 4는 제2 대응관계 테이블을 나타낸다.
(표 4)
Figure 112018066675845-pct00004
백라이트 컨트롤러가 백라이트를 조절하는 구체적인 방식은 다음과 같다.
전자 장치(200)의 전원이 켜지면, 백라이트 컨트롤러(220)는 백라이트 레지스터(Reg_Iset)로부터 디폴트 예상 휘도 값(사전 구성된 값이거나 또는 전자 장치(200)가 마지막으로 스위칭 오프된 때의 값)을 읽는다. 예를 들어, 예상 휘도 값이 259이고, 요약 테이블에서의 예상 휘도 값(259)이 제2 대응관계 테이블에서의 하위 테이블 휘도 값(6)에 대응하고 있다. 즉, 예상 휘도 값(259)이 제2 저항 가지(274)에 대응하고 있다. 백라이트 컨트롤러(220)는 설정 핀(ISET)에 연결하도록 조절 가능한 저항 회로(270) 내의 제2 저항 가지(274)를 제어한다. 또한, 백라이트 컨트롤러(220)는 하위 테이블 휘도 값(6)에 대응하는 듀티 사이클이 2.14%라는 것을 제2 대응관계 테이블에서 찾은 다음, 백라이트 컨트롤러(220)는 듀티 사이클이 2.14%인 PWM 신호를 백라이트 전원 칩(260)의 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 백라이트 전원 칩(260) 내의 기준 전류가 20 mA이고, 20 x 2.14% = 4.28 mA의 구동 전류가 출력 핀(OUT)을 이용하여 출력되며, 백라이트 소스(280)는 4.28 mA의 구동 전류에 따라 백라이트를 외부에 출력한다.
전자 장치(200)의 동작 과정에서, 3가지 요인이 예상 휘도 값의 변경을 초래할 수 있다.
첫째, 사용자가 예상 휘도 값을 수동으로 변경한다.
백라이트 휘도의 조절 제어가 전자 장치의 설정 인터페이스에 제공된다. 조절 제어는 일반적으로, 도 4에 도시된 바와 같이 버튼(420)과 드래그 바(440)를 포함하는 드래그 조절 제어이다. 사용자는 드래그 바(440)의 서로 다른 위치로 버튼(420)을 드래그하여 예상 휘도 값을 변경한다.
둘째, 응용 프로그램이 응용 프로그램의 제어 로직에 따라 예상 휘도 값을 변경한다.
백라이트 컨트롤러(220)가 예상 휘도 값에 대해 수행하는 조절은 운영체제 레벨에서 제어하는 것이다. 운영체제는 응용 계층을 포함하고, 다양한 응용 프로그램, 예를 들어 인스턴트 메시징 프로그램, 전자책(e-book) 읽기 프로그램, 전화 프로그램, 및 단문 메시지 서비스 프로그램은 응용 계층에서 실행된다. 응용 프로그램은 응용 프로그램의 제어 로직에 따라 예상 휘도 값을 변경한다. 예를 들어, 응용 프로그램이 전자책 읽기 프로그램인 경우, 야간 읽기 모드에서 예상 휘도 값이 50으로 변경된다. 다른 예를 들면, 응용 프로그램이 전화 프로그램인 경우, 통화 모드에서 예상 휘도 값이 0으로 변경된다.
셋째, 운영체제가 주변광 세기에 따라 예상 휘도 값을 변경한다.
광센서가 대개 전자 장치 상에 추가 배치되고, 주변광 세기는 광 센서를 이용하여 수집된다. 운영체제는 주변광 세기에 따라 예상 휘도 값을 변경할 수 있다. 예를 들어, 주변광 세기가 A인 경우, 예상 휘도 값이 100으로 설정되고; 주변광 세기가 B인 경우, 예상 휘도 값이 200으로 설정된다.
본 실시예에서는 예상 휘도 값을 변경하는 방식에 대해 제한하지 않는다.
가능한 일 실시예에서는, 디폴트 예상 휘도 값(259)이 사용자에 의해 수동으로 258로 변경된다. 백라이트 컨트롤러(220)는 예상 휘도 값(258)에 대응하는 하위 테이블 휘도 값이 제2 대응관계 테이블에서의 4라는 것, 즉 예상 휘도 값(258)에 대응하는 저항 가지가 제2 저항 가지(274)라는 것을 요약 테이블에서 찾는다. 이때, 설정 핀(ISET)에 연결된 저항 가지가 제2 저항 가지(274)이므로, 이 저항 가지는 스위칭될 필요가 없다. 백라이트 컨트롤러(220)는 하위 테이블 휘도 값(4)에 대응하는 듀티 사이클이 1.76%라는 것을 제2 대응관계 테이블에서 찾은 다음, 백라이트 컨트롤러(220)는 듀티 사이클이 1.76%인 PWM 신호를 백라이트 전원 칩(260)의 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 백라이트 전원 칩(260) 내의 기준 전류가 20 mA이고, 20 x 1.76% = 0.352 mA의 구동 전류가 출력 핀(OUT)을 이용하여 출력되며, 백라이트 소스(280)는 0.352 mA의 구동 전류에 따라 백라이트를 외부에 출력한다.
또 다른 가능한 실시예에서, 디폴트 예상 휘도 값(259)이 사용자에 의해 수동으로 50으로 변경된다. 백라이트 컨트롤러(220)는, 예상 휘도 값(50)에 대응하는 하위 테이블 휘도 값이 제1 대응관계 테이블에서의 100이라는 것, 즉 예상 휘도 값(50)에 대응하는 저항 가지가 제1 저항 가지(272)라는 것을 요약 테이블에서 찾는다. 이때, 설정 핀(ISET)에 연결된 저항 가지가 제2 저항 가지(274)이므로, 백라이트 컨트롤러(220)는 설정 핀(ISET)에 연결된 제2 저항 가지(274)를 제1 저항 가지(272)로 스위칭할 필요가 있다. 백라이트 컨트롤러(220)는 먼저 스위칭 신호를 조절 가능한 저항 회로(270)의 제어단(C1)에 송신한다. 스위칭 신호를 수신한 후, 조절 가능한 저항 회로(270)는 설정 핀(ISET)과 제1 저항 가지(272)를 연결한다. 다음, 백라이트 컨트롤러(220)는 하위 테이블 휘도 값(100)에 대응하는 듀티 사이클이 20%라는 것을 제1 대응관계 테이블에서 찾은 다음, 백라이트 컨트롤러(220)는 듀티 사이클이 20%인 PWM 신호를 백라이트 전원 칩(260)의 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 백라이트 전원 칩(260) 내의 기준 전류가 0.2 mA이고, 0.2 x 20% = 0.04 mA의 구동 전류가 출력 핀(OUT)을 이용하여 출력되며, 백라이트 소스(280)는 0.04 mA의 구동 전류에 따라 백라이트를 외부에 출력한다.
예상 휘도 값이 사용자에 의해 수동으로 50에서 260까지 변경되면, 백라이트 컨트롤러(220)는 예상 휘도 값(260)에 대응하는 하위 테이블 휘도 값이 제2 대응관계 테이블에서의 8이라는 것, 즉 예상 휘도 값(260)에 대응하는 저항 가지가 제2 저항 가지(274)라는 것을 요약 테이블에서 찾는다. 이때, 설정 핀(ISET)에 연결된 저항 가지가 제1 저항 가지(272)이므로, 백라이트 컨트롤러(220)는 설정 핀(ISET)에 연결된 제1 저항 가지(272)을 제2 저항 가지(274)로 스위칭할 필요가 있다. 백라이트 컨트롤러(220)는 먼저 스위칭 신호를 조절 가능한 저항 회로(270)의 제어단(C1)에 송신한다. 스위칭 신호를 수신한 후에, 조절 가능한 저항 회로(270)는 제2 저항 가지(274)와 설정 핀(ISET)을 연결한다. 다음, 백라이트 컨트롤러(220)는 하위 테이블 휘도 값(8)에 대응하는 듀티 사이클이 2.52%라는 것을 제2 대응관계 테이블을 찾은 다음, 백라이트 컨트롤러(220)는 듀티 사이클이 2.52%인 PWM 신호를 백라이트 전원 칩(260)의 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 백라이트 전원 칩(260) 내의 기준 전류가 20 mA이고, 20 x 2.52% = 0.504 mA의 구동 전류가 출력 핀(OUT)을 이용하여 출력되며, 백라이트 소스(280)는 0.504 mA의 구동 전류에 따라 백라이트를 외부에 출력한다.
하지만, 실험에서, 예상 휘도 값이 50에서 260까지 직접 스위칭되는 경우, 구동 전류가 갑자기 0.04 mA에서 0.504 mA로 변경되고 또한 변경 진폭이 10배 이상이기 때문에, 사용자의 관점에서, 플리커링(flickering) 이후 백라이트가 갑자기 밝아진다는 것을 엔지니어가 발견하였다. 백라이트의 플리커링은 사용자의 눈을 부시게 하고, 백라이트 소스(280)의 물리적 수명의 소모를 가속화한다. 더 바람직한 실시예에서, 사용자의 눈이 백라이트 변경 과정에 더 잘 적응할 수 있고, 백라이트 소스(280)의 물리적 수명이 보호될 수 있도록, 구동 전류가 점진적으로 변경될 필요가 있다.
구체적으로, 예상 휘도 값이 사용자에 의해 수동으로 50에서 260까지 변경되면, 백라이트 컨트롤러(220)는 예상 휘도 값(50)에 대응하는 하위 테이블 휘도 값이 제1 대응관계 테이블에서 100이라는 것, 즉 예상 휘도 값(260)에 대응하는 하위 테이블 휘도 값이 제2 대응관계 테이블에서 8이라는 것을 요약 테이블에서 찾는다.
스위칭 신호를 송신하기 전에, 백라이트 컨트롤러(220)는 최대 듀티 사이클1(100%)로 스위칭하기 전에 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 점진적으로 증가시킨다. 세부사항은 다음과 같다.
먼저, 백라이트 컨트롤러(220)는 제1 대응관계 테이블에서의 하위 테이블 휘도 값(100)에 1을 더하여 하위 테이블 휘도 값(101)을 얻고, 하위 테이블 휘도 값(101)에 대응하는 듀티 사이클이 20.19%라는 것을 제1 대응관계 테이블에서 찾으며; 듀티 사이클이 20.19%인 PWM 신호를 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 구동 전류가 0.04038 mA이다.
다음, 백라이트 컨트롤러(220)는 제1 대응관계 테이블에서의 하위 테이블 휘도 값(101)에 1을 더하여 하위 테이블 휘도 값(102)을 얻고; 하위 테이블 휘도 값(102)에 대응하는 듀티 사이클이 20.38%라는 것을 제1 대응관계 테이블에서 찾으며; 듀티 사이클이 20.38%인 PWM 신호를 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 구동 전류가 0.04076 mA이다.
다음, 백라이트 컨트롤러(220)는 제1 대응관계 테이블에서의 하위 테이블 휘도 값(102)에 1을 더하여 하위 테이블 휘도 값(103)을 얻고; 하위 테이블 휘도 값(103)에 대응하는 듀티 사이클이 20.57%라는 것을 제1 대응관계 테이블에서 찾으며; 듀티 사이클이 20.57%인 PWM 신호를 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 구동 전류가 0.04114 mA이다.
유추에 의해, 연속적으로 하위 테이블 휘도 값에 1을 더하여 제1 대응관계 테이블에서의 최대값 511을 얻는 경우, 백라이트 컨트롤러(220)는 듀티 사이클이 100%인 PWM 신호를 출력한다. 이 경우에, 도 5에 도시된 바와 같이, 구동 전류가 0.2 mA이다.
스위칭 신호를 송신한 후, 백라이트 컨트롤러(220)는 추가적으로, 스위칭 이후 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클2에서 예상 휘도 값(260)에 대응하는 듀티 사이클(2.52%)까지 점진적으로 증가시킬 필요가 있다. 세부사항은 다음과 같다.
하위 테이블 휘도 값이 제1 대응관계 테이블에서의 최대값(511)까지 증가되는 경우, 백라이트 컨트롤러(220)는 스위칭 신호를 조절 가능한 저항 회로(270)의 제어단(C1)에 송신한다. 스위칭 신호를 수신한 후, 조절 가능한 저항 회로(270)는 제1 저항 가지(272)가 제2 저항 가지(274)로 스위칭된 후에 제2 저항 가지(274)와 설정 핀(ISET)을 연결하고, 백라이트 컨트롤러(220)는 하위 테이블 휘도 값을 제2 대응관계 테이블에서의 최소 하위 테이블 휘도 값(0)으로 갱신하며; 하위 테이블 휘도 값(0)에 대응하는 듀티 사이클이 최소 듀티 사이클2(1%)이라는 것을 제2 대응관계 테이블에서 찾고; 듀티 사이클이 1%인 PWM 신호를 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 구동 전류가 0.2 mA이다.
백라이트 컨트롤러(220)는 제2 대응관계 테이블에서의 하위 테이블 휘도 값(0)에 1을 더하여 하위 테이블 휘도 값(1)을 얻고; 하위 테이블 휘도 값(1)에 대응하는 듀티 사이클이 1.19%라는 것을 제2 대응관계 테이블에서 찾으며; 듀티 사이클이 1.19%인 PWM 신호를 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 구동 전류가 0.238 mA이다.
유추에 의해, 제2 대응관계 테이블에서의 하위 테이블 휘도 값(8)을 얻을 때까지 하위 테이블 휘도 값에 연속적으로 1을 더하는 경우, 백라이트 컨트롤러(220)는 듀티 사이클이 2.52%인 PWM 신호를 입력 핀(IN)에 송신한다. 이때, 구동 전류가 0.504 mA이다.
명백히, 구동 전류가 0.04 mA에서, 0.04038 mA, 0.04076 mA, … , 0.2 mA, 0.238 mA, … , 0.504 mA까지 점진적으로 증가된다. 사용자의 관점에서는, 백라이트가 점진적으로 밝아진다. 플리커링이 없고, 백라이트 소스(280)의 물리적 수명이 보호될 수 있다.
또한, 사용자는 어두운 환경에서 백라이트 변화에 꽤 민감하다. 하지만, 제1 대응관계 테이블에서의 2개의 인접한 구동 전류 간의 조절 스텝이 0.00038 mA이고 또한 제2 대응관계 테이블에서의 2개의 인접한 구동 전류 조절 스텝이 0.038 mA이기 때문에, 본 발명의 본 실시예에서, 더 낮은 백라이트 휘도에서의 조절 단계가 더 높은 백라이트 휘도에서의 조절 단계보다 작다. 사용자가 2개의 인접한 구동 전류 간의 변화를 인지할 것 같지 않다. 즉, 더 낮은 백라이트 휘도에서의 백라이트 기울기 과정이 더 미세하고 부드럽다.
백라이트 조절 과정에서, 더 작은 예상 휘도 값이 더 큰 예상 휘도 값으로 조절될 수 있거나, 또는 더 큰 예상 휘도 값이 더 작은 예상 휘도 값으로 조절될 수 있다는 것을 유의해야 한다.
결론적으로, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 전자 장치에서, 백라이트 전원 칩의 설정 핀이 조절 가능한 저항 회로에 연결되고, 조절 가능한 저항 회로는 스위칭 신호에 따라, 설정 핀에 연결된 저항 가지를 제1 저항 가지에서 제2 저항 가지로 스위칭하여 백라이트 전원 칩 내의 기준 전류를 변경함으로써, 전류 값 구동 전류의 조절 범위를 변화시킨다. 이를 통해, 백라이트 전원 칩의 제한된 하드웨어 성능으로 인해 백라이트 전원 칩이 제한된 전류 값 조절 범위에서만 구동 전류를 출력할 수 있기 때문에 백라이트 LED에 의해 출력된 휘도가 제한된 휘도 범위 내에 있는 문제를 해결하고, 백라이트 세기가 더 낮은 휘도 또는 더 높은 휘도에 도달할 수 있도록, 서로 다른 저항 가지를 이용하여 백라이트 전원 내 기준 전류를 변화시켜서 더 큰 전류 값 조절 범위에 있는 구동 전류를 출력한다.
본 발명의 본 실시예에서 제공되는 전자 장치에 따르면, 제1 저항 가지에 대응하는 전류 값 조절 범위와 제2 저항 가지에 대응하는 전류 값 조절 범위가 더 큰 변화 범위를 가진 전류 값 조절 범위를 구현하기 위해 연속적인 전류 값 조절 범위로 결합될 수 있도록, R1 = R2 x 최대 듀티 사이클2/최소 듀티 사이클1 또는 R1 = R2 x 최소 듀티 사이클1/최대 듀티 사이클2라는 것이 설정될 수 있다. 더 큰 변화 범위를 가진 전류 값 조절 범위에 따르면, 제1 저항 가지와 제2 저항 가지 사이에서 스위칭이 수행되는 경우에는 플리커링이 없다.
본 발명의 본 실시예에서 제공되는 전자 장치에 따르면, 예상 휘도 값이 제1 하위 테이블 휘도 값에서 제2 하위 테이블 휘도 값으로 변경되는 과정에서, 구동 전류가 점진적으로 변경되고, 백라이트가 점진적으로 변경되며, 사용자의 눈이 백라이트 변경 과정에 더 잘 적응할 수 있고 또한 백라이트 소스의 물리적 수명이 보호될 수 있도록, 점진적으로 1을 더하거나 또는 점진적으로 1을 뺌으로써 제1 하위 테이블 휘도 값이 제2 하위 테이블 휘도 값으로 점진적으로 변경된다.
본 발명의 본 실시예에서 제공되는 전자 장치에 따르면, 더 작은 전류 값 조절 범위에서는, 2개의 인접한 구동 전류 간의 조절 스텝이 더 작아서, 사용자가 어두운 환경에서 백라이트 변화에 꽤 민감하더라도, 사용자가 2개의 인접한 구동 전류 간의 변화를 인지할 것 같지 않다. 즉, 더 낮은 백라이트 휘도에서의 백라이트 변화 과정이 더 미세하고 더 부드럽다.
도 5를 참조하면, 제1 대응관계 테이블과 제2 대응관계 테이블 모두가 512개의 하위 테이블 휘도 값을 가지고 있기 때문에, 백라이트 컨트롤러(220)가 1024개의 휘도 레벨에서 백라이트 휘도를 조절하는 능력을 가진다는 것을 알 수 있다. 하지만, 메모리(240)는 3개의 테이블, 즉 요약 테이블, 제1 대응관계 테이블, 및 제2 대응관계 테이블을 저장할 필요가 있다. 선택적인 실시예에서, 요약 테이블, 제1 대응관계 테이블, 및 제2 대응관계 테이블은 하나의 테이블로 통합될 수 있다. 백라이트 레지스터가 여전히 9 비트이면, 표 5는 테이블을 나타낸다.
(표 5)
Figure 112018066675845-pct00005
이 경우에, 2개의 인접한 듀티 사이클 사이의 조절 스텝이 0.19%에서 0.38%로 변경되고, 백라이트 컨트롤러(220)는 512개의 휘도 레벨에서만 백라이트 휘도를 조절할 수 있다. 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지([0, 255])가 제1 저항 가지이고, 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지([256, 511])가 제2 저항 가지이다.
제1 저항 가지의 저항 값(R1)과 제2 저항 가지의 저항 값(R2)이 서로 다르기 때문에, 제1 저항 가지에 대응하는 전류 값 조절 범위와 제2 저항 가지에 대응하는 전류 값 조절 범위의 경우, 3가지 경우가 있을 수 있다는 것을 유의해야 한다.
첫째, 2개의 현재 값 조절 범위가 서로 교차하지 않는다. 이 경우에, R1 > R2 x 최대 듀티 사이클2/최소 듀티 사이클1이거나; 또는 R1 < R2 x 최소 듀티 사이클1/최대 듀티 사이클2이다. 예를 들어, 제1 저항 가지(272)에 대응하는 전류 값 조절 범위가 [0.0015 mA, 0.15 mA]이고, 제2 저항 가지(274)에 대응하는 전류 값 조절 범위가 [0.16 mA, 16 mA]이다. 선택적으로, 2개의 전류 값 조절 범위 사이의 범위가 비교적 작은 경우, 예를 들어 0.15 mA와 0.16 mA 사이의 차이가 단지 0.01 mA인 경우, 2개의 저항 가지가 스위칭될 때 구동 전류 점프가 비교적 약하고, 따라서 사용자가 이 점프를 거의 눈치채지 못한다.
둘째, 2개의 전류 값 조절 범위가 경계 값에서 교차된다. 이 경우에, R1 = R2 x 최대 듀티 사이클2/최소 듀티 사이클1이거나; 또는 R1 = R2 x 최소 듀티 사이클1/최대 듀티 사이클2이다. 예를 들어, 제1 저항 가지(272)에 대응하는 전류 값 조절 범위가 [0.0015 mA, 0.15 mA]이고, 제2 저항 가지(274)에 대응하는 전류 값 조절 범위가 [0.15 mA, 15 mA]이다. 2개의 저항 가지가 스위칭되는 경우, 구동 전류 변환이 없다. 즉, 2개의 전류 값 조절 범위가 연결되어 연속적인 전류 값 조절 범위를 형성할 수 있다.
셋째, 2개의 전류 값 조절 범위가 일 간격의 세그먼트에서 교차된다. 예를 들어, 제1 저항 가지에 대응하는 전류 값 조절 범위가 [0.0015 mA, 0.15 mA]이고, 제2 저항 가지에 대응하는 전류 값 조절 범위가 [0.10 mA, 10 mA]이다. 이 경우에, 2개의 전류 값 조절 범위가 서로 교차되지 않거나 또는 경계 값에서만 교차될 수 있도록, 대응관계 테이블 내 전류 값 조절 범위의 최소 듀티 사이클 및/또는 최대 듀티 사이클이 미리 변경된다. 예를 들어, 제2 저항 가지에 대응하는 전류 값 조절 범위가 [0.15 mA, 10 mA]로 변경될 수 있도록, 제2 저항 가지의 최소 듀티 사이클이 변경된다.
백라이트 컨트롤러가 백라이트 조절을 수행하기 위한 방법이 요약된다. 도 6을 참조하면, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 조절 방법을 나타낸 방법 흐름도이다. 백라이트 조절 방법은 도 2에 도시된 실시예에서 제공된 백라이트 컨트롤러(220)에 의해 실행될 수 있다. 백라이트 조절 방법은 다음의 단계를 포함한다.
단계 601: 백라이트 소스에 의해 방출되는 예상 백라이트 휘도를 나타내는 데 사용되는 예상 휘도 값을 획득한다.
전자 장치의 전원이 켜지는 경우, 예상 휘도 값은 디폴트 예상 휘도 값이다.
전자 장치의 실행 과정에서, 예상 휘도 값을 변경하는 것은 다음의 3가지 방식을 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
첫째, 사용자가 수동으로 예상 휘도 값을 변경한다.
둘째, 응용 프로그램이 응용 프로그램의 제어 로직에 따라 예상 휘도 값을 변경한다.
셋째, 운영체제가 주변광 세기에 따라 예상 휘도 값을 변경한다.
단계 602: 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지를 결정한다. 여기서, 저항 가지는 제1 저항 가지 또는 제2 저항 가지 중 하나이다.
백라이트 컨트롤러는 표 2에 나타낸 요약 테이블, 또는 표 5에 나타낸 대응관계 테이블에 질의함으로써 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지를 결정한다.
단계 603: 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지가 설정 핀에 연결되는 저항 가지와 다른 경우, 스위칭 신호를 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신한다.
단계 604: PWM 신호를 백라이트 전원 칩에 송신한다. 여기서, PWM 신호의 듀티 사이클은 예상 휘도 값에 대응하고 있다.
백라이트 컨트롤러는 표 3에 나타낸 제1 대응관계 테이블, 또는 표 4에 나타낸 제2 대응관계 테이블, 또는 표 5에 나타낸 대응관계 테이블에 질의함으로써 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클을 결정한다. 다음, 백라이트 컨트롤러는 듀티 사이클을 만족하는 PWM 신호를 백라이트 전원 칩의 입력 핀(IN)에 송신한다.
백라이트 전원 칩은 기준 전류에 기초하여 그리고 PWM 신호의 듀티 사이클에 따라 구동 전류를 생성하고, 구동 전류를 백라이트 소스에 송신하도록 구성된다. 여기서, 백라이트 소스는 구동 전류에 따라 백라이트를 방출하도록 구성된다.
결론적으로, 본 실시예에서 제공되는 백라이트 조절 방법에 따르면, 백라이트 컨트롤러가 예상 휘도 값을 획득하고; 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지가 설정 핀에 연결된 저항 가지와 다른 경우에는 스위칭 신호를 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신한다. 조절 가능한 저항 회로는 스위칭 신호에 따라, 설정 핀에 연결된 저항 가지를 제1 저항 가지와 제2 저항 가지 사이에서 스위칭하여 백라이트 전원 칩 내의 기준 전류를 변경함으로써, 구동 전류의 전류 값 조절 범위를 변경하는데, 구동 전류가 기준 전류에 기초하여 생성되기 때문이다. 이는 백라이트 전원 칩의 제한된 하드웨어 성능으로 인해 백라이트 전원 칩이 제한된 전류 값 조절 범위에서만 구동 전류를 출력할 수 있기 때문에 백라이트 소스에 의해 출력되는 휘도가 제한된 휘도 범위에 속한다는 문제를 해결하고, 백라이트 세기가 더 낮은 휘도 또는 더 높은 휘도에 도달할 수 있도록, 서로 다른 저항 가지를 이용하여 백라이트 전원 내의 기준 전류를 변경하여 더 큰 전류 값 조절 범위에서 구동 전류를 출력한다.
백라이트 휘도와 플리커의 급격한 변화를 방지하기 위해, 백라이트 컨트롤러는 백라이트 스위칭 과정에서 구동 전류에 대한 기울기 조절을 추가로 수행할 수 있다.
2가지 저항 값 조건(R1 > R2 및 R1 < R2)이 있고, 더 작은 예상 휘도 값이 더 큰 예상 휘도 값으로 조절되거나, 또는 더 큰 예상 휘도 값이 더 작은 예상 휘도 값으로 조절되는 2가지 조절 경우가 있기 때문에, 총 4개의 실시예가 가능하다.
제1 실시예에서, R1 > R2이고, 제1 저항 가지에 대응하는 더 작은 예상 휘도 값이 제2 저항 가지에 대응하는 더 큰 예상 휘도 값으로 조절된다.
제2 실시예에서, R1 < R2이고, 제1 저항 가지에 대응하는 더 큰 예상 휘도 값이 더 작은 제2 저항 가지에 대응하는 예상 휘도 값으로 조절된다.
제3 실시예에서, R1 > R2이고, 제2 저항 가지에 대응하는 더 큰 예상 휘도 값이 제1 저항 가지에 대응하는 더 작은 예상 휘도 값으로 조절된다.
제4 실시예에서, R1 < R2이고, 제2 저항 가지에 대응하는 더 작은 예상 휘도 값이 제1 저항 가지에 대응하는 더 큰 예상 휘도 값으로 조절된다.
도 7a를 참조하면, 도 7a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 조절 방법을 나타낸 흐름도이다. 백라이트 조절 방법은 도 2에 도시된 실시예에서 제공된 백라이트 컨트롤러(220)에 의해 실행될 수 있고, 전술한 제1 실시예에서 백라이트 조절을 구현하는 데 사용된다. 백라이트 조절 방법은 다음의 단계를 포함한다.
단계 701: 백라이트 소스에 의해 방출되는 예상 백라이트 휘도를 나타내는 데 사용되는 예상 휘도 값을 획득한다.
전자 장치의 전원이 켜지는 경우, 예상 휘도 값은 디폴트 예상 휘도 값이다.
전자 장치의 실행 과정에서, 예상 휘도 값을 변경하는 것은 다음의 3가지 방식을 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
첫째, 사용자가 수동으로 예상 휘도 값을 변경한다.
둘째, 응용 프로그램이 응용 프로그램의 제어 로직에 따라 예상 휘도 값을 변경한다.
셋째, 운영체제가 주변광 세기에 따라 예상 휘도 값을 변경한다.
단계 702: 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지를 결정한다. 여기서, 저항 가지는 제1 저항 가지 또는 제2 저항 가지 중 하나이다.
백라이트 컨트롤러는 표 2에 나타낸 요약 테이블, 또는 표 5에 나타낸 대응관계 테이블에 질의함으로써 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지를 결정한다.
단계 703: 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지가 설정 핀에 연결된 저항 가지와 다르고, 설정 핀에 연결된 저항 가지가 제1 저항 가지이며, 제1 저항 가지의 저항 값이 제2 저항 가지의 저항 값보다 큰 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클1까지 점진적으로 증가시킨다.
최대 듀티 사이클1은 설정 핀이 제1 저항 가지에 연결된 경우의 최대 듀티 사이클이다.
백라이트 컨트롤러가 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클1까지 점진적으로 증가시키는 경우에 사용되는 조절 스텝에 대해서는 제한하지 않는다. 조절 스텝은 2개의 인접한 하위 테이블 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클 간의 차이, 예를 들어 표 3 또는 표 4에 나타낸 0.19%일 수 있거나; 또는 조절 스텝은 2개의 인접한 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클 간의 차이, 예를 들어 표 5에 나타낸 0.38%일 수 있거나; 또는 조절 스텝은 가능한 다른 값일 수 있다.
단계 704: 스위칭 신호를 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신한다.
설정 핀에 연결된 저항 가지가 제1 저항 가지인 경우, 스위칭 신호가 조절 가능한 저항 회로를 트리거하는 데 사용되어 제2 저항 가지와 설정 핀를 연결한다.
설정 핀에 연결된 저항 가지가 제2 저항 가지인 경우, 스위칭 신호가 조절 가능한 저항 회로를 트리거하는 데 사용되어 제1 저항 가지와 설정 핀을 연결한다.
단계 705: 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클을 질의한다.
백라이트 컨트롤러는 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클을 요약 테이블, 제1 대응관계 테이블, 및 제2 대응관계 테이블에서 질의하거나; 또는 백라이트 컨트롤러는 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클을 표 5에 나타낸 대응관계 테이블에서 질의한다.
단계 706: 스위칭 이후 설정 핀에 연결된 저항 가지가 제2 저항 가지이고 또한 제1 저항 가지의 저항 값이 제2 저항 가지의 저항 값보다 큰 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클2에서 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클까지 점진적으로 증가시킨다.
최소 듀티 사이클2는 설정 핀이 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최소 듀티 사이클이다.
백라이트 컨트롤러가 현재 출력되는 PWM 신호의 최소 듀티 사이클2를 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클까지 점진적으로 증가시키는 경우에 사용되는 조절 스텝에 대해서는 제한하지 않는다. 조절 스텝은 2개의 인접한 하위 테이블 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클 간의 차이, 예를 들어 표 3 또는 표 4에 나타낸 0.19%일 수 있거나; 또는 조절 스텝은 2개의 인접한 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클 간의 차이, 예를 들어 표 5에 나타낸 0.38%일 수 있거나; 또는 조절 스텝은 가능한 다른 값일 수 있다.
결론적으로, 본 실시예에서 제공되는 백라이트 조절 방법에 따르면, 스위칭 신호가 송신되기 전에 PWM 신호가 단계 703에 따라 점진적으로 변경되고, 백라이트 휘도가 갑자기 변경되지 않음으로써 백라이트 휘도 플리커링을 방지한다. 스위칭 신호가 송신된 후에 PWM 신호가 단계 706에 따라 점진적으로 변경되고, 백라이트 휘도가 갑자기 변경되지 않음으로써 백라이트 휘도 플리커링을 방지한다.
마찬가지로, 제2 실시예의 경우, 도 7b에 도시된 바와 같이, 단계 703이 단계 703a로 대체될 수 있고, 단계 706이 단계 706a로 대체될 수 있다.
단계 703a: 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지가 설정 핀에 연결된 저항 가지와 다르고, 설정 핀에 연결된 저항 가지가 제1 저항 가지이며, 제1 저항 가지의 저항 값이 제2 저항 가지의 저항 값보다 작은 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클1까지 점진적으로 감소시킨다.
최소 듀티 사이클1은 설정 핀이 제1 저항 가지에 연결된 경우의 최대 듀티 사이클이다.
단계 706a: 스위칭 이후 설정 핀에 연결된 저항 가지가 제2 저항 가지이고 또한 제1 저항 가지의 저항 값이 제2 저항 가지의 저항 값보다 작은 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클2에서 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클까지 점진적으로 감소시킨다.
최대 듀티 사이클2는 설정 핀이 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최대 듀티 사이클이다.
마찬가지로, 제3 실시예의 경우, 도 7c에 도시된 바와 같이, 단계 703이 단계 703b로 대체될 수 있고, 단계 706이 단계 706b로 대체될 수 있다.
단계 703b: 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지가 설정 핀에 연결된 저항 가지와 다르고, 설정 핀에 연결된 저항 가지가 제2 저항 가지이며, 제1 저항 가지의 저항 값이 제2 저항 가지의 저항 값보다 큰 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클2까지 점진적으로 감소시킨다.
최소 듀티 사이클2는 설정 핀이 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최소 듀티 사이클이다.
단계 706b: 스위칭 이후 설정 핀에 연결된 저항 가지가 제1 저항 가지이고 또한 제1 저항 가지의 저항 값이 제2 저항 가지의 저항 값보다 큰 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클1에서 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클까지 점진적으로 감소시킨다.
최대 듀티 사이클1는 설정 핀이 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최대 듀티 사이클이다.
마찬가지로, 제4 실시예의 경우, 도 7c에 도시된 바와 같이, 단계 703이 단계 703c로 대체될 수 있고, 단계 706이 단계 706c로 대체될 수 있다.
단계 703c: 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지가 설정 핀에 연결된 저항 가지와 다르고, 설정 핀에 연결된 저항 가지가 제2 저항 가지이며, 제1 저항 가지의 저항 값이 제2 저항 가지의 저항 값보다 작은 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클2까지 점진적으로 증가시킨다.
최대 듀티 사이클2는 설정 핀이 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최대 듀티 사이클이다.
단계 706c: 스위칭 이후 설정 핀에 연결된 저항 가지가 제1 저항 가지이고 또한 제1 저항 가지의 저항 값이 제2 저항 가지의 저항 값보다 작은 경우에는, 현재 출력되는 PWM 신호의 최소 듀티 사이클1을 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클까지 점진적으로 증가시킨다.
최소 듀티 사이클1은 설정 핀이 제2 저항 가지에 연결되는 경우의 최소 듀티 사이클이다.
당업자라면 본 실시예 단계 중 전부 또는 일부가 하드웨어 또는 관련된 하드웨어에 지시하는 프로그램에 의해 구현될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 프로그램은 컴퓨터가 판독 가능한 저장 매체에 저장될 수 있다. 저장 매체는 롬(ROM), 자기 디스크, 또는 광 디스크를 포함할 수 있다.
전술한 설명은 본 발명의 예시적인 실시예일 뿐이며, 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 본 발명의 사상과 원리에서 벗어나지 않는 임의의 변경, 등가의 대체, 및 개량은 본 발명의 보호 범위에 속할 것이다.

Claims (14)

  1. 백라이트 회로로서,
    상기 백라이트 회로는 백라이트 전원 칩과 조절 가능한 저항 회로를 포함하고;
    상기 백라이트 전원 칩은 기준 전류를 설정하도록 구성된 설정 핀, 입력 핀, 및 출력 핀을 포함하며;
    상기 조절 가능한 저항 회로의 일단이 상기 설정 핀에 연결되고, 상기 조절 가능한 저항 회로의 타단이 접지되며, 상기 조절 가능한 저항 회로는 제1 저항 가지와 제2 저항 가지를 포함하고, 상기 제1 저항 가지와 상기 제2 저항 가지는 서로 다른 기준 전류를 생성하는 데 사용되는 서로 다른 저항 값을 가지고 있으며;
    상기 조절 가능한 저항 회로는 제어단을 포함하고 - 여기서, 상기 제어단은 스위칭 신호를 수신하고, 상기 스위칭 신호에 따라, 상기 설정 핀에 연결되는 저항 가지를 상기 제1 저항 가지와 상기 제2 저항 가지 사이에서 스위칭하도록 구성됨 -;
    상기 백라이트 전원 칩은 상기 기준 전류에 기초하여 그리고 상기 입력 핀에 의해 수신되는 펄스폭 변조(pulse-width modulation, PWM) 신호의 듀티 사이클에 따라 구동 전류를 생성하고, 상기 출력 핀을 이용하여 상기 구동 전류를 출력하도록 구성되며, 상기 구동 전류는 백라이트 소스가 발광하도록 구동하는 데 사용되고,
    예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지가 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지와 다른 경우, 상기 스위칭 신호는 백라이트 컨트롤러에 의해 송신되고;
    상기 예상 휘도 값은 상기 백라이트 소스에 의해 방출되는 예상 백라이트 휘도를 나타내는 데 사용되는, 백라이트 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조절 가능한 저항 회로는 셀렉터 스위치와 적어도 2개의 저항 가지를 포함하고, 상기 적어도 2개의 저항 가지 중 하나가 상기 제1 저항 가지이며, 상기 적어도 2개의 저항 가지 중 다른 하나가 상기 제2 저항 가지이고;
    상기 셀렉터 스위치는 상기 제어단과 선택단을 포함하며;
    상기 선택단은, 상기 제어단에 의해 수신된 상기 스위칭 신호에 따라, 상기 설정 핀에 연결되는 저항 가지를 상기 제1 저항 가지와 상기 제2 저항 가지 사이에서 스위칭하도록 구성된, 백라이트 회로.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 조절 가능한 저항 회로는 직렬로 연결된 제1 저항과 제2 저항을 포함하고;
    상기 제1 저항과 상기 제2 저항은 상기 제1 저항 가지를 형성하고, 상기 제2 저항은 상기 제2 저항 가지를 형성하거나; 또는
    상기 제1 저항과 상기 제2 저항은 상기 제2 저항 가지를 형성하고, 상기 제2 저항은 상기 제1 저항 가지를 형성하는, 백라이트 회로.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 조절 가능한 저항 회로는 병렬로 연결된 제3 저항과 제4 저항을 포함하고,
    상기 제3 저항은 상기 제1 저항 가지를 형성하고,
    상기 제4 저항은 상기 제2 저항 가지를 형성하는, 백라이트 회로.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 저항 가지의 저항 값(R1)과 상기 제2 저항 가지의 저항 값(R2)은,
    R1 ≥ R2 x 최대 듀티 사이클2/최소 듀티 사이클1인 조건; 또는
    R1 ≤ R2 x 최소 듀티 사이클1/최대 듀티 사이클2인 조건
    을 만족하고,
    상기 최소 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 최소 듀티 사이클이고, 상기 최대 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결된 경우의 최대 듀티 사이클인, 백라이트 회로.
  6. 삭제
  7. 전자 장치로서,
    상기 전자 장치는 백라이트 컨트롤러, 메모리, 및 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 백라이트 회로와 백라이트 소스를 포함하고, 상기 메모리는 상기 백라이트 컨트롤러에 연결되며, 상기 메모리는 상기 백라이트 컨트롤러의 실행 가능한 프로그램을 저장하고;
    상기 백라이트 컨트롤러는 상기 백라이트 회로 내 상기 백라이트 전원 칩의 입력 핀에 연결되어 펄스폭 변조(pulse-width modulation, PWM) 신호를 상기 백라이트 전원 칩에 송신하도록 구성되고; 상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 백라이트 회로 내 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 연결되어 상기 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로에 송신하도록 구성되며;
    상기 백라이트 회로 내 상기 백라이트 전원 칩의 출력 핀이 상기 백라이트 소스에 연결되고, 상기 백라이트 소스는 상기 구동 전류에 따라 백라이트를 방출하도록 구성되고,
    상기 백라이트 컨트롤러는,
    상기 백라이트 소스에 의해 방출되는 예상 백라이트 휘도를 나타내는 데 사용되는 예상 휘도 값을 획득하고;
    상기 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지를 결정하며 - 여기서, 상기 저항 가지는 제1 저항 가지 또는 상기 제2 저항 가지 중 하나임 -;
    상기 예상 휘도 값에 대응하는 상기 저항 가지가 설정 핀에 연결되는 저항 가지와 다른 경우, 상기 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신하도록 구성되고,
    상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 PWM 신호를 상기 백라이트 전원 칩에 송신하도록 구성되고, 상기 PWM 신호의 듀티 사이클은 상기 예상 휘도 값에 대응하고 있는, 전자 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 백라이트 컨트롤러는 중앙처리장치(CPU), 또는 그래픽 처리장치(GPU), 또는 액정 디스플레이 드라이버 집적 회로 구동 IC(liquid crystal display driver integrated circuit Drive IC)인, 전자 장치.
  9. 삭제
  10. 제7항에 있어서,
    상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신하기 전에, 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지가 상기 제1 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 크면, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클1까지 점진적으로 증가시키도록 구성되거나 - 여기서, 상기 최대 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 최대 듀티 사이클임 -; 또는
    상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신하기 전에, 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지가 상기 제1 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 작으면, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클1까지 점진적으로 감소시키도록 구성되거나 - 여기서, 상기 최소 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 최소 듀티 사이클임 -; 또는
    상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신하기 전에, 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지가 상기 제2 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 크면, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클2까지 점진적으로 감소시키도록 구성되거나 - 여기서, 상기 최소 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결된 경우의 최소 듀티 사이클임 -; 또는
    상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신하기 전에, 상기 설정 핀에 연결된 상기 저항 가지가 상기 제2 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 작으면, 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클2까지 점진적으로 증가시키도록 구성되고, 상기 최대 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결된 경우의 최대 듀티 사이클인, 전자 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 예상 휘도 값에 대응하는 듀티 사이클을 질의하고, 스위칭 이후 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지가 상기 제2 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 큰 경우에는 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클2에서 상기 듀티 사이클까지 점진적으로 증가시키도록 구성되거나 - 여기서, 상기 최소 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결된 경우의 최소 듀티 사이클임 -; 또는
    상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 예상 휘도 값에 대응하는 상기 듀티 사이클을 질의하고, 스위칭 이후 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지가 상기 제2 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 작은 경우에는 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클2에서 상기 듀티 사이클까지 점진적으로 감소시키도록 구성되거나 - 여기서, 상기 최대 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결된 경우의 최대 듀티 사이클임 -; 또는
    상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 예상 휘도 값에 대응하는 상기 듀티 사이클을 질의하고, 스위칭 이후 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지가 상기 제1 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 큰 경우에는 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최대 듀티 사이클1에서 상기 듀티 사이클까지 점진적으로 감소시키도록 구성되거나 - 여기서, 상기 최대 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 최대 듀티 사이클임 -; 또는
    상기 백라이트 컨트롤러는 추가적으로, 상기 예상 휘도 값에 대응하는 상기 듀티 사이클을 질의하고, 스위칭 이후 상기 설정 핀에 연결된 저항 가지가 상기 제1 저항 가지이고 또한 상기 제1 저항 가지의 저항 값이 상기 제2 저항 가지의 저항 값보다 작은 경우에는 현재 출력되는 PWM 신호의 듀티 사이클을 최소 듀티 사이클1에서 상기 듀티 사이클까지 점진적으로 증가시키도록 구성되고, 상기 최소 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 최소 듀티 사이클인, 전자 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 제1 저항 가지의 저항 값(R1)과 상기 제2 저항 가지의 저항 값(R2)은,
    R1 ≥ R2 x 최대 듀티 사이클2/최소 듀티 사이클1인 조건; 또는
    R1 ≤ R2 x 최소 듀티 사이클1/최대 듀티 사이클2인 조건
    을 만족하고,
    상기 최소 듀티 사이클1은 상기 설정 핀이 상기 제1 저항 가지에 연결된 경우의 상기 최소 듀티 사이클이고, 상기 최대 듀티 사이클2는 상기 설정 핀이 상기 제2 저항 가지에 연결된 경우의 상기 최대 듀티 사이클인, 전자 장치.
  13. 백라이트 조절 방법으로서,
    상기 백라이트 조절 방법은 제7항에 따른 전자 장치의 백라이트 컨트롤러에 적용되고,
    상기 백라이트 조절 방법은,
    예상 휘도 값을 획득하는 단계 - 상기 예상 휘도 값은 백라이트 소스에 의해 방출되는 예상 백라이트 휘도를 나타내는 데 사용됨 -;
    상기 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지를 결정하는 단계 - 상기 저항 가지는 상기 제1 저항 가지 또는 상기 제2 저항 가지 중 하나임 -;
    상기 예상 휘도 값에 대응하는 상기 저항 가지가 설정 핀에 연결되는 저항 가지와 다른 경우, 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신하는 단계; 및
    PWM 신호를 상기 백라이트 전원 칩에 송신하는 단계 - 상기 PWM 신호의 듀티 사이클은 상기 예상 휘도 값에 대응하고 있고, 상기 백라이트 전원 칩은 상기 기준 전류에 기초하여 그리고 상기 PWM 신호의 듀티 사이클에 따라 구동 전류를 생성하고, 상기 구동 전류를 상기 백라이트 소스에 송신하도록 구성되며, 상기 백라이트 소스는 상기 구동 전류에 따라 백라이트를 방출하도록 구성됨 -
    를 포함하는 백라이트 조절 방법.
  14. 컴퓨터가 판독 가능한 저장 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램으로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은 제7항에 따른 전자 장치의 백라이트 컨트롤러에 적용되는 방법을 수행하도록 되어 있고,
    상기 전자 장치의 백라이트 컨트롤러에 적용되는 방법은,
    예상 휘도 값을 획득하는 단계 - 상기 예상 휘도 값은 백라이트 소스에 의해 방출되는 예상 백라이트 휘도를 나타내는 데 사용됨 -;
    상기 예상 휘도 값에 대응하는 저항 가지를 결정하는 단계 - 상기 저항 가지는 상기 제1 저항 가지 또는 상기 제2 저항 가지 중 하나임 -;
    상기 예상 휘도 값에 대응하는 상기 저항 가지가 설정 핀에 연결되는 저항 가지와 다른 경우, 스위칭 신호를 상기 조절 가능한 저항 회로의 제어단에 송신하는 단계; 및
    PWM 신호를 상기 백라이트 전원 칩에 송신하는 단계 - 상기 PWM 신호의 듀티 사이클은 상기 예상 휘도 값에 대응하고 있고, 상기 백라이트 전원 칩은 상기 기준 전류에 기초하여 그리고 상기 PWM 신호의 듀티 사이클에 따라 구동 전류를 생성하고, 상기 구동 전류를 상기 백라이트 소스에 송신하도록 구성되며, 상기 백라이트 소스는 상기 구동 전류에 따라 백라이트를 방출하도록 구성됨 -
    를 포함하는, 컴퓨터가 판독 가능한 저장 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.
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