KR102096829B1 - 레이저 라인 빔 개선 장치 및 레이저 처리 장치 - Google Patents

레이저 라인 빔 개선 장치 및 레이저 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102096829B1
KR102096829B1 KR1020157008922A KR20157008922A KR102096829B1 KR 102096829 B1 KR102096829 B1 KR 102096829B1 KR 1020157008922 A KR1020157008922 A KR 1020157008922A KR 20157008922 A KR20157008922 A KR 20157008922A KR 102096829 B1 KR102096829 B1 KR 102096829B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shielding
line beam
laser
long axis
transmission
Prior art date
Application number
KR1020157008922A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150073967A (ko
Inventor
준이치 시다
정석환
마사시 마치다
Original Assignee
가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 filed Critical 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼
Publication of KR20150073967A publication Critical patent/KR20150073967A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102096829B1 publication Critical patent/KR102096829B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/127—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an enclosure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

라인 빔 조사시에 있어서, 스팁니스부를 효과적으로 저감시키는 것을 가능하게 하기 위해서 처리물[규소막(100)]에 조사되는 라인 빔(150)의 광로 상에서 상기 피처리물에 대하여 상대적으로 먼 위치에 배치되어 라인 빔(150)의 장축 단부의 투과를 차폐하는 제 1 차폐부[제 1 차폐판(20)]와, 피처리물에 대하여 상대적으로 가까운 위치에 배치되어 상기 제 1 차폐부에 의해 장축 단부의 투과가 차폐된 후의 라인 빔(150)의 장축 단부의 투과를 더욱 차폐하는 제 2 차폐부[제 2 차폐판(21)]를 구비하는 레이저 라인 빔 개선 장치 및 그 레이저 라인 빔 개선 장치를 구비하고, 제 1 차폐부가 처리실(2) 밖이며 광학계의 최종단의 집광 렌즈(21c)와 도입창(6) 사이에 배치되고, 제 2 차폐부가 처리실(2) 내에 배치되어 있는 레이저 처리 장치에 관한 것이다.

Description

레이저 라인 빔 개선 장치 및 레이저 처리 장치{LASER LINE BEAM IMPROVEMENT DEVICE AND LASER PROCESSOR}
본 발명은 라인 빔의 강도 분포를 개선하는 레이저 라인 빔 개선 장치 및 상기 레이저 라인 빔 개선 장치를 구비하는 레이저 처리 장치에 관한 것이다.
비정질 반도체의 결정화나 반도체 불순물의 활성화 등에서는 피처리물에 레이저를 조사해서 어닐링하는 방법이 실용화되어 있다. 이 레이저 어닐링 처리에서는 광학계를 통해서 레이저의 빔 형상을 소정 형상으로 정형하고, 또한 빔 강도가 빔 단면에 있어서 일정하게(탑 플랫: 평탄부) 되도록 하고 있고, 또한 필요에 따라서 빔을 집광해서 피처리물에 조사하고 있다.
빔 형상의 일종으로서 빔 단면으로 보았을 때에 단축폭과 장축폭을 갖는 라인 빔 형상이 알려져 있고, 이것을 주사하면서 피처리물에 조사함으로써 피처리물의 넓은 면적을 일괄해서 효율적으로 처리하는 것이 가능해진다. 단, 탑 플랫으로 한 라인 빔 형상에서도 각종 광학 부재 등을 거침으로써 단축 방향 및 장축 방향의 가장자리부에는 에너지 강도가 외측을 향해서 감소하는 부분[스팁니스부(steepness parts)라고도 함]을 갖고 있다. 단축측은 집광 등에 의해 빔폭이 작아짐으로써 스팁니스부 자체의 폭도 작아지고, 또한 오버랩 조사에 의해 단축 방향에 주사되기 때문에 스팁니스부 조사에 의한 영향은 경감된다. 한편, 장축측에서는 스팁니스부는 큰 폭을 갖는 상태로 조사되고, 단축 방향에 대하여 통상 250배 정도의 폭을 갖고 있다. 이와 같은 장축측의 스팁니스부가 조사된 피처리물의 부분에서는 평탄부가 조사된 부분과는 다른 에너지 강도로 레이저가 조사되어 처리 상태가 다른 것으로 된다. 이 때문에, 장축측의 스팁니스부가 조사된 피처리물의 부분은 제품으로서는 사용하지 않는 것이 통상이다.
또한, 스팁니스부에 상당하는 감쇠 부분을 제거 또는 저감시키는 슬릿을 배치하는 것이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
이 슬릿을 투과한 라인 빔은 스팁니스부가 제거 또는 저감되어 있고, 이 라인 빔의 조사를 받는 피처리물에서는 스팁니스의 조사 영역을 작게 할 수 있고, 또한 품질 상 허용되면 스팁니스부의 조사 영역을 포함해서 제품화할 수 있다.
일본 특허 공개 평 2002-252455호 공보
그런데, 슬릿을 투과한 라인 빔은 투과 후에도 회절 등에 의해 스팁니스부가 더 발생하고, 투과 후의 거리가 길어질수록 스팁니스부가 넓어져서 폭은 커진다. 따라서, 슬릿은 피처리물에 가까울수록 스팁니스부의 폭을 작게 할 수 있다.
그러나, 라인 빔은 통상 단축측을 집광해서 피처리물에 조사하고 있고, 피처리물에 가까울수록 에너지 밀도가 높아지고, 피처리물에 가까운 위치에 슬릿을 배치하면 슬릿에 데미지가 발생하기 쉬워져 내구성이 현저하게 저하된다. 또한, 데미지를 받은 슬릿으로부터 미세한 파편이 발생하여 피처리물에 콘터미네이션으로서 혼입될 우려가 있다. 특히, 펄스 레이저는 연속 발진 레이저에 비해서 단위 시간당의 에너지 밀도가 높아 상기 문제가 현저해진다. 한편, 슬릿을 피처리물로부터 먼 위치에 배치하면 집광의 정도가 작아서 단축폭도 상대적으로 크므로 에너지 밀도는 상대적으로 작고, 슬릿으로의 데미지를 작게 할 수 있다. 그러나, 피처리물로부터 먼 위치에 슬릿이 있으면 슬릿을 투과한 라인 빔에 발생하는 스팁니스부가 그 후에 크게 넓어져서 스팁니스부의 폭이 커지고, 스팁니스부 차폐에 의한 효과가 작아져 버린다.
또한, 레이저 처리를 해서 반도체 기판에 복수의 패널 영역을 확보할 경우, 패널간의 간극에 상기한 스팁니스부가 위치하도록 조사하고 있다. 패널간의 간극이 작을수록 1매의 반도체 기판으로부터 잘라내는 패널수를 많게 할 수 있기 때문에, 스팁니스부의 폭을 작게 해서 패널간의 간극을 작게 하고 싶다고 하는 요망이 있다. 또한, 최근에는 효율적으로 트랜지스터를 형성하기 위해서 트랜지스터 영역(예정 영역도 포함함)의 간격을 작게 한 반도체로의 라인 빔 조사의 요망이 늘어나고 있다. 이 라인 빔 조사에서는 스팁니스부의 조사 영역이 트랜지스터 영역의 간격 내에 수납되는 것이 필요하고, 이 경우에도 스팁니스부의 폭을 작게 하고 싶다고 하는 요망이 있다.
그러나, 종래의 슬릿에서는 슬릿의 데미지를 억제하면서 상기 각 요망에 응하는 것은 곤란하다.
본 발명은 상기 사정을 배경으로서 이루어진 것이고, 차폐부의 데미지를 작게 하고, 또한 라인 빔에 의해 발생하는 스팁니스부를 효과적으로 저감시킬 수 있는 레이저 라인 빔 개선 장치 및 레이저 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명의 레이저 라인 빔 개선 장치 중 제 1 본 발명은 피처리물에 조사되는 라인 빔의 광로 상에서 상기 피처리물에 대하여 상대적으로 먼 위치에 배치되어 상기 라인 빔의 장축 단부의 투과를 차폐하는 제 1 차폐부와, 상기 피처리물에 대하여 상대적으로 가까운 위치에 배치되어 상기 제 1 차폐부에 의해 장축 단부의 투과가 차폐된 후의 상기 라인 빔의 장축 단부의 투과를 더욱 차폐하는 제 2 차폐부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
제 2 본 발명의 레이저 라인 빔 개선 장치는 상기 제 1 본 발명에 있어서, 상기 라인 빔이 빔 강도 프로파일에 있어서 평탄부와 단축 단부 및 장축 단부에 위치하는 스팁니스부를 갖는 것을 특징으로 한다.
제 3 본 발명의 레이저 라인 빔 개선 장치는 상기 제 2 본 발명에 있어서, 상기 평탄부는 상기 빔 강도 프로파일에 있어서의 최대 강도의 97% 이상의 영역인 것을 특징으로 한다.
제 4 본 발명의 레이저 라인 빔 개선 장치는 상기 제 2 본 발명에 있어서, 상기 제 1 차폐부가 상기 라인 빔의 장축 단부의 스팁니스부와 상기 평탄부의 장축측 단부의 투과를 차폐하는 것을 특징으로 한다.
제 5 본 발명의 레이저 라인 빔 개선 장치는 상기 제 1∼제 4 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 제 2 차폐부가 상기 라인 빔의 장축 방향에 대하여 상기 제 1 차폐부와 같은 위치 또는 외측에서 상기 차폐를 행하는 것을 특징으로 한다.
제 6 본 발명의 레이저 라인 빔 개선 장치는 상기 제 1∼제 5 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 제 2 차폐부가 상기 피처리물에 대한 상대적인 원근 위치가 다르고, 전단계의 차폐부에 의해 상기 라인 빔의 장축 단부의 투과가 차폐된 후의 상기 라인 빔의 장축 단부의 투과를 더욱 차폐하는 복수의 차폐부를 갖는 것을 특징으로 한다.
제 7 본 발명의 레이저 라인 빔 개선 장치는 상기 제 6 본 발명에 있어서, 상기 복수의 차폐부는 후단계의 차폐부가 전단계의 차폐부와 같은 위치 또는 외측에서 상기 차폐를 행하는 것을 특징으로 한다.
제 8 본 발명의 레이저 처리 장치는 레이저를 출력하는 레이저광원과, 상기 레이저의 빔 형상을 라인 빔으로 정형해서 안내하는 광학계와, 피처리물이 설치되고 상기 광학계에서 안내된 레이저를 도입창을 통해서 도입하여 상기 피처리물에 조사하는 처리실과, 상기 제 1∼제 7 중 어느 하나인 본 발명의 레이저 라인 빔 개선 장치를 구비하고,
상기 라인 빔 개선 장치의 제 1 차폐부가 상기 처리실 밖이며 상기 광학계의 최종단의 집광 렌즈와 상기 도입창 사이에 배치되고, 상기 라인 빔 개선 장치의 제 2 차폐부가 상기 도입창의 내측의 상기 처리실 내에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
제 9 본 발명의 레이저 처리 장치는 상기 제 8 본 발명에 있어서, 피처리물에 레이저를 조사해서 상기 피처리물의 결정화 또는 활성화 처리에 사용되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 단축측의 집광 정도가 작고 에너지 밀도가 높지 않은 단계에서 제 1 차폐부에 의해 라인 빔의 장축 단부의 투과가 차폐되고, 또한 스팁니스부가 저감된 라인 빔이 제 2 차폐부에 의해 장축 단부의 투과가 차폐되어 효과적으로 스팁니스부가 저감된다.
제 1 차폐부에서는 단축측의 집광이 완만한 단계에 있기 때문에, 제 1 차폐부에 대한 데미지를 적게 하고 스팁니스부의 저감을 도모할 수 있다. 제 1 차폐부를 투과한 후에 넓어지는 스팁니스부는 제 1 차폐부에 도달했을 때의 스팁니스부보다 넓이는 작게 되어 있고, 이것을 제 2 차폐부에 의해 라인 빔의 장축측 단부의 투과를 차폐함으로써 보다 넓이가 작은 스팁니스부로 할 수 있다.
제 2 차폐부에 의해 차폐하는 스팁니스부가 제 2 차폐부에 조사되는 단면적은 그대로 제 2 차폐부에 조사되는 경우보다 작게 되어 있어, 제 2 차폐부에 대한 데미지를 작게 할 수 있다. 또한, 제 2 차폐부에 있어서의 차폐는 스팁니스부의 전부 또는 일부에 한할 수 있고, 제 2 차폐부에 대한 조사 단면적을 최소한으로 할 수 있다. 제 2 차폐부를 투과한 라인 빔은 피처리물에 가까운 위치에서 제 2 차폐부를 투과하기 때문에, 제 2 차폐부를 투과한 후에 회절 등에 의해 발생하는 스팁니스부는 넓이가 작아지고, 스팁니스부의 폭이 작은 상태로 피처리부에 라인 빔이 조사된다. 제 2 차폐부에 의한 차폐를 스팁니스부의 장축 방향 외측의 일부로 하면 제 2 차폐부에 조사되는 스팁니스부의 조사 에너지는 한층 더 작아지고, 제 2 차폐부에 대한 데미지는 보다 작아진다.
라인 빔은 평탄부와 적어도 장축측에 스팁니스부를 갖는 것이고, 평탄부는 빔 단면의 최대 에너지 강도에 대하여 97% 이상의 영역으로 이루어지는 것으로 할 수 있다. 단, 본 발명으로서는 이것에 한정되는 것은 아니다. 평탄부의 양단부에 평탄부보다 에너지 강도가 낮고, 외측을 향해서 점차로 강도가 작아지는 스팁니스부를 갖는다.
또한, 라인 빔 형상이란 단축에 대하여 장축이 큰 비율을 갖는 것이고, 예를 들면 그 비가 10 이상인 것을 들 수 있다. 장축측의 길이, 단축측의 길이는 본 발명으로서는 특별하게 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 장축측의 길이가 370∼1300㎜, 단축측의 길이가 100㎛∼500㎛인 것을 들 수 있다.
제 1 차폐부와 제 2 차폐부는 각각 라인 빔의 장축측 단부의 투과를 방해하는 것이지만, 완전하게 차단하는 것 이외에, 다른 투과율을 작게 하고 투과를 저감시키는 것이라도 좋다. 그 경우, 투과율이 50% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 제 1 차폐부와 제 2 차폐부에서 차폐의 방법, 정도를 달리하는 것이라도 좋다. 예를 들면, 한쪽 차폐부(예를 들면, 제 1 차폐부)에 의해 차단을 하고, 다른쪽 차폐부(예를 들면, 제 2 차폐부)에 의해 투과 억제 등을 하도록 해도 좋다.
제 1 차폐부는 적어도 라인 빔의 장축측 양단부의 스팁니스부를 차폐하도록 배치하면 좋고, 스팁니스부의 외측의 일부를 차폐하도록 해도 좋다. 또한, 스팁니스부의 전부와 평탄부의 일부를 차폐해서 확실하게 스팁니스부의 저감을 도모할 수 있다. 제 1 차폐부에서는 단축측의 집광도가 낮기 때문에, 평탄부측을 차폐해도 차폐부에 대한 데미지는 비교적 작다.
또한, 제 2 차폐부는 제 1 차폐부를 투과한 라인 빔의 적어도 스팁니스부를 차폐하도록 배치하면 좋다. 이 경우, 스팁니스부의 외측의 일부를 차폐하는 것이라도 좋다. 바람직하게는 제 1 차폐부를 투과한 후 형성되는 스팁니스부를 차폐하면 좋고, 제 1 차폐부의 차폐 위치와 제 2 차폐부의 차폐 위치를 라인 빔의 장축 방향(예를 들면, 장축 방향 중심 기준)에서 같은 위치 또는 제 2 차폐부의 차폐 위치를 제 1 차폐부의 차폐 위치보다 외측으로 할 수 있다.
제 1 차폐부와 제 2 차폐부의 광로 상의 원근 방향의 배치 위치는 제 1 차폐부가 피처리물에 대하여 상대적으로 멀고, 제 2 차폐부가 피처리물에 대하여 상대적으로 가까우면 좋고, 상대적인 원근 관계는 피처리물을 기준으로 하는 제 1 차폐부와 제 2 차폐부간의 관계이다. 본 발명으로서는 이 상대적인 관계를 갖고 있으면 양쪽 차폐부의 배치 위치가 특별하게 한정되는 것은 아니지만, 처리실의 레이저광 도입창을 기준으로 해서 제 1 차폐부를 도입창의 외측에 두고, 제 2 차폐부를 도입창의 내측에 두는 것이 예시된다. 제 1 차폐부를 도입창의 외측에 두면 그 영역에서 적당한 위치에 배치할 수 있고, 제 2 차폐부를 도입창의 내측에 두면 피처리물에 대응하는 등 해서 그 영역에서 적당한 위치에 배치할 수 있다.
또한, 제 2 차폐부는 상대적인 원근 위치를 달리해서 복수의 차폐부로 이루어지는 것이라도 좋다. 그 경우, 전단계의 차폐부에 의해 라인 빔의 스팁니스부를 차폐하고, 투과한 라인 빔에 의해 발생하는 스팁니스부를 후단계의 차폐부에 의해 차단할 수 있다.
이 경우, 후단계의 차폐부가 전단계의 차폐부와 같은 위치 또는 외측에서 상기 차폐를 행하는 것으로 할 수 있다.
(발명의 효과)
이상, 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면 라인 빔에 의해 발생하는 스팁니스부를 효과적으로 저감시킬 수 있고, 이것을 사용한 처리를 양호하게 행할 수 있다. 또한, 라인 빔의 단축 방향을 집광하는 것에서는 차폐부의 데미지를 작게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태의 레이저 라인 빔 개선 장치 및 레이저 처리 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 마찬가지로 차폐부 및 차폐부를 투과하는 라인 빔을 나타내는 평면도이다.
도 3은 마찬가지로 차폐부를 투과하는 라인 빔의 정면에서 보았을 때의 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 있어서의 차폐부를 투과하는 라인 빔의 정면에서 보았을 때의 도면이다.
도 5는 종래의 슬릿을 투과하는 라인 빔의 정면에서 보았을 때의 도면이다.
도 6은 라인 빔의 장축 빔 프로파일을 나타내는 도면이다.
이하에, 본 발명의 일실시형태의 레이저 라인 빔 개선 장치 및 레이저 라인 빔 개선 장치를 구비하는 레이저 처리 장치를 첨부된 도면에 의거하여 설명한다.
도 1은 레이저 처리 장치에 상당하는 레이저 어닐링 처리 장치(1)를 나타내는 것이다. 레이저 어닐링 처리 장치(1)는 처리실(2)을 구비하고 있고, 처리실(2) 내에 X-Y 방향으로 이동 가능한 주사 장치(3)를 구비하고, 그 상부에 기대(4)를 구비하고 있다. 기대(4) 상에는 스테이지로서 기판 배치대(5)가 설치되어 있다. 주사 장치(3)는 도시하지 않은 모터 등에 의해 구동된다.
또한, 처리실(2)에는 외부로부터 펄스 레이저를 도입하는 도입창(6)이 설치되어 있다.
어닐링 처리시에는 상기 기판 배치대(5) 상에 반도체막으로서 비정질의 규소막(100) 등이 설치된다. 규소막(100)은 도시하지 않는 기판 상에, 예를 들면 40∼100㎚ 두께(구체적으로는, 예를 들면 50㎚ 두께)로 형성되어 있다. 그 형성은 상법에 의해 행할 수 있고, 본 발명으로서는 반도체막의 형성 방법이 특별하게 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 실시형태에서는 비정질막을 레이저 처리에 의해 결정화하는 레이저 처리에 관한 것으로서 설명하지만, 본 발명으로서는 레이저 처리의 내용이 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 비단결정의 반도체막을 단결정화하거나, 결정 반도체막의 개질을 행하는 것이면 좋다. 또한, 그 밖의 처리에 관한 것이라도 좋고, 피처리물이 특정한 것에 한정되는 것은 아니다.
처리실(2)의 외부에는 펄스 레이저광원(10)이 설치되어 있다. 그 펄스 레이저광원(10)은 엑시머 레이저 발진기(상품명: LSX315C)로 구성되어 있고, 파장 308㎚, 반복 발진 주파수 300㎐의 펄스 레이저를 출력 가능하게 되어 있고, 상기 펄스 레이저광원(10)에서는 피드백 제어에 의해 펄스 레이저의 출력을 소정 범위 내로 유지하도록 제어할 수 있다. 또한, 펄스 레이저광원의 종별이 상기에 한정되는 것은 아니다.
상기 펄스 레이저광원(10)에 있어서 펄스 발진되어서 출력되는 펄스 레이저(15)는 필요에 따라서 어테뉴에이터(11)에 의해 에너지 밀도가 조정되고, 호모지나이저(12a), 반사 미러(12b), 집광 렌즈(12c) 등의 광학 부재로 구성되는 광학계(12)에 의해 라인 빔 형상으로의 정형이나 편향 등이 이루어지고, 처리실(2)에 설치한 도입창(6)을 통해서 처리실(2) 내의 비정질의 규소막(100)에 조사된다. 또한, 광학계(12)를 구성하는 광학 부재는 상기에 한정되는 것은 아니고, 각종 렌즈, 미러, 도파부 등을 구비할 수 있다.
또한, 집광 렌즈(12c)와 도입창(6) 사이에는 제 1 차폐부에 상당하는 제 1 차폐판(20)이 배치되어 있고, 처리실(2) 내에는 제 2 차폐부에 상당하는 제 2 차폐판(21)이 배치되어 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 차폐판(20)은 한 쌍이 되는 2개의 차폐판이 선단을 마주보게 하고 그 사이에 제 1 투과 간극(20a)이 확보되도록 배치된다. 그 제 1 투과 간극(20a)은 펄스 레이저(150)의 장축 방향 단부를 차폐 가능한 길이의 간극을 갖고 있다. 또한, 제 2 차폐판(21)도 마찬가지로, 제 2 차폐판(21)은 한 쌍이 되는 2개의 차폐판이 선단을 마주보게 하고 그 사이에 제 2 투과 간극(21a)이 확보되도록 배치된다. 그 제 2 투과 간극(21a)은 제 2 차폐판(21)을 투과한 펄스 레이저(150)의 장축 방향 단부를 차폐 가능한 길이의 간극을 갖고 있다. 상기 제 1 차폐판(20), 제 2 차폐판(21)은 본 발명의 레이저 라인 빔 개선기 장치를 구성한다.
또한, 제 1 차폐판(20), 제 2 차폐판(21)에서는 한 쌍이 되는 2개의 차폐판을 서로의 간극량을 조정하도록 자동 또는 수동으로 이동시킬 수 있다.
이어서, 상기 레이저 어닐링 처리 장치(1)의 동작에 대하여 설명한다.
펄스 레이저광원(10)에 있어서 펄스 발진되어서 출력되는 펄스 레이저(15)는, 예를 들면 펄스 반값폭이 200ns 이하인 것으로 된다. 단, 본 발명으로서는 이것들에 한정되는 것은 아니다.
펄스 레이저(15)는 어테뉴에이터(11)에 의해 펄스 에너지 밀도가 조정된다. 어테뉴에이터(11)는 소정의 감쇠율로 설정되어 있고, 반도체막으로의 조사면 상에서 소정의 조사 펄스 에너지 밀도가 얻어지도록 감쇠율이 조정된다. 예를 들면, 비정질의 규소막(100)을 결정화하는 등의 경우, 그 조사면 상에 있어서 에너지 밀도가 100∼500mJ/㎠가 되도록 조정할 수 있다.
어테뉴에이터(11)를 투과한 펄스 레이저(15)는 광학계(12)에 의해 라인 빔 형상으로 정형되고, 또한 광학계(12)의 실린드리칼 렌즈 등의 집광 렌즈(12c)를 거쳐서 단축폭을 집광하고, 처리실(2)에 설치한 도입창(6)에 도입된다. 광학계(12)로부터 출사되는 라인 빔(150)의 장축 방향에서의 빔 강도 프로파일을 도 6에 나타낸다. 도 6의 프로파일은 간략화해서 도시하고 있다.
라인 빔(150)은 최대 에너지 강도에 대하여 97% 이상이 되는 평탄부(151)와, 장축 방향의 양단부에 위치하고 상기 평탄부(151)보다 작은 에너지 강도를 갖고, 외측을 향해서 점차로 에너지 강도가 저하되는 스팁니스부(152)를 갖고 있다. 스팁니스부의 장축 방향폭(152a)은 특별하게 한정되는 것은 아니지만, 최대 강도의 10%에 이르기까지의 폭으로서, 통상 1㎜∼25㎜ 정도의 폭을 갖고 있다. 또한, 평탄부를 최대 에너지 강도에 대하여 몇%로 할 것인지는 적당하게 결정할 수 있다.
제 1 차폐판(20)의 제 1 투과 간극(20a)은 도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이 라인 빔(150)에 대하여 양단의 스팁니스부(152)와 평탄부(151) 내에 일부 신장된 위치까지 차폐하도록 배치되어 있다.
스팁니스부(152)를 저감시킨 라인 빔(150)은 도 2에 나타내는 바와 같이 제 1 차폐판(20)의 제 1 투과 간극(20a)을 통과함으로써 회절 등에 의해 장축 방향 양단부에 스팁니스부(153)가 형성된다. 단, 스팁니스부(153)는 스팁니스부(152)를 차폐해서 형성되는 것이기 때문에, 스팁니스부(152)에 비해서 넓이폭은 상당히 작아져 있다.
스팁니스부(153)를 갖는 라인 빔(150)은 도입창(6)을 투과해서 처리실(2) 내에 도입된다.
라인 빔(150)은 더욱 진행되어서 도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이 제 2 차폐판(21)에 이른다. 제 2 차폐판(21)에서는 제 2 투과 간극(21a)의 장축 방향폭이 제 1 투과 간극(20a)의 장축 방향폭보다 길게 되어 있고, 제 2 투과 간극(21a)의 장축 방향단에 라인 빔(150)의 스팁니스부(153)가 위치한다. 이 때문에, 제 2 차폐판(21)에서는 장축 방향 내측의 스팁니스부(153)의 일부를 제외하고 잔부의 스팁니스부(153)가 차폐된다. 제 2 투과 간극(21a)을 통과한 라인 빔(150)에서는 도 2(c), 도 3에 나타내는 바와 같이 회절 등에 의해 스팁니스부(154)가 형성되지만, 스팁니스부(153)에 비해서 넓이폭은 더욱 작게 되어 있어 스팁니스부가 저감된다.
또한, 제 2 차폐판(21)에 의해 스팁니스부(153)를 어느 정도 내측까지 차폐할 것인지는 적당하게 설정할 수 있다. 이 경우, 제 2 차폐판(21)의 데미지와 저감하고 싶은 스팁니스부(153)의 넓이폭을 감안해서 차폐량을 설정할 수 있다. 이 예에서는 평탄부(151)의 폭에 맞춰서 제 2 투과 간극(21a)의 장축 방향폭을 설정하고 있다.
또한, 제 2 차폐판(21)은 비교적 규소막(100)에 가까운 위치에 배치되어 있고, 제 2 차폐판(21)을 투과한 라인 빔(150)은 스팁니스부(153)가 크게 넓어지지 않고 규소막(100)에 조사된다.
이 라인 빔(150)을 주사 장치(3)에 의해 규소막(100)을 이동시킴으로써 상대적으로 주사하면서 조사하는 어닐링 처리에서는 스팁니스부(154)가 조사되는 영역의 폭은 상대적으로 작아져, 낭비되는 영역을 작게 할 수 있다. 또한, 트랜지스터의 배치 간격을 작게 해서 처리를 하고 싶다고 하는 요망에 대해서도 상기 간격에 스팁니스부(154)를 위치시켜서 트랜지스터의 영역을 평탄부(151)로 양호하게 결정화하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명으로서는 상기 주사의 속도가 특정한 것에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 1∼100㎜/초의 범위에서 선택할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 제 1 차폐부에 상당하는 제 1 차폐판(20)과 제 2 차폐부에 상당하는 제 2 차폐판(21)을 갖는 것에 대하여 설명했지만, 제 2 차폐부에 상당하는 차폐판을 라인 빔의 광로를 따라 복수 설치하고, 각 차폐판에 의해 스팁니스부의 차폐를 행하도록 해도 좋다. 도 4는 제 2 차폐부로서 제 2 차폐판(21)과 제 3 차폐판(22)을 갖는 예를 나타내는 것이고, 본 발명으로서는 그 수는 특별하게 한정되지 않는다. 제 3 차폐판(22)은 다른 차폐판과 마찬가지로 한 쌍이 되는 2개의 차폐판이 선단을 마주보게 하고 그 사이에 간극을 갖고 배치되고, 그 사이에 제 3 투과 간극(22a)이 확보되어 있다. 또한, 제 3 차폐판(22)에서도 한 쌍이 되는 2개의 차폐판을 서로의 간극량을 조정하도록 자동 또는 수동으로 이동시킬 수 있다.
라인 빔(150)이 제 3 차폐판(22)의 제 3 투과 간극(22a)을 투과함으로써 스팁니스부를 더욱 저감시킬 수 있다.
또한, 제 2 차폐판(21)의 후단계에 위치하는 제 3 차폐판(22)에서는 차폐 위치 내측단을 장축 방향에 있어서 제 2 차폐판과 같은 위치나 외측으로 할 수 있다.
한편, 도 5는 종래의 슬릿부(25)에 의해 라인 빔(150)을 차폐한 경우의 예이다. 슬릿부(25)에 대한 데미지가 작아지도록 비교적 규소막(100)으로부터 떨어져서 배치하면, 슬릿부(25)에 의해 스팁니스부(152)를 차폐한 후 회절에 의해 형성되는 스팁니스부(153)가 점차로 넓어져서 스팁니스부 폭이 커지고, 슬릿부에 의한 차폐 효과가 작아지게 되어 버려서 충분한 레이저 라인 빔 개선 효과가 얻어지지 않는다.
또한, 상기 실시형태에서는 차폐부로서 차폐판을 갖는 것으로서 설명했지만, 차폐부를 슬릿을 갖는 슬릿부에 의해 구성할 수도 있다.
이상, 본 발명에 대해서 상기 실시형태에 의거하여 설명을 행했지만, 본 발명은 상기 실시형태의 내용에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한은 적당한 변경이 가능하다.
1 : 레이저 어닐링 처리 장치 2 : 처리실
3 : 주사 장치 5 : 기판 배치대
6 : 도입창 10 : 펄스 레이저광원
11 : 어테뉴에이터 12 : 광학계
12c : 집광 렌즈 20 : 제 1 차폐판
20a : 제 1 투과 간극 21 : 제 2 차폐판
21a : 제 2 투과 간극 22 : 제 3 차폐판
22a : 제 3 투과 간극 100 : 규소막

Claims (9)

  1. 피처리물에 조사되는, 빔 강도 프로파일에 있어서 평탄부와 단축 단부 및 장축 단부에 위치하는 스팁니스부를 갖는 라인 빔의 광로 상에서 상기 피처리물에 대하여 상대적으로 먼 위치에 배치되어 상기 라인 빔의 장축 단부의 투과를 차폐하는 제 1 차폐부와, 상기 피처리물에 대하여 상대적으로 가까운 위치에 배치되어 상기 제 1 차폐부에 의해 장축 단부의 투과가 차폐된 후의 상기 라인 빔의 장축 단부의 투과를 더욱 차폐하는 제 2 차폐부를 구비하고,
    상기 제 1 차폐부는 상기 라인 빔의 장축 단부의 스팁니스부와 상기 평탄부의 장축측 단부의 투과를 차폐하고, 상기 제 2 차폐부는 상기 라인 빔의 장축 방향에 대하여 상기 제 1 차폐부의 외측에서 상기 스팁니스부의 차폐를 행하는 것을 특징으로 하는 레이저 라인 빔 개선 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 평탄부는 상기 빔 강도 프로파일에 있어서의 최대 강도의 97% 이상의 영역인 것을 특징으로 하는 레이저 라인 빔 개선 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 차폐부는 상기 피처리물에 대한 상대적인 원근 위치가 다르고, 전단계의 차폐부에 의해 상기 라인 빔의 장축 단부의 투과가 차폐된 후의 상기 라인 빔의 장축 단부의 투과를 더욱 차폐하는 복수의 차폐부를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 라인 빔 개선 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 차폐부는 후단계의 차폐부가 전단계의 차폐부와 같은 위치 또는 외측에서 상기 차폐를 행하는 것을 특징으로 하는 레이저 라인 빔 개선 장치.
  5. 레이저를 출력하는 레이저광원과, 상기 레이저의 빔 형상을 빔 강도 프로파일에 있어서 평탄부와 단축 단부 및 장축 단부에 위치하는 스팁니스부를 갖는 라인 빔으로 정형해서 안내하는 광학계와, 피처리물이 설치되고 상기 광학계에서 안내된 레이저를 도입창을 통해서 도입하여 상기 피처리물에 조사하는 처리실과, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 레이저 라인 빔 개선 장치를 구비하고,
    상기 라인 빔 개선 장치의 제 1 차폐부는 상기 처리실 밖이며 상기 광학계의 최종단의 집광 렌즈와 상기 도입창 사이에 배치되고, 상기 라인 빔 개선 장치의 제 2 차폐부는 상기 도입창의 내측의 상기 처리실 내에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    피처리물에 레이저를 조사해서 상기 피처리물의 결정화 또는 활성화 처리에 사용되는 것을 특징으로 하는 레이저 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020157008922A 2012-10-23 2013-10-16 레이저 라인 빔 개선 장치 및 레이저 처리 장치 KR102096829B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-234158 2012-10-23
JP2012234158A JP5717146B2 (ja) 2012-10-23 2012-10-23 レーザラインビーム改善装置およびレーザ処理装置
PCT/JP2013/078043 WO2014065168A1 (ja) 2012-10-23 2013-10-16 レーザラインビーム改善装置およびレーザ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150073967A KR20150073967A (ko) 2015-07-01
KR102096829B1 true KR102096829B1 (ko) 2020-04-03

Family

ID=50544548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157008922A KR102096829B1 (ko) 2012-10-23 2013-10-16 레이저 라인 빔 개선 장치 및 레이저 처리 장치

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5717146B2 (ko)
KR (1) KR102096829B1 (ko)
CN (1) CN104737276B (ko)
SG (1) SG11201502953QA (ko)
TW (1) TWI632012B (ko)
WO (1) WO2014065168A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6469455B2 (ja) * 2015-01-21 2019-02-13 住友重機械工業株式会社 レーザアニール装置
KR102416569B1 (ko) 2015-08-27 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치
JP2017056489A (ja) * 2015-08-31 2017-03-23 株式会社リコー 光加工装置及び光加工物の生産方法
KR102435765B1 (ko) * 2015-09-14 2022-08-24 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치
JP6803189B2 (ja) 2016-10-06 2020-12-23 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法
CN109844907B (zh) * 2016-10-20 2024-02-27 Jsw阿克迪纳系统有限公司 激光处理装置和激光处理方法
CN113042922B (zh) * 2021-05-17 2023-01-13 深圳市艾雷激光科技有限公司 一种激光焊的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000066133A (ja) * 1998-06-08 2000-03-03 Sanyo Electric Co Ltd レ―ザ―光照射装置
JP2005217267A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ照射装置
KR100766300B1 (ko) 2006-07-12 2007-10-12 (주)미래컴퍼니 레이저 가공슬릿 및 가공장치
JP2008218741A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Ulvac Japan Ltd レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法
JP2008252064A (ja) 2007-03-05 2008-10-16 Ulvac Japan Ltd レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19520187C1 (de) * 1995-06-01 1996-09-12 Microlas Lasersystem Gmbh Optik zum Herstellen einer scharfen Beleuchtungslinie aus einem Laserstrahl
JPH10223554A (ja) * 1997-02-07 1998-08-21 Japan Steel Works Ltd:The レーザ照射装置
JPH11283933A (ja) * 1998-01-29 1999-10-15 Toshiba Corp レ―ザ照射装置，非単結晶半導体膜の製造方法及び液晶表示装置の製造方法
TW436639B (en) * 1998-06-08 2001-05-28 Sanyo Electric Co Laser beam producing device
JP3751772B2 (ja) * 1999-08-16 2006-03-01 日本電気株式会社 半導体薄膜製造装置
JP4203635B2 (ja) * 1999-10-21 2009-01-07 パナソニック株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2002252455A (ja) 2001-02-14 2002-09-06 Unipac Optoelectronics Corp Ｉｃチップの剥離方法及び装置
US7387922B2 (en) * 2003-01-21 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, method for manufacturing semiconductor device, and laser irradiation system
JP2005217209A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Hitachi Ltd レーザアニール方法およびレーザアニール装置
WO2007069516A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device
JP2009283691A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Japan Steel Works Ltd:The レーザ光照射方法およびレーザ光照射装置
JP5240764B2 (ja) * 2008-05-28 2013-07-17 株式会社日本製鋼所 レーザ光照射装置
WO2009157373A1 (ja) * 2008-06-26 2009-12-30 株式会社Ihi レーザアニール方法及び装置
JP4678700B1 (ja) * 2009-11-30 2011-04-27 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置およびレーザアニール方法
JP6030451B2 (ja) * 2011-06-15 2016-11-24 株式会社日本製鋼所 レーザ処理装置およびレーザ処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000066133A (ja) * 1998-06-08 2000-03-03 Sanyo Electric Co Ltd レ―ザ―光照射装置
JP2005217267A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ照射装置
KR100766300B1 (ko) 2006-07-12 2007-10-12 (주)미래컴퍼니 레이저 가공슬릿 및 가공장치
JP2008218741A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Ulvac Japan Ltd レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法
JP2008252064A (ja) 2007-03-05 2008-10-16 Ulvac Japan Ltd レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014065168A1 (ja) 2014-05-01
TW201417921A (zh) 2014-05-16
JP2014086554A (ja) 2014-05-12
JP5717146B2 (ja) 2015-05-13
KR20150073967A (ko) 2015-07-01
SG11201502953QA (en) 2015-05-28
TWI632012B (zh) 2018-08-11
CN104737276A (zh) 2015-06-24
CN104737276B (zh) 2017-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102096829B1 (ko) 레이저 라인 빔 개선 장치 및 레이저 처리 장치
JP4171399B2 (ja) レーザ照射装置
KR102214156B1 (ko) 레이저광 차폐 부재, 레이저 처리 장치 및 레이저광 조사 방법
JP5541693B2 (ja) レーザアニール装置
KR20140113494A (ko) 펄스형 라인 빔들
KR20140143852A (ko) 어닐 피처리체의 제조 방법, 레이저 어닐 기대 및 레이저 어닐 처리 장치
KR100900685B1 (ko) 다중 빔 레이저 장치 및 빔 스플리터
TW201315556A (zh) 雷射加工裝置
KR102108028B1 (ko) 레이저 어닐링 방법 및 레이저 어닐링 장치
JP2007288219A (ja) レーザ照射装置
JP5999694B2 (ja) レーザアニール方法および装置
JP2005136365A (ja) レーザ照射装置及びレーザ照射方法
JP5618373B2 (ja) ガラス基板のレーザ加工装置
JP2008060314A (ja) レーザアニール装置、レーザアニール方法、及び半導体装置の製造方法
KR102238080B1 (ko) 레이저 어닐 장치 및 방법
US20140148017A1 (en) Thermal treatment methods and apparatus
WO2014080728A1 (ja) レーザ処理方法およびレーザ処理装置
JP2021095311A (ja) 基板のレーザースクライブ方法及び分断方法
KR20160107603A (ko) 레이저 디플래쉬 방법과, 이를 이용한 레이저 가공 방법 및 장치
TH80019A (th) วิธีกรรมวิธีเลเซอร์
TH56264B (th) วิธีกรรมวิธีเลเซอร์

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant