TWI632012B - 雷射線光束改善裝置以及雷射處理裝置 - Google Patents

雷射線光束改善裝置以及雷射處理裝置 Download PDF

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Abstract

本發明是有關於一種雷射線光束改善裝置以及具備該雷射線光束改善裝置的雷射處理裝置，上述雷射線光束改善裝置於照射至處理物(矽膜)的線光束的光程上包括第1遮蔽部及第2遮蔽部，上述第1遮蔽部配置於對於上述被處理物相對較遠的位置，且遮蔽線光束的長軸端部的穿透，上述第2遮蔽部配置於對於被處理物相對較近的位置，且進一步遮蔽經上述第1遮蔽部遮蔽長軸端部的穿透之後的線光束的長軸端部的穿透，於上述雷射處理裝置中，第1遮蔽部配置於處理室外且在光學系統的最終段的聚光透鏡與導入窗之間，第2遮蔽部配置於處理室內。

Description

雷射線光束改善裝置以及雷射處理裝置
本發明是有關於一種改善線光束(line beam)的強度分佈的雷射(laser)線光束改善裝置以及具備上述雷射線光束改善裝置的雷射處理裝置。
於非晶質半導體的結晶化或半導體雜質的活化等時，對被處理物照射雷射而進行退火(anneal)的方法正被實用化。於該雷射退火處理中，經由光學系統將雷射的光束形狀整形為規定形狀，且使光束強度於光束截面上一致(頂部平坦(top flat)：平坦部)，進而視需要使光束聚光後照射至被處理物。
作為光束形狀的一種，已知有於光束截面觀察下具有短軸寬度與長軸寬度的線光束形狀，藉由一邊掃描該線光束一邊照射至被處理物，而可高效率地總括處理被處理物的寬廣面積。但，即便為頂部平坦的線光束形狀，亦會因經由各種光學構件等，而於短軸方向及長軸方向的緣部具有能量(energy)強度朝向外側而減少的部分(亦稱為陡峭部(steepness))。於短軸側，藉由聚光等而使光束寬度變小，藉此陡峭部本身的寬度亦變小，並且利用重疊 (over lap)照射於短軸方向上進行掃描，故而因陡峭部照射所引起的影響得以減輕。另一方面，於長軸側，陡峭部會以具有大寬度的狀態進行照射，且具有相對於短軸方向而通常為250倍左右的寬度。經上述長軸側的陡峭部照射的被處理物的部分是以與經平坦部照射的部分不同的能量強度被照射雷射，從而處理狀態不同。因此，經長軸側的陡峭部照射的被處理物的部分通常不會作為製品而使用。
另外，提出有配置將相當於陡峭部的衰減部分去除或減少的狹縫(slit)的技術(例如參照專利文獻1)。
穿透該狹縫的線光束的陡峭部被去除或得以減少，對於受到該線光束的照射的被處理物，可減小陡峭部的照射區域，且只要品質上容許，則可包含陡峭部的照射區域在內進行製品化。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平2002-252455號公報
且說，穿透狹縫的線光束於穿透後亦會因繞射等而進一步產生陡峭部，且穿透後的距離越長，陡峭部越會擴展而使寬度變大。因此，狹縫越靠近被處理物越能減小陡峭部的寬度。
然而，線光束通常是於短軸側聚光後照射至被處理物，從而越靠近被處理物，能量密度(energy density)越高，若將狹縫配置於靠近被處理物的位置，則狹縫容易產生損傷(damage)，從 而耐久性顯著降低。而且，自受到損傷的狹縫會產生微細的碎片，而有作為污染物(contamination)混入至被處理物之虞。尤其是脈衝雷射(pulsed laser)與連續振盪雷射相比，每單位時間的能量密度較高，從而上述問題變得顯著。另一方面，若將狹縫配置於遠離被處理物的位置，則聚光的程度小，短軸寬度亦相對較大，因此能量密度相對較小，而可減小對狹縫的損傷。然而，若狹縫位於遠離被處理物的位置，則產生於穿透狹縫後的線光束的陡峭部隨後會大幅擴展，從而陡峭部的寬度變大，導致陡峭部遮蔽的效果變小。
另外，在進行雷射處理且於半導體基板確保多個面板(panel)區域的情況下，是以使上述陡峭部位於面板間的間隙內的方式進行照射。面板間的間隙越小，越能夠使可自一片半導體基板切出的面板數量增多，因此有欲縮小陡峭部的寬度以減小面板間的間隙的要求。而且，最近由於高效率地形成電晶體(transistor)，故而對經減小電晶體區域(亦包含預定區域在內)的間隔的半導體的線光束照射的要求不斷增加。於該線光束照射中，必須使陡峭部的照射區域位於電晶體區域的間隔內，在此情況下亦有欲縮小陡峭部的寬度的要求。
然而，先前的狹縫難以於抑制狹縫的損傷的同時應對上述各要求。
本發明是以上述情況為背景而完成，目的在於提供一種可減小遮蔽部的損傷，並且有效地減少於線光束所產生的陡峭部的雷射線光束改善裝置以及雷射處理裝置。
即，本發明的雷射線光束改善裝置中的第一發明的特徵 在於，在照射至被處理物的線光束的光程上包括：第1遮蔽部，配置於對於上述被處理物相對較遠的位置，且遮蔽上述線光束的長軸端部的穿透；及第2遮蔽部，配置於對於上述被處理物相對較近的位置，且進一步遮蔽經上述第1遮蔽部遮蔽長軸端部的穿透之後的上述線光束的長軸端部的穿透。
第二發明的雷射線光束改善裝置的特徵在於：於上述第一發明中，上述線光束於光束強度分佈(profile)中包括平坦部以及位於短軸端部及長軸端部的陡峭部。
第三發明的雷射線光束改善裝置的特徵在於：於上述第二發明中，上述平坦部是上述光束強度分佈中的最大強度的97%以上的區域。
第四發明的雷射線光束改善裝置的特徵在於：於上述第二發明中，上述第1遮蔽部遮蔽上述線光束的長軸端部的陡峭部與上述平坦部的長軸側端部的穿透。
第五發明的雷射線光束改善裝置的特徵在於：於上述第一發明至第四發明的任一項中，上述第2遮蔽部於與上述第1遮蔽部相同的位置或外側對上述線光束的長軸方向進行上述遮蔽。
第六發明的雷射線光束改善裝置的特徵在於：於上述第一發明至第四發明的任一項中，上述第2遮蔽部包括多個遮蔽部，上述多個遮蔽部對於上述被處理物的相對遠近位置不同，且進一步遮蔽經前段的遮蔽部遮蔽上述線光束的長軸端部的穿透之後的上述線光束的長軸端部的穿透。
第七發明的雷射線光束改善裝置的特徵在於：於上述第六發明中，於上述多個遮蔽部中，後段的遮蔽部於與前段的遮蔽部 相同的位置或外側進行上述遮蔽。
第八發明的雷射處理裝置的特徵在於，包括：雷射光源，輸出雷射；光學系統，將上述雷射的光束形狀整形為線光束並予以導引；處理室，設置著被處理物，讓經上述光學系統導引的雷射通過導入窗而導入，並照射至上述被處理物；及如上述第一發明至第七發明中任一項所述的本發明的雷射線光束改善裝置；且上述線光束改善裝置的第1遮蔽部配置於上述處理室外且在上述光學系統的最終段的聚光透鏡(lens)與上述導入窗之間，上述線光束改善裝置的第2遮蔽部配置於上述導入窗的內側的上述處理室內。
第九發明的雷射處理裝置的特徵在於：於上述第八發明中，對被處理物照射雷射而用於上述被處理物的結晶化或活化處理。
根據本發明，於短軸側的聚光程度小且能量密度不高的階段，藉由第1遮蔽部遮蔽線光束的長軸端部的穿透，進而，藉由第2遮蔽部遮蔽陡峭部經減少的線光束的長軸端部的穿透，從而有效地減少陡峭部。
關於第1遮蔽部，由於短軸側的聚光處於緩和階段，故而可減少對第1遮蔽部的損傷，且實現陡峭部的減少。穿透第1遮蔽部之後擴展的陡峭部與到達第1遮蔽部時的陡峭部相比，擴展變小，針對該陡峭部，藉由利用第2遮蔽部遮蔽線光束的長軸側端部的穿透，而可使該陡峭部成為擴展更小的陡峭部。
要利用第2遮蔽部進行遮蔽的陡峭部照射至第2遮蔽部的截面積與直接照射至第2遮蔽部的情況相比變小，從而可減小 對第2遮蔽部的損傷。而且，第2遮蔽部的遮蔽可僅限於陡峭部的全部或一部分，而可使對第2遮蔽部的照射截面積成為最小限度。穿透第2遮蔽部的線光束由於在靠近被處理物的位置穿透第2遮蔽部，故而於穿透第2遮蔽部之後因繞射等而產生的陡峭部的擴展變小，且於陡峭部的寬度較小的狀態下對被處理部照射線光束。若對陡峭部的長軸方向外側的一部分進行利用第2遮蔽部的遮蔽，則照射至第2遮蔽部的陡峭部的照射能量進一步變小，從而對第2遮蔽部的損傷進一步變小。
線光束具有平坦部且至少於長軸側具有陡峭部，可將平坦部設為包含相對於光束截面的最大能量強度而為97%以上的區域。但，本發明中並不限定於此。於平坦部的兩端部具有陡峭部，該陡峭部的能量強度低於平坦部，且強度朝向外側而逐漸變小。
此外，所謂線光束形狀，是指長軸相對於短軸而具有較大比率的形狀，例如可列舉長軸相對於短軸的比為10以上的形狀。於本發明中，長軸側的長度、短軸側的長度並無特別限定，例如可列舉長軸側的長度為370mm~1300mm，短軸側的長度為100μm~500μm的形狀。
第1遮蔽部與第2遮蔽部是分別阻礙線光束的長軸側端部的穿透，除完全地遮斷以外，亦可為使穿透率減小而減少穿透的遮蔽部。此情況下，穿透率較理想為50%以下。另外，亦可使第1遮蔽部與第2遮蔽部的遮蔽的方法、程度不同。例如亦可利用其中一遮蔽部(例如第1遮蔽部)進行遮斷，利用另一遮蔽部(例如第2遮蔽部)進行穿透抑制等。
第1遮蔽部只要以至少遮蔽線光束的長軸側兩端部的陡 峭部的方式而配置即可，亦可遮蔽陡峭部的外側的一部分。而且，可遮蔽陡峭部的全部及平坦部的一部分以確實地實現陡峭部的減少。對於第1遮蔽部，由於短軸側的聚光度低，故而即便遮蔽平坦部側，對遮蔽部的損傷亦相對較小。
另外，第2遮蔽部只要以遮蔽穿透第1遮蔽部後的線光束的至少陡峭部的方式而配置即可。此情況下，亦可遮蔽陡峭部的外側的一部分。較佳為只要遮蔽於穿透第1遮蔽部之後所形成的陡峭部即可，可將第1遮蔽部的遮蔽位置與第2遮蔽部的遮蔽位置設為於線光束的長軸方向(例如以長軸方向中心為基準)上相同的位置，或將第2遮蔽部的遮蔽位置設為比第1遮蔽部的遮蔽位置更靠外側。
關於第1遮蔽部與第2遮蔽部的光程上的遠近方向的配置位置，只要使第1遮蔽部相對遠離被處理物，使第2遮蔽部相對靠近被處理物即可，相對遠近關係是以被處理物為基準的第1遮蔽部與第2遮蔽部之間的關係。本發明中只要具備上述相對關係，則兩遮蔽部的配置位置並無特別限定，可例示如下配置位置，即，以處理室的雷射光導入窗為基準，將第1遮蔽部置於導入窗的外側，將第2遮蔽部置於導入窗的內側。若將第1遮蔽部置於導入窗的外側，則可於該區域配置於適當位置，若將第2遮蔽部置於導入窗的內側，則能夠以對應於被處理物的方式等而於該區域配置於適當位置。
此外，第2遮蔽部亦可包括相對遠近位置不同的多個遮蔽部。此情況下，可利用前段的遮蔽部遮蔽線光束的陡峭部，利用後段的遮蔽部遮斷於上述穿透後的線光束所產生的陡峭部。
此情況下，可使後段的遮蔽部於與前段的遮蔽部相同的位置或外側進行上述遮蔽。
如以上所說明，根據本發明，可有效地減少於線光束產生的陡峭部，從而可良好地進行使用該線光束的處理。而且，於在短軸方向將線光束聚光的情況下可減小遮蔽部的損傷。
1‧‧‧雷射退火處理裝置
2‧‧‧處理室
3‧‧‧掃描裝置
4‧‧‧基台
5‧‧‧基板配置台
6‧‧‧導入窗
10‧‧‧脈衝雷射光源
11‧‧‧衰減器
12‧‧‧光學系統
12a‧‧‧均化器
12b‧‧‧反射鏡
12c‧‧‧聚光透鏡
15‧‧‧脈衝雷射
20‧‧‧第1遮蔽板
20a‧‧‧第1穿透間隙
21‧‧‧第2遮蔽板
21a‧‧‧第2穿透間隙
22‧‧‧第3遮蔽板
22a‧‧‧第3穿透間隙
25‧‧‧狹縫部
100‧‧‧矽膜
150‧‧‧線光束
151‧‧‧平坦部
152、153、154、155‧‧‧陡峭部
152a‧‧‧陡峭部的長軸方向寬度
圖1是表示本發明的一實施方式的雷射線光束改善裝置以及雷射處理裝置的示意概略圖。
圖2(a)、圖2(b)、圖2(c)是表示本發明的一實施方式的遮蔽部以及穿透遮蔽部的線光束的示意平面圖。
圖3是本發明的一實施方式的穿透遮蔽部的線光束的前視圖。
圖4是本發明的另一實施方式的穿透遮蔽部的線光束的前視圖。
圖5是習知的穿透狹縫的線光束的前視圖。
圖6是表示線光束的長軸光束分佈的示意圖。
以下，基於隨附圖式，對本發明的一實施方式的雷射線光束改善裝置以及具備雷射線光束改善裝置的雷射處理裝置進行說明。
圖1表示相當於雷射處理裝置的雷射退火處理裝置1。 雷射退火處理裝置1具備處理室2，於處理室2內具備可於X-Y方向上移動的掃描裝置3，於該掃描裝置3的上部具備基台4。於基台4上，設置著基板配置台5作為平台(stage)。掃描裝置3藉由未圖示的馬達(motor)等而驅動。另外，於處理室2設置著自外部導入脈衝雷射的導入窗6。
於退火處理時，在該基板配置台5上設置非晶質的矽膜100等作為半導體膜。矽膜100例如以40nm~100nm的厚度(具體而言例如為50nm的厚度)形成於未圖示的基板上。該形成可藉由常用方法而進行，本發明中半導體膜的形成方法並無特別限定。
另外，雖於本實施方式中，是對有關於藉由雷射處理而使非晶質膜結晶化的雷射處理的情況進行說明，但本發明中，雷射處理的內容並不限定於此，例如，亦可使非單晶的半導體膜單晶化，或進行結晶半導體膜的重組。此外，亦可為有關於其他處理的情況，被處理物並不限定於特定物體。
於處理室2的外部，設置著脈衝雷射光源10。該脈衝雷射光源10包含準分子雷射振盪器(excimer laser oscillator)(商品名：LSX315C)，可輸出波長為308nm、重複振盪頻率(repetitive oscillation frequency)為300Hz的脈衝雷射，對於該脈衝雷射光源10，可藉由反饋(feedback)控制而將脈衝雷射的輸出控制為維持於規定範圍內。另外，脈衝雷射光源的類別並不限定於上述類別。
於該脈衝雷射光源10中經脈衝振盪而輸出的脈衝雷射15視需要由衰減器(attenuator)11調整能量密度，並由包含均化 器(homogenizer)12a、反射鏡(mirror)12b、聚光透鏡(lens)12c等光學構件的光學系統12實施向線光束形狀的整形或偏向等後，通過設置於處理室2的導入窗6而照射至處理室2內的非晶質的矽膜100。另外，構成光學系統12的光學構件並不限定於上述構件，可包含各種透鏡、鏡面、波導部等。
此外，於聚光透鏡12c與導入窗6之間，配置著相當於第1遮蔽部的第1遮蔽板20，於處理室2內配置著相當於第2遮蔽部的第2遮蔽板21。如圖2(a)、圖2(b)所示，第1遮蔽板20是以如下方式而配置，即，使成對的兩個遮蔽板的前端相對向，且於成對的兩個遮蔽板之間確保第1穿透間隙20a。該第1穿透間隙20a具有長度為可將脈衝雷射150的長軸方向端部遮蔽的間隙。另外，關於第2遮蔽板21亦相同，第2遮蔽板21是以如下方式而配置，即，使成對的兩個遮蔽板的前端相對向，且於成對的兩個遮蔽板之間確保第2穿透間隙21a。該第2穿透間隙21a具有長度為可將穿透第2遮蔽板21的脈衝雷射150的長軸方向端部遮蔽的間隙。上述第1遮蔽板20、第2遮蔽板21構成本發明的雷射線光束改善裝置。
此外，對於第1遮蔽板20、第2遮蔽板21，可自動或手動地使成對的兩個遮蔽板移動以調整彼此之間的間隙量。
其次，對上述雷射退火處理裝置1的動作進行說明。
於脈衝雷射光源10中經脈衝振盪而輸出的脈衝雷射15例如設為脈衝半寬值為200ns以下的脈衝雷射。但，本發明中並不限定於此。
利用衰減器11調整脈衝雷射15的脈衝能量密度。衰減 器11被設定為規定的衰減率，以於向半導體膜的照射面上可獲得規定的照射脈衝能量密度的方式調整衰減率。例如於使非晶質的矽膜100結晶化等情況下，能夠以於上述照射面上使能量密度成為100mJ/cm2~500mJ/cm2的方式進行調整。
穿透衰減器11後的脈衝雷射15由光學系統12整形為線光束形狀，進而經由光學系統12的柱狀透鏡(cylindrical lens)等聚光透鏡12c進行聚光而縮小短軸寬度後，導入至設置於處理室2的導入窗6。於圖6示出自光學系統12出射的線光束150的長軸方向上的光束強度分佈。圖6的分佈圖是進行簡化後予以圖示。
線光束150包括：平坦部151，相對於最大能量強度而為97%以上；及陡峭部152，位於長軸方向的兩端部，具有小於上述平坦部151的能量強度，且能量強度朝向外側而逐漸降低。陡峭部的長軸方向寬度152a並無特別限定，作為達到最大強度的10%之前的寬度，通常具有1mm~25mm左右的寬度。此外，可適當決定將平坦部相對於最大能量強度而設為百分之幾。
如圖2(a)、圖3所示，第1遮蔽板20的第1穿透間隙20a是以如下方式而配置，即，對於線光束150遮蔽兩端的陡峭部152且遮蔽至一部分延伸至平坦部151內的位置為止。
如圖2(a)與圖2(b)所示，經減少陡峭部152的線光束150是藉由通過第1遮蔽板20的第1穿透間隙20a，而因繞射等，於長軸方向兩端部形成陡峭部153。但，陡峭部153是遮蔽陡峭部152而形成的部分，因此與陡峭部152相比，擴展寬度變得相當小。
具有陡峭部153的線光束150穿透導入窗6而導入至處理室2內。
線光束150進一步前進，如圖2(b)、圖3所示，到達第2遮蔽板21。第2遮蔽板21的第2穿透間隙21a的長軸方向寬度長於第1穿透間隙20a的長軸方向寬度，線光束150的陡峭部153位於第2穿透間隙21a的長軸方向兩端。因此，第2遮蔽板21將除了長軸方向內側的陡峭部153的一部分以外的剩餘部分的陡峭部153遮蔽。關於通過第2穿透間隙21a後的線光束150，如圖2(c)、圖3所示，因繞射等而形成陡峭部154，但與陡峭部153相比，擴展寬度進一步變小，從而陡峭部得以減少。
此外，可適當設定利用第2遮蔽板21將陡峭部153遮蔽內側至何種程度。此情況下，可考慮第2遮蔽板21的損傷與欲減少的陡峭部153的擴展寬度而設定遮蔽量。於本例中是與平坦部151的寬度一致地設定第2穿透間隙21a的長軸方向寬度。
另外，第2遮蔽板21配置於相對靠近矽膜100的位置，從而穿透第2遮蔽板21後的線光束150在陡峭部153未大幅擴展的情況下照射至矽膜100。
於藉由利用掃描裝置3使矽膜100移動而一邊相對地掃描一邊照射該線光束150的退火處理中，照射陡峭部154的區域的寬度相對變小，從而可減小成為無用的區域。另外，即便針對欲縮小電晶體的配置間隔而進行處理的要求，亦可使陡峭部154位於該間隔內，而利用平坦部151使電晶體的區域良好地結晶化。
此外，本發明中，上述掃描的速度並不限定於特定的速度，例如可於1mm/秒~100mm/秒的範圍內進行選擇。
此外，於上述實施方式中，對包含相當於第1遮蔽部的第1遮蔽板20與相當於第2遮蔽部的第2遮蔽板21的情況進行了說明，但亦可沿線光束的光程設置多個相當於第2遮蔽部的遮蔽板，利用各遮蔽板進行陡峭部的遮蔽。圖4表示作為第2遮蔽部具有第2遮蔽板21(前段的遮蔽物)及第3遮蔽板22(後段的遮蔽物)的示例，本發明中，第2遮蔽部的數量並無特別限定。第3遮蔽板22與另一遮蔽板同樣地，配置為使成對的兩個遮蔽板的前端相對向，且於成對的兩個遮蔽板之間具有間隙，並且於成對的兩個遮蔽板之間確保第3穿透間隙22a。此外，對於第3遮蔽板22，亦可自動或手動地使成對的兩個遮蔽板移動以調整彼此之間的間隙量。
線光束150藉由穿透第3遮蔽板22的第3穿透間隙22a，而可進一步減少陡峭部。
此外，對於位於第2遮蔽板21(前段的遮蔽物)的後段的第3遮蔽板22(後段的遮蔽物)，可使遮蔽位置內側端為於長軸方向上與第2遮蔽板相同的位置或外側。
另一方面，圖5是習知的利用狹縫部25遮蔽線光束150的情況的示例。若將狹縫部25相對遠離矽膜100而配置以減小對狹縫部25的損傷，則於利用狹縫部25遮蔽陡峭部152之後，因繞射而形成的陡峭部153會逐漸擴展，從而陡峭部寬度變大，導致狹縫部的遮蔽效果變小，無法獲得充分的雷射線光束改善效果。
此外，於上述實施方式中，已對具有遮蔽板作為遮蔽部的情況進行了說明，但亦可由具有狹縫的狹縫部構成遮蔽部。
以上，已基於上述實施方式對本發明進行了說明，但本 發明並不限定於上述實施方式的內容，只要不脫離本發明的範圍便可進行適當的變更。

Claims (8)

  1. 一種雷射線光束改善裝置，其特徵在於，在照射至被處理物的線光束的光程上包括：第1遮蔽部，配置於對於上述被處理物相對較遠的位置，且遮蔽上述線光束的長軸端部的穿透；及第2遮蔽部，配置於對於上述被處理物相對較近的位置，且進一步遮蔽經上述第1遮蔽部遮蔽長軸端部的穿透之後的上述線光束的長軸端部的穿透，其中上述第2遮蔽部於上述第1遮蔽部的外側對上述線光束的長軸方向進行上述遮蔽。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的雷射線光束改善裝置，其中上述線光束於光束強度分佈中包括平坦部以及位於短軸端部及長軸端部的陡峭部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的雷射線光束改善裝置，其中上述平坦部是上述光束強度分佈中的最大強度的97%以上的區域。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的雷射線光束改善裝置，其中上述第1遮蔽部遮蔽上述線光束的長軸端部的陡峭部與上述平坦部的長軸側端部的穿透。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的雷射線光束改善裝置，其中上述第2遮蔽部包括多個遮蔽部，上述多個遮蔽部對於上述被處理物的相對遠近位置不同，且進一步遮蔽經前段的遮蔽部遮蔽上述線光束的長軸端部的穿透之後的上述線光束的長軸端部的穿透。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的雷射線光束改善裝置，其中於上述多個遮蔽部中，後段的遮蔽部於與前段的遮蔽部相同的位置或外側進行上述遮蔽。
  7. 一種雷射處理裝置，其特徵在於，包括：雷射光源，輸出雷射；光學系統，將上述雷射的光束形狀整形為線光束並予以導引；處理室，設置著被處理物，讓經上述光學系統導引的雷射通過導入窗而導入，並照射至上述被處理物；及如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的雷射線光束改善裝置，且上述線光束改善裝置的第1遮蔽部配置於上述處理室外且在上述光學系統的最終段的聚光透鏡與上述導入窗之間，上述線光束改善裝置的第2遮蔽部配置於上述導入窗的內側的上述處理室內。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的雷射處理裝置，對被處理物照射雷射而用於上述被處理物的結晶化或活化處理。
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