KR102046162B1 - 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 기술에 따른 기판 처리 방법은, 미처리된 기판을 제1챔버로 이송하는 단계와, 제1챔버의 내부를 진공 환경으로 조성하면서 제1챔버 내부의 산소 농도를 낮추는 단계와, 진공처리장치로 미처리된 기판을 이송하는 단계를 포함하고, 상기 제1챔버 내부의 산소 농도를 낮추는 단계는, 제1챔버 내부를 진공 펌핑한 후 제1챔버로 불활성 가스를 공급하는 과정을 복수 회 반복하는 제1과정과, 제1챔버 내부를 진공 펌핑하는 제2과정을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 방법{METHOD OF PROCESSING THE SUBSTRATE}
본 발명은 로드락 챔버를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판(Substrate)에 확산, 이온주입, 증착, 식각 등 다수의 공정들을 수행함으로써 제조되는데, 이러한 공정들은 진공환경을 유지하는 공정 챔버 내에서 수행될 수 있다. 이는 각 공정을 수행하는 과정에서 파티클 생성을 방지하여 불량을 줄이기 위함이다. 그리고 각 공정 챔버에서 진공환경을 유지하면서 공정을 수행하기 위해서는 로드락 챔버를 필요로 한다.
상기의 로드락 챔버는 일종의 완충챔버로서 기판이 곧바로 공정 챔버로 공급되기 전에 공정 챔버와 유사한 환경, 예컨대, 진공 환경을 만들어 준다. 즉, 로드락 챔버는 그 내부의 기판을 공정 챔버로 공급하는 경우 내부를 진공환경으로 유지하고, 외부로 기판을 이송하는 경우 내부를 대기환경으로 유지하는 장치이다.
한편, 대기압 환경으로부터 로드락 챔버를 경유하여 진공 환경의 공정 챔버로 기판을 이송하는 과정을 계속적으로 수행하다 보면, 외부공기가 로드락 챔버로 유입될 수 있고, 로드락 챔버의 공기가 공정 챔버로 유입될 수 있다.
이때, 외부공기가 로드락 챔버로 유입되면, 로드락 챔버 내의 산소 농도가 상승될 수 있다. 그리고 산소 농도가 상승된 로드락 챔버 내부의 공기가 공정 챔버로 유입되면, 공정 챔버 내의 기판의 원하지 않은 산화, 예컨대, 기판 상에 자연산화막이 형성될 수 있다.
또한, 진공 환경의 공정 챔버로부터 로드락 챔버를 경유하여 대기압 환경으로 이송하는 과정에서, 공정 시 고온으로 상승된 기판이 외부 공기와 접촉될 경우 기판의 산화 및 증착될 물질의 산소 함유량을 높여 비저항을 증대시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에는 기판의 산화를 방지할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
그리고 본 발명의 실시예는 기판 상에 증착될 물질의 비저항이 증대되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 미처리된 기판을 제1챔버로 이송하는 단계와, 상기 제1챔버의 내부를 진공 환경으로 조성하면서 상기 제1챔버 내부의 산소 농도를 낮추는 단계와, 진공처리장치로 상기 미처리된 기판을 이송하는 단계를 포함하고, 상기 제1챔버 내부의 산소 농도를 낮추는 단계는, 상기 제1챔버 내부를 진공 펌핑한 후 상기 제1챔버로 불활성 가스를 공급하는 과정을 복수 회 반복하는 제1과정과, 상기 제1챔버 내부를 진공 펌핑하는 제2과정을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 진공처리장치로부터 공정 처리된 기판을 제1챔버로 이송하는 단계와, 상기 제1챔버 내부를 대기 환경으로 조성하면서 상기 제1챔버로 이송되는 기판의 온도를 낮추는 단계;를 포함하고, 상기 제1챔버의 기판의 온도를 낮추는 단계는, 상기 제1챔버 내부로 불활성 가스를 공급한 후 상기 제1챔버 내부를 펌핑하는 과정을 복수 회 반복하는 제1과정과, 상기 제1챔버 내부로 불활성 가스를 공급하는 제2과정을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 로드락 챔버를 진공 환경으로 변경하는 과정에서 로드락 챔버의 내부 공기의 산소 농도를 감소시킬 수 있으므로, 이에 따른 트랜스퍼 챔버 및 공정 챔버로 확산되는 산소 농도를 감소시킬 수 있어 기판 처리 시 기판의 산화 및 기판 상에 증착될 물질의 비저항이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 로드락 챔버를 대기 환경으로 변경하는 과정에서 로드락 챔버의 온도를 낮출 수 있으므로 기판의 산화 및 기판 상에 증착될 물질의 비저항이 증가하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 방법이 수행되는 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 로드락 챔버를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 방법의 흐름도이다.
도 4는 도 3에 도시된 S120 과정을 도시한 흐름도이다.
도 5는 도 3에 도시된 S160 과정을 도시한 흐름도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 통해 설명될 것이다. 그러나 본 발명은 여기에서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 본 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
도 1을 참고하면, 기판처리장치는 설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module;EFEM)(10)과, 로드락 챔버(20), 진공처리장치를 포함할 수 있다.
설비 전방 단부 모듈(10)은 인덱스 챔버(11)와, 이 인덱스 챔버(11)의 일측에 설치되는 로드 포트(Load port)(13)를 포함할 수 있다.
인덱스 챔버(11)는 도시된 바와 같이 로드 포트(13)와 로드락 챔버(20) 사이에 위치될 수 있다. 이러한 인덱스 챔버(11)에는 로드 포트(13)로부터 기판을 이송하여 로드락 챔버(20)로 이송하거나 로드락 챔버(20)의 기판을 로드 포트(13)로 이송하는 이송유닛(15)이 설치될 수 있다.
로드 포트(13)는 인덱스 챔버(11)의 일면에 배치될 수 있으며, 다수의 기판이 로딩 및 언로딩될 수 있다.
로드락 챔버(20)는 인덱스 챔버(11)와 트랜스퍼 챔버(30) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 로드락 챔버(20)는 트랜스퍼 챔버(30)의 측면 중 인덱스 챔버(11)와 인접한 측면에 위치될 수 있다.
상기의 로드락 챔버(20)는 진공 및 대기압으로 전환 가능하게 마련될 수 있다. 이는 진공의 내부환경을 갖는 진공처리장치와 대기압의 내부환경을 갖는 설비 전방 단부 모듈(10) 사이에서 급격한 기압 변화로 인한 기판 손상이 발생되는 것을 방지하기 위함이다. 로드락 챔버(20)의 상세 구성은 후술한다.
진공처리장치는 트랜스퍼 챔버(30)와 공정 챔버(40)를 포함할 수 있다.
트랜스퍼 챔버(30)는 로드락 챔버(20)와 공정 챔버(40) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 트랜스퍼 챔버(30)는 다각 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 다각 형상의 측면에는 복수의 공정 챔버들(40)이 배치될 수 있다.
또, 트랜스퍼 챔버(30)에는 공정 챔버들(40) 사이에서 기판을 이송하거나 공정 챔버(40)와 로드락 챔버(20) 사이에서 기판을 이송하는 이송유닛(35)이 설치될 수 있다. 이때의 이송유닛(35)은 진공의 환경에서 기판을 이송할 수 있는 장치일 수 있다.
공정 챔버(40)는 상술한 바와 같이 트랜스퍼 챔버(30)에 연결될 수 있다. 이러한 공정 챔버(40)는 소정 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 공정 챔버(40)는 기판 상에 박막이 증착되는 증착 챔버일 수 있다.
상기의 구성 중 로드락 챔버(20)는 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 밸브(22)가 양측에 각각 설치된 챔버 바디(21)와, 챔버 바디(21)에 설치되어 로드락 챔버(20)로 이송되는 기판을 지지하는 기판지지부(23)와, 챔버 바디(21) 내부를 진공의 환경으로 조성하기 위한 진공펌프부(24)와, 챔버 바디(21) 내부를 대기의 환경으로 조성하기 위한 가스공급부(25)를 포함할 수 있다.
상기 진공펌프부(24)는 챔버 바디(21)와 연결되는 진공라인(241)과, 진공라인(241) 상에 설치되는 진공펌프(242)를 포함할 수 있다.
가스공급부(25)는 가스공급원(251)과, 가스공급원(251)의 가스를 챔버 바디(21)로 공급하는 가스공급라인(252)과, 가스공급라인(252)을 통해 공급되는 가스의 유량 및 시간을 제어하는 질량 유량 제어기(MFC;Mass folw controller)(253)와, 가스공급라인(252) 상에 설치되는 개폐밸브(254)를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참고하여 상기와 같은 구성을 갖는 기판처리장치를 이용한 기판 처리 방법에 대해 설명한다.
설비 전방 단부 모듈(10)의 기판을 제1챔버 즉, 로드락 챔버(20)로 이송한다(S110).
이때, 상기 설비 전방 단부 모듈(10)과 로드락 챔버(20)의 내부는 대기 환경 상태이다. 기판의 이송은 로드락 챔버(20)의 게이트 밸브(22)의 개방을 통해 이루어질 수 있다. 기판의 이송이 완료되면 로드락 챔버(20)의 게이트 밸브(22)를 닫아 로드락 챔버(20)를 밀폐 환경으로 조성한다.
다음으로, 로드락 챔버(20) 내부를 진공 환경으로 조성하면서 로드락 챔버(20)의 내부 공기의 산소 농도를 낮춘다(S120). 상기 S120 과정은 도 4에 도시된 바와 같이, 하나의 사이클을 이루는 복수의 과정을 반복 수행하는 S121 과정과, 하나의 과정인 S122 과정을 포함할 수 있다.
상기의 S121 과정은 다음과 같다.
먼저, 진공펌프부(24)를 이용하여 로드락 챔버(20) 내부의 공기를 일정시간 동안 진공 펌핑한다(S1211). 이러한 S1211 과정은 0.1 torr 이하의 압력으로 60초 이하의 시간 동안 이루어질 수 있으며, 상기의 압력 조건 및 시간 조건은 한정되는 것은 아니고, 로드락 챔버(20) 내부를 충분히 진공 펌핑할 수 있으면 다양한 조건으로 수행할 수 있다.
그리고 가스공급부(25)를 이용하여 로드락 챔버(20)의 내부로 불활성 가스를 일정시간 동안 공급한다(S1212). 이러한 S1212 과정은 50 torr 이상의 압력으로 15초 이하의 시간 동안 이루어질 수 있다. 상기 압력 조건 및 시간 조건은 한정되는 것은 아니고, 로드락 챔버(20) 내부로 충분히 불활성 가스를 공급할 수 있으면 다양한 조건으로 수행할 수 있다.
상기 불활성 가스는 N2, Ar, He 중 하나일 수 있으며, MFC(253)를 통한 시간 제어를 통해 로드락 챔버(20) 내부로 공급될 수 있다. 또, 불활성 가스는 고정된 공급압으로 개폐밸브(254)의 개폐 시간 조절을 통해 로드락 챔버(20) 내부로 공급될 수도 있다.
그리고 S121 과정은 상술한 바와 같이 상기의 S1211 과정과 S1212 과정을 일련의 사이클로 반복 수행할 수 있다. 이는 상기의 S1211 과정과 S1212 과정을 반복 수행하여 로드락 챔버(20) 내부의 산소 농도를 빠른 시간 내에 낮추기 위함이다.
또, 상기의 S121 과정은 반복 횟수를 미리 설정하고, 반복 횟수에 도달했는지를 확인하는 과정(S1213)을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기와 같은 과정을 통해 로드락 챔버(20) 내부의 산소 농도를 줄이는 것은 기판 처리 시 산화되거나 기판에 증착될 물질층의 비저항이 증가되는 것을 방지하기 위함이다.
부연 설명하면, 기판의 처리를 위해 대기환경의 외부, 예컨대, 설비 전방 단부 모듈(10)로부터 로드락 챔버(20)로 기판의 이송을 계속하다 보면, 로드락 챔버(20) 내부로 외부공기가 유입될 수 있다.
이와 같이 로드락 챔버(20)의 내부로 외부공기가 유입되면, 이 유입된 외부공기로 인해 로드락 챔버(20)의 내부 공기의 산소 농도가 증가할 수 있다. 산소 농도가 증가된 로드락 챔버(20)의 내부 공기는 후속 과정에서 공정 챔버(40)의 내부로 유입될 수 있고, 공정 챔버(40) 내부로 유입된 공기 중 일정 농도 이상의 산소는 기판을 산화시키거나 증착될 물질층의 비저항을 증대시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 미처리 기판이 인입되는 경우 로드락 챔버(20) 내부를 일정시간 동안 진공 펌핑한 후 불활성 기체를 일정시간 동안 로드락 챔버(20) 내부로 공급함에 따라, 로드락 챔버(20)의 내부의 산소 농도는 물론 기판에 포함되어 있는 산소 성분들을 효과적으로 감소시킬 수 있다.
상기의 S122 과정은 로드락 챔버(20)의 내부를 진공 환경으로 형성하는 것으로서, 진공펌프부(24)를 이용하여 불활성 기체의 공급 없이 로드락 챔버(20)의 내부 공기를 다시 진공 펌핑한다. 이러한 S122 과정은 앞선 S1211 과정과 동일한 압력 조건 및 시간 조건으로 수행할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 다시 도 3을 참고하면, 진공 환경으로 조성된 로드락 챔버(20) 내부의 기판을 트랜스퍼 챔버(30)를 경유하여 진공처리장치로 이송한다(S130). 이때, 진공처리장치는 트랜스퍼 챔버 또는 공정 챔버일 수 있으며, 트랜스퍼 챔버(30) 및 공정 챔버(40)는 기판의 처리를 위해 진공 환경으로 조성될 수 있다. 예를 들면, 기판은 이송유닛(35)을 이용하여 트랜스퍼 챔버(30)로 이송될 수 있다.
다음으로, 진공처리장치에서 공정 처리를 수행한다(S140). 예를 들면, 공정 챔버(40)의 내부를 플라즈마 상태로 조성하고, 동시에 공정 챔버(40)의 내부로 반응가스를 공급함으로써, 기판 상에 박막을 증착할 수 있다.
다음으로, 공정 처리된 기판을 로드락 챔버(20)의 내부로 이송한다(S150). 이때, 기판이 이송된 로드락 챔버(20) 내부는 진공 환경을 지속적으로 유지한 상태이다. 기판의 이송이 완료된 로드락 챔버(20)는 게이트 밸브(22)를 닫아 밀폐 환경으로 조성한다.
다음으로, 로드락 챔버(20) 내부를 대기 환경으로 조성하면서 로드락 챔버(20)의 내부온도를 빠르게 낮춘다(S160). 상기 S160 과정은 도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 사이클을 이루는 복수의 과정을 반복 수행하는 S161 과정과, 하나의 과정인 S162 과정을 포함할 수 있다.
상기의 S161 과정은 아래의 과정들을 반복 수행할 수 있다.
먼저, 가스공급부(25)를 이용하여 로드락 챔버(20) 내부에 불활성 가스를 일정시간 동안 공급한다(S1611). 이러한 S1611 과정은 760 torr 이하의 압력으로 120초 이하의 시간 동안 이루어질 수 있다. 상기 압력 조건 및 시간 조건은 한정되는 것은 아니고, 로드락 챔버(20) 내부로 충분히 불활성 가스를 공급할 수 있으면 다양한 조건으로 수행할 수 있다. 그리고 상기 S1611 과정을 통해 로드락 챔버(20) 내부의 온도를 300℃ 이하로 조절할 수 있다.
상기 불활성 가스는 N2, Ar, He 중 하나일 수 있으며, MFC(253)를 통한 시간 제어를 통해 로드락 챔버(20) 내부로 공급될 수 있다. 또, 불활성 가스는 고정된 공급압으로 개폐밸브(254)의 개폐 시간 조절을 통해 로드락 챔버(20) 내부로 공급될 수도 있다.
다음으로, 진공펌프부(24)를 이용하여 로드락 챔버(20)의 내부 공기를 펌핑한다(S1612). 이러한 S1612 과정은 760 torr 이하의 압력으로 60초 이하의 시간 동안 이루어질 수 있다. 상기의 압력 조건 및 시간 조건은 한정되는 것은 아니고, 로드락 챔버(20)의 내부 공기를 충분히 펌핑할 수 있으면 다양한 조건으로 수행할 수 있다.
이어서 상기의 S1611 과정과 S1612 과정이 반복 횟수에 도달했는지를 확인하는 과정(S1613)을 더 포함할 수 있다.
S162 과정은 가스공급부(25)를 이용하여 로드락 챔버(20)의 내부로 불활성 가스를 다시 공급할 수 있다. 이러한 S162 과정은 760 torr 이상의 압력으로 300초 이하의 시간 동안 이루어질 수 있으며, 상기의 압력 조건 및 시간 조건은 한정되는 것은 아니고, 로드락 챔버(20)의 내부로 불활성 가스를 충분히 공급할 수 있으면 다양한 조건으로 수행할 수 있다.
다만, 상기의 S162 과정의 로드락 챔버(20)는 S161 과정의 로드락 챔버(20) 보다 높은 압력을 가질 수 있다. 이는 S162 과정에서 외부 환경 즉, 대기 환경보다 높은 압력으로 불활성 가스를 공급하여 로드락 챔버(20) 내부를 최종적으로 원활하게 대기 환경으로 조성하기 위함이다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 로드락 챔버(20)의 내부온도를 낮출 수 있으며, 이를 통해 대기환경으로 기판 이송 시 기판의 물질층이 산화되는 것을 방지할 수 있다.
부연 설명하면, 기판은 공정 챔버(40)에서 처리 시 고온으로 상승된다. 이와 같이 고온의 기판이 대기 환경으로 이송되면, 기판의 물질층의 산화가 일어나는 확률이 높아질 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 로드락 챔버(20)로 불활성 가스를 일정시간 동안 공급한 후 로드락 챔버(20)의 내부 공기를 펌핑하는 과정을 반복 수행하는데, 이를 통해 상대적으로 고온의 공기를 펌핑한 후 다시 불활성 기체를 공급함에 따라 로드락 챔버(20) 내부의 온도를 효과적으로 낮출 수 있다. 예를 들면, 상기 S161 과정과 S162 과정을 수행한 로드락 챔버 내부의 온도는 기판의 산화반응을 억제할 수 있도록 30℃ 이하로 조절할 수 있다.
다음으로, 로드락 챔버(20)에 배치된 기판을 이송유닛(15)을 이용하여 설비 전방 단부 모듈(10)로 이송하면(S170), 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법이 완료된다.
한편, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: EFEM 15: 이송유닛
20: 로드락 챔버 21: 챔버 바디
22: 게이트 밸브 23: 기판지지부
24: 진공펌프부 25: 가스공급부
30: 트랜스퍼 챔버 35: 이송유닛
40: 공정 챔버

Claims (9)

  1. 미처리된 기판을 제1챔버로 이송하는 단계;
    상기 제1챔버의 내부를 진공 환경으로 조성하면서 상기 제1챔버 내부의 산소 농도를 낮추는 단계;
    상기 제1챔버내의 상기 미처리된 기판을 진공처리장치로 이송하는 단계;
    상기 진공처리장치에서 상기 미처리된 기판을 공정 처리하는 단계;
    상기 진공처리장치로부터 상기 제1챔버로 공정 처리된 기판을 이송하는 단계;
    상기 제1챔버 내부를 대기 환경으로 조성하면서 상기 제1챔버로 이송된 상기 공정 처리된 기판의 온도를 낮추는 단계를 포함하며,
    상기 제1챔버 내부의 산소 농도를 낮추는 단계는,
    상기 제1챔버 내부를 진공 펌핑한 후 상기 제1챔버로 불활성 가스를 공급하는 과정을 복수 회 반복하는 제1과정과,
    상기 제1챔버 내부를 진공 펌핑하는 제2과정을 포함하고,
    상기 공정 처리된 기판의 온도를 낮추는 단계는,
    상기 제1챔버 내부로 불활성 가스를 공급한 후 상기 제1챔버 내부를 펌핑하는 과정을 복수 회 반복하는 제3과정과,
    상기 제1챔버 내부로 불활성 가스를 공급하는 제4과정을 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 진공처리장치로부터 공정 처리된 기판을 제1챔버로 이송하는 단계;
    상기 제1챔버 내부를 대기 환경으로 조성하면서 상기 제1챔버로 이송되는 기판의 온도를 낮추는 단계;를 포함하고,
    상기 제1챔버의 기판의 온도를 낮추는 단계는,
    상기 제1챔버 내부로 불활성 가스를 공급한 후 상기 제1챔버 내부를 펌핑하는 과정을 복수 회 반복하는 제1과정과,
    상기 제1챔버 내부로 불활성 가스를 공급하는 제2과정을 포함하는 기판 처리 방법.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 제1챔버는 로드락 챔버이고,
    상기 진공처리장치는 트랜스퍼 챔버 또는 공정 챔버 중 어느 하나인 기판 처리 방법.
  6. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 불활성 가스는 N2, Ar, He 중 적어도 하나를 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1과정에서 상기 제1챔버 내부를 진공 펌핑하는 과정은, 반복될수록 낮은 압력으로 수행되는 기판 처리 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제4과정의 압력은 상기 제3과정의 압력 보다 큰 기판 처리 방법.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제2과정의 압력은 상기 제1과정의 압력 보다 큰 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013131617A (ja) * 2011-12-21 2013-07-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080083386A (ko) * 2007-03-12 2008-09-18 삼성전자주식회사 반도체 제조설비 및 그의 제어방법
KR20130074244A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 주식회사 원익아이피에스 로드락 챔버 및 이를 포함하는 기판처리시스템

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013131617A (ja) * 2011-12-21 2013-07-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

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