KR102298028B1 - 로드락들에서 기판들을 가열하고 오염을 감소시키기 위한 전자 디바이스 제조 시스템들, 방법들, 및 장치 - Google Patents

로드락들에서 기판들을 가열하고 오염을 감소시키기 위한 전자 디바이스 제조 시스템들, 방법들, 및 장치 Download PDF

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Abstract

전자 디바이스 제조 시스템은 로드락을 포함할 수 있다. 로드락은 로드락 내의 프로세싱된 기판을 가열하기 위해, 가열된 가스를 로드락에 제공하기 위한 복수의 가스 라인 가열기들을 포함할 수 있다. 프로세싱된 기판을 가열하는 것은 로드락 내의 부식 및 로드락 내의 기판들의 후속적인 오염을 감소시킬 수 있다. 로드락은 또한, 로드락 내의 수분을 감소시켜서 부식 및 오염을 더 감소시키기 위해, 로드락 하우징에 복수의 매립된 가열기들을 포함할 수 있다. 로드락에서 기판을 가열하는 방법들 뿐만 아니라 다른 양상들이 또한 제공된다.

Description

로드락들에서 기판들을 가열하고 오염을 감소시키기 위한 전자 디바이스 제조 시스템들, 방법들, 및 장치
[001] 본 출원은, 발명의 명칭이 "ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUS FOR HEATING SUBSTRATES AND REDUCING CONTAMINATION IN LOADLOCKS"인 2017년 3월 17일자로 출원된 미국 정식 특허 출원 번호 제15/462,203호(대리인 도켓 번호 제24790/USA호)로부터 우선권을 주장하며, 이로써, 그 미국 정식 특허 출원은 모든 목적들에 대해 그 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.
[002] 본 개시내용은 전자 디바이스 제조에 관한 것으로, 더 구체적으로, 부식 및 오염을 감소시키기 위해 로드락(loadlock)들 및 그 로드락들 내의 기판들을 가열하는 것에 관한 것이다.
[003] 전자 디바이스 제조 시스템은 팩토리 인터페이스(예컨대, EFEM(Equipment Front End Module)일 수 있음)를 포함할 수 있으며, 그 팩토리 인터페이스는 전자 디바이스들이 상부에 제조될 수 있는 기판들을 수용하도록 구성된다. 전자 디바이스 제조 시스템은 또한, 프로세스 툴을 포함할 수 있으며, 그 프로세스 툴은 로드락, 이송 챔버, 및 하나 이상의 프로세스 챔버들을 포함할 수 있다. 프로세싱될 기판은 기판 캐리어(밀봉가능 컨테이너, 이를테면 예컨대, FOUP(Front Opening Unified Pod)일 수 있음)로부터 팩토리 인터페이스를 통해 로드락으로 이송될 수 있다. 로드락으로부터, 기판은 이송 챔버로 이송될 수 있고, 그 이송 챔버로부터 하나 이상의 프로세스 챔버들로 이송될 수 있다. 프로세싱되면, 기판은 시스템으로부터의 제거를 위해 로드락으로 리턴될 수 있다. 그러나, 프로세싱된 기판의 표면은 프로세싱 동안 반응물 가스들을 흡착할 수 있으며, 그 반응물 가스들은 로드락에서 방출될 수 있다. 가스들의 방출은 아웃개싱(outgassing)이라고 지칭될 수 있다. 아웃개싱은, 특히, 로드락의 내부 표면들 상에 존재할 수 있는 수분과 결합되는 경우, 로드락에서 부식을 야기할 수 있다. 이러한 부식은, 결과적으로, 대량의 미립자들을 초래할 수 있으며, 그 대량의 미립자들은 로드락을 통과하는 기판들을 오염시킬 수 있고, 그 기판들의 프로세싱에 악영향을 미칠 수 있다. 따라서, 기존의 전자 디바이스 제조 시스템들은, 로드락들 내의 부식 및 오염을 감소시키는 개선된 로드락들 및 방법들로부터 이익을 얻을 수 있다.
[004] 제1 양상에 따르면, 전자 디바이스 제조 시스템의 로드락이 제공된다. 로드락은, 전자 디바이스 제조 시스템의 이송 챔버로부터 기판을 내부에 수용하도록 구성된 제1 내부 챔버를 갖는 하우징(housing); 제1 내부 챔버에 커플링된 복수의 가스 라인들; 가열된 가스를 제1 내부 챔버에 전달하기 위해, 복수의 가스 라인들 중 하나 이상에서 가스를 가열하도록 구성된 복수의 가스 라인 가열기들; 상이한 위치들에서 복수의 가스 라인들에 커플링된 복수의 가스 라인 온도 센서들; 및 가스 라인 가열기 제어기를 포함한다. 가스 라인 가열기 제어기는, 복수의 가스 라인 온도 센서들 중 하나 이상으로부터 하나 이상의 감지된 가스 온도들을 수신하고, 하나 이상의 감지된 가스 온도들을 수신한 것에 대한 응답으로, 복수의 가스 라인 가열기들 중 하나 이상의 세팅을 조정하도록 구성된다.
[005] 제2 양상에 따르면, 전자 디바이스 제조 시스템이 제공된다. 전자 디바이스 제조 시스템은, 프로세스 툴; 팩토리 인터페이스; 및 프로세스 툴의 이송 챔버와 팩토리 인터페이스 사이에 커플링된 로드락을 포함한다. 로드락은, 이송 챔버로부터 기판을 내부에 수용하도록 구성된 제1 내부 챔버를 갖는 하우징; 가열된 가스를 제1 내부 챔버에 전달하기 위해 커플링된 하나 이상의 가스 라인들에서 가스를 가열하도록 구성된 복수의 가스 라인 가열기들; 상이한 위치들에서 하나 이상의 가스 라인들에 커플링된 복수의 가스 라인 온도 센서들; 및 가스 라인 가열기 제어기를 포함한다. 가스 라인 가열기 제어기는, 복수의 온도 센서들 중 하나 이상으로부터 하나 이상의 감지된 가스 온도들을 수신하고, 하나 이상의 감지된 가스 온도들을 수신한 것에 대한 응답으로, 복수의 가스 라인 가열기들 중 하나 이상의 세팅을 조정하도록 구성된다.
[006] 제3 양상에 따르면, 전자 디바이스 제조 시스템의 로드락에서 기판을 가열하는 방법이 제공된다. 방법은, 다음의 단계들, 즉, 전자 디바이스 제조 시스템의 이송 챔버로부터 프로세싱된 기판을 로드락 내에 수용하는 단계; 로드락 내의 압력을 제1 값으로부터 제2 값까지 제1 증가 레이트로 증가시키는 단계 ― 제2 값은 대기압 미만임 ―; 시간 기간 동안, 로드락 내로 가열된 가스를 유동시키는 단계; 시간 기간의 만료 시에, 가열된 가스의 유동을 중단시키는 단계; 및 중단 후에, 로드락 내의 압력을 대기압까지 제2 증가 레이트로 증가시키는 단계를 포함하며, 제2 증가 레이트는 제1 증가 레이트보다 더 높다.
[007] 본 개시내용의 이들 및 다른 실시예들에 따른 또 다른 양상들, 특징들, 및 이점들은, 다음의 상세한 설명, 첨부 청구항들, 및 첨부 도면들로부터 용이하게 명백하게 될 수 있다. 따라서, 본원의 도면들 및 설명들은 사실상 예시적인 것으로 간주되어야 하며, 제한적인 것으로 간주되지 않아야 한다.
[008] 아래에서 설명되는 도면들은 단지 예시적인 목적들을 위한 것일 뿐이고, 반드시 실척대로 도시된 것은 아니다. 도면들은 어떠한 방식으로도 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
[009] 도 1은 본 개시내용의 실시예들에 따른, (커버들이 제거된) 전자 디바이스 제조 시스템의 개략적인 평면도를 예시한다.
[0010] 도 2a는 본 개시내용의 실시예들에 따른 로드락의 개략적인 정면도를 예시한다.
[0011] 도 2b는 본 개시내용의 실시예들에 따른 로드락의 개략적인 평면도를 예시한다.
[0012] 도 2c는 본 개시내용의 실시예들에 따른 로드락의 개략적인 우측면도를 예시한다.
[0013] 도 3은 본 개시내용의 실시예들에 따른, 전자 디바이스 제조 시스템의 로드락에서 기판을 가열하는 방법을 예시한다.
[0014] 이제, 본 개시내용의 예시적인 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 그 실시예들은 첨부 도면들에 예시된다. 가능한 모든 경우에, 동일한 참조 번호들은 동일한 또는 유사한 파트들을 지칭하기 위해 도면들 전체에 걸쳐 사용될 것이다.
[0015] 아웃개싱의 결과로서 전자 디바이스 제조 시스템의 로드락에서 발생할 수 있는 부식, 및 로드락을 통과하는 기판들의 후속적인 미립자 오염을 감소시키기 위해, 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 전자 디바이스 제조 시스템들은 개선된 로드락들을 포함할 수 있다. 개선된 로드락들은 로드락의 내부 챔버 내의 프로세싱된 기판을 가열하기 위해, 가열된 가스를 로드락의 내부 챔버에 제공할 수 있다. 가열된 가스는 불활성 가스, 이를테면 예컨대 질소일 수 있다. 프로세싱된 기판을 가열하는 것은 기판으로부터 잔여 케미스트리(chemistry)를 로드락 내로 추가로 옮길(drive) 수 있지만(즉, 아웃개싱을 증가시킬 수 있지만); 이어서, 가열된 불활성 가스가, 탈착된 가스들을 로드락 밖으로 그리고 기판으로부터 멀리 운송하기 위한 매체로서 작용할 수 있다. 로드락으로부터 제거되지 않은 아웃개싱은, 특히 수분이 존재할 때, 내부 로드락 표면들 상의 부식을 야기할 수 있다. 이어서, 부식은, 대량의 미립자들을 초래할 수 있으며, 그 대량의 미립자들은 로드락을 통과하는 후속 기판들을 오염시킬 수 있고, 그 후속 기판들의 프로세싱에 악영향을 미칠 수 있다. 개선된 로드락들은 가스 라인 가열기 제어기에 의해 제어되는 다수의 가열 구역들을 형성하는 복수의 가스 라인 가열기들을 포함할 수 있다. 가스 라인 가열기 제어기는, 감지된 가스 라인 및 내부 챔버 온도들에 기초하여, 복수의 가스 라인 가열기들 중 하나 이상의 세팅들을 조정함으로써, 원하는 온도를 갖는 가열된 가스를 로드락의 내부 챔버에 제공하도록 구성될 수 있다.
[0016] 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 전자 디바이스 제조 시스템들은 또한, 로드락의 하우징에 복수의 매립된 가열기들을 갖는 개선된 로드락들을 포함할 수 있다. 매립된 가열기들은, 로드락 내의 부식에 기여할 수 있는, 로드락의 내부 표면들 상의 수분을 (방지하는 것은 아니더라도) 감소시키도록 구성될 수 있다. 복수의 매립된 가열기들은 로드락 가열 제어기에 의해 개별적으로 제어가능한 다수의 가열 구역들을 형성할 수 있다. 가열 구역의 매립된 가열기들 중 하나 이상의 매립된 가열기들은 그 가열 구역의 다른 매립된 가열기들과 상이한 최대 열 출력을 가질 수 있다. 로드락 가열 제어기는, 로드락 하우징 주위의 상이한 위치들에서 감지된 로드락 하우징 온도들에 기초하여, 매립된 가열기들 중 하나 이상의 세팅들을 조정함으로써, 로드락 하우징의 원하는 온도를 제공하도록 구성될 수 있다.
[0017] 전자 디바이스 제조 시스템들에서의 개선된 로드락들을 예시 및 설명하는 예시적인 실시예들의 추가적인 세부사항들 뿐만 아니라, 전자 디바이스 제조 시스템의 로드락에서 기판을 가열하는 방법들을 포함하는 다른 양상들이 도 1 내지 도 3과 관련하여 아래에서 더 상세히 설명될 것이다.
[0018] 도 1은 하나 이상의 실시예들에 따른 전자 디바이스 제조 시스템(100)을 예시한다. 전자 디바이스 제조 시스템(100)은 기판(102)에 대해 하나 이상의 프로세스들을 수행할 수 있다. 기판(102)은, 전자 디바이스들 또는 회로 컴포넌트들을 상부에 제작하는 데 적합한 임의의 물품, 이를테면 예컨대, 실리콘-함유 디스크 또는 웨이퍼, 패터닝된 웨이퍼, 유리 플레이트 등일 수 있다.
[0019] 전자 디바이스 제조 시스템(100)은 프로세스 툴(104), 및 프로세스 툴(104)에 커플링된 팩토리 인터페이스(106)를 포함할 수 있다. 프로세스 툴(104)은 이송 챔버(110)를 내부에 갖는 하우징(108)을 포함할 수 있으며, 이송 챔버(110)는 그 이송 챔버(110)에 위치된 기판 이송 로봇(112)을 가질 수 있다. 복수의 프로세스 챔버들(114, 116, 및 118)이 하우징(108) 및 이송 챔버(110)에 커플링될 수 있다. 로드락(120)이 또한, 하우징(108) 및 이송 챔버(110)에 커플링될 수 있다. 이송 챔버(110), 프로세스 챔버들(114, 116, 및 118), 및 로드락(120)은 진공 레벨로 유지될 수 있다. 이송 챔버(110)에 대한 진공 레벨은, 예컨대, 약 0.01 Torr(10 mTorr) 내지 약 80 Torr의 범위일 수 있다. 다른 진공 레벨들이 사용될 수 있다.
[0020] 이송 로봇(112)은, 이송 챔버(110)에 물리적으로 커플링된, 임의의 프로세스 챔버 및 로드락으로 그리고 이들로부터 기판들(102)을 이송하도록 구성된, 다수의 암들 및 하나 이상의 엔드 이펙터들을 포함할 수 있다(기판들(102) 및 기판 배치 위치들이 도 1에서 원들로 도시됨을 유의한다).
[0021] 프로세스 챔버들(114, 116, 및 118) 각각에서 하나 이상의 기판들에 대해 동일한 또는 상이한 기판 프로세스, 이를테면 예컨대, 물리 기상 증착(PVD), 화학 기상 증착(CVD), 에칭, 어닐링, 사전-세정, 금속 또는 금속 산화물 제거 등이 이루어질 수 있다. 예컨대, 프로세스 챔버들(114) 중 하나 또는 둘 모두에서 PVD 프로세스가 이루어질 수 있고, 프로세스 챔버들(116) 중 하나 또는 둘 모두에서 에칭 프로세스가 이루어질 수 있으며, 프로세스 챔버들(118) 중 하나 또는 둘 모두에서 어닐링 프로세스가 이루어질 수 있다. 다른 프로세스들이 프로세스 챔버들에서 기판들에 대해 수행될 수 있다.
[0022] 로드락(120)은, 하나의 측에서, 이송 챔버(110)와 인터페이스하고 이송 챔버(110)에 커플링되고, 대향 측에서, 팩토리 인터페이스(106)와 인터페이스하고 팩토리 인터페이스(106)에 커플링되도록 구성될 수 있다. 로드락(120)은 환경적으로-제어되는 분위기를 가질 수 있으며, 그 환경적으로-제어되는 분위기는 진공 환경(진공 환경에서, 기판들이 이송 챔버(110)로 그리고 이송 챔버(110)로부터 이송될 수 있음)으로부터 대기압 불활성-가스 환경(대기압 불활성-가스 환경에서, 기판들이 팩토리 인터페이스(106)로 그리고 팩토리 인터페이스(106)로부터 이송될 수 있음)으로 변화될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 2a 내지 도 2c와 관련하여 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 로드락(120)은 한 쌍의 상부 내부 챔버들 및 한 쌍의 하부 내부 챔버들을 갖는 스택형(stacked) 로드락일 수 있으며, 그 한 쌍의 상부 내부 챔버들 및 한 쌍의 하부 내부 챔버들은 상이한 수직 레벨들에 위치된다(예컨대, 하나의 쌍이 다른 쌍 위에 있음). 일부 실시예들에서, 한 쌍의 상부 내부 챔버들은 프로세싱된 기판들을 프로세스 툴(104)로부터의 제거를 위해 이송 챔버(110)로부터 수용하도록 구성될 수 있는 한편, 한 쌍의 하부 내부 챔버들은 기판들을 프로세스 툴(104)에서의 프로세싱을 위해 팩토리 인터페이스(106)로부터 수용하도록 구성될 수 있다.
[0023] 팩토리 인터페이스(106)는 임의의 적합한 인클로저, 이를테면 예컨대, EFEM(Equipment Front End Module)일 수 있다. 팩토리 인터페이스(106)는 팩토리 인터페이스(106)의 다양한 로드 포트들(124)에 도킹된 기판 캐리어들(122)(예컨대, FOUP(Front Opening Unified Pod)들)로부터 기판들(102)을 수용하도록 구성될 수 있다. 팩토리 인터페이스 로봇(126)(점선으로 도시됨)이 기판 캐리어들(122)과 로드락(120) 사이에서 기판들(102)을 이송하기 위해 사용될 수 있다. 임의의 종래의 로봇 타입이 팩토리 인터페이스 로봇(126)에 대해 사용될 수 있다. 이송들은 임의의 순서 또는 방향으로 수행될 수 있다. 팩토리 인터페이스(106)는 예컨대 (예컨대, 비-반응성 가스로서 질소를 사용하는) 양압 비-반응성 가스 환경으로 유지될 수 있다.
[0024] 도 2a, 도 2b, 및 도 2c는 하나 이상의 실시예들에 따른, 전자 디바이스 제조 시스템의 로드락의 개략적인 정면도, 개략적인 평면도, 및 개략적인 우측면도를 각각 예시한다. 로드락(120)(도 1)은 도 2a 내지 도 2c의 로드락과 유사하거나 또는 동일할 수 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 로드락(220A)은 스택형 로드락일 수 있으며, 그 스택형 로드락은 하우징(220H)을 갖고, 그 하우징(220H)은 한 쌍의 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 및 한 쌍의 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)을 봉입(enclose)한다. 하우징(220H)은, 예컨대, 일체형으로 머시닝된 알루미늄 블록일 수 있다. 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)은 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)과 상이한 수직 레벨에 위치될 수 있다(예컨대, 하나의 쌍이 다른 쌍 위에 있음).
[0025] 내부 챔버들(228a-d) 각각은 각각의 개구(230a-d)를 가질 수 있으며, 그 각각의 개구(230a-d)는 각각의 개구(230a-d)를 통해 기판을 수용하도록 구성된다. 하나 이상의 종래의 슬릿 밸브들(즉, 도어들; 미도시)이 개구들(230a-d)을 개방 및 폐쇄하기 위해 제공될 수 있다. 일부 실시예들에서, 로드락(220A)에 걸쳐 연장되는 제1 슬릿 밸브(미도시)는 상부 개구들(230a 및 230b)을 동시에 개방 및 폐쇄할 수 있는 한편, 또한 로드락(220A)에 걸쳐 연장되는 제2 슬릿 밸브(미도시)는 하부 개구들(230c 및 230d)을 동시에 (그리고 제1 슬릿 밸브와 독립적으로) 개방 및 폐쇄할 수 있다. 다른 슬릿 밸브 구성들이 가능할 수 있다. 개구들(230a-d)은 팩토리 인터페이스(예컨대, 도 1의 팩토리 인터페이스(106))로 그리고 팩토리 인터페이스로부터 기판들을 이송하도록 구성될 수 있다. 로드락(220A)은, 이송 챔버(예컨대, 도 1의 이송 챔버(110))로 그리고 이송 챔버로부터 기판들을 이송하도록 구성된, 후방 측(미도시) 상에 위치된 4개의 동일한 그리고/또는 대응하는 개구들 및 슬릿 밸브들을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)은 프로세싱된 기판들을 프로세스 툴의 이송 챔버(예컨대, 프로세스 툴(104)의 이송 챔버(110))로부터 수용하고, 그 프로세싱된 기판들을 팩토리 인터페이스(예컨대, 팩토리 인터페이스(106))로 이송하도록 구성될 수 있다. 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)은 팩토리 인터페이스로부터 기판들을 수용하고 그 기판들을 프로세스 툴의 이송 챔버로 이송하도록 구성될 수 있다.
[0026] 내부 챔버들(228a-d) 각각은 제어되는 환경을 가질 수 있으며, 그 제어되는 환경은, 예컨대, 대기압 불활성 가스 환경에서 진공 환경에 이르는 범위를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)의 제어되는 환경들은 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)의 제어되는 환경들로부터 완전히 격리될 수 있다. 즉, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)은 예컨대 진공 환경으로 유지될 수 있는 한편, 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)은 예컨대 대기 환경으로 유지될 수 있으며, 그 반대의 경우도 마찬가지이다. 일부 실시예들에서, 상부 내부 챔버(228a)는 상부 내부 챔버(228b)와 상이한 제어되는 환경으로 유지될 수 있고, 그리고/또는 하부 내부 챔버(228c)는 하부 내부 챔버(228d)와 상이한 제어되는 환경으로 유지될 수 있다.
[0027] 로드락(220A)은 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 및 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)에 커플링된 진공 펌프(231)를 포함할 수 있다(유동 라인들, 매니폴드들 및 배기 채널들, 제어 밸브들, 유량 제어기들, 유량계들 등은 도 2a에서 명료성을 유지하기 위해 도시되지 않음을 유의한다). 일부 실시예들에서, 진공 펌프(231)는, (이를테면 예컨대, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)이 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)과 상이한 사이클 시간들에서 또는 교번적으로 동작될 때) 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)과 상이한 시간에 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)에 적합한 진공 레벨들이 제공될 수 있도록, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)과 하부 내부 챔버들(228c 및 228d) 사이에서 공유될 수 있다. 일부 실시예들에서, 진공 레벨들은 약 0.01 Torr 내지 약 80 Torr의 압력 범위로 제공될 수 있다. 다른 진공 압력들이 제공될 수 있다. 진공 펌프(231)는 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 및 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)로부터 가스들을 진공배기(evacuate), 벤팅(vent), 및 배기하기 위한 배기 포트(232)를 가질 수 있다. 진공 펌프(231)는, 예컨대, BOC Edwards 펌프 등일 수 있다. 다른 진공 펌프들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 로드락(220A)은 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 및/또는 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)을 진공배기, 퍼징, 및/또는 벤팅하기 위한 부가적인 또는 대안적인 장비(미도시)를 포함할 수 있다.
[0028] 로드락(220A)은 상부 내부 챔버(228a) 및/또는 상부 내부 챔버(228b)에 전달되는 가스를 가열하도록 구성될 수 있다. 가스는 불활성 가스 공급부(233)에 의해 제공되는 불활성 가스, 이를테면 예컨대 질소일 수 있다. 다른 불활성 가스들, 이를테면 예컨대, 헬륨 또는 아르곤이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 로드락(220A)은 상부 내부 챔버들(228a 및/또는 228b)에 전달되는 가스를 가열하도록 구성된 복수의 가스 라인 가열기들을 포함할 수 있다. 로드락(220A)이 하우징(220H) 및 관련 가스 라인들에서 그리고 이들 주위에서 제한된 이용가능 공간을 가질 수 있기 때문에, 로드락(220A)은, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)로의 유입구들 근처에 위치된 더 큰 단일 가스 라인 가열기 대신에, 하우징(220H) 및 불활성 가스 공급부(233)에 그리고 이들 주위에 위치된 다수의 더 작은 가스 라인 가열기들을 포함할 수 있다. 다수의 더 작은 가스 라인 가열기들은 로드락(220A)에 공급되는 가스가 원하는 온도까지 가열될 수 있는 것을 보장할 수 있으며, 그 원하는 온도는 일부 실시예들에서 약 75 ℃ 내지 95 ℃의 범위일 수 있다.
[0029] 일부 실시예들에서, 로드락(220A)은 제1 가스 라인 가열기(234a), 제2 가스 라인 가열기(234b), 제3 가스 라인 가열기(234c), 및 제4 가스 라인 가열기(234d)를 포함할 수 있다. 제1 가스 라인 가열기(234a), 제2 가스 라인 가열기(234b), 제3 가스 라인 가열기(234c), 및 제4 가스 라인 가열기(234d) 중 하나 이상은, 예컨대 Watlow Electric Manufacturing Co.로부터 입수가능한 가스 라인 재킷-타입 가열기일 수 있다. 대안적으로, 인-라인 타입 가열기들 및/또는 다른 적합한 가스 라인 가열기들이 사용될 수 있다.
[0030] 제1 가스 라인 가열기(234a)는 제1 가스 라인 가열 구역에 포함될 수 있고, 제2 가스 라인 가열기(234b)는 제2 가스 라인 가열 구역에 포함될 수 있으며, 제3 가스 라인 가열기(234c) 및 제4 가스 라인 가열기(234d)는 제3 가스 라인 가열 구역에 포함될 수 있다. 제1 가스 라인 가열기(234a)는 제1 가스 라인(236a) 내의 가스를 가열하기 위해 제1 가스 라인(236a)에 커플링될 수 있다. 제2 가스 라인 가열기(234b)는 제2 가스 라인(236b) 내의 가스를 가열하기 위해 제2 가스 라인(236b)에 커플링될 수 있다. 제3 가스 라인 가열기(234c)는 제3 가스 라인(236c) 내의 가스를 가열하기 위해 제3 가스 라인(236c)에 커플링될 수 있다. 그리고, 제4 가스 라인 가열기(234d)는 제4 가스 라인(236d) 내의 가스를 가열하기 위해 제4 가스 라인(236d)에 커플링될 수 있다.
[0031] 제1 가스 라인(236a)은 하우징(220H) 내의 Y-접합부(237)에서 제3 가스 라인(236c)에 커플링된 하나의 단부를 가질 수 있다. 제1 가스 라인(236a)의 다른 단부는 확산기(238a)를 통해 상부 내부 챔버(228a)에 가스를 전달하기 위해 하우징(220H)의 상단에 커플링될 수 있다. 제2 가스 라인(236b)은 Y-접합부(237)에서 제3 가스 라인(236c)에 커플링된 하나의 단부를 가질 수 있다. 제2 가스 라인(236b)의 다른 단부는 확산기(238b)를 통해 상부 내부 챔버(228b)에 가스를 전달하기 위해 하우징(220H)의 상단에 커플링될 수 있다. 확산기들(238a 및 238b)은 각각, 이들의 각각의 상부 내부 챔버(228a 또는 228b) 내로 가스 유동을 확산시키도록 구성될 수 있고, 그리고 입자 필터로서 또한 기능할 수 있다. 일부 실시예들에서, 확산기들(238a 및 238b)은 각각, 알루미늄 산화물 확산기일 수 있다.
[0032] 제3 가스 라인(236c)은 Y-접합부(237)와 불활성 가스 공급부(233) 사이에 커플링될 수 있다. 유량 제어기(240)가 제3 가스 라인(236c)에 커플링될 수 있다. 제4 가스 라인(236d)은 제3 가스 라인(236c)의 일부에 병렬로 연장될 수 있으며, 여기서, 제4 가스 라인(236d)의 하나의 단부는 제3 가스 라인 가열기(234c)의 하류에서 제3 가스 라인(236c)에 커플링될 수 있다. 제4 가스 라인(236d)의 다른 단부는 불활성 가스 공급부(233)에 커플링될 수 있다. 유량 제어기(242)가 제4 가스 라인(236d)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 유량 제어기(242)는 유량 제어기(240)보다 더 높은 유량으로 세팅될 수 있다. 따라서, 예컨대, (제1 가스 라인(236a) 및/또는 제2 가스 라인(236b)으로) 제3 가스 라인(236c)만을 통하는 것보다, 제4 가스 라인(236d)(및 제1 가스 라인(236a) 및/또는 제2 가스 라인(236b)으로의 제3 가스 라인(236c)의 나머지 부분)을 통해, 더 높은 유량의 가스가 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)에 제공될 수 있다.
[0033] 로드락(220A)은 또한, 복수의 온도 센서들(246a, 246b, 및 246c)(가스 라인 가열 구역당 하나) 및 복수의 제어 밸브들(248a, 248b, 248c, 및 248d)을 포함할 수 있다. 온도 센서들(246a, 246b, 및 246c)은 각각 서모커플들 또는 다른 적합한 온도 감지 디바이스들일 수 있으며, 제어 밸브들(248a, 248b, 248c, 및 248d)은 필요에 따라 1-방향, 2-방향, 또는 3-방향 타입 밸브들일 수 있고, 예컨대 KF-40 타입 게이트 밸브들 등일 수 있다. 다른 적합한 제어 밸브들이 사용될 수 있다.
[0034] 다른 실시예들은 다수의 가스 라인 가열기들, 가스 라인들, 온도 센서들, 및/또는 제어 밸브들의 다른 적합한 어레인지먼트들 및 개수들을 가질 수 있다.
[0035] 로드락(220A)은 또한, 가스 라인 가열기 제어기(250)를 포함할 수 있다. 가스 라인 가열기 제어기(250)는 (제1 가스 라인 가열 구역을 설정하는) 제1 가스 라인 가열기(234a)에 병렬로 커플링될 수 있고, (제2 가스 라인 가열 구역을 설정하는) 제2 가스 라인 가열기(234b)에 병렬로 커플링될 수 있으며, (제3 가스 라인 가열 구역을 설정하는) 제3 가스 라인 가열기(234c) 및 제4 가스 라인 가열기(234d)에 병렬로 커플링될 수 있다. 이러한 구성은 각각의 가스 라인 가열 구역이 가스 라인 가열기 제어기(250)에 의해 개별적으로 제어될 수 있게 한다.
[0036] 가스 라인 가열기 제어기(250)는 각각의 가스 라인 가열 구역에 대해 원하는 가스 온도를 (가스 라인 가열기 제어기(250)에서 실행하는 소프트웨어를 통해) 세팅 및 유지하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 가스 라인 가열기 제어기(250)는 제1 및 제2 가스 라인 가열 구역들 각각에 대해 제1 가스 온도를 세팅 및 유지할 수 있고, 제3 가열 구역에 대해 더 높은 제2 가스 온도를 세팅 및 유지할 수 있다. 더 높은 제2 가스 온도는, 가열된 가스가 하우징(220H)을 통과함에 따라, 예컨대 제3 가스 라인(236c)에서 발생할 수 있는 열 손실들을 고려할 수 있다. 가스 라인 가열기 제어기(250)는 또한, 온도 센서들(246a, 246b, 및 246c) 각각으로부터 감지된 가스 온도를 수신하도록 구성될 수 있다. 가스 라인 가열기 제어기(250)는 추가로, 세팅된 원하는 가스 온도들을 유지하기 위해, 감지된 가스 온도들을 수신한 것에 대한 응답으로, 필요한 경우, 제1 가스 라인 가열기(234a), 제2 가스 라인 가열기(234b), 및 제3 가스 라인 가열기(234c) 및/또는 제4 가스 라인 가열기(234d) 중 임의의 하나 이상의 세팅을 조정하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 조정될 세팅은 가스 라인 가열기의 온/오프 상태일 수 있다. 다른 실시예들에서, 가스 라인 가열기 제어기(250)는 가스 라인 가열기들 중 하나 이상의 열 출력을 변경하기 위해 가스 라인 가열기들 중 하나 이상에 인가되는 전압을 변경할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상부 내부 챔버들(228a 및/또는 228b)에 전달될 가열된 가스의 원하는 온도는 약 85 ℃일 수 있고, 일부 실시예들에서는, 75 ℃ 내지 95 ℃의 범위일 수 있다. 다른 적합한 가스 온도들 및 범위들이 가능하다. 적합한 가스 라인 가열기 제어기(250)는, 예컨대, Watlow Electric Manufacturing Co.로부터 입수가능할 수 있다. 다른 적합한 가스 라인 가열기 제어기들이 사용될 수 있다.
[0037] 일부 실시예들에서, 이송 챔버로부터 상부 내부 챔버(228a 또는 228b)에서 수용될 수 있는 프로세싱된 기판(예컨대, 포스트-에칭 기판)은 약 30 ℃의 온도일 수 있다. 일부 실시예들에서, 로드락(220A)은 프로세싱된 기판의 온도를 약 38-42 ℃까지 약 8-12 ℃만큼 상승시키기 위해, 본원에서 설명된 바와 같이, 가열된 가스를 상부 내부 챔버(228a 또는 228b)에 제공하도록 구성될 수 있다. 약 38-42 ℃의 온도의 프로세싱된 기판은 임의의 기판 아웃개싱이 상부 내부 챔버(228a 또는 228b)의 내부 표면들 중 임의의 내부 표면 상에 부식을 야기하는 것을 (방지하는 것은 아니더라도) 감소시키기에 충분할 수 있다. 기판 아웃개싱의 악영향들을 (방지하는 것은 아니더라도) 감소시키기 위한 다른 기판 온도 증가들이 가능할 수 있다.
[0038] 게다가, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 내의 각각의 기판들을 가열하기 위해, 유리하게, 가열된 가스를 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)에 제공함으로써, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 내의 가열 페데스탈 및 그 가열 페데스탈의 연관 하드웨어(예컨대, 기판 리프팅 메커니즘들, 구동 모터들 등)를 동작시키는 비용들 및 경비들이 절약될 수 있다.
[0039] 일부 실시예들에서, 로드락(220A)은 하우징(220H)에 매립된 복수의 카트리지 가열기들을 포함할 수 있다. 복수의 카트리지 가열기들은, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 및 하부 내부의 챔버들(228c 및 228d)의 내부 표면들 상에 존재하는 임의의 수분이 그 내부 표면들 상에 형성되는 것이 감소, 완전히 제거, 및/또는 방지될 수 있도록, 하우징(220H)을 가열하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 8개의 카트리지 가열기들(252a-h)이 하우징(220H)에 매립될 수 있으며, 여기서, 카트리지 가열기들(252a, 252b, 252c, 및 252d)이 도 2a의 로드락(220A)(정면도)에 도시되고, 카트리지 가열기들(252a, 252b, 252c, 252d, 252e, 252f, 252g, 및 252h)이 도 2b의 로드락(220B)(평면도)에 도시되며, 카트리지 가열기들(252c, 252d, 252g, 및 252h)이 도 2c의 로드락(220C)(우측면도)에 도시된다. 카트리지 가열기들(252a-h) 각각은, 하우징(220H)에 드릴링되거나 또는 다른 방식으로 형성된 적절한-사이즈의 홀에 삽입될 수 있다. 카트리지 가열기들(252a 및 252e)은 하우징(220H)의 좌측면 내에 동일한 레벨로 수평으로 매립될 수 있으며, 카트리지 가열기들(252d 및 252h)은 하우징(220H)의 우측면 내에 동일한 레벨로 수평으로 매립될 수 있다. 카트리지 가열기들(252a, 252e, 252d, 및 252h) 각각은 동일한 레벨로 수평으로 매립될 수 있고, 대칭적으로 이격될 수 있다. 카트리지 가열기들(252b, 252c, 252f, 및 252g)은 하우징(220H)의 바닥부(253) 내에 수직으로 매립될 수 있다. 하우징(220H)의 원하는 가열에 따라, 카트리지 가열기들의 다른 어레인지먼트들이 가능하다. 일부 실시예들에서, 상부 내부 챔버(228a) 및 하부 내부 챔버(228c) 주위에 위치된 카트리지 가열기들(252a, 252b, 252e, 및 252f)은 제1 로드락 가열 구역을 형성하도록 병렬로 커플링될 수 있으며, 상부 내부 챔버(228b) 및 하부 내부 챔버(228d) 주위에 위치된 카트리지 가열기들(252c, 252d, 252g, 및 252h)은 제2 로드락 가열 구역을 형성하도록 병렬로 커플링될 수 있다. 카트리지 가열기들(252a-h) 각각은, 예컨대, Watlow Electric Manufacturing Co.로부터 입수가능한 FIREROD® 카트리지 가열기일 수 있다. 다른 적합한 카트리지 타입 가열기들이 사용될 수 있다.
[0040] 일부 실시예들에서, (팩토리 인터페이스와 인터페이스하는, 로드락(220A)의 전방 측 근처에 있는) 카트리지 가열기들(252a, 252b, 252c, 및 252d)은 (이송 챔버와 인터페이스하는, 로드락(220A)의 후방 측 근처에 있는) 카트리지 가열기들(252e, 252f, 252g, 및 252h)보다 더 낮은 최대 열 출력을 가질 수 있다. 카트리지 가열기들(252e, 252f, 252g, 및 252h)은 카트리지 가열기들(252a, 252b, 252c, 및 252d)보다 더 높은 열 출력을 가질 수 있는데, 이는 이송 챔버가 팩토리 인터페이스보다 더 큰 열 싱크로서 작용할 수 있고, 그에 따라, 비교적 일정한/균일한 로드락 온도를 유지하기 위해 카트리지 가열기들(252e, 252f, 252g, 및 252h)이 더 많은 열을 출력하도록 요구되기 때문이다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 카트리지 가열기들(252a, 252b, 252c, 및 252d)은 각각 355 와트 카트리지 가열기일 수 있는 한편, 카트리지 가열기들(252e, 252f, 252g, 및 252h)은 각각 825 와트 카트리지 가열기일 수 있다. 카트리지 가열기들(252a-h)은 각각 다른 적합한 와트수들로 이루어질 수 있다.
[0041] 로드락(220A)은 로드락 가열기 제어기(254)를 포함할 수 있다. 카트리지 가열기들(252a, 252b, 252e, 및 252f)은 로드락 가열기 제어기(254)에 병렬로 커플링될 수 있으며(제1 로드락 가열 구역을 형성함), 카트리지 가열기들(252c, 252d, 252g, 및 252h)이 또한, 로드락 가열기 제어기(254)에 병렬로 커플링될 수 있다(제2 로드락 가열 구역을 형성함). 로드락 가열기 제어기(254)는 2개의 로드락 가열 구역들 각각에 대해 원하는 로드락 하우징(220H) 온도를 (로드락 가열기 제어기(254)에서 실행하는 소프트웨어를 통해) 세팅 및 유지하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 로드락 가열기 제어기(254)는 제1 로드락 가열 구역에 대해 제1 로드락 온도를 세팅 및 유지할 수 있으며, 제2 로드락 가열 구역에 대해 제2 로드락 온도(제1 로드락 온도와 동일할 수 있음)를 세팅 및 유지할 수 있다. 제1 및 제2 로드락 온도들은 각각, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 및 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)의 내부 표면들 상에 임의의 수분이 형성되는 것을 감소 또는 방지하기에 충분할 수 있다.
[0042] 일부 실시예들에서, 로드락 가열기 제어기(254) 및 카트리지 가열기들(252a-h)은, 약 1시간 이하 내에, 실온에서 시작하여 약 55 ℃ 내지 약 100 ℃의 온도까지, 로드락 하우징(220H)(그리고 특히, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 및 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)의 모든 내부 진공 표면들)을 가열하도록 구성될 수 있다. 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 및 하부 내부 챔버들(228c 및 228d)의 모든 내부 진공 표면들을 약 55 ℃ 내지 약 100 ℃로 유지하는 것은 수분이 그 내부 진공 표면들 상에 형성되는 것 및/또는 그 내부 진공 표면들의 부식을 (방지하는 것은 아니더라도) 감소시킬 수 있다.
[0043] 로드락 가열기 제어기(254)는 로드락 온도 센서들(255a 및 255b)(도 2b 및 도 2c 참조)에 의해 감지된 온도들을 수신함으로써, 세팅된 제1 및 제2 로드락 온도들을 유지하도록 구성될 수 있으며, 그 로드락 온도 센서들(255a 및 255b) 각각은 서모커플일 수 있다. 이들 온도들을 수신한 것에 대한 응답으로, 로드락 가열기 제어기(254)는 또한, 세팅된 제1 및/또는 제2 로드락 온도들을 유지하기 위해, 필요한 경우, (제1 로드락 가열 구역 내의) 카트리지 가열기들(252a, 252b, 252e, 및 252f)의 세팅, 및/또는 (제2 로드락 가열 구역 내의) 카트리지 가열기들(252c, 252d, 252g, 및 252h)의 세팅을 조정하도록 구성될 수 있다. 즉, 가열 구역의 카트리지 가열기들은 일제히 동작된다. 일부 실시예들에서, 세팅은 가열 구역 내의 카트리지 가열기들의 온/오프 상태일 수 있다. 다른 실시예들에서, 로드락 가열기 제어기(254)는 제1 및/또는 제2 로드락 가열 구역들 내의 카트리지 가열기들의 각각의 열 출력을 변경하기 위해, 제1 및/또는 제2 로드락 가열 구역들 내의 카트리지 가열기들에 인가되는 전압을 변경할 수 있다. 적합한 로드락 가열기 제어기(254)는, 예컨대, Watlow Electric Manufacturing Co.로부터 입수가능할 수 있다. 다른 적합한 로드락 가열기 제어기들이 사용될 수 있다.
[0044] 일부 실시예들에서, 가스 라인 가열기 제어기(250) 및/또는 로드락 가열기 제어기(254)는 가스 라인 가열기들(234a-234d) 및 카트리지 가열기들(252a-h)에 각각 공급되는 전류를 감지하도록 구성된 전류 센서(미도시)를 포함할 수 있다. 감지된 전류는 가열기들 중 임의의 가열기가 동작하지 않는지 여부를 표시할 수 있다. 예컨대, 로드락 가열기 제어기(254)는, 그 로드락 가열기 제어기(254)의 전류 센서에 의해 감지된 전류가 모든 카트리지 가열기들(252a-h)에 대해 감지된 전류보다 하나의 카트리지 가열기만큼 비례적으로 더 적은 경우, 카트리지 가열기들(252a-h) 중 하나가 동작하지 않는 것으로 결정할 수 있다.
[0045] 일부 실시예들에서, 가스 라인 가열기 제어기(250) 및 로드락 가열기 제어기(254)는 이들 둘 모두의 기능들을 수행하는 단일 가열기 제어기로 대체될 수 있다.
[0046] 로드락(220A)의 동작은 로드락(220A)을 포함하는 전자 디바이스 제조 시스템의 시스템 제어기일 수 있는 제어기(256)(도 2a)의 제어 하에 있을 수 있다. 제어기(256)는 로드락(220A)의 능동 하드웨어 컴포넌트들 각각의 동작을 제어하기 위해 로드락(220A)의 능동 하드웨어 컴포넌트들 각각에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 능동 컴포넌트들은 진공 펌프(231) 및 제어 밸브들(248a, 248b, 248c, 및 248d)을 포함할 수 있다. 제어기(256)는 프로그래밍된 프로세서, 프로세서 실행가능 명령들을 저장하는 메모리, 지원 회로들, 및 입력/출력 회로들을 포함할 수 있다. 가스 라인 가열기 제어기(250) 및/또는 로드락 가열기 제어기(254)가 제어기(256)와 독립적으로 동작할 수 있지만, 이들 각각은 제어기(256)에 정보를 제공할 수 있고, 그리고/또는 제어기(256)에 의해 제어될 수 있다. 대안적인 실시예들에서, 가스 라인 가열기 제어기(250) 및/또는 로드락 가열기 제어기(254)의 기능들은 제어기(256)에 의해 수행될 수 있고, 가스 라인 가열기 제어기(250) 및/또는 로드락 가열기 제어기(254)가 로드락(220A)으로부터 제외될 수 있다.
[0047] 도 3은 하나 이상의 실시예들에 따른, 전자 디바이스 제조 시스템의 로드락에서 기판을 가열하는 방법(300)을 예시한다. 방법(300)은 하나 이상의 제어기들, 이를테면 예컨대, 제어기(256) 및/또는 가스 라인 가열기 제어기(250)(도 2a)에 의해 수행될 수 있다.
[0048] 프로세스 블록(302)에서, 방법(300)은 전자 디바이스 제조 시스템의 이송 챔버로부터 로드락에서, 프로세싱된 기판을 수용하는 단계를 포함할 수 있다. 예컨대, 도 1 및 도 2a를 참조하면, 프로세스 챔버들(114, 116, 및 118) 중 하나 이상에서 프로세싱된 기판이 이송 챔버(110)로부터 로드락(220A)의 상부 내부 챔버(228a 또는 228b)로 이송될 수 있다.
[0049] 프로세스 블록(304)에서, 방법(300)은 로드락 내의 압력을 제1 값으로부터 제2 값까지 제1 증가 레이트로 증가시키는 단계를 포함할 수 있으며, 제2 값은 대기압 미만이다. 예컨대, 도 2a를 참조하면, 로드락(220A)의 상부 내부 챔버들(228a 및 228b)은 이송 챔버로부터의 기판의 수용 시에 진공 압력 레벨(즉, 제1 값)에 있을 수 있다. 제어기(256)는, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 내의 압력이 대기압 미만의 제2 값까지 상승될 때까지, 유량 제어기(240)에 의해 세팅된 유량(즉, 제1 증가 레이트에 대응함)으로, 제3 가스 라인(236c), 제1 가스 라인(236a), 및 제2 가스 라인(236b)을 통해 불활성 가스가 유동하도록, 임의의 필요한 제어 밸브들을 동작시켜 배기 포트(232)를 개방하고 제어 밸브들(248a, 248b, 248c, 및 248d)을 세팅할 수 있다. 제2 값은 퍼지 압력 값이라고 지칭될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 압력 값은 약 220 mTorr 내지 180 mTorr의 범위일 수 있으며, 제2 압력 값은 약 20 Torr 내지 10 Torr의 범위일 수 있다. 일부 실시예들에서, 이러한 압력 증가 동안, 가열된 가스를 제공하기 위해, 가스 라인 가열기들(234a-c) 중 하나 이상이 온 상태일 수 있음을 유의한다.
[0050] 프로세스 블록(306)에서, 방법(300)은 시간 기간 동안, 가열된 가스를 로드락 내로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 예컨대, 도 2a를 참조하면, 가스 라인 가열기 제어기(250)는 가스 라인 가열기들(234a-d)을 턴 온시킬 수 있고, 제어기(256)는 진공 펌프(231)를 턴 온시키고 제어 밸브들(248c 및 248d)을 세팅하여, 불활성 가스 공급부(233)로부터의 불활성 가스가 제4 가스 라인(236d), 제3 가스 라인(236c)의 나머지 부분, 및 제1 가스 라인(236a) 및/또는 제2 가스 라인(236b)을 통해 로드락(220A)을 통하여 유동할 수 있게 할 수 있다.
[0051] 프로세스 블록(308)에서, 방법(300)은 시간 기간의 만료 시에, 가열된 가스의 유동을 중단시키는 단계를 포함할 수 있다. 예컨대, 가스 라인 가열기 제어기(250)는 가스 라인 가열기들(234a, 234b, 234c, 및 234d)을 턴 오프시킬 수 있고, 제어기(256)는 진공 펌프(231)를 턴 오프시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 시간 기간은 약 20초 내지 40초의 범위일 수 있다.
[0052] 그리고 프로세스 블록(310)에서, 방법(300)은 중단 후에, 로드락 내의 압력을 대기압까지 제2 증가 레이트로 증가시키는 단계를 포함할 수 있으며, 제2 증가 레이트는 제1 증가 레이트보다 더 높다. 예컨대, 다시 도 2a를 참조하면, 불활성 가스는, 상부 내부 챔버들(228a 및 228b) 내의 압력이 대기압까지 상승될 때까지, 유량 제어기(242)에 의해 세팅된 유량(즉, 제2 증가 레이트에 대응함)으로, 제4 가스 라인(236d), 제3 가스 라인(236c)의 나머지 부분, 및 제1 가스 라인(236a) 및/또는 제2 가스 라인(236b)을 통해 유동할 수 있다.
[0053] 압력이 대기압에 도달된 후에, 방법(300)은 프로세싱된 기판을 추가적인 프로세싱을 위해 전자 디바이스 제조 시스템으로부터 제거하기 위해, 팩토리 인터페이스(예컨대, 도 1의 팩토리 인터페이스(106))로의 로드락 도어를 개방하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0054] 전술된 설명은 본 개시내용의 단지 예시적인 실시예들을 개시한다. 위에서 개시된 장치, 시스템들, 및 방법들의 변형들은 본 개시내용의 범위 내에 속할 수 있다. 따라서, 본 개시내용의 예시적인 실시예들이 개시되었지만, 다음의 청구항들에 의해 정의되는 바와 같은, 본 개시내용의 범위 내에 다른 실시예들이 속할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.

Claims (15)

  1. 전자 디바이스 제조 시스템의 로드락(loadlock)으로서,
    상기 전자 디바이스 제조 시스템의 이송 챔버로부터 기판을 내부에 수용하도록 구성된 제1 내부 챔버를 갖는 하우징(housing);
    상기 하우징에 매립되고, 상기 하우징을 가열하도록 구성된 복수의 카트리지 가열기들 ― 상기 복수의 카트리지 가열기들의 제1 서브세트는 제1 로드락 가열 구역에 포함되고, 상기 복수의 카트리지 가열기들의 제2 서브세트는 제2 로드락 가열 구역에 포함되며, 상기 제1 서브세트와 상기 제2 서브세트 각각은 복수의 카트리지 가열기들을 포함하고, 그리고, 상기 제1 서브세트의 일부 카트리지 가열기들은 상기 제1 서브세트의 다른 카트리지 가열기들보다 더 낮은 최대 열 출력을 가짐 ―; 및
    상기 로드락의 하우징 내의 상이한 위치들에서 감지된 온도들을 수신하는 것에 응답하여, 상기 제1 서브세트, 상기 제2 서브세트, 또는 상기 제1 및 제2 서브세트의 세팅들을 조정함으로써 상기 로드락의 하우징의 세팅 온도를 제공하도록 구성된 로드락 가열기 제어기
    를 포함하는,
    전자 디바이스 제조 시스템의 로드락.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 전자 디바이스 제조 시스템의 상기 이송 챔버로부터 기판을 내부에 수용하도록 구성된 제2 내부 챔버를 가지며
    상기 로드락은:
    상기 제1 내부 챔버 및 상기 제2 내부 챔버에 커플링된 복수의 가스 라인들; 및
    상기 복수의 가스 라인들 중 하나 이상의 가스 라인에서 가스를 가열하여 가열된 가스를 상기 제1 내부 챔버에 전달하도록 그리고 상기 제2 내부 챔버에 전달될 가스를 가열하도록 구성된 복수의 가스 라인 가열기들
    을 더 포함하는,
    전자 디바이스 제조 시스템의 로드락.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 내부 챔버에 전달되는 가스는 불활성 가스인,
    전자 디바이스 제조 시스템의 로드락.
  4. 제2 항에 있어서,
    복수의 가스 라인 온도 센서들이 상이한 위치들에서 상기 복수의 가스 라인들에 커플링되며,
    상기 복수의 가스 라인 온도 센서들 중 적어도 하나는 서모커플(thermocouple)인,
    전자 디바이스 제조 시스템의 로드락.
  5. 삭제
  6. 전자 디바이스 제조 시스템으로서,
    이송 챔버를 포함하는 프로세스 툴;
    팩토리 인터페이스; 및
    상기 이송 챔버와 상기 팩토리 인터페이스 사이에 커플링된 로드락
    을 포함하고,
    상기 로드락은,
    상기 이송 챔버로부터 기판을 내부에 수용하도록 구성된 제1 내부 챔버를 갖는 하우징;
    상기 하우징에 매립되고, 상기 하우징을 가열하도록 구성된 복수의 카트리지 가열기들 ― 상기 복수의 카트리지 가열기들의 제1 서브세트는 제1 로드락 가열 구역에 포함되고, 상기 복수의 카트리지 가열기들의 제2 서브세트는 제2 로드락 가열 구역에 포함되며, 상기 제1 서브세트와 상기 제2 서브세트 각각은 복수의 카트리지 가열기들을 포함하고, 그리고, 상기 제1 서브세트의 일부 카트리지 가열기들은 상기 제1 서브세트의 다른 카트리지 가열기들보다 더 낮은 최대 열 출력을 가짐 ―; 및
    상기 로드락의 하우징 내의 상이한 위치들에서 감지된 온도들을 수신하는 것에 응답하여, 상기 제1 서브세트, 상기 제2 서브세트, 또는 상기 제1 및 제2 서브세트의 세팅들을 조정함으로써 상기 로드락의 하우징의 세팅 온도를 제공하도록 구성된 로드락 가열기 제어기
    를 포함하는,
    전자 디바이스 제조 시스템.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 하우징 내의 상이한 위치들에서 커플링된 복수의 로드락 온도 센서들을 더 포함하고,
    상기 온도들은 상기 복수의 로드락 온도 센서들 중 하나 이상에 의해 감지되는,
    전자 디바이스 제조 시스템.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 복수의 카트리지 가열기들은 8개의 카트리지 가열기들을 포함하며,
    상기 8개의 가열기들 중 첫번째 4개의 가열기들은 상기 제1 로드락 가열 구역에 포함되고, 상기 8개의 가열기들 중 두번째 4개의 가열기들은 상기 제2 로드락 가열 구역에 포함되며,
    상기 제1 로드락 가열 구역 및 상기 제2 로드락 가열 구역은 각각, 상기 로드락 가열기 제어기에 의해 개별적으로 제어되는,
    전자 디바이스 제조 시스템.
  9. 제6 항에 있어서,
    가열된 가스를 상기 제1 내부 챔버에 전달하기 위해 커플링된 하나 이상의 가스 라인 내의 가스를 가열하도록 구성된 복수의 가스 라인 가열기들을 더 포함하고,
    상기 복수의 가스 라인 가열기들은 적어도 3개의 가스 라인 가열기들을 포함하며,
    상기 적어도 3개의 가스 라인 가열기들은 각각, 가스 라인 가열기 제어기에 의해 개별적으로 제어되는 상이한 가열 구역에 포함되는,
    전자 디바이스 제조 시스템.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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