KR102012578B1 - 폐액 처리 방법 및 폐액 처리 장치 - Google Patents

폐액 처리 방법 및 폐액 처리 장치 Download PDF

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Abstract

기판 처리부에서는 약액에 의한 반도체 기판의 표면 처리가 실시된다. 기판 처리에 의해 금속이 용해된 약액은 저류 탱크에 배출되어 저류된다. 폴리산 공급부는, 저류 탱크에 결손 부위를 갖는 결손형 착물의 폴리산을 공급한다. 금속을 함유하는 사용이 완료된 약액에 결손 부위를 갖는 결손형 착물의 폴리산을 혼합하고, 그 혼합액의 pH 값을 2 ∼ 3 으로 함으로써 폴리산의 결손 부위에 약액에 용해되어 있는 금속을 거두어들인다. 또한, 카운터 카티온을 투입하여 금속을 거두어들인 폴리산을 침전시켜 약액으로부터 분리시킴으로써, 반도체 기판의 처리시에 약액에 함유된 금속을 제거하여 당해 약액을 재생할 수 있다.

Description

폐액 처리 방법 및 폐액 처리 장치{WASTE LIQUID TREATMENT METHOD AND WASTE LIQUID TREATMENT APPARATUS}
본 발명은, 반도체 기판의 처리에 사용한 에칭액 등의 약액에 함유되는 금속을 제거하여 당해 약액을 재생하는 폐액 처리 방법 및 폐액 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 프로세스 중 백 엔드 프로세스 (BEOL : Back End Of the Line) 에서는 에칭법도 사용되고 있으며, 여러 가지 에칭액이 개발되고 있다. 전형적으로는, 에칭액은 금속을 용해시키기 때문에, 금속을 함유한 에칭액이 폐액으로서 처분되게 된다.
에칭액 중에는 고가의 것도 많이 개발되고 있으며, 그와 같은 에칭액으로부터는 어떠한 방법에 의해 용해되어 있는 금속을 제거함으로써, 에칭액을 재생하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 종래부터 에칭액에 용해되어 있는 금속을 제거·회수하는 기술이 여러 가지 검토되고 있으며, 예를 들어 특허문헌 1 에는, 에칭액 중에 용해된 금속을 킬레이트 형성기를 갖는 담체를 사용하여 보충함으로써 에칭액을 재생하는 기술이 제안되어 있다.
일본 공개특허공보 2013-119665호
그러나, 종래 개발되고 있는 에칭액의 재생법에는, 비용이 과대하거나 처리 능력이 불충분한 등의 문제가 있는 것도 많았다. 이 때문에, 특히 고가의 에칭액과 같은 약액으로부터 금속을 제거하여 당해 약액을 재생하는 기술의 개발이 요망되고 있다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 약액에 함유되는 금속을 제거하여 당해 약액을 재생할 수 있는 폐액 처리 방법 및 폐액 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 양태는, 반도체 기판의 처리에 사용한 약액에 함유되는 금속을 제거하는 폐액 처리 방법에 있어서, 반도체 기판의 처리에 사용된 약액을 회수하는 회수 공정과, 상기 회수 공정에서 회수된 약액에 폴리산을 혼합하여, 당해 약액 중에 함유되어 있는 금속을 폴리산에 거두어들임으로써 당해 약액으로부터 금속을 제거하는 제거 공정을 구비한다.
또, 제 2 양태는, 제 1 양태에 관련된 폐액 처리 방법에 있어서, 상기 폴리산은, 결손 부위를 갖는 결손형 착물이다.
또, 제 3 양태는, 제 2 양태에 관련된 폐액 처리 방법에 있어서, 상기 회수 공정에서 회수된 약액과 폴리산을 pH 값 2 ∼ 3 에서 반응시킴으로써, 당해 약액 중에 함유되어 있는 금속을 폴리산의 결손 부위에 거두어들인다.
또, 제 4 양태는, 제 3 양태에 관련된 폐액 처리 방법에 있어서, 금속을 거두어들인 폴리산과 상기 약액의 혼합액에 카운터 카티온을 투입하여 당해 폴리산과 당해 카운터 카티온의 염을 침전시키는 침전 공정을 추가로 구비한다.
또, 제 5 양태는, 제 4 양태에 관련된 폐액 처리 방법에 있어서, 상기 혼합액으로부터 상기 침전 공정에서 생성된 침전물을 제거한 약액을 반도체 기판의 처리에 재이용하는 재이용 공정을 추가로 구비한다.
또, 제 6 양태는, 반도체 기판의 처리에 사용한 약액에 함유되는 금속을 제거하는 폐액 처리 장치에 있어서, 반도체 기판에 약액을 공급하여 기판 처리를 실시하는 기판 처리부와, 상기 기판 처리부로부터 배출된 사용이 완료된 약액을 회수하여 저류하는 저류부와, 사용이 완료된 약액이 저류된 상기 저류부에 폴리산을 공급하는 폴리산 공급부를 구비한다.
또, 제 7 양태는, 제 6 양태에 관련된 폐액 처리 장치에 있어서, 상기 폴리산은, 결손 부위를 갖는 결손형 착물이다.
또, 제 8 양태는, 제 7 양태에 관련된 폐액 처리 장치에 있어서, 상기 저류부에 저류된 약액과 폴리산의 혼합액의 pH 값을 2 ∼ 3 으로 조정하는 pH 조정부를 추가로 구비한다.
또, 제 9 양태는, 제 8 양태에 관련된 폐액 처리 장치에 있어서, 상기 저류부에 저류된 약액과 폴리산의 혼합액에 카운터 카티온을 투입하는 카티온 투입부를 추가로 구비한다.
또, 제 10 양태는, 제 9 양태에 관련된 폐액 처리 장치에 있어서, 카운터 카티온이 투입되어 생성된 침전물을 상기 혼합액으로부터 제거한 약액을 상기 기판 처리부에 환류하는 환류부를 추가로 구비한다.
제 1 내지 제 5 양태에 관련된 폐액 처리 방법에 의하면, 반도체 기판의 처리에 사용된 약액에 폴리산을 혼합하여, 당해 약액 중에 함유되어 있는 금속을 폴리산에 거두어들임으로써 당해 약액으로부터 금속을 제거하는 것에 의해 당해 약액을 재생할 수 있다.
제 6 내지 제 10 양태에 관련된 폐액 처리 장치에 의하면, 반도체 기판에 약액을 공급하여 기판 처리를 실시하는 기판 처리부로부터 배출된 사용이 완료된 약액에 폴리산을 공급하기 때문에, 당해 약액 중에 함유되어 있는 금속을 폴리산에 거두어들임으로써 당해 약액으로부터 금속을 제거하여 당해 약액을 재생할 수 있다.
도 1 은, 본 발명에 관련된 폐액 처리 장치의 전체 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는, 폴리산의 기본 구조의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 대표적인 폴리산의 구조를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 대표적인 폴리산의 구조를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다.
도 1 은, 본 발명에 관련된 폐액 처리 장치의 전체 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이 폐액 처리 장치 (1) 는, 반도체 기판 (W) 의 처리에 사용한 약액에 함유되는 금속을 제거하여 당해 약액을 재생·재이용한다. 폐액 처리 장치 (1) 는, 주된 요소로서, 반도체 기판 (W) 의 약액 처리를 실시하는 기판 처리부 (10) 와, 기판 처리부 (10) 로부터 배출된 약액을 회수하여 저류하는 저류 탱크 (20) 와, 저류 탱크 (20) 에 폴리산을 공급하는 폴리산 공급부 (30) 와, 금속을 제거하여 재생한 약액을 기판 처리부 (10) 에 환류하는 환류 기구 (60) 를 구비한다. 또, 폐액 처리 장치 (1) 는, 저류 탱크 (20) 에 카운터 카티온을 투입하는 카티온 투입부 (40) 와, 저류 탱크 (20) 내의 용액의 pH 값을 조정하는 pH 조정부 (50) 를 구비한다. 또한, 폐액 처리 장치 (1) 는, 장치의 각 기구부를 제어하여 장치 전체를 관리하는 제어부 (90) 를 구비한다.
제어부 (90) 는, 각종 연산 처리를 실시하는 회로인 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 읽기 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓸 수 있는 메모리인 RAM 및 제어용 소프트웨어나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크를 구비하여 구성된다. 제어부 (90) 의 CPU 가 소정의 처리 프로그램을 실행 함으로써, 폐액 처리 장치 (1) 에 형성된 각 동작 기구가 제어되어 반도체 기판 (W) 의 처리 및 폐액 처리가 진행된다.
기판 처리부 (10) 는, 반도체 기판 (W) 에 약액을 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하는 매엽식의 장치이며, 토출 노즐 (11), 스핀 척 (12) 및 컵 (13) 등을 구비한다. 본 실시형태에 있어서는 약액으로서, 예를 들어 HF 또는 NH4F 베이스의 수용액에 완충제, 방부제를 첨가한 약액을 에칭액으로서 사용하고 있으며, 기판 처리부 (10) 에서는 반도체 기판 (W) 의 표면의 에칭 처리가 실시된다. 기판 처리부 (10) 에서는, 스핀 척 (12) 에 유지한 반도체 기판 (W) 의 표면에 토출 노즐 (11) 로부터 약액을 토출하여 에칭 처리를 진행시킨다. 또한, 필요에 따라 스핀 척 (12) 에 의해 반도체 기판 (W) 을 회전시키면서 에칭 처리를 실시하도록 해도 된다. 이 경우, 회전하는 반도체 기판 (W) 으로부터 비산된 약액을 컵 (13) 에 의해 받아들여 회수한다.
기판 처리부 (10) 에서 반도체 기판 (W) 의 표면 처리에 사용된 약액은 폐액 라인 (15) 를 통과하여 저류 탱크 (20) 에 회수된다. 저류 탱크 (20) 에는, 사용이 완료된 약액이 저류된다. 이 사용이 완료된 약액 중에는, 기판 처리부 (10) 에 있어서의 에칭 처리에 의해 용해시킨 금속 성분 (이온) 이 함유되어 있다. 사용이 완료된 약액 중에 함유되는 금속의 종류는, 기판 처리부 (10) 에서의 에칭 처리의 대상이 된 반도체 기판 (W) 에 성막되어 있던 박막의 종류에 의존하고 있으며, 예를 들어 티탄 (Ti) 이나 구리 (Cu) 등이 용해되어 있다.
폴리산 공급부 (30) 는, 저류 탱크 (20) 에 폴리산을 공급한다. 폴리산이란, 옥소산이 축합되어 생성된 음이온종이다. 옥소산은, 원자에 하이드록실기 (-OH) 와 옥소기 (=O) 가 결합하고, 그 하이드록실기가 산성 프로톤을 부여하는 화합물이다. 예를 들어, 탄소 (C) 의 옥소산이 탄산이고, 황 (S) 의 옥소산이 황산이며, 특히 천이 금속의 옥소산은 금속 옥소산이라고 불린다. 폴리산은, 금속을 함유하는 금속 옥소산이 축합되어 생성되는 것이기 때문에, 금속 산화물의 분자상 이온종으로 간주할 수 있으며, 폴리옥소메탈레이트 (POM : polyoxometalate) 라고도 칭해진다.
폴리산을 구성하는 기본 단위는, 천이 금속 이온에 산화물 이온 (O2-) 이 4 ∼ 6 배위되어 생성되는 사면체, 사각추, 팔면체 등의 다면체이다. 도 2 는, 폴리산의 기본 구조의 일례를 나타내는 도면이다. 도 2 에는, 대표적인 폴리산의 기본 구조인 MO6 팔면체를 나타낸다. MO6 팔면체의 경우, 정팔면체의 무게 중심 위치에 천이 금속 이온이 존재하고 있다. MO6 팔면체의 무게 중심에 위치하는 천이 금속 (M) 의 이온은, 전형적으로는 몰리브덴 (Mo6+), 바나듐 (V5+), 텅스텐 (W6+), 니오브 (Nb5+), 탄탈 (Ta5+) 등이다. 그 천이 금속 이온의 주위를 둘러싸도록, 6 개의 산화물 이온이 정팔면체의 정점의 위치에 배위되어 MO6 팔면체가 구성된다.
이와 같은 다면체가 다수 축합되어 모서리나 정점을 공유하여 구성된 다핵 착물이 폴리산이다. 도 3 및 도 4 는, 대표적인 폴리산의 구조를 나타내는 도면이다. 도 3 에는, [XM12O40]n- 로 나타내는 케긴형 (Keggin type) 구조를 나타낸다. 도 4 에는, [X2M18O62]n- 로 나타내는 도손형 (Dawson type) 구조를 나타낸다. 어느 구조에 대해서도, 케긴형 구조에서는 1 개, 도손형 구조에서는 2 개의 핵이 되는 금속 (X) 의 주위에 다수의 MO6 팔면체가 배위되어 있다. 핵이 되는 금속 (X) 은, 예를 들어 실리콘 (Si), 인 (P), 황 (S) 등이다.
이와 같은 구조를 갖는 폴리산은, 황산이나 염산에 필적하는 강산이면서 금속 부식성이 낮고, 거기에 더하여 산화 환원성을 겸비한다는 특성을 갖는다. 또, 폴리산은, 물 및 극성 용매에 높은 용해성을 나타내지만, 용액 중에서도 폴리산의 구조는 유지된다. 또한, 폴리산은, 기본 단위인 다면체가 1 ∼ 2 개 결손된 결손형 착물로서도 용액 중에서 안정적으로 존재할 수 있다는 중요한 특성을 갖는다. 예를 들어, 도 3, 4 에 나타낸 구조의 폴리산으로부터 MO6 팔면체가 1 ∼ 2 개 결손된 구조여도 pH 값이 2 ∼ 7 인 용액 중에서는 안정적으로 존재할 수 있다. 그리고, 폴리산의 결손형 착물은, 그 결손 부위에 이종 금속 (폴리산을 구성하는 금속 X, M 과는 상이한 종류의 금속) 의 옥소산을 거두어들일 수 있는 것이다. 바꾸어 말하면, 폴리산을 구성하는 금속 M 의 일부는 이종 금속으로 치환 가능한 것이다. 본 발명은, 폴리산의 이러한 특성에 주목하여 완성된 것이다.
도 1 로 돌아와, 폴리산 공급부 (30) 는, 결손 부위를 갖는 결손형 착물의 폴리산을 저류 탱크 (20) 에 공급한다. 폴리산 공급부 (30) 는, 폴리산 탱크 (31) 및 도시를 생략하는 공급 펌프나 밸브 등을 구비한다. 폴리산 탱크 (31) 에는, 미리 조제된 결손형 착물의 폴리산의 용액이 저류되어 있다. 이 용액의 pH 값은, 결손형 착물의 폴리산이 안정적으로 존재할 수 있는 2 ∼ 7 이다. 폴리산 공급부 (30) 는, 그 결손형 착물의 폴리산의 용액을 사용이 완료된 약액이 저류된 저류 탱크 (20) 에 공급한다.
폴리산 공급부 (30) 로부터 폴리산이 공급됨으로써, 저류 탱크 (20) 내에는 사용이 완료된 약액과 결손형 착물의 폴리산의 혼합액이 존재하게 된다. pH 조정부 (50) 는, 그 혼합액의 pH 값을 2 ∼ 3 으로 조정한다. 구체적으로는, pH 조정부 (50) 는, 저류 탱크 (20) 에 pH 조정제 (예를 들어, 산성 용액) 를 투입하여 혼합액의 pH 값을 2 ∼ 3 으로 조정한다. 저류 탱크 (20) 에 저류된 사용이 완료된 약액과 결손형 착물의 폴리산의 혼합액의 pH 값이 2 ∼ 3 이면, 당해 약액 중에 함유되어 있는 금속 이온이 옥소산으로서 폴리산의 결손 부위에 거두어들여지는 반응이 진행된다. 그 결과, 기판 처리부 (10) 로부터 배출된 사용이 완료된 약액으로부터는 금속이 제거되게 된다.
단, 폴리산의 용액은 강산이며, 기판 처리부 (10) 에서 사용된 약액도 산성인 경우에는, 특별한 pH 값 조정을 실시하지 않아도 사용이 완료된 약액과 폴리산의 혼합액 자체의 pH 값이 2 ∼ 3 의 범위 내에 들어가 있는 경우도 있다. 이와 같은 경우이면, pH 조정부 (50) 는 저류 탱크 (20) 내의 pH 조정을 실시하지 않는다. pH 조정을 실시하지 않아도 사용이 완료된 약액과 폴리산의 혼합액의 pH 값이 2 ∼ 3 이면, 당해 약액 중에 함유되어 있는 금속 이온이 옥소산으로서 폴리산의 결손 부위에 거두어들여지는 반응이 진행된다.
기판 처리부 (10) 에 있어서의 반도체 기판 (W) 의 처리에 의해 약액에 용해된 금속이 폴리산에 포착됨으로써, 저류 탱크 (20) 내에는 당해 금속을 거두어들인 폴리산과 금속이 제거된 약액의 혼합액이 저류되게 된다. 카티온 투입부 (40) 는, 그 혼합액에 음이온종인 폴리산의 카운터 카티온을 투입한다. 카운터 카티온으로는, 예를 들어, n-Bu4NBr 을 사용할 수 있다. 카티온 투입부 (40) 가 저류 탱크 (20) 내에 카운터 카티온을 투입함으로써, 금속을 거두어들인 폴리산과 카운터 카티온이 반응하여 염으로서 침전된다. 혼합액 중에 침전물이 생성됨으로써, 약액과 폴리산의 혼합액으로부터 금속을 거두어들인 폴리산을 분리시키는 것이 가능해진다.
저류 탱크 (20) 내의 혼합액에 카운터 카티온을 투입하여 침전물이 생성된 후, 환류 기구 (60) 에 의해 혼합액으로부터 침전물을 제거하여 약액을 재생하고, 그 약액을 다시 기판 처리부 (10) 에 환류하여 재이용한다. 환류 기구 (60) 는, 환류 배관 (61), 제거 밸브 (62a, 62b), 제거 필터 (63a, 63b), 주밸브 (64), 환류 펌프 (65) 및 주필터 (66) 를 구비한다. 환류 배관 (61) 의 기단측은 저류 탱크 (20) 에 접속되고, 선단측은 토출 노즐 (11) 에 접속된다. 환류 배관 (61) 은, 경로 도중에 두 갈래로 분기되고, 그 일방에 제거 밸브 (62a) 및 제거 필터 (63a) 가 형성됨과 함께, 타방에 제거 밸브 (62b) 및 제거 필터 (63b) 가 형성된다. 잔여의 요소인 주밸브 (64), 환류 펌프 (65) 및 주필터 (66) 는, 모두 두 갈래로 분기된 환류 배관 (61) 이 재합류한 경로에 개재 삽입되어 있다.
제거 필터 (63a) 와 제거 필터 (63b) 는 택일적으로 사용된다. 즉, 제거 밸브 (62a) 및 제거 밸브 (62b) 는 어느 일방이 선택적으로 개방된다. 주밸브 (64) 를 개방하여 환류 펌프 (65) 가 작동하고 있는 상태에서, 제거 밸브 (62b) 를 폐지하면서 제거 밸브 (62a) 를 개방하면, 저류 탱크 (20) 내의 침전물을 함유하는 혼합액은 제거 필터 (63a) 를 통과하게 된다. 이 때, 금속을 거두어들인 폴리산을 함유하는 침전물은 제거 필터 (63a) 에 의해 혼합액으로부터 제거된다. 한편, 주밸브 (64) 를 개방하여 환류 펌프 (65) 가 작동하고 있는 상태에서, 제거 밸브 (62a) 를 폐지하면서 제거 밸브 (62b) 를 개방하면, 저류 탱크 (20) 내의 침전물을 함유하는 혼합액은 제거 필터 (63b) 를 통과하게 된다. 이 때, 금속을 거두어들인 폴리산을 함유하는 침전물은 제거 필터 (63b) 에 의해 혼합액으로부터 제거된다.
제거 필터 (63a, 63b) 는, 침전물을 함유하는 액으로부터 침전물을 여과하는 여과 필터이기 때문에, 비교적 단시간에 눈 막힘을 일으킨다. 이 때문에, 제거 필터 (63a) 와 제거 필터 (63b) 는 택일적으로 사용하는 것으로 하고 있다. 제거 필터 (63a) 를 사용하고 있는 동안에 제거 필터 (63b) 를 교환하고, 제거 필터 (63b) 를 사용하고 있는 동안에 제거 필터 (63a) 를 교환함으로써, 필터의 눈 막힘에서 기인한 배관의 폐색을 방지할 수 있다. 또한, 사용이 완료된 제거 필터 (63a, 63b) 에 포집되어 있는 침전물을 회수하고, 그 침전물로부터 산화 환원 반응을 이용하여 금속을 이탈시킴으로써 폴리산을 재생하여 재이용하도록 해도 된다.
제거 필터 (63a) 또는 제거 필터 (63b) 를 통과함으로써, 혼합액으로부터 금속을 거두어들인 폴리산을 함유하는 침전물이 제거되고, 약액이 재생되게 된다. 재생된 약액은 환류 펌프 (65) 에 의해 기판 처리부 (10) 의 토출 노즐 (11) 에 송급되고, 토출 노즐 (11) 로부터 반도체 기판 (W) 에 토출됨으로써 재이용된다.
본 실시형태에 있어서는, 금속을 함유하는 사용이 완료된 약액에 결손 부위를 갖는 결손형 착물의 폴리산을 혼합하고, 그 혼합액의 pH 값을 2 ∼ 3 으로 함으로써 폴리산의 결손 부위에 약액에 용해되어 있는 금속을 거두어들이고 있다. 이로써, 반도체 기판 (W) 의 처리시에 약액에 함유된 금속을 제거하여 당해 약액을 재생할 수 있다. 기판 처리부 (10) 에서 사용되는 약액에는 고가의 것도 존재하고 있으며, 사용이 완료된 약액으로부터 금속을 제거하여 재생할 수 있으면, 약액을 반복하여 재이용할 수 있고, 그 결과 처리 비용의 증대를 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상기 서술한 것 이외에 여러 가지 변경을 실시하는 것이 가능하다. 예를 들어, 상기 실시형태에 있어서는, 기판 처리부 (10) 에서 사용하는 약액을 에칭액으로 하고 있었지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 폴리머 제거액 등의 다른 종류의 약액이어도 된다. 사용하는 약액이 고가의 것일수록, 약액을 재생하여 재이용하는 효과는 크다.
또, 기판 처리부 (10) 는, 반도체 기판 (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식에 한정되는 것은 아니고, 처리조에 저류한 약액에 복수의 반도체 기판 (W) 을 침지하여 일괄로 표면 처리를 실시하는 배치식의 처리부여도 된다. 기판 처리부 (10) 가 배치식의 처리부여도, 처리조로부터 배출된 약액을 상기 실시형태와 동일하게 하여 재생함으로써 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또, 상기 실시형태에 있어서는, 사용이 완료된 약액을 회수하는 저류 탱크 (20) 에 직접 폴리산 및 카운터 카티온을 투입하여 침전물을 생성하도록 하고 있었지만, 저류 탱크 (20) 와는 별도로 침전물을 생성하여 분리 회수하기 위한 전용의 침전조를 형성하도록 해도 된다.
또, 상기 실시형태에 있어서는, 기판 처리부 (10) 로부터 배출된 약액 중에 티탄이나 구리가 함유되어 있었지만, 본 발명에 의해 제거의 대상이 되는 금속은, 그 밖에도 텅스텐 (W), 탄탈 (Ta), 루테늄 (Ru), 코발트 (Co) 등이어도 된다.
또, 카운터 카티온을 투입하는 것을 대신하여, 제거 필터 (63a, 63b) 에 이온 교환 필터를 사용하여, 금속을 거두어들인 폴리산을 제거 필터 (63a, 63b) 에 석출시켜 약액으로부터 분리시키도록 해도 된다.
산업상 이용가능성
본 발명은, 반도체 기판의 표면 처리시에 약액 중에 용해된 금속을 제거하여 당해 약액을 재생하여 재이용하는 기술에 적합하다.
1 : 폐액 처리 장치
10 : 기판 처리부
20 : 저류 탱크
30 : 폴리산 공급부
40 : 카티온 투입부
50 : pH 조정부
60 : 환류 기구
63a, 63b : 제거 필터
90 : 제어부
W : 반도체 기판

Claims (10)

  1. 반도체 기판의 처리에 사용한 약액에 함유되는 금속을 제거하는 폐액 처리 방법으로서,
    반도체 기판의 처리에 사용된 약액을 회수하는 회수 공정과,
    상기 회수 공정에서 회수된 약액에 폴리산을 혼합하여, 당해 약액 중에 함유되어 있는 금속을 폴리산에 거두어들임으로써 당해 약액으로부터 금속을 제거하는 제거 공정을 구비하고,
    상기 폴리산은, 결손 부위를 갖는 결손형 착물이고,
    상기 회수 공정에서 회수된 약액과 폴리산을 pH 값 2 ∼ 3 에서 반응시킴으로써, 당해 약액 중에 함유되어 있는 금속을 폴리산의 결손 부위에 거두어들이는, 폐액 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    금속을 거두어들인 폴리산과 상기 약액의 혼합액에 카운터 카티온을 투입하여 당해 폴리산과 당해 카운터 카티온의 염을 침전시키는 침전 공정을 추가로 구비하는, 폐액 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 혼합액으로부터 상기 침전 공정에서 생성된 침전물을 제거한 약액을 반도체 기판의 처리에 재이용하는 재이용 공정을 추가로 구비하는, 폐액 처리 방법.
  6. 반도체 기판의 처리에 사용한 약액에 함유되는 금속을 제거하는 폐액 처리 장치로서,
    반도체 기판에 약액을 공급하여 기판 처리를 실시하는 기판 처리부와,
    상기 기판 처리부로부터 배출된 사용이 완료된 약액을 회수하여 저류하는 저류부와,
    사용이 완료된 약액이 저류된 상기 저류부에 폴리산을 공급하는 폴리산 공급부를 구비하고,
    상기 폴리산은, 결손 부위를 갖는 결손형 착물이고,
    상기 저류부에 저류된 약액과 폴리산의 혼합액의 pH 값을 2 ∼ 3 으로 조정하는 pH 조정부를 추가로 구비하는, 폐액 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 저류부에 저류된 약액과 폴리산의 혼합액에 카운터 카티온을 투입하는 카티온 투입부를 추가로 구비하는, 폐액 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    카운터 카티온이 투입되어 생성된 침전물을 상기 혼합액으로부터 제거한 약액을 상기 기판 처리부에 환류하는 환류부를 추가로 구비하는, 폐액 처리 장치.
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