KR102010620B1 - 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102010620B1
KR102010620B1 KR1020150164552A KR20150164552A KR102010620B1 KR 102010620 B1 KR102010620 B1 KR 102010620B1 KR 1020150164552 A KR1020150164552 A KR 1020150164552A KR 20150164552 A KR20150164552 A KR 20150164552A KR 102010620 B1 KR102010620 B1 KR 102010620B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
space
nozzle
gas
mold
Prior art date
Application number
KR1020150164552A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160066499A (ko
Inventor
신타로오 나리오카
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20160066499A publication Critical patent/KR20160066499A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102010620B1 publication Critical patent/KR102010620B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 몰드를 사용하여 기판 상의 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 실행하는 임프린트 장치를 제공하고, 장치는 몰드를 유지하도록 구성되는 척, 척을 구동 가능하게 지지하도록 구성되는 헤드로서, 기부에 고정되는 헤드, 척을 둘러싸도록 기부와 기판 사이에 배열되도록 구성되는 판형 부재, 및 판형 부재와 기판 사이의 제1 공간으로부터 제1 공간 외측의 제2 공간으로 향하는 기류를 형성하도록, 제1 공간에 제1 기체를 공급하도록 구성되는 제1 공급 유닛을 포함한다.

Description

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 기술은 나노 스케일의 미세 패턴 형성이 가능한 기술이며, 반도체 디바이스 및 자기 기억 매체를 위한 하나의 대량 생산 나노 리소그래피 기술로서 주목을 받고 있다. 임프린트 기술을 사용한 임프린트 장치는 패턴이 그 위에 형성되는 몰드(원판), 및 기판 상의 수지를 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재(수지)를 경화시키고, 이후 경화된 임프린트재로부터 몰드를 이형하여 기판 상에 패턴을 형성한다. 임프린트 장치는 용도에 따라서 다양한 수지 경화법을 실행한다. 반도체 디바이스 등의 대량 생산용 기술로서, 일반적으로 자외선 등의 광의 조사에 의해 기판 상의 수지를 경화시키는 광경화법이 채용된다.
임프린트 장치에서 기판 상의 임프린트재를 몰드의 패턴(오목부)에 충전할 때 마스크의 근방에 기체가 잔류하는 경우, 기판 상에 형성되는 패턴이 왜곡될 수 있다. 일본 특허 공보 제2007-509769호 공보는 기판 상의 수지에 존재하는 기체 포켓을 감소시켜 기판 상에 형성되는 패턴의 왜곡을 저감시키는 기술을 개시한다. 일본 특허 공보 제2007-509769호 공보에서, 기판 상의 임프린트재는 고 가용성 기체, 고 확산성 기체, 또는 고 가용성 및 고 확산성 기체, 예를 들어, 헬륨에 의해 포화된다.
기판 상의 수지가 헬륨에 의해 포화되는 상태를 획득하기 위한 방법으로서, 기판과 대면하도록 몰드 주위에 헬륨 공급 노즐을 배열하고 몰드와 기판의 사이의 공간을 헬륨으로 치환(퍼지)하는 방법이 공지되어 있다. 이 방법은 기판 상의 수지를 헬륨으로 양호하게 포화시킬 수 있다.
임프린트 장치에서, 왜곡이 아닌 결함(패턴 결함)이 기판 상에 형성되는 패턴에서 발생될 수 있다. 예를 들어, 입자가 부착된 샷 영역에 임프린트 처리가 실행되는 경우, 이러한 샷 영역에 패턴 결함이 발생한다. 큰 입자가 부착된 샷 영역에 임프린트 처리가 실행되는 경우, 몰드가 손상될 수 있다. 몰드가 손상되는 경우, 이 몰드를 사용하여 임프린트 처리가 행해진 모든 샷 영역은 패턴 결함을 갖는다. 따라서, 기판에의 입자의 부착, 특히, 몰드 손상의 원인으로서 기능하는 큰 입자의 부착을 최소화하는 것이 필요하다. 그러나, 임프린트 장치에서 기판에의 입자의 부착을 억제하는 몇몇 기술만이 제안되었으며, 구체적인 대책이 제공될 필요가 있다.
본 발명은 기판에의 입자의 부착을 저감하는데 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용하여 기판 상의 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 실행하는 임프린트 장치가 제공되고, 몰드를 유지하도록 구성되는 척, 척을 구동 가능하게 지지하도록 구성되는 헤드로서, 기부에 고정되는 헤드, 척을 둘러싸도록 기부와 기판 사이에 배열되게 구성되는 판형 부재, 및 판형 부재와 기판 사이의 제1 공간으로부터 제1 공간 외측의 제2 공간으로 향하는 기류를 형성하도록, 제1 공간에 제1 기체를 공급하도록 구성되는 제1 공급 유닛을 포함한다.
본 발명의 추가 양태는 첨부 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 2는 도 1에 도시된 임프린트 장치에서 기판의 이동 영역을 설명하기 위한 도면.
도 3은 도 1에 도시된 임프린트 장치의 기체 공급 유닛의 기능을 설명하기 위한 도면.
도 4는 도 1에 도시된 임프린트 장치의 기체 공급 유닛의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 5는 도 1에 도시된 임프린트 장치의 기체 공급 유닛의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 6a 및 도 6b는 도 1에 도시된 임프린트 장치의 판형 부재와 기판의 사이의 공간 체적을 설명하기 위한 도면.
도 7은 도 1에 도시된 임프린트 장치의 기체 공급 유닛을 구성하는 노즐의 예를 설명하기 위한 도면.
도 8은 도 1에 도시된 임프린트 장치의 기체 공급 유닛을 구성하는 노즐의 예를 설명하기 위한 도면.
도 9는 도 1에 도시된 임프린트 장치의 판형 부재의 기능을 설명하기 위한 도면.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따르는 임프린트 장치를 설명하기 위한 도면.
도 12는 비교예로서의 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 13은 도 12에 도시된 임프린트 장치에서 기판의 이동 영역을 설명하기 위한 도면.
도 14a 및 도 14b는 비교예에서 장치 내 입자수 저감 대책을 설명하기 위한 도면.
본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 이하에서 설명될 것이다. 동일한 참조 번호가 도면에 걸쳐 동일한 부재를 나타내고, 그 반복적인 설명은 제공되지 않는 점에 유의한다.
도 12는 비교예로서 임프린트 장치(IA)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(IA)는 기판 상의 임프린트재로서 기능하는 수지 상에 몰드를 사용하여 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(IA)는 몰드(40)를 유지하는 척(45), 척(45)이 구동될 수 있도록 척(45)을 지지하며 기부(55)에 고정되는 헤드(50), 및 기판(20)을 유지하고 이동시키는 스테이지(30)를 포함한다. 또한, 임프린트 장치(IA)는 몰드(40)와 기판(20) 사이의 공간(SP1)에 기체(GS1)를 공급하는 기체 공급 유닛(60), 및 기판 상에 수지를 토출(공급)하는 도포기(70, dispenser)를 포함한다.
기체 공급 유닛(60)은 노즐 등을 포함하고, 몰드(40) 외측, 구체적으로 몰드(40) 주위에 배열된다. 기체 공급 유닛(60)은 기체(GS1)로서, 기판 상의 수지에 대해, 고 가용성 기체, 고 확산성 기체, 또는 고 가용성 및 고 확산성 기체, 예를 들어 헬륨을 공급한다.
임프린트 장치(IA)는 도포기(70)로부터 공급된 수지 및 몰드(40)를 접촉시킨 상태에서 수지를 경화시킨 후, 경화된 수지로부터 몰드(40)를 이형하는 것에 의해 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 실행한다. 이때, 임프린트 장치(IA)의 내부 공간은 공조기(미도시)로부터 공급(송풍)되는 기체(100)에 의해 공조된다. 기체(100)는 입자 제거 기능을 갖는 필터, 예를 들어 초저침입 공기 (ULPA) 필터를 통과하고 입자의 농도가 저감된 청정 기체이다.
도 13은 임프린트 장치(IA)에서 스테이지(30)에 의해 유지되는 기판(20)의 이동 영역을 설명하기 위한 도면이다. 도 13에 도시된 바와 같이, 척(45)에 의해 유지되는 몰드(40)를 둘러싸도록 기체(GS1)를 분사하는 노즐(60a)이 척(45)에 배치된다. 임프린트 장치(IA)는 기판(20)의 각각의 샷 영역에 대해, 도포기(70)로부터 수지를 공급하고, 헤드(50)에 의해 척(45)을 구동하고, 몰드(40)와 수지를 서로 접촉시키는 동작을 반복한다. 한편, 스테이지(30)에 의해 유지되는 기판(20)은 임프린트 장치 내에서(이하, "장치 내"라고 지칭됨) 이동된다.
도 13을 참조하면, 실선에 의해 표시되는 원은 기판(20)의 중심 샷 영역에 임프린트 처리를 행할 때의 기판(20)의 위치를 나타낸다. 파선에 의해 표시되는 원은 기판(20)의 중심 샷 영역에 수지를 공급할 때의 기판(20)의 위치를 나타내고 있다. 기판(20)의 중심의 샷 영역에 수지를 공급한 후 임프린트 처리가 실행될 때까지, 기판(20)은 굵은 파선에 의해 표시된 타원 영역에서 이동된다.
마찬가지로, 도 13을 참조하면, 일점 쇄선에 의해 각각 표시되는 4개의 원은 기판(20)의 상단부, 하단부, 좌측 단부 및 우측 단부의 샷 영역에 임프린트 처리를 실행할 때의 기판(20)의 위치를 나타낸다. 도시되지 않았으나, 기판(20)의 상단부, 하단부, 좌측 단부 및 우측 단부의 샷 영역에 수지를 공급할 때의 기판(20)의 위치가 존재한다. 기판(20)의 전체면, 즉, 모든 샷 영역에 임프린트 처리를 실행할 때, 기판(20)은 굵은 파선에 의해 표시되는 타원 영역에서 이동한다.
입자가 부착된 샷 영역에 임프린트 장치(IA)가 임프린트 처리를 실행하는 경우, 패턴 결함이 이러한 샷 영역에 발생된다. 큰 입자가 부착된 샷 영역에 임프린트 장치(IA)가 임프린트 처리를 실행하는 경우, 몰드(40)가 손상될 수 있다. 몰드(40)가 손상되는 경우, 몰드(40)를 사용하여 임프린트 처리가 행해진 모든 샷 영역은 패턴 결함을 갖는다.
기판(20)에의 입자의 부착을 최소화하기 위해, 장치 내의 입자의 개수가 최소화된다. 장치 내의 입자의 개수는 장치 내의 입자 농도에 장치 내의 체적을 승산하여 제공된다.
장치 내의 입자의 개수 = 장치 내의 입자 농도[입자의 개수/m3] × 체적[m3] ... (1)
장치 내의 입자 농도는 단위 시간당 장치 내에서 발생되는 입자의 개수를 장치 내에 공급되는 기체(100)의 유량으로 제산하여 제공된다.
장치 내의 입자 농도[입자의 개수/m3] = 장치 내에서 발생되는 입자의 개수[입자의 개수/s] / 기체(100)의 유량[m3/s] ... (2)
식(1) 및 식(2)으로부터, 장치 내의 입자의 개수는 아래에 의해 제공된다.
장치 내의 입자의 개수 = 장치 내에서 발생되는 입자의 개수[입자의 개수/s]×체적[m3] / 기체(100)의 유량[m3/s] ... (3)
장치 내에 공급되는 기체(100)의 유량을 장치 내의 체적으로 제산하여 획득된 값이 환기 횟수로 지칭될 수 있다. 환기 횟수는 아래에 의해 제공된다.
환기 횟수[1/s] = 기체(100)의 유량[m3/s] / 체적[m3] ... (4)
환기 횟수를 사용함으로써, 식(3)은 아래와 같이 재기입된다.
장치 내의 입자의 개수 = 장치 내에서 발생되는 입자의 개수[입자의 개수/s] / 환기 횟수[1/s] ... (5)
장치 내의 입자의 개수를 저감하기 위해, 장치 내에서 발생되는 입자의 개수를 저감하거나 환기 횟수를 증가시키는 것이 고려된다.
장치 내에서 발생되는 입자의 개수를 저감하기 위해, 장치 내의 입자 발생원(먼지 발생원)을 특정하고, 이에 대한 대책을 취하면 충분하다. 그러나, 장치 내에는 스테이지(30) 및 헤드(50)를 포함하는 다양한 구동 유닛이 존재하고, 이들로부터 발생하는 입자를 저감하는 것은 어렵다. 장치 내에서 사용되는 부재는 다양하기 때문에, 입자의 발생을 감소시키는 대책을 취하는 것은 어렵다. 따라서, 비교예로서, 환기 횟수를 증가시키고, 이에 의해 장치 내에서 발생되는 입자의 개수를 저감하는 것(이후 "장치 내 입자수 저감 대책"으로 지칭됨)이 고려된다.
도 14a 및 도 14b는 비교예에서의 장치 내 입자수 저감 대책을 설명하기 위한 도면이다. 도 14a는 장치 내 입자수 저감 대책을 실행하기 전의 장치 내의 입자의 개수 및 기판(20)에 부착되는 입자의 개수를 개략적으로 도시한다. 도 14b는 장치 내 입자수 저감 대책을 실행한 후의 장치 내의 입자의 개수 및 기판(20)에 부착되는 입자의 개수를 개략적으로 도시한다. 장치 내에서 단위 시간당 발생되는 입자(90)의 개수는 장치 내 입자수 저감 대책 이전 및 이후에 변경되지 않는 것으로 상정된다. 임프린트 장치(IA)의 내부의 공간 크기에 의해 개략적으로 표현되는 장치 내의 체적은 장치 내 입자수 저감 대책 이전 및 이후에 변경되지 않는 것으로 상정된다. 또한, 도 14a 및 도 14b에서, 임프린트 장치(IA)의 내부 공간에 공급되는 기체(100)의 유량은 화살표의 개수에 의해 개략적으로 표시된다. 비교예에서, 도 14a 및 도 14b에 도시된 바와 같이, 장치 내 입자수 저감 대책 이후의 기체(100)의 유량은 장치 내 입자수 저감 대책 이전의 기체(100)의 유량의 3배가 된다. 즉, 장치 내 입자수 저감 대책 이후의 환기 횟수는 장치 내 입자수 저감 대책 이전의 환기 횟수의 3배가 된다.
상술된 바와 같이, 장치 내의 입자의 개수는 식(5)에 의해 제공될 수 있다. 환기 횟수가 3배인 경우, 장치 내 입자수 저감 대책 이전 및 이후 장치 내의 입자의 개수는 도 14a 및 도 14b에 도시된 바와 같이 1/3이 된다.
임프린트 장치(IA)에서, 패턴 결함의 직접의 원인이 되는 것은 기판(20)에 부착되는 입자이다. 장치 내의 입자가 기판(20)에 부착되는 확률은 일정한 것으로 상정된다. 그리고, 장치 내의 입자의 개수가 예를 들어 1/3로 저감되는 경우, 기판(20)에 부착되는 입자의 개수는 도 14a 및 도 14b에 도시된 바와 같이, 1/3이 된다.
이 방식으로, 임프린트 장치(IA)에서 환기 횟수를 크게 하기 위해, 공조기(팬)로부터 공급되는 기체(100)의 유량은 증가될 필요가 있고, 따라서 공조기가 대형화될 필요가 있다. 또한, 공조기로부터 공급되는 기체(100)의 청정도를 유지하기 위해, 기체(100)의 유량 증가에 따라 ULPA 필터의 개수도 증가될 필요가 있다. 따라서, 임프린트 장치(IA)에서 환기 횟수가 증가되는 경우, 장치 내의 체적에 대해 공조기 및 ULPA 필터를 포함하는 공조 시스템이 비대화된다.
<제1 실시예>
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치(10)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(IA)와 유사하게, 임프린트 장치(10)는 기판 상의 임프린트재로서 기능하는 수지 상에 몰드를 사용하여 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(10)는 도포기(70)로부터 공급된 수지와 몰드(40)를 서로 접촉시킨 상태에서 수지를 경화시키고, 이후 경화된 수지로부터 몰드(40)를 이형하는 것에 의해 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 실행한다. 이때, 임프린트 장치(10)의 내부 공간은 공조기(미도시)로부터 공급(송풍)되는 기체(100)에 의해 공조된다.
임프린트 장치(10)는 몰드(40)를 유지하는 척(45), 척(45)이 구동될 수 있도록 척(45)을 지지하며 기부(55)에 고정되는 헤드(50), 및 기판(20)을 유지하고 이동시키는 스테이지(30)를 포함한다. 임프린트 장치(10)는 또한 몰드(40)와 기판(20) 사이의 공간(제3 공간)(SP1)에 기체(제2 기체)(GS1)를 공급하는 기체 공급 유닛(제2 공급 유닛)(60), 및 기판 상에 수지를 토출(공급)하는 도포기(70)를 포함한다. 또한, 임프린트 장치(10)는 척(45)을 둘러싸도록 기부(55)와 기판(20) 사이에 배열되는 판형 부재(110)를 포함한다. 또한, 임프린트 장치(10)는 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(제1 공간)(SP2)에 기체(제1 기체)(GS2)를 공급하는 기체 공급 유닛(제1 공급 유닛)(80)을 포함한다.
기체 공급 유닛(80)은 노즐 등을 포함하고, 기체 공급 유닛(60) 외측, 구체적으로 기체 공급 유닛(60)을 둘러싸도록 배열된다. 기체 공급 유닛(80)은 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)으로부터 공간(SP2) 외측의 공간(공간(SP2)으로부터 이격된 공간 및 공간(SP1 및 SP2) 외의 공간)(제2 공간)(SP3)을 향하는 기류가 형성되도록 청정 기체(GS2)를 공급한다. 기체(GS2)는 후술되는 바와 같이, 예를 들어 청정 건조 공기, 헬륨 및 질소 중 적어도 하나를 함유한다.
도 2는 임프린트 장치(10)에서 스테이지(30)에 의해 유지되는 기판(20)의 이동 영역을 설명하기 위한 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 척(45)에 의해 유지되는 몰드(40)를 둘러싸도록 기체(GS1)를 분사하는 노즐(제2 노즐)(60a)이 척(45) 상에 배열된다. 노즐(60a)을 둘러싸도록 기체(GS2)를 분사하는 노즐(제1 노즐)(80a)은 판형 부재(110) 상에 배치된다.
도 2에서, 비교예(도 13)와 마찬가지로, 실선에 의해 표시되는 원은 기판(20)의 중심 샷 영역에 임프린트 처리를 실행할 때의 기판(20)의 위치를 나타낸다. 각각 파선에 의해 표시되는 5개의 원은 기판(20)의 상단부, 하단부, 좌측 단부 및 우측 단부의 샷 영역에 임프린트 처리를 실행할 때의 기판(20)의 위치 및 기판(20)의 상단부의 샷 영역에 수지를 공급할 때의 기판(20)의 위치를 나타낸다. 굵은 일점 쇄선에 의해 표시되는 타원 영역은 기판(20)의 전체면, 즉, 모든 샷 영역에 임프린트 처리를 실행할 때의 기판(20)의 이동 영역을 나타낸다. 판형 부재(110)는 해칭에 의해 표시되는 바와 같이, 스테이지(30)에 의해 유지되는 기판(20)의 이동 영역의 적어도 일부를 덮도록 구성된다. 본 실시예에서, 판형 부재(110)는 도 1에 도시된 바와 같이, 척(45)의 헤드-측 면과 척(45)에 유지되는 몰드(40)의 기판-측 면 사이에 배열된다.
도 3은 기체 공급 유닛(80)(노즐(80a))의 기능을 설명하기 위한 도면이다. 상술된 바와 같이, 임프린트 장치(10)의 내부 공간은 공조기로부터 공급되는 기체(100)에 의해 공조되어, 장치 내에서 발생된 입자(90)가 부유한다. 판형 부재(110)는 스테이지(30)에 의해 유지되는 기판(20)과 대면하도록 설치되고, 기부(55)에 의해 지지된다. 스테이지(30)의 상면, 즉, 기판(20)의 유지면은 기판(20)과 거의 동일한 면을 갖는다. 판형 부재(110)는 헤드(50)에 지지될 수 있다.
상술된 바와 같이, 기체 공급 유닛(80)은 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에 기체(GS2)를 공급한다. 기체 공급 유닛(80)으로부터 공급된 기체(GS2)가 공간(SP2)으로부터 공간(SP3)을 향해 유동하기 때문에, 장치 내를 부유하는 입자(90)가 공간(SP2)으로 유입하는 것을 억제할 수 있다. 장치 내의 입자의 개수가 저감되지 않는 경우에도, 기판(20)의 근방(공간(SP2))에의 입자의 유입이 억제될 수 있기 때문에, 기판(20)에 부착되는 입자의 개수가 저감될 수 있다. 이 방식으로, 임프린트 장치(10)는 공조기 및 ULPA 필터를 포함하는 공조 시스템을 비대화하지 않고, 기판(20)에 부착되는 입자를 저감할 수 있다.
도 3, 도 4 및 도 5를 참조하여, 기체 공급 유닛(80)(노즐(80a))의 바람직한 구성이 설명된다. 도 4에서, 도 3과 비교할 때, 기체 공급 유닛(80)은 판형 부재(110)의 더욱 외측, 즉, 판형 부재(110)의 외부 에지부에 배치된다. 도 4에서, 스테이지(30)는 판형 부재(110)의 중앙에 위치되고, 스테이지(30)의 상면은 기체 공급 유닛(80)의 바로 아래에 존재하지 않는다. 이 경우, 기체 공급 유닛(80)은 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에 기체(GS2)를 공급할 수 없고, 기판(20)의 근방, 구체적으로 공간(SP2)으로의 입자의 유입이 억제될 수 없다. 따라서, 기체 공급 유닛(80)은 스테이지(30)의 상면이 기체 공급 유닛(80) 바로 아래에 항상 존재하도록 배열되는 것이 바람직하다.
기체 공급 유닛(80)의 바로 아래에 스테이지(30)의 상면을 항상 배열하기 위해, 스테이지(30)는 대형화될 필요가 있다. 이는 임프린트 장치(10)의 풋프린트를 증가시킬 수 있다. 따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 스테이지(30)가 이동하는 경우에도, 기체 공급 유닛(80)의 적어도 일부(노즐(80a))이 스테이지(30)와 대면하도록, 기체 공급 유닛(80)이 판형 부재(110) 상에 배열되는 것이 바람직하다. 즉, 임프린트 처리를 실행할 때, 기체 공급 유닛(80)의 적어도 일부가 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에 위치하도록, 기체 공급 유닛(80)이 판형 부재(110) 상에 배열되는 것이 바람직하다. 기체 공급 유닛(80)은 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에 기체(GS2)를 공급할 수 있기 때문에, 장치 내를 부유하는 입자(90)가 공간(SP2)으로 유입하는 것을 억제할 수 있다.
기체 공급 유닛(80)으로부터 공급되는 기체(GS2)의 바람직한 유량에 대해 설명한다. 비교예에서 장치 내의 입자의 개수는 식(5)에 의해 제공된다. 마찬가지로, 본 실시예에 따르는 장치 내의 입자의 개수가 식(5)에 의해 제공되는 것으로 상정한다. 또한, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)의 입자의 개수가 식(5)에 의해 제공되는 것으로 상정한다. 그러나, 공간(SP2)의 입자의 개수를 구할 때, 식(5)의 "장치 내에서 발생되는 입자의 개수[입자의 개수/s]"는 "공간(SP2) 내에서 발생되는 입자의 개수[입자의 개수/s]"로 고쳐진다.
입자의 발생량에 관해, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)이 장치 내에 포함되고, 따라서 공간(SP2) 내에서 발생되는 입자의 개수는 항상 장치 내에서 발생되는 입자의 개수 이하가 된다. 본 실시예에서, 가장 엄격한 조건을 고려하여 공간(SP2) 내에서 발생되는 입자의 개수가 장치 내에서 발생되는 입자의 개수와 동일하다고 상정한다.
이러한 상정에서, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)의 입자의 개수를 장치 내의 입자의 개수보다도 적게 하기 위해, 식(5)에 따라서, 공간(SP2)의 환기 횟수가 장치 내의 환기 횟수보다도 많도록 설정된다. 이 조건을 만족하는 유량을, 기체 공급 유닛(80)으로부터 공급되는 기체(GS2)의 유량으로 설정한다.
식(4)로부터, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)의 환기 횟수는 공간(SP2)에 공급되는 기체(GS2)의 유량[m3/s]/ 공간(SP2)의 체적[m3]에 의해 표현된다. 이와 같이, 공간(SP2)의 환기 횟수는 공간(SP2)의 체적에도 의존한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하여, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)의 체적에 대해서 설명한다. 도 6a 및 도 6b 각각은 판형 부재(110)와 스테이지(30) 사이의 위치 관계를 도시하는 개략적인 평면도 및 개략적인 개략 단면도이다. 도 6a에서, 판형 부재(110), 및 기판(20)과 대략 동일한 면을 갖는 스테이지(30)의 상면이 서로 겹치는 영역이 해칭에 의해 표현된다. 도 6b에서, 판형 부재(110), 및 기판(20)과 대략 동일한 면을 갖는 스테이지(30)의 상면 사이의 간극, 즉 공간(SP2)이 해칭에 의해 표현된다. 해칭에 의해 표현되는 영역은 공간(SP2)의 체적을 나타낸다. 스테이지(30)의 상면이 기판(20)과 대략 동일한 면을 갖고 있지 않는 경우, 판형 부재(110)와 기판(20)이 서로 겹치는 영역은 공간(SP2)의 체적을 나타낸다.
도 6b에 도시된 바와 같이, 기체 공급 유닛(80)의 (노즐(80a)의) 일부가 스테이지(30)로부터 이격되게 이동되는 경우, 기체 공급 유닛(80)으로부터 공급되는 기체(GS2)는 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)의 환기 횟수에 기여하지 않는다. 따라서, 공간(SP2)의 환기 횟수는 공간(SP2)에 공급되는 기체(GS2)의 유량만을 고려해서 획득된다.
상술된 바와 같이, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)의 체적, 및 공간(SP2)에 공급되는 기체(GS2)의 유량은 스테이지(30)의 위치에 의존하여 변화한다. 공간(SP2)의 환기 횟수가 최소가 되는 스테이지(30)의 위치는 미리 획득될 수 있다. 따라서, 환기 횟수가 최소가 되는 스테이지(30)의 위치에서, 공간(SP2)의 환기 횟수가 장치 내의 환기 횟수보다 많아지도록, 기체 공급 유닛(80)으로부터 공급되는 기체(GS2)의 유량을 결정하면 된다.
기체 공급 유닛(80)으로부터 공급되는 청정 기체(GS2)에 대해서 설명한다. 기체(GS2)는 입자가 거의 발생하지 않는 기체이면 충분하고, 예를 들어 청정 건조 공기일 수 있다. 기체 공급 유닛(80)은 필요에 따라, ULPA 필터 또는 라인 필터를 통과시켜 입자를 더욱 저감시킨 청정 건조 공기를 기체(GS2)로서 공급할 수 있다.
기체(GS2)는 입자가 거의 발생하지 않는 기체인 한, 예를 들어 헬륨 또는 질소 등일 수 있다. 광경화법에서 사용되는 몇몇 수지는 주위에 산소가 존재하는 경우 경화되지 않는 성질을 갖는다. 이것은 산소 저해(oxygen inhibition)로 지칭된다. 기체 공급 유닛(80)으로부터 공급되는 기체(GS2)가 산소를 포함하는 경우, 산소 저해를 일으킬 수 있다. 따라서, 기체(GS2)는 바람직하게는 산소를 포함하지 않는 헬륨 또는 질소, 또는 산소를 포함하지 않는 다른 기체이다.
본 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 기체 공급 유닛(80)을 구성하는 노즐(80a)은 몰드(40), 및 기체 공급 유닛(60)을 구성하는 노즐(60a)을 연속적으로 둘러싸는 대략 정사각형 형상으로 판형 부재(110) 상에 배치된다. 그러나, 노즐(80a)은 항상 몰드(40) 및 노즐(60a)을 연속적으로 둘러쌀 필요는 없고, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에의 입자의 유입이 억제될 수 있는 한 그 일부가 불연속적일 수 있다. 이 경우, 노즐(80a)이 불연속적이도록 허용되는 부분, 위치, 등은 실험 또는 시뮬레이션에 의해 미리 획득된다. 노즐(80a)은 대략 정사각형 형상으로 한정되지 않고, 대략 원 형상, 또는 임의의 폐쇄된 곡선 형상으로 판형 부재(110) 상에 배치될 수 있다.
도 7을 참조하여, 기체 공급 유닛(80)을 구성하는 노즐(80a)의 일예를 설명한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 노즐(80a)은 원통형 단면을 갖는 파이프를 대략 정사각형 형상으로 절곡한 노즐 부재(81)에, 기체(GS2)를 분사하기 위한 구멍(82)을 형성함으로써 구성된다. 노즐 부재(81)는 기체(GS2)의 공급원(미도시)에 접속되고, 공급원으로부터의 기체(GS2)가 노즐 부재(81)를 개재하여 구멍(82)으로부터 분사된다. 노즐 부재(81)는 도 7에서 단일 부재이지만, 복수의 부재가 조합되어 대략 폐쇄된 곡선 형상을 형성할 수 있는 한 복수의 부재에 의해 구성될 수 있다.
본 실시예에서, 노즐 부재(81)는 금속 파이프, 예를 들어 전해 연마된 스테인리스 파이프, 소위, EP 파이프이다. 그러나, 노즐 부재(81)는 입자를 발생시키지 않는 부재에 의해 구성될 수 있고, 수지 파이프 또는 세라믹스 파이프에 의해 구성될 수 있다.
노즐 부재(81)에 구멍(82)을 형성함으로써 버어가 발생하는 경우, 버어는 구멍(82)으로부터 기체(GS2)를 분사할 때에 먼지 발생원이 될 수 있다. 노즐 부재(81)에 형성된 구멍(82) 주위 표면이 거친 경우, 입자가 포획되어 곧바로 또는 이후에 부유할 수 있다. 따라서, 노즐 부재(81)에 구멍(82)을 형성한 후 버어를 제거하고 표면의 거칠기를 저감하기 위해 노즐 부재(81)를 연마하는 것이 바람직하다. 이 연마는 예를 들어, 기계적 연마, 전해 연마, 또는 화학적 연마를 포함한다.
도 7에서, 노즐 부재(81)는 금속 파이프에 네 부분이 대략 90°로 절곡되는 구조를 갖는다. 작은 균열이 금속 파이프의 절곡부 내측에 발생되어 먼지 발생원으로서 기능할 수 있기 때문에, 금속 파이프의 절곡부의 개수는 적은 것이 바람직하다. 금속 파이프의 절곡부 내측의 균열의 발생을 저감하기 위해, 금속 파이프의 굽힘 각도를 둔각이 되도록 증가시키고 곡률을 증가시키는 것이 바람직하다.
노즐 부재(81)는 금속 파이프를 절곡하는 것이 아닌, 복수의 금속 파이프를 용접하는 것에 의해 구성될 수 있다. 이 경우, 금속 파이프를 절곡한 부분 내측에 균열(먼지 발생원)이 발생하지 않지만, 금속 파이프를 용접할 때의 연무(fume)가 입자로서 발생될 수 있어 이에 대한 대책이 필요하다.
도 7에서, 구멍(82)은 동일한 직경 및 피치로 노즐 부재(81)에 일렬로 형성된다. 그러나, 노즐 부재(81)에 형성되는 구멍(82)은 일렬일 필요는 없고, 복수개의 열일 수 있다. 구멍(82)은 동일한 직경을 가질 필요는 없고, 여러 개의 직경이 공존할 수 있다. 따라서, 구멍(82)으로부터 분사되는 기체(GS2)의 유량이 조정될 수 있다. 또한, 구멍(82)은 동일한 피치를 가질 필요는 없고, 여러 개의 피치가 공존할 수 있다. 구멍(82)으로부터 분사되는 기체(GS2)의 유량의 불균일성이 조정될 수 있다. 노즐 부재(81)에 형성되는 구멍(82)의 개수, 직경, 및 피치는 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에의 입자의 유입을 억제할 수 있도록 실험, 시뮬레이션 등의 결과에 기초하여 미리 결정될 수 있다.
도 8을 참조하여, 기체 공급 유닛(80)을 구성하는 노즐(80a)의 다른 예에 대해서 설명한다. 도 8에서, 노즐(80a)은 오목한 단면을 갖는 노즐 홈 부재(85) 및 판상 노즐 덮개 부재(86)를 포함하는 노즐 부재(83)에 의해 구성된다. 노즐(80a)은 직사각형 단면을 갖는다. 노즐 덮개 부재(86)에는 기체(GS2)를 분사하기 위한 구멍(84)이 형성된다. 노즐 부재(83)는 기체(GS2)의 공급원(미도시)에 연결되고, 공급원으로부터의 기체(GS2)가 노즐 부재(83)(노즐 홈 부재(85) 및 노즐 덮개 부재(86))를 개재하여 구멍(84)으로부터 분사된다. 도 8에서 노즐 부재(83)는 한 쌍의 노즐 홈 부재(85) 및 노즐 덮개 부재(86)에 의해 구성되지만, 대략 폐쇄된 곡선 형상이 형성될 수 있는 한, 노즐 홈 부재(85) 및 노즐 덮개 부재(86) 각각의 쌍의 복수개를 조합하여 구성될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 노즐 홈 부재(85), 및 구멍(84)이 형성된 노즐 덮개 부재(86)에 의해 노즐 부재(83)를 구성함으로써, 상술된 금속 파이프의 절곡부 내측의 균열 및 금속 파이프 용접시 연무의 발생이 방지될 수 있다. 금속 파이프가 사용되지 않기 때문에, 기계 가공에 대한 제약이 완화된다. 기체(GS2)가 분사되는 넓은 면적을 갖는 노즐 부재(83)는 노즐 홈 부재(85)의 홈(폭)을 확장하고 노즐 덮개 부재(86)에 많은 구멍(84)을 형성함으로써 구성될 수 있다. 이는 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에의 입자의 유입을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
노즐 부재(83)는 노즐 홈 부재(85) 및 노즐 덮개 부재(86)를 간극없이 서로 밀착시켜 구성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 노즐 홈 부재(85)와 노즐 덮개 부재(86)는 접착제 또는 확산 접합을 사용하여 밀착될 수 있다. 이는 노즐 덮개 부재(86)에 형성된 구멍(84)을 제외한 부분(구멍 이외)으로부터 기체(GS2)의 의도하지 않은 누설을 방지할 수 있고, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에의 입자의 유입을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
그러나, 노즐 홈 부재(85) 및 노즐 덮개 부재(86)는 항상 서로 밀착될 필요는 없다. 노즐 홈 부재(85)와 노즐 덮개 부재(86) 사이의 간극으로부터 누출되는 기체(GS2)의 유량이 노즐 덮개 부재(86)에 형성된 구멍(84)으로부터 분사되는 기체(GS2)의 유량에 대해 무시할 수 있는 경우, 이 간극은 허용될 수 있다. 이 경우, 노즐 홈 부재(85) 및 노즐 덮개 부재(86)는 나사 고정될 수 있고, 또는 노즐 덮개 부재(86)가 판형 부재(미도시)와 노즐 홈 부재(85) 사이에 개재될 수 있다. 노즐 홈 부재(85)와 노즐 덮개 부재(86) 사이의 간극으로부터 누출되는 기체(GS2)의 유량이 무시할 수 있는지 여부는 실험, 시뮬레이션 등에 의해 미리 확인될 수 있는 점에 유의한다.
도 9를 참조하여, 판형 부재(110)의 기능을 설명한다. 도 9에서, 굵은 일점 쇄선에 의해 표시되는 타원은 스테이지(30)에 의해 유지되는 기판(20)의 이동 영역을 나타낸다. 판형 부재(110)는 스테이지(30)에 의해 유지되는 기판(20)의 이동 영역 전체를 덮도록 구성되는 것이 바람직하다. 판형 부재(110)는 기판(20)의 이동 영역 이외의 영역을 덮을 필요는 없다. 그러나, 기판(20)의 이동 영역은 넓고, 이러한 넓은 영역을 단지 판형 부재(110)에 의해 덮는 것은 현실적이지 않다. 따라서, 기판(20)의 이동 영역에서 판형 부재(110)에 의해 덮이는 영역은 임프린트 처리의 각각의 단계에서 기판(20)의 체류 시간을 고려하여 결정되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서, 판형 부재(110)는 기판(20)의 이동 영역의 적어도 일부를 덮도록 구성된다.
임프린트 장치(10)는 장치 내에 기판(20)이 체류하는 동안에, 즉, 임프린트 처리에서, 수지에 의해 몰드(40)의 패턴을 충전하는 처리를 위한 가장 긴 시간(이후, "충전 시간"으로 지칭됨)을 필요로 한다. 임프린트 처리에서 수지를 기판(20)에 공급하기 위해, 임프린트 장치(10)는 또한 임프린트 처리에서 수지를 기판(20)에 공급하기 위해 몰드(40) 아래의 임프린트 위치와 도포기(70)의 공급 위치 사이를 왕복하는 처리를 위한 시간(이후, "도포 시간"으로 지칭됨)을 필요로 한다.
도 9에서, 판형 부재(110)는 몰드(40)(척(45))의 중심 및 기판(20)의 중심이 서로 일치하는 상태에서 기판(20)의 몰드-측 전체면을 덮도록 구성된다. 더 구체적으로, 판형 부재(110)는 파선에 의해 표시된 바와 같이, 기판(20)의 직경과 동일한 길이의 한 변을 갖는 직사각형의 외형, 상세하게는 정사각형의 외형을 갖는다.
여기서, 도포 시간과 충전 시간의 비를 1대 10으로 상정하면, 판형 부재(110)가 기판(20)을 덮는 시간은 임프린트 처리에 필요한 시간의 약 90%이다. 임프린트 처리의 시간에 비례하여 입자가 기판(20)에 부착된다고 상정하면, 도 9에 도시한 바와 같은 정사각형의 외형을 갖는 판형 부재(110)는 90%의 입자 부착 저감 효과를 실현할 수 있다. 도포 시간과 충전 시간과의 비를 1대 1로 상정하면, 판형 부재(110)가 기판(20)을 덮는 시간은 임프린트 처리에 필요한 시간의 약 80%이다. 임프린트 처리의 시간에 비례하여 입자가 기판(20)에 부착된다고 상정하면, 도 9에 도시한 바와 같은 정사각형의 외형을 갖는 판형 부재(110)는 80%의 입자 부착 저감 효과를 실현할 수 있다. 도포 시간과 충전 시간과의 비가 작아질수록, 판형 부재(110)는 기판(20)의 이동 영역 중 도포기 측의 영역까지 덮도록 구성되는 것이 바람직하다.
본 실시예에서 판형 부재(110)는 헤드(50)와 상이한 부재에 의해 구성되고 기부(55)에 의해 지지되지만, 헤드(50)와 동일 부재에 의해, 즉, 헤드(50)의 일부로서 구성될 수 있다. 판형 부재(110)는 기체 공급 유닛(80)과 동일 부재, 즉, 기체 공급 유닛(80)의 일부로서 구성될 수 있다.
제1 실시예에 따르는 임프린트 장치(10)에서, 판형 부재(110)는 판형 부재(110)와 기판(20) 사이에 공간(SP2)을 규정하고, 공간(SP2)으로부터 공간(SP3)을 향하는 기류가 형성되도록, 기체 공급 유닛(80)으로부터 공간(SP2)까지 기체(GS2)가 공급된다. 임프린트 장치(10)에서, 장치 내를 부유하는 입자(90)의 공간(SP2)으로의 유입이 억제되고, 따라서 기판(20)에 부착되는 입자의 개수가 저감된다. 따라서, 임프린트 장치(10)는 패턴 결함을 저감하고, 높은 처리량 및 낮은 가격으로 고품질의 디바이스(반도체 디바이스, 자기 기억 매체, 또는 액정 표시 소자)와 같은 물품을 제공할 수 있다.
<제2 실시예>
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치(10)의 구성을 도시하는 개략도이다. 본 실시예에서, 임프린트 장치(10)는 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)의 기체를 배기하는 배기 유닛(120)을 갖는다. 제1 실시예에서 설명된 바와 같이, 기체 공급 유닛(80)은 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에의 입자의 유입 억제에 효과적이다. 제1 실시예에 따르면, 입자가 기체 공급 유닛(80)의 내측에 발생되는 경우, 입자가 기판(20)에 부착될 수 있다. 마찬가지로, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에 입자가 유입하는 경우, 입자가 기판(20)에 부착될 수 있다.
제2 실시예에 따르면, 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)의 기체를 배기하기 위해 배기 유닛(120)이 기체 공급 유닛(80) 내측에 설치된다. 배기 유닛(120)은 공간(SP2)의 기체를 배기하기 위해 척(45)의 측면과 판형 부재(110) 사이에 형성되는 배기구(120a)를 포함한다. 배기 유닛(120)은 기체 공급 유닛(80)의 내측에서 발생한 입자 및 공간(SP2)에 유입한 입자를 포함하는 기체를 배기구(120a)를 개재하여 임프린트 장치(10)로부터 배기한다. 이와 같이, 본 실시예에 따르는 임프린트 장치(10)는 공간(SP2)에의 입자의 유입을 억제하고, 기체 공급 유닛(80)의 내측에서 발생된 입자 및 공간(SP2)에 유입한 입자가 기판(20)에 부착되는 것을 저감할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 배기 유닛(120)의 배기구(120a)는 척(45)을 둘러싸도록 하나의 개구에 의해 구성된다. 그러나, 배기구(120a)는 하나의 개구에 의해 구성될 필요는 없고, 복수의 개구에 의해 구성될 수 있다. 대안적으로, 배기 노즐은 개별적으로 구성될 수 있다. 그러나, 몰드(40) 및 기체 공급 유닛(60)이 기체 공급 유닛(80)의 내측에 배치되고, 따라서, 공간적 제약 하에 배기 노즐을 배열하는 것은 어렵다. 따라서, 본 실시예에서, 배기구(120a)는 척(45)을 둘러싸도록 기체 공급 유닛(80)의 내측에, 그리고 몰드(40) 및 기체 공급 유닛(60)의 외측에 배열된다. 공간적 제약을 피하면서, 기체 공급 유닛(80) 및 배기 유닛(120)이 배열될 수 있다.
기체 공급 유닛(80)의 내측에서 입자가 발생되는 경우 또는 판형 부재(110)와 기판(20) 사이의 공간(SP2)에 입자가 유입되는 경우에도, 제2 실시예의 임프린트 장치(10)는 입자가 기판(20)에 부착되는 것을 저감할 수 있다.
<제3 실시예>
도 11을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따르는 임프린트 장치(10)의 구성을 설명한다. 본 실시예에서, 기체 공급 유닛(80)을 구성하는 노즐(80a)은 척(45) 및 도포기(70)의 외측, 즉, 척(45) 및 도포기(70)를 포함하는 영역을 둘러싸도록 배열된다. 도포기(70)는 일반적으로 척(45)으로부터 간격을 두고 배열된다. 척(45)과 도포기(70) 사이의 영역에 노즐(80a)의 일부가 배치되는 경우(도 2), 도포기(70)로부터 수지가 공급되는 기판(20)은 몰드(40) 바로 아래의 임프린트 위치까지 이동할 때까지 노즐(80a) 아래를 통과한다. 이때, 기판 상의 수지는 노즐(80a)로부터 분사되는 기체(GS2)의 영향을 받을 수 있다.
본 실시예에서, 노즐(80a)은 척(45) 및 도포기(70)를 포함하는 영역을 둘러싸도록 배열되어, 노즐(80a)로부터 분사되는 기체(GS2)는 기판 상의 수지와 접촉하지 않고 기판 상의 수지는 기체(GS2)의 영향을 받지 않는다.
제3 실시예에 따르는 임프린트 장치(10)는 기판 상의 수지가 기체(GS2)의 영향을 받는 것을 억제하면서, 장치 내를 부유하는 입자(90)가 공간(SP2)에 유입하는 것을 억제하고, 기판(20)에 부착되는 입자의 개수를 저감할 수 있다.
<제4 실시예>
물품으로서의 디바이스(예를 들어, 반도체 디바이스, 자기 기억 매체, 또는 액정 표시 소자)의 제조 방법에 대해 설명한다. 이 제조 방법은 임프린트 장치(10)를 사용하여 패턴을 기판(예를 들어, 웨이퍼, 유리판, 또는 필름 기판)에 형성하는 단계를 포함한다. 이 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 더 포함한다. 처리 단계는 패턴의 잔여막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 방법은 패턴을 마스크로 사용하여 기판을 에칭하는 단계 등의 다른 공지된 단계를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 따르는 물품의 제조 방법은 종래 기술에 비해, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나의 관점에서 유리하다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 청구범위의 범주는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.

Claims (15)

  1. 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 실행하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드를 유지하도록 구성되는 척,
    상기 척을 구동 가능하게 지지하도록 구성되는 헤드로서, 기부에 고정되는 헤드,
    상기 척을 둘러싸도록 상기 기부와 상기 기판 사이에 배치된 판형 부재, 및
    상기 판형 부재와 기판 스테이지 사이의 제1 공간에 제1 기체를 공급하도록 구성된 제1 공급 유닛, 및
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 공간에 상기 제1 기체와는 다른 제2 기체를 공급하도록 구성된 제2 공급 유닛을 포함하고,
    상기 제1 공급 유닛은, 상기 제1 기체를 분사하도록 구성된 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 노즐의 위치로부터 제2 공간을 향하는 기류를 상기 제1 공간에 형성하고, 상기 제2 공간과 상기 몰드는 상기 제1 노즐의 위치를 기준으로 서로 반대측 상에 있고,
    상기 제2 공급 유닛은, 상기 제2 기체를 분사하도록 구성된 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 노즐의 위치로부터 상기 몰드와 상기 기판 사이의 공간을 향하는 기류를 형성하고,
    상기 제2 노즐과 상기 제1 노즐은, 상기 몰드의 중심으로부터 상기 제2 공간으로 순서대로 배열되고,
    상기 판형 부재는, 상기 척의 중심과 상기 기판의 중심이 서로 일치하는 상태에서 상기 기판의 상기 몰드 측의 전체면을 덮는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 판형 부재는 상기 척의 상기 헤드 측 상의 면과 상기 척에 의해 유지되는 상기 몰드의 상기 기판 측의 면 사이에 배열되는, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 유지하고 이동시키도록 구성된 상기 기판 스테이지를 더 포함하고,
    상기 판형 부재는 상기 기판 스테이지에 의해 유지되는 상기 기판의 이동 영역의 적어도 일부를 덮는, 임프린트 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 판형 부재는 상기 기판의 직경과 동일한 길이의 한 변을 갖는 직사각형 외형을 갖는, 임프린트 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 노즐의 적어도 일부는, 상기 임프린트 처리를 실행할 때 상기 기판 상에 위치하는, 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공간을 배기하도록 구성되는 배기 유닛을 더 포함하는, 임프린트 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 배기 유닛은 상기 척의 측면과 상기 판형 부재 사이에서, 상기 제1 공간을 배기하도록 구성되는 배기구를 포함하는, 임프린트 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 척으로부터 간격을 두고 배열되며 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 토출하도록 구성되는 도포기를 더 포함하고,
    상기 제1 공급 유닛은 상기 척과 상기 도포기를 포함하는 영역을 둘러싸도록 배열되는, 임프린트 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기체는 청정 건조 공기, 헬륨, 및 질소 중 하나 이상을 포함하는, 임프린트 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제2 기체는 헬륨을 포함하는, 임프린트 장치.
  14. 물품 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 패턴이 위에 형성된 상기 기판을 가공하여 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는 몰드를 사용하여 상기 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 실행하고,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 몰드를 유지하도록 구성되는 척,
    상기 척을 구동 가능하게 지지하도록 구성되는 헤드로서, 기부에 고정되는 헤드,
    상기 척을 둘러싸도록 상기 기부와 상기 기판 사이에 배치된 판형 부재, 및
    상기 판형 부재와 기판 스테이지 사이의 제1 공간에 제1 기체를 공급하도록 구성된 제1 공급 유닛, 및
    상기 몰드와 상기 기판 사이의 공간에 상기 제1 기체와는 다른 제2 기체를 공급하도록 구성된 제2 공급 유닛을 포함하고,
    상기 제1 공급 유닛은, 상기 제1 기체를 분사하도록 구성된 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 노즐의 위치로부터 제2 공간을 향하는 기류를 상기 제1 공간에 형성하고, 상기 제2 공간과 상기 몰드는 상기 제1 노즐의 위치를 기준으로 서로 반대측 상에 있고,
    상기 제2 공급 유닛은, 상기 제2 기체를 분사하도록 구성된 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 노즐의 위치로부터 상기 몰드와 상기 기판 사이의 공간을 향하는 기류를 형성하고,
    상기 제2 노즐과 상기 제1 노즐은, 상기 몰드의 중심으로부터 상기 제2 공간으로 순서대로 배열되고,
    상기 판형 부재는, 상기 척의 중심과 상기 기판의 중심이 서로 일치하는 상태에서 상기 기판의 상기 몰드 측의 전체면을 덮는, 물품 제조 방법.
  15. 삭제
KR1020150164552A 2014-12-02 2015-11-24 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 KR102010620B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-244381 2014-12-02
JP2014244381A JP6525567B2 (ja) 2014-12-02 2014-12-02 インプリント装置及び物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160066499A KR20160066499A (ko) 2016-06-10
KR102010620B1 true KR102010620B1 (ko) 2019-08-13

Family

ID=56078600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150164552A KR102010620B1 (ko) 2014-12-02 2015-11-24 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10423064B2 (ko)
JP (1) JP6525567B2 (ko)
KR (1) KR102010620B1 (ko)
CN (1) CN105652591B (ko)
TW (1) TWI576896B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6821414B2 (ja) * 2016-12-13 2021-01-27 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び物品の製造方法
CN107479324A (zh) * 2017-08-31 2017-12-15 无锡英普林纳米科技有限公司 一种能够进行空气循环的纳米压印设备
US10895806B2 (en) * 2017-09-29 2021-01-19 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting method and apparatus
JP7064310B2 (ja) * 2017-10-24 2022-05-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品製造方法
JP7210155B2 (ja) * 2018-04-16 2023-01-23 キヤノン株式会社 装置、方法、および物品製造方法
JP7187180B2 (ja) 2018-05-31 2022-12-12 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP2022092734A (ja) * 2020-12-11 2022-06-23 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、およびコンピュータプログラム

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5997963A (en) 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
US20050264132A1 (en) 1999-10-29 2005-12-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Apparatus to control displacement of a body spaced-apart from a surface
US20060033898A1 (en) 2004-08-13 2006-02-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20100085555A1 (en) * 2008-10-02 2010-04-08 Molecular Imprints, Inc. In-Situ Cleaning of an Imprint Lithography Tool
WO2013042350A1 (en) 2011-09-21 2013-03-28 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and article manufacturing method using same
US20130320589A1 (en) 2012-06-01 2013-12-05 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3694433B2 (ja) * 1999-07-30 2005-09-14 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US20030070620A1 (en) * 2001-10-15 2003-04-17 Cooperberg David J. Tunable multi-zone gas injection system
DE102004001242A1 (de) * 2003-01-07 2004-12-23 Hitachi Maxell, Ltd., Ibaraki Aufdruck-Herstellungsverfahren und Vorrichtung, magnetisches Aufzeichnungsmedium und dessen Herstellungsvorrichtung
US7374864B2 (en) * 2003-02-13 2008-05-20 The Regents Of The University Of Michigan Combined nanoimprinting and photolithography for micro and nano devices fabrication
US7090716B2 (en) 2003-10-02 2006-08-15 Molecular Imprints, Inc. Single phase fluid imprint lithography method
KR100558754B1 (ko) * 2004-02-24 2006-03-10 한국기계연구원 Ｕｖ 나노임프린트 리소그래피 공정 및 이 공정을수행하는 장치
US7641468B2 (en) * 2004-09-01 2010-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography apparatus and method employing an effective pressure
US7202934B2 (en) * 2004-12-20 2007-04-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7611348B2 (en) * 2005-04-19 2009-11-03 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7316554B2 (en) * 2005-09-21 2008-01-08 Molecular Imprints, Inc. System to control an atmosphere between a body and a substrate
US7462028B2 (en) * 2006-04-03 2008-12-09 Molecular Imprints, Inc. Partial vacuum environment imprinting
US7955516B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-07 Applied Materials, Inc. Etching of nano-imprint templates using an etch reactor
US8749753B2 (en) * 2007-04-27 2014-06-10 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and optical system unit, and device manufacturing method
NL1036596A1 (nl) * 2008-02-21 2009-08-24 Asml Holding Nv Re-flow and buffer system for immersion lithography.
JP5121549B2 (ja) * 2008-04-21 2013-01-16 株式会社東芝 ナノインプリント方法
JP5235506B2 (ja) * 2008-06-02 2013-07-10 キヤノン株式会社 パターン転写装置及びデバイス製造方法
JP2010067796A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Canon Inc インプリント装置
US20100109195A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Molecular Imprints, Inc. Release agent partition control in imprint lithography
US20110140304A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template
JP5848263B2 (ja) * 2010-02-09 2016-01-27 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノインプリントのためのプロセスガス閉じ込め
JP5506461B2 (ja) * 2010-03-05 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置及び超臨界処理方法
JP5539113B2 (ja) 2010-08-30 2014-07-02 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP5679850B2 (ja) * 2011-02-07 2015-03-04 キヤノン株式会社 インプリント装置、および、物品の製造方法
JP2013026573A (ja) 2011-07-25 2013-02-04 Canon Inc インプリント装置、および、物品の製造方法
US8748708B2 (en) * 2011-08-11 2014-06-10 Monsanto Technology Llc Soybean variety A1026552
JP6088178B2 (ja) * 2011-10-07 2017-03-01 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP5882922B2 (ja) * 2012-01-19 2016-03-09 キヤノン株式会社 インプリント方法、およびインプリント装置
JP5868215B2 (ja) * 2012-02-27 2016-02-24 キヤノン株式会社 インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
JP5869923B2 (ja) * 2012-03-09 2016-02-24 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6180131B2 (ja) * 2012-03-19 2017-08-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP5776631B2 (ja) * 2012-06-04 2015-09-09 ウシオ電機株式会社 テンプレート洗浄方法、パターン形成方法、光洗浄装置およびナノインプリント装置
NL2011261A (en) * 2012-08-20 2014-02-24 Asml Netherlands Bv Method of preparing a pattern, method of forming a mask set, device manufacturing method and computer program.
JP6064466B2 (ja) * 2012-09-11 2017-01-25 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびそれを実施するためのインプリント装置
JP5949430B2 (ja) * 2012-10-18 2016-07-06 富士通株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
US9632433B2 (en) * 2012-10-31 2017-04-25 Asml Holding N.V. Patterning device support, lithographic apparatus, and method of controlling patterning device temperature
JP6035166B2 (ja) * 2013-02-26 2016-11-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6476369B2 (ja) * 2013-03-25 2019-03-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6230041B2 (ja) * 2013-04-18 2017-11-15 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP6313591B2 (ja) * 2013-12-20 2018-04-18 キヤノン株式会社 インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法
JP6628491B2 (ja) * 2015-04-13 2020-01-08 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2017157641A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
KR102369538B1 (ko) * 2017-09-28 2022-03-03 캐논 가부시끼가이샤 성형 장치 및 물품 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5997963A (en) 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
US20050264132A1 (en) 1999-10-29 2005-12-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Apparatus to control displacement of a body spaced-apart from a surface
US20060033898A1 (en) 2004-08-13 2006-02-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20100085555A1 (en) * 2008-10-02 2010-04-08 Molecular Imprints, Inc. In-Situ Cleaning of an Imprint Lithography Tool
WO2013042350A1 (en) 2011-09-21 2013-03-28 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and article manufacturing method using same
US20130320589A1 (en) 2012-06-01 2013-12-05 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article

Also Published As

Publication number Publication date
US20160151961A1 (en) 2016-06-02
JP6525567B2 (ja) 2019-06-05
JP2016111062A (ja) 2016-06-20
KR20160066499A (ko) 2016-06-10
US10423064B2 (en) 2019-09-24
CN105652591B (zh) 2020-04-28
TWI576896B (zh) 2017-04-01
CN105652591A (zh) 2016-06-08
TW201630044A (zh) 2016-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102010620B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
JP6313591B2 (ja) インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法
US10101663B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
KR101100486B1 (ko) 부상식 기판 반송 처리 장치
JP5865340B2 (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
US11648712B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP2010155297A (ja) 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置
CN101250680A (zh) 等离子体处理容器内部件以及等离子体处理装置
KR102049240B1 (ko) 임프린트 장치, 물품의 제조 방법 및 공급 장치
JP2017208424A (ja) インプリント装置、及び物品の製造方法
JP2005093794A (ja) 基板処理装置
KR20080102370A (ko) 기판의 처리 방법 및 컴퓨터 독취 가능한 기억 매체 기술 분야
JP2019125745A (ja) モールドを用いて基板上の組成物を成形する成形装置及び物品の製造方法
JP2014013804A (ja) 塗布処理装置、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102081527B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR100783730B1 (ko) 포토마스크 건식세정장치 및 건식세정방법
JP7502110B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2017147277A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP4420724B2 (ja) 液状物質の塗布装置
KR102415297B1 (ko) 기판 코팅 장치
JP2015204313A (ja) インプリント装置、プレート及び物品の製造方法
KR102323080B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP6081934B2 (ja) 処理液ノズル及び塗布処理装置
KR102115169B1 (ko) 기판처리장치
KR20090001395A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant