KR101996091B1 - 액정 폴리에스테르 조성물 - Google Patents
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Abstract
(과제) 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성이 우수한 성형체, 그 성형체를 구비한 발광 장치, 그리고 그 성형체를 얻기 위한 액정 폴리에스테르 조성물의 제공.
(해결 수단) 성분 (A) 액정 폴리에스테르와, 성분 (B) 알루미나 미립자와, 성분 (C) 산화티탄 미립자와, 성분 (D) 전기 절연성 재료로 이루어지는 판상 필러와, 성분 (E) 전기 절연성 재료로 이루어지는 섬유상 필러를 함유하고, 성분 (B) 의 함유량 (질량) 이, 성분 (C), (D) 및 (E) 의 합계 함유량 (질량) 보다 많은 액정 폴리에스테르 조성물 ; 그 액정 폴리에스테르 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체 ; 그리고, 그 성형체로서의 반사판과 발광 소자를 구비한 발광 장치.
(해결 수단) 성분 (A) 액정 폴리에스테르와, 성분 (B) 알루미나 미립자와, 성분 (C) 산화티탄 미립자와, 성분 (D) 전기 절연성 재료로 이루어지는 판상 필러와, 성분 (E) 전기 절연성 재료로 이루어지는 섬유상 필러를 함유하고, 성분 (B) 의 함유량 (질량) 이, 성분 (C), (D) 및 (E) 의 합계 함유량 (질량) 보다 많은 액정 폴리에스테르 조성물 ; 그 액정 폴리에스테르 조성물을 성형하여 이루어지는 성형체 ; 그리고, 그 성형체로서의 반사판과 발광 소자를 구비한 발광 장치.
Description
본 발명은 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성이 균형적이고 우수한 성형체, 그 성형체를 구비한 발광 장치, 그리고 그 성형체를 얻기 위한 액정 폴리에스테르 조성물에 관한 것이다.
LED 와 같은 발광 소자와, 광을 반사시키기 위한 반사판을 구비한 발광 장치에 있어서, 반사판의 대부분은, 가공성이나 경량성의 관점에서 수지제의 반사판이다. 그 수지로서, 액정 폴리머, 특히 액정 폴리에스테르가 검토되고 있다. 반사판에는, (1) 발광 소자가 발생시키는 열을 양호하게 방출하기 위한 방열성과, (2) 발광 장치가 양호한 휘도를 갖기 위한 광 반사성과, (3) 우수한 치수 안정성이 요구된다.
반사판용의 수지로서, 일본 특허공보 평6-38520호나 일본 공개특허공보 2007-254669호에는, 액정 폴리에스테르와 산화티탄 필러를 함유하는 액정 폴리에스테르 조성물이 개시되어 있고, 일본 공개특허공보 2009-127026호에는, 액정 폴리에스테르와 알루미나 필러를 함유하는 액정 폴리에스테르 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 액정 폴리에스테르와 산화티탄 필러를 함유하는 전자의 액정 폴리에스테르 조성물로 이루어지는 반사판이나, 액정 폴리에스테르와 알루미나 필러를 함유하는 후자의 액정 폴리에스테르 조성물로 이루어지는 반사판은, 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성이 불충분하다는 문제점을 갖는다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성이 우수한 성형체, 그 성형체를 구비한 발광 장치, 그리고 그 성형체를 얻기 위한 액정 폴리에스테르 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 하기의 성분 (A), (B), (C), (D) 및 (E) 를 함유하고, 성분 (B) 의 함유량 (질량) 이, 성분 (C), (D) 및 (E) 의 합계 함유량 (질량) 보다 많은 액정 폴리에스테르 조성물이다 :
(A) 액정 폴리에스테르 ;
(B) 알루미나 미립자 ;
(C) 산화티탄 미립자 ;
(D) 전기 절연성 재료로 이루어지는 판상 필러 ; 및
(E) 전기 절연성 재료로 이루어지는 섬유상 필러.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서, 성분 (B) 와 (C) 와 (D) 와 (E) 의 합계 함유량은, 성분 (A) 의 함유량 100 질량부에 대하여, 150 질량부 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서, 성분 (B) 의, 레이저 회절 산란에 의해 측정되는 입경 분포는 이봉성(二峰性)인 것이 바람직하다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서, 성분 (B) 의, 레이저 회절 산란에 의해 측정되는 입경 분포는, 체적 평균 입경 1 ∼ 5 ㎛ 의 범위 및 체적 평균 입경 0.1 ∼ 1 ㎛ 의 범위 각각에 1 개의 극대값을 갖는 이봉성인 것이 바람직하다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서, 성분 (C) 는, 체적 평균 입경 0.10 ㎛ 이상의 산화티탄 미립자인 것이 바람직하다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서, 성분 (D) 의 함유량은, 성분 (A) 의 함유량 100 질량부에 대하여, 1 ∼ 9 질량부인 것이 바람직하다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서, 성분 (D) 는 탤크인 것이 바람직하다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서, 상기 탤크의 장축의 체적 평균 입경은, 15 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서, 성분 (A) 는, 유동 개시 온도 280 ℃ 이상의 액정 폴리에스테르인 것이 바람직하다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서, 성분 (A) 는, p-하이드록시벤조산 및/또는 6-하이드록시-2-나프토산에서 유래하는 반복 단위 (Ⅰ) 30 ∼ 80 단위와, 하이드로퀴논 및/또는 4,4'-디하이드록시비페닐에서 유래하는 반복 단위 (Ⅱ) 10 ∼ 35 단위와, 테레프탈산, 이소프탈산 및 2,6-나프탈렌디카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상에서 유래하는 반복 단위 (Ⅲ) 10 ∼ 35 단위를 함유하는 것이 바람직하다 (반복 단위 (Ⅰ) 과 (Ⅱ) 와 (Ⅲ) 의 합계를 100 단위로 한다).
또한, 본 발명은, 상기의 액정 폴리에스테르 조성물로 이루어지는 성형체이다.
본 발명의 성형체에 있어서, 성형체는 사출 성형체인 것이 바람직하다.
본 발명의 성형체에 있어서, 성형체는 반사판인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은, 상기의 반사판과 발광 소자를 구비한 발광 장치이다.
본 발명의 발광 장치에 있어서, 발광 소자는 LED 인 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성이 균형적이고 우수한 성형체, 그 성형체를 구비한 발광 장치, 그리고 그 성형체를 얻기 위한 액정 폴리에스테르 조성물이 제공된다.
도 1 은 성분 (B) 의, 레이저 회절 산란 측정에 의해 구한 이봉성의 입경 분포의 개요 (제 1 예) 를 나타내는 모식도이다.
도 2 는 성분 (B) 의, 레이저 회절 산란 측정에 의해 구한 이봉성의 입경 분포의 개요 (제 2 예) 를 나타내는 모식도이다.
도 3 은 판상 필러 1 개를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2 는 성분 (B) 의, 레이저 회절 산란 측정에 의해 구한 이봉성의 입경 분포의 개요 (제 2 예) 를 나타내는 모식도이다.
도 3 은 판상 필러 1 개를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
<액정 폴리에스테르 조성물>
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물은, 성분 (A), (B), (C), (D) 및 (E) 를 함유하고, 성분 (B) 의 함유량 (질량) 이, 성분 (C), (D) 및 (E) 의 합계 함유량 (질량) 보다 많은 것을 특징으로 한다.
이 특징에 기초하여, 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성이 균형적이고 우수한 성형체가 얻어진다.
[성분 (A)]
성분 (A) 의 액정 폴리에스테르는, 용융 상태에서 액정성을 나타내는 액정 폴리에스테르를 의미하고, 450 ℃ 이하에서 용융되는 액정 폴리에스테르가 바람직하다. 본 발명에 있어서의 「액정 폴리에스테르」는, 에스테르 결합이 각 반복 단위 중에 존재하는 액정 폴리머뿐만 아니라, (1) 에스테르 결합과 아미드 결합이 각 반복 단위 중에 존재하는 액정 폴리에스테르아미드, (2) 에스테르 결합과 에테르 결합이 각 반복 단위 중에 존재하는 액정 폴리에스테르에테르, (3) 에스테르 결합과 카보네이트 결합이 각 반복 단위 중에 존재하는 액정 폴리에스테르카보네이트, 및 (4) 에스테르 결합과 이미드 결합이 각 반복 단위 중에 존재하는 액정 폴리에스테르이미드와 같은 액정 폴리머도 의미한다. 본 발명에 있어서의 액정 폴리에스테르는, 1 종의 액정 폴리에스테르 또는 2 종 이상의 액정 폴리에스테르의 조합이다.
액정 폴리에스테르는, 바람직하게는, p-하이드록시벤조산 및/또는 6-하이드록시-2-나프토산에서 유래하는 반복 단위 (Ⅰ) 과, 하이드로퀴논 및/또는 4,4'-디하이드록시비페닐에서 유래하는 반복 단위 (Ⅱ) 와, 테레프탈산, 이소프탈산 및 2,6-나프탈렌디카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상에서 유래하는 반복 단위 (Ⅲ) 을 갖는 액정 폴리에스테르이다.
반복 단위 (Ⅰ) 은 방향족 하이드록시카르복실산에서 유래하는 반복 단위에 상당하고, 반복 단위 (Ⅱ) 는 방향족 디올에서 유래하는 반복 단위에 상당하며, 반복 단위 (Ⅲ) 은 방향족 디카르복실산에서 유래하는 반복 단위에 각각 상당한다.
액정 폴리에스테르는, 바람직하게는, 반복 단위 (Ⅰ) 과 (Ⅱ) 와 (Ⅲ) 의 합계를 100 단위로 하여, 반복 단위 (Ⅰ) 30 ∼ 80 단위와, 반복 단위 (Ⅱ) 10 ∼ 35 단위와, 반복 단위 (Ⅲ) 10 ∼ 35 단위를 갖는 액정 폴리에스테르이다.
액정 폴리에스테르는 반복 단위 (Ⅰ) ∼ (Ⅲ) 이외의 반복 단위를 가져도 된다. 그 함유량은, 반복 단위 (Ⅰ) ∼ (Ⅲ) 의 합계량을 100 단위로 하여, 바람직하게는 10 단위 이하, 보다 바람직하게는 5 단위 이하이다. 액정 폴리에스테르는, 반복 단위 (Ⅰ) ∼ (Ⅲ) 만을 갖는 것이 특히 바람직하다.
액정 폴리에스테르의 제조 방법으로서, 일본 공개특허공보 2002-146003호에 기재된, 이하의 공정으로 이루어지는 방법을 예시할 수 있다 :
(1) 원료 모노머인 상기의, 방향족 하이드록시카르복실산, 방향족 디올 및 방향족 디카르복실산을 용융 중합 (중축합) 시켜, 분자량이 비교적 낮은 방향족 폴리에스테르 (이하, 「프레폴리머」라고 한다) 를 얻는 공정 ;
(2) 프레폴리머를 분말화하는 공정 ; 그리고
(3) 분말화된 프레폴리머를 가열하여 고상 중합시켜, 고분자량의 액정 폴리에스테르를 얻는 공정.
상기의 원료 모노머는 각각, 그 일부 또는 전부가, 그 중합 가능한 유도체여도 된다.
공정 (1) 의 용융 중합은 촉매의 존재하에서 실시해도 된다. 촉매로서, 아세트산마그네슘, 아세트산제1주석, 테트라부틸티타네이트, 아세트산납, 아세트산나트륨, 아세트산칼륨 및 삼산화안티몬과 같은 금속 화합물 ; 그리고 4-(디메틸아미노)피리딘 및 1-메틸이미다졸과 같은 함질소 복소 고리형 화합물을 예시할 수 있다. 그 중에서도, 함질소 복소 고리형 화합물이 바람직하다.
공정 (1) 에 기재한 원료 모노머의 중합 가능한 유도체로서, 방향족 하이드록시카르복실산 및 방향족 디카르복실산과 같은 카르복실기를 갖는 화합물에 대해서는, 카르복실기를 알콕시카르보닐기 또는 아릴옥시카르보닐기로 변환한 에스테르, 카르복실기를 할로포르밀기로 변환한 산 할로겐화물, 및 카르복실기를 아실옥시카르보닐기로 변환한 산 무수물을 예시할 수 있다.
방향족 하이드록시카르복실산 및 방향족 디올과 같은 하이드록실기를 갖는 화합물에 대해서는, 하이드록실기를 아실화하여 아실옥실기로 변환한 아실화물을 예시할 수 있다.
액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도는, 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물의 내열성 향상의 관점에서, 바람직하게는 280 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 280 ∼ 420 ℃ 이며, 내열성 향상의 관점 및 그 조성물을 성형할 때의 분해 열화를 억제하는 관점에서, 더욱 바람직하게는 280 ∼ 390 ℃ 이다.
상기의 유동 개시 온도란, 내경 1 ㎜, 길이 10 ㎜ 의 다이스를 장착한 모세관형 레오미터를 사용하여, 9.8 ㎫ (100 ㎏/㎠) 의 하중하에 있어서, 승온 속도 4 ℃/분으로 액정 폴리에스테르를 노즐로부터 압출할 때에, 용융 점도가 4,800 ㎩·s (48,000 푸아즈) 를 나타내는 온도를 의미한다. 유동 개시 온도는, 액정 폴리에스테르의 분자량의 지표이다 (코이데 나오유키편, 「액정성 폴리머-합성·성형·응용-」, 95 ∼ 105 페이지, CMC, 1987년 6월 5일 발행을 참조).
[성분 (B)]
성분 (B) 의 알루미나 미립자는, 바람직하게는 α 알루미나로 이루어지는 미립자이다. 그 중에서도, 본 발명의 성형체의 전기 절연성이나 열 전도성을 높이는 관점에서, 산화알루미늄 (Al2O3) 의 함유량이 95 질량% 이상, 바람직하게는 99 질량% 이상, 보다 바람직하게는 99.5 질량% 이상이고, 체적 평균 입경이 0.1 ∼ 50 ㎛ 인 미립자가 보다 바람직하다.
성분 (B) 의 함유량 (질량) 은, 본 발명의 성형체의 열 전도성 및 강성의 관점에서, 성분 (C), (D) 및 (E) 의 합계 함유량 (질량) 보다 많은 것이 바람직하고, 그 합계 함유량의 2 배 이상인 것이 보다 바람직하며, 3 배 이상인 것이 더욱 바람직하다.
알루미나 미립자의 체적 평균 입경은, 바람직하게는 0.1 ∼ 30 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 20 ㎛, 특히 바람직하게는 0.1 ∼ 10 ㎛ 이다. 이 체적 평균 입경은, 마이크로트랙 입도 분석계 (예를 들어, 닛키소사 제조 「HRA」) 를 사용하여, 이하의 순서로 이루어지는 방법으로 측정된다 : (1) 알루미나 미립자를, 농도가 2 질량% 인 헥사메타인산나트륨 수용액에 첨가한다, (2) 그것을, 초음파 세정 장치에서 충분히 분산시킨다, 및 (3) 얻어진 분산액에 레이저 광선을 조사하여, 그 회절 (산란) 을 측정한다 (레이저 회절 산란 측정에 의한 입경 분포 측정).
알루미나 미립자는 시판품이어도 된다. 용이하게 입수 가능한 시판되는 알루미나 미립자로서, 스미토모 화학사 제조, 쇼와 전공사 제조 또는 닛폰 경금속사 제조의 알루미나 미립자를 예시할 수 있다.
상기의 측정 방법으로 구해지는 알루미나 미립자의 입경 분포는, 바람직하게는 이봉성이고, 보다 바람직하게는 체적 평균 입경 1 ∼ 5 ㎛ 의 범위 및 체적 평균 입경 0.1 ∼ 1 ㎛ 의 범위 각각에 1 개의 극대값을 갖는 이봉성이다. 이봉성의 알루미나 미립자를 사용함으로써, 알루미나 미립자의 함유량이 높은 액정 폴리에스테르 조성물을 얻을 수 있고, 그 결과, 열 전도성이 우수한 성형체를 얻을 수 있다.
도 1 및 2 는, 알루미나 미립자의 「이봉성의 입경 분포」의 개요를 나타내는 모식도이다. 도 1 은, 전형적인 이봉성의 입경 분포를 나타내고 있고, 제 1 극대값 및 제 2 극대값의 2 개의 극대값이 존재한다. 본 발명에 있어서는, 도 2 에 나타내는 바와 같은, 제 1 극대값이, 제 2 극대값을 갖는 피크의 숄더 피크로서 존재하는 입경 분포도, 이봉성의 입경 분포를 의미한다. 상기의 「체적 평균 입경 0.1 ∼ 1 ㎛ 의 범위」란, 도 1 및 2 에 있어서, 제 1 극대값이 존재하는 범위를 의미하고, 상기의 「체적 평균 입경 1 ∼ 5 ㎛ 의 범위」란, 도 1 및 2 에 있어서, 제 2 극대값이 존재하는 범위를 의미한다.
[성분 (C)]
성분 (C) 의 산화티탄 미립자의 결정형은, 특별히 한정되지 않고, 루틸형, 아나타제형, 또는 루틸형과 아나타제형이 혼재된 결정형이다. 산화티탄 미립자는, 본 발명의 성형체의 광 반사성 및 내후성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 루틸형의 산화티탄을 함유하는 산화티탄 미립자이고, 보다 바람직하게는 실질적으로 루틸형의 산화티탄만을 함유하는 산화티탄 미립자이다. 본 발명에 있어서의 산화티탄 미립자는, 1 종의 산화티탄 미립자, 또는 2 종 이상의 산화티탄 미립자의 조합이다.
산화티탄 미립자의 평균 입경은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 본 발명의 성형체의 두께를 고려하여, 최적의 평균 입경을 선택하면 된다. 산화티탄 미립자의 체적 평균 입경은, 본 발명의 성형체의 광 반사성을 향상시키는 관점에서, 및 성형체 중에서의 산화티탄 미립자의 분산도를 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 0.10 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.10 ∼ 0.50 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.15 ∼ 0.40 ㎛, 특히 바람직하게는 0.18 ∼ 0.35 ㎛ 이다. 이 「체적 평균 입경」은, 이하의 순서로 이루어지는 방법으로 측정된다 : (1) 산화티탄 미립자를 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 관찰한다 ; (2) 얻어진 SEM 사진을 화상 해석 장치 (예를 들어, 니레코사 제조의 「루젝스 IIIU」) 로 해석한다 ; (3) 1 차 입자의 각 입경 구간에 있어서의 입자량 (%) 을 구한다 ; (4) 그들 입자량을 체적 기준으로 누적한 분포 곡선을 작성한다 ; (5) 분포 곡선에 있어서, 누적도가 50 % 일 때의 입경을 체적 평균 입경으로 한다.
산화티탄 미립자는, 산화티탄 미립자의 특성 (예를 들어 분산성) 을 향상시키기 위하여, 표면 처리된 산화티탄 미립자여도 된다. 표면 처리의 방법은 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 표면 처리 방법은, 산화티탄 미립자의 분산성을 향상시키는 관점에서, 및 본 발명의 성형체의 내후성을 향상시키는 관점에서, 무기 금속 산화물에 의한 표면 처리 방법이다. 무기 금속 산화물은, 바람직하게는 산화알루미늄 (알루미나) 이다. 입수한 산화티탄 미립자에 문제 (예를 들어 응집) 가 없으며, 또한 그 취급이 용이하다면, 본 발명의 성형체의 내열성 및 강도의 관점에서, 표면 처리되어 있지 않은 산화티탄 미립자가 바람직하다.
산화티탄 미립자는, 바람직하게는, 염소법으로 제조된 산화티탄을 함유하는 산화티탄 미립자이다. 염소법이란, 이하의 공정으로 이루어지는 산화티탄의 제조 방법이다 : (1) 티탄원인 광석 (예를 들어, 루틸광이나 일메나이트광으로부터 얻어지는 합성 루틸) 과 염소를 1,000 ℃ 부근에서 반응시켜, 미정제 사염화티탄을 생성시키는 공정 ; (2) 미정제 사염화티탄을 정류로 정제하여 사염화티탄을 생성시키는 공정 ; (3) 사염화티탄을 산소로 산화시켜 산화티탄을 얻는 공정.
염소법으로 제조되는 산화티탄은, 본 발명에 있어서 바람직한 결정형인 루틸형의 산화티탄이다. 공정 (3) 의 산화 조건을 최적화함으로써, 백색도가 비교적 우수한 산화티탄이 용이하게 얻어진다. 백색도가 우수한 산화티탄을 함유하는 산화티탄 미립자는, 본 발명에 있어서 특히 바람직하다.
산화티탄 미립자는 시판품이어도 된다. 시판품으로서, 이시하라 산업사 제조의 「TIPAQUE CR-60」 및 「TIPAQUE CR-58」, 그리고 사카이 화학사 제조의 「SR-1」을 예시할 수 있다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서의 성분 (C) 의 함유량은, 성분 (A) 의 함유량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 20 질량부이다. 이들 수치 범위의 하한값은, 본 발명의 성형체의 광 반사성을 향상시키는 관점에서 규정한 것이고, 상한값은, 성형체의 방열성, 기계 특성 및 내열성을 향상시키는 관점에서 규정한 것이다.
[성분 (D)]
성분 (D) 의 전기 절연성 재료로 이루어지는 판상 필러는, 바람직하게는 5 이상, 보다 바람직하게는 15 이상의 애스펙트비를 갖는다.
본 발명에 있어서의 「애스펙트비」는, 필러 연구회편 「필러 활용 사전」 제 10 ∼ 16 페이지 및 제 23 ∼ 30 페이지에 기재되어 있는 정의를 갖는다. 도 3 은, 1 개의 판상 필러를 모식적으로 나타내는 사시도이다. 애스펙트비는, 이 도면의 평면부의 평균 직경 (D) 과 평균 두께 (T) 의 비 (D/T) 로 구해진다. 본 발명에 있어서는, 예를 들어 100 개 이상의 판상 필러 각각의 D/T 값을 구하고, 그들의 평균값를 애스펙트비라고 한다.
판상 필러의 체적 고유 저항값은, 본 발명의 성형체의 전기 절연성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 1 × 1010 Ωm 이상이다. 체적 고유 저항값은 ASTM D257 에 준거하여 측정된다.
판상 필러의 장축의 체적 평균 입경은, 바람직하게는 15 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 15 ∼ 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 30 ㎛ 이다. 체적 평균 입경이 15 ㎛ 미만이면, 성분 (D) 가 성분 (A) 와 잘 혼합되지 않게 되는 경향이 있다. 그 결과, 액정 폴리에스테르 조성물의 제조가 곤란하거나, 그 조성물로 이루어지는 성형체 중에 성분 (D) 가 불균일하게 존재하여 열 전도성이 저하되거나 한다. 체적 평균 입경이 50 ㎛ 를 초과하면, 성형체의 기계 특성이 저하되기 쉬운 경향이 있다. 이 체적 평균 입경은, 마이크로트랙 입도 분석계 (예를 들어, 닛키소사 제조 「SRA」) 를 사용한 이하의 순서로 이루어지는 방법으로 측정된다 : (1) 판상 필러를 에탄올에 첨가한다, (2) 그것을, 초음파 세정 장치에서 충분히 분산시킨다, 및 (3) 얻어진 분산액에 레이저 광선을 조사하여, 그 회절 (산란) 을 측정한다.
성분 (D) 로서, 카올리나이트 ; 탤크 ; 마이카, 견운모 (세리사이트), 백운모 (무스코바이트) 및 금운모 (플로고파이트) 와 같은 운모류 ; 클로라이트, 몬모릴로나이트 및 할로이사이트와 같은 층상 점토 광물 ; 그리고 유리 플레이크를 예시할 수 있다. 그 중에서도, 성분 (D) 의 전기 절연성 및 열 전도성의 관점에서, 그리고 저렴하다는 관점에서, 탤크가 바람직하다. 성분 (D) 는, 그 1 종류 또는 2 종류 이상의 조합으로 사용된다.
탤크는 일반적으로, 천연에서 산출되는 광석을 조분쇄한 후, 미분쇄하고, 분급하여 얻어진다. 조분쇄에서 사용하는 장치로서, 조 크러셔, 해머 크러셔 및 롤 크러셔를 예시할 수 있다. 미분쇄에서 사용하는 장치로서, 제트 밀, 스크린 밀, 롤 밀 및 진동 밀을 예시할 수 있다. 분급에서 사용하는 장치로서, 사이클론 에어 세퍼레이터, 마이크론 세퍼레이터 및 샤프 컷 세퍼레이터를 예시할 수 있다.
본 발명에서 사용할 수 있는 시판되는 탤크로서, 닛폰 탤크사 제조 또는 아사다 제분사 제조의, 애스펙트비가 5 이상인 탤크를 예시할 수 있다.
시판되는 탤크는, 그대로 사용하거나, 또는, 성분 (A) 에 대한 분산성이나 밀착성을 향상시키기 위하여, 커플링제 (예를 들어, 실란 커플링제 및 티탄 커플링제) 나 계면 활성제로 표면 처리하여 사용한다.
실란 커플링제로서, 메타크릴실란, 비닐실란, 에폭시실란 및 아미노실란을 예시할 수 있다. 티탄 커플링제로서, 티탄산을 예시할 수 있다. 계면 활성제로서, 고급 지방산, 고급 지방산 에스테르, 고급 지방산 아미드 및 고급 지방산염류를 예시할 수 있다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물에 있어서의 성분 (D) 의 함유량은, 성분 (A) 의 함유량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 9 질량부이다.
[성분 (E)]
성분 (E) 의 전기 절연성 재료로 이루어지는 섬유상 필러는, 무기 섬유상 필러, 유기 섬유상 필러 또는 그들의 조합이다. 성분 (E) 로서, 유리 섬유, 탄소섬유 및 알루미나 섬유를 예시할 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 성형체의 기계 강도를 향상시키는 관점에서, 무기 섬유상 필러가 바람직하고, 유리 섬유가 보다 바람직하다. 성분 (E) 는, 그 1 종류 또는 2 종류 이상의 조합으로 사용된다.
성분 (E) 의 함유량은 성분 (A) 의 함유량 100 질량부에 대하여, 10 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다.
섬유상 필러의 수 평균 섬유 직경은, 바람직하게는 0.1 ∼ 20 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 15 ㎛ 이다. 수 평균 섬유 직경이 0.1 ㎛ 이상이면, 본 발명의 성형체의 휨량이 저감되고 내열성이 향상된다. 수 평균 섬유 직경이 20 ㎛ 이하이면, 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물의 유동성이 향상되고, 성형체의 휨량이 저감된다.
섬유상 필러의 수 평균 섬유 직경은, 바람직하게는 1 ∼ 300 ㎛, 보다 바람직하게는 2 ∼ 300 ㎛ 이다. 수 평균 섬유 직경이 1 ㎛ 이상이면, 성형체의 내열성 및 역학 강도가 향상된다. 수 평균 섬유 직경이 300 ㎛ 이하이면, 액정 폴리에스테르 조성물의 유동성이 향상된다.
섬유상 필러의, ASTM D257 에 준거하여 측정한 체적 고유 저항값은, 본 발명의 성형체의 전기 절연성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 1 × 1010 Ωm 이상이다.
[다른 성분]
본 발명에 있어서, 성분 (A) ∼ (E) 이외의 다른 성분을 사용해도 된다. 다른 성분으로서, 불소 수지와 같은 이형 개량제 ; 염료 및 안료와 같은 착색제 ; 산화 방지제 ; 열 안정제 ; 자외선 흡수제 ; 대전 방지제 ; 그리고 계면 활성제와 같은 통상적인 첨가제를 예시할 수 있다.
다른 성분의 함유량은, 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물의 전체량을 100 질량% 로 하여, 바람직하게는 5 질량% 이하이다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물 중의 성분 (B) 의 함유량 (질량) 은, 본 발명의 성형체의 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성의 관점에서, 상기한 바와 같이, 성분 (C), (D) 및 (E) 의 합계 함유량 (질량) 보다 많다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물 중의 성분 (B), (C), (D) 및 (E) 의 합계 함유량 (질량) 은, 성분 (A) 의 함유량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 150 질량부 이상, 보다 바람직하게는 180 질량부 이상이다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물은, 성분 (A) ∼ (E) 및 임의 성분인 다른 성분을, 상기의 양적 관계가 만족되는 것과 같은 배합량으로 배합하고, 이어서 혼합함으로써 제조할 수 있다. 바람직한 제조 방법으로서, 이들 성분을 헨셀 믹서 및 텀블러와 같은 혼합기에서 혼합하는 공정 (1) 과, 얻어진 혼합물을 압출기에서 용융 혼련하는 공정 (2) 로 이루어지는 제조 방법을 예시할 수 있다. 공정 (2) 에서 얻어지는 혼련물은 적절히 펠릿화된다.
<성형체 및 발광 장치>
본 발명의 성형체는, 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물을 성형함으로써 얻어지고, 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성이 균형적이고 우수하다. 본 발명의 발광 장치는, 액정 폴리에스테르 조성물을 성형함으로써 얻어지는 반사판 (성형체) 과 발광 소자를 구비하고 있다.
본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물을 성형하는 방법은, 성형체의 형상에 따라, 공지된 성형 방법 중에서 바람직하게 선택된다. 바람직한 성형 방법은, 사출 성형법, 사출 압축 성형법 및 압출 성형법과 같은 용융 성형법이고, 사출 성형법이 보다 바람직하다. 사출 성형법은, 박육부나 복잡한 형상을 갖는 성형체를 용이하게 성형할 수 있다는 이점을 갖고 있다. 박육부의 두께 범위가, 예를 들어 0.01 ∼ 3.0 ㎜, 또는 0.02 ∼ 2.0 ㎜, 또는 0.05 ∼ 1.0 ㎜ 인 것과 같은 소형의 성형체를, 사출 성형법에 의해 용이하게 제조할 수 있다.
사출 성형법은, 내열성을 필요로 하는 성형체의 제조에 특히 적합하다. 예를 들어, 땜납 내열 온도가 285 ℃ 이상인 것과 같은 양호한 내열성을 갖는 성형체를, 사출 성형법에 의해 제조할 수 있다. 「땜납 내열 온도」는 이하의 순서로 이루어지는 방법으로 측정된다 : (1) 여러 가지의 온도로 설정할 수 있는 땜납욕을, 소정의 온도로 설정한다 ; (2) 땜납욕에 시험편 (성형체) 을 1 분간 침지시킨다 ; (3) 땜납욕으로부터 취출된 시험편에 대하여, 변형 또는 블리스터 (부푼 형상의 외관 이상) 의 발생 유무를 육안으로 관찰한다 ; (4) 변형 또는 블리스터의 발생이 확인되지 않을 때의 땜납욕의 최고 온도를 땜납 내열 온도로 한다.
사출 성형법과 같은 용융 성형법에 있어서의 성형 온도는, 성형되는 액정 폴리에스테르 조성물의 유동 온도보다 10 ∼ 60 ℃ 만큼 높은 온도인 것이 바람직하다. 이 범위의 하한값 (10 ℃) 미만이면, 액정 폴리에스테르 조성물의 유동성이 극단적으로 저하되고, 그 결과, 성형성 및 성형체의 강도를 저하시키는 경향이 있다. 이 범위의 상한값 (60 ℃) 을 초과하면, 액정 폴리에스테르가 현저하게 열화되고, 그 결과, 성형체가 예를 들어 반사판인 경우, 그 반사율이 저하되는 경향이 있다.
상기의 「유동 온도」는, [성분 (A)] 의 항에서 설명한 유동 개시 온도의 측정 방법과 동일한 방법에 의해 측정된다. 액정 폴리에스테르 조성물이 성분 (A) ∼ (E) 를 함유하고, 성분 (D) 및 (E) 가 무기 필러인 경우, 유동 온도와 유동 개시 온도는 거의 동일한 온도이다.
본 발명의 성형체는, 가시광선에 대한 광 반사성이 높고, 특히 청색의 광선에 대한 광 반사성이 매우 높다. 예를 들어, 파장 460 ㎚ 의 광선에 대한 반사율이 70 % 이상 또는 80 % 이상인 것과 같은 광 반사성이 우수한 성형체를, 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물로 제조할 수 있다. 상기의 「반사율」이란, JIS Z 8722 에 준거하여 구해지는, 파장 460 ㎚ 의 광선에 대한 전광선 반사율 (RSCI) 을 의미한다.
또한, 본 발명의 성형체는 방열성 (열 전도성) 이 우수하다. 열 전도율이 예를 들어 0.9 W/m·K 이상인 것과 같은 방열성이 우수한 성형체를, 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물로 제조할 수 있다. 열 전도율은, 성형체의 열 확산율과 비열과 비중의 곱으로 구할 수 있다.
또한, 본 발명의 성형체는 치수 안정성이 우수하다. 액정 폴리에스테르 조성물의 성형에 있어서의 유동 방향의 성형 수축률을 「MD」로 하고, 유동 방향과 직교하는 방향의 성형 수축률을 「TD」로 할 때, 치수 안정성의 지표인 이방성비 (MD/TD) 가 0.50 이상인 것과 같은 치수 안정성이 우수한 성형체를, 본 발명의 액정 폴리에스테르 조성물로 제조할 수 있다. 이방성비가 1.00 에 가까울수록 이방성이 작은 (즉, 성형체의 치수 안정성이 우수한) 것을 의미한다. 유동 방향의 성형 수축률 (MD) 은, 이하의 순서로 이루어지는 방법으로 측정된다 : (1) 금형의 특정 부위에 대하여, 유동 방향의 상온 (예를 들어 23 ℃) 에서의 치수를 측정하고, 그 치수를 a 로 한다 ; (2) 그 금형을 사용하여 성형된 성형체의, 상기 특정 부위에 대응하는 부위에 대하여, 유동 방향의 상온에서의 치수를 측정하고, 그 치수를 b 로 한다 ; (3) (a-b)×100/a 의 식에 기초하여, 성형 수축률 (MD) 을 산출한다. 유동 방향과 직교하는 방향의 성형 수축률 (TD) 은, 이 방법에 있어서의 「유동 방향의 치수」를 「유동 방향과 직교하는 방향의 치수」로 바꾸어, 순서 (1) ∼ (3) 을 실시함으로써 구해진다.
본 발명의 성형체는, 전기, 전자, 자동차 및 기계와 같은 분야에 있어서의 광 반사 (특히, 가시광선에 대한 광 반사) 에 관련된 부재 (예를 들어, 반사판) 로서 바람직하다. 그 부재로서, 할로겐 램프 및 HID (high-intensity discharge) 와 같은 광원 장치에 있어서의 램프 리플렉터 ; 그리고 LED 및 유기 EL 과 같은 발광 소자를 구비한 발광 장치나 표시 장치에 있어서의 고강도의 반사판을 예시할 수 있다. 본 발명의 성형체는, 상기한 바와 같이 방열성 (열 전도성) 이 우수하기 때문에, LED 를 구비한 발광 장치의 반사판으로서 특히 바람직하다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 설명한다.
이하의 성분 (B), (C), (D) 및 (E) 를 사용하였다.
성분 (B) : 이하의 (1) ∼ (3) 을 충족시키는, 스미토모 화학사 제조의 미립 저소다 알루미나 ALM-41-01 의 알루미나 미립자.
(1) 닛키소사 제조의 마이크로트랙 입도 분석계 「HRA」를 사용하여 측정한 체적 평균 입경이 1.7 ㎛ 이다.
(2) 레이저 회절 산란 측정에 의해 구해진 입경 분포가, 체적 평균 입경 1.0 ∼ 2.0 ㎛ 의 범위와, 체적 평균 입경 0.2 ∼ 0.4 ㎛ 의 범위에, 각각 1 개의 극대값을 갖는 이봉성의 입경 분포이다.
(3) 산화알루미늄의 함유량이 99.9 질량% 인 α 알루미나이다.
성분 (C) : 체적 평균 입경이 0.28 ㎛ 인, 이시하라 산업사 제조의 TIPAQUE CR-58 의 산화티탄 미립자.
성분 (D) : 이하의 (1) 및 (2) 를 충족시키는, 닛폰 탤크사 제조의 탤크 X50 의 판상 필러.
(1) 닛키소사 제조의 마이크로트랙 입도 분석계 「SRA」를 사용하여 측정한 장축의 체적 평균 입경이 17.4 ㎛ 이다.
(2) 이하의 순서로 측정한 애스펙트비가 21.2 이다 ;
(ⅰ) 전자 현미경으로 두께를 확인할 수 있는 (즉, 단면을 확인할 수 있는) 입자를 선택한다 ;
(ⅱ) 그 입자의 입경 및 두께를 계측한다 ;
(ⅲ) 애스펙트비=입경/두께의 식에 기초하여 산출한다.
성분 (E) : JIS R 3420 에 준거하여, 전자 현미경으로 측정한 수 평균 섬유 직경이 10 ㎛ 이며 수 평균 섬유 길이가 3 ㎜ 인, 아사히 파이버 유리사 제조의 촙드 유리 섬유 CS03JAPX-1.
<액정 폴리에스테르의 제조>
[제조예 1]
교반 장치, 토크 미터, 질소 가스 도입관, 온도계 및 환류 냉각기를 구비한 반응기에, p-하이드록시벤조산 994.5 g (7.2 몰), 4,4'-디하이드록시비페닐 446.9 g (2.4 몰), 테레프탈산 239.2 g (1.44 몰), 이소프탈산 159.5 g (0.96 몰) 및 무수 아세트산 1,347.6 g (13.2 몰) 을 주입하고, 반응기 내를 충분히 질소 가스로 치환한 후, 질소 가스 기류하에서 교반하면서 30 분에 걸쳐 150 ℃ 까지 승온시키고, 150 ℃ 에서 1 시간 환류시켰다.
이어서, 유출(留出)되는 부생성물의 아세트산 및 미반응의 무수 아세트산을 증류 제거하면서, 2 시간 50 분에 걸쳐 320 ℃ 까지 승온시키고, 토크의 상승이 확인된 시점을 반응 종료점으로 하여 프레폴리머를 얻었다.
얻어진 프레폴리머를 실온까지 냉각시키고, 조분쇄기로 분쇄 후, 질소 가스 분위기하, 실온에서부터 250 ℃ 까지 1 시간에 걸쳐 승온시키고, 250 ℃ 에서부터 285 ℃ 까지 5 시간에 걸쳐 승온시키고, 285 ℃ 에서 3 시간 유지함으로써 고상 중합을 실시하여, 유동 개시 온도 327 ℃ 의 액정 폴리에스테르 (성분 (A)) 를 얻었다.
상기의 유동 개시 온도는, 시마즈 제작소사 제조의 플로우 테스터 CFT-500 형을 사용하여, 이하의 순서로 측정하였다 :
(1) 액정 폴리에스테르 약 2 g 을, 내경 1 ㎜ 및 길이 10 ㎜ 의 노즐을 갖는 다이를 장착한 실린더에 충전한다 ;
(2) 9.8 ㎫ (100 ㎏/㎠) 의 하중하, 4 ℃/분의 속도로 승온시키면서, 액정 폴리에스테르를 용융시킨다 ;
(3) 노즐로부터 압출하여, 4,800 ㎩·s (48,000 푸아즈) 의 점도를 나타내는 온도를 유동 개시 온도로 한다.
<액정 폴리에스테르 조성물 및 성형체의 제조>
[실시예 1 ∼ 5, 비교예 1 ∼ 2]
(액정 폴리에스테르 조성물의 제조)
제조예 1 에서 얻은 성분 (A) 와, 상기의 성분 (B), (C), (D) 및 (E) 를, 표 1 에 나타내는 비율로, 이케가이 철공사 제조의 동일 방향 2 축 압출기 PCM-30HS 에 공급하고, 315 ℃ 에서 용융 혼련하여, 펠릿화하였다.
(성형체의 제조)
상기 펠릿을, 닛세이 수지 공업사 제조의 사출 성형기 UH-1000 형을 사용하여, 실린더 온도 320 ℃, 금형 온도 120 ℃, 사출률 200 ㎜/s 의 조건에서 사출 성형하여, 64 ㎜ × 64 ㎜ × 1 ㎜ (두께) 의 사이즈의 정방형의 판상 성형체를 얻었다.
별도로, 상기 펠릿을, 닛세이 수지 공업사 제조의 사출 성형기 PS40E5ASE 형을 사용하여, 실린더 온도 320 ℃, 금형 온도 120 ℃, 사출률 75 ㎜/s 의 조건에서 사출 성형하여, ASTM4 호 덤벨의 성형체 및 64 ㎜ × 64 ㎜ × 3 ㎜ (두께) 의 사이즈의 정방형의 판상 성형체를, 각각 얻었다.
<성형체의 평가>
상기의 각 성형체를 사용하여, 이하의 측정 방법으로, 방열성의 지표인 열 전도율과, 광 반사성의 지표인 반사율과, 성형 수축률을 측정하고, 그 성형 수축률로부터 치수 안정성의 지표인 이방성비를 산출하였다. 결과를 표 1 에 나타냈다.
(열 전도율의 측정)
이하의 순서로 이루어지는 방법으로 열 전도율을 측정하였다 :
(1) 상기의 64 ㎜ × 64 ㎜ × 1 ㎜ (두께) 의 사이즈의 판상 성형체의 두께 방향의 열 확산율을, 알박 이공사 제조의 레이저 플래시법 열정수 측정 장치 TC-7000 을 사용하여 측정한다 ;
(2) 상기의 펠릿의 비열을, PERKIN ELMER 사 제조의 DSC DSC7 을 사용하여 측정한다 (펠릿의 비열과 성형체의 비열은 동일하기 때문에, 펠릿의 비열을 성형체의 비열로 한다) ;
(3) 상기의 ASTM4 호 덤벨의 성형체의 비중을, 칸토 메이저사 제조의 자동 비중 측정 장치 ASG-320K 를 사용하여, ASTM D792 에 준거하여, 측정한다 ;
(4) 64 ㎜ × 64 ㎜ × 1 ㎜ (두께) 의 사이즈의 판상 성형체의 두께 방향의 열 전도율을, 열 전도율 = 열 확산율 × 비열 × 비중의 식으로 구한다.
(반사율의 측정)
코니카 미놀타사 제조의 분광 측색계 CM-3600d 를 사용하여, JIS Z 8722 에 준거하여, 상기의 64 ㎜ × 64 ㎜ × 3 ㎜ (두께) 의 사이즈의 성형체의 표면의, 파장 460 ㎚ 의 광선에 대한 전광선 반사율 (RSCI) 을 측정하였다.
(성형 수축률의 측정)
상기의 64 ㎜ (세로) × 64 ㎜ (가로) × 1 ㎜ (두께) 의 사이즈의 성형체에 있어서, 액정 폴리에스테르 조성물의 성형에 있어서의 유동 방향을 성형체의 세로 방향으로 하고, 유동 방향과 직교하는 방향을 성형체의 가로 방향으로 한다.
유동 방향의 성형 수축률 (MD) 을, 이하의 순서로 이루어지는 방법으로 측정하였다 :
(1) 성형체가 갖는 2 개의 정방형의 평면 중 어느 1 개의 평면에 대하여, 세로 방향의, 일방의 말단부 근방의 상온 (23 ℃) 에서의 치수 b1 과, 타방의 말단부 근방의 상온에서의 치수 b2 를, 각각 마이크로미터로 측정하고, 그들의 평균값 (b1+b2)/2 를 b 로 한다 ;
(2) 성형체의 제조에 사용한 금형에 대하여, 그 세로 방향에 대응하는 부위의 상온에서의 치수 a1 및 a2 를 측정하고, 그들의 평균값 (a1+a2)/2 를 a 로 한다 ;
(3) (a-b)×100/a 의 식에 기초하여, 유동 방향의 성형 수축률 (MD) (%) 을 산출한다.
상기의 방법에 있어서의 「세로 방향의 치수」를 「가로 방향의 치수」로 바꾸어, 순서 (1) ∼ (3) 을 실시하여, 유동 방향과 직교하는 방향의 성형 수축률 (TD) 을 측정하였다.
(이방성비의 산출)
MD/TD 의 식에 기초하여, 이방성비를 산출하였다.
표 1 로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 ∼ 5 의 성형체에 대해서는, 열 전도율이 1.10 ∼ 1.48 W/m·K 의 범위에 있고, 반사율이 75 ∼ 80 % 의 범위에 있고, 이방성비가 0.51 ∼ 0.67 의 범위에 있다. 따라서, 본 발명의 성형체는 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성이 균형적이고 우수하다.
이에 반해, 성분 (C) (산화티탄 미립자) 를 사용하지 않는 비교예 1 및 2 의 성형체에 대해서는, 열 전도율 (비교예 1 은 1.15 W/m·K, 비교예 2 는 1.44 W/m·K) 은 실시예와 비교하여 손색이 없기는 하지만, 반사율 (비교예 1 및 2 모두 69 %) 및 이방성비 (비교예 1 은 0.48, 비교예 2 는 0.46) 는 실시예보다 훨씬 열등하다. 따라서, 비교예의 성형체는, 방열성, 광 반사성 및 치수 안정성이 균형적이고 우수하지 않다.
Claims (15)
- 하기의 성분 (A), (B), (C), (D) 및 (E) 를 함유하고,
상기 성분 (B) 의 함유량 (질량) 이, 상기 성분 (C), (D) 및 (E) 의 합계 함유량 (질량) 보다 많고,
상기 성분 (A) 100 질량부에 대하여, 상기 성분 (B), (C), (D) 및 (E) 를 합계로 180 ~ 233 질량부 함유하고,
상기 성분 (A) 100 질량부에 대하여, 상기 성분 (C) 를 5 ∼ 20 질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 폴리에스테르 조성물 :
(A) 액정 폴리에스테르 ;
(B) 알루미나 미립자 ;
(C) 산화티탄 미립자 ;
(D) 전기 절연성 재료로 이루어지는 판상 필러 ; 및
(E) 전기 절연성 재료로 이루어지는 섬유상 필러. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
성분 (B) 의, 레이저 회절 산란에 의해 측정되는 입경 분포가 이봉성인 액정 폴리에스테르 조성물. - 제 3 항에 있어서,
입경 분포가, 체적 평균 입경 1 ∼ 5 ㎛ 의 범위 및 체적 평균 입경 0.1 ∼ 1 ㎛ 의 범위 각각에 극대값을 갖는 이봉성인 액정 폴리에스테르 조성물. - 제 1 항에 있어서,
성분 (C) 가, 체적 평균 입경 0.10 ㎛ 이상의 산화티탄 미립자인 액정 폴리에스테르 조성물. - 제 1 항에 있어서,
성분 (D) 의 함유량이, 성분 (A) 의 함유량 100 질량부에 대하여, 1 ∼ 9 질량부인 액정 폴리에스테르 조성물. - 제 1 항에 있어서,
성분 (D) 가 탤크인 액정 폴리에스테르 조성물. - 제 7 항에 있어서,
탤크의 장축의 체적 평균 입경이 15 ㎛ 이상인 액정 폴리에스테르 조성물. - 제 1 항에 있어서,
성분 (A) 가, 유동 개시 온도 280 ℃ 이상의 액정 폴리에스테르인 액정 폴리에스테르 조성물. - 제 1 항에 있어서,
성분 (A) 가, p-하이드록시벤조산 및/또는 6-하이드록시-2-나프토산에서 유래하는 반복 단위 (Ⅰ) 30 ∼ 80 단위와, 하이드로퀴논 및/또는 4,4'-디하이드록시비페닐에서 유래하는 반복 단위 (Ⅱ) 10 ∼ 35 단위와, 테레프탈산, 이소프탈산 및 2,6-나프탈렌디카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상에서 유래하는 반복 단위 (Ⅲ) 10 ∼ 35 단위를 함유하는 액정 폴리에스테르 조성물 (반복 단위 (Ⅰ) 과 (Ⅱ) 와 (Ⅲ) 의 합계를 100 단위로 한다). - 제 1 항에 기재된 액정 폴리에스테르 조성물로 이루어지는 성형체.
- 제 11 항에 있어서,
성형체가 사출 성형체인 성형체. - 제 11 항에 있어서,
성형체가 반사판인 성형체. - 제 13 항에 기재된 반사판과 발광 소자를 구비한 발광 장치.
- 제 14 항에 있어서,
발광 소자가 LED 인 발광 장치.
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