KR101989417B1 - 디스플레이 기판, 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 및 디스플레이 기판 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법 - Google Patents

디스플레이 기판, 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 및 디스플레이 기판 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 출원은 디스플레이 패널을 개시한다. 디스플레이 패널은 제1 기판; 및 제1 기판에 대면하는 제2 기판을 포함한다. 제1 기판은 베이스 기판 및 베이스 기판 상의 패시베이션 층을 포함한다. 패시베이션 층은 베이스 부분 및 베이스 기판에서 먼 베이스 부분의 측면 상의 돌출 부분을 포함한다. 돌출 부분은 디스플레이 패널의 주변 지역 내에 있고 디스플레이 패널의 디스플레이 지역을 둘러싼다.

Description

디스플레이 기판, 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 및 디스플레이 기판 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2016년 7월 19일자로 제출된 중국 특허 출원 제201610571225.1호에 대한 우선권을 주장하며, 그 내용 전체가 참조로 포함된다.
기술분야
본 발명은 디스플레이 기술에 관한 것이고, 특히, 디스플레이 기판, 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 및 디스플레이 기판 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법에 관한 것이다.
LCD(liquid crystal display) 장치들 및 OLED(organic light-emitting diode) 디스플레이 장치들과 같은 디스플레이 장치들은 널리 사용되고 있다. 전형적으로, LCD(liquid crystal display) 장치는 서로 대면하는 대향 기판 및 어레이 기판을 포함한다. 박막 트랜지스터들, 게이트 라인들, 데이터 라인들, 픽셀 전극들, 공통 전극들, 및 공통 전극 라인들은 어레이 기판 및 대향 기판 상에 배치된다. 2개의 기판 사이에, 액정 재료가 주입되어 액정 층을 형성한다. 전형적으로, OLED(organic light-emitting diode) 디스플레이 장치는 서로 대면하는 대향 기판 및 어레이 기판을 포함한다. OLED(organic light-emitting diode) 디스플레이 장치에서의 어레이 기판은 애노드, 발광 층 및 캐소드를 포함한다. LED(liquid crystal display) 장치들 및 OLED(organic light-emitting diode) 디스플레이 장치들에서, 어레이 기판 및 대향 기판은 전형적으로 광학 투명 수지(optical clear resin)와 같은 프레임 실란트를 사용하여 함께 밀봉된다.
하나의 양태에서, 본 발명은, 제1 기판; 및 제1 기판에 대면하는 제2 기판을 포함하는, 디스플레이 패널을 제공하며; 제1 기판은 베이스 기판; 및 베이스 기판 상의 패시베이션 층 - 패시베이션 층은 베이스 부분 및 베이스 기판에서 먼 베이스 부분의 측면 상의 돌출 부분을 포함함 - 을 포함하며; 돌출 부분은 디스플레이 패널의 주변 지역 내에 있고 디스플레이 패널의 디스플레이 지역을 둘러싼다.
선택적으로, 디스플레이 패널은 베이스 부분에서 먼 돌출 부분의 측면 상에 실란트 층을 추가로 포함하며; 실란트 층은 디스플레이 패널의 주변 지역 내에 있고, 제1 기판 및 제2 기판을 함께 밀봉하여 셀을 형성하도록 구성된다.
선택적으로, 돌출 부분 및 베이스 부분은 패시베이션 층의 일체형 부분들이고, 동일한 재료를 포함한다.
선택적으로, 돌출 부분 및 베이스 부분은 실리콘 질화물을 포함한다.
선택적으로, 패시베이션 층은 대략 5㎛ 내지 대략 20㎛의 범위 내의 총 두께를 갖고; 돌출 부분은 대략 2㎛ 내지 대략 19㎛의 범위 내의 두께를 갖는다.
선택적으로, 실란트 층은 돌출 부분의 두께의 50%보다 작은 두께를 갖는다.
선택적으로, 디스플레이 패널은 OLED(organic light emitting diode) 디스플레이 패널이며, 베이스 기판 상의 유기 발광 층; 및 유기 발광 층을 캡슐화하기 위한 베이스 기판에서 먼 유기 발광 층의 측면 상의 캡슐화 필름을 추가로 포함한다.
선택적으로, 디스플레이 패널은 베이스 기판에 근접한 패시베이션 층의 측면 상의 박막 트랜지스터; 및 베이스 기판에서 먼 패시베이션 층의 측면 상의 픽셀 전극을 추가로 포함하며; 픽셀 전극은 패시베이션 층을 관통하여 연장되는 비아를 통해 박막 트랜지스터의 소스 전극에 접속된다.
선택적으로, 돌출 부분은 베이스 부분에서 먼 측면 상에 파형 표면(corrugated surface)을 구비한다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 본 명세서에서 설명된 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
또 다른 양태에서, 본 발명은, 베이스 기판; 및 베이스 기판 상의 패시베이션 층을 포함하는 - 패시베이션 층은 베이스 부분 및 베이스 기판에서 먼 베이스 부분의 측면 상의 돌출 부분을 포함함 - , 디스플레이 기판을 제공하며; 돌출 부분은 디스플레이 기판의 주변 지역 내에 있고 디스플레이 기판의 디스플레이 지역을 둘러싼다.
선택적으로, 돌출 부분 및 베이스 부분은 패시베이션 층의 일체형 부분들이고, 동일한 재료를 포함한다.
선택적으로, 돌출 부분 및 베이스 부분은 실리콘 질화물을 포함한다.
선택적으로, 패시베이션 층은 대략 5㎛ 내지 대략 20㎛의 범위 내의 총 두께를 갖고; 돌출 부분은 대략 2㎛ 내지 대략 19㎛의 범위 내의 두께를 갖는다.
또 다른 양태에서, 본 발명은, 베이스 기판 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계를 포함하는 - 패시베이션 층은 베이스 부분 및 베이스 기판에서 먼 베이스 부분의 측면 상의 돌출 부분을 포함하도록 형성됨 - , 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 제공하며; 돌출 부분은 디스플레이 기판의 주변 지역 내에 형성되고 디스플레이 기판의 디스플레이 지역을 둘러싼다.
선택적으로, 패시베이션 층을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 패시베이션 재료 층을 형성하는 단계; 베이스 기판에서 먼 패시베이션 재료 층의 측면 상에 제1 포토레지스트 층을 형성하는 단계 - 제1 포토레지스트 층은 돌출 부분에 대응하는 제1 영역에 있음 - ; 제1 영역 외부의 패시베이션 재료 층의 두께를 감소시킴으로써 베이스 부분을 형성하는 단계; 및 제1 영역 외부의 패시베이션 재료 층의 두께를 감소시킨 후에 제1 포토레지스트 층을 제거함으로써 돌출 부분을 형성하는 단계를 포함한다.
선택적으로, 제1 포토레지스트 층을 형성하기 전에, 방법은 베이스 기판에서 먼 패시베이션 재료 층의 측면 상에 제2 포토레지스트 층을 형성하는 단계 - 제2 포토레지스트 층은 패시베이션 층에서 제1 비아에 대응하는 제2 영역 외부의 영역에 있음 - ; 제2 영역 내의 패시베이션 재료 층을 부분적으로 제거함으로써 제2 비아를 형성하는 단계; 및 제1 영역 외부의 제2 포토레지스트 층을 제거함으로써 제1 포토레지스트 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하며; 제1 영역 외부의 패시베이션 재료 층의 두께를 감소시키는 동안, 제2 영역 내의 패시베이션 재료 층이 완전히 제거됨으로써 제1 비아를 형성하며, 제1 비아는 패시베이션 층을 관통하여 연장된다.
선택적으로, 패시베이션 재료 층을 형성하기 전에, 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계 - 박막 트랜지스터는 소스 전극을 포함함 - 를 추가로 포함하고; 제1 비아, 베이스 부분 및 돌출 부분을 형성한 후에, 방법은 베이스 기판에서 먼 패시베이션 층의 측면 상에 픽셀 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 픽셀 전극은 제1 비아를 통해 소스 전극에 접속된다.
선택적으로, 베이스 부분, 돌출 부분, 및 제1 비아는 단일 마스크 플레이트를 사용하여 단일 프로세스에서 형성된다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 본 명세서에 설명된 방법에 따라 제1 기판을 형성하는 단계; 제2 기판을 형성하는 단계; 및 제1 기판 및 제2 기판을 셀로 조립하는 단계를 포함하는, 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 제공하며; 제2 기판을 형성하는 단계는 제2 베이스 기판 상에 실란트 재료 층을 형성하는 단계를 포함하며, 실란트 재료 층은 제2 기판의 주변 지역 내에 형성되고 제2 기판의 디스플레이 지역을 둘러싸고; 제1 기판 및 제2 기판을 셀로 조립하는 단계는 실란트 재료 층을 돌출 부분 상으로 부착함으로써 디스플레이 패널의 디스플레이 지역을 밀봉하는 실란트 층을 형성하는 단계를 포함한다.
선택적으로, 제2 기판을 형성하는 단계는 제2 베이스 기판 상에서 제2 기판의 디스플레이 지역 내에 캡슐화 필름을 형성하는 단계를 추가로 포함하며; 제1 기판 및 제2 기판을 조립한 후에, 캡슐화 필름은 디스플레이 패널의 디스플레이 지역 내의 디스플레이 유닛들을 캡슐화한다.
다음의 도면들은 단지 다양한 개시된 실시예에 따른 예시적인 목적들을 위한 예들이며 본 발명의 범위를 제한하려는 의도가 아니다.
도 1은 종래의 디스플레이 패널의 구조를 예시하는 개략도이다.
도 2는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 패널의 구조를 예시하는 개략도이다.
도 3 내지 도 12는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 패널의 어레이 기판을 형성하는 프로세스를 예시한다.
도 13 내지 도 14는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 패널의 대향 기판을 형성하는 프로세스를 예시한다.
도 15 내지 도 17은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 어레이 기판 및 대향 기판을 조립하는 프로세스를 예시한다.
본 개시내용은 이제 다음의 실시예들을 참조하여 더 구체적으로 설명될 것이다. 일부 실시예의 다음의 설명들은 예시 및 설명의 목적만을 위해 본 명세서에 제시되는 것을 주목해야 한다. 그것은 완전한 것으로도 또는 개시된 정확한 형태로 제한하는 것으로도 의도되지 않는다.
종래의 디스플레이 패널에서의 어레이 기판 및 대향 기판은 전형적으로 실란트 층을 사용하여 함께 밀봉된다. 도 1은 종래의 디스플레이 패널의 구조를 예시하는 개략도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 디스플레이 패널에서의 실란트 층(902)은 어레이 기판과 대향 기판 사이의 공간 전반에 걸쳐 실질적으로 연장된다. 실란트 층(902)은 어레이 기판과 대향 기판 사이의 거리와 실질적으로 동일한 두께 d'를 갖는다. 따라서, 종래의 디스플레이 패널에서의 실란트 층(902)은 외부 환경에 노출된 넓은 지역을 갖는다. 전형적으로, 실란트 층(902)은 경화성 유기 실란트 재료로 만들어진다. 경화된 실란트 재료는 다공성이고 경화 프로세스에 의해 야기되는 결함들에 취약하다. 산소 또는 습기는 실란트 층(902)에서의 기공들 및 결함들을 통해 침투하여, 디스플레이 지역 내의 디스플레이 컴포넌트들의 전자 속성들을 저하시키고 디스플레이 패널의 수명을 감소시킨다.
이에 따라, 본 개시내용은, 특히, 관련 기술분야의 제한들 및 단점들로 인한 문제들 중 하나 이상을 실질적으로 제거하는 디스플레이 기판, 디스플레이 패널, 디스플레이 장치, 및 디스플레이 기판 및 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 제공한다. 하나의 양태에서, 본 개시내용은 디스플레이 패널을 제공한다. 일부 실시예에서, 디스플레이 패널은 제1 기판 및 제1 기판에 대면하는 제2 기판을 포함한다. 일부 실시예에서의 디스플레이 패널에서의 제1 기판은 베이스 기판; 및 베이스 기판 상의 패시베이션 층을 포함하며, 패시베이션 층은 베이스 부분 및 베이스 기판에서 먼 베이스 부분의 측면 상의 돌출 부분을 포함한다. 선택적으로, 돌출 부분은 디스플레이 패널의 주변 지역 내에 있고 디스플레이 패널의 디스플레이 지역을 둘러싼다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "주변 지역(peripheral area)"은 신호들을 디스플레이 패널 또는 디스플레이 기판으로 송신하기 위해 다양한 회로들 및 와이어들이 제공되는 디스플레이 패널 또는 디스플레이 패널에서의 디스플레이 기판(예를 들어, 어레이 기판 또는 대향 기판)의 지역을 지칭한다. 디스플레이 장치의 투명도를 증가시키기 위해, 디스플레이 장치들의 투명하지 않은(non-transparent) 또는 불투명한 컴포넌트들(예를 들어, 배터리, 인쇄 회로 보드, 금속 프레임)은, 디스플레이 지역들보다는 주변 지역에 배치될 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "디스플레이 지역(display area)"은 이미지가 사실상 디스플레이되는 디스플레이 패널 또는 디스플레이 패널에서의 디스플레이 기판(예를 들어, 어레이 기판 또는 대향 기판)의 지역을 지칭한다.
도 2는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서의 디스플레이 패널의 구조를 예시하는 개략도이다. 도 2를 참조하면, 일부 실시예에서의 디스플레이 패널은 디스플레이 지역(A) 및 주변 지역(B)을 포함한다. 디스플레이 지역(A)은 이미지 디스플레이를 위한 복수의 서브픽셀을 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 디스플레이 패널은 제1 기판(S1) 및 제1 기판(S1)에 대면하는 제2 기판(S2)을 포함한다. 제1 기판(S1)은 제1 베이스 기판(1) 및 베이스 기판(1) 상의 패시베이션 층(4)을 포함한다. 패시베이션 층(4)은 베이스 부분(42) 및 베이스 기판(1)에서 먼 베이스 부분(42)의 측면 상의 돌출 부분(41)을 포함한다. 돌출 부분(41)은 디스플레이 패널의 주변 지역(B) 내에 있고 디스플레이 패널의 디스플레이 지역(A)을 둘러싼다. 베이스 부분(42)은 디스플레이 지역(A) 및 주변 지역(B) 전반에 걸쳐 연장된다.
일부 실시예에서의 제2 기판(S2)은 제2 베이스 기판(10) 및 제2 베이스 기판(10) 상의 실란트 층(901)을 포함한다. 실란트 층(901)은 돌출 부분(41)에 대응한다. 실란트 층(901)은 베이스 부분(42)에서 먼 돌출 부분(41)의 측면 상에 있고, 디스플레이 패널의 주변 지역(B) 내에 있다. 실란드 층(901)은 제1 기판(S1)(구체적으로 돌출 부분(41)) 및 제2 기판(S2)을 함께 밀봉하여 셀을 형성하도록 구성된다.
제2 기판(S2)과 제1 기판(S1) 사이의 거리는 제2 기판(S2)의 제2 베이스 기판(10)의 표면과 패시베이션 층(4)의 베이스 부분(42)의 표면 사이의 거리 d로 정의된다. 거리 d는 실란트 층(901)의 높이와 동일한 거리 d1 및 돌출 부분(41)의 높이와 동일한 거리 d2의 합이다. 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)을 함께 밀봉하기 위해 실란트 층(901)은 돌출 부분(41)에 부착하는 실란트 재료(예를 들어, UV 경화성 수지)를 포함한다. 돌출 부분(41)을 구비함으로써, 본 디스플레이 패널을 밀봉하기 위해 요구되는 실란트 재료의 양이 훨씬 감소된다. 예를 들어, 도 1의 종래의 디스플레이 패널에서, 디스플레이 패널을 밀봉하기 위해 두께 d를 갖는 실란트 층(902)이 요구되는 반면에, 본 디스플레이 패널에서 실란트 층(901)의 두께는 d1으로 상당히 감소된다. 외부 환경에 노출되는 실란트 층(901)의 총 면적이 종래의 디스플레이 패널에서의 것보다 훨씬 더 작기 때문에 실란트 층(901)의 기공들 및 결함들을 통한 산소 및 습기 침투의 문제는 제거될 수 있다. 돌출 부분(41)은 디스플레이 패널의 내부를 외부 환경으로부터 격리시키는 배리어의 대부분을 구성한다. 돌출 부분(41)이 높은 밀폐성(hermeticity)을 갖는 패시베이션 재료로 만들어지기 때문에, 본 디스플레이 패널은 고도로 산소에 강하고 습기에 강하다.
일부 실시예에서, 실란트 층(901)은 돌출 부분(41)의 두께 d2의 50%보다 작은 두께 d1을 갖는다. 선택적으로, 두께 d1은 돌출 부분(41)의 두께 d2의 25%보다 작다. 선택적으로, 두께 d1은 돌출 부분(41)의 두께 d2의 10%보다 작다. 선택적으로, 두께 d1은 돌출 부분(41)의 두께 d2의 5%보다 작다.
일부 실시예에서, 두께 d1은 제2 기판(S2)과 제1 기판(S1) 사이의 두께 d의 35%보다 작다. 선택적으로, 두께 d1은 두께 d의 25%보다 작다. 선택적으로, 두께 d1은 두께 d의 10%보다 작다. 선택적으로, 두께 d1은 두께 d의 5%보다 작다. 선택적으로, 두께 d1은 두께 d의 2.5%보다 작다.
선택적으로, 돌출 부분(41)은 대략 2㎛ 내지 대략 19㎛, 예를 들어, 대략 2㎛ 내지 대략 5㎛, 대략 5㎛ 내지 대략 10㎛, 및 대략 10㎛ 내지 대략 19㎛의 범위 내의 두께 d2를 갖는다. 선택적으로, 패시베이션 층은 대략 5㎛ 내지 대략 20㎛의 범위 내의 총 두께(예를 들어, d2 및 d3의 합)를 갖는다.
일부 실시예에서, 돌출 부분(41) 및 베이스 부분(42)은 패시베이션 층(4)의 일체형 부분들이다. 예를 들어, 돌출 부분(41) 및 베이스 부분(42)은 동일한 재료로 만들어지고 단일 패터닝 프로세스에서 형성된다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 "단일 패터닝 프로세스(single patterning process)"는 하나 이상의 층 또는 부분을 제조하기 위해 단일 마스크 플레이트를 사용하는 패터닝 프로세스를 지칭한다. 선택적으로, 단일 패터닝 프로세스는 기판을 단일 마스크로 한 번만 노출시키고, 후속하여 하나 이상의 현상 단계, 하나 이상의 에칭 단계, 및 하나 이상의 플라즈마 처리 단계, 하나 이상의 도핑 단계, 하나 이상의 이온 주입 단계 등에 의해 하나 이상의 층 또는 부분을 형성하는 것을 수반한다.
다양한 적절한 절연 재료 및 다양한 적절한 제조 방법이 패시베이션 층(4)을 만들기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션 층(4)은 리소그래피 방법에 의해 제조될 수 있다. 선택적으로, 패시베이션 층(4)은 무기 절연 재료로 만들어진다. 패시베이션 층(4)을 만들기 위한 적절한 재료들의 예들은 무기 절연 재료들 및 유기 절연 재료들을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 적절한 무기 절연 재료들의 예들은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물(예를 들어, Si3N4), 및 실리콘 산화질화물(SiOxNy)을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 적절한 유기 절연 재료들의 예들은 수지, 폴리이미드 등을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 선택적으로, 패시베이션 층(4)은 무기 재료로 만들어진다. 선택적으로, 돌출 부분(41) 및 베이스 부분(42) 둘 다는 그것의 높은 밀폐성으로 인해 실리콘 질화물로 만들어진다.
도 2를 참조하면, 일부 실시예에서의 제1 기판(S1)은 복수의 서브픽셀에 각각 복수의 박막 트랜지스터(2)를 추가로 포함한다. 복수의 박막 트랜지스터(2) 각각은 베이스 기판(1)에 근접한 패시베이션 층(4)의 측면 상에 있다. 복수의 박막 트랜지스터(2) 각각은 소스 전극(3)을 포함한다. 제1 기판(S1)은 베이스 기판(1)에서 먼 패시베이션 층(4)의 측면 상에 픽셀 전극(71)을 추가로 포함한다. 소스 전극(3) 및 픽셀 전극(71)은 패시베이션 층(4)을 관통하여 연장되는 제1 비아(61)를 통해 전기적으로 접속된다.
일부 실시예에서, 디스플레이 패널은 OLED(organic light emitting diode) 디스플레이 패널이고, 디스플레이 패널은 베이스 기판(1)에서 먼 패시베이션 층(4)의 측면 상의 유기 발광 층(8), 및 디스플레이 패널의 디스플레이 유닛들(예를 들어, 유기 발광 층(8))을 캡슐화하기 위한 베이스 기판(1)에서 먼 유기 발광 층(8)의 측면 상의 캡슐화 필름(11)을 추가로 포함한다.
일부 실시예에서, 디스플레이 패널은 LCD(liquid crystal display) 패널이다.
선택적으로, 제1 기판(S1)은 어레이 기판이고 제2 기판(S2)은 대향 기판(예를 들어, OLED(organic light emitting diode) 디스플레이 장치에서의 캡슐화 기판)이다. 선택적으로, 제1 기판(S1)은 대향 기판이고 제2 기판(S2)은 어레이 기판이다.
일부 실시예에서, 돌출 부분(41)은 베이스 부분(42)에서 먼 측면 상에 파형 표면을 구비한다. 돌출 부분(41) 상에 파형 표면을 구비함으로써, 실란트 층(901) 및 돌출 부분(41)은 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)을 함께 협동적으로 밀봉한다. 예를 들어, 실란트 층(901)과 돌출 부분(41) 사이의 인터페이스에서, 실란트 층(901)의 실란트 재료는 돌출 부분(41)과 접촉한다(예를 들어, 본딩된다). 인터페이스는 외부 산소 또는 습기에 대해 실질적으로 불침투성이다. 실란트 층과 기판 사이의 인터페이스가 실질적으로 편평한 인터페이스인 종래의 디스플레이 패널들에 비해, 본 디스플레이 패널에서의 인터페이스는 산소 및 습기가 디스플레이 패널의 내부로 침투하는 것을 상당히 더 어렵게 만드는, 파형 인터페이스를 구비한다. 그 결과, 본 디스플레이 패널은 고도로 산소에 강하고 습기에 강하다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "파형 표면(corrugated surface)"은 복수의 돌출부 및 복수의 돌출부에 대한 복수의 오목 부분을 구비하는 평평하지 않은(non-level) 표면을 지칭한다. 파형 표면은 아주 다양한 주기적 또는 비주기적 구조화, 변형, 유도된 거칠기, 기복(undulation), 텍스처링 또는 그들의 조합을 포함할 수 있다. 선택적으로, 복수의 파형 돌출부는 복수의 오목 부분에 의해 이격된다. 선택적으로, 본 개시내용의 맥락에서의 파형 표면은 대략 0.1mm 내지 대략 1mm의 범위 내의 파형 돌출부들의 2개의 인접한 정점 사이에 전형적인 거리를 갖는다. 선택적으로, 본 개시내용의 맥락에서의 파형 표면은 대략 0.1mm 내지 대략 1mm의 범위 내의 파형 오목 부분들의 2개의 인접한 최저점 사이에 전형적인 거리를 갖는다. 선택적으로, 본 개시내용의 맥락에서의 파형 표면은 대략 0.1mm 내지 대략 1mm의 범위 내의 파형 돌출부의 정점과 인접한 파형 오목 부분의 최저점 사이에 전형적인 높이 차이를 갖는다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 디스플레이 기판을 제공한다. 일부 실시예에서, 디스플레이 기판은 베이스 기판 및 베이스 기판 상의 패시베이션 층을 포함하며, 패시베이션 층은 베이스 부분 및 베이스 기판에서 먼 베이스 부분의 측면 상의 돌출 부분을 포함한다. 돌출 부분은 디스플레이 기판의 주변 지역 내에 있고 디스플레이 기판의 디스플레이 지역을 둘러싼다. 선택적으로, 베이스 부분은 디스플레이 지역 및 주변 지역 전반에 걸쳐 연장된다.
일부 실시예에서, 돌출 부분 및 베이스 부분은 패시베이션 층의 일체형 부분들이다. 예를 들어, 돌출 부분 및 베이스 부분은 동일한 재료로 만들어지고 단일 패터닝 프로세스에서 형성된다. 선택적으로, 돌출 부분 및 베이스 부분은 동일한 무기 절연 재료, 예를 들어, 실리콘 질화물로 만들어진다.
선택적으로, 돌출 부분(41)은 대략 2㎛ 내지 대략 19㎛, 예를 들어, 대략 2㎛ 내지 대략 5㎛, 대략 5㎛ 내지 대략 10㎛, 및 대략 10㎛ 내지 대략 19㎛의 범위 내의 두께 d2를 갖는다. 선택적으로, 패시베이션 층은 대략 5㎛ 내지 대략 20㎛의 범위 내의 총 두께(예를 들어, d2 및 d3의 합)를 갖는다.
일부 실시예에서, 디스플레이 기판은 디스플레이 기판의 복수의 서브픽셀 지역에 각각 복수의 박막 트랜지스터를 추가로 포함한다. 복수의 박막 트랜지스터 각각은 베이스 기판에 근접한 패시베이션 층의 측면 상에 있다. 복수의 박막 트랜지스터 각각은 소스 전극을 포함한다. 일부 실시예에서의 디스플레이 기판은 베이스 기판에서 먼 패시베이션 층의 측면 상에 픽셀 전극을 추가로 포함한다. 소스 전극 및 픽셀 전극은 패시베이션 층을 관통하여 연장되는 제1 비아를 통해 전기적으로 접속된다.
일부 실시예에서, 디스플레이 기판은 OLED(organic light emitting diode) 디스플레이 기판이고, 디스플레이 기판은 베이스 기판에서 먼 패시베이션 층의 측면 상의 유기 발광 층, 및 디스플레이 기판의 디스플레이 유닛들(예를 들어, 유기 발광 층)을 캡슐화하기 위한 베이스 기판에서 먼 유기 발광 층의 측면 상의 캡슐화 필름을 추가로 포함한다.
선택적으로, 디스플레이 기판은 어레이 기판이다. 선택적으로, 디스플레이 기판은 대향 기판, 예를 들어, OLED(organic light emitting diode) 디스플레이 장치에서의 캡슐화 기판이다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 제공한다. 일부 실시예에서, 방법은 베이스 기판 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계를 포함한다. 선택적으로, 패시베이션 층을 형성하는 단계는 패시베이션 층의 베이스 부분을 형성하는 단계 및 패시베이션 층의 돌출 부분을 형성하는 단계를 포함한다. 선택적으로, 패시베이션 층은 베이스 부분 및 베이스 기판에서 먼 베이스 부분의 측면 상의 돌출 부분을 구비하도록 형성된다. 돌출 부분은 디스플레이 기판의 주변 지역 내에 형성되고 디스플레이 기판의 디스플레이 지역을 둘러싼다. 베이스 부분은 디스플레이 지역 및 주변 지역 전반에 걸쳐 연장되도록 형성된다. 선택적으로, 베이스 부분 및 돌출 부분은 별도로 형성된다. 선택적으로, 베이스 부분 및 돌출 부분은 단일 패터닝 프로세스에서 형성된다.
일부 실시예에서, 패시베이션 층을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 패시베이션 재료 층을 형성하는 단계; 및 베이스 부분 및 돌출 부분을 형성하기 위해 단일 패터닝 프로세스에서 패시베이션 재료 층을 패터닝하는 단계를 포함한다. 선택적으로, 방법은 패시베이션 층을 관통하여 연장되는 제1 비아를 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 선택적으로, 제1 비아, 베이스 부분, 및 돌출 부분은 단일 패터닝 프로세스에서, 예를 들어, 단일 마스크 플레이트를 사용하여 형성된다. 선택적으로, 패시베이션 재료 층은 하프-톤 마스크 플레이트 또는 그레이-톤 마스크 플레이트를 사용하여 패터닝된다.
일부 실시예에서, 패시베이션 층을 형성하는 단계는 베이스 기판 상에 패시베이션 재료 층을 형성하는 단계; 베이스 기판에서 먼 패시베이션 재료 층의 측면 상에 제1 포토레지스트 층을 형성하는 단계 - 제1 포토레지스트 층은 돌출 부분에 대응하는 제1 영역에 있음 - ; 제1 영역 외부의 패시베이션 재료 층의 두께를 감소시킴으로써 베이스 부분을 형성하는 단계; 및 제1 영역 외부의 패시베이션 재료 층의 두께를 감소시킨 후에 제1 포토레지스트 층을 제거함으로써 돌출 부분을 형성하는 단계를 포함한다.
일부 실시예에서, 제1 포토레지스트 층을 형성하기 전에, 방법은 베이스 기판에서 먼 패시베이션 재료 층의 측면 상에 제2 포토레지스트 층을 형성하는 단계 - 제2 포토레지스트 층은 패시베이션 층에서 제1 비아에 대응하는 제2 영역 외부의 영역에 있음 - ; 제2 영역 내의 패시베이션 재료 층을 부분적으로 제거함으로써 제2 비아를 형성하는 단계; 및 제1 영역 외부의 제2 포토레지스트 층을 제거함으로써 제1 포토레지스트 층을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 선택적으로, 제1 영역 외부의 패시베이션 재료 층의 두께를 감소시키는 동안, 제2 영역 내의 패시베이션 재료 층이 완전히 제거됨으로써 제1 비아를 형성시키며, 제1 비아는 패시베이션 층을 관통하여 연장된다.
일부 실시예에서, 패시베이션 재료 층을 형성하기 전에, 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 박막 트랜지스터는 소스 전극을 포함한다. 선택적으로, 제1 비아, 베이스 부분 및 돌출 부분을 형성한 후에, 방법은 베이스 기판에서 먼 패시베이션 층의 측면 상에 픽셀 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 픽셀 전극은 제1 비아를 통해 소스 전극에 접속된다.
도 3 내지 도 12는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 패널의 어레이 기판을 형성하는 프로세스를 예시한다. 도 3을 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 어레이 기판의 디스플레이 지역(A) 내의 베이스 기판(1) 상에 박막 트랜지스터(2)를 형성하는 단계를 포함한다. 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는 소스 전극(3)을 형성하는 단계를 포함한다. 도 4를 참조하면, 방법은 베이스 기판(1)에서 먼 박막 트랜지스터(2)의 측면 상에 패시베이션 재료 층(4')을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 패시베이션 재료 층(4')은 어레이 기판의 디스플레이 지역(A) 및 주변 지역(B) 둘 다에 형성된다. 도 5를 참조하면, 방법은 베이스 기판(1)에서 먼 패시베이션 재료 층(4')의 측면 상에 포토레지스트 재료 층(5)을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 도 6을 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 베이스 기판(1)에서 먼 패시베이션 재료 층(4')의 측면 상에 제2 포토레지스트 층(50)을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 제2 포토레지스트 층(50)은 패시베이션 층에서 제1 비아에 대응하는 제3 구역(503) 외부의 영역에 있다. 선택적으로, 제2 포토레지스트 층(50)을 형성하는 단계는 포토 레지스트 재료 층(5)을 마스크 플레이트로 노출시키는 단계, 및 노출된 포토레지스트 재료 층을 현상하여 제3 구역(503) 외부에 제1 섹션을 구비하는 포토레지스트 패턴을 획득하는 단계를 포함하며, 제2 섹션은 제3 구역(503)에 대응하고, 포토레지스트 재료는 제3 구역(503)에서 제거됨으로써 제3 구역(503) 외부의 영역에 제2 포토레지스트 층(50)을 형성한다.
도 7을 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 제3 구역(503)에서 패시베이션 재료를 부분적으로 제거함으로써 제2 비아(6)를 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 이러한 단계에서, 제3 구역(503)에서의 패시베이션 재료는 완전히 제거되지 않으며, 즉, 제2 비아(6)는 패시베이션 재료 층(4')을 관통하여 연장되지 않는다. 도 7에 도시된 바와 같이, 패시베이션 재료 층(4')은 d0의 두께를 갖고, 제2 비아(6)는 d01의 깊이를 가지며, d01 < d0이다. 제2 비아(6)를 형성하는 단계는 패시베이션 재료 층(4') 아래의 소스 전극(3)을 노출시키지 않는다. 선택적으로, 패시베이션 재료 층(4')은, 예를 들어, 에칭제(etching agent)로서 육플루오르화황(sulfur hexafluoride)을 사용하는 이온 전도성 플라즈마에 의해, 제3 구역(503)에서 패시베이션 재료를 부분적으로 제거하도록 에칭된다.
일부 실시예에서, 마스크 플레이트는 하프-톤 마스크 플레이트 또는 그레이-톤 마스크 플레이트이다. 제3 구역(503) 외부의 제1 섹션은 제1 구역(501) 및 제2 구역(502)을 포함한다. 포토레지스트 재료 층(5)을 마스크 플레이트로 노출하는 동안, 제3 구역(503)은 완전히 노출되고, 제1 구역(501)은 실질적으로 노출되지 않고, 제2 구역(502)은 부분적으로 노출된다. 제1 구역(501) 내의 제2 포토레지스트 층은 제2 구역(502) 내의 것보다 더 큰 두께를 갖는다. 제1 구역(501)은 패시베이션 층의 돌출 부분에 대응한다. 제2 구역(502)은 패시베이션 층의 나머지 부분에 대응한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 제1 구역(501) 외부의 포토레지스트 재료를 제거하는 단계, 예를 들어, 제2 구역(502) 내의 포토레지스트 재료를 제거함으로써 제1 포토레지스트 층(500)을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 제1 포토레지스트 층(500)은 베이스 기판(1)에서 먼 패시베이션 재료 층(4')의 측면 상에 있으며, 제1 포토레지스트 층은 제1 구역(501) 내에, 예를 들어, 돌출 부분에 대응하는 영역에 있다. 선택적으로, 제1 구역(501) 외부의 포토레지스트 재료를 제거하는 단계는 제2 구역(502) 내의 포토레지스트 재료를 제거하기 위해 제2 포토레지스트 층(50)을 애싱함으로써 수행되고, 이로써 제2 구역(502) 내의 패시베이션 재료 층(4')을 노출시킨다. 애싱 단계 후에 제1 구역(501) 내의 포토레지스트 재료는 감소된 두께로 남아있고, 이로써 제1 포토레지스트 층(500)을 형성한다.
도 9를 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 제1 구역(501) 외부의(예를 들어, 제2 구역(502) 및 제3 구역(503) 내의) 패시베이션 재료 층(4')의 두께를 감소시킴으로써 베이스 부분(42)을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 선택적으로, 제1 구역(501) 외부의 패시베이션 재료 층(4')의 두께를 감소시킨 후에 방법은 제1 포토레지스트 층(500)을 제거함으로써 돌출 부분(41)을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 구역(501) 외부의 패시베이션 재료 층(4')의 두께는 d03만큼 감소되며, 이는 돌출 부분(41)의 두께이다. 더욱이, 이러한 단계 동안 제3 구역(503) 내의 패시베이션 재료 층(4')의 두께는 추가로 감소됨으로써 패시베이션 층(4)을 관통하여 연장되는 제1 비아(61)를 형성하고 소스 전극(3)을 노출시킨다. 제3 구역(503)에서의 패시베이션 재료는 완전히 제거된다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 비아(61)는 d02의 깊이를 갖는다. 제3 구역(503)에서의 패시베이션 재료가 완전히 제거된 것을 보장하기 위해, 전형적으로 d02는 d03와 동일하거나 그보다 작다. 후속하여, 픽셀 전극은 패시베이션 층(4) 상에 형성되고 제1 비아(61)를 통해 소스 전극(3)에 전기적으로 접속된다. 제1 비아(61)에서의 픽셀 전극 라인 개방을 방지하기 위해, 제1 비아(61)의 적절한 깊이 d02가 선택되고, 전형적으로 d02는 대략 0.5㎛ 내지 대략 2㎛의 범위 내에 있다. 선택적으로, 도 8 및 도 9를 참조하면, d01 + d02 = d0이다. 선택적으로, 제1 구역(501) 외부의 패시베이션 재료 층(4')의 두께를 감소시키는 단계는, 예를 들어, 에칭제로서 육플루오르화황(sulfur hexafluoride)을 사용하는 이온 전도성 플라즈마에 의한 에칭 방법에 의해 수행된다.
일부 실시예에서, 제1 비아, 베이스 부분 및 돌출 부분을 형성한 후에, 방법은 베이스 기판(1)에서 먼 패시베이션 층(4)의 측면 상에 픽셀 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 픽셀 전극은 제1 비아(61)를 통해 소스 전극(3)에 접속된다. 도 10을 참조하면, 픽셀 전극을 형성하는 단계는 베이스 기판(1)에서 먼 패시베이션 층(4)의 측면 상에 픽셀 전극 재료 층(7)을 형성하는 단계를 포함한다. 다양한 적절한 재료 및 다양한 적절한 제조 방법이 픽셀 전극 재료 층(7)을 만드는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 픽셀 전극 재료는 마그네트론 스퍼터링에 의해 기판 상에 퇴적될 수 있다. 픽셀 전극을 만드는 데 적합한 재료들의 예들은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 및 알루미늄 아연 산화물과 같은 금속 산화물을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 도 10에 도시된 바와 같이, 픽셀 전극 재료 층(7)은 제1 비아(61)를 통해 소스 전극(3)에 전기적으로 접속된다.
도 11을 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 픽셀 전극 재료 층을 패터닝하여 픽셀 전극 층(71)을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 픽셀 전극 층(71)은 제1 비아(61)를 통해 소스 전극(3)에 전기적으로 접속된다.
도 12를 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 픽셀 전극 층(71) 및 베이스 기판(1)에서 먼 패시베이션 층(4)의 측면 상에 유기 발광 층(8)을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 제공한다. 일부 실시예에서, 방법은 제1 기판을 형성하는 단계; 제2 기판을 형성하는 단계, 및 제1 기판 및 제2 기판을 셀로 조립하는 단계를 포함한다. 선택적으로, 제1 기판은 어레이 기판이고, 제2 기판은 대향 기판, 예를 들어, OLED(organic light emitting diode) 디스플레이 장치에서의 캡슐화 기판이다. 선택적으로, 제1 기판은 대향 기판이고, 제2 기판은 어레이 기판이다.
일부 실시예에서, 제1 기판은 어레이 기판이고, 제1 기판을 형성하는 단계는 위에서 및 도 3 내지 도 12에서 설명된 어레이 기판을 형성하는 방법에 따른다. 일부 실시예에서, 제2 기판은 대향 기판, 예를 들어, OLED(organic light emitting diode) 디스플레이 장치에서의 캡슐화 기판이다. 도 13 내지 도 14는 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 디스플레이 패널의 대향 기판을 형성하는 프로세스를 예시한다. 도 13을 참조하면, 방법은 제2 베이스 기판(10) 상에 실란트 재료 층(9)을 형성하는 단계를 포함하며, 실란트 재료 층(9)은 제2 기판의 주변 지역(B') 내에 형성되고 제2 기판의 디스플레이 지역(A')을 둘러싼다. 도 14를 참조하면, 일부 실시예에서의 방법은 제2 베이스 기판(10) 상에서 제2 기판의 디스플레이 지역(A') 내에 캡슐화 필름(11)을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 선택적으로, 캡슐화 필름(11)의 두께는 실질적으로 돌출 부분의 두께와 동일하다. 선택적으로, 캡슐화 필름(11)은 대략 2㎛ 내지 대략 19㎛, 예를 들어, 대략 2㎛ 내지 대략 5㎛, 대략 5㎛ 내지 대략 10㎛, 및 대략 10㎛ 내지 대략 19㎛의 범위 내의 두께를 갖는다.
다양한 적절한 캡슐화 재료 및 다양한 적절한 제조 방법이 캡슐화 필름(11)을 만들기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 캡슐화 필름(11)은 스퍼터링, 화학 기상 퇴적, 또는 플라즈마 강화 화학 기상 퇴적에 의해 제조될 수 있다. 캡슐화 필름(11)을 만들기 위한 적절한 재료들의 예들은 유기 재료들 및 무기 재료를 포함한다. 캡슐화 필름(11)을 만들기 위한 유기 재료들의 예들은 파릴렌(폴리-p-크실릴렌)(PPX), 폴리-2-클로로-p-크실릴렌(PCPX), 폴리[2-메톡시-r-(2' 에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌 비닐렌], 수지, 폴리이미드 등을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 캡슐화 필름(11)을 만들기 위한 무기 재료들의 예들은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물(예를 들어, Si3N4), 실리콘 산화질화물(SiOxNy)을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 선택적으로, 캡슐화 필름(11)은 유기 재료로 만들어진다.
도 15 내지 도 17은 본 개시내용에 따른 일부 실시예에서 어레이 기판 및 대향 기판을 조립하는 프로세스를 예시한다. 도 15를 참조하면, 일부 실시예에서의 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)을 셀로 조립하는 단계는 실란트 재료 층(예를 들어, 도 13 및 도 14에서의 실란트 재료 층(9) 참조)을 돌출 부분(41) 상으로 부착함으로써 디스플레이 패널의 디스플레이 지역을 밀봉하는 단계를 포함한다. 제1 기판(S1) 및 제2 기판(S2)을 조립한 후에, 캡슐화 필름(11)은 디스플레이의 패널의 디스플레이 지역 내의 디스플레이 유닛들(예를 들어, 유기 발광 층(8))을 캡슐화한다. 도 16을 참조하면, 방법은, 예를 들어, UV 방사선을 사용하여 실란트 층(901)을 경화시키는 단계를 추가로 포함한다. 도 17은 본 방법에 의해 제조된 디스플레이 패널을 도시한다.
본 방법에 의해 제조된 디스플레이 패널에서, 돌출 부분을 구비함으로써, 본 디스플레이 패널을 밀봉하기 위해 요구된 실란트 재료의 양은 훨씬 감소된다. 예를 들어, 도 1의 종래의 디스플레이 패널에서, 디스플레이 패널을 밀봉하기 위해 두께 d를 갖는 실란트 층(902)이 요구되는 반면, 본 방법에 의해 제조된 디스플레이 패널에서의 실란트 층(901)의 두께는 본 디스플레이 패널에서 d1로 상당히 감소된다. 외부 환경에 노출되는 실란트 층(901)의 총 면적이 종래의 디스플레이 패널에서의 것보다 훨씬 더 작기 때문에 실란트 층(901)의 기공들 및 결함들을 통한 산소 및 습기 침투의 문제는 제거될 수 있다. 돌출 부분(41)은 디스플레이 패널 내부를 외부 환경으로부터 격리시키는 배리어의 대부분을 구성한다. 돌출 부분(41)이 높은 밀폐성을 갖는 패시베이션 재료로 만들어지기 때문에, 본 디스플레이 패널은 고도로 산소에 강하고 습기에 강하다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본 명세서에서 설명되거나 본 명세서에서 설명된 방법에 의해 제조된 디스플레이 패널을 구비하는 디스플레이 장치를 제공한다. 적절한 디스플레이 장치들의 예들은 전자 종이, 모바일 폰, 태블릿 컴퓨터, 텔레비전, 모니터, 노트북 컴퓨터, 디지털 앨범, GPS 등을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 선택적으로, 디스플레이 장치는 OLED(organic light emitting diode) 디스플레이 장치이다. 선택적으로, 디스플레이 장치는 LCD(liquid crystal display) 장치이다.
본 발명의 실시예들의 전술한 설명은 예시 및 설명의 목적들로 제시되었다. 그것은 완전한 것으로도 또는 정확한 형태로 혹은 개시된 예시적인 실시예들로 본 발명을 제한하는 것으로도 의도되지 않는다. 이에 따라, 전술한 설명은 제한적인 것보다는 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 명백하게, 많은 수정 및 변형이 본 기술분야의 통상의 기술자들에게 명백할 것이다. 실시예들은 본 발명의 원리들 및 그것의 최상 모드의 실질적인 적용을 설명하기 위해 선택되고 설명되고, 이로써 본 기술분야의 통상의 기술자들은 본 발명에 대한 다양한 실시예 및 다양한 수정이 특정한 사용 또는 구현에 적합한 것으로서 고려된다는 것을 이해할 수 있게 된다. 본 발명의 범위가 본 명세서에 첨부된 청구범위 및 그들의 등가물들에 의해 정의되며, 여기서 모든 용어는 달리 지시되지 않는 한 그들의 가장 넓은 합리적인 의미를 의미하는 것으로 의도된다. 그러므로, 용어 "본 발명(the invention)", "본 발명(the present invention)" 등은 청구 범위를 반드시 구체적인 실시예로 제한하지는 않으며, 본 발명의 예시적인 실시예들에 대한 참조는 본 발명에 대한 제한을 암시하지 않고, 어떤 이러한 제한도 추론되어서는 안된다. 본 발명은 첨부된 청구범위의 사상 및 범위에 의해서만 제한된다. 더욱이, 이러한 청구범위는 명사 또는 요소가 뒤따르는 "제1(first)", "제2(second)" 등을 사용하는 것을 지칭할 수 있다. 그러한 용어들은 명명법으로서 이해되어야 하고 구체적인 수가 주어져있지 않는 한 그러한 명명법에 의해 수정된 요소들의 수에 대한 제한을 부여하는 것으로 해석되어서는 안된다. 설명된 임의의 장점들 및 이점들은 본 발명의 모든 실시예에 적용되지 않을 수 있다. 다음의 청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고서 본 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 변형들이 설명된 실시예들에서 만들어질 수 있다는 것이 인정되어야 한다. 더욱이, 본 개시내용에서의 어떠한 요소 및 컴포넌트도 그 요소 또는 컴포넌트가 다음의 청구범위에서 명시적으로 인용되는지와 상관없이 공개 이용되어서는 안된다.

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  15. 디스플레이 기판을 제조하는 방법으로서,
    베이스 기판 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계 - 상기 패시베이션 층은 베이스 부분 및 상기 베이스 기판에서 먼 상기 베이스 부분의 측면 상의 돌출 부분을 포함하도록 형성됨 -
    를 포함하며;
    상기 돌출 부분은 상기 디스플레이 기판의 주변 지역 내에 형성되고 상기 디스플레이 기판의 디스플레이 지역을 둘러싸고,
    상기 패시베이션 층을 형성하는 단계는,
    상기 베이스 기판 상에 패시베이션 재료 층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판에서 먼 상기 패시베이션 재료 층의 측면 상에 제1 포토레지스트 층을 형성하는 단계 - 상기 제1 포토레지스트 층은 상기 돌출 부분에 대응하는 제1 영역에 있음 - ;
    상기 제1 영역 외부의 상기 패시베이션 재료 층의 두께를 감소시킴으로써 상기 베이스 부분을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 영역 외부의 상기 패시베이션 재료 층의 상기 두께를 감소시킨 후에 상기 제1 포토레지스트 층을 제거함으로써 상기 돌출 부분을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  16. 삭제
  17. 제15항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 층을 형성하기 전에,
    상기 베이스 기판에서 먼 상기 패시베이션 재료 층의 측면 상에 제2 포토레지스트 층을 형성하는 단계 - 상기 제2 포토레지스트 층은 상기 패시베이션 층에서 제1 비아에 대응하는 제2 영역 외부의 영역에 있음 - ;
    상기 제2 영역 내의 상기 패시베이션 재료 층을 부분적으로 제거함으로써 제2 비아를 형성하는 단계; 및
    상기 제1 영역 외부의 상기 제2 포토레지스트 층을 제거함으로써 상기 제1 포토레지스트 층을 형성하는 단계를 추가로 포함하며;
    상기 제1 영역 외부의 상기 패시베이션 재료 층의 상기 두께를 감소시키는 동안, 상기 제2 영역 내의 상기 패시베이션 재료 층이 완전히 제거됨으로써 상기 제1 비아를 형성하며, 상기 제1 비아는 상기 패시베이션 층을 관통하여 연장되는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 패시베이션 재료 층을 형성하기 전에, 상기 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계 - 상기 박막 트랜지스터는 소스 전극을 포함함 - 를 추가로 포함하며;
    상기 제1 비아, 상기 베이스 부분 및 상기 돌출 부분을 형성한 후에, 상기 방법은 상기 베이스 기판에서 먼 상기 패시베이션 층의 측면 상에 픽셀 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 픽셀 전극은 상기 제1 비아를 통해 상기 소스 전극에 접속되는 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 베이스 부분, 상기 돌출 부분, 및 상기 제1 비아는 단일 마스크 플레이트를 사용하여 단일 프로세스에서 형성되는 방법.
  20. 디스플레이 패널을 제조하는 방법으로서,
    제15항 및 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제1 기판을 형성하는 단계;
    제2 기판을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 셀로 조립하는 단계
    를 포함하며;
    상기 제2 기판을 형성하는 단계는 제2 베이스 기판 상에 실란트 재료 층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 실란트 재료 층은 상기 제2 기판의 주변 지역 내에 형성되고 상기 제2 기판의 디스플레이 지역을 둘러싸고;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 상기 셀로 조립하는 단계는 상기 실란트 재료 층을 상기 돌출 부분 상으로 부착함으로써 상기 디스플레이 패널의 디스플레이 지역을 밀봉하는 실란트 층을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제2 기판을 형성하는 단계는 상기 제2 베이스 기판 상에서 상기 제2 기판의 디스플레이 지역 내에 캡슐화 필름을 형성하는 단계를 추가로 포함하고;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 조립한 후에, 상기 캡슐화 필름은 상기 디스플레이 패널의 상기 디스플레이 지역 내의 디스플레이 유닛들을 캡슐화하는 방법.
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