KR101987926B1

KR101987926B1 - 파장 컷 필터

Info

Publication number: KR101987926B1
Application number: KR1020147012499A
Authority: KR
Inventors: 요스케 마에다; 마사아키 시미즈
Original assignee: 가부시키가이샤 아데카
Priority date: 2012-04-25
Filing date: 2013-03-27
Publication date: 2019-06-11
Also published as: TW201346350A; CN103930806B; JPWO2013161492A1; CN103930806A; WO2013161492A1; TWI634352B; JP6305331B2; KR20150003712A

Abstract

본 발명은, 입사각 의존성이 낮고, 내열성이 높아 박형화가 가능한 파장 컷 필터를 제공하는 것으로서, 구체적으로는 유리 기판(A)의 한쪽의 면에 염료를 함유하는 코팅층(B)을 가지면서, 유리 기판(A)의 다른 쪽의 면에 적외선 반사막(C)을 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 컷 필터. 바람직하게는 상기 염료를 함유하는 코팅층(B)이, 수지 고형분 100질량부에 대하여, 염료, 특히 산성 염료인 시아닌화합물을 0.01~10.0질량부 함유되어 이루어지는 파장 컷 필터를 제공하는 것이다.

Description

파장 컷 필터{WAVELENGTH CUT FILTER}

본 발명은, 염료를 함유하는 코팅층, 유리 기판 및 적외선 반사막을 적층하여 이루어지는 파장 컷 필터에 관한 것이다.

디지털 스틸 카메라, 비디오 카메라, 휴대전화용 카메라 등에 사용되는 고체 촬상 소자(CCD나 C-MOS 등)의 감도는 광의 파장의 자외 영역으로부터 적외 영역에 걸쳐 있다. 한편, 인간의 시감도(視感度)는 광의 파장의 가시 영역뿐이다. 그 때문에, 촬상 렌즈와 고체 촬상 소자 사이에 적외선 컷 필터를 마련함으로써, 인간의 시감도에 근접하도록 고체 촬상 소자의 감도를 보정하고 있다(예를 들면, 특허문헌 1~3 참조).

종래, 적외선 컷 필터는, 흡수 특성을 가지지 않는 물질을 함유하는 층을 조합하여 다층으로 적층하여 그들의 굴절율의 차를 이용한 반사형 필터이거나, 광 흡수제를 투명한 기판에 함유시키거나 또는 결합시킨 흡수형 필터였다.

반사형 필터는, 광의 입사각에 의해 특성이 변화하기 때문에, 화면의 중심과 주변에서 색조가 변화하는 등의 폐해가 있다. 또한 반사된 광이 광로(光路) 중에 있어서 미광(迷光)이 되어 해상도의 저하나 화상의 얼룩·불균일, 고스트라 불리우는 다중상 등을 일으키는 원인이 되는 폐해가 있다.

한편, 흡수형 필터는, 광의 입사각에 의한 특성의 변화가 없지만, 목적으로 하는 특성을 얻기 위해서는 상당한 두께가 필요해진다.

최근, 다양한 기기, 장치에 대폭의 소형화의 요구가 있고, 종래의 흡수형 필터에서는 그 소형화의 요구에 응할 수 없게 되고 있다. 또한 반사형 필터에서는, 특히 입사각 의존성에 의해 요구되는 특성에 도달하는 것이 어려워지고 있다.

미국 특허출원 공개 2005/253048호 공보 명세서 일본국 공개특허공보 2011-118255호 일본국 공개특허공보 2012-008532호

따라서, 본 발명의 목적은 입사각 의존성이 낮고, 내열성이 높아 박형화가 가능한 파장 컷 필터를 제공하는 것에 있다.

본 발명자는, 예의 검토를 거듭한 결과, 유리 기판(A)의 한쪽의 면에 염료를 함유하는 코팅층(B)을 가지면서, 유리 기판(A)의 다른 쪽의 면에 적외선 반사막(C)을 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 컷 필터가, 입사각 의존성이 낮은 것을 지견하여, 본 발명에 도달하였다.

본 발명은, 유리 기판(A)의 한쪽의 면에 염료를 함유하는 코팅층(B)을 가지면서, 유리 기판(A)의 다른 쪽의 면에 적외선 반사막(C)을 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 컷 필터를 제공하는 것이다.

또한 본 발명은 상기 파장 컷 필터를 구비하는 고체 촬상장치를 제공하는 것이다.

또한 본 발명은 상기 파장 컷 필터를 구비하는 카메라 모듈을 제공하는 것이다.

본 발명의 파장 컷 필터는 입사각 의존성이 낮은 점에서 뛰어난 것이다. 또한 본 발명의 파장 컷 필터는 고체 촬상장치 및 카메라 모듈에 적합한 것이다.

도 1은 본 발명의 파장 컷 필터의 층 구조의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 카메라 모듈의 구성의 한 형태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 카메라 모듈의 구성의 다른 한 형태를 나타내는 단면도이다.

이하, 본 발명의 파장 컷 필터에 대하여, 바람직한 실시형태에 근거하여 설명한다.

본 발명의 파장 컷 필터는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(A)의 한쪽의 면에 염료를 함유하는 코팅층(B)을 가지면서, 유리 기판(A)의 다른 쪽의 면에 적외선 반사막(C)을 적층하여 이루어지는 층 구조를 취하는 것이며, 코팅층(B)을 가지는 측을 광의 입사측으로 한다. 이하, 각 층에 대하여 순서대로 설명한다.

<유리 기판(A)>

본 발명의 파장 컷 필터에 사용되는 유리 기판(A)으로서는, 가시 영역에서 투명한 유리 재료로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있는데, 소다 석회 유리, 백판(白板) 유리, 붕규산 유리, 강화 유리, 석영 유리, 인산염계 유리 등을 사용할 수 있고, 그 중에서도 소다 석회 유리는 저렴하고 입수 용이하기 때문에 바람직하며, 백판 유리, 붕규산 유리 및 강화 유리는 입수 용이하고 경도가 높아 가공성이 뛰어나기 때문에 바람직하다.

또한 유리 기판(A)에 실란커플링제 등의 전 처리를 실시한 후에, 도공액을 도포하여 후술의 염료를 함유하는 코팅층(B)을 형성하면, 도공액 건조 후의 염료를 함유하는 코팅층(B)의 유리 기판에 대한 밀착성이 높아진다.

상기 실란커플링제로서는 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시 관능성 알콕시실란, N-β(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노 관능성 알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등의 메르캅토 관능성 알콕시실란 등을 들 수 있다.

유리 기판(A)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 0.05~8mm가 바람직하고, 경량화 및 강도의 면에서 0.05~1mm가 더욱 바람직하다.

본 발명에서는, 기판이 유리판이기 때문에, 기판상에 직접 도공, 건조한 후 절단 가공하는 것이 가능하여, 구조나 프로세스가 간이해진다. 또한 기판이 유리판이기 때문에 플라스틱일 경우보다 내열성(260℃ 리플로우 내성)이 높다.

<코팅층(B)>

본 발명의 파장 컷 필터에 사용되는 염료를 함유하는 코팅층(B)은 염료, 수지 및 필요에 따라 배합되는 다른 성분을 적당한 용매에 용해 또는 분산시켜 도공액을 조제하고, 얻어진 도공액을 유리 기판(A)상에 도포함으로써 형성할 수 있다.

도포 방법으로서는 스핀 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 비드 코트법, 에어나이프 코트법, 커튼 코트법, 롤러 코트법, 와이어바 코트법, 그라비어 코트법, 다이 코트법, 호퍼를 사용하는 익스트루젼(extrusion) 코트법 등을 들 수 있다.

상기 염료로서는, 특별히 제한되지 않고 공지 염료를 사용할 수 있고, 예를 들면 옥사졸 및 옥사디아졸화합물, 쿠마린화합물, 퀴놀리놀화합물, 프탈로시아닌화합물, 나프토락탐화합물, 플루오렌 및 그 유도체, 안트라센 및 그 유도체, 크산텐화합물(피로닌계, 로다민계, 플루오레세인계), 스틸벤화합물, 시아닌화합물, 아조화합물, 아조메틴화합물, 인디고화합물, 티오인디고화합물, 옥소놀화합물, 스쿠아릴륨화합물, 인돌화합물, 스티릴화합물, 포르핀화합물, 아줄레늄화합물, 크로코닉메틴화합물, 피릴륨화합물, 티오피릴륨화합물, 트리아릴메탄화합물, 디페닐메탄화합물, 테트라하이드로콜린화합물, 인도페놀화합물, 안트라퀴논화합물, 나프토퀴논화합물, 티아진화합물, 스피로피란화합물, 벤질리덴화합물, 인단화합물, 아줄렌화합물, 페릴렌화합물, 프탈로페린화합물, 아진화합물, 아크리딘화합물, 티아진화합물, 옥사진화합물, 폴리아세틸렌화합물, 페닐렌비닐렌화합물, 페닐렌에티닐렌화합물, 5원환 및 6원환의 복소환 화합물 등을 들 수 있으며, 이들은 복수를 혼합하여 사용해도 된다.

상기 염료 중에서도 크산텐화합물, 프탈로시아닌화합물, 시아닌화합물, 아조화합물, 옥소놀화합물, 안트라퀴논화합물 등의 산성 염료가 용해성의 면에서 바람직하다.

상기 산성 염료 중에서도 합성의 용이함 및 분자 설계의 면에서 시아닌화합물이 더욱 바람직하다.

상기 시아닌화합물로서는 예를 들면 하기 일반식(1)로 표시되는 것을 들 수 있다.

(식 중 A는 하기의 군 I의 (a)~(m)으로부터 선택되는 기를 나타내고, A'는 하기의 군 II의 (a')~(m')로부터 선택되는 기를 나타내며,

Q는 탄소원자수 1~9의 메틴쇄를 구성하고, 쇄 중에 환 구조를 포함해도 되는 연결기를 나타내며, 상기 메틴쇄 중의 수소원자는 수산기, 할로겐원자, 시아노기, -NRR', 아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 상기 -NRR', 아릴기, 아릴알킬기 및 알킬기는 또한 수산기, 할로겐원자, 시아노기 또는 -NRR'로 치환되어 있어도 되며, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO₂-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 중단되어도 되고,

R 및 R'는 아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬기를 나타내며,

An^q ^-는 q가의 음이온을 나타내고, q는 1 또는 2를 나타내며, p는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타낸다.)

(식 중 환 C 및 환 C'는 벤젠환, 나프탈렌환, 페난트렌환 또는 피리딘환을 나타내고,

R¹ 및 R^1'는 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, -SO₃H, 카르복실기, 아미노기, 아미드기, 페로세닐기, 탄소원자수 6~30의 아릴기, 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소원자수 1~8의 알킬기를 나타내며,

상기 R¹ 및 R^1' 중의 탄소원자수 6~30의 아릴기, 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 및 탄소원자수 1~8의 알킬기는 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, -SO₃H, 카르복실기, 아미노기, 아미드기 또는 페로세닐기로 치환되어 있어도 되고, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO₂-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 중단되어 있어도 되며,

R²~R⁹ 및 R^2'~R^9'는 R¹ 및 R^1'와 동일한 기 또는 수소원자를 나타내고,

X 및 X'는 산소원자, 황원자, 셀렌원자, -CR⁵¹R⁵²-, 탄소원자수 3~6의 시클로알칸-1,1-디일기, -NH- 또는 -NY²-를 나타내며,

R⁵¹ 및 R⁵²는 R¹ 및 R^1'와 동일한 기 또는 수소원자를 나타내고,

Y, Y' 및 Y²는 수소원자, 또는 수산기, 할로겐원자, 시아노기, 카르복실기, 아미노기, 아미드기, 페로세닐기, -SO₃H 혹은 니트로기로 치환되어도 되는 탄소원자수 1~20의 알킬기, 탄소원자수 6~30의 아릴기 혹은 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기를 나타내며,

상기 Y, Y' 및 Y² 중의 탄소원자수 1~8의 알킬기, 탄소원자수 6~30의 아릴기 및 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 중의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO₂-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 중단되어 있어도 되고,

r 및 r'는 0 또는 (a)~(e), (g)~(j), (l), (m), (a')~(e'), (g')~(j'), (l') 및 (m')에 있어서 치환 가능한 수를 나타낸다.)

상기 일반식(1)에 있어서의 R¹~R⁹ 및 R^1'~R^9' 및 X 및 X' 중의 R⁵¹ 및 R⁵²로 표시되는 할로겐원자로서는 불소, 염소, 브롬, 요오드를 들 수 있고,

탄소원자수 6~30의 아릴기로서는 페닐, 나프틸, 2-메틸페닐, 3-메틸페닐, 4-메틸페닐, 4-비닐페닐, 3-iso-프로필페닐, 4-iso-프로필페닐, 4-부틸페닐, 4-iso-부틸페닐, 4-tert-부틸페닐, 4-헥실페닐, 4-시클로헥실페닐, 4-옥틸페닐, 4-(2-에틸헥실)페닐, 4-스테아릴페닐, 2,3-디메틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,5-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 3,4-디메틸페닐, 3,5-디메틸페닐, 2,4-디-tert-부틸페닐, 2,5-디-tert-부틸페닐, 2,6-디-tert-부틸페닐, 2,4-디-tert-펜틸페닐, 2,5-디-tert-아밀페닐, 2,5-디-tert-옥틸페닐, 2,4-디쿠밀페닐, 4-시클로헥실페닐, (1,1'-비페닐)-4-일, 2,4,5-트리메틸페닐, 페로세닐 등을 들 수 있으며,

탄소원자수 7~30의 아릴알킬기로서는 벤질, 페네틸, 2-페닐프로판-2-일, 디페닐메틸, 트리페닐메틸, 스티릴, 신나밀, 페로세닐메틸, 페로세닐프로필 등을 들 수 있고,

탄소원자수 1~8의 알킬기로서는 메틸, 에틸, 프로필, iso-프로필, 부틸, sec-부틸, tert-부틸, iso-부틸, 아밀, iso-아밀, tert-아밀, 헥실, 2-헥실, 3-헥실, 시클로헥실, 1-메틸시클로헥실, 헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, iso-헵틸, tert-헵틸, 1-옥틸, iso-옥틸, tert-옥틸 등을 들 수 있다.

상기 탄소원자수 6~30의 아릴기, 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 및 탄소원자수 1~8의 알킬기는 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, -SO₃H, 카르복실기, 아미노기, 아미드기 또는 페로세닐기로 치환되어 있어도 되고, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO₂-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 중단되어도 되고, 이들의 치환 및 중단의 수 및 위치는 임의이다.

예를 들면, 상기 탄소원자수 1~8의 알킬기가 할로겐원자로 치환된 기로서는, 예를 들면 클로로메틸, 디클로로메틸, 트리클로로메틸, 플루오로메틸, 디플루오로메틸, 트리플루오로메틸, 노나플루오로부틸 등을 들 수 있고,

상기 탄소원자수 1~8의 알킬기가 -O-로 중단된 기로서는 메틸옥시, 에틸옥시, iso-프로필옥시, 프로필옥시, 부틸옥시, 펜틸옥시, iso-펜틸옥시, 헥실옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시 등의 알콕시기나, 2-메톡시에틸, 2-(2-메톡시)에톡시에틸, 2-에톡시에틸, 2-부톡시에틸, 4-메톡시부틸, 3-메톡시부틸 등의 알콕시알킬기 등을 들 수 있으며,

상기 탄소원자수 1~8의 알킬기가 할로겐원자로 치환되면서, -O-로 중단된 기로서는, 예를 들면 클로로메틸옥시, 디클로로메틸옥시, 트리클로로메틸옥시, 플루오로메틸옥시, 디플루오로메틸옥시, 트리플루오로메틸옥시, 노나플루오로부틸옥시 등을 들 수 있다.

상기 일반식(1)에 있어서, X 및 X'로 표시되는 탄소원자수 3~6의 시클로알칸-1,1-디일기로서는 시클로프로판-1,1-디일, 시클로부탄-1,1-디일, 2,4-디메틸시클로부탄-1,1-디일, 3,3-디메틸시클로부탄-1,1-디일, 시클로펜탄-1,1-디일, 시클로헥산-1,1-디일 등을 들 수 있다.

상기 일반식(1)에 있어서, Y, Y' 및 Y²로 표시되는 할로겐원자, 탄소원자수 1~20의 알킬기, 탄소원자수 6~30의 아릴기 및 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기로서는, 상기 R¹ 등의 설명에서 예시한 기를 들 수 있고, 이들 치환기 중의 수소원자는 수산기, 할로겐원자, 시아노기, 카르복실기, 아미노기, 아미드기, 페로세닐기, -SO₃H 또는 니트로기로 임의의 수로 치환되어도 된다.

또한 이들 Y, Y', Y² 중의 알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기 중의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO₂-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 중단되어도 된다. 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, iso-프로필, 부틸, sec-부틸, tert-부틸, iso-부틸, 아밀, iso-아밀, tert-아밀, 헥실, 2-헥실, 3-헥실, 시클로헥실, 1-메틸시클로헥실, 헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, iso-헵틸, tert-헵틸, 1-옥틸, iso-옥틸, tert-옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, iso-노닐, 데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 헵타데실, 옥타데실 등의 알킬기; 페닐, 나프틸, 2-메틸페닐, 3-메틸페닐, 4-메틸페닐, 4-비닐페닐, 3-iso-프로필페닐, 4-iso-프로필페닐, 4-부틸페닐, 4-iso-부틸페닐, 4-tert-부틸페닐, 4-헥실페닐, 4-시클로헥실페닐, 4-옥틸페닐, 4-(2-에틸헥실)페닐, 4-스테아릴페닐, 2,3-디메틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,5-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 3,4-디메틸페닐, 3,5-디메틸페닐, 2,4-디-tert-부틸페닐, 시클로헥실페닐 등의 아릴기; 벤질, 페네틸, 2-페닐프로판-2-일, 디페닐메틸, 트리페닐메틸, 스티릴, 신나밀 등의 아릴알킬기 등이 에테르 결합, 티오에테르 결합 등으로 중단된 것, 예를 들면 2-메톡시에틸, 3-메톡시프로필, 4-메톡시부틸, 2-부톡시에틸, 메톡시에톡시에틸, 메톡시에톡시에톡시에틸, 3-메톡시부틸, 2-페녹시에틸, 3-페녹시프로필, 2-메틸티오에틸, 2-페닐티오에틸 등을 들 수 있다.

상기 일반식(1)에 있어서의 Q로 표시되는 탄소원자수 1~9의 메틴쇄를 구성하고, 쇄 중에 환 구조를 포함해도 되는 연결기로서는 하기 (Q-1)~(Q-11)의 어느 하나로 표시되는 기가 제조가 용이하기 때문에 바람직하다. 탄소원자수 1~9의 메틴쇄에 있어서의 탄소원자수에는 메틴쇄 또는 메틴쇄 중에 포함되는 환 구조를 더 치환하는 기의 탄소원자(예를 들면, 연결기 (Q-1)~(Q-11)에 있어서의 양 말단의 탄소원자, Z' 또는 R¹⁴~R¹⁹가 탄소원자를 포함하는 경우는 그 탄소원자)를 포함하지 않는다.

(식 중 R¹⁴, R¹⁵, R¹⁶, R¹⁷, R¹⁸, R¹⁹ 및 Z'는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 시아노기, -NRR', 아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬기를 나타내고, 상기 -NRR', 아릴기, 아릴알킬기 및 알킬기는 수산기, 할로겐원자, 시아노기 또는 -NRR'로 치환되어 있어도 되며, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -SO₂-, -NH-, -CONH-, -NHCO-, -N=CH- 또는 -CH=CH-로 중단되어 있어도 되며,

R 및 R'는 아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬기를 나타낸다.)

상기 R¹⁴, R¹⁵, R¹⁶, R¹⁷, R¹⁸, R¹⁹ 및 Z'로 표시되는 할로겐원자, 아릴기, 아릴알킬 또는 알킬기로서는 R¹ 등의 설명에서 예시한 것을 들 수 있고, R 및 R'로 표시되는 아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬기로서는 R¹ 등의 설명에서 예시한 것을 들 수 있다.

상기 일반식(1) 중의 pAn^q ^-로 표시되는 q가의 음이온으로서는 메탄술폰산 음이온, 도데실술폰산 음이온, 벤젠술폰산 음이온, 톨루엔술폰산 음이온, 트리플루오로메탄술폰산 음이온, 나프탈렌술폰산 음이온, 디페닐아민-4-술폰산 음이온, 2-아미노-4-메틸-5-클로로벤젠술폰산 음이온, 2-아미노-5-니트로벤젠술폰산 음이온, 일본국 공개특허 평10-235999, 일본국 공개특허 평10-337959, 일본국 공개특허 평11-102088, 일본국 공개특허 2000-108510, 일본국 공개특허 2000-168223, 일본국 공개특허 2001-209969, 일본국 공개특허 2001-322354, 일본국 공개특허 2006-248180, 일본국 공개특허 2006-297907, 일본국 공개특허공보 평8-253705호, 일본국 공표특허공보 2004-503379호, 일본국 공개특허공보 2005-336150호, 국제공개공보 2006/28006호 등에 기재된 술폰산 음이온 등의 유기 술폰산 음이온 외에 염화물 이온, 브롬화물 이온, 요오드화물 이온, 불화물 이온, 염소산 이온, 티오시안산 이온, 과염소산 이온, 헥사플루오로인산 이온, 헥사플루오로안티몬산 이온, 테트라플루오로붕산 이온, 옥틸인산 이온, 도데실인산 이온, 옥타데실인산 이온, 페닐인산 이온, 노닐페닐인산 이온, 2,2'-메틸렌비스(4,6-디-t-부틸페닐)포스폰산 이온, 테트라키스(펜타플루오로페닐)붕산 이온, 여기(勵起) 상태에 있는 활성 분자를 탈여기시키는(퀀칭(quenching)시키는) 기능을 가지는 퀀처(quencher) 음이온이나 시클로펜타디에닐환에 카르복실기나 포스폰산기, 술폰산기 등의 음이온성 기를 가지는 페로센, 루테노센 등의 메탈로센화합물 음이온 등을 들 수 있다.

본 발명에서 사용되는 시아닌화합물의 구체예로서는 하기 화합물 No.1~102를 들 수 있다. 또한 이하의 예시에서는 음이온을 생략한 시아닌 양이온으로 나타내고 있다.

상기 시아닌화합물은, 그 제조방법은 특별히 한정되지 않고, 주지의 일반적 반응을 이용한 방법으로 얻을 수 있고, 예를 들면 일본국 공개특허 2010-209191에 기재되어 있는 루트와 같이, 해당하는 구조를 가지는 화합물과, 이민 유도체의 반응에 의해 합성하는 방법을 들 수 있다.

본 발명에서 사용되는 염료는 도막의 극대 흡수 파장(λmax)이 650~1200nm인 것이 바람직하고, 650~900nm가 더욱 바람직하다. 도막의 극대 흡수 파장(λmax)이 본 발명의 1200nm이상이면, 본원 발명의 효과를 발휘하지 않고, 650nm미만이면 가시광선을 흡수하기 때문에 바람직하지 않다.

상기 염료를 함유하는 코팅층(B)을 형성하기 위한 도공액에 있어서, 염료의 함유량은 단독 또는 복수종의 합계로, 바람직하게는 0.01~50질량%, 보다 바람직하게는 0.1~30질량%이다. 염료의 함유량이 0.01질량%보다 작으면, 충분한 특성이 얻어지지 않을 경우가 있고, 50질량%보다 크면 코팅층 중에서 염료의 석출이 일어날 경우가 있다.

또한 상기 염료를 함유하는 코팅층(B)에 있어서, 염료의 함유량은 단독 또는 복수종의 합계로, 수지 고형분 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.01~10.0질량부, 보다 바람직하게는 0.25~5.0질량부이다.

상기 수지로서는, 예를 들면 젤라틴, 카제인, 전분, 셀룰로오스 유도체, 아르긴산 등의 천연 고분자 재료, 혹은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 스티렌-부타디엔 코폴리머, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리아미드 등의 합성 고분자 재료가 사용된다.

상기 필요에 따라 배합되는 다른 성분으로서는 벤조트리아졸계, 트리아진계, 벤조에이트계의 자외선 흡수제; 페놀계, 인계, 황계 산화방지제; 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양성 계면활성제 등으로 이루어지는 대전방지제; 할로겐계 화합물, 인산에스테르계 화합물, 인산아미드계 화합물, 멜라민계 화합물, 불소수지 또는 금속 산화물, (폴리)인산멜라민, (폴리)인산피페라진 등의 난연제; 탄화수소계, 지방산계, 지방족 알코올계, 지방족 에스테르계, 지방족 아마이드계 또는 금속 비누계의 활제(滑劑); 퓸드 실리카(fumed silica), 미립자 실리카, 규석, 규조토류, 클레이, 카올린, 규조토, 실리카겔, 규산칼슘, 세리사이트, 카올리나이트, 플린트(flint), 장석분(長石粉), 질석(蛭石), 애터펄자이트(attapulgite), 탈크, 마이카, 미네소타이트, 파이로필라이트, 실리카 등의 규산계 무기 첨가제; 유리 섬유, 탄산칼슘 등의 충전제; 조핵제, 결정 촉진제 등의 결정화제, 실란커플링제, 가요성 폴리머 등의 고무 탄성 부여제 등을 들 수 있다. 이들 다른 성분의 사용량은 염료를 함유하는 코팅층(B)을 형성하기 위한 도공액 중 합계로 50질량%이하로 한다.

상기 용매로서는, 특별히 한정되지 않고 공지의 다양한 용매를 적절히 사용할 수 있고, 예를 들면 이소프로판올 등의 알코올류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 부틸디글리콜 등의 에테르알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산메톡시에틸 등의 에스테르류; 아크릴산에틸, 아크릴산부틸 등의 아크릴산에스테르류, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 등의 불화알코올류; 헥산, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소류; 메틸렌디클로라이드, 디클로로에탄, 클로로포름 등의 염소화탄화수소류 등을 들 수 있다. 이들 유기 용매는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.

염료를 함유하는 코팅층(B)의 두께는 1~200㎛인 것이 균일한 막이 얻어져 박막화에 유리하기 때문에 바람직하다. 1㎛미만이면 기능을 충분히 발현할 수 없고, 200㎛를 넘으면 도포시에 용매가 잔류할 우려가 있다.

<적외선 반사막(C)>

본 발명의 컷 필터에 사용되는 적외선 반사막(C)은 700~1200nm의 파장 영역의 광을 차단하는 기능을 가지는 것으로, 저굴절율층과 고굴절율층이 교대로 적층된 유전체 다층막에 의해 형성된다.

상기 저굴절율층을 구성하는 재료로서는, 굴절율 1.2~1.6의 재료를 사용할 수 있고, 예를 들면 실리카, 알루미나, 불화란탄, 불화마그네슘, 6불화알루미늄나트륨 등을 들 수 있다.

상기 고굴절율층을 구성하는 재료로서는 굴절율이 1.7~2.5인 재료를 사용할 수 있고, 예를 들면 산화티탄, 산화지르코늄, 5산화탄탈, 5산화니오브, 산화란탄, 산화이트륨, 산화아연, 황화아연, 산화인듐 등을 들 수 있는 것 외에, 이들을 주성분으로 하여 산화티탄, 산화주석, 산화세륨 등을 소량 함유시킨 것 등을 들 수 있다.

상기 저굴절율층과 고굴절율층을 적층하는 방법에 대해서는, 이들 층을 적층한 유전체 다층막이 형성되는 한 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 유리 기판상에 CVD법, 스퍼터법, 진공 증착법 등에 의해 저굴절율층과 고굴절율층을 교대로 적층한 유전체 다층막을 형성하는 방법을 들 수 있다. 또한 미리 유전체 다층막을 형성하여, 이것을 유리 기판에 접착제로 맞붙일 수도 있다.

적층수는 10~80층이며, 25~50층인 것이 프로세스 및 강도의 면에서 바람직하다.

상기 저굴절율층과 고굴절율층의 두께는 각각 통상 차단하고자 하는 광선의 파장 λ(nm)의 1/10~1/2의 두께이다. 두께가 0.1λ미만 혹은 0.5λ보다 커지면, 굴절율(n)과 물리 막두께(d)의 적(積)(nd)이 λ/4의 배수로 표시되는 광학 막두께와 크게 달라 특정 파장의 차단·투과를 할 수 없을 우려가 있다.

상기 적외선 반사막(C)으로서는, 상기의 유전체 다층막 외에 극대 흡수 파장이 700~1100nm인 염료를 함유하는 막, 고분자를 적층시킨 것, 콜레스테릭(cholesteric) 액정을 도포하여 형성한 막 등의 유기 재료를 사용한 것을 사용할 수도 있다.

본 발명의 파장 컷 필터는 투과율이 하기 (i)~(iii)을 만족하는 것이 바람직하다. 또한 상(上)투과율의 측정은 니혼분코(주) 제품 자외 가시 근적외 분광 광도계 V-570으로 측정하였다.

(i)파장 430~580nm의 범위에 있어서, 파장 컷 필터의 수직 방향으로부터 측정한 경우의 투과율의 평균값이 75%이상이다.

(ii)파장 800~1000nm에 있어서, 파장 컷 필터의 수직 방향으로부터 측정한 경우의 투과율의 평균값이 5%이하이다.

(iii)파장 560~800nm의 범위에 있어서, 파장 컷 필터의 수직 방향으로부터 측정한 경우의 투과율이 80%가 되는 파장의 값(Ya)과, 파장 컷 필터의 수직 방향에 대하여 35°의 각도로부터 측정한 경우의 투과율이 80%가 되는 파장의 값(Yb)의 차의 절대값이 30nm이하이다.

파장 컷 필터에 있어서, 상기 (i)의 파장 430~580nm의 범위에 있어서의 투과율의 평균값이 75%미만이면, 가시광 영역에 있어서의 광을 거의 투과하지 않게 되고, 상기 (ii)의 파장 800~1000nm에 있어서의 투과율의 평균값이 5%를 넘으면, 적외선 영역에 있어서의 광을 거의 컷트하지 않기 때문에, 인간의 시감도에 근접하도록 감도를 보정하는 것이 곤란해질 우려가 있다.

또한 상기 (iii)의 Ya와 Yb의 차의 절대값이 30nm를 넘으면 광의 입사각에 의한 의존성이 높아지고, 광의 입사각에 의해 파장 컷 필터의 특성이 변화하기 때문에, 화면의 중심과 주변에서 색조가 변화하는 등의 폐해가 생길 우려가 있다.

본 발명의 파장 컷 필터의 구체적인 용도로서는, 자동차나 건물의 유리창 등에 장착되는 열선 컷 필터; 디지털 스틸 카메라, 디지털 비디오 카메라, 감시 카메라, 차재용(車載用) 카메라, 웹 카메라, 휴대전화용 카메라 등의 고체 촬상장치에 있어서의 CCD나 CMOS 등의 고체 촬상 소자용 시감도 보정용; 자동 노출계; 플라즈마 디스플레이 등의 표시장치 등을 들 수 있다.

다음으로, 본 발명의 고체 촬상장치 및 카메라 모듈에 대하여 설명한다.

본 발명의 고체 촬상장치는, 본 발명의 파장 컷 필터를 촬상 소자의 전면(前面)에 구비하는 것 이외에는 종래 공지의 고체 촬상장치와 동일하게 구성된다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 파장 컷 필터(1)는, 고체 촬상 소자(2)의 광 입사측에서 고체 촬상 소자 이외의 부분에 고정해도 되고, 도 3에 나타내는 바와 같이 고체 촬상 소자(2)의 전면에 직접 고정해도 된다.

본 발명의 고체 촬상장치에는, 필요에 따라, 광학 로우패스 필터, 반사 방지 필터, 컬러 필터 등을 배치할 수 있고, 이들을 적층하는 순서에 특별히 제한은 없다.

이하, 본 발명의 고체 촬상장치의 하나인 카메라 모듈에 관한 것으로서, 본 발명의 파장 컷 필터(1)가, 고체 촬상 소자(2)의 광입사측에서 고체 촬상 소자 이외의 부분에 고정되어 있는 경우에 대하여 구체적으로 설명한다.

도 2는 본 발명의 고체 촬상장치의 하나인 카메라 모듈의 구성의 한 형태를 나타내는 단면도이다. 카메라 모듈은, 반도체 기판에 평면으로 보아 직사각형상으로 형성된 고체 촬상 소자(2)와, 고체 촬상 소자(2)의 수광부(受光部)(3)의 반대측에, 광 입사측으로부터 염료를 함유하는 코팅층(B)·유리 기판(A)·적외선 반사막(C)의 순서로 적층된 파장 컷 필터(1)와, 고체 촬상 소자(2)의 일면에 있어서 수광부(3)를 제외한 영역에 형성되고, 고체 촬상 소자(2) 및 파장 컷 필터(1)를 접착제(4)로 접합한다. 고체 촬상장치인 카메라 모듈은, 파장 컷 필터(1)를 통해 외부로부터의 광을 받아들여, 고체 촬상 소자(2)의 수광부(3)에 배치된 수광 소자에 의해 수광한다.

접착제(4)로서는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등의 UV 경화성 접착제 혹은 열 경화성 수지를 사용할 수 있고, 상기 접착제(4)를 균일하게 도포한 후, 필요에 따라 주지의 포토리소그래피 기술을 사용하여 접착제(4)를 패터닝하여, 열 경화에 의해 접합한다. 접합할 시에는 진공 환경 내에서 맞붙인 후에 진공 가압을 행해도 된다.

실장 기판(8)은 유리 에폭시 기판이나 세라믹 기판 등을 사용한 리지드(rigid) 기판으로, 고체 촬상 소자(2)를 제어하는 제어 회로가 마련되어 있는 것이다.

실장 기판(8)상에 고체 촬상 소자(2)를 배치하고, 이어서 실장 기판(8)의 렌즈 홀더(7)가 고착되는 위치에 미리 접착제(4)를 도포해 둔다.

렌즈 캡(6)은 렌즈(5)를 보호하는 것이다. 또한 렌즈 홀더(7)는 렌즈(5)를 유지하는 것이며, 실장 기판(8)에 장착되어 고체 촬상 소자(2)를 덮는 상자상의 베이스부(7a)와, 렌즈(5)를 유지하는 원통 형상의 경통부(鏡筒部)(7b)를 구비하고 있다.

이어서, 렌즈 홀더(7)의 하단면이 도포된 접착제(4)에 접하도록 렌즈 홀더(7)를 실장 기판(8)상에 배치하고, 또한 고체 촬상 소자(2)의 수광부(3)와 렌즈 홀더(7) 내의 렌즈(5)의 거리가, 렌즈(5)의 초점 거리에 일치하도록 렌즈 홀더(7)의 위치의 조절을 행한다.

렌즈 홀더(7)의 위치 조절을 행한 후, 접착제(4)에 대하여 자외선을 조사하고, 접착제(4)를 경화시켜 카메라 모듈을 제조할 수 있다.

렌즈 홀더(7)가 고정된 실장 기판(8) 전체를 약 85℃로 가열하여, 열 경화에 의해 더욱 접착제(4)의 경화를 충분히 행해도 된다.

또한 카메라 모듈의 제조방법에 있어서는, 자외선을 조사하는 공정 후에, 실장 기판(8) 전체를 가열하는 공정을 포함하기 때문에, 렌즈 홀더(7), 렌즈(5) 및 파장 컷 필터(1)는 모두 내열성이 높은 재료를 사용하는 것이 필요하다. 구체적으로는, 상술과 같이 접착제(4)의 열 경화를 위한 가열 외에, 실장 기판(8)의 하면에 배치되는 복수의 솔더를, 약 260℃에서 가열 용융 처리하여 다른 기판에 솔더링하기 때문에, 리플로우 내성을 가진 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다.

실시예

이하, 실시예 등을 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.

제조예 1~11은, 본 발명의 파장 컷 필터에 사용되는 염료를 함유하는 코팅층(B)을 형성하기 위한 도공액의 조제예를 나타내고, 비교 제조예 2~4는 비교의 파장 컷 필터에 사용되는 염료를 함유하는 코팅층(B)을 형성하기 위한 비교 도공액의 조제예를 나타내며, 실시예 1~11은 본 발명의 파장 컷 필터의 제조예를 나타내고, 비교예 1~4는 비교의 파장 컷 필터의 제조예를 나타내며, 평가예 1~11에서는 실시예 1~11에서 제조한 본 발명의 파장 컷 필터를 평가하고, 비교 평가예 1~4에서는 비교예 1~4에서 제조한 비교의 파장 컷 필터를 평가하였다.

[제조예 1~11 및 비교 제조예 2~4] 도공액 No.1~No.11 및 비교 도공액 No.2~No.4의 조제

[표 1] 및 [표 2]에 나타내는 배합으로 각 성분을 혼합하고, 도공액 No.1~No.11 및 비교 도공액 No.2~No.4를 얻었다.

[실시예 1~11 및 비교예 1~4] 파장 컷 필터 No.1~No.11 및 비교 파장 컷 필터 No.1~No.4의 제조

두께 100㎛의 유리 기판(B)의 한쪽의 면에, 진공 증착법에 의해 실리카(SiO₂)층과 산화티탄(TiO₂)층을 교대로 적층하여, 전 층수가 30층이며 두께 약 3㎛인 적외선 반사막(C)을 형성하였다.

얻어진 적외 반사막(C)을 형성한 유리 기판(B)의 상기 적외 반사막(C)과는 다른 면에, 제조예 1~11에서 얻어진 도공액 No.1~No.11을, 바코터 #30에 의해 도포(막두께 10㎛)한 후, 100℃에서 10분간 건조시켜 코팅층을 형성하여, 본 발명의 파장 컷 필터 No.1~No.11을 제작하였다.

상기에서 얻어진 적외 반사막(C)을 형성한 유리 기판을 비교의 파장 컷 필터 No.1로 하였다.

또한 두께 100㎛의 유리 기판(B)의 한쪽의 면에, 비교 도공액 No.2~No.4를 바코터 #30에 의해 도포(막두께 10㎛)한 후, 100℃에서 10분간 건조시켜 코팅층(A)을 형성하여, 비교의 파장 컷 필터 No.2~No.4를 제작하였다.

[평가예 1~11 및 비교 평가예 1~4]

실시예 1~11에서 얻어진 본 발명의 파장 컷 필터 No.1~No.11 및 비교예 1~4에서 얻어진 비교의 파장 컷 필터 No.1~No.4에 대하여, i)파장 430~580nm의 범위에 있어서, 파장 컷 필터의 수직 방향으로부터 측정한 경우의 투과율의 평균값, ii)파장 800~1000nm에 있어서, 파장 컷 필터의 수직 방향으로부터 측정한 경우의 투과율의 평균값 및 iii)파장 560~800nm의 범위에 있어서, 파장 컷 필터의 수직 방향으로부터 측정한 경우의 투과율이 80%가 되는 파장의 값(Ya)과, 파장 컷 필터의 수직 방향에 대하여 35°의 각도로부터 측정한 경우의 투과율이 80%가 되는 파장의 값(Yb)의 차의 절대값을 구하였다. 결과를 [표 1] 및 [표 2]에 나타낸다. 또한 상투과율의 측정은 니혼분코(주) 제품 자외 가시 근적외 분광 광도계 V-570으로 측정하였다.

상기 [표 1] 및 [표 2]의 결과로부터, 염료를 함유하는 코팅층(B)을 가지지 않는 비교예 1의 파장 컷 필터는 입사각 의존성이 높고, 적외선 반사막(C)을 가지고 있지 않은 비교예 2~4의 파장 컷 필터는, 입사각 의존성이 낮지만, 파장 430~580nm의 범위에 있어서 투과율이 낮거나 혹은 파장 800~1000nm에 있어서 투과율이 높은, 즉 가시광 영역에 있어서는 광을 투과하지 않고, 적외선 영역에 있어서는 광을 컷트하지 않기 때문에 인간의 시감도에 근접하도록 감도를 보정할 수 없다.

한편, 본 발명의 파장 컷 필터는 파장 430~580nm의 범위에 있어서 투과율이 높고, 파장 800~1000nm에 있어서 투과율이 낮으면서, 입사각 의존성이 낮다.

이상의 결과로부터, 유리 기판(A)의 한쪽의 면에 염료를 함유하는 코팅층(B)을 가지면서, 유리 기판(A)의 다른 쪽의 면에 적외선 반사막(C)을 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 본 발명의 파장 컷 필터는 입사각 의존성이 낮다. 따라서, 본 발명의 파장 컷 필터는 고체 촬상장치 및 카메라 모듈에 유용하다.

(A): 유리 기판 (B): 코팅층
(C): 적외선 반사막(증착막) 1: 파장 컷 필터
2: 고체 촬상 소자 3: 수광부
4: 접착제 5: 렌즈
6: 렌즈 캡 7: 렌즈 홀더
7a: 베이스부 7b: 경통부(鏡筒部)
8: 실장 기판

Claims

유리 기판(A)의 한쪽의 면에 염료를 함유하는 코팅층(B)을 가지면서, 유리 기판(A)의 다른 쪽의 면에 적외선 반사막(C)을 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 컷 필터로서, 상기 염료가 하기 일반식(1)로 표시되는 시아닌화합물인 파장 컷 필터.

(식 중, A는 하기의 군 I의 (a), (b), (c), (e), (h), (i), (j), (l) 및 (m)으로부터 선택되는 기를 나타내고, A'는 하기의 군 II의 (a'), (b'), (c'), (e'), (h'), (i'), (j'), (l') 및 (m')로부터 선택되는 기를 나타내며,
Q는 (Q-1)~(Q-11)의 어느 하나로 표시되는 연결기를 나타내고,
An^q-는 q가의 음이온을 나타내고, q는 1 또는 2를 나타내며, p는 전하를 중성으로 유지하는 계수를 나타내며,
단, A가 (a)로 표시되는 기이고, A'가 (a')로 표시되는 기이며, 또한 Q가 (Q-1), (Q-2), (Q-3), (Q-5), (Q-6), (Q-10) 및 (Q-11)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 연결기인 시아닌화합물을 제외한다.)

(식 중, 환 C 및 환 C'는 벤젠환, 나프탈렌환, 페난트렌환 또는 피리딘환을 나타내고,
R¹ 및 R^1'는 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 카르복실기, 페로세닐기, 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 또는 탄소원자수 1~8의 알킬기를 나타내며,
상기 R¹ 및 R^1' 중의 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 및 탄소원자수 1~8의 알킬기는 수산기, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 카르복실기 또는 페로세닐기로 치환되어 있어도 되고, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CONH- 또는 -NHCO-로 중단되어 있어도 되며,
R²~R⁹ 및 R^2'~R^9'는 R¹ 및 R^1'와 동일한 기 또는 수소원자를 나타내고,
X 및 X'는 산소원자, 황원자, -CR⁵¹R⁵²-, 탄소원자수 3~6의 시클로알칸-1,1-디일기, -NH- 또는 -NY²-를 나타내며,
R⁵¹ 및 R⁵²는 R¹ 및 R^1'와 동일한 기 또는 수소원자를 나타내고,
Y, Y' 및 Y²는 수소원자, 또는 수산기, 할로겐원자, 시아노기, 카르복실기, 페로세닐기 혹은 니트로기로 치환되어도 되는 탄소원자수 1~20의 알킬기 혹은 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기를 나타내며,
상기 Y, Y' 및 Y² 중의 탄소원자수 1~8의 알킬기 및 탄소원자수 7~30의 아릴알킬기 중의 메틸렌기는 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CONH- 또는 -NHCO-로 중단되어 있어도 되고,
r 및 r'는 0 또는 (a), (b), (c), (e), (h), (i), (j), (l), (m), (a'), (b'), (c'), (e'), (h'), (i'), (j'), (l') 및 (m')에 있어서 치환 가능한 수를 나타낸다.)

(식 중, R¹⁴, R¹⁵, R¹⁶, R¹⁷, R¹⁸ 및 R¹⁹는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 할로겐원자, 시아노기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬기를 나타내고, 상기 아릴기, 아릴알킬기 및 알킬기는 수산기, 할로겐원자 또는 시아노기로 치환되어 있어도 되며, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CONH- 또는 -NHCO-로 중단되어 있어도 되며,
Z'는 수소원자, 수산기, 시아노기, 아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬기를 나타내고, 상기 아릴기, 아릴알킬기 및 알킬기는 수산기, 할로겐원자 또는 시아노기로 치환되어 있어도 되며, -O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CONH- 또는 -NHCO-로 중단되어 있어도 되고,
R 및 R'는 아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬기를 나타낸다.)
제1항에 있어서,
투과율이 하기 (i)~(iii)을 만족하는 것을 특징으로 하는 파장 컷 필터.
(i)파장 430~580nm의 범위에 있어서, 파장 컷 필터의 수직 방향으로부터 측정한 경우의 투과율의 평균값이 75%이상이다.
(ii)파장 800~1000nm에 있어서, 파장 컷 필터의 수직 방향으로부터 측정한 경우의 투과율의 평균값이 5%이하이다.
(iii)파장 560~800nm의 범위에 있어서, 파장 컷 필터의 수직 방향으로부터 측정한 경우의 투과율이 80%가 되는 파장의 값(Ya)과, 파장 컷 필터의 수직 방향에 대하여 35°의 각도로부터 측정한 경우의 투과율이 80%가 되는 파장의 값(Yb)의 차의 절대값이 30nm이하이다.
제1항에 있어서,
상기 염료를 함유하는 코팅층(B)이, 수지 고형분 100질량부에 대하여 염료를 0.01~10.0질량부 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 컷 필터.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 파장 컷 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 파장 컷 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
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