KR101956273B1 - 수지 조성물, 이를 이용한 인쇄회로기판 및 그 제조방법 - Google Patents

수지 조성물, 이를 이용한 인쇄회로기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수지 조성물, 이를 이용한 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 에폭시 수지와, 광산 발생제와, 알킬 설폰화 테트라졸 화합물로 표면 개질된 실리카를 포함하는 수지 조성물이 개시된다.

Description

수지 조성물, 이를 이용한 인쇄회로기판 및 그 제조방법 {Resin composition, printed circuit board using the composition, and preparing method thereof}
본 발명은 수지 조성물, 이를 이용한 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 인쇄회로기판과 같은 전자 제품에 있어서, 수지와 금속과의 접착력 또는 밀착력을 강화시키는 방법으로는 수지 표면에 디스미어 (desmear) 법을 통해 조도를 형성하여 밀착력을 강화하는 방법과 부착력 (또는 접착력) 강화 첨가제를 수지에 투입하는 방법이 있다. 본 명세서에 사용된 용어 "부착력", "밀착력" 또는 "접착력" 등은 모두 금속과의 결합력을 나타내는 동일 유사한 의미로 사용된다.
한편, 수지 표면의 조도형성은 배선의 선 폭이 얇아짐에 따라 낮은 조도를 필요로 하여 조도 형성에 의한 접착력 또는 밀착력 강화 효과는 점점 약해진다. 이에 따라, 접착력 강화를 위해 수지에 첨가되는 접착력 강화 첨가제의 역할이 중요하게 되었다. 접착력 강화 첨가제로는 특허문헌 1에서와 같이 트리아졸계 또는 테트라아졸계가 금속과의 접착력을 강화시킨다고 개시하고 있다.
수지의 접착력 강화 효과를 최대화하기 위해서는 접착력 강화 첨가제가 수지 내부에 고르게 분포되어야 하는데, 이들을 수지 내부에 고르게 분산시키기 위해서는 용매에 용해하거나, 분말 형태로 투입 후 분산하는 방법을 제시할 수 있다. 그러나, 상기 방법은 용해할 용매와 수지와의 상용성 문제와 분말의 분산 안정성의 문제점이 있다. 또한, 특허문헌 2에서는 에폭시 수지에 트리아졸 또는 테트라졸과 같은 아졸을 도입하여 경화 특성이 개선된 에폭시 수지를 개시하고 있으나, 상기 특허에는 접착력 개선에 대한 암시는 없다.
한편, 종래의 비아홀 형성방법은 층간 절연막인 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 경화막을 형성한 후, 레이저 드릴(laser drill)이나 드립 팁(drill tip) 공정을 통하여 비아홀을 구현하고 있다. 그러나, 최근 인쇄회로기판의 비아홀 개수는 패널당 수 만개 내지 수 십 개를 넘어서고 있어 상기 방법을 적용하는 경우 수 많은 설비와 시간이 투자되어야 하는 문제가 있다.
특허문헌 1: 유럽공개특허 EP 0,665,468호
특허문헌 2: 미국등록특허 제4,322,459호
본 발명의 일 측면은 유기용제 현상이 가능한 네거티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 측면은 상기 수지 조성물을 이용하여 내열 특성 및 기계적 특성 등이 유지되면서, 노광 및 현상 공정을 통해 비아홀 형성이 가능하며, 금속과의 접착력이 우수한 절연 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 측면은 상기 수지 조성물을 포함하는 절연층을 갖는 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 측면은 상기 수지 조성물을 이용하여 인쇄회로기판을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면:
에폭시 수지;
광산 발생제; 및
하기 화학식 1로 표시되는 알킬 설폰화 테트라졸 화합물로 표면 개질된 실리카;
를 포함하는 수지 조성물이 제공된다:
Figure 112013073321880-pat00001
여기서,
상기 R1은 탄소수 1 내지 20의 지방족 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 지환족 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기로부터 선택되며,
n은 1 내지 6의 정수이다.
상기 수지 조성물에서, 상기 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노블락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 아르알킬형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 크산텐형 에폭시 수지, 고무 변성형 에폭시 수지, 인계 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 수지 조성물에서, 상기 광산 발생제는 오늄염, 잠재 설폰산, 할로메틸-s-트리아진, 메탈로센, 염소화 아세토페논, 벤조인 페닐 에테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 광산 발생제는 오늄염일 수 있다.
상기 오늄염은 아릴 디아조늄, 디아릴 이요도늄, 트리아릴 설포늄, 트리아릴 세레노늄, 디알킬 펜아실설포늄, 트리아릴 설폭소늄, 아릴옥시디아릴 설폭소늄, 디알킬펜아실 설폭소늄 염 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 수지 조성물에서, 상기 실리카의 평균 입경이 0.05 내지 5㎛일 수 있다.
상기 수지 조성물은 또한 광증감제 및 경화제를 더욱 포함할 수 있다.
상기 광증감제는 티오잔톤 계열의 화합물일 수 있다.
상기 티오잔톤 계열의 화합물은 이소프로필티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 디에틸테오잔톤 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 경화제는 아마이드계 경화제, 폴리아민계 경화제, 산무수물 경화제, 페놀노볼락형 경화제, 폴리메르캅탄 경화제, 제3아민 경화제, 이미다졸 경화제, 퍼록사이드 경화제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 수지 조성물은 10 내지 90중량%의 에폭시 수지, 10 내지 90중량%의 실리카, 및 상기 에폭시 수지 100중량부 대비 0.1 내지 10중량부의 광산 발생제를 포함할 수 있다.
상기 광증감제의 함량은 광산 발생제 100중량부 대비 200중량부 이하일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 수지 조성물을 포함하는 절연 필름이 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 수지 조성물을 포함하는 절연층을 갖는 인쇄회로기판이 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면,
전술한 수지 조성물을 기판 상에 적층하여 절연층을 형성하는 단계와;
노광 및 현상 공정을 통해서 상기 절연층에 비아홀을 형성하는 단계;
를 포함하는 인쇄회로기판의 제조방법이 제공된다.
상기 제조방법에서, 상기 현상 공정은 유기용제 현상액을 이용하여 수행될 수 있다.
상기 제조방법에서, 상기 비아홀은 상기 절연층에서 노광되지 않은 부위가 현상 공정에서 제거되어 형성될 수 있다.
상기 제조방법에서, 상기 절연층을 형성하는 단계는 상기 수지 조성물을 기판 상에 코팅하여 수행될 수 있다.
상기 제조방법에서, 상기 절연층을 형성하는 단계는 상기 수지 조성물을 포함하는 절연 필름을 기판 상에 적층하여 수행될 수 있다.
상기 제조방법에서, 상기 비아홀을 형성하는 단계 이후에, 상기 절연층에 비아를 포함하는 회로층을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따르면, 알킬 설폰화된 테트라졸 화합물로 표면 개질된 실리카를 도입하여 금속과의 접착력이 우수하며, 유기용제 현상이 가능한 네거티브형 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 수지 조성물을 포함하는 절연 필름은 내열 특성 및 기계적 특성이 우수하며, 노광 및 현상 공정을 통해 비아홀 형성이 가능하며, 금속과의 접착력이 우수하다.
또한, 본 발명에 따른 수지 조성물을 포함하는 절연층을 갖는 인쇄회로기판은 접착 특성, 내열 특성 및 기계적 특성 등이 유지되어 우수한 신뢰성을 가지며, 노광 및 현상 공정을 통해 비아홀을 형성할 수 있다.
나아가, 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조방법은 노광 및 현상 공정을 통해 비아홀을 형성할 수 있어 기존 기술 대비 공정이 간단하고 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법을 설명하기 위하여 개략적으로 나타낸 단면도,
도 5는 본 발명의 실시예 1에서 얻어진 절연 필름을 이용하여 제작된 인쇄회로기판의 비아홀 패턴 형상을 나타낸 사진.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "제1", "제2", "일면", "타면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 이하, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
수지 조성물
본 발명에 따른 수지 조성물은 에폭시 수지와, 광산 발생제와, 하기 화학식 1로 표시되는 알킬 설폰화 테트라졸 화합물로 표면 개질된 실리카를 포함한다:
[화학식 1]
Figure 112013073321880-pat00002
여기서,
상기 R1은 탄소수 1 내지 20의 지방족 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 지환족 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기로부터 선택되며,
n은 1 내지 6의 정수이다.
본 발명에서 사용되는 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노블락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 아르알킬형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 크산텐형 에폭시 수지, 고무 변성형 에폭시 수지, 인계 에폭시 수지 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
상기 에폭시 수지의 함유량은 상기 수지 조성물 중 10 내지 90중량%일 수 있다. 상기 함유량이 10중량% 미만인 경우 물리적, 기계적, 화학적 물성 저하를 유발할 수 있고, 90중량%를 초과하는 경우 현상 성능이 약화되어 비아홀 형성이 어려워질 수 있다.
상기 광산 발생제는 빛에 의해 산을 생성할 수 있는 화합물로서, 일반적으로, 오늄염, 잠재 설폰산, 할로메틸-s-트리아진, 메탈로센, 염소화 아세토페논, 벤조인 페닐 에테르 및 이들의 조합 등으로부터 선택될 수 있다.
또한, 상기 광산 발생제는 오늄염일 수 있다.
상기 오늄염은 아릴 디아조늄, 디아릴이요도늄, 트리아릴 설포늄, 트리아릴 세레노늄, 디알킬 펜아실설포늄, 트리아릴 설폭소늄, 아릴옥시디아릴 설폭소늄 또는 디알킬펜아실 설폭소늄 염 등에서 선택될 수 있다.
상기 광산 발생제의 사용량은 에폭시 수지 100중량부 대비 0.1 내지 10 중량부일 수 있다. 상기 사용량이 0.1중량부 미만이면 광반응성이 떨어져 잔막율이 감소하여 현상을 통한 비아홀 형성이 불가능할 수 있고, 10중량부를 초과하면 노광부, 비노광부의 현상성능 차이 감소로 비아홀의 형성이 어려울 수 있다.
상기 표면 개질된 실리카는　감광성 수지의 열팽창계수(CTE)를 낮추고, 금속과의 접착력을 개선하는 기능을 한다. 상기 실리카의 함유량은 수지 조성물의 용도 등을 고려하여 요구되는 특성에 따라 특별히 한정할 필요가 없으나, 상기 수지 조성물 중 10 내지 90중량%의 범위에서 사용될 수 있다. 　상기 함유량이 10중량% 미만이면 유전 정접이 낮고 열팽창율이 높아질 수 있으며, 90중량%를 초과하면 접착 강도가 저하되며, 필름 형성이 어려워지는 경향을 나타낼 수 있다.
본 발명에 있어서, 절연수지의 CTE를 낮추기 위해서 실리카의 함량을 높이는 경우, 본 발명에 따른 표면 개질 실리카는 절연수지의 저조도 (Ra < 0.3㎛) 특성을 구현할 때보다 효과적일 수 있다.
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 알킬 설폰화된 테트라졸 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 테트라졸을 하기 화학식 3으로 표시되는 알킬 설폰으로 알킬 설폰화시켜 적당한 크기의 알킬기를 도입함으로써 -S-기가 접착력에 필요한 만큼의 전자를 도네이션할 수 있는 구조로 설계될 수 있다.
Figure 112013073321880-pat00003
Figure 112013073321880-pat00004
여기서, R1 및 n은 전술한 바와 같다.
일 실시예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 알킬 설폰화된 테트라졸 화합물은 하기 반응식 1에 나타낸 방법에 따라 제조될 수 있으며, 상기 제조방법은 통상적으로 용매 존재하에서 수행된다. 상기 화학식 2로 표시되는 테트라졸과 상기 화학식 3으로 표시되는 알킬 설폰의 반응 몰비는 화학 양론적으로 1 : 0.5 내지 1.5일 수 있다.
[반응식 1]
Figure 112013073321880-pat00005
여기서, R1 및 n은 전술한 바와 같다.
상기 알킬 설폰화 테트라졸 화합물로서, 최종 수지의 접착력 측면을 고려하여, 3-(1-메틸-1H-테트라졸-5-일티오)프로판-1-설폰산 또는 3-(1-메틸-1H-테트라졸-5-일티오)부탄-1-설폰산 등을 사용할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 알킬 설폰화 테트라졸 화합물로 표면 개질된 실리카는, 일례로서, 하기 반응식 2에 따라 제조될 수 있다.
구체적으로, 실리카와 소듐 에톡사이드를 반응시킨 다음, 상기 반응물과 상기 화학식 1로 표시되는 알킬 설폰화 테트라졸 화합물을 반응시킨다.
[반응식 2]
Figure 112013073321880-pat00006
상기 실리카의 평균 입경은 특별히 한정되는 것은 아니나, 최근의 인쇄회로기판과 같은 전자 제품의 소형화 추세에 따라, 0.05 내지 5㎛일 수 있다.
상기 실리카와 소듐 에톡사이드의 반응은 특별히 한정되는 것은 아니나, 반응효율과 경제성을 고려하여, 상기 실리카와 소듐 에톡사이드의 혼합비를 무게비로 1∼10 : 1로 혼합하여 20∼60℃의 온도에서 수행될 수 있다. 상기 반응물과 알킬 설폰화 테트라졸 화합물의 반응 또한 특별히 한정하는 것은 아니나, 반응효율과 경제성을 고려하여, 1∼10 : 1의 무게비로 혼합하여 20∼40℃의 온도에서 수행될 수 있다. 즉, 상기 알킬 설폰화 테트라졸 화합물의 첨가량이 적은 경우 실리카의 표면 개질이 충분히 이루어지지 않을 수 있고, 첨가량이 많은 경우 정제 시간이 길어질 수 있다.
상기 수지 조성물은 또한 광증감제 및 경화제를 더욱 포함할 수 있다.
상기 광증감제는 티오잔톤(Thioxanthone) 계열의 화합물이 사용될 수 있다. 상기 티오잔톤 계열의 화합물은 이소프로필티오잔톤, 2-클로로티오잔톤 및 디에틸테오잔톤으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다. 상기 광증감제의 사용량은 광산발생제 100중량부 대비 200중량부 이하일 수 있다. 상기 사용량이 200중량부를 초과하는 경우 감도 향상효과가 미미해질 수 있다.
본 발명에 따른 수지 조성물은 공정 효율을 위해 선택적으로 경화제를 포함할 수 있다.
상기 경화제로서, 아마이드계 경화제, 폴리아민계 경화제, 산무수물 경화제, 페놀노볼락형 경화제, 폴리메르캅탄 경화제, 제3아민 경화제 또는 이미다졸 경화제, 퍼록사이드 경화제 및 이들의 조합 등이 사용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 경화제의 함유량은 상기 수지 조성물 중 0.1 내지 3중량%일 수 있다. 상기 함유량이 0.1 중량% 미만이면 고온 경화가 잘 안되거나 경화속도가 떨어질 수 있고, 3중량%를 초과하면 경화속도가 너무 빨라 공정적용이 어렵거나 보존 안전성이 떨어지며, 반응 후 미반응 경화제가 존재하게 되어 절연 필름 또는 프리프레그의 흡습율이 높아져 전기적 특성이 떨어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 상술한 표면 처리된 실리카와 같은 무기 충전제외에 또 다른 무기 충전제를 더욱 포함할 수 있으며, 상기 무기 충전제의 구체적인 예로는 실리카, 알루미나, 황산바륨, 탈크, 진흙, 운모가루, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화 붕소, 붕산 알루미늄, 티탄산바륨, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스머스, 산화 티탄, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘 등을 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 특히 낮은 유전 정접을 갖는 실리카가 적합하다.
아울러, 무기 충전제는 평균 입경이 5㎛를 넘는 경우, 도체층에 회로 패턴을 형성할 때 미세패턴을 안정적으로 형성하는 것이 곤란하므로, 평균 입경은 5㎛ 이하일 수 있다. 또한, 무기 충전제는 내습성을 향상시키기 위해, 실란 커플링제 등의 표면 처리제로 표면 처리될 수 있다. 또한, 0.05 내지 2 ㎛의 직경을 갖는 실리카가 사용될 수 있다.
본 발명의 수지 조성물은, 또한 경화 촉진제를 선택적으로 함유시킴으로써 효율적으로 경화시킬 수 있다. 본 발명에서 사용되는 경화 촉진제는, 금속계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제 등을 들 수 있고 이들을 1종 또는 2종 이상 조합하여 당 업계에 사용되는 통상의 양으로 첨가하여 사용할 수 있다.
상기 금속계 경화 촉진제로서는, 특별히 제한되지는 않으나, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체적인 예로서는, 코발트(Ⅱ) 아세틸아세토네이트, 코발트(Ⅲ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 등의 유리 구리 착체, 아연(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(Ⅲ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(Ⅱ) 아세틸아세트네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아린산주석, 스테아린산아연 등을 들 수 있다. 금속계 경화 촉진제로서는, 경화성, 용제 용해성의 관점에서, 코발트(Ⅱ) 아세틸아세토네이트, 코발트(Ⅲ) 아세틸아세토네이트, 아연(Ⅱ) 아세틸아세토네이트, 나프텐산아연, 철(Ⅲ) 아세틸아세토네이트를 사용할 수 있고, 특히 코발트(Ⅱ) 아세틸아세토네이트, 나프텐산아연을 사용할 수 있다. 금속계 경화 촉진제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 이미다졸계 경화 촉진제로서는, 특별히 제한되지는 않으나, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드록시-1H-피로로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다. 이미다졸 경화 촉진제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 아민계 경화 촉진제로서는 특별히 제한되지는 않으나, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀,1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센(이하, DBU라고 함) 등의 아민 화합물 등을 들 수 있다. 아민계 경화 촉진제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 수지 조성물은 유기 용매 존재하에서 혼합될 수 있다. 유기 용매로는 본 발명에 사용되는 수지 및 기타 첨가제들의 용해성 및 혼화성을 고려하여 2-메톡시 에탄올, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥사논, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 셀로솔브, 부틸 셀로솔브, 카르비톨, 부틸 카르비톨, 크실렌, 디메틸포름아미드 및 디메틸아세트아미드가 사용될 수 있으나, 이에 특별히 한정되는 것은 아니다.
전술한 본 발명의 수지 조성물은 유기용제 현상형 네거티브 감광성 수지 조성물로서, 상기 화학식 1로 표시되는 알킬 설폰화 테트라졸 화합물로 표면 개질된 실리카를 포함함으로써, 이후 절연 필름 또는 기판의 절연층으로서 적용 시 내열 특성 및 기계적 특성을 향상시키고 금속과의 접착력을 견고히 할 수 있는 장점이 있다.
절연 필름
본 발명에 따른 절연 필름은 전술한 수지 조성물을 포함한다.
상기 절연 필름은 50 ppm/℃ 이하의 낮은 열팽창계수(CTE)를 가질 수 있으며, 다층인쇄기판 제조 시 절연층으로 사용될 수 있다.
상기 절연 필름은 예를 들어, 다음과 같은 방법으로 제조될 수 있으나, 당업계에 알려져 있는 것이라면 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에 따르면, 전술한 수지 조성물을 롤 코터 (Roll Coater) 또는 커튼 코터 (Curtain Coater) 등을 사용하여 필름형태로 제작 후 건조시켜 사용할 수 있다. 또한, 용매 캐스팅법 등에 의해 기재 위에 전술한 수지 조성물의 용액층을 형성하고, 상기 용액층으로부터 용매를 제거함으로써 기재 위에 필름을 제조할 수 있다. 상기 기재로는 동박, 알루미늄박, 금박, 은박 등의 금속박이나, 유리 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 등을 들 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 전술한 수지 조성물을 보강재에 도포 또는 함침시킨 후, 이를 경화한 다음, 건조하여 용매를 제거함으로써 프리프레그로 제작하여 사용할 수 있다.
함침 방법의 예로는 딥 코팅법, 롤 코팅법 등이 있다.
보강재의 예로는 직조 유리섬유(glass cloth), 직조 알루미나 유리섬유, 유리섬유 부직포, 셀룰로스 부직포, 직조 탄소섬유, 고분자직물 등이 있다. 또한, 유리섬유, 실리카 유리섬유, 탄소섬유, 알루미나 섬유, 실리콘 카바이드 섬유, 석면, 암면, 광물면, 석고 휘스터, 이들의 직물 패브릭 또는 비직물 패브릭, 방향족 폴리아미드 섬유, 폴리이미드 섬유, 액체 결정 폴리에스테르, 폴리에스테르 섬유, 불소 섬유, 폴리벤즈옥사졸 섬유, 폴리아미드 섬유를 갖는 유리섬유, 탄소섬유를 갖는 유리섬유, 폴리이미드 섬유를 갖는 유리섬유, 방향족 폴리에스테르를 갖는 유리섬유, 글라스 페이퍼, 마이카 페이퍼, 알루미나 페이퍼, 크래프트 페이퍼, 코튼 페이퍼, 페이퍼-글라스 결합된 페이퍼 등이 있다. 이들은 하나 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
이때 상기 유리섬유의 경우 5 내지 200㎛의 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 수지 조성물은 상기 보강재 1 중량부에 대하여 약 0.4 내지 약 3 중량부로 함침될 수 있다. 상기 범위 내로 함침되는 경우 2개 이상의 프리프레그 사용시 프리프레그 간의 밀착성이 우수하고 프리프레그의 기계적 강도 및 치수안정성이 우수한 장점이 있다.
상기 경화는 약 150 내지 약 350 ℃의 온도에서 수행될 수 있으며, 상기와 같이 저온에서도 열처리가 가능하여 인쇄회로기판에의 적용이 가능하다.
상기 프리프레그는 구리와 결합될 수 있다. 즉, 본 발명의 수지 조성물을 상기 보강제에 함침시킨 후, 반경화상태의 열처리 공정을 행하여 제조된 프리프레그를 구리 포일 상에 위치한 후 열처리를 행하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 용매를 제거하고 열처리를 행할 때, 구리와 프리프레그가 결합된 부재 (member)가 제조된다. 용매를 증발시키기 위하여 감압 하에서 가열하거나, 환기 등의 방법을 사용할 수 있다. 도포 방법의 예로는 롤러 코팅법, 딥코팅법, 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법, 커튼 코팅법, 슬릿 코팅법, 스크린 프린팅법 등이 있다.
상기와 같이 전술한 수지 조성물을 포함하는 절연 필름은 내열 특성 및 기계적 특성이 우수하며, 노광 및 현상 공정을 통해 비아홀 형성이 가능하며, 또한 금속과의 접착력이 우수하다.
인쇄회로기판
본 발명에 따른 인쇄회로기판은 상술한 수지 조성물을 포함하는 절연층을 갖는다.
일 실시예에 따르면, 상기 절연층으로서 상술한 절연 필름 자체가 인쇄회로기판 제조 시 기판 상에 적용될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 기판 상에 전술한 수지 조성물을 직접 코팅하여 절연층을 형성할 수 있다. 상기 코팅방법으로는 당업계에 공지된 것이라면 특별히 한정되지 않는다.
상기 기판은 통상 하나 이상의 회로층을 구비한 인쇄회로기판일 수 있다.
본 발명에 따른 수지 조성물을 포함하는 절연층을 갖는 인쇄회로기판은 접착 특성, 내열 특성 및 기계적 특성 등이 유지되어 우수한 신뢰성을 가지며, 노광 및 현상 공정을 통해 비아홀을 형성할 수 있는 이점이 있다.
인쇄회로기판의 제조방법
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판의 제조방법을 설명하기 위하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시에 따른 인쇄회로기판의 제조방법을 설명한다.
우선, 도 1을 참조하면, 기판(100)을 준비한다.
상기 기판(100)은 유전체층에 1층 이상의 회로가 형성된 회로기판으로서 인쇄회로기판일 수 있다. 본 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구체적인 내층 회로 구성은 생략하여 도시하였으나, 당업자라면 상기 기판(100)으로서 유전체층에 1층 이상의 회로가 형성된 통상의 회로기판이 적용될 수 있음을 충분히 인식할 수 있을 것이다.
상기 유전체층으로는 수지 절연층이 사용될 수 있다. 상기 수지 절연층으로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들에 유리 섬유 또는 무기 필러와 같은 보강재가 함침된 수지, 예를 들어, 프리프레그가 사용될 수 있고, 또한 열경화성 수지 및/또는 광경화성 수지 등이 사용될 수 있다. 또한, 상기 유전체층으로는 상술한 절연 필름이 적용될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 회로는 회로기판 분야에서 회로용 전도성 금속으로 사용되는 것이라면 제한 없이 적용 가능하며, 인쇄회로기판에서는 구리를 사용하는 것이 전형적이다.
다음, 도 2를 참조하면, 전술한 수지 조성물을 기판(100) 상에 적층하여 절연층(200)을 형성한다.
일 실시예에 따르면, 상기 절연층(200)은 전술한 수지 조성물을 기판 상에 직접 코팅하여 형성될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 절연층(200)은 상기 수지 조성물을 포함하는 절연 필름을 기판 상에 적층하여 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 절연 필름은 상술한 바와 같이, 전술한 수지 조성물을 롤 코터 또는 커튼 코터 등을 사용하여 필름형태로 제작 후 건조시켜 사용하거나, 또는 용매 캐스팅법 등에 의해 기재 위에 전술한 수지 조성물의 용액층을 형성하고, 상기 용액층으로부터 용매를 제거함으로써 기재 위에 필름을 제조하여 사용하거나, 또는, 전술한 수지 조성물을 보강재에 도포 또는 함침시킨 후, 이를 경화한 다음, 건조하여 용매를 제거함으로써 프리프레그로 제조하여 사용할 수 있다. 함침 방법의 예로는 딥 코팅법, 롤 코팅법 등이 있다. 프리프레그에 대한 자세한 내용은 상기 절연 필름에서 상술한 바와 같다.
다음, 도 3을 참조하면, 마스크(300)를 이용한 노광 공정을 통해서 상기 절연층(200) 중 소정의 영역을 노광한다.
이때, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 노광 공정의 UV 파장은 특별히 제한되지는 아니하나, 350 내지 450nm일 수 있다.
다음, 도 4를 참조하면, 현상 공정을 통해서 상기 절연층(200)을 패터닝하여 패터닝된 절연층(210)과 비아홀(400)을 형성한다.
상기 현상 공정은 메틸에틸케톤과 같은 통상의 유기용매 현상액으로 단독, 혼합 유기용매 또는 물을 혼합한 유기용매를 이용하여 수행될 수 있다.
한편, 상기 현상 공정은 현상액을 기판에 스프레이 분사하는 방법, 현상액에 기판을 침지 후 셰이킹하는 방법, 또는 현상액에 기판을 침지시켜 초음파 처리 하는 방법으로 수행될 수 있으나, 당업계에 공지된 것이라면 특별히 이에 한정되지 않는다.
상기 비아홀(400)은 상기 절연층(200)에서 마스크(300)에 의해 마스킹되어 노광되지 않은 부위가 현상 공정에서 제거되어 형성될 수 있다.
추가적으로, 상기 현상한 기판을 건조하고, 열처리하여 후경화하는 단계를 포함할 수 있다. 건조를 통해 현상한 기판에 잔류된 용매를 제거하고, 고온에서 후경화시켜 절연층의 경화 밀도를 높일 수 있다.
한편, 도시하지는 않았으나, 당업계에 공지된 통상의 회로층 형성방법에 따라, 상기 비아홀 형성 후, 상기 패터닝된 절연층에 비아를 포함하는 회로층을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.
상술한 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 제조방법은 노광 및 현상 공정을 통해 비아홀을 형성할 수 있어 기존 기술 대비 공정이 간단하고 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 살펴보지만, 하기 예에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
제조예 1
3-(1- 메틸 -1H- 테트라졸 -5- 일티오 )프로판-1- 설폰산의 합성
반응용매로 아세토니트릴 90g, 5-머캅토-1-메틸테트라졸 20g(0.172㏖)과 1,3-프로판설톤 21g(0.172㏖)을 각각 칭량하여 환류 콘덴서(reflux condenser)가 설치된 250㎖ 1구 플라스크에 넣고, 질소 분위기하에서 약 80℃로 환류시킨다. TLC(전개용매 클로로포름 : 메탄올 = 10 : 1) 분석으로 반응 종료시점을 결정하여 반응을 종료시킨 뒤, 셀라이트(Celite) 545를 이용하여 반응물을 여과하고, 여액을 감압 농축하여 실리카 칼럼크로마토그래피법으로 3-(1-메틸-1H-테트라졸-5-일티오)프로판-1-설폰산을 수득하였다. 합성 수율은 68%이고, 융점(DSC)은 98℃이었다.
1H-NMR(CDCl3,δ) 3.63(s,3H,tetrazole-CH3), 3.40(t,2H,-S-CH2CH2CH2-SO3-)2.95(t,2H,-S-CH2CH2CH3-SO3-), 2.20(m,2H,-S-CH2CH2CH3-SO3-)
제조예 2
표면 처리된 실리카의 제조
UFP30 (Denka사 제품) 용융 (fused) 실리카를 120℃의 건조 오븐 (dry oven)에서 3시간 이상 건조한 후 데시게이터 내에서 상온까지 냉각시켜 실리카에 흡착된 수분을 제거한다. 수분이 제거된 실리카 50g을 디클로로메탄 500g을 1리터 플라스크에 넣고 초음파 진동을 이용하여 실리카를 잘 분산시킨다. 여기에 소듐 에톡사이드 (sodium ethoxide) 10g을 투입한 후, 40℃ 온도에서 2시간 동안 교반 후 필터페이퍼를 이용하여 실리카 분말을 여과한다. 여과된 실리카 분말에 디클로로메탄 200g, 제조예 1에서 얻은 3-(1-메틸-1H-테트라졸-5-일티오)프로판-1-설폰산 10g을 투입한 후 5 시간 동안 상온에서 교반한 뒤 분별깔때기를 옮겨 담고, 증류수 200g을 투입하여 반응 생성물인 수산화나트륨을 추출한다. 추가로 추출을 2회 실시한 후 원심분리기를 이용하여 3000rpm에서 10분간 원심 분리하여 실리카와 디클로로메탄을 분리한 후 80℃의 건조 오븐에서 건조하여 35g의 표면 처리된 실리카를 얻었다. 이와 같이 얻어진 실리카를 분광 분석한 결과, 아래와 같이 설폰기의 존재를 확인하였다.
IR (KBr) (ν, cm-1); 1350, 1170 (Si-SO3 --R), 715 (R-S-R), 1480, 1350, 1300, 1050 (tetrazole ring)
실시예 1
비스페놀 A형 에폭시 수지 YD017(국도화학 제조) 100g과 Disper BYK-110 (BYK사 제조) 4.5g을 115g의 메틸에틸케톤 (MEK)에 용해한 뒤, 제조예 2에서 제조된 표면 개질된 실리카 81.6g을 투입한 후, 호모-믹서 (homo-mixer)를 이용하여 2000rpm에서 30분간 선분산한 후, 비즈밀을 이용하여 1시간 동안 분산하였다. 상기 분산 조성물에 다관능성 에폭시 수지 EPPN-502H(일본화약제조) 30g과 에폭시 경화제인 Dicyanex 1400F(Air Products사 제조)4.2g과 경화제인 2E4Mz(shikoku chemical사 제조) 1.1g과 광산 발생제인 SP-201(에스엠씨사 제조) 8g과 광증감제로 Darocur ITX(BASF사 제조) 0.19g을 용해시켜 수지 바니쉬를 제조한 후 　수지 바니쉬를 바코터를 이용, 두께가 약 38㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에 도포하여 건조 후의 수지 두께가 약 30㎛가 되도록 약 10분간 건조하여 절연 필름을 얻었다.
　
비교예 1
상기 실시예 1에서 표면 개질된 실리카 대신에 구형 실리카 슬러리 (평균입자크기: 0.3㎛, 65%, 용매 MEK)를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 수지 바니쉬를 제조한 후 바코터를 이용, 두께가 약 38㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에 도포하여 건조 후의 수지 두께가 약 30㎛가 되도록 약 10분간 건조하여 절연 필름을 얻었다.
　
실시예 2
절연 필름의 라미네이트
상기 실시예 및 비교예 1에서 얻어진 절연 필름을, 표면 조도 처리된 내층 회로기판(도체 두께 18㎛, 0.8㎜ 두께)의 단면에 MEIKI Co.,Ltd.사제 진공 가압식 라미네이터를 사용하여 약 70℃에서 20초간 진공흡인 후, 약 70℃, 압력 약 7.5㎏/㎠의 조건으로, 약 20초간 프레스함으로써 라미네이션하였다.
　
실시예 3
비아홀 형성
상기 실시예 2에서 라미네이트 된 절연필름을 Midas사 제 Mask Aligner "MDA 12000" 노광 장치를 이용하여 최적 노광량으로 비아홀 패턴을 노광하고 100℃에서 100초간 열처리하여 PEB(post exposure bake)한 후,　25℃ 메틸에틸케톤을 스프레이압 0.2MPa의 조건에서 20초간 현상하여 비아홀 패턴을 얻은 후 UV 컨베이어로에서 적산 노광량 1500mJ/㎠ 의 조건으로 자외선 조사한 후 180℃에서 60분간 경화 하여 비아홀이 가공된 인쇄회로기판을 얻었다.
이로부터 얻어진 인쇄회로기판의 비아홀 패턴 형상 사진을 도 5에 나타내었다.
실험예 1
절연 필름의 접착 강도 평가
상기 실시예 2에서 라미네이트된 절연 필름으로부터 PET 보호필름을 박리하고, UV 컨베이어로에서 적산 노광량 1500mJ/㎠의 조건으로 자외선 조사한 후, 열풍 순환노를 사용하여, 약 180℃, 약 60분간 경화하여 내층 회로기판 단면에 절연층이 형성된 적층판을 얻었다. 얻어진 적층판을 과망간산액으로 조화처리하여 표면조도를 형성시켰다. 조화처리 조건은 팽윤처리 용액(Atotech Japan(주) 제조의 스웰링·딥·시큐리건스P(Swelling Dip Securiganth P)에 약 60℃에서 약 10분간 침지하고, 다음에, 산화처리용액(Atotech Japan(주) 제조의 콘센트레이트·콤팩트 CP와 도징솔류션·시큐리건스 P의 혼합액)에 약 80℃에서 약 20분간 침지하였다. 　그 후, 환원처리용액(Atotech Japan(주) 제조의 리덕션·솔루션·시큐리건스 P500 (Reduction solution Securiganth P500)에 약 40℃에서 약 5분 침지시켰다. 조화 처리된 적층판의 절연층 표면에, 팔라듐 촉매를 부여한 후, 주석산염 함유의 Atotech Japan(주) 제조의 프린트건스 MSK-DK를 사용하여 무전해 도금을 수행한 뒤, 황산구리를 사용하여 구리 두께가 약 20㎛로 되도록 전해도금을 진행하였다. 전해도금이 완료된 시편은 약 170℃에서 약 50분간 최종 경화하였다.
전해도금으로 형성된 도체층을 폭 10㎜, 길이 100㎜가 되도록 자른 후, Zwick사 Z050 UTM(Universal testing machine)을 이용하여 50.8㎜/min 속도로 30㎜길이의 접착 강도를 평가하였다. 　그 결과를 하기 표 1에 기재하였다.
구 분 접착 강도(㎏f/㎝)
비교예 1 0.30
실시예 1 0.48
상기 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 절연 필름(실시예 1)이 통상의 절연 필름(비교예 1)보다 월등히 우수한 접착 강도를 나타내는 효과가 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100 : 기판
200 : 절연층
210 : 패터닝된 절연층
300 : 마스크
400 : 비아홀

Claims (20)

  1. 에폭시 수지;
    광산 발생제; 및
    하기 화학식 1로 표시되는 알킬 설폰화 테트라졸 화합물로 표면 개질된 실리카;
    를 포함하는 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112018077094011-pat00007

    여기서,
    상기 R1은 탄소수 1 내지 20의 지방족 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 지환족 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기로부터 선택되며,
    n은 1 내지 6의 정수이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노블락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 아르알킬형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 크산텐형 에폭시 수지, 고무 변성형 에폭시 수지, 인계 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 수지 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 광산 발생제는 오늄염, 잠재 설폰산, 할로메틸-s-트리아진, 메탈로센, 염소화 아세토페논, 벤조인 페닐 에테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 수지 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 광산 발생제는 오늄염인 수지 조성물.

  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 오늄염은 아릴 디아조늄, 디아릴 이요도늄, 트리아릴 설포늄, 트리아릴 세레노늄, 디알킬 펜아실설포늄, 트리아릴 설폭소늄, 아릴옥시디아릴 설폭소늄, 디알킬펜아실 설폭소늄 염 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 수지 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 실리카의 평균 입경이 0.05 내지 5㎛인 수지 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 수지 조성물은 광증감제 및 경화제를 더욱 포함하는 수지 조성물.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 광증감제는 티오잔톤 계열의 화합물인 수지 조성물.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 티오잔톤 계열의 화합물은 이소프로필티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 디에틸테오잔톤 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 수지 조성물.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 경화제는 아마이드계 경화제, 폴리아민계 경화제, 산무수물 경화제, 페놀노볼락형 경화제, 폴리메르캅탄 경화제, 제3아민 경화제, 이미다졸 경화제, 퍼록사이드 경화제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 수지 조성물.
  11. 삭제
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 광증감제의 함량은 광산 발생제 100중량부 대비 200중량부 이하인 수지 조성물.
  13. 청구항 1에 따른 수지 조성물을 포함하는 절연 필름.
  14. 청구항 1에 따른 수지 조성물을 포함하는 절연층을 갖는 인쇄회로기판.
  15. 청구항 1에 따른 수지 조성물을 기판 상에 적층하여 절연층을 형성하는 단계; 및
    노광 및 현상 공정을 통해서 상기 절연층에 비아홀을 형성하는 단계;
    를 포함하는 인쇄회로기판의 제조방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 현상 공정은 유기용제 현상액을 이용하여 수행되는 인쇄회로기판의 제조방법.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 비아홀은 상기 절연층에서 노광되지 않은 부위가 현상 공정에서 제거되어 형성되는 인쇄회로기판의 제조방법.
  18. 청구항 15에 있어서,
    상기 절연층을 형성하는 단계는 청구항 1에 따른 수지 조성물을 기판 상에 코팅하여 수행되는 인쇄회로기판의 제조방법.
  19. 청구항 15에 있어서,
    상기 절연층을 형성하는 단계는 청구항 1에 따른 수지 조성물을 포함하는 절연 필름을 기판 상에 적층하여 수행되는 인쇄회로기판의 제조방법.
  20. 청구항 15에 있어서,
    상기 비아홀을 형성하는 단계 이후에,
    상기 절연층에 비아를 포함하는 회로층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 인쇄회로기판의 제조방법.
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