KR101939433B1 - 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거 공정 및 용융아연 정화 방법 - Google Patents

용융아연 정화 중의 카드뮴 제거 공정 및 용융아연 정화 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거 공정에 관한 것으로 양호한 카드뮴 제거 효과에 도달한다. 본 발명은 또한 정화 효과가 탁월한 용융아연 정화 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거 공정은, 1) 중성 삼출액 또는 중성 삼출액을 침전하여 획득한 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여 콜로이드 함량이 50mg/L 이하인 용융아연 획득하는 절차; 2) 아연 분말 침전법을 통해 용융아연 중에서 적어도 카드뮴을 침전하는 절차; 3) 고체 잡질 카드뮴을 함유하는 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하고, 그 중, 여과시간은 60분 이내로, 여과 정밀도는 10㎛ 이하로 제어하는 절차를 포함한다. 본 발명은 우선 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행 후, 아연 분말 침전법을 통해 고체 - 액체 분리여과를 진행하는 방식을 채용했으며, 콜로이드 제거 후 용융아연 중의 콜로이드 함량 및 고체 - 액체 분리여과 시의 여과시간, 여과 정밀도 등 관건적인 파라미터에 대해 선택적으로 매칭함으로써 최종적인 카드뮴 제거 공정을 확정했다.

Description

용융아연 정화 중의 카드뮴 제거 공정 및 용융아연 정화 방법{CADMIUM REMOVING PROCESS IN ZINC-CONTAINING SOLUTION PURIFICATION AND PURIFICATION METHOD OF ZINC-CONTAINING SOLUTION}
본 발명은 아연 습식야금 중의 황산아연용액 (이하 용융아연으로 칭함) 정화 공정에 관한 것으로, 구체적으로 중성 삼출액 (Lixivium) 중의 잡질을 규정된 한도 이하로 제거함으로써 전해 채취 시 용융아연에 대한 요구를 만족시키는 과정에 관한 것이다.
기존의 용융아연 정화방법은 대부분 우선 중성 삼출액을 농축기로 도입하여 농축 처리를 진행하고, 다음 농축 처리된 상청액 (즉, 중상청)에 대해 아연 분말 침전 처리를 진행한다. 예하면, CN101994005A 중의 도면 1에 의할 경우, 상청액에 대해 전후로 3단계의 정화를 진행한다. 제1단계 정화는 동, 카드뮴을 제거하고, 제2단계 정화는 코발트, 니켈을 제거, 제3단계 정화는 카드뮴을 제거한다. 또한 각 단계 정화 후 고체 - 액체 분리 여과를 통해 잡질 제거 후의 용융아연을 획득하는 과정이다.
일부 아연 공장은 중성 삼출액에 대해 직접 아연 분말 침전 처리를 진행하기도 한다. 예하면, "전해 아연 공장의 아연 정화액 공정 설계, 양린(楊蓮), 공학 디자인 및 연구, 총제119기, 2006년 6월" 중의 흐름도에 의하면, 중성 삼출액에 대해 3단계의 정화를 진행하여, 제1단계 정화는 동, 카드뮴 제거, 제2단계 정화는 코발트, 니켈 제거, 제3단계 정화는 다시 카드뮴을 제거하며, 각 단계 정화 후 고체 -액체 분리 여과를 통해 잡질 제거 후의 용융아연을 획득하는 과정이다.
상기와 같이, 현재 반영되는 용융아연 정화공정에 대한 연구 추세로부터 볼 경우, 사람들의 용융아연 정화 공정의 개량에 대한 관심은 아연 분말 침전 (zinc dust precipitation) 과정에 집중되고 있으나, 침전반응 시작 전에 중성 삼출액 또는 중성 삼출액을 침전하여 획득한 상청액에 대한 처리에 대하여는 적게 언급하고 있다.
하지만 이러할 지라도, 카드뮴의 딥 정화 문제는 현재까지 철저한 해결을 받지 못하고 있다. 그 중, 중요한 원인은 기존의 용융아연 정화 과정은 일반적으로 고체 - 액체 분리여과 시의 여과소자로 거름천을 사용하나, 거름천의 여과 정밀도가 제한성이 있어 카드뮴의 필터 투과를 초래하기 용이하다. 이와 동시에, 침전된 카드뮴은 또한 재용출되기 쉽다. 따라서, 상기에 의한 두편의 참고문서에 의하면 모두 3단계 정화 공정을 이용하며, 마직막 단계 정화는 모두 카드뮴과 관련되므로, 근본적인 목적은 카드뮴 정화 수준을 제고하려는 것임을 알 수 있다. 명료한 것은, 3단계 정화공정은 과정이 길고 대량의 아연 분말을 소모하게 된다.
본 발명이 해결하고저 하는 기술적 과제는, 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거 공정을 제공함으로써 양호한 카드뮴 제거 효과에 도달하는 것이다. 또한, 본 발명은 정화 효과가 탁월한 용융아연 정화방법 및 그 방법에 의해 획득한 여과 잔여물을 제공하며, 상기 여과 잔여물 중 순도가 높은 고체 아연은 후속 단계에서 이용하도록 한다.
우선, 본 발명에 의한 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거 공정은, 1) 중성 삼출액 또는 중성 삼출액을 침전하여 획득한 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여 콜로이드 함량이 50mg/L 이하인 용융아연을 획득하는 절차; 2) 아연 분말 침전법을 통해 용융아연 중에서 적어도 카드뮴을 침전하는 절차; 3) 고체 잡질 카드뮴을 함유하는 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하고, 그 중, 여과시간은 60분 이내로, 여과 정밀도는 10 μm 이하로 제어하는 절차를 포함한다.
중성 삼출액 또는 중성 삼출액 침전 후 획득한 상청액 중의 콜로이드는 주로 실리콘, 시멘타이트 등 물질로, 이러한 콜로이드 물질은 용융아연 중에서 응집 (agglomeration) 형태로 존재한다. 일반적으로 중상청 중의 콜로이드 함량은 1g/L 좌우, 중성 삼출액 중의 콜로이드 함량은 더욱 크다. 이러한 콜로이드의 존재로 인해, 아연 분말 침전 효과를 하강하고, 고체 - 액체 분리여과를 저애하여 카드뮴 제거 효과에 크게 영향주고 있다. 이에 의해, 본 발명은 우선 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하고, 다음 아연 분말 침전법을 통해 고체 액체 분리여과를 진행하는 방식을 활용하였으며, 또한 콜로이드 제거 처리 후의 용융아연 중의 콜로이드 함량 및 고체 - 액체 분리여과 시의 여과시간, 여과 정밀도 등 관건적인 파라미터에 대해 선택적으로 매칭을 함으로써 최종적인 카드뮴 제거 공정을 확정했다. 본 발명 이전에는 카드뮴 제거를 위해 아연 분말 침전법을 통해 중성 삼출액 또는 중성 삼출액 침전을 통해 획득한 상청액에 대해 1단계 정화 진행 후, 고체 - 액체 분리여과를 통해 제조 획득한 용융아연 중의 카드뮴 함량은 일반적으로 20~50mg/L 좌우였다. 실험에 의해 알수 있는 바, 본 발명에 의한 아연 분말 침전법을 통해 중성 삼출액 또는 중성 삼출액 침전을 거쳐 획득한 상청액에 대해 1단계 정화 진행 후, 고체 - 액체 분리여과를 통해 획득한 용융아연 중의 카드뮴 이온 함량은 2mg/L 이하이다.
본 발명에 의한 카드뮴 제거 공정의 절차 1)에 있어서, 여러가지 상이한 방법을 통해 콜로이드 제거 처리를 진행할 수 있다. 예하면, 용융아연 중에 응집제 또는 전해질을 첨가함으로써 콜로이드 물질을 침전한다. 바람직한 방안으로는, 상기 절차 1) 은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 막여과를 진행함으로써 실현하는 것이다. 막여과를 통해 용융아연 중의 콜로이드 물질을 제거할 수 있을 뿐만 아니라, ZnFeO2 등 고체 잡질도 제거함으로써 침전 직전의 용융아연의 품질을 더욱 제고하며, 또한 용융아연의 정화 효과를 제고한다. 필터 케익의 과속 형성에 인해 여과량 (filtration flux)이 하강되는 것을 방지하기 위해, 상기 절차 1)은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 십자류 막여과를 진행함으로써 실현하는 것이 바람직하다. 십자류 여과는 콜로이드 제거에 탁월한 효과가 있다. 십자류 여과의 전단력은 콜로이드가 필터 소자의 표면에 부착되는 것을 효과적으로 방지함으로써 필터 케익층의 두께를 감소하고 여과 통량을 보장한다.
상기 절차 3)도 마찬가지로 막여과를 이용할 것을 건의한다. 쾌속 여과의 실현을 위해, 말단 막여과를 활용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 용융아연 정화 방법에 있어서, 1) 중성 삼출액 또는 중성 삼출액을 침전하여 획득한 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여 콜로이드 함량이 50mg/L 이하인 용융아연을 획득하는 절차; 2) 제1차 아연 분말 침전법을 통해 용융아연에 대해 1단계 정화를 진행함으로써 적어도 동, 카드뮴을 제거하는 절차; 3) 고체 잡질 카드뮴을 함유하는 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하고, 그 중, 여과시간은 60분 이내로, 여과 정밀도는 10㎛ 이하로 제어하는 절차; 4) 고체 - 액체 분리여과 후의 용융아연에 대해 2단계 정화를 진행하여 적어도 코발트, 니켈을 제거하는 절차; 5) 고체 잡질 코발트, 니켈을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하여 각각 신액 및 여과 잔여물을 획득하는 절차를 포함한다.
실험에 의하면, 상기 방법에 의해 획득한 여과 잔여물 중, 동, 카드뮴, 코발트 3가지 물질이 고체 아연과의 중량비는 각각 Cu:Cd:Co:Zn =(0.01~0.2):(0~0.001):(0.5~1.5):100 이다. 알수 있는 바, 상기 여과 잔여물 중 고체 카드뮴과 고체 아연의 중량비는 1×10-5 이하로 카드뮴 함량은 아주 작다.
상기 용융아연 정화 방법 중, 제2차 아연 분말 침전법을 통해 용융아연에 대해 2단계 정화를 진행함으로써 코발트, 니켈을 제거할 수 있으며, 또한 크산틴산염, β-나프톨을 첨가함으로써 코발트, 니켈을 제거할 수 있다.
상기 이유에 의해, 상기 절차 1)은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 막여과를 진행함으로써 실현한다.
상기 이유에 의해, 상기 절차 1) 은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 십자류 막여과를 진행함으로써 실현한다.
상기 용융아연 정화 방법에 대한 개진에 있어서, 절차 5) 에 의해 획득한 여과 잔여물을 상기 절차 중의 아연 분말 침전법에 이용되는 아연 분말 원료로 한다. 1단계 정화 및 고체 잡질 동, 카드뮴을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과 진행 후, 여과 획득한 용융아연 중의 카드뮴 이온의 함량은 이미 대폭 하강하였으며, 따라서 2단계 정화 및 고체 잡질 코발트, 니켈을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하여 획득한 여과 잔여물은 극소량의 카드뮴만 함유하고 있다. 이러한 상황에서, 상기 여과 잔여물을 이전의 절차로 반환하여 아연 분말 침전법에 이용되는 아연 분말 원료로 사용할 수 있으며, 따라서 용융아연 정화 과정에 대해 거의 아무런 악영향(주로는 용융아연 중에 카드뮴 잡질이 도입되는 것을 방지)도 끼치지 않는 조건에서 아연 분말의 사용량을 현저히 감소한다. 종래의 경우, 용융아연 정화 후의 여과 잔여물 중에는 카드뮴 함량이 비교적 높아, 당업자들은 여과 잔여물을 아연 분말 원료로 사용하지 않았다.
그 중, 상기 절차 3)과 절차 4)에 있어서, 적어도 절차 3)은 막여과를 이용한다.
그 중, 상기 절차 3)과 절차 4)에 있어서, 적어도 절차 3)에서는 말단 막여과를 이용한다.
본 발명에 의한 용융아연 정화 후 획득한 여과 잔여물에 있어서, 그 중 고체 카드뮴과 고체 아연의 중량비는 1×10-5 이하이다.
상기 여과 잔여물은 용융아연 정화 중에 아연 분말 침전법 이용 시의 아연 분말 원료로 사용된다.
상기 여과 잔여물은 하기 용융아연 정화방법을 통해 획득하며, 상기 방법은, 1) 중성 삼출액 또는 중성 삼출액을 침전하여 획득한 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여 콜로이드 함량이 50mg/L 이하인 용융아연을 획득하는 절차; 2) 제1차 아연 분말 침전법을 통해 용융아연에 대해 1단계 정화를 진행함으로써 적어도 동, 카드뮴을 제거하는 절차; 3) 고체 잡질 카드뮴을 함유하는 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하고, 그 중, 여과시간은 60분 이내로, 여과 정밀도는 10 μm 이하로 제어하는 절차; 4) 고체 - 액체 분리여과 후의 용융아연에 대해 2단계 정화를 진행하여 적어도 코발트, 니켈을 제거하는 절차; 5) 고체 잡질 코발트, 니켈을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하여 각각 신액 및 여과 잔여물을 획득하는 절차를 포함한다.
그 중, 상기 절차 1)은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 막여과를 진행함으로써 실현한다.
그 중, 상기 절차 1) 은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 십자류 막여과를 진행함으로써 실현한다.
또한, 상기 절차 1)에 있어서 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 콜라이드 제거 처리를 통해 콜라이드 함량이 10mg/L 이하인 용융아연을 획득한다.
그 중, 제2차 아연 분말 침전법을 통해 용융아연에 대해 2단계 정화를 진행하여 적어도 코발트, 니켈을 제거한다.
그 중, 상기 절차 3)과 절차 4)에 있어서, 적어도 절차 3)은 막여과를 이용한다.
그 중, 상기 절차 3)과 절차 4)에 있어서, 적어도 절차 3)에서는 말단 막여과를 이용한다.
상기 용융아연 정화를 통해 획득하는 여과 잔여물의 제조 방법에 있어서, 1) 중성 삼출액 또는 중성 삼출액을 침전하여 획득한 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여 콜로이드 함량이 50mg/L 이하인 용융아연을 획득하는 절차; 2) 제1차 아연 분말 침전법을 통해 용융아연에 대해 1단계 정화를 진행함으로써 적어도 동, 카드뮴을 제거하는 절차; 3) 고체 잡질 카드뮴을 함유하는 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하고, 그 중, 여과시간은 60분 이내로, 여과 정밀도는 10㎛ 이하로 제어하는 절차; 4) 고체 - 액체 분리여과 후의 용융아연에 대해 2단계 정화를 진행하여 적어도 코발트, 니켈을 제거하는 절차; 5) 고체 잡질 코발트, 니켈을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하여 각각 신액 및 여과 잔여물을 획득하는 절차를 포함한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거 공정을 제공함으로써 양호한 카드뮴 제거 효과에 도달할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 정화 효과가 탁월한 용융아연 정화방법 및 그 방법에 의해 획득한 여과 잔여물을 제공 받을 수 있으며, 상기 여과 잔여물 중 순도가 높은 고체 아연은 후속 단계에서 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 용융아연 정화방법의 구체 실시예의 공정 흐름도이다.
한 아연공장의 중성 삼출액 침전 후 획득한 상청액 중, 동, 카드뮴, 코발트 이온의 함량은 각각 400mg/L, 550 mg/L, 25mg/L으로, 측정을 거쳐 상기 용액 중의 콜로이드 함량은 대략 1g/L 이다. 현재, 상기 아연공장은 3단계 정화 공정을 활용하여, 우선, 제1차 아연 분말 침전법을 통해 상청액에 대해 1단계 정화를 진행함으로써 적어도 동, 카드뮴을 제거; 다음, 고체 잡질인 동, 카드뮴을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하여, 여과 시 플랫-프레임 필터기 (plate and frame filter)를 이용하며, 상기 플랫-프레임 필터기 중의 거름천의 여과 정밀도는 40-50㎛, 여과 시간은 60분; 다음, 제2차 아연 분말 침전법을 통해 용융아연에 대해 2단계 정화를 진행하여 적어도 코발트, 니켈을 제거; 다음, 고체 잡질인 코발트, 니켈을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하여, 여과 시 동일한 플랫 - 프레임 여과기를 이용하며, 여과 시간은 40분; 다음, 제3차 아연 분말 침전법을 통해 용융아연에 대해 3단계 정화를 진행하여 적어도 카드뮴을 제거; 다음, 동일한 플랫 - 프레임 여과기를 이용하여 고체 잡질 카드뮴을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하여 용융아연과 여과 잔여물을 각각 획득한다. 측정을 거쳐, 1단계 정화를 거쳐 여과한 용융아연 중의 동, 카드뮴, 코발트 이온의 함량은 각각 12mg/L, 50mg/L, 20mg/L; 2단계 정화를 거쳐 여과한 용융아연 중의 동, 카드뮴, 코발트 이온의 함량은 각각 0.4mg/L, 2.0mg/L, 1.5mg/L; 3단계 정화를 거쳐 여과한 용융아연 중의 동, 카드뮴, 코발트 이온 함량은 각각 0.1mg/L, 0.8mg/L, 1.0mg/L 이다.
도 1과 같이, 본 발명은 동일한 상청액에 대해 하기 방법을 활용한다. 그 절차는, 1) 십자류 막여과방식 (cross-flow membrane filtration)을 이용하여 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여, 콜로이드 함량이 50mg/L 이하인 용융아연 획득; 2) 제1차 아연 분말 침전법 (기존 아연 분말 침전법을 이용하여 동, 카드뮴을 제거하는 공정 조건)을 통해 용융아연에 대해 1단계 정화를 진행하여 적어도 동, 카드뮴 제거; 3) 말단 막여과방식 (Terminal membrane filtration)을 통해 고체 잡질인 동, 카드뮴을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하고, 그 중, 여과시간을 60분 이내로 제어하며, 여과 정밀도를 10㎛ 이하로 제어; 4) 제2차 아연 분말 침전법 (기존 아연 분말 침전법을 통해 코발트, 니켈을 제거하는 공정 조건) 을 통해 고체 - 액체 분리여과 후의 용융아연에 대해 2단계 정화를 진행하여 적어도 코발트, 니켈을 제거; 5) 말단 여과방식을 이용하여 고체 잡질 코발트, 니켈을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하여 각각 신액과 여과 잔여물을 획득한다. 상기 여과 잔여물은 상기 절차 중의 아연 분말 침전법 진행에 이용된 아연 분말 원료로 이용되므로, 1단계 정화 및 2단계 정화 공정으로 돌아간다. 전체 용융아연 정화 과정 중에 발생하는 잔여물은 제1차 말단 여과 출구를 통해 배출된다. 아래에 5개의 실시예 (번호 1-5) 를 통해 본 발명에 의한 용융아연 정화방법에 대해 상세히 설명하도록 하며, 구체적인 내용은 표 1을 참조하도록 한다.
또한, 측정을 거쳐, 상기 5개의 실시예는 2단계 정화 공정 후의 여과 잔여물 중의 동, 카드뮴, 코발트 세가지 고체 물질이 고체 아연과의 중량비는 각각 Cu:Cd:Co:Zn=(0.01~0.2):(0~0.001):(0.5~1.5):100 이다. 즉, 여과 잔여물 중의 고체 카드뮴과 고체 아연의 중량비는 모두 1×10-5 이하로, 카드뮴 함량은 아주 낮다.
특별 설명:
1. 상기 용어 "여과시간"은 특정량의 용융아연의 여과 시작부터 전부 여과 완료하기까지의 시간이다.
2. 용융아연에 대한 콜로이드 함량은 혼탁도 측정 중의 중량법, 분광광도법 등 방법으로 측정할 수 있다.
Figure 112014109920415-pct00001
주의사항: "무"는 폴라로그래프를 통해 해당 원소를 검측할 수 없음을 가리킴.

Claims (15)

1) 중성 삼출액 또는 중성 삼출액을 침전하여 획득한 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여 콜로이드 함량이 50mg/L 이하인 용융아연 획득하는 절차; 2) 아연 분말 침전법을 통해 용융아연 중에서 적어도 카드뮴을 침전하는 절차; 3) 고체 잡질 카드뮴을 함유하는 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하고, 그 중, 여과시간은 60분 이내로, 여과 정밀도는 10 μm 이하로 제어하는 절차를 포함하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거공정.
청구항 1에 있어서,
상기 절차 1)은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 막여과를 진행함으로써 여과를 실현하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거공정.
청구항 2에 있어서,
상기 절차 1)은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 십자류 여과를 진행함으로써 실현하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거공정.
청구항 1에 있어서,
상기 절차 1)에서 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여 콜로이드 함량 10mg/L 이하의 용융아연을 획득하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거공정.
청구항 1에 있어서,
상기 절차 3)에서는 막여과를 활용하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거공정.
청구항 5에 있어서,
상기 절차 3)에서 말단 막여과를 활용하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화 중의 카드뮴 제거공정.
삭제
1) 중성 삼출액 또는 중성 삼출액을 침전하여 획득한 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여 콜로이드 함량이 50mg/L 이하인 용융아연을 획득하는 절차; 2) 제1차 아연 분말 침전법을 통해 용융아연에 대해 1단계 정화를 진행함으로써 적어도 동, 카드뮴을 제거하는 절차; 3) 고체 잡질 카드뮴을 함유하는 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하고, 그 중, 여과시간은 60분 이내로, 여과 정밀도는 10㎛ 이하로 제어하는 절차; 4) 고체 - 액체 분리여과 후의 용융아연에 대해 2단계 정화를 진행하여 적어도 코발트, 니켈을 제거하는 절차; 5) 고체 잡질 코발트, 니켈을 함유한 용융아연에 대해 고체 - 액체 분리여과를 진행하는 절차를 포함하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화방법.
청구항 8에 있어서,
상기 절차 1)은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 막여과를 진행함으로써 실현하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화방법.
청구항 9에 있어서,
상기 절차 1) 은 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 십자류 막여과를 진행함으로써 실현하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화방법.
청구항 8에 있어서,
상기 절차 1) 에서 중성 삼출액 또는 상청액에 대해 콜로이드 제거 처리를 진행하여 콜로이드 함량 10mg/L 이하의 용융아연을 획득하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화방법.
청구항 8에 있어서,
상기 절차 5)에서 획득한 여과 잔여물은 상기 절차 중에서 아연 분말 침전법에 사용되는 아연 분말 원료로 사용되는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화방법.
청구항 8에 있어서,
제2차 아연 분말 침전법을 통해 용융아연에 대해 2단계 정화를 진행하여 적어도 코발트, 니켈을 정화하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화방법.
청구항 8에 있어서,
상기 절차 3)과 절차 4)에 있어서, 적어도 절차 3)은 막여과를 이용하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화방법.
청구항 14에 있어서,
상기 절차 3)과 절차 4)에 있어서, 적어도 절차 3)에서는 말단 막여과를 이용하는 것을 특징으로 하는 용융아연 정화방법.
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