KR101918850B1 - 보강 구조체, 진공 챔버 및 플라스마 처리 장치 - Google Patents
보강 구조체, 진공 챔버 및 플라스마 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101918850B1 KR101918850B1 KR1020170077838A KR20170077838A KR101918850B1 KR 101918850 B1 KR101918850 B1 KR 101918850B1 KR 1020170077838 A KR1020170077838 A KR 1020170077838A KR 20170077838 A KR20170077838 A KR 20170077838A KR 101918850 B1 KR101918850 B1 KR 101918850B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- beam member
- lid
- vacuum chamber
- chamber
- lid body
- Prior art date
Links
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 8
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Pressure Vessels And Lids Thereof (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
소망의 경량화를 도모할 수 있는 보강 구조체, 그러한 보강 구조체를 갖는 진공 챔버, 및 플라스마 처리 장치를 제공한다. 기판에 소정의 처리를 실시하기 위한 진공 챔버의 덮개체를 보강하기 위해서 덮개체의 상면에 마련된, 복수의 비임 부재의 조합으로 이루어지는 보강 구조체(4)로서, 덮개체의 상면(천정벽(3a)의 상면)의 중앙부에 비임 부재(중앙부(41a), 중앙부(42a))가 환상으로 형성되어 이루어지는 환상부(44)와, 환상부(44)로부터 비임 부재(단부(41b), 단부(42b), 제 3 비임 부재(43))가 복수, 방사상으로 연장되도록 형성된 방사상부(45)를 갖는다.
Description
본 발명은 진공 챔버의 덮개체를 보강하는 보강 구조체, 그러한 보강 구조체를 갖는 진공 챔버, 및 플라스마 처리 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(LCD)로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 과정에서는, FPD용의 유리 기판에 대하여, 플라스마 에칭, 스패터링, 플라스마 CVD 등의 플라스마 처리가 실행된다.
이러한 플라스마 처리를 실행하는 플라스마 처리 장치에서는, 진공 처리가 필요하기 때문에, 처리 용기로서 진공 흡인 가능한 진공 챔버가 이용된다. 진공 챔버는 본체부와 덮개부로 이루어지며, 그 내부와 외부의 압력차에 견딜 수 있을 만큼의 강도를 확보하기 위해, 이들을 두껍게 하여 강도를 확보하고 있었다.
그러나, 최근, FPD 기판은 대형화가 현저하며, 한 변이 2m를 초과하는 거대한 것도 출현하기에 이르러, 그에 대응한 대형의 진공 챔버에서는, 대기압에 견딜 수 있는 강도를 확보하기 위해서, 단순히 진공 챔버의 두께를 증대시킨 경우에는, 극히 큰 두께가 필요하여, 중량이 커지는 동시에, 재료비나 가공비가 방대해진다.
그래서, 이러한 문제점을 해소하는 기술로서, 특허문헌 1에는, 진공 챔버의 상부 용기(덮개체)의 외측에 비임 구조로 이루어지는 보강 구조체를 마련하는 것이 기재되어 있다. 이에 의해, 대기압에 견딜 수 있는 충분한 강도를 유지하면서, 경량화를 도모하는 동시에, 재료비 및 가공비를 경감할 수 있게 하고 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 진공 챔버의 천판부의 외측에 천판부의 변형을 억제하는 아치 형상의 리브로 이루어지는 보강 구조체를 마련하는 것이 기재되어 있다.
그런데, 종래의 플라스마 처리 장치에서는, 진공 챔버의 덮개체를 개폐하는 개폐 기구가 마련되어 있지만, 2m를 초과하는 대형 기판에 대응한 대형의 진공 챔버에서는, 상기 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 기재된 보강 구조체에 의해 강도는 확보되지만, 보강 구조체의 중량이 각각 예컨대 약 1.5ton 및 2.0ton으로 경량화가 충분하다고는 할 수 없으며, 개폐 기구가 대규모인 것이 되어야 한다. 또한, 최근에는, 비용 삭감의 관점에서, 개폐 기구를 이용하지 않고 사용자의 공장에 설치된 천정 크레인에 의해 덮개체를 개폐하는 것이 시도되고 있지만, 상기 특허문헌 1이나 특허문헌 2에서는 이와 같이 보강 구조체의 중량이 크기 때문에, 덮개체의 중량이 천정 크레인의 허용 범위를 초과한 중량이 되어 적용이 곤란한 경우도 있다.
따라서, 본 발명은 소망의 경량화를 도모할 수 있는 보강 구조체, 그러한 보강 구조체를 갖는 진공 챔버, 및 플라스마 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 관점은, 기판에 소정의 처리를 실시하기 위한 진공 챔버의 덮개체를 보강하기 위해 상기 덮개체의 상면에 마련된, 복수의 비임 부재의 조합으로 이루어지는 보강 구조체로서, 상기 덮개체의 상면의 중앙부에 비임 부재가 환상으로 형성되어 이루어지는 환상부와, 상기 환상부로부터 비임 부재가 복수, 방사상으로 연장되도록 형성된 방사상부를 갖는 것을 특징으로 하는 보강 구조체를 제공한다.
상기 제 1 관점에 따른 보강 구조체에 있어서, 상기 진공 챔버는 직방체 형상을 이루며, 상기 덮개체의 상면은 직사각형을 이루며, 상기 환상부는 직사각형의 프레임체로 이루어지는 것으로 할 수 있다.
상기 방사상부는, 상기 환상부의 각 변으로부터 직교하는 방향으로 연장되는 비임 부재와, 상기 환상부의 코너부로부터 상기 덮개체의 코너부로 연장되는 비임 부재를 갖는 것으로 할 수 있다.
상기 환상부의 코너부로부터 상기 덮개체의 코너부로 연장되는 비임 부재는 상기 덮개체의 대각선 방향으로 연장되는 것으로 할 수 있다.
또한, 상기 덮개체의 직사각형을 이루는 상기 상면은 한쌍의 제 1 변과 한쌍의 제 2 변으로 이루어지며, 상기 보강 구조체는, 상기 덮개체의 상기 직사각형의 상면의 한쌍의 제 1 변에 평행하게 마련된 2개의 제 1 비임 부재와, 한쌍의 제 2 변에 평행하게 마련된 2개의 제 2 비임 부재를 갖고, 상기 제 1 비임 부재 및 상기 제 2 비임 부재가 우물 정자 형상으로 배치되며, 상기 제 1 비임 부재 및 상기 제 2 비임 부재의 중앙부가 상기 환상부를 구성하고, 상기 제 1 비임 부재 및 상기 제 2 비임 부재의 상기 중앙부의 양측에 위치하는 단부가 상기 방사상부의 비임 부재의 일부를 구성하는 것으로 할 수 있다. 이 경우에, 상기 방사상부는 상기 환상부의 코너부로부터 상기 덮개체의 코너부로 연장되는 비임 부재를 추가로 갖는 것으로 할 수 있다. 또한, 상기 제 1 비임 부재와 상기 제 2 비임 부재는 상기 덮개체의 상면을 9분할하도록 마련되는 구성으로 할 수 있다.
상기 방사상부를 구성하는 비임 부재 중 인접하는 비임 부재끼리의 사이의 적어도 일부에, 상기 인접하는 비임 부재를 연결하도록 판상 부재가 배치되어 있는 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 제 2 관점은, 기판에 소정의 처리를 실시하기 위한 진공 챔버로서, 처리실을 형성하고, 상부에 개구부를 갖는 챔버 본체와, 상기 챔버 본체의 상기 개구부를 개폐하는 덮개체와, 상기 덮개체의 상면에 마련된, 복수의 비임 부재의 조합으로 이루어지는 보강 구조체를 갖고, 상기 보강 구조체는 상기 제 1 관점에 기재된 보강 구조체인 것을 특징으로 하는 진공 챔버를 제공한다.
본 발명의 제 3 관점은, 기판에 대해 플라스마 처리를 실행하는 플라스마 처리 장치로서, 진공 챔버와, 상기 진공 챔버 내에 형성되는 처리실을 진공 배기하는 배기 기구와, 상기 처리실에 처리를 위한 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 처리실 내에 플라스마를 생성하는 플라스마 생성 기구를 갖고, 상기 진공 챔버는, 상기 처리실을 형성하고, 상부에 개구부를 갖는 챔버 본체와, 상기 챔버 본체의 상기 개구부를 개폐하는 덮개체와, 상기 덮개체의 상면에 마련된, 복수의 비임 부재의 조합으로 이루어지는 보강 구조체를 갖고, 상기 보강 구조체는 상기 제 1 관점에 기재된 보강 구조체인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치를 제공한다.
상기 제 2 관점 및 제 3 관점에 있어서, 상기 덮개체는, 상기 덮개체를 크레인에 의해 개폐할 때에, 크레인의 후크가 직접 또는 간접적으로 결합되는 크레인 개폐용 지그를 추가로 갖는 것으로 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 덮개체의 상면의 중앙부에 비임 부재가 환상으로 형성되어 이루어지는 환상부와, 환상부로부터 비임 부재가 복수, 방사상으로 연장되도록 형성된 방사상부를 가지므로, 보강 효과가 크고, 비임 부재를 종래보다 가늘게 구성해도 소망의 강도를 확보할 수 있으며, 또한 구조적으로 심플하기 때문에 비임 부재의 사용량 자체도 적어도 되므로, 보강 구조체의 경량화를 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보강 구조체를 구비한 플라스마 처리 장치를 도시하는 단면도,
도 2는 도 1의 플라스마 처리 장치의 진공 챔버의 외관을 도시하는 사시도,
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보강 구조체를 도시하는 평면도,
도 4는 진공 챔버의 덮개체를 크레인으로 개폐할 때의 상태를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 보강 구조체를 도시하는 평면도,
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보강 구조체를 도시하는 평면도.
도 2는 도 1의 플라스마 처리 장치의 진공 챔버의 외관을 도시하는 사시도,
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보강 구조체를 도시하는 평면도,
도 4는 진공 챔버의 덮개체를 크레인으로 개폐할 때의 상태를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 보강 구조체를 도시하는 평면도,
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보강 구조체를 도시하는 평면도.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보강 구조체를 구비한 플라스마 처리 장치를 도시하는 단면도이며, 도 2는 도 1의 플라스마 처리 장치의 진공 챔버의 외관을 도시하는 사시도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보강 구조체를 도시하는 평면도이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 이 플라스마 처리 장치(100)는, 직사각형을 이루는 FPD용의 유리 기판(이하, 단순히 「기판」으로 기재함)(G)에 대해 플라스마 처리, 예컨대 플라스마 에칭 처리를 실행하는 유도 결합형 플라스마 처리 장치로서 구성되어 있다. FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 일렉트로루미네선스(Electro Luminescence: EL) 디스플레이, 플라스마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.
이 플라스마 처리 장치(100)는, 도전성 재료, 예컨대, 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지고, 외관이 대략 직방체 형상을 이루며, 단면이 직사각형인 진공 챔버(1)를 갖는다. 이 진공 챔버(1)는 접지선(1a)에 의해 접지되어 있다. 진공 챔버(1)는 챔버 본체(2)와 덮개체(3)와 보강 구조체(4)를 갖고 있다.
챔버 본체(2)는 바닥벽(2a)과 측벽(2b)을 갖고, 상부가 개구부로 되어 있으며, 개구부는 덮개체(3)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 그리고, 상부 개구부가 덮개체(3)에 의해 폐색되는 것에 의해, 내부에 처리실(5)이 형성된다.
처리실(5)의 바닥부에는, 챔버 본체(2)의 바닥벽(2a) 상에, 알루미나 등의 절연성 세라믹스 또는 수지로 이루어지는 절연 부재(9)를 거쳐서, 기판(G)을 탑재하는 기판 탑재대(10)가 마련되어 있다. 기판 탑재대(10)는, 금속, 예컨대 알루미늄으로 이루어지는 기재(11)와, 기재(11)의 주위에 마련된 절연 링(12)을 구비하고 있다. 도시하지 않지만, 기판 탑재대(10)의 표면에는 기판(G)을 정전 흡착하는 정전 척이 마련되며, 기판 탑재대(10)의 내부에는 기판(G)의 반송에 이용되는 승강 핀이 관통 삽입되어 있다. 또한, 역시 도시하지 않지만, 기판 탑재대(10) 내에는, 기판(G)의 온도를 제어하기 위한 온도 조절 기구와, 온도 센서가 마련되어 있다.
챔버 본체(2)의 바닥벽(2a)에는 복수의 배기구(13)가 마련되어 있으며, 각 배기구(13)에는 배기관(14)이 접속되어 있다. 이 배기관(14)에는, 자동 압력 제어 밸브와 진공 펌프로 이루어지는 배기 기구(15)가 접속되어 있다. 배기 기구(15)에 의해 처리실(5) 내를 진공 배기하는 동시에, 처리실(5) 내를 소정의 압력으로 제어하도록 되어 있다.
챔버 본체(2)의 측벽(2b)에는, 기판(G)을 처리실(5) 내에 반입·반출하기 위한 반입·반출구(16)가 마련되어 있으며, 반입·반출구(16)는 게이트 밸브(17)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 챔버 본체(2)에 인접하며 도시하지 않은 반송실이 마련되어 있고, 게이트 밸브(17)를 개방으로 하는 것에 의해, 반송실 내에 마련된 반송 기구(도시 생략)에 의해 반입·반출구(16)를 거쳐서 기판(G)의 처리실(5)에 대한 반입·반출이 가능해진다.
기판 탑재대(10)의 기재(11)에는, 정합기(18)를 거쳐서 이온 인입용의 고주파 바이어스를 인가하기 위한 바이어스용 고주파 전원(19)이 접속되어 있다.
덮개체(3)는 천정벽(3a), 측벽(3b), 및 바닥벽이 되는 유전체벽(21)을 갖고 있다. 유전체벽(21)은 챔버 본체(2)의 천정벽을 겸하고 있다. 그리고, 이들에 둘러싸인 공간이 안테나실(6)로 되어 있다. 유전체벽(21)은 Al2O3 등의 세라믹스, 석영 등으로 구성되어 있다.
측벽(3b)의 아래에는 내측으로 돌출되는 링 형상 지지부(22a)를 갖는 링 형상 지지 부재(22)가 장착되어 있으며, 이 링 형상 지지부(22a)에 유전체벽(21)이 지지되어 있다. 유전체벽(21)과 링 형상 지지 부재(22)는 시일 링(23)에 의해 시일되어 있다.
유전체벽(21)의 하측 부분에는, 금속, 예컨대 알루미늄으로 이루어지는 처리 가스 공급용의 샤워 하우징(24)이 끼워져 있다. 샤워 하우징(24)은 십자 형상으로 마련되어 있으며, 유전체벽(21)을 아래로부터 지지하는 구조, 예컨대 비임 구조로 되어 있다. 유전체벽(21)은 복수의 분할편으로 분할되어 있으며, 인접하는 분할편의 접촉부에서 비임으로서의 샤워 하우징(24)이 분할편을 지지한다. 유전체벽(21)을 지지하는 샤워 하우징(24)은 복수개의 서스펜더(25)에 의해 천정벽(3a)에 매달린 상태로 되어 있다. 링 형상 지지 부재(22) 및 샤워 하우징(24)은 유전체 부재로 피복되어 있어도 좋다.
샤워 하우징(24)에는 수평으로 연장되는 가스 유로(26)가 형성되어 있으며, 이 가스 유로(26)에는, 하방을 향해 연장되는 복수의 가스 토출 구멍(26a)이 연통하고 있다. 한편, 유전체벽(21)의 상면 중앙에는, 이 가스 유로(26)에 연통하도록 가스 공급관(27)이 마련되어 있다. 가스 공급관(27)은, 천정벽(3a) 또는 측벽(3b)으로부터 그 외측으로 관통하며, 처리 가스 공급원 및 밸브 시스템 등을 포함하는 처리 가스 공급 기구(28)에 접속되어 있다. 따라서, 플라스마 처리에 있어서는, 처리 가스 공급 기구(28)로부터 공급된 처리 가스가 가스 공급관(27)을 거쳐서 샤워 하우징(24) 내의 가스 유로(26)에 공급되며, 그 하면의 가스 토출 구멍(26a)으로부터 처리실(5) 내로 토출된다.
안테나실(6) 내에는 고주파(RF) 안테나(30)가 배설되어 있다. 고주파 안테나(30)는 구리나 알루미늄 등의 양 도전성의 금속으로 이루어지는 안테나선(31)을 환상이나 소용돌이 형상 등의 종래 이용되는 임의의 형상으로 배치하여 구성된다. 복수의 안테나부를 갖는 다중 안테나라도 좋다.
안테나선(31)의 단자(32)에는 안테나실(6)의 상방으로 연장되는 급전 부재(33)가 접속되어 있다. 급전 부재(33)에는 정합기(34)가 접속되어 있으며, 정합기(34)에는 급전선(35)을 거쳐서 고주파 전원(36)이 접속되어 있다. 또한, 고주파 안테나(30)의 안테나선(31)은 절연 부재로 이루어지는 스페이서(38)에 의해 유전체벽(21)으로부터 이격되어 있다.
고주파 안테나(30)에, 고주파 전원(36)으로부터 소정의 주파수, 예컨대 주파수가 13.56㎒인 고주파 전력이 공급되는 것에 의해, 처리실(5) 내에 유도 전계가 형성되며, 이 유도 전계에 의해 샤워 하우징(24)으로부터 공급된 처리 가스가 플라스마화되어, 유도 결합 플라스마가 생성된다.
또한, 덮개체(3)는 챔버 본체(2)에 장착될 때에는, 도시되지 않은 나사에 의해 나사 고정되도록 되어 있으며, 챔버 본체(2)와 덮개체(3)의 사이는 시일 링(37)에 의해 시일된다.
보강 구조체(4)는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 덮개체(3)의 천정벽(3a)에 있어서의 직사각형을 이루는 상면에 마련된, 예컨대 H형강으로 이루어지는 복수의 비임 부재의 조합에 의해 구성되어 있다. 구체적으로는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 보강 구조체(4)는, 덮개체(3)의 천정벽(3a)의 한쌍의 장변(301)에 평행하게 전체 길이에 걸쳐서 마련된 직선 형상을 이루는 2개의 제 1 비임 부재(41)와, 덮개체(3)의 천정벽(3a)의 한쌍의 단변(302)에 평행하게 전체 길이에 걸쳐서 마련된 직선 형상을 이루는 2개의 제 2 비임 부재(42)를 갖고, 이들이 우물 정자 형상으로 배치되어 있다. 또한, 보강 구조체(4)는 추가로 제 1 비임 부재(41) 및 제 2 비임 부재(42)의 교점으로부터 대각선 방향으로 연장되는 4개의 제 3 비임 부재(43)를 갖고 있다. 이들 비임 부재는 볼트 등의 체결 수단에 의해 천정벽(3a)에 체결되어 있다.
제 1 비임 부재(41) 및 제 2 비임 부재(42)는, 덮개 부재(3)의 천정벽(3a)의 상면을 9분할(대략 9등분)하도록 배치되어 있으며, 2개의 제 1 비임 부재(41)의 2개의 중앙부(41a)와 2개의 제 2 비임 부재(42)의 2개의 중앙부(42a)로 직사각형의 프레임체를 이루는 환상부(44)를 구성한다. 또한, 제 1 비임 부재(41)에 있어서의 중앙부(41a)의 양측에 위치하는 단부(41b), 제 2 비임 부재(42)에 있어서의 중앙부(42a)의 양측에 위치하는 단부(42b), 및 제 3 비임 부재(43)는 환상부(44)로부터 외측을 향해 방사상으로 연장되며, 이들 비임 부재는 방사상부(45)를 구성한다. 즉, 보강 구조체(4)는, 덮개체(3)의 천정벽(3a) 상면의 중앙에 마련된, 비임 부재가 프레임 형상으로 조합되어 이루어지는 환상부(44)와, 환상부(44)로부터 복수의 비임 부재가 외측을 향해 방사상으로 연장되는 방사상부(45)를 갖고 있다.
방사상부(45)를 구성하는 비임 부재인 제 1 비임 부재(41)의 단부(41b)는 환상부(44)를 구성하는 제 2 비임 부재(42)의 중앙부(42a)에 직교하도록 마련되어 있다. 또한, 방사상부(45)를 구성하는 비임 부재인 제 2 비임 부재(42)의 단부(42b)는 환상부(44)를 구성하는 제 1 비임 부재(41)의 중앙부(41a)에 직교하도록 마련되어 있다. 또한, 방사상부를 구성하는 비임 부재인 제 3 비임 부재(43)는 환상부(44)의 코너부로부터 대각선 방향으로 연장되도록 마련되어 있다.
방사상부(45)를 구성하는 비임 부재(단부(41b), 단부(42b), 제 3 비임 부재(43)) 중 인접하는 것의 사이에는, 이들 비임 부재를 연결하도록, 판상 부재(46)가 마련되어 있다. 판상 부재(46)는 보강 구조체(4)의 보강 효과를 높이기 위해서 마련된다. 본 실시형태에서는, 방사상부(45)의 인접하는 비임 부재의 사이의 전체에 판상 부재(46)가 마련되어 있지만, 전체에 마련할 필요는 없으며, 인접하는 비임 부재의 사이의 적어도 일부에 마련하면 좋다. 적어도 일부에 마련하는 경우, 이상적으로는 대칭적으로 마련되는 것이 좋지만, 구조상, 덮개체(3)에 강도적인 편차가 있는 경우에는, 대칭적이지 않게, 강도적으로 약한 부분에 마련되어도 좋다. 또한, 판상 부재(46)의 안 길이는 그에 따른 보강 효과와 중량 증가와의 균형을 고려하여 적절히 설정된다. 판상 부재(46)의 안 길이는, 그것이 인접하여 마련되는 방사상부(45)의 비임 부재의 길이의 20~80% 정도가 바람직하다. 또한, 40~60% 정도로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 2개의 제 1 비임 부재(41)의 대향하는 2개의 단부(41b)의 사이, 및 2개의 제 2 비임 부재(42)의 대향하는 2개의 단부(42b)의 사이의 판상 부재(46)의 외측 부분에는 보조적인 비임 부재(47)가 마련되어 있다.
보강 구조체(4)는, 이러한 환상부(44)와 방사상부(45)가 조합되어 있는 것에 의해, 보강 효과를 높게 유지할 수 있어서, 경량화를 도모할 수 있다.
또한, 환상부(44)는, 상술한 바와 같이, 천정벽(3a) 상면의 중앙 부분에 마련되어 있지만, 그 각 변의 길이는 천정벽(3a)의 세로 및 가로의 전체 길이에 대해 30~80% 정도인 것이 바람직하다. 이에 의해, 덮개체(3)의 보강 효과를 높게 유지할 수 있다. 또한, 환상부(44)는 내부에 공간을 갖고 있으며, 그 중에 대형 기기인 정합기(34)가 삽입되도록 되어 있다. 이에 의해, 공간 절약화를 도모할 수 있다. 또한, 환상부(44)에 배치하는 대형 기기는 정합기(34)에 한정되지 않는다.
플라스마 처리 장치(100)는, 추가로, 플라스마 처리 장치(100)의 각 구성부를 제어하기 위한 마이크로프로세서(컴퓨터)를 갖는 제어부(50)를 구비하고 있다.
이와 같이 구성되는 플라스마 처리 장치(100)에 있어서는, 우선, 배기 기구(15)에 의해 처리실(5) 내를 배기하여 소정의 압력으로 하고, 게이트 밸브(17)를 개방하여 반입·반출구(16)로부터 도시되지 않은 반송 수단에 의해 기판(G)을 반입하고, 기판 탑재대(10) 상에 기판(G)을 탑재시킨다. 반송 수단을 처리실(5)로부터 퇴피시킨 후, 게이트 밸브(17)를 폐쇄한다.
이 상태에서, 진공 배기하면서 압력 조정 밸브(도시 생략)에 의해 처리실(5) 내의 압력을 소정의 진공도로 조정하는 동시에, 처리 가스 공급 기구(28)로부터, 가스 공급관(27) 및 샤워 하우징(24)를 거쳐서 소정의 처리 가스를 처리실(5) 내에 공급한다.
이어서, 고주파 전원(36)으로부터 소정 주파수(예컨대 13.56㎒)의 고주파 전력을 소정 파워로 고주파 안테나(30)에 인가하고, 이에 의해 유전체벽(21)을 거쳐서 처리실(5) 내에 균일한 유도 전계를 형성한다. 이와 같이 하여 형성된 유도 전계에 의해, 처리실(5) 내에서 처리 가스가 플라스마화되어, 고밀도의 유도 결합 플라스마가 생성된다. 이 플라스마에 의해, 기판(G)에 대해 소정의 플라스마 처리, 예컨대 성막 처리나 에칭 처리가 실행된다.
기판(G)이 2m를 초과하는 대형 기판인 경우는, 진공 챔버(1)도 대형화하기 때문에, 처리실(5) 내를 진공으로 했을 때에 대기압에 견딜 수 있는 충분한 강도를 유지하면서, 덮개체(3)의 경량화를 도모할 수 있도록 보강 구조체(4)를 마련하고 있다.
보강 구조체에 의해 덮개체를 보강하는 기술로서는 특허문헌 1 및 특허 문헌 2에 기재된 것이 있지만, 대형 장치에의 적용을 고려한 경우, 특허문헌 2의 기술에서는 강도 확보를 중시하고 있기 때문에, 보강 구조체의 중량이 약 2ton으로 극히 커지고, 또한, 강도 확보뿐만 아니라 경량화도 지향하고 있는 특허문헌 1의 보강 구조체 조차도 1.5ton으로 경량화가 불충분했다.
이에 반하여, 본 실시형태의 보강 구조체(4)는, 덮개체(3)의 천정벽(3a)에 있어서의 직사각형을 이루는 상면에, 복수의 비임 부재의 조합에 의해 구성되어 있으며, 천정벽(3a) 상면 중앙부에 마련된, 비임 부재가 프레임 형상으로 조합되어 이루어지는 환상부(44)와, 환상부(44)로부터 복수의 비임 부재가 외측을 향해 방사상으로 연장되는 방사상부(45)를 갖고 있다. 이때, 중앙부에 마련된 환상부(44)에 의해 어느 정도의 강도를 확보할 수 있으며, 또한 복수의 비임 부재를 환상부(44)로부터 방사상으로 마련하는 것에 의해, 충분한 강도를 얻을 수 있다.
이와 같이, 중앙부의 환상부(44)와 방사상부(45)가 합쳐진 구조는 보강 효과가 크고, 비임 부재를 종래보다 가늘게 구성해도 소망의 강도를 확보할 수 있으며, 또한 구조적으로 심플하기 때문에 비임 부재의 사용량 자체도 적어도 되므로, 보강 구조체(4) 자체의 경량화를 도모할 수 있다. 이때, 중앙부를 구성하는 환상부(44)의 각 변의 길이는, 덮개체(3)의 보강 효과를 높게 유지하는 관점에서, 천정벽(3a)의 세로 및 가로의 전체 길이에 대해 30~80% 정도인 것이 바람직하다.
또한, 중앙부에 환상부(44)를 마련하는 것에 의해, 덮개체(3)의 상방의 중앙부에 공간을 확보할 수 있고, 거기에 정합기(34) 등의 대형 기기를 배치할 수 있으므로, 공간 절약화를 도모할 수도 있다.
또한, 방사상부(45)를 구성하는 비임 부재인 제 1 비임 부재(41)의 단부(41b)는 환상부(44)를 구성하는 제 2 비임 부재(42)의 중앙부(42a)에 직교하도록 마련되며, 또한, 방사상부(45)를 구성하는 비임 부재인 제 2 비임 부재(42)의 단부(42b)는 환상부(44)를 구성하는 제 1 비임 부재(41)의 중앙부(41a)에 직교하도록 마련되어 있으므로, 방사상부(45)의 보강 강화를 높일 수 있으며, 또한, 방사상부(45)로서, 제 1 비임 부재(41) 및 제 2 비임 부재(42)의 교점으로부터 대각선 방향으로 연장되는 4개의 제 3 비임 부재(43)를 마련했으므로, 덮개체(3)의 환상부(44)의 내측 부분이 강화되어, 보강 효과를 한층 높일 수 있다. 이러한 구성에 의해, 경량화 효과를 보다 높일 수 있다.
나아가, 보강 구조체(4)는, 덮개체(3)의 천정벽(3a)의 한쌍의 장변(301)에 평행하게 전체 길이에 걸쳐서 마련된, 직선 형상을 이루는 2개의 제 1 비임 부재(41)와, 덮개체(3)의 천정벽(3a)의 한쌍의 단변(302)에 평행하게 전체 길이에 걸쳐서 마련된, 직선 형상을 이루는 2개의 제 2 비임 부재(42)를 갖고, 이들이 우물 정자 형상으로 배치되어, 환상부(44) 및 방사상부(45)를 구성하므로, 기본적으로 긴 비임 부재의 조합으로 이루어진다. 이러한 긴 비임 부재의 조합은 짧은 비임 부재의 조합보다 보강 효과가 크므로, 보강 효과를 추가로 한층 높일 수 있어서, 경량화 효과를 더욱 높일 수 있다. 또한, 2개의 제 1 비임 부재(41)와 2개의 제 2 비임 부재(42)에 의해, 덮개체(3)의 천정벽(3a)의 상면을 대략 9등분하도록 배치되어 있는 것에 의해, 보강 효과 및 경량화 효과를 한층 더 높일 수 있다.
나아가, 방사상부(45)를 구성하는 비임 부재 중 인접하는 것의 사이에 판상 부재(46)를 마련하는 것에 의해, 보강 구조체(4)의 보강 효과를 높일 수 있다. 판상 부재(46)은 판 형상이기 때문에, 중량 증가를 그다지 초래하는 일 없이, 보강 효과를 높일 수 있으므로, 환상부(44)와 방사상부(45)의 조합에 의한 보강 효과를 더욱 높일 필요가 있는 경우에 유리하다. 이때, 판상 부재(46)의 안 길이는 그에 따른 보강 효과와 중량 증가의 균형을 고려하여 적절히 설정할 수 있다. 즉, 판상 부재(46)의 안 길이가 길어지면 보강 강화는 높아지지만, 그 효과는 포화해 가고, 어느 길이 이상이 되면, 판상 부재(46)의 중량 증가에 의한 악영향이 커져 버린다. 이러한 관점에서, 판상 부재(46)의 안 길이는, 그것이 마련되는 비임 부재의 길이의 20~80% 정도가 바람직하며, 40~60% 정도가 보다 바람직하다. 또한, 판상 부재(46)는, 인접하는 비임 부재 사이의 전체에 마련할 필요는 없으며, 적어도 인접하는 비임 부재 사이의 일부에 마련하면, 일정한 효과를 얻을 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에서는, 소망의 경량화를 도모할 수 있는 보강 구조체(4)를 얻을 수 있다. 본 실시형태의 보강 구조체(4)는, 대형 기판에 적용되는 대형 플라스마 처리 장치에 적용한 경우에, 특허문헌 1에서는 약 1.5ton, 특허문헌 2에서는 약 2ton의 중량이었던 것을 약 1ton까지 경량화할 수 있다.
이 때문에, 플라스마 처리 장치(100)가 덮개체(3)의 개폐 기구를 갖는 경우에, 개폐 기구가 대규모가 되는 것을 억제할 수 있어서, 개폐 기구의 비용 증가를 방지할 수 있다.
또한, 보강 구조체(4)를 이와 같이 경량화할 수 있으므로, 덮개체(3)의 중량을 통상의 천정 크레인의 허용 범위 내로 할 수 있어서, 개폐 기구를 이용하지 않고, 사용자의 공장에 설치된 천정 크레인에 의해 덮개체를 개폐하는 구조로 할 수 있다. 이 때문에, 장치 비용을 삭감할 수 있다.
크레인에 의해 덮개체(3)를 개폐하는 경우는, 예컨대 도 4에 도시하는 바와 같이, 덮개체(3)에 크레인 개폐용 지그(61)를 장착하고, 크레인 개폐용 지그(61)에 직접 또는 간접적으로 크레인의 후크를 결합시켜서 크레인 개폐 동작을 실행한다. 본 예에서는, 덮개체의 복수 개소에 크레인 개폐용 지그(61)를 마련하고, 이들에 로프(62)를 장착하고, 로프(62)를 크레인의 후크(63)에 결합시켜서, 크레인에 의해 덮개체(3)를 승강하여 덮개체(3)의 개폐를 실행한다. 물론, 덮개체(3)에 크레인의 후크가 직접 결합되는 크레인 개폐용 지그를 마련해도 좋다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 일 없이 본 발명의 사상의 범위 내에서 여러 가지 변형 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 본 발명을, 처리실을 형성하는 챔버 본체의 천정벽으로서 유전체벽을 이용한 유도 결합 플라스마 처리 장치에 적용한 예를 나타냈지만, 유전체벽 대신에 금속벽을 이용한 유도 결합 플라스마 처리 장치라도 좋으며, 또한, 용량 결합형의 평행 평판 플라스마 처리 장치나 마이크로파 플라스마 처리 장치 등의 다른 플라스마 처리 장치라도 좋다. 또한, 플라스마 처리 장치에 한정되지 않으며, 열 CVD 등의 플라스마를 이용하지 않는 진공 처리의 진공 챔버에 적용해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 제 3 비임 부재(43)가 대각 방향으로 연장되도록 배치되는 예를 나타냈지만, 이것은 천정벽(3a)과 환상부(44)가, 종횡비가 동일한 닮은꼴인 것이 전제로 되어 있다. 그렇지만, 천정벽(3a)과 환상부(44)는 반드시 닮은꼴이 아니어도 좋으며, 이 경우, 제 3 비임 부재(43)는, 환상부(44)의 코너부와, 이에 대응하는 천정벽(3a)의 코너부를 연결하도록 배치되면 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 보강 구조체로서, 덮개체(3)의 천정벽(3a)의 한쌍의 장변(301) 및 한쌍의 단변(302)에 각각 평행하게 마련된, 직선 형상을 이루는 2개의 제 1 비임 부재(41) 및 2개의 제 2 비임 부재(42)를 우물 정자 형상으로 배치하여, 환상부(44)와 방사상부(45)를 형성한 예를 나타냈지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대 도 5에 도시하는 바와 같이, 장변에 대응하는 제 1 비임 부재(81) 및 단변에 대응하는 제 2 비임 부재(82)를 조합한 것을 환상부(44')로 하고, 환상부(44')를 구성하는 제 2 비임 부재(82)의 도중으로부터 수직으로 외측을 향해 연장되는 제 3 비임 부재(83)와, 제 1 비임 부재(81)의 도중으로부터 수직으로 외측을 향해 연장되는 제 4 비임 부재(84)와, 환상부(44')의 코너부로부터 비스듬하게 외측으로 연장되는 제 5 비임 부재(85)에 의해 방사상부(45')로 한 보강 구조체(4')라도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 본 발명을, 직사각형의 기판을 처리하기 위한 단면 직사각형의 진공 챔버에 적용한 예를 나타냈지만, 이에 한정되지 않으며, 예컨대 원형의 기판을 처리하기 위한 단면이 원형인 진공 챔버에 적용해도 좋다. 이 경우에는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 원 형상을 이루는 덮개체 상면에 대하여, 그 중앙 부분에 비임 부재(91)를 원형으로 배치하여 원통 형상의 환상부(44")를 마련하고, 원통 형상의 환상부(44")로부터 외측을 향하도록 복수의 직선 형상의 비임 부재(92)를 배치해서 방사상부(45")를 마련하여 구성한 보강 구조체(4")가 예시된다.
나아가, 상기 실시형태에서는, 보강 구조체를 구성하는 비임 부재로서 H형강을 사용한 경우를 예로 들어 설명했지만, 이에 한정되지 않으며, 단면 L자(앵글)나 단면 C자(채널) 등의 다른 형강이어도 좋고, 또한 각재, 중공 파이프, 판재 등 여러 가지 형상의 것을 이용할 수 있다.
1: 진공 챔버 2: 챔버 본체
3: 덮개체 4, 4', 4": 보강 구조체
5: 처리실 6: 안테나실
10: 기판 탑재대 15: 배기 기구
21: 유전체벽 24: 샤워 하우징
25: 서스펜더 28: 처리 가스 공급 기구
30: 고주파 안테나 34: 정합기
36: 고주파 전원 38: 스페이서
41~43, 81~85, 91, 92: 비임 부재 44, 44', 44": 환상부
45, 45', 45": 방사상부 46: 판상 부재
50: 제어부 61: 크레인 개폐용 지그
62: 로프 63: 후크
G: 기판
3: 덮개체 4, 4', 4": 보강 구조체
5: 처리실 6: 안테나실
10: 기판 탑재대 15: 배기 기구
21: 유전체벽 24: 샤워 하우징
25: 서스펜더 28: 처리 가스 공급 기구
30: 고주파 안테나 34: 정합기
36: 고주파 전원 38: 스페이서
41~43, 81~85, 91, 92: 비임 부재 44, 44', 44": 환상부
45, 45', 45": 방사상부 46: 판상 부재
50: 제어부 61: 크레인 개폐용 지그
62: 로프 63: 후크
G: 기판
Claims (13)
- 기판에 소정의 처리를 실시하기 위한 진공 챔버의 덮개체를 보강하기 위해 상기 덮개체의 상면에 마련된, 복수의 비임 부재의 조합으로 이루어지는 보강 구조체에 있어서,
상기 덮개체의 상면의 중앙부에 비임 부재가 환상으로 형성되어 이루어지는 환상부와,
상기 환상부로부터 비임 부재가 복수, 방사상으로 연장되도록 형성된 방사상부를 갖고,
상기 진공 챔버는 직방체 형상을 이루고, 상기 덮개체의 상면은 직사각형을 이루며, 상기 환상부는 직사각형의 프레임체로 이루어지고,
상기 방사상부는, 상기 환상부의 각 변으로부터 직교하는 방향으로 연장되는 비임 부재와, 상기 환상부의 코너부로부터 상기 덮개체의 상면의 코너부로 연장되는 비임 부재를 갖는 것을 특징으로 하는
보강 구조체. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 환상부의 코너부로부터 상기 덮개체의 상면의 코너부로 연장되는 비임 부재는 상기 덮개체의 상면의 대각선 방향으로 연장되는 것인 것을 특징으로 하는
보강 구조체. - 기판에 소정의 처리를 실시하기 위한 진공 챔버의 덮개체를 보강하기 위해 상기 덮개체의 상면에 마련된, 복수의 비임 부재의 조합으로 이루어지는 보강 구조체에 있어서,
상기 덮개체의 상면의 중앙부에 비임 부재가 환상으로 형성되어 이루어지는 환상부와,
상기 환상부로부터 비임 부재가 복수, 방사상으로 연장되도록 형성된 방사상부를 갖고,
상기 진공 챔버는 직방체 형상을 이루고, 상기 덮개체의 상면은 직사각형을 이루며, 상기 환상부는 직사각형의 프레임체로 이루어지고,
상기 덮개체의 직사각형을 이루는 상기 상면은 한쌍의 제 1 변과 한쌍의 제 2 변으로 이루어지며,
상기 보강 구조체는, 상기 덮개체의 상기 직사각형의 상면의 한쌍의 제 1 변에 평행하게 마련된 2개의 제 1 비임 부재와, 한쌍의 제 2 변에 평행하게 마련된 2개의 제 2 비임 부재를 갖고, 상기 제 1 비임 부재 및 상기 제 2 비임 부재가 우물 정자 형상으로 배치되며, 상기 제 1 비임 부재 및 상기 제 2 비임 부재의 중앙부가 상기 환상부를 구성하고, 상기 제 1 비임 부재 및 상기 제 2 비임 부재의 상기 중앙부의 양측에 위치하는 단부가 상기 방사상부의 비임 부재의 일부를 구성하는 것을 특징으로 하는
보강 구조체. - 제 5 항에 있어서,
상기 방사상부는 상기 환상부의 코너부로부터 상기 덮개체의 상면의 코너부로 연장되는 비임 부재를 추가로 갖는 것을 특징으로 하는
보강 구조체. - 제 6 항에 있어서,
상기 환상부의 코너부로부터 상기 덮개체의 상면의 코너부로 연장되는 비임 부재는 상기 덮개체의 상면의 대각선 방향으로 연장되는 것인 것을 특징으로 하는
보강 구조체. - 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 비임 부재와 상기 제 2 비임 부재는 상기 덮개체의 상면을 9분할하도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
보강 구조체. - 제 1 항 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방사상부를 구성하는 비임 부재 중 인접하는 비임 부재끼리의 사이의 적어도 일부에, 상기 인접하는 비임 부재를 연결하도록 판상 부재가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
보강 구조체. - 기판에 소정의 처리를 실시하기 위한 진공 챔버에 있어서,
처리실을 형성하고, 상부에 개구부를 갖는 챔버 본체와,
상기 챔버 본체의 상기 개구부를 개폐하는 덮개체와,
상기 덮개체의 상면에 마련된, 복수의 비임 부재의 조합으로 이루어지는 보강 구조체를 갖고,
상기 보강 구조체는 제 1 항 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 보강 구조체인 것을 특징으로 하는
진공 챔버. - 제 10 항에 있어서,
상기 덮개체는, 상기 덮개체를 크레인에 의해 개폐할 때에, 크레인의 후크가 직접 또는 간접적으로 결합되는 크레인 개폐용 지그를 추가로 갖는 것을 특징으로 하는
진공 챔버. - 기판에 대해 플라스마 처리를 실행하는 플라스마 처리 장치에 있어서,
진공 챔버와,
상기 진공 챔버 내에 형성되는 처리실을 진공 배기하는 배기 기구와,
상기 처리실에 처리를 위한 가스를 공급하는 가스 공급 기구와,
상기 처리실 내에 플라스마를 생성하는 플라스마 생성 기구를 갖고,
상기 진공 챔버는,
상기 처리실을 형성하고, 상부에 개구부를 갖는 챔버 본체와,
상기 챔버 본체의 상기 개구부를 개폐하는 덮개체와,
상기 덮개체의 상면에 마련된, 복수의 비임 부재의 조합으로 이루어지는 보강 구조체를 갖고,
상기 보강 구조체는 제 1 항 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 보강 구조체인 것을 특징으로 하는
플라스마 처리 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 덮개체는, 상기 덮개체를 크레인에 의해 개폐할 때에, 크레인의 후크가 직접 또는 간접적으로 결합되는 크레인 개폐용 지그를 추가로 갖는 것을 특징으로 하는
플라스마 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2016-123367 | 2016-06-22 | ||
| JP2016123367A JP6719290B2 (ja) | 2016-06-22 | 2016-06-22 | 補強構造体、真空チャンバー、およびプラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180000313A KR20180000313A (ko) | 2018-01-02 |
| KR101918850B1 true KR101918850B1 (ko) | 2018-11-14 |
Family
ID=60677055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170077838A KR101918850B1 (ko) | 2016-06-22 | 2017-06-20 | 보강 구조체, 진공 챔버 및 플라스마 처리 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170372910A1 (ko) |
| JP (1) | JP6719290B2 (ko) |
| KR (1) | KR101918850B1 (ko) |
| CN (1) | CN107527783B (ko) |
| TW (1) | TWI720204B (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102018130859A1 (de) * | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Aixtron Se | CVD-Reaktor mit einem von einer Schirmplatten-Anordnung abgedeckten Gaseinlassorgan |
| JP7169885B2 (ja) * | 2019-01-10 | 2022-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| KR102439228B1 (ko) * | 2022-05-02 | 2022-09-02 | (주)에스제이오토메이션 | 리드의 개폐장치 |
| WO2023214725A1 (ko) * | 2022-05-02 | 2023-11-09 | (주)에스제이오토메이션 | 리드의 개폐장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009278062A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 真空容器およびプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050183824A1 (en) * | 2004-02-25 | 2005-08-25 | Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing flat-panel display |
| US8058156B2 (en) * | 2004-07-20 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids |
| CN101351871B (zh) * | 2005-11-02 | 2010-08-18 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体处理装置 |
| US7998307B2 (en) * | 2006-09-12 | 2011-08-16 | Tokyo Electron Limited | Electron beam enhanced surface wave plasma source |
| CN101896634B (zh) * | 2007-12-14 | 2012-08-29 | 株式会社爱发科 | 腔以及成膜装置 |
| KR101921222B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2018-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판 처리장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
| JP5646414B2 (ja) * | 2011-08-24 | 2014-12-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 圧力容器 |
| JP6228400B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2017-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| US9449805B2 (en) * | 2014-09-23 | 2016-09-20 | Agilent Technologies Inc. | Isolation of charged particle optics from vacuum chamber deformations |
| CN104451581B (zh) * | 2014-12-29 | 2017-02-22 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 磁控溅射镀膜真空箱体 |
| JP6600990B2 (ja) * | 2015-01-27 | 2019-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2016
- 2016-06-22 JP JP2016123367A patent/JP6719290B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-08 TW TW106119111A patent/TWI720204B/zh active
- 2017-06-09 CN CN201710430613.2A patent/CN107527783B/zh active Active
- 2017-06-20 KR KR1020170077838A patent/KR101918850B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-22 US US15/630,612 patent/US20170372910A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009278062A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 真空容器およびプラズマ処理装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 진공 챔버* |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201810420A (zh) | 2018-03-16 |
| TWI720204B (zh) | 2021-03-01 |
| US20170372910A1 (en) | 2017-12-28 |
| KR20180000313A (ko) | 2018-01-02 |
| JP2017228633A (ja) | 2017-12-28 |
| CN107527783A (zh) | 2017-12-29 |
| JP6719290B2 (ja) | 2020-07-08 |
| CN107527783B (zh) | 2019-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101918850B1 (ko) | 보강 구조체, 진공 챔버 및 플라스마 처리 장치 | |
| TWI696208B (zh) | 電漿處理裝置 | |
| KR101870483B1 (ko) | 유도 결합 플라스마 처리 장치 | |
| KR102002216B1 (ko) | 기판 승강 기구, 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 | |
| KR101429800B1 (ko) | 진공 용기 | |
| KR101035249B1 (ko) | 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 | |
| KR20170092135A (ko) | 플라즈마 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치 | |
| KR101019818B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
| KR101768744B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
| KR101775751B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
| KR101089877B1 (ko) | 진공 용기 및 플라즈마 처리 장치 | |
| KR101514108B1 (ko) | 챔버 및 처리 장치 | |
| KR101798371B1 (ko) | 유도결합 플라즈마 처리장치의 가스공급구조 | |
| KR100627785B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
| KR20120048919A (ko) | 유도결합 플라즈마 처리장치 | |
| KR101949850B1 (ko) | 유도결합 플라즈마 처리장치 | |
| JP4190949B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TW201901838A (zh) | 閘閥裝置及基板處理系統 | |
| KR20100054521A (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
| KR20180051981A (ko) | 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |