CN107527783A - 加强构造体、真空腔室和等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够谋求所期望的轻量化的加强构造体、具有那样的加强构造体的真空腔室和等离子体处理装置。一种加强构造体(4)，其为了加强用于对基板实施预定的处理的真空腔室的盖体而设置于盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，其中，加强构造体(4)具有：环状部(44)，其是梁构件(中央部(41a)、中央部(42a))呈环状形成于盖体的上表面(顶壁(3a)的上表面)的中央部而成的；放射状部(45)，其以多个梁构件(端部(41b)、端部(42b)、第3梁构件(43))从环状部(44)呈放射状延伸的方式形成。

Description

加强构造体、真空腔室和等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及加强真空腔室的盖体的加强构造体、具有那样的加强构造体的真空腔室和等离子体处理装置。
背景技术
在液晶显示装置(LCD)所代表的平板显示器(FPD)的制造过程中，对FPD用的玻璃基板进行等离子体蚀刻、溅射、等离子体CVD等等离子体处理。
在进行这样的等离子体处理的等离子体处理装置中，需要真空处理，因此，使用可抽真空的真空腔室作为处理容器。真空腔室包括主体部和盖部，为了确保能经得住其内部与外部之间的压力差的强度，使主体部和盖部成为厚壁而确保了强度。
不过，近来，FPD基板明显大型化，以至于也出现一边超过2m的巨大的FPD基板，在与该巨大的FPD基板相对应的大型的真空腔室中，为了确保能经得住大气压的强度，在仅使真空腔室的壁厚增大了的情况下，需要极大的壁厚，重量变大，并且材料费、加工费巨大。
因此，作为消除这样的问题点的技术，在专利文献1中记载有在真空腔室的上部容器(盖体)的外侧设置有包括梁构造的加强构造体。由此，维持能经得住大气压的充分的强度且谋求轻量化，并且能够减少材料费和加工费。另外，在专利文献2中记载有在真空腔室的顶板部的外侧设置有抑制顶板部的变形的包括拱状的肋的加强构造体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第5285403号公报
专利文献2：日本特开2015-22806号公报
发明内容
发明要解决的问题
不过，在以往的等离子体处理装置中，设置有对真空腔室的盖体进行开闭的开闭机构，但在与超过2m的大型基板相对应的大型的真空腔室中，虽然利用上述专利文献1、专利文献2所记载的加强构造体确保强度，但加强构造体的重量分别为例如约1.5ton和2.0ton，无法说轻量化充分，开闭机构不得不变得大型化。另外，最近，出于成本削减的观点考虑，尝试不使用开闭机构，而利用设置于使用者的工厂的行车对盖体进行开闭，在上述专利文献1、专利文献2中，加强构造体的重量如此大，因此，也存在盖体的重量成为超过了行车的容许范围的重量而难以适用的情况。
因而，本发明的课题在于提供一种能够谋求所期望的轻量化的加强构造体、具有那样的加强构造体的真空腔室和等离子体处理装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明的第1观点在于提供一种加强构造体，其为了加强用于对基板实施预定的处理的真空腔室的盖体而设置于所述盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，其特征在于，该加强构造体具有：环状部，其是梁构件呈环状形成于所述盖体的上表面的中央部而成的；放射状部，其以多个梁构件从所述环状部呈放射状延伸的方式形成。
在上述第1观点的加强构造体中，能够设为，所述真空腔室呈长方体状，所述盖体的上表面呈矩形形状，所述环状部包括矩形形状的框体。
能够设为，所述放射状部具有从所述环状部的各边沿着与所述环状部的各边正交的方向延伸的梁构件和梁构件从所述环状部的角部向所述盖体的角部延伸的梁构件。
能够设为，从所述环状部的角部向所述盖体的角部延伸的梁构件沿着所述盖体的对角线方向延伸。
另外，能够设为，所述盖体的呈矩形形状的所述上表面包括一对第1边和一对第2边，所述加强构造体具有与所述盖体的所述矩形形状的上表面的一对第1边平行地设置的两根第1梁构件以及与一对第2边平行地设置的两根第2梁构件，所述第1梁构件和所述第2梁构件配置成井字状，所述第1梁构件和所述第2梁构件的中央部构成所述环状部，所述第1梁构件和所述第2梁构件的位于所述中央部的两侧的端部构成所述放射状部的梁构件的一部分。在该情况下，能够设为，所述放射状部还具有从所述环状部的角部向所述盖体的角部延伸的梁构件。另外，能够设为所述第1梁构件和所述第2梁构件以将所述盖体的上表面分割成9部分的方式设置的结构。
能够设为在构成所述放射状部的梁构件中、相邻的梁构件彼此之间的区间的至少一部分区间以将所述相邻的梁构件连结的方式配置有板状构件的结构。
本发明的第2观点提供一种真空腔室，其是用于对基板实施预定的处理的真空腔室，其特征在于，该真空腔室具有：腔室主体，其形成处理室，在上部具有开口部；盖体，其对所述腔室主体的所述开口部进行开闭；加强构造体，其设置于所述盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，所述加强构造体是上述第1观点所记载的加强构造体。
本发明的第3观点提供一种等离子体处理装置，其是对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置具有：真空腔室；排气机构，其对在所述真空腔室内形成的处理室进行真空排气；气体供给机构，其向所述处理室供给用于处理的气体；等离子体生成机构，其在所述处理室内生成等离子体，所述真空腔室具有：腔室主体，其形成所述处理室，在上部具有开口部；盖体，其对所述腔室主体的所述开口部进行开闭；加强构造体，其设置于所述盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，所述加强构造体是上述第1观点所记载的加强构造体。
在上述第2观点和第3观点中，能够设为，所述盖体还具有在利用吊机对所述盖体进行进行开闭的之际、供吊机的钩直接或间接地卡合的吊机开闭用工具。
发明的效果
根据本发明，具有梁构件呈环状形成于盖体的上表面的中央部而成的环状部和以多个梁构件从环状部呈放射状延伸的方式形成的放射状部，因此，加强效果较大，即使比以往细地构成梁构件，也能够确保所期望的强度，且构造上比较简单，因此，梁构件的使用量自身也较少就足够，能够谋求加强构造体的轻量化。
附图说明
图1是表示具备本发明的一实施方式的加强构造体的等离子体处理装置的剖视图。
图2是表示图1的等离子体处理装置的真空腔室的外观的立体图。
图3是表示本发明的一实施方式的加强构造体的俯视图。
图4是用于说明利用吊机对真空腔室的盖体进行开闭之际的状态的图。
图5是表示本发明的另一实施方式的加强构造体的俯视图。
图6是表示本发明的又一实施方式的加强构造体的俯视图。
附图标记说明
1、真空腔室；2、腔室主体；3、盖体；4、4′、4″、加强构造体；5、处理室；6、天线室；10、基板载置台；15、排气机构；21、电介质壁；24、喷淋壳体；25、吊杆；28、气体供给机构；30、高频天线；34、匹配器；36、高频电源；41～43、81～85、91、92、梁构件；44、44′、44″、环状部；45、45′、45″、放射状部；46、板状构件；50、控制部；61、吊机开闭用工具；62、绳索；63、钩；G、基板。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示具备本发明的一实施方式的加强构造体的等离子体处理装置的剖视图，图2是表示图1的等离子体处理装置的真空腔室的外观的立体图，图3是表示本发明的一实施方式的加强构造体的俯视图。
如图1所示，该等离子体处理装置100构成为对呈矩形形状的FPD用的玻璃基板(以下简记为“基板”)G进行等离子体处理、例如等离子体蚀刻处理的感应耦合型等离子体处理装置。作为FPD，可例示液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、等离子体显示器面板(PDP)等。
该等离子体处理装置100具有真空腔室1，该真空腔室1由导电性材料、例如、内壁面被阳极氧化处理后的铝形成，外观呈大致长方体状，截面呈矩形形状。该真空腔室1被接地线1a接地。真空腔室1具有腔室主体2、盖体3、以及加强构造体4。
腔室主体2具有底壁2a和侧壁2b，上部成为开口部，开口部可由盖体3进行开闭。并且，通过上部开口部被盖体3封闭，在内部形成处理室5。
在处理室5的底部，在腔室主体2的底壁2a上隔着由氧化铝等绝缘性陶瓷或树脂形成的绝缘构件9设置有用于载置基板G的基板载置台10。基板载置台10具备由金属、例如铝形成的基材11和设置于基材11的周围的绝缘环12。虽未图示，但在基板载置台10的表面设置有静电吸附基板G的静电卡盘，在基板载置台10的内部贯穿有基板G的输送所使用的升降销。另外，还是虽未图示，但在基板载置台10内设置有温度传感器和用于对基板G的温度进行控制的调温机构。
在腔室主体2的底壁2a设置有多个排气口13，各排气口13连接有排气管14。该排气管14连接有包括自动压力控制阀和真空泵的排气机构15。利用排气机构15对处理室5内进行真空排气，并且将处理室5内控制成预定的压力。
在腔室主体2的侧壁2b设置有用于将基板G相对于处理室5内输入输出的输入输出口16，输入输出口16可由闸阀17开闭。与腔室主体2相邻地设置有未图示的输送室，通过打开闸阀17，利用设置于输送室内的输送机构(未图示)可经由输入输出口16相对于处理室5进行基板G的输入输出。
基板载置台10的基材11经由匹配器18与用于施加离子吸引用的高频偏压的偏压用高频电源19连接。
盖体3具有顶壁3a、侧壁3b、和作为底壁的电介质壁21。电介质壁21兼用作腔室主体2的顶壁。并且，由这些壁围成的空间成为天线室6。电介质壁21由Al2O3等陶瓷、石英等构成。
在侧壁3b之下安装有具有向内侧突出的环状支承部22a的环状支承构件22，电介质壁21支承于该环状支承部22a。电介质壁21和环状支承构件22被密封圈23密封。
在电介质壁21的下侧部分嵌入有由金属、例如铝形成的处理气体供给用的喷淋壳体24。喷淋壳体24设置成十字状，成为从下支承电介质壁21的构造、例如梁构造。电介质壁21被分割成多个分割片，在相邻的分割片的抵接部中作为梁的喷淋壳体24支承分割片。支承电介质壁21的喷淋壳体24成为被多根吊杆25悬挂于顶壁3a的状态。环状支承构件22和喷淋壳体24也可以被电介质构件包覆。
在喷淋壳体24形成有水平地延伸的气体流路26，朝向下方延伸的多个气体喷出孔26a与该气体流路26连通。另一方面，在电介质壁21的上表面中央以与该气体流路26连通的方式设置有气体供给管27。气体供给管27从顶壁3a或侧壁3b向顶壁3a或侧壁3b的外侧贯通，与包括处理气体供给源和阀系统等的处理气体供给机构28连接。因而，在等离子体处理中，从处理气体供给机构28供给来的处理气体经由气体供给管27向喷淋壳体24内的气体流路26供给，从气体流路26的下表面的气体喷出孔26a向处理室5内喷出。
在天线室6内配设有高频(RF)天线30。高频天线30是将由铜、铝等良导电性的金属形成的天线31配置成环状、涡旋状等以往所使用的任意的形状而构成的。也可以是具有多个天线部的多重天线。
向天线室6的上方延伸的供电构件33与天线31的端子32连接。匹配器34与供电构件33连接，高频电源36经由供电线35与匹配器34连接。此外，高频天线30的天线31利用包括绝缘构件的衬垫17与电介质壁21分开。
通过从高频电源36向高频天线30供给预定的频率、例如频率是13.56MHz的高频电力，在处理室5内形成感应电场，从喷淋壳体24供给来的处理气体被该感应电场等离子体化，生成感应耦合等离子体。
此外，盖体3在被安装固定于腔室主体2之际，利用未图示的螺钉进行螺钉固定，腔室主体2与盖体3之间被密封圈37密封。
如图2和图3所示，加强构造体4设置于盖体3的顶壁3a的呈矩形形状的上表面，通过组合例如包括H型钢的多个梁构件而成。具体而言，如图3所示，加强构造体4具有与盖体3的顶壁3a的一对长边301平行地在全长上设置的、呈直线状的两根第1梁构件41以及与盖体3的顶壁3a的一对短边302平行地在全长上设置的、呈直线状的两根第2梁构件42，这些梁构件配置成井字状。另外，加强构造体4还具有从第1梁构件41和第2梁构件42的交点沿着对角线方向延伸的4根第3梁构件43。这些梁构件被螺栓等紧固部件紧固于顶壁3a。
第1梁构件41和第2梁构件42以将盖构件3的顶壁3a的上表面分割成9部分(大致9等分)的方式配置，利用两根第1梁构件41的两个中央部41a和两根第2梁构件42的两个中央部42a构成呈矩形形状的框体的环状部44。另外，第1梁构件41的位于中央部41a的两侧的端部41b、第2梁构件42的位于中央部42a的两侧的端部42b、和第3梁构件43从环状部44朝向外侧呈放射状延伸，这些梁构件构成放射状部45。即、加强构造体4具有：环状部44，其设置于盖体3的顶壁3a上表面的中央，是由梁构件组合成框状而成的；放射状部45，其是多个梁构件从环状部44朝向外侧呈放射状延伸而成的。
第1梁构件41的作为构成放射状部45的梁构件的端部41b以与第2梁构件42的构成环状部44的中央部42a正交的方式设置。另外，第2梁构件42的作为构成放射状部45的梁构件的端部42b以与第1梁构件41的构成环状部44的中央部41a正交的方式设置。另外，作为构成放射上部的梁构件的第3梁构件43以从环状部44的角部沿着对角线方向延伸的方式设置。
构成放射状部45的梁构件(端部41b、端部42b、第3梁构件43)中的、相邻的梁构件之间以连结这些梁构件的方式设置有板状构件46。板状构件46是为了提高加强构造体4的加强效果而设置的。在本实施方式中，在放射状部45的相邻的梁构件之间的全部区间设置有板状构件46，但无需设置于全部区间，设置于相邻的梁构件之间的区间的至少一部分区间即可。在设置于至少一部分区间的情况下，理想的是，对称地设置即可，但在盖体3存在强度的偏差的情况下，在构造上不是对称的，也可以设置于强度较弱的部分。另外，能以由板状构件46的进深长度带来的加强效果与重量增加之间的平衡适当设定该板状构件46的进深长度。板状构件46的进深长度优选成为与其相邻地设置的放射状部45的梁构件的长度的20％～80％左右。进而，更优选设为40％～60％左右。例如，如图3所示，进深长度L1优选为端部41b的长度的20％～80％左右。进而，更优选设为40％～60％左右。进深长度L2优选为端部42b的长度的20％～80％左右。进而，更优选设为40％～60％左右。
另外，在两根第1梁构件41的相对的两个端部41b之间、和两根第2梁构件42的相对的两个端部42b之间的板状构件46的外侧部分设置有辅助性的梁构件47。
加强构造体4通过组合这样的环状部44和放射状部45，能够维持加强效果较高，能够谋求轻量化。
另外，如上所述，环状部44设置于顶壁3a上表面的中央部分，优选其各边的长度是顶壁3a的纵和横的全长的30％～80％左右。由此，能够维持盖体3的加强效果较高。另外，在环状部44的内部具有空间，其中可插入作为大型设备的匹配器34。由此，能够谋求省空间化。此外，配置于环状部44的大型设备并不限于匹配器34。
等离子体处理装置100还具备具有用于对等离子体处理装置100的各构成部进行控制的微处理器(计算机)的控制部50。
在如此构成的等离子体处理装置100中，首先，利用排气机构15对处理室5内进行排气而成为预定的压力，打开闸阀17而从输入输出口16利用未图示的输送部件输入基板G，使基板G载置于基板载置台10上。在使输送部件从处理室5退避了之后，关闭闸阀17。
在该状态下，进行真空排气、同时利用压力调整阀(未图示)将处理室5内的压力调整成预定的真空度，并且，从处理气体供给机构28经由气体供给管27和喷淋壳体24向处理室5内供给预定的处理气体。
接下来，从高频电源36将预定频率(例如13.56MHz)的高频电力以预定功率向高频天线30施加，由此，隔着电介质壁21在处理室5内形成均匀的感应电场。利用如此形成的感应电场，在处理室5内使处理气体等离子体化，生成高密度的感应耦合等离子体。可利用该等离子体对基板G进行预定的等离子体处理、例如成膜处理、蚀刻处理。
在基板G是超过2m那样的大型的基板的情况下，真空腔室1也大型化，因此，为了在将处理室5内形成真空之际维持可经得住大气压的充分的强度、同时谋求盖体3的轻量化，设置有加强构造体4。
作为利用加强构造体对盖体进行加强的技术，存在专利文献1和专利文献2所记载的技术，在考虑到向大型装置的适用的情况下，在专利文献2的技术中，重视强度确保，因此，加强构造体的重量极大成约2ton，另外，就算在不仅强度确保、而且也面向轻量化的专利文献1的加强构造体也成为1.5ton，轻量化并不充分。
与此相对，本实施方式的加强构造体4在盖体3的顶壁3a的呈矩形形状的上表面通过组合多个梁构件而成，具有：环状部44，其设置于顶壁3a上表面中央部，是梁构件组合成框状而成的；放射状部45，其是多个梁构件从环状部44朝向外侧呈放射状延伸而成的。此时，能够由设置于中央部的环状部44确保一定程度的强度，而且，通过从环状部44呈放射状设置多个梁构件，能够获得充分的强度。
这样，中央部的环状部44和放射状部45组合成的构造的加强效果较大，即使是比以往细地构成梁构件，也能够确保所期望的强度，且构造上比较简单，因此，梁构件的使用量自身较少也足够，因此，能够谋求加强构造体4自身的轻量化。此时，从维持盖体3的加强效果较高的观点考虑，构成中央部的环状部44的各边的长度优选是顶壁3a的纵和横的全长的30％～80％左右。
另外，通过在中央部设置环状部44，能够在盖体3的上方的中央部确保空间，能够在该空间配置匹配器34等大型设备，也能够谋求省空间化。
另外，第1梁构件41的作为构成放射状部45的梁构件的端部41b以与第2梁构件42的构成环状部44的中央部42a正交的方式设置，另外，第2梁构件42的作为构成放射状部45的梁构件的端部42b以与第1梁构件41的构成环状部44的中央部41a正交的方式设置，因此，能够提高放射状部45的加强强化，而且，作为放射状部45，设置有从第1梁构件41和第2梁构件42的交点沿着对角线方向延伸的4根第3梁构件43，因此，盖体3的环状部44的内侧部分被强化，能够更加提高加强效果。利用这样的结构，能够更加提高轻量化效果。
而且，另外，加强构造体4具有与盖体3的顶壁3a的一对长边301平行地在全长上设置的、呈直线状的两根第1梁构件41和与盖体3的顶壁3a的一对短边302平行地在全长上设置的、呈直线状的两根第2梁构件42，两根第1梁构件41和两根第2梁构件42配置成井字状，构成环状部44和放射状部，因此，基本上由较长的梁构件的组合构成。这样的较长的梁构件的组合的加强效果比较短的梁构件的组合的加强效果大，因此，能够更进一步提高加强效果，能够进一步提高轻量化效果。另外，通过配置为利用两根第1梁构件41和两根第2梁构件42使盖体3的顶壁3a的上表面大致9等分，也能够更加提高加强效果和轻量化效果。
而且，另外，通过在构成放射状部45的梁构件中的、相邻的梁构件之间设置板状构件46，能够提高加强构造体4的加强效果。板状构件46是板状，因此，并不那么使重量增加，就能够提高加强效果，因此，在需要进一步提高由环状部44和放射状部45的组合带来的加强效果的情况下是有利的。此时，能够以由设定板状构件46的进深长度带来的加强效果与重量增加之间的平衡适当设定该板状构件46的进深长度。即、若板状构件46的进深长度变长，则加强强化变高，但若其效果饱和，成为某一长度以上，则由板状构件46的重量增加带来的不良影响就变大。出于这样的观点考虑，板状构件46的进深长度优选是供其设置的梁构件的长度的20％～80％左右，更优选是40％～60％左右。此外，板状构件46无需设置于相邻的梁构件之间的全部区间，只要至少设置于相邻的梁构件之间的区间的一部分区间，就能够获得一定的效果。
这样，在本实施方式中，能够获得可谋求所期望的轻量化的加强构造体4。在本实施方式的加强构造体4适用于大型基板所使用的大型的等离子体处理装置的情况下，能够将专利文献1中约1.5ton、专利文献2约2ton的重量轻量化到约1ton。
因此，在等离子体处理装置100具有盖体3的开闭机构的情况下，能够抑制开闭机构大型化，能够防止开闭机构的成本上升。
另外，能够使加强构造体4如此轻量化，因此，能够使盖体3的重量处于通常的行车的容许范围内，能够设为不使用开闭机构而是利用设置于使用者的工厂的行车对盖体进行开闭的构造。因此，能够削减装置成本。
在利用吊机对盖体3进行进行开闭的情况下，例如，如图4所示，在盖体3安装吊机开闭用工具61，使吊机的钩直接或间接地与吊机开闭用工具61卡合来进行吊机开闭动作。在本例中，在盖体的多个部位设置有吊机开闭用工具61，在这些吊机开闭用工具61安装绳索62，使绳索62与吊机的钩63卡合，利用吊机使盖体3升降而进行盖体3的开闭。当然也可以在盖体3设置供吊机的钩直接卡合的吊机开闭用工具。
此外，本发明并不限定于上述实施方式，可在本发明的思想的范围内进行各种变形。例如，在上述实施方式中，示出了将本发明适用于使用了电介质壁作为形成处理室的腔室主体的顶壁的感应耦合等离子体处理装置的例子，也可以是使用了金属壁替代电介质壁的感应耦合等离子体处理装置，另外，也可以是电容耦合型的平行平板等离子体处理装置、微波等离子体处理装置等其他等离子体处理装置。另外，并不限于等离子体处理装置，也可以适用于热CVD等不使用等离子体的真空处理的真空腔室。
另外，在上述实施方式中，示出了第3梁构件43以沿着对角方向延伸的方式配置的例子，但这以顶壁3a和环状部44是纵横比相同的相似形为前提。然而，顶壁3a和环状部44也可以未必是相似形，在该情况下，第3梁构件43以将环状部44的角部和顶壁3a的与环状部44的角部相对应的角部连结的方式配置即可。
另外，在上述实施方式中，作为加强构造体，示出了如下例子：与盖体3的顶壁3a的一对长边301和一对短边分别平行地设置的、呈直线状的两根第1梁构件41和两根第2梁构件42配置成井字状，形成了环状部44和放射状部45，但并不限于此。
例如，如图5所示，也可以是如下加强构造体4′：将与长边相对应的第1梁构件81和与短边相对应的第2梁构件82组合而成的构件作为环状部44′，将从构成环状部44′的第2梁构件82的中途与该第2梁构件82垂直地朝向外侧延伸的第3梁构件83、从第1梁构件81的中途与该第1梁构件81垂直地朝向外侧延伸的第4梁构件84、从环状部44′的角部斜着向外侧延伸的第5梁构件85作为放射状部45′。
而且，在上述实施方式中，示出了将本发明适用于用于对矩形形状的基板进行处理的截面矩形形状的真空腔室的例子，但并不限于此，也可以适用于例如用于对圆形的基板进行处理的截面是圆形的真空腔室。在该情况下，如图6所示，例示以如下方式构成的加强构造体4″：在呈圆形状的盖体上表面的中央部分呈圆形地配置梁构件91而设置圆筒状的环状部44″，以从圆筒状的环状部44″朝向外侧的方式配置多个直线状的梁构件92来设置放射状部45″。
而且，另外，在上述实施方式中，作为构成加强构造体的梁构件，以使用了H型钢的情况为例进行了说明，但并不限于此，也可以是截面L字(角钢)、截面C字(C型钢)等其他型钢，另外，能够使用方材、空心管、板材等各种形状的梁构件。

Claims (13)

1.一种加强构造体，其为了加强用于对基板实施预定的处理的真空腔室的盖体而设置于所述盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，其特征在于，
该加强构造体具有：
环状部，其是梁构件呈环状形成于所述盖体的上表面的中央部而成的；
放射状部，其以多个梁构件从所述环状部呈放射状延伸的方式形成。
2.根据权利要求1所述的加强构造体，其特征在于，
所述真空腔室呈长方体状，所述盖体的上表面呈矩形形状，所述环状部包括矩形形状的框体。
3.根据权利要求2所述的加强构造体，其特征在于，
所述放射状部具有从所述环状部的各边沿着与所述环状部的各边正交的方向延伸的梁构件和从所述环状部的角部向所述盖体的上表面的角部延伸的梁构件。
4.根据权利要求3所述的加强构造体，其特征在于，
从所述环状部的角部向所述盖体的上表面的角部延伸的梁构件沿着所述盖体的上表面的对角线方向延伸。
5.根据权利要求2所述的加强构造体，其特征在于，
所述盖体的呈矩形形状的所述上表面包括一对第1边和一对第2边，
所述加强构造体具有与所述盖体的所述矩形形状的上表面的一对第1边平行地设置的两根第1梁构件和与一对第2边平行地设置的两根第2梁构件，所述第1梁构件和所述第2梁构件配置成井字状，所述第1梁构件和所述第2梁构件的中央部构成所述环状部，所述第1梁构件和所述第2梁构件的位于所述中央部的两侧的端部构成所述放射状部的梁构件的一部分。
6.根据权利要求5所述的加强构造体，其特征在于，
所述放射状部还具有从所述环状部的角部向所述盖体的上表面的角部延伸的梁构件。
7.根据权利要求6所述的加强构造体，其特征在于，
从所述环状部的角部向所述盖体的上表面的角部延伸的梁构件沿着所述盖体的上表面的对角线方向延伸。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的加强构造体，其特征在于，
所述第1梁构件和所述第2梁构件以将所述盖体的上表面分割成9部分的方式设置。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的加强构造体，其特征在于，
在构成所述放射状部的梁构件中的、相邻的梁构件彼此之间的区间的至少一部分区间以将所述相邻的梁构件连结的方式配置有板状构件。
10.一种真空腔室，其是用于对基板实施预定的处理的真空腔室，其特征在于，
该真空腔室具有：
腔室主体，其形成处理室，在上部具有开口部；
盖体，其对所述腔室主体的所述开口部进行开闭；
加强构造体，其设置于所述盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，
所述加强构造体是权利要求1～9中任一项所述的加强构造体。
11.根据权利要求10所述的真空腔室，其特征在于，
所述盖体还具有在利用吊机对所述盖体进行开闭之际、供吊机的钩直接或间接地卡合的吊机开闭用工具。
12.一种等离子体处理装置，其对基板进行等离子体处理，其特征在于，
该等离子体处理装置具有：
真空腔室；
排气机构，其对在所述真空腔室内形成的处理室进行真空排气；
气体供给机构，其向所述处理室供给用于处理的气体；
以及等离子体生成机构，其在所述处理室内生成等离子体，
所述真空腔室具有：
腔室主体，其形成所述处理室，在上部具有开口部；
盖体，其对所述腔室主体的所述开口部进行开闭；
加强构造体，其设置于所述盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，
所述加强构造体是权利要求1～9中任一项所述的加强构造体。
13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述盖体还具有在利用吊机对所述盖体进行开闭之际、供吊机的钩直接或间接地卡合的吊机开闭用工具。
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