KR101842855B1

KR101842855B1 - 실장체의 제조 방법, 접속 방법 및 이방성 도전막

Info

Publication number: KR101842855B1
Application number: KR1020110083828A
Authority: KR
Inventors: 신고 데구치
Original assignee: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date: 2010-08-27
Filing date: 2011-08-23
Publication date: 2018-03-28
Also published as: JP2010272546A; JP5767792B2; KR20120042635A

Abstract

(과제) 이방성 도전막을 개재하여 배선판에 전자 부재를 실장하는 실장체의 제조 방법에 있어서, 가압착성과 리페어성을 양립시킨다.
(해결 수단) 배선판 (1) 에 이방성 도전막 (2) 을 가압착한 후, 전자 부품 (3) 을 배치하여 본압착한다. 가압착은, 이방성 도전막 (2) 이 열경화되지 않는 온도에서 가압함으로써 실시한다. 이방성 도전막 (2) 으로서, 열경화성 수지 성분과, 열가소성 수지 성분과, 고무계 폴리머 성분과, 도전성 입자를 함유하고, 또한, 열가소성 수지 성분이, 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 낮은 유리 전이 온도를 갖는 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와, 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 높은 유리 전이 온도를 갖는 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유하는 이방성 도전막을 사용한다.

Description

실장체의 제조 방법, 접속 방법 및 이방성 도전막{MANUFACTURING METHOD OF MOUNTING DEVICE, CONNECTING METHOD AND ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM}

본 발명은 이방성 도전막을 개재하여 전자 부품을 배선판에 실장하는 실장체의 제조 방법, 접속 방법 및 이방성 도전막에 관한 것으로, 특히, 배선판에 이방성 도전막을 가압착한 후, 전자 부품을 배치하여 본압착을 실시하는 실장체의 제조 방법, 배선판과 전자 부품을 접속하는 접속 방법, 및 이방성 도전막에 관한 것이다.

전자 부품을 기판에 실장하는 기술로서, 예를 들어 전자 부품을 이른바 페이스 다운 상태로 기판 상에 실장하는 플립 칩 실장법이 널리 사용되고 있다. 이 플립 칩 실장법은, 전자 부품의 단자 전극으로서 범프라고 칭해지는 전극을 형성하고, 이 범프가 기판의 전극과 대향하도록 배치하여, 일괄하여 전기적으로 접속하는 방법이다.

플립 칩 실장법에 있어서는, 접속 신뢰성을 높이는 것 등을 목적으로, 이방성 도전막에 의한 전기적 및 기계적 접속이 도모되고 있다. 이방성 도전막은, 접착제로서 기능하는 절연성의 수지 중에 도전성 입자를 분산시킨 것으로, 범프와 전극 사이에 끼워져 가열 및 가압됨으로써 도전성 입자가 압궤(壓潰)되어 범프와 전극의 전기적인 접속을 도모한다. 범프가 없는 부분에서는, 도전성 입자는 절연성의 수지 중에 분산된 상태가 유지되어, 전기적으로 절연된 상태가 유지되기 때문에, 범프가 있는 부분에서만 전기적 도통이 도모되게 된다.

이방성 도전막을 사용한 플립 칩 실장법에 의하면, 이와 같이 다수의 전극 사이를 일괄하여 전기적으로 접속할 수 있어, 와이어 본딩과 같이 전극 사이를 1 개씩 본딩 와이어로 접속할 필요는 없으며, 또 고밀도 실장에 수반하는 단자 전극의 미세화, 협 (狹) 피치화 등에 대한 대응도 비교적 용이하다.

이 플립 칩 실장법에서 사용되는 이방성 도전막은, 일반적으로 열경화성 수지인 에폭시 수지를 주성분으로 하여 구성되어 있고, 예를 들어 에폭시 수지와, 유리 전이 온도 (Tg) 가 70 ℃ 이하인 페녹시 수지와, 이미다졸계 잠재성 경화제와, 도전성 입자를 배합하여, 이것을 필름화함으로써 형성되어 있다. 혹은 아크릴계 수지를 열경화성 수지로 하는 이방성 도전막도 알려져 있다.

예를 들어 특허문헌 1 에 기재된 이방성 도전 필름에서는, 폴리부타디엔 입자와, 카티온 중합성 수지와, 카티온 경화제를 배합한 절연성 접착 수지에 도전 입자가 분산되어 있고, 이와 같은 이방성 도전 필름을 사용함으로써, 유리 기판과 플렉시블 프린트 기판의 접속에 있어서, 높은 신뢰성을 실현하고 있다.

일본 공개특허공보 2009-54377호

그런데, 전술한 이방성 도전막을 개재하여 배선판에 전자 부품을 실장하는 방법으로는, 통상적으로, 이방성 도전막을 배선판 상에 배치하여 약간의 압력으로 가압하면서 이 이방성 도전막에 함유되는 열경화성 수지가 경화되지 않는 70 ℃ 정도의 온도에서 가열 가압함으로써 압착 (가압착) 하고, 이방성 도전막이 어느 정도 고정된 시점에서 전자 부품을 배치하여, 전자 부품 상으로부터 열경화성 수지가 경화되는 온도 이상의 온도에서 가열 가압함으로써 압착 (본압착) 하여 실장체로 한다는 방법이 채용되고 있다.

이와 같은 실장법에서는, 본압착 후의 전자 부품의 실장 상태에, 예를 들어 도통 불량이나 가압에 의한 위치 어긋남 등의 문제가 발생했을 경우에, 전자 부품이나 이방성 도전막을 기계적으로 박리하고, 배선판에 남아 있는 잔류물을 용제 등으로 닦아내어 청정화한 후, 배선판을 재이용하는 것이 실시되고 있다. 본압착 후의 이방성 도전막은, 열경화 수지가 경화되어 충분한 기계적 강도가 확보되어 리페어성 (열경화성 수지의 변형이나 재파 (材破) 가 작기 때문에, 잔류물이 없거나 혹은 적은 잔류물로 기계적으로 박리할 수 있는 성질) 이 양호해진다. 이 때문에, 본압착 후에는, 배선판에 그다지 잔류물을 남기지 않고 이방성 도전막을 기계적으로 박리할 수 있다.

한편, 고밀도 실장에 의한 전극 패턴의 미세화 등에 수반하여, 가압착 단계에서도 이방성 도전막에 위치 어긋남이 생기게 되어 있어, 가압착 후의 이방성 도전막을 기계적으로 박리하는 것이 요망되고 있다. 가압착 후의 단계에서도 이방성 도전막을 기계적으로 박리하여 배선판의 표면을 청정화할 수 있으면, 본압착 후의 단계와 동일하게, 문제가 발생한 경우에 배선판을 재이용할 수 있게 된다.

그러나, 종래의 이방성 도전막은, 가압착 시점에 있어서의 경화의 정도가 비교적 작기 때문에 기계적 강도가 충분하지 않아, 기계적으로 박리하기 용이하지 않다. 이것은, 종래의 이방성 도전막에서는, 상온시의 보존 안정성과 가압착시의 유동성 및 접착성의 밸런스를 도모하기 위해, 주로 가압착 온도 부근에 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지를 사용하고 있고, 이로써 가압착 후에는 충분한 기계적 강도가 확보되지 않아 리페어성이 양호해지지 않기 때문이다. 이와 같이 가압착 후의 이방성 도전막은, 리페어성이 양호하지 않기 때문에, 무리하게 기계적으로 박리하려 해도, 많은 잔류물이 남아 환경에도 좋지 않다.

그래서, 이방성 도전막을 기계적으로 박리하지 않고, 용제로 용해 제거하는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 이 경우도 첩부면의 전체 영역을 용해 제거하는 것은 곤란하다.

따라서, 가압착시의 경화 정도에서도, 어느 정도의 기계적 강도를 가져, 기계적으로 박리하기 용이한 이방성 도전막이 요망되는데, 현재까지 이와 같은 이방성 도전막은 실현되어 있지 않다.

본 발명은 이와 같은 종래의 실정을 감안하여 제안된 것으로, 가압착 단계에서, 가압착성 (열경화성 수지를 경화시키기 전에 접착력 (부착력) 이 발현하는 성질) 과 리페어성을 양립시킨 신규한 이방성 도전막을 제공하여, 가압착 단계에서 이방성 도전막에 위치 어긋남 등의 문제가 생긴 경우에도 배선판을 용이하게 재이용할 수 있는 실장체의 제조 방법, 배선판과 전자 부품을 접속하는 접속 방법, 및 이방성 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다.

전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관련된 실장체의 제조 방법은, 이방성 도전막을 개재하여 배선판에 전자 부재를 실장하는 실장체의 제조 방법으로서, 배선판 상에 이방성 도전막을 배치하는 제 1 배치 공정과, 배선판 상에 배치된 이방성 도전막을 가압하면서 이방성 도전막이 열경화되지 않는 온도에서 가열하여 배선판 상에 이방성 도전막을 고정시키는 가압착 공정과, 가압착 공정에서 배선판 상에 고정된 이방성 도전막의 고정 위치에 어긋남이 생기지 않은 경우에는, 이방성 도전막 상에 전자 부재를 배치하는 제 2 배치 공정과, 이방성 도전막 상에 배치된 전자 부재를 가압하면서 가열하여 이방성 도전막을 경화시키고, 경화된 이방성 도전막을 개재하여 배선판과 전자 부재를 압착시키는 본압착 공정을 갖고, 이방성 도전막으로서, 열경화성 수지 성분과, 열가소성 수지 성분과, 고무계 폴리머 성분과, 도전성 입자를 함유하고, 또한, 열가소성 수지 성분이, 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 낮은 유리 전이 온도를 갖는 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와, 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 높은 유리 전이 온도를 갖는 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유하는 이방성 도전막을 사용하는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명에 관련된 접속 방법은, 이방성 도전막을 개재하여 배선판과 전자 부재를 접속하는 접속 방법으로서, 배선판 상에 이방성 도전막을 배치하는 제 1 배치 공정과, 배선판 상에 배치된 이방성 도전막을 가압하면서 이방성 도전막이 열경화되지 않는 온도에서 가열하여 배선판 상에 이방성 도전막을 고정시키는 가압착 공정과, 가압착 공정에서 배선판 상에 고정된 이방성 도전막의 고정 위치에 어긋남이 생기지 않은 경우에는, 이방성 도전막 상에 전자 부재를 배치하는 제 2 배치 공정과, 이방성 도전막 상에 배치된 전자 부재를 가압하면서 가열하여 이방성 도전막을 경화시키고, 경화된 이방성 도전막을 개재하여 배선판과 전자 부재를 압착시키는 본압착 공정과, 가압착 공정에서 배선판 상에 고정된 이방성 도전막의 고정 위치에 어긋남이 생긴 경우에는, 배선판으로부터 이방성 도전막을 박리하고, 이방성 도전막이 박리된 배선판을 제 1 배치 공정으로 되돌리는 리페어 공정을 갖고, 이방성 도전막으로서, 열경화성 수지 성분과, 열가소성 수지 성분과, 고무계 폴리머 성분과, 도전성 입자를 함유하고, 또한, 열가소성 수지 성분이, 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 낮은 유리 전이 온도를 갖는 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와, 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 높은 유리 전이 온도를 갖는 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유하는 이방성 도전막을 사용하는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명에 관련된 이방성 도전막은, 배선판과 전자 부재 사이에 개재되어 배선판과 그 전자 부재를 접속하는 이방성 도전막으로서, 열경화성 수지 성분과, 열가소성 수지 성분과, 고무계 폴리머 성분과, 도전성 입자를 함유하고, 열가소성 수지 성분이, 배선판 상에 배치한 이방성 도전막을 가압하면서 이방성 도전막이 열경화되지 않는 온도에서 가열하여 배선판 상에 이방성 도전막을 고정시키는 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 낮은 유리 전이 온도를 갖는 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와, 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 높은 유리 전이 온도를 갖는 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유하는 것을 특징으로 한다.

이방성 도전막에 있어서, 가압착성과 리페어성을 양립시키려면, 유동성을 확보하여 접착력을 저해하지 않고 가압착 온도 마진 (여유) 을 넓히는 것이 필요하다. 본 발명에 있어서는, 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 조합함으로써, 가압착성과 리페어성의 양립을 도모할 수 있다. 즉, 본 발명에서는, 이방성 도전막이, 저 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유함으로써, 가압착시에 유동성이 확보되어 접착력이 발현되어 가압착성이 양호해짐과 함께, 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유함으로써, 가압착 단계에서도 이방성 도전막의 기계적 강도가 확보되어 리페어성이 양호해진다.

본 발명의 실장체의 제조 방법에 의하면, 열가소성 수지 성분으로서 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유하는 이방성 도전막을 사용함으로써, 가압착성과 리페어성을 양립시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 실장체의 제조 방법에 의하면, 이방성 도전막의 가압착시에 있어서의 가고정과 본압착시에 있어서의 열경화에 의한 접속 고정을 실현하면서, 가압착 단계에서 이방성 도전막에 위치 어긋남이 생기는 등의 문제가 발생한 경우에는, 이방성 도전막을 용이하게 박리하여 배선판을 재이용할 수 있게 된다.

도 1 은 본 발명을 적용한 실장체의 제조 방법의 일례를 나타내는 모식적인 도면으로서, 도 1 의 (a) 는 이방성 도전막의 배치 공정 (제 1 배치 공정), 도 1 의 (b) 는 가압착 공정, 도 1 의 (c) 는 전자 부품 배치 공정 (제 2 배치 공정), 도 1 의 (d) 는 본압착 공정, 도 1 의 (e) 는 리페어 공정을 각각 나타내는 도면.

이하, 본 발명을 적용한 실장체의 제조 방법의 실시형태 (이하, 「본 실시형태」라고 한다) 에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.

본 실시형태에 있어서의 실장체의 제조 방법은, 예를 들어 IC 칩 등의 전자 부품을 플렉시블 배선판이나 액정 패널 등의 배선판 상에 전기적 및 기계적으로 접속 고정시킴으로써 실장체를 제조하는 것이다. 여기서, 전자 부품의 일방의 표면에는, 접속 단자로서 범프 (돌기 전극) 가 형성되어 있고, 한편, 배선판의 일방의 표면에는, 범프와 대향하는 위치에 전극이 형성되어 있다. 그리고, 전자 부품의 범프와 배선판 상에 형성된 전극 사이에는 이방성 도전막이 개재되고, 범프와 전극이 대향하는 부분에는 이방성 도전막에 함유되는 도전성 입자가 압궤되어 전기적인 접속이 도모된다. 그와 동시에, 이방성 도전막을 구성하는 접착제 성분에 의해 전자 부품과 배선판의 기계적 접속도 도모된다.

전자 부품에 형성되는 범프는, 예를 들어 높이가 수 ㎛ ∼ 수십 ㎛ 정도인 Au, Cu, 땜납 등의 도전성 금속에 의해 형성되어 있다. 범프는, 도금 등에 의해 형성할 수 있고, 예를 들어 표면만을 금 도금으로 할 수 있다.

한편, 배선판 상에 형성되는 전극은, 소정의 회로에 따라 형성되는 배선의 부품 실장 위치에 형성되는 것으로, 솔더 레지스트 등에 의해 피복되지 않고, 드러난 상태로 형성되어 있다. 전극의 표면에는, 예를 들어 금 도금 등을 실시할 수도 있다.

본 실시형태에 있어서의 실장체의 제조 방법에서는, 외부 전극으로서 범프를 형성한 전자 부품을 준비하여, 이방성 도전막을 사용하여 이 전자 부품을 기판 상에 플립 칩 실장한다.

전자 부품의 범프와 배선판의 전극 사이의 접속시에는, 먼저, 도 1 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 배선판 (1) 상의 소정의 위치에 이방성 도전막 (2) 을 배치한다 (제 1 배치 공정). 다음으로, 도 1 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 배선판 (1) 과 이방성 도전막 (2) 의 가압착을 실시한다 (가압착 공정). 가압착 공정에서는, 이방성 도전막 (2) 을 약간 가압하면서, 이방성 도전막 (2) 에 함유되는 열경화 수지 성분이 경화되지 않을 정도의 온도, 예를 들어 70 ℃ ∼ 100 ℃ 정도의 온도에서 가열함으로써 배선판 (1) 과 이방성 도전막 (2) 을 가압착시킨다. 이로써, 이방성 도전막 (2) 에 함유되는 열가소성 수지 성분이 유동성을 나타내고, 이 열가소성 수지 성분의 접착력에 의해 이방성 도전막 (2) 이 배선판 (1) 상에 가압착되어 위치 결정 고정된다.

도 1 의 (b) 에 나타내는 가압착 공정 후, 이방성 도전막 (2) 의 위치 맞춤 상태를 확인하여, 위치 어긋남 등이 생기지 않은 경우에는, 도 1 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 (3) 을 이방성 도전막 (2) 상의 소정의 위치에 배치한다 (제 2 배치 공정). 그 후, 도 1 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 전자 부품 (3) 상으로부터 가압하면서, 이방성 도전막 (2) 에 함유되는 열경화 수지 성분의 경화 온도 이상의 온도에서 가열한다 (본압착 공정). 이 본압착 공정에서는, 이방성 도전막 (2) 에 함유되는 도전성 입자가 압궤되는 압력으로 가압한다. 예를 들어 본압착시의 온도 및 압력으로는, 이방성 도전막 (5) 의 종류 등에 따라서도 상이한데, 온도 180 ℃ ∼ 220 ℃ 정도, 압력 3 ㎫ ∼ 12 ㎫ 정도가 바람직하다. 이와 같이, 본압착 공정에서는, 이방성 도전막 (2) 상에 배치된 전자 부품 (3) 을 가압하면서 가열하여 이방성 도전막 (2) 을 경화시킴으로써, 경화된 이방성 도전막 (2) 을 개재하여 배선판 (1) 과 전자 부품 (3) 을 압착시킨다. 이로써, 이방성 도전막 (2) 을 개재하여 배선판 (1) 에 전자 부품 (3) 이 실장된 실장체를 제조할 수 있다.

한편, 도 1 의 (b) 에 나타내는 가압착 후, 이방성 도전막 (2) 의 위치 맞춤 상태를 확인하여, 위치 어긋남 등이 생긴 경우에는, 리페어 공정으로 이행한다. 리페어 공정에서는, 도 1 의 (e) 에 나타내는 바와 같이, 위치 어긋남 등을 일으키고 있는 이방성 도전막 (2) 을 배선판 (1) 으로부터 박리한다. 그 후, 배선판 (1) 의 표면에 잔존하는 잔류물을 용제 등으로 청정화하고, 청정화된 배선판 (1) 을 재이용하여 다시 도 1 의 (a) 에서 시작되는 사이클로 되돌린다. 또한, 본압착 공정 후에 문제가 발견된 경우에도 동일하게 배선판 (1) 을 리페어 공정으로 되돌려, 배선판 (1) 으로부터 전자 부품 (3) 및 이방성 도전막 (2) 을 박리한 후, 청정화된 배선판 (1) 을 재이용한다.

본 실시형태에 있어서의 실장체의 제조 방법에 있어서는, 가압착성과 리페어성을 양립시키는 이방성 도전막 (2) 을 사용함으로써, 가압착 공정 단계에서도, 이방성 도전막 (2) 의 고정 상태에 문제가 발생한 경우에는 리페어 공정으로 되돌려, 이방성 도전막 (2) 을 박리하여 재이용할 수 있다.

이방성 도전막 (2) 은, 가압착시의 가열 온도보다 낮은 유리 전이 온도 (Tg) 를 갖는 저 Tg 열가소성 수지와, 가압착시의 가열 온도보다 높은 유리 전이 온도 (Tg) 를 갖는 고 Tg 열가소성 수지로 이루어지는 열가소성 수지 성분을 함유함으로써, 가압착성과 리페어성을 양립시킨다. 구체적으로, 이방성 도전막 (2) 은, 열경화성 수지 성분과, 열가소성 수지 성분과, 고무계 폴리머 성분과, 도전성 입자를 함유하고, 또한, 열가소성 수지 성분이, 저 Tg 열가소성 수지와, 고 Tg 열가소성 수지를 함유하는 이방성 도전막을 사용한다. 이하, 이방성 도전막 (2) 을 구성하는 각 성분에 대하여 설명한다.

전술한 바와 같이, 이방성 도전막 (2) 은, 본압착 후의 기계적 접속 강도를 얻기 위해, 열경화성 수지 성분을 함유한다. 열경화성 수지 성분으로는, 가압착시의 가열 온도보다 높은 경화 온도를 갖는 것을 사용한다. 즉, 이방성 도전막 (2) 의 구성 재료로서 사용할 때에는 미경화 상태이다. 이와 같은 열경화성 수지 성분으로는, 예를 들어, 각종 에폭시 수지나 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄 변성 (메트)아크릴레이트 등의 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 예를 들어 에폭시 수지로는, 비스페놀 A (BPA) 형 에폭시 수지, 비스페놀 F (BPF) 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 비스페놀 A (BPA) 형 에폭시 수지, 비스페놀 F (BPF) 에폭시 수지가 바람직하다. 이들 수지는, 1 종 또는 2 종 이상이어도 된다.

전술한 열경화 수지 성분을 사용하는 경우, 경화제를 첨가한다. 경화제는, 사용하는 열경화성 수지 성분의 종류에 따라 선택하면 되고, 예를 들어 열경화성 수지 성분이 에폭시 수지인 경우에는, 이방성 도전막 (2) 중에 예를 들어 잠재성 경화제 혹은 과산화물계의 열경화제를 첨가할 수 있다. 이방성 도전막 (2) 에 이와 같은 열경화제를 첨가함으로써, 기폭 반응성을 부여할 수 있고, 본압착시의 가열 조작에 의해 확실하고 또한 신속하게 경화시킬 수 있게 된다. 잠재성 경화제로는, 이미다졸계 잠재성 경화제 등을 사용할 수 있고, 예를 들어 표면 처리되어 마이크로 캡슐화된 상품명 노바큐어 HX3741 (아사히 카세이 주식회사 제조), 상품명 노바큐어 HX3921HP (아사히 카세이 주식회사 제조), 상품명 아미큐어 PN-23 (아지노모토 주식회사 제조), 상품명 ACR 하드너 H-3615 (ACR 주식회사 제조), 산에이드 SI-60L (산신 화학공업 주식회사 제조) 등을 들 수 있다.

열경화성 수지 성분으로서 에폭시(메트)아크릴레이트나 우레탄 변성 (메트)아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우에는, 열경화제로는 예를 들어 퍼옥사이드를 사용할 수 있고, 퍼옥사이드로는 예를 들어 과산화 벤조일 등을 들 수 있다.

또, 이방성 도전막 (2) 에 고무계 폴리머 성분을 함유시킴으로써, 플렉시블 프린트 배선판 및 유리 기판에 대한 접착력을 강하게 할 수 있게 된다. 고무계 폴리머 성분으로는, 예를 들어 아크릴 고무 등이 바람직하다.

또, 이방성 도전막 (2) 에는, 커플링제를 함유시키도록 해도 된다. 커플링제로는, 예를 들어 에폭시실란 커플링제를 들 수 있다.

또, 이방성 도전막 (2) 에 열가소성 수지 성분을 함유시킴으로써, 열경화성 수지 성분의 경화 온도 이하의 온도에서 실시되는 가압착시에 유동성이 확보되어 접착력이 발현됨으로써, 이방성 도전막 (2) 의 가고정을 할 수 있게 된다.

열가소성 수지 성분으로는, 가압착시의 유동성을 중시하여, 예를 들어 가압착 온도가 70 ℃ ∼ 100 ℃ 인 경우에는, Tg 가 70 ℃ 이하인 저 Tg 열가소성 수지를 사용하는 것이 일반적이다. 단, 이와 같은 Tg 가 낮은 열가소성 수지만을 사용한 경우에는, 가압착 단계에서 이방성 도전막 (2) 의 기계적 강도를 확보할 수 없어, 리페어성이 나빠져, 박리하기 곤란해진다는 문제가 발생한다.

그래서, 이방성 도전막 (2) 에 있어서는, 열가소성 수지 성분으로서, 저 Tg 열가소성 수지와 고 Tg 열가소성 수지를 병용하여, 가압착시에 이방성 도전막 (2) 에 있어서 가압착성과 리페어성을 양립시킨다.

저 Tg 열가소성 수지로는, 가압착시의 가열 온도보다 낮은 Tg 를 갖는 1 종 또는 2 종 이상의 열가소성 수지를 사용한다. 예를 들어, 가압착 공정에 있어서의 가열 온도가 70 ℃ ∼ 100 ℃ 인 경우, 저 Tg 열가소성 수지로는, Tg 가 70 ℃ 미만인 열가소성 수지를 사용한다. 이와 같은 가압착시의 가열 온도보다 낮은 Tg 를 갖는 저 Tg 열가소성 수지를 이방성 도전막 (2) 의 성분으로 함으로써, 가압착시에 유동성을 확보하여 접착력을 발현시킬 수 있게 된다.

또, 고 Tg 열가소성 수지로는, 가압착시의 가열 온도보다 높은 Tg 를 갖는 1 종 또는 2 종 이상의 열가소성 수지를 사용한다. 예를 들어, 가압착 공정에 있어서의 가열 온도가 70 ℃ ∼ 100 ℃ 인 경우, 고 Tg 열가소성 수지로는, 140 ℃ 이상의 열가소성 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 또, 이 가열 온도에 있어서는, Tg 가 140 ℃ 이상인 열가소성 수지 (예를 들어 Tg 가 150 ℃ 인 열가소성 수지) 와, Tg 가 90 ℃ 이상인 열가소성 수지 (예를 들어 Tg 가 90 ℃ 인 열가소성 수지) 를 조합하여 사용할 수도 있다. 물론, 고 Tg 열가소성 수지의 Tg 는, 가압착시의 가열 온도보다 높으면 되기 때문에 가열 온도가 70 ℃ 인 경우에는, 예를 들어 90 ℃ 로 할 수도 있다. 이와 같이 고 Tg 열가소성 수지로서 가압착시의 가열 온도보다 높은 Tg 를 갖는 1 종 또는 2 종 이상의 열가소성 수지를 사용함으로써, 가압착 단계에서 이방성 도전막 (2) 의 기계적 강도를 확보할 수 있어, 리페어성이 양호해지기 때문에, 기계적으로 이방성 도전막 (2) 의 박리를 실시할 수 있게 된다. 즉, 리페어성이 양호한 이방성 도전막 (2) 을 사용하면, 박리한 후의 배선판 (1) 상의 잔류물이 적거나, 혹은 잔류물이 없기 때문에, 용제 등으로 배선판 (1) 을 용이하게 청정화할 수 있게 된다.

또한, Tg 는, DSC (Differential scanning calorimetry) 법에 의한 측정에 의해 구할 수 있다 (예를 들어 JIS K 7121 의 규정에 근거하는 측정법을 참조).

열가소성 수지로는, 이 저 Tg 열가소성 수지 및 고 Tg 열가소성 수지의 요건을 충족하는 것이면, 임의의 열가소성 수지를 사용할 수 있다. 단, 열경화성 수지 성분으로서 에폭시 수지를 선택한 경우에는, 에폭시 수지와 분리하지 않고 상용하여 막으로서의 성질을 발휘할 수 있는 열가소성 수지를 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 열가소성 수지로는, 예를 들어 페녹시 수지 등을 들 수 있다. 저 Tg 열가소성 수지 및 고 Tg 열가소성 수지는, 동종의 것이 바람직하고, 예를 들어 모두 페녹시 수지인 것이 바람직하다. 특히, Tg 가 140 ℃ 이상인 고 Tg 열가소성 수지로는, 플루오렌 골격을 갖는 페녹시 수지가 바람직하다.

이상과 같이, 본 실시형태에서 사용하는 이방성 도전막 (2) 은, 열경화성 수지와, 저 Tg 열가소성 수지와, 고 Tg 열가소성 수지를 함유하는데, 이들 수지 성분의 배합을 적정한 것으로 할 필요가 있다. 전술한 열경화성 수지 성분이나 경화제는, 이방성 도전막 (2) 의 형성시에는 액상 또는 페이스트상이다. 한편, 열가소성 수지 성분 (저 Tg 열가소성 수지, 고 Tg 열가소성 수지) 은, 그 어느 쪽도 상온에서 고체이다. 따라서, 열경화성 수지 성분과 열가소성 수지 성분의 비율이 유리 기판에 대한 접착력이나 막으로서의 보존 안정성을 크게 지배한다. 이것을 감안하면, 이방성 도전막 (2) 을 구성하는 조성물 전체를 100 질량부로 했을 경우에, 열경화성 수지 성분의 비율이 5 ∼ 20 질량부이며, 열가소성 수지 성분의 비율이 30 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하다.

또, 열가소성 수지 성분에 있어서, 저 Tg 열가소성 수지와 고 Tg 열가소성 수지는, 1 ： 0.4 ∼ 2 의 질량 비율로 배합되어 있는 것이 바람직하다. 저 Tg 열가소성 수지의 비율이 지나치게 많으면, 리페어성이 양호하지 않게 될 우려가 있다. 반대로, 저 Tg 열가소성 수지의 비율이 지나치게 적으면, 가압착시에 유동성이 확보되지 않음과 함께 접착력이 발현되지 않아 가압착성이 양호해지지 않게 될 우려가 있다.

또한, 예를 들어 고 Tg 열가소성 수지로서 유리 전이 온도 (Tg) 가 140 ℃ 이상인 열가소성 수지를 사용하는 경우에는, 이방성 도전막 (2) 을 구성하는 조성물 전체를 100 질량부로 하면, 고 Tg 열가소성 수지의 비율을 5 ∼ 20 질량부로 하는 것이 바람직하다.

이방성 도전막 (2) 에는, 이상의 수지 성분 이외에, 도전성 입자를 함유시키는 것이 필요하다. 여기서, 이방성 도전막 (2) 에 분산되는 도전성 입자로는, 이방성 도전막에 있어서 통상적으로 사용되는 공지된 도전성 입자를 모두 사용할 수 있다. 예를 들어, 니켈, 철, 구리, 알루미늄, 주석, 납, 크롬, 코발트, 은, 금 등의 각종 금속이나 금속 합금의 입자, 금속 산화물, 카본, 그라파이트, 유리나 세라믹, 플라스틱 등의 입자의 표면에 금속을 코트한 것, 혹은 이들 입자의 표면에 추가로 절연 박막을 코트한 것 등을 사용할 수 있다. 수지 입자의 표면에 금속을 코트한 것을 사용하는 경우, 수지 입자로는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 아크릴로니트릴·스티렌 (AS) 수지, 벤조구아나민 수지, 디비닐벤젠계 수지, 스티렌계 수지 등의 입자를 들 수 있다. 이방성 도전막 (2) 에 함유되는 도전성 입자의 평균 입경은 임의이지만, 통상적으로는 수 ㎛ 정도 (예를 들어 1 ㎛ ∼ 10 ㎛) 의 것이 사용된다.

본 실시형태에 있어서의 실장체의 제조 방법은, 이상의 구성을 구비하는 이방성 도전막 (2) 을 사용함으로써, 가압착성과 리페어성을 양립시킬 수 있다. 예를 들어 가압착 단계에서 이방성 도전막 (2) 에 위치 어긋남 등의 문제가 발생한 경우, 이방성 도전막 (2) 을 기계적으로 박리하여, 용제 등으로 청정화함으로써, 배선판 (1) 을 용이하게 재이용할 수 있다.

이상, 본 발명을 적용한 실시형태에 대하여 설명해 왔는데, 본 발명이 전술한 실시형태에 한정되는 것은 아니라는 것은 말할 필요도 없고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경을 할 수 있다. 전술한 실시형태에서는, 이방성 도전막을 개재하여 배선판에 실장하는 전자 부재를 IC 칩 등의 전자 부품으로서 설명했는데, 배선판에 실장하는 전자 부재는, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 플렉시블 배선판 등의 전자 부재여도 된다.

실시예

다음으로, 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여, 실험 결과에 기초하여 설명한다.

≪이방성 도전막의 제조≫

(실시예 1 ∼ 4)

실시예 1 ∼ 4 에서는, 열경화성 수지 성분으로서 에폭시 수지를 함유하고, 또, 열가소성 수지 성분으로서 저 Tg 열가소성 수지 (열가소성 수지 B (Tg 65 ℃)) 와 고 Tg 열가소성 수지 (열가소성 수지 A (Tg 150 ℃) 및/또는 열가소성 수지 C (Tg 90 ℃)) 를 조합하고 배합하여 함유하는 이방성 도전막을 제조하였다. 구체적으로 실시예 1 ∼ 4 에서는, 열경화성 수지 성분인 에폭시 수지와, 열가소성 수지 성분인 저 Tg 열가소성 수지 (열가소성 수지 B) 및 고 Tg 열가소성 수지 (열가소성 수지 A 및/또는 열가소성 수지 C) 와, 아크릴 고무와, 잠재성 경화제와, 커플링제와, 도전성 입자를 배합하여 이방성 도전막을 제조하였다. 열가소성 수지 A ∼ C 는, 모두 페녹시 수지로 하였다. 실시예 1 ∼ 4 에 있어서의 각 성분의 종류 및 합계를 100 으로 한 배합 비율을［표 1］에 나타낸다.

(실시예 5 ∼ 8)

실시예 5 ∼ 8 에서는, 열경화성 수지 성분으로서 에폭시아크릴레이트 및 우레탄아크릴레이트를 함유하고, 또, 열가소성 수지 성분으로서 저 Tg 열가소성 수지 (열가소성 수지 B) 와 고 Tg 열가소성 수지 (열가소성 수지 A 및/또는 열가소성 수지 C) 를 조합하고 배합하여 함유하는 이방성 도전막을 제조하였다. 구체적으로 실시예 5 ∼ 8 의 이방성 도전막은, 열경화성 수지 성분인 에폭시아크릴레이트 및 우레탄아크릴레이트와, 열가소성 수지 성분인 저 Tg 열가소성 수지 (열가소성 수지 B) 및 고 Tg 열가소성 수지 (열가소성 수지 A 및/또는 열가소성 수지 C) 와, 아크릴 고무와, 경화제인 퍼옥사이드와, 커플링제와, 도전성 입자를 배합하였다. 열가소성 수지 A ∼ C 는, 모두 페녹시 수지로 하였다. 실시예 5 ∼ 8 에 있어서의 각 성분의 종류 및 합계를 100 으로 한 배합 비율을［표 1］에 나타낸다.

(비교예 1 ∼ 4)

비교예 1 ∼ 4 에서는, 열경화성 수지 성분으로서 에폭시 수지, 또는 에폭시아크릴레이트 및 우레탄아크릴레이트를 함유하고, 또, 1 종류의 열가소성 수지를 배합하여 함유하는 이방성 도전막을 제조하였다. 구체적으로 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막은, 열경화성 수지 성분인 에폭시 수지, 또는 에폭시아크릴레이트 및 우레탄아크릴레이트와, 열가소성 수지 성분인 고 Tg 열가소성 수지 (열가소성 수지 C) 와, 잠재성 경화제 또는 퍼옥사이드와, 커플링제와, 도전성 입자를 배합하였다. 비교예 1 ∼ 4 에 있어서의 각 성분의 종류 및 합계를 100 질량부로 한 배합 비율을［표 1］에 나타낸다.

여기서, 열가소성 수지 A 의 페녹시 수지는 상품명 FX293 (신닛데츠 화학 주식회사 제조) 이고, 열가소성 수지 B 의 페녹시 수지는 상품명 YP70 (신닛데츠 화학 주식회사 제조) 이고, 열가소성 수지 C 의 페녹시 수지는 상품명 YP50 (신닛데츠 화학 주식회사 제조) 이다. 비스페놀 A 형 에폭시 수지는 상품명 YL980 (미츠비시 화학 주식회사 제조) 이고, 비스페놀 F 형 에폭시 수지는 상품명 YL983U (미츠비시 화학 주식회사 제조) 이다. 에폭시아크릴레이트는 상품명 EBECRYL600 (다이셀사이세틱 주식회사 제조) 이고, 우레탄아크릴레이트는 상품명 EBECRYL220 (다이셀사이세틱 주식회사 제조) 이다. 아크릴 고무는 상품명 SG-P3 (나가세 켐텍스 주식회사 제조) 이다. 잠재성 경화제는 상품명 노바큐어 HX3941HP (아사히카세이 이마테리얼즈 주식회사 제조) 이고, 퍼옥사이드는 상품명 나이퍼 BW (니치유 주식회사 제조) 이다. 커플링제는 상품명 KBM403 (신에츠 화학공업 주식회사 제조) 이다. 도전성 입자는, 상품명 브라이트 GNR 시리즈 (니혼 화학 공업 주식회사 제조) 이다.

(실시예 1 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막의 평가)

실시예 1 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막을, 가열 온도를 70 ℃, 80 ℃, 90 ℃, 100 ℃ 로 하여 배선판에 대해 가압착을 실시하여, 각 가열 온도에 있어서의 가압착의 성공률 (가압착 성공률) 과 가압착 후의 박리 면적률 (가압착 리페어율) 을 측정하는 평가 시험을 실시하였다. 이 평가 시험에서는, 실시예 1 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막을 각각 10 샘플씩 사용하였다. 실시예 1 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막의 각 10 샘플의 가압착 성공률의 평균값과, 실시예 1 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막 각 10 샘플의 가압착 리페어율의 평균값을 산출하였다. 산출 결과를［표 2］에 나타낸다. 또한, 배선판으로는, ITO 전극이 형성된 유리 기판을 사용하여, 이 배선판 상에 2 ㎜ × 50 ㎜ 의 이방성 도전막을 첩부하여 가압착을 실시하였다.

실시예 1 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막의 각 10 샘플을 각각 배선판에 가압착시킨 후의 이방성 도전막의 첩부 상태에 문제가 있는지의 여부를 육안으로 확인하였다. 실시예 1 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막의 각 10 샘플 중, 가압착 후의 이방성 도전막의 첩부면의 전체가 배선판에 첩부되어 있지 않고, 전극 사이에 들뜸이나 기포가 있거나, 이방성 도전막이 지나치게 유동하는 등의 문제가 확인되지 않은 샘플수의 비율을 가압착 성공률 (％) 로서 산출하였다.

가압착 리페어율은, 이하의 A, B 를 이용하여 (A-B)/A × 100 (％) 에 의해 산출하였다.

A ： 가압착 후의 배선판 상의 이방성 도전막의 첩부 면적 (2 ㎜ × 50 ㎜ = 100 ㎟)

B ： 가압착 후의 리페어 작업 후의 배선판 상의 이방성 도전막의 실측 면적 (㎟)

또한, 가압착 후의 리페어 작업은, 첩부한 이방성 도전막을, 인장 시험기 (텐실론, 오리엔택 주식회사 제조) 를 이용하여 실온 (25 ℃) 에서 90 도 방향으로 기계적으로 박리하였다.

［표 1］,［표 2］에 나타내는 바와 같이, 저 Tg 열가소성 수지와 고 Tg 열가소성 수지를 1 ： 0.4 ∼ 2 으로 함유하는 이방성 도전막을 사용한 실시예 1 ∼ 8 에 있어서는, 가압착 성공률과 가압착 리페어율이 모두 100 ％ 혹은 100 ％ 에 가까운 높은 값이었다. 즉, 실시예 1 ∼ 8 의 이방성 도전막에 있어서는, 저 Tg 열가소성 수지와 고 Tg 열가소성 수지를 병용함으로써, 유동성이 확보되어 접착력이 발현되는 것에 의한 가압착성과 충분한 기계적 강도에 의한 리페어성이 양립되고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 이 실시예 1 ∼ 8 에 있어서 고 Tg 열가소성 수지로서 열가소성 수지 A 만을 함유하는 실시예 2, 4, 6, 8 과, 고 Tg 열가소성 수지로서 열가소성 수지 A 와 열가소성 수지 C 를 함유하는 실시예 1, 3, 5, 7 에서는, 가압착 성공률과 가압착 리페어율의 양방에 있어서 거의 차이는 관찰되지 않았다.

단, 가압착 온도를 100 ℃ 로 했을 경우에 있어서, 고 Tg 열가소성 수지로서 열가소성 수지 A 만을 높은 비율 (20 질량부) 로 함유하는 이방성 도전막을 사용한 실시예 4, 8 에서는, 가압착 리페어율이 가장 높은 값 (100 ％) 이었다. 이것은, 고 Tg 열가소성 수지로서 가압착 온도 (100 ℃) 보다 높은 Tg 의 열가소성 수지 A 만을 함유함으로써, 100 ℃ 에 있어서 충분한 기계적 강도가 확보되어 리페어성이 양호했기 때문으로 생각된다.

한편, 열가소성 수지 성분으로서 열가소성 수지 C 만을 함유하는 이방성 도전막을 사용한 비교예 1 ∼ 4 에서는, 가압착 온도가 열가소성 수지의 Tg (90 ℃) 보다 낮은 경우에는 가압착 성공률이 낮고, 가압착 온도가 열가소성 수지의 Tg (90 ℃) 보다 높은 경우에는 가압착 리페어율이 낮은 결과가 되었다. 이것은, 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막에서는, 가압착 온도가 열가소성 수지의 Tg (90 ℃) 보다 낮은 경우에는 유동성이 확보되지 않음과 함께 모두 접착력이 발현되지 않아 가압착성이 양호하지 않았기 때문으로 생각되며, 가압착 온도가 열가소성 수지의 Tg (90 ℃) 보다 높은 경우에는 기계적 강도가 확보되지 않아 리페어성이 양호하지 않았기 때문으로 생각된다.

또한, 가압착 온도를 70 ℃ 로 했을 경우, 비교예 1 ∼ 4 에서는, 가압착 성공률이 낮음에도 불구하고 가압착 리페어율이 높은 결과가 되었다. 이것은, 열가소성 수지의 Tg 가 90 ℃ 인 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전막에서는, 70 ℃ 에 있어서 배선판에 대한 접착력이 발현되고 있지 않아, 기계적 박리를 실시하지 않아도 간단하게 박리되어 버리기 때문으로 생각된다.

1 : 배선판, 2 : 이방성 도전막, 3 : 전자 부품

Claims

이방성 도전막을 개재하여 배선판에 전자 부재를 실장하는 실장체의 제조 방법으로서,
상기 배선판 상에 상기 이방성 도전막을 배치하는 제 1 배치 공정,
상기 배선판 상에 배치된 상기 이방성 도전막을 가압하면서 상기 이방성 도전막이 열경화되지 않는 온도에서 가열하여 상기 배선판 상에 상기 이방성 도전막을 고정시키는 가압착 공정,
상기 가압착 공정에서 상기 배선판 상에 고정된 상기 이방성 도전막의 고정 위치에 어긋남이 생긴 경우에는, 상기 배선판으로부터 상기 이방성 도전막을 박리하고, 상기 이방성 도전막이 박리된 상기 배선판을 상기 제 1 배치 공정으로 되돌리는 리페어 공정,
상기 가압착 공정에서 상기 배선판 상에 고정된 상기 이방성 도전막의 고정 위치에 어긋남이 생기지 않은 경우에는, 상기 이방성 도전막 상에 상기 전자 부재를 배치하는 제 2 배치 공정, 및
상기 이방성 도전막 상에 배치된 전자 부재를 가압하면서 가열하여 상기 이방성 도전막을 경화시키고, 경화된 상기 이방성 도전막을 개재하여 상기 배선판과 상기 전자 부재를 압착시키는 본압착 공정을 갖고,
상기 이방성 도전막으로서, 열경화성 수지 성분과, 열가소성 수지 성분과, 고무계 폴리머 성분과, 도전성 입자를 함유하고, 또한, 상기 열가소성 수지 성분이, 상기 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 낮은 유리 전이 온도를 갖는 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와, 상기 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 높은 유리 전이 온도를 갖는 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유하는 이방성 도전막을 사용하는, 실장체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 가압착 공정에서는, 가열 온도를 70 ℃ ∼ 100 ℃ 로 하고, 상기 저 유리 전이 온도 열가소성 수지가, 유리 전이 온도가 70 ℃ 미만인 열가소성 수지임과 함께, 상기 고 유리 전이 온도 열가소성 수지가, 유리 전이 온도가 140 ℃ 이상인 열가소성 수지인, 실장체의 제조 방법.
제 2 항에 있어서,
상기 이방성 도전막을 구성하는 조성물 전체의 질량을 100 질량부로 했을 경우에, 상기 조성물 중에 상기 고 유리 전이 온도 열가소성 수지가 5 ∼ 20 질량부로 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 실장체의 제조 방법.
제 2 항에 있어서,
상기 고 유리 전이 온도 열가소성 수지는, 플루오렌 골격을 갖는 페녹시 수지인, 실장체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 가압착 공정에서는, 가열 온도를 70 ℃ ∼ 100 ℃ 로 하고, 상기 저 유리 전이 온도 열가소성 수지는, 유리 전이 온도가 70 ℃ 미만인 열가소성 수지이고, 상기 고 유리 전이 온도 열가소성 수지는, 유리 전이 온도가 90 ℃ 인 열가소성 수지와 유리 전이 온도가 150 ℃ 인 열가소성 수지로 이루어지는, 실장체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와 상기 고 유리 전이 온도 열가소성 수지는 동종의 열가소성 수지인, 실장체의 제조 방법.
제 6 항에 있어서,
상기 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와 상기 고 유리 전이 온도 열가소성 수지가 모두 페녹시 수지인, 실장체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 열가소성 수지 성분은, 상기 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와 상기 고 유리 전이 온도 열가소성 수지가 1 ： 0.4 ∼ 2 의 질량 비율로 배합되어 있는, 실장체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 열경화성 수지 성분은, 비스페놀 A 형 수지 또는 비스페놀 F 형 수지인, 실장체의 제조 방법.
제 9 항에 있어서,
상기 이방성 도전막은, 이미다졸계 잠재성 경화제로 이루어지는 열경화제를 추가로 함유하는, 실장체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 열경화성 수지 성분은, 에폭시(메트)아크릴레이트 및 우레탄 변성 (메트)아크릴레이트인, 실장체의 제조 방법.
제 11 항에 있어서,
상기 이방성 도전막은, 과산화물로 이루어지는 열경화제를 추가로 함유하는, 실장체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 이방성 도전막을 구성하는 조성물 전체의 질량을 100 질량부로 했을 경우에, 상기 조성물 중에 상기 열경화성 수지 성분을 5 ∼ 20 질량부 함유하고, 상기 열가소성 수지 성분을 30 ∼ 50 질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 실장체의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 배선판은 유리 기판인, 실장체의 제조 방법.
이방성 도전막을 개재하여 배선판과 전자 부재를 접속하는 접속 방법으로서,
상기 배선판 상에 상기 이방성 도전막을 배치하는 제 1 배치 공정,
상기 배선판 상에 배치된 상기 이방성 도전막을 가압하면서 상기 이방성 도전막이 열경화되지 않는 온도에서 가열하여 상기 배선판 상에 상기 이방성 도전막을 고정시키는 가압착 공정,
상기 가압착 공정에서 상기 배선판 상에 고정된 상기 이방성 도전막의 고정 위치에 어긋남이 생긴 경우에는, 상기 배선판으로부터 상기 이방성 도전막을 박리하고, 상기 이방성 도전막이 박리된 상기 배선판을 상기 제 1 배치 공정으로 되돌리는 리페어 공정,
상기 가압착 공정에서 상기 배선판 상에 고정된 상기 이방성 도전막의 고정 위치에 어긋남이 생기지 않은 경우에는, 상기 이방성 도전막 상에 상기 전자 부재를 배치하는 제 2 배치 공정, 및
상기 이방성 도전막 상에 배치된 전자 부재를 가압하면서 가열하여 상기 이방성 도전막을 경화시키고, 경화된 상기 이방성 도전막을 개재하여 상기 배선판과 상기 전자 부재를 압착시키는 본압착 공정을 갖고,
상기 이방성 도전막으로서, 열경화성 수지 성분과, 열가소성 수지 성분과, 고무계 폴리머 성분과, 도전성 입자를 함유하고, 또한, 상기 열가소성 수지 성분이, 상기 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 낮은 유리 전이 온도를 갖는 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와, 상기 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 높은 유리 전이 온도를 갖는 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유하는 이방성 도전막을 사용하는, 접속 방법.
제 1 항에 기재된 실장체의 제조 방법에 따라 배선판과 전자 부재 사이에 개재되는 이방성 도전막에 있어서,
상기 이방성 도전막은 상기 배선판과 상기 전자 부재를 접속하고,
열경화성 수지 성분,
열가소성 수지 성분,
고무계 폴리머 성분, 및
도전성 입자를 함유하고,
상기 열가소성 수지 성분이, 상기 배선판 상에 배치한 상기 이방성 도전막을 가압하면서 상기 이방성 도전막이 열경화되지 않는 온도에서 가열하여 상기 배선판 상에 상기 이방성 도전막을 고정시키는 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 낮은 유리 전이 온도를 갖는 저 유리 전이 온도 열가소성 수지와, 상기 가압착 공정에서의 가열에 있어서의 가열 온도보다 높은 유리 전이 온도를 갖는 고 유리 전이 온도 열가소성 수지를 함유하는, 이방성 도전막.
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