KR101840889B1 - 결함 검토 동안 결함 위치의 런-타임 보정 - Google Patents

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Abstract

일 실시예는 결함 리뷰 동안 기판상의 결함위치들에 대한 런-타임 보정을 위한 방법에 관한 것이다. 상기 기판은 리뷰 장치의 스테이지상에 적재되고, 기판상의 결함위치들의 좌표들이 수신된다. 이 결함 위치들은 그룹화되고, 결함 위치들의 각 그룹에 근접한 로컬 기준 사이트(local reference site)가 결정된다. 이 로컬 기준 사이트는 각 그룹에서의 결함 위치들에 대한 포지션 오프셋(positional offset)을 결정하기 위해 이용된다. 또 하나의 실시예는 기판상의 결함 위치들을 리뷰하여, 이 결함 위치들에 대한 런-타임 보정을 제공하는 장치에 관한 것이다. 다른 실시예들 및 특징들이 또한 개시된다.

Description

결함 검토 동안 결함 위치의 런-타임 보정{RUN-TIME CORRECTION OF DEFECT LOCATIONS DURING DEFECT REVIEW}
본 발명은 일반적으로 표본 검사 및 리뷰(specimen inspection and review)시스템들에 관한 것이다.
자동 검사 및 리뷰 시스템들은 반도체 및 관련 마이크로전자 산업에 있어서의 프로세스 제어 및 수율 관리에서 중요하다. 이러한 시스템들은 전자빔(e-beam) 기반 시스템들 및 다른 타입의 시스템들을 포함한다.
검사 툴(inspection tool)에 의해 기판에서의 결함 위치들이 검출되면, 이들 결함 위치들의 좌표들이 저장된다. 후속해서, 고배율(high-magnification)의 스캐닝 전자 마이크로스코프(SEM)와 같은 그러한 리뷰 툴(review tool)이 상기 결함위치들에 대한 보다 세밀한 점검 및 분석을 위해 사용될 수 있다.
상기 기판은 상기 리뷰 마이크로스코프의 스테이지상에 정렬되고, 리뷰 마이크로스코프와 결함위치 좌표들 사이에 좌표 변환(coordinate transformation)이 확립된다. 그 후, 보다 세부적으로 결함 위치들이 점검 및 분석될 수 있도록 이 변환된 좌표들은 결함 위치들을 찾거나 재배치(re-locate)하기 위해 리뷰 툴에 의해 이용된다.
일 실시예는 결함 리뷰 동안 기판상의 결함위치들에 대한 런-타임 보정을 위한 방법에 관한 것이다. 상기 기판은 리뷰 장치의 스테이지상에 적재되고, 기판상의 결함위치들의 좌표들이 수신된다. 이 결함 위치들은 그룹화되고, 결함 위치들의 각 그룹에 근접한 로컬 기준 사이트(local reference site)가 결정된다. 이 로컬 기준 사이트는 각 그룹에서의 결함 위치들에 대한 포지션 오프셋(positional offset)을 결정하기 위해 이용된다.
다른 실시예는 기판상의 결함 위치들을 리뷰하여, 이 결함 위치들에 대한 런-타임 보정을 제공하는 장치에 관한 것이다. 이 장치는 전자빔을 생성하도록 구성된 소오스, 시야(field of view)에 걸쳐 전자빔을 스캔하도록 구성된 디플렉터들(deflectors), 상기 전자빔을 리뷰되는 기판의 표면에 포커싱하도록 구성된 전자렌즈들과, 그리고 기판으로부터 전자들을 검출하도록 구성된 검출기를 포함한다. 상기 장치는 기판상의 결함 위치들의 리스트를 검색하고, 각 결함 위치들에 근접한 로컬 기준 사이트를 결정하고, 그리고 상기 결함 위치에 대한 위치 오프셋을 결정하기 위해 상기 로컬 기준 사이트를 이용하도록 구성된 전자 제어 및 화상 분석 회로를 더 포함한다.
다른 실시예들 및 특징들이 또한 개시된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 본 명세서에 개시된 방법을 실시하는데 활용될 수 있는 전자빔 장치를 도시하는 개략 선도이다.
도 2는 기판상의 정렬 마크(alignment mark) 및 검사 시스템에 의해 위치가 발견된 결함을 보여주는 개략 선도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 검사와 리뷰 사이에서의 결함 위치의 포지션에 있어서의 시프트를 도시한 개략 선도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 따른 결함 리뷰 동안의 결함 위치의 런-타임 보정을 위한 프로세스의 흐름도이다.
종래의 검사 및 리뷰 시스템에서, 리뷰 마이크로스코프와 검사 시스템으로부터의 결함 좌표 사이에서의 좌표 변환이 확립된다. 이 기판은 리뷰 마이크로스코프의 스테이지상에 정렬되고, 상기 좌표 변환은 리뷰 시스템에 의해 결함들을 재배치하는데 이용된다.
그러나, 출원인은 종래의 검사 및 리뷰 시스템들에 의해 이용되는 상기 좌표 변환이 리뷰 시스템에 의한 결함들의 정밀하고 정확한 "재배치(re-location)"를 항상 제공하지 않는 것으로 판단하였다. 특히, 1 미크론 보다 적은 시야들의 경우에, 에러들(errors)들을 포지셔닝하는 것은 실제 결함위치가 리뷰 시스템의 시야를 벗어나는 결과를 빈번히 초래한다.
본 출원은 리뷰 스캐닝 전자 마이크로스코프(SEM)의 포지셔닝 시스템의 열적 효과(thermal effects) 및 다른 단점들에 의해 야기되는 포지셔닝 에러들을 보정하는 방법들 및 장치들을 개시한다. 이들 방법 및 장치들은 포지셔닝 에러들에 대한 런-타임 보정을 제공하는데 있어 놀라울 정도로 효율적이고, 정확하며, 강력(robust)하다.
포지셔닝 에러들을 야기하는 열적 효과는 예컨대, 상기 스테이지로부터 리뷰되는 기판으로의 열전달을 포함할 수 있다. 이러한 열전달은 시간에 걸쳐 발생할 수 있어 열에 의해 유도되는 포지션 에러들은 시간에 좌우되게 된다. 다른 단점들에는 예컨대 웨이퍼가 적재되고 포지셔닝이 제어되는 스테이지에서 미소한 공간 변화들 혹은 변조들(파형들)이 포함될 수 있다. 그러한 공간적 변화들 또는 변조들은 추가적인 포지셔닝 에러들을 초래하고 리뷰를 위한 결함들을 재배치하는 작업을 복잡하게 할 수 있다.
출원인은 전반적인 변형(global translation), 스케일링 및 각도 보정들을 수반하는 종래의 방법들이 웨이퍼 정렬후 결함 리뷰 동안 열팽창에 의해 야기된 포지션 에러들을 보정할 수 없음은 물론, 스테이지에서의 전술한 공간변화 또는 변조들을 보정할 수 없는 것으로 판단했다. 출원인에 의한 실험들은 본 발명에 개시된 방법 및 장치들이 그러한 에러들을 서브미크론 정밀도 및 정확도로 보정하는 장점이 있음을 보여주었다.
도 1은 본 발명의 일실시예 따른 본 명세서에 개시된 방법들을 실시하는데 활용될 수 있는 전자빔 장치를 도시한 개략선도이다. 이 전자빔 장치는 여러 가지 다른 구성 요소들 중에서도 특히, 전자총 혹은 전자총 소오스(101), 컨덴서 렌즈들(미도시), 빔 디플렉터들(105), 전자 렌즈들(103), 검출 시스템(108), 화상 캡쳐 회로(110) 및 화상 분석 시스템(112)을 포함한다.
도 1에서 전자 소오스(101)는 입사 전자빔(102)을 생성한다. 전자빔이 반도체 웨이퍼(혹은 다른 기판)(104)의 표면에 부딪히도록 하나 이상의 전자 렌즈(103)가 상기 빔(102)을 포커싱한다. 웨이퍼(104)는 스테이지(106)에 유지(hold)되는 것으로 도시되었다. 디플렉터들(105)은 화상화되는 영역 위에 빔(102)을 스캔하는데 이용될 수 있다.
2차 전자들 즉, 산란된 전자들을 검출하기 위한 검출기(108)가 또한 도시되어 있다. 예컨대, 스테이지(106)는 전기적으로 접지될 수 있고, 포지티브(+)전압이 산란된 전자들을 유인하도록 검출기(108)에 인가될 수 있다. 화상 캡쳐 회로(110)가 검출기(108)로부터 화상 프레임들을 캡쳐하도록 버퍼들로 구성될 수 있다. 화상 캡쳐 회로(110)는 예컨대 프레임들을 누산 또는 평균화함으로써 화상 프레임들을 처리하도록 또한 구성될 수 있다.
전자 제어 및 화상 분석 회로(112)는 화상 데이터를 취득하여 처리 및 분석하기 위해 상기 장치를 제어하도록 구성된다. 전자 제어 및 화상 분석 회로(112)는 예컨대 장치 제어 회로(113), 하나 이상의 프로세서(114), 데이터 스토리지(115) 및 메모리(116)를 포함할 수 있다. 이들 여러 가지 구성요소들은 (예컨대, 버스 통신시스템을 통해) 통신 가능하게 상호연결될 수 있다. 상기 전자 제어 및 화상 분석 회로(112)는 모니터 스크린들과 같은 디스플레이와, 키보드 및 마우스와 같은 유저 입력 디바이스들과 인터페이스할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 데이터 스토리지(115)는 (검사 시스템에 의해 검출되는) 결함 위치들의 리스트와, SEM 화상 데이터, 및 기타 데이터를 저장하도록 구성될 수 있고, 메모리(116)는 본 출원에 개시된 기법들의 여러 가지 단계들을 수행하도록 프로세서에 의해 실행 가능한 코드들로 구성될 수 있다.
도 2는 기판상의 정렬 마크(202)와 검사 시스템에 의해 검출되는 결함(204)을 보여주는 개략선도이다. 정렬 마크(202)는 각각의 사각형들이 리뷰 화상화 시스템의 픽셀 크기를 나타내는 그리드(grid) 상에 보여진다. 도시된 바와 같이, 정렬 마크(202)는 대략 2개 픽셀의 선폭을 갖는 L자형 마크일 수 있다. 결함(204)은 결함 검출의 정확도(DLA:defect location accuracy)크기 + 결함 크기로 주어지는 반경을 갖는 원내에 도시된다. DLA 크기는 검사 또는 리뷰 툴의 포지셔닝 시스템의 단점으로 인해 야기되는 결함 위치 정확도를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 검사와 리뷰 사이에서의 결함 위치의 포지션에서의 시프트를 도시하는 개략선도이다. 도 3에서, 점선들(302)은 웨이퍼 상에 인쇄된 다이 그리드(die grid)들을 나타낸다. 채움 표시된(음영)의 L자형 마크들(304)은 웨이퍼 또는 레티클(reticle) 상에서 주기적으로 반복되는 패턴들 혹은 정렬 마크들이다. 밝게 표시된 크로스 심볼(cross symbol)(306)은 검사 시스템에 의해 보고되는 결함 위치를 나타낸다.
그러나, 런-타임 리뷰 동안, 실제 결함 위치는 열적 효과 및 포지셔닝 시스템에서의 기타 단점들들 때문에 시프트된다. 열적 효과는 스테이지와 기판 사이에서의 열전달로 인한 것일 수 있으며 이에 따라 시간 의존적일 수 있다.
L자형 마크의 시프트된 포지션의 일례는 비채움 표시된(흰색)의 L자형 마크(308)로 보여져 있으며, 결함의 시프트된 대응 포지션은 어둡게 표시된 크로스 심볼(310)로 보여져 있다. 제1 화살표(312)는 L자형 마크에 대한 제1포지션 변화 벡터를 나타내며, 제2 화살표(314)는 결함에 대한 제2 포지션 변화 벡터를 나타낸다.
주목할 사항으로서, 기판상의 상이한 위치들에서의 변화 벡터들은 일반적으로 서로 다를 수 있다. 이는 열적 효과가 기판을 효과적으로 팽창(또는 수축)시킬 수 있기 때문이다. 그러한 팽창(또는 수축)은 기판 상의 위치에 따르는 포지션 변화를 초래한다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 정렬 마크와의 근접성에 의해 결함들을 그룹화함으로써, 런-타임에 그룹 내의 결함들의 변화 벡터들은 런-타임에서 로컬 (즉, 가장 가까운) 정렬 마크의 변화 벡터에 의해 효과적으로 근사화될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 결함 리뷰 동안의 결함 위치의 런-타임 보정을 위한 프로세스(400)의 흐름도이다. 프로세스(400)는 검사 시스템이 기판에서의 결함들을 검출한 후에 수행될 수 있다. 검사 시스템은 일반적으로, 기판상의 기준 사이트들에서의 소정의 정렬 마크들에 대한 검출된 결함들의 위치들을 보고한다.
블럭(402)에 관하여, 초기 절차가 수행된다. 이 초기 절차는 결함들을 분류한 다음 그룹화하는 단계를 포함할 수 있다. 예컨대, 이 결함들은, 리뷰 시스템에 의한 결함들의 효율적인 리뷰를 제공하도록 기판상에서의 결함들의 위치에 의해 분류 및 그룹화될 수 있다. 예컨대, 결함들의 분류 및 그룹화는 효율적인 절차로 화상화될 수 있는 그룹들의 시퀀스 및 각 그룹내에서의 결함들의 시퀀스를 제공할 수 있다. 예컨대, 이들 시퀀스들은 리뷰 시스템의 시야를 여러 결함 위치들로 이동시키는데 요구되는 시간을 최소화하도록 결정될 수 있다. 추가로, 각 그룹에 대해 최적의 기준 사이트가 선정될 수 있다. 예컨대, 상기 선정된 기준 사이트는 그룹에 있는 결함들의 위치들(또는 평균 위치)에 가장 가깝게 근접해 있는 정렬 마크에 대응할 수 있다.
블럭(404)에 관하여, (예컨대 1의 그룹 번호를 갖는) 제1 그룹이 선택된다. 본 구현에서, 상기 제1 그룹에 있는 결함들이 먼저 화상화된다(블럭 406 내지 416 참조). 그 후, 마지막 그룹이 선택될 때까지, 다음 그룹을 선택하고 그 그룹내의 결함들을 화상화하기 위해 상기 그룹 번호가 증가(408)될 수 있다. 본 실시예에서, 마지막 그룹은 그룹 번호 Ng를 가질 수 있다.
각각의 선택된 그룹에 대해, 블럭(406) 내지 블럭(416)으로 나타낸 단계들이 수행될 수 있다. 블록(406)에 관하여, 리뷰 시스템의 스캐닝 전자 마이크로스코프(SEM) 장치는 (전자들로)조명하고, 그의 ("진행")시야 내에서 상기 선택된 그룹에 대한 기준 사이트(혹은 시퀀스의 복수의 기준 사이트들)을 포커싱할 수 있다. 예컨대, 도 3의 예시에서, 화상 장치가 상기 선택된 그룹내의 결함들에 가장 가까이 근접할 수 있는 정렬마크(304)를 조명하여 포커싱할 수 있다(만일 선택된 그룹에 대해 복수의 기준 사이트들이 사용되면, 복수의 정렬 마크들이 순차적으로 조명 및 포커싱될 수 있다). 한 구현에서, 비교적 큰 초기 시야가 정렬 마크의 런-타임 포지션을 대략적으로 찾는데 활용될 수 있다. 후속하여, 보다 작은 시야가 상기 정렬 마크를 찾는데 있어 보다 큰 정밀도를 위해 활용될 수 있다.
블럭(408)에 관하여, 리뷰 시스템의 화상 장치가 상기 그룹에 대한 기준 사이트(들)의 런-타임 SEM 화상을 얻어서 저장("포획")한다. 리뷰 동안의 이러한 런-타임 화상은 이후 기준 사이트에서의 정렬 마크(들)의 시프트 혹은 오프셋의 측정을 계산하기 위해 분석된다. 다시 말해서, 런-타임 화상에서의 정렬 마크(들)의 위치가 결정될 수 있고, 런-타임 위치(들)와 검사 데이터로부터의 위치(들)와의 사이에서 2차원 오프셋 벡터 0이 결정될 수 있다. 예컨대, 런-타임 동안 리뷰 시스템에 의해 취득된 패턴의 화상 데이터를 검사 시스템으로부터의 화상 데이터와 비교함으로써 정렬 패턴의 포지션 시프트가 얻어질 수 있다. 오프셋 백터 0은 리뷰하의 결함 그룹에 대한 로컬 오프셋 에러로서 지칭될 수 있다. 복수의 기준 사이트들이 사용되는 경우, 오프셋 벡터 0은 기준 사이트들에서의 정렬 마크들의 시프트 혹은 오프셋의 평균 또는 중간 벡터가 될 수 있다.
이 구현에서, 선택된 그룹에서의 결함들의 수는 Nd로 표기된다. 블럭(410)에 관하여, (예컨대, 1의 결함수를 갖는) 상기 선택된 그룹에서의 첫번째 결함이 선택되며, 그 위치는 저장된 검사 데이터로부터 검색될 수 있다. P는 검사 데이터로부터 선택된 결함의 벡터 혹은 2차원 위치를 나타내는 것으로 한다.
블럭(412)에 관하여, 공칭(norminal) 또는 대략적인 2차원 (혹은 벡터) 포지션 P'이 리뷰하에서 상기 선택된 결함에 대해 계산된다. 표시된 바와 같이, 2차원 포지션 P'=P+0이다. 즉, 공칭 포지션 벡터 P'은 로컬 옵션 벡터 0을 검사 데이터로부터의 상기 선택된 결함의 2차원 위치 P에 가산함으로써 계산된다.
블럭(414)에 관하여, 리뷰 시스템의 SEM 장치는 공칭 포지션 벡터 P'에서 기파판 상의 사이트를 (전자들로) 조명을 하고 그 ("진행")시야 내에서 포커싱하고, 상기 사이트로부터 SEM 화상을 얻어 저장("포획")한다. 예컨대, 도 3의 예시에서, 화상 장치는 더욱 어둡게 표시된 크로스 마크(310)로 나타낸위치로 진행되어 그 사이트로부터 SEM 화상을 얻어 저장한다.
블럭(416)에 관하여, 프로세스(400)는 이제 그룹내의 다음 결함을 선택하기 위해 상기 결함 수를 증가시킬 수 있고, 상기 선택된 결함에 대해 블럭(412, 414)을 수행하도록 루프백(loop back)한다. 이는 선택된 그룹에서 모든 결함들에 대해 SEM 화상들이 얻어질 때까지 계속될 수 있다.
블럭(418)에 관하여, 프로세스(400)는 이제 다음 그룹을 선택하고 블럭(406)으로 루프백하기 위해 그룹 수를 증가시킬 수 있다. 이는 모든 그룹이 프로세스될때까지 계속될 수 있다.
전술한 선도들은 반드시 비례적으로 표시할 필요는 없으며, 예시적인 의도일뿐 특정 구현으로 한정하고자 하는 것은 아니다. 전술한 발명은 자동 검사 및 리뷰 시스템에 사용될 수 있고, 웨이퍼, 광학 마스크, X-레이 마스크, 전자 빔 근접 마스크 및 스텐실 마스크 및 제작 환경에 있어서 유사한 기판의 검사 및 리뷰에 적용될 수 있다.
상기 설명에서, 발명의 완전한 이해를 제공하기 여러 가지의 세부사항들이 제시되었다. 그러나, 본 발명의 예시된 실시예들에 대한 상기 설명은 본 발명을 배타적으로 혹은 오직 개시된 바와 같은 형태로만 한정하고자 의도된 것이 아니다. 관련 기술분야의 통상의 지식을 가진 자이면, 본 발명은 하나 이상의 특정 세부사항 없이 혹은 다른 방법, 컴포넌트들로 실행될 수 있음을 인지할 것이다. 다른 예들에서, 잘 알려진 구조들 혹은 동작들은 발명의 양상들을 모호하게 하는 것을 피하기 위해 상세하게 도시 또는 기술되지 않았다. 본 발명의 특정 실시예들 및 예들은 예시목적으로 기술되었지만은 관련 기술분야의 통상의 지식을 가진자이면 인지할 수 있는 바와 같이 다양한 균등적인 수정들이 본 발명의 범위내에서 가능하다.
이들 수정들이 상기 상세한 설명의 견지에서 본 발명에 가해질 수 있다. 다음의 특허청구범위에서 사용되는 용어들은 본 발명을 상세한 설명에 기재된 특정 실시예들 및 특허청구범위로만 한정하는 것으로 해석되지 말아야 한다. 오히려, 본 발명의 범위는 특허청구범위 해석에 대한 확립된 원칙에 따라 해석되어야 하는 다음을 특허청구 범위에 의해 결정된다.

Claims (12)

  1. 결함 리뷰 동안 기판상의 결함 위치들에 대한 런-타임(run-time) 보정(correction)을 위한 방법으로서,
    상기 기판을 리뷰 장치의 스테이지상에 적재하는 단계와;
    검사 시스템에 의해 검출되는 상기 기판상의 결함 위치들의 좌표들을 수신하는 단계와;
    결함 위치들의 그룹들의 시퀀스(sequence)와 각 그룹 내의 상기 결함 위치들의 시퀀스를 제공하기 위해 상기 결함 위치들을 정렬 및 그룹화하는 단계와;
    상기 기판 상의 복수의 로컬 기준 사이트(local reference site)들 중에서 결함 위치들의 각 그룹에 가장 가까운 적어도 하나의 로컬 기준 사이트를 결정하는 단계와;
    각 그룹에서의 결함 위치들에 대한 포지션 오프셋(positional offset)을 결정하기 위해 각 그룹에 대해 결정된 로컬 기준 사이트(들)를 이용하는 단계와;
    그룹들의 시퀀스에서 제1 그룹을 선택하는 단계와;
    상기 제1 그룹 내의 결함 위치들의 시퀀스에 의해 규정된 순서대로 상기 제1 그룹 내의 결함 위치들을 화상화(image)하는 단계와;
    그룹들의 시퀀스 내에서 더 이상 선택할 그룹이 없어질 때까지, 그룹들의 시퀀스 내의 다음(next) 그룹의 선택과, 다음 그룹 내의 결함 위치들의 시퀀스에 의해 규정된 순서대로 다음 그룹 내의 결함 위치들을 화상화하는 것을 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 리뷰 동안 기판상의 결함 위치들에 대한 런-타임 보정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 로컬 기준 사이트의 런-타임 화상 데이터를 얻는 단계와;
    상기 런-타임 화상 데이터를 상기 검사 시스템에 의해 얻어진 기준 사이트(들)의 데이터와 비교함으로써 상기 포지션 오프셋을 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 리뷰 동안 기판상의 결함 위치들에 대한 런-타임 보정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방법은 스캐닝 전자 마이크로스코프 장치에 기초한 검사 및 리뷰 시스템에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 결함 리뷰 동안 기판상의 결함 위치들에 대한 런-타임 보정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 패턴화된 반도체 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 리뷰 동안 기판상의 결함 위치들에 대한 런-타임 보정 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 검사 시스템으로부터의 결함 위치에 상기 그룹에 있는 결함 위치들에 대한 포지션 오프셋을 더한(plus) 좌표들인 보정 포지션(corrected position)에 위치된 시야(field of view)를 화상화함으로써, 결함 위치에 대한 런-타임 화상 데이터를 얻는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 리뷰 동안 기판상의 결함 위치들에 대한 런-타임 보정 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 런-타임 화상 데이터는 직경이 1 미크론(micron) 보다 작은 시야로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 결함 리뷰 동안 기판상의 결함 위치들에 대한 런-타임 보정 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 방법은 서브미크론(submicron) 정확도로 포지셔닝 에러들을 보정하는 것을 특징으로 하는 결함 리뷰 동안 기판상의 결함 위치들에 대한 런-타임 보정 방법.
  8. 기판상의 결함 위치들을 리뷰하여, 상기 결함 위치들에 대한 런-타임 보정을 제공하는 장치로서,
    전자빔을 생성하도록 구성된 소오스(source)와;
    시야에 걸쳐 상기 전자빔을 스캔하도록 구성된 디플렉터(deflector)들과;
    상기 전자빔을 리뷰되는 기판의 표면에 포커싱하도록 구성된 전자렌즈들과;
    상기 기판으로부터 전자들을 검출하도록 구성된 검출기와;
    상기 기판상의 결함 위치들의 리스트를 검색하고, 각 그룹 내의 상기 결함 위치들의 시퀀스와 결함 위치들의 그룹들의 시퀀스를 제공하기 위해 상기 결함 위치들을 정렬 및 그룹화하고, 상기 기판 상의 복수의 로컬 기준 사이트(local reference site)들 중에서 각 결함 위치에 가장 가까운 하나 이상의 로컬 기준 사이트를 결정하고, 상기 결함 위치에 대한 포지션 오프셋을 결정하기 위해 각 그룹에 대해 결정된 로컬 기준 사이트(들)를 이용하도록 구성된 전자 제어 및 화상 분석 회로부를 포함하고,
    상기 전자 제어 및 화상 분석 회로부는 또한, 그룹들의 시퀀스에서 제1 그룹을 선택하고, 상기 제1 그룹 내의 결함 그룹들의 시퀀스에 의해 규정된 순서대로 상기 제1 그룹 내의 결함 위치들을 화상화(image)하고, 그룹들의 시퀀스 내에 더 이상 선택할 그룹이 없어질 때까지, 그룹들의 시퀀스 내의 다음(next) 그룹의 선택과, 다음 그룹 내의 결함 위치들의 시퀀스에 의해 규정된 순서대로 다음 그룹 내의 결함 위치들을 화상화하는 것을 반복하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판상의 결함 위치들을 리뷰하여, 상기 결함 위치들에 대한 런-타임 보정을 제공하는 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전자 제어 및 화상 분석 회로부는 또한, 상기 로컬 기준 사이트(들)의 런-타임 화상 데이터를 얻고, 상기 런-타임 화상 데이터를 검사 시스템에 의해 얻어진 로컬 기준 사이트(들)의 데이터와 비교함으로써 상기 포지션 오프셋을 계산하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판상의 결함 위치들을 리뷰하여, 상기 결함 위치들에 대한 런-타임 보정을 제공하는 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 기판은 패턴화된 반도체 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판상의 결함 위치들을 리뷰하여, 상기 결함 위치들에 대한 런-타임 보정을 제공하는 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 전자 제어 및 화상 분석 회로부는 또한, 검사 시스템으로부터의 결함 위치에 상기 포지션 오프셋을 더한 좌표들인 보정 포지션에 위치된 시야를 화상화함으로써, 결함 위치에 대한 런-타임 화상 데이터를 얻도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판상의 결함 위치들을 리뷰하여, 상기 결함 위치들에 대한 런-타임 보정을 제공하는 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 런-타임 화상 데이터는 직경이 1 미크론 보다 작은 시야로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 기판상의 결함 위치들을 리뷰하여, 상기 결함 위치들에 대한 런-타임 보정을 제공하는 장치.
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