JP2013531880A - 欠陥レビュー中における欠陥場所のランタイム補正方法及び装置 - Google Patents
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 90
- 238000012552 review Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 28
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 12
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000012369 In process control Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010965 in-process control Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
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- G06T7/70—Determining position or orientation of objects or cameras
- G06T7/73—Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F18/00—Pattern recognition
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
- G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30204—Marker
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Evolutionary Biology (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
Claims (12)
- 欠陥レビュー中の基板上の欠陥場所のランタイム補正のための方法であって、
前記基板をレビュー装置のステージ内に装填するステップと、
検査システムによって検出される前記基板上の前記欠陥場所についての座標を受信するステップと、
前記欠陥場所をグループ化するステップと、
欠陥場所の各グループに近接して少なくとも1つの局所基準部位を決定するステップと、
各グループ内で前記欠陥場所について位置オフセットを決定するために、1または複数の前記局所基準部位を使用するステップと、
を含む方法。 - 前記局所基準部位のランタイム画像データを取得するステップと、
前記ランタイム画像データを、前記検査システムによって取得される1または複数の前記基準部位のデータと比較することによって、前記位置オフセットを計算するステップと、
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 走査型電子顕微鏡装置に基づく検査およびレビューシステムによって実施される請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、パターン化半導体ウェハを備える請求項1に記載の方法。
- 前記検査システムからの前記欠陥場所の座標に前記グループ内の前記欠陥場所についての前記位置オフセットを足した位置である補正位置に位置する視野を撮像することによって、欠陥場所についてランタイム画像データを取得するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記ランタイム画像データは、直径が1ミクロンより小さい視野から取得される請求項5に記載の方法。
- サブミクロン精度で位置決め誤差を補正する請求項1に記載の方法。
- 基板上の欠陥場所をレビューするための装置において、前記欠陥場所のランタイム補正を行う装置であって、
電子ビームを発生するように構成された発生源と、
視野にわたって前記電子ビームをスキャンするように構成された偏向器と、
レビューされる基板の表面上に前記電子ビームを収束させるように構成された電子レンズと、
前記基板からの電子を検出するように構成された検出器と、
前記基板上の欠陥場所のリストを取出し、各欠陥場所に近接して1または複数の局所基準部位を決定し、前記欠陥場所について位置オフセットを決定するために1または複数の前記局所基準部位を使用するように構成された電子制御および画像解析回路と、
を備える装置。 - 前記電子制御および画像解析回路は、1または複数の前記局所基準部位のランタイム画像データを取得し、前記ランタイム画像データを、検査システムによって取得される1または複数の前記局所基準部位のデータと比較することによって前記位置オフセットを計算するようにさらに構成される請求項8に記載の装置。
- 前記基板は、パターン化半導体ウェハを備える請求項8に記載の装置。
- 前記電子制御および画像解析回路は、前記検査システムからの前記欠陥場所の座標に前記位置オフセットを足した位置である補正位置に位置する視野を撮像することによって、欠陥場所についてランタイム画像データを取得するようにさらに構成される請求項8に記載の装置。
- 前記ランタイム画像データは、直径が1ミクロンより小さい視野から取得される請求項8に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/781,532 US10354405B2 (en) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | Run-time correction of defect locations during defect review |
US12/781,532 | 2010-05-17 | ||
PCT/US2011/029543 WO2011146164A2 (en) | 2010-05-17 | 2011-03-23 | Run -time correction of defect locations during defect review |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013531880A true JP2013531880A (ja) | 2013-08-08 |
JP6061844B2 JP6061844B2 (ja) | 2017-01-18 |
Family
ID=44911808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013511158A Active JP6061844B2 (ja) | 2010-05-17 | 2011-03-23 | 欠陥レビュー中における欠陥場所のランタイム補正方法及び装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10354405B2 (ja) |
JP (1) | JP6061844B2 (ja) |
KR (1) | KR101840889B1 (ja) |
TW (1) | TWI416101B (ja) |
WO (1) | WO2011146164A2 (ja) |
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JP6061844B2 (ja) | 2017-01-18 |
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TW201144798A (en) | 2011-12-16 |
US10354405B2 (en) | 2019-07-16 |
WO2011146164A2 (en) | 2011-11-24 |
WO2011146164A3 (en) | 2012-01-12 |
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KR20130113940A (ko) | 2013-10-16 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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