JPH06252224A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、テスタによって検出された半導
体装置内の不良箇所を光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡を
用いて、迅速かつ正確に同定することのできる半導体装
置を提供するものである。 【構成】 基準位置である位置確認パターン２、基準位
置からＡ個目の位置確認パターン３、基準位置からＸ個
目の位置確認パターン４は絶縁膜基板１上に回路パター
ンの位置と対応づけて形成されている。また、基準位置
であることを示す部位５、および基準位置からＡ個目で
あることを示す部位６は、それぞれ基準位置となる位置
確認パターン２、および基準位置からＡ個目の位置確認
パターン３に付加形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、複数の回路パターン
を有する半導体、特に周期的パターンを有する半導体メ
モリ等の不良解析における不良箇所の位置の同定を容易
にかつ速やかに行うことができる半導体装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体回路パターンの断線、
ショート等による不良箇所を検出するに際しては、種々
のテスタが用いられている。半導体メモリにおいては、
テスタにより不良箇所の位置が、１回路パターン単位で
電気的に検出できる。

【０００３】不良解析においては、半導体装置上に形成
されている回路パターンが微細であるため、光学顕微鏡
や走査型電子顕微鏡を用いて、電気的に検出された不良
箇所の観察を行う。観察を行う半導体装置が規格化され
た半導体ウェハ等である場合には、テスタにより検出さ
れた位置とウェハ内の実際の不良箇所との位置整合をと
り、位置確認を行っている。

【０００４】しかしながら、不良解析においては多くの
場合、半導体装置は前記のような規格化された状態のも
のでなく、半導体チップ単位の大きさであることが多
い。このような半導体チップ単位での不良解析において
は、オペレータが半導体装置表面の回路パターンの本数
を光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡を用いて計数しながら
半導体装置を移動させることにより、テスタによって検
出された位置（回路パターンの本数で指定される）を探
し、不良箇所があるとされた特定の回路パターンの位置
に光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡の観察点を位置決め
し、その回路パターンに沿って光学顕微鏡や走査型電子
顕微鏡の観察点を移動させて、指定された回路パターン
上の不良箇所の観察を行っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、光学顕
微鏡や走査型電子顕微鏡の観察点の半導体装置内の不良
箇所への移動が、オペレータによる回路パターンの計数
により行われていることから、半導体装置内の不良箇所
を検出するのに時間がかかる。さらに、回路パターン数
の数え間違いによって不良箇所が正確に同定できないと
いう問題点を有していた。

【０００６】この発明は、上記問題点に鑑み、テスタに
よって回路パターンの本数として検出された半導体装置
内の不良箇所の位置を、光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡
を用いて、迅速かつ正確に同定することができる半導体
装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、この発明の半導体装置は、基準位置からの位置を
確認することができる複数個の位置確認パターンを回路
パターンに対応して設けている。

【０００８】

【作用】この発明の構成によれば、基準位置からの位置
を確認することのできる複数個の位置確認パターンを回
路パターンに対応して設けたことによって、回路パター
ンの本数で指定された半導体装置の回路パターンの不良
箇所の位置を、光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡を用いて
観察する際に、半導体装置内の基準位置からの位置が明
らかな複数個の位置確認パターンを観察して計数するこ
とにより、半導体装置の回路パターンの不良箇所の位置
をすみやかに同定して、観察を行うことが可能となる。

【０００９】

【実施例】以下、この発明の一実施例の半導体装置を、
複数の繰り返しの回路パターンを有する半導体装置の任
意の回路パターン（不良箇所として指定された）を電子
顕微鏡を用いて観察する場合について、図面を参照しな
がら説明する。図１はこの発明の半導体装置の平面図で
ある。図１において、１は内部にメモリ回路等が形成さ
れた絶縁膜基板、２は基準位置にある位置確認パター
ン、３は基準位置からＡ個目の位置確認パターン、４は
基準位置からＸ個目の位置確認パターンである。５は基
準位置にある位置確認パターンであることを示す部位で
ある。６は基準位置からＡ個目の位置確認パターンであ
ることを示す部位であり、この部位６は基準位置から一
定数毎に位置確認パターンについて設けられり、部位６
の形状はすべて同じであっても、また何番目かを示す情
報を有する形状であってもよい。

【００１０】図１において、基準位置にある位置確認パ
ターン２、基準位置からＡ個目の位置確認パターン３、
基準位置からＸ個目の位置確認パターン４は、絶縁膜基
板１上に形成されており、繰り返しの回路パターンの位
置に例えば１対１に対応づけて設けられている。具体的
には、例えば繰り返しの回路パターンの一部を回路配線
に影響のない場所で直線状に連続あるいは不連続に延長
形成することで、位置確認パターンと回路パターンの位
置関係（水平方向あるいは垂直方向の位置）を対応づけ
ることができる。

【００１１】また、基準位置であることを示す部位５、
および基準位置からＡ個目であることを示す部位６は、
それぞれ基準位置にある位置確認パターン２、および基
準位置からＡ個目の位置確認パターン３に付加形成され
ている。以上のように構成された半導体装置において、
基準位置から任意のパターン数だけ離れた回路パターン
上に存在する不良箇所（ここでは、基準位置からＸ個目
の位置確認パターン４に対応した回路パターン上）を観
察する場合について、以下に説明する。

【００１２】まず、基準位置からＸ個目の位置確認パタ
ーン４から最も近い、基準位置からの位置を示す部位を
備えた位置確認パターンを計算により求める。この実施
例においては、基準位置からＡ個目の位置確認パターン
３である。つぎに、基準位置からＸ個目の位置確認パタ
ーン４が、基準位置からＡ個目の位置確認パターン３か
ら、どちらの方向に何本目に位置するかを計算により求
める。この実施例においては、基準位置からＡ個目の位
置確認パターン３から、基準位置にある位置確認パター
ン２の方向にＹ個目となることが、Ｙ＝Ｘ−Ａの演算で
求められる。

【００１３】以上の計算を行った後、実際に電子顕微鏡
を用いて、半導体装置の絶縁膜基板１上に形成された、
基準位置からＡ個目の位置確認パターン３に付加形成さ
れている、基準位置からＡ個目であることを示す部位６
を確認することで、位置確認パターン３の位置に電子顕
微鏡の観察点を移動させる。つぎに、電子顕微鏡をのぞ
き、前記基準位置からＡ個目の位置確認パターン３より
基準位置にある位置確認パターン２の方向に観察点を移
動させながら、位置確認パターンの本数を計数して、基
準位置にある位置確認パターン２の方向にＹ個目の位置
にある、基準からＸ個目の位置確認パターン４の位置に
観察点を合わせ、その位置確認パターン４に沿って観察
点を移動させることにより、位置確認パターン４に対応
した回路パターン上の不良箇所を同定して観察する。

【００１４】以上のように、この実施例によれば、回路
パターン内の任意の位置を座標で表示することのできる
半導体メモリ等に用いた場合、テスタによって指定され
た本数分の回路パターンの全部を半導体装置上で計数す
ることは不要となり、半導体装置上に形成されている繰
り返しの回路パターン内の任意の回路パターンの位置の
確認を簡便に行うことができる。よって、テスタによっ
て検出された半導体装置内の不良箇所を光学顕微鏡や走
査型電子顕微鏡を用いて観察する場合、半導体装置上の
不良箇所を迅速かつ正確に同定することができる。

【００１５】

【発明の効果】この発明の半導体装置によれば、回路パ
ターン内の任意の位置を、回路パターンの位置に対応し
て設けた基準位置からの位置が明らかな位置確認パター
ンを観察することにより確認できる。その結果、テスタ
によって検出された半導体装置内の不良箇所を光学顕微
鏡や走査型電子顕微鏡を用いて観察する場合、パターン
数の誤計数がなくなり、半導体装置上の不良箇所を迅速
かつ正確に同定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例の半導体装置における位置確
認パターン形成部の平面図である。

【符号の説明】

１ 絶縁膜基板 ２ 基準位置にある位置確認パターン ３ 基準位置からＡ個目の位置確認パターン ４ 基準位置からＸ個目の位置確認パターン ５ 基準位置であることを示す部位 ６ 基準位置からＡ個目であることを示す部位

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基準位置からの位置を示す複数個の位置
   確認パターンを回路パターンの位置に対応して設けたこ
   とを特徴とする半導体装置。