KR101838834B1 - 버퍼층의 성막 방법 및 버퍼층 - Google Patents

버퍼층의 성막 방법 및 버퍼층 Download PDF

Info

Publication number
KR101838834B1
KR101838834B1 KR1020167021837A KR20167021837A KR101838834B1 KR 101838834 B1 KR101838834 B1 KR 101838834B1 KR 1020167021837 A KR1020167021837 A KR 1020167021837A KR 20167021837 A KR20167021837 A KR 20167021837A KR 101838834 B1 KR101838834 B1 KR 101838834B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
buffer layer
solution
film
substrate
aluminum
Prior art date
Application number
KR1020167021837A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160108451A (ko
Inventor
타카히로 시라하타
히로유키 오리타
타카히로 히라마츠
히로시 코바야시
Original Assignee
도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 filed Critical 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤
Publication of KR20160108451A publication Critical patent/KR20160108451A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101838834B1 publication Critical patent/KR101838834B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Abstract

본 발명은 광흡수층과 투명 도전막과의 사이에 배치되는 태양전지에 사용되는 버퍼층의 성막 방법에 관한 것이다. 구체적으로는 당해 버퍼층의 성막 방법은 아연 및 알루미늄을 상기 버퍼층의 금속 원료로서 포함하는 용액(4)을 미스트화시킨다. 그리고, 대기압하에 배설되어 있는 기판(2)을 가열한다. 그리고, 가열 중의 기판에, 미스트화된 용액을 분무한다.

Description

버퍼층의 성막 방법 및 버퍼층{BUFFER LAYER FILM-FORMING METHOD AND BUFFER LAYER}
본 발명은 태양전지에 사용되는 버퍼층 및 당해 버퍼층의 성막 방법에 관한 것이다.
CIS계 태양전지에서 변환 효율 향상을 위해, 광흡수층과 투명 도전막과의 사이에, 버퍼층이 마련되고, 광흡수층과 버퍼층과의 사이에 전도대 오프셋(밴드 오프셋)이 형성되어 있다. 밴드 오프셋은 버퍼층과 광흡수층과의 전도대 하단의 에너지 차라고 정의된다. 버퍼층의 전도대 하단의 에너지가 광흡수층의 전도대 하단의 에너지보다 큰 경우, 밴드 오프셋은 「+」로 표시된다. 한편, 버퍼층의 전도대 하단의 에너지가 광흡수층의 전도대 하단의 에너지보다 작은 경우, 밴드 오프셋은 「-」로 표시된다. 최적의 밴드 오프셋은 0∼+0.4eV라고 말하여지고 있다. 금후, 더한층의 변환 효율 향상을 위해, 광흡수층의 와이드 밴드 갭화가 진행된 때에는 버퍼층의 밴드 갭 제어가 중요해진다.
당해 버퍼층은 박막의 층이고, 상기 전도대 밴드 오프셋의 형성에 기인하여, 태양전지의 성능에 큰 영향을 미친다. 버퍼층으로서, 카드뮴이나 인듐을 포함하는 금속 화합물이 주류이다. 또한, 버퍼층의 성막 방법으로서는 종래, 용액 성장법이 채용되고 있다.
또한, 당해 버퍼층을 포함하는 태양전지의 제조 등에 관한 종래 기술로서, 예를 들면, 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2가 존재한다.
특허 문헌 1 : 일본 특개평8-330614호 공보 특허 문헌 2 : 일본 특개2006-332440호 공보
종래에는 버퍼층으로서, 카드뮴이나 유황 등과 같이 취급(폐기 처리 등)이 곤란한 원료 재료 및 인듐 등과 같이 고가의 원료 재료가, 사용되고 있다. 따라서 제조가 용이하고, 제조 비용의 저감을 도모할 수 있는 신규의 버퍼층의 개발이 요망되고 있다.
또한, 광범위하게 걸쳐서 밴드 갭의 제어가 가능한, 버퍼층도 요망되고 있다. 버퍼층에서는 밴드 갭이 커지면, 전도대 밴드 오프셋도 커진다는 관계가 있다. 따라서 광범위에 걸쳐서 밴드 갭의 제어가 가능한 버퍼층을 이용함에 의해, 다양한 크기를 갖는 전도대 밴드 오프셋의 생성이 가능해지고, 용도 확대의 관점에서도 유익하다.
또한, 버퍼층을 용액 성장법에 의해 성막한 경우에는 대량의 폐액 처리가 필요하고, 또한 제조 비용이 높아진다. 또한, 높은 정밀도로, 소망하는 밴드 갭을 갖는 버퍼층을 생성하는 것은 극히 중요하다(밴드 갭의 제어성이라고 칭한다). 그러나, 당해 용액 성장법에서는 밴드 갭의 제어성에 뒤떨어진다는 문제점이 있다. 즉, 용액 성장법에서는 정밀도 좋게 소망하는 밴드 갭값을 갖는 버퍼층을 작성하는 것이 곤란하였다(생성된 버퍼층 사이에서 밴드 갭에 편차가 생긴다).
그래서, 본 발명은 간이한 공정으로, 또한 저비용으로, 또한 밴드 갭의 제어성에 우수한, 버퍼층의 성막 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 제조가 용이하고, 제조 비용의 저감이 가능하고, 또한 광범위에 걸치는 밴드 갭의 제어가 가능한, 신규의 버퍼층을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 버퍼층의 성막 방법은 광흡수층과 투명 도전막과의 사이에 배치되는 태양전지에 사용되는 버퍼층의 성막 방법으로서, (A) 아연 및 알루미늄을 상기 버퍼층의 금속 원료로서 포함하는 용액을 미스트화시키는 공정과, (B) 대기압하에 배설되어 있는 기판을 가열하는 공정과, (C) 상기 공정(B) 중의 상기 기판에, 상기 공정(A)에서 미스트화된 상기 용액을 분무하는 공정을 구비하고 있다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 버퍼층은 광흡수층과 투명 도전막과의 사이에 배치되는 태양전지에 사용되는 버퍼층으로서, 아연과 알루미늄을 포함하는 Zn1 - xAlxO막이다. 단, 0<x<1이다.
본 발명에 관한 버퍼층의 성막 방법은 광흡수층과 투명 도전막과의 사이에 배치되는 태양전지에 사용되는 버퍼층의 성막 방법으로서, (A) 아연 및 알루미늄을 상기 버퍼층의 금속 원료로서 포함하는 용액을 미스트화시키는 공정과, (B) 대기압하에 배설되어 있는 기판을 가열하는 공정과, (C) 상기 공정(B) 중의 상기 기판에, 상기 공정(A)에서 미스트화된 상기 용액을 분무하는 공정을 구비하고 있다.
당해 버퍼층의 성막 방법에서는 반응 용기 내를 감압할 필요가 없고, 성막 처리에는 가스가 아니라, 액상인 미스트화된 용액을 사용하기 때문에, 저비용으로 간이한 공정에 의해, 버퍼층을 성막할 수 있다.
또한, 당해 버퍼층의 성막 방법에서는 미스트법을 채용하고 있다. 따라서 외란의 영향을 받기 어렵다. 따라서, 용액 내의 (Al/Zn)의 함유 비율을 조정할 뿐으로, 겨누고 있는 값의 밴드 갭을 갖는 버퍼층을 기판상에 성막할 수 있다(즉, 밴드 갭의 제어성 및 저항률의 제어성이 우수하다).
또한, 본 발명에 관한 버퍼층은 광흡수층과 투명 도전막과의 사이에 배치되는 태양전지에 사용되는 버퍼층으로서, 아연과 알루미늄을 포함하는 Zn1 - xAlxO막이다. 단, 0<x<1이다.
본 발명에 관한 버퍼층은 취급·폐기가 용이하고 염가인, 아연 및 알루미늄을 사용하여 생성된다. 따라서, 당해 버퍼층의 제조는 용이해지고, 제조 비용의 저감도 가능해진다. 또한, 당해 버퍼층에 있어서, 아연의 양에 대한 알루미늄의 양을 변화시킴에 의해, 밴드 갭 및 저항률을 광범위에 걸쳐서 제어(조정)할 수 있다.
본 발명의 목적, 특징, 국면 및 이점은 이하의 상세한 설명과 첨부 도면에 의해 보다 명백하게 된다.
도 1은 본 발명에 관한 버퍼층의 성막 방법이 실시되는 성막 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 본 발명에 관한 버퍼층의 성막 방법이 실시되는 성막 장치의 다른 구성을 도시하는 도면.
도 3은 성막된 버퍼층에 대해 실시된, 밴드 갭의 측정의 결과를 도시하는 도면.
도 4는 성막된 버퍼층에 대해 실시된, 저항률의 측정의 결과를 도시하는 도면.
도 5는 아연과 알루미늄을 포함하는 용액을 사용하여, 생성된 버퍼층에서 알루미늄이 혼정으로서 포함되어 있는 비율을 도시하는 도면.
도 6은 아연과 마그네슘을 포함하는 용액을 사용하여, 생성된 막에서의, 밴드 갭과 저항률을 도시하는 도면.
도 7은 성막된 버퍼층에 대해 실시된, 투과율의 측정의 결과를 도시하는 도면.
본 발명은 광흡수층과 투명 도전막과의 사이에 배치되는 태양전지에 사용되는 버퍼층 및 당해 버퍼층의 성막 방법에 관한 것이다. 그리고, 발명자들은 수 많은 연구 개발을 통하여, 신규의 버퍼층으로서, 아연과 알루미늄을 포함하는 Zn1 -xAlxO막이 유익한 것을 발견하였다. 여기서, 0<x<1이다. 또한, 발명자들은 당해 버퍼층의 성막 방법으로서, 후술하는 대기압하에서 실시되는 미스트법이 유익한 것도 발견하였다.
또한, 상기한 바와 같이, 본 발명의 대상은 「버퍼층」이고, 저저항인 「도전막」이 아니다. 여기서, 산화아연막에, 불순물로서 알루미늄을 미량, 도입되는 일이 있다. 당해 막(Al doped ZnO)은 도전체(저항률은 10-3Ω·㎝ 오더 이하)이고, 도입된 알루미늄의 양도, 아연의 양에 대해 기껏해야 1% 정도이다. 또한, 도펀트로서 알루미늄을 산화아연막에 도입한 경우에는 성막된 막에서의, 투과율이 저하되는 경향이 있다(특히, 1500㎚ 이상의 광에 대한 투과율은 크게 저하되는 경향이 있다).
이에 대해, 본 발명의 대상인 버퍼층은 Zn1 - xAlxO막이고(0<x<1), 혼입되는 Al의 양이 변화하였다고 하여도, 높은 투명도는 유지된다(예를 들면, 파장 1500㎚ 이상의 광에 대한 투과율에서도, 본 발명에 관한 Zn1 - xAlxO막에서는 높은 값이 유지된다).
또한, 본 발명에서는 혼입되는 알루미늄은 생성된 버퍼층의 금속 원료 재료로서 채용되고 있다(즉, 알루미늄은 성막되는 막 내에서 혼정(混晶)으로서 포함되어 있다). 따라서 본 발명에 관한 Zn1 - xAlxO막에서는 알루미늄을 도펀트로서 도입시키는 경우보다도 많은 알루미늄이 포함되어 있다. 본 발명에서는 원료 용액에서의, 아연의 양에 대한 알루미늄의 양은 예를 들면 10% 이상이다. 또한, Zn1 - xAlxO막의 저항률은 10Ω·㎝ 이상이고, 도전체라고는 말할 수가 없다.
버퍼층인 Zn1 - xAlxO막은 취급·폐기가 용이하고 염가인, 아연 및 알루미늄을 사용하여 생성된다. 따라서, 당해 버퍼층의 제조는 용이해지고, 제조 비용의 저감도 가능해진다. 또한, 발명자들은 당해 버퍼층에서 아연의 양에 대한 알루미늄의 양을 변화시킴에 의해, 밴드 갭 및 저항률을 광범위에 걸쳐서 제어(조정)할 수 있음을 발견하였다.
이하, 실시의 형태에서 도면에 의거하여, 당해 버퍼층의 성막 방법에 관해 구체적으로 설명한다.
<실시의 형태>
도 1은 본 실시의 형태에 관한 버퍼층의 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 실시의 형태 1에 관한 버퍼층의 성막 장치(100)는 반응 용기(1), 가열기(3), 용액 용기(5) 및 미스트화기(6)로 구성되어 있다.
당해 성막 장치(100)에서는 미스트법이 실시된다. 즉, 대기압하에 배치된 기판(2)에 대해, 미스트화된 원료 재료 용액(4)을 분무함에 의해, 기판(2)에 대해 버퍼층이 성막된다.
여기서, 반응 용기(1) 내에는 가열기(3)가 마련되어 있다. 그리고, 당해 가열기(3)에 의해, 성막 처리시에 있어서 기판(2)은 가열된다. 또한, 기판(2)의 표면에는 광흡수층이 성막되어 있다.
또한, 가열기(3)는 히터 등이고, 성막 처리할 때에는 외부 제어부에 의해 당해 가열기(3)의 가열 온도는 조정되고, 소망하는 온도까지 기판(2)은 가열된다. 본 발명에서는 저온화가 목적이고, 예를 들면, 기판(2)은 가열기(3)에 의해, 120℃ 이상∼300℃ 이하의 온도의 사이에서 가열된다.
용액 용기(5) 내에는 버퍼층인 Zn1 - xAlxO막을 성막하기 위한 원료 재료 용액(이하, 용액이라고 칭한다)(4)가 충전되어 있다. 당해 용액(4)에는 금속원(金屬源)(성막되는 막에서의 혼정이다), 아연(Zn) 및 알루미늄(Al)이 포함되어 있다. 보다 구체적으로, 용액(4)에는 아연과 알루미늄을 갖는 금속 화합물이 포함되어 있다. 여기서, 당해 금속 화합물은 예를 들면 β-디케톤 화합물(아세틸아세토네이트)이다.
또한, 상기 용액(4)의 용매로서, 물(水), 메탄올 등의 알코올이나 그 밖에 유기 용매, 또는 이들의 액체의 혼합액 등을 채용할 수 있다.
미스트화기(6)로서, 예를 들면 초음파 무화(霧化) 장치를 채용할 수 있다. 당해 초음파 무화 장치인 미스트화기(6)는 용액 용기(5) 내의 용액(4)에 대해 초음파를 인가함에 의해, 용액 용기(5) 내의 용액(4)을 미스트화시킨다. 미스트화된 용액(4)은 경로(L1)를 통과하여, 반응 용기(1) 내로 공급된다.
그리고, 반응 용기(1) 내에서 미스트화된 용액(4)은 가열 중의 기판(2)에 대해 분무되고, 기판(2)상에, 버퍼층인 Zn1 - xAlxO막이 성막된다. 여기서, 반응 용기(1)에서 미반응으로 된 용액(4)은 경로(L3)을 통하여, 반응 용기(1) 밖으로 항상(연속적으로) 배출된다.
다음에, 본 실시의 형태에 관한 버퍼층의 성막 방법에 관해 설명한다.
우선, 아연과 알루미늄을 포함하는 용액(4)을 작성한다. 여기서, 당해 용액(4) 내에서의 아연의 양에 대한, 당해 용액(4) 내에서의 알루미늄의 양을 변화시키면, 성막되는 버퍼층의 저항률 및 밴드 갭은 변화한다.
구체적으로, 용액(4)에서 아연의 양에 대한 알루미늄의 양을 증가하면, 성막된 버퍼층의 저항률이 커지고 및 생성되는 버퍼층의 밴드 갭이 커진다.
따라서 소망하는 저항치 및 소망하는 밴드 갭을 갖는 버퍼층이 성막되도록, 용액(4) 내에서 아연의 함유량에 대한 알루미늄의 함유량은 조정되어 있다.
당해 작성된 용액(4)은 용액 용기(5) 내에서 미스트화기(6)에 의해 미스트화된다. 미스트화된 용액(4)은 경로(L1)를 통과하여, 반응 용기(1)에 공급된다.
한편, 가열기(3)에 의해, 기판(2)은 소정의 온도까지 가열되어 있고, 기판(2)의 가열 온도는 소망하는 온도로 유지되어 있다. 예를 들면, 기판(2)의 가열 온도는 예를 들면 120∼300℃정도의 어느 하나의 온도로 유지되어 있다.
상기 가열 상태의 기판(2)에, 미스트상(狀)의 용액(4)이 분무된다. 이에 의해, 반응 용기(1) 내에 존재하는 기판(2)에는 버퍼층인 Zn1 - xAlxO막이 성막된다. 여기서, x의 값은 0<x<1이고, 작성되는 용액(4) 내의 (Al/Zn)의 함유 비율에 응하여, 변화한다.
또한, 상기한 바와 같이, 미스트화된 용액(4)은 대기압에 배설되어 있는 기판(2)에 대해 분무된다.
이상과 같이, 본 실시의 형태에 관한 버퍼층의 성막 방법에서는 대기압하에 배설되어 있는 기판(2)에 대해 용액(4)을 분무하는 미스트법이 채용되고 있다.
이와 같이, 당해 성막 방법에서는 반응 용기(1) 내를 감압할 필요가 없고, 성막 처리에는 가스가 아니라, 액상인 미스트화된 용액(4)을 사용하기 때문에, 저비용으로 간이한 공정에 의해, 버퍼층을 성막할 수 있다.
또한, 용액 성장법에 의해 버퍼층을 성막하는 경우에는 큰 면적의 버퍼층을 성막하는 경우에는 기판을 담그는 큰 장치가 필요해지고, 장치의 대형화가 문제시되어 있다. 그러나, 상기 미스트법에 의해 성막 장치(100)에서는 용액 성장법이 실시되는 장치보다도, 소형화가 가능해진다.
또한, 용액 성장법에 의해 버퍼층을 성막하는 경우에는 반응 과정에서 다양한 외란의 영향을 받고, 반응을 1점으로 평형시키는 것이 곤란하였다. 따라서, 당해 용액 성장법에 의해 작성된 버퍼층에서는 밴드 갭의 제어성이 열화되어 있다(즉, 겨누고 있는 값의 밴드 갭과 다른 값의 밴드 갭을 갖는 버퍼층이 성막되어 있다).
그러나, 본 실시의 형태에 관한 버퍼층의 성막 방법에서는 미스트법을 채용하고 있다. 따라서 외란의 영향을 받기 어렵다. 따라서, 용액(4) 내의 (Al/Zn)의 함유 비율을 조정할 뿐으로, 겨누고 있는 값의 밴드 갭을 갖는 버퍼층을 기판(2)상에 성막할 수 있다(즉, 밴드 갭의 제어성이 우수하다).
또한, 예를 들면, CVD법에 의한 본 발명에 관한 버퍼층을 성막하는 경우에는 디에틸아연 등의 유기 금속 용액을 기화시킬 필요가 있다. 이것으로는 제조장치 구성의 복잡화나 제조 비용의 증대를 초래한다.
이에 대해, 본 발명에서는 염가로 안정되어 있는 예를 들면 β-디케톤 금속 화합물을 사용하여 용액(4)을 작성할 수 있고, 당해 용액(4)을 미스트화시킬 뿐이다. 따라서, 본 발명에 관한 성막 방법은 CVD법을 이용한 성막 방법보다도, 저비용으로 간이한 공정에 의해, 버퍼층을 성막할 수 있다.
또한, 가열되어 있는 기판(2)이 배치되어 있는 반응 용기(1) 내에, 미스트화된 용액(4)의 분무에 더하여, 오존을 공급시켜도 좋다. 도 2는 오존의 공급도 행하는 버퍼층의 성막 장치(200)의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 1과 도 2와의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 성막 장치(200)는 성막 장치(100)의 구성에, 오존 발생기(7)가 추가되어 있다. 또한, 성막 장치(200)에서는 오존 발생기(7)로부터 반응 용기(1)에 오존을 공급하기 위해, 경로(L1)와는 별도 경로인, 경로(L2)가 배설되어 있다.
당해 오존 발생기(7) 및 경로(L2)가 추가되어 있는 이외에, 다른 구성에 관해서는 성막 장치(100)와 성막 장치(200)와의 사이에서 같다.
오존 발생기(7)는 오존을 발생시킬 수 있다. 오존 발생기(7)에서 생성된 오존은 경로(L1)와 다른 경로(L2)를 통과하여, 반응 용기(1) 내에 공급된다. 오존 발생기(7)에서는 예를 들면, 평행에 배치하게 평행 전극 사이에 고전압을 인가하고, 그 전극 사이에 산소를 통과시킴으로써 산소 분자가 분해하고, 다른 산소 분자와 결합함에 의해, 오존을 발생시킬 수 있다.
성막 장치(200)에서는 가열 중의 기판(2)이 마련되어 있는 반응 용기(1) 내에, 오존 및 미스트상의 용액(4)이 공급된다. 여기서, 반응 용기(1)에서 미반응으로 된 오존이나 용액(4)은 경로(L3)를 통하여, 반응 용기(1) 밖으로 항상(연속적으로) 배출된다. 또한, 기판(2)은 대기압하에 배설되어 있다.
이상과 같이, 버퍼층의 성막 처리할 때에 오존을 공급하면, 기판(2)의 가열 온도를 저온화(예를 들면, 120℃∼200℃)하여도, 소망하는 버퍼층을 성막할 수 있음을 발명자들은 발견하였다.
또한, 성막 장치(100, 200)에서 용액(4) 내에 암모니아를 함유시켜도 좋다. 이와 같이, 용액(4) 내에 암모니아를 포함시킴에 의해, 기판(2)의 가열 온도를 저온화(예를 들면, 120℃∼200℃)하여도, 소망하는 버퍼층을 성막할 수 있음을 발명자들은 발견하였다. 여기서, 오존의 공급을 수반하지 않고, 용액(4) 내에 암모니아를 함유시켜도 좋지만, 용액(4) 내에 암모니아를 함유시키고, 또한 상기 오존 공급을 행하여도 좋다.
또한, 발명자들은 도 2에 도시하는 성막 장치(200)을 이용하여(즉, 오존의 반응 용기(1)에의 공급을 행하고), 용액(4)에는 암모니아를 함유시켜서(몰비로, NH3 /Zn=22.2 정도), 버퍼층을 성막하였다. 또한, 성막 온도는 120℃∼300℃의 범위이다. 여기서, 300℃보다 높은 가열 온도라도, 버퍼층의 성막은 가능하지만, 저온화의 관점에서 실험은 생략하고 있다. 또한, 120℃ 미만의 성막 온도에서는 버퍼층을 성막할 수가 없는 일도 있었다.
도 3은 Zn의 함유량에 대한 Al의 함유량을 변화시켜서, 또한 성막 온도도 변화시켜서, 복수의 버퍼층을 작성하고, 각 버퍼층의 밴드 갭의 값(eV)을 측정한 결과이다.
도 3에 도시하는 바와 같이, Al의 양을 변화시킴에 의해, 용액(4)에서의 Al/(Al+Zn)을 0, 0.1, 0.2, 0.35, 0.5로 변화시키고 있다.
여기서, Al/(Al+Zn)=0.75의 조건으로, 성막 온도를 변화시키고, 버퍼층의 성막도 행하였다. 각 성막 온도에서 버퍼층은 성막되었지만, 각 버퍼층의 밴드 갭의 값은 측정기의 상한 이상이었다. 따라서 도 3에서는 Al/(Al+Zn)=0.75의 조건으로 성막된 버퍼층의 밴드 갭값은 표기하고 있지 않다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 성막 온도는 120℃, 150℃, 200℃, 250℃, 300℃로 변화시켜서, 각 버퍼층의 성막을 행하였다. 또한, Al/(Al+Zn)=0.35의 조건에서 성막 온도 150℃, 200℃, 250℃, 300℃로는 버퍼층의 성막을 행하지 않았다.
도 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 알루미늄의 첨가량을 많게 함에 의해, 성막된 버퍼층의 밴드 갭의 값이 커짐을 알 수 있다. 또한, 도 3의 결과의 범위에서는 알루미늄의 첨가량 및 성막 온도를 변화시킴에 의해, 버퍼층(Zn1-xAlxO막)의 밴드 갭값을 적어도 3.52eV∼4.25eV의 범위에서 변화시킬 수 있다. 즉, 본 발명에 관한 버퍼층은 광범위에 걸쳐서, 밴드 갭의 제어가 가능하다.
도 4는 Zn의 함유량에 대한 Al의 함유량을 변화시켜서, 또한 성막 온도도 변화시켜서, 복수의 버퍼층을 작성하고, 각 버퍼층의 저항률(Ω·㎝)을 측정한 결과이다.
도 4에 도시하는 바와 같이, Al의 양을 변화시킴에 의해, 용액(4)에서의 Al/(Al+Zn)을 0, 0.1, 0.2, 0.35, 0.5, 0.75로 변화시키고 있다.
또한, 도 4에 도시하는 바와 같이, 성막 온도는 120℃, 150℃, 200℃, 250℃, 300℃로 변화시켜서, 각 버퍼층의 성막을 행하였다. 또한, Al/(Al+Zn)=0.35의 조건에서 성막 온도 150℃, 200℃, 250℃, 300℃로는 버퍼층의 성막을 행하지 않았다. 마찬가지로, Al/(Al+Zn)=0.75의 조건에서 성막 온도 120℃로는 버퍼층의 성막을 행하지 않았다.
도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 알루미늄의 첨가량을 많게 함에 의해, 성막된 버퍼층의 저항률이 커짐을 알 수 있다. 또한, 도 4의 결과의 범위에서는 알루미늄의 첨가량 및 성막 온도를 변화시킴에 의해, 버퍼층(Zn1-xAlxO막)의 저항률을 적어도 8.0×10- 1Ω·㎝∼2.2×107Ω·㎝의 범위에서 변화시킬 수 있다. 즉, 본 발명에 관한 버퍼층은 광범위에 걸쳐서, 저항률의 제어가 가능하다.
또한, 도 4에 도시하는 각 저항률의 값으로부터, 본 발명에 관한 버퍼층은 도전체도 아닌 절연체도 아니며, 도전체와 절연체와의 중간의 도전율을 갖는 물질임을 알 수 있다.
도 5는 상기 각 측정을 행한 버퍼층(Zn1-xAlxO막)의 조성비를, 에너지 분산형 X선 분석 장치(EDX 장치)로 검출한 결과이다.
즉, Al/(Al+Zn)이, 0.1, 0.2, 0.35, 0.5, 0.75인 각 용액(4)을 사용하여(즉, 용액(4) 중의 아연의 함유량에 대한 알루미늄의 함유량을 변화시켜서), 각 성막 온도(120℃, 150℃, 200℃, 250℃, 300℃)에서 각 버퍼층(Zn1-xAlxO막)을 성막하였다. 그리고, 각 버퍼층(Zn1-xAlxO막)에 대해, EDX 장치를 이용하여, 조성비(Al/(Al+Zn)EDX)를 측정하였다. 당해 측정 결과가, 도 5의 표에 도시되어 있다.
도 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 용액(4) 중에, 금속 원료인 (혼정이 되는) 아연 및 알루미늄을 함유시키고, 당해 용액(4)을 사용하여 버퍼층을 성막한 때, 성막된 버퍼층 내에는 혼정으로서, 소정량의 알루미늄이 포함되어 있다. 즉, 당해 용액(4)을 사용함에 의해, Zn1-xAlxO막이 성막된다.
또한, 발명자들은 하기한 실험도 행하였다.
즉, 용액(4) 중에, 금속 원료로서, 아연 및 마그네슘을 함유시키고, 당해 용액(4)을 사용하여 막을 성막하였다. 여기서, 성막 온도는 150℃이고, 성막시에는 기판에 대해, 암모니아 및 오존의 공급도 행하였다. 그리고, 성막된 막에 대해, 밴드 갭 및 저항률의 측정을 행하고, 또한 EDX 장치를 이용한 조성비의 측정도 행하였다.
여기서, 용액(4) 중의 아연의 함유량에 대한 마그네슘의 함유량을 다음과 같이 변화시켰다. 즉, Mg/(Mg+Zn)을 0, 0.17, 0.29, 0.375, 0.44, 0.5이다.
각 용액(4)을 사용하여 성막한 각 막에 대해, 밴드 갭 및 저항률을 측정한 결과를, 도 6에 도시한다.
도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 용액(4) 중에서 아연의 함유량에 대해 마그네슘의 함유량을 변화시켜도, 밴드 갭은 거의 변화하지 않았다. 마찬가지로, 용액(4) 중에서 아연의 함유량에 대해 마그네슘의 함유량을 변화시키고도, 저항률의 변화량은 작았다.
또한, 각 막에 대해, EDX 장치를 이용한 조성비의 측정을 행한 결과, 막 내에서 마그네슘이 검출되지 않았다. 이것으로부터, 성막된 막내에는 혼정으로서, 마그네슘이 거의 포함되어 있지 않음을 알 수 있다. 그리고, 막 내에 마그네슘이 거의 포함되지 않은 것이, 도 6의 측정 결과(즉, 용액(4) 중의 마그네슘의 양을 변화시켜도, 성막된 막에서의, 밴드 갭 및 저항률은 크게 변화하지 않는다)의 이유이라고 생각된다.
본 발명의 버퍼층에서는 도 5에 도시하는 바와 같이, 성막된 버퍼층 내에, 혼정으로서 알루미늄이 포함되어 있다. 따라서 도 3, 4에 도시하는 바와 같이, 성막된 버퍼층은 광범위에 걸쳐서, 밴드 갭 및 저항률의 제어가 가능하다.
도 7은 상기 각 측정(도 3, 4)을 행한 버퍼층(Zn1-xAlxO막)의 평균 투과율을 도시하는 표이다.
즉, Al/(Al+Zn)이, 0.1, 0.2, 0.35, 0.5, 0.75인 각 용액(4)을 사용하여(즉, 용액(4) 중의 아연의 함유량에 대한 알루미늄의 함유량을 변화시켜서), 각 성막 온도(120℃, 150℃, 200℃, 250℃, 300℃)로, 각 버퍼층(Zn1-xAlxO막)을 성막하였다. 그리고, 각 버퍼층(Zn1-xAlxO막)에 대해, 소정의 파장의 광(복수의 파장의 광)을 조사함에 의해, 각 투과율을 측정하였다.
여기서, 도 7에는 각 버퍼 막에 대해 400㎚∼1500㎚(개략 가시광 영역)의 파장을 조사하고, 각 투과율을 측정하고, 각 버퍼막에 대해, 상기 파장의 범위에 걸치는 평균의 투과율이 도시되어 있다. 또한, 각 버퍼층의 두께는 500㎚∼700㎚ 정도이다.
또한, 상기한 바와 같이, Al/(Al+Zn)=0.35의 조건에서 성막 온도 150℃, 200℃, 250℃, 300℃로는 버퍼층의 성막을 행하지 않았다. 마찬가지로, Al/(Al+Zn)=0.75의 조건에서 성막 온도 120℃로는 버퍼층의 성막을 행하지 않았다.
도 7의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 각 버퍼층에 있어서, 평균 투과율은 90% 정도 또는 90% 이상이다. 이것은 본 발명에 관한 버퍼층에서는 알루미늄은 혼정으로서 기능하고 있고, 도펀트로서 기능하지 않음을 나타낸다. 즉, 산화아연의 막 내에서 알루미늄이 도펀트로서 함유되어 있는 경우에는 투과율은 저하되지만, 본 발명에 관한 버퍼층에서는 투과율의 저하는 보여지지 않는다.
또한, 도 7에 관한 실험에서는 1500㎚보다도 큰 파장을 버퍼층에 조사하고, 투과율의 측정도 행하였다. 결과, 1500㎚∼1700㎚ 정도의 파장을 조사한 경우에서도, 80%를 초과한 투과율이 유지되어 있다.
본 발명에 관한 버퍼층은 Zn1 - xAlxO막인 것을 기술하였다. 여기서, Al를 포함하지 않는 ZnO막에서는 오프셋 장벽이 작아지고, 버퍼층으로서의 기능을 충분히 다할 수가 없다. 한편, Zn를 포함하지 않는 AlO막에서는 완전한 절연체로 되기 때문에, 마찬가지로, 버퍼층으로서 기능하지 않는다. 따라서, 버퍼층으로서는 막 내에, Al와 Zn가 혼정으로서 포함되어 있는 구성이 중요하다.
본 발명은 상세히 설명되었지만, 상기한 설명은 모든 국면에서 예시이고, 본 발명이 그것으로 한정되는 것이 아니다. 예시되지 않은 무수한 변형례가 본 발명의 범위로부터 벗어나는 일 없이 상정될 수 있는 것으로 이해된다.
1 : 반응 용기
2 : 기판
3 : 가열기
4 : 원료 재료 용액(용액)
5 : 용액 용기
6 : 미스트화기
7 : 오존 발생기
100, 200 : 성막 장치
L1, L2 : 경로

Claims (5)

  1. 광흡수층과 투명 도전막과의 사이에 배치되는 태양전지에 사용되는 버퍼층의 성막 방법으로서,
    (A) 아연 및 알루미늄을 상기 버퍼층의 금속 원료로서 포함하는 용액(4)을 미스트화시키는 공정과,
    (B) 대기압하에 배설되어 있는 기판(2)을 가열하는 공정과,
    (C) 상기 공정(B) 중의 상기 기판에, 상기 공정(A)에서 미스트화된 상기 용액을 분무하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 버퍼층의 성막 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    (D) 상기 공정(B) 중의 상기 기판에, 오존을 공급하는 공정을 또한 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 버퍼층의 성막 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 용액에는 암모니아가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 버퍼층의 성막 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 용액에는
    아연 및 알루미늄을 갖는 금속 화합물이 포함되어 있고,
    상기 금속 화합물은 β-디케톤 화합물인 것을 특징으로 하는 버퍼층의 성막 방법.
  5. 삭제
KR1020167021837A 2014-05-22 2014-05-22 버퍼층의 성막 방법 및 버퍼층 KR101838834B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/063544 WO2015177899A1 (ja) 2014-05-22 2014-05-22 バッファ層の成膜方法およびバッファ層

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160108451A KR20160108451A (ko) 2016-09-19
KR101838834B1 true KR101838834B1 (ko) 2018-03-14

Family

ID=54553595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167021837A KR101838834B1 (ko) 2014-05-22 2014-05-22 버퍼층의 성막 방법 및 버퍼층

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11075318B2 (ko)
JP (1) JP6174251B2 (ko)
KR (1) KR101838834B1 (ko)
CN (1) CN106062971B (ko)
DE (1) DE112014006695T5 (ko)
TW (1) TWI550892B (ko)
WO (1) WO2015177899A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108511805B (zh) * 2018-03-23 2020-07-07 清陶（昆山）能源发展有限公司 一种固态电池用pmma基缓冲层及其制备方法以及应用
WO2023234136A1 (ja) * 2022-06-03 2023-12-07 東洋紡株式会社 光電変換素子の機能層の製造方法および光電変換素子の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011159731A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Fujifilm Corp 光電変換素子の製造方法
JP5583060B2 (ja) 2011-03-09 2014-09-03 大阪瓦斯株式会社 量産に適した方法で製造可能な亜鉛含有光電変換素子
JP5641981B2 (ja) 2010-03-02 2014-12-17 大阪瓦斯株式会社 量産に適した方法で製造可能な光電変換素子

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3249342B2 (ja) 1995-05-29 2002-01-21 昭和シェル石油株式会社 ヘテロ接合薄膜太陽電池及びその製造方法
US5889295A (en) * 1996-02-26 1999-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JP3595097B2 (ja) * 1996-02-26 2004-12-02 株式会社東芝 半導体装置
JP2000044238A (ja) * 1998-07-22 2000-02-15 Matsushita Battery Industrial Co Ltd 二酸化錫膜の製造方法および太陽電池
US6232510B1 (en) * 1999-02-26 2001-05-15 General Electric Company Method and composition for hydroxylation of aromatic substrates
US6259016B1 (en) 1999-03-05 2001-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solar cell
JP3837114B2 (ja) * 1999-03-05 2006-10-25 松下電器産業株式会社 太陽電池
DE10022037A1 (de) * 2000-05-05 2001-11-08 Bayer Ag IR-absorbierende Zusammensetzungen
US7091412B2 (en) * 2002-03-04 2006-08-15 Nanoset, Llc Magnetically shielded assembly
JP3966732B2 (ja) * 2002-02-01 2007-08-29 ザ ウエステイム コーポレイション Ｅｌ素子およびその製造方法
JP4841173B2 (ja) 2005-05-27 2011-12-21 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層連続製膜方法及び製膜装置
CN101790795A (zh) * 2007-09-19 2010-07-28 株式会社爱发科 太阳能电池的制造方法
TW201027779A (en) 2008-11-19 2010-07-16 First Solar Inc Photovoltaic devices including heterojunctions
WO2011084775A1 (en) 2009-12-21 2011-07-14 First Solar, Inc. Photovoltaic device with buffer layer
CN102110737B (zh) * 2009-12-29 2015-01-14 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层的制备方法
CN101980366B (zh) * 2010-09-27 2012-10-17 深圳丹邦投资集团有限公司 一种柔性薄膜太阳能电池缓冲层及其制备方法
JP2012114424A (ja) * 2010-11-02 2012-06-14 Susumu Yoshikawa 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP5823141B2 (ja) * 2011-03-09 2015-11-25 株式会社Adeka 酸化亜鉛系膜の製造方法
CN102237451B (zh) * 2011-07-07 2012-12-12 南开大学 一种改善ZnO薄膜形貌和电学特性的方法
JP2013026415A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Panasonic Corp 化合物薄膜及び太陽電池
JP2013149697A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Fujifilm Corp 集積化太陽電池の製造方法
CN102544237A (zh) 2012-02-29 2012-07-04 广东工业大学 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法
US20130309613A1 (en) * 2012-05-16 2013-11-21 Corning Incorporated Liquid Based Films
JP6136161B2 (ja) * 2012-09-21 2017-05-31 ヤマハ株式会社 発熱機器収納装置
JP2014063873A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Sharp Corp 化合物薄膜太陽電池およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011159731A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Fujifilm Corp 光電変換素子の製造方法
JP5641981B2 (ja) 2010-03-02 2014-12-17 大阪瓦斯株式会社 量産に適した方法で製造可能な光電変換素子
JP5583060B2 (ja) 2011-03-09 2014-09-03 大阪瓦斯株式会社 量産に適した方法で製造可能な亜鉛含有光電変換素子

Also Published As

Publication number Publication date
TW201545365A (zh) 2015-12-01
US11075318B2 (en) 2021-07-27
WO2015177899A1 (ja) 2015-11-26
DE112014006695T5 (de) 2017-02-16
CN106062971B (zh) 2017-10-03
JP6174251B2 (ja) 2017-08-02
JPWO2015177899A1 (ja) 2017-04-20
CN106062971A (zh) 2016-10-26
TWI550892B (zh) 2016-09-21
KR20160108451A (ko) 2016-09-19
US20170047472A1 (en) 2017-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Benhaoua et al. Effect of fluorine doping on the structural, optical and electrical properties of SnO2 thin films prepared by spray ultrasonic
Benramache et al. Influence of growth time on crystalline structure, conductivity and optical properties of ZnO thin films
Benramache et al. Preparation of transparent, conductive ZnO: Co and ZnO: In thin films by ultrasonic spray method
Benhaoua et al. The structural, optical and electrical properties of nanocrystalline ZnO: Al thin films
Alver et al. Synthesis and characterization of spray pyrolysis Zinc Oxide microrods
Gahtar et al. A comparative study on structural and optical properties of ZnO and Al-doped ZnO thin films obtained by ultrasonic spray method using different solvents
Cheng et al. Preparation of SnS films using solid sources deposited by the PECVD method with controllable film characters
Benramache et al. A comparative study on the nanocrystalline ZnO thin films prepared by ultrasonic spray and sol⿿ gel method
Aoun et al. Effect of annealing temperature on structural, optical and electrical properties of zinc oxide (ZnO) thin films deposited by spray pyrolysis technique
Ravichandran et al. Enhancing the electrical parameters of ZnO films deposited using a low-cost chemical spray technique through Ta doping
Yıldırım The effect of copper concentration on structural, optical and dielectric properties of CuxZn1− xS thin films
Yu et al. Transparent conducting yttrium-doped ZnO thin films deposited by sol–gel method
Zeyada et al. Effect of substitution group variation on the optical functions of-5-sulfono-7-(4-x phenyl azo)-8-hydroxy quinoline thin films
Adnane et al. Beneficial effects of hydrogen peroxide on growth, structural and electrical properties of sprayed fluorine-doped SnO2 films
Kul et al. Effects of fluorine doping on the structural properties of the CdO films deposited by ultrasonic spray pyrolysis
Salameh et al. Physicochemistry of point defects in fluorine doped zinc tin oxide thin films
Tuzemen et al. Structural and electrical properties of nitrogen-doped ZnO thin films
KR101838834B1 (ko) 버퍼층의 성막 방법 및 버퍼층
Aoun et al. Structural, optical and electrical properties of zinc oxide thin films deposited by a spray pyrolysis technique
Kul et al. Electrical and optical properties of fluorine-doped CdO films deposited by ultrasonic spray pyrolysis
Rezaie et al. Quality enhancement of AZO thin films at various thicknesses by introducing ITO buffer layer
Garnier et al. A comparison of different spray chemical vapour deposition methods for the production of undoped ZnO thin films
Bouaichi et al. The synthesis and characterization of sprayed ZnO thin films: As a function of solution molarity
Jeon et al. Growth behaviors and film properties of zinc oxide grown by atmospheric mist chemical vapor deposition
Chou et al. Effect of main gas and carrier gas on ZnO thin films deposited by atmospheric pressure plasma jet

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant