JP6136161B2 - 発熱機器収納装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ペルチェモジュール及び発熱機器収納装置に関する。
対向する2枚の基板の対向面に電極を形成し、この電極にP型半導体及びN型半導体を交互に電気的接続したペルチェモジュールは、P型半導体及びN型半導体に電流を流すことでペルチェ効果を発現し、一方の基板から他方の基板に熱を移動させることができる。このペルチェモジュールは、小型でありかつ温度制御が容易なため、レーザ素子等の発熱機器の冷却装置に用いられている。
この冷却装置は、パッケージに格納されたペルチェモジュールの冷却側基板に発熱機器を配設し、この発熱機器及びペルチェモジュールに電流を供給することで、発熱機器を冷却(温調)しながら発熱機器を機能させる装置である。ペルチェモジュール及び発熱機器への電流供給は、パッケージに設けられた電流供給用部材とペルチェモジュール及び発熱機器の電流入力用電極とをリード線を介して接続することで行われる。このリード線が長いとジュール熱は増大するため、前記電流入力用電極とパッケージの電流供給用部材との距離が小さくなるように工夫したレーザ発振用の冷却装置(特開平11−54806号公報参照)が開発されている。
しかし、前記従来の冷却装置は、下側の放熱基板とパッケージとの接合面積が小さく、パッケージを通じての放熱量が小さくなるため、冷却効果が十分発揮されないおそれがある。
特開平11−54806号公報
本発明は、前述のような事情に基づいてなされたものであり、収納時にパッケージを通した放熱性を増大でき、かつ電流供給用のリード線長さを低減できるペルチェモジュールの提供を目的とする。
前記課題を解決するためになされた発明は、
対向配設される下基板及び上基板と、この下基板及び上基板間に架設される複数の半導体素子と、前記上基板及び下基板上に形成され複数の半導体素子を電気的に直列接続する複数の配線と、直列接続された前記複数の半導体素子に対して外部から電流を入力する一対の電極とを備えるペルチェモジュールであって、
前記上基板が、第1端辺と、この第1端辺の両端に略垂直に接続される第2端辺及び第3端辺とを有し、
前記下基板が、前記第1端辺と対応する第4端辺と、この第4端辺の両端に略垂直に接続される第5端辺及び第6端辺とを有し、
上面視で、前記第1端辺、第2端辺及び第3端辺が、それぞれ前記第4端辺、第5端辺及び第6端辺より内側に位置し、
上面視で、前記第1端辺の延長線、前記第2端辺及び前記第5端辺で囲まれる領域、又は前記第1端辺の延長線、前記第3端辺及び前記第6端辺で囲まれる領域に前記一対の電極が配置されることを特徴とする。
当該ペルチェモジュールにおいては、上基板の第1端辺が上面視で下基板の対応する第4端辺よりも内側にあるため、上基板をパッケージの内壁に接触させることなく、下基板の下面をパッケージ内の格納空間の底面に固定しつつ、上面視で第4端辺と同じ位置にある下基板の端面を前記内壁に当接させて固定できる。これにより、当該ペルチェモジュールは、高い放熱性を発揮できる。さらに当該ペルチェモジュールは、上面視で第4端辺と同じ位置にある下基板の端面をパッケージの内壁へ当接させることで、当該ペルチェモジュールのパッケージ内への設置時における位置決めを容易に行うことができるとともに、上基板がパッケージに接触して当該ペルチェモジュールが損傷することを防止できるため、作業性が向上される。
また、当該ペルチェモジュールは、下基板の下面等に配設した接合用の半田や接着剤等が下基板とパッケージの内壁との間から漏れ出しても、下基板上面のうち第1端辺の延長線、第2端辺及び第5端辺で囲まれる領域、又は第1端辺の延長線、第3端辺及び第6端辺で囲まれる領域に電流入力用電極が配置されることで、半田や接着剤等が電流入力用電極に到達しにくいため、接合時の不良発生を抑止することができる。
前記一対の電極が、上面視で、前記第1端辺の延長線に隣接する位置に付設されているとよい。このように、電流入力用電極を上面視で第1端辺の延長線に隣接する位置に付設することで、電流入力用電極を第4端辺に近接させつつ、上面視で第1端辺と第4端辺とに挟まれる領域の幅を最小限に抑え、上基板の上面に配設される発熱機器とパッケージの内壁との距離を短縮することができる。その結果、内壁近傍に電流供給用部材を設けたパッケージと組み合わせることで、当該ペルチェモジュールは、電流入力用電極及び上基板の上面側に配設される発熱機器と電流供給用部材との距離を短縮し、リード線でのジュール損失を低減できる。
前記一対の電極が、上面視で、前記第2端辺及び第3端辺の外側に離間して位置するとよい。このように電流入力用電極を付設することで、一対の電流入力電極それぞれと電流供給用部材との距離を短縮できる。
前記下基板上面の第4端辺近傍に凸条又は凹溝を有しているとよい。このような凸条又は凹溝を配設することで、当該ペルチェモジュールをパッケージに接合させた際に、下基板の端面とパッケージとの間から漏れ出た接合用の半田や接着剤等の下基板中央側への侵入を阻止し、電極の短絡や汚染を防止できる。
また、前記課題を解決するためになされた他の発明は、
パッケージと、
このパッケージ内に配設される当該ペルチェモジュールと、
パッケージ内に配設される電流供給用部材と
を備え、
前記ペルチェモジュールが、その下基板の第4端辺をパッケージの電流供給用部材側内壁に当接するよう配設されている発熱機器収納装置である。
当該発熱機器収納装置においては、パッケージの内壁に下基板の下面及び第4端辺を含む端面が当接するように当該ペルチェモジュールが配設されるため、ペルチェモジュールの放熱性に優れるとともに、電流供給用部材とペルチェモジュールとの距離及び電流供給用部材とペルチェモジュール上に配設される発熱機器との距離の短縮によりジュール損失を低減できる。
以上説明したように、本発明のペルチェモジュールは、収納時にパッケージを通した放熱性を増大でき、かつ電流供給用のリード線長さを低減できる。従って、当該ペルチェモジュールによれば、冷却効果及びジュール損失低減効果を向上させることができる。
本発明の第一実施形態に係るペルチェモジュールの模式的側面図(a)、模式的平面図(b)、下基板上面の模式的平面図(c)及び上基板下面の模式的平面図(d) 本発明の第二実施形態に係るペルチェモジュールの模式的側面図(a)、模式的平面図(b)、下基板上面の模式的平面図(c)及び上基板下面の模式的平面図(d) 本発明の第一実施形態に係る発熱機器収納装置の模式的断面図(a)及び模式的平面図(b)
[ペルチェモジュール]
以下、適宜図面を参照しつつ本発明のペルチェモジュールの実施の形態を詳説する。
<第一実施形態>
図1のペルチェモジュール1は、上基板2、下基板3、複数の配線電極4、複数のP型半導体5a、複数のN型半導体5b及び一対の電流入力用電極6を備える。以下、このペルチェモジュール1の構造を具体的に説明する。なお、図1(a)において、紙面上下方向をZ軸方向と呼び、このZ軸に直行する左右方向をX軸方向と呼ぶ。また、図1(b)〜(d)において、紙面上下方向をY軸方向と呼び、このY軸に直行する左右方向をX軸方向と呼ぶ。図1(a)のX軸方向と図1(b)〜(d)のX軸方向とは、同一方向である。
上基板2及び下基板3は、平面視長方形状の板状体であり、互いに対向して略平行に配設され、対向する面に配線電極4が付設されている。配線電極4は、図1(c)及び(d)に示すように、長方形状に形成された膜体状の配線であり、各基板上の重心を中心にY方向に対称なパターンに形成されている。上基板2に形成される配線電極4及び下基板3に形成される配線電極4は、直方体状に形成され、上基板2及び下基板3間に架設されるP型半導体5a及びN型半導体5bを交互に直列接続する。1つの配線電極4には、P型半導体5aとN型半導体5bとが1つずつ接続されている。電流入力用電極6は、外部電源から電流を供給する外部導線と接続される電極であり、下基板3上面に付設されている。一対の電流入力用電極6は、一方にはP型半導体5aのみ、他方にはN型半導体5bのみが接続され、ペルチェモジュール1の端子(プラス極及びマイナス極)を形成している。外部電源とこの電流入力用電極6とを接続して、ペルチェモジュール1に一定の向きで電流を流すと、ペルチェ効果により上基板2から下基板3へ熱が移動し、上基板2が冷却される。
下基板3は、上基板対向領域3a、内壁当接領域3b及び一対の電流入力用電極付設領域3cを有している。上基板対向領域3aは、上基板2と対向し、上基板2と略同形状を有する。前記配線電極4はこの上基板対向領域3a上に形成されている。
上基板2のパッケージの内壁に近接する第1端辺S1は、下基板3の対応する第4端辺S4(下基板3の内壁当接領域3b側の辺)よりも上面視で内方に位置し、かつ第4端辺S4よりも短い。内壁当接領域3bは、方形状部で、上基板2の第1端辺S1及びその延長線と下基板3の第4端辺S4とで囲まれる領域であり、図1(b)に示すようにパッケージに近接する方向に上基板2よりも突出する(上基板2と重ならない)領域である。電流入力用電極付設領域3cの一方は、前記第1端辺S1の一方の端に略垂直に接続される第2端辺S2と、前記第4端辺S4の一方の端に略垂直に接続される第5端辺S5と、第1端辺S1の延長線とに囲まれる方形状の領域である。また、電流入力用電極付設領域3cの他方は、前記第1端辺S1の他方の端に略垂直に接続される第3端辺S3と、前記第4端辺S4の他方の端に略垂直に接続される第6端辺S6と、第1端辺S1の延長線とに囲まれる方形状の領域である。つまり、電流入力用電極付設領域3cは、上面視で図1(b)に示すように内壁当接領域3bの突出方向と垂直な方向に上基板2よりも突出する領域である。それぞれの電流入力用電極付設領域3cには電流入力用電極6が一つずつ付設されている。内壁当接領域3b及び電流入力用電極付設領域3cは上基板2と対向しないため、これらには配線電極4は形成されない。
上基板2のサイズとしては特に限定されず、例えば厚み(Z軸方向)が150μm以上500mm以下、幅(X軸方向)が1mm以上5mm以下、長さ(Y軸方向)が1mm以上5mm以下とすることができる。
下基板3のサイズも同様に特に限定されないが、内壁当接領域3b及び電流入力用電極付設領域3cを有するため、上基板2よりも大きい平面積を有し、例えば厚みが150μm以上500μm以下、幅が1.4mm以上7mm以下、長さが1.1mm以上6mm以下とすることができる。
内壁当接領域3bの幅(X軸方向)としては特に限定されないが、0.1mm以上1.0mm以下とすることが好ましい。内壁当接領域3bの幅が前記下限未満の場合、パッケージ内に当該ペルチェモジュール1を配置する際に、上基板2が内壁に当接してペルチェモジュール1の冷却効果が低下するおそれがあるほか、前記配置作業時に下基板3の上方からの視認性が低下し、当該ペルチェモジュール1の配置の作業性が低下するおそれがある。逆に、内壁当接領域3bの幅が前記上限を超える場合、上基板2がパッケージの内壁から離れるため、上基板2の上面側に配設されるレーザ素子等の発熱機器と電流供給基板との距離が大きくなってしまうおそれがある。
電流入力用電極付設領域3cの幅(Y軸方向)も特に限定されないが、0.2mm以上1mm以下とすることが好ましい。電流入力用電極付設領域3cの幅が前記下限未満の場合、電流入力用電極6を付設するスペースが確保できないおそれがある。逆に、電流入力用電極付設領域3cの幅が前記上限を超える場合、下基板3が必要以上に大きくなるため、コストの上昇等が生じるおそれがある。
上基板2と下基板3との距離(対向面間距離)は特に限定されず、例えば300μm以上2000μm以下とすることができる。
上基板2及び下基板3の材質としては、電気的絶縁性を有するものであれば特に限定されないが、熱伝導性の高いセラミックを用いることが好ましい。このようなセラミックとしては、例えばアルミナ、窒化アルミナ、炭化珪素等を挙げることができる。
配線電極4の材質としては、電気伝導性を有するものであれば特に限定されず、例えば白金、アルミニウム、ニッケル、タングステン、鉄、金、銀、銅、パラジウム、クロム、あるいはこれらの合金等を挙げることができるが、安価で電気伝導性に優れる銅が好ましい。また、半田作業をしやすくするために、銅製の配線電極の上にはニッケルや金がメッキされることが好ましい。
P型半導体5a及びN型半導体5bは、公知の半導体を用いることができ、例えば、BiTe系の半導体素子を用いることができる。
配線電極4及び各半導体の個数は、発熱機器の発熱量等にあわせて適宜設計することができる。配線電極4は、例えば、メッキ法、ダイレクトボンディング法、ロウ付け法等によって形成することができる。また、配線電極4及び半導体の接続は特に限定されないが、例えば半田付けによって接続することができる。
電流入力用電極6は、膜電極6aと柱状端子6bとから構成されている。下基板3は、プラス極側及びマイナス極側の膜電極6aを1つずつ有する。膜電極6aは、電流入力用電極付設領域3c上に配設され、さらに内壁当接領域3bに最も近接する配線電極4を通り、Y軸方向と平行な直線上に配設されている。つまり、2つの膜電極6aは、下基板3上で、複数の配線電極4をY軸方向に挟む形で対象に配設されている。膜電極6aにはP型半導体5a又はN型半導体5bのどちらか一方と、柱状端子6bとが接続される。膜電極6aは、配線電極4と同じ方法で形成することができる。膜電極6aの材質としては特に限定されないが、配線電極4と同時に形成可能なように配線電極4と同じ材質を用いることが好ましい。
なお、内壁当接領域3bとパッケージの内壁との間から漏れ出た接合用の半田や接着剤等による電極の汚染又は短絡を防ぐために、膜電極6aは、内壁当接領域3bよりも内側に付設することが好ましく、同時にパッケージの電流供給用部材との距離を小さくできるように、第1端辺S1の延長線に隣接する位置に付設することがさらに好ましい。
柱状端子6bは、外部電源から電流を供給するリード線を接続する部位であり、柱状体の電気伝導性を有する部材で形成されている。柱状端子6bは、例えば金属製の円柱又は角柱の芯材にニッケルや金等の導電性材料を例えばメッキにより被覆することで形成される。この芯材に用いる金属としては、膜電極6aと同様のものを用いることができ、電気伝導性及び加工性に優れる銅、ニッケル、真鍮が好ましい。
電流入力用電極6として、前述のような膜電極6aと柱状端子6bとから構成されるいわゆるポスト電極を用いることで、電流入力用電極6とパッケージ内の電流供給用部材との電気接続を容易かつ確実にすることができる。また、かかる手段によれば、端子の上面を高くでき、電流入力用電極6の位置によるリード線長さ低減効果とあいまって、さらにリード線長さを低減できる。
当該ペルチェモジュール1は、パッケージの内壁に上基板2を接触させることなく、下基板3の下面をパッケージ内の格納空間の底面に固定しつつ、上面視で第4端辺と同じ位置にある内壁当接領域3bの端面をパッケージの内壁に当接させて固定することができる。そのため、当該ペルチェモジュール1は、高い放熱性を発揮することができるとともに、パッケージ内への配置作業を容易かつ確実に行うことができる。また、下基板3の下面等に配設した接合用の半田や接着剤等が内壁当接領域3bとパッケージの内壁との間から漏れ出しても、内壁当接領域3bを有するため、半田や接着剤等が配線電極4及び電流入力用電極6に到達しにくい。
さらに、当該ペルチェモジュール1は、電流入力用電極付設領域3cに電流入力用電極6を付設しているため、内壁当接領域3bの幅(X軸方向長さ)を最小限に抑えて、上基板2の上面に配設される素子とパッケージの内壁との距離を短縮することができる。また、電流入力用電極付設領域3cにポスト電極型の電流入力用電極6を付設しているため、電流入力用電極6とパッケージが有する電流供給用部材との距離を小さくしつつ、電流入力用電極6への配線作業を容易に行うことができる。
<第二実施形態>
図2のペルチェモジュール21は、上基板2、下基板3、複数の配線電極4、複数のP型半導体5a、複数のN型半導体5b、2つの電流入力用電極6及び凸条7を有する。凸条7以外は、前記第一実施形態のペルチェモジュール1と同様であるため、同一番号を付して説明を省略する。なお、図2におけるX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の定義は図1と同様である。
凸条7は、下基板3の対向面側で内壁当接領域3bのY軸方向の端近辺にこの端と平行に形成された膜体である。パッケージに当該ペルチェモジュール21を接合する時に、内壁当接領域3bの端面とパッケージの内壁との間から接合用の半田や接着剤等が漏れ出た場合、これらは段差的に設けられた凸条7上で滞留し凝固する。この凸条7は、確実な侵入阻止を図る観点から、内壁当接領域3b上に形成されていることが好ましい。
凸条7のサイズとしては、半田や接着剤等の下基板3中央部への侵入を阻止できれば特に限定されず、例えば高さ(Z軸方向長さ)を1μm以上100μm以下、幅(X方向長さ)を0.05mm以上0.9mm以下とすることができる。
凸条7の材質としては特に限定されないが、配線電極4及び電流入力用電極6の膜電極6aと同じ材質を用いることが好ましい。凸条7の材質をこれらの電極と同じものとすることで、前記電極と凸条7とを同時にパターン形成することができるため、製造工程を簡略化することができる。
当該ペルチェモジュール21は、パッケージへの接合時において、下基板3の下面等に配設した接合用の半田や接着剤等が内壁当接領域3bの端面とパッケージの内壁との間から漏れ出しても、凸条7によって半田や接着剤等の侵入による配線電極4及び電流入力用電極6の短絡や汚染を防止することができる。
なお、前記凸条7は、前述したような膜体に限定されるものではなく、壁状の突起体とすることもできる。また、凸条の代わりに凹溝を設けてもよい。凹溝を設けた場合、半田や接着剤等を落とし込むことで接合材の侵入を阻止することができる。
<その他の実施形態>
本発明のペルチェモジュールは前記実施形態に限定されるものではない。例えば、一対の電流入力用電極を片側の電流入力用電極付設領域に固めて配置してもよい。
また、本発明において電流入力用電極は柱状型(ポスト電極型)に限定されず、膜電極のみ(パッド電極型)を用いてもよい。
[発熱機器収納装置]
次に、適宜図面を参照しつつ本発明の発熱機器収納装置の実施の形態を詳説する。
<第一実施形態>
図3の発熱機器収納装置100は、パッケージ8、このパッケージ8の格納空間に格納された図1のペルチェモジュール1及びパッケージ8に付設された電流供給用部材11と、ペルチェモジュール1の上面側にキャリア10を介して配設される発熱機器であるレーザ素子9a及び受光素子9bと、レーザ出力用の出力窓12とを備える。以下、この発熱機器収納装置100の構造を具体的に説明する。なお、図3におけるX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の定義は図1と同様である。
パッケージ8は、ペルチェモジュール1を格納する直方体状の格納空間を有する。また、格納空間を構成する内壁の一つである電流供給用部材側内壁8aにペルチェモジュール1、レーザ素子9a及び受光素子9bに電流を供給する電流供給用部材11を有し、この電流供給用部材側内壁8aと対向する内壁にレーザ光を透過させる出力窓12を有する。電流供給用部材側内壁8aは、下側の厚肉部分と上側の薄肉部分とを有する。電流供給用部材11は、下面の一部がこの厚肉部の上面に接合され、残り一部が薄肉部分を貫通してパッケージ8の外部に突出するように配設されている。なお、当該発熱機器収納装置100は、パッケージ8を上部から被覆し、内部を密閉するキャップ(図示せず)を装着した状態で使用される。
ペルチェモジュール1は、パッケージ8内の格納空間の底面上に、下基板3が有する内壁当接領域3bの端面が電流供給用部材側内壁8aに当接するように配設される。ペルチェモジュール1は、半田や接着剤等を用いてパッケージ8と接合することができる。接着剤を用いて接合する場合は、熱伝導性の高い銀フィラー配合接着剤を用いることが好ましい。下基板3の下面に配設した半田又は接着剤は、内壁当接領域3bの端面と電流供給用部材側内壁8aとの間に流動するため、両者を確実に接合することができる。なお、ペルチェモジュール1の下基板3の下面に銅メッキ等によるメタライズ層を形成することで、ペルチェモジュール1をより容易にパッケージ8に半田接合できる。
ペルチェモジュール1の2つの電流入力用電極6は、電流供給用部材11の内部電極パッド11aにそれぞれリード線13を介して電気接続されている。
レーザ素子9aは、レーザダイオードとも呼ばれ、レーザ発振を行う素子である。受光素子9bは、フォトダイオードとも呼ばれ、レーザ素子9aの出力を検出する素子である。これらの素子は、通常の半導体レーザ装置に用いられる公知の素子を用いることができる。
レーザ素子9a及び受光素子9bは、レーザ素子9aから発振されるレーザ光が出力窓12及び受光素子9bに受光されるように図3(b)に示すようにX軸方向に並列してキャリア10の上面に固定されている。なお、これらの素子以外に、例えばキャリア10の温度を計測するサーミスタ等をキャリア10上に配設してもよい。前記各素子の有するプラス側端子及びマイナス側端子は、電流供給用部材11の内部電極パッド11aにそれぞれリード線13を介して電気接続されている。
キャリア10は、レーザ素子9a及び受光素子9bを載置する板状体である。キャリア10は、ペルチェモジュール1の上基板2の上面に接合され、レーザ素子9a及び受光素子9bが発生する熱をペルチェモジュール1に伝達する。キャリア10の材質としては熱伝導性が高いものが好ましく、例えば銅合金、銅タングステン、アルミナ、窒化アルミニウム等を挙げることができる。キャリア10は、半田や前記高熱伝導性接着剤等によってペルチェモジュール1に接合することができる。なお、ペルチェモジュール1の上基板2の上面に銅メッキ等によるメタライズ層を形成することで、半田付けを用いてキャリア10とペルチェモジュール1とをより容易に接合できる。
電流供給用部材11は、平面視長方形状の板状体であり、前述のように電流供給用部材側内壁8aを貫通して配設され、パッケージ8の内部(電流供給用部材側内壁8aの上方)に位置する上面に複数の内部電極パッド11aを有し、パッケージ8の外部に位置する上面に内部電極パッド11aと同数の外部電極パッド11bを有する。1つの内部電極パッド11aは対応する1つの外部電極パッド11bと電流供給用部材11内部で導通されている。外部電極パッド11bに外部電源の端子を接続することで内部電極パッド11aを介してパッケージ8内部に電流を供給することができる。
電流供給用部材11の材質としては、電気的絶縁性を有するものであれば特に限定されないが、熱伝導性の高いアルミナ、窒化アルミナ、炭化珪素等のセラミックを用いることが好ましい。また、内部電極パッド11a及び外部電極パッド11bの材質としては、電気伝導性を有するものであれば特に限定されないが、加工性が高く電気伝導性に優れる銅が好ましい。
出力窓12は、透明なガラスから形成されており、レーザ素子9aから発振されるレーザ光を透過させて出力する。出力窓12は、レーザ素子9aから発振されるレーザ光が受光できる高さ(Z軸方向位置)に取り付けられている。なお、出力窓12はレンズ機能を有していてもよい。
リード線13の材質としては特に限定されず、例えば金ワイヤー等を用いることができる。また、ペルチェモジュール1、レーザ素子9a、受光素子9b及び内部電極パッド11aとリード線13との接続方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。具体的には、例えばワイヤボンディング等を挙げることができる。
当該発熱機器収納装置100は、パッケージ8内の格納空間の底面に下基板3の下面が接合され、電流供給用部材側内壁8aに内壁当接領域3bの端面が当接するようにペルチェモジュール1が配設されているため、ペルチェモジュール1の固定強度及び放熱性に優れるとともに、電流供給用部材11とペルチェモジュール1、レーザ素子9a及び受光素子9bとの電気接続距離を短くしてジュール損失を低減することができる。
<その他の実施形態>
本発明の発熱機器収納装置は前記実施形態に限定されるものではない。前記実施形態では、電流供給用部材側内壁と対向する内壁に出力窓を設けたが、電流供給用部材側内壁と隣接する内壁に出力窓を設けてもよい。この場合、レーザ素子9a及び受光素子9bは、レーザ光を受光素子9bが受光できるようにY軸方向に並んで配設される。
また、ペルチェモジュールで冷却される発熱機器は、前記レーザ素子及び受光素子に限定されるものではなく、種々の電気素子を用いることができる。
以上説明したように、本発明のペルチェモジュールは、パッケージを通した放熱性を増大でき、かつ電流供給用のリード線の長さを低減することが可能である。そのため、当該ペルチェモジュールを用いることで高品質の発熱機器収納装置を容易かつ確実に得ることができる。
1、21 ペルチェモジュール
2 上基板
3 下基板
3a 上基板対向領域
3b 内壁当接領域
3c 電流入力用電極付設領域
4 配線電極
5a P型半導体
5b N型半導体
6 電流入力用電極
6a 膜電極
6b 柱状端子
7 凸条
8 パッケージ
8a 電流供給用部材側内壁
9a レーザ素子
9b 受光素子
10 キャリア
11 電流供給用部材
11a 内部電極パッド
11b 外部電極パッド
12 出力窓
13 リード線
100 発熱機器収納装置

Claims (4)

  1. 格納空間を有するパッケージと、
    このパッケージ内において下基板の下面が前記格納空間の底面に固定されるペルチェモジュールと、
    前記パッケージ内に配設され、前記ペルチェモジュールに電流を供給する電流供給用部材と
    を備え、
    前記電流供給用部材がパッケージ内上方に位置し、
    前記ペルチェモジュールが、対向配設される前記下基板及び上基板と、この下基板及び上基板間に架設される複数の半導体素子と、前記上基板及び下基板上に形成され複数の半導体素子を電気的に直列接続する複数の配線と、前記下基板上面に付設され、直列接続された前記複数の半導体素子に対して外部から電流を入力する一対の電極とを備え、
    前記上基板が、第1端辺と、この第1端辺の両端に略垂直に接続される第2端辺及び第3端辺とを有し、
    前記下基板が、前記第1端辺と対応する第4端辺と、この第4端辺の両端に略垂直に接続される第5端辺及び第6端辺とを有し、
    上面視で、前記第1端辺、第2端辺及び第3端辺が、それぞれ前記第4端辺、第5端辺及び第6端辺より内側に位置し、
    上面視で、前記第1端辺の延長線、前記第2端辺及び前記第5端辺で囲まれる領域、又は前記第1端辺の延長線、前記第3端辺及び前記第6端辺で囲まれる領域に前記一対の電極が配置され、
    前記一対の電極が柱状端子を有し、
    前記ペルチェモジュールが、その下基板の第4端辺をパッケージの電流供給用部材側内壁に当接するよう配設される発熱機器収納装置。
  2. 前記一対の電極が、上面視で、前記第1端辺の延長線に隣接する位置に付設されている請求項1に記載の発熱機器収納装置
  3. 前記一対の電極が、上面視で、前記第2端辺及び第3端辺の外側に離間して位置する請求項1又は請求項2に記載の発熱機器収納装置
  4. 前記下基板上面の第4端辺近傍に凸条又は凹溝を有している請求項1、請求項2又は請求項3に記載の発熱機器収納装置
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