JP2004303750A - 熱電装置用パッケージおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の熱電装置用パッケージ10は、半導体レーザ14などの半導体素子を載置、固定して半導体素子を冷却する熱電モジュール13と、熱電モジュール13を載置、固定する絶縁基板12と、絶縁基板12を固定、保持する基台11とを備えるとともに、絶縁基板12が基台11上に垂直に保持されるようにしている。これにより、半導体レーザ14などの半導体素子から発生された熱は熱電モジュール13により効率よく冷却され、かつ絶縁基板12から基台11を通して外部に排熱されることとなる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信装置などに使用される高出力の半導体素子(例えば、半導体レーザ)と、この半導体素子を冷却する熱電モジュールを保持する熱電装置用パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、波長を多重化して送信する方式(WDM)の開発、実用化が進んでいる。この方式では、複数の波長の光が1つの光ファイバ内に存在するため、1つの光源の波長を±0.1nmにおさえる必要がある。このような光通信のレーザ光源としては半導体レーザが用いられ、この半導体レーザとレンズ等をパッケージ内に一体的に収容して半導体レーザモジュールを構成し、この半導体レーザモジュールを光ファイバに結合するようになされている。
【0003】
このような半導体レーザモジュールにおいては、半導体レーザはその雰囲気温度が変化すると波長が変化するため、光ファイバと結合する半導体レーザモジュールの構成体内に、多数のペルチェ素子を搭載した電子クーラー(TEC:Thermo Electric Cooler)と呼ばれる熱電モジュールを備えて、半導体レーザの温度を制御している。このような半導体レーザーモジュールにおいては、例えば、特許文献1(特開平7−131106号公報)に示されるようなステムを用いたパッケージが知られている。
【0004】
ところで、特開平7−131106号公報にて提案されたステムを用いたパッケージにおいては、半導体レーザを保持する固定具をステムに取り付け、このステムに金属部材が接合され、この金属部材に電子冷却素子の冷却面が接合されるようになされている。これにより、半導体レーザにて発生した熱は固定具からステムを介して半導体レーザに流れるようになる。そして、パッケージのキャップの円板状の面に、光学系を収容したホルダが固定され、半導体レーザから射出された光が光ファイバに光学結合するようになされている。
【特許文献1】
特開平7−131106号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述の特開平7−131106号公報に提案された光半導体モジュールにおいては、半導体レーザは固定具、ステムおよび金属部材を介して電子冷却素子(熱電モジュール)の冷却面に接合される構造となっている。このため、半導体レーザが直接、電子冷却素子の冷却面に半導体レーザが接合されるような構造とはなっていない。この結果、この種の光半導体モジュールは、冷却効率が悪く、電子冷却素子の消費電力が増大するという問題を生じた。
【0006】
そこで、本発明者は先に、特願2002−123578号において、熱電モジュールの冷却面に直接、半導体レーザが接合される構成となっている熱電装置用パッケージを提案した。この熱電装置用パッケージにおいては、半導体レーザや熱電モジュール(電子冷却素子)に電気接続するための複数の内部電極と、外部回路に電気接続するための複数の外部電極と、内部電極と外部電極とを接続する配線をパッケージを構成するベース部材に備えるようにしている。このため、部品点数を削減することを可能になる。
【0007】
しかしながら、特願2002−123578号にて提案した熱電装置用パッケージにおいては、バタフライ型の熱電装置用パッケージであるため、小型化が困難で、このようなパッケージを用いた光半導体モジュールが大型になるという問題があった。
【0008】
そこで、本発明は上記の如き問題点を解決するためになされたものであって、小型のステム型の熱電装置用パッケージを用いても、熱電モジュールの冷却面に直接、半導体レーザなどの半導体素子を接合できるようにして、小型で、冷却効率に優れ、かつ組立が簡単容易な熱電装置用パッケージを提供できるようにすることを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の熱電装置用パッケージは、半導体レーザなどの半導体素子を載置、固定して該半導体素子を冷却する熱電モジュールと、この熱電モジュールを載置、固定する絶縁基板と、この絶縁基板を固定、保持する基台とを備えるとともに、絶縁基板が基台上に垂直に固定されるようにしている。このように、半導体素子を載置、固定して半導体素子を冷却する熱電モジュールを絶縁基板に載置、固定され、この絶縁基板が基台上に垂直に保持されていると、半導体レーザなどの半導体素子から発生された熱は熱電モジュールにより効率よく冷却され、かつ絶縁基板から基台を通して外部に排熱されることとなる。
【0010】
この場合、絶縁基板が基台に形成された開口内に嵌め込まれて固定されるようにすると、絶縁基板の取り付けが容易になる。そして、基台を貫通する貫通孔を開口とし、さらにこの貫通孔内を貫通して絶縁基板が嵌め込み固定されるようにすると、絶縁基板を基台に強固に固定することが可能となる。また、絶縁基板を多層絶縁基板から構成し、この多層絶縁基板中に内部電極および外部電極に接続される複数の配線を埋設して備えるようにすると、基台にリード線を取り付ける必要がなくなる。これにより、電極と熱電モジュールとの接続作業、あるいは電極と半導体素子との接続作業が容易になる。
【0011】
このような熱電装置用パッケージを製造する場合、熱電モジュールを接続固定するための金属層が形成された絶縁基板を基台上に垂直に固定する絶縁基板固定工程と、絶縁基板の金属層上に半導体素子を載置、固定して該半導体素子を冷却する熱電モジュールを接続固定する熱電モジュール接続工程とを備えるようにすればよい。あるいは、半導体素子を載置、固定して該半導体素子を冷却する熱電モジュールを絶縁基板の金属層上に接続固定する熱電モジュール接続工程と、熱電モジュールが接続固定された絶縁基板を基台上に垂直に固定する絶縁基板固定工程とを備えるようにしてもよい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の熱電装置用パッケージを光半導体モジュールに適用した場合の実施の形態を図1〜図5に基づいて説明するが、本発明はこの実施の形態に何ら限定されるものでなく、本発明の目的を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。なお、図1は第1実施形態の熱電装置用パッケージの要部を模式的に示す図であり、図1(a)はその全体構成を示す斜視図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面の要部を拡大して示す断面図であり、図1(c)は図1(b)の熱電モジュールを省略した状態の側面を示す側面図である。また、図2は図1の熱電装置用パッケージにキャップ(カバー)を装着して一部破断した状態の光半導体モジュールを示す側面図である。
【0013】
また、図3は第2実施形態の熱電装置用パッケージの要部を模式的に示す図であり、図3(a)はその要部を拡大して示す断面図であり、図3(b)は図3(a)の熱電モジュールを省略した状態の側面を示す側面図である。また、図4はこれらの変形例の熱電装置用パッケージの要部を模式的に示す図であり、図4(a)はその要部を拡大して示す断面図であり、図4(b)は図4(a)の熱電モジュールを省略した状態の側面を示す側面図である。さらに、図5は熱電装置用パッケージの放熱(排熱)試験の状態を示す断面図である。
【0014】
1.第1実施形態
(第1実施形態の熱電装置用パッケージ)
本第1実施形態の熱電装置用パッケージ10は、図1に示すように、半導体レーザ(LD)14やフォトダイオード(PD)15やサーミスターなどの半導体素子を載置、固定する絶縁基板12を固定、保持する基台(キャリヤベース)11を備えている。このキャリヤベース11は、第1段で底部を形成する平面形状が長方形で平板状の取付部11aと、第2段で後述するキャップ部材17(図2参照)を固定する円柱状のキャップ固定部11bと、第3段で複数のリードを固定するとともに絶縁基板12が挿入固定される開口部が形成されて第2段より小径の円柱状に形成された端子部11cとから構成されている。
【0015】
なお、これらの取付部11a、キャップ固定部11bと、端子部11cからなるキャリヤベース11はWCu合金、MoCu合金、Cu系合金、Fe系合金の溶浸材を機械加工して作製されている。あるいはCuW合金、Cu系合金、Fe系合金をMIM法(Metal Injection Molding)により成形したものの焼結により作製されている。そして、これらの合金の表面にはニッケル(Ni)メッキおよび金(Au)メッキが施されている。
【0016】
絶縁基板12は窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al2O3)、炭化珪素(SiC)等の絶縁材料により形成されている。そして、この絶縁基板12の表面には、熱電モジュール13を接続、固定するための銅(Cu)電極パターン(図1(c)の点線内参照)12aが銅メッキとエッチングにより形成されている。なお、Cu電極パターン12aの表面にはニッケル(Ni)メッキおよび金(Au)メッキが施されている。そして、このようなCu電極パターン12aに熱電モジュール13が接合されると、絶縁基板12は熱電モジュール13の下基板となる。
【0017】
また、絶縁基板12の一方の端部表面にはロウ付け用のメタライズ層12bが形成されている。このメタライズ層12bは、絶縁基板12の表面に形成された銅(Cu)メッキ層と、この上に形成されたニッケル(Ni)メッキ層と、この上に形成された金(Au)メッキ層からなるものである。これにより、キャリヤベース11の端子部11cに形成された開口部に、メタライズ層12bが形成された絶縁基板12を挿入した後、銀(Ag)ろうにより絶縁基板12をキャリヤベース11の端子部11cに対して垂直に固定することが可能となる。
【0018】
熱電モジュール13は、図1(b)および図1(c)に示すように、上基板13aに形成された電極パターン(導電層)13bと、下基板(この場合は、絶縁基板12に形成されたCu電極パターン12a)との間に、多数のペルチェ素子13cが電気的に直列接続されて形成されている。なお、ペルチェ素子13cは、P型半導体化合物素子とN型半導体化合物素子とからなるものである。そして、これらがP,N,P,Nの順に電気的に直列に接続されるように、上基板13aの電極パターン13bあるいは絶縁基板12に形成されたCu電極パターン12aに、SnSb合金からなる半田により半田付けされている。
【0019】
このような熱電モジュール13は電子クーラー(TEC:Thermo Electric Cooler)とも呼ばれる電子デバイスである。なお、上基板13aは、下基板(絶縁基板12に形成されたCu電極パターン12a)と同様なアルミナ(Al2O3)、窒化アルミナ(AlN)、炭化珪素(SiC)などのセラミック材により構成されており、この基板13a上に、銅(Cu)メッキとエッチングにより電極パターン13bが形成されている。
【0020】
そして、この熱電モジュール13上に半導体レーザー(LD)14,フォトダイオード(PD)15などを配置、固定し、かつ半導体レーザー(LD)14の光軸上に光学系を配置して、光軸調整をする。この後、キャリヤベース11の端子部11cに熱膨張係数が小さいFeNiCo合金(例えば、コバール(Kovar))製のキャップ部材17を配置する。ついで、キャップ固定部11bとキャップ部材16とを銀蝋、銅蝋、金蝋などを用いた蝋付け、あるいはAgSn合金、AuSi合金、AuGe合金などの半田を用いた半田付け、あるいはシーム溶接などにより気密に接合して、図2に示すような光半導体モジュール10aを形成するようにしている。
【0021】
(第1実施形態の熱電装置用パッケージの作製例)
ついで、上述のような構成となる第1実施形態の熱電装置用パッケージ10の具体な作製例を以下に説明する。まず、取付部11a、キャップ固定部11bおよび端子部11cを備え、WCu合金、MoCu合金、Cu系合金あるいはFe系合金からなるキャリヤベース11を用意した。また、銅(Cu)電極パターン12aが表面に形成され、かつ一方の端部表面にメタライズ層12bが形成された窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al2O3)、炭化珪素(SiC)等からなる絶縁基板12を用意した。さらに、上基板13aに形成された電極パターン13bに、多数のペルチェ素子13cが接続された半完成の熱電モジュール13を用意した。なお、銅(Cu)電極パターン12aの端部には端子部となる一対のCu電極パターン12a−1,12a−2が形成されている。
【0022】
この後、キャリヤベース11の端子部11cに形成された開口部に、メタライズ層12bが形成された絶縁基板12を挿入した後、銀(Ag)ろうにより絶縁基板12をキャリヤベース11の端子部11cに対して垂直に固定した。ついで、絶縁基板12に形成された銅(Cu)電極パターン12a上に多数のペルチェ素子13cが接続されるように、半完成の熱電モジュール13を配置した後、SnSb合金からなる半田により半田付けした。これにより、上基板13aに形成された電極パターン(導電層)13bと、絶縁基板12に形成されたCu電極パターン12aとの間に、多数のペルチェ素子13cがP,N,P,Nの順に電気的に直列に接続された熱電モジュール13が完成することとなる。
【0023】
この場合、まず、絶縁基板12に形成された銅(Cu)電極パターン12a上に多数のペルチェ素子13cが接続されるように、半完成の熱電モジュール13を配置した後、SnSb合金からなる半田により半田付けして熱電モジュール13を完成させた後、キャリヤベース11の端子部11cに形成された開口部に、メタライズ層12bが形成された絶縁基板12を挿入した後、銀(Ag)ろうにより絶縁基板12をキャリヤベース11の端子部11cに対して垂直に固定するようにしてもよい。
【0024】
なお、絶縁基板挿入用の開口をキャリヤベース11の端子部11cのみだけではなく、キャップ固定部11bおよび取付部11aにも設けるようにして、開口部を貫通させて貫通孔とし、この貫通孔内にメタライズ層12bが形成された絶縁基板12を挿入して、その端部がキャリヤベース11から突出するようにしても、あるいはキャリヤベース11と同一面となるようにしても良い。このようにすると、キャリヤベース11と絶縁基板12との接合が強固になる。
【0025】
そして、キャリヤベース11のリード挿入用の複数の貫通孔11d内に複数のリード線16を挿入した。この後、貫通孔11d内にガラス封着剤を充填して、リード線16を各貫通孔11d内に固定した。なお、これらリード線16の上部はキャリヤベース11の端子部11cの上面に延出している。このリード線16の延出した部分と、Cu電極パターン12a−1,12a−2とをワイヤーボンディング12cで接続するとともに、半導体レーザ14やフォトダイオード15等とも接続した。
【0026】
一方、半導体レーザ14やフォトダイオード15等を気密に保持するためのキャップ部材17を用意し、このキャップ部材17をキャリヤベース11のキャップ固定部11bに載置した。この後、キャップ16の下端部の内周面をキャップ固定部11bの周壁に固着した。この場合、キャップ部材17の下端部の内周面とキャップ固定部11bの周壁との間に蝋材(例えば銀蝋)を介在させて、カーボン製あるいはアルミナ製の治具に配置した。ついで、この治具を40%の水素(H2)を含む窒素(N2)ガスの雰囲気のリフロー炉中で、移動速度が30mm/分のベルト上に配置し、最高温度が900℃で20分間加熱されるようなリフロー条件(昇温プロファイル)で加熱処理して、キャップ部材17の下端部の内周面をキャップ固定部11bの周壁に固着した。
【0027】
ついで、キャップ部材17内に窒素ガスを封入して、キャップ部材17内を窒素ガスの雰囲気にして、光半導体モジュール10aが作製されることとなる。なお、このキャップ部材17の先端部には光ファイバ18が取り付けられ、この光ファイバ18に効率よくレーザ光が入射するように、キャップ部材17内にはレンズ系(図示せず)が収容されている。このように構成された半導体キャリヤ10を用いた光半導体モジュール10aにおいては、半導体レーザ14から出射されたレーザ光は、レンズによって光ファイバ18に効率よく結合されるようになされている。
【0028】
2.第2実施形態
(第2実施形態の熱電装置用パッケージ)
本第2実施形態の熱電装置用パッケージ20は、図1に示す取付部11aと、キャップ固定部11bおよび端子部11cを有するキャリヤベース11を備えているとともに、上述した熱電モジュール13と同様な熱電モジュール24を備えている点で、上述した第1実施形態の熱電装置用パッケージ10と同様である。しかしながら、絶縁基板として内部に配線パターンが形成された多層絶縁基板21を備えた点で、上述した第1実施形態の熱電装置用パッケージ10と異なっている。このため、本第2実施形態の熱電装置用パッケージ20に用いられる多層絶縁基板21は、図3(a)(b)に示されるように、上部絶縁基板22と下部絶縁基板23が積層、一体化されて形成されている。
【0029】
ここで、上部絶縁基板22および下部絶縁基板23は、上述した絶縁基板12と同様に、窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al2O3)、炭化珪素(SiC)等の絶縁材料により形成されている。そして、上部絶縁基板22には、熱電モジュール接合用の銅電極パターン22aと、内部電極用の銅電極パターン22bと、外部電極用の銅電極パターン22cと、銅電極パターン22bに導通するスルーホール導体と、銅電極パターン22cに導通するスルーホール導体とが形成されている。また、下部絶縁基板23は内部配線となる導体パターン(図3(a)(b)に点線で示している)23aが形成されている。
【0030】
そして、この多層絶縁基板21の一方の端部側の表面にはロウ付け用のメタライズ層21aが形成されている。このメタライズ層21aは上述したメタライズ層12bと同様に、Cuメッキ層と、このCuメッキ層上に形成されたNiメッキ層と、このNiメッキ層上に形成されたAuメッキ層からなるものである。これにより、キャリヤベース11に形成された貫通孔に、メタライズ層21aが形成された多層絶縁基板21を、外部電極用の銅電極パターン22cが外部に突出するように貫通させて挿入した後、銀(Ag)ろうにより多層絶縁基板21をキャリヤベース11に対して垂直に固定される。
【0031】
なお、熱電モジュール24は、図1(b)および図1(c)に示される熱電モジュール13と同様に、上基板24aに形成された電極パターン(導電層)24bと、下基板(この場合は、多層絶縁基板21に形成された熱電モジュール接合用のCu電極パターン22a)との間に、多数のペルチェ素子24cがSnSb合金からなる半田により半田付けされて、P,N,P,Nの順に電気的に直列に接続されて形成されている。
【0032】
そして、この熱電モジュール24上に、半導体レーザー(LD)25、フォトダイオード(PD)26および図示しないサーミスタ素子を配置、固定した。ついで、内部電極用の銅電極パターン22bとLD25、PD26およびサーミスタ素子とをそれぞれ接続した後、LD25の光軸上に光学系を配置して、光軸調整をした。この後、図2に示すように、キャリヤベース11のキャップ固定部11bにキャップ部材17を配置し、キャップ固定部11bとキャップ部材17とを銀蝋、銅蝋、金蝋などを用いた蝋付け、あるいはAgSn合金、AuSi合金、AuGe合金などの半田を用いた半田付け、あるいはシーム溶接などにより気密に接合して、光半導体モジュールが形成される。
【0033】
(第2実施形態の熱電装置用パッケージの作製例)
ついで、上述のような構成となる第2実施形態の熱電装置用パッケージ20の具体な作製例を以下に説明する。まず、アルミナ(Al2O3)、窒化アルミナ(AlN)、炭化珪素(SiC)などのセラミック材を主成分とする2枚のセラミックグリーンシート22,23を用意する。ついで、これらの2枚のセラミックグリーンシート22,23に、実質的に同じ金型やパンチングマシーン等を使って、複数個の位置合わせ用のガイド孔を穿設した。その後、一方のセラミックグリーンシート22にスクリーン印刷で、図3(b)に示すような熱電モジュール接合用の銅電極パターン22aと、内部電極用の銅電極パターン22bと、外部電極用の銅電極パターン22cとを形成した。また、銅電極パターン22bから導体パターン23aに導通するスルーホール導体と、銅電極パターン22cから導体パターン23aに導通するスルーホール導体とを形成した。
【0034】
一方、他方のセラミックグリーンシート23にスクリーン印刷で、図3(b)の点線に示すような、内部配線となる導体パターン23aを形成した。ついで、先に形成したガイド孔を使って、これらの2層を形成する各セラミックグリーンシート22,23を位置合わせした後重ね合わせ、例えば、80〜150℃、50〜250kg/cm2で熱圧着して一体化し、セラミックグリーンシート積層体(多層基板)を形成して多層絶縁基板21とした。そして、一方の端部側の表面にメタライズ層21bを形成して多層絶縁基板21を用意した。
【0035】
一方、取付部11a、キャップ固定部11bおよび端子部11cを備え、WCu合金、MoCu合金、Cu系合金あるいはFe系合金からなるキャリヤベース11を用意した。また、上基板24aに形成された電極パターン24bに、多数のペルチェ素子24cが接続された半完成の熱電モジュール24を用意した。この後、キャリヤベース11に形成された貫通孔に、メタライズ層21aが形成された多層絶縁基板21を挿入した後、銀(Ag)ろうにより多層絶縁基板21をキャリヤベース11に対して垂直に固定した。このとき、多層絶縁基板21に形成された外部電極用の銅電極パターン22cがキャリヤベース11の外部に突出するように貫通挿入した。
【0036】
ついで、多層絶縁基板21に形成された熱電モジュール接合用の銅電極パターン22a上に多数のペルチェ素子24cが接続されるように、半完成の熱電モジュール24を配置した後、SnSb合金からなる半田により半田付けした。これにより、上基板24aに形成された電極パターン(導電層)24bと、多層絶縁基板21に形成された熱電モジュール接合用の銅電極パターン22aとの間に、多数のペルチェ素子24cがP,N,P,Nの順に電気的に直列に接続された熱電モジュール24が完成することとなる。
【0037】
この場合も、多層絶縁基板21に形成された熱電モジュール接合用の銅電極パターン22a上に多数のペルチェ素子24cが接続されるように、半完成の熱電モジュール24を配置した後、SnSb合金からなる半田により半田付けして熱電モジュール24を完成させた後、キャリヤベース11に形成された貫通孔に、メタライズ層21aが形成された多層絶縁基板21を挿入した後、銀(Ag)ろうにより多層絶縁基板21をキャリヤベース11に対して垂直に固定するようにしてもよい。
【0038】
3.変形例
上述した第1実施形態および第2実施形態においては、半完成の熱電モジュール13,24を用いて熱電装置用パッケージの作製時に熱電モジュール13,24を完成させる例について説明した。しかしながら、本発明においては、完成した熱電モジュールを用いて熱電装置用パッケージの作製するようにしてもよい。この場合は、別途、熱電モジュールを作製するので、絶縁基板への半田付け工程が容易になって、熱電モジュールの組み付け工程が容易になる。
【0039】
ここで、図4に示すように、窒化アルミナ(AlN)、アルミナ(Al2O3)、炭化珪素(SiC)などのセラミック材からなる上基板35に形成されたCu電極パターン(導電層)35aと、上基板35と同様なセラミック材からなる下基板36に形成されたCu電極パターン36aとの間に、多数のペルチェ素子37cがSnSb合金からなる半田により半田付けされて、P,N,P,Nの順に電気的に直列に接続され、熱電モジュール34が形成されている。なお、Cu電極パターン(導電層)35a,36aは、銅(Cu)メッキとエッチングにより形成されている。
【0040】
一方、多層絶縁基板31は、図4(a)(b)に示されるように、窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al2O3)、炭化珪素(SiC)等の絶縁材料からなる上部絶縁基板32と下部絶縁基板33が積層、一体化されて形成されている。そして、上部絶縁基板32には、熱電モジュール接合用のメタライズ層32aと、内部電極用の銅電極パターン32bと、外部電極用の銅電極パターン32cと、銅電極パターン32b,32cから導体パターン33aに導通するスルーホール導体32dとが形成されている。また、下部絶縁基板33には内部配線となる導体パターン(図4(a)(b)に点線で示している)33aが形成されている。
【0041】
また、この多層絶縁基板31の一方の端部側の表面にはロウ付け用のメタライズ層31aが形成されている。このメタライズ層31aはCuメッキ層と、このCuメッキ層上に形成されたNiメッキ層と、このNiメッキ層上に形成されたAuメッキ層からなるものである。これにより、キャリヤベース11に形成された貫通孔に、メタライズ層31aが形成された多層絶縁基板31を、外部電極用の銅電極パターン32cが外部に突出するように貫通させて挿入した後、銀(Ag)ろうにより多層絶縁基板31をキャリヤベース11に対して垂直に固定される。
【0042】
そして、上述のように、予め作製された熱電モジュール34の下基板36を、多層絶縁基板31の表面に形成された熱電モジュール接合用のメタライズ層32aに配置し、SnSb合金からなる半田により下基板36の下面とメタライズ層32aとを半田付けすることにより、熱電装置用パッケージ30が作製されることとなる。ついで、熱電モジュール34上に半導体レーザー(LD)38,フォトダイオード(PD)39および図示しないサーミスタ素子を配置、固定した。ついで、内部電極用の銅電極パターン32bとLD38、PD39およびサーミスタ素子とをそれぞれ接続した後、LD38の光軸上に光学系を配置して、光軸調整をした。この後、図2に示すように、キャリヤベース11のキャップ固定部11bにキャップ部材17を配置し、キャップ固定部11bとキャップ部材17とを銀蝋、銅蝋、金蝋などを用いた蝋付け、あるいはAgSn合金、AuSi合金、AuGe合金などの半田を用いた半田付け、あるいはシーム溶接などにより気密に接合して、光半導体モジュールが形成される。
【0043】
4.放熱試験
ついで、上述のようにして作製される熱電装置用パッケージの放熱性(排熱性)を検証するために、以下のようにして放熱試験を行った。即ち、まず、図5(a)に示すように、上述したキャリヤベース(取付部11a、キャップ固定部11b、端子部11cからなる)11と同等で、長さが10mmでWCu合金製の基台41に、厚みが1mmの窒化アルミニウム(AlN)製の基板42が接合された実験台40aを用意した。なお、この基板42には、上述した絶縁基板12に形成されたCu電極パターン12aと同様なCu電極パターン(図示せず)が形成されている。
【0044】
そして、基板42に形成されたCu電極パターン(図示せず)に、上述した半完成の熱電モジュール13と同様な半完成の熱電モジュール(なお、これのAlN製の上基板の厚みは0.3mmである)を配置した。ついで、SnSb合金からなる半田により半田付けして熱電モジュール43を完成させた後、この上に温度センサが充填されたCu板44を配置し、さらに、この上に消費電力が1Wのヒータ45を配置した。ここで、基台41の下端部に温度センサ41aを配置し、ヒータ45に電源を投入した。そして、熱電モジュール43に電源を投入して、この温度センサ41aの温度が40℃の一定の温度になるように制御したところ、温度センサが充填されたCu板44の温度は25℃の一定温度に保持することができるという結果が得られた。
【0045】
一方、図5(b)に示すように、上述した基台41と等しい大きさのFe製の基台46に、厚みが1mmの窒化アルミニウム(AlN)製の基板47が接合された実験台40bを用意した。ついで、この基板47上に温度センサが充填されたCu板48を配置し、さらに、この上に消費電力が1Wのヒータ49を配置した。ここで、基台41の下端部に温度センサ46aを配置し、ヒータ49に電源を投入したところ、温度センサが充填されたCu板48の温度は55℃まで上昇した。
【0046】
【発明の効果】
上述したように、本発明においては、半導体レーザー14(25,38)、フォトダイオード15(26,39)などの半導体素子を載置、固定して、これらの半導体素子を冷却する熱電モジュール13(24,37)が絶縁基板12あるいは多層絶縁基板21,31に載置、固定されている。そして、これらの絶縁基板12あるいは多層絶縁基板21,31が基台11上に垂直に保持されている。
【0047】
このため、半導体レーザー14(25,38)などの半導体素子から発生された熱は熱電モジュール13(24,37)により効率よく冷却され、かつ絶縁基板12あるいは多層絶縁基板21,31から、WCu合金、MoCu合金、Cu系合金あるいはFe系合金からなる基台(キャリヤベース)11を通して外部に排熱されることとなる。この結果、半導体レーザー14(25,38)などの半導体素子を安定に動作させることが可能になるとともに、それらの寿命も長寿命になるという格別の効果を発揮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の熱電装置用パッケージの要部を模式的に示す図であり、図1(a)はその全体構成を示す斜視図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面の要部を拡大して示す断面図であり、図1(c)は図1(b)の熱電モジュールを省略した状態の側面を示す側面図である。
【図2】図1の熱電装置用パッケージにキャップ(カバー)を装着して一部破断した状態の光半導体モジュールを示す図である。
【図3】本発明の第2実施形態の熱電装置用パッケージの要部を模式的に示す図であり、図3(a)はその要部を拡大して示す断面図であり、図3(b)は図3(a)の熱電モジュールを省略した状態の側面を示す側面図である。
【図4】本発明の実施形態の変形例の熱電装置用パッケージの要部を模式的に示す図であり、図4(a)はその要部を拡大して示す断面図であり、図4(b)は図4(a)の熱電モジュールを省略した状態の側面を示す側面図である。
【図5】熱電装置用パッケージの放熱(排熱)試験の状態を示す断面図である。
【符号の説明】
10…熱電装置用パッケージ、10a…光半導体モジュール、11…基台(キャリヤベース)、11a…取付部、11b…キャップ固定部、11c…端子部、11d…貫通孔、12…絶縁基板、12a…電極パターン、12b…メタライズ層、12c…ワイヤーボンディング、13…熱電モジュール、13a…上基板、13b…電極パターン、13c…ペルチェ素子、14…半導体レーザ、15…フォトダイオード、16…リード線、17…キャップ部材、18…光ファイバ、20…熱電装置用パッケージ、21…多層絶縁基板、21a…メタライズ層、21b…メタライズ層、22…上部絶縁基板、22a…銅電極パターン、22b…内部端子、22c…銅電極パターン、23…下部絶縁基板、23a…導体パターン、24…熱電モジュール、24a…上基板、24b…電極パターン、24c…ペルチェ素子、30…熱電装置用パッケージ、31…多層絶縁基板、31a…メタライズ層、32…上部絶縁基板、32a…メタライズ層、32b…内部端子、32b…銅電極パターン、32c…銅電極パターン、32d…スルーホール導体、33…下部絶縁基板、33a…導体パターン、34…熱電モジュール、35…上基板、36…下基板、36a…電極パターン、37c…ペルチェ素子、40a,40b…実験台、41…基台、41a…温度センサ、42…基板、43…熱電モジュール、44…Cu板、45…ヒータ、46…基台、46a…温度センサ、47…基板、48…Cu板、49…ヒータ
Claims (6)
- 半導体素子と該半導体素子を冷却する熱電モジュールを保持する熱電装置用パッケージであって、
前記半導体素子を載置、固定して該半導体素子を冷却する熱電モジュールと、
前記熱電モジュールを載置、固定する絶縁基板と、
前記絶縁基板を固定、保持する基台とを備えるとともに、
前記絶縁基板が前記基台上に垂直に固定されていることを特徴とする熱電装置用パッケージ。 - 前記絶縁基板が前記基台に形成された開口内に嵌め込まれて固定されていることを特徴とする請求項1に記載の熱電装置用パッケージ。
- 前記開口は前記基台を貫通する貫通孔であって、該貫通孔内を貫通して前記絶縁基板が嵌め込み固定されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の熱電装置用パッケージ。
- 前記絶縁基板を多層絶縁基板から構成し、該多層絶縁基板中に内部電極および外部電極に接続される複数の配線を埋設して備えるようにしたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱電装置用パッケージ。
- 半導体素子と該半導体素子を冷却する熱電モジュールを保持する熱電装置用パッケージの製造方法であって、
前記熱電モジュールを接続固定するための金属層が形成された絶縁基板を基台上に垂直に固定する絶縁基板固定工程と、
前記絶縁基板の金属層上に前記半導体素子を載置、固定して該半導体素子を冷却する熱電モジュールを接続固定する熱電モジュール接続工程とを備えたことを特徴とする熱電装置用パッケージの製造方法。 - 半導体素子と該半導体素子を冷却する熱電モジュールを保持する熱電装置用パッケージの製造方法であって、
前記半導体素子を載置、固定して該半導体素子を冷却する熱電モジュールを絶縁基板の金属層上に接続固定する熱電モジュール接続工程と
前記熱電モジュールが接続固定された前記絶縁基板を基台上に垂直に固定する絶縁基板固定工程とを備えたことを特徴とする熱電装置用パッケージの製造方法。
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