JP2002076501A - 光半導体モジュールの製造方法 - Google Patents

光半導体モジュールの製造方法

Info

Publication number
JP2002076501A
JP2002076501A JP2000268185A JP2000268185A JP2002076501A JP 2002076501 A JP2002076501 A JP 2002076501A JP 2000268185 A JP2000268185 A JP 2000268185A JP 2000268185 A JP2000268185 A JP 2000268185A JP 2002076501 A JP2002076501 A JP 2002076501A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
electronic cooling
cooling element
solder
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000268185A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3409781B2 (ja
Inventor
Nobuyoshi Tato
伸好 田遠
Masaya Nishina
真哉 仁科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2000268185A priority Critical patent/JP3409781B2/ja
Priority to CA002353356A priority patent/CA2353356A1/en
Priority to DE60114338T priority patent/DE60114338T2/de
Priority to EP01306443A priority patent/EP1187196B1/en
Priority to KR10-2001-0046121A priority patent/KR100436876B1/ko
Priority to US09/945,809 priority patent/US6506624B2/en
Publication of JP2002076501A publication Critical patent/JP2002076501A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3409781B2 publication Critical patent/JP3409781B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子冷却素子を光半導体容器に接合する際
に、電子冷却素子の最上面に設けてある低温半田材の酸
化を防止して、電子冷却素子と光半導体素子との半田接
合部の熱抵抗を低減し、熱伝導を向上させた光半導体モ
ジュールの製造方法を提供する。 【解決手段】 電子冷却素子１０を光半導体容器の底板
２に接合する際に、水素雰囲気中で半田接合する。電子
冷却素子１０は底板２に接合される側のセラミックス基
板面にＰｂＳｎ半田材１４を備え、反対側の光半導体素
子が搭載される側のセラミックス基板面にはＰｂＳｎ半
田材１４よりも低融点のＢｉＳｎ半田材１３が予め施さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用の光半導
体モジュールの製造方法、特に高放熱性が必要な光ファ
イバー増幅器用の高出力光半導体レーザモジュールの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光半導体装置、特に光ファイバー増幅器
用の光半導体レーザモジュール等の光半導体モジュール
においては、光半導体やドライバーＩＣ等を気密に収納
するための光半導体容器が使用されている。
【０００３】例えば、図４に示すように、一般的に光半
導体容器は、Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金（商品名コバール）
からなる枠体１を、Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金又はＦｅ／Ｎ
ｉ合金（商品名４２アロイ）や、複合金属材料であるＣ
ｕＷやＣｕＭｏ等の底板２に接合している。特に、消費
電力が大きく、高い放熱性が要求される光半導体容器で
は、ＣｕＷの底板が使用されている。
【０００４】光半導体容器の側壁部をなす枠体１はコバ
ールを切削加工又は射出成形して作製され、その一部に
複数層のセラミックスシートで構成され且つ表面にメタ
ライズ層を施したセラミックス端子部３を備え、コバー
ル製の複数の端子リード４が枠体１の外側に突出して設
けてある。尚、枠体の側壁部をセラミックス絶縁体で構
成し、端子部のセラミックスと一体化した構造を取る光
半導体容器もある。また、一部の光半導体容器では、枠
体に穿設した穴に端子リードをガラスシールした構造の
ものもある。
【０００５】また、光半導体容器の枠体１には、内部と
外部で光を透過させるための光透過窓５が形成してあ
る。光透過窓５はコバール製のパイプからなり、通常は
気密封止のためにガラスの窓材を張り付けている。一部
の光透過窓５ではガラスの窓材を使用せずに、光ファイ
バーを貫通させて光ファイバーごと半田付けで気密封止
するものもある。この場合は、光透過窓５のパイプのみ
が光半導体容器の枠体１に接合されている。
【０００６】これらの枠体１や底板２、端子リード４等
の部品は、銀ロウ付けや半田付けにより接合して組立て
られる。組立てた光半導体容器は最終的にキャップにて
気密封止を行なうためと、容器の腐食を防ぐためと、後
の半導体モジュール組立時の半田付けを容易にするため
に、全体に金めっきが施される。尚、光半導体容器の枠
体１の上面には、キャップの溶接又は半田付けのため
に、コバール製のリングを必要とする。また、容器の組
立に使用される銀ロウ材の融点は６００℃以上、ガラス
ロウ材の融点は５００℃以上、窓用の半田材はＡｕＳｎ
で融点が２８０℃程度である。
【０００７】かかる光半導体容器に光半導体素子を実装
するには、底板上に電子冷却素子を搭載し、その上に光
半導体素子等を予め実装した回路基板を接合固定する。
電子冷却素子は、Ｎ型熱電素子（例えばＢｉＴｅＳｅ）
とＰ型熱電素子（例えばＢｉＴｅＳｂ）とを交互に行列
配列し、隣り合う２つの熱電素子の上面同士及び下面同
士をそれぞれセラミックス基板上に形成した金属片に、
融点が２３８℃のＰｂ６０Ｓｎ４０半田材により接合し
てある。セラミックス基板の取出電極には、融点２９９
℃融点のＰｂ９０Ｓｎ１０半田材を用いて、Ｃｕのリー
ドが接続されている。
【０００８】そして、電子冷却素子と光半導体容器の間
は容器内部に形成されたリードにより、且つ光半導体素
子と光半導体容器の端子リードとはＡｕワイヤによって
電気的に接続される。その後、キャップをコバール製の
リング上にシールした後、光ファイバーを半導体容器の
光透過窓に位置合わせしてＹＡＧ等のレーザで溶接する
ことにより、光半導体モジュールが作製される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】光半導体モジュール用
の電子冷却素子では、各熱電素子に接合されたセラミッ
クス基板の非接合面（電子冷却素子の最上面と最下面）
にメタライズ処理が施してある。この電子冷却素子の最
下面と光半導体容器との間の接合は、融点が１８３℃の
Ｐｂ３７Ｓｎ６３半田材が使用され、また電子冷却素子
の最上面と光半導体素子の間の接合には、ＢｉＳｎ等の
融点が１６０℃以下の低温半田材が一般に使用される。
これらの半田材（予備半田とも云う）は、予め電子冷却
素子に積層されている。
【００１０】光半導体モジュールにおいては、光ファイ
バーと光半導体素子との光結合のために、光半導体容器
と電子冷却素子とを正確に位置決めして半田付けしなけ
ればならない。そのため、まず電子冷却素子をダイボン
ディングツールにて位置合わせした後、１８３℃以上に
加熱してＰｂ３７Ｓｎ６３半田材で容器の底板に接合
し、冷却してからダイボンディングツールを撤去して、
電子冷却素子上に光半導体素子をＢｉＳｎ等の低温半田
材で接合している。
【００１１】しかしながら、電子冷却素子を光半導体容
器に半田付けする際に、電子冷却素子の反対側の面（最
上面）に設けてあるＢｉＳｎ等の低温半田材が溶けて、
酸化してしまうという問題があった。このために、Ｂｉ
Ｓｎ等の低温半田材上にスラグができてしまい、光半導
体素子を電子冷却素子の最上面に半田接合する時の半田
接合部の熱抵抗を高くしていた。この半田接合部の熱抵
抗が高いと、半田応対レーザの場合にはＬＤ素子等の光
半導体素子の光出力が低下するほか、光導波路デバイス
では均熱性が悪くなり、波長選択特性、特に半値幅を広
げてしまい、クロストークの原因となる。
【００１２】本発明は、このような従来の事情に鑑み、
電子冷却素子を光半導体容器に接合する際に、電子冷却
素子の最上面に設けてある低温半田材（予備半田）の酸
化を防止して、電子冷却素子と光半導体素子との半田接
合部の熱伝導を向上させた光半導体モジュールの製造方
法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、光半導体容器の底板に電子冷却素子を接
合し、該電子冷却素子上に光半導体素子を実装した光半
導体モジュールの製造方法であって、前記電子冷却素子
を前記光半導体容器の底板に水素雰囲気中で半田接合す
ることを特徴とする光半導体モジュールの製造方法を提
供する。
【００１４】上記本発明の光半導体モジュールの製造方
法においては、前記電子冷却素子は前記光半導体容器の
底板に接合される側のセラミックス基板面にＰｂＳｎ半
田を備え、反対側の光半導体素子が搭載される側のセラ
ミックス基板面には前記ＰｂＳｎ半田よりも低融点のＢ
ｉＳｎ半田が予め施されていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明方法では、電子冷却素子を
光半導体容器に接合する際に、水素雰囲気中で半田接合
するので、電子冷却素子の最上面に設けてある光半導体
素子接合用の低温半田材（予備半田）は溶融しても酸化
されることがない。逆に、低温半田材を電子冷却素子に
付ける際に生成された酸化物が除去されるので、電子冷
却素子の最上面の低温半田材に良好な半田面を得ること
ができる。
【００１６】その結果、この電子冷却素子の最上面に光
半導体素子を半田付けする際に、スラグを挟むことが無
くなり、電子冷却素子と光半導体素子との半田接合部の
熱抵抗を低減して、その部分の熱伝導を向上させること
ができる。従って、本発明方法は、特に高放熱性が必要
な光ファイバー増幅器用の高出力光半導体レーザモジュ
ールの製造に適している。
【００１７】
【実施例】光半導体容器は、図１に示すように、コバー
ルを切削して側壁部をなす枠体１とし、底板２は複合金
属材料のＣｕＷで作製した。セラミックス端子部３は複
数層のセラミックスシートで構成し、表面にメタライズ
を施し、複数のコバール製の端子リード４を取り付けて
構成した。また、光半導体容器の光透過窓５としてコバ
ールのパイプを枠体１に接合し、気密封止のためにガラ
スの窓材をＡｕＳｎで接合した。更に、枠体１の上面に
は、コバールのリング（図示せず）を積載した。これら
は６２０℃以上の銀ロウ材で接合し、金めっきを全面に
施した。
【００１８】電子冷却素子１０は、図１に示すように、
Ｎ型熱電素子（ＢｉＴｉＳｅ）１１ａとＰ型熱電素子
（ＢｉＴｅＳｂ）１１ｂとを交互に行列配列し、隣り合
う２つの熱電素子１１ａ、１１ｂの上面同士及び下面同
士をそれぞれＡｌＮ製のセラミックス基板１２上に形成
した金属片によって直列に、融点２３８℃のＰｂ６０Ｓ
ｎ４０半田材を用いて接合してある。セラミックス基板
１２の取出電極には、融点２９９℃のＰｂ９０Ｓｎ１０
半田材を用いてＮｉ／ＳｎめっきしたＣｕリードを接続
した。尚、Ｎｉ／ＳｎメッキにおけるＮｉ厚さは３.５
μｍ、Ｓｎ厚さは２μｍとした。
【００１９】電子冷却素子１０の熱電素子１１ａ、１１
ｂを接合していないセラミックス基板１２の面（電子冷
却素子の最上面と最下面）に、それぞれＡｇＰｄペース
トを印刷し、焼成してメタライズ層を形成した。その電
子冷却素子１０の光半導体素子接合側の表面（最上面）
には融点１４０℃のＢｉＳｎ半田材１３を、及び容器の
底板２との接合面（最下面）には融点１８３℃のＰｂ３
７Ｓｎ６３半田材１４を積層した。これらは、ペースト
半田を各セラミックス基板１２に印刷した後、高温に熱
して有機成分を除去して作製した。
【００２０】この電子冷却素子１０を、ダイボンディン
グツールとしてカーボン製治具を用いて位置合わせし、
２２０℃の連続水素炉に通して、水素雰囲気中において
Ｐｂ３７Ｓｎ６３半田材１４で光半導体容器の底板２に
接合した。カーボン製治具を用いることで０.１ｍｍの
精度で位置合わせでき、後の光結合が容易になった。
尚、この接合時に、４本の爪が出たＭｏの錘を電子冷却
素子１０の４角に爪部が接触するように載せると接合が
容易になる。また、セラミックス基板３に、端子リード
４を予めセットして糸状態の半田材をからめておくと、
水素炉中で同時に接合されるため合理的である。上記の
連続水素炉を使用した接合では、一人で作業していても
従来の１０倍のスループットが得られた。
【００２１】このようにして、図２に示すように、底板
２に電子冷却素子１０を接合した光半導体容器を得た。
その後、この電子冷却素子１０の最上面に、予め設けて
おいたＢｉＳｎ半田材１３により、図３に示すように、
ＬＤ素子等の光半導体素子１５等を予め実装した回路基
板１６を窒素雰囲気中でダイボンドした。必要な配線は
Ａｕワイヤー１７を用いて行なった。最後に、キャップ
をコバールのリング上にシールした後、光ファイバーを
光半導体容器の光透過窓５に位置合わせしてＹＡＧレー
ザで溶接し、光半導体モジュールを完成させた。
【００２２】従来方法では、電子冷却素子１０を光半導
体容器に半田付けする際にＢｉＳｎ半田材１３が溶け且
つ酸化されるため、スラグの生成によってＢｉＳｎ半田
接合部の熱抵抗が０.５℃／Ｗと高かった。これに対し
て本発明方法による上記実施例では、ＢｉＳｎ半田材１
３が溶けても酸化されることがないため、ＢｉＳｎ半田
接合部の熱抵抗を０.２℃／Ｗにまで低減することがで
きた。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、光半導体容器に電子冷
却素子を接合する際に、電子冷却素子に予め設けてある
光半導体素子接合用の低温半田材の酸化を防止でき、従
って後の光半導体素子接合時に半田接合部の熱抵抗を低
減し、半田接合部の熱伝導を向上させた光半導体モジュ
ールの製造方法を提供することができる。
【００２４】そのため、本発明による光半導体モジュー
ルでは、光半導体素子と電子冷却素子の間の熱抵抗が従
来の１／５程度にまで低減でき、ＬＤ素子等の光半導体
素子における光出力の低下がなく、光導波路デバイスに
おける均熱性が維持され、波長選択特性に優れている。
また、スループットは約１０倍になり、低コスト化も期
待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を説明するための光半導体容器と電
子冷却素子を示す概略の断面図である。
【図２】本発明方法により電子冷却素子を接合した光半
導体容器を示す概略の断面図である。
【図３】図２の光半導体容器内の電子冷却素子に光半導
体素子を搭載した状態を示す概略の断面図である。
【図４】一般的な光半導体容器を示す概略の斜視図であ
る。
【符号の説明】
１ 枠体 ２ 底板 ３ セラミックス端子部 ４ 端子リード ５ 光透過窓 １０ 電子冷却素子 １１ａ Ｎ型熱電素子 １１ｂ Ｐ型熱電素子 １２ セラミックス基板 １３ ＢｉＳｎ半田材 １４ ＰｂＳｎ半田材 １５ 光半導体素子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光半導体容器の底板に電子冷却素子を接
    合し、該電子冷却素子上に光半導体素子を実装した光半
    導体モジュールの製造方法であって、前記電子冷却素子
    を前記光半導体容器の底板に水素雰囲気中で半田接合す
    ることを特徴とする光半導体モジュールの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記電子冷却素子は、前記光半導体容器
    の底板に接合される側のセラミックス基板面にＰｂＳｎ
    半田を備え、反対側の光半導体素子が搭載される側のセ
    ラミックス基板面には前記ＰｂＳｎ半田よりも低融点の
    ＢｉＳｎ半田が予め施されていることを特徴とする、請
    求項１に記載の光半導体モジュールの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記電子冷却素子上に光半導体素子を実
    装した後、該光半導体容器の光透過窓に光ファイバーを
    接合することを特徴とする、請求項１又は２に記載の光
    半導体モジュールの製造方法。
JP2000268185A 2000-09-05 2000-09-05 光半導体モジュールの製造方法 Expired - Fee Related JP3409781B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000268185A JP3409781B2 (ja) 2000-09-05 2000-09-05 光半導体モジュールの製造方法
CA002353356A CA2353356A1 (en) 2000-09-05 2001-07-20 Method of manufacturing an optical semiconductor module
DE60114338T DE60114338T2 (de) 2000-09-05 2001-07-27 Herstellungsverfahren für optisches Halbleitermodul
EP01306443A EP1187196B1 (en) 2000-09-05 2001-07-27 Method of manufacturing an optical semiconductor module
KR10-2001-0046121A KR100436876B1 (ko) 2000-09-05 2001-07-31 광 반도체 모듈 제조 방법
US09/945,809 US6506624B2 (en) 2000-09-05 2001-09-05 Method of manufacturing an optical semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000268185A JP3409781B2 (ja) 2000-09-05 2000-09-05 光半導体モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002076501A true JP2002076501A (ja) 2002-03-15
JP3409781B2 JP3409781B2 (ja) 2003-05-26

Family

ID=18754993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000268185A Expired - Fee Related JP3409781B2 (ja) 2000-09-05 2000-09-05 光半導体モジュールの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6506624B2 (ja)
EP (1) EP1187196B1 (ja)
JP (1) JP3409781B2 (ja)
KR (1) KR100436876B1 (ja)
CA (1) CA2353356A1 (ja)
DE (1) DE60114338T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103685A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Nec Schott Components Corp レーザダイオード用ステム
US7415187B2 (en) 2005-02-08 2008-08-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor laser module and a method for manufacturing the same

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6906316B2 (en) * 2000-10-27 2005-06-14 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device module
US20050249969A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components
US20050249968A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Whisker inhibition in tin surfaces of electronic components
US7531739B1 (en) * 2004-10-15 2009-05-12 Marlow Industries, Inc. Build-in-place method of manufacturing thermoelectric modules
JP4495158B2 (ja) * 2005-03-15 2010-06-30 パナソニック株式会社 フリップチップ実装方法、バンプ形成方法、フリップチップ実装装置、およびバンプ形成装置
US20070026575A1 (en) * 2005-06-24 2007-02-01 Subramanian Sankara J No flow underfill device and method
US7928459B2 (en) * 2006-02-24 2011-04-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package including thermoelectric element
EP1936414A2 (en) * 2006-12-14 2008-06-25 JDS Uniphase Corporation Small optical package having multiple optically aligned soldered elements therein
US8345720B2 (en) 2009-07-28 2013-01-01 Northrop Grumman Systems Corp. Laser diode ceramic cooler having circuitry for control and feedback of laser diode performance
US8937976B2 (en) 2012-08-15 2015-01-20 Northrop Grumman Systems Corp. Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier
US9480149B2 (en) 2013-12-10 2016-10-25 Brocade Communications Systems, Inc. Printed circuit board with fluid flow channels
US10205298B2 (en) * 2015-06-29 2019-02-12 Hebei Hymax Optoelectronics Inc. Packaging structure for four-channel integrated tunable laser array chip
CN105161485B (zh) * 2015-07-28 2017-12-26 昆明物理研究所 一体化封装管壳和半导体恒温器及其制备方法
KR102608780B1 (ko) * 2018-09-11 2023-12-04 엘지이노텍 주식회사 열전소자

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5991765A (ja) 1982-11-17 1984-05-26 Tamura Electric Works Ltd 留守番電話装置におけるｖａｃ検出回路
JPH0567844A (ja) * 1991-02-28 1993-03-19 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体レーザモジユール
DE69426090T2 (de) * 1993-04-27 2001-03-01 Nec Corp Verfahren zur Herstellung einer optische Halbleitervorrichtung
JP2848359B2 (ja) 1996-09-24 1999-01-20 住友電気工業株式会社 セラミック端子板及び半導体気密封止容器並びに複合半導体デバイス
JP3047864B2 (ja) * 1997-08-27 2000-06-05 住友電気工業株式会社 光半導体気密封止容器及び光半導体モジュール
EP0899795A3 (en) * 1997-08-27 1999-05-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical-semiconductor container or module
US6151342A (en) * 1997-12-08 2000-11-21 Coherent, Inc. Bright diode-laser light-source
JP2000196175A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Toshiba Corp サブキャリア及び半導体装置
US6190940B1 (en) * 1999-01-21 2001-02-20 Lucent Technologies Inc. Flip chip assembly of semiconductor IC chips
JP2001168442A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7415187B2 (en) 2005-02-08 2008-08-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor laser module and a method for manufacturing the same
JP2007103685A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Nec Schott Components Corp レーザダイオード用ステム

Also Published As

Publication number Publication date
DE60114338T2 (de) 2006-07-27
EP1187196B1 (en) 2005-10-26
US20020028572A1 (en) 2002-03-07
JP3409781B2 (ja) 2003-05-26
EP1187196A3 (en) 2004-03-31
DE60114338D1 (de) 2005-12-01
EP1187196A2 (en) 2002-03-13
KR100436876B1 (ko) 2004-06-23
CA2353356A1 (en) 2002-03-05
US6506624B2 (en) 2003-01-14
KR20020019382A (ko) 2002-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7078801B2 (en) Thermoelectric module package
US6506624B2 (en) Method of manufacturing an optical semiconductor module
JP2002158391A (ja) 光半導体気密封止容器及び光半導体モジュール並びに光ファイバー増幅器
JP2002111083A (ja) 熱電モジュール及びその製造方法
JP4325246B2 (ja) 熱電装置用パッケージおよびその製造方法
JPWO2003010867A1 (ja) 光半導体モジュール及びその製造方法
JP3783571B2 (ja) 半導体レーザモジュールおよびその製造方法
JP4116809B2 (ja) 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール
US6600223B2 (en) Hermetically sealing enclosure for housing photo-semiconductor devices and photo-semiconductor module incorporating the enclosure
JP3176334B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法
JP2002270906A (ja) 熱電モジュール
JP2004023039A (ja) 熱電装置およびその製造方法
JP4497762B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP3754902B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP2003318451A (ja) 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール
JP2003152231A (ja) 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール
JP2003158303A (ja) 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール
JP2004095746A (ja) 光半導体モジュール及びその製造方法
JP2004146767A (ja) 光半導体モジュール及びその製造方法
JP2002076495A (ja) 光半導体気密封止容器
JP2004266055A (ja) サーモモジュール一体型モジュールパッケージおよびその製造方法
JP2003243730A (ja) 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール
JP2001036185A (ja) セラミックス端子および光半導体素子収納用パッケージ
JP2005317589A (ja) 電子部品収納用パッケージおよびその製造方法ならびに電子装置
JP2003197987A (ja) 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees