KR101796808B1

KR101796808B1 - 광학 적층체, 광학 적층체의 제조 방법, 편광판 및 화상 표시 장치

Info

Publication number: KR101796808B1
Application number: KR1020127032388A
Authority: KR
Inventors: 준야 에구치; 다스쿠 기타무라; 유키 이치카와; 다카시 고다마
Original assignee: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
Priority date: 2010-05-12
Filing date: 2011-05-12
Publication date: 2017-11-10
Also published as: US10254446B2; US20160116644A1; JP6056480B2; TW201202031A; CN102869506B; US20140106122A1; JPWO2011142433A1; CN102869506A; WO2011142433A1; TWI538803B; US9310522B2; JP2017004012A; KR20130103673A

Abstract

본 발명은, 종래의 물리 특성이나 광학 특성을 유지하면서, 화상 표시 장치의 최표면 재료로서, 내자외선성이나 내산화성 등의 내광성을 안정적으로 유지하고, 대전 방지성이 우수하며, 또한, 화상 표시 장치에 적용했을 경우에 화상 콘트라스트가 높은 광학 적층체를 제공한다. 본 발명은, 광투과성 기재, 및 상기 광투과성 기재의 한쪽 면에 수지층을 갖는 광학 적층체이며, 상기 수지층은 바인더 수지, 폴리티오펜류, 도전 보조제 및 레벨링제를 함유하는 것을 특징으로 하는 광학 적층체에 관한 것이다.

Description

광학 적층체, 광학 적층체의 제조 방법, 편광판 및 화상 표시 장치{OPTICAL LAMINATE, METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTICAL LAMINATE, POLARIZING PLATE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 광학 적층체, 광학 적층체의 제조 방법, 편광판 및 화상 표시 장치에 관한 것이다.

음극선관 표시 장치(CRT), 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 일렉트로루미네센스 디스플레이(ELD), 필드 에미션 디스플레이(FED), 터치 패널, 전자 페이퍼 등의 화상 표시 장치의 최표면에는, 방현성, 반사 방지성이나 대전 방지성 등의 다양한 성능을 갖는 기능층으로 이루어지는 광학 적층체가 설치되어 있다.

이와 같은 광학 적층체는, 통상, 화상 표시 장치의 최표면에 설치되는 것이기 때문에, 내광성, 즉, 내자외선성, 내산화성과 같은 성능이 요구된다.

또한, 종래, 광학 적층체에 있어서, 대전에 의한 먼지 등의 부착에 의한 오염이나, 사용시 또는 디스플레이 제조 공정에서의 장해의 발생을 방지하기 위해서, 도전성 재료인 대전 방지제를 포함하는 수지층을 설치하는 것이 행해지고 있다.

상기 광학 적층체에 사용되는 대전 방지제로는, 안티몬이 도핑된 산화 주석(ATO)이나 주석이 도핑된 산화 인듐(ITO) 등의 금속 산화물계나 카본계 등의 도전성 미립자 등의 무기계 재료(특허 문헌 1, 2)가 알려져 있다. 그러나, 금속 산화물 등의 무기계 재료는, 첨가량이 많으면 광학 적층체의 광투과율이 저하되거나, 화상 표시 장치에 설치했을 경우의 화면의 콘트라스트가 저하되는 등의 문제가 있었다.

상기 대전 방지제로는 또한, 도전성 중합체나 4급 암모늄염계 도전재 등의 유기계 재료의 것도 알려져 있다(특허 문헌 2).

특허 문헌 3에는, 분자 내에 음이온기 및/또는 전자 흡인성기를 갖는 가용화 고분자 성분과 도전성 고분자 성분을 포함하는 가용성 도전성 고분자 성분과, 하드 코트 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 대전 방지성 수지 조성물이 개시되어 있다.

특허 문헌 4에는, 분자 내의 측쇄의 말단에 불포화 이중 결합을 갖는 가용화 고분자 성분 및 도전성 고분자 성분을 포함하는 가용성 도전성 고분자 성분과, 광 경화성 단량체 및/또는 유기 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 고분자 용액이 개시되어 있다.

특허 문헌 5 또는 6에는, 도전성 고분자, 도펀트, 및 라디칼 중합성기를 갖는 아미드계 화합물 또는 아민류 및 비이온성 계면 활성제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 분산제를 함유하고, 물의 함유량이 20중량％ 이하인 도전성 고분자/도펀트 착체 유기 용매 분산체가 개시되어 있다.

그러나, 이들 유기 도전성 재료나 대전 방지성 수지 조성물을 광학 적층체의 제조에 사용했을 경우, 원하는 대전 방지 성능을 갖는 광학 적층체를 얻을 수는 있어도, 종래의 물리 특성(하드 코트성 등)이나 광학 특성(광투과성, 방현성 등)을 유지한 상태에서, 또한 화상의 콘트라스트가 충분히 높은 것은 얻을 수 없었다.

최근, 표시 화상의 품질의 향상이 더욱 요구되고 있어, 화상의 콘트라스트가 보다 높은 광학 적층체의 실현이 요구되고 있다.

또한, 특허 문헌 5 및 6에는 도전성 고분자로서 폴리티오펜류를 사용할 수 있는 것이 개시되어 있다. 그러나, 폴리티오펜류는, 내자외선성 및 내산화성이 없기 때문에, 폴리티오펜류를 포함하는 조성물을 광학 적층체의 제조에 사용했을 경우, 대전 방지 성능이 열화된다는 문제가 있었다.

일본 특허 출원 공개 제2008-032845호 공보 일본 특허 출원 공개 제2006-023350호 공보 일본 특허 출원 공개 제2005-350622호 공보 일본 특허 출원 공개 제2006-028439호 공보 일본 특허 출원 공개 제2008-222850호 공보 일본 특허 출원 공개 제2008-045116호 공보

본 발명은, 상기 현상을 감안하여, 종래의 물리 특성이나 광학 특성을 유지하면서, 화상 표시 장치의 최표면 재료로서, 내자외선성이나 내산화성 등의 내광성을 안정적으로 유지하고, 대전 방지성 및 생산 안정성이 우수하며, 또한, 화상 표시 장치에 적용했을 경우에 화상 콘트라스트가 높은 광학 적층체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 광투과성 기재, 및 상기 광투과성 기재의 한쪽 면에 수지층을 갖는 광학 적층체이며, 상기 수지층은 바인더 수지, 폴리티오펜류, 도전 보조제 및 레벨링제를 함유하는 것을 특징으로 하는 광학 적층체이다.

본 발명의 광학 적층체는, 상기 폴리티오펜류의 함유량이 바인더 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 1.0질량부인 것이 바람직하다.

또한, 상기 폴리티오펜류는 음이온성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 도전 보조제는 쇄 형상 금속 산화물 입자, 카본 나노 튜브 및 도전성 미립자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.

또한, 상기 도전 보조제는 쇄 형상 금속 산화물 입자 및/또는 도전성 미립자이며, 상기 도전 보조제의 함유량이 바인더 수지 100질량부에 대하여 0.5 내지 5.0질량부인 것이 바람직하다.

또한, 상기 도전 보조제는 카본 나노 튜브이며, 상기 도전 보조제의 함유량이 바인더 수지 100질량부에 대하여 0.001 내지 0.13질량부인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 광학 적층체는, 상기 수지층의 초기 표면 저항값 및 내광성 시험 후의 표면 저항값이 1×10¹²Ω/□ 미만인 것이 바람직하다.

또한, 상기 수지층은 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제를 더 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제는 에폭시아크릴레이트인 것이 바람직하다.

또한, 상기 수지층은 방현성 기능을 갖는 것이 바람직하다.

또한, 상기 수지층은 광투과성 기재와 반대측 계면에서부터 100nm까지 도전 보조제가 존재하지 않는 영역이 형성되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 광학 적층체는, 상기 광투과성 기재 위에 바탕 요철층을 더 갖고, 상기 바탕 요철층 위에 상기 수지층을 갖는 것이 바람직하다.

본 발명은 또한, 광투과성 기재, 및 상기 광투과성 기재의 한쪽 면에 수지층을 갖는 광학 적층체의 제조 방법이며, 바인더 수지, 폴리티오펜류, 도전 보조제, 레벨링제 및 용제를 함유하는 수지층용 조성물을 사용해서 수지층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 적층체의 제조 방법이기도 하다.

본 발명의 광학 적층체의 제조 방법에 있어서, 상기 수지층용 조성물의 수분 함유량이 20질량％ 이하인 것이 바람직하다.

본 발명은 또한, 편광 소자를 갖는 편광판이며, 상기 편광판은 상기 편광 소자의 표면에 상술한 광학 적층체를 구비하는 것을 특징으로 하는 편광판이기도 하다.

본 발명은 또한, 최표면에 상술한 광학 적층체 또는 상술한 편광판을 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치이기도 하다.

이하에 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.

본 발명은, 광투과성 기재, 및 상기 광투과성 기재의 한쪽 면에 수지층을 갖는 광학 적층체이며, 상기 수지층이 특정한 성분을 포함하는 것인 것을 특징으로 한다. 이로 인해, 본 발명의 광학 적층체는, 종래의 물리 특성(경도, 하드 코트성 등)이나 광학 특성(광투과성, 방현성 등)을 가지면서, 화상 표시 장치의 최표면 재료로서, 내자외선성이나 내산화성 등의 내광성을 안정적으로 유지하고, 대전 방지성이 우수하며, 또한, 화상 표시 장치에 적용했을 경우에 화상의 콘트라스트가 높은 것으로 할 수 있다.

구체적으로는, 본 발명의 광학 적층체에서는, 상기 수지층이 바인더 수지, 폴리티오펜류, 도전 보조제 및 레벨링제를 함유하는 층이다.

상기 수지층이 이러한 특정한 성분을 함유하는 층이기 때문에, 본 발명의 광학 적층체에서는, 상기 수지층에서의 폴리티오펜 함유량을 소량으로 했을 경우에도, 높은 도전성을 나타내며, 우수한 대전 방지성을 발휘할 수 있다. 또한, 상기 수지층에서의 폴리티오펜 함유량을 소량으로 할 수 있기 때문에, 본 발명의 광학 적층체는 높은 광투과성을 유지할 수 있다. 또한, 본 발명의 광학 적층체를 화상 표시 장치에 적용했을 경우, 표시되는 화상의 콘트라스트를 높게 할 수 있다. 또한, 상기 수지층은, 상기 도전 보조제를 함유하기 때문에, 상술한 우수한 성능을 유지하면서, 내자외선성 및 내산화성도 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 광학 적층체는, 생산 안정성도 우수한 것이다. 또한, 본 명세서에서, "생산 안정성"이란, 수지층의 면내에서의 초기 표면 저항값에 편차가 없는 것을 의미한다.

본 발명의 광학 적층체를 화상 표시 장치 등의 장치에 적용할 경우의 사양으로는, 1m²를 초과하는 넓은 판의 크기로 도포 및 대량 생산할 필요가 있다. 이러한 사양으로 생산할 때, 도포 두께의 불균일이나 도포액의 분산 불균일에 의해 수지층의 면내에서의 특성에 변동이 발생하여, 원하는 특성을 면내에서 안정적으로 얻을 수 없는 경우가 있으며, 이 경우, 대량 생산에 적합하지 않고 생산성도 안정적이지 못하다. 이에 반해, 본 발명의 광학 적층체는, 특히 폴리티오펜류와 도전 보조제가 적합한 상태로 수지층 중에 존재함으로써, 초기 및 내광성 시험 후의 표면 저항값이 안정적일 뿐 아니라, 면내에서의 초기 표면 저항값도 안정적인 것이 된다.

상기 폴리티오펜류는, 본 발명의 광학 적층체에 있어서, 상기 수지층에 도전성을 부여하는 대전 방지제로서 기능하는 성분이며, 치환 또는 비치환인 것이어도 좋다.

또한, 상기 폴리티오펜류는, 비치환인 상태로도 수지층에 충분한 도전성을 얻을 수 있지만, 도전성을 보다 높이기 위해서, 알킬기, 카르복시기, 술포기, 알콕시기, 히드록시기, 시아노기 등의 관능기를 분자 중에 도입하는 것이 바람직하다.

상기 폴리티오펜류의 구체예로는, 예를 들어 폴리(티오펜), 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3-에틸티오펜), 폴리(3-프로필티오펜), 폴리(3-부틸티오펜), 폴리(3-헥실티오펜), 폴리(3-헵틸티오펜), 폴리(3-옥틸티오펜), 폴리(3-데실티오펜), 폴리(3-도데실티오펜), 폴리(3-옥타데실티오펜), 폴리(3-브로모티오펜), 폴리(3-클로로티오펜), 폴리(3-요오도티오펜), 폴리(3-시아노티오펜), 폴리(3-페닐티오펜), 폴리(3,4-디메틸티오펜), 폴리(3,4-디부틸티오펜), 폴리(3-히드록시티오펜), 폴리(3-메톡시티오펜), 폴리(3-에톡시티오펜), 폴리(3-부톡시티오펜), 폴리(3-헥실옥시티오펜), 폴리(3-헵틸옥시티오펜), 폴리(3-옥틸옥시티오펜), 폴리(3-데실옥시티오펜), 폴리(3-도데실옥시티오펜), 폴리(3-옥타데실옥시티오펜), 폴리(3,4-디히드록시티오펜), 폴리(3,4-디메톡시티오펜), 폴리(3,4-디에톡시티오펜), 폴리(3,4-디프로폭시티오펜), 폴리(3,4-디부톡시티오펜), 폴리(3,4-디헥실옥시티오펜), 폴리(3,4-디헵틸옥시티오펜), 폴리(3,4-디옥틸옥시티오펜), 폴리(3,4-디데실옥시티오펜), 폴리(3,4-디도데실옥시티오펜), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리(3,4-프로필렌디옥시티오펜), 폴리(3,4-부텐디옥시티오펜), 폴리(3-메틸-4-메톡시티오펜), 폴리(3-메틸-4-에톡시티오펜), 폴리(3-카르복시티오펜), 폴리(3-메틸-4-카르복시티오펜), 폴리(3-메틸-4-카르복시에틸티오펜), 폴리(3-메틸-4-카르복시부틸티오펜) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)이 바인더 수지와의 상용성이 좋은 점에서 바람직하다.

또한, 상기 폴리티오펜류는, 음이온성 화합물과의 착체(이하, 폴리티오펜 착체라고도 함)인 것이 바람직하다.

상기 음이온성 화합물로는, 음이온기로서, 상기 폴리티오펜류에 대한 화학 산화 도핑이 일어날 수 있는 관능기를 갖는 것이면 된다. 그 중에서도, 제조의 용이 및 안정성의 관점에서, 1치환 황산에스테르기, 1치환 인산에스테르기, 인산기, 카르복실기, 술포기 등이 바람직하다. 또한, 관능기의 폴리티오펜 성분에 대한 도핑 효과의 관점에서, 술포기, 1치환 황산에스테르기, 카르복시기가 보다 바람직하다.

상기 음이온성 화합물로는, 구체적으로는, 예를 들어 폴리비닐술폰산, 폴리스티렌술폰산, 폴리알릴술폰산, 폴리아크릴산에틸술폰산, 폴리아크릴산부틸술폰산, 폴리-2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, 폴리이소프렌술폰산, 폴리비닐카르복실산, 폴리스티렌카르복실산, 폴리알릴카르복실산, 폴리아크릴카르복실산, 폴리메타크릴카르복실산, 폴리-2-아크릴아미드-2-메틸프로판카르복실산, 폴리이소프렌카르복실산, 폴리아크릴산 등을 들 수 있다. 이것들의 단독 중합체이어도 좋고, 2종 이상의 공중합체이어도 좋다. 이들 중, 폴리스티렌술폰산, 폴리이소프렌술폰산, 폴리아크릴산에틸술폰산, 폴리아크릴산부틸술폰산이 바람직하다.

상기 음이온성 화합물의 중합도로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 단량체 단위가 10 내지 10만인 것이 바람직하고, 용매 용해성 및 도전성의 점에서 하한이 50, 상한이 1만인 것이 보다 바람직하다.

상기 폴리티오펜 착체는, 예를 들어, 상기 폴리티오펜류의 전구체 단량체를, 상기 음이온성 화합물, 산화제, 산화 촉매 및 용매 중에서 산화 중합함으로써 얻을 수 있다.

상기 산화제, 산화 촉매로는, 예를 들어 퍼옥소 2황산암모늄, 퍼옥소 2황산나트륨, 퍼옥소 2황산칼륨 등의 퍼옥소 2황산염, 염화제2철, 황산제2철, 질산제2철, 염화제2구리 등의 전이 금속 화합물, 3불화붕소, 염화알루미늄 등의 금속 할로겐 화합물, 산화은, 산화세슘 등의 금속 산화물, 과산화수소, 오존 등의 과산화물, 과산화벤조일 등의 유기 과산화물, 산소 등을 들 수 있다.

또한, 상기 용매로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 물, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, 헥사메틸렌포스포릴트리아미드, 아세토니트릴, 벤조니트릴 등의 극성 용매, 크레졸, 페놀, 크실레놀 등의 페놀류, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤류, 포름산, 아세트산 등의 카르복실산, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 등의 카보네이트 화합물, 디옥산, 디에틸에테르 등의 에테르 화합물, 에틸렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜디알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜디알킬에테르, 폴리프로필렌글리콜디알킬에테르 등의 쇄 형상 에테르류, 3-메틸-2-옥사졸리디논 등의 복소환 화합물, 아세토니트릴, 글루타로디니트릴, 메톡시아세토니트릴, 프로피오니트릴, 벤조니트릴 등의 니트릴 화합물 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상의 혼합물로 해도 좋고, 다른 유기 용매와의 혼합물로 해도 좋다.

상기 산화 중합에 있어서, 상기 폴리티오펜류의 전구체 단량체와 음이온성 화합물의 배합비로는 특별히 한정되지 않지만, 얻어지는 폴리티오펜 착체에 충분한 도전성을 발현시킬 수 있는 점에서, 폴리티오펜 1질량부에 대하여, 음이온성 화합물이 0.5 내지 5질량부가 되는 배합비인 것이 바람직하다.

또한, 상기 폴리티오펜 착체는 시판품을 사용할 수도 있고, 예를 들어 CLEVIOS P(상품명, 하. 체. 스타르크사제), Orgacon(상품명, 아그파사제) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)과 폴리스티렌술폰산의 착체인, CLEVIOS P(상품명, 하. 체. 스타르크사제)가 수지와의 상용성이 좋은 점에서 바람직하다.

상기 산화 중합에 의해 얻어진 착체나 상기 시판품의 대부분은, 폴리티오펜 착체의 물 분산액이지만, 본 발명에서는, 유기 용제 분산형 폴리티오펜 착체인 것이 바람직하다.

상기 유기 용제 분산형 폴리티오펜 착체에서의 유기 용제로는, 상기 폴리티오펜류를 용해시키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 알코올류, 케톤류, 에테르류, 아미드류, 술폭시드류, 술폰류, 에스테르류, 니트릴류 등을 들 수 있다.

상기 알코올류로는, 수산기를 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올 등의 모노알코올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 디알콜, 글리세린, 펜타에리트리톨 등의 다가 알코올류 등을 들 수 있다.

상기 케톤류로는, 분자 중에 케톤 구조를 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등을 들 수 있다.

상기 에테르류로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 디에틸에테르, 에틸이소프로필에테르, 디옥산, 테트라히드로푸란, 폴리에틸렌글리콜디알킬에테르류, 폴리프로필렌글리콜디알킬에테르류 등의 에테르류 등을 들 수 있다.

상기 아미드류로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.

상기 술폭시드류로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 디메틸술폭시드 등을 들 수 있다.

상기 술폰류로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 술포란 등을 들 수 있다.

상기 에스테르류로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 아세트산메틸, 아세트산에틸 등을 들 수 있다.

상기 니트릴류로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 아세토니트릴, 프로피오니트릴 등을 들 수 있다.

이것들은, 단독으로 사용되어도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.

이들 중에서는, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜 등의 알코올류, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류가 취급성과 분산 안정성의 점에서 바람직하다.

상기 수지층에서의 상기 폴리티오펜류의 함유량은, 후술하는 바인더 수지 고형분 100질량부에 대하여 0.1 내지 1질량부인 것이 바람직하다. 상기 함유량이 0.1질량부 미만이면, 원하는 대전 방지성을 부여할 수 없는 경우가 있다. 1질량부를 초과하면, 광투과율이 감소하여, 원하는 높은 콘트라스트를 실현할 수 없는 경우가 있다. 상기 폴리티오펜류의 함유량은, 하한이 0.2질량부인 것이 보다 바람직하고, 상한이 0.7질량부인 것이 보다 바람직하다.

이와 같이 상기 폴리티오펜류가 소량의 함유량임에도 불구하고, 본 발명의 광학 적층체가 대전 방지 성능을 발휘할 수 있는 점에서, 상기 폴리티오펜류는, 수지층 중에서, 수지층 전체에 분산되어 존재하고 있는 것이 아니라, 수지층 중의 일정한 위치에 층 상태, 혹은 수지층 내에 미세한 그물코 상태로서 존재하고 있는 것으로 추측된다. 여기에서 말하는 층 상태로는, 상기 층 상태로 폴리티오펜류가 서로 통전 가능한 위치에서 균일하게 분산되어 있는 상태 외에, 소규모이며 국재한 부분이 서로 통전 가능한 위치에서 서로 근접하는 형태로 폴리티오펜류가 층 상태를 형성하고 있는 것으로도 추측된다. 또한, 미세한 그물코 상태로는, 폴리티오펜류가 수지층 전체에서, 서로 통전 가능한 위치에서 인접해서 그물코를 구성하고 있는 것으로 추측된다. 또한, 상기 폴리티오펜류는, 수지층 중에서 후술하는 도전 보조제를 통해 상술한 상태로 존재하고 있어도 된다.

또한, 상기 폴리티오펜류는, 내광성을 만족하기 위해서, 수지층 중의 수지층 표면측(광투과성 기재면과는 반대측) 부근이지만 최표면은 아닌 위치에 존재하는 것으로 추측된다.

상기 도전 보조제는, 본 발명의 광학 적층체에 있어서, 상기 폴리티오펜류에 의한 대전 방지 성능을 보조하는 역할을 하는 성분이다.

상술한 바와 같이, 상기 폴리티오펜류는, 수지층 중에 수지층 표면측 부근이지만 최표면은 아닌 위치에 존재하는 것으로 추측되는데, 상기 수지층이 폴리티오펜류만을 함유할 경우, 그 존재 위치가 최표면에 너무 가까우면, 자외선에 의한 열화나 산화에 의한 열화가 발생해서 수지층의 표면 저항값에 면내 편차가 발생하여, 대전 방지 성능이 저하되는(즉, 내광성이 떨어지는) 경우가 있다. 한편, 상기 자외선에 의한 열화나 산화에 의한 열화가 발생하기 어려운 위치, 즉, 수지층의 최표면으로부터 먼 위치에 폴리티오펜류가 존재하고 있으면, 수지층의 표면에 대한 통전이 곤란해져서 표면 저항값이 높아지거나, 면내 편차가 발생해서, 역시 대전 방지 성능이 떨어지는 경우가 있다. 또한, 폴리티오펜류가 미세한 그물코 상태로서 균일하게 수지층에 존재하지 않으면, 수지층의 표면 저항값에 면내 편차가 발생하여, 대전 방지 성능이 떨어지는 경우가 있다. 특히 수지층이 폴리티오펜류만을 포함할 경우, 상기 폴리티오펜류를 균일하게 미세한 그물코 상태로 하기 위해서는 첨가량을 많게 할 필요가 있을 뿐 아니라, 가공 조건에서도 고도의 조정이 요구된다.

그러나, 본 발명에서는, 상기 수지층에 폴리티오펜류 외에도 도전 보조제를 함유함으로써, 폴리티오펜류만을 포함할 경우에 일어날 수 있는 이러한 문제를 적절하게 방지할 수 있어, 생산 안정성이 우수한 것으로 된다.

여기서, 상기 수지층에 도전 보조제가 포함되어 있어도, 상기 도전 보조제가 수지층의 전체에서 서로 통전 가능한 위치에 없는 상태로 균일 분산되어 있으면, 상기 도전 보조제에 의한 통전망이 형성되지 않아, 대전 방지 성능이 불충분하게 되는 경우가 있고, 충분한 대전 방지 성능을 발휘할 수 있는 양의 도전 보조제를 첨가하면, 광투과성이 감소하여, 원하는 높은 콘트라스트를 실현할 수 없는 경우가 있다. 이로 인해, 상기 도전 보조제는, 수지층 중에서 서로 통전 가능한 위치에 분산되어, 상기 도전 보조제에 의한 통전망을 형성하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 상기 도전 보조제와 상기 폴리티오펜류에 의한 통전망을 형성하고 있는 것도 바람직하다.

또한, 상기 수지층은, 광투과성 기재와 반대측 계면에서부터 100nm까지 도전 보조제가 존재하지 않는 영역이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 범위로 도전 보조제가 존재하지 않는 영역이 형성되어 있음으로써, 내광성의 저하를 적절하게 방지할 수 있다.

여기서, 상기 "도전 보조제가 존재하지 않는 영역"이란, 상기 수지층의 단면 SEM 화상에서, 도전 보조제가 광투과성 기재와 반대측 계면에서부터 100nm의 영역에 확인할 수 없거나, 내지는 상기 수지층의 광투과성 기재와 반대측 계면 부근의 단면을 1만배로 확대한 화상에서, 상기 수지층의 두께 방향에 수직인 방향 5㎛당 확인되는 도전 보조제가 2개 이하인 경우를 의미한다.

본 발명의 광학 적층체에 있어서, 상기 도전 보조제는, 상기 수지층 중에서, 예를 들어 광투과성 기재측 계면에서부터 폴리티오펜류가 존재하는 위치의 바로 아래까지 존재하거나(구성 1), 폴리티오펜류가 존재하는 위치와 동일한 위치에 존재하거나(구성 2), 폴리티오펜류가 존재하는 위치와 동일한 위치에서부터 수지층의 광투과성 기재측 계면에 걸쳐서 존재하고 있는(구성 3) 것으로 추측된다.

상기 구성 1에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 수지층(30)의 광투과성 기재측 계면에서부터 순서대로, 도전 보조제가 존재하는 영역(32)과 폴리티오펜류가 존재하는 영역(31)이 적층 형성되어 있는 것으로 추측된다. 상기 구성 1에서는, 도전 보조제가 존재하는 영역(32)과 폴리티오펜류가 존재하는 영역(31)을 적층하고, 이들 영역 간에서의 통전을 도모함으로써, 도전 보조제는 폴리티오펜류에 의한 대전 방지 성능을 보조하고 있는 것으로 추측된다. 또한, 도 3에 도시한 도전 보조제가 존재하는 영역(32)은 광투과성 기재측 계면까지 형성되어 있지만, 당해 도전 보조제가 존재하는 영역(32)은 광투과성 기재측 계면까지 형성되지 않아도 좋다.

또한, 상기 구성 2에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 수지층(40) 중에 폴리티오펜류 및 도전 보조제가 존재하는 영역(41)이 형성되어 있는 것으로 추측된다. 또한, 상기 구성 3에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 수지층(50) 중에 폴리티오펜류 및 도전 보조제가 존재하는 영역(51)과, 상기 영역(51)의 광투과성 기재측에 도전 보조제가 존재하는 영역(52)이 형성되어 있는 것으로 추측된다. 상기 구성 2 및 구성 3에서는, 수지층 중에 폴리티오펜류 및 도전 보조제가 존재하는 영역에서, 이들 재료에 의한 통전망을 형성함으로써, 도전 보조제는 폴리티오펜류에 의한 대전 방지 성능을 보조하고 있는 것으로 추측된다.

또한, 도 5에 도시한 도전 보조제가 존재하는 영역(52)은 광투과성 기재측 계면까지 형성되어 있지만, 당해 도전 보조제가 존재하는 영역(52)은 광투과성 기재측 계면까지 형성되지 않아도 좋다.

도 3 내지 4는, 본 발명의 광학 적층체에서의 수지층 중의 도전 보조제 및 폴리티오펜류가 존재하는 영역을 모식적으로 도시하는 단면도다.

또한, 폴리티오펜류가 자외선 등으로 열화된 부위가 있을 경우, 상기 도전 보조제는, 상기 열화된 부위에 존재하는 것으로 추측된다. 그 결과, 수지층 표면의 표면 저항값을 보다 우수한 것으로 할 수 있는 동시에, 면내 편차를 작게 할 수 있고, 또한, 폴리티오펜류의 내자외선성 및 내산화성 등의 내광성을 향상시킬 수 있는 것으로 추측된다.

그 결과, 수지층 표면의 표면 저항값을 보다 우수한 것으로 할 수 있는 동시에, 면내 편차를 작게 할 수 있고, 또한, 폴리티오펜류의 내자외선성 및 내산화성 등의 내광성을 향상시킬 수 있는 것으로 추측된다.

또한, 상기 "면내 편차"란, 상기 수지층 표면의 표면 저항값이 상기 수지층의 표면 내에서 편차가 있는 것을 의미한다.

도 1에, 상기 도전 보조제로서 쇄 형상 ATO를 포함하는 수지층을 구비한 본 발명의 광학 적층체의 단면 SEM 사진을 도시한다. 또한, 본 발명에서의 폴리티오펜류의 첨가량은 매우 소량이기 때문에, 본 발명의 광학 적층체의 단면 SEM 관찰에서, 폴리티오펜류를 관찰하는 것은 실정상 곤란하지만, 상술한 바와 같이 수지층 중에 적절하게 존재하고 있는 것으로 추측된다.

도 1에 도시한 바와 같이, 상술한 수지층에 포함되는 쇄 형상 ATO 등의 도전 보조제의 존재 위치는, 상기 수지층의 단면 관찰에 의해 확인할 수 있다. 또한, 도 1에 도시한 본 발명의 광학 적층체는, 수지층이 후술하는 유기계 미립자를 갖는 바탕 요철층 위에 형성된 구조를 갖는다.

상기 도전 보조제로는, 쇄 형상 금속 산화물 입자, 카본 나노 튜브 및 도전성 미립자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.

상기 쇄 형상 금속 산화물 입자로는, 금속 산화물 입자가 쇄 형상으로 이어진 구조를 갖는 입자를 들 수 있다. 또한, 상기 쇄 형상 금속 산화물 입자는, 도전성을 갖는 쇄 형상 도전 무기 미립자이다.

상기 쇄 형상 금속 산화물 입자를 구성하는 금속 산화물 입자는, 평균 입경이 1 내지 100nm인 것이 바람직하고, 보다 바람직한 하한은 5nm, 보다 바람직한 상한은 80nm이다. 1nm 미만이면, 상기 금속 산화물 입자의 입계 저항이 급격하게 커지고, 또한, 쇄 형상 금속 산화물 입자를 얻을 수 없어 3차원으로 응집된 미립자가 증가하는 경향이 있어, 도전 보조제로서 기능할 수 있을 정도의 낮은 저항값을 얻을 수 없는 경우가 있다. 한편, 100nm를 초과하면, 쇄 형상 금속 산화물 입자의 형성이 곤란해지고, 또한, 가령 형성할 수 있어도 금속 산화물 입자끼리의 접점이 감소하기 때문에, 도전 보조제로서 기능할 수 있을 정도의 낮은 저항값을 얻을 수 없는 경우가 있다. 또한, 금속 산화물 입자에 의한 광의 흡수가 커져, 상기 수지층의 광투과율의 저하나 헤이즈의 상승이 발생하는 경우가 있다. 이로 인해, 수지층에 일정한 광투과율을 얻기 위해서 수지층의 막 두께를 얇게 하거나, 금속 산화물 입자의 양을 적게 하면, 도전 보조제로서 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있다.

또한, 상기 쇄 형상 금속 산화물 입자는, 평균 길이가 2 내지 200nm인 것이 바람직하고, 보다 바람직한 하한은 5nm, 보다 바람직한 상한은 80nm이다. 2nm 미만이면, 상기 쇄 형상 금속 산화물 입자에 의한 접촉 저항이 증가하여, 본 발명의 광학 적층체의 대전 방지 성능이 불충분해지는 경우가 있다. 한편, 200nm를 초과하면, 상기 수지층의 형성성이 저하되어, 본 발명의 광학 적층체에 헤이즈 등의 광학 특성에 문제가 발생하고, 또한 외관이 악화되는 경우가 있다.

또한, 상기 금속 산화물 입자의 평균 입경 및 평균 길이는, 주사형 전자 현미경(니혼덴시(주):JMS5300)에 의해 측정된 값이다.

상기 쇄 형상 금속 산화물 입자는, 어스펙트비가 2 내지 200인 것이 대전 방지성 및 광투과율의 양립의 점에서 바람직하다. 2 미만이면, 본 발명의 광학 적층체의 대전 방지 성능을 충분히 우수한 것으로 할 수 없는 경우가 있고, 200을 초과하면, 상기 수지층의 광투과율이 저하되는 경우가 있다.

또한, 상기 어스펙트비란, 공지된 전자 현미경을 사용해서 상기 쇄 형상 금속 산화물 입자의 장축과 단축을 측정하여, 장축의 길이를 단축의 길이로 나눔으로써 산출된 값이다. 여기서, 상기 쇄 형상 금속 산화물 입자의 장축이란, 상기 쇄 형상 금속 산화물 입자의 외주상에서 최대가 되는 2점간을 연결한 직선을 의미하고, 상기 쇄 형상 금속 산화물 입자의 단축이란, 상기 장축에 수직인 방향이며 상기 쇄 형상 금속 산화물 입자의 외주상에서 최대가 되는 2점간을 연결한 직선을 의미한다.

상기 쇄 형상 금속 산화물 입자를 구성하는 금속 산화물 입자로는, 구체적으로는, 예를 들어 Au, Ag, Pd, Cu, Ni, Ru, Rh, Sn, In, Sb, Fe, Pt, Ti, Cr, Co, Al, Zn, Ta, Pb, Os 및 Ir로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 원소로 이루어지는 금속의 산화물 입자를 들 수 있다.

그 중에서도, 본 발명의 광학 적층체의 대전 방지성을 보다 적절하게 향상시킬 수 있는 점에서, 상기 금속 산화물 입자로는, 산화 주석, Sb, F 또는 P가 도핑 된 산화주석, 산화인듐, Sn 또는 F가 도핑된 산화인듐, 산화안티몬, 저차원 산화티탄 등이 적합하고, 특히 ATO(안티몬주석 산화물)가 적절하게 사용된다.

이와 같은 쇄 형상 금속 산화물 입자는, 예를 들어 이하의 방법에 의해 조제할 수 있다.

즉, 우선, 금속염 또는 금속 알콕시드가 0.1 내지 5중량％의 농도로 포함되는 알코올 용액을 가열해서 가수 분해시킨다. 이때 필요에 따라서 온수를 가하거나, 알칼리를 가해도 좋다. 이러한 가수 분해에 의해, 1차 입자 직경이 1 내지 100nm인 금속 수산화물의 겔 분산액을 조제한다.

계속해서, 겔 분산액을 여과 분별·세정하고, 필요에 따라서 유기 안정제의 존재하에서, 금속 수산화물을 오토클레이브 처리하고, 또한 메커니컬 분산 처리를 행함으로써 얻을 수 있다. 이 경우, 이온 교환 수지 처리하여, 이온성 도펀트을 제거해도 좋다.

이렇게 해서 얻어진 쇄 형상 금속 산화물 입자는, 통상, 원심 분리 등의 방법에 의해 생성 후의 분산액으로부터 취출되고, 필요에 따라서 산 등으로 세정된 후, 극성 용매에 분산시켜서 사용된다. 또한, 얻어진 쇄 형상 금속 산화물 입자를 포함하는 분산액은, 그대로 도포액으로서 사용할 수도 있다.

상기 메커니컬 분산 처리로는, 예를 들어 샌드밀법, 충격 분산법 등을 들 수 있고, 특히 충격 분산법이 바람직하게 사용된다. 충격 분산법은, 음속 정도의 고속으로 슬러리를 벽에 충돌시켜서 분산 또는 분쇄시키는 방법이며, 예를 들어 아티마이저(Artimizer), 나노마이저(Nanomizer) 등의 장치를 사용해서 행해진다.

또한, 상기 유기 안정제로는, 예를 들어 젤라틴, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 세바신산, 말레인산, 푸마르산, 프탈산, 시트르산 등의 다가 카르복실산 및 그의 염, 복소환 화합물 혹은 이것들의 혼합물 등을 들 수 있다.

또한, 상기 극성 용매로는, 예를 들어 물; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 디아세톤알코올, 푸르푸릴알코올, 테트라히드로푸르푸릴알코올, 에틸렌글리콜, 헥실렌글리콜 등의 알코올류; 아세트산메틸에스테르, 아세트산에틸에스테르 등의 에스테르류; 디에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세틸아세톤, 아세트아세트산에스테르 등의 케톤류 등을 들 수 있다. 이들 극성 용매는, 단독으로 사용되어도 좋고, 2종 이상이 병용되어도 좋다.

상기 카본 나노 튜브로는, 탄소 육각 그물면이 원통 형상으로 닫힌 구조를 갖는 것이면, 단층 구조이어도 좋고, 원통 구조가 상자 형상으로 배치된 다층 구조이어도 좋고, 나아가 이것들이 혼재하는 것이어도 좋다.

구체적으로는, 상기 카본 나노 튜브로는, 예를 들어, 싱글 월 카본 나노 튜브, 더블 월 카본 나노 튜브, 멀티 월 카본 나노 튜브 등을 들 수 있다. 또한, 복수 개가 로프 형상으로 서로 얽힌 것이나 분기 구조를 갖는 것이어도 좋다. 비용면을 고려하면, 멀티 월 카본 나노 튜브가 바람직하다.

또한, 제조한 그대로의 카본 나노 튜브를 사용할 수도 있지만, 도펀트을 제거해서 순도를 높인 것인 것이 바람직하다. 또한, 카본 나노 튜브의 정제 방법으로는, 예를 들어, 진공 중에서 가열하는 방법이나 산 처리하는 방법 등이 알려져 있고, 산 처리에 의해 카본 나노 튜브 측쇄에 수산기나 카르복실기가 생성되는 것도 알려져 있다.

상기 카본 나노 튜브의 크기로는 특별히 한정되지 않지만, 섬유 길이가 100nm 내지 100㎛, 섬유 직경이 1nm 내지 1㎛인 것이 바람직하다. 100nm 미만이면, 수지층의 표면 저항값에 면내 편차가 발생해서 대전 방지성이 악화되는 경우가 있고, 100㎛를 초과하면, 광투과율이 저하되는 경우가 있다. 상기 섬유 길이의 보다 바람직한 하한은 1㎛, 보다 바람직한 상한은 10㎛이며, 상기 섬유 직경의 보다 바람직한 상한은 200nm이다.

또한, 상기 카본 나노 튜브의 섬유 길이 및 섬유 직경은, 전자 현미경 관찰에 의해 측정된 값이다.

또한, 상기 도전성 미립자로는, 금속 미립자 또는 금속 산화물 미립자를 들 수 있다. 상기 도전성 미립자를 구성하는 재료로는, 구체적으로는, 예를 들어 산화주석(SnO₂), 산화안티몬(Sb₂O₅), 안티몬주석 산화물(ATO), 인듐주석 산화물(ITO), 알루미늄아연 산화물(AZO), 불소화 산화주석(FTO), ZnO, Au, Ag, Cu, Al, Fe, Ni, Pd, Pt 등을 들 수 있다.

상기 도전성 미립자는, 구 형상인 것이 바람직하고, 그 입경은 0.1 내지 200nm인 것이 바람직하다. 0.1nm 미만이면, 본 발명의 대전 방지성을 충분히 향상시킬 수 없는 경우가 있고, 200nm를 초과하면, 본 발명의 광학 적층체의 투명성(전광선 투과율)이 저하되는 경우가 있다. 보다 바람직한 하한은 20nm, 보다 바람직한 상한은 150nm이다.

본 발명의 광학 적층체에 있어서, 상기 도전 보조제의 함유량으로는, 사용하는 도전 보조제의 종류에 따라 적절하게 결정되며, 예를 들어, 상기 도전 보조제가 쇄 형상 금속 산화물 입자 및/또는 도전성 미립자일 경우, 상기 바인더 수지 100질량부에 대하여 0.5 내지 5.0질량부인 것이 바람직하다. 0.5질량부 미만이면, 본 발명의 광학 적층체의 대전 방지 성능이 불충분해지는 경우가 있고, 5.0질량부를 초과하면, 본 발명의 광학 적층체의 광투과율이 저하되거나, 콘트라스트가 저하되는 경우가 있다. 보다 바람직하게는 0.5 내지 2.5질량부이다. 상기 도전 보조제가 이 범위에 있음으로써, 본 발명의 광학 적층체의 대전 방지 성능을 보다 적절하게 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 도전 보조제가 카본 나노 튜브일 경우, 상기 도전 보조제의 함유량으로는, 바인더 수지 100질량부에 대하여 0.001 내지 0.13질량부인 것이 바람직하다. 0.001질량부 미만이면, 본 발명의 광학 적층체의 대전 방지 성능이 불충분해지는 경우가 있고, 0.13질량부를 초과하면, 광투과율이 저하되거나, 콘트라스트가 저하되는 경우가 있다. 보다 바람직한 하한은 0.005질량부, 보다 바람직한 상한은 0.05질량부이다. 상기 도전 보조제가 이 범위에 있음으로써, 본 발명의 광학 적층체의 대전 방지 성능을 보다 적절하게 향상시킬 수 있다.

본 발명의 광학 적층체에 있어서, 상기 바인더 수지로는, 상술한 음이온성 화합물과 반응하지 않는 재료이면 특별히 한정되지 않지만, 소수성 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 소수성 수지를 함유함으로써, 대전 방지성이 우수하고, 높은 콘트라스트를 갖는 광학 적층체로 할 수 있다.

본 명세서에서, "소수성 수지"란, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술포기 등의 친수성 관능기를 함유하지 않고, 비닐기, 우레탄기, (메트)아크릴로일기 등의 소수성 관능기를 갖는 아크릴산에스테르 수지를 의미한다.

또한, 본 발명의 광학 적층체에 있어서, 상기 바인더 수지로서, 음이온성 화합물과 반응하는 수지는, 대전 방지성의 기능을 손상시키기 때문에 사용할 수 없다.

상기 소수성 수지로는, 그 중에서도 우레탄아크릴레이트가, 대전 방지성이 우수하고, 높은 콘트라스트를 얻을 수 있는 동시에 하드 코트성을 적절하게 부여할 수 있으므로 적절하게 사용할 수 있다.

또한, 본 발명의 광학 적층체에 있어서, 상기 바인더 수지는, 상기 우레탄아크릴레이트와 함께 사용되는 것이면, 상기 우레탄아크릴레이트 이외의 소수성 수지를 더 함유하는 것이 바람직하다. 상기 소수성 수지를 더 함유함으로써, 상기 수지층에서의 폴리티오펜류를 표면(광투과성 기재와 반대측의 표면) 부근에 편재시키는 것이 가능해져서, 폴리티오펜류의 첨가량이 소량이어도, 우수한 대전 방지 성능을 발휘할 수 있기 때문이다. 그 이유는 명확하지는 않지만, 극성이 낮은 소수성의 수지가 상기 수지층 중에 많이 존재함으로써, 극성이 높은 폴리티오펜류가 표면의 근방에 국재화하기 쉬워지는 것으로 생각된다.

상기 우레탄아크릴레이트 이외의 소수성 수지로는, 구체적으로는, 예를 들어 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴에스테르, 또는, 이것들의 에틸렌옥사이드 변성품을 적절하게 들 수 있다.

그 중에서도, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트가 적절하게 사용된다.

또한, 극성이 높은 소수성 수지는, 초기의 대전 방지성이 악화되는 경우가 있으며, 예를 들어, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트 등은 부적합하다.

상기 바인더 수지 중의 소수성 수지의 함유량으로는, 바인더 수지 중의 수지 성분 중 20 내지 100질량％인 것이 바람직하다. 20질량％ 미만이면, 본 발명의 광학 적층체의 대전 방지 성능이 저하되는 경우가 있다. 상기 소수성 수지의 함유량은, 하한이 25질량％인 것이 보다 바람직하고, 상한이 70질량％인 것이 보다 바람직하다.

상기 소수성 수지 이외의 바인더 수지로는, 예를 들어, 자외선 혹은 전자선에 의해 경화하는 수지인 전리 방사선 경화형 수지, 전리 방사선 경화형 수지와 용제 건조형 수지(도포 시공시에 고형분을 조정하기 위해서 첨가한 용제를 건조시키는 것만으로 피막이 되는 수지)의 혼합물, 또는, 열경화성 수지를 함유하고 있어도 된다. 그 중에서도, 전리 방사선 경화형 수지가 바람직하다.

상기 전리 방사선 경화형 수지로는, 예를 들어, 아크릴레이트계의 관능기를 갖는 화합물 등의 하나 또는 2 이상의 불포화 결합을 갖는 화합물을 들 수 있다. 하나의 불포화 결합을 갖는 화합물로는, 예를 들어 에틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 스티렌, 메틸스틸렌, N-비닐피롤리든 등을 들 수 있다. 2 이상의 불포화 결합을 갖는 화합물로는, 예를 들어 폴리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 화합물과 (메트)아크릴레이트 등의 반응 생성물(예를 들어 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트에스테르) 등을 들 수 있다.

상기 화합물 이외에, 불포화 이중 결합을 갖는 비교적 저분자량의 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 알키드 수지, 스피로아세탈 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리티올폴리엔 수지 등도 상기 전리 방사선 경화형 수지로서 사용할 수 있다.

전리 방사선 경화형 수지에 혼합해서 사용되는 용제 건조형 수지로는, 주로 열가소성 수지를 들 수 있다.

상기 용제 건조형 수지의 첨가에 의해, 도포면의 도막 결함을 유효하게 방지할 수 있다.

바람직한 열가소성 수지의 구체예로는, 예를 들어 스티렌계 수지, (메트)아크릴계 수지, 아세트산비닐계 수지, 비닐에테르계 수지, 할로겐 함유 수지, 지환식 올레핀계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드계 수지, 셀룰로오스 유도체, 실리콘계 수지 및 고무 또는 엘라스토머 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 상기 열가소성 수지로는, 통상, 비결정성이며 또한 유기 용제(특히 복수의 중합체나 경화성 화합물을 용해 가능한 공통 용제)에 가용인 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 성형성 또는 제막성, 투명성이나 내후성이 높은 수지, 예를 들어, 스티렌계 수지, (메트)아크릴계 수지, 지환식 올레핀계 수지, 폴리에스테르계 수지, 셀룰로오스 유도체(셀룰로오스에스테르류 등) 등이 바람직하다.

상기 열경화성 수지로는, 페놀 수지, 요소 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 멜라닌 수지, 구아나민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 아미노알키드 수지, 멜라민-요소 공축합 수지, 규소 수지, 폴리실록산 수지 등을 들 수 있다.

상기 수지층은, 레벨링제를 함유한다.

상기 레벨링제를 함유함으로써, 상기 레벨링제가 상기 수지층 표면에 블리드함으로써, 후술하는 수지층용 조성물을 사용해서 상기 수지층을 형성할 때에, 도포 시공 건조시의 상기 수지층용 조성물 중의 대류 불균일이나, 버나드 셀 등의 결함을 방지할 수 있다. 또한, 레벨링제가 적극적으로 수지층 표면에 블리드함으로써, 폴리티오펜류가 수지층 표면에 블리드하는 것을 방지할 수 있는 동시에, 상기 폴리티오펜류를, 수지층 중의 일정한 위치에 층 상태, 혹은 수지층 내에 미세한 그물코 상태로서 존재시키고, 또한, 수지층 중에 수지층 표면측 부근이지만 최표면은 아닌 위치에 존재시킬 수 있는 것으로 추측되어, 안정하면서도 또한 적합한 대전 방지 성능을 얻을 수 있는 것으로 생각된다.

상기 레벨링제로는, 상기 폴리티오펜류의 음이온성 화합물과 반응하지 않는 재료이면, 반응성이나 비 반응성이어도 좋고, 특별히 한정되지 않지만, 불소계 및/또는 규소계 화합물인 것이 바람직하다.

상기 불소계 화합물로는, C_dF_2d ₊₁(d는 1 내지 21의 정수)로 표시되는 퍼플루오로알킬기, -(CF₂CF₂)_g-(g는 1 내지 50의 정수)로 표시되는 퍼플루오로알킬렌기, 또는 F-(-CF(CF₃)CF₂O-)_e-CF(CF₃)(여기서, e는 1 내지 50의 정수)으로 표시되는 퍼플루오로알킬에테르기, 및 CF₂=CFCF₂CF₂-, (CF₃)₂C=C(C₂F₅)- 및 ((CF₃)₂CF)₂C=C(CF₃)- 등으로 예시되는 퍼플루오로알케닐기를 갖는 것이 바람직하다.

상기의 관능기를 포함하는 화합물이면, 상기 불소계 화합물의 구조는 특별히 한정되는 것이 아니라, 예를 들어, 불소 함유 단량체의 중합체, 또는 불소 함유 단량체와 비불소 단량체의 공중합체 등을 사용할 수도 있다. 이들 중에서도 특히, 불소 함유 단량체의 단독 공중합체, 또는 불소 함유 단량체와 비불소 단량체의 공중합체 중 어느 하나로 구성되는 불소 함유계 중합체 세그먼트와, 비불소계 중합체 세그먼트로 이루어지는 블록 공중합체 또는 그라프트 공중합체가 바람직하게 사용된다. 이러한 공중합체에서는, 불소 함유계 중합체 세그먼트가 주로 방오성·발수 발유성을 향상시키는 기능을 갖고, 한편, 비불소계 중합체 세그먼트가 바인더 성분과의 상용성을 향상시키는 앵커 기능을 갖는다. 따라서, 이와 같은 공중합체를 사용한 반사 방지 적층체에서는, 반복해서 표면이 문질러졌을 경우에도 이들 불소계 화합물이 제거되기 어렵고, 또한, 장기간에 걸쳐 방오성 등의 제반 성능을 유지할 수 있다.

상기 불소계 화합물은 시판의 제품으로서 입수할 수 있으며, 예를 들어, 니혼유시제 모디퍼 F 시리즈, DIC사제 메가팩 시리즈 등이 바람직하게 사용된다.

상기 규소계 화합물은, 하기 화학식 1로 표시되는 구조를 갖는 것이 바람직하다.

(식에서, Ra는 메틸기 등의 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타내고, Rb는 비치환, 혹은 아미노기, 에폭시기, 카르복실기, 수산기, 퍼플루오로알킬기, 퍼플루오로알킬렌기, 퍼플루오로알킬에테르기, 또는 (메트)아크릴로일기로 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 알콕시기, 또는 폴리에테르 변성기를 나타내고, 각 Ra, Rb는 서로 동일하거나 상이해도 된다. 또한, m은 0 내지 200, n은 0 내지 200의 정수이다.)

상기 화학식과 같은 기본 골격을 갖는 폴리디메틸실리콘은, 일반적으로 표면 장력이 낮고, 발수성이나 이형성이 우수한 것으로 알려져 있는데, 측쇄 혹은 말단에 다양한 관능기를 도입함으로써, 더욱 효과를 부여할 수 있다. 예를 들어, 아미노기, 에폭시기, 카르복실기, 수산기, (메트)아크릴로일기, 알콕시기 등을 도입함으로써 반응성을 부여할 수 있고, 상기 전리 방사선 경화형 수지 조성물과의 화학 반응에 의해 공유 결합을 형성할 수 있다. 또한, 퍼플루오로알킬기, 퍼플루오로알킬렌기, 퍼플루오로알킬에테르기를 도입함으로써, 내유성이나 윤활성 등을 부여할 수 있고, 또한, 폴리에테르 변성기를 도입함으로써, 레벨링성이나 윤활성을 향상시킬 수 있다.

이와 같은 화합물은, 시판의 제품으로서 입수할 수 있고, 예를 들어, 플루오로알킬기를 갖는 실리콘 오일 FL100(신에츠화학공업사제)이나, 폴리에테르 변성 실리콘 오일 TSF4460(상품명, 모멘티브·퍼포먼스·매터리얼즈·재팬사제) 등, 목적에 맞춰서 다양한 변성 실리콘 오일을 입수할 수 있다. 그 중에서도, 본 발명에서는 TSF4460이 적절하게 사용된다.

상기 불소계 및/또는 규소계 화합물은 하기 화학식으로 표시되는 구조이어도 좋다.

Ra_nSiX₄ _-n

(식에서, Ra는 퍼플루오로알킬기, 퍼플루오로알킬렌기, 또는 퍼플루오로알킬에테르기를 포함하는 탄소수 3 내지 1000의 탄화수소기를 나타내고, X는 메톡시기, 에톡시기, 혹은 프로폭시기 등의 탄소수 1 내지 3의 알콕시기, 메톡시메톡시기, 혹은 메톡시에톡시기 등의 옥시알콕시기, 또는 클로로기, 브로모기 혹은 요오도기 등의 할로겐기 등의 가수 분해성 기이며, 동일하거나 상이해도 좋고, n은 1 내지 3의 정수를 나타낸다.)

이와 같은 가수 분해성 기를 포함함으로써, 특히 무기 성분, 본 발명에서는 실리카 성분의 수산기와 공유 결합이나 수소 결합을 형성하기 쉬워, 밀착성을 유지할 수 있다는 효과가 있다.

이러한 화합물로서, 구체적으로는 TSL8257(GE 도시바실리콘사제) 등의 플루오로알킬실란을 들 수 있다.

상기 수지층에서의 레벨링제의 함유량은, 상기 바인더 수지 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부인 것이 바람직하다. 0.01질량부 미만이면, 도막의 건조시에 대류 불균일이 발생하거나, 레벨링 부족에 기인한 도포면의 외관 불량이 야기되는 등의 문제가 발생하여 바람직하지 않다. 5질량부를 초과하면, 도막의 경도가 저하되는 등의 문제가 발생하여 역시 바람직하지 않다. 상기 레벨링제의 함유량은, 하한이 0.1질량부인 것이 보다 바람직하고, 상한이 2질량부인 것이 보다 바람직하다.

상기 수지층은 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제를 더 포함하는 것이 바람직하다.

상기 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제를 포함함으로써, 상기 폴리티오펜류의 분산성 및 안정성이 향상되는 동시에, 대전 방지성이 우수한 광학 적층체로 할 수 있다. 이것은, 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제가 상기 음이온성 화합물같이 거동하는 것이 가능하기 때문이라고 추측된다. 또한, 상기 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제를 포함함으로써, 내광성에 대해 보다 안정적이어서 바람직하다.

상기 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제로는, 예를 들어 에폭시아크릴레이트, 히드록시아크릴레이트, 비닐술폰산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시아크릴레이트인 것이 바람직하다.

상기 수지층에서의 상기 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제의 함유량은, 바인더 수지 100질량부에 대하여 1 내지 15질량부인 것이 바람직하다. 1질량부 미만이면, 상기 폴리티오펜류가 응집하여 석출되는 등의 우려가 있을 뿐 아니라, 대전 방지 성능이 저하될 우려가 있어, 안정 생산이 곤란해지는 경우가 있다. 15질량부를 초과하면, 상기 폴리티오펜류가 과도하게 분산되어, 이 경우도 대전 방지 성능이 저하될 우려가 있다. 상기 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제의 함유량은, 보다 바람직하게는 하한이 2질량부이며, 상한이 10질량부이다.

또한, 상기 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제인 상술한 에폭시아크릴레이트 등은, 가교 반응해서 하드 코트성을 발휘하는 것이며, 바인더 수지로서도 기능할 수 있다. 이 경우, 에폭시아크릴레이트 등의 함유량은, 에폭시아크릴레이트 등을 포함하는 바인더 수지 100질량％ 중 1 내지 15질량％인 것이 바람직하다.

본 발명의 광학 적층체에 있어서, 상기 수지층은 방현성 기능을 갖는 것이 바람직하다.

이러한 방현성 기능을 갖는 수지층은, 표면에 요철 형상을 갖는 것이 바람직하다. 상기 요철 형상으로는, 후술하는 방현층과 마찬가지의 Sm, θa, Ra 및 Rz를 갖는 것이 바람직하다.

또한, 방현성 기능을 갖는 수지층의 표면의 요철 형상은, 방현제를 포함하는 수지층용 조성물에 의해 형성한 것, 바인더 수지의 상 분리에 의해 형성한 것, 엠보스 가공에 의해 형성한 것이어도 좋다. 또한, 상기 방현제로는, 후술하는 방현층에서 설명하는 방현제와 마찬가지의 것을 들 수 있다.

상기 조성으로 이루어지는 수지층은, 상술한 바인더 수지, 폴리티오펜류, 도전 보조제, 레벨링제 및 필요에 따라서 상기 프로톤성 관능기를 갖는 수지나 그 밖의 성분을 용매 중에 균일하게 혼합해서 조제하여 이루어지는 수지층용 조성물을 사용해서 형성할 수 있다.

상기 혼합은, 페인트 셰이커, 비즈 밀, 니더 등의 공지된 장치를 사용해서 행하면 된다.

상기 수지층용 조성물은, 광중합 개시제를 더 포함하고 있어도 된다.

상기 광중합 개시제로는, 아세토페논류(예를 들어, 상품명 이가큐어 184, 치바·재팬사제의 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 상품명 이가큐어 907, 치바·재팬사제의 2-메틸-1〔4-(메틸티오)페닐〕-2-모리폴리노프로판-1-온), 벤조페논류, 티오크산톤류, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 방향족 디아조늄염, 방향족 술포늄염, 방향족 요오도늄염, 메타세론 화합물, 벤조인술폰산에스테르 등을 들 수 있다. 이것들은, 단독으로 사용하거나 또는 2종 이상을 병용해도 좋다.

상기 광중합 개시제의 첨가량은, 상기 바인더 수지 고형분 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부인 것이 바람직하다.

상기 수지층용 조성물은 또한, 필요에 따라서, 기타 성분을 함유하고 있어도 된다. 상기 기타 성분으로는, 자외선 흡수제, 방오제, 굴절률 조정제, 산화 방지제, 라디칼 포착제, 가교제, 경화제, 중합 촉진제, 중합 금지제, 점도 조정제 등을 들 수 있다.

상기 용매로는, 알코올(예, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, s-부탄올, t-부탄올, 벤질알코올, PGME, 에틸렌글리콜), 케톤(예, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 헵타논, 디이소부틸케톤, 디에틸케톤), 지방족 탄화수소(예, 헥산, 시클로헥산), 할로겐화탄화수소(예, 메틸렌클로라이드, 클로로포름, 사염화탄소), 방향족 탄화수소(예, 벤젠, 톨루엔, 크실렌), 아미드(예, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, n-메틸피롤리돈), 에테르(예, 디에틸에테르, 디옥산, 테트라히드로푸란), 에테르알코올(예, 1-메톡시-2-프로판올) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에탄올, 이소프로판올, n-부탄올, 에틸렌글리콜, 메틸이소부틸케톤 등이 바람직하다.

이들 용매는, 1종을 사용하는 것이어도 복수 종을 병용하는 것이어도 좋지만, 그 중에서도, 비점이 서로 다른 2종 이상의 알코올계 용매를 전체 용매 중 5 내지 70％ 포함하는 것이 바람직하고, 15 내지 60％ 포함하는 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위의 알코올계 용매를 포함함으로써, 대전 방지성을 안정적으로 얻을 수 있다.

상기 수지층을 형성하는 방법으로는, 상기 수지층용 조성물을 도포해서 피막을 형성하고, 필요에 따라서 건조시킨 후, 상기 피막을 경화해서 상기 수지층을 형성하는 방법을 들 수 있다.

상기 도포해서 피막을 형성하는 방법으로는, 예를 들어 스핀 코트법, 디핑법, 스프레이법, 다이 코트법, 바 코트법, 롤 코터법, 메니스커스 코터법, 플렉소 인쇄법, 스크린 인쇄법, 비드 코터법 등의 공지된 각종 방법을 들 수 있다.

상기 건조의 방법으로는, 30 내지 120℃에서 3 내지 120초간 건조시키는 방법을 들 수 있다.

상기 피막의 경화 방법은, 상기 조성물의 내용 등에 따라서 적절하게 선택하면 된다. 예를 들어, 상기 조성물이 자외선 경화형의 것이면, 피막에 자외선을 조사함으로써 경화시키면 된다.

상기 자외선을 조사하는 경우에는, 10 내지 300mJ/cm²의 자외선을 조사하는 방법을 들 수 있다.

상기 수지층의 두께는, 0.6 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 0.6㎛ 미만이면, 도막의 경도가 부족할 우려가 있다. 10㎛를 초과하면, 수지층용 조성물을 도포해서 형성한 도막에서의 대류 불균일을 충분히 억제할 수 없어, 대전 방지성이 우수한 광학 적층체를 얻을 수 없을 우려가 있다. 상기 두께는, 1 내지 9㎛인 것이 보다 바람직하다. 상기 수지층의 두께는, 광학 적층체의 단면을, 전자 현미경(SEM, TEM, STEM)으로 관찰함으로써 측정해서 얻어진 값이다.

본 발명의 광학 적층체는, 광투과성 기재를 갖는다.

상기 광투과성 기재로는, 평활성, 내열성을 구비하고, 기계적 강도가 우수한 것이 바람직하다.

상기 광투과성 기재를 형성하는 재료의 구체예로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌나프탈레이트, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 셀룰로오스디아세테이트, 셀룰로오스아세테이트부티레이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 폴리프로필렌(PP), 시클로올레핀 중합체(COP), 시클로올레핀 공중합체(COC), 폴리메틸펜텐, 폴리염화비닐, 폴리비닐아세탈, 폴리에테르케톤, 폴리메타크릴산메틸, 폴리카보네이트, 또는 폴리우레탄 등의 열가소성 수지를 들 수 있다. 바람직하게는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 또는 트리아세틸셀룰로오스를 들 수 있다.

상기 광투과성 기재의 두께는, 20 내지 300㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 하한이 30㎛이며, 상한이 200㎛이다.

상기 광투과성 기재는, 그 위에 형성하는 층과의 접착성을 향상시키기 위해서, 코로나 방전 처리, 비누화, 산화 처리 등의 물리적인 처리 외에, 앵커제 또는 프라이머 등의 도료의 도포를 미리 행해도 된다.

본 발명의 광학 적층체는, 상술한 수지층이 광투과성 기재 위에 형성되어 있음으로써, 종래의 물리 특성이나 광학 특성을 유지하면서, 화상 표시 장치의 최표면 재료로서, 내자외선성이나 내산화성 등의 내광성을 안정적으로 유지하고, 대전 방지성이 우수하며, 또한, 화상 표시 장치에 적용했을 경우에 화상 콘트라스트가 높은 것으로 할 수 있다. 또한, 본 발명의 광학 적층체에 있어서, 상기 수지층은, 방현성이나 하드 코트성과 같은 기능을 더 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 수지층은, 단일한 층으로 구성되어 있어도 좋고, 다층 구조이어도 좋다.

본 발명의 광학 적층체는, 방현성 기능을 갖는 것이 바람직하다. 상기 방현성 기능을 갖는 본 발명의 광학 적층체의 구성으로는, 예를 들어, 상기 수지층이 방현성 기능을 갖는 구성이나, 상기 광투과성 기재 위에 요철 형상을 갖는 바탕 요철층을 갖고, 상기 바탕 요철층 위에 상기 수지층을 갖는 구성 등을 들 수 있다.

상기 방현성 기능을 가짐으로써, 본 발명의 광학 적층체는, 외광에 의한 반사 등을 방지할 수 있어, 시인성을 향상시킬 수 있다.

본 발명의 광학 적층체는, 상기 광투과성 기재 위에 바탕 요철층을 갖고, 상기 바탕 요철층 위에 상기 수지층을 갖는 구성이 바람직하다. 상기 수지층에 요철 형성용의 미립자를 섞는 등의 방법으로 방현성 기능을 부여한 구성의 경우, 요철 형성용의 미립자의 존재 상태에 따라 상술한 수지층에 의한 본 발명의 효과가 손상될 가능성, 또는, 고도의 가공 조건이 필요해질 가능성이 있다. 그러나, 상기 바탕 요철층 위에 상기 수지층을 갖는 구성으로 함으로써, 상술한 수지층에 의해 얻어지는 본 발명의 효과를 손상시키지 않고, 본 발명의 광학 적층체에 적합한 방현성 기능을 부여할 수 있다.

또한, 종래, 표면에 요철 형상을 갖는 방현층의 표면에, 대전 방지제를 포함하는 대전 방지층을 형성하여 이루어지는 구성의 광학 적층체에서는, 방현층에 의한 방현성과 대전 방지층에 의한 대전 방지성과, 광학 적층체에 원래 요구되는 광투과성을 만족시키는 것은 곤란했다. 그러나, 본 발명의 광학 적층체는, 상술한 요철 형상을 갖는 바탕 요철층 위에 원하는 수지층을 가짐으로써, 이들 성능을 충분히 만족시키는 것이 가능해진다.

상기 수지층에 방현성 기능을 갖는 구성, 및 상기 광투과성 기재 위에 요철 형상을 갖는 바탕 요철층을 갖고, 상기 바탕 요철층 위에 상기 수지층을 갖는 구성은, 모두 표면에 요철 형상을 갖는 층(이하, 상기 양쪽의 구성을 갖는 층을 합쳐서 방현층이라고도 함)이다. 상기 요철 형상은, 상기 방현층 표면의 요철의 평균 간격을 Sm이라고 하고, 요철부의 평균 경사각을 θa라고 하고, 요철의 산술 평균 거칠기를 Ra라고 하고, 요철의 10점 평균 거칠기를 Rz라고 했을 경우에, 외광에 의한 반사를 방지할 수 있다는 관점에 의해, 하기식을 만족하는 것이 바람직하다. θa, Ra, Rz가 하한 미만이면, 외광에 의한 반사를 억제할 수 없다. 또한, θa, Ra, Rz가 상한을 초과하면, 번쩍임 등의 문제가 발생할 우려가 있다. Sm이 하한 미만이면, 백탁이 발생할 우려가 있다. Sm이 상한을 초과하면, 외광에 의한 반사를 억제할 수 없는 등의 문제가 발생할 우려가 있다.

50㎛<Sm<600㎛

0.1°<θa<1.5°

0.02㎛<Ra<0.25㎛

0.30㎛<Rz<2.00㎛

또한, 상기 방현층의 요철 형상은, 보다 바람직하게는, 하기식을 만족하는 것이다. 하기식을 만족하면, 외광에 의한 반사를 방지할 수 있고, 나아가, 화상 표시 장치를 흑색 표시로 한 상태에서의 우수한 윤기나는 흑감(화면 표시에서의 젖은 듯한 윤기가 있는 흑색의 재현성)을 얻을 수 있다는 점에서 보다 바람직하다. θa, Ra, Rz 및 Sm이 상한을 초과하거나, 혹은 하한 미만이면, 윤기나는 흑감을 얻을 수 없다.

100㎛<Sm<400㎛

0.1°<θa<1.2°

0.02㎛<Ra<0.15㎛

0.30㎛<Rz<1.20㎛

또한, 본 명세서에서, 상기 Sm, Ra 및 Rz는, JIS B 0601-1994에 준거하는 방법으로 얻어지는 값이며, θa는, 표면 거칠기 측정기:SE-3400 취급 설명서(1995. 07. 20 개정)(주식회사 고사카 연구소)에 기재된 정의에 의해 얻어지는 값이고, 도 2에 도시한 바와 같이, 기준 길이(L)에 존재하는 볼록부 높이의 합(h₁+h₂+h₃+ … +h_n)의 아크 탄젠트{θa=tan^-1(h₁+h₂+h₃+ … +h_n)/L}로 구할 수 있다.

이러한 Sm, θa, Ra, Rz는, 예를 들어, 표면 거칠기 측정기:SE-3400/주식회사 고사카 연구소제 등에 의해 측정해서 구할 수 있다.

상기 방현층의 요철 형상은, 방현제를 포함하는 조성물에 의해 형성한 것, 수지의 상 분리에 의해 형성한 것, 엠보스 가공에 의해 형성한 것이어도 좋다.

그 중에서도, 상기 방현층의 요철 형상은, 방현제를 포함하는 조성물에 의해 형성한 것인 것이 바람직하다. 또한, 상기 방현층이 요철 형상을 갖는 수지층일 경우, 상기 방현제를 포함하는 조성물은, 상술한 수지층용 조성물에 방현제를 포함하는 것이며, 상기 요철 형상을 갖는 수지층을 형성하는 것이다. 한편, 상기 방현층이 바탕 요철층 위에 상기 수지층을 갖는 구성일 경우, 상기 방현제를 포함하는 조성물은, 상기 바탕 요철층을 형성하는 것이다.

상기 방현제는 미립자이며, 형상은, 진구 형상, 타원 형상, 부정형 등 특별히 한정되지 않는다. 또한, 상기 방현제로서, 무기계, 유기계의 미립자를 사용할 수 있고, 바람직하게는 투명성의 미립자가 좋다.

유기계 미립자의 구체예로는, 플라스틱 비즈를 들 수 있다. 플라스틱 비즈로는, 폴리스티렌 비즈(굴절률 1.59 내지 1.60), 멜라민 비즈(굴절률 1.57), 아크릴 비즈(굴절률 1.49 내지 1.53), 아크릴-스티렌 공중합체 비즈(굴절률 1.54 내지 1.58), 벤조구아나민-포름알데히드 응축물 비즈(굴절률 1.66), 멜라민-포름알데히드 응축물(굴절률 1.66), 폴리카보네이트 비즈(굴절률 1.57), 폴리에틸렌 비즈(굴절률 1.50) 등을 들 수 있다. 상기 플라스틱 비즈는, 그의 표면에 소수성기를 갖는 것이 바람직하고, 예를 들어 폴리스티렌 비즈를 들 수 있다.

무기계 미립자로는, 부정형 실리카, 구 형상 등, 어떤 특정 형상을 갖는 무기 실리카 비즈 등을 들 수 있다.

그 중에서도 상기 방현제로서, 아크릴-스티렌 공중합체 비즈 및/또는 부정형 실리카를 사용하는 것이 바람직하다.

상기 방현제의 평균 입경은 1 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 3 내지 8㎛인 것이 보다 바람직하다. 상기 평균 입경은, 톨루엔 5질량％ 분산액의 상태에서, 레이저 회절 산란법 입도 분포 측정 장치에 의해 측정해서 얻어진 값이다.

상기 방현제의 함유량은, 바인더 수지 고형분 100질량부에 대하여 1 내지 40질량부인 것이 바람직하고, 5 내지 30질량부인 것이 보다 바람직하다.

또한, 상기 방현층은, 내부 산란 입자를 더 함유하는 것인 것이 바람직하다. 상기 내부 산란 입자는, 내부 헤이즈를 부여하여 번쩍임 등을 억제할 수 있는 것이다.

상기 내부 산란 입자로는, 방현층을 구성하는 바인더 수지와의 굴절률의 차가 비교적 큰 유기 입자 또는 무기 입자를 들 수 있고, 예를 들어, 아크릴-스티렌 공중합체 비즈(굴절률 1.54 내지 1.58), 멜라민 비즈(굴절률 1.57), 폴리스티렌 비즈(굴절률 1.59 내지 1.60), 폴리염화비닐 비즈(굴절률 1.60), 벤조구아나민-포름알데히드 응축물 비즈(굴절률 1.66), 멜라민-포름알데히드 응축물(굴절률 1.66) 등의 플라스틱 비즈나 실리콘 입자(굴절률 1.42)를 들 수 있다.

이들 입자는, 상기 방현제로서의 성질과 내부 산란 입자로서의 성질을 겸비한 것을 사용해도 좋다.

상기 내부 산란 입자의 평균 입경은 0.5 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 1 내지 8㎛인 것이 보다 바람직하다. 상기 평균 입경은, 톨루엔 5질량％ 분산액의 상태에서, 레이저 회절 산란법 입도 분포 측정 장치에 의해 측정해서 얻어진 값이다.

상기 내부 산란 입자의 첨가량은, 바인더 수지 고형분 100질량부에 대하여 0.1 내지 40질량％인 것이 바람직하고, 1 내지 30질량％인 것이 보다 바람직하다.

상기 방현층의 바인더 수지로는, 상술한 수지층에 사용할 수 있는 바인더 수지와 마찬가지의 것을 들 수 있다.

상기 방현층은, 또한, 본 발명의 효과를 저해하지 않을 정도로 필요에 따라서 기타 성분을 포함하고 있어도 된다. 상기 기타 성분으로는, 상술한 수지층에 사용할 수 있는 기타 성분과 마찬가지의 것을 들 수 있다.

상기 방현층은, 공지된 방법에 의해 형성하면 된다. 예를 들어, 바인더 수지, 방현제 및 기타 성분을 용제와 혼합 분산시켜 방현층용 조성물을 조제하여, 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다. 상기 방현층용 조성물의 조제 방법과, 이것을 사용해서 방현층을 형성하는 방법으로는, 상술한 수지층용 조성물의 조제 방법과, 수지층을 형성하는 방법과 마찬가지의 방법을 각각 들 수 있다.

상기 방현층의 층 두께는 1 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 1㎛ 미만이면, 방현성을 적절하게 부여할 수 없을 우려가 있다. 10㎛를 초과하면, 컬이나 크랙 등이 발생할 우려가 있다.

상기 층 두께는, 광학 적층체의 단면을, 전자 현미경(SEM, TEM, STEM)으로 관찰함으로써 측정해서 얻어진 값이다.

또한, 본 발명의 광학 적층체는, 반사 방지성의 향상을 도모할 수 있는 점에서, 상기 수지층 위에 저굴절률층을 갖는 것이 바람직하다.

상기 저굴절률층은, 외부로부터의 광(예를 들어 형광등, 자연광 등)이 광학 적층체의 표면에서 반사할 때, 그 반사율을 낮게 한다는 역할을 하는 층이다. 저굴절률층으로는, 바람직하게는 1) 실리카 또는 불화 마그네슘을 함유하는 수지, 2) 저굴절률 수지인 불소계 수지, 3) 실리카 또는 불화 마그네슘을 함유하는 불소계 수지, 4) 실리카 또는 불화 마그네슘의 박막 등의 어느 하나로 구성된다. 불소 수지 이외의 수지에 대해서는, 상술한 수지층을 구성하는 수지와 마찬가지의 수지를 사용할 수 있다.

또한, 상술한 실리카는, 중공 실리카 미립자인 것이 바람직하고, 이러한 중공 실리카 미립자는, 예를 들어 일본 특허 출원 공개 제2005-099778호 공보의 실시예에 기재된 제조 방법으로 제작할 수 있다.

이들 저굴절률층은, 그의 굴절률이 1.45 이하, 특히 1.42 이하인 것이 바람직하다.

또한, 저굴절률층의 두께는 한정되지 않지만, 통상은 30nm 내지 1㎛ 정도의 범위 내에서 적절하게 설정하면 된다.

또한, 상기 저굴절률층은 단층으로 효과를 얻을 수 있지만, 보다 낮은 최저 반사율, 혹은 보다 높은 최저 반사율로 조정할 목적으로, 저굴절률층을 2층 이상 설치하는 것도 적절하게 가능하다. 상기 2층 이상의 저굴절률층을 설치할 경우, 각각의 저굴절률층의 굴절률 및 두께에 차이를 두는 것이 바람직하다.

상기 불소계 수지로는, 적어도 분자 중에 불소 원자를 포함하는 중합성 화합물 또는 그의 중합체를 사용할 수 있다. 중합성 화합물로서 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 전리 방사선으로 경화하는 관능기, 열경화하는 극성기 등의 경화 반응성의 기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 이들 반응성의 기를 동시에 갖는 화합물이어도 좋다. 이 중합성 화합물에 대하여, 중합체란, 상기와 같은 반응성기 등을 일절 갖지 않는 것이다.

상기 전리 방사선으로 경화하는 관능기를 갖는 중합성 화합물로는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 불소 함유 단량체를 널리 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 플루오로올레핀류(예를 들어 플루오로에틸렌, 비닐리덴플루오라이드, 테트라플루오로에틸렌, 헥사플루오로프로필렌, 퍼플루오로부타디엔, 퍼플루오로-2,2-디메틸-1,3-디옥솔 등)를 예시할 수 있다. (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 것으로는, 2,2,2-트리플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로부틸)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로헥실)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로옥틸)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로데실)에틸(메트)아크릴레이트, α-트리플루오로메타크릴산메틸, α-트리플루오로메타크릴산에틸과 같은, 분자 중에 불소 원자를 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물; 분자 중에 불소 원자를 적어도 3개 갖는 탄소수 1 내지 14의 플루오로알킬기, 플루오로시클로알킬기 또는 플루오로알킬렌기와, 적어도 2개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 불소 함유 다관능 (메트)아크릴산에스테르 화합물 등도 있다.

상기 열경화하는 극성기로서 바람직한 것은, 예를 들어 수산기, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기 등의 수소 결합 형성기이다. 이것들은, 도막과의 밀착성뿐만 아니라, 실리카 등의 무기 초미립자와의 친화성도 우수하다. 열경화성 극성기를 갖는 중합성 화합물로는, 예를 들어 4-플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체; 플루오로에틸렌-탄화수소계 비닐에테르 공중합체; 에폭시, 폴리우레탄, 셀룰로오스, 페놀, 폴리이미드 등의 각 수지의 불소 변성품 등을 들 수 있다.

상기 전리 방사선으로 경화하는 관능기와 열경화하는 극성기를 모두 갖는 중합성 화합물로는, 아크릴 또는 메타크릴산의 부분 및 완전 불소화 알킬, 알케닐, 아릴에스테르류, 완전 또는 부분 불소화 비닐에테르류, 완전 또는 부분 불소화 비닐에스테르류, 완전 또는 부분 불소화 비닐케톤류 등을 예시할 수 있다.

또한, 불소계 수지로는, 예를 들어 다음과 같은 것을 들 수 있다.

상기 전리 방사선 경화성기를 갖는 중합성 화합물의 불소 함유 (메트)아크릴레이트 화합물을 적어도 1종류 포함하는 단량체 또는 단량체 혼합물의 중합체; 상기 불소 함유 (메트)아크릴레이트 화합물의 적어도 1종류와, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트와 같은 분자 중에 불소 원자를 포함하지 않는 (메트)아크릴레이트 화합물의 공중합체; 플루오로에틸렌, 불화비닐리덴, 트리플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌, 3,3,3-트리플루오로프로필렌, 1,1,2-트리클로로-3,3,3-트리플루오로프로필렌, 헥사플루오로프로필렌과 같은 불소 함유 단량체의 단독 중합체 또는 공중합체 등. 이들 공중합체에 실리콘 성분을 함유시킨 실리콘 함유 불화비닐리덴 공중합체도 사용할 수 있다. 이 경우의 실리콘 성분으로는, (폴리)디메틸실록산, (폴리)디에틸실록산, (폴리)디페닐실록산, (폴리)메틸페닐실록산, 알킬 변성 (폴리)디메틸실록산, 아조기 함유 (폴리)디메틸실록산, 디메틸실리콘, 페닐메틸실리콘, 알킬·아랄킬 변성 실리콘, 플루오로실리콘, 폴리에테르 변성 실리콘, 지방산 에스테르 변성 실리콘, 메틸수소 실리콘, 실라놀기 함유 실리콘, 알콕시기 함유 실리콘, 페놀기 함유 실리콘, 메타크릴 변성 실리콘, 아크릴 변성 실리콘, 아미노 변성 실리콘, 카르복실산 변성 실리콘, 카르비놀 변성 실리콘, 에폭시 변성 실리콘, 메르캅토 변성 실리콘, 불소 변성 실리콘, 폴리에테르 변성 실리콘 등이 예시된다. 그 중에서도, 디메틸실록산 구조를 갖는 것이 바람직하다.

나아가, 이하와 같은 화합물로 이루어지는 비중합체 또는 중합체도, 불소계 수지로서 사용할 수 있다. 즉, 분자 중에 적어도 1개의 이소시아네이트기를 갖는 불소 함유 화합물과, 아미노기, 히드록실기, 카르복실기와 같은 이소시아네이트기와 반응하는 관능기를 분자 중에 적어도 1개 갖는 화합물을 반응시켜서 얻어지는 화합물; 불소 함유 폴리에테르폴리올, 불소 함유 알킬폴리올, 불소 함유 폴리에스테르폴리올, 불소 함유ε-카프로락톤 변성 폴리올과 같은 불소 함유 폴리올과, 이소시아네이트기를 갖는 화합물을 반응시켜서 얻어지는 화합물 등을 사용할 수 있다.

또한, 상기한 불소 원자를 갖는 중합성 화합물이나 중합체와 함께, 상기 수지층에 기재한 바와 같은 각 수지 성분을 혼합해서 사용할 수도 있다. 또한, 반응성기 등을 경화시키기 위한 경화제, 도포 시공성을 향상시키거나 방오성을 부여시키기 위해서 각종 첨가제, 용제를 적절하게 사용할 수 있다.

상기 저굴절률층의 형성에서는, 상기 저굴절률제 및 수지 등을 첨가해서 이루어지는 저굴절률층용 조성물의 점도를 바람직한 도포성을 얻을 수 있는 0.5 내지 5mPa·s(25℃), 바람직하게는 0.7 내지 3mPa·s(25℃)의 범위의 것으로 하는 것이 바람직하다. 가시광선의 우수한 반사 방지층을 실현할 수 있고, 또한, 균일하고 도포 불균일이 없는 박막을 형성할 수 있으며, 또한, 밀착성이 특히 우수한 저굴절률층을 형성할 수 있다.

수지의 경화 수단은, 상술한 수지층에서 설명한 것과 마찬가지라도 좋다. 경화 처리를 위해 가열 수단이 이용될 경우에는, 가열에 의해, 예를 들어 라디칼을 발생해서 중합성 화합물의 중합을 개시시키는 열중합 개시제가 불소계 수지 조성물에 첨가되는 것이 바람직하다.

저굴절률층의 층 두께(nm)(d_A)는, 하기 수학식 1을 만족하는 것이 바람직하다.

(상기 식에서, n_A는 저굴절률층의 굴절률을 나타내고,

m은 양의 홀수를 나타내고, 바람직하게는 1을 나타내고,

λ는 파장이며, 바람직하게는 480 내지 580nm 범위의 값이다.)

또한, 본 발명에서는, 저굴절률층은 하기 수학식 2를 만족하는 것이 저반사율화의 점에서 바람직하다.

본 발명의 광학 적층체는, 상술한 광투과성 기재, 수지층, 방현층 이외에, 다른 임의의 층을 갖고 있어도 좋다. 상기 임의의 층으로는, 오염 방지층, 고굴절률층, 중굴절률층 등을 들 수 있다. 이들 층은, 공지된 고굴절률제, 방오제 등과 수지 및 용제 등을 혼합하여, 공지된 방법에 의해 형성하면 된다.

본 발명의 광학 적층체는, 경도가 JIS K5600-5-4(1999)에 의한 연필 경도 시험(하중 4.9N)에서 2H 이상인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 광학 적층체는, 수지층의 표면 저항값(제조 직후의 초기값)이 1×10¹²Ω/□ 미만인 것이 바람직하다. 1×10¹²Ω/□ 이상이면 목적하는 대전 방지 성능이 발현되지 않게 될 우려가 있다. 상기 표면 저항값은, 1×10¹¹Ω/□ 미만인 것이 보다 바람직하고, 1×10¹⁰Ω/□ 미만인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 상기 표면 저항값은, 표면 저항값 측정기(미츠비시화학제, 제품 번호;Hiresta UP MCP-HT260)로 측정할 수 있고, 프로브로는 UR 프로브를 사용하고, 인가 전압은 500V로 설정했다.

또한, 본 발명의 광학 적층체는, 내광성 시험(페이드 미터, FAL-AU-B 스가시험기사제) 100시간 후의 최표면의 초기 표면 저항값이 1×10¹²Ω/□ 미만인 것이 바람직하다. 1×10¹²Ω/□ 이상이면 본 발명의 광학 적층체의 내자외선성이나 내산화성과 같은 내광성이 불충분해지는 경우가 있다. 상기 내광성 시험 후의 표면 저항값은 1×10¹¹Ω/□ 미만인 것이 보다 바람직하고, 1×10¹⁰Ω/□ 미만인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 상기 페이드 미터는, 주위 온도가 23℃, 습도가 65％인 장소에 설치했다. 샘플 크기는, 시료 홀더에 맞춰서 본 발명의 광학 적층체를 커팅하고, 샘플의 수지층 측면을 광원측으로 해서, 압박판과 스프링을 사용해서 고정했다. 조사 강도는 300 내지 400nm 범위에서는 366W/m², 400 내지 700nm 범위에서는 134W/m²로 시험을 실시했다.

본 발명의 광학 적층체는, 전광선 투과율이 87.0％ 이상인 것이 바람직하다. 87.0％ 미만이면, 디스플레이 표면에 장착했을 경우에, 색채 재현이나 시인성을 손상시킬 우려가 있을 뿐 아니라, 원하는 콘트라스트를 얻을 수 없을 우려가 있다. 상기 전광선 투과율은 89.0％ 이상인 것이 보다 바람직하다.

또한, 상기 전광선 투과율은, 헤이즈 미터(무라카미 색채 기술 연구소제, 제품 번호;HM-150)를 사용해서 JIS K-7361에 준거한 방법에 의해 측정할 수 있다.

본 발명의 광학 적층체는, 콘트라스트비가 80％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 85％ 이상이다. 80％ 미만이면, 본 발명의 광학 적층체를 디스플레이 표면에 장착했을 경우에 시인성을 손상시킬 우려가 있다. 또한, 본 명세서에서의 상기 콘트라스트비는, 이하의 방법에 의해 측정된 값이다. 또한, 이하의 방법에 의해 측정된 콘트라스트비가 80％ 이상임으로써, 일반적인 화상 표시 장치에 대한 화상 콘트라스트의 요구를 충족시킬 수 있다.

즉, 백라이트 유닛으로서 냉음극관 광원에 확산판을 설치한 것을 사용하고, 2장의 편광판(삼성사제 AMN-3244TP)을 사용하여, 상기 편광판을 패럴렐 니콜로 설치했을 때에 통과하는 광의 휘도의 L_max를, 크로스 니콜로 설치했을 때에 통과하는 광의 휘도의 L_min으로 나눈 값(L_max/L_min)을 콘트라스트라고 하고, 광학 적층체(광투과성 기재+수지층 등)를, 광투과성 기재가 편광판측이 되도록 배치하여, 수지층측에서 상기 L_max와 L_min을 각각 측정해서 광학 적층체의 콘트라스트(L₁)를 구한다. 다음으로, 광투과성 기재를 상기 편광판 위에 배치하고, 상기 L_max와 L_min을 각각 측정해서 광투과성 기재의 콘트라스트(L₂)를 구한다. 그리고, 이와 같이 하여 구한 (L₁)을 (L₂)로 나눈 값(L₁/L₂)×100(％)을 콘트라스트비라고 한다.

또한, 상기 휘도의 측정에는, 색채 휘도계(탑콘사제 BM-5A)를 사용하고, 색채 휘도계의 측정각은, 1°로 설정하여, 샘플 상의 시야 φ5mm에서 측정한다. 또한, 백라이트의 광량은, 샘플을 설치하지 않은 상태에서, 2장의 편광판을 패럴렐 니콜로 설치했을 때의 휘도가 3600cd/m²가 되도록 설치한다.

본 발명의 광학 적층체를 제조하는 방법으로는, 상기 수지층용 조성물을 사용해서 수지층을 형성하는 공정을 갖는 방법을 들 수 있다.

상기 수지층용 조성물은, 바인더 수지, 폴리티오펜류, 도전 보조제, 레벨링제 및 용제를 함유한다.

이러한 본 발명의 광학 적층체를 제조하는 방법도 또한, 본 발명의 하나이다.

상기 광투과성 기재, 상기 수지층용 조성물 및 상기 수지층을 형성하는 방법은, 상술한 바와 같다.

본 발명의 광학 적층체를 제조하는 방법은, 구체적으로는, 광투과성 기재 위에 상기 수지층용 조성물을 사용해서 수지층을 형성하는 공정, 및 필요에 따라서 수지층 위에 저굴절률층을 형성하는 공정을 갖는 방법을 들 수 있다. 또한, 상기 바탕 요철층 위에 수지층을 갖는 구성의 경우, 바탕 요철층을 형성하는 공정, 및 상기 바탕 요철층 위에 상기 수지층을 형성하는 공정을 갖는 방법을 들 수 있다. 상기 수지층, 저굴절률층 및 바탕 요철층을 형성하는 방법은, 상술한 바와 같다.

본 발명의 광학 적층체는, 편광 소자의 표면에, 상기 광학 적층체의, 광투과성 기재의 상기 수지층이 존재하는 면과 반대측의 면측을 설치함으로써, 편광판으로 할 수 있다. 이러한 편광판도 또한 본 발명의 하나이다.

상기 편광 소자로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 요오드 등에 의해 염색하여 연신한 폴리비닐알코올 필름, 폴리비닐포르말 필름, 폴리비닐아세탈 필름, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체계 비누화 필름 등을 사용할 수 있다. 상기 편광 소자와 상기 광학 적층체의 라미네이트 처리에 있어서는, 광투과성 기재에 비누화 처리를 행하는 것이 바람직하다. 비누화 처리에 의해, 접착성이 양호해져 대전 방지 효과도 얻을 수 있다. 또한, 점착제를 사용해서 접착시켜도 좋다. 상기 점착제로는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 우레탄 점착제, 실리콘계 점착제, 또는 수계 점착제 등을 들 수 있다.

본 발명의 광학 적층체 및 상기 편광판은, 화상 표시 장치의 최표면에 구비할 수 있다. 이러한 화상 표시 장치도 또한 본 발명의 하나이다.

상기 화상 표시 장치는, LCD 등의 비자발광형 화상 표시 장치이어도, PDP, FED, ELD(유기 EL, 무기 EL), CRT 등의 자발광형 화상 표시 장치이어도 좋다.

상기 비자발광형의 대표적인 예인 LCD는, 투과성 표시체와, 상기 투과성 표시체를 배면에서 조사하는 광원 장치를 구비하여 이루어지는 것이다. 본 발명의 화상 표시 장치가 LCD인 경우, 이 투과성 표시체의 표면에, 상기 광학 적층체 또는 상기 편광판이 형성되어 이루어지는 것이다.

본 발명의 광학 적층체를 갖는 액정 표시 장치의 경우, 광원 장치의 광원은 광학 적층체의 광투과성 기재측에서 조사된다. 또한, STN형, VA형, IPS형의 액정 표시 장치에는, 액정 표시 소자와 편광판 사이에 위상차판이 삽입되어도 좋다. 이 액정 표시 장치의 각 층간에는 필요에 따라서 접착제층이 설치되어도 좋다.

상기 자발광형 화상 표시 장치인 PDP는, 표면 유리 기판(표면에 전극을 형성)과 당해 표면 유리 기판에 대향해서 사이에 방전 가스가 봉입되어 배치된 배면 유리 기판(전극, 및 미소한 홈을 표면에 형성하여, 홈 내에 적, 녹, 청의 형광체층을 형성)을 구비하여 이루어지는 것이다. 본 발명의 화상 표시 장치가 PDP인 경우, 상기 표면 유리 기판의 표면, 또는 그의 전방면판(유리 기판 또는 필름 기판)에 상술한 광학 적층체를 구비하는 것이기도 하다.

상기 자발광형 화상 표시 장치는, 전압을 걸면 발광하는 황화아연, 디아민류 물질: 발광체를 유리 기판에 증착시키고 기판에 거는 전압을 제어해서 표시를 행하는 ELD 장치, 또는, 전기 신호를 광으로 변환하여 사람의 눈에 보이는 상을 발생시키는 CRT 등의 화상 표시 장치이어도 좋다. 이 경우, 상기와 같은 각 표시 장치의 최표면 또는 그 전방면판의 표면에 상술한 광학 적층체를 구비하는 것이다.

본 발명의 광학 적층체는, 어떤 경우든, 텔레비전, 컴퓨터, 휴대 전화 등의 디스플레이 표시에 사용할 수 있다. 특히, CRT, 액정 패널, PDP, ELD, FED, 터치 패널, 전자 페이퍼 등의 고정세(高精細) 화상용 디스플레이의 표면에 적절하게 사용할 수 있다.

본 발명의 광학 적층체는, 상기 구성으로 이루어지기 때문에, 종래의 물리 특성 및 광학 특성을 가지면서, 대전 방지성이 우수하고, 또한, 화상 표시 장치에 적용했을 경우에 화상의 콘트라스트가 높고, 또한, 내자외선성 및 내산화성이 우수한 것으로 할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 광학 적층체는, 음극선관 표시 장치(CRT), 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 일렉트로루미네센스 디스플레이(ELD), 필드 에미션 디스플레이(FED), 터치 패널, 전자 페이퍼 등에 적절하게 적용할 수 있다.

도 1은 도전 보조제로서 쇄 형상 ATO를 포함하는 수지층을 구비한 본 발명의 광학 적층체의 단면 SEM 사진이다.
도 2는 θa의 측정 방법의 설명도이다.
도 3은 본 발명의 광학 적층체에서의 수지층을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 광학 적층체에서의 수지층을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 광학 적층체에서의 수지층을 모식적으로 도시하는 단면도이다.

이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예 및 비교예에만 한정되는 것이 아니다.

또한, 내용 중, "부" 또는 "％"라는 것은 특별히 기재하지 않는 한 질량 기준이다.

(실시예 1)

광투과성 기재(두께 80㎛ 트리아세틸셀룰로오스 수지 필름, 후지필름사제, TD80UL)를 준비하고, 상기 광투과성 기재의 편면에, 하기에 나타낸 조성의 수지층용 조성물을 도포하여 도막을 형성했다. 계속해서, 형성한 도막을 온도 50℃의 열 오븐 중에서 60초간 건조시켜 도막 중의 용제를 증발시키고, 자외선을 적산 광량이 50mJ/cm²가 되도록 조사해서 도막을 경화시킴으로써, 4㎛ 두께(경화시)의 수지층을 형성하여, 실시예 1에 따른 광학 적층체를 제작했다.

(수지층용 조성물)

PEDOT/PSS(유기 용제 분산형 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술폰산)(CLEVIOS P, 하. 체. 스타르크사제) 0.5질량부

쇄 형상 ATO(V-3560;쇄 형상 ATO 분산액(불휘발분 20.5％), 닛키쇼쿠바이화학공업사제) 1.2질량부

우레탄아크릴레이트(BS577, 6관능, 중량 평균 분자량 1000(고형분 중의 60％ PETA를 함유), 아라카와화학공업사제) 50.0질량부

아크릴에스테르(M-450, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(PETTA), 도아고세이사제) 45.0질량부

에폭시아크릴레이트(히타로이드 7851, 히타치카세이공업사제) 5.0질량부

중합 개시제(이가큐어 184, 치바·재팬사제) 6.0질량부

폴리에테르 변성 실리콘 오일(TSF4460, 모멘티브·퍼포먼스·매터리얼즈·재팬사제) 1.0질량부

MIBK 150.0질량부

n-BuOH 100.0질량부

(실시예 2)

쇄 형상 ATO 대신에, 카본 나노 튜브(VGCF-X, 쇼와덴코사제)를 0.01질량부 배합해서 조제한 수지층용 조성물을 사용한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2에 따른 광학 적층체를 제작했다.

(실시예 3)

쇄 형상 ATO 대신에, ATO(XJB-0014, 페르녹스사제, 불휘발분 30.0％)를 1.2질량부 배합해서 조제한 수지층용 조성물을 사용한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3에 따른 광학 적층체를 제작했다.

(실시예 4)

광투과성 기재(두께 80㎛ 트리아세틸셀룰로오스 수지 필름, 후지필름사제, TD80UL)를 준비하고, 상기 광투과성 기재의 편면에, 하기에 나타낸 조성의 수지층용 조성물을 도포하여 도막을 형성했다. 계속해서, 형성한 도막을 온도 50℃의 열 오븐 중에서 60초간 건조시켜 도막 중의 용제를 증발시키고, 자외선을 적산 광량이 50mJ/cm²가 되도록 조사해서 도막을 경화시킴으로써, 6㎛ 두께(경화시)로 표면에 요철 형상을 갖는 수지층을 형성하여, 실시예 4에 따른 광학 적층체를 제작했다.

(수지층용 조성물)

스티렌-아크릴 공중합체 미립자(평균 입경 3.5㎛, 굴절률 1.54, 세키스이플라스틱사제) 10.0질량부

중합 개시제(이가큐어 184, 치바·재팬사제) 6.0질량부

MIBK 150.0 질량부

n-BuOH 100.0질량부

(실시예 5, 6)

PEDOT/PSS의 배합량, 도전 보조제 종류, 및 도전 보조제의 배합량을 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 변경한 것 외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 수지층의 표면에 요철 형상을 갖는 실시예 5, 6에 따른 광학 적층체를 각각 제작했다.

또한, 표 1의 도전 보조제 종류 중, "카본 나노 튜브"는, VGCF-X(쇼와덴코사제)이며, "ATO"는, XJB-0014(페르녹스사제, 불휘발분 30.0％)이다.

단층(H): 광투과성 기재 위에 수지층을 형성

단층(A): 광투과성 기재 위에 방현성 기능을 갖는 수지층을 형성

(비교예 1)

PEDOT/PSS를 배합하지 않고, 도전 보조제의 배합량을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 변경한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 수지층을 형성하여, 비교예 1에 따른 광학 적층체를 제작했다.

(실시예 7 내지 18, 비교예 2 내지 4, 6, 실험예 1 내지 8)

광투과성 기재(두께 80㎛ 트리아세틸셀룰로오스 수지 필름, 후지필름사제, TD80UL)를 준비하고, 상기 광투과성 기재의 편면에, 하기에 나타낸 조성의 바탕 요철층용 조성물을 도포해서 도막을 형성했다.

(바탕 요철층용 조성물)

아크릴-스티렌 공중합체 비즈(입경 5㎛, 굴절률 1.55, 소켄화학사제) 15질량부

부정형 실리카 NIPGEL(AZ-204, 평균 입경 1.5㎛, 토소·실리카사제) 5질량부

펜타에리트리톨트리아크릴레이트(PETA, PET-30, 니혼카야쿠사제) 100질량부

이가큐어 184(치바·재팬사제) 6질량부

이가큐어 907(치바·재팬사제) 1질량부

폴리에테르 변성 실리콘(TSF4460, 모멘티브·퍼포먼스·매터리얼즈사제) 0.025질량부

톨루엔 150질량부

시클로헥사논 80질량부

계속해서, 형성한 도막을 온도 50℃의 열 오븐 중에서 60초간 건조시켜 도막 중의 용제를 증발시키고, 자외선을 적산 광량이 30mJ/cm²가 되도록 조사해서 도막을 경화시킴으로써, 수지만으로 이루어지는 부분의 두께가 3㎛(경화시)인 바탕 요철층을 형성했다.

또한 형성한 바탕 요철층의 상층으로서, 수지층용 조성물의 PEDOT/PSS의 배합량, 도전 보조제 종류, 및 도전 보조제의 배합량을 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 변경한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 수지층을 형성하여, 각 실시예, 비교예 및 실험예에 따른 광학 적층체를 제작했다.

또한, 표 2의 도전 보조제 종류 중, "CNT"는, 카본 나노 튜브(VGCF-X(쇼와덴코사제))이며, "ATO"는, XJB-0014(페르녹스사제, 불휘발분 30.0％)이다.

(비교예 5, 실험예 9, 10)

레벨링제를 첨가하지 않은 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 5에 따른 수지층용 조성물을 조제했다.

또한, 에폭시아크릴레이트를 첨가하지 않은 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실험예 9에 따른 수지층용 조성물을 조제하고, 바인더 수지로서 펜타에리트리톨트리아크릴레이트(PETA, PET-30, 니혼카야쿠사제)만을 사용한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실험예 10에 따른 수지층용 조성물을 조제했다.

얻어진 각 수지층용 조성물을 사용한 것 외에는, 실시예 12와 마찬가지로 하여 비교예 7, 실험예 9 및 실험예 10에 따른 광학 적층체를 제작했다.

단층(H): 광투과성 기재 위에 수지층을 형성

2층: 광투과성 기재 위에 바탕 요철층과 수지층을 형성

(실시예 19)

광투과성 기재(두께 80㎛ 트리아세틸셀룰로오스 수지 필름, 후지필름사제, TD80UL)를 준비하고, 상기 광투과성 기재의 편면에, 하기에 나타낸 조성의 수지층용 조성물을 도포하여 도막을 형성했다. 계속해서, 형성한 도막을 온도 50℃의 열 오븐 중에서 60초간 건조시켜 도막 중의 용제를 증발시키고, 자외선을 적산 광량이 50mJ/cm²가 되도록 조사해서 도막을 경화시킴으로써, 6㎛ 두께(경화시)로 표면에 요철 형상을 갖는 수지층을 형성하여, 실시예 19에 따른 광학 적층체를 제작했다.

(수지층용 조성물)

우레탄아크릴레이트(BS577, 6관능, 중량 평균 분자량 1000(고형분 중의 60％ PETA를 함유), 아라카와화학사제) 50.0질량부

중합 개시제(이가큐어 184, 치바·재팬사제) 6.0질량부

MIBK 150.0질량부

n-BuOH 100.0질량부

얻어진 수지층의 최표면에, 하기 조성의 저굴절률층용 조성물을, 건조 후(40℃×1분)의 막 두께가 0.1㎛가 되도록 도포했다. 그리고, 자외선 조사 장치(퓨전 UV 시스템 재팬사제, 광원 H 밸브)를 사용하여, 조사선량 100mJ/cm²로 자외선 조사를 행해서 경화시켜, 실시예 19에 따른 광학 적층체를 얻었다. 막 두께는, 반사율의 극소값이 파장 550nm 부근이 되도록 조정해 갔다.

(저굴절률층용 조성물)

중공 실리카 미립자(상기 실리카 미립자의 고형분:20질량％, 용액;메틸이소부틸케톤, 평균 입경:50nm) 73질량부

불소 원자 함유 중합체(JSR사제;옵스타 JN35, 굴절률 1.41, 중량 평균 분자량 3만) 고형분 환산으로 1질량부

불소 원자 함유 단량체(교에이샤화학제;LINC3A, 굴절률 1.42) 7질량부

펜타에리트리톨트리아크릴레이트(PETA, PET-30, 니혼카야쿠사제) 2질량부

중합 개시제(이가큐어 127;치바·재팬사제) 0.35질량부

변성 실리콘 오일(X22164E;신에츠화학공업사제) 0.5질량부

변성 실리콘 오일(FM7711;치소사제) 0.5질량부

MIBK 320질량부

PGMEA 161질량부

(실시예 20, 21)

수지층용 조성물의 도전 보조제 종류, 및 도전 보조제의 배합량을 하기 표 3에 나타낸 바와 같이 변경한 것 외에는, 실시예 19와 마찬가지로 하여 수지층을 형성하고, 상기 수지층의 최표면에 실시예 19와 마찬가지의 조건에서 저굴절률층을 형성하여 실시예 20, 21에 따른 광학 적층체를 제작했다.

또한, 표 3의 도전 보조제 종류 중, "카본 나노 튜브"는, VGCF-X(쇼와덴코사제)이며, "ATO"는, XJB-0014(페르녹스사제, 불휘발분 30.0％)이다.

(실시예 22)

광투과성 기재(두께 80㎛ 트리아세틸셀룰로오스 수지 필름, 후지필름사제, TD80UL)를 준비하고, 상기 광투과성 기재의 편면에, 하기에 나타낸 조성의 수지층용 조성물을 도포하여 도막을 형성했다. 계속해서, 형성한 도막을 온도 50℃의 열 오븐 중에서 60초간 건조시켜 도막 중의 용제를 증발시키고, 자외선을 적산 광량이 50mJ/cm²가 되도록 조사해서 도막을 경화시킴으로써, 4㎛ 두께(경화시)의 수지층을 형성했다.

계속해서, 얻어진 수지층의 최표면에 실시예 19와 마찬가지의 조건에서 저굴절률층을 형성하여 실시예 22에 따른 광학 적층체를 제작했다.

(수지층용 조성물)

중합 개시제(이가큐어 184, 치바·재팬사제) 6.0질량부

MIBK 150.0질량부

n-BuOH 100.0질량부

(실시예 23, 24)

수지층용 조성물의 도전 보조제 종류, 및 도전 보조제의 배합량을 하기 표 3에 나타낸 바와 같이 변경한 것 외에는, 실시예 22와 마찬가지로 하여 수지층을 형성하고, 상기 수지층의 최표면에 실시예 19와 마찬가지의 조건에서 저굴절률층을 형성해서 실시예 23, 24에 따른 광학 적층체를 제작했다.

(실시예 25)

(바탕 요철층용 조성물)

이가큐어 184(치바·재팬사제) 6질량부

이가큐어 907(치바·재팬사제) 1질량부

톨루엔 150질량부

시클로헥사논 80질량부

다음으로, 형성한 바탕 요철층의 상층으로서, PEDOT/PSS의 배합량, 도전 보조제 종류, 및 도전 보조제의 배합량을 하기 표 3에 나타낸 바와 같이 변경한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 수지층을 형성했다.

또한, 형성한 수지층의 최표면에 실시예 19와 마찬가지의 조건에서 저굴절률층을 형성하여 실시예 25에 따른 광학 적층체를 제작했다.

(실시예 26, 27)

수지층용 조성물의 PEDOT/PSS의 배합량, 도전 보조제 종류, 및 도전 보조제의 배합량을 하기 표 3에 나타낸 바와 같이 변경한 것 외에는, 실시예 25와 마찬가지로 하여 바탕 요철층 및 수지층을 형성했다. 계속해서, 형성한 수지층의 최표면에 실시예 19와 마찬가지의 조건에서 저굴절률층을 형성해서 실시예 26, 27에 따른 광학 적층체를 제작했다.

단층(H): 광투과성 기재 위에 수지층을 형성

2층: 광투과성 기재 위에 바탕 요철층과 수지층을 형성

얻어진 실시예 1 내지 27, 비교예 1 내지 6 및 실험예 1 내지 10에 따른 광학 적층체를 하기 항목에 대해서 평가했다. 평가 결과를 표 4 및 표 5에 나타냈다.

(표면 저항값)

얻어진 광학 적층체의 수지층이 형성된 표면의 표면 저항값에 대해서, 표면 저항값 측정기(미츠비시화학사제, 제품 번호;Hiresta IP MCP-HT260)를 사용하여, 제조 직후의 초기 표면 저항값을 측정했다. 또한, 얻어진 광학 적층체에 대해서, 내광성 평가로서, 페이드 미터(FAL-AU-B, 스가시험기사제)를 사용한 100시간 후의 표면 저항값을 측정했다.

(콘트라스트비)

콘트라스트비의 측정으로는, 백라이트 유닛으로서 냉음극관 광원에 확산판을 설치한 것을 사용하고, 2장의 편광판(삼성사제 AMN-3244TP)을 사용하여, 상기 편광판을 패럴렐 니콜로 설치했을 때에 통과하는 광의 휘도의 L_max를, 크로스 니콜로 설치했을 때에 통과하는 광의 휘도의 L_min으로 나눔으로써, 광학 적층체(광투과성 기재+수지층)의 콘트라스트(L₁)와, 광투과성 기재의 콘트라스트(L₂)를 구하고, (L₁/L₂)×100(％)을 산출함으로써 콘트라스트비를 산출했다.

또한, 휘도의 측정에는, 색채 휘도계(탑콘사제 BM-5A)를 사용했다. 색채 휘도계의 측정각은 1°로 설정하고, 샘플 상의 시야 φ5mm에서 측정했다. 백라이트의 광량은, 샘플을 설치하지 않은 상태에서, 2장의 편광판을 패럴렐 니콜로 설치했을 때의 휘도가 3600cd/m²가 되도록 설치했다.

(전광선 투과율)

각 광학 적층체의 전광선 투과율에 대해서, 헤이즈 미터(무라카미 색채 기술 연구소제, 제품 번호;HM-150)를 사용하여 JIS K-7361(전광선 투과율)에 준거한 방법에 의해 측정했다.

(생산 안정성)

각 실시예, 비교예, 실험예에서 조제한 각 조성물을 사용하여, 1m² 사방을 초과하는 넓은 판의 크기로 도포하고, 면 내의 임의의 위치를 1m² 사방으로 잘라내고, 또한 그 1m² 사방의 시트를 정사각형 형상으로 4 분할한 각 낱장 샘플의 임의의 위치에 대해서, 상술한 표면 저항값의 평가와 마찬가지의 방법으로 초기 표면 저항값을 측정하고, 각각의 측정값을 바탕으로 하기의 판단 기준에 기초하여 평가했다.

○: 표면 저항값의 오더가 1자리 다른 부위가 1군데 이하이었다.

△: 표면 저항값의 오더가 1자리 다른 부위가 2군데 존재했다.

×: 표면 저항값의 오더가 2자리 이상 다른 부위가 존재했다.

(종합 판정)

초기 표면 저항값 및 내광성 시험 후의 표면 저항값, 콘트라스트비 및 전광선 투과율에 대해서, 종합 판정용의 개별 평가를 이하의 기술에 기초하여 행하고, 각 실시예, 비교예, 실험예에 따른 광학 적층체의 종합 판정을 하기에 따라서 행했다.

(개별 평가)

(1) 초기 표면 저항값 및 내광성 시험 후의 표면 저항값

○: 1×10¹¹Ω/□ 오더 미만

△: 1×10¹²Ω/□ 오더 미만

×: 10¹²Ω/□ 오더 이상

(2) 콘트라스트비

○: 85％ 이상

△: 80％ 이상 85％ 미만

×: 80％ 미만

(3) 전광선 투과율

○: 89％ 이상

△: 87％ 이상 89％ 미만

×: 87％ 미만

(종합 판정)

○: 개별 평가 및 생산 안정성 모두가 ○

△: 개별 평가 및 생산 안정성 중 △가 하나라도 존재한다.

×: 개별 평가 및 생산 안정성 중 ×가 하나라도 존재한다.

"ND"는, 측정할 수 없었던 레인지 오버(저항값이 10¹⁴Ω/□ 이상)로 된 것을 의미함.

표 4, 5에 나타낸 바와 같이, 도전 보조제 고유의 적합한 함유 범위의 근방이면, 초기 표면 저항값, 내광성 시험 후의 표면 저항값, 콘트라스트비, 전광선 투과율값은, 도전 보조제의 종류에 의하지 않고 마찬가지의 경향을 나타냈다.

또한, 표 4, 5에 나타낸 바와 같이, 실시예의 광학 적층체는, 모두 우수한 광학 특성을 유지하면서, 내광성, 대전 방지성이 우수하고, 원하는 높은 콘트라스트를 얻을 수 있었다. 또한, 1층품과 2층품 및 이것들에 저굴절률층을 설치한 사양에 관해서, 이들 간에 효과에 관한 큰 차이는 볼 수 없었다.

또한, 방현성 기능을 갖는 실시예 4 내지 21, 25 내지 27 및 실험예 1 내지 10에 따른 광학 적층체는, 모두 표면 요철 형상이 50㎛<Sm<600㎛, 0.1°<θa<1.5° 0.02㎛<Ra<0.25㎛ 및 0.30㎛<Rz<2.00㎛의 각 요건을 만족하여, 우수한 광학 성능을 갖는 것이었다.

또한, 저굴절률층을 설치한 실시예 19 내지 27에 따른 광학 적층체는, 모두 최저 반사율이 0.8 내지 1.1％로 매우 작은 값이 되고, 또한 우수한 광학 성능을 갖고 있었다.

한편, 비교예 1 내지 4에 따른 광학 적층체는, 폴리티오펜류가 함유되지 않았기 때문에, 초기 표면 저항값의 결과가 불량하여 대전 방지성이 불충분했다. 또한, 비교예 6에 따른 광학 적층체는, 도전 보조제가 함유되지 않았기 때문에, 초기 및 내광성 시험 후의 표면 저항값의 결과가 불량하여 대전 방지성이 불충분하고, 또한, 생산 안정성도 떨어지는 것이었다. 또한, 레벨링제가 함유되지 않았던 비교예 5에 따른 광학 적층체는, 폴리티오펜류가 수지층의 최 표층 부근에 국재한 것 외에, 도전 보조제도 본 발명에서의 적합한 위치에 배치되지 않았기 때문에, 초기 표면 저항값은 통상보다 좋은 결과를 얻었지만, 내광성 시험 후의 표면 저항값이 불충분하고, 또한, 생산 안정성도 떨어지는 것이었다. 또한 그 밖에, 실험예 10을 제외한 모든 실시예 및 실험예에 대해서는, 폴리티오펜류와 도전 보조제가 본 발명에서의 적합한 위치에 배치되어 있어, 초기 및 내광성 시험 후의 표면 저항값에 관해 충분한 값을 얻었다.

폴리티오펜류의 함유량이 적은 실험예 1에 따른 광학 적층체는, 초기 및 내광성 시험 후의 표면 저항값의 결과가 불량하여, 충분한 대전 방지성을 얻을 수 없었고, 반대로 폴리티오펜류가 많은 실험예 2에 따른 광학 적층체는, 원하는 높은 콘트라스트를 얻을 수 없었다. 또한, 도전 보조제가 적은 실험예 3, 5, 7에 따른 광학 적층체는, 초기 및 내광성 시험 후의 표면 저항값의 결과가 불량하여, 대전 방지성이 불충분하고, 반대로 도전 보조제의 함유량이 많은 실험예 4, 6, 8에 따른 광학 적층체는, 원하는 높은 콘트라스트, 또는 원하는 높은 전광선 투과율을 얻을 수 없었다. 또한, 프로톤성 관능기를 갖는 첨가제(에폭시아크릴레이트)를 사용하지 않은 실험예 9에 따른 광학 적층체는, 폴리티오펜류의 분산성 및 안정성이 약간 떨어져, 초기 및 내광성 시험 후의 표면 저항값에 관해 약간 떨어지는 결과가 되었다. 또한, 바인더 수지로서 극성이 높은 소수성 수지인 PETA만을 사용한 실험예 10에 따른 광학 적층체는, 초기 표면 저항이 불충분했다.

<산업상 이용가능성>

본 발명의 광학 적층체는, 음극선관 표시 장치(CRT), 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 일렉트로루미네센스 디스플레이(ELD), 필드 에미션 디스플레이(FED), 터치 패널, 전자 페이퍼 등에 적절하게 적용할 수 있다.

Claims

광투과성 기재, 및 상기 광투과성 기재의 한쪽 면에 수지층을 갖는 광학 적층체이며,
상기 수지층은 바인더 수지, 폴리티오펜류, 도전 보조제 및 레벨링제를 함유하고,
상기 도전 보조제는 쇄 형상 금속 산화물 입자, 카본 나노 튜브 및 도전성 미립자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이고,
상기 수지층은 상기 광투과성 기재와 반대측 계면에서부터 100nm까지 상기 도전 보조제가 존재하지 않는 영역이 형성되어 있고,
상기 수지층은 에폭시아크릴레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 적층체.
제1항에 있어서, 폴리티오펜류의 함유량이 바인더 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 1.0질량부인, 광학 적층체.
제1항 또는 제2항에 있어서, 폴리티오펜류는 음이온성 화합물과의 착체인, 광학 적층체.
삭제
제1항에 있어서, 도전 보조제는 쇄 형상 금속 산화물 입자 및/또는 도전성 미립자이며, 상기 도전 보조제의 함유량이 바인더 수지 100질량부에 대하여 0.5 내지 5.0질량부인, 광학 적층체.
제1항에 있어서, 도전 보조제는 카본 나노 튜브이며, 상기 도전 보조제의 함유량이 바인더 수지 100질량부에 대하여 0.001 내지 0.13질량부인, 광학 적층체.
제1항 또는 제2항에 있어서, 수지층의 초기 표면 저항값 및 내광성 시험 후의 표면 저항값이 1×10¹²Ω/□ 미만인, 광학 적층체.
삭제
삭제
제1항 또는 제2항에 있어서, 수지층은 방현성 기능을 갖는, 광학 적층체.
삭제
제1항 또는 제2항에 있어서, 광투과성 기재 위에 바탕 요철층을 더 갖고, 상기 바탕 요철층 위에 수지층을 갖는, 광학 적층체.
광투과성 기재, 및 상기 광투과성 기재의 한쪽 면에 수지층을 갖는 광학 적층체의 제조 방법이며,
바인더 수지, 폴리티오펜류, 도전 보조제, 레벨링제, 에폭시아크릴레이트 및 용제를 함유하는 수지층용 조성물을 사용해서 수지층을 형성하는 공정을 갖고,
상기 도전 보조제는 쇄 형상 금속 산화물 입자, 카본 나노 튜브 및 도전성 미립자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이고,
상기 수지층은 상기 광투과성 기재와 반대측 계면에서부터 100nm까지 상기 도전 보조제가 존재하지 않는 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 광학 적층체의 제조 방법.
편광 소자를 갖는 편광판이며,
상기 편광판은 상기 편광 소자의 표면에 제1항 또는 제2항의 광학 적층체를 구비하는 것을 특징으로 하는, 편광판.
최표면에 제1항 또는 제2항의 광학 적층체, 또는 편광 소자의 표면에 상기 광학 적층체를 구비하는 편광판을 구비하는 것을 특징으로 하는, 화상 표시 장치.