KR101764108B1 - Light emitting device package and Lighting system - Google Patents

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Abstract

발광소자에 관한 발명으로, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 광을 출력하는 발광 소자; 및 상기 발광 소자에 전원을 공급하는 전극을 포함하되, 상기 전극은 제1 금속으로 이루어진 제1 금속층과, 상기 제1 금속보다 반사도가 높은 제2 금속으로 이루어져 상기 발광 소자에서 출사된 광을 반사하는 제2 금속층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간에 금속의 확산을 차단하며, 상기 제1 금속보다 낮은 확산율을 가지는 차단층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 실시예에 따르면, 발광소자 패키지의 전극에 형성된 도금층의 반사도를 유지하여 발광소자 패키지의 전체 광 추출 효율에 기여할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a light emitting device package includes: a light emitting element that outputs light; And an electrode for supplying power to the light emitting device, wherein the electrode comprises a first metal layer made of a first metal and a second metal having a higher reflectivity than the first metal, and reflects light emitted from the light emitting device And a barrier layer interposed between the first metal layer and the second metal layer to prevent metal diffusion and having a lower diffusion rate than the first metal layer. According to the present embodiment, the reflectivity of the plating layer formed on the electrodes of the light emitting device package can be maintained, contributing to the total light extraction efficiency of the light emitting device package.

Description

발광소자 패키지 및 조명시스템{Light emitting device package and Lighting system}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device package,

발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다. A light emitting device package and an illumination system.

발광소자의 대표적인 LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로서, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.A typical LED (Light Emitting Diode) of a light emitting device converts an electric signal into an infrared ray, a visible light or a light using the characteristics of a compound semiconductor, and is used as a home appliance, a remote controller, a display board, And the use area of the LED gradually becomes wider.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.

이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다.As the use area of the LED is widened as described above, it is important to increase the luminance of the LED as the brightness required for a lamp used in daily life and a lamp for a structural signal is increased.

실시예는, 발광소자 패키지에 포함된 전극에 형성된 도금층이 다른 금속의 유입이나 산화 등의 원인에 의하여 반사도가 떨어지는 것을 방지하고자 한다. The embodiment attempts to prevent the plating layer formed on the electrode included in the light emitting device package from being deteriorated in reflectivity due to the influx of other metals or oxidation.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위하여, 일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 광을 출력하는 발광 소자 및 상기 발광 소자에 전원을 공급하는 전극을 포함하고, 상기 전극은 제1 금속으로 이루어진 제1 금속층과, 상기 제1 금속보다 반사도가 높은 제2 금속으로 이루어져 상기 발광 소자에서 출사된 광을 반사하는 제2 금속층 및 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간에 금속의 확산을 차단하며, 상기 제1 금속보다 낮은 확산율을 가지는 차단층을 포함한다. 기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.In order to achieve the above object, a light emitting device package according to an embodiment includes a light emitting element for emitting light and an electrode for supplying power to the light emitting element, wherein the electrode comprises a first metal layer made of a first metal, A second metal layer made of a second metal having a reflectivity higher than that of the first metal and reflecting the light emitted from the light emitting device and a second metal layer interposed between the first metal layer and the second metal layer, Lt; / RTI > The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

실시예에 따르면, 전극의 반사 특성이 금속의 확산 현상에 의하여 저하되는 현상을 방지하여, 발광소자 패키지의 광 추출 효율에 기여하며 광 휘도 저하를 방지할 수 있다. According to the embodiment, it is possible to prevent the reflection characteristic of the electrode from being deteriorated due to the diffusion phenomenon of the metal, thereby contributing to the light extraction efficiency of the light emitting device package and preventing a decrease in light luminance.

본 발명의 실시예에 따른 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects according to the embodiments of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 사시도.
도 2a 및 도 2b는 도 1에 나타난 발광소자 패키지의 단면도.
도 3 내지 도 5는 실시예에 따른 전극의 단면도.
도 6a는 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸 사시도.
도 6b은 도 6a의 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도.
도 7은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도.
도 8는 제2 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도.1 is a perspective view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.
2A and 2B are cross-sectional views of the light emitting device package shown in FIG.
Figures 3 to 5 are cross-sectional views of electrodes according to an embodiment.
6A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device according to an embodiment.
6B is a cross-sectional view showing the AA 'cross section of the illumination device of FIG. 6A.
7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to the first embodiment.
8 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the light emitting device according to the second embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

이하, 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 설명하기 위한 도면들을 참고하여 실시예들에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings for explaining a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 사시도이며, 도 2a 및 도 2b는 도 1에 나타난 발광소자 패키지의 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment, and FIGS. 2A and 2B are sectional views of the light emitting device package shown in FIG.

도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 캐버티가 형성된 몸체(110), 몸체(110)에 실장된 제1 및 제2 전극(140, 150), 제1 및 제2 전극(140, 150) 과 전기적으로 연결되는 발광소자(120) 및 캐버티에 형성되는 봉지재(130)를 포함할 수 있고, 봉지재(130)는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다.1, 2A and 2B, a light emitting device package 100 according to an embodiment includes a body 110 having a cavity, first and second electrodes 140 and 150 mounted on the body 110, A light emitting device 120 electrically connected to the first and second electrodes 140 and 150 and an encapsulant 130 formed on the cavity. The encapsulant 130 may include a phosphor (not shown) . ≪ / RTI >

몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(110)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), liquid crystal polymer (PSG), polyamide 9T (SPS), a metal material, sapphire (Al2O3), beryllium oxide (BeO), a printed circuit board (PCB), and ceramics. The body 110 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(110)의 내측면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(120)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. The inner surface of the body 110 may be formed with an inclined surface. The reflection angle of the light emitted from the light emitting device 120 can be changed according to the angle of the inclined surface, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside can be controlled.

몸체(110)에 형성되는 캐버티를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the cavity formed on the body 110 may be circular, square, polygonal, elliptical, or the like, and may be a curved shape, but is not limited thereto.

봉지재(130)는 캐버티에 충진될 수 있으며, 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 봉지재(130)는 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐버티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다. The encapsulant 130 may be filled in the cavity and may include a phosphor (not shown). The encapsulant 130 may be formed of transparent silicone, epoxy, or other resin material, and may be formed in such a manner that the encapsulant is ultraviolet or thermally cured after being filled in the cavity.

형광체(미도시)는 발광소자(120)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자 패키지(100)가 다양한 파장의 광을 구현하도록 할 수 있다.The phosphor (not shown) may be selected according to the wavelength of the light emitted from the light emitting device 120, so that the light emitting device package 100 can realize light of various wavelengths.

봉지재(130)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 발광소자(120)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The fluorescent material (not shown) included in the encapsulant 130 may be a blue light emitting phosphor, a blue light emitting fluorescent material, a green light emitting fluorescent material, a yellow green light emitting fluorescent material, a yellow light emitting fluorescent material, Fluorescent material, orange light-emitting fluorescent material, and red light-emitting fluorescent material may be applied.

즉, 형광체(미도시)는 발광소자(120)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(120)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(미도시)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(100)는 백색 빛을 제공할 수 있다. That is, the phosphor (not shown) may be excited by the light having the first light emitted from the light emitting device 120 to generate the second light. For example, when the light emitting element 120 is a blue light emitting diode and the phosphor (not shown) is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, and blue light emitted from the blue light emitting diode As the yellow light generated by excitation by blue light is mixed, the light emitting device package 100 can provide white light.

이와 유사하게, 발광소자(120)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체(미도시)를 혼용하는 경우, 발광소자(120)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.Similarly, when the light emitting device 120 is a green light emitting diode, a magenta fluorescent material or a blue and red fluorescent material (not shown) are mixed. When the light emitting device 120 is a red light emitting diode, Green phosphors are mixed with each other.

이러한 형광체(미도시)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 것일 수 있다.Such a phosphor (not shown) may be a known one such as YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.

한편, 몸체(110)에는 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)이 실장될 수 있다. 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)은 발광소자(120)와 전기적으로 연결되어 발광소자(120)에 전원을 공급할 수 있다.Meanwhile, the first electrode 140 and the second electrode 150 may be mounted on the body 110. The first electrode 140 and the second electrode 150 may be electrically connected to the light emitting device 120 to supply power to the light emitting device 120.

제1 전극(140) 및 제2 전극(150)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(120)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있고, 또한 발광소자(120)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.The first electrode 140 and the second electrode 150 are electrically isolated from each other and can reflect light generated from the light emitting device 120 to increase the light efficiency. To the outside.

도 2a 및 도 2b 에서는 발광소자(120)가 제1 전극(150) 상에 실장되었으나, 이에 한정되지 않으며, 발광소자(120)와 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)은 와이어 본딩(wire bonding) 방식, 플립 칩(flip chip) 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.2A and 2B, the light emitting device 120 is mounted on the first electrode 150, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device 120, the first electrode 140 and the second electrode 150 may be wire- a wire bonding method, a flip chip method, or a die bonding method.

도 2a 및 도 2b에는 제1 전극(140)과 제2 전극(150) 모두가 와이어(155)에 의해 광원소자(120)와 본딩된 것을 도시하나, 이에 한정하지 않는다. 특히 수직형 발광소자의 경우는 제1 전극(140) 및 제2 전극(1500) 중 어느 하나가 와이어(155)에 의해 광원소자(120)와 본딩될 수 있으며, 플립칩 방식에 의해 와이어(155) 없이 광원소자(120)와 제1 전극(140)이 전기적으로 연결될 수도 있다.2A and 2B illustrate that both the first electrode 140 and the second electrode 150 are bonded to the light source device 120 by the wire 155, but the present invention is not limited thereto. In particular, in the case of a vertical type light emitting device, either the first electrode 140 or the second electrode 1500 can be bonded to the light source device 120 by the wire 155, and the wire 155 The light source device 120 and the first electrode 140 may be electrically connected to each other.

이러한 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있다.The first electrode 140 and the second electrode 150 may be formed of a metal material such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum Ta, Pt, Sn, Ag, P, Al, Pd, Co, Si, Ge, Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). The first electrode 140 and the second electrode 150 may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

제1 전극(140)과 제2 전극(150)에 대하여 보다 상세히 설명하면, 제1 전극(140)과 제2 전극(150)은 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220)이 적층되어 형성되는 구조를 가진다. 그리고 실시예에 따르면, 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220)의 사이에는 차단층(230)이 개재된다. The first electrode 140 and the second electrode 150 are formed by stacking a first metal layer 210 and a second metal layer 220 on the first electrode 140 and the second electrode 150, . According to the embodiment, a barrier layer 230 is interposed between the first metal layer 210 and the second metal layer 220.

제1 금속층(210)은 주로 제2 금속층(220)보다 전기 전도도가 높은 금속이 사용될 수 있고, 제2 금속층(220)은 반사도를 높여 광 출력량을 증가시키기 위해 제1 금속층(210)에 비하여 반사도가 높은 금속이 사용될 수 있다. The first metal layer 210 may have a higher electrical conductivity than the second metal layer 220 and the second metal layer 220 may have reflectivity higher than that of the first metal layer 210, Can be used.

도 2a를 참조하면, 일 실시예에 따라 제1 전극(140)과 제2 전극(150)의 모든 영역에 제1 금속층(210), 차단층(230), 제2 금속층(220)을 포함할 수 있다. 또는 도 2b를 참조하면,
2A, the first metal layer 210, the barrier layer 230, and the second metal layer 220 may be formed on the first electrode 140 and the second electrode 150, respectively, according to an exemplary embodiment of the present invention . Or < RTI ID = 0.0 > 2B,

다른 실시예에 따라, 제2 금속층(220) 및 차단층(230)은 제1 전극(140)과 제2 전극(150)의 일부 영역에만 형성될 수 있다. 다시 말하면, 도 2b에서 도시한 반사영역(160)상에 형성될 수 있다. 반사영역은(160)은 제1 전극(140)과 제2 전극(150)이 몸체(110)의 캐버티와 수직적으로 중첩되는 영역일 수 있다. 또한 반사영역은(160)은 몸체(110)의 경사면이 형성된 영역과 수직적으로 일부 중첩될 수도 있다.According to another embodiment, the second metal layer 220 and the barrier layer 230 may be formed only on a portion of the first electrode 140 and the second electrode 150. In other words, it can be formed on the reflection area 160 shown in Fig. 2B. The reflective region 160 may be a region in which the first electrode 140 and the second electrode 150 are vertically overlapped with the cavity of the body 110. The reflection region 160 may be partially overlapped with the region where the inclined surface of the body 110 is formed.

발광소자(120)는 제1 전극(140) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광소자(120)는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light emitting device 120 is mounted on the first electrode 140 and may be a light emitting device that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) However, the present invention is not limited thereto. In addition, one or more light emitting devices 120 may be mounted.

또한, 발광소자(120)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.The light emitting device 120 may be a horizontal type or a vertical type formed on the upper surface or the flip chip formed on the upper and lower surfaces, Applicable.

한편, 발광소자(120)의 측면에는 광 추출 구조(미도시)가 형성되어서 발광소자(120)의 광 추출 효율이 개선됨으로써, 발광소자 패키지(100)의 발광 효율이 향상될 수 있다.On the other hand, a light extracting structure (not shown) is formed on the side surface of the light emitting device 120 to improve the light extraction efficiency of the light emitting device 120, thereby improving the light emitting efficiency of the light emitting device package 100.

실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광소자 패키지(100)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting device package 100.

이러한 발광소자 패키지(100), 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(100)를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
The light emitting device package 100, the substrate, and the optical member can function as a light unit. Another embodiment may be implemented as a display device, a pointing device, and a lighting system including the light emitting device 100 or the light emitting device package 100 described in the above embodiments. For example, the lighting system may include a lamp, . ≪ / RTI >

도 3 내지 도 5는 실시예에 따른 전극의 단면도를 나타낸다. 여기서 전극은 도 1 도 2a 및 도 2b을 참조하여 설명한 발광소자 패키지의 제1 전극(140) 및/또는 제2 전극(150)에 일 수 있다. 특히, 앞서 설명한 반사 영역(160) 부분의 전극에 도 3 내지 도 5에 도시된 실시예에 따른 전극이 사용될 수 있다. 3 to 5 show cross-sectional views of electrodes according to an embodiment. Here, the electrodes may be on the first electrode 140 and / or the second electrode 150 of the light emitting device package described with reference to FIGS. 1 and 2A and 2B. In particular, the electrode according to the embodiment shown in Figs. 3 to 5 may be used for the electrode of the reflection region 160 described above.

실시예에 따른 전극은 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220), 그리고 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220) 사이에 개재된 차단층(230)을 포함한다. The electrode according to an embodiment includes a first metal layer 210 and a second metal layer 220 and a barrier layer 230 interposed between the first and second metal layers 210 and 220.

앞서 설명한 바와 같이, 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)에는 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 금속이 사용될 수 있다. As described above, the first electrode 140 and the second electrode 150 may be formed of at least one selected from the group consisting of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), indium At least one metal among hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe) may be used.

제1 전극(140) 및 제2 전극(150)에서 제1 금속층(210)의 주요 기능은 발광소자(120)로 전원을 공급하는 것이므로, 제1 금속층(210)에는 상기의 금속들 중에서 전기 전도도가 높은 금속이 주로 사용될 수 있다. 예컨대 제1 금속층(210)은 구리(Cu), 니켈(Ni) 주석(Sn), 루테늄(Ru), 철(Fe) 등이 사용될 수 있다. Since the first function of the first metal layer 210 in the first electrode 140 and the second electrode 150 supplies power to the light emitting device 120, the first metal layer 210 has electrical conductivity Can be mainly used. For example, copper (Cu), nickel (Ni) tin (Sn), ruthenium (Ru), iron (Fe), or the like may be used for the first metal layer 210.

반면 제2 금속층(220)은 반사를 위한 도금층에 해당된다. 즉, 제2 금속층(220)의 주요 기능은 발광소자(120)에서 출력된 광 중 일부가 후면으로 출사되는 경우, 후면으로 출사된 광을 반사시켜 전면으로 다시 출사되도록 하는 것이다. 따라서 제2 금속층(220)에는 상기의 금속들 중에서, 전기 전도도보다는 높은 반사율을 가지는 금속이 주로 사용될 수 있다. 예를들어, 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등이 사용될 수 있다. Whereas the second metal layer 220 corresponds to a plating layer for reflection. That is, the main function of the second metal layer 220 is to reflect the light emitted to the rear surface of the light emitting device 120 when the light emitted from the light emitting device 120 is emitted to the rear surface. Therefore, among the above metals, a metal having a reflectivity higher than the electrical conductivity may be mainly used for the second metal layer 220. For example, gold (Au), platinum (Pt), aluminum (Al), silver (Ag), or the like may be used.

차단층(230)은 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220) 간의 금속의 확산을 방지하는 차단막의 역할을 수행할 수 있다. 만일 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220)이 차단층(230) 없이 직접 접촉되는 경우, 제1 금속층(210)의 금속이 제2 금속층(220)으로 확산되는 현상이 발생할 수 있다. 즉, 금속의 농도 차이에 의하여 금속 간에 확산 현상이 일어날 수 있다. 만일 제1 금속층(210)이 제2 금속층(220)보다 확산율이 더 높은 경우, 제2 금속층(220)은 변색되거나 변형되어 그 반사 특성이 저해될 수 있다.The barrier layer 230 may serve as a barrier to prevent metal diffusion between the first metal layer 210 and the second metal layer 220. If the first metal layer 210 and the second metal layer 220 are in direct contact with each other without the barrier layer 230, the metal of the first metal layer 210 may be diffused into the second metal layer 220. That is, a diffusion phenomenon may occur between metals due to the difference in the concentration of the metals. If the first metal layer 210 has a higher diffusion rate than the second metal layer 220, the second metal layer 220 may be discolored or deformed and its reflection characteristic may be impaired.

예컨대 제2 금속층(220)이 은(Ag) 도금층이고 제1 금속층(210)이 구리(Cu)인 경우, 구리는 확산이 잘되는 특성을 가지며, 은에 비하여 쉽게 산화된다. 따라서 외부의 공기나 습기와 접촉되었을 때 은 도금층인 제2 금속층(220)으로까지 산소를 끌여 들어 은 도금층의 산화를 촉진시킨다. 그런데 은의 특성 상, 산화되거나 구리가 유입되면 그 표면이 변색되고, 반사율이 저하된다. 광을 반사시키는 제2 금속층(220)의 반사율이 떨어지는 것은 발광소자 패키지의 전체적인 휘도 저하로 연결될 수 있다. For example, when the second metal layer 220 is a silver (Ag) plating layer and the first metal layer 210 is copper (Cu), copper has a good diffusion property and is easily oxidized compared to silver. Therefore, when it comes into contact with outside air or moisture, oxygen is dragged to the second metal layer 220, which is a plating layer, to promote oxidation of the silver plating layer. However, due to the characteristics of silver, when oxidized or copper is introduced, the surface thereof is discolored and the reflectance is lowered. The lowering of the reflectance of the second metal layer 220 that reflects light can be attributed to the lowering of the overall luminance of the light emitting device package.

따라서 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220) 사이에 차단층(230)을 형성하면, 제1 금속이 제2 금속층(220)으로 확산되거나, 산소나 습기를 유입시키는 것을 방지할 수 있다. 차단층(230)은 전기전도성을 가지며, 물질간의 확산을 방지하는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 차단층(230)으로는 제1 금속층(210)에 사용된 제1 금속에 비하여 확산율이 더 적은 금속이 사용될 수 있다.. 예를들어, 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 바나듐(V), 철(Fe), 몰리브덴(Mo) 등이 사용될 수 있다. 또한 차단층(230)의 두께가 너무 얇으면 차단층(230)은 금속 확산을 차단하는 기능을 충분히 수행하지 못하게 되고, 차단층(230)의 두께가 너무 두꺼워지면 전원 공급을 위한 전극의 유효 두께를 얇게 만드는 결과가 초래되어, 저항이 커지고 이로 인한 손실이 발생된다. 따라서 바람직한 차단층의 두께는 1nm 내지 1000nm, 형성될 수 있다. 또한, 차단 기능 및 저항 감소를 위하여 10nm 내지 100nm 로 형성될 수 있다. Accordingly, when the barrier layer 230 is formed between the first metal layer 210 and the second metal layer 220, the first metal can be prevented from diffusing into the second metal layer 220 or introducing oxygen or moisture into the second metal layer 220 . The barrier layer 230 has electrical conductivity and may be formed of a material that prevents diffusion between materials. For example, the barrier layer 230 may be formed of a metal having a lower diffusion rate than the first metal used for the first metal layer 210. For example, titanium (Ti), tungsten (W) Chromium (Cr), palladium (Pd), platinum (Pt), vanadium (V), iron (Fe), molybdenum (Mo) If the thickness of the barrier layer 230 is too small, the barrier layer 230 does not sufficiently function to prevent diffusion of metal. If the thickness of the barrier layer 230 becomes too thick, the effective thickness of the electrode for power supply Resulting in a larger resistance and a resulting loss. Therefore, the preferable thickness of the blocking layer may be 1 nm to 1000 nm. Further, it may be formed to have a blocking function and a resistance of 10 nm to 100 nm.

도 4를 참조하면, 차단층(230)은 다층형의 구조를 가질 수 있다. 차단층(230)을 여러 번에 걸쳐 증착 또는 도금함으로써 차단층(230)이 제1층(231)과 제2 층(235)의 여러 층으로 형성될 수 있다. 제1 층(231)과 제2 층(235)은 동일한 금속 또는 상이한 금속을 포함할 수 있다. 차단층(230)의 적층 수나 사용되는 금속의 종류 등은 차단 기능의 향상, 접착력, 가격 등을 고려하여 결정될 수 있다. Referring to FIG. 4, the barrier layer 230 may have a multi-layer structure. The barrier layer 230 can be formed of several layers of the first layer 231 and the second layer 235 by depositing or plating the barrier layer 230 several times. The first layer 231 and the second layer 235 may comprise the same metal or different metals. The number of layers of the barrier layer 230, the kind of metal used, and the like can be determined in consideration of improvement in barrier function, adhesion, cost, and the like.

또한 도 5를 참조하면, 차단층(230)과 제1 금속층(210), 그리고 차단층(230)과 제2 금속층(220)은 각각 제1 접착층(241)과 제2 접착층(245)을 통해 결합될 수 있다. 제1 접착층(241)과 제2 접착층(245)은 차단층(230)으로 사용되는 금속의 접착력이 떨어지는 경우, 제1 금속층(210) 및 제2 금속층(220)과 차단층(230)과의 결합력을 높이는 동시에, 전기적 특성을 저해하지 않는 물질로 이루어질 수 있다. 또한 다른 실시예에서는 전극에는 제1 접착층(241)과 제2 접착층(245) 중 하나만이 포함될 수도 있다. 제1 접착층(241) 및/또는 제2 접착층(245)으로 인해 제2 금속층(220)으로 확산, 침투 또는 유입되는 제1 금속이나 산소, 습기 등의 차단 기능이 향상될 수 있다. 5, the barrier layer 230 and the first metal layer 210, and the barrier layer 230 and the second metal layer 220 are connected to each other through a first adhesive layer 241 and a second adhesive layer 245, Can be combined. The first adhesive layer 241 and the second adhesive layer 245 are formed on the first metal layer 210 and the second metal layer 220 and the barrier layer 230, And may be made of a material that does not hinder the electrical characteristics while enhancing the bonding force. In another embodiment, the electrode may include only one of the first adhesive layer 241 and the second adhesive layer 245. The barrier function of the first metal, oxygen, moisture, and the like diffused, permeated or introduced into the second metal layer 220 due to the first adhesive layer 241 and / or the second adhesive layer 245 can be improved.

도 6a는 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸 사시도이며, 도 6b은 도 6a의 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도이다.FIG. 6A is a perspective view showing a lighting device including a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 6B is a sectional view taken along the line A-A 'of the lighting device of FIG. 6A.

이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(300)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(300)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.In order to describe the shape of the illumination device 300 according to the embodiment in detail, the longitudinal direction Z of the illumination device 300, the horizontal direction Y perpendicular to the longitudinal direction Z, The direction Z and the horizontal direction Y and the vertical direction X perpendicular to the horizontal direction Y will be described.

즉, 도 6b은 도 6a의 조명장치(300)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.6B is a cross-sectional view of the lighting device 300 of FIG. 6A cut in the longitudinal direction Z and the height direction X and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 6a 및 도 6b을 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.6A and 6B, the lighting device 300 may include a body 310, a cover 330 coupled to the body 310, and a finishing cap 350 positioned at opposite ends of the body 310 have.

몸체(310)의 하부면에는 발광소자모듈(340)이 체결되며, 몸체(310)는 발광소자모듈(340)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.The light emitting device module 340 is coupled to the lower surface of the body 310. The body 310 is electrically conductive so that heat generated from the light emitting device module 340 can be emitted to the outside through the upper surface of the body 310. [ And a metal material having an excellent heat dissipation effect.

발광소자모듈(340)은 PCB 기판(342)과 발광소자(미도시)를 포함하는 발광소자패키지(344)를 포함하며, 발광소자패키지(344)는 PCB 기판(342) 상에 다색, 다열로 실장될 수 있어 어레이를 이룰 수 있고, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장되어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB 기판(342)으로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.The light emitting device module 340 includes a light emitting device package 344 including a PCB substrate 342 and a light emitting device (not shown), and the light emitting device package 344 is mounted on the PCB substrate 342 in a multi- They can be mounted to form an array, can be mounted at equal intervals, or can be mounted with various spacing distances as needed to adjust brightness and the like. As the PCB substrate 342, MCPCB (Metal Core PCB) or FR4 material PCB can be used.

커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 330 may be formed in a circular shape so as to surround the lower surface of the body 310, but is not limited thereto.

커버(330)는 내부의 발광소자모듈(340)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(330)는 발광소자패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 330 protects the internal light emitting element module 340 from foreign substances or the like. In addition, the cover 330 may include diffusion particles to prevent glare of light generated in the light emitting device package 344 and uniformly emit light to the outside, and may include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 330 A prism pattern or the like may be formed on one side. Further, the phosphor may be coated on at least one of the inner surface and the outer surface of the cover 330.

한편, 발광소자패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(344)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, since the light generated in the light emitting device package 344 is emitted to the outside through the cover 330, the cover 330 should have a high light transmittance and sufficient heat resistance to withstand the heat generated in the light emitting device package 344 The cover 330 is preferably formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), or polymethyl methacrylate (PMMA) .

마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing cap 350 is located at both ends of the body 310 and can be used for sealing the power supply unit (not shown). In addition, the finishing cap 350 is provided with the power pin 352, so that the lighting device 300 according to the embodiment can be used immediately without a separate device on the terminal from which the conventional fluorescent lamp is removed.

도 7은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the light emitting device according to the first embodiment.

도 7은 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.7, the liquid crystal display device 400 may include a liquid crystal display panel 410 and a backlight unit 470 for providing light to the liquid crystal display panel 410 in an edge-light manner.

액정표시패널(410)은 백라이트 유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 410 can display an image using the light provided from the backlight unit 470. The liquid crystal display panel 410 may include a color filter substrate 412 and a thin film transistor substrate 414 facing each other with a liquid crystal therebetween.

컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 412 can realize the color of the image to be displayed through the liquid crystal display panel 410.

박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 414 is electrically connected to a printed circuit board 418 on which a plurality of circuit components are mounted through a driving film 417. The thin film transistor substrate 414 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 418 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 418.

박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 414 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자모듈(420), 발광소자모듈(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 466, 464) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(440)로 구성된다.The backlight unit 470 includes a light emitting device module 420 that outputs light, a light guide plate 430 that changes the light provided from the light emitting device module 420 into a surface light source to provide the light to the liquid crystal display panel 410, A plurality of films 450, 466 and 464 for uniforming the luminance distribution of the light provided from the light guide plate 430 and improving the vertical incidence property and a reflective sheet 430 for reflecting the light emitted to the rear of the light guide plate 430 to the light guide plate 430 440).

발광소자모듈(420)은 복수의 발광소자패키지(424)와 복수의 발광소자패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(322)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 420 may include a PCB substrate 322 for mounting a plurality of light emitting device packages 424 and a plurality of light emitting device packages 424 to form an array.

한편, 발광소자패키지(424)에 포함되는 발광소자는 도 1에서 상술한바 생략한다.Meanwhile, the light emitting device included in the light emitting device package 424 is omitted from FIG. 1.

한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(466)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)를 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.The backlight unit 470 includes a diffusion film 466 for diffusing light incident from the light guide plate 430 toward the liquid crystal display panel 410 and a prism film 450 for enhancing vertical incidence by condensing the diffused light. And may include a protective film 464 for protecting the prism film 450.

도 8는 제2 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 8 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to the second embodiment.

다만, 도 7에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.However, the parts shown and described in Fig. 7 are not repeatedly described in detail.

도 8는 직하 방식으로, 액정표시장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.8, the liquid crystal display 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510 in a direct-down manner.

액정표시패널(510)은 도 7에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 510 is the same as that described with reference to FIG. 7, detailed description is omitted.

백라이트 유닛(570)은 복수의 발광소자모듈(523), 반사시트(524), 발광소자모듈(523)과 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자모듈(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.The backlight unit 570 includes a plurality of light emitting element modules 523, a reflective sheet 524, a lower chassis 530 housing the light emitting element module 523 and the reflective sheet 524, A plurality of optical films 560, and a diffuser plate 540 disposed on the diffuser plate 540. [

발광소자모듈(523) 복수의 발광소자패키지(522)와 복수의 발광소자패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB 기판(521)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 523 may include a PCB substrate 521 to which a plurality of light emitting device packages 522 and a plurality of light emitting device packages 522 are mounted to form an array.

반사 시트(524)는 발광소자패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflection sheet 524 reflects light generated from the light emitting device package 522 in a direction in which the liquid crystal display panel 510 is positioned, thereby improving light utilization efficiency.

한편, 발광소자모듈(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학 필름(560)이 배치된다. 광학 필름(560)은 확산 필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함하여 구성될 수 있다The light generated from the light emitting device module 523 is incident on the diffusion plate 540 and the optical film 560 is disposed on the diffusion plate 540. The optical film 560 may be configured to include a diffusion film 566, a prism film 550, and a protective film 564

실시 예에서, 조명 장치 및 백라이트 유닛은 조명 시스템에 포함될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In an embodiment, the illumination device and the backlight unit may be included in the illumination system, but are not limited thereto.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It will be appreciated that various modifications and applications are possible without departing from the scope of the present invention. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100 : 발광소자 패키지 110 : 몸체
120 : 발광소자 130 : 봉지재
140 : 제1 전극 150 : 제2 전극
210 : 제1 금속층 220 : 제2 금속층
230 : 차단층100: light emitting device package 110: body
120: light emitting element 130: sealing material
140: first electrode 150: second electrode
210: first metal layer 220: second metal layer
230: barrier layer

Claims (8)

캐버티가 형성된 몸체;
상기 몸체 상에 구비되는 발광소자; 및
상기 몸체에 구비되고, 상기 발광소자와 연결되는 제1 전극 및 제2 전극; 을 포함하고,
상기 제1 전극 및 제2 전극은
제1 금속으로 이루어진 제1 금속층;
상기 제1 금속보다 반사도가 높은 제2 금속으로 이루어진 제2 금속층; 및
상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 간에 금속의 확산을 차단하며, 상기 제1 금속보다 낮은 확산율을 가지는 차단층을 포함하고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 모든 영역에 상기 제1 금속층, 상기 차단층 및 상기 제2 금속층을 포함하며,
상기 차단층과 상기 제1 금속층, 상기 차단층과 상기 제2 금속층은 각각 제1 접착층과 제2 접착층을 통해 결합하는 발광소자 패키지.A body formed with a cavity;
A light emitting element provided on the body; And
A first electrode and a second electrode provided on the body and connected to the light emitting element; / RTI >
The first and second electrodes
A first metal layer made of a first metal;
A second metal layer made of a second metal having a reflectivity higher than that of the first metal; And
And a barrier layer interposed between the first metal layer and the second metal layer to prevent diffusion of the metal and having a lower diffusion rate than the first metal,
The first metal layer, the barrier layer, and the second metal layer in all regions of the first electrode and the second electrode,
Wherein the barrier layer, the first metal layer, the barrier layer, and the second metal layer are coupled through a first adhesive layer and a second adhesive layer, respectively. 제1항에 있어서,
상기 차단층은
티타늄(Ti), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 바나듐(V), 철(Fe), 몰리브덴(Mo) 중 하나 이상의 금속으로 형성된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The barrier layer
A light emitting device package comprising at least one metal selected from the group consisting of titanium (Ti), tungsten (W), chromium (Cr), palladium (Pd), platinum (Pt), vanadium (V), iron (Fe), and molybdenum (Mo). 제2항에 있어서,
상기 차단층의 두께는 1nm 이상 1000nm 이하인 발광소자 패키지.3. The method of claim 2,
Wherein the thickness of the blocking layer is not less than 1 nm and not more than 1000 nm. 제2항에 있어서,
상기 차단층의 두께는 10nm 이상 100nm 이하인 발광소자 패키지.3. The method of claim 2,
Wherein the thickness of the blocking layer is 10 nm or more and 100 nm or less. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 차단층은 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 중 하나 이상과 접착층을 통해 결합되는 것을 발광소자 패키지.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the barrier layer is bonded to at least one of the first metal layer and the second metal layer through an adhesive layer. 제5항에 있어서,
상기 차단층은 제1층 및 제2층을 포함하는 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the barrier layer comprises a first layer and a second layer. 제5항에 있어서,
상기 제2 금속층은 상기 발광 소자 패키지의 캐버티와 수직적으로 일부 중첩되는 반사 영역에 형성된 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the second metal layer is formed in a reflective region that is partially overlapped with the cavity of the light emitting device package. 제7항에 있어서,
상기 차단층은 상기 반사 영역에 형성되며, 상기 제1 금속층으로부터 상기 제2 금속층을 둘러싸는 발광소자 패키지.
8. The method of claim 7,
Wherein the blocking layer is formed in the reflective region and surrounds the second metal layer from the first metal layer.
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