KR101843736B1 - Light emitting device array - Google Patents

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Abstract

실시 예는, 커넥터, 발광소자 패키지 및 상기 발광소자 패키지가 배치된 제1 면 및 상기 제1 면과 반대되며 상기 발광소자 패키지와 적어도 일부분이 중첩되게 상기 커넥터가 배치된 제2 면을 포함하는 기판을 포함하는 발광소자 어레이를 제공한다.An embodiment provides a light emitting device package including a connector, a light emitting device package, and a substrate having a first surface on which the light emitting device package is disposed, and a second surface opposite to the first surface on which the connector is disposed, Emitting element array.

Figure R1020110079739
Figure R1020110079739

Description

발광소자 어레이{Light emitting device array}[0001] The present invention relates to a light emitting device array

실시 예는 발광소자 어레이에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element array.

발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.As a typical example of a light emitting device, a light emitting diode (LED) is a device for converting an electric signal into an infrared ray, a visible ray, or a light using the characteristics of a compound semiconductor, and is used for various devices such as household appliances, remote controllers, Automation equipment, and the like, and the use area of LEDs is gradually widening.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.

이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 LED의 발광휘도 및 공기 중의 냄새를 제거할 수 있는 연구가 진행 중에 있다.As the use area of LEDs is widening as such, researches are being conducted to remove the luminance and the odor in the air of LEDs required for living lamps and structural signal lamps.

실시 예는, 기판의 제1 면에 배치된 발광소자 패키지의 적어도 일부분과 중첩되게 제1 면과 반대되는 기판의 제2 면에 커넥터를 배치하여 광효율을 증가시킬 수 있는 발광소자 어레이를 제공함에 있다.Embodiments provide a light emitting device array capable of increasing light efficiency by disposing a connector on a second surface of a substrate opposite to a first surface so as to overlap with at least a part of a light emitting device package disposed on a first surface of the substrate .

실시 예에 따른 발광소자 어레이는, 커넥터, 발광소자 패키지 및 상기 발광소자 패키지가 배치된 제1 면 및 상기 제1 면과 반대되며 상기 발광소자 패키지와 적어도 일부분이 중첩되게 상기 커넥터가 배치된 제2 면을 포함하는 기판을 포함할 수 있다.A light emitting device array according to an embodiment includes a first surface on which a connector, a light emitting device package, and the light emitting device package are disposed, and a second surface on which the connector is disposed such that at least a part thereof overlaps with the first surface, And a substrate including a surface.

실시 예에 따른 발광소자 어레이는, 전도성 재질을 포함하는 기판의 상부면에 발광소자 패키지를 배치하고, 기판의 하부면 중 적어도 일부분에 커넥터를 배치함으로써, 발광소자 패키지 발광 시 커넥터에 의해 발생되는 암부를 제거할 수 있어 광 효율이 증가되는 이점이 있다.In the light emitting device array according to the embodiment, the light emitting device package is disposed on the upper surface of the substrate including the conductive material, and the connector is disposed on at least a part of the lower surface of the substrate. So that the light efficiency is increased.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 어레이는, 발광소자 패키지의 적어도 일부분과 중첩되게 커넥터를 배치함으로써, 발광소자 패키지의 전체 개수를 증가시켜 광 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.Further, the light emitting device array according to the embodiment has an advantage that the light efficiency can be increased by increasing the total number of the light emitting device packages by disposing the connectors so as to overlap with at least a part of the light emitting device package.

또한, 실시 예에 따른 발광소자 어레이는, 기판의 하부면에 커넥터가 배치되는 홈 또는 단차를 형성함으로써, 조명 장치 또는 백라이트 유닛의 프레임과 기판 결합시 커넥터에 의한 기울임을 방지할 수 있는 이점이 있다.Further, the light emitting element array according to the embodiment has an advantage that it can prevent the tilting by the connector when the frame of the illuminating device or the backlight unit is bonded to the substrate by forming the groove or stepped portion in which the connector is arranged on the lower surface of the substrate .

도 1은 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 발광소자 모듈을 간략하게 나타내는 분해사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지에 대한 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 3은 제1 실시 예에 따라 도 1에 나타낸 기판의 상부면을 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 기판의 하부면을 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 3 및 도 4에 나타낸 기판의 일부분을 나타낸 단면도이다.
도 6은 제2 실시 예에 따라 도 1에 나타낸 기판의 상부면을 나타낸 사시도이다.
도 7은 도 6에 나타낸 기판의 하부면을 나타낸 사시도이다.
도 8은 도 6 및 도 7에 나타낸 기판의 일부분을 나타낸 단면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 10은 도 9에 나타낸 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도이다.
도 11은 제1 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 12는 제2 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically showing a light emitting device module including a light emitting device array according to an embodiment.
2 is a perspective view illustrating an embodiment of the light emitting device package shown in FIG.
3 is a perspective view showing the upper surface of the substrate shown in Fig. 1 according to the first embodiment.
4 is a perspective view showing the lower surface of the substrate shown in Fig.
5 is a cross-sectional view showing a part of the substrate shown in Figs. 3 and 4. Fig.
6 is a perspective view showing the upper surface of the substrate shown in Fig. 1 according to the second embodiment.
7 is a perspective view showing the lower surface of the substrate shown in Fig.
8 is a cross-sectional view showing a part of the substrate shown in Figs. 6 and 7. Fig.
9 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device array according to an embodiment.
10 is a cross-sectional view showing a cross-section taken along the line AA 'of the lighting apparatus shown in Fig.
11 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting element array according to the first embodiment.
12 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting element array according to the second embodiment.

본 실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 device가 다른 device의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 device가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 device가 상기 두 device사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 device를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of this embodiment, in the case where a device is described as being formed "on or under" another device, the upper (upper) or lower (lower) on or under includes both the two devices being in direct contact with each other or one or more other devices being indirectly formed between the two devices. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one device.

도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. Therefore, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

또한, 본 명세서에서 발광소자 어레이의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자 어레이를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angles and directions mentioned in the description of the structure of the light-emitting element array in the present specification are based on those described in the drawings. In the description of the structure of the light emitting element array in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 발광소자 모듈을 간략하게 나타내는 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically showing a light emitting device module including a light emitting device array according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 발광소자모듈(200)은 전원컨트롤모듈(210), 발광소자 어레이(100) 및 커넥터(130)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device module 200 may include a power control module 210, a light emitting device array 100, and a connector 130.

여기서, 전원컨트롤모듈(210)은 발광소자 어레이(100)에 실장된 발광소자 패키지(110)에서 소비되는 전원을 생성하여 파워서플라이(212), 파워서플라이(212)의 동작을 제어하는 컨트롤부(214) 및 커넥터(130)의 일측이 접속되는 커넥터연결부(216)를 포함할 수 있다.The power supply control module 210 generates power consumed by the light emitting device package 110 mounted on the light emitting device array 100 and controls the operation of the power supply 212 and the power supply 212 214 and a connector connection part 216 to which one side of the connector 130 is connected.

이때, 파워서플라이(212)는 컨트롤부(214)의 제어에 따라 동작하며, 발광소자 어레이(100)에서 소비되는 상기 전원을 생성한다.At this time, the power supply 212 operates under the control of the control unit 214 and generates the power consumed by the light emitting device array 100.

컨트롤부(214)는 외부에서 입력되는 명령에 따라 파워서플라이(212)의 동작을 제어할 수 있다.The control unit 214 can control the operation of the power supply 212 according to an externally input command.

이때, 상기 외부에서 입력되는 명령은 발광소자모듈(200)을 포함하는 장치의 동작을 명령하는 리모트 컨트롤 및 발광소자모듈(200)과 직접 연결된 입력장치(미도시)로부 출력되는 명령일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In this case, the command input from the outside may be a command output from an input device (not shown) connected directly to the light emitting device module 200 and a remote control for commanding the operation of the device including the light emitting device module 200, It is not limited to this.

또한, 커넥터연결부(216)는 커넥터(130)의 일측이 연결되며, 파워서플라이(212)로부터 공급되는 전원을 커넥터(130)로 공급할 수 있다.The connector connection unit 216 is connected to one side of the connector 130 and can supply the power supplied from the power supply 212 to the connector 130.

발광소자 어레이(100)는 발광소자패키지(110) 및 발광소자패키지(110)와 커넥터(130)의 타측이 배치되는 기판(120)을 포함할 수 있다.The light emitting device array 100 may include a light emitting device package 110 and a light emitting device package 110 and a substrate 120 on which the other side of the connector 130 is disposed.

이때, 기판(120)의 상부면에는 발광소자 패키지(110)가 배치되며, 기판(120)의 하부면에는 커넥터(130)가 배치될 수 있다.At this time, the light emitting device package 110 is disposed on the upper surface of the substrate 120, and the connector 130 is disposed on the lower surface of the substrate 120.

실시 예에서, 커넥터(130)는 일체형으로 이루어진 연성회로기판으로 나타내었으나, 커넥터(130)의 상기 일측 및 상기 타측이 핀 타입으로 각각 커넥터 연결부(216) 및 기판(120)에 배치된 고정부재(미도시)에 의해 결합될 수 있으며, 커넥터(130)의 형태에 대하여 한정을 두지 않는다.The connector 130 and the other side of the connector 130 are formed in the form of a flexible circuit board having a connector 130 and a fixing member 130 disposed on the board 120, (Not shown), and the shape of the connector 130 is not limited.

기판(120)은 인쇄회로기판(printed circuit board), 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board) 또는 MCPCB(Metal Core PCB)일 수 있으며, 상기 인쇄회로기판인 경우 단면 PCB(Print circuit Board), 양면 PCB(Print circuit Board) 또는 복수 층으로 이루어진 PCB(Print circuit Board) 등을 사용할 수 있으며, 실시 예에서는 MCPCB(Metal Core PCB)인 것으로 설명하며, 이에 한정을 두지 않는다.The substrate 120 may be a printed circuit board, a flexible printed circuit board, or a metal core PCB (MCPCB). In the case of the printed circuit board, a printed circuit board (PCB) A PCB (Print Circuit Board), or a PCB (Print Circuit Board) having a plurality of layers can be used. In the embodiment, the PCB is a MCPCB (Metal Core PCB).

복수의 발광소자 패키지(110)는 복수의 그룹(미도시)으로 나누어질 수 있으며, 이때 상기 복수의 그룹에 배치된 발광소자 패키지(110)는 직렬 연결될 수 있다. The plurality of light emitting device packages 110 may be divided into a plurality of groups (not shown), and the light emitting device packages 110 disposed in the plurality of groups may be connected in series.

이때, 상기 복수의 그룹에 포함된 발광소자 패키지(110)는 개수에 대하여 한정을 두지 않는다.At this time, the number of the light emitting device packages 110 included in the plurality of groups is not limited.

복수의 발광소자패키지(110)는 각각 서로 다른 색상을 갖는 적어도 두 개 이상의 발광소자 패키지(110)가 서로 교대로 실장될 수 있으며, 패키지 사이즈에 따라 그룹을 이루어 실장될 수 있으며, 단일 색상을 갖는 발광소자 패키지(110)로 실장될 수 있을 것이다. 또한, 이에 한정을 두지 않는다.At least two or more light emitting device packages 110 having different colors may be alternately mounted on the plurality of light emitting device packages 110. The light emitting device packages 110 may be mounted in groups according to the package size, The light emitting device package 110 may be mounted. Further, the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 발광소자 어레이(100)에서 백색 광을 발광시키는 경우, 복수의 발광소자 패키지(110)는 적색 광을 발광하는 발광소자 패키지와 청색 광을 발광하는 발광소자 패키지를 사용함으로써 구현할 수 있다. 따라서, 적색 광과 청색 광으로 발광하는 발광소자 패키지가 서로 교대로 실장될 수 있으며, 적색 광, 청색 광 및 녹색 광으로 형성될 수 있다.For example, when the light emitting device array 100 emits white light, the plurality of light emitting device packages 110 may be implemented by using a light emitting device package that emits red light and a light emitting device package that emits blue light . Accordingly, the light emitting device packages that emit red light and blue light may be alternately mounted, and may be formed of red light, blue light, and green light.

도 1에 나타낸 전원컨트롤모듈(210)은 전원, 즉 외부 전원을 공급하는 공급장치를 나타낸 것이며, 실시 예에 따른 발광소자 어레이(100)를 설명하기 위한 장치일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The power supply control module 210 shown in FIG. 1 represents a power supply, that is, a power supply for supplying external power. The power supply control module 210 may be a device for explaining the light emitting device array 100 according to the embodiment, but is not limited thereto.

도 2는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지에 대한 실시 예를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view illustrating an embodiment of the light emitting device package shown in FIG.

도 2는 발광소자 패키지(110)의 일부분을 투시하여 나타낸 투과 사시도이며, 실시 예에서 발광소자 패키지(110)는 탑 뷰 타입인 것으로 나타내었으나, 사이드 뷰 타입일 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.FIG. 2 is a perspective view showing a part of the light emitting device package 110. In the embodiment, the light emitting device package 110 is a top view type, but it may be a side view type.

도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(110)는 발광소자(10) 및 발광소자(10)가 배치된 몸체(20)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device package 110 may include a body 20 having a light emitting device 10 and a light emitting device 10 disposed thereon.

몸체(20)는 제1 방향(미도시)으로 배치된 제1 격벽(22) 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향(미도시)으로 배치된 제2 격벽(24)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 격벽(22, 24)은 서로 일체형으로 형성될 수 있으며, 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대하여 한정을 두지 않는다.The body 20 may include a first partition 22 disposed in a first direction (not shown) and a second partition 24 disposed in a second direction (not shown) that intersects the first direction And the first and second barrier ribs 22 and 24 may be integrally formed with each other, and may be formed by injection molding, etching, or the like, but are not limited thereto.

즉, 제1, 2 격벽(22, 24)은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 세라믹, 및 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. That is, the first and second barrier ribs 22 and 24 are made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), AlO x , liquid crystal polymer , photo sensitive glass), polyamide 9T (PA9T), new geo syndiotactic polystyrene (SPS), metal materials, sapphire (Al 2 O 3), beryllium oxide (BeO), ceramic, and a printed circuit board (PCB, printed circuit board ). ≪ / RTI >

제1, 2 격벽(22, 24)의 상면 형상은 발광소자(10)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The shape of the upper surface of the first and second barrier ribs 22 and 24 may have various shapes such as a triangular shape, a square shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the light emitting device 10.

또한, 제1, 2 격벽(22, 24)은 발광소자(10)가 배치되는 캐비티(s)를 형성하며, 캐비티(s)의 단면 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(s)를 이루는 제1, 2 격벽(22, 24)은 하부 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.The first and second barrier ribs 22 and 24 form a cavity s in which the light emitting device 10 is disposed and the cavity s may have a cup shape or a concave shape. The first and second barrier ribs 22 and 24 forming the cavity s may be inclined downward.

그리고, 캐비티(s)의 평면 형상은 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The plane shape of the cavity s may have various shapes such as a triangular shape, a square shape, a polygonal shape, and a circular shape, but is not limited thereto.

몸체(20)의 하부면에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)이 배치될 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.The first and second lead frames 13 and 14 may be formed of a metal material such as titanium (Ti), copper (Au), chrome (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P) And may include one or more materials or alloys of indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru) .

그리고, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The first and second lead frames 13 and 14 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but are not limited thereto.

제1, 2 격벽(22, 24)의 내측면은 제1, 2 리드프레임(13, 14) 중 어느 하나를 기준으로 소정의 경사각을 가지고 경사지게 형성되며, 상기 경사각에 따라 발광소자(10)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(10)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 발광소자(10)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.The inner surfaces of the first and second barrier ribs 22 and 24 are inclined at a predetermined inclination angle with respect to any one of the first and second lead frames 13 and 14, The reflection angle of the emitted light can be changed, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside can be controlled. The concentration of light emitted to the outside from the light emitting device 10 increases as the directivity angle of light decreases, while the concentration of light emitted from the light emitting device 10 to the outside decreases as the directivity angle of light increases.

몸체(20)의 내측면은 복수의 경사각을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The inner surface of the body 20 may have a plurality of inclination angles, but is not limited thereto.

제1, 2 리드프레임(13, 14)은 발광소자(10)에 전기적으로 연결되며, 외부 전원(미도시)의 양(+)극 및 음(-)극에 각각 연결되어, 발광소자(10)로 전원을 공급할 수 있다.The first and second lead frames 13 and 14 are electrically connected to the light emitting element 10 and are respectively connected to positive and negative poles of an external power source ). ≪ / RTI >

실시 예에서, 제1 리드프레임(13) 상에는 발광소자(10)가 배치되며, 제2 리드프레임(14)은 제1 리드프레임(13)과 이격된 것으로 설명하며, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13)과 다이본딩되며, 제2 리드프레임(14)과 와이어(미도시)에 의한 와이어 본딩되어, 제1, 2 리드프레임(13, 14)로부터 전원을 공급받을 수 있다.In the embodiment, the light emitting element 10 is disposed on the first lead frame 13, the second lead frame 14 is separated from the first lead frame 13, Bonded with the first lead frame 13 and wire-bonded with the second lead frame 14 by a wire (not shown), so that power can be supplied from the first and second lead frames 13 and 14.

여기서, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13) 및 제2 리드프레임(14)에 서로 다른 극성을 가지며 본딩될 수 있다.Here, the light emitting element 10 may be bonded to the first lead frame 13 and the second lead frame 14 with different polarities.

또한, 발광소자(10)는 제1, 2 리드프레임(13, 14) 각각에 와이어 본딩되거나, 또는 다이본딩 될수 있으며, 접속 방법에 대하여 한정을 두지 않는다.Further, the light emitting element 10 can be wire-bonded or die-bonded to the first and second lead frames 13 and 14, and the connection method is not limited.

실시 예에서, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13)에 배치된 것으로 설명하였으나, 이에 한정을 두지 않는다.In the embodiment, the light emitting element 10 is disposed on the first lead frame 13, but the present invention is not limited thereto.

그리고, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13) 상에 접착부재(미도시)에 의해 접착될 수 있다.Then, the light emitting element 10 can be adhered to the first lead frame 13 by an adhesive member (not shown).

여기서, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 사이에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 전기적인 단락(쇼트)를 방지하기 위한 절연댐(16)이 형성될 수 있다.Here, between the first and second lead frames 13 and 14, an insulating dam 16 for preventing electrical short-circuiting of the first and second lead frames 13 and 14 may be formed.

실시 예에서, 절연댐(16)은 상부가 반원형으로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In an embodiment, the insulation dam 16 may be formed in a semicircular shape at the top, but is not limited thereto.

몸체(13)에는 캐소드 마크(cathode mark, 17)가 형성될 수 있다. 캐소드 마크(17)는 발광소자(10)의 극성, 즉 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 극성을 구분하여, 제1, 2 리드프레임(13, 14)을 전기적으로 연결할 때, 혼동을 방지하는데 이용될 수 있을 것이다.A cathode mark (17) may be formed on the body (13). The cathode mark 17 distinguishes the polarity of the light emitting element 10, that is, the polarity of the first and second lead frames 13 and 14 so that when the first and second lead frames 13 and 14 are electrically connected, Lt; / RTI >

발광소자(10)는 발광 다이오드일 수 있다. 상기 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정을 두지 않으며, 또한 제1 리드프레임(13)에 실장되는 발광소자(10)는 복수 개 일 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 상에 각각 적어도 하나의 발광소자(10)가 실장될 수 있으며, 발광소자(10)의 개수 및 실장위치에 대하여 한정을 두지 않는다. The light emitting device 10 may be a light emitting diode. The light emitting diode may be, for example, a colored light emitting diode that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) light emitting diode that emits ultraviolet light. However, A plurality of light emitting devices 10 may be mounted on the frame 13 and at least one light emitting device 10 may be mounted on the first and second lead frames 13 and 14, 10 and the mounting position of the semiconductor device.

몸체(20)는 캐비티(s)에 충진된 수지물(18)을 포함할 수 있다. 즉, 수지물(18)은 이중몰딩구조 또는 삼중몰딩구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The body 20 may include a resin material 18 filled in the cavity s. That is, the resin material 18 may be formed in a double molding structure or a triple molding structure, but is not limited thereto.

그리고, 수지물(18)은 필름형으로 형성될 수 있으며, 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 또한 형광체 및 광확산재를 포함하지 않는 투광성재질이 사용될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.The resin material 18 may be formed in a film form and may include at least one of a phosphor and a light diffusing material, and a light-transmitting material not including a phosphor and a light diffusing material may be used. Do not.

도 3은 제1 실시 예에 따라 도 1에 나타낸 기판의 상부면을 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3에 나타낸 기판의 하부면을 나타낸 사시도이고, 도 5는 도 3 및 도 4에 나타낸 기판의 일부분을 나타낸 단면도이다.FIG. 3 is a perspective view showing the upper surface of the substrate shown in FIG. 1 according to the first embodiment, FIG. 4 is a perspective view showing the lower surface of the substrate shown in FIG. 3, Fig.

도 5는 도 3 및 도 4에 나타낸 기판(120)의 일부분 중 홀(h)의 단면을 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a section of a hole h in a part of the substrate 120 shown in Figs. 3 and 4. Fig.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 발광소자 어레이(100)는 발광소자 패키지(110) 및 발광소자 패키지(110)가 배치된 기판(120)을 포함할 수 있다.3 to 5, the light emitting device array 100 may include a substrate 120 having a light emitting device package 110 and a light emitting device package 110 disposed thereon.

기판(120)에는 상부면(S1)과 하부면(S2)를 관통하는 복수 개의 홀(h)이 형성되며, 상부면(S1)에는 제1 동박층(123) 및 하부면(S2)에는 제2 동박층(125)이 배치될 수 있다.The substrate 120 is formed with a plurality of holes h passing through the upper surface S1 and the lower surface S2 and the first copper layer 123 and the lower surface S2 are formed on the upper surface S1. 2 copper foil layer 125 may be disposed.

즉, 제1 동박층(123)은 발광소자 패키지(110)가 배치되는 전극패턴(121) 및 복수의 전극패턴(121) 및 홀(h)과 연결되며, 커넥터(미도시)로부터 공급되는 전원을 전극패턴(121)으로 공급하는 제1 연결패턴(122)을 포함할 수 있다. That is, the first copper layer 123 is connected to the electrode pattern 121, the plurality of electrode patterns 121 and the holes h in which the light emitting device package 110 is disposed, And a first connection pattern 122 for supplying the first connection pattern 122 to the electrode pattern 121.

또한, 제2 동박층(125)은 상기 커넥터와 연결되는 고정부재(132)가 배치되는 커넥터패턴(126) 및 홀(h)에 연결되는 제2 연결패턴(127)을 포함할 수 있다.The second copper layer 125 may include a connector pattern 126 on which a fixing member 132 connected to the connector is disposed and a second connection pattern 127 connected to the hole h.

여기서, 도 5를 살펴보면, 기판(120)은 홀(h)이 형성된 전도성 베이스층(151), 전도성 베이스층(151)의 상면에 배치된 제1 절연층(152), 전도성 베이스층(151)의 하면에 배치된 제2 절연층(153), 홀(h)의 내측면에 배치된 제3 절연층(154), 홀(h)의 내측면에 배치된 제3 절연층(154) 상에 배치된 제3 동박층(129), 전도성 베이스층(151)의 상면 및 제1 절연층(152) 상에 배치된 제4 절연층(155) 및 전도성 베이스층(151)의 하면 및 제2 절연층(153) 상에 배치된 제5 절연층(156)을 포함할 수 있다.5, the substrate 120 includes a conductive base layer 151 having a hole h formed thereon, a first insulating layer 152 disposed on a top surface of the conductive base layer 151, a conductive base layer 151, A third insulating layer 154 disposed on the inner surface of the hole h and a third insulating layer 154 disposed on the inner surface of the hole h, The upper surface of the disposed third copper layer 129, the conductive base layer 151 and the lower surface of the fourth insulating layer 155 and the conductive base layer 151 disposed on the first insulating layer 152, And a fifth insulating layer 156 disposed on layer 153.

전도성 베이스층(151)은 Al(알루미늄) 및 Cu(구리) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이 외에 전도성 재질로 이루어진 다른 금속이 사용될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The conductive base layer 151 may include at least one of Al (aluminum) and Cu (copper), and other metals made of a conductive material may be used, but the present invention is not limited thereto.

도 5에는 홀(h)의 내측면이 나타내는 기판(120)의 단면도이므로, 제1, 2 동박층(123, 125)을 나타나지 않는다.5 is a cross-sectional view of the substrate 120 indicated by the inner surface of the hole h, so that the first and second copper layers 123 and 125 do not appear.

여기서, 제3 동박층(129)은 도 3 및 도 4에 나타낸 제1, 2 동박층(123, 125)와 전기적으로 연결될 수 있다.Here, the third copper layer 129 may be electrically connected to the first and second copper layers 123 and 125 shown in FIGS. 3 and 4.

제3 동박층(129)은 제1, 2 동박층(123, 125) 중 적어도 하나의 두께와 동일한 두께이거나, 제1, 2 동박층(123, 125)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The third copper foil layer 129 may have a thickness equal to or greater than the thickness of at least one of the first and second copper foil layers 123 and 125, Do not limit.

여기서, 제1 절연층(152)의 두께(d1)는 제2 절연층(153)의 두께(d2)와 동일할 수 있으며, 제3 절연층(154)의 두께(d3)는 제1, 2 절연층(152, 153)의 두께(d1, d2) 중 적어도 하나와 동일하거나, 또는 제1, 2 절연층(152, 153)의 두께(d1, d2) 보다 얇게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The thickness d1 of the first insulating layer 152 may be equal to the thickness d2 of the second insulating layer 153 and the thickness d3 of the third insulating layer 154 may be equal to the thickness d2 of the first and second insulating layers 152 and 153. [ May be formed to be equal to at least one of the thicknesses d1 and d2 of the insulating layers 152 and 153 or to be thinner than the thicknesses d1 and d2 of the first and second insulating layers 152 and 153, I do not.

즉, 제1, 2, 3 절연층(152 ~ 154) 중 적어도 하나의 두께(d1 ~ d3)는 0.5 ㎛ 내지 300 ㎛일 수 있으며, 이때 홀(h)의 지름(r)은 0.05 ㎜ 내지 5 ㎜일 수 있다.That is, the thickness d 1 to d 3 of at least one of the first, second and third insulating layers 152 to 154 may be 0.5 to 300 μm, and the diameter r of the hole h may be 0.05 to 5 Mm.

그리고, 홀(h)의 지름(r)이 0.05 ㎜ 내지 5 ㎜인 경우를 기준으로, 제1, 2, 3 절연층(152 ~ 154) 중 적어도 하나의 두께(d1 ~ d3)는 0.5 ㎛ 보다 얇은 경우 제1, 2, 3 동박층(123, 125, 129)으로 흐르는 전류에 대한 절연 효과가 낮아지며, 300 ㎛ 보다 두꺼운 경우 절연 효과는 변함이 없으나, 제조 단가가 증가할 수 있다.The thicknesses (d1 to d3) of at least one of the first, second and third insulating layers 152 to 154 are set to be less than 0.5 占 퐉 based on the case where the diameter r of the hole h is 0.05 mm to 5 mm The insulating effect against the current flowing to the first, second and third copper layers 123, 125 and 129 is low. When the thickness is more than 300 μm, the insulating effect does not change but the manufacturing cost may increase.

그리고, 제3 절연층(154)은 전도성 베이층(151)의 상면에서 하면까지 동일한 두께(d3)를 가지는 것으로 나타내었으나, 상이할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Although the third insulating layer 154 has the same thickness d3 from the top surface to the bottom surface of the conductive bay layer 151, the third insulating layer 154 may be different, but is not limited thereto.

또한, 제4, 5 절연층(155, 156)의 두께(d4, d5)는 제1, 2, 3 절연층(152 ~ 154)의 두께(d1 ~ d3) 중 적어도 하나와 동일하거나, 제1, 2, 3 절연층(152 ~ 154)의 두께(d1 ~ d3) 보다 두껍게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The thicknesses d4 and d5 of the fourth and fifth insulating layers 155 and 156 are equal to at least one of the thicknesses d1 to d3 of the first, second and third insulating layers 152 to 154, And the thicknesses d1 to d3 of the first, second, and third insulating layers 152 to 154, respectively, but is not limited thereto.

제4, 5 절연층(155, 156)은 홀(h)의 상부 및 하부를 덮으며, 제3 동박층(129)의 외측면에도 접촉될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The fourth and fifth insulating layers 155 and 156 cover the upper and lower portions of the hole h and may contact the outer surface of the third copper foil layer 129 but are not limited thereto.

이와 같이, 도 3 내지 도 5에 나타낸 기판(120)은 전도성 베이스층(151)이 적용됨에 따라 전도성 베이스층(151)의 상면 및 하면에 발광소자 패키지(110) 및 커넥터(미도시)가 접속되는 고정부재(132)를 배치함으로써, 전도성 베이스층(151)을 기준으로 발광소자 패키지(110)의 적어도 일부분과 고정부재(132)가 중첩될 수 있다.3 to 5, the light emitting device package 110 and the connector (not shown) are connected to the upper and lower surfaces of the conductive base layer 151 as the conductive base layer 151 is applied thereto The fixing member 132 can be overlapped with at least a part of the light emitting device package 110 with respect to the conductive base layer 151. [

실시 예에서, 상기 커넥터는 핀 타입으로, 고정부재(132)에 체결되는 것으로 나타내고 설명하였으나, 상기 커넥터가 연성인쇄회로기판으로 형성되는 경우 고정부재(132)가 커넥터패턴(126)에 배치되지 않고 상기 커넥터의 일측이 직접 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
Although the connector is shown as being a pin type and fastened to the fixing member 132, when the connector is formed of a flexible printed circuit board, the fixing member 132 is not disposed in the connector pattern 126 One side of the connector may be directly disposed, but is not limited thereto.

도 6은 제2 실시 예에 따라 도 1에 나타낸 기판의 상부면을 나타낸 사시도이고, 도 7은 도 6에 나타낸 기판의 하부면을 나타낸 사시도이고, 도 8은 도 6 및 도 7에 나타낸 기판의 일부분을 나타낸 단면도이다.6 is a perspective view showing the upper surface of the substrate shown in FIG. 1 according to the second embodiment, FIG. 7 is a perspective view showing the lower surface of the substrate shown in FIG. 6, and FIG. 8 is a cross- Fig.

도 8는 도 6 및 도 7에 나타낸 기판(120)의 일부분 중 홀(h)의 단면을 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a section of a hole h in a part of the substrate 120 shown in Figs. 6 and 7. Fig.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 발광소자 어레이(100)는 발광소자 패키지(110) 및 발광소자 패키지(110)가 배치된 기판(120)을 포함할 수 있다.6 to 8, the light emitting device array 100 may include a substrate 120 having a light emitting device package 110 and a light emitting device package 110 disposed thereon.

기판(120)에는 상부면(S1)과 하부면(S2)를 관통하는 복수 개의 홀(h)이 형성되며, 상부면(S1)에는 제1 동박층(123) 및 하부면(S2)에는 제2 동박층(125)이 배치될 수 있다.The substrate 120 is formed with a plurality of holes h passing through the upper surface S1 and the lower surface S2 and the first copper layer 123 and the lower surface S2 are formed on the upper surface S1. 2 copper foil layer 125 may be disposed.

즉, 제1 동박층(123)은 발광소자 패키지(110)가 배치되는 전극패턴(121) 및 복수의 전극패턴(121) 및 홀(h)과 연결되며, 커넥터(미도시)로부터 공급되는 전원을 전극패턴(121)으로 공급하는 제1 연결패턴(122)을 포함할 수 있다. That is, the first copper layer 123 is connected to the electrode pattern 121, the plurality of electrode patterns 121 and the holes h in which the light emitting device package 110 is disposed, And a first connection pattern 122 for supplying the first connection pattern 122 to the electrode pattern 121.

또한, 제2 동박층(125)은 상기 커넥터와 연결되는 고정부재(132)가 배치되는 커넥터패턴(126) 및 홀(h)에 연결되는 제2 연결패턴(127)을 포함할 수 있다.The second copper layer 125 may include a connector pattern 126 on which a fixing member 132 connected to the connector is disposed and a second connection pattern 127 connected to the hole h.

여기서, 하부면(S2)은 상기 커넥터가 배치되는 제1 영역(ss1) 및 제1 영역(ss1)에 인접한 제2 영역(ss2)을 포함할 수 있다.Here, the lower surface S2 may include a first region ss1 in which the connector is disposed and a second region ss2 adjacent to the first region ss1.

제1, 2 영역(ss1, ss2)은 단차를 형성할 수 있으며, 제1, 2 영역(ss1, ss2) 사이의 단차각(미도시)은 90°내지 170°일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The first and second regions ss1 and ss2 may form a step and the step angle (not shown) between the first and second regions ss1 and ss2 may be 90 ° to 170 °, Do not.

도 8을 살펴보면, 기판(120)은 홀(h)이 형성된 전도성 베이스층(151), 전도성 베이스층(151)의 상면에 배치된 제1 절연층(152), 전도성 베이스층(151)의 하면에 배치된 제2 절연층(153), 홀(h)의 내측면에 배치된 제3 절연층(154), 홀(h)의 내측면에 배치된 제3 절연층(154) 상에 배치된 제3 동박층(129), 전도성 베이스층(151)의 상면 및 제1 절연층(152) 상에 배치된 제4 절연층(155) 및 전도성 베이스층(151)의 하면 및 제2 절연층(153) 상에 배치된 제5 절연층(156)을 포함할 수 있다.8, the substrate 120 includes a conductive base layer 151 having a hole h formed therein, a first insulating layer 152 disposed on a top surface of the conductive base layer 151, A third insulating layer 154 disposed on the inner surface of the hole h and a second insulating layer 153 disposed on the third insulating layer 154 disposed on the inner surface of the hole h The upper surface of the third copper layer 129 and the conductive base layer 151 and the lower surface of the fourth insulating layer 155 and the conductive base layer 151 disposed on the first insulating layer 152, And a fifth insulating layer 156 disposed on the second insulating layer 153.

전도성 베이스층(151)은 Al(알루미늄) 및 Cu(구리) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이 외에 전도성 재질로 이루어진 다른 금속이 사용될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The conductive base layer 151 may include at least one of Al (aluminum) and Cu (copper), and other metals made of a conductive material may be used, but the present invention is not limited thereto.

도 8에는 홀(h)의 내측면이 나타내는 기판(120)의 단면도이므로, 제1, 2 동박층(123, 125)을 나타나지 않는다.8 is a cross-sectional view of the substrate 120 shown by the inner surface of the hole h, so that the first and second copper foil layers 123 and 125 do not appear.

여기서, 제3 동박층(129)은 도 6 및 도 7에 나타낸 제1, 2 동박층(123, 125)와 전기적으로 연결될 수 있다.Here, the third copper layer 129 may be electrically connected to the first and second copper layers 123 and 125 shown in FIGS. 6 and 7.

제3 동박층(129)은 제1, 2 동박층(123, 125) 중 적어도 하나의 두께와 동일한 두께이거나, 제1, 2 동박층(123, 125)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The third copper foil layer 129 may have a thickness equal to or greater than the thickness of at least one of the first and second copper foil layers 123 and 125, Do not limit.

여기서, 제1 절연층(152)의 두께(d1)는 제2 절연층(153)의 두께(d2)와 동일할 수 있으며, 제3 절연층(154)의 두께(d3)는 제1, 2 절연층(152, 153)의 두께(d1, d2) 중 적어도 하나와 동일하거나, 또는 제1, 2 절연층(152, 153)의 두께(d1, d2) 보다 얇게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The thickness d1 of the first insulating layer 152 may be equal to the thickness d2 of the second insulating layer 153 and the thickness d3 of the third insulating layer 154 may be equal to the thickness d2 of the first and second insulating layers 152 and 153. [ May be formed to be equal to at least one of the thicknesses d1 and d2 of the insulating layers 152 and 153 or to be thinner than the thicknesses d1 and d2 of the first and second insulating layers 152 and 153, I do not.

즉, 제1, 2, 3 절연층(152 ~ 154) 중 적어도 하나의 두께(d1 ~ d3)는 0.5 ㎛ 내지 300 ㎛일 수 있으며, 이때 홀(h)의 지름(r)은 0.05 ㎜ 내지 5 ㎜일 수 있다.That is, the thickness d 1 to d 3 of at least one of the first, second and third insulating layers 152 to 154 may be 0.5 to 300 μm, and the diameter r of the hole h may be 0.05 to 5 Mm.

그리고, 홀(h)의 지름(r)이 0.05 ㎜ 내지 5 ㎜인 경우를 기준으로, 제1, 2, 3 절연층(152 ~ 154) 중 적어도 하나의 두께(d1 ~ d3)는 0.5 ㎛ 보다 얇은 경우 제1, 2, 3 동박층(123, 125, 129)으로 흐르는 전류에 대한 절연 효과가 낮아지며, 300 ㎛ 보다 두꺼운 경우 절연 효과는 변함이 없으나, 제조 단가가 증가할 수 있다.The thicknesses (d1 to d3) of at least one of the first, second and third insulating layers 152 to 154 are set to be less than 0.5 占 퐉 based on the case where the diameter r of the hole h is 0.05 mm to 5 mm The insulating effect against the current flowing to the first, second and third copper layers 123, 125 and 129 is low. When the thickness is more than 300 μm, the insulating effect does not change but the manufacturing cost may increase.

그리고, 제3 절연층(154)은 전도성 베이층(151)의 상면에서 하면까지 동일한 두께(d3)를 가지는 것으로 나타내었으나, 상이할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Although the third insulating layer 154 has the same thickness d3 from the top surface to the bottom surface of the conductive bay layer 151, the third insulating layer 154 may be different, but is not limited thereto.

또한, 제4, 5 절연층(155, 156)의 두께(d4, d5)는 제1, 2, 3 절연층(152 ~ 154)의 두께(d1 ~ d3) 중 적어도 하나와 동일하거나, 제1, 2, 3 절연층(152 ~ 154)의 두께(d1 ~ d3) 보다 두껍게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The thicknesses d4 and d5 of the fourth and fifth insulating layers 155 and 156 are equal to at least one of the thicknesses d1 to d3 of the first, second and third insulating layers 152 to 154, And the thicknesses d1 to d3 of the first, second, and third insulating layers 152 to 154, respectively, but is not limited thereto.

제4, 5 절연층(155, 156)은 홀(h)의 상부 및 하부를 덮으며, 제3 동박층(129)의 외측면에도 접촉될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.The fourth and fifth insulating layers 155 and 156 cover the upper and lower portions of the hole h and may contact the outer surface of the third copper foil layer 129 but are not limited thereto.

그리고, 제2, 5 절연층(153, 155)은 제1 영역(ss1)에 배치되며, 제2 영역(ss2)에는 배치되지 않는다.The second and fifth insulating layers 153 and 155 are disposed in the first region ss1 and are not disposed in the second region ss2.

즉, 제1 영역(ss1)은 전도성 베이스층(151)의 하면에 제2 동박층(125)가 배치됨에 따라 전도성 베이스층(151)과의 절연을 위해 제2, 5 절연층(153, 155)이 배치된다.That is, the first region ss1 is provided with the second and fifth insulating layers 153 and 155 for insulation with the conductive base layer 151 as the second copper layer 125 is disposed on the lower surface of the conductive base layer 151 .

그리고, 제1, 2 영역(ss1, ss2)은 소정의 단차각을 갖는 단차가 형성되어, 고정부재(132) 또는 연성인쇄회로기판으로 이루어진 커넥터가 배치되는 경우 상기 커넥터의 배면과 제2 영역(ss2)이 서로 동일 선상을 이루도록 단차 높이(미도시)를 조절할 수 있다.The first and second regions ss1 and ss2 are formed with a step having a predetermined step angle so that when the connector made of the fixing member 132 or the flexible printed circuit board is disposed, ss2) can be adjusted to be collinear with each other by adjusting the step height (not shown).

즉, 백라이트 장치 또는 조명 장치에 기판(120)이 조립되는 경우, 기판(120)은 발광소자 패키지(110)에서 발생되는 열을 방열하기 위해 서멀패드(미도시)를 통하여 프레임(미도시)에 부착될 때 좀더 많은 면적으로 상기 프레임에 접촉될 수 있다.That is, when the substrate 120 is assembled to the backlight device or the illumination device, the substrate 120 is transferred to a frame (not shown) through a thermal pad (not shown) to dissipate heat generated in the light emitting device package 110 And can be brought into contact with the frame in a larger area when attached.

그리고, 실시 예에서 제1 영역(ss1)은 제2 영역(ss2)과 단차를 형성하는 것으로 나타내었으나, 제1 영역(ss1)은 홈 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 영역(ss1)의 주위 둘레에 제2 영역(ss2)이 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Although the first region ss1 is shown as forming a step with the second region ss2 in the embodiment, the first region ss1 may be formed in a groove shape, and the periphery of the first region ss1 The second region ss2 may be formed around the second region s2, but the present invention is not limited thereto.

또한, 실시 예에서 홀(h)의 내측에 형성된 제3 동박층(129)은 제3 절연층(154) 상에 고정 배치된 것으로 나타내었으나, 심 타입으로 형성될 수 있다.Although the third copper layer 129 formed on the inner side of the hole h in the embodiment is shown as being fixedly disposed on the third insulating layer 154, it may be formed as a core type.

즉, 상기 심 타입은 하나의 동박 막대 또는 동박판이 나선형으로 감겨져 홀(h)에 삽입되어 제1, 2 동박층(123, 125)과 전기적으로 연결될 수 있다.That is, in the core type, one copper foil or copper foil may be spirally wound and inserted into the hole h to be electrically connected to the first and second copper foil layers 123 and 125.

이때, 상기 심 타입은 동박 막대 또는 동박판이 감겨진 형상으로 나타내었으나, 이에 한정을 두지 않는다.At this time, the core type is shown in the form of a copper foil or copper foil wound, but it is not limited thereto.

여기서, 상기 심 타입의 두께는 0.5 ㎛ 내지 300 ㎛일 수 있으며, 이는 홀(h)의 지름(r) 보다 작으며 제3 절연층(154) 보다 두껍게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the thickness of the core type may be 0.5 μm to 300 μm, which is smaller than the diameter r of the hole h and may be thicker than the third insulating layer 154, but is not limited thereto.

도 9는 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 10은 도 9에 나타낸 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도이다.FIG. 9 is a perspective view showing a lighting device including a light-emitting element array according to an embodiment, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of the lighting device shown in FIG.

이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(300)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(300)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.In order to describe the shape of the illumination device 300 according to the embodiment in detail, the longitudinal direction Z of the illumination device 300, the horizontal direction Y perpendicular to the longitudinal direction Z, The direction Z and the horizontal direction Y and the vertical direction X perpendicular to the horizontal direction Y will be described.

즉, 도 10은 도 9의 조명장치(300)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.10 is a cross-sectional view of the lighting apparatus 300 of FIG. 9 cut in the longitudinal direction Z and the height direction X and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 9 및 도 10을 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.9 and 10, the lighting device 300 may include a body 310, a cover 330 coupled to the body 310, and a finishing cap 350 positioned at opposite ends of the body 310 have.

몸체(310)의 하부면에는 발광소자 어레이(340)가 체결되며, 몸체(310)는 발광소자 패키지(344)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.A light emitting device array 340 is coupled to the lower surface of the body 310. The body 310 is electrically conductive so that heat generated from the light emitting device package 344 can be emitted to the outside through the upper surface of the body 310. [ And a metal material having an excellent heat dissipation effect.

발광소자 어레이(340)는 발광소자패키지(344) 및 기판(342)을 포함할 수 있다.The light emitting device array 340 may include a light emitting device package 344 and a substrate 342.

발광소자패키지(344)는 기판(342) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 기판(342)으로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다. The light emitting device package 344 is mounted on the substrate 342 in a multi-color, multi-row manner to form an array. The light emitting device package 344 can be mounted at equal intervals or can be mounted with various distances as needed. As the substrate 342, MCPCB (Metal Core PCB) or FR4 material PCB may be used.

커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 330 may be formed in a circular shape so as to surround the lower surface of the body 310, but is not limited thereto.

여기서, 커버(330)는 내부의 발광소자 어레이(340)를 외부의 이물질 등으로부터 보호할 수 있다. Here, the cover 330 can protect the internal light emitting device array 340 from foreign substances or the like.

또한, 커버(330)는 발광소자 패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 330 prevents glare of light generated in the light emitting device package 344 and a prism pattern or the like may be formed on at least one of the inner and outer surfaces of the cover 330. Further, the phosphor may be coated on at least one of the inner surface and the outer surface of the cover 330.

한편, 발광소자 패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(344)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.Meanwhile, since the light generated in the light emitting device package 344 is emitted to the outside through the cover 330, the cover 330 should have a high light transmittance and sufficient heat resistance to withstand the heat generated in the light emitting device package 344 The cover 330 is preferably formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), or polymethyl methacrylate (PMMA) .

마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing cap 350 is located at both ends of the body 310 and can be used for sealing the power supply unit (not shown). In addition, the finishing cap 350 is provided with the power pin 352, so that the lighting device 300 according to the embodiment can be used immediately without a separate device on the terminal from which the conventional fluorescent lamp is removed.

도 11은 제1 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.11 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting element array according to the first embodiment.

도 11은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.11, the liquid crystal display device 400 may include a liquid crystal display panel 410 and a backlight unit 470 for providing light to the liquid crystal display panel 410 in an edge-light manner.

액정표시패널(410)은 백라이트유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 410 can display an image using the light provided from the backlight unit 470. The liquid crystal display panel 410 may include a color filter substrate 412 and a thin film transistor substrate 414 facing each other with a liquid crystal therebetween.

컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 412 can realize the color of the image to be displayed through the liquid crystal display panel 410.

박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 414 is electrically connected to a printed circuit board 418 on which a plurality of circuit components are mounted through a driving film 417. The thin film transistor substrate 414 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 418 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 418.

박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 414 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자어레이(420), 발광소자어레이(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 466, 464) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(447)로 구성된다.The backlight unit 470 includes a light emitting device array 420 for outputting light, a light guide plate 430 for converting light provided from the light emitting device array 420 into a surface light source and providing the light to the liquid crystal display panel 410, A plurality of films 450, 466 and 464 for uniforming the luminance distribution of the light provided from the light guide plate 430 and improving the vertical incidence property and a reflective sheet 430 for reflecting the light emitted to the rear of the light guide plate 430 to the light guide plate 430 447).

발광소자어레이(420)는 복수의 발광소자패키지(424)와 복수의 발광소자패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(422)을 포함할 수 있다.The light emitting device array 420 may include a PCB substrate 422 so that a plurality of light emitting device packages 424 and a plurality of light emitting device packages 424 are mounted to form an array.

한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(466)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)을 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.The backlight unit 470 includes a diffusion film 466 for diffusing light incident from the light guide plate 430 toward the liquid crystal display panel 410 and a prism film 450 for enhancing vertical incidence by condensing the diffused light. And may include a protective film 464 for protecting the prism film 450.

도 12는 제2 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.12 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting element array according to the second embodiment.

다만, 도 11에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.However, the parts shown and described in Fig. 11 are not repeatedly described in detail.

도 12는 직하 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트유닛(570)을 포함할 수 있다.12, the liquid crystal display device 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510 in a direct-down manner.

액정표시패널(510)은 도 11에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 510 is the same as that described with reference to FIG. 11, detailed description is omitted.

백라이트유닛(570)은 복수의 발광소자어레이(523), 반사시트(524), 발광소자어레이(523)과 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자어레이(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.The backlight unit 570 includes a plurality of light emitting element arrays 523, a reflective sheet 524, a lower chassis 530 in which the light emitting element array 523 and the reflective sheet 524 are accommodated, A plurality of optical films 560, and a diffuser plate 540 disposed on the diffuser plate 540. [

발광소자 어레이(523)는 복수의 발광소자패키지(522)와 복수의 발광소자패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(521)을 포함할 수 있다.The light emitting device array 523 may include a PCB substrate 521 such that a plurality of light emitting device packages 522 and a plurality of light emitting device packages 522 are mounted to form an array.

반사시트(524)는 발광소자패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflection sheet 524 reflects light generated from the light emitting device package 522 in a direction in which the liquid crystal display panel 510 is positioned, thereby improving light utilization efficiency.

한편, 발광소자어레이(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학필름(560)이 배치된다. 광학필름(560)은 확산필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함할 수 있다.The light emitted from the light emitting element array 523 is incident on the diffusion plate 540 and the optical film 560 is disposed on the diffusion plate 540. The optical film 560 may include a diffusion film 566, a prism film 550, and a protective film 564.

여기서, 조명장치(300) 및 액정표시장치(400, 500)는 조명시스템에 포함될 수 있으며, 이 외에도 발광소자 패키지를 포함하며 조명을 목적으로 하는 장치 등도 조명시스템에 포함될 수 있다.Here, the illumination device 300 and the liquid crystal display devices 400 and 500 may be included in the illumination system. In addition, the illumination device may include a light emitting device package and a device for illumination purposes.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It will be appreciated that various modifications and applications are possible without departing from the scope of the present invention. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (15)

커넥터;
발광소자 패키지; 및
상기 발광소자 패키지가 배치된 제1 면 및 상기 제1 면과 반대되며 상기 발광소자 패키지와 적어도 일부분이 중첩되게 상기 커넥터가 배치된 제2 면을 포함하는 기판;을 포함하며,
상기 기판은,
홀이 형성된 전도성 베이스층;
상기 전도성 베이스층의 상면 상에 배치되며, 상기 발광소자 패키지가 배치된 제1 동박층;
상기 전도성 베이스층의 하면 상에 배치되며, 상기 커넥터가 배치된 제2 동박층; 및
상기 홀의 내측면 상에 배치되며, 상기 제1, 2 동박층을 연결하는 제3 동박층;을 더 포함하는 발광소자 어레이.connector;
A light emitting device package; And
A substrate having a first surface on which the light emitting device package is disposed and a second surface opposite to the first surface on which the connector is disposed so that at least a portion of the light emitting device package overlaps with the first surface;
Wherein:
A conductive base layer formed with a hole;
A first copper layer disposed on an upper surface of the conductive base layer and having the light emitting device package disposed therein;
A second copper layer disposed on a lower surface of the conductive base layer and having the connector disposed therein; And
And a third copper layer disposed on an inner surface of the hole and connecting the first and second copper layers. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 베이스층은,
Al(알루미늄) 및 Cu(구리) 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 어레이.The conductive base layer according to claim 1,
And at least one of Al (aluminum) and Cu (copper). 제 1 항에 있어서,
상기 제1 동박층과 상기 상면 사이에 제1 절연층;
상기 제2 동박층과 상기 하면 사이에 제2 절연층; 및
상기 제3 동박층과 상기 홀의 내측면 사이에 제3 절연층;을 포함하는 발광소자 어레이.The method according to claim 1,
A first insulating layer between the first copper layer and the upper surface;
A second insulating layer between the second copper foil layer and the lower surface; And
And a third insulating layer between the third copper foil layer and the inner surface of the hole. 제 4 항에 있어서, 상기 제1, 2, 3 절연층 중 적어도 하나의 두께는,
0.5 ㎛ 내지 300 ㎛ 인 발광소자 어레이.The method of claim 4, wherein the thickness of at least one of the first, second,
0.5 to 300 [micro] m. 제 4 항에 있어서, 상기 제1, 2 절연층 중 적어도 하나의 두께는,
상기 제3 절연층의 두께와 동일하거나,
또는 상기 제3 절연층의 두께보다 두꺼운 발광소자 어레이.The method according to claim 4, wherein the thickness of at least one of the first and second insulating layers
The third insulating layer has a thickness equal to the thickness of the third insulating layer,
Or the thickness of the third insulating layer. 제 1 항에 있어서, 상기 홀의 지름은,
0.05 ㎜ 내지 5 ㎜ 이며,
상기 제3 동박층은,
동박판이 나선형으로 감겨진 발광소자 어레이.The method according to claim 1,
0.05 mm to 5 mm,
Wherein the third copper layer comprises:
A light emitting device array in which a copper foil is wound in a spiral shape. 제 1 항에 있어서, 상기 제3 동박층의 두께는,
상기 제1, 2 동박층 중 적어도 하나의 두께와 동일하거나,
또는 상기 제1, 2 동박층의 두께보다 두꺼운 발광소자 어레이.The semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness of the third copper foil layer
The first copper foil layer and the second copper foil layer have a thickness equal to or greater than at least one of the first and second copper foil layers,
Or the thickness of the first and second copper foil layers. 제 1 항에 있어서, 상기 제3 동박층은,
심 타입이며,
상기 심 타입의 두께는,
0.5 ㎛ 내지 300 ㎛ 인 발광소자 어레이.The semiconductor device according to claim 1, wherein the third copper layer comprises:
Sim type,
The thickness of the core type is,
0.5 to 300 [micro] m. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 전도성 베이스층의 하면은,
상기 커넥터가 배치되며 상기 홀이 형성된 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하고,
상기 제1, 2 영역은,
단차가 형성되며,
상기 제1 영역에는,
제3 절연층 및 상기 제3 동박층이 배치된 발광소자 어레이.The method according to claim 1,
And a lower surface of the conductive base layer,
The connector comprising a first region in which the hole is formed and a second region adjacent to the first region,
Wherein the first and second regions are arranged in a matrix,
A step is formed,
In the first region,
The third insulating layer, and the third copper foil layer are disposed. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 전도성 베이스층의 하면은,
상기 커넥터가 배치되며 상기 홀이 형성된 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역을 포함하고,
상기 제1 영역은,
홈 형상인 발광소자 어레이.The method according to claim 1,
And a lower surface of the conductive base layer,
The connector comprising a first region in which the hole is formed and a second region adjacent to the first region,
Wherein the first region comprises:
Emitting element array having a groove shape. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 9 항, 제12항 및 제 14 항 중 어느 한 항의 발광소자 어레이를 포함하는 조명 시스템.
An illumination system comprising the light-emitting device array according to any one of claims 1, 3 to 9, 12 and 14.
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