KR101754509B1 - 수지 조성물 및 그 용도 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 변성 폴리페닐에테르 수지와 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물을 포함한 수지 조성물을 개시한다. 본 발명은 또한 상기와 같은 수지 조성물을 이용하여 고주파 회로기판을 제조하는 제조 방법 및 상기 방법으로 제조된 고주파 회로기판을 개시한다. 본 발명에 따른 고주파 회로기판은 높은 유리전이온도, 높은 열분해온도, 높은 층간 접착력, 낮은 유전상수 및 낮은 유전손실탄젠트를 가지며, 고주파 전자 장치의 회로기판으로서 매우 적합하다.

Description

수지 조성물 및 그 용도 {RESIN COMPOSITION AND USE THEREOF}
본 발명은 수지 조성물에 관한 것이며, 구체적으로 본 발명은 수지 조성물 및 고주파 회로기판에서의 상기 수지 조성물의 적용에 관한 것이다.
근래에 전자 정보 기술의 발전, 전자 장치 장착의 소형화 및 고밀도화, 정보의 대용량화 및 고주파화에 따라, 회로기판의 내열성, 흡수성, 내약품성, 기계적 성능, 사이즈 안정성 및 전기적 성능 등의 종합적 성능에 대해 더욱 높은 요구가 제기되고 있다.
유전 성능을 말하면, 고주파 회로에서 신호 전송 속도와 절연재료의 유전상수 Dk의 관계는 절연재료의 유전상수 Dk가 낮을 수록 신호 전송 속도가 더 빠르다. 따라서 신호 전송 속도의 고속화를 구현하고자 하면 유전상수가 낮은 기판을 개발해야 한다. 신호 주파수의 고주파화에 따라, 기판에서의 신호 손실은 더 이상 무시할 수 없다. 신호 손실과 주파수, 유전상수 Dk, 유전손실율 Df의 관계는, 기판의 유전상수 Dk가 낮고, 유전손실율 Df가 낮을수록, 신호 손실이 더 작다. 따라서 낮은 유전상수 Dk 및 낮은 유전손실율 Df를 가지고, 내열 성능이 양호한 고주파 회로기판을 개발하는 것은 CCL 제조업체의 공통으로 주목하고 있는 연구 개발 방향이다.
폴리페닐에테르 수지의 분자 구조는 대량의 벤젠 고리 구조를 함유하고, 강한 극성기를 구비하지 않아 폴리페닐에테르 수지에 우수한 성능을 부여한다. 예를 들어 유리전이온도가 높고, 사이즈 안정성이 좋고, 선형 팽창계수가 작고, 흡수율이 낮으며, 특히는 뛰어난 낮은 유전상수, 낮은 유전손실을 가진다. 그러나 폴리페닐에테르를 열가소성 수지로 이용하면, 수지의 용융점이 높고, 가공 성능이 떨어지고, 내용매 성능이 약한 등의 단점을 가진다. 폴리페닐에테르의 뛰어난 물리적 성능, 내열 성능, 화학 성능 및 전기적 성능 등은 세계 각 대기업 등을 흡인하여 폴리페닐에테르를 변성시키도록 하였으며 일정한 성과를 거두었다. 예를 들어 폴리페닐에테르 분자의 사슬단 또는 측쇄에 활성기를 도입하여 열경화성 수지를 형성하였다. 상기 수지는 열경화 후 우수한 내열성과 유전성 등의 종합적 성능을 가지며, 고주파 회로기판 제조의 이상적인 재료가 되었다.
분자의 사슬 말단 또는 측쇄에 활성기를 구비하여 경화 가능한 변성 폴리페닐에테르 수지는 고주파 회로기판에서 일반적으로 가교제와 함께 수지 조성물을 구성하는 형태로 이용된다. 가교제는 변성 폴리페닐에테르와 반응 가능한 활성기를 구비한다. 문헌 연구에 따르면, C=C 이중결합을 구비한 변성 폴리페닐에테르에 대해 통상 사용되는 가교제로는 폴리부타디엔, 부타디엔-스티렌 공중합체 등이 있다.
CN 101370866A에 따르면, 폴리페닐에테르, 부타디엔 및 비스말레이미드 수지 조성물을 이용하여 고주파 회로기판을 제조한다. 비록 판재의 유전 성능 등의 종합적 성능이 우수하나, 부타디엔은 판재의 내열 성능을 저하시킨다.
CN 102161823에 따르면, 변성 폴리페닐에테르, 극성기를 구비한 변성된 폴리부타디엔 또는 극성기를 구비한 변성된 부타디엔-스티렌 공중합체 수지 조성물을 이용하여 고주파 회로기판을 제조한다. 비록 판재의 종합적 성능이 우수하나, 폴리부타디엔 또는 부타디엔-스티렌 공중합체는 판재의 내열 성능 및 층간 접착력을 저하시킨다. 또한, 분사 사슬에 극성기를 구비하면 기판은 흡수율이 증가하고 유전 성능이 열화되는 문제점이 존재한다.
종래 기술에 존재하는 문제점에 대해, 본 발명의 하나의 목적은 수지 조성물을 제공하는 것이다. 상기 열경화성 수지 조성물은 낮은 유전상수 Dk 및 낮은 유전손실율 Df를 가지고, 내열 성능, 흡습 성능이 우수한 등 원인으로 인해, 유전 성능, 내열 성능 및 층간 접착력 등의 성능에 대한 고주파 회로기판의 요구에 부합하며, 고주파 회로기판의 제조에 이용될 수 있다.
상기 목적을 이루기 위해 본 발명은 아래와 같은 기술적 수단을 채택한다.
수지 조성물에 있어서, 변성 폴리페닐에테르 수지와, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물을 포함한다.
상기 변성 폴리페닐에테르 수지는 실온 상태에서 분말 형태의 고체 열경화성 수지이며, 그 양단에는 활성 불포화 이중결합을 구비하며, 경화 개시제의 존재하에 라디칼 중합 경화를 진행하여 내열성, 사이즈 안정성, 저흡수율 및 유전 성능 등의 종합적 성능이 매우 우수한 열경화성 수지를 얻을 수 있다.
불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물을 변성 폴리페닐에테르의 가교제로 이용하면, 수지 조성물은 경화 후 가교 밀도가 커서 고주파 회로기판의 높은 유리전이온도를 제공할 수 있다. 또한, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물은 극성기를 포함하지 않으므로 고주파 회로기판의 낮은 흡수율과 우수한 유전 성능을 확보할 수 있다. 유기 실리콘 화합물의 내열성이 좋으므로 고주파 회로기판의 우수한 내열 성능을 제공할 수 있으며, 또한 제조되는 고주파 회로기판의 층간 접착력이 높아 기판의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
변성 폴리페닐에테르 수지는 우수한 낮은 유전상수 및 낮은 유전손실탄젠트 등의 성능을 가지므로, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물을 변성 폴리페닐에테르 수지의 가교제로 이용하면, 제조되는 고주파 회로기판의 유전 성능, 흡수성, PCT 성능 등의 종합적 성능이 양호하며, 폴리부타디엔, 부타디엔-스티렌 공중합체를 가교제로 이용하는 것에 비해 기판은 더 높은 내열성을 가지고 또한 기판은 더 높은 층간 접착력을 가진다.
바람직하게는, 상기 변성 폴리페닐에테르 수지는 아래의 구조를 가진다.
Figure 112015061471863-pct00001
여기서, 0≤x≤100, 0≤y≤100, 2≤x+y≤100, x와 y는 동시에 0이 아니다. 예시적으로 15<x+y<30, 25<x+y<40, 30<x+y<55, 60<x+y<85, 80<x+y<98 등이다.
M은
Figure 112015061471863-pct00002
또는 ,
Figure 112015061471863-pct00003
로부터 선택되며,
N은 -O-, -S-, -CO-, SO, -SC-, -SO2- 또는 -C(CH3)2-로부터 선택되는 임의의 1종이다.
R3, R5, R8, R10, R13, R15, R18 과 R20은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8 직쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C8 측쇄 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기로부터 선택되는 임의의 1종이다.
R4, R6, R7, R9, R14, R16, R17 과 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C8 직쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C8 측쇄 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기로부터 선택되는 임의의 1종이다.
R1, R2, R11, R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8 직쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C8 측쇄 알킬기로부터 선택되는 임의의 1종이다.
바람직하게는, 상기 변성 폴리페닐에테르 수지의 수평균분자량은 500-10000 g/mol, 바람직하게는 800~8000 g/mol, 더 바람직하게는 1000~7000 g/mol이다.
상기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물은 아래와 같은 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물 구조로부터 선택되는 임의의 1종이다.
Figure 112015061471863-pct00004
R21, R22 와 R23은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8 직쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C8 측쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C10의 C=C 함유기로부터 선택되며, 또한 R21, R22와 R23중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2-C10의 C=C 함유기이며, 0≤m≤100이다.
또는 ,
Figure 112015061471863-pct00005
R24는 치환 또는 비치환된 C1-C12 직쇄 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C12 측쇄 알킬기로부터 선택되며, 2≤n≤10이고 n은 자연수이다. 상기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물은 고리형 구조이며, 그중 고리형 구조는 Si와 O가 직접적으로 연결되고, Si와 O의 중간에 다른 기가 없는 것을 의미한다.
예시적으로 불포화 이중결합을 함유한 이중결합 유기 실리콘 화합물은 WD-V4(무한대학실리콘신소재유한회사, WD Silicone)와 같다.
상기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물은 그 불포화 이중결합의 함량이 높아, 경화 후 고밀도 가교 공간의 3차원 네트워크 구조를 형성할 수 있으며, 높은 유리전이온도를 가진다. 또한 극성기를 포함하지 않으므로 우수한 유전 성능을 가진다. 상기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 전체 분자 구조는 Si-O결합으로 구성된 고리형 구조를 포함하며, 내열성이 좋아, 수지 혼합 체계 경화물의 내열성을 향상시킬 수 있다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 수지 조성물은 라디칼 개시제를 더 포함한다. 상기 라디칼 개시제는 수지 체계에 대한 중합 가교를 개시하여 경화시키는 작용을 한다. 가열 조건에서 라디칼 개시제는 분해되어 라디칼을 발생시키며, 수지 체계속 활성기 사이의 반응과 가교를 개시하여, 공간 3차원 구조의 가교 네트워크상 구조를 형성한다.
바람직하게는, 상기 라디칼 개시제는 유기 과산화물 개시제로부터 선택되며, 더 바람직하게는 디-t-부틸 퍼옥사이드, 디라우로일 퍼옥사이드, 디벤조일 퍼옥사이드, 큐밀 퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸 퍼옥시네오데카노에이트, t-아밀 퍼옥시피바레이트, t-부틸 퍼옥시피바레이트, t-부틸 퍼옥시이소부티레이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸 퍼옥시아세테이트, t-부틸 퍼옥시벤조에이트, 1,1-디(t-부틸퍼옥시)-3,5,5-트리메틸사이클로헥산, 1,1-디(t-부틸퍼옥시)사이클로헥산, 2,2-디(t-부틸퍼옥시)부탄, 비스(4-t-부틸사이클로헥실) 퍼옥시디카보네이트, 헥사데실 퍼옥시디카보네이트, 테트라데실 퍼옥시디카보네이트, 디(t-아밀) 퍼옥사이드, 디큐밀 퍼옥사이드, 디(t-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신, 디이소프로필벤젠 하이드로퍼옥사이드, 이소프로필벤젠 하이드로퍼옥사이드, t-아밀 하이드로퍼옥사이드, t-부틸 하이드로퍼옥사이드, t-부틸 큐밀퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠 하이드로퍼옥사이드, 퍼옥시카보네이트-t-부틸-2-에틸헥사노에이트, t-부틸 퍼옥시-2-에틸헥실카보네이트, 부틸 4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트, 메틸에틸케톤 퍼옥사이드, 퍼옥시사이클로헥산으로부터 선택된 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 수지 조성물은 난연제를 더 포함한다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 난연제는 할로겐계 난연제, 인계 난연제 또는 질소계 난연제로부터 선택되는 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이며, 바람직하게는 브롬계 난연제, 인계 난연제 또는 질소계 난연제중 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이다.
바람직하게는, 상기 브롬계 난연제는 데카브로모디페닐 옥사이드, 데카브로모디페닐에탄, 에틸렌비스테트라브로모프탈이미드로부터 선택되는 임의의 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이다. 상기 혼합물은 예를 들어 데카브로모디페닐에탄과 헥사브로모벤젠의 혼합물, 데카브로모디페닐 옥사이드와 에틸렌비스테트라브로모프탈이미드의 혼합물, 데카브로모디페닐에탄, 헥사브로모벤젠과 데카브로모디페닐 옥사이드의 혼합물, 에틸렌비스테트라브로모프탈이미드, 데카브로모디페닐에탄, 헥사브로모벤젠과 데카브로모디페닐 옥사이드의 혼합물이다.
바람직하게는, 상기 인계 난연제는 트리(2,6-디메틸페닐)포스핀, 10-(2,5-디히드록시페닐)-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 2,6-디(2,6-디메틸페닐)포스피노벤젠, 10-페닐-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드로부터 선택되는 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이다. 상기 혼합물은 예를 들어 10-페닐-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드와 2,6-디(2,6-디메틸페닐)포스피노벤젠의 혼합물, 10-(2,5-디히드록시페닐)-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드와 트리(2,6-디메틸페닐)포스핀의 혼합물, 10-페닐-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 2,6-디(2,6-디메틸페닐)포스피노벤젠과 10-(2,5-디히드록시페닐)-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드의 혼합물, 트리(2,6-디메틸페닐)포스핀, 10-페닐-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드와 2,6-디(2,6-디메틸페닐)포스피노벤젠의 혼합물이다.
바람직하게는, 상기 질소계 난연제는 멜라민, 멜라민 포스페이트, 포스포구아니딘, 탄산구아니딘 또는 구아니딘설파메이트으로부터 선택되는 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이며, 상기 혼합물은 예를 들어 구아니딘설파메이트과 탄산구아니딘의 혼합물, 포스포구아니딘과 멜라민 포스페이트의 혼합물, 멜라민과 구아니딘설파메이트의 혼합물, 탄산구아니딘, 포스포구아니딘과 멜라민의 혼합물, 멜라민 포스페이트, 구아니딘설파메이트, 멜라민과 포스포구아니딘의 혼합물이며, 바람직하게는 멜라민 또는/및 멜라민 포스페이트이다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 수지 조성물은 분말형 필러를 더 포함한다. 바람직하게는, 상기 분말형 필러는 결정형 실리카, 비정질 실리카, 구형 실리카, 용융 실리카, 이산화티탄, 탄화규소, 유리섬유, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 티탄산바륨 또는 티탄산스트론튬으로부터 선택되는 임의의 1종 또는 적어도 2종의 혼합물이다. 상기 혼합물은 예를 들어 결정형 실리카와 비정질 실리카의 혼합물, 구형 실리카와 이산화티탄의 혼합물, 탄화규소와 유리섬유의 혼합물, 알루미나와 질화알루미늄의 혼합물, 질화붕소와 티탄산바륨의 혼합물, 티탄산스트론튬과 탄화규소의 혼합물, 구형 실리카, 결정형 실리카와 비정질 실리카의 혼합물이다. 본 발명에 따른 수지 조성물에서 분말형 필러는 사이즈 안정성을 향상시키고, 열팽창계수를 낮추며, 체계의 비용을 낮추는 등의 작용을 한다. 본 발명은 상기 분말형 필러의 형상과 입경을 한정하지 않으며, 통상 사용되는 입경은 0.2~10㎛이며, 예를 들어 0.5㎛, 1㎛, 2㎛, 3㎛, 5㎛, 8㎛, 9㎛이며, 예를 들어 입경이 0.2~10㎛인 구형 실리카를 선택할 수 있다.
상기 수지 조성물은 아래 사항을 포함한다.
변성 폴리페닐에테르 수지의 중량 100중량부 기준으로, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 중량은 10~90중량부이며, 예를 들어 15중량부, 20중량부, 30중량부, 40중량부, 50중량부, 60중량부, 70중량부, 80중량부이다.
변성 폴리페닐에테르 수지와, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물 중량의 합 100중량부 기준으로, 상기 라디칼 개시제의 중량은 1~3중량부이고, 난연제의 중량은 0~40중량부이다.
상기 라디칼 개시제의 중량은 예를 들어 1.2중량부, 1.4중량부, 1.6중량부, 1.8중량부, 2.0중량부, 2.2중량부, 2.4중량부, 2.6중량부, 2.8중량부, 2.9중량부이다. 본 발명에 따른 라디칼 개시제의 함량을 선택하면, 경화시에 적절한 반응 속도를 얻을 수 있고, 프리프레그 또는 고주파 회로기판 제조시 경화 반응에서 양호한 경화성을 얻을 수 있다.
상기 난연제의 중량부는 예를 들어 1중량부, 3중량부, 7중량부, 11중량부, 15중량부, 19중량부, 23중량부, 27중량부, 31중량부, 35중량부, 38중량부, 39중량부이다. 상기 난연제의 중량이 0중량부라는 것은 상기 수지 조성물에 난연제가 포함되지 않음을 의미한다. 난연제의 함량이 너무 많으면 내열성과 층간 접착력이 저하된다.
변성 폴리페닐에테르 수지, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물과 난연제의 중량의 합 100중량부 기준으로, 상기 분말형 필러의 중량은 0~150중량부이다.
상기 분말형 필러의 중량은 예를 들어 5중량부, 15중량부, 25중량부, 35중량부, 45중량부, 55중량부, 75중량부, 90중량부, 100중량부, 110중량부, 120중량부, 130중량부, 140중량부, 145중량부이다. 상기 분말형 필러의 중량이 0중량부라는 것은 상기 수지 조성물에 분말형 필러가 포함되지 않음을 의미한다.
본 발명에서 "포함"은 상기 성분 외에도, 상기 수지 조성물에 서로 다른 특성을 부여하는 다른 성분이 포함될 수 있음을 의미한다. 또한, 본 발명에 따른 "포함"은 ，폐쇄형인 "은" 또는 "……으로 구성"으로 대체할 수도 있다.
예를 들어, 본 발명에 따른 수지 조성물은 배합되는 열경화성 수지를 더 첨가할 수 있으며, 구체적인 예로서, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 페놀 수지, 폴리우레탄 수지, 멜라민 수지 등을 들 수 있으며, 이들 열경화성 수지의 경화제 또는 경화제 촉진제를 첨가할 수도 있다.
그리고, 상기 수지 조성물은 각종 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 구체적인 예로서, 실란 커플링제, 티탄산염 커플링제, 항산화제, 열안정제, 정전기 방지제, 자외선 흡수제, 안료, 착색제 및 윤활제 등을 들 수 있다. 이들 열경화성 수지 및 각종 첨가제는 단독으로 사용할 수 있으며, 2종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
본 발명에 따른 수지 조성물중 하나의 제조 방법으로서, 상기 변성 폴리페닐에테르 수지, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물, 라디칼 개시제, 난연제, 분말형 필러 및 각종 열경화성 수지, 각종 첨가제를 공지 방법으로 배합, 교반 및 혼합하여 제조할 수 있다.
본 발명의 두번째 목적은 상기와 같은 수지 조성물을 용매에 용해 또는 분산시켜 얻어지는 수지 접착액(resin solution)을 제공하는 것이다.
본 발명에서의 용매는 특별히 한정하지 않으나, 구체적인 예로서, 메탄올, 에탄올, 부탄올 등의 알코올계, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸렌글리콜메틸에테르, 카비톨, 부틸카비톨 등의 에테르계, 아세톤, 부타논, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥사논 등의 케톤계, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계, 에톡시에틸아세트산염, 에틸아세테이트 등의 에스테르계, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 질소함유계 용매를 들 수 있다. 상기 용매는 그중 1종을 단독으로 사용할 수 잇으며, 2종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 바람직하게는 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매와, 아세톤, 부타논, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥사논 등의 케톤계 용매를 혼합하여 사용한다. 상기 용매의 사용량은 본 분야의 기술자가 자신의 경험에 따라 선택할 수 있으며, 얻어지는 수지 접착액이 사용되는 점도에 도달하면 된다.
상기와 같은 수지 조성물을 용매에 용해 또는 분산시키는 과정에 유화제를 첨가할 수 있다. 유화제를 이용하여 분산시키면 분말형 필러 등이 접착액에서 균일하게 분산하도록 할 수 있다.
본 발명의 세번째 목적은 유리섬유포를 상기와 같은 수지 접착액에 침지시킨 후 건조시켜 얻어지는 프리프레그를 제공하는 것이다.
본 발명에서, 유리섬유포는 보강재이며, 복합재료에서 강도 향상, 사이즈 안정성 향상 및 열경화성 수지의 경화 수축 감소 등의 작용을 한다. 판재 두께 등에 대한 요구가 다름에 따라, 서로 다른 유형의 유리섬유포를 선택하여 사용할 수 있다. 예시적인 유리섬유포는 예를 들어 7628 유리섬유포, 2116 유리섬유포이다.
변성 폴리페닐에테르 수지, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물, 난연제와 분말형 필러의 전체 중량 100중량부 기준으로, 유리섬유포의 중량은 50~230중량부이며, 예를 들어 70중량부, 90중량부, 110중량부, 150중량부, 180중량부, 200중량부, 210중량부, 220중량부이다.
상기 건조 온도는 80~220℃이며, 예를 들어 90℃, 110℃, 150℃, 170℃, 190℃, 200℃이다. 상기 건조 시간은 1~30min이며, 예를 들어 5min, 8min, 13min, 17min, 21min, 24min, 28min이다.
본 발명의 네번째 목적은 상기와 같은 프리프레그를 적어도 하나를 포함하는 동박 적층판을 제공하는 것이다. 동박 적층판의 제조는 기존 기술이다.
본 발명의 다섯번째 목적은 상기와 같은 프리프레그를 적어도 하나를 포함하는 절연판을 제공하는 것이다.
본 발명의 여섯번째 목적은 상기 수지 접착액으로부터 제조되는 커버필름(covering film)을 제공하는 것이다.
본 발명의 일곱번째 목적은 상기와 같은 프리프레그를 적어도 하나를 포함하는 고주파 회로기판을 제공하는 것이다.
상기 고주파 회로기판의 제조 방법은 기존 기술이며, 본 분야의 기술자는 종래 기술에서 공개된 고주파 회로기판의 제조 방법을 참고하여 제조할 수 있다. 예시적인 고주파 회로기판의 제조 방법으로는, 상기와 같은 프리프레그를 적어도 하나를 중첩시키고, 중첩된 프리프레그의 상, 하 양측에 동박을 배치하고 라미네이션 성형을 진행하여 제조한다.
상기 중첩은 자동 적층 작업을 이용하여 공정 작업이 더 간편해지도록 하는 것이 바람직하다.
상기 라미네이션 성형은 진공 라미네이션 성형이 바람직하며, 진공 라미네이션 성형은 진공 라미네이터를 이용하여 구현할 수 있다. 상기 라미네이션 시간은 70~120min이며, 예를 들어 75min, 80min, 85min, 90min, 95min, 100min, 105min, 110min, 115min이다. 상기 라미네이션 온도는 180~220℃이며, 예를 들어 185℃, 190℃, 195℃, 200℃, 205℃, 210℃, 215℃이다. 상기 라미네이션 압력은 40~60kg/cm2이며, 예를 들어 45kg/cm2, 50kg/cm2, 55kg/cm2, 58kg/cm2이다.
상기 동박은 고박리성의 역처리된 동박, 저 프로파일의 동박, 초저 프로파일의 동박이 바람직하다.
실제 적용에서는 사용되는 프리프레그의 수, 유리섬유포의 종류, 유리섬유포와 수지 조성물의 중량부 비율은 실제 적용되는 고주파 회로기판의 두께 등에 대한 요구에 따라 결정해야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 프리프레그를 포함한 고주파 회로기판의 개략도이다. 프리프레그의 수는 9매이며, 동박은 고박리성의 역처리된 동박, 저 프로파일의 동박, 초저 프로파일의 동박이 바람직하다.
본 발명에 따른 프리프레그를 포함한 고주파 회로기판은 우수한 유전 성능, 내열 성능, 낮은 흡수율과 높은 층간 접착력을 가진다.
본 발명의 대표적이지만 비한정적인 고주파 회로기판의 제조 방법은 아래와 같다.
(1) 상기 수지 조성물의 배합 방법에 따라 각 성분을 취한다. 변성 폴리페닐에테르 수지의 중량 100중량부 기준으로, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 중량을 10~90중량부로 하고, 변성 폴리페닐에테르 수지와 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 중량의 합 100중량부 기준으로, 상기 라디칼 개시제의 중량을 1~3중량부로 하고, 난연제의 중량을 0~40중량부로 하며, 변성 폴리페닐에테르 수지, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물과 난연제의 중량의 합 100중량부 기준으로, 상기 분말형 필러의 중량을 0~150중량부로 한다.
(2) 변성 폴리페닐에테르 수지, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물, 라디칼 개시제, 분말형 필러와 난연제를 혼합하고, 적절한 용매를 넣고 교반하여 균일하게 분산시킴으로써, 분말형 필러와 난연제가 수지 접착액에 균일하게 분산되도록 한다. 제조된 접착액을 이용하여 유리섬유포를 침윤시키고 건조시켜 용매를 제거하여 프리프레그를 얻는다.
(3) 적어도 하나의 프리프레그를 중첩시키고, 프리프레그의 양측에 동박을 배치한 후, 진공 라미네이터에서 라미네이션을 거쳐 경화시켜 고주파 회로기판을 얻는다.
본 발명에 따른 "고주파"는 주파수가 1MHz보다 큰 것을 가리킨다.
종래 기술에 비해 본 발명은 아래와 같은 유익한 효과를 가진다.
(1) 다관능 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물을 변성 폴리페닐에테르 수지의 가교제로 이용하므로, 수지 조성물은 경화 후 가교 밀도가 커서 고주파 회로기판의 높은 유리전이온도를 제공할 수 있다.
(2) 다관능 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물은 극성기를 포함하지 않으므로 고주파 회로기판의 낮은 흡수율 및 우수한 유전 성능을 확보할 수 있다.
(3) 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 내열성이 좋아 고주파 회로기판의 우수한 내열 성능을 제공할 수 있다.
(4) 다관능 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물을 변성 폴리페닐에테르 수지의 가교제로 이용하므로, 제조된 고주파 회로기판의 층간 접착력이 강해 기판의 신뢰성을 제공한다.
따라서, 변성 폴리페닐에테르 수지와 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 수지 화합물을 이용하여 제조된 고주파 회로기판은 유리전이온도가 높고, 내열성이 좋고, 흡수율이 낮고, 층간 접착력이 강하며, 유전 성능이 우수하여, 고주파 전자 장치를 제조하기 위한 회로기판에 매우 적합하다.
이하, 도면을 결합하여 구체적인 실시형태를 통해 본 발명의 기술적 수단을 더 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 고주파 회로기판의 개략도이다.
본 발명을 더욱 잘 설명하고 본 발명의 기술적 수단을 쉽게 이해하기 위해, 본 발명의 대표적이지만 비한정적인 실시예를 아래와 같이 기재한다.
표 1은 실시예 1-3에서 사용된 원료이다.
표 1 실시예 1-3에서 사용된 원료
Figure 112015061471863-pct00006
실시예 1
90중량부의 변성 폴리페닐에테르 수지 분말 MX9000, 10중량부의 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물 WD-V4, 1.0중량부의 라디칼 개시제 디큐밀퍼옥사이드(DCP)을 톨루엔 용매에 용해시키고 적절한 점도가 되도록 조절하였다. 2116유리섬유포를 수지 접착액에 침지시키고, 클램프축을 통과시켜 적절한 개당 무게(piece weight)가 되도록 제어하고 오븐에서 건조시켜 톨루엔 용매를 제거하여 2116 프리프레그를 얻었다. 4매의 2116 프리프레그를 중첩시키고, 상하 양면에 1OZ 두께의 동박을 배치하고 프레서에서 90min 동안 진공 라미네이션 및 경화시키되, 경화 압력은 50kg/cm2, 경화 온도는 200℃로 하여 고주파 회로기판을 제조했다. 물리적 성능은 표 2와 같다.
실시예 2
80중량부의 변성 폴리페닐에테르 수지 분말 MX9000, 20중량부의 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물 WD-V4, 3.0중량부의 라디칼 개시제 DCP, 60중량부의 용융 실리카 525, 30중량부의 난연제 BT-93W를 혼합하고 톨루엔 용매에 용해시키고, 적절한 점도가 되도록 조절했다. 유화제를 이용하여 유화시켜 분말형 필러와 난연제가 혼합액에 균일하게 분산되도록 하여 수지 접착액을 제조했다. 2116 유리섬유포를 수지 접착액에 침윤시키고, 클램프축을 통과시켜 적절한 개당 무게가 되도록 제어했다. 오븐에서 건조시켜 톨루엔 용매를 제거하여 2116프리프레그를 제조했다. 4매의 2116 프리프레그를 중첩시키고 상하 양면에 1OZ 두께의 동박을 배치하고, 프레서에서 90min 동안 진공 라미네이션 및 경화시키되, 경화 압력은 50kg/cm2, 경화 온도는 200℃로 하여 고주파 회로기판을 제조했다. 물리적 성능은 표 2와 같다.
실시예 3
60중량부의 변성 폴리페닐에테르 수지 분말 MX9000, 40중량부의 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물 WD-V4, 1.0중량부의 라디칼 개시제 디큐밀퍼옥사이드(DCP) , 2.0중량부의 라디칼 개시제 벤조퍼옥사이드(BPO) , 170중량부의 구형 실리카 SJS-0020, 15중량부의 난연제 Exolit OP935를 혼합하여 톨루엔 용매에 용해시키고 적절한 점도가 되도록 조절했다. 유화제를 이용하여 유화시켜 분말형 필러와 난연제가 혼합액에 균일하게 분산되도록 하여 수지 접착액을 제조했다. 2116 유리섬유포를 수지 접착액에 침윤시키고, 클램프축을 통과시켜 적절한 개당 무게가 되도록 제어했다. 오븐에서 건조시켜 톨루엔 용매를 제거하여 2116 프리프레그를 제조했다. 4매의 2116 프리프레그를 중첩시키고 상하 양면에 1OZ 두께의 동박을 배치하고, 프레서에서 90min 동안 진공 라미네이션 및 경화시키되, 경화 압력은 50kg/cm2, 경화 온도는 200℃로 하여 고주파 회로기판을 제조했다. 물리적 성능은 표 2와 같다.
비교예 1
실시예 2의 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물 WD-V4 대신 부타디엔-스티렌 공중합체 Ricon 100을 이용하였으며, 나머지는 실시예 2와 같았다.
비교예 2
실시예 3의 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물 WD-V4 대신 말레산무수물 변성 폴리부타디엔 Ricon 131MA20을 이용하였으며, 나머지는 실시예 3과 같았다.
표 2는 실시예 1-3과 비교예 1-2의 조성 및 성능 테스트 결과를 나타낸 것이다.
표 2
Figure 112015061471863-pct00007
표 2의 데이터로부터 알 수 있듯이, 부타디엔-스티렌 공중합체에 비해, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물을 가교제로 하여 얻은 고주파 회로기판은 더 높은 유리전이온도, 더 높은 열분해온도, 더 높은 층간 접착력을 가지며, 유전 성능은 부타디엔-스티렌 공중합체와 상당하다. 따라서 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물은 우수한 종합적 성능을 가진 가교제이며, 고주파 회로기판의 제조에 적용될 수 있다.
실시예 4
70중량부의 변성 폴리페닐에테르 수지, 30중량부의 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물, 2중량부의 라디칼 개시제 부틸 4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레레이트, 98중량부의 탄화규소, 40중량부의 난연제로서의 트리(2,6-디메틸페닐)포스핀을 톨루엔과 부타논의 혼합 용매에 용해시키고 적절한 점도가 되도록 조절하여 수지 접착액을 제조했다. 119중량부의 7628 유리섬유포를 수지 접착액에 침윤시키고, 클램프축을 통과시켜 적절한 개당 무게가 되도록 제어했다. 오븐에서 건조시켜 용매를 제거하여 7628 프리프레그를 제조했다. 4매의 7628 프리프레그를 중첩시키고 상하 양면에 1OZ두께의 동박을 배치하고, 프레서에서 90min 동안 진공 라미네이션 및 경화시키되, 경화 압력은 50kg/cm2, 경화 온도는 200℃로 하여 고주파 회로기판을 제조했다.
상기 변성 폴리페닐에테르의 구조식은 아래와 같다.
Figure 112015061471863-pct00008
여기서, 0≤x≤100, 0≤y≤100, 2≤x+y≤100, x와 y는 동시에 0이 아니다.
이번에 사용된 변성 폴리페닐에테르의 분자량은 10000g/mol이었다.
상기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 구조식은 아래와 같다.
Figure 112015061471863-pct00009
실시예 5
60중량부의 변성 폴리페닐에테르 수지, 40중량부의 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물, 1.5중량부의 라디칼 개시제 디벤조일 퍼옥사이드, 125중량부의 질화알루미늄, 25중량부의 데카브로모디페닐 옥사이드를 혼합하여 톨루엔 용매에 용해시키고 적절한 점도가 되도록 조절했다. 유화제를 이용하여 유화시켜 분말형 필러와 난연제가 혼합액에 균일하게 분산되도록 하여 수지 접착액을 제조했다. 575중량부의 2116 유리섬유포를 수지 접착액에 침윤시키고, 클램프축을 통과시켜 적절한 개당 무게가 되도록 제어했다. 오븐에서 건조시켜 톨루엔 용매를 제거하여 2116 프리프레그를 제조했다. 4매의 2116 프리프레그를 중첩시키고 상하 양면에 1OZ 두께의 동박을 배치하고, 프레서에서 90min 동안 진공 라미네이션 및 경화시키되, 경화 압력은 50kg/cm2, 경화 온도는 200℃로 하여 고주파 회로기판을 제조했다.
상기 변성 폴리페닐에테르의 구조식은 아래와 같다.
Figure 112015061471863-pct00010
여기서, 0≤x≤100, 0≤y≤100, 2≤x+y≤100, x와 y는 동시에 0이 아니다.
이번에 사용된 변성 폴리페닐에테르 수지의 분자량은 8000g/mol이었다.
상기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 구조식은 아래와 같다.
Figure 112015061471863-pct00011
실시예 6
50중량부의 변성 폴리페닐에테르 수지, 50중량부의 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물, 1중량부의 라디칼 개시제 디벤조일 퍼옥사이드, 100중량부의 알루미나, 30중량부의 데카브로모디페닐 옥사이드를 혼합하여 톨루엔 용매에 용해시키고 적절한 점도가 되도록 조절했다. 유화제를 이용하여 유화시켜 분말형 필러와 난연제가 혼합액에 균일하게 분산되도록 하여 수지 접착액을 제조했다. 230중량부의 2116 유리섬유포를 수지 접착액에 침윤시키고, 클램프축을 통과시켜 적절한 개당 무게가 되도록 제어했다. 오븐에서 시트를 베이킹하여 톨루엔 용매를 제거하여 2116 프리프레그를 제조했다. 4매의 2116 프리프레그를 중첩시키고 상하 양면에 1OZ 두께의 동박을 배치하고, 프레서에서 120min 동안 진공 라미네이션 및 경화시키되, 경화 압력은 40kg/cm2, 경화 온도는 180℃로 하여 고주파 회로기판을 제조했다.
상기 변성 폴리페닐에테르 수지의 구조식은 아래와 같다.
Figure 112015061471863-pct00012
여기서, 0≤x≤100, 0≤y≤100, 2≤x+y≤100, x와 y는 동시에 0이 아니다.
이번에 사용된 변성 폴리페닐에테르 수지의 분자량은 2000g/mol이었다.
상기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 구조식은 아래와 같다.
Figure 112015061471863-pct00013
실시예 7
60중량부의 변성 폴리페닐에테르 수지, 40중량부의 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물, 1.5중량부의 라디칼 개시제 디벤조일 퍼옥사이드, 125중량부의 질화붕소, 25중량부의 데카브로모디페닐 옥사이드를 혼합하여 톨루엔 용매에 용해시키고 적절한 점도가 되도록 조절했다. 유화제를 이용하여 유화시켜 분말형 필러와 유화제가 혼합액에 균일하게 분산되도록 하여 수지 접착액을 제조했다. 450중량부의 2116 유리섬유포를 수지에 침윤시키고, 클램프축을 통과시켜 적절한 개당 무게가 되도록 제어했다. 오븐에서 시트를 베이킹하여 톨루엔 용매를 제거하여 2116 프리프레그를 제조했다. 4매의 2116 프리프레그를 중첩시키고 상하 양면에 1OZ 두께의 동박을 배치하고, 프레서에서 70min 동안 진공 라미네이션 및 경화시키되, 경화 압력은 60kg/cm2, 경화 온도는 220℃로 하여 고주파 회로기판을 제조했다.
상기 변성 폴리페닐에테르 수지의 구조식은 아래와 같다.
Figure 112015061471863-pct00014
여기서, 0≤x≤100, 0≤y≤100, 2≤x+y≤100, x와 y는 동시에 0이 아니다.
이번에 사용된 변성 폴리페닐에테르의 분자량은 1000g/mol이었다.
상기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 구조식은 아래와 같다.
Figure 112015061471863-pct00015
표 3은 실시예 4-7에 따른 고주파 회로기판의 성능 테스트 결과이다.
표 3
Figure 112015061471863-pct00016
출원인은 아래 사항을 선언한다. 본 발명은 상기 실시예를 통해 본 발명의 상세한 방법을 설명하였으나, 본 발명은 상기 상세한 방법에 한정되지 않으며, 다시 말해 본 발명은 상기 상세한 방법에 의존해야만 실시할 수 있는 것을 의미하지 않는다. 해당 기술분야의 기술자는, 본 발명에 대한 어떠한 개량, 본 발명에 따른 제품의 각 원료의 등가 교체 및 보조 성분의 첨가, 구체적 방식의 선택 등은 모두 본 발명의 보호 범위와 공개 범위에 속함을 이해할 수 있다.
본 발명 명세서에 첨부된 도면의 도면 부호는 아래와 같다.
1 프리프레그
2 동박

Claims (21)

  1. 변성 폴리페닐에테르 수지와 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물을 포함하고,
    상기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물은 하기 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물 구조로부터 선택되는 임의의 1종인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
    Figure 112017000376996-pct00023

    (여기서 R21, R22 와 R23은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8 직쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C8 측쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 C2-C10의 C=C함유기로부터 선택되며, 또한 R21, R22와 R23중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2-C10의 C=C 함유기이며, 0≤m≤100이다.)
    또는,
    Figure 112017000376996-pct00024
    이며,
    (여기서 R24는 치환 또는 비치환된 C1-C12 직쇄 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C12측쇄 알킬기로부터 선택되며, 2≤n≤10이며, n은 자연수이다.)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 변성 폴리페닐에테르 수지는 하기 구조를 가지며,
    Figure 112017000376996-pct00025

    여기서 0≤x≤100, 0≤y≤100, 2≤x+y≤100이고, x와 y는 동시에 0이 아니며,
    M는
    Figure 112017000376996-pct00026
    또는,
    Figure 112017000376996-pct00027
    에서 선택되며,
    N은 -O-, -S-, -CO-, SO, -SC-, -SO2- 또는 -C(CH3)2-에서 선택되는 임의의 1종이며,
    R3, R5, R8, R10, R13, R15, R18 과 R20은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8 직쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C8 측쇄 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 페닐기로부터 선택되는 임의의 1종이며,
    R4, R6, R7, R9, R14, R16, R17 과 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C8 직쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C8 측쇄 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐기로부터 선택되는 임의의 1종이며,
    R1, R2, R11, R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8 직쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C8 측쇄 알킬기로부터 선택되는 임의의 1종인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 변성 폴리페닐에테르 수지의 수평균분자량은 500-10000g/mol인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 라디칼 개시제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 라디칼 개시제는 유기 과산화물 개시제로부터 선택된 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 난연제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 난연제는 할로겐계 난연제, 인계 난연제 또는 질소계 난연제로부터 선택되는 1종 또는 적어도 2종의 혼합물인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 할로겐계 난연제는 데카브로모디페닐 옥사이드, 데카브로모디페닐에탄, 에틸렌비스테트라브로모프탈이미드로부터 선택되는 임의의 1종 또는 적어도 2종의 혼합물인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 인계 난연제는 트리(2,6-디메틸페닐)포스핀, 10-(2,5-디히드록시페닐)-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 2,6-디(2,6-디메틸페닐)포스피노벤젠 또는 10-페닐-9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드로부터 선택되는 1종 또는 적어도 2종의 혼합물인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 질소계 난연제는 멜라민, 멜라민 포스페이트, 포스포구아니딘, 탄산구아니딘 또는 구아니딘설파메이트으로부터 선택되는 1종 또는 적어도 2종의 혼합물인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 분말형 필러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 분말형 필러는 결정형 실리카, 비정질 실리카, 구형 실리카, 용융 실리카, 이산화티탄, 탄화규소, 유리섬유, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 티탄산바륨 또는 티탄산스트론튬으로부터 선택되는 1종 또는 적어도 2종의 혼합물인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 수지 조성물은,
    변성 폴리페닐에테르 수지의 중량 100중량부 기준으로, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물의 중량은 10~90중량부이며,
    변성 폴리페닐에테르 수지와, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물 중량의 합 100중량부 기준으로, 라디칼 개시제의 중량은 1~3중량부, 난연제의 중량은 0 초과 내지 40중량부 이하이며,
    변성 폴리페닐에테르 수지, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물과 난연제 중량의 합 100중량부 기준으로, 분말형 필러의 중량은 0 초과 내지 150중량부 이하인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  15. 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 수지 조성물을 용매에 용해 또는 분산시켜 얻어지는 수지 접착액.
  16. 유리섬유포를 제15항에 따른 수지 접착액에 침윤시킨 후 건조시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 프리프레그.
  17. 제16항에 있어서,
    변성 폴리페닐에테르 수지, 불포화 이중결합을 함유한 유기 실리콘 화합물, 난연제와 분말형 필러의 전체 중량 100중량부 기준으로, 유리섬유포의 중량은 50~230중량부인 것을 특징으로 하는 프리프레그.
  18. 적어도 하나의 제16항에 따른 프리프레그를 포함하는 것을 특징으로 하는 동박 적층판.
  19. 적어도 하나의 제16항에 따른 프리프레그를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연판.
  20. 제15항에 따른 수지 접착액을 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 커버필름.
  21. 적어도 하나의 제16항에 따른 프리프레그를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 회로기판.
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