KR101753471B1

KR101753471B1 - 막 형성장치 및 막 형성방법

Info

Publication number: KR101753471B1
Application number: KR1020150107713A
Authority: KR
Inventors: 유지 오카모토
Original assignee: 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤
Priority date: 2014-10-10
Filing date: 2015-07-30
Publication date: 2017-07-03
Also published as: TWI575002B; TW201627361A; KR20160042756A; CN105499069B; JP2016078019A; JP6632300B2; CN105499069A

Abstract

막 형성 후의 기판 표면의 화상 해석을 행하지 않고, 새틀라이트를 제거하는 것이 가능한 막 형성장치를 제공하는 것이다.
스테이지에 유지된 기판에 대향하는 노즐헤드로부터, 기판을 향하여 막 재료를 액적화하여 토출한다. 이동기구가, 스테이지에 유지된 기판과 노즐헤드 중 일방을 타방에 대하여 이동시킨다. 기억장치가, 형성해야 할 막의 이미지 데이터 및 막 두께 보정 정보를 기억한다. 제어장치가, 이미지 데이터에 기초하여 노즐헤드 및 이동기구를 제어함으로써, 기판에 막을 형성한다. 입력장치를 통하여 제어장치에 데이터가 입력된다. 제어장치는, 입력장치로부터 막 두께 지령치가 입력되면, 막 두께 지령치를 막 두께 보정 정보에 기초하여 보정함으로써, 막 두께 지령치보다 두꺼운 막 두께 목표치를 산출하여, 막 두께 목표치의 두께의 막이 형성되도록 노즐헤드 및 이동기구를 제어한다.

Description

막 형성장치 및 막 형성방법{FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD}

본 출원은, 2014년 10월 10일에 출원된 일본 특허출원 제2014-208562호에 기초하여 우선권을 주장한다. 그 출원의 전체 내용은 이 명세서 중에 참고로 원용되어 있다.

본 발명은, 노즐헤드로부터 막 재료를 액적화하여 토출함으로써 기판에 막을 형성하는 막 형성장치, 및 막 형성방법에 관한 것이다.

솔더 레지스트의 액적을 노즐헤드로부터 토출하여, 프린트 기판에 솔더 레지스트막을 형성하는 방법이 공지되어 있다(특허문헌 1). 노즐헤드의 노즐구멍으로부터 토출한 액적으로부터 분리된 작은 액적이, 목표 지점으로부터 벗어난 위치에 착탄하는 경우가 있다. 솔더 레지스트막의 개구부의 내측에 소액적이 착탄하면, 개구부 내에 솔더 레지스트의 미소한 영역(이하, "새틀라이트"라고 함)이 형성되어 버린다.

새틀라이트에 레이저 빔을 조사하여, 새틀라이트를 제거하는 기술이 공지되어 있다(특허문헌 2). 이로써, 솔더 레지스트막 형성공정에 있어서의 수율의 저하를 억제할 수 있다.

일본 공개특허 평7-263845호 공보 일본 공개특허 2012-96286호 공보

새틀라이트를 레이저 조사에 의하여 제거하는 방법을 실행하기 위해서는, 솔더 레지스트막이 형성된 기판의 표면을 촬상하는 이미지 센서, 및 촬상된 화상에 기초하여 새틀라이트의 위치를 검출하는 화상 해석장치가 필요하다.

본 발명의 목적은, 막 형성 후의 기판 표면의 화상 해석을 행하지 않고, 새틀라이트를 제거하는 것이 가능한 막 형성장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은, 막 형성 후의 기판 표면의 화상 해석을 행하지 않고, 새틀라이트를 제거하는 것이 가능한 막 형성방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 관점에 의하면,

기판을 유지하는 스테이지와,

상기 스테이지에 유지된 상기 기판에 대향하여, 상기 기판을 향하여 막 재료를 액적화하여 토출하는 노즐헤드와,

상기 스테이지에 유지된 상기 기판과, 상기 노즐헤드 중 일방을 타방에 대하여 이동시키는 이동기구와,

형성해야 할 막의 이미지 데이터, 및 막 두께 보정 정보를 기억하는 기억장치와,

상기 이미지 데이터에 기초하여, 상기 노즐헤드 및 상기 이동기구를 제어함으로써, 상기 이미지 데이터로 정의된 패턴을 가지는 막을 상기 기판에 형성하는 제어장치와,

상기 제어장치에 데이터를 입력하기 위한 입력장치

를 가지고,

상기 제어장치는,

상기 입력장치로부터 막 두께 지령치가 입력되면, 상기 막 두께 지령치를, 상기 막 두께 보정 정보에 기초하여 보정함으로써, 상기 막 두께 지령치보다 두꺼운 막 두께 목표치를 산출하며,

상기 막 두께 목표치의 두께의 막이 형성되도록 상기 노즐헤드 및 상기 이동기구를 제어하는 막 형성장치가 제공된다.

본 발명의 다른 관점에 의하면,

노즐헤드로부터 기판을 향하여, 이미지 데이터에 기초하여, 막 재료의 액적을 토출시킴으로써, 상기 이미지 데이터로 정의된 패턴을 가지는 막을 형성하는 공정과,

상기 막이 형성된 상기 기판의 전역에 대하여 플라즈마 처리함으로써, 불필요한 영역에 부착된 상기 막 재료를 제거하는 공정

을 가지는 막 형성방법이 제공된다.

플라즈마 처리에 의하여, 불필요한 영역에 부착된 막 재료(새틀라이트)를 제거할 수 있다. 플라즈마 처리는, 기판의 전역에 대하여 행해지기 때문에, 새틀라이트의 위치를 특정하기 위한 화상 해석 등을 행할 필요가 없다.

도 1은 실시예에 의한 막 형성장치의 개략도이다.
도 2는 실시예에 의한 막 형성장치에 이용되고 있는 도포장치의 개략도, 및 제어장치의 블록도이다.
도 3은 실시예에 의한 막 형성방법의 플로차트이다.
도 4에 있어서, 도 4A~도 4B는 막 형성방법의 도중 단계 및 막 형성 후에 있어서의 기판 및 막의 단면도이다.
도 5에 있어서, 도 5A~도 5C는 다른 실시예에 의한 막 형성장치에 이용되는 복수의 장치의 배치를 나타내는 모식도이다.

도 1에, 실시예에 의한 막 형성장치의 개략도를 나타낸다. 실시예에 의한 막 형성장치는, 반입장치(20), 도포장치(30), 본경화장치(40), 반송장치(50), 및 제어장치(60)를 포함한다. 수평면을 xy면으로 하고, 연직 상방을 z축의 정의 방향으로 하는 xyz 직교좌표를 정의한다. 반입장치(20), 도포장치(30), 본경화장치(40)가, x축의 정의 방향을 향하여 이 순서로 배치되어 있다. 제어장치(60)가, 반입장치(20), 도포장치(30), 본경화장치(40), 및 반송장치(50)를 제어한다. 반송장치(50)는, 처리 대상의 기판(70)을, 반입장치(20)로부터 반출하여, 도포장치(30)에 반입한다. 또한, 도포장치(30)로부터 기판(70)을 반출하여, 본경화장치(40)에 반입한다.

반입장치(20)는, 반송롤러(21) 및 스토퍼(22)를 포함한다. 반송롤러(21)가, 처리 대상의 기판(70)을 스토퍼(22)에 접촉할 때까지 반송한다. 기판(70)이 스토퍼(22)에 접촉함으로써, 반송방향에 관하여 기판(70)의 대략적인 위치 결정이 행해진다.

반송장치(50)는, 가이드(51) 및 리프터(52)를 포함한다. 리프터(52)가 가이드(51)에 안내되어, x방향으로 이동한다. 반입장치(20)에서 대략적인 위치 결정이 행해진 기판(70)이, 리프터(52)로 유지되어, 도포장치(30)까지 반송된다. 도포장치(30)에서 막 재료가 도포된 기판(70)이, 리프터(52)로 유지되어, 본경화장치(40)까지 반송된다.

도포장치(30)는, 정반(定盤)(31), 이동기구(32), 및 스테이지(33)를 포함한다. 정반(31) 위에, 이동기구(32)를 통하여 스테이지(33)가 지지되어 있다. 이동기구(32)는, 제어장치(60)로부터 제어되어, 스테이지(33)를 x방향 및 y방향으로 이동시킴과 함께, z축에 평행한 직선을 회전 중심으로 하여 스테이지(33)의 회전방향의 자세를 변화시킨다.

스테이지(33)에 복수의 승강 핀(34)이 조립되어 있다. 승강 핀(34)은, 그 상단에 기판(70)을 유지하고, 스테이지(33)에 대하여 기판(70)을 승강시킨다. 기판(70)을 상승시킨 상태로, 기판(70)과 스테이지(33)의 사이에 공간이 형성된다. 이 공간에, 리프터(52)의 지지 암을 삽입함으로써, 리프터(52)가 스테이지(33)로부터 기판(70)을 수취할 수 있다. 반대로, 리프터(52)로부터 스테이지(33)로 기판(70)을 전달할 수 있다. 승강 핀(34)을 하강시킴으로써, 기판(70)을 스테이지(33)에 밀착시킬 수 있다. 스테이지(33)는, 예를 들면 진공 척에 의하여 기판(70)을 고정한다.

도포장치(30)는, 스테이지(33)에 유지된 기판(70)의 표면에 광 경화성 수지로 이루어지는 막 재료를 도포한다.

본경화장치(40)는, 반송롤러(41) 및 본경화용 광원(42)을 포함한다. 도포장치(30)에서 처리된 기판(70)이, 반송장치(50)에 의하여 본경화장치(40)에 반송되어, 반송롤러(41) 위에 실린다. 반송롤러(41)는, 기판(70)을 x축의 정의 방향으로 반송한다. 기판(70)의 반송 경로의 상방에, 본경화용 광원(42)이 배치되어 있다. 본경화용 광원(42)은, 반송롤러(41)에 의하여 반송되고 있는 기판(70)에, 막 재료를 경화시키는 파장 성분을 포함하는 빛을 조사한다.

도 2에, 도포장치(30)의 개략도, 및 제어장치(60)의 블록도를 나타낸다. 도포장치(30)는, 도 1에도 나타낸 바와 같이, 정반(31), 이동기구(32), 스테이지(33)를 포함한다. 또한, 도포장치(30)는, 노즐유닛(35) 및 막 재료 공급장치(38)를 포함한다.

이동기구(32)는, 제어장치(60)로부터 제어됨으로써, 스테이지(33)를 x방향 및 y방향의 2방향으로 이동시킬 수 있다. 스테이지(33)에 기판(70)이 유지된다. 기판(70)의 상방에 노즐유닛(35)이 지지되어 있다. 노즐유닛(35)은, 스테이지(33)에 대향하는 노즐헤드(36) 및 가경화용 광원(37)을 포함한다. 막 재료 공급장치(38)가, 노즐헤드(36)에 액상의 광 경화성 막 재료를 공급하고, 노즐헤드(36)로부터 여분의 막 재료를 회수한다.

노즐헤드(36)에 복수의 노즐구멍이 마련되어 있으며, 노즐구멍으로부터 기판(70)을 향하여, 막 재료가 액적화되어 토출된다. 노즐구멍으로부터 토출되어 기판(70)에 부착된 막 재료가, 가경화용 광원(37)으로부터 방사된 빛에 의하여 가경화된다. 여기에서, "가경화"란, 막 재료의 표면이 경화되어 피막이 형성되지만, 내부는 액상 그대로인 상태까지 경화되는 것을 의미한다. 이에 대하여, "본경화"란, 막 재료의 내부까지 경화되는 것을 의미한다. 본경화장치(40)(도 1)에 의하여, 막 재료의 본경화처리가 행해진다.

이동기구(32)로서, 스테이지(33)에 대하여 노즐헤드(36)를 이동시키는 기구를 채용해도 된다. 즉, 이동기구(32)로서, 스테이지(33)에 유지된 기판(70)과, 노즐헤드(36) 중 일방을 타방에 대하여 이동시키는 기구를 채용하는 것이 가능하다.

제어장치(60)는, 성막처리부(61), 막 두께 보정처리부(62), 및 기억장치(63)를 포함한다. 성막처리부(61) 및 막 두께 보정처리부(62)의 기능은, 예를 들면 중앙처리유닛(CPU)이, 기억장치(63)에 격납되어 있는 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써 실현된다. 기억장치(63)는, RAM 및 ROM을 포함한다.

입력장치(65)를 통하여, 막 형성에 필요한 데이터가 제어장치(60)에 입력된다. 막 형성에 필요한 데이터에는, 형성해야 할 막의 평면 형상(패턴)을 정의하는 이미지 데이터, 형성해야 할 막의 두께를 규정하는 막 두께 지령치 등이 포함된다. 이 이미지 데이터, 막 두께 지령치 등은, 기억장치(63)에 격납된다. 입력장치(65)는, 키보드, 터치 패드, 통신 장치, 리무버블 기억장치용 단자 등으로 구성된다. 제어장치(60)에 의한 다양한 처리 결과가, 출력장치(66)에 출력된다. 출력장치(66)는, 디스플레이, 프린터 등으로 구성된다.

기판(70)을 y방향으로 이동시키면서, 이미지 데이터에 기초하여, 노즐헤드(36)로부터 막 재료를 액적화하여 토출함으로써, 기판(70)의 표면에, 원하는 패턴을 가지는 막을 형성할 수 있다. 막 재료의 토출 시에 가경화용 광원(37)이 점등되어 있다. 이로 인하여, 기판(70)에 부착된 막 재료는, 기판(70)으로의 착탄 후, 즉시 가경화된다. 노즐헤드(36)로부터 토출되는 액적의 체적, 기판(70)의 표면에 있어서의 액적의 착탄점의 분포 밀도, 막 재료의 중첩 도포 횟수 등을 조절함으로써, 막의 두께를 변화시킬 수 있다.

다음으로, 도 3 및 도 4를 참조하여, 실시예에 의한 막 형성방법에 대하여 설명한다. 도 3은, 실시예에 의한 막 형성방법의 플로차트를 나타내고, 도 4는, 막 형성방법의 도중 단계 및 막 형성 후에 있어서의 기판 및 막의 단면도를 나타낸다.

스텝 S1(도 3)에 있어서, 오퍼레이터가 입력장치(65)(도 2)를 통하여 제어장치(60)에, 형성해야 할 막의 패턴을 정의하는 이미지 데이터, 및 막 두께를 규정하는 막 두께 지령치를 입력한다. 입력된 이미지 데이터 및 막 두께 지령치는, 기억장치(63)(도 2)에 격납된다.

스텝 S2에 있어서, 막 두께 보정처리부(62)(도 2)가, 기억장치(63)에 기억되어 있는 막 두께 보정 정보에 기초하여 막 두께 지령치를 보정함으로써, 막 두께 목표치를 결정한다. 막 두께 목표치는, 막 두께 지령치보다 약간 두껍다. 일례로서, 막 두께 보정 정보는, 예를 들면 막 두께 지령치로부터 막 두께 목표치까지의 증분(增分)을 나타내는 정보로 구성된다. 막 두께 지령치에, 막 두께 보정 정보로 나타난 증분을 가산함으로써, 막 두께 목표치가 산출된다.

스텝 S3에 있어서, 기판(70)을 도포장치(30)(도 1)에 반입하여, 스텝 S2에서 결정된 막 두께 목표치로 지정된 두께의 막이 형성되도록, 성막처리부(61)(도 2)가 노즐헤드(36) 및 이동기구(32)를 제어한다. 예를 들면, 스테이지(33)(도 2)에 유지된 기판(70)을 y방향으로 이동시키면서, 막의 패턴을 정의하는 이미지 데이터에 기초하여 노즐헤드(36)로부터 막 재료를 액적화하여 토출시킨다. 그 후, 막이 형성된 기판(70)을 도포장치(30)(도 1)로부터 본경화장치(40)에 반입하여, 막을 본경화시킨다.

도 4A에, 막이 형성된 후의 기판(70)의 부분 단면도를 나타낸다. 기판(70)의 표면에, 막(71)이 형성되어 있다. 막(71)의 두께는, 막 두께 지령치(Tr)보다 두껍고, 막 두께 목표치(Tt)와 대략 동일하다. 막(71)의 개구부(73)에, 노즐헤드(36)로부터 토출된 액적으로부터 분리된 소액적이 부착됨으로써, 새틀라이트(72)가 형성되는 경우가 있다. 새틀라이트(72)의 두께는, 형성해야 할 막(71)의 두께에 비하여 충분히 얇아, 겨우 1μm~3μm 정도이다.

스텝 S4(도 3)에 있어서, 기판(70)의 표면 전역을 플라즈마 처리한다. 예를 들면, 도 4B에 나타내는 바와 같이, 기판(70)을 플라즈마 처리장치에 반입하여, 기판(70)의 표면의 전역을 플라즈마(75)에 노출시킨다. 플라즈마(75)로서는, 막(71)을 에칭하는 것이 가능한 것이 이용된다. 예를 들면, 플라즈마(75)로서, 막(71)의 환원처리를 행하는 플라즈마를 이용할 수 있다. 환원처리를 행하는 플라즈마의 예로서, 수소 가스를 포함하는 플라즈마를 들 수 있다.

도 4C에, 플라즈마 처리 후의 기판의 단면도를 나타낸다. 플라즈마 처리됨으로써, 기판(70)의 불필요한 영역에 부착된 막 재료, 즉 새틀라이트(72)(도 4B)가 완전히 제거된다. 이 때, 막(71)의 표층부도 제거되기 때문에, 막(71)이 얇아진다. 스텝 S2의 보정처리에서 이용되는 막 두께 보정 정보는, 막 두께 지령치(Tr)와 막 두께 목표치(Tt)의 차이가, 막(71)의 에칭 두께와 대략 동일해지도록 미리 정의되어 있다. 이로 인하여, 플라즈마 처리 후의 막(71)의 두께가, 막 두께 지령치(Tr)와 대략 동일해진다.

스텝 S5(도 3)에 있어서, 막(71)(도 4C)의 열처리를 행한다. 이 열처리에 의하여, 막(71)의 경화가 더 진행된다.

상기 실시예에서는, 스텝 S4에서의 플라즈마 처리에 의하여, 새틀라이트(72)(도 4A)를 제거할 수 있다. 플라즈마 처리는, 기판(70)의 표면의 전역에 대하여 행해지기 때문에, 새틀라이트(72)의 유무나, 그 위치를 특정하기 위한 화상 해석을 행할 필요는 없다. 새틀라이트(72)의 두께는 겨우 1μm~3μm이기 때문에, 새틀라이트(72)의 제거 잔사를 발생시키지 않도록 하기 위하여, 막 두께 지령치로부터 막 두께 목표치까지의 증분이 1μm~3μm의 범위 내가 되도록, 막 두께 보정 정보를 정의하는 것이 바람직하다.

또한, 스텝 S2에 있어서, 플라즈마 처리로 제거되는 표층부의 두께를 예측하여, 막 두께 목표치(Tt)가 설정되어 있기 때문에, 플라즈마 처리 후의 막(71)의 두께를, 막 두께 지령치(Tr)와 대략 일치시킬 수 있다.

다음으로, 도 5A~도 5C를 참조하여, 다른 실시예에 대하여 설명한다. 이하, 도 1~도 4C에 나타낸 실시예와의 상이점에 대하여 설명하고, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.

도 5A에 나타낸 실시예에 의한 막 형성장치에 있어서는, 도포장치(30)와 본경화장치(40)의 사이에 플라즈마 처리장치(80)가 배치되어 있다. 도포장치(30)에서 막(71)(도 4A)이 형성된 기판(70)(도 4A)이, 반송장치(50)로 플라즈마 처리장치(80)까지 반송된다. 이 단계에서, 기판에 형성되어 있는 막(71)은 가경화된 상태이다.

플라즈마 처리장치(80)에서 플라즈마 처리를 행함으로써, 새틀라이트(72)(도 4B)가 제거된다. 플라즈마 처리 후의 기판(70)(도 4C)이, 반송장치(50)로 본경화장치(40)까지 반송된다. 본경화장치(40)에서, 막(71)(도 4C)의 본경화처리가 행해진다.

도 5A에 나타낸 실시예와 같이, 막(71)이 가경화된 상태로, 플라즈마 처리를 행해도 된다. 이 경우에는, 가경화에 의하여 막(71)의 표면에 형성되어 있는 피막이, 플라즈마 처리에 의하여 완전히 제거되어 버리지 않을 정도의 두께를 가지는 것이 필요하다.

도 5B에 나타낸 실시예에 의한 막 형성장치에 있어서는, 도 5A에 나타낸 막 형성장치의 본경화장치(40)의 후단(後段)에, 반전장치(83), 도포장치(30A), 플라즈마 처리장치(80A), 본경화장치(40A), 및 열처리장치(85)가 추가로 배치되어 있다. 본경화장치(40)에서 본경화처리를 종료한 기판(70)(도 4C)이, 반전장치(83)에 반입된다. 반전장치(83)는, 기판(70)의 상하를 반전시킨다. 이로써, 막(71)(도 4C)이 형성된 면이 하방을 향하고, 막이 형성되어 있지 않은 면이 상방을 향한다.

상하 반전된 기판(70)이, 도포장치(30A), 플라즈마 처리장치(80A), 및 본경화장치(40A)에서 처리됨으로써, 이면에도 막이 형성된다. 그 후, 열처리장치(85)에서, 양면에 형성되어 있는 막이 열처리된다.

도 5B에 나타낸 실시예에서는, 기판(70)의 양면에 막을 형성할 수 있다. 도 5B에 나타낸 실시예에 있어서, 플라즈마 처리장치(80, 80A)에서 플라즈마 처리를 행하기 전에, 본경화장치(40, 40A)에서 본경화처리를 행해도 된다.

도 5C에 나타낸 실시예에 의한 막 형성장치에 있어서는, 도 5B에 나타낸 플라즈마 처리장치(80, 80A)가 제거되고, 그 대신에, 본경화장치(40A)와 열처리장치(85)의 사이에, 양면 플라즈마 처리장치(80B)가 배치되어 있다. 이 실시예에서는, 양면 플라즈마 처리장치(80B)에서, 기판(70)의 양면에 대하여 동시에 플라즈마 처리가 행해진다. 이로 인하여, 도 5B의 실시예에 의한 막 형성장치에 비하여, 막 형성을 위한 처리 시간을 단축할 수 있다.

이상 실시예를 따라 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 이들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 다양한 변경, 개량, 조합 등이 가능한 것은 당업자에게 자명할 것이다.

20 반입장치
21 반송롤러
22 스토퍼
30, 30A 도포장치
31 정반
32 이동기구
33 스테이지
34 승강 핀
35 노즐유닛
36 노즐헤드
37 가경화용 광원
38 막 재료 공급장치
40, 40A 본경화장치
41 반송롤러
42 본경화용 광원
50 반송장치
51 가이드
52 리프터
60 제어장치
61 성막처리부
62 막 두께 보정처리부
63 기억장치
65 입력장치
66 출력장치
70 기판
71 막
72 새틀라이트
73 개구부
75 플라즈마
80, 80A 플라즈마 처리장치
80B 양면 플라즈마 처리장치
83 반전장치
85 열처리장치
Tr 막 두께 지령치
Tt 막 두께 목표치

Claims

기판을 유지하는 스테이지와,
상기 스테이지에 유지된 상기 기판에 대향하여, 상기 기판을 향하여 막 재료를 액적화하여 토출하는 노즐헤드와,
상기 스테이지에 유지된 상기 기판과, 상기 노즐헤드 중 일방을 타방에 대하여 이동시키는 이동기구와,
상기 기판의 표면의 전역에 대하여 플라즈마 처리를 실시하여, 상기 기판의 불필요한 영역에 형성된 막 재료의 새틀라이트를 제거하는 동시에, 상기 기판에 형성해야 할 막의 표층부를 제거하는, 플라즈마 처리장치와,
상기 스테이지에 유지되어 있는 막 형성 후의 상기 기판을, 상기 플라즈마 처리장치에 반입하는 반송장치와,
상기 형성해야 할 막의 이미지 데이터, 및 막 두께 보정 정보를 기억하는 기억장치와,
상기 이미지 데이터에 기초하여, 상기 노즐헤드 및 상기 이동기구를 제어함으로써, 상기 이미지 데이터로 정의된 패턴을 가지는 막을 상기 기판에 형성하는 제어장치와,
상기 제어장치에 데이터를 입력하기 위한 입력장치
를 가지고,
상기 제어장치는,
상기 입력장치로부터 막 두께 지령치가 입력되면, 상기 막 두께 지령치를, 상기 막 두께 보정 정보에 기초하여 보정함으로써, 상기 막 두께 지령치보다 두꺼운 막 두께 목표치를 산출하며,
상기 막 두께 목표치의 두께의 막이 형성되도록 상기 노즐헤드 및 상기 이동기구를 제어하고,
상기 막 두께 보정 정보는, 상기 막 두께 지령치와 상기 막 두께 목표치의 차이가 상기 플라즈마 처리 장치에서 상기 막의 표층부가 제거되는 두께와 동일해지도록 정의되어 있고,
플라즈마 처리 후의 막의 두께는 막 두께 지령치와 동일한, 막 형성장치.
청구항 1에 있어서,
상기 제어장치는,
상기 반송장치를 제어하여, 막 형성 후의 상기 기판을 상기 플라즈마 처리장치에 반입하는, 막 형성장치.
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청구항 2에 있어서,
상기 막 두께 지령치와 상기 막 두께 목표치의 차이가 1μm~3μm의 범위 내가 되도록, 상기 막 두께 보정 정보가 정의되어 있는 막 형성장치.
청구항 2에 있어서,
상기 플라즈마 처리장치에 있어서, 플라즈마를 이용한 환원처리가 행해지는 막 형성장치.
노즐헤드로부터 기판을 향하여, 이미지 데이터에 기초하여, 막 재료의 액적을 토출시킴으로써 막을 형성하는 공정으로서, 형성해야 할 막의 이미지 데이터로 정의된 패턴 및 막 두께를 규정하는 막 두께 지령치를 입력하고, 상기 막 두께 지령치를 막 두께 보정 정보에 기초하여 보정함으로써 막 두께 지령치보다 두꺼운 막 두께 목표치를 산출하고, 상기 막 두께 목표치로 지정된 두께를 갖고 상기 이미지 데이터로 정의된 패턴을 갖는 막을 형성하는 공정과,
상기 막이 형성된 상기 기판의 전역에 대하여 플라즈마 처리함으로써, 불필요한 영역에 부착된 막 재료의 새틀라이트를 제거하는 동시에, 상기 막의 표층부를 제거하는 공정을 갖고,
상기 막을 형성하는 공정에서, 상기 막 두께 보정 정보는, 상기 막 두께 지령치와 상기 막 두께 목표치의 차이가 플라즈마 처리 시에 상기 막의 표층부가 제거되는 두께와 동일해지도록 정의되어 있고,
상기 새틀라이트 및 막의 표층부를 제거하는 공정에서, 플라즈마 처리 후의 막의 두께는 막 두께 지령치와 동일한,
막 형성방법.
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