KR101718865B1 - Test Socket - Google Patents

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KR101718865B1
KR101718865B1 KR1020150166454A KR20150166454A KR101718865B1 KR 101718865 B1 KR101718865 B1 KR 101718865B1 KR 1020150166454 A KR1020150166454 A KR 1020150166454A KR 20150166454 A KR20150166454 A KR 20150166454A KR 101718865 B1 KR101718865 B1 KR 101718865B1
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오창수
김보현
조해국
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(주)티에스이
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Abstract

An object of the present invention is to provide a test socket which can discharge heat of conductive parts to the outside and can prevent phenomena of being damaged, being opened, and being short-circuited of a semiconductor element during contact with the semiconductor element for a test, through installation of a durability enhancing member and guide member disposed on a top of an insulation part and configured to have different hardness. For this purpose, according to the present invention, provided is the test socket comprising: an insulation part which is made of silicon rubber; one or more conductive parts in which a plurality of conductive particles and silicon rubber are fused and which penetrate the insulation part; a durability enhancing member which is disposed on a top of the insulation part, which enhances durability of the insulation part made of the silicon rubber, and which prevents the conductive particles from being discharged to the outside; and a guide member which is disposed on a top of the durability enhancement member and which provides guidance to locations for contacts between a terminal of a semiconductor element and the conductive parts.

Description

검사용 소켓{Test Socket}Test Socket {Test Socket}

본 발명은 검사용 소켓에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 테스트를 받는 반도체 소자의 단자(ball lead)와 테스트 보드(test board)를 전기적으로 연결 시켜주는 검사용 소켓에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test socket, and more particularly, to a test socket that electrically connects a test lead to a ball lead of a semiconductor device under test.

반도체소자의 제조공정이 끝나면 반도체소자에 대한 테스트가 필요하다. 반도체소자의 테스트를 수행할 때에는 테스트장비와 반도체소자 간을 전기적으로 연결시키는 검사용 소켓이 필요하다. 검사용 소켓은 테스트 공정에서 테스터에서 나온 신호가 테스트 보드를 거쳐 피검사 대상물인 반도체 소자로 전달될 수 있도록 하는 매개 부품이다. 검사용 소켓은 개별 반도체 소자가 정확한 위치로 이동하여 테스트 보드와 정확하게 접촉하는 기계적 접촉능력과 신호 전달 시 접촉 점에서의 신호 왜곡이 최소가 될 수 있도록 안정적인 전기적 접촉능력이 요구된다.When the manufacturing process of the semiconductor device is finished, a test for the semiconductor device is required. When testing a semiconductor device, a test socket for electrically connecting the test equipment and the semiconductor device is required. The test socket is a mediator component that allows the signal from the tester to pass through the test board to the semiconductor device to be inspected during the test process. The test socket requires a stable electrical contact capability so that the discrete semiconductor device moves to the correct position and has the mechanical contact ability to make accurate contact with the test board and the signal distortion at the contact point at the time of signal transmission to be minimized.

이 중 실리콘 러버로 형성된 검사용 소켓은 납땜 또는 기계적 결합 등의 임의 수단을 이용하지 않고서도 조밀한 전기적 접속을 달성할 수 있다는 특징과, 기계적인 충격이나 변형을 흡수하여 유연한 접속이 가능하다는 특징을 가지므로 반도체 테스트장비의 검사용 소켓으로서 널리 이용되고 있다.Among them, the inspection socket formed of silicone rubber is characterized in that it can attain dense electrical connection without using any means such as soldering or mechanical coupling, and is characterized in that flexible connection is possible by absorbing mechanical shock or deformation It is widely used as a socket for inspection of semiconductor test equipment.

도 1은 종래 기술에 따른 검사용 소켓을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2a 내지 도 2c는 종래 기술에 따른 검사용 소켓의 도전부와 반도체 소자의 단자가 접촉되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a schematic view of a socket for inspection according to the prior art, and FIGS. 2A to 2C are schematic views showing a state in which a conductive portion of a socket for inspection according to the related art and terminals of a semiconductor device are in contact with each other.

종래 기술에 따른 검사용 소켓(10)은 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(17)의 단자(17a)와 접촉하는 도전부(11)와 도전부(11) 사이에서 절연층 역할을 하는 절연부(13)와, 절연부(13) 상단에 설치되어 반도체 소자(17)의 단자(17a)와 도전부(11) 간의 접촉 시, 접촉 위치를 안내하기 위해 관통공(15a)이 마련된 가이드 부재(15), 그리고 절연부(13)를 지지하는 지지플레이트(P)를 포함한다. 1, the inspecting socket 10 according to the related art has a structure in which the insulative layer 10 serves as an insulating layer between the conductive portion 11 and the conductive portion 11 which is in contact with the terminal 17a of the semiconductor element 17 And a guide provided with a through hole 15a for guiding the contact position when the terminal 17a of the semiconductor element 17 and the conductive portion 11 are brought into contact with each other at the upper end of the insulating portion 13, A member 15, and a support plate P for supporting the insulating portion 13. [

이러한 검사용 소켓(10)은 도전부(11)의 상단부와 하단부는 각각 반도체 소자(17)의 단자(17a)와 테스트장비와 연결된 테스트 보드(18)의 도전 패드(18a)와 접촉하여, 단자(17a)와 도전 패드(18a)를 전기적으로 연결해준다.The upper and lower ends of the conductive part 11 of the inspection socket 10 are in contact with the terminals 17a of the semiconductor element 17 and the conductive pads 18a of the test board 18 connected to the test equipment, (17a) and the conductive pad (18a).

종래 검사용 소켓(10)의 가이드 부재(15)는 경도가 높은 폴리이미드 필름이 사용되었으며, 가이드 부재(15)의 관통공(15a) 상단 영역은 반도체 소자(17)의 정렬이 틀어진 상태에서 단자(17a)와 가이드 부재(15) 간의 접촉을 최대한 방지하여 단자(17a)의 파손을 줄이기 위해 확대되도록 형성하였다. 이러한 종래의 검사용 소켓은 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같은 문제점이 있었다.A polyimide film having a high hardness is used as the guide member 15 of the conventional inspection socket 10 and the upper end region of the through hole 15a of the guide member 15 is connected to the terminal (17a) and the guide member (15) so as to minimize damage to the terminal (17a). Such a conventional inspection socket has a problem as shown in Figs. 2A to 2C.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(17)의 테스트를 위해 반도체 소자(17)의 단자(17a)와 도전부(11) 간의 접촉 시, 단자(17a)의 정렬이 틀어진 상태로 가이드 부재(15)에 접촉될 경우, 가이드 부재(15)의 높은 경도에 반도체 소자(17)의 단자(17a)가 파손되는 문제점이 있었고, 도 2b에 도시된 바와 같이, 단자(17a)와 도전부(11) 간에 미접촉이 발생하여 테스트 시 접촉 불량으로 오픈되는 문제점이 있었으며, 도 2c에 도시된 바와 같이, 관통공(15a) 상단이 확장된 구조로 형성된 것에 의해 하나의 단자(17a)에 대해 두개의 도전부(11)가 접촉되어 쇼트가 발생되는 문제점이 있었다.2A, when the terminal 17a of the semiconductor element 17 and the conductive portion 11 are brought into contact with each other for the test of the semiconductor element 17, There is a problem that the terminal 17a of the semiconductor element 17 is broken at the high hardness of the guide member 15 when the terminal 17a contacts the member 15. As shown in Figure 2b, 2C, since the upper end of the through hole 15a is formed in an expanded structure, there is a problem that two terminals 17a are formed on one terminal 17a, There is a problem that a short circuit occurs.

한편, 기술의 발전으로 고주파화와 높은 전류, 높은 온도에서 동작하는 반도체 소자(17)를 요하고 있어 반도체 소자(17)와 접촉되는 검사용 소켓(10) 또한 이러한 환경에서 동작 가능하도록 개발을 필요로 하고 있다. On the other hand, the development of the technology requires a high-frequency, high-current, high-temperature semiconductor element 17 to be inspected so that the inspection socket 10 in contact with the semiconductor element 17 also needs development .

하지만, 종래 검사용 소켓(10)의 경우 높은 전류와 고온 환경으로 인한 발열량의 증대에 따른 방열에 대한 구조가 없어 방열에 의한 전기적, 기계적인 특성이 떨어지는 문제점이 있었고, 이에 따라 검사용 소켓의 수명 저하에 막대한 영향을 주는 문제점이 있었다.However, in the case of the conventional inspection socket 10, there is a problem in that the electrical and mechanical characteristics due to the heat dissipation are degraded because there is no structure for heat dissipation due to an increase in heat generation due to high current and high temperature environment. There was a problem that it had a great influence on degradation.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 절연부 상단에 경도가 서로 다른 내구성 보강 부재 및 가이드 부재를 설치하여 반도체 소자의 테스트를 위한 접촉 시 반도체 소자의 단자가 파손되는 현상, 오픈되는 현상, 그리고 쇼트되는 현상을 방지하는 것과 더불어 도전부의 열을 외부로 방열할 수 있도록 하는 검사용 소켓을 제공하는데 있다. It is an object of the present invention to provide a durability reinforcing member and a guide member having different hardnesses at the upper end of an insulating portion to provide a semiconductor device The present invention also provides a socket for inspecting a socket that can dissipate the heat of a conductive part to the outside in addition to preventing a terminal from being broken, a phenomenon of being opened, and a short circuit.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 실리콘 고무로 이루어진 절연부와, 복수의 도전성 입자 및 실리콘 고무가 융합되어 상기 절연부를 관통하도록 설치된 적어도 하나의 도전부와, 상기 절연부 상단에 설치되며, 상기 실리콘 고무로 형성된 절연부의 내구성을 강화 시켜 도전성 입자가 외부로 이탈되는 것을 방지하는 내구성 보강 부재 및 상기 내구성 보강 부재의 상단에 설치되며, 반도체 소자의 단자와 도전부 간의 접촉 위치를 안내하는 가이드 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사용 소켓을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: an insulating part made of silicone rubber; at least one conductive part fused with a plurality of conductive particles and silicone rubber to penetrate the insulating part; A durability reinforcing member for enhancing the durability of the insulating portion formed of the silicone rubber to prevent the conductive particles from being released to the outside, and a durability reinforcing member provided on the upper end of the durability reinforcing member, for guiding a contact position between the terminal of the semiconductor element and the conductive portion And a member to be inspected.

상기 도전부는 외관을 이루는 몸체부와, 상기 몸체부의 일측에 제공되어 테스트를 받을 반도체 소자의 단자와 접촉되는 제1 접촉부, 그리고 상기 몸체부의 타측에 제공되어 테스트 보드의 도전 패드와 접촉되는 제2 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The conductive part may include a body part forming an external appearance, a first contact part provided on one side of the body part and contacting a terminal of a semiconductor device to be tested, and a second contact part provided on the other side of the body part, And a control unit.

상기 내구성 보강 부재에는 상기 제1 접촉부가 관통 설치되도록 제1 관통홀이 형성되며, 상기 가이드 부재에는 상기 내구성 보강 부재의 제1 관통홀에 관통 설치된 제1 접촉부가 관통 설치되도록 제2 관통홀이 형성된 것을 특징으로 한다.The durability reinforcing member is provided with a first through hole through which the first contact portion is inserted, and a second through hole is formed in the guide member such that a first contact portion penetrating through the first through hole of the durability reinforcing member is inserted through the second through hole .

상기 내구성 보강 부재는 폴리이미드 필름이 사용되고, 상기 가이드 부재는 내구성 보강 부재 보다 경도가 낮은 연성 실리콘 필름이 사용되며, 상기 내구성 보강 부재 및 가이드 부재는 각각 제조하여 결합시킨 것을 특징으로 한다.A polyimide film is used as the durability reinforcing member, a soft silicone film having a hardness lower than that of the durability reinforcing member is used as the guide member, and the durability reinforcing member and the guide member are respectively manufactured and joined.

상기 내구성 보강 부재의 두께는 상기 내구성 보강 부재와 상기 가이드 부재가 합쳐진 두께의 0.2 ~ 0.8배로 형성된 것을 특징으로 한다.And the thickness of the durability reinforcing member is 0.2 to 0.8 times the thickness of the durability reinforcing member and the guide member.

상기 내구성 보강 부재와 상기 가이드 부재가 합쳐진 두께는 상기 검사용 소켓의 전체 두께의 0.1 ~ 0.5배로 형성된 것을 특징으로 한다.And the combined thickness of the durability reinforcing member and the guide member is 0.1 to 0.5 times the total thickness of the test socket.

상기 가이드 부재의 상단에는 상기 반도체 소자의 단자와 제1 접촉부 간의 접촉 간격을 유지하기 위한 간격 유지 부재가 더 설치되고, 상기 간격 유지 부재에는 반도체 소자의 단자가 제1 접촉부와 접촉될 수 있도록 제3 관통홀이 형성된 것을 특징으로 한다.A gap holding member for holding a contact distance between the terminal of the semiconductor element and the first contact portion is further provided at an upper end of the guide member and a third contact portion for contacting the terminal of the semiconductor element with the first contact portion, And a through hole is formed.

상기 간격 유지 부재는 상기 가이드 부재로 사용된 연성 실리콘 필름 보다 경도가 높은 폴리이미드 필름이 사용된 것을 특징으로 한다.And the gap holding member is a polyimide film having a hardness higher than that of the soft silicone film used as the guide member.

상기 제3 관통홀의 상단은 반도체 소자의 단자와 간격 유지 부재 간의 접촉을 방지하기 위해 모따기 가공에 의해 확장되도록 형성한 것을 특징으로 한다.And the upper end of the third through hole is formed to be extended by chamfering to prevent contact between the terminal of the semiconductor element and the gap retaining member.

상기 가이드 부재는 상기 도전부에서 발열되는 열을 방열시키기 위해 열전도율이 높은 재질인 산화알루미늄 재질을 포함하여 제조된 것을 특징으로 한다.The guide member may be made of an aluminum oxide material having a high thermal conductivity to dissipate heat generated in the conductive portion.

본 발명에 따른 검사용 소켓은 절연부 상단에 경도가 높은 내구성 보강 부재가 설치된 것에 절연부의 내구성이 강화되어 반도체 소자의 테스트 시, 도전부의 도전성 입자가 외부로 이탈되는 것을 방지할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.The test socket according to the present invention is provided with a durability reinforcing member having a high hardness at the upper end of the insulating portion and the durability of the insulating portion is enhanced so that the conductive particles of the conductive portion can be prevented from being detached from the outside during testing of the semiconductor device can do.

또한, 본 발명에 의하면, 내구성 보강 부재 상단에 경도가 낮은 연성 실리콘 필름이 사용된 가이드 부재가 설치된 것에 의해 반도체 소자의 테스트를 위해 반도체 소자의 단자와 도전부의 제1 접촉부와 접촉 시, 반도체 소자의 정렬이 틀어진 상태로 가이드 부재에 접촉되어도 낮은 경도를 가진 연성 실리콘 필름이 사용된 가이드 부재가 접촉 하중을 흡수하여 반도체 소자의 단자가 파손되는 현상을 방지하고, 가이드 부재가 눌려지면서 도전부의 제1 접촉부와 접촉할 수 있어 종래의 단자와 도전부 간의 접촉 불량으로 오픈되는 현상을 방지하며, 종래의 가이드 부재와 같이 관통공을 확장할 필요가 없어 종래 확장된 구조에서 발생되는 하나의 단자와 두개의 도전부와 접촉되어 발생되는 쇼트 문제를 방지할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, since the guide member using the soft silicone film having low hardness is provided at the upper end of the durability reinforcing member, when the terminal of the semiconductor element is brought into contact with the first contact portion of the conductive portion for testing of the semiconductor element, A guide member using a soft silicone film having a low hardness absorbs a contact load to prevent a terminal of a semiconductor element from being broken even when the guide member is contacted with the guide member in a state that the guide member is in a misaligned state, So that it is not necessary to expand the through hole as in the case of the conventional guide member, so that a single terminal and two conductors It is possible to provide an effect of preventing a short-circuit problem caused by being in contact with a part.

또한, 본 발명에 의하면, 가이드 부재 상단에 간격 유지 부재가 설치된 것에 의해 반도체 소자의 테스트 시, 반도체 소자에 과도한 접촉 압력이 발생되더라도 단자와 제1 접촉부 및 가이드 부재가 과도하게 접촉되는 것을 방지하여 검사용 소켓이 파손되는 현상을 방지할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, since the gap holding member is provided at the upper end of the guide member, excessive contact pressure between the terminal and the first contact portion and the guide member is prevented even when an excessive contact pressure is generated in the semiconductor element, It is possible to prevent the occurrence of breakage of the socket for use.

또한, 본 발명에 의하면, 가이드 부재에 산화알루미늄을 첨가하여 제조함에 따라 검사용 소켓에서 발생되는 열을 외부로 원활하게 방열시킬 수 있어 전기적, 기계적인 특성이 저하되는 것을 방지하여 검사용 소켓의 수명을 향상시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention, since aluminum oxide is added to the guide member, the heat generated in the test socket can be dissipated smoothly to the outside, thereby preventing deterioration in electrical and mechanical properties, Can be improved.

도 1은 종래 기술에 따른 검사용 소켓을 개략적으로 나타낸 도면.
도 2a 내지 도 2c는 종래 기술에 따른 검사용 소켓의 도전부와 반도체 소자의 단자가 접촉되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 검사용 소켓의 구조를 개략적으로 나타낸 도면.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 검사용 소켓의 도전부와 반도체 소자의 단자가 접촉되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 검사용 소켓에 간격 유지 부재가 설치된 상태를 개략적으로 나타낸 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic view of a test socket according to the prior art; Fig.
2A to 2C are views schematically showing a state in which a conductive portion of a test socket and a terminal of a semiconductor element are in contact with each other according to a related art.
3 is a schematic view showing the structure of a test socket according to an embodiment of the present invention.
4A to 4C are views schematically showing a state in which a conductive portion of a test socket and a terminal of a semiconductor element are in contact with each other according to an embodiment of the present invention.
5 is a view schematically showing a state in which a gap holding member is provided in a test socket according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이 때 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the same components are denoted by the same reference symbols as possible in the accompanying drawings. Further, the detailed description of known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted.

이하, 첨부된 도면 도 3 내지 도 5를 참조로 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to Figs. 3 to 5 attached hereto.

먼저, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 검사용 소켓의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 검사용 소켓의 도전부와 반도체 소자의 단자가 접촉되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 검사용 소켓에 간격 유지 부재가 설치된 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views illustrating a test socket according to an embodiment of the present invention. FIGS. 4A to 4C are cross- 5 is a view schematically showing a state in which a gap holding member is provided in a test socket according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 검사용 소켓(100)은 절연부(130)와 도전부(110), 내구성 보강 부재(140), 그리고 가이드 부재(150)를 포함하여 이루어질 수 있다. 이때, 절연부(130)는 지지플레이트(P)에 의해 지지되어 검사회로 기판(미도시)에 정렬될 수 있다.3, the inspecting socket 100 according to the embodiment of the present invention includes an insulating part 130, a conductive part 110, a durability reinforcing member 140, and a guide member 150 Lt; / RTI > At this time, the insulating portion 130 may be supported by the support plate P and aligned with the inspection circuit board (not shown).

절연부(130)는 실리콘 고무로 형성되어 검사용 소켓(100)의 몸체를 이루며, 후술하는 각 도전부(110)가 접촉 하중을 받을 때 지지하는 역할을 한다.The insulating part 130 is formed of silicone rubber to form the body of the inspection socket 100 and supports each conductive part 110 to be described later upon receiving a contact load.

더욱 구체적으로. 실리콘 고무로 형성된 절연부(130)는 반도체 소자(170)의 단자(171) 또는 테스트 보드(180)의 도전 패드(181)가 접촉될 경우, 접촉력을 흡수하여 단자(171) 및 도전부(110)를 보호하는 역할을 한다.More specifically. The insulating portion 130 formed of silicone rubber absorbs the contact force when the terminals 171 of the semiconductor element 170 or the conductive pads 181 of the test board 180 are brought into contact with each other to form the terminals 171 and the conductive portions 110 ).

절연부(130)에 사용되는 실리콘 고무는 폴리부타디엔, 자연산 고무, 폴리이소프렌, SBR, NBR등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무와, 스티렌 부타디엔 블럭, 코폴리머, 스티렌 이소프렌 블럭 코폴리머등, 및 그들의 수소 화합물과 같은, 블럭 코폴리머와, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌 프로필렌 디엔 코폴리머 중 어느 하나가 사용될 수 있다.The silicone rubber used for the insulation portion 130 may be a rubber such as a polybutadiene, a natural rubber, a polyisoprene, a SBR, an NBR and the like, a diene rubber such as a hydrogen compound thereof, a styrene butadiene block, a copolymer, a styrene isoprene block copolymer, Either a block copolymer such as a hydrogen compound thereof, and chloroprene, urethane rubber, polyethylene rubber, epichlorohydrin rubber, ethylene-propylene copolymer, or ethylene propylene diene copolymer may be used.

도전부(110)는 복수의 도전성 입자(110a) 및 실리콘 고무가 융합되어 이루어지며 절연부(130)를 관통하도록 설치된다. The conductive part 110 is formed by fusing a plurality of conductive particles 110a and a silicone rubber and is installed to penetrate the insulating part 130. [

도전성 입자(110a)는 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속 요소의 2개 또는 그 이상의 금속으로 구성되는 도전성 금속 합금재로 형성될 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 경제적인 측면과 도전성 측면을 고려하여 니켈-코발트(NiCO) 합금으로 형성된 것이 제시된다.The conductive particles 110a may be formed of a single conductive metal material such as iron, copper, zinc, chromium, nickel, silver, cobalt, aluminum or the like or a conductive metal alloy material composed of two or more metals of these metal elements, In the embodiment of the present invention, a nickel-cobalt (NiCO) alloy is proposed in consideration of economical aspects and conductivity.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 도전성 입자(110a)는 로듐(RH) 도금을 통해 강도 및 내구성을 향상시킨 것이 제시된다. 한편 도전성 입자(110a)에 로듐을 도금하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 화학도금 또는 전해 도금법에 의해 도금시킬 수 있다.In addition, the conductive particles 110a according to the embodiment of the present invention are improved in strength and durability through rhodium (RH) plating. On the other hand, a method of plating the conductive particles 110a with rhodium is not particularly limited, but can be plated by, for example, chemical plating or electrolytic plating.

이때, 도전부(110)는 외관을 이루는 몸체부(111)와, 몸체부(111)의 일측에 제공되어 반도체 소자(170)의 단자(171)와 접촉되는 제1 접촉부(112), 그리고 몸체부(111)의 타측에 제공되어 테스트 보드(180)의 도전 패드(181)와 접촉되는 제2 접촉부(113)를 포함하여 이루어질 수 있다. 즉 제1 접촉부(112)는 단자(171)와 접촉시키기는 역할을 하고, 제2 접촉부(113)는 도전 패드(181)와 접촉시키기는 역할을 하며, 몸체부(111)는 제1접촉부(112)와 제2 접촉부(113)를 연결시키기는 역할을 한다.The conductive part 110 includes a body part 111 forming an outer appearance, a first contact part 112 provided on one side of the body part 111 and contacting the terminal 171 of the semiconductor element 170, And a second contact portion 113 provided on the other side of the test portion 180 and in contact with the conductive pad 181 of the test board 180. That is, the first contact portion 112 serves to make contact with the terminal 171, the second contact portion 113 serves to contact the conductive pad 181, and the body portion 111 serves to contact the first contact portion 112 and the second contact portion 113. [

본 발명의 실시예에 따른 내구성 보강 부재(140)는 절연부(130) 상단에 설치되어 실리콘 고무로 형성된 절연부(130)의 내구성을 강화 시켜 도전부(110)의 도전성 입자(110a)가 외부로 이탈되는 것을 방지하며, 가이드 부재(150)는 내구성 보강 부재(140)의 상단에 설치되어 반도체 소자(170)의 단자(171)와 도전부(110) 간의 접촉 위치를 안내하는 역할을 한다.The durability reinforcing member 140 according to the embodiment of the present invention is provided at the upper end of the insulating portion 130 to enhance the durability of the insulating portion 130 formed of silicone rubber, And the guide member 150 is installed at the upper end of the durability enhancing member 140 to guide the contact position between the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the conductive portion 110. [

이때, 내구성 보강 부재(140)에는 도전부(110)의 제1 접촉부(112)가 관통 되도록 제1 관통홀(141)이 형성되며, 가이드 부재(150)에는 내구성 보강 부재(140)의 제1 관통홀(141)에 관통 설치된 제1 접촉부(112)가 관통 설치되도록 제2 관통홀(151)이 형성된다.A first through hole 141 is formed in the durability reinforcing member 140 so that the first contact portion 112 of the conductive portion 110 passes through the first durability reinforcing member 140. The first through hole 141 is formed in the durability reinforcing member 140, The second through hole 151 is formed so that the first contact portion 112 penetrating through the through hole 141 is penetrated.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 내구성 보강 부재(140)는 폴리이미드 필름이 사용되고, 가이드 부재(150)는 내구성 보강 부재(140) 보다 경도가 낮은 연성 실리콘 필름이 사용되며, 내구성 보강 부재(140) 및 가이드 부재(150)는 각각 제조하여 결합시킨 것이 제시된다. A polyimide film is used as the durability reinforcing member 140 according to an embodiment of the present invention. A soft silicone film having a hardness lower than that of the durability reinforcing member 140 is used as the guide member 150, and the durability reinforcing member 140 And the guide member 150 are manufactured and combined.

즉, 반도체 소자(170)의 테스트 시, 반도체 소자(170)의 단자(171)와 도전부(110)의 제1 접촉부(112)가 접촉될 경우, 내구성 보강 부재(140)의 높은 경도에 의해 경도가 낮은 연성 실리콘 고무로 형성된 절연부(130)의 내구성을 강화시켜 절연부(130)의 변형을 방지할 수 있다. 이에 따라 도전성 입자(110a)가 외부로 이탈되는 것을 방지한다.That is, when the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the first contact portion 112 of the conductive portion 110 are brought into contact with each other during the test of the semiconductor element 170, due to the high hardness of the durability reinforcing member 140 The durability of the insulation part 130 formed of the soft silicone rubber having a low hardness can be enhanced to prevent the insulation part 130 from being deformed. Thereby preventing the conductive particles 110a from escaping to the outside.

가이드 부재(150)는 종래의 가이드 부재로 사용된 폴리이미드 필름에 비해 경도가 낮은 연성 실리콘 필름이 사용된 것에 의해 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같은 종래의 문제점을 해결할 수 있다.The guide member 150 can solve the conventional problem as shown in FIGS. 4A to 4C by using the soft silicone film having lower hardness than the polyimide film used as the conventional guide member.

먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(170)의 테스트를 위해 반도체 소자(170)의 단자(171)와 도전부(110)의 제1 접촉부(120) 간의 접촉 시, 반도체 소자(170)의 정렬이 틀어진 상태로 가이드 부재(150)에 접촉되어도 낮은 경도를 가진 연성 실리콘 필름이 사용된 가이드 부재(150)가 접촉 하중을 흡수하여 반도체 소자(170))의 단자(171)가 파손되는 현상을 방지할 있다.4A, when the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the first contact portion 120 of the conductive portion 110 are brought into contact with each other for testing the semiconductor element 170, the semiconductor element 170 The guide member 150 using the soft silicone film having a low hardness absorbs the contact load so that the terminal 171 of the semiconductor element 170 is damaged The phenomenon can be prevented.

또한, 도 4b에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(170)의 테스트를 위해 반도체 소자(170)의 단자(171)와 도전부의 제1 접촉부(112) 간의 접촉 시, 반도체 소자(170)의 정렬이 틀어진 상태로 가이드 부재(150)에 접촉되어도 낮은 경도를 가진 연성 실리콘 필름이 사용된 가이드 부재(150)가 눌려지면서 도전부(110)의 제1 접촉부(112)와 접촉할 수 있어 단자(171)와 제1 접촉부(112) 간의 접촉 불량으로 오픈되는 현상을 방지할 수 있다.4B, when the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the first contact portion 112 of the conductive portion are brought into contact with each other for the test of the semiconductor element 170, the alignment of the semiconductor element 170 The guide member 150 using the soft silicone film having low hardness can be pressed against the first contact portion 112 of the conductive portion 110 even if the guide member 150 contacts the guide member 150 in a distorted state, And the first contact portion 112 can be prevented from being opened.

또한, 도 4c에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(170)의 테스트를 위해 반도체 소자(170)의 단자(171)와 도전부(110)의 제1 접촉부(112) 간의 접촉 시, 반도체 소자(170)의 정렬이 틀어진 상태로 가이드 부재(150)에 접촉되어도 가이드 부재의 제2 관통공(151)이 종래와 달리 확장되지 않은 상태로 형성한 것에 의해 종래의 관통공이 확장된 구조에서 발생되는 하나의 단자(171)와 두개의 제1 접촉부(112)와 접촉되어 발생되는 쇼트 문제를 방지할 수 있다.4C, upon contact between the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the first contact portion 112 of the conductive portion 110 for the test of the semiconductor element 170, the semiconductor element 170 Is formed in a state in which the second through hole 151 of the guide member does not extend unlike the conventional one even if the guide member 150 contacts the guide member 150 in a state where the alignment of the guide member 150 is changed. It is possible to prevent a short circuit problem caused by contact between the terminal 171 and the two first contact portions 112.

본 발명의 실시예에 따른 내구성 보강 부재(140)의 두께(T1)는 내구성 보강 부재(140)와 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)의 0.2 ~ 0.8배로 형성된 것이 제시된다. 예를 들어, 내구성 보강 부재(140)의 두께(T1)는 내구성 보강 부재(140)와 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)가 100um일 경우 내구성 보강 부재(140)의 두께(T2)는 20um ~ 80um 내에서 형성하는 것이 바람직하다.The thickness T1 of the durability reinforcing member 140 according to the embodiment of the present invention is formed to be 0.2 to 0.8 times the thickness T2 of the durability reinforcing member 140 and the guide member 150 combined. For example, the thickness T1 of the durability enhancing member 140 is set such that the thickness T2 of the durability enhancing member 140 when the thickness T2 of the durability enhancing member 140 and the guide member 150 is 100 mu m It is preferably formed within the range of 20um to 80um.

즉, 내구성 보강 부재(140)의 두께(T1)를 내구성 보강 부재(140)와 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)에 비해 0.2배 보다 작게 형성할 경우에는 절연부(130)의 내구성을 보강하는 역할을 할 수 없어, 도전부(110)의 휨 현상, 열에 의한 변형 및 도전성 입자(110a)의 이탈을 방지할 수 없으며, 내구성 보강 부재(140)의 두께(T1)를 내구성 보강 부재(140)와 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)에 비해 0.8배 보다 크게 형성할 경우에는 가이드 부재(140)의 두께가 얇아짐에 따라 가이드 부재(140)의 역할을 수행할 수 없어 종래의 문제점과 같은 문제가 발생하여 내구성 보강 부재(140)의 두께(T1)는 가이드 부재(150)의 두께(T2)의 0.2 ~ 0.8배로 형성하는 것이 바람직한 것이다.That is, when the thickness T1 of the durability reinforcing member 140 is less than 0.2 times the thickness T2 of the durability enhancing member 140 and the guide member 150, the durability of the insulating portion 130 The deformation of the conductive part 110 and the detachment of the conductive particles 110a can not be prevented and the thickness T1 of the durability reinforcing member 140 can be prevented from being increased by the durability reinforcing member The thickness of the guide member 140 and the thickness of the guide member 150 may be 0.8 times larger than the sum of the thickness T2 of the guide member 140 and the guide member 150. Therefore, It is preferable that the thickness T1 of the durability reinforcing member 140 is formed to be 0.2 to 0.8 times the thickness T2 of the guide member 150. [

또한, 본 발명의 실시예에 따른 내구성 보강 부재(140)와 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)는 검사용 소켓의 전체 두께(T3)의 0.1 ~ 0.5배로 형성된 것이 제시된다.It is also shown that the thickness T2 of the durability reinforcing member 140 and the guide member 150 according to the embodiment of the present invention is 0.1 to 0.5 times the total thickness T3 of the test socket.

이때, 내구성 보강 부재(140)와 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)를 검사용 소켓의 전체 두께(T3)에 비해 0.1배 보다 작게 형성할 경우에는 두께가 얇아져 내구성 보강 부재(140) 및 가이드 부재(150)의 역할을 수행할 수 없으며, 내구성 보강 부재(140)와 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)를 검사용 소켓의 전체 두께(T3)에 비해 0.8배 보다 크게 형성할 경우에는 자기력의 방해로 도전성 입자(110a)의 결합력 저하 및 기포 발생으로 인해 제품 품질이 저하되는 현상이 발생하여 내구성 보강 부재(140)와 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)는 검사용 소켓의 전체 두께(T3)의 0.1 ~ 0.5배로 형성하는 것이 바람직한 것이다.If the thickness T2 of the durability reinforcing member 140 and the guide member 150 is less than 0.1 times the total thickness T3 of the test socket, the thickness of the durability enhancing member 140 and the guide member 150 may be reduced. When the thickness T2 of the durability enhancing member 140 and the guide member 150 is greater than 0.8 times the total thickness T3 of the test socket, The thickness T2 of the durability enhancing member 140 combined with the guide member 150 is lower than the thickness T2 of the test socket 150 due to the lowering of the bonding force of the conductive particles 110a due to the magnetic force, It is preferable that the thickness T3 is 0.1 to 0.5 times the total thickness T3.

한편, 내구성 보강 부재(140) 및 가이드 부재(150)를 다른 경도의 동일한 재질에 의해 일체로 경화시켜 제조할 경우, 내구성 보강 부재(140) 및 가이드 부재(150)의 두께가 다르기 때문에 다른 점성 및 다른 경화 조건에 의해 경화되지 않는 부분이 발생하게 되고, 경화되지 않은 부분은 재질의 유동성에 의한 불균일성 및 열 변형이 발생하는 문제가 있어 내구성 보강 부재(140) 및 가이드 부재(150)는 서로 다른 재질의 다른 경도를 가지도록 형성하는 것이 바람직하다.On the other hand, when the durability reinforcing member 140 and the guide member 150 are integrally cured by the same material having different hardness, the thicknesses of the durability reinforcing member 140 and the guide member 150 are different, The durability reinforcing member 140 and the guide member 150 may be formed of different materials (e.g., a material different from the material of the durability reinforcing member 140) It is preferable to form it so as to have a different hardness.

본 발명의 실시예에 따르면, 가이드 부재(140)의 상단에는 반도체 소자(170)의 단자(171)와 제1 접촉부(112) 간의 접촉 간격을 유지하기 위한 간격 유지 부재(160)가 더 설치되고, 간격 유지 부재(160)에는 반도체 소자(170)의 단자(171)가 제1 접촉부(112)와 접촉될 수 있도록 제3 관통홀(161)이 형성된다.According to the embodiment of the present invention, a gap holding member 160 is further provided at an upper end of the guide member 140 to maintain a contact distance between the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the first contact portion 112 A third through hole 161 is formed in the gap holding member 160 so that the terminal 171 of the semiconductor element 170 can be brought into contact with the first contact portion 112.

이때, 간격 유지 부재(160)는 가이드 부재(150)로 사용된 연성 실리콘 필름 보다 경도가 높은 폴리이미드 필름이 사용된다.At this time, the interval holding member 160 is made of a polyimide film having a hardness higher than that of the soft silicone film used as the guide member 150.

즉, 간격 유지 부재(160)는 반도체 소자의 테스트 시, 반도체 소자에 과도한 접촉 압력이 발생될 경우 단자(171)와 제1 접촉부(112)가 과도하게 접촉될 뿐만 아니라 연성 실리콘 필름이 사용된 가이드 부재(150)와도 과도하게 접촉되어 검사용 소켓이 파손될 수 있다. 이를 방지하기 위해 가이드 부재(150) 보다 경도가 높은 재질로 형성된 간격 유지 부재(160)가 설치된 것이다.That is, in the test of the semiconductor device, when the excessive contact pressure is generated in the semiconductor element, the gap holding member 160 not only makes the terminal 171 and the first contact portion 112 excessively contact with each other, Excessive contact with the member 150 may result in breakage of the inspection socket. In order to prevent this, a gap holding member 160 formed of a material having a hardness higher than that of the guide member 150 is provided.

한편, 간격 유지 부재(160)의 제3 관통홀(161)의 상단은 반도체 소자의 단자(171)가 파손되는 것을 방지하기 위해 확장되도록 형성될 수 있다. 이때, 제3 관통홀(161)의 확장은 모따기 가공에 의해 확장될 수 있다.Meanwhile, the upper end of the third through hole 161 of the gap holding member 160 may be formed to expand to prevent the terminal 171 of the semiconductor element from being broken. At this time, the expansion of the third through-hole 161 can be expanded by chamfering.

즉, 간격 유지 부재(160)의 제3 관통홀(161)의 상단을 확장시킬 수 있는 것은 간격 유지 부재(160)의 제3 관통홀(161) 내부에는 도전부(110)의 제1 접촉부(112)가 설치되지 않기 때문에 가능한 것이다. That is, the upper end of the third through hole 161 of the gap maintaining member 160 can be expanded because the first contact portion (not shown) of the conductive portion 110 is formed in the third through hole 161 of the gap maintaining member 160 112) is not installed.

따라서, 제3 관통홀(161)의 상단은 간격 유지 부재(160) 상에서 최대한 확장시킬 수 있으며, 이로 인해 반도체 소자(170)의 테스트 시, 반도체 소자(170)의 단자(171)가 안내되는 공간이 확보되어 반도체 소자(170)의 단자(171)와 간격 유지 부재(160) 간의 접촉으로 인해 파손되는 현상을 방지할 수 있다.Therefore, the upper end of the third through hole 161 can be extended as much as possible on the gap holding member 160, and therefore, when the semiconductor element 170 is tested, the terminal 171 of the semiconductor element 170 is guided It is possible to prevent the semiconductor element 170 from being damaged due to contact between the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the gap maintaining member 160.

본 발명의 실시예에 따른 가이드 부재(150)는 열전도율이 높은 산화알루미늄 재료를 포함하여 제조할 수 있다. 즉, 가이드 부재(150)에 산화알루미늄을 첨가하여 제조함에 따라 검사용 소켓(100)에서 발생되는 열을 외부로 원활하게 방열시킬 수 있어 전기적, 기계적인 특성이 저하되는 것을 방지하여 검사용 소켓의 수명을 향상시킬 수 있다.The guide member 150 according to the embodiment of the present invention can be manufactured by including an aluminum oxide material having a high thermal conductivity. That is, since aluminum oxide is added to the guide member 150, the heat generated in the test socket 100 can be dissipated smoothly to the outside, thereby preventing deterioration of electrical and mechanical characteristics, The life can be improved.

다시 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 발명에 따른 따른 검사용 소켓(100)의 작용을 설명하면 이하와 같다.3 to 5, the operation of the inspection socket 100 according to the present invention will be described below.

먼저, 검사용 소켓(100)이 설치된 테스트 보드(180)가 준비된다. 이때 도전부(110)의 제2 접촉부(113)는 테스트 보드(180)의 도전 패드(181)에 접촉하여 전기적으로 연결된다. 검사용 소켓(100)의 상부로 이송된 반도체 소자(170)의 단자(171)는 도전부(110)의 제1 접촉부(112)를 소정의 압력으로 가압하여 탄성적으로 접촉됨으로써 전기적으로 연결된다.First, a test board 180 provided with a test socket 100 is prepared. At this time, the second contact portion 113 of the conductive portion 110 contacts and is electrically connected to the conductive pad 181 of the test board 180. The terminal 171 of the semiconductor element 170 transferred to the upper portion of the inspection socket 100 is electrically connected by being elastically contacted by pressing the first contact portion 112 of the conductive portion 110 at a predetermined pressure .

이와 같은 상태에서 테스트 보드(180)를 통하여 테스트 신호가 검사용 소켓(100)을 매개로 반도체 소자(170)로 전달되어 테스트 공정이 이루어진다. In this state, a test signal is transmitted to the semiconductor device 170 through the test socket 100 through the test board 180, and a test process is performed.

이때, 도전부(110)를 포함하여 검사용 소켓(100)은 탄성을 갖기 때문에, 반도체 소자(170)의 단자(171)가 도전부(110)의 제1 접촉부(112)를 소정의 압력으로 가압하게 되고 단자(171)에 의해 도전부(110)의 제1 접촉부(112)가 눌리면서 단자(171)의 외주면을 감싼 상태로 전기적 접촉을 구현한다.Since the test socket 100 including the conductive part 110 has elasticity, the terminal 171 of the semiconductor element 170 can contact the first contact part 112 of the conductive part 110 at a predetermined pressure And the first contact portion 112 of the conductive portion 110 is pressed by the terminal 171 to realize the electrical contact with the outer peripheral surface of the terminal 171 wrapped around.

이때, 절연부(130) 상단에 설치된 내구성 보강 부재(140)에 의해 절연부(130)의 내구성이 증대되어 도전성 입자(110a)가 외부로 이탈되는 것이 방지된다.At this time, the durability of the insulating part 130 is increased by the durability reinforcing member 140 provided at the upper end of the insulating part 130, so that the conductive particles 110a are prevented from being deviated to the outside.

또한, 내구성 보강 부재(140) 상단에 설치된 가이드 부재(150)에 의해 반도체 소자(170)의 단자(171)와 제1 접촉부(112) 간의 접촉 위치를 안내할 수 있는 것과 더불어 가이드 부재(150)가 연성의 실리콘 필름이 사용됨에 따라 반도체 소자(170)의 정렬이 틀어져도 단자(171)의 파손, 단자(171)와 제1 접촉부재(112) 간의 접촉 불량으로 오픈되는 현상 및 단자(171)와 두개의 도전부(110)의 제1 접촉부(112) 간의 접촉되어 쇼트되는 현상을 방지할 수 있다.The guide member 150 can guide the contact position between the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the first contact portion 112 by means of the guide member 150 provided at the upper end of the durability reinforcing member 140, Even if the semiconductor element 170 is misaligned due to the use of the flexible silicone film, the terminal 171 is broken and the terminal 171 is opened due to a contact failure between the first contact member 112 and the terminal 171, And the first contact portion 112 of the two conductive portions 110 are short-circuited.

이상으로 본 발명에 관하여 실시예를 들어 설명하였지만 반드시 이에 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서는 얼마든지 수정 및 변형 실시가 가능하다. Although the present invention has been described by way of examples, the present invention is not limited thereto, and modifications and variations are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

100: 검사용 소켓 110: 도전부
111: 몸체부 112: 제1 접촉부
113: 제2 접촉부 130: 절연부
140: 내구성 보강 부재 141: 제1 관통공
150: 가이드 부재 151: 제2 관통공
160: 간격 유지 부재 161: 제3 관통공
170: 반도체 소자 171: 단자
180: 테스트 보드 181: 도전 패드100: Test socket 110: Conductive part
111: body portion 112: first contact portion
113: second contact portion 130: insulating portion
140: durability reinforcing member 141: first through hole
150: guide member 151: second through hole
160: spacing member 161: third through hole
170: semiconductor element 171: terminal
180: test board 181: conductive pad

Claims (10)

실리콘 고무로 이루어진 절연부(130);
복수의 도전성 입자(110a) 및 실리콘 고무가 융합되어 상기 절연부(130)를 관통하도록 설치된 적어도 하나의 도전부(110);
상기 절연부(130) 상단에 설치되며, 상기 실리콘 고무로 형성된 절연부(130)의 내구성을 강화 시켜 도전성 입자가 외부로 이탈되는 것을 방지하는 내구성 보강 부재(140); 및
상기 내구성 보강 부재(140)의 상단에 설치되며, 반도체 소자(170)의 단자(171)와 도전부(110) 간의 접촉 위치를 안내하는 가이드 부재(150);를 포함하는 것을 특징으로 하되,
상기 도전부(110)는 외관을 이루는 몸체부(111); 상기 몸체부(111)의 일측에 제공되어 테스트를 받을 반도체 소자(170)의 단자(171)와 접촉되는 제1 접촉부(112); 그리고, 상기 몸체부(111)의 타측에 제공되어 테스트 보드(180)의 도전 패드(181)와 접촉되는 제2 접촉부(113);를 포함하고,
상기 가이드 부재(150)의 상단에는 상기 반도체 소자(170)의 단자(171)와 제1 접촉부(112) 간의 접촉 간격을 유지하기 위한 간격 유지 부재(160)가 더 설치되며,
상기 내구성 보강 부재(140)는 폴리이미드 필름이 사용되고, 상기 가이드 부재(150)는 내구성 보강 부재(140) 보다 경도가 낮은 연성 실리콘 필름이 사용되며, 상기 간격 유지 부재(160)는 상기 가이드 부재(150)로 사용된 연성 실리콘 필름 보다 경도가 높은 폴리이미드 필름이 사용되고,
상기 가이드 부재(150)는
상기 도전부(110)에서 발열되는 열을 방열시키기 위해 열전도율이 높은 재질인 산화알루미늄 재질을 포함하여 제조된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.An insulation part 130 made of silicone rubber;
At least one conductive part (110) fused with the plurality of conductive particles (110a) and the silicone rubber to penetrate the insulating part (130);
A durability reinforcing member 140 installed at an upper end of the insulation part 130 for preventing durability of the insulation part 130 formed of the silicone rubber and preventing the conductive particles from being released to the outside; And
And a guide member 150 provided at an upper end of the durability enhancing member 140 and guiding a contact position between the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the conductive portion 110,
The conductive part 110 includes a body part 111 forming an outer appearance; A first contact portion 112 provided on one side of the body portion 111 and in contact with a terminal 171 of the semiconductor device 170 to be tested; And a second contact portion 113 provided on the other side of the body portion 111 and in contact with the conductive pad 181 of the test board 180,
An interval holding member 160 is further provided at an upper end of the guide member 150 to maintain a contact distance between the terminal 171 of the semiconductor element 170 and the first contact portion 112,
A polyimide film is used as the durability reinforcing member 140 and a soft silicone film having a hardness lower than that of the durability reinforcing member 140 is used as the guide member 150, 150) is used as the soft silicone film,
The guide member (150)
And an aluminum oxide material having a high thermal conductivity to dissipate heat generated from the conductive part (110). 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 내구성 보강 부재(140)에는 상기 제1 접촉부(112)가 관통 설치되도록 제1 관통홀(141)이 형성되며, 상기 가이드 부재(150)에는 상기 내구성 보강 부재(140)의 제1 관통홀(141)에 관통 설치된 제1 접촉부(112)가 관통 설치되도록 제2 관통홀(151)이 형성된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.The method according to claim 1,
A first through hole 141 is formed in the durability reinforcing member 140 so that the first contact portion 112 is penetrated through the first durability reinforcing member 140. The first through hole 141 is formed in the durability reinforcing member 140, And a second through hole (151) is formed in such a manner that a first contact portion (112) provided through the through hole (141) is inserted through the through hole (151). 제 3 항에 있어서,
상기 내구성 보강 부재(140) 및 가이드 부재(150)는 각각 제조하여 결합시킨 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.The method of claim 3,
Wherein the durability enhancing member (140) and the guide member (150) are respectively manufactured and coupled. 제 4 항에 있어서,
상기 내구성 보강 부재(140)의 두께(T1)는 상기 내구성 보강 부재(140)와 상기 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)의 0.2 ~ 0.8배로 형성된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.5. The method of claim 4,
Wherein the thickness T1 of the durability enhancing member 140 is 0.2 to 0.8 times the thickness T2 of the durability enhancing member 140 and the guide member 150. [ 제 5 항에 있어서,
상기 내구성 보강 부재(140)와 상기 가이드 부재(150)가 합쳐진 두께(T2)는 상기 검사용 소켓의 전체 두께(T3)의 0.1 ~ 0.5배로 형성된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.6. The method of claim 5,
Wherein the thickness T2 of the durability reinforcing member 140 and the guide member 150 is 0.1 to 0.5 times the total thickness T3 of the test socket. 제 6 항에 있어서,
상기 간격 유지 부재(160)에는 반도체 소자(170)의 단자(171)가 제1 접촉부(112)와 접촉될 수 있도록 제3 관통홀(161)이 형성된 것을 특징으로 하는 검사용 소켓. The method according to claim 6,
Wherein a third through hole (161) is formed in the gap holding member (160) so that the terminal (171) of the semiconductor element (170) can be in contact with the first contact portion (112). 삭제delete 제 7 항에 있어서,
상기 제3 관통홀(161)의 상단은 반도체 소자(170)의 단자(171)와 간격 유지 부재(160) 간의 접촉을 방지하기 위해 모따기 가공에 의해 확장되도록 형성한 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.8. The method of claim 7,
Wherein an upper end of the third through hole (161) is formed by chamfering to prevent contact between the terminal (171) of the semiconductor element (170) and the gap holding member (160). 삭제delete
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