KR101705435B1 - 액정 디스플레이 및 그 엘리먼트 기판 - Google Patents
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Abstract
기판, 금속 층 및 평탄화 층을 포함하는 엘리먼트 기판이 제공된다. 금속 층은 기판 상에 위치된다. 금속 층은 제1 방향으로 제1 에지를 갖는다. 평탄화 층은 금속 층 상에 위치된다. 평탄화 층은 콘택 홀을 포함한다. 콘택 홀은 인접하는 벽 및 바닥부 면을 갖는다. 금속 층은 바닥부 면에서 노출된다. 수직 평면 상의 인접하는 벽의 등고선은 곡선형 라인이다. 제1 에지는 등고선 상의 임계점과 수직으로 대응한다. 등고선의 임계점 상의 탄젠트 라인의 기울기는 0.176보다 작다.
Description
이 출원은 2014년 7월 17일자로 출원된 대만 특허 출원 제103124494호를 우선권으로 주장하며, 그 모든 내용은 인용에 의해 본원에 포함된다.
본 발명은 액정 디스플레이에 관련되며, 특히 적어도 하나의 콘택 홀을 갖는 액정 디스플레이에 관련된다.
액정 디스플레이에서, 픽셀 전극과 소스 전극 사이에서 전도시키는데 콘택 홀이 이용된다. 그러나 도 1을 참고하여, 액정 분자들(2)은 콘택 홀(1)의 프로파일을 따라 배열된다. 콘택 홀(1)은 퍼널(funnel) 구조물과 유사하고, 광 누설(leakage)이 콘택 홀(1)의 프로파일을 따라 배열된 액정 분자들(2)로 인하여 발생하며, 액정 디스플레이의 콘트라스트가 감소된다.
종래에는, 도 1을 참고하면, 바닥부 콘택 홀(1)에서 소스 전극(3)의 면적은 광 누설 액정 분자들(2)을 커버하기 위하여 그리고 액정 디스플레이의 콘트라스트를 향상시키기 위하여 증가된다. 그러나 이 방법은 종횡비 및 액정 디스플레이의 조명을 감소시키며, 향상된 해법이 요구된다.
발명의 일 실시예에서, 엘리먼트 기판이 제공되며, 이 엘리먼트 기판은, 기판, 금속층 및 평탄화 층을 포함한다. 금속 층은 기판 상에 배치되고, 금속 층은 제1 방향을 따라 제1 폭을 갖는다. 평탄화 층은 금속 층 상에 위치되며, 평탄화 층은 콘택 홀을 포함하고, 콘택 홀은 인접하는 벽 및 바닥부를 갖고, 바닥부는 금속 층을 노출시키고, 콘택 홀의 바닥부는 상기 제1 방향을 따라 제2 폭을 가지고, 제1 폭 및 제2 폭은 하기의 식을 충족하고;
L1은 제1 방향에 따른 제1 폭이고, L2는 제1 방향에 따른 제2 폭이고, h는 평탄화 층의 두께이고, θ는 바닥부의 확장면과 직선 사이의 협각이고, 직선은 참조점(reference point)과 기준점(base point)을 연결하고, 참조점 및 기준점은 인접하는 벽 상에 위치되고, 상기 참조점으로부터 제2 방향에 따른 상기 평탄화 층의 바닥부까지의 수직 거리는 0.95h이다. 기준점은 인접하는 벽이 바닥부에 연결되는 지점에 위치되고, p는 조정가능 파라미터이고, 이다.
발명의 실시예를 이용하여, 액정 디스플레이의 종횡비 및 광선 투과율(light transmittance)(어두운 상태에서의 콘트라스트)은 최적화되고, 광 누설 및 낮은 콘트라스트 문제가 방지된다.
첨부된 도면들을 참고하여 하기의 실시예들에서 상세한 설명이 주어진다.
본 발명은 후속하는 첨부 도면들을 참고한 상세한 설명 및 예들을 판독함으로써 더욱 잘 이해될 수 있다.
도 1은 종래의 액정 디스플레이의 엘리먼트 기판을 보여준다.
도 2는 발명의 실시예의 엘리먼트 기판을 보여준다.
도 3a는 액정 디스플레이에서 이용되는 발명의 실시예의 엘리먼트 기판을 보여준다.
도 3b는 도 3a의 부분(3B)의 구조를 상세히 보여준다.
도 4는 발명의 변경된 실시예의 엘리먼트 기판을 보여준다.
도 5는 발명의 실시예의 액정 디스플레이를 보여준다.
도 6은 금속 층의 실제 폭 및 설계된 폭을 보여준다.
도 2는 발명의 실시예의 엘리먼트 기판을 보여준다.
도 3a는 액정 디스플레이에서 이용되는 발명의 실시예의 엘리먼트 기판을 보여준다.
도 3b는 도 3a의 부분(3B)의 구조를 상세히 보여준다.
도 4는 발명의 변경된 실시예의 엘리먼트 기판을 보여준다.
도 5는 발명의 실시예의 액정 디스플레이를 보여준다.
도 6은 금속 층의 실제 폭 및 설계된 폭을 보여준다.
하기의 설명은 발명을 실행하는 최상으로 고려되는 모드에 대한 것이다. 이 설명은 발명의 일반적 원리를 예시하기 위한 목적으로 행해진 것이 아니며, 제한을 의도로 취해져서는 안 된다. 발명의 범위는 첨부된 청구항들을 참고하여 가장 잘 결정된다.
도 2는 발명의 실시예의 엘리먼트 기판(100)을 도시하며, 이는 기판(110), 금속 층(120) 및 평탄화 층(130)을 포함한다. 금속 층(120)은 기판(110) 상에 배치되고, 금속 층(120)은 제1 방향(X)을 따라 제1 폭(L1)을 갖는다. 평탄화 층(130)은 금속 층(120) 상에 위치되고, 평탄화 층(130)은 콘택 홀(131)을 포함하고, 콘택 홀(131)은 인접하는 벽(132) 및 바닥부(133)를 갖고, 바닥부(133)는 금속 층(120)을 노출시키고, 콘택 홀(131)의 바닥부(133)는 제1 방향(X)을 따라 제2 폭(L2)을 갖는다.
출원인은 액정 분자들이 인접하는 벽(132)을 따라 배열되고, 광선 투과율(어두운 상태에서의 콘트라스트)이 인접하는 벽(132)의 기울기와 함께 변화됨을 발견하였다. 인접하는 벽(132)의 탄젠트 기울기가 약 tan 10°인 위치에서, 광 누설은 수용가능하고, 액정 디스플레이의 콘트라스트는 허가된다. 금속 층(120)의 에지가 임계점(136)으로 연장될 때(인접하는 벽(132)의 탄젠트 기울기가 약 tan 10°인 위치), 종횡비 및 광선 투과율(어두운 상태에서의 콘트라스트)은 최적화된다.
도 2를 참고하여, 출원인은 곡선식들로부터 제1 폭 및 제2 폭이 하기 식을 충족할 때 종횡비 및 광선 투과율(어두운 상태에서의 콘트라스트)이 최적화된다는 것을 발견하였다:
여기서 L1은 제1 방향(X)에 따른 금속 층(120)의 제1 폭이고, L2는 제1 방향(X)에 따른 콘택 홀(131)의 바닥부(133)의 제2 폭이고, h는 평탄화 층의 두께이고, θ는 바닥부의 확장면과 직선(L) 사이의 협각이다. 직선(L)은 참조점(134)과 기준점(135)을 연결하고, 참조점(134) 및 기준점(135)은 인접하는 벽(132) 상에 위치되고, 상기 참조점(134)으로부터 제2 방향에 따른 상기 평탄화 층의 바닥부까지의 수직 거리는 0.95h이다. 기준점(135)은 인접하는 벽(132)이 바닥부(133)에 연결되는 지점에 위치되고, ±1.8이 공차이다. 상기 파라미터들을 변경함으로써, 인접하는 벽(132)의 곡률 및 형상이 변경될 수 있다.
도 2를 참고하여, 곡선식의 도함수는 하기의 공식에서 표현된다.
먼저, 곡선 적합(curve fitting)(추정)은 콘택 홀의 인접하는 벽의 곡선식을 추정하면 다음과 같다:
수학식 (1)에서, 인접하는 벽의 점근선(asymptote)들만이 정의되고, 수학식 (1)은 X축 및 Y축에 관하여 조절되어야 한다.
다음으로, (참조점(134), 기준점(135) 및 협각(θ)에 관한) 곡선 적합은 평탄화 층(130)의 상단과 참조점(134) 사이의 거리가 평탄화 층(130)의 두께(h)의 p배이고, 식 equation f(R’)를 충족하며, 참조점(134)과 기준점(135) 사이의 수평 거리가 R’라면, 다음과 같다:
수정 파라미터(α)가 달성된다.
다음으로, 직선(L)은 참조점(134) 및 기준점(135)을 연결하고, 직선과 수평 라인 사이의 협각은 θ이며, 그 후;
재료 특성(θ)이 얻어진다.
다음으로, 참조점과 평탄화 층의 바닥부 사이의 제2 방향에 따른 수직 거리는 0.95h이다. 식(2)와 식(3)의 식들을 조합함으로써, 다음을 얻을 수 있다:
수정 파라미터(α)가 달성된다.
다음으로, 수평 라인과 기준점(135)에서의 절단선(L') 사이의 협각(β)은 평탄화 층(130)의 곡선의 각도를 규정하고, 협각(β)은 실질적으로 1.5θ와 동일하다. 따라서, 추가로 곡선식을 수정(각도 수정)함으로써, 다음을 얻을 수 있다:
콘택 홀의 곡선식이 달성된다.
다음으로, R=R0+R', 이 식을 상기 식에 적용하여, 다음을 얻을 수 있다:
콘택 홀의 실제 곡선식이 달성된다.
다음으로, 상기 언급된 바와 같이, 인접하는 벽(132)의 탄젠트 기울기가 약 탄젠트 10°인 위치에서, 광 누설은 수용가능하고, 액정 디스플레이의 콘트라스트는 허가된다. 금속 층(120)의 에지가 임계점(136)(인접하는 벽(132)의 탄젠트 기울기가 약 탄젠트 10°인 위치)까지 연장될 때, 종횡비 및 광선 투과율(어두운 상태에서의 콘트라스트)이 최적화된다. 제1 방향에 따른 금속 층의 제2 폭의 절반의 식은 다음과 같다:
±1.8이 수용가능한 제조 공차인 것으로 고려하면, 제1 폭 및 제2 폭이 다음의 식을 충족할 때, 종횡비 및 광선 투과율(어두운 상태에서의 콘트라스트)는 최적화된다:
일 실시예에서, 협각(θ)은 20~40도, 예컨대 25~35도이다.
도 2를 참고하여, 엘리먼트 기판(100)은 평탄화 층(130) 상에 배치된 도전성 층(140)을 더 포함하며, 도전성 층(140)은 콘택 홀(131)을 통해 금속 층(120)에 전기적으로 연결된다. 도전성 층(140)은 투명 재료 또는 금속으로 이루어진다.
일 실시예에서, 금속 층은 구동 엘리먼트의 소스 전극 또는 드레인 전극이다. 일 실시예에서, 엘리먼트 기판(100)은 금속 층(120)과 기판(110) 사이에 위치된 반도체 층(137)을 더 포함한다. 반도체 층(137)은 다결정 실리콘, 비결정질 실리콘 또는 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
도 3a는 액정 디스플레이(200)에서 이용되는 발명의 실시예의 엘리먼트 기판을 보여주며, 이는 활성 영역(픽셀 영역)(A) 및 비활성 영역(B)을 포함한다. 도 3b는 도 3a의 부분(3B)의 상세한 구조들을 보여주며, 여기서 액정 디스플레이(200)는 스캔 라인들(201), 데이터 라인들(202), 반도체 층(203), 소스 전극들(240), 콘택 홀(231), 콘택 홀의 바닥부(233), 드레인 전극들(204), 공통 전극들(205) 및 픽셀 전극들(210)을 더 포함하며, 이들은 활성 영역(A)에 위치된다. 발명의 실시예에서, 금속 층(120)은 소스 전극들(240), 드레인 전극들(204), 스캔 라인들(201) 및 신호 라인들(202)을 포함한다.
도 2를 참고하여, 다른 실시예에서, 금속(120)은 제1 방향(X)을 따르는 제1 에지(121)를 포함하고, 제1 에지(121)는 인접하는 벽(132) 상에 있는 임계점(136)에 수직으로 대응하고, 임계점(136)에서의인접하는 벽(132)의 탄젠트 기울기는 탄젠트 10°(0.176) 미만이다. 기준점(135)은 인접하는 벽(132)이 바닥부(133)에 연결되는 지점에 위치된다. 직선(L)은 참조점(134) 및 기준점(135)을 연결한다. 협각(θ)은 직선(L)과 수평 라인 사이에 있으며, 협각(θ)은 20~40 도, 예컨대, 25~35도이다. 금속 층(120)은 제1 방향(X)을 따라 제1 폭(L1)을 갖고, 콘택 홀(131)의 바닥부(133)는 제1 방향(X)을 따라 제2 폭(L2)을 가지며, 제1 폭 및 제2 폭은 다음의 식을 충족시킨다:
L1은 제1 방향(X)을 따르는 금속 층(120)의 제1 폭이고, L2는 제1 방향(X)을 따르는 콘택 홀(131)의 바닥부(133)의 제2 폭이고, p는 조정가능 파라미터이고, (1-p)h은 수직 방향의 참조점의 높이이며, , 예컨대 이다. 상기 파라미터들을 변경함으로써, 인접하는 벽(132)의 곡률 및 형상은 변경될 수 있다.
상기 실시예들에서, 콘택 홀은 활성 영역(픽셀 영역)(A) 내에 있다. 그러나 발명은 이에 의해 제한되지 않는다. 발명의 실시예의 콘택 홀 구조물은 또한 비활성 영역(B) 내에 위치될 수 있다. 도 4를 참고하여, 일 실시예에서, 콘택 홀(131') 내의 도전성 층(140)은 데이터 라인(202)에 연결되고, 콘택 홀(131')의 프로파일과 데이터 라인(202)의 폭 간의 관계는 상기 식들을 충족시킬 수 있다. 콘택 홀(131')은 게이트 절연 층(222) 및 평탄화 층(130) 상의 콘택 홀(131'')을 통해 스캔 라인(201)에 연결된다. 콘택 홀(131'')의 프로파일과 스캔 라인(201)의 폭 간의 관계는 상기 식들을 충족시킬 수 있다. 이 실시예에서, 데이터 라인(202)과 스캔 라인(201) 사이에 게이트 절연 층(222)이 형성된다.
도 5는 발명의 실시예의 액정 디스플레이(200)를 보여주며, 이는 대향 기판(260), 액정 층(250) 및 엘리먼트 기판(100)을 포함한다.
표 1 및 도 6을 참고하여, 발명의 실시예에서, 금속 층(M2)(120)의 폭은 ±1.8의 공차를 갖는다.
샘플 1 | 샘플 2 | 샘플 3 | 샘플 4 | 샘플 5 | |
금속 층(M2)의 설계된 폭 | 14.54 | 6.42 | 8.69 | 8.12 | 12.07 |
금속 층(M2)(120)의 실제 폭 | 15.37 | 7.66 | 7.41 | 7.79 | 11.52 |
공차 | 0.83 | 1.24 | -1.28 | -0.33 | -0.55 |
발명의 실시예를 이용하면, 액정 디스플레이의 종횡비 및 광선 투과율(어두운 상태에서의 콘트라스트)은 최적화되고, 광 누설 및 낮은 콘트라스트 문제가 방지된다.
청구 요소를 변경하기 위한 청구항들에서 "제1", "제2", "제3" 등과 같은 순서적 용어들의 사용은 혼자서 어떠한 우선순위, 우선함, 또는 하나의 청구항 요소의 다른 청구항 요소에 대한 순서, 또는 방법 동작들이 수행되는 시간적 순서를 지시할 수 없으나, 단지 특정 이름을 갖는 하나의 청구항 요소를 (순서적 용어의 사용을 위한) 동일한 이름을 갖는 다른 요소로부터 구분하기 위한 라벨들로서 사용된다.
발명은 예시 및 선호 실시예들의 관점에서 설명되었으나, 발명이 개시된 실시예들로 제한되지 않음이 이해될 것이다. 대조적으로, (본 기술분야의 당업자들에게 명백한 바와 같이) 이것은 다양한 변형들 및 유사한 배열들을 커버하도록 의도된다. 따라서, 첨부된 청구항들의 범위는 모든 그러한 변형들 및 유사한 배열들을 포괄하도록 가장 넓은 해석을 따라야만 한다.
Claims (18)
- 엘리먼트 기판에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 배치되고, 제1 방향을 따라 제1 폭을 갖는 금속 층; 및
상기 금속 층 상에 배치되고, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 따라 제1 두께를 갖는 평탄화 층
을 포함하며, 상기 평탄화 층은 콘택 홀을 포함하고, 상기 콘택 홀은 측벽 및 홀 바닥부를 갖고, 상기 홀 바닥부는 상기 금속 층을 노출시키고, 상기 홀 바닥부는 상기 제1 방향을 따라 제2 폭을 가지고,
상기 제1 폭 및 상기 제2 폭은 하기의 식을 충족하고;
L1은 상기 제1 폭이고, L2는 상기 제2 폭이고, h는 상기 제1 두께이고, θ는 상기 홀 바닥부의 확장면과 직선 사이의 협각이고, 상기 직선은 참조점(reference point)과 기준점(base point)을 연결하고, 상기 참조점 및 상기 기준점은 상기 측벽 상에 위치되고, 상기 참조점으로부터 상기 제2 방향에 따른 상기 평탄화 층의 바닥부까지의 수직 거리는 0.95h이고, 상기 기준점은 상기 측벽이 상기 홀 바닥부에 연결되는 지점에 위치되고, p는 조정가능 파라미터이고, 인 것인, 엘리먼트 기판. - 제1항에 있어서,
상기 조정가능 파라미터(p)는 0.05인 것인, 엘리먼트 기판. - 제1항에 있어서,
상기 협각(θ)은 20도 내지 40도인 것인, 엘리먼트 기판. - 제1항에 있어서,
상기 협각(θ)은 25도 내지 35도인 것인, 엘리먼트 기판. - 제1항에 있어서,
상기 평탄화 층 상에 배치된 도전성 층을 더 포함하며, 상기 도전성 층은 상기 콘택 홀을 통해 상기 금속 층에 전기적으로 연결되는 것인, 엘리먼트 기판. - 제1항에 있어서,
상기 금속 층은 구동 엘리먼트의 소스 전극 또는 드레인 전극인 것인, 엘리먼트 기판. - 제1항에 있어서,
상기 금속 층은 구동 엘리먼트의 데이터 라인 또는 스캔 라인인 것인, 엘리먼트 기판. - 제5항에 있어서,
상기 도전성 층은 투명 재료로 제조되는 것인, 엘리먼트 기판. - 제1항에 있어서,
상기 금속 층과 상기 기판 사이에 위치되는 반도체 층을 더 포함하는 것인, 엘리먼트 기판. - 제9항에 있어서,
상기 반도체 층은 다결정 실리콘, 비결정질 실리콘 또는 금속 산화물로 제조되는 것인, 엘리먼트 기판. - 제5항에 있어서,
상기 도전성 층은 금속으로 제조되는 것인, 엘리먼트 기판. - 액정 디스플레이에 있어서,
대향 기판;
상기 대향 기판을 마주보는 엘리먼트 기판; 및
상기 대향 기판과 상기 엘리먼트 기판 사이에 배치되는 액정 층
을 포함하며, 상기 엘리먼트 기판은,
상기 기판 상에 배치되고, 제1 방향을 따라 제1 폭을 갖는 금속 층, 및
상기 금속 층 상에 배치되고, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 따라 제1 두께를 갖는 평탄화 층
을 포함하며, 상기 평탄화 층은 상단부 및 바닥부를 포함하고, 상기 제1 두께는 상기 제2 방향을 따라 상기 상단부와 상기 바닥부 사이의 거리이며,
상기 평탄화 층은 콘택 홀을 포함하고, 상기 콘택 홀은 측벽 및 홀 바닥부를 갖고, 상기 홀 바닥부는 상기 금속 층을 노출시키고, 상기 홀 바닥부는 상기 제1 방향을 따라 제2 폭을 가지고,
상기 제1 폭 및 상기 제2 폭은 하기의 식을 충족하고;
L1은 상기 제1 폭이고, L2는 상기 제2 폭이고, h는 상기 제1 두께이고, θ는 상기 홀 바닥부의 확장면과 직선 사이의 협각이고, 상기 직선은 참조점과 기준점을 연결하고, 상기 참조점 및 상기 기준점은 상기 측벽 상에 위치되고, 상기 참조점으로부터 상기 제2 방향에 따른 상기 평탄화 층의 바닥부까지의 수직 거리는 0.95h이고, 상기 기준점은 상기 측벽이 상기 홀 바닥부에 연결되는 지점에 위치되고, p는 조정가능 파라미터이고, 인 것인, 액정 디스플레이. - 제12항에 있어서,
상기 조정가능 파라미터(p)는 0.05인 것인, 액정 디스플레이. - 제12항에 있어서,
상기 협각(θ)은 20도 내지 40도인 것인, 액정 디스플레이. - 제12항에 있어서,
상기 협각(θ)은 25도 내지 35도인 것인, 액정 디스플레이. - 제12항에 있어서,
상기 평탄화 층 상에 배치된 도전성 층을 더 포함하며, 상기 도전성 층은 상기 콘택 홀을 통해 상기 금속 층에 전기적으로 연결되는 것인, 액정 디스플레이. - 제12항에 있어서,
상기 금속 층과 상기 기판 사이에 위치되는 반도체 층을 더 포함하는 것인, 액정 디스플레이. - 제17항에 있어서,
상기 반도체 층은 다결정 실리콘, 비결정질 실리콘 또는 금속 산화물로 제조되는 것인, 액정 디스플레이.
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