CN107608154B - 像素结构及其显示面板 - Google Patents

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Abstract

像素结构及其显示面板。像素结构包括第一基板、扫描线、第一像素、辅助电极、数据线及绝缘层。扫描线设置于第一基板上。第一像素设置于第一基板。第一像素包括第一像素电极及第一主动元件。第一像素电极电性连接第一主动元件。辅助电极设置于第一基板上。数据线设置于辅助电极上。数据线具有狭缝。狭缝于垂直投影方向上与辅助电极至少部分重叠。绝缘层设置于数据线与辅助电极之间。

Description

像素结构及其显示面板
技术领域
本发明涉及一种像素结构及其显示面板，且特别涉及一种可提高显示品质的像素结构及其显示面板。
背景技术
随着科技的进步，人们对显示面板的要求也越来越高，尺寸轻薄、高画质与省电成为目前显示面板发展的趋势。一般而言，显示面板的液晶分子容易受到来自数据线的串音(Cross talk)的干扰而影响显示品质，而产生例如是亮暗线等问题。因此，如此改善串音问题并提高显示器的开口率与穿透率，乃业界一直致力的课题之一。
发明内容
本发明涉及一种像素结构及其显示面板，用以提高显示装置的显示品质。
根据本发明的第一方面，提出一种像素结构。像素结构包括一第一基板、一扫描线、一第一像素、一辅助电极、一数据线及一绝缘层。扫描线设置于第一基板上。第一像素设置于第一基板。第一像素包括一第一像素电极及一第一主动元件。第一像素电极电性连接第一主动元件。辅助电极设置于第一基板上。数据线设置于辅助电极上。数据线具有一狭缝。狭缝于一垂直投影方向上与辅助电极至少部分重叠。绝缘层设置于数据线与辅助电极之间。
显示面板包括一像素结构、一第二基板及一显示介质层。像素结构包括一第一基板、一扫描线、一第一像素、一辅助电极、一数据线及一绝缘层。扫描线设置于第一基板上。第一像素设置于第一基板。第一像素包括一第一像素电极及一第一主动元件。第一像素电极电性连接第一主动元件。辅助电极设置于第一基板上。数据线设置于辅助电极上。数据线具有一狭缝。狭缝于一垂直投影方向上与辅助电极至少部分重叠。绝缘层设置于数据线与辅助电极之间。第二基板位于第一基板的对向侧。显示介质层位于第一基板与第二基板之间。
为了对本发明的上述及其他方面有优选的了解，下文特举实施例，并配合说明书附图详细说明如下：
附图说明
图1示出的根据一实施例的显示面板的像素结构的上视示意图。
图2示出的根据图1的扫描线与辅助电极的上视图。
图3示出的根据图1的数据线、源极与漏极的上视图。
图4示出的根据图1的A-A'剖面线的剖面图。
图5示出的根据另一实施例的显示面板的像素结构的上视示意图。
图6示出的根据图5的扫描线与辅助电极的上视图。
图7示出的根据图5的数据线、源极与漏极的上视图。
图8示出的根据图5的B-B'剖面线的剖面图。
图9示出的根据又另一实施例的辅助电极、数据线、源极与漏极的上视图。
图10示出的根据图9的C-C'剖面线的剖面图。
附图标记说明：
102：扫描线
104、204、204'：辅助电极
106、106'：数据线
107：源极
108A、108B、108C、108D：像素
109：漏极
110A、110B、110C、110D：像素电极
112A、112B、112C、112D：主动元件
113A、113B：色阻
114：通道层
115A、115B：侧边
116：导电元件
118、218：块部
120、220：第一延伸部
122、222：第二延伸部
124A、124B：宽部
126A、126B：窄部
128：连接部
130：狭缝
144A、144B：外侧表面
150、151：穿孔
152、153：缺陷
154：数据线的上半部
155：数据线的下半部
246：连结部
348：切割线
3：焊接导体
L：激光
G：栅极
P：像素结构
D1：第一方向
D2：第二方向
D3：第三方向
A-A'：剖面线
B-B'：剖面线
具体实施方式
在下文中将参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本发明的构思或范围。
在附图中，为了清楚起见，放大了各元件等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在“另一元件上”、或“连接到另一元件”、“重叠于另一元件”时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电连接。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”与“另一”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括多形式，包括“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“约”或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。
以下是以一些实施例做说明。须注意的是，本公开并非显示出所有可能的实施例，未于本公开提出的其他实施方式也可能可以应用。再者，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本公开保护范围之用。另外，实施例中的叙述，例如细节结构、制程步骤和材料应用等等，仅为举例对其进行说明用，并非对本公开欲保护的范围做限缩。实施例的步骤和结构各的细节可在不脱离本公开的构思和范围内根据实际应用制程的需要而加以变化与修饰。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件做说明。
请参照图1至图4。图1示出的根据一实施例的显示面板的像素结构的上视示意图。图2示出的根据图1的扫描线与辅助电极的上视图。图3示出的根据图1的数据线、源极与漏极的上视图。图4示出的根据图1的A-A'剖面线的剖面图。请参照图1与图4，像素结构P包括第一基板132、扫描线102、像素108A、108B、108C、108D、辅助电极104与数据线106。像素108A、108B、108C、108D包括像素电极110A、110B、110C、110D及主动元件112A、112B、112C、112D。
像素108A、108B、108C、108D分别包括对应的像素电极110A、110B、110C、110D与对应的主动元件112A、112B、112C、112D，并且像素电极110A、110B、110C、110D与对应的主动元件112A、112B、112C、112D电性连接。于部分实施例中，像素108A、108B、108C、108D，也可称为子像素108A、108B、108C、108D。像素108A、108B、108C、108D可选择性的包括色阻(为求简洁，仅在图4、图8、图10示出的出像素108A的色阻113A与像素108B的色阻113B，可以此类推其它像素108B、108C、108D的色阻)。各像素电极(例如以图1中像素电极110B为范例)具有至少一侧边(例如：相对的侧边115A与侧边115B标注于图1中像素电极110B)。换言之，各像素电极110A、110B、110C、110D分别有至少一侧边(例如：相对的侧边115A与侧边115B。于部分实施例中，本范例的像素电极110A也可称为第一像素电极，其所在的像素与对应的主动元件，也可称为第一像素与第一主动元件。依此类推，本范例的像素电极110B也可称为第二像素电极，其所在的像素与对应的主动元件，也可称为第二像素与第二主动元件。本实施例的图1，虽以划出四个像素，然而，于部分实施例，可为至少一个像素也为本公开的实施例。于一实施例中，像素108A、像素108B、像素108C与像素108D可由实质上沿第一方向D1延伸的扫描线102与实质上沿第二方向D2延伸的数据线106定义。于部分实施例中，像素108A、像素108B、像素108C与像素108D，也可分别由像素电极110A、110B、110C、110D与对应的主动元件112A、112B、112C、112D所在的区域定义出来，而不以数据线106与扫描线102定义。第一方向D1可交错于(例如：实质上垂直于)第二方向D2，但不限于此。举例而言，第一方向D1可为X方向，第二方向D2可为Y方向。数据线106可实质上延伸在沿第二方向D2上，且可配置于对应的像素之间，例如图1中的中间一条的数据线106在像素108A与像素108B之间，与像素108C与像素108D之间。扫描线102可实质上延伸在沿第一方向D1上，且可配置于对应的像素之间，例如图1中的中间一条的扫描线102在像素108A与像素108C之间，与像素108B与像素108D之间，但不限于此。于其它实施例中，数据线106可实质上延伸在沿第一方向D1上，扫描线102可实质上延伸在沿第二方向D2上，且数据线106与扫描线102可配置于对应的像素之间，例如在像素108A与像素108B之间，与像素108C与像素108D之间。虽然，本实施例的像素是以直立的像素实施方式来当范例，但不限于此。于其它实施例中，像素也可为平躺的像素实施方式。
主动元件112A、112B、112C、112D分别包括源极107、漏极109、栅极G与通道层114，于图1只标示出主动元件112A、112B的细节标示，为求简洁主动元件112C、112D，以此类推。各主动元件的通道层114位在源极107及漏极109与栅极G之间，其中各主动元件的栅极G电性连接至扫描线102。各主动元件的漏极109电性连接至对应的像素电极110A、110B、110C、110D。于部分实施例中，各主动元件的漏极109可通过接触孔116电性连接至对应的像素电极110A、110B、110C、110D。本实施例的主动元件112A、112B、112C、112D可以是底栅极型薄膜晶体管(bottom-gate TFT)，例如：栅极G位于通道层114下，为例来说明，但本发明不限于此。在其他实施例中，主动元件112A、112B、112C、112D也可以是顶栅极型薄膜晶体管(top-gate TFT)，例如：栅极G位于通道层114上，或是其它合适类型的薄膜晶体管。此外，像素结构P可选择性配置黑矩阵(black matrix；BM，未显示)遮蔽扫描线102与主动元件112A、112B、112C、112D。于优选实施例中，黑矩阵(black matrix；BM，未显示)未设置于数据线106上，如此可增加像素结构(P)的开口率。
请参考图1及图2，图1及图2所示的扫描线102与辅助电极104相分隔开来，且可由第一金属层(M1)形成，举例而言，扫描线102与辅助电极104可由同一膜层所形成，但不限于此。于其它实施例中，扫描线102与辅助电极104亦可由不同膜层形成。辅助电极104具有遮光效果，如此当黑矩阵(black matrix；BM，未显示)未设置于数据线106上时，可避免数据线106周围的漏光。基于导电性的考量，第一金属层(M1)可为单层或多层结构，且一般是使用金属材料。根据其他实施例，第一金属层(M1)也可以使用其他导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的导电材料。请参考图2所示，辅助电极104可包括块部118、第一延伸部120与第二延伸部122。第二延伸部122连接在块部118与第一延伸部120之间，第二延伸部122可实质上沿第一方向D1延伸，且连接不同像素108A、108B、108C、108D的块部118。于部分实施例中，第二延伸部122可实质上沿第一方向D1延伸，且连接像素108A、108B的块部118或者是连接像素108C、108D的块部118。于其它实施例中，第二延伸部122可实质上沿第一方向D1延伸，而不连接至少一个的其它像素108B、108C、108D的块部118。第一延伸部120可为多个，且可分别实质上沿第二方向D2延伸，并可位于像素电极110A、110B、110C、110D的两侧边115A、115B，例如第一延伸部120位于相邻像素108A的像素电极110A的侧边115B，并位于相邻于像素108B的像素电极110B的侧边115A，例如图4所示。
请参考，图1及图3所示的数据线106、源极107与漏极109可由第二金属层(M2)形成，举例而言，数据线106、源极107与漏极109是由同一膜层所形成，但不限于此。于其它实施例中，数据线106、源极107与漏极109亦可由不同膜层形成。基于导电性的考量，第二金属层(M2)可为单层或多层结构，且一般是使用金属材料。然本发明不限于此，根据其他实施例，第二金属层(M2)也可以使用其他导电材料。例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的导电材料。其中，第一金属层(M1)与第二金属层(M2)之间，设置有绝缘层134。于部分实施例中，数据线106可包括宽部124A、124B、窄部126A、126B，其中窄部126A、126B在像素电极110A、110B、110C、110D所对应的侧边115A、115B之间。宽部124A、124B分别连接窄部126A、126B的上下两端。于其它实施例中，数据线106可还包含连接部128，举例而言，连接部128可设置于像素108A与108C之间，且连接部128于第三方向D3(或称垂直投影于第一基板132的方向)上与扫描线102至少部分重叠。于部分实施例中，连接部128可连接在宽部124A与宽部124B之间。于部分实施例中，连接部128的宽度(沿第一方向延伸D1)可小于宽部124A的宽度及宽部124B的宽度(沿第一方向延伸D1)。举例来说，连接部128的宽度范围优选为约5～10微米(um)，宽部124A、宽部124B的宽度范围优选为约4～6微米(um)，窄部126A、窄部126B的宽度范围优选为约4～6微米(um)，然本发明并不以此为限。
数据线106可通过相连接的宽部124A、宽部124B、窄部126A与窄部126B定义出实质上沿第二方向D2延伸的狭缝130。或者，数据线106的宽部124A、宽部124B、窄部126A与窄部126B围绕狭缝130。于一实施例中，数据线106的窄部126A、窄部126B其厚度(沿第三方向D3延伸)大于宽部124A、宽部124B的厚度(沿第三方向D3延伸)，藉此使窄部126A与窄部126B的总截面积能实质上等于宽部124A的截面积，并实质上等于宽部124B的截面积，以使窄部126A与窄部126B的单位长度电阻值实质上等于宽部124A的单位长度电阻值并等于宽部124B的单位长度电阻值。换句话说，是使数据线106能具有实质上均一的单位长度电阻值。一实施例中，举例来说，窄部126A、窄部126B的厚度范围约为
Figure GDA0002454992210000091
Figure GDA0002454992210000092
宽部124A、宽部124B的厚度范围约为
Figure GDA0002454992210000093
请参照图4，图4示出的根据图1一实施例的像素结构A-A'剖面线的剖面图。辅助电极104设置在第一基板132上。绝缘层134设置在辅助电极104与第一基板132之间。数据线106设置在绝缘层134上。各像素可选择设置色阻，举例而言，像素108A的部分色阻113A、像素108B的部分色阻113B设置在数据线106的窄部126A、窄部126B上。于其它实施例中，可选择性还包含绝缘层136，像素108A的部分色阻113A、像素108B的部分色阻113B设置在数据线106的窄部126A、窄部126B与绝缘层136上。于部分实施例中，像素108A的部分色阻113A、像素108B的部分色阻113B会覆盖狭缝130，且于垂直投影于第一基板132上重叠。各像素电极，例如：像素电极110A、像素电极110B可分别设置在色阻113A、色阻113B上。然色阻113A、色阻113B也可选择性设置于第二基板142的内表面，则各像素电极，例如：像素电极110A、像素电极110B与第一基板之间不存在色阻。于其它实施例中，第二基板142内表面可选择性还包含电极膜140，举例而言，显示介质层138设置在对向配置的第一基板132与具有电极膜140在内表面的第二基板142之间。显示介质层138可例如包括液晶层，但不限于此，也可为其它合适的显示介质层。于一实施例中，辅助电极104与第二基板142上的电极膜140是被施予实质上相同的电压。举例来说，电极膜140可作为共用电极并被施加以共同电压(commonvoltage)或其它合适的电位，例如：浮接电位或者是可调整的电位，而辅助电极104亦被施加以共同电压或其它合适的电位，例如：浮接电位或者是可调整的电位。此例中，辅助电极104亦可称作阵列共用(array com)电极。
请参照图1至图4。于本实施例中，数据线106在邻近像素电极110A、110B、110C、110D所对应的侧边115A、115B之间具有狭缝130及窄部126A、126B。由于数据线106具有狭缝130设计，可以减少像素电极110A、110B、110C、110D与数据线106的寄生电容。辅助电极104设置在数据线106的狭缝130下方，并与窄部126A、126B部分重叠的设计。换句话说，辅助电极104于第三方向D3(或称垂直投影于第一基板132的方向)与狭缝130至少部分重叠。于优选实施例中，辅助电极104与狭缝130于第三方向D3是完全重叠，由第一基板132往第二基板142方向看辅助电极104完全遮蔽狭缝130。由于辅助电极104与电极膜140均被施加以共同电压，故二者具有实质上相同的电位。因此，于辅助电极104上方的显示介质层138的分子，例如是液晶层的液晶分子，特别是垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶分子，将可以维持于原状态(例如垂直配向型液晶分子维持于分子长轴实质上垂直于第一基板132的状态)。如此，即使数据线106(包括窄部126A、126B)传送其他像素的像素电压(特别是高电位电压)时，由于辅助电极104与电极膜140之间具有实质上相同电位之故，而使得显示介质层138的分子(例如是液晶层的液晶分子)的排列状态(例如分子倾斜的角度)不会受到太多的影响。这样一来，可以有效地避免数据线106上传送至其他像素的像素电压所造成的串音(Cross Talk)的现象。因此，能够可有效避免漏光。此外，辅助电极104垂直投影至数据线106的范围并未超出数据线106的窄部126A的外侧表面144A及窄部126B的外侧表面144B，因此显示面板的开口率并不会受到影响。再者，辅助电极104可对应色阻的交迭处，例如像素108A的色阻113A(图4)与像素108B的色阻113B的交迭处，辅助电极104的第一延伸部120可作为遮光元件使用，而能避免色阻的交迭处造成的漏光问题。
再者，通过数据线106在邻近像素电极110A、110B、110C、110D所对应的侧边115A、115B处是具有狭缝130及窄部126A、126B且辅助电极104设置在数据线106的狭缝130下方并与窄部126A、126B部分重叠的设计，可有效减少像素电极110A、110B、110C、110D与数据线106的寄生电容。此外，更可以使得相邻两个像素的像素电极彼此之间的距离缩小，而提高像素的开口率或光穿透率或像素结构P分辨率增加。例如图4的像素电极110A与110B的距离可以比不具有辅助电极104之像素结构的两个相邻的像素电极之间的距离还小。这是因为辅助电极104与电极膜140均被施加实质上相同的电位，例如：共同电压，使得像素电极110A与110B彼此之间的干扰可以降低。此外，数据线106具有狭缝130，使得像素电极110A、110B、110C、110D与数据线106像素电极的寄生电容减少，进一步使得像素电极110A与像素电极110B之间的距离可以缩短，像素电极110C与像素电极110D之间的距离可以缩短，而增加像素结构开口率并提高光穿透率或增加显示面板的分辨率。
请参照图5至图8。图5示出的示出的另一实施例的显示面板的像素结构的上视示意图。图6示出的图5扫描线102与辅助电极204的上视图。图7示出的图5数据线106、源极107与漏极109的上视图。图8示出的图5的像素结构沿BB'线的剖面图。
本实施例的元件与第一实施例的元件大部分类似，可参阅第一实施例中的相关描述与设计，于此不再赘言。本实施例与第一实施例主要差别在于：辅助电极204可包括块部218、第一延伸部220、第二延伸部222与连结部246。连结部246可连接在块部218与实质上往第二方向D2延伸的第一延伸部220之间。第二延伸部222可实质上沿第一方向D1延伸连接在对应不同像素的块部218之间。于部分实施例中，第二延伸部222可实质上沿第一方向D1延伸，且连接像素108A、108B的块部218或者是连接像素108C、108D的块部218。于其它实施例中，第二延伸部222可实质上沿第一方向D1延伸，而不连接至少一个的其它像素108B、108C、108D的块部218。
本实施例亦可具有第一实施例类似的可以有效地避免数据线106上传送至其他像素的像素电压所造成的串音的现象，亦可有效避免漏光发生。而且亦可具有提高像素的开口率或光穿透率的技术效果，于此不予重述。
本实施例的辅助电极204更能于数据线106有缺陷时用以修复数据线106。
请参照图9及图10。图9的上视图显示出数据线106'与辅助电极204'。图10为显示面板的像素结构的剖面图，其是对应图9的CC'线的部分。举例来说，当数据线106'断线时(例如数据线106'因具有缺陷152与153而断线分成第一部154与第二部155)，能以例如激光的方式在辅助电极204'的连结部246(图9)产生切割线348使得辅助电极204'的块部218与第一延伸部220断开，使第一延伸部220电性浮接(floating)。数据线106'可通过激光焊接(laser welding)使绝缘层134(图10)具有穿孔(via hole)150、151经由焊接导体3电性连接至辅助电极204'的第一延伸部220而被修复。或者是，以激光L等方式熔接数据线106'与辅助电极204'的第一延伸部220，以形成焊接导体3。亦即，当数据线106'因具有缺陷152与153而断线时，数据线106'的第一部(例如：上半部154)可以通过激光焊接与辅助电极204'的第一延伸部220电性连接，辅助电极204'并通过激光焊接与数据线106'的第二部(例如：下半部)155电性连接，而使得数据线106'的第一部(例如：上半部)154与第二部(例如：下半部)155可以电性连接，而使得信号仍然可以从数据线106'的第一部(例如：上半部)154传送至数据线106'的第二部(例如：下半部)155，而使得数据线106'可以被修复。
根据以上实施例，本公开的概念至少有以下优点。数据线的狭缝及窄部是配置在像素电极的侧边，且辅助电极设置在数据线的狭缝下方，因此数据线的电压对液晶层的液晶分子的倾斜方向的影响可以降低，故可减少串音的现象并改善数据线漏光的问题。辅助电极还包含连结部，可来修补数据线断线的问题。
综上所述，虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作各种的变动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (12)

1.一种像素结构，包括：
一第一基板；
一扫描线，设置于该第一基板上；
一第一像素，设置于该第一基板且该第一像素包括一第一像素电极及一第一主动元件，且该第一像素电极电性连接该第一主动元件；
一辅助电极，设置于该第一基板上；
一数据线，设置于该辅助电极上且该数据线具有一狭缝，其中该狭缝于一垂直投影方向上与该辅助电极至少部分重叠；以及
一绝缘层，设置于该数据线与该辅助电极之间，
其中，所述第一像素中的所述第一主动元件连接于所述扫描线与所述数据线，
其中，所述像素结构还包括：
一第二基板，位于该第一基板的对向侧；
一液晶层，位于该第一基板与该第二基板之间；以及
一电极膜，位于该第二基板的内表面，其中该电极膜被施予的电压与该像素结构的该辅助电极被施予的电压相同。
2.如权利要求1所述的像素结构，其中该狭缝与该辅助电极的重叠部分是位在该第一像素电极的至少一侧边。
3.如权利要求1所述的像素结构，其中该数据线的该狭缝是沿着该数据线的延伸方向延伸。
4.如权利要求1所述的像素结构，其中该数据线具有相对的一第一外侧表面及一第二外侧表面，该辅助电极垂直投影至该数据线的范围并未超出该第一外侧表面及该第二外侧表面。
5.如权利要求1所述的像素结构，其中该数据线包括一宽部及一窄部，该窄部邻接该宽部，且该窄部与该宽部定义出该狭缝。
6.如权利要求5所述的像素结构，其中该窄部与该宽部围绕该狭缝。
7.如权利要求5所述的像素结构，其中该窄部的厚度大于该宽部的厚度。
8.如权利要求5所述的像素结构，其中该数据线还包括一连接部，该连接部于该垂直投影方向上与该扫描线重叠，且该连接部的宽度小于该宽部的宽度。
9.如权利要求1所述的像素结构，其中该辅助电极具有一切割线，且该绝缘层具有一穿孔，该数据线与辅助电极通过该穿孔电性连接。
10.如权利要求1所述的像素结构，还包括一第二像素，该第一像素与该第二像素沿一第一方向排列，该第二像素包括一第二像素电极及一第二主动元件，且该第二像素电极电性连接该第二主动元件，且该数据线设置于该第一像素电极与该第二像素电极之间。
11.如权利要求1所述的像素结构，还包括：
一另一扫描线；以及
一另一第一像素，该另一第一像素与该第一像素位于同一列上，该另一第一像素包括一另一第一像素电极与一另一第一主动元件，且该另一第一像素电极电性连接该另一第一主动元件，其中该数据线还包括一连接部与一另一狭缝，该连接部连接该狭缝与该另一狭缝，且该另一狭缝于该垂直投影方向上与该辅助电极至少部分重叠，
其中，所述另一第一像素中的所述另一第一主动元件连接于所述另一扫描线与所述数据线。
12.一种显示面板，包括：
如权利要求1项至第11项任一所述的像素结构；
一第二基板，位于该第一基板的对向侧；以及
一显示介质层，位于该第一基板与该第二基板之间。
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