JP2014149518A - 表示装置 - Google Patents

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正宏 石井
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Abstract

【課題】ＴＦＴ基板側の配向膜の塗布むらが生じ、結果として、表示装置の輝度むらが生じる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、画素電極と、絶縁層を介して、前記画素電極と対向するように有機絶縁膜上に積層されたコモン電極と、前記コモン電極と接続されるコモン信号線と、信号線に入力される電圧信号を前記画素電極に印加するトランジスタと、を有し、前記画素電極は、前記有機絶縁膜に形成されたスルーホールを介して、前記トランジスタのソース電極に接続され、前記スルーホールは、前記スルーホールの外側に向かって前記有機絶縁膜が後退して形成された少なくとも１の延伸部において、前記コモン信号線の一部が積層して形成された段差部を含む、基板を有することを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は表示装置に関する。
一般に、液晶表示装置は、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)や画素電極等が配置されたＴＦＴ基板及びカラーフィルタが形成された対向基板を含む。そして、当該ＴＦＴ基板において、ＴＦＴのソース電極と画素電極は、絶縁層に形成されたスルーホールを介して、接続される。
ここで、当該スルーホールの径は、近年の画素の高精細化に伴い、非常に小さくなっている。そして、ＴＦＴや画素電極等が形成されたＴＦＴ基板に配向膜を形成する際、配向膜溶液が塗布されるが、その際、スルーホール内に当該配向膜溶液が入りにくく、ＴＦＴ基板に形成される配向膜に微小な凹状の欠陥が生じる場合がある。そこで、当該スルーホール内に配向膜溶液が進入しやすいように、当該スルーホール内に段差形成層を用いて段差を設ける技術が知られている（下記特許文献１参照）。
特開２００７−３２２５６３号公報
しかしながら、単にスルーホール内に段差を設けたのみでは、スルーホールへの配向膜溶液の進入が不十分となり、ＴＦＴ基板側の配向膜の塗布むらが生じ、結果として、表示装置の輝度むらが生じる場合がある。
本発明は、上記課題に鑑みて、スルーホールへの配向膜溶液の進入をより容易にし、配向膜の塗布ムラをより十分に抑制することにより、より輝度の均一化を図ることのできる表示装置を提供することを目的とする。
（１）本発明の表示装置は、画素電極と、絶縁層を介して、前記画素電極と対向するように有機絶縁膜上に積層されたコモン電極と、前記コモン電極と接続されるコモン信号線と、信号線に入力される電圧信号を前記画素電極に印加するトランジスタと、を有し、前記画素電極は、前記有機絶縁膜に形成されたスルーホールを介して、前記トランジスタのソース電極に接続され、前記スルーホールは、前記スルーホールの外側に向かって前記有機絶縁膜が後退して形成された少なくとも１の延伸部において、前記コモン信号線の一部が積層して形成された段差部を含む、基板を有することを特徴とする。
（２）上記（１）に記載の表示装置において、前記延伸部の幅は、前記スルーホールの幅よりも狭いことを特徴とする。
（３）上記（１）または（２）に記載の表示装置において、更に、前記トランジスタのゲート電極に接続されるゲート線を有し、前記少なくとも１の延伸部は、前記ゲート線に沿った方向に設けられることを特徴とする。
（４）上記（３）に記載の表示装置において、前記コモン信号線は、前記ゲート線に沿って設けられ、前記コモン信号線は前記少なくとも１の延伸部に向かって延伸するコモン延伸部を有し、前記少なくとも１の延伸部において、前記コモン延伸部の一部が積層されて形成された段差部を含むことを特徴とする。
（５）上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の表示装置において、前記少なくとも１の延伸部は、２の延伸部であって、該２の延伸部は前記スルーホールの両側に設けられることを特徴とする。
（６）上記（１）乃至（５）のいずれかに記載の表示装置において、前記基板上に、更に、配向膜を有することを特徴とする。
（７）上記（６）に記載の表示装置において、前記配向膜は、インクジェット方式で前記基板上に塗布されることにより形成されることを特徴とする。
（８）上記（３）に記載の表示装置において、前記ゲート電極は、前記ゲート線の一部で形成されることを特徴とする。
（９）上記（１）乃至（８）のいずれかに記載の表示装置において、前記コモン電極は、ＩＴＯで形成されることを特徴とする。
（１０）上記（１）乃至（９）のいずれかに記載の表示装置において、前記コモン信号線は、金属で形成されることを特徴とする。
（１１）上記（１）に記載の表示装置において、前記延伸部は、前記信号線に沿った方向に形成され、前記ゲート線に沿った方向の幅が前記スルーホールと等しいことを特徴とする。
（１２）上記（１１）に記載の表示装置において、前記コモン信号線は、前記傾斜部の一部において、切り欠き部を有し、前記段差部は、更に、前記切り欠き部に応じて形成されていることを特徴とする。
（１３）上記（１１）または（１２）に記載の表示装置において、前記コモン信号線は、前記傾斜部の一部において、突起部を有し、前記段差部は、更に、前記突起部に応じて形成されていることを特徴とする。
（１４）上記（１１）乃至（１３）のいずれかに記載の表示装置において、前記段差部は、前記画素電極側と反対側に形成されていることを特徴とする。
本発明の第１の実施の形態に係る表示装置を示す概略図である。 図１に示したＴＦＴ基板上に形成された画素回路の概念図である。 図２に示した画素の構成の概要について説明するための図である。 画素電極とＴＦＴのソース電極を接続するためのスルーホール周辺の概要を示す平面図である。 図４のＶーＶ断面の概要を示す図である。 図４のＶＩ−ＶＩ断面の概要を示す図である。 図４のＶＩＩ−ＶＩＩ断面の概要を示す図である。 図４のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面の概要を示す図である。 図４のＩＸ−ＩＸ断面の概略を示す図である。 ＴＦＴ基板と対向基板を形成した後、両基板を重ね合わせて、個々の表示パネルを取得するまでのフローの概略の一例を示す図である。 配向溶液が塗布される際の基板の様子を示す図である。 インクジェット方式で配向溶液を塗布する様子を示す図である。 第１の実施の形態の変形例について説明する図である。 第１の実施の形態の他の変形例について説明する図である。 第１の実施の形態の他の変形例について説明する図である。 第２の実施形態におけるスルーホール周辺の概要を示す平面図である。 図１６のＸＶＩＩーＸＶＩＩ断面の概要を示す図である。 図１６のＸＶＩＩＩーＸＶＩＩＩ断面の概要を示す図である。 第２の実施形態の比較例における平面図を示す。 図１９のＸＸーＸＸ断面の概要を示す図である。 図１９のＸＸＩーＸＸＩ断面の概要を示す図である。 第２の実施形態の変形例について説明するための図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
[第１の実施形態]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置を示す概略図である。図１に示すように、例えば、表示装置１００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等（図示せず）が形成されたＴＦＴ基板１０２と、当該ＴＦＴ基板１０２に対向し、カラーフィルタ（図示せず）が設けられた対向基板１０１を有する。また、表示装置１００は、ＴＦＴ基板１０２及び対向基板１０１に挟まれた領域に封入された液晶材料（図示せず）と、ＴＦＴ基板１０２の対向基板１０１側と反対側に接して位置するバックライト１０３を有する。なお、図１に示した表示装置１００の構成は一例であって、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
図２は、図１に示したＴＦＴ基板上に形成された画素回路の概念図である。図２に示すように、ＴＦＴ基板１０２は、図２の横方向に略等間隔に配置した複数のゲート線１０５と、図２の縦方向に略等間隔に配置した複数のドレイン線１０７を有する。また、ゲート線１０５は、シフトレジスタ回路１０４に接続され、ドレイン線１０７は、ドライバ１０６に接続される。
シフトレジスタ回路１０４は、複数のゲート線１０５それぞれに対応する複数の基本回路（図示せず）を有する。なお、各基本回路は、複数のＴＦＴや容量を含んで構成され、ドライバ１０６からの制御信号１１５に応じて、１フレーム期間のうち、対応するゲート走査期間（信号ハイ期間）にはハイ電圧となり、それ以外の期間（信号ロー期間）にはロー電圧となるゲート信号を、対応するゲート線１０５に出力する。
ゲート線１０５及びドレイン線１０７によりマトリクス状に区画された各画素１３０は、それぞれ、ＴＦＴ１０９、画素電極１１０、及び、コモン電極１１１を有する。ここで、ＴＦＴ１０９のゲートは、ゲート線１０５に接続され、ソース又はドレイン電極の一方は、ドレイン線１０７に接続され、他方は、画素電極１１０に接続される。また、コモン電極１１１は、コモン信号線１０８に接続される。また、画素電極１１０とコモン電極１１１は、互いに対向するように配置される。また、各画素１３０が集合して画素形成領域１２０を形成する。
次に、上記のように構成された画素回路の動作の概要について説明する。ドライバ１０６は、コモン信号線１０８を介して、コモン電極１１１に、基準電圧を印加する。また、ドライバ１０６により制御されるシフトレジスタ回路１０４は、ゲート線１０５を介して、ＴＦＴ１０９のゲートに、ゲート信号を出力する。更に、ドライバ１０６は、ゲート信号が出力されたＴＦＴ１０９に、ドレイン線１０７を介して、映像信号の電圧を供給し、当該映像信号の電圧は、ＴＦＴ１０９を介して、画素電極１１０に印加される。この際、画素電極１１０とコモン電極１１１との間に電位差が生じる。
そして、ドライバ１０６が、当該電位差を制御することにより、液晶材料の液晶分子の配光を制御する。ここで、液晶材料には、バックライト１０３からの光が案内されていることから、上記のように液晶分子の配光等を制御することにより、バックライト１０３からの光の量を調節でき、結果として、画像を表示することができる。
図３は、図２に示した画素の構成の概要について説明するための図である。具体的には、図３は、画素１３０周辺の平面図の概要の一例を示す。図３に示すように、上述のように、横方向に略等間隔に配置した複数のゲート線１０５と、図２の縦方向に略等間隔に配置した複数のドレイン線１０７を有する。当該ドレイン線１０７は、ＴＦＴ１０９の半導体層３０２に接続する。
また、画素電極１１０に対向し画素領域全体を覆うようにコモン電極１１１を配置する。当該画素電極１１０は、例えば、図３に示すように、櫛歯状に形成する。また、画素電極１１０の一端は、ゲート線１０５上方に形成されたスルーホール３０１を介してＴＦＴ１０９のソース電極に接続する。具体的には、スルーホール３０１の中央に開口部が設けられ、当該開口部において、画素電極１１０とＴＦＴ１０９のソース電極が接続される。なお、具体的には、図４を用いて説明する。また、図３に示した画素電極１１０、ゲート線１０５、ドレイン線１０７の形状等は一例であって、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
図４は、本実施の形態における画素電極とＴＦＴのソース電極を接続するためのスルーホール周辺の概要を示す平面図である。なお、図４は一例にすぎず、本実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、画素電極１１０や信号線１０７の具体的な形状や配置等は一例にすぎない。また、図４は、パターン図を示しているので、実際には、スルーホール３０１の形状は製造工程を経た後は、円形状となる等、製造工程において各部の形状は変化し、実際の形状は、当該図４に基づいたものとなる。また、図４においては、説明の容易化のためスルーホール３０１については、点線で示した。
図４に示すように、コモン信号線１０８は、ゲート線１０５に沿って設けられるとともにコモン延伸部４０１を有する。当該コモン延伸部４０１は、例えば、図４上方に向かって延伸した後、更にスルーホール３０１に向かって延伸するように形成する。言い換えれば、図４に示すように、コモン延伸部４０１は、例えば、Ｔ字形状を有する。なお、図４に示したコモン延伸部４０１の形状は一例であって、その他の形状であってもよい。
ドレイン線１０７は、上記のようにゲート線１０５と略直交するように配置されるが、一部がゲート線１０５の方向に延伸され、当該延伸された部分（ドレイン延伸部４０２）一部が後述するように、ＴＦＴ１０９のドレイン電極５０３を形成する。
画素電極１１０は、後述するように、スルーホール３０１の中央部でＴＦＴ１０９のソース電極５０４を形成する信号線５０５と接続する。
スルーホール３０１は、例えば、ゲート線１０５に沿った方向の両側に矩形形状の延伸部３０２を有する。当該延伸部３０２は、後述するように、有機絶縁膜５０７がスルーホール３０１の外側に向かって後退することにより形成される。なお、スルーホール３０１や延伸部３０２の具体的な構成については、図５乃至９を用いて説明する。また、図４に示した構成は一例であって、本実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、上記においてはスルーホール３０１の延伸部３０２は矩形形状でスルーホール３０１の両端に２の延伸部３０２を設ける場合について説明したが、延伸部３０２の形状はその他の形状であってもよいし、また、その他の数の延伸部３０２を設けてもよい。
図５は、図４のＶーＶ断面の概要を示す図である。なお、図５においては、第１の絶縁層５０１やゲート信号線１０５を積層する基板については省略した。
図５に示すように、ＴＦＴ１０９が形成される領域においては、基板側（図５の下側）から順に、ゲート電極を形成するゲート線１０５、第１の絶縁層５０１、半導体層５０２、ドレイン電極５０３及びソース電極５０４を形成する信号線５０５、第２の絶縁層５０６を積層する。
ドレイン電極５０３上方の第２の絶縁層５０６上には、順に、有機絶縁膜５０７、コモン電極５０８、コモン信号線１０８、第３の絶縁膜５０９を積層する。
また、図５に示すように、スルーホール３０１は、有機絶縁膜５０７で囲まれた開口部として形成する。また、スルーホール３０１を形成する有機絶縁膜５０７の側壁部（図５に示した有機絶縁部５０７のうち傾斜した部分）は、第３の絶縁膜５０９で覆われる。
スルーホール３０１を形成する領域の半導体層５０２の上部に形成されたソース電極５０４上には、順に、第２の絶縁層５０６、第３の絶縁膜５０９、画素電極１１０を積層する。ソース電極５０４を形成する信号線５０５は、スルーホール３０１の端部まで延伸して形成する。そして、当該信号線５０５は、上記画素電極１１０と第２の絶縁層５０６及び第３の絶縁膜５０９を積層されていないスルーホール３０１略中央に位置する開口部で、画素電極１１０と接続する。言い換えれば、画素電極１１０と信号線５０５を開口部で積層する。なお、当該開口部の下方においては、図５に示すように、ゲート線１０５が存在する部分と存在しない部分があり、当該開口部においても段差が形成される。
スルーホール３０１内のＴＦＴ１０９が形成されない領域（図の右側）においては、主に、基板側から順に、第１の絶縁層５０１、信号線５０５、第２の絶縁層５０６、第３の絶縁層５０９、画素電極１１０を積層する。
スルーホール３０１外のＴＦＴ１０９が形成されない領域（図の右側）においては、主に、基板側から順に、第１の絶縁層５０１、第２の絶縁層５０６、有機絶縁膜５０７、コモン電極５０８、第３の絶縁層５０９を積層する。なお、例えば、コモン電極５０８は、ＩＴＯで形成され、コモン信号線１０８は、Ｃｕなどの金属で形成する。
図６は、図４のＶＩ−ＶＩ断面の概要を示す図である。図６に示すように、スルーホール３０１内の領域においては、基板側から順に、第１の絶縁層５０１、信号線５０５、第２の絶縁層５０６、第３の絶縁層５０９、画素電極１１０が積層される。
スルーホール３０１外部の領域においては、主に、第１の絶縁層５０１、第２の絶縁層５０６、有機絶縁層５０７、コモン信号線１０８、第３の絶縁層５０９が積層される。
図７は、図４のＶＩＩ−ＶＩＩ断面の概要を示す図である。また、図８は、図４のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面の概要を示す図である。
図６と図７を比較すると分かるように、図７においては、図６と比べて、有機絶縁層５０７の側壁部がスルーホール３０１の外側に向かって後退する。言い換えれば、延伸部３０２を形成する領域において、スルーホール３０１の一部の幅を広く形成する。これにより、図４に示すように、スルーホール３０１の延伸部３０２がスルーホール３０１の両側に形成される。
また、図７及び図８を比較すると分かるように、図７においては、コモン信号線１０８が、有機絶縁膜５０７の上側からスルーホール３０１の側壁部に沿って、スルーホール３０１内部まで延伸する。よって、スルーホール３０１内部の両側の一部の領域においてコモン信号線１０８が第２の絶縁層５０６及び第３の絶縁層５０９に積層される。これにより、スルーホール３０１の延伸部３０２において、段差が形成される。よって、配向膜溶液を、例えば、インクジェット方式で基板に塗布する際、スルーホール３０１の周辺から、配向膜溶液がスルーホール３０１の中央部分にまで侵入しやすくすることができる。
図９は、図４のＩＸ−ＩＸ断面の概略を示す図である。図９に示すように、スルーホール３０１が形成される領域においては、主に、基板側から、順に、ゲート線１０５、第１の絶縁層５０１、半導体層５０２、信号線５０５、第２の絶縁層５０６、第３の絶縁層５０９、画素電極１１０を積層する。なお、図４乃至９に示した断面は一例であって、本実施の形態はこれに限定されるものではない。また、上記において、図４乃至９の断面の構成について同様である点については、説明を省略した。
なお、図４乃至図９においては省略したが、上記図４乃至９で示したようにＴＦＴ１０９や画素電極１１０等が形成されたＴＦＴ基板１０２には、その後、配向膜が積層される。そして、当該配向膜が形成されたＴＦＴ基板１０２にカラーフィルタ等を含む対向基板１０１が重ねあわせられて、表示パネルが形成される。具体的には、図１０を用いて説明する。
図１０は、ＴＦＴ基板と対向基板を形成した後、両基板を重ね合わせて、個々の表示パネルを取得するまでのフローの概略の一例を示す図である。図１０においては、対向基板１０１のフローをＣＦとして表し、ＴＦＴ基板１０２のフローをＴＦＴとして示す。
なお、図１０においては、ＴＦＴ基板及び対向基板の処理のフローは、Ｓ１０５までは同様であることから、同じ番号を用いて示したが、別々にＳ１０５までの処理を行った後に、重ね合わせるように構成してもよいことはいうまでもない。なお、図１０については、ＴＦＴ基板１０２を配向膜積層前のＴＦＴ基板１０２を表すものとして説明する。
図１０に示すように、ＴＦＴ基板１０２完成後、ＴＦＴ基板１０２を洗浄する（Ｓ１０１）。なお、ここで、当該ＴＦＴ基板１０２とは、配向膜が形成されていない状態のＴＦＴ基板に相当する。次に、ＴＦＴ基板１０２上に、配向膜を形成するための配向膜溶液（ＰＩ液）を塗布する（Ｓ１０２）。
ここで、当該ＴＦＴ基板１０２は、例えば、図１１に示すように、１の基板（大板）上に複数のＴＦＴ基板１０２が形成された状態である。この点は、Ｓ１０１についても同様である。
配向膜溶液の塗布は、例えば、図１２に示すように、ステージ１２１上方に配置された配向膜溶液を塗布するインクジェットヘッド１２２の下方を複数のＴＦＴ基板１０２が形成された基板が、ステージ１２１上を移動することにより、行われる。なお、図１１及び図１２においては、理解の容易化のため、液晶が滴下される様子についても模式的に示した。
次に、当該基板は、温風により乾燥され（Ｓ１０３）、配向膜溶液を焼成した後（Ｓ１０４）、配向処理を行う（Ｓ１０５）。当該配向処理は、例えば、ラビング配向を用いてもよいし、紫外線照射による光配向を用いてもよい。なお、Ｓ１０１乃至Ｓ１０５の処理は、対向基板１０２についても同様であるので対向基板１０２については説明を省略する。
次に、対向基板１０１については、シール材を塗布し（Ｓ１０６）、ＴＦＴ基板１０２については、液晶を滴下する（Ｓ１０７）。そして、対向基板１０１及びＴＦＴ基板１０２を重ね合わせた後（Ｓ１０８）、紫外線を照射することにより、シール材の硬化処理を行う（Ｓ１０９）。最後に、基板を分断することにより（Ｓ１１０）、複数の表示パネルが製造される。
本実施の形態によれば、上記図４を用いて説明したように、スルーホール３０１の延伸部３０２の幅が、スルーホール３０１の直径よりも狭いことから、配向膜溶液が延伸部３０２の周辺からスルーホール３０１内部に進入しやすくすることができる。また、上記のように、スルーホール３０１の延伸部３０２において段差が形成されることから、スルーホール３０１の周辺から、配向膜溶液がスルーホール３０１の中央部分にまで侵入しやすくすることができる。結果として、スルーホール３０１への配向膜溶液に進入を容易にし、スルーホール３０１が形成された部分における配向膜の塗布ムラをより十分に抑制し、より輝度の均一化を図ることのできる表示パネルを含む表示装置を提供することができる。
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。
例えば、図１３乃至１５を用いて下記に説明する。なお、図１３乃至図１５は、図４と同様に、パターン図を示しているので、実際には、スルーホール３０１の形状は延伸部３０２を除き、製造工程を経た後は、円形状となる等、製造工程において各部の形状は変化し、実際の形状は、当該図１３乃至図１５に基づいたものとなる。また、図１３乃至図１５においては、理解の容易化のため、スルーホール３０１については、点線で示した。更に、図１３乃至図１５の断面については、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。
上記実施の形態においては、主に、スルーホール３０１の両側に形成された延伸部３０２とコモン信号線１０８の一部が重なり、当該延伸部３０８において段差を形成する場合について説明したが、例えば、図１３に示すように、スルーホール３０１の延伸部３０２のみを有するように構成してもよい。言い換えれば、コモン信号線１０８がスルーホール３０１の延伸部３０２と重ならず、当該延伸部３０２において、コモン信号線１０８に基づく段差を有さないように構成してもよい。この場合においても、例えば、図１３に示すように、スルーホール３０１の延伸部３０２の幅を、スルーホール３０１の直径よりも狭く形成することにより、配向膜溶液が延伸部３０２の周辺からスルーホール３０１内部に進入しやすくすることができる。
また、上記実施の形態においては、スルーホール３０１の両側に延伸部３０２を設ける構成について説明したが、例えば、図１４及び図１５に示すように、１の延伸部３０２のみを設け、コモン信号線１０８の一部が当該延伸部３０２と重なり、当該延伸部３０２において段差を形成するように構成してもよい。また、コモン信号線１０８の一部が延伸部３０２において段差を形成する限り、コモン信号線１０８は、図１４に示すように単にスルーホール３０１に向かって延伸するコモン延伸部４０１を含むように構成してもよいし、また、ゲート線１０５やドレイン線１０７の形状や配置等も図１４に示すように上記実施の形態と異なるように配置してもよい。
更に、上記実施の形態においては、主に、スルーホール３０１がゲート線１０５に沿った方向に延伸する延伸部３０２を有する場合について説明したが、延伸部３０２は、例えば、ゲート線１０５に平行な方向に対して所定の角度を有する方向など、異なる方向に設けてもよい。
[第２の実施形態]
次に本発明の第２の実施形態について説明する。なお、下記において第１の実施形態と同様である点については説明を省略する。
図１６は、第２の実施形態について説明するための図である。具体的には、図１６は、本実施の形態における画素電極とＴＦＴのソース電極を接続するためのスルーホール６０１周辺の概要を示す平面図である。なお、図１６は一例にすぎず、本実施の形態はこれに限定されるものではない点等は、上記図４と同様であるので説明を省略する。
図１６に示すように、コモン信号線１０８は、ゲート線１０５に沿って設けられるとともにコモン延伸部６０２を有する。当該コモン延伸部６０２は、例えば、図１６上側に向かって延伸するように形成する。なお、図１６に示したコモン延伸部６０２の形状は一例であって、その他の形状であってもよい。
また、第１の実施形態と同様に、ドレイン線１０７は、ゲート線１０５と略直交するように配置されるが、一部がゲート線１０５の方向に延伸され、当該延伸された部分が、ＴＦＴ１０９のドレイン電極５０３を形成する。画素電極１１０は、後述するように、スルーホール６０１の中央部でＴＦＴ１０９のソース電極５０４を形成する信号線５０５と接続する。
ここで、本実施の形態においては、スルーホール６０１は、ドレイン線１０７に沿った方向に長辺を有し、かつ、ゲート線１０５に沿った方向に短辺を有する矩形形状を有する。具体的には、図１９に示すように、スルーホール２０１を略円状に形成する場合と比べて、ゲート線１０５に沿った方向に幅が狭く、また、ドレイン線１０７に沿った方向に幅が広く形成する。これにより、図１９に示した場合に比べて、各スルーホール６０１の間に配置するスペーサのスペースをより多く確保することができる。結果として、例えば、有機絶縁膜５０７を有する中小型の表示パネルを実現することができる。なお、図１９は、本実施の形態との比較例を示す図であり、図１９に示すように、当該比較例においては、スルーホール２０１が上方からみて、略円状に形成される。
また、本実施の形態においては、スルーホール２０１の傾斜部が画素電極１１０の位置と反対側でコモン信号線と交差するように形成する。なお、図１６においては、理解の容易化のため、図１６上方からみて、スルーホール６０１のうち当該傾斜部の傾斜が開始する位置を点線で示し、傾斜が終了して、有機絶縁膜５０７が除去されている部分を一点鎖線で示した。
次に、図１６に示したスルーホール周辺の断面の概要について説明する。図１７は、図１６のＸＶＩＩーＸＶＩＩ断面の概要を示す図である。また、図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ断面の概要を示す図である。なお、図１７及び図１８においては、第１の絶縁層５０１やゲート信号線１０５を積層する基板については省略した。また、図２０及び図２１は、図１９の図１９のＸＸ―ＸＸ断面及びＸＸＩ−ＸＸＩ断面の概要を表す図であり、それぞれ図１７及び図１８に対応する。
図１７に示すように、ＴＦＴ１０９が形成される領域においては、基板側（図１７の下側）から順に、ゲート電極を形成するゲート線１０５、第１の絶縁層５０１、半導体層５０２、ドレイン電極５０３及びソース電極５０４を形成する信号線５０５、第２の絶縁層５０６を積層する。
ドレイン電極５０３上方の第２の絶縁層５０６上には、順に、有機絶縁膜５０７、コモン電極５０８、コモン信号線１０８、第３の絶縁膜５０９を積層する。また、図１７に示すように、スルーホール６０１は、有機絶縁膜５０７で囲まれた開口部として形成する。これらの点は上記第１の実施形態と同様であることから、詳細については説明を省略する。
また、図１７に示すように、図１６のＸＶＩＩーＸＶＩＩ断面においては、スルーホール６０１を形成する有機絶縁膜５０７の傾斜部（図１７及び図１８に示した有機絶縁膜５０７のうち傾斜した部分）は、第３の絶縁膜５０９で覆われる。そして、当該絶縁膜５０９で傾斜部を覆われたスルーホール６０１上に、画素電極１１０を形成することにより、画素電極１１０とドレイン電極５０３が接続される。
ここで、上記のように、スルーホール６０１の傾斜部が画素電極１１０の位置と反対側でコモン信号線と交差するように形成する。言い換えれば、図１７に示すように、スルーホール６０１の傾斜部において、コモン信号線１０８の一部が前記有機絶縁膜５０７に積層して形成された段差部が形成される。これにより、スルーホール６０１内への配向膜溶液の進入を容易にすることができ、スルーホール６０１が形成された部分における配向膜の塗布ムラを十分に抑制し、より輝度の均一化を図ることのできる表示パネルを含む表示装置を提供することができる。
一方、図１８に示すように、図１６のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ断面から見た場合、スルーホール６０１の幅が狭い。具体的には、スルーホール６０１の形成工程において、スルーホール６０１の幅が狭く設定されることから、有機絶縁膜５０７及びその上に積層した第３の絶縁膜５０９の各エッチング工程において、図１７に示すような滑らかな傾斜部が形成されず、傾斜角が９０°以上になる急傾斜部を含む。
したがって、当該スルーホール６０１上に画素電極１１０を形成する際に、画素電極１１０は、図１８に示すように、当該急傾斜部で切断される場合がある。しかしながら、上記のように、図１６のＸＶＩＩーＸＶＩＩ断面においては、スルーホール６１０が滑らかな傾斜部を有することから、画素電極１１０は切断されず画素電極１１０とドレイン電極５０３が接続される。したがって、画素電極１１０とドレイン電極５０３が接続される画素電極１１０のうちの配線部の抵抗値が上昇することになるが、画素の駆動に特に問題が生じることはない。そして、同時に、スルーホール６０１のゲート線１０５に沿った方向の幅を狭くすることができることから、スルーホール６０１の間に配置するスペーサのスペースをより多く確保することができる。
本実施の形態によれば、上記のように、スペーサのスペースをより多く確保することができる。また、スルーホール６０１内への配向膜溶液の進入を容易にすることができ、スルーホール６０１が形成された部分における配向膜の塗布ムラを十分に抑制し、より輝度の均一化を図ることのできる表示パネルを含む表示装置を提供することができる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。
例えば、図２２に示すように、図１６において、スルーホール６０１の傾斜部と交差するコモン信号線１０８を切り欠いて形成された切り欠き部６０３を有するように構成してもよい。これにより、ゲート線１０５に沿った方向にも段差部を形成することができ、よりスルーホール６０１内への配向膜溶液の進入を容易にすることができる。また、切り欠き部６０３に代えて、スルーホール６０１の傾斜部と交差するコモン信号線１０８に突起部を設けてもよいし、上記切り欠き部６０３と上記突起部を設けるなど、その他の方法で更なる段差部を形成するように構成してもよい。
１００ 表示装置、１０１ 対向基板、１０１ ＴＦＴ基板、１０３ バックライト、１０４ シフトレジスタ回路、１０５ ゲート線、１０６ ドライバ、１０７ ドレイン線、１０８ コモン信号線、１０９ ＴＦＴ、１１０ 画素電極、１１１ コモン電極、２０１，３０１，６０１ スルーホール、３０２ 延伸部、４０１，６０２ コモン延伸部、４０２ ドレイン延伸部、５０１ 第１の絶縁層、５０２ 半導体層、５０３ ドレイン電極、５０４ ソース電極、５０５ 信号線、５０６ 第２の絶縁層、５０７ 有機絶縁膜、５０８ コモン電極、５０９ 第３の絶縁膜、６０３ 切り欠き部。

Claims (14)

  1. 画素電極と、
    絶縁層を介して、前記画素電極と対向するように有機絶縁膜上に積層されたコモン電極と、
    前記コモン電極と接続されるコモン信号線と、
    信号線に入力される電圧信号を前記画素電極に印加するトランジスタと、
    を有し、
    前記画素電極は、前記有機絶縁膜に形成されたスルーホールを介して、前記トランジスタのソース電極に接続され、
    前記スルーホールは、前記スルーホールの外側に向かって前記有機絶縁膜が後退して形成された少なくとも１の延伸部において、前記コモン信号線の一部が積層して形成された段差部を含む、
    基板を有することを特徴とする表示装置。
  2. 前記延伸部の幅は、前記スルーホールの幅よりも狭いことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
  3. 前記表示装置は、更に、
    前記トランジスタのゲート電極に接続されるゲート線を有し、
    前記少なくとも１の延伸部は、前記ゲート線に沿った方向に設けられることを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
  4. 前記コモン信号線は、前記ゲート線に沿って設けられ、
    前記コモン信号線は前記少なくとも１の延伸部に向かって延伸するコモン延伸部を有し、
    前記少なくとも１の延伸部において、前記コモン延伸部の一部が積層されて形成された段差部を含むことを特徴とする請求項３記載の表示装置。
  5. 前記少なくとも１の延伸部は、２の延伸部であって、該２の延伸部は前記スルーホールの両側に設けられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
  6. 前記表示装置は、前記基板上に、更に、配向膜を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに表示装置。
  7. 前記配向膜は、インクジェット方式で前記基板上に塗布されることにより形成されることを特徴とする請求項６記載の表示装置。
  8. 前記ゲート電極は、前記ゲート線の一部で形成されることを特徴とする請求項３記載の表示装置。
  9. 前記コモン電極は、ＩＴＯで形成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の表示装置。
  10. 前記コモン信号線は、金属で形成されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置。
  11. 前記延伸部は、
    前記信号線に沿った方向に形成され、前記ゲート線に沿った方向の幅が前記スルーホールと等しいことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
  12. 前記コモン信号線は、前記傾斜部の一部において、切り欠き部を有し、前記段差部は、更に、前記切り欠き部に応じて形成されていることを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
  13. 前記コモン信号線は、前記傾斜部の一部において、突起部を有し、前記段差部は、更に、前記突起部に応じて形成されていることを特徴とする請求項１１または１２記載の表示装置。
  14. 前記段差部は、前記画素電極側と反対側に形成されていることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれかに記載の表示装置。
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