KR101689662B1 - 듀플렉서 - Google Patents

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KR101689662B1
KR101689662B1 KR1020157027555A KR20157027555A KR101689662B1 KR 101689662 B1 KR101689662 B1 KR 101689662B1 KR 1020157027555 A KR1020157027555 A KR 1020157027555A KR 20157027555 A KR20157027555 A KR 20157027555A KR 101689662 B1 KR101689662 B1 KR 101689662B1
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유이치 타카미네
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

제1 및 제2 대역 필터를 가지는 듀플렉서에 있어서, 제1 대역 필터의 고조파 감쇠량를 확대할 수 있는 듀플렉서를 제공한다. 제1 대역 필터와 제1 대역 필터보다도 통과 대역이 낮은 제2 대역 필터를 가지고, 제1 대역 필터가 언밸런스형 표면 탄성파 필터(7)를 가지며, 제1 대역 필터에서 압전기판(21) 위에 제1~제3 신호 배선 전극(31~33)과 접지 배선 전극(34)이 형성되어 있고, 제1~제3 신호 배선 전극(31~33) 중 어느 한쪽의 신호 배선 전극이 접지 배선 전극(34)과 입체교차하는 입체교차부가 형성되어 있고, 로우 패스 필터용 콘덴서를 구성하도록 층간 절연막(42)을 통해서 접지 배선 전극과 대향하고 있는 부분의 신호 배선 전극의 폭이 입체교차부 이외의 부분의 해당 신호 배선 전극의 폭보다 두껍게 되도록 구성되어 있는 듀플렉서(1).

Description

듀플렉서{DUPLEXER}
본 발명은 통과 대역의 다른 제1 및 제2 대역 필터를 가지는 듀플렉서에 관한 것이고, 보다 상세하게는 제1 대역 필터가 언밸런스형의 탄성 표면파 필터로 이루어지는 듀플렉서에 관한 것이다.
종래, 탄성 표면파 필터를 이용한 듀플렉서가 다양하게 제안되어 있다. 예를 들면 하기의 특허문헌 1에는, 송신용 필터와 수신용 필터를 가지는 SAW 분파기가 개시되어 있다. 특허문헌 1에서는, 수신용 필터가 종결합 공진자형의 탄성 표면파 필터에 의해 구성되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터로 이루어지는 수신 필터는, 불평형 입력 단자와 불평형 출력 단자를 가진다. 즉, 이 수신 필터는 언밸런스형의 탄성 표면파 필터이다.
일본국 공개특허공보 2000-349591호
종래, 듀플렉서의 수신 필터로서 이용되고 있는 탄성 표면파 필터로서는, 상기 언밸런스형의 탄성 표면파 필터와, 밸런스 출력을 꺼낼 수 있는 밸런스형의 탄성 표면파 필터가 알려져 있다. 밸런스형의 탄성 표면파 필터에서는 평형 출력 단자 간의 밸런스성에 의해 고조파의 감쇠량을 크게 할 수 있다.
이에 대해, 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 언밸런스형의 탄성 표면파 필터를 이용한 경우에는, 고조파의 감쇠량을 크게하는 것이 곤란했다. 고조파의 감쇠량이 작으면, 전압제어 발진기(VC)로부터 출력되는 노이즈 신호와 고조파가 합성되어 불필요한 신호가 발생할 우려가 있다. 그 때문에, 수신감도가 열화될 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 고조파의 감쇠량을 크게 할 수 있는 듀플렉서를 제공하는 것이다.
본원의 제1 발명은, 제1 대역 필터와 제1 대역 필터보다도 통과 대역이 저 주파수측에 위치하고 있는 제2 대역 필터를 가지는 듀플렉서이다.
제1 발명에서는, 제1 대역 필터가 불평형 입력-불평형 출력을 가지는 언밸런스형의 탄성 표면파 필터로 이루어진다. 제1 대역 필터는, 압전기판과 압전기판 위에 구성된 전극 구조를 포함한다. 상기 전극 구조는 입력 전극 패드와, 출력 전극 패드와, 어스 전위에 접속되는 어스 전극 패드와, 적어도 하나의 IDT전극을 가지는 탄성 표면파 필터로서 기능하는 기능 전극부와, 상기 기능 전극부와 상기 입력 전극 패드를 접속하고 있는 제1 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부 내에 있어서, 신호 전류가 흐르는 제2 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부와 상기 출력 전극 패드를 접속하고 있는 제3 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부와 상기 어스 전극 패드를 잇는 어스 배선 전극을 가진다.
제1 발명에서는, 상기 제1~제3 신호 배선 전극 내의 어느 한쪽의 신호 배선 전극이, 상기 어스 배선 전극과 입체교차하고 있는 입체교차부가 마련되어 있다. 이 입체교차부에 있어서, 어스 배선 전극과 신호 배선 전극 사이에 층간 절연막이 마련되어 있다. 로우 패스 필터(low pass filter)용 콘덴서를 구성하도록 층간 절연막을 통해서 어스 배선 전극과 대향하고 있는 부분의 상기 신호 배선 전극의 폭이, 해당 입체교차부 이외의 부분의 상기 신호 배선 전극의 폭보다도 굵어지도록 구성되어 있다.
본원의 제2 발명은, 제1 대역 필터와, 제1 대역 필터보다도 통과 대역이 저주파수측에 위치하고 있는 제2 대역 필터를 가지는 듀플렉서이다. 제2 발명에 있어서도 상기 제1 대역 필터가, 불평형 입력-불평형 출력을 가지는 언밸런스형의 탄성 표면파 필터로 이루어진다.
제2 발명에서는, 상기 탄성 표면파 필터가 압전기판과, 상기 압전기판 위에 구성된 전극 구조를 포함한다. 제2 발명에서는, 상기 전극 구조가 입력 전극 패드와, 출력 전극 패드와, 어스 전위에 접속되는 어스 전극 패드와, 적어도 하나의 IDT전극을 가지는 탄성 표면파 필터로서 기능하는 기능 전극부와, 상기 기능 전극부와 상기 입력 전극 패드를 접속하고 있는 제1 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부 내에 있어서, 신호 전류가 흐르는 제2 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부와 상기 출력 전극 패드를 접속하고 있는 제3 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부와 상기 어스 전극 패드를 잇는 어스 배선 전극을 가진다.
제2 발명에서는, 상기 어스 전극 패드에 이어져 있으면서, 상기 기능 전극부에 전기적으로 접속되어 있지 않은 어스 전극 패드 연장부가 더욱 마련되어 있다. 그리고 로우 패스 필터용 콘덴서를 구성하도록 상기 어스 전극 패드 연장부가 층간 절연막을 통해서 상기 제1~제3 신호 배선 전극 내의 어느 한쪽의 신호 배선 전극과 겹쳐있다.
본 발명에 따른 듀플렉서에서 바람직하게는, 상기 로우 패스 필터용 콘덴서가 구성되어 있는 부분에 있어서, 상기 어스 배선 전극이 상기 층간 절연막과 상기 압전기판 사이에 배치되어 있다.
본 발명에 따른 듀플렉서에서 바람직하게는, 상기 언밸런스형의 탄성 표면파 필터가 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터이다.
본 발명에 따른 듀플렉서의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 대역 필터가 수신 필터이며, 상기 제2 대역 필터가 송신 필터이다.
본 발명에 따른 듀플렉서에서는, 로우 패스 필터용 콘덴서를 구성하도록 제1~제3 신호 배선 전극 중 어느 한쪽의 신호 배선 전극이, 층간 절연막을 통해서 어스 배선 전극 또는 어스 전극 패드 연장부와 겹쳐있기 때문에, 언밸런스 출력의 탄성 표면파 필터로 이루어지는 제1 대역 필터에 있어서, 고조파의 감쇠량을 충분히 크게하는 것이 가능해 진다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에서의 듀플렉서의 수신 필터를 구성하는 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시형태에 따른 듀플렉서의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시형태에 있어서, 수신 필터에 구성되어 있는 로우 패스용 콘덴서 부분의 대략적 정면 단면도이다.
도 4는 비교예의 듀플렉서에서 이용되고 있는 수신 필터용 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태의 듀플렉서 수신 필터 및 비교예의 듀플렉서 수신 필터의 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 명확하게 한다.
도 2는 본 발명의 한 실시형태에 따른 듀플렉서의 회로도이다. 듀플렉서(1)는 안테나 단자(2)와 송신 단자(3)와 수신 단자(4)를 가진다. 안테나 단자(2)와 송신 단자(3) 사이에 제2 대역 필터로서의 송신 필터(5)가 접속되어 있다. 송신 필터(5)는 래더형(ladder-type) 회로 구성의 탄성 표면파 필터로 이루어진다. 즉, 복수의 직렬암(series arm) 공진자(S1~S5)와, 복수의 병렬암(parallel arm) 공진자(P1~P4)가 각각 탄성 표면파 공진자에 의해 구성되어 있다. 병렬암 공진자(P1~P3)의 그라운드 전위측의 단부가 공통 접속되어 있고, 인덕턴스(L1)를 통해서 그라운드 전위에 접속되어 있다. 병렬암 공진자(P4)의 그라운드 전위측 단부가 인덕턴스(L2)를 통해서 어스 전위에 접속되어 있다. 직렬암 공진자(S5)에 병렬로 인덕턴스(L3)가 접속되어 있다.
또한, 상기 송신 필터(5)의 회로 구성은, 본 발명에서는 특별히 한정되지 않는다.
한편, 안테나 단자(2)와 수신 단자(4) 사이에, 제1 대역 필터로서의 수신 필터(6)가 접속되어 있다. 수신 필터(6)의 통과 대역, 즉 수신 대역은, 송신 필터(5)의 통과 대역보다도 높다.
본 실시형태에서는, 수신 필터(6)는 언밸런스형의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7)를 가진다. 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7)와 안테나 단자(2) 사이에는 복수의 싱글 포트형 탄성 표면파 공진자(8~10)가 서로 직렬로 접속되어 있다. 또한, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7)와 수신 단자(4) 사이의 접속점(11)과 그라운드 전위 사이에 싱글 포트형 탄성 표면파 공진자(12)가 접속되어 있다.
본 실시형태의 듀플렉서(1)의 특징은 수신 필터(6)에 있어서, 도 2에 나타내는 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3)가 신호 전위와 그라운드 전위 사이에 접속되어 있는 것에 있다. 여기서, 도 2에서 콘덴서(C1)는, 탄성 표면파 공진자(8)와 안테나 단자(2) 사이의 접속점(13)과, 그라운드 전위 사이에 접속되어 있다. 콘덴서(C2)는 탄성 표면파 공진자(10)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7) 사이의 접속점(14)과, 그라운드 전위 사이에 접속되어 있다. 콘덴서(C3)는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7)의 출력측 단부에 늘어선 접속점(15)과, 그라운드 전위 사이에 접속되어 있다.
도 1은 상기 듀플렉서(1)에서의 수신 필터(6)의 평면도이다. 수신 필터(6)는 압전기판(21)을 가진다. 압전기판(21)은 LiTiO3 및 LiNbO3 등의 압전 단결정으로 이루어진다. 단, 압전 단결정을 대신해서 압전 세라믹스를 이용해도 된다.
상기 압전기판(21) 위에, 도시한 전극 구조가 형성되어 있다. 이 전극 구조는, Al, Cu, Ag 또는 이들을 주체로 하는 합금 등으로 이루어지는 금속재료에 의해 구성되어 있다.
상기 전극 구조는 안테나 단자에 접속되는 입력 전극 패드(22)와, 수신 단자에 접속되는 출력 전극 패드(23)를 가진다. 또한, 압전기판(21) 위에는 어스 전위에 접속되는 어스 전극 패드(24~27)가 마련되어 있다. 또한, 상기 전극 구조는 도 2에 나타낸 싱글 포트형 탄성 표면파 공진자(8~10)를 구성하기 위한 IDT전극을 포함한다.
도 1에서는, IDT전극 구성 부분은 X를 직사각형의 테두리로 둘러싼 블록에 의해 나타내는 것으로 한다. 또한, 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7)를 구성하는 부분에 있어서도, 3IDT형의 제1 및 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터부(7A, 7B)가 구성되어 있다. 여기서도 IDT 구성 부분은 X를 직사각형의 테두리로 둘러싼 블록으로 대략적으로 나타내는 것으로 한다.
또한, 도 1에 나타낸 싱글 포트형 탄성 표면파 공진자(12)를 구성하는 IDT전극도 압전기판(21) 위에 형성되어 있다.
상기 전극 구조 중, 싱글 포트형 탄성 표면파 공진자(8~10), 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7) 및 싱글 포트형 탄성 표면파 공진자(12)를 가지는 부분, 즉, 탄성 표면파 필터로서 기능하는 부분을 기능 전극부로 한다.
상기 전극 구조는 또한, 이하의 제1~제3 신호 배선 전극 및 어스 배선 전극을 가진다.
제1 신호 배선 전극(31)은, 입력 전극 패드(22)와 제1 싱글 포트형 탄성 표면파 공진자(8)를 전기적으로 접속하고 있다. 제2 신호 배선 전극(32)은, 상기 기능 전극부 내에 있어서, 신호 전류가 흐르는 배선 부분이다. 제3 신호 배선 전극(33)은, 기능 전극부와 출력 전극 패드(23)를 접속하고 있다. 또한, 어스 배선 전극(34)은, 기능 전극부와 어스 전극 패드(24, 25, 26 또는 27)를 전기적으로 접속하고 있는 배선 전극 부분이다. 본 실시형태의 특징은, 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3)가 마련되어 있는 것에 있다.
층간 절연막(41)은, 폴리이미드 등의 합성수지 혹은 SiO2 등의 유전체를 이용하여 구성할 수 있다.
이 입체교차부에 있어서는, 로우 패스 필터용 콘덴서를 구성하기 위해서, 제1 신호 배선 전극(31) 부분(31a)의 폭이, 사선의 해칭(hatching)을 첨부하여 나타내도록 입체교차부가 아닌 제1 신호 배선 전극(31) 부분의 폭보다도 굵게 되어 있다. 또한, 도 3에 나타내는 입체교차부에 있어서는, 제1 신호 배선 전극(31)과 층간 절연막(41)을 통해서 대향하고 있는 어스 배선 전극(34a)의 평면 형상은, 위쪽에 겹쳐있는 제1 신호 배선 전극(31)과 같거나, 이것을 포함하는 형상으로 되어 있다. 그 때문에, 상기 입체교차부에 있어서, 충분한 정전 용량을 가지는 로우 패스 필터용 콘덴서(C1)가 구성되어 있다.
한편, 도 1에 나타낸 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3) 중, 로우 패스 필터용 콘덴서(C1)에서는, 어스 전극 패드 연장부(35) 위에 층간 절연막(41)을 통해서 제1 신호 배선 전극(31) 부분(31a)이 겹쳐있다. 여기서, 어스 전극 패드 연장부(35)란, 어스 전극 패드(24)에 접속되어 있지만, 기능 전극부에는 전기적으로는 접속하지 않고 있는 부분을 말한다. 즉, 어스 전극 패드 연장부(35)는, 기능 전극부를 어스 전위에 접속하는 기능은 가지지 않고 있다. 이 어스 전극 패드 연장부(35)는 상기 로우 패스 필터용 콘덴서(C1)를 구성하기 위해서, 층간 절연막(41)의 아래쪽에 마련되어 있다.
도 1의 화살표로 나타낸 바와 같이, 로우 패스 필터용 콘덴서(C2, C3)에 있어서도, 아래쪽에 위치하고 있는 어스 배선 전극과, 층간 절연막(42, 43)을 통해서 제2 신호 배선 전극(32)이 겹쳐있다. 압전기판을 평면시하는 방향에 있어서, 어스 배선 전극과 겹치는 제2 신호 배선 전극 부분(32a)의 폭 W는, 어스 배선 전극과 겹치지 않는 제2 신호 배선 전극(32) 부분의 폭보다도 굵게 되어 있다. 이렇게, 상기 로우 패스 필터용 콘덴서(C2, C3)가 구성되어 있는 부분에 있어서도, 제2 신호 배선 전극(32) 부분(32a, 32b)의 폭은, 어스 배선 전극과 겹치지 않는 제2 신호 배선 전극(32) 부분의 폭보다도 굵게 되어 있다. 또한, 제2 신호 배선 전극(32)과 층간 절연막(42, 43)을 통해서 겹쳐있는 어스 배선 전극 부분도 제2 신호 배선 전극(32)의 폭이 굵어진 부분(32a, 32b)과 동일한 형상 또는, 이 형상을 포함하는 형상으로 되어 있다. 따라서, 충분한 정전용량을 가지는 로우 패스 필터용 콘덴서(C2, C3)가 구성되어 있다.
본 실시형태의 듀플렉서(1)에서는, 수신 필터(6)가 언밸런스형의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7)를 가진다. 언밸런스형의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7)에서는, 고조파의 감쇠량을 크게하는 것이 곤란하다. 그러나 본 실시형태에서는, 상기 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3)가 신호 전위와 어스 전위 사이에 접속되어 있다. 그 때문에, 고조파를 효과적으로 감쇠시키는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 수신 필터(6)를 구성하는 탄성 표면파 필터는 언밸런스형인 한, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 래더형 필터를 이용해도 된다. 단, 래더형 필터의 경우에는, 압전기판 위에 큰 스페이스를 필요로 하고, 상기와 같은 입체교차 부분을 만드는 것이 곤란하다. 따라서, 본 실시형태와 같이, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7)를 이용하는 것이 보다 바람직하다. 배선이 연장되는 방향에 직각한 방향의 배선의 치수를 폭으로 한다. 한편, 폭이 일정하지 않을 경우, 압전기판을 평면시하여 어스 배선 전극 부분과 층간 절연막을 통해서 겹쳐있는 신호 배선의 부분의 폭은 어스 배선 전극 부분과 겹쳐있는 신호 배선의 면적 A를 신호 배선장 L로 나눈 평균 폭 Wave를 이용하면 된다.
한편, 본 실시형태에서는, 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3)가 구성되어 있었지만, 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3) 중 하나만 마련되어도 된다. 즉, 로우 패스 필터용 콘덴서는, 신호 전위와 어스 전위 사이에 접속되는 한, 그 개수 및 접속 위치는 특별히 한정되는 것이 아니다.
도 5는 상기 실시형태의 듀플렉서(1)에서의 수신 필터(6)의 주파수 특성과, 비교예의 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
여기서는, 3IDT형의 제1 및 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터부(7A, 7B)를 가지는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(7)를 이용하고, Band 1의 수신 필터를 구성했다. Band 1의 수신 필터의 통과 대역은 2110~2170MHz이다. 제3 고조파는 6330~6510MHz의 주파수를 가지는 것이 된다.
한편, 도 4는 비교예의 탄성 표면파 필터(101)의 평면도이다. 도 1과 동일 부분에 대해서는 동일한 참조번호를 첨부하는 것으로 한다. 본 비교예에서는, 상기 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3)가 구성되지 않았다. 즉, 입체교차부(D1~D5)로 나타내지도록 존재한다. 그러나 단지 입체교차하고 있는 것뿐이다. 구체적으로는, 층간 절연막을 통해서 아래쪽의 어스 배선 전극과 겹치게 한 신호 배선 부분의 폭이 입체교차하지 않는 신호 배선 부분의 폭에 비해서 굵은 구성을 가지지 않는다.
도 5의 파선(破線)은, 상기 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3)가 마련되지 않은 것을 제외하고는, 상기 실시형태와 동일하게 하여 구성된 비교예의 수신 필터의 주파수 특성을 나타낸다. 실선(實線)이 상기 실시형태의 주파수 특성을 나타낸다.
비교예에서는, 입체교차부(D1~D5)는 마련되어 있지만, 적극적으로 로우 패스 필터용 콘덴서가 구성되어 있는 것이 아니기 때문에, 제3 고조파의 감쇠량이 비교적 작다. 이에 대해, 상기 실시형태에서는, 상기 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3)가 구성되어 있기 때문에, 제3 고조파의 감쇠량을 약 8dB 크게하는 것이 가능하게 되어 있다.
이것은 상기 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3)가 마련되어 있기 때문이다. 즉, 신호 배선에 병렬로 정전용량이 삽입되어, 이 정전용량이 로우 패스 필터로서의 기능을 해내고 있기 때문이다.
본 발명에서는, 상기 실시형태의 로우 패스 필터용 콘덴서(C1~C3) 중, 어스 배선 전극이 아닌, 어스 전극 패드 연장부(35)를 이용하여 구성되어 있는 로우 패스 필터용 콘덴서(C1)만이 1 이상 구성되어도 된다. 혹은, 상기 로우 패스 필터용 콘덴서(C2)나, 상기 로우 패스 필터용 콘덴서(C3)만이 1 이상 마련되어도 된다. 로우 패스 필터용 콘덴서(C2, C3)에서는, 어스 전극 패드 연장부(35)가 아닌, 어스 배선 전극이 이용되고 있다.
또한, 상기 실시형태와 같이, 어스 전극 패드 연장부(35)를 이용한 로우 패스 필터용 콘덴서(C1)와 어스 배선 전극을 가지는 로우 패스 필터용 콘덴서(C2, C3)가 병용되어도 된다.
상기 실시형태에서는, 수신 필터(6)는 3IDT형의 제1, 제2 탄성 표면파 필터부를 가지는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 가지고 있었다. 단, 본 발명에 있어서는 상기와 같이, 수신 필터를 구성하는 탄성 표면파 필터로서의 기능 전극부의 구성은 상기 실시형태의 구조에 한정되는 것이 아니다.
한편, 상기 실시형태의 듀플렉서(1)에서는 제1 대역 필터가 수신 필터이며, 제2 대역 필터가 송신 필터였다. 본 발명은, 이렇게 수신 필터 및 송신 필터에 한하지 않고, 통과 대역이 다른 제1 및 제2 대역 필터를 가지는 듀플렉서에 널리 적용할 수 있다.
1…듀플렉서
2…안테나 단자
3…송신 단자
4…수신 단자
5…송신 필터
6…수신 필터
7…종결합 공진자형 탄성 표면파 필터
7A, 7B…제1, 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터부
8~10…싱글 포트형 탄성 표면파 공진자
11…접속점
12…싱글 포트형 탄성 표면파 공진자
13~15…접속점
21…압전기판
22…입력 전극 패드
23…출력 전극 패드
24~27…어스 전극 패드
31… 제1 신호 배선 전극
32… 제2 신호 배선 전극
33… 제3 신호 배선 전극
34…어스 배선 전극
35…어스 전극 패드 연장부
41~43…층간 절연막
C1~C3…로우 패스 필터용 콘덴서
D1~D5…입체교차부
L1~L3…인덕턴스
P1~P4…병렬암 공진자
S1~S5…직렬암 공진자

Claims (5)

  1. 제1 대역 필터와, 상기 제1 대역 필터보다도 통과 대역이 저주파수측에 위치하고 있는 제2 대역 필터를 가지는 듀플렉서로서,
    상기 제1 대역 필터가 불평형 입력-불평형 출력을 가지는 언밸런스형의 탄성 표면파 필터로 이루어지고,
    상기 제1 대역 필터가 압전기판과 상기 압전기판 위에 구성된 전극 구조를 포함하고,
    상기 전극 구조가 입력 전극 패드와, 출력 전극 패드와, 어스 전위에 접속되는 어스 전극 패드와, 적어도 하나의 IDT전극을 가지는 탄성 표면파 필터로서 기능하는 기능 전극부와, 상기 기능 전극부와 상기 입력 전극 패드를 접속하고 있는 제1 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부 내에 있어서 신호 전류가 흐르는 제2 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부와 상기 출력 전극 패드를 접속하고 있는 제3 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부와 상기 어스 전극 패드를 잇는 어스 배선 전극을 가지고,
    상기 제1~제3 신호 배선 전극 중 어느 한쪽의 신호 배선 전극이, 상기 어스 배선 전극과 입체교차하고 있는 입체교차부가 마련되어 있고, 상기 입체교차부에 있어서, 상기 어스 배선 전극과 상기 신호 배선 전극 사이에 층간 절연막이 마련되어 있고, 로우 패스 필터용 콘덴서를 구성하도록, 상기 층간 절연막을 통해서 상기 어스 배선 전극과 대향하고 있는 부분의 상기 신호 배선 전극의 폭이, 해당 입체교차부 이외의 부분의 상기 신호 배선 전극의 폭보다도 굵어지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  2. 제1 대역 필터와, 상기 제1 대역 필터보다도 통과 대역이 저주파수측에 위치하고 있는 제2 대역 필터를 가지는 듀플렉서로서,
    상기 제1 대역 필터가 불평형 입력-불평형 출력을 가지는 언밸런스형의 탄성 표면파 필터로 이루어지고,
    상기 탄성 표면파 필터가 압전기판과, 상기 압전기판 위에 구성된 전극 구조를 포함하고,
    상기 전극 구조가 입력 전극 패드와, 출력 전극 패드와, 어스 전위에 접속되는 어스 전극 패드와, 적어도 하나의 IDT전극을 가지는 탄성 표면파 필터로서 기능하는 기능 전극부와, 상기 기능 전극부와 상기 입력 전극 패드를 접속하고 있는 제1 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부 내에 있어서 신호 전류가 흐르는 제2 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부와 상기 출력 전극 패드를 접속하고 있는 제3 신호 배선 전극과, 상기 기능 전극부와 상기 어스 전극 패드를 잇는 어스 배선 전극을 가지고,
    상기 어스 전극 패드에 이어지면서, 상기 기능 전극부에 전기적으로 접속되어 있지 않은 어스 전극 패드 연장부가 더욱 마련되어 있고, 로우 패스 필터용 콘덴서를 구성하도록 상기 어스 전극 패드 연장부가, 층간 절연막을 통해서 상기 제1~ 제3 신호 배선 전극 중 어느 한쪽의 신호 배선 전극과 겹쳐있는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 로우 패스 필터용 콘덴서가 구성되어 있는 부분에 있어서, 상기 어스 배선 전극이 상기 층간 절연막과 상기 압전기판 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 언밸런스형의 탄성 표면파 필터가 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터인 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 대역 필터가 수신 필터이며, 상기 제2 대역 필터가 송신 필터인 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
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